JPH09297154A

JPH09297154A - 半導体ウエハの検査方法

Info

Publication number: JPH09297154A
Application number: JP11247196A
Authority: JP
Inventors: Koichi Nagao; 浩一長尾; Hiroaki Fujimoto; 博昭藤本
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1996-05-07
Filing date: 1996-05-07
Publication date: 1997-11-18

Abstract

(57)【要約】【課題】プローブカードのプローブ端子と半導体ウエ
ハの電極をウエハ状態で一括して確実に接触させる半導
体ウエハの検査方法を提供する。【解決手段】配線基板２４の金属配線２１上に形成さ
れたバンプ３０へ平板４０を当て、加圧してバンプ３０
を塑性変形させることにより、バンプ高さのばらつきを
吸収し、バンプ高さを均一に揃える。その後、半導体ウ
エハ１０の電極１１へ位置合わせし加圧することで、配
線基板２４の複数のバンプ３０と半導体ウエハ１０の複
数の電極１１を確実に接触させ、バーンイン等の検査を
低コストにウエハ状態で一括して行うとができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ上に
形成された複数の半導体チップの集積回路をプロブカー
ドを用いて一括して検査する半導体ウエハの検査方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路装置（以後、「半
導体チップ」と称する）を搭載した電子機器の小型化及
び低価格化の進歩は目ざましく、これに伴って、半導体
チップに対する小型化及び低価格化の要求が強くなって
いる。

【０００３】通常、半導体チップは、半導体チップとリ
ードフレームとがボンディングワイヤによって電気的に
接続された後、上記の半導体チップ及びリードフレーム
が樹脂又はセラミクス等により封止され、この状態でプ
リント基板へと供給され、プリント基板に半導体チップ
が実装される。ところが、電子機器の小型化の要求か
ら、最近、半導体チップを半導体ウエハから切り出した
ままの状態（以後、この状態の半導体チップを「ベアチ
ップ」と称する）で回路基板に直接実装する方法が開発
され、品質が保証されたベアチップを低価格で供給する
ことが望まれている。

【０００４】ベアチップに対して品質保証を行なうため
には、半導体チップに対してウエハ状態でバーンイン等
の検査をする必要がある。ところが、半導体ウエハ上に
形成されている複数のベアチップに対して１個又は数個
づつ何度にも分けて検査を行なうことは多くの時間を要
するため、時間的にもコスト的にも現実的ではない。そ
こで、全てのベアチップに対してウエハ状態で一括して
バーンイン等の検査を行なうことが要求されている。

【０００５】上記したように、ベアチップに対してウエ
ハ状態で一括して検査を行なうには、同一の半導体ウエ
ハ上に形成された複数の半導体チップに電源電圧や信号
を同時に印加し、複数のベアチップを動作させる必要が
ある。このためには、非常に多く（通常、数千個以上）
のプローブ針を持つプローブカードを用意する必要があ
るが、このようにするには、従来のニードル型プローブ
カードではピン数の点からも価格の点からも対応できな
い。

【０００６】そこで、ベアチップの検査用電極と接続す
るためのバンプよりなるプローブ端子が設けられたプロ
ーブカードが提案されている。

【０００７】上記した第１の従来のプローブカードの例
（例えば、特開平３−１７１７４９号公報参照）として
は、シリコンウエハ上へ、ベアチップの電極に対応した
位置に金、半田、アルミ等で構成された複数のバンプ
と、それらのバンプにそれぞれ接続される配線とを有し
たプローブカードがある。

【０００８】以下、上記した、従来のプローブカードの
製造方法について説明する。通常、シリコンウエハの表
面に、スパッタ法等を用いて金属薄膜層を形成した後、
金属薄膜層にエッチングを施し、任意のパターン形状に
配線を形成する。次に、配線上に絶縁層を形成し、この
絶縁層にスルーホールを形成した後、配線にメッキ用電
極の一方を接続して電気メッキを行う。メッキ層が目標
の高さまで成長した後、絶縁層を除去してプローブカー
ドを製造する。

【０００９】また、プローブカードのバンプと半導体チ
ップの電極との安定した接触を得るために、超音波振動
器によりプローブカードと半導体ウエハをそれぞれ振動
させて半導体チップの検査を行なう第２の従来の方法
（例えば、特開平３−１７１７４９号公報参照）が従来
提唱されている。

【００１０】以下、上記した、従来のプローブカードを
用いた半導体ウエハの検査方法について説明する。

【００１１】半導体ウエハとプローブカードの位置合わ
せを行なった後、半導体ウエハの電極とプローブカード
のバンプを接触させる。その後、半導体ウエハとプロー
ブカードを超音波振動器によりそれぞれ振動させること
により、電極とバンプのより安定な電気的接触を得る。
次に、半導体ウエハとプローブカードを設定温度まで昇
温した状態で、プローブカードの配線に電源電圧や信号
を印可することで、バンプを介してベアチップに所望の
電源電圧や信号を印加し、半導体ウエハを検査するとい
うものである。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
ウエハのサイズが大きくなり、ウエハ内に形成されてい
る半導体チップの数が増えることにより、プローブ端子
となるバンプの数も数千個から数万個と非常に多くな
る。このように多くのバンプを電気メッキ法で形成した
場合、バンプ高さのばらつきが大きくなり、半導体ウエ
ハの電極へ均一に接触させることができなくなる。

【００１３】通常、電気メッキによりバンプを形成した
場合、バンプの高さは設計値１５μｍに対して１〜４μ
ｍ程度の高さばらつきを有する。ところが、上記した従
来のプローブカードを用いた半導体ウエハの検査方法の
ように、超音波振動器により半導体ウエハとプローブカ
ードを振動させただけでは、高さの高いバンプを塑性変
形させ、バンプ高さを揃える事ができない。したがっ
て、高さの低いバンプは半導体ウエハの電極へ接触させ
ることができず、電気的接続ができなくなる。

【００１４】以上、説明したように、半導体ウエハのサ
イズが大きくなり、プローブ端子となるバンプの数が多
くなると、電気メッキでバンプを形成したときのバンプ
高さのばらつきが大きくなり、半導体ウエハの電極にす
べてのバンプを均一に接触させることができなくなると
いう問題がある。

【００１５】そこで、本発明は、プローブカード上に形
成された多数のバンプの高さを、均一に揃えることに新
たに着目して、バンプと電極の均一な接触を得ることを
目的とするものである。すなわち本発明は、上記問題点
に鑑み、バーンイン等の検査をウエハ状態で一括して行
う際に、プローブカード上に形成したプローブ端子とな
るバンプの高さがばらついていても、バンプと半導体ウ
エハの電極に確実に接触するような半導体ウエハの検査
方法を提供することを目的とするものである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明は、プローブカード上に形成したプロー
ブ端子となるバンプへ平板を押し当て、加圧することに
よりバンプを塑性変形させ、バンプ高さを揃えることを
特徴とするものである。

【００１７】特に請求項１の発明が講じた解決手段は、
半導体ウエハの検査方法を、配線基板の金属配線層の上
に絶縁性感光樹脂層を形成する工程と、絶縁性感光樹脂
の半導体ウエハの電極に対応した位置に開口部を形成す
る工程と、開口部に金属突起を形成する工程と、配線基
板に形成された複数個の金属突起の表面の高さを揃える
工程と、半導体ウエハの電極に配線基板に形成された金
属突起を位置合わせする工程と、配線基板と半導体ウエ
ハとを相対的に加圧して半導体ウエハの電極と金属突起
とを接触させ電気的接続を行なう工程とを有する構成と
するものである。

【００１８】また請求項３の発明が講じた解決手段は、
バンプを形成する際に、第１の金属材料よりなる第１の
バンプを形成する工程と、第１のバンプの上に、第１の
金属材料より硬度が高い第２の金属材料よりなる第２の
バンプを形成する工程とを備えている構成とするもので
ある。

【００１９】さらに請求項４の発明が講じた解決手段
は、バンプを形成する際に、第１のバンプの上に、第１
の金属材料より硬度が高い第２の金属材料よりなり、な
おかつ第１のバンプよりも径の大きい第２のバンプを形
成する工程とを備えている構成とするものである。

【００２０】また請求項５の発明が講じた解決手段は、
バンプを形成する際に、第１のバンプの上に、第１の金
属材料より融点の高い第２の金属材料よりなる第２のバ
ンプを形成する工程とを備えている構成とするものであ
る。

【００２１】

【発明の実施の形態】

（実施の形態１）以下、図１〜図４を参照しながら本発
明の実施の形態１に係る半導体ウエハの検査方法につい
て説明する。

【００２２】図１は本発明の実施の形態１における半導
体ウエハの検査方法の工程フローを示した断面図であ
る。図１において、１０は半導体ウエハ、１１は半導体
ウエハの電極、２４はプローブカードとなる配線基板、
２０は配線基板の基材、２１はバンプへ信号を供給する
金属配線、２２はバンプを選択的に形成するための感光
性レジスト、３０はプローブ端子となるバンプを示して
いる。

【００２３】まず、配線基板２４の配線２１上にバンプ
３０を形成する工程について図１（ａ）を参照しなが
ら。

【００２４】図１（ａ）に示すように、基材２０の上に
金属配線２１を形成する。金属配線２１は、例えばＣｒ
／Ａｌ、Ｃｒ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ等の金属材料を例えば
スパッタ法等で基材２０上に形成し、エッチングにより
配線パターンを形成する。ここで、基材２０は、例えば
テンパックスガラス（α＝３.２×１０-6／℃）のよう
に、半導体ウエハ１０の熱膨張係数（α＝３.５×１０-
6／℃）にできる限り近い材料を用いることが望まし
い。これにより、バーンインのように高温状態で検査を
するときに、半導体ウエハの電極と配線基板のバンプに
位置ずれが発生するのを防ぐことができる。また、基材
２０の厚さは、基板の反りを抑えるために厚い方がよ
く、２ｍｍ以上がよい。さらに、金属配線２１は１層だ
けではなく、層間絶縁膜を形成して、２層以上の層数に
してもよい。

【００２５】次に、金属配線２１の上に感光性レジスト
２２を塗布する。感光性レジスト２２の厚さは、ストレ
ートウォールタイプのバンプ（図２（ａ））を形成する
場合には５〜１５μｍ、マッシュルームタイプのバンプ
（図２（ｂ））を形成する場合には１〜２μｍ程度であ
る。

【００２６】さらに、露光により、半導体ウエハ１０の
電極１１に対応する位置に感光性レジスト２２の開口部
２３を形成する。開口部２３の径は５〜３０μｍで、で
きれば１０〜１５μｍが望ましい。

【００２７】次に、開口部２３へバンプ３０を形成す
る。配線基板２４をメッキ液へ浸せきし、金属配線２１
をメッキ用電極とし電流を流して、電気メッキによりバ
ンプを成長させる。バンプの高さは５〜３０μｍで、で
きれば１０〜１５μｍが望ましい。バンプ３０の構成材
料としては、例えば金、はんだ（ＳｎＰｂ）、インジウ
ム、銀、銅等を用いる。例えば金バンプを形成する場
合、メッキ液は例えばニュートロネクス２１０（田中貴
金属(株)製）を使用し、０．０４ｍＡ／ｍｍ2の電流
で、約６０分で高さ１０μｍのバンプを形成することが
できる。このようにして、φ１５０ｍｍの領域に数千個
のバンプを形成した場合、それらのバンプの高さは、例
えば設計値１５μｍに対して１〜４μｍ程度の高さばら
つきを有する。

【００２８】尚、金属配線２１がメッキ用電極としてす
べての開口部に共通で電流を供給できない場合には、金
属配線２１をエッチングする前にバンプ３０を形成し、
その後エッチングにより配線パターンを形成してもよ
い。また、無電解メッキ液を使用してもよい。

【００２９】上記のようにメッキによりバンプ３０を形
成した後、感光性レジスト２２を除去する。

【００３０】次に、配線基板２４のバンプ３０が形成さ
れた面に平板４０を当て加圧４１することにより、バン
プ３０を塑性変形させる。平板４０には、例えば厚さ２
ｍｍ程度の光学研磨したガラス板を用いる。

【００３１】図３に、ストレートウォールタイプの金バ
ンプについて、バンプに加える加圧力とバンプの塑性変
形率の関係を示す。これより、直径１５μｍ、高さ１５
μｍのバンプの場合、バンプ３０へ１個当たり１３ｇの
加圧力を加えると約３０％塑性変形することがわかる。
これにより、バンプ高さ１５μｍに対し、約４．５μｍ
の塑性変形するため、バンプ３０形成時の高さばらつき
４μｍを吸収し、高さが均一揃ったバンプを形成するこ
とができる。なお、本実施の形態では、平板を金属突起
に押し当てることにより金属突起を塑性変形させて金属
突起表面の高さを揃えたが、必ずしもこの方法を用いる
必要性はなく、金属突起を半導体チップの電極と電気的
に接触させる前にその表面の高さを揃えればよい。

【００３２】次に、配線基板２４のバンプ３０へ半導体
ウエハ１０の電極１１を位置合わせし、配線基板２４と
半導体ウエハ１０を重ね合わせる。その後、半導体ウエ
ハ１０に等分布荷重１２を加えることにより、配線基板
２４のバンプ３０と半導体ウエハ１０の電極１１を接触
させ、電気的導通を得ることができる。

【００３３】図４に、半導体ウエハに等分布荷重を加え
る方法の一例を示す。図４において、４２は半導体ウエ
ハ１０を均一に加圧する平板、４３は配線基板２４と平
板４２に囲まれた部分を減圧するためのゴムパッキンで
ある。

【００３４】配線基板２４と半導体ウエハ１０を重ね合
わせた状態で、さらに半導体ウエハ１０の裏面に平板４
２を重ね、配線基板２４と平板４２の間をゴムパッキン
４３でシールする。そして、貫通孔２５から内側の空気
圧を減圧することにより、平板４２に大気圧との圧力差
１２が均一に加わる。これにより配線基板２４のバンプ
３０と半導体ウエハ１０の電極１１が接触して電気的導
通が得られ、複数の半導体ウエハに同時に信号、電源を
供給してバーンイン等の検査することができる。

【００３５】以上のように、配線基板２４上に形成され
たバンプ３０を平板４２により加圧し塑性変形させるこ
とによって、配線基板２４上のすべてのバンプ３０の高
さを均一に揃えることができ、半導体ウエハ１０の電極
２１と配線基板２４のバンプ３０を同時に確実に接触さ
せることができる。

【００３６】（実施の形態２）以下、図５〜図６を参照
しながら本発明実施の形態２に係る半導体ウエハの検査
方法について説明する。

【００３７】図５は本発明実施の形態２における半導体
ウエハの検査方法の工程フローを示した断面図である。
図１と異なるのは、バンプの耐久性を高める手段とし
て、バンプ３０の上にバンプ３０の構成材料よりも硬度
の高い材料を用いてバンプ３１を形成する工程を追加し
た点である。図５において、図１と同一の機能を有する
ものには同一の符号を付してその詳細な説明を省略す
る。

【００３８】以上のように構成された半導体ウエハの検
査方法について、以下その動作を説明する。

【００３９】図５（ａ）に示すように、感光性レジスト
２２の開口部２３へバンプを形成する。まず、上記した
実施の形態１と同様に、配線基板２４をメッキ液へ浸せ
きし、金属配線２１をメッキ用電極とし電流を流して、
電気メッキによりバンプ３０を成長させる。バンプの高
さは５〜３０μｍで、できれば１０〜１５μｍが望まし
い。バンプ３０の構成材料としては、例えば金、はんだ
（ＳｎＰｂ）、インジウム、銀、銅等を用いる。例えば
金バンプを形成する場合、メッキ液は例えばニュートロ
ネクス２１０（田中貴金属(株)製）を使用し、０．０４
ｍＡ／ｍｍ２の電流で、約６０分で高さ１０μｍのバン
プを形成することができる。

【００４０】次に、バンプ３０の構成材料より硬度の高
い材料にて、バンプ３０の上にバンプ３１を形成する。
バンプ３０と同様に、配線基板２４をメッキ液へ浸せき
し、金属配線をメッキ用電極とし電流を流して、電気メ
ッキによりバンプ３１を成長させる。バンプ３１の構成
材料は、例えばロジウム、タングステン、ニッケル等が
ある。また、バンプ３１の高さは１〜１０μｍで、でき
れば１〜２μｍが望ましい。

【００４１】尚、金属配線２１がメッキ用電極としてす
べての開口部に共通で電流を供給できない場合には、金
属配線２１をエッチングする前にバンプ３０、３１を形
成し、その後エッチングにより配線パターンを形成して
もよい。また、無電解メッキ液を使用してもよい。

【００４２】この後、配線基板２４のバンプ３０、３１
が形成された面に平板４０を当て加圧することにより、
主としてバンプ３０を塑性変形させる。これにより、実
施の形態１と同様に、バンプ高さのばらつきを吸収し、
バンプ高さが均一に揃ったバンプを形成することができ
る。

【００４３】次に、配線基板２４のバンプ３０、３１へ
半導体ウエハ１０の電極１１を位置合わせし、配線基板
２４と半導体ウエハ１０を重ね合わせる。その後、半導
体ウエハ１０に等分布荷重１２を加えることにより、配
線基板２４のバンプ３１と半導体ウエハ１０の電極１１
が接触して、電気的導通が得られ、複数の半導体ウエハ
に同時に信号、電源を供給してバーンイン等の検査する
ことができる。

【００４４】配線基板２４は、繰り返し使用するため
に、半導体ウエハ１０の電極１１に接触するバンプの表
面は磨耗しやすい。しかし、バンプ３１のように、バン
プの最表面により硬度の高い材料を用いることにより磨
耗を軽減させることができる。

【００４５】以上のように、バンプの上層の金属材料は
硬度が高いことから、バンプの磨耗が抑えられプローブ
カードの耐久性が増すため、半導体ウエハの検査を低コ
ストに行うことができる。

【００４６】尚、本実施の形態において、バンプの耐磨
耗性を高める手段として、バンプの最表面により硬度の
高い材料を用いるとしたが、バンプ３１の形成工程にお
いて、感光性レジスト２２の厚さよりバンプ３１を大き
く成長させ、バンプ３１の径をバンプ３０の径より大き
くしてもよい。

【００４７】この場合を以下、図６を参考にしながら説
明する。図６（ａ）は、実施例２に示したもので、感光
性レジスト２２の厚さと同じか、もしくは感光性レジス
ト２２の厚さよりも小さくバンプ３０、３１を成長させ
た例である。これにより、バンプ３０の径と、バンプ３
１の径は同一となる。

【００４８】図６（ｂ）は、感光性レジスト２２の厚さ
に一致するまでバンプ３０を成長させた後、さらにバン
プ３１を成長させた例である。これにより、構成材料の
硬度の高いバンプ３１の径に対し、硬度の低いバンプ３
０の径が小さくなり、バンプ３１の耐磨耗性がさらに向
上する。また、感光性レジスト２２の開口部２３の径を
あらかじめ小さく設計しておけば、バンプを塑性変形さ
せ、バンプ高さを均一に揃えるための加圧力がより小さ
くなり、検査装置を小型化できる。

【００４９】図６（ｃ）は、感光性レジスト２２の厚さ
よりも小さくバンプ３０を成長させた後、さらにバンプ
３１を感光性レジスト２２の厚さよりも大きく成長させ
た例である。これにより、図６（ｂ）と同様に、構成材
料の硬度の高いバンプ３１の径に対し、硬度の低いバン
プ３０の径が小さくなり、バンプ３１の耐磨耗性がさら
に向上する。また、感光性レジスト２２の開口部２３の
径をあらかじめ小さく設計しておけば、バンプを塑性変
形させ、バンプ高さを均一に揃えるための加圧力がより
小さくなり、検査装置を小型化できる。

【００５０】以上のように、構成材料の硬度が高いバン
プ３１を感光性レジスト２２の厚さよりも大きく成長さ
せることにより、バンプの耐磨耗性を向上させることが
できる。

【００５１】さらに、本発明において、バンプを塑性変
形させ、バンプの高さを均一に揃える手段として、バン
プの最表面により硬度の高い材料を用いるとしたが、バ
ンプ３１の形成工程において、下層のバンプ３０の構成
材料よりも融点の高い構成材料を用いて上層のバンプ３
１を形成してもよい。

【００５２】例えば、下層のバンプ３０の構成材料とし
てインジウム、上層のバンプ３１の構成材料としてロジ
ウムを用い、平板４０でバンプ３０、３１を加圧すると
き、バンプ３０、３１の温度を１４０℃〜１５０℃に保
持する。これにより、バンプ３０の硬度は低くなり、常
温の場合より小さな加圧力でバンプ３０を塑性変形させ
ることができる。

【００５３】以上のように、下層のバンプ３０の構成材
料よりも融点の高い構成材料を用いて上層のバンプ３１
を形成することにより、より小さな加圧力でバンプを塑
性変形させ、バンプ高さを均一にすることができる。

【００５４】

【発明の効果】以上のように本発明は、低コストのプロ
ーブカードを供給することができる。

【００５５】請求項１の構成により、プローブカード上
に形成されたバンプの高さを均一に揃えることができ、
半導体ウエハの電極とプローブカードのバンプを同時に
確実な接触をさせることができ、低コストにプローブカ
ードを製造することができる。

【００５６】請求項３の構成により、最上層のバンプを
構成する金属材料の硬度が高いことから、バンプの耐磨
耗性が向上し、プローブカードの耐久性が増すため、半
導体ウエハの検査を低コストに行うことができる。

【００５７】請求項４の構成により、最上層のバンプは
径が大きく、バンプを構成する金属材料の硬度が高くこ
とから、バンプの耐磨耗性が向上し、プローブカードの
耐久性がより増すため、半導体ウエハの検査を低コスト
に行うことができる。また、プローブカード上に形成さ
れたバンプを平板により加圧する際、より小さな加圧力
によりバンプを塑性変形させることができ、検査装置の
小型化、低コスト化ができる。

【００５８】請求項５の構成により、プローブカード上
に形成されたバンプを平板により加圧する際、プローブ
カードの温度を上昇させることにより、より小さな加圧
力でバンプを塑性変形させることができ、検査装置の小
型化、低コスト化ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１における半導体ウエハの
検査方法の工程断面図

【図２】本発明の実施の形態１における半導体ウエハの
検査に用いるプローブ端子用バンプの断面図

【図３】本発明の実施の形態１における半導体ウエハの
検査における加圧力とバンプの塑性変形率の関係を示す
図

【図４】本発明の実施の形態１における半導体ウエハの
検査方法における均一加圧方法を示す断面図

【図５】本発明の実施の形態２における半導体ウエハの
検査方法の工程断面図

【図６】本発明の実施の形態２における半導体ウエハの
検査方法に用いるプローブ端子用バンプの断面図

【符号の説明】

１０半導体ウエハ１１半導体ウエハの電極２０配線基板の基材２１配線基板の配線２２感光性レジスト２４配線基板２５貫通孔３０バンプ（下層）３１バンプ（上層）４０平板４２平板４３ゴムパッキン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】配線基板の金属配線層の上に絶縁性感光樹
脂層を形成する工程と、前記絶縁性感光樹脂の半導体ウ
エハの電極に対応した位置に開口部を形成する工程と、
前記開口部に金属突起を形成する工程と、前記配線基板
に形成された複数個の前記金属突起の表面の高さを揃え
る工程と、前記半導体ウエハの電極に前記配線基板に形
成された前記金属突起を位置合わせする工程と、前記配
線基板と前記半導体ウエハとを相対的に加圧して前記半
導体ウエハの電極と前記金属突起とを接触させ電気的接
続を行なう工程とを有する半導体ウエハの検査方法。
【請求項２】配線基板に形成された複数個の金属突起の
表面の高さを揃える工程において、前記配線基板の前記
金属突起が形成された面に平板を当て、前記配線基板の
金属突起形成面に対し前記平板を鉛直方向に加圧し前記
金属突起を塑性変形させることにより前記金属突起の表
面の高さを揃えることを特徴とする請求項１に記載の半
導体ウエハの検査方法。
【請求項３】金属突起を形成する工程において、金属配
線上の絶縁性感光樹脂開口部に第１の金属材料よりなる
第１の金属突起を形成する工程と、前記第１の金属突起
の上に前記第１の金属突起よりも硬度が高い第２の金属
材料よりなる第２の金属突起を形成することを特徴とす
る請求項１または２に記載の半導体ウエハの検査方法。
【請求項４】金属突起を形成する工程において、第２の
金属突起の径が第１の金属突起よりも大きいことを特徴
とする請求項２に記載の半導体ウエハの検査方法。
【請求項５】金属突起を形成する工程において、第２の
金属突起の材料が第１の金属突起の材料より融点が高い
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体ウエハの検査
方法。