JPH08330372A - 半導体装置の検査方法 - Google Patents
半導体装置の検査方法Info
- Publication number
- JPH08330372A JPH08330372A JP7301418A JP30141895A JPH08330372A JP H08330372 A JPH08330372 A JP H08330372A JP 7301418 A JP7301418 A JP 7301418A JP 30141895 A JP30141895 A JP 30141895A JP H08330372 A JPH08330372 A JP H08330372A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- contactor
- semiconductor wafer
- substrate
- sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップに対してウェハ状態で一括して
高温の検査を行なう際に、半導体ウェハの周縁部におい
ても、コンタクタのプローブ端子が半導体ウェハの検査
用電極に確実に接触するような半導体装置の検査方法を
提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ１０を伸縮性を有するダイ
シング用シート１１に固定する。次に、半導体ウェハ１
０に対してダイシング用シート１１が分離しないように
ダイシングを行なって、複数の半導体チップ１０ａを互
いに分離する。コンタクタ１５と半導体ウェハ１０とを
アライメントした後、半導体ウェハ１０をコンタクタ１
５に固定する。この際、コンタクタ１５に設けられてい
る突起体１４を半導体チップ１０ａ同士の間に挿入す
る。コンタクタ１５の熱膨張に伴い周辺部側に拡がる突
起体１４によって複数の半導体チップ１０ａ同士の間隔
を拡げ、間隔が拡がった半導体チップ１０ａに対して一
括してバーンインを行なう。
高温の検査を行なう際に、半導体ウェハの周縁部におい
ても、コンタクタのプローブ端子が半導体ウェハの検査
用電極に確実に接触するような半導体装置の検査方法を
提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ１０を伸縮性を有するダイ
シング用シート１１に固定する。次に、半導体ウェハ１
０に対してダイシング用シート１１が分離しないように
ダイシングを行なって、複数の半導体チップ１０ａを互
いに分離する。コンタクタ１５と半導体ウェハ１０とを
アライメントした後、半導体ウェハ１０をコンタクタ１
５に固定する。この際、コンタクタ１５に設けられてい
る突起体１４を半導体チップ１０ａ同士の間に挿入す
る。コンタクタ１５の熱膨張に伴い周辺部側に拡がる突
起体１４によって複数の半導体チップ１０ａ同士の間隔
を拡げ、間隔が拡がった半導体チップ１０ａに対して一
括してバーンインを行なう。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ上に
形成された複数の半導体チップの集積回路をウェハ状態
で一括して検査する半導体装置の検査方法に関する。
形成された複数の半導体チップの集積回路をウェハ状態
で一括して検査する半導体装置の検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路装置（以後、半導
体装置を称する。）を搭載した電子機器の小型化及び低
価格化の進歩は目ざましく、これに伴って、半導体装置
に対する小型化及び低価格化の要求が強くなっている。
体装置を称する。）を搭載した電子機器の小型化及び低
価格化の進歩は目ざましく、これに伴って、半導体装置
に対する小型化及び低価格化の要求が強くなっている。
【０００３】通常、半導体装置は、半導体チップとリー
ドフレームとがボンディングワイヤによって電気的に接
続された後、半導体チップ及びリードフレームが樹脂又
はセラミクスにより封止された状態で供給され、プリン
ト基板に実装される。ところが、電子機器の小型化の要
求から、半導体装置を半導体ウエハから切り出したまま
の状態（以後、この状態の半導体装置をベアチップと称
する。）で回路基板に直接実装する方法が開発され、品
質が保証されたベアチップを低価格で供給することが望
まれている。
ドフレームとがボンディングワイヤによって電気的に接
続された後、半導体チップ及びリードフレームが樹脂又
はセラミクスにより封止された状態で供給され、プリン
ト基板に実装される。ところが、電子機器の小型化の要
求から、半導体装置を半導体ウエハから切り出したまま
の状態（以後、この状態の半導体装置をベアチップと称
する。）で回路基板に直接実装する方法が開発され、品
質が保証されたベアチップを低価格で供給することが望
まれている。
【０００４】ベアチップに対して品質保証を行なうため
には、半導体装置に対してウェハ状態でバーンイン等の
検査をする必要がある。ところが、半導体ウェハ上に形
成されている複数のベアチップに対して１個又は数個づ
つ何度にも分けて検査を行なうことは多くの時間を要す
るので、時間的にもコスト的にも現実的ではない。そこ
で、全てのベアチップに対してウェハ状態で一括してバ
ーンイン等の検査を行なうことが要求される。
には、半導体装置に対してウェハ状態でバーンイン等の
検査をする必要がある。ところが、半導体ウェハ上に形
成されている複数のベアチップに対して１個又は数個づ
つ何度にも分けて検査を行なうことは多くの時間を要す
るので、時間的にもコスト的にも現実的ではない。そこ
で、全てのベアチップに対してウェハ状態で一括してバ
ーンイン等の検査を行なうことが要求される。
【０００５】ベアチップに対してウェハ状態で一括して
検査を行なうには、同一の半導体ウェハ上に形成された
複数の半導体チップの各検査用電極に電源電圧や信号を
同時に印加し、該複数の半導体チップを動作させる必要
がある。このためには、各検査用電極にそれぞれ接続さ
れる非常に多く（通常、数千個以上）のプローブ針を持
つプローブカードを用意する必要があるが、このように
するには、従来のニードル型プローブカードではピン数
の点からも価格の点からも対応できない。
検査を行なうには、同一の半導体ウェハ上に形成された
複数の半導体チップの各検査用電極に電源電圧や信号を
同時に印加し、該複数の半導体チップを動作させる必要
がある。このためには、各検査用電極にそれぞれ接続さ
れる非常に多く（通常、数千個以上）のプローブ針を持
つプローブカードを用意する必要があるが、このように
するには、従来のニードル型プローブカードではピン数
の点からも価格の点からも対応できない。
【０００６】そこで、フレキシブル基板上にバンプが設
けられた薄膜型のプローブカードよりなるコンタクタが
提案されている（日東技報 Vol.28,No.2(Oct. 1990 PP.
57-62 を参照）。
けられた薄膜型のプローブカードよりなるコンタクタが
提案されている（日東技報 Vol.28,No.2(Oct. 1990 PP.
57-62 を参照）。
【０００７】以下、前記のコンタクタを用いたバーンイ
ンについて説明する。
ンについて説明する。
【０００８】図１５（ａ），（ｂ）はコンタクタを用い
たプロービングの状態を示す断面図である。図１５
（ａ），（ｂ）において、１００はカード型のコンタク
タであって、該コンタクタ１００は、ポリイミド基板１
０１と、ポリイミド基板１０１上に形成された配線層１
０２及びプローブ端子としてのバンプ１０３と、配線層
１０２とバンプ１０３とを接続するスルーホール配線１
０４とを有している。
たプロービングの状態を示す断面図である。図１５
（ａ），（ｂ）において、１００はカード型のコンタク
タであって、該コンタクタ１００は、ポリイミド基板１
０１と、ポリイミド基板１０１上に形成された配線層１
０２及びプローブ端子としてのバンプ１０３と、配線層
１０２とバンプ１０３とを接続するスルーホール配線１
０４とを有している。
【０００９】図１５（ａ）に示すように、コンタクタ１
００を被検査基板である半導体ウェハ１１０に押し付け
て、半導体ウェハ１１０上の検査用電極としてのパッド
１１１とコンタクタ１００のバンプ１０３とを電気的に
接続する。室温状態での検査であれば、この状態で電圧
電源又は信号を配線層１０２を介してバンプ１０３に印
加することにより検査が可能となる。
００を被検査基板である半導体ウェハ１１０に押し付け
て、半導体ウェハ１１０上の検査用電極としてのパッド
１１１とコンタクタ１００のバンプ１０３とを電気的に
接続する。室温状態での検査であれば、この状態で電圧
電源又は信号を配線層１０２を介してバンプ１０３に印
加することにより検査が可能となる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、バーン
イン等の高温状態の検査においては、温度加速を行なう
ため半導体ウェハ１１０を昇温する必要がある。図１５
（ｂ）は、室温２５℃から１２５℃まで半導体ウェハ１
１０を加熱した際の断面構造を示している。図１５
（ｂ）において、左側部分は半導体ウェハ１１０の中心
部の状態を、右側部分は半導体ウェハ１１０の周縁部の
状態をそれぞれ示している。
イン等の高温状態の検査においては、温度加速を行なう
ため半導体ウェハ１１０を昇温する必要がある。図１５
（ｂ）は、室温２５℃から１２５℃まで半導体ウェハ１
１０を加熱した際の断面構造を示している。図１５
（ｂ）において、左側部分は半導体ウェハ１１０の中心
部の状態を、右側部分は半導体ウェハ１１０の周縁部の
状態をそれぞれ示している。
【００１１】ポリイミド基板１０１を構成するポリイミ
ドの熱膨張率が半導体ウェハ１１０を構成するシリコン
の熱膨張率に比べて大きいため（シリコンの熱膨張率が
３．５×１０-6／℃であるのに対して、ポリイミドの熱
膨張率は１６×１０-6／℃である。）、半導体ウェハ１
１０の周縁部においてはバンプ１０３とパッド１１１と
の間にズレが生じてしまう。つまり、常温において半導
体ウェハ１１０とコンタクタ１００とをアライメントし
た後、これらを１００℃に昇温すると、６インチの半導
体ウェハ１１０の場合、コンタクタ１００が１６０μｍ
伸びるのに対して半導体ウェハ１１０は３５μｍしか伸
びないので、半導体ウェハ１１０の周縁部においては、
パッド１１１とバンプ１０３とがおよそ１２５μｍずれ
る。このため、半導体ウェハ１１０の周縁部において
は、パッド１１１とバンプ１０３との電気的接続ができ
なくなる。
ドの熱膨張率が半導体ウェハ１１０を構成するシリコン
の熱膨張率に比べて大きいため（シリコンの熱膨張率が
３．５×１０-6／℃であるのに対して、ポリイミドの熱
膨張率は１６×１０-6／℃である。）、半導体ウェハ１
１０の周縁部においてはバンプ１０３とパッド１１１と
の間にズレが生じてしまう。つまり、常温において半導
体ウェハ１１０とコンタクタ１００とをアライメントし
た後、これらを１００℃に昇温すると、６インチの半導
体ウェハ１１０の場合、コンタクタ１００が１６０μｍ
伸びるのに対して半導体ウェハ１１０は３５μｍしか伸
びないので、半導体ウェハ１１０の周縁部においては、
パッド１１１とバンプ１０３とがおよそ１２５μｍずれ
る。このため、半導体ウェハ１１０の周縁部において
は、パッド１１１とバンプ１０３との電気的接続ができ
なくなる。
【００１２】以上、説明したように、従来の半導体装置
の検査方法によると、半導体ウェハが高温状態におかれ
るため、半導体ウェハに接するコンタクタも高温とな
り、半導体ウェハとコンタクタとの熱膨張係数の差によ
り、半導体ウェハの周縁部においては、パッドとバンプ
とがずれてしまい、パッドとバンプとが電気的に接続さ
れないという問題がある。
の検査方法によると、半導体ウェハが高温状態におかれ
るため、半導体ウェハに接するコンタクタも高温とな
り、半導体ウェハとコンタクタとの熱膨張係数の差によ
り、半導体ウェハの周縁部においては、パッドとバンプ
とがずれてしまい、パッドとバンプとが電気的に接続さ
れないという問題がある。
【００１３】前記に鑑み、本発明は、バーンイン等の高
温の検査をウェハ状態で一括して行なう際に、半導体ウ
ェハの周縁部においても、コンタクタのプローブ端子が
半導体ウェハの検査用電極に確実に接触するような半導
体装置の検査方法を提供することを目的とする。
温の検査をウェハ状態で一括して行なう際に、半導体ウ
ェハの周縁部においても、コンタクタのプローブ端子が
半導体ウェハの検査用電極に確実に接触するような半導
体装置の検査方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、請求項１の発明は、半導体ウェハを伸縮性を有する
シートに固定した状態で該半導体ウェハに対してダイシ
ングを行なって半導体チップ同士を分離し、半導体チッ
プ同士の間隔をコンタクタの熱膨張に応じて拡げること
により、半導体ウェハを疑似的に膨張させるものであ
る。
め、請求項１の発明は、半導体ウェハを伸縮性を有する
シートに固定した状態で該半導体ウェハに対してダイシ
ングを行なって半導体チップ同士を分離し、半導体チッ
プ同士の間隔をコンタクタの熱膨張に応じて拡げること
により、半導体ウェハを疑似的に膨張させるものであ
る。
【００１５】請求項１の発明が講じた解決手段は、半導
体装置の検査方法を、検査用電極を有する複数の半導体
チップが形成された半導体ウェハを伸縮性を有するシー
トに固定する第１の工程と、前記シートに固定された前
記半導体ウェハに対して前記シートが分離しないように
ダイシングを行なって、前記複数の半導体チップを互い
に分離する第２の工程と、前記半導体チップの検査用電
極に電気信号を供給するコンタクタとダイシングされた
半導体ウェハとをアライメントした後、前記半導体ウェ
ハを前記コンタクタに固定する第３の工程と、前記コン
タクタに固定された前記半導体ウェハを加熱して前記複
数の半導体チップ同士の間隔を前記コンタクタの熱膨張
に応じて拡げ、間隔が拡がった前記複数の半導体チップ
に対して一括してバーンインを行なう第４の工程とを備
えている構成とするものである。
体装置の検査方法を、検査用電極を有する複数の半導体
チップが形成された半導体ウェハを伸縮性を有するシー
トに固定する第１の工程と、前記シートに固定された前
記半導体ウェハに対して前記シートが分離しないように
ダイシングを行なって、前記複数の半導体チップを互い
に分離する第２の工程と、前記半導体チップの検査用電
極に電気信号を供給するコンタクタとダイシングされた
半導体ウェハとをアライメントした後、前記半導体ウェ
ハを前記コンタクタに固定する第３の工程と、前記コン
タクタに固定された前記半導体ウェハを加熱して前記複
数の半導体チップ同士の間隔を前記コンタクタの熱膨張
に応じて拡げ、間隔が拡がった前記複数の半導体チップ
に対して一括してバーンインを行なう第４の工程とを備
えている構成とするものである。
【００１６】請求項１の構成により、複数の半導体チッ
プが互いに分離されている半導体ウェハを加熱すると、
該半導体ウェハはコンタクタに固定されているため、該
コンタクタの熱膨張に応じて複数の半導体チップ同士の
間隔が拡がり、半導体ウェハは疑似的に膨張するので、
バーンイン時に、半導体ウェハの周縁部においても半導
体チップの検査用電極とコンタクタのプローブ端子とが
位置ずれを起こすことはない。また、シートは伸縮性を
有しているのでコンタクタの熱膨張ひいては半導体チッ
プ同士の間隔の拡がりに応じて伸びる。
プが互いに分離されている半導体ウェハを加熱すると、
該半導体ウェハはコンタクタに固定されているため、該
コンタクタの熱膨張に応じて複数の半導体チップ同士の
間隔が拡がり、半導体ウェハは疑似的に膨張するので、
バーンイン時に、半導体ウェハの周縁部においても半導
体チップの検査用電極とコンタクタのプローブ端子とが
位置ずれを起こすことはない。また、シートは伸縮性を
有しているのでコンタクタの熱膨張ひいては半導体チッ
プ同士の間隔の拡がりに応じて伸びる。
【００１７】請求項２の発明は、請求項１の構成に、バ
ーンインが行なわれた前記複数の半導体チップに対して
出荷前の検査を行なう第５の工程をさらに備えている構
成を付加するものである。
ーンインが行なわれた前記複数の半導体チップに対して
出荷前の検査を行なう第５の工程をさらに備えている構
成を付加するものである。
【００１８】請求項３の発明は、請求項１の構成に、前
記第２の工程と前記第３の工程との間に、前記半導体チ
ップの良否の判定を行ない、不良と判定された前記半導
体チップを前記シートから除去する工程をさらに備えて
いる構成を付加するものである。
記第２の工程と前記第３の工程との間に、前記半導体チ
ップの良否の判定を行ない、不良と判定された前記半導
体チップを前記シートから除去する工程をさらに備えて
いる構成を付加するものである。
【００１９】請求項４の発明は、請求項１の構成に、前
記第１の工程よりも前に、前記シートを加熱して該シー
トを収縮させておく工程をさらに備えている構成を付加
するものである。
記第１の工程よりも前に、前記シートを加熱して該シー
トを収縮させておく工程をさらに備えている構成を付加
するものである。
【００２０】請求項５の発明は、請求項１の構成に、前
記第１の工程は、前記半導体ウェハが固定された前記シ
ートを前記コンタクタと略同じ熱膨張率を有する基板に
固定する工程を含む構成を付加するものである。
記第１の工程は、前記半導体ウェハが固定された前記シ
ートを前記コンタクタと略同じ熱膨張率を有する基板に
固定する工程を含む構成を付加するものである。
【００２１】請求項６の発明は、請求項１の構成に、前
記第１の工程は、前記半導体ウェハが固定された前記シ
ートを前記基板に吸引力によって固定する工程を含む構
成を付加するものである。
記第１の工程は、前記半導体ウェハが固定された前記シ
ートを前記基板に吸引力によって固定する工程を含む構
成を付加するものである。
【００２２】請求項７の発明は、請求項１の構成に、前
記第１の工程は、前記半導体ウェハが固定された前記シ
ートを前記基板に、該基板における前記半導体チップの
前記検査用電極が形成されていない部位と対応する部位
に形成された吸引孔からの吸引力によって固定する工程
を含む構成を付加するものである。
記第１の工程は、前記半導体ウェハが固定された前記シ
ートを前記基板に、該基板における前記半導体チップの
前記検査用電極が形成されていない部位と対応する部位
に形成された吸引孔からの吸引力によって固定する工程
を含む構成を付加するものである。
【００２３】請求項８の発明は、請求項１の構成に、前
記第１の工程よりも前に、前記コンタクタにおける前記
半導体ウェハのスクライブラインと対応する位置に突起
体を設ける工程をさらに備え、前記第３の工程は、前記
コンタクタの突起体を前記複数の半導体チップ同士の間
に挿入する工程を含み、前記第４の工程は、前記コンタ
クタの熱膨張に伴い周辺部側に拡がる前記突起体によっ
て前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程を含
む構成を付加するものである。
記第１の工程よりも前に、前記コンタクタにおける前記
半導体ウェハのスクライブラインと対応する位置に突起
体を設ける工程をさらに備え、前記第３の工程は、前記
コンタクタの突起体を前記複数の半導体チップ同士の間
に挿入する工程を含み、前記第４の工程は、前記コンタ
クタの熱膨張に伴い周辺部側に拡がる前記突起体によっ
て前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程を含
む構成を付加するものである。
【００２４】請求項９の発明は、請求項１の構成に、前
記第１の工程よりも前に、前記コンタクタにおける前記
半導体チップの検査用電極と対応する位置に該検査用電
極と嵌合する形状のプローブ端子を設ける工程をさらに
備え、前記第３の工程は、前記コンタクタのプローブ端
子を前記半導体チップの検査用電極に嵌合する工程を含
み、前記第４の工程は、前記コンタクタの熱膨張に伴い
周辺部側に拡がる前記プローブ端子によって前記半導体
チップ同士の間隔を拡げる工程を含む構成を付加するも
のである。
記第１の工程よりも前に、前記コンタクタにおける前記
半導体チップの検査用電極と対応する位置に該検査用電
極と嵌合する形状のプローブ端子を設ける工程をさらに
備え、前記第３の工程は、前記コンタクタのプローブ端
子を前記半導体チップの検査用電極に嵌合する工程を含
み、前記第４の工程は、前記コンタクタの熱膨張に伴い
周辺部側に拡がる前記プローブ端子によって前記半導体
チップ同士の間隔を拡げる工程を含む構成を付加するも
のである。
【００２５】前記の目的を達成するため、請求項１０の
発明は、半導体ウェハをコンタクタの熱膨張率と略等し
い熱膨脹率を有する基板に固定した状態で該半導体ウェ
ハに対してダイシングを行なって半導体チップ同士を分
離し、半導体チップ同士の間隔をコンタクタの熱膨張に
応じて拡げることにより、半導体ウェハを疑似的に膨張
させるものである。
発明は、半導体ウェハをコンタクタの熱膨張率と略等し
い熱膨脹率を有する基板に固定した状態で該半導体ウェ
ハに対してダイシングを行なって半導体チップ同士を分
離し、半導体チップ同士の間隔をコンタクタの熱膨張に
応じて拡げることにより、半導体ウェハを疑似的に膨張
させるものである。
【００２６】具体的に請求項１０の発明が講じた解決手
段は、半導体装置の検査方法を、検査用電極を有する複
数の半導体チップが形成された半導体ウェハを、前記半
導体チップの検査用電極に電気信号を供給するプローブ
端子を有するコンタクタの熱膨張率と略等しい熱膨張率
を有する基板に固定する第１の工程と、前記基板に固定
された前記半導体ウェハに対して前記基板が分離しない
ようにダイシングを行なって、前記複数の半導体チップ
を互いに分離する第２の工程と、前記コンタクタとダイ
シングされた前記半導体ウェハとをアライメントした
後、前記半導体チップの検査用電極と前記コンタクタの
プローブ端子とを接触させる第３の工程と、前記基板に
固定された前記半導体ウェハを加熱して前記複数の半導
体チップ同士の間隔を前記基板の熱膨張に応じて拡げ、
間隔が拡がった前記複数の半導体チップに対してバーン
インを行なう第４の工程とを備えている構成とするもの
である。
段は、半導体装置の検査方法を、検査用電極を有する複
数の半導体チップが形成された半導体ウェハを、前記半
導体チップの検査用電極に電気信号を供給するプローブ
端子を有するコンタクタの熱膨張率と略等しい熱膨張率
を有する基板に固定する第１の工程と、前記基板に固定
された前記半導体ウェハに対して前記基板が分離しない
ようにダイシングを行なって、前記複数の半導体チップ
を互いに分離する第２の工程と、前記コンタクタとダイ
シングされた前記半導体ウェハとをアライメントした
後、前記半導体チップの検査用電極と前記コンタクタの
プローブ端子とを接触させる第３の工程と、前記基板に
固定された前記半導体ウェハを加熱して前記複数の半導
体チップ同士の間隔を前記基板の熱膨張に応じて拡げ、
間隔が拡がった前記複数の半導体チップに対してバーン
インを行なう第４の工程とを備えている構成とするもの
である。
【００２７】請求項１０の構成により、複数の半導体チ
ップが互いに分離されている半導体ウェハを加熱する
と、該半導体ウェハは熱膨張率がコンタクタと略等しい
基板に固定されているため、該基板の熱膨張に応じて複
数の半導体チップ同士の間隔が拡がるので、半導体ウェ
ハは疑似的に膨張する。
ップが互いに分離されている半導体ウェハを加熱する
と、該半導体ウェハは熱膨張率がコンタクタと略等しい
基板に固定されているため、該基板の熱膨張に応じて複
数の半導体チップ同士の間隔が拡がるので、半導体ウェ
ハは疑似的に膨張する。
【００２８】請求項１１の発明は、請求項１０の構成
に、バーンインが行なわれた前記複数の半導体チップに
対して出荷前の検査を行なう第５の工程をさらに備えて
いる構成を付加するものである。
に、バーンインが行なわれた前記複数の半導体チップに
対して出荷前の検査を行なう第５の工程をさらに備えて
いる構成を付加するものである。
【００２９】請求項１２の発明は、請求項１０の構成
に、前記第２の工程と前記第３の工程との間に、前記半
導体チップの良否の判定を行ない、不良と判定された前
記半導体チップを前記シートから除去する工程をさらに
備えている構成を付加するものである。
に、前記第２の工程と前記第３の工程との間に、前記半
導体チップの良否の判定を行ない、不良と判定された前
記半導体チップを前記シートから除去する工程をさらに
備えている構成を付加するものである。
【００３０】請求項１３の発明は、請求項１０の構成
に、前記第１の工程は、前記半導体ウェハを前記基板に
粘着剤によって固定する工程を含む構成を付加するもの
である。
に、前記第１の工程は、前記半導体ウェハを前記基板に
粘着剤によって固定する工程を含む構成を付加するもの
である。
【００３１】請求項１４の発明は、請求項１０の構成
に、前記第１の工程は、前記半導体ウェハを伸縮性を有
するシートを介して前記基板に固定する工程を含む構成
を付加するものである。
に、前記第１の工程は、前記半導体ウェハを伸縮性を有
するシートを介して前記基板に固定する工程を含む構成
を付加するものである。
【００３２】請求項１５の発明は、請求項１０の構成
に、前記第１の工程は、前記半導体ウェハを前記基板に
吸引力によって固定する工程を含む構成を付加するもの
である。
に、前記第１の工程は、前記半導体ウェハを前記基板に
吸引力によって固定する工程を含む構成を付加するもの
である。
【００３３】請求項１６の発明は、請求項１５の構成
に、前記第１の工程は、前記シートと前記基板との間に
多孔質シートを介在させる工程を含む構成を付加するも
のである。
に、前記第１の工程は、前記シートと前記基板との間に
多孔質シートを介在させる工程を含む構成を付加するも
のである。
【００３４】請求項１７の発明は、請求項１５の構成
に、前記第１の工程は、前記半導体ウェハを前記基板
に、該基板における前記半導体チップの前記検査用電極
が形成されていない部位と対応する部位に形成された吸
引孔からの吸引力によって固定する工程を含む構成を付
加するものである。
に、前記第１の工程は、前記半導体ウェハを前記基板
に、該基板における前記半導体チップの前記検査用電極
が形成されていない部位と対応する部位に形成された吸
引孔からの吸引力によって固定する工程を含む構成を付
加するものである。
【００３５】請求項１８の発明は、請求項１５の構成
に、前記第１の工程よりも前に、前記基板に多数の吸引
孔を設けておくと共に、前記複数の半導体チップと対応
する位置に貫通孔を有するシートを前記半導体ウェハと
前記基板との間に設ける工程をさらに備え、前記第１の
工程は、前記シートの貫通孔及び前記基板の吸引孔から
の吸引力によって前記半導体ウェハを前記基板に固定す
る工程を含む構成を付加するものである。
に、前記第１の工程よりも前に、前記基板に多数の吸引
孔を設けておくと共に、前記複数の半導体チップと対応
する位置に貫通孔を有するシートを前記半導体ウェハと
前記基板との間に設ける工程をさらに備え、前記第１の
工程は、前記シートの貫通孔及び前記基板の吸引孔から
の吸引力によって前記半導体ウェハを前記基板に固定す
る工程を含む構成を付加するものである。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図３を参照しながら
本発明の第１実施形態に係る半導体装置の検査方法につ
いて説明する。
本発明の第１実施形態に係る半導体装置の検査方法につ
いて説明する。
【００３７】まず、図１（ａ）に示すように、多数の半
導体チップ１０ａが形成された半導体ウェハ１０を、予
め熱処理が施された伸縮性を有するダイシング用シート
１１にアクリル系又はシリコン系の粘着剤によって固定
する。ダイシング用シート１１としては、例えばポリエ
ステル、ポリイミド、ポリオレフィン又は塩化ビニルよ
りなり厚さが５０μｍ程度のものを用いることができ
る。
導体チップ１０ａが形成された半導体ウェハ１０を、予
め熱処理が施された伸縮性を有するダイシング用シート
１１にアクリル系又はシリコン系の粘着剤によって固定
する。ダイシング用シート１１としては、例えばポリエ
ステル、ポリイミド、ポリオレフィン又は塩化ビニルよ
りなり厚さが５０μｍ程度のものを用いることができ
る。
【００３８】ダイシング用シート１１に施す熱処理条件
としては、ダイシング用シート１１が予め収縮するよう
な条件とし、ポリエステルの場合には、例えば１２０℃
の温度下において１０分程度である。この熱処理によ
り、ダイシング用シート１１はＭＤ方向（ロール加工時
の長手方向）において約０．４％収縮する一方、ＴＤ方
向（ロール加工時の幅方向）において約０．２％膨張す
る。これによって、ロール加工時にダイシング用シート
１１に生じていた内部応力も解放される。
としては、ダイシング用シート１１が予め収縮するよう
な条件とし、ポリエステルの場合には、例えば１２０℃
の温度下において１０分程度である。この熱処理によ
り、ダイシング用シート１１はＭＤ方向（ロール加工時
の長手方向）において約０．４％収縮する一方、ＴＤ方
向（ロール加工時の幅方向）において約０．２％膨張す
る。これによって、ロール加工時にダイシング用シート
１１に生じていた内部応力も解放される。
【００３９】半導体ウェハ１０の貼付条件としては、例
えば４０〜６０℃の温度下において２〜３分程度であ
る。ダイシング用シート１１は厚さが薄いので剛性を持
たせるために、ダイシング用シートの周縁部を剛性リン
グ１２に貼着する。以下の説明においては、半導体ウェ
ハ１０がダイシング用１１シートに固定され、ダイシン
グ用シート１１の周縁部が剛性リング１２に貼着された
状態のものを半導体ウェハ搭載シートと称する。
えば４０〜６０℃の温度下において２〜３分程度であ
る。ダイシング用シート１１は厚さが薄いので剛性を持
たせるために、ダイシング用シートの周縁部を剛性リン
グ１２に貼着する。以下の説明においては、半導体ウェ
ハ１０がダイシング用１１シートに固定され、ダイシン
グ用シート１１の周縁部が剛性リング１２に貼着された
状態のものを半導体ウェハ搭載シートと称する。
【００４０】次に、図１（ｂ）に示すように、半導体ウ
ェハ１０をスクライブライン１０ｂに沿ってダイシング
を行なって半導体チップ１０ａ同士の間に例えば幅５０
μｍ〜１００μｍの切溝１０ｃを形成する。この場合、
ダイシング用シート１１には例えば２０μｍ程度の切込
みが入る程度にダイシングを行なう。
ェハ１０をスクライブライン１０ｂに沿ってダイシング
を行なって半導体チップ１０ａ同士の間に例えば幅５０
μｍ〜１００μｍの切溝１０ｃを形成する。この場合、
ダイシング用シート１１には例えば２０μｍ程度の切込
みが入る程度にダイシングを行なう。
【００４１】熱処理を施したダイシング用シートと熱処
理を施さないダイシング用シートとを用いて、ダイシン
グを行なう前と後において半導体チップ１０ａ同志の相
対位置を比較した。熱処理を施したダイシング用シート
を用いた場合には、ＭＤ方向で９５．４ｍｍ当たり４μ
ｍ収縮する一方、ＴＤ方向で１２３．９ｍｍ当たり１０
μｍ伸長した。また、熱処理を施さなかったダイシング
用シートを用いた場合には、ＴＤ方向で９５．４ｍｍ当
たり２６μｍ収縮する一方、ＭＤ方向で１２３．９ｍｍ
当たり５５μｍ伸長した。これにより、予め熱処理を施
したダイシング用シートを用いる場合には、ダイシング
後の収縮が小さいことが確認できた。
理を施さないダイシング用シートとを用いて、ダイシン
グを行なう前と後において半導体チップ１０ａ同志の相
対位置を比較した。熱処理を施したダイシング用シート
を用いた場合には、ＭＤ方向で９５．４ｍｍ当たり４μ
ｍ収縮する一方、ＴＤ方向で１２３．９ｍｍ当たり１０
μｍ伸長した。また、熱処理を施さなかったダイシング
用シートを用いた場合には、ＴＤ方向で９５．４ｍｍ当
たり２６μｍ収縮する一方、ＭＤ方向で１２３．９ｍｍ
当たり５５μｍ伸長した。これにより、予め熱処理を施
したダイシング用シートを用いる場合には、ダイシング
後の収縮が小さいことが確認できた。
【００４２】次に、予め、半導体テスタ等により半導体
チップの良否の判定を行ない、判定の結果、不良と判断
された半導体チップ１０ａをダイシング用シート１１か
ら除去する。この工程により、電源電流不良又はリーク
不良等が生じている半導体チップ１０ａが除去されるの
で、安定したバーンイン電圧を各半導体チップ１０ａに
印加することができる。
チップの良否の判定を行ない、判定の結果、不良と判断
された半導体チップ１０ａをダイシング用シート１１か
ら除去する。この工程により、電源電流不良又はリーク
不良等が生じている半導体チップ１０ａが除去されるの
で、安定したバーンイン電圧を各半導体チップ１０ａに
印加することができる。
【００４３】次に、図１（ｃ）に示すように、半導体チ
ップ１０ａの検査用電極と対応する位置にプローブ端子
としてのバンプ１３を有すると共に、スクライブライン
１０ｂと対応する位置にバンプ１３よりも突出量が多い
突起体１４を有するコンタクタ１５を準備する。また、
周端部にシール用のパッキング材１６を有し、周縁部に
リング状の凹状溝１７と該凹状溝１７に連通するコンタ
クタ用吸引孔１８とを有し、中央部に同心円状のウェハ
用吸引孔１９を有するバーンイン用基板２０を準備す
る。バーンイン用基板２０の上にシリコンゴムよりなる
パッキング用シート２１を介して半導体ウェハ１０を載
置し、ウェハ用吸引孔１９から例えば１／４気圧程度の
吸引力によって半導体ウェハ１０をバーンイン用基板２
０に固定する。
ップ１０ａの検査用電極と対応する位置にプローブ端子
としてのバンプ１３を有すると共に、スクライブライン
１０ｂと対応する位置にバンプ１３よりも突出量が多い
突起体１４を有するコンタクタ１５を準備する。また、
周端部にシール用のパッキング材１６を有し、周縁部に
リング状の凹状溝１７と該凹状溝１７に連通するコンタ
クタ用吸引孔１８とを有し、中央部に同心円状のウェハ
用吸引孔１９を有するバーンイン用基板２０を準備す
る。バーンイン用基板２０の上にシリコンゴムよりなる
パッキング用シート２１を介して半導体ウェハ１０を載
置し、ウェハ用吸引孔１９から例えば１／４気圧程度の
吸引力によって半導体ウェハ１０をバーンイン用基板２
０に固定する。
【００４４】次に、図２（ａ）に示すように、パッキン
グ材１６の上にコンタクタ１５を載置する。この場合、
半導体ウェハ１０とコンタクタ１５とをアライメントす
ると、図３（ａ）に示すように、半導体チップ１０ａ同
士の間の切溝１０ｃにコンタクタ１５の突起体１４が挿
入されると共に、コンタクタ１５のバンプ１３は半導体
チップ１０ａの検査用電極１０ｄと距離をおいて対向す
る。その後、コンタクタ用吸引孔１８から真空引きをし
て、コンタクタ１５、バーンイン用基板２０およびパッ
キング材１６によって形成される空間を減圧すると、コ
ンタクタ１５とバーンイン用基板２０とが互いに接近す
るので、半導体ウェハ１０はコンタクタ１５に固定さ
れ、コンタクタ１５のバンプ１３は半導体チップ１０ａ
の検査用電極１０ｄと直接に接触し、電気的導通が図ら
れる。
グ材１６の上にコンタクタ１５を載置する。この場合、
半導体ウェハ１０とコンタクタ１５とをアライメントす
ると、図３（ａ）に示すように、半導体チップ１０ａ同
士の間の切溝１０ｃにコンタクタ１５の突起体１４が挿
入されると共に、コンタクタ１５のバンプ１３は半導体
チップ１０ａの検査用電極１０ｄと距離をおいて対向す
る。その後、コンタクタ用吸引孔１８から真空引きをし
て、コンタクタ１５、バーンイン用基板２０およびパッ
キング材１６によって形成される空間を減圧すると、コ
ンタクタ１５とバーンイン用基板２０とが互いに接近す
るので、半導体ウェハ１０はコンタクタ１５に固定さ
れ、コンタクタ１５のバンプ１３は半導体チップ１０ａ
の検査用電極１０ｄと直接に接触し、電気的導通が図ら
れる。
【００４５】次に、半導体ウェハ１０、コンタクタ１５
及びバーンイン用基板２０をオーブンに入れるか、又は
バーンイン用基板２０に設けられたヒーター（図示は省
略している。）に通電することによって、半導体ウェハ
１０を例えば１２５℃に加熱する。このようにすると、
コンタクタ１５も加熱されるので、コンタクタ１５が熱
膨張して、突起体１４は周辺部側に拡がる。これに伴っ
て、図３（ｂ）に示すように、突起体１４が切溝１０ｃ
に深く入り込むと共に、切溝１０ｃの幅が拡がり半導体
チップ１０ａ同士の間隔が拡がるので、半導体ウェハ１
０は疑似的に膨張する。この場合、ダイシング用シート
１１は伸縮性を有しているので、半導体ウェハ１０の膨
張に応じて伸びる。これにより、半導体ウェハ１０の周
縁部においても、コンタクタ１５のバンプ１３と半導体
ウェハ１０の検査用電極１０ｄとは位置ずれしない。こ
の状態で、すべての半導体チップ１０ａに対して例えば
１２５℃の温度下において一括してバーンインを行な
う。
及びバーンイン用基板２０をオーブンに入れるか、又は
バーンイン用基板２０に設けられたヒーター（図示は省
略している。）に通電することによって、半導体ウェハ
１０を例えば１２５℃に加熱する。このようにすると、
コンタクタ１５も加熱されるので、コンタクタ１５が熱
膨張して、突起体１４は周辺部側に拡がる。これに伴っ
て、図３（ｂ）に示すように、突起体１４が切溝１０ｃ
に深く入り込むと共に、切溝１０ｃの幅が拡がり半導体
チップ１０ａ同士の間隔が拡がるので、半導体ウェハ１
０は疑似的に膨張する。この場合、ダイシング用シート
１１は伸縮性を有しているので、半導体ウェハ１０の膨
張に応じて伸びる。これにより、半導体ウェハ１０の周
縁部においても、コンタクタ１５のバンプ１３と半導体
ウェハ１０の検査用電極１０ｄとは位置ずれしない。こ
の状態で、すべての半導体チップ１０ａに対して例えば
１２５℃の温度下において一括してバーンインを行な
う。
【００４６】尚、突起体１４の数については、特に限定
されないが、図３（ｃ）に示すように、半導体チップ１
０ａの各側辺に沿って複数個づつ設けると、コンタクタ
１５の熱膨張に応じて半導体チップ１０ａ同士の間隔が
確実に拡がると共に、コンタクタ１５の収縮に伴って半
導体チップ１０ａ同士の間隔が確実に狭くなり半導体ウ
ェハ１０の大きさは元に戻る。
されないが、図３（ｃ）に示すように、半導体チップ１
０ａの各側辺に沿って複数個づつ設けると、コンタクタ
１５の熱膨張に応じて半導体チップ１０ａ同士の間隔が
確実に拡がると共に、コンタクタ１５の収縮に伴って半
導体チップ１０ａ同士の間隔が確実に狭くなり半導体ウ
ェハ１０の大きさは元に戻る。
【００４７】半導体チップ１０ａに対するバーンインが
完了すると、半導体ウェハ１０を冷却して半導体ウェハ
１０を元の大きさに戻した後、図２（ｂ）に示すよう
に、半導体ウェハ１０をバーンイン用基板２０から離脱
させ、その後、半導体チップ１０ａに対して出荷前の検
査を行なう。
完了すると、半導体ウェハ１０を冷却して半導体ウェハ
１０を元の大きさに戻した後、図２（ｂ）に示すよう
に、半導体ウェハ１０をバーンイン用基板２０から離脱
させ、その後、半導体チップ１０ａに対して出荷前の検
査を行なう。
【００４８】次に、半導体ウェハ１０を例えば１６０℃
の温度下において１分間程度保持するか、又は半導体ウ
ェハ１０に対して紫外線等を照射することにより、半導
体ウェハ１０とダイシング用シート１１とを接着してい
る粘着剤の粘着力を除去した後、図２（ｃ）に示すよう
に、突き上げピン２１によって半導体チップ１０ａを突
き上げて半導体チップ１０ａをダイシング用シート１１
から離脱させると共に、離脱した半導体チップ１０ａを
コレッタ２２により所定の場所に移動して保管する。
の温度下において１分間程度保持するか、又は半導体ウ
ェハ１０に対して紫外線等を照射することにより、半導
体ウェハ１０とダイシング用シート１１とを接着してい
る粘着剤の粘着力を除去した後、図２（ｃ）に示すよう
に、突き上げピン２１によって半導体チップ１０ａを突
き上げて半導体チップ１０ａをダイシング用シート１１
から離脱させると共に、離脱した半導体チップ１０ａを
コレッタ２２により所定の場所に移動して保管する。
【００４９】以下、図４を参照しながら本発明の第２実
施形態に係る半導体装置の検査方法について説明する。
施形態に係る半導体装置の検査方法について説明する。
【００５０】第２実施形態は、コンタクタ１５の突起体
１４に代えて、コンタクタ１５のバンプ１３により半導
体チップ１０ａ同士の間隔を拡げる方法である。
１４に代えて、コンタクタ１５のバンプ１３により半導
体チップ１０ａ同士の間隔を拡げる方法である。
【００５１】まず、図４（ａ）に示すように、バンプ１
３を円柱状又は角柱状に形成しておくと共に、検査用電
極１０ｄをバンプ１３と嵌合する形状、例えば断面Ｌ字
状の縁部が接触部の周囲に設けられた形状に形成してお
き、半導体ウェハ１０とコンタクタ１５とのアライメン
ト後に半導体ウェハ１０をコンタクタ１５に固定する際
に、バンプ１３と検査用電極１０ｄとを嵌合させる。
３を円柱状又は角柱状に形成しておくと共に、検査用電
極１０ｄをバンプ１３と嵌合する形状、例えば断面Ｌ字
状の縁部が接触部の周囲に設けられた形状に形成してお
き、半導体ウェハ１０とコンタクタ１５とのアライメン
ト後に半導体ウェハ１０をコンタクタ１５に固定する際
に、バンプ１３と検査用電極１０ｄとを嵌合させる。
【００５２】この状態で、半導体ウェハ１０を加熱する
と、バンプ１３がコンタクタ１５の熱膨張に伴って周辺
部側に拡がるので、図４（ｂ）に示すように、半導体チ
ップ１０ａ同士の間の切溝１０ｃの幅が大きくなり、半
導体ウェハ１０は疑似的に膨張する。
と、バンプ１３がコンタクタ１５の熱膨張に伴って周辺
部側に拡がるので、図４（ｂ）に示すように、半導体チ
ップ１０ａ同士の間の切溝１０ｃの幅が大きくなり、半
導体ウェハ１０は疑似的に膨張する。
【００５３】図５は、コンタクタ１５のバンプ１３及び
半導体チップ１０ａの検査用電極１０ｄの変形例を示し
ている。すなわち、（ａ）に示すように、バンプ１３を
円柱状又は角柱状に形成すると共に、検査用電極１０ｄ
を有底の円筒状又は角筒状にしてもよいし、（ｂ）に示
すように、バンプ１３を有底の円筒状又は角筒状に形成
すると共に、検査用電極１０ｄを円柱状又は角柱状にし
てもよい。
半導体チップ１０ａの検査用電極１０ｄの変形例を示し
ている。すなわち、（ａ）に示すように、バンプ１３を
円柱状又は角柱状に形成すると共に、検査用電極１０ｄ
を有底の円筒状又は角筒状にしてもよいし、（ｂ）に示
すように、バンプ１３を有底の円筒状又は角筒状に形成
すると共に、検査用電極１０ｄを円柱状又は角柱状にし
てもよい。
【００５４】以下、図６を参照しながら本発明の第３実
施形態に係る半導体装置の検査方法について説明する。
施形態に係る半導体装置の検査方法について説明する。
【００５５】まず、図６（ａ）に示すように、第１実施
形態と同様に、半導体ウェハ１０をダイシング用シート
１１にアクリル系又はシリコン系の粘着剤によって固定
すると共に、ダイシング用シート１１の周縁部を剛性の
リング１２に貼着する。
形態と同様に、半導体ウェハ１０をダイシング用シート
１１にアクリル系又はシリコン系の粘着剤によって固定
すると共に、ダイシング用シート１１の周縁部を剛性の
リング１２に貼着する。
【００５６】次に、図６（ｂ）に示すように、第１実施
形態と同様に、半導体ウェハ１０に対してダイシングを
行なうと共に、不良と判断された半導体チップ１０ａの
除去を行なう。
形態と同様に、半導体ウェハ１０に対してダイシングを
行なうと共に、不良と判断された半導体チップ１０ａの
除去を行なう。
【００５７】次に、図６（ｃ）に示すような、半導体チ
ップ１０ａの検査用電極１０ｄと対応する位置にプロー
ブ端子としてのバンプ１３を有すると共に、半導体ウェ
ハ搭載シートを吸引するためのコンタクタ用吸引孔１８
を有するコンタクタ１５を準備する。また、コンタクタ
１５又は半導体ウェハ搭載シートの剛性リング１２にお
ける対向面に、コンタクタ１５と半導体ウェハ搭載シー
トとの間の空間をシールするリング状のパッキング材１
６を設けておく。尚、第３実施形態においては、パッキ
ング材１６は半導体ウェハ搭載シートにおける剛性リン
グ１２と対応する位置に設けられている。
ップ１０ａの検査用電極１０ｄと対応する位置にプロー
ブ端子としてのバンプ１３を有すると共に、半導体ウェ
ハ搭載シートを吸引するためのコンタクタ用吸引孔１８
を有するコンタクタ１５を準備する。また、コンタクタ
１５又は半導体ウェハ搭載シートの剛性リング１２にお
ける対向面に、コンタクタ１５と半導体ウェハ搭載シー
トとの間の空間をシールするリング状のパッキング材１
６を設けておく。尚、第３実施形態においては、パッキ
ング材１６は半導体ウェハ搭載シートにおける剛性リン
グ１２と対応する位置に設けられている。
【００５８】次に、パッキング材１６の上にコンタクタ
１５を載置する。この場合、半導体ウェハ１０とコンタ
クタ１５とをアライメントすると、コンタクタ１５のバ
ンプ１３は半導体チップ１０ａの検査用電極１０ｄと距
離をおいて対向する。尚、この状態の図面は省略してい
る。
１５を載置する。この場合、半導体ウェハ１０とコンタ
クタ１５とをアライメントすると、コンタクタ１５のバ
ンプ１３は半導体チップ１０ａの検査用電極１０ｄと距
離をおいて対向する。尚、この状態の図面は省略してい
る。
【００５９】次に、コンタクタ用吸引孔１８から真空引
きをして、コンタクタ１５、半導体ウェハ搭載シート及
びパッキング材１６によって形成される空間を減圧する
と、コンタクタ１５と半導体ウェハ搭載シートとが互い
に接近するので、半導体ウェハ１０はコンタクタ１５に
固定される。
きをして、コンタクタ１５、半導体ウェハ搭載シート及
びパッキング材１６によって形成される空間を減圧する
と、コンタクタ１５と半導体ウェハ搭載シートとが互い
に接近するので、半導体ウェハ１０はコンタクタ１５に
固定される。
【００６０】以上説明したように、第３実施形態による
と、第１実施形態及び第２実施形態におけるバーンイン
用基板２０を省略することができる。
と、第１実施形態及び第２実施形態におけるバーンイン
用基板２０を省略することができる。
【００６１】次に、第１実施形態と同様に、バーンイン
及び出荷前の検査を実施する。
及び出荷前の検査を実施する。
【００６２】以下、図７を参照しながら本発明の第４実
施形態に係る半導体装置の検査方法について説明する。
施形態に係る半導体装置の検査方法について説明する。
【００６３】まず、第１実施形態と同様に、半導体ウェ
ハ１０をダイシング用シート１１にアクリル系又はシリ
コン系の粘着剤によって固定すると共に、ダイシング用
シート１１の周縁部を剛性のリング１２に貼着する。そ
の後、半導体ウェハ１０に対してダイシングを行なうと
共に、不良と判断された半導体チップ１０ａの除去を行
なう。
ハ１０をダイシング用シート１１にアクリル系又はシリ
コン系の粘着剤によって固定すると共に、ダイシング用
シート１１の周縁部を剛性のリング１２に貼着する。そ
の後、半導体ウェハ１０に対してダイシングを行なうと
共に、不良と判断された半導体チップ１０ａの除去を行
なう。
【００６４】次に、図７に示すような、半導体チップ１
０ａの検査用電極１０ｄと対応しない領域毎に吸引孔２
７を有すると共に、該吸引孔２７同士を連通させる空間
部２８を有するウェハ用固定基板３０を準備する。ウェ
ハ用固定基板３０の上に半導体ウェハ用シートを載置し
た後、空間部２８を減圧して、吸引孔２７からの吸引力
によって半導体ウェハ１０をウェハ用固定基板３０に固
定する。半導体ウェハ１０をウェハ用固定基板３０に固
定する理由は次の通りである。すなわち、第３実施形態
において、コンタクタ１５、半導体ウェハ搭載シート及
びパッキング材１６によって形成される空間を減圧する
と、半導体ウェハ１０はコンタクタ１５に固定される。
しかしながら、ダイシング用シート１１が伸縮性を有し
ているため、図８（ａ）〜（ｄ）に示すように、半導体
チップ１０ａの検査用電極１０ｄと接触するコンタクタ
１５のバンプ１３が支点となるような状態で半導体チッ
プ１０ａに反りが生じてしまう場合がある。この半導体
チップ１０ａに生じる反りをなくすために、半導体ウェ
ハ１０をウェハ用固定基板３０に固定しておくのであ
る。
０ａの検査用電極１０ｄと対応しない領域毎に吸引孔２
７を有すると共に、該吸引孔２７同士を連通させる空間
部２８を有するウェハ用固定基板３０を準備する。ウェ
ハ用固定基板３０の上に半導体ウェハ用シートを載置し
た後、空間部２８を減圧して、吸引孔２７からの吸引力
によって半導体ウェハ１０をウェハ用固定基板３０に固
定する。半導体ウェハ１０をウェハ用固定基板３０に固
定する理由は次の通りである。すなわち、第３実施形態
において、コンタクタ１５、半導体ウェハ搭載シート及
びパッキング材１６によって形成される空間を減圧する
と、半導体ウェハ１０はコンタクタ１５に固定される。
しかしながら、ダイシング用シート１１が伸縮性を有し
ているため、図８（ａ）〜（ｄ）に示すように、半導体
チップ１０ａの検査用電極１０ｄと接触するコンタクタ
１５のバンプ１３が支点となるような状態で半導体チッ
プ１０ａに反りが生じてしまう場合がある。この半導体
チップ１０ａに生じる反りをなくすために、半導体ウェ
ハ１０をウェハ用固定基板３０に固定しておくのであ
る。
【００６５】次に、第３の実施形態と同様に、コンタク
タ１５の上にパッキング材１６を載置した後、半導体ウ
ェハ１０とコンタクタ１５とをアライメントし、その
後、コンタクタ１５、半導体ウェハ搭載シート及びパッ
キング材１６によって形成される空間を減圧する。この
ようにすると、コンタクタ１５と半導体ウェハ搭載シー
トとが互いに接近するので、半導体ウェハ１０はコンタ
クタ１５に固定される。この場合、コンタクタ１５のコ
ンタクタ用吸引孔１８からの吸引力と、ウェハ用固定基
板３０の吸引孔２７からの吸引力とを略等しくしておく
と、半導体チップ１０ａに反りが生じることを防止でき
る。
タ１５の上にパッキング材１６を載置した後、半導体ウ
ェハ１０とコンタクタ１５とをアライメントし、その
後、コンタクタ１５、半導体ウェハ搭載シート及びパッ
キング材１６によって形成される空間を減圧する。この
ようにすると、コンタクタ１５と半導体ウェハ搭載シー
トとが互いに接近するので、半導体ウェハ１０はコンタ
クタ１５に固定される。この場合、コンタクタ１５のコ
ンタクタ用吸引孔１８からの吸引力と、ウェハ用固定基
板３０の吸引孔２７からの吸引力とを略等しくしておく
と、半導体チップ１０ａに反りが生じることを防止でき
る。
【００６６】次に、第１実施形態と同様に、バーンイン
及び出荷前の検査を実施する。
及び出荷前の検査を実施する。
【００６７】以下、図９を参照しながら本発明の第５実
施形態に係る半導体装置の検査方法について説明する。
施形態に係る半導体装置の検査方法について説明する。
【００６８】まず、図９（ａ）に示すように、第１実施
形態と同様に、半導体ウェハ１０をダイシング用シート
１１にアクリル系又はシリコン系の粘着剤によって固定
すると共に、ダイシング用シート１１の周縁部を剛性の
リング１２に貼着する。
形態と同様に、半導体ウェハ１０をダイシング用シート
１１にアクリル系又はシリコン系の粘着剤によって固定
すると共に、ダイシング用シート１１の周縁部を剛性の
リング１２に貼着する。
【００６９】次に、図９（ｂ）に示すように、ダイシン
グ用シート１１における半導体ウェハ１０が貼着されて
いない方の面に、前記のコンタクタと略同じ熱膨張率を
有する材料よりなる剛性基板２５を貼着することによ
り、ダイシングシート１１と剛性基板２５とを固定す
る。尚、ダイシングシート１１と剛性基板２５とを貼着
する変わりに、第１の実施形態と同様に、剛性基板２５
に吸引孔を設け、例えば１／４気圧程度の吸引力によっ
てダイシングシート１１と剛性基板２５とを固定しても
よい。
グ用シート１１における半導体ウェハ１０が貼着されて
いない方の面に、前記のコンタクタと略同じ熱膨張率を
有する材料よりなる剛性基板２５を貼着することによ
り、ダイシングシート１１と剛性基板２５とを固定す
る。尚、ダイシングシート１１と剛性基板２５とを貼着
する変わりに、第１の実施形態と同様に、剛性基板２５
に吸引孔を設け、例えば１／４気圧程度の吸引力によっ
てダイシングシート１１と剛性基板２５とを固定しても
よい。
【００７０】次に、半導体ウェハ１０をスクライブライ
ン１０ｂに沿ってダイシングを行なって半導体チップ１
０ａ同士の間に切溝１０ｃを形成する。この場合、ダイ
シング用シート１１には例えば２０μｍ程度の切込みが
入る程度にダイシングを行なう。このようにすると、ダ
イシング用の切断刃が剛性基板２５に接触して破損する
事態を回避できる。
ン１０ｂに沿ってダイシングを行なって半導体チップ１
０ａ同士の間に切溝１０ｃを形成する。この場合、ダイ
シング用シート１１には例えば２０μｍ程度の切込みが
入る程度にダイシングを行なう。このようにすると、ダ
イシング用の切断刃が剛性基板２５に接触して破損する
事態を回避できる。
【００７１】この状態で、半導体ウェハ１０及びコンタ
クタ１５をオーブンに入れて、半導体ウェハ１０を例え
ば１２５℃に加熱する。このようにすると、剛性基板２
５がコンタクタ１５と同程度に膨張するので、図９
（ｃ）に示すように、半導体ウェハ１０の切溝１０ｃの
幅が拡がり、半導体チップ１０ａ同士の間隔も拡がるの
で、半導体ウェハ１０は疑似的に膨張する。この場合、
ダイシング用シート１１は伸縮性を有しているので、剛
性基板２５の膨張に応じて伸びる。これによって、半導
体ウェハ１０の周縁部においても、コンタクタ１５のバ
ンプ１３と半導体ウェハ１０の検査用電極１０ｄと位置
ずれしない。この状態で、すべての半導体チップ１０ａ
に対して例えば１２５℃の温度下において一括してバー
ンインを行なう。
クタ１５をオーブンに入れて、半導体ウェハ１０を例え
ば１２５℃に加熱する。このようにすると、剛性基板２
５がコンタクタ１５と同程度に膨張するので、図９
（ｃ）に示すように、半導体ウェハ１０の切溝１０ｃの
幅が拡がり、半導体チップ１０ａ同士の間隔も拡がるの
で、半導体ウェハ１０は疑似的に膨張する。この場合、
ダイシング用シート１１は伸縮性を有しているので、剛
性基板２５の膨張に応じて伸びる。これによって、半導
体ウェハ１０の周縁部においても、コンタクタ１５のバ
ンプ１３と半導体ウェハ１０の検査用電極１０ｄと位置
ずれしない。この状態で、すべての半導体チップ１０ａ
に対して例えば１２５℃の温度下において一括してバー
ンインを行なう。
【００７２】半導体チップ１０ａに対するバーンインが
完了すると、半導体ウェハ１０を冷却して半導体ウェハ
１０を元の大きさに戻した後、半導体チップ１０ａに対
して出荷前の検査を行なう。
完了すると、半導体ウェハ１０を冷却して半導体ウェハ
１０を元の大きさに戻した後、半導体チップ１０ａに対
して出荷前の検査を行なう。
【００７３】尚、第５実施形態における剛性基板２５の
形状は、板状であってもよいし、ダイシング用シート１
１の周縁部を保持するリング状であってもよい。
形状は、板状であってもよいし、ダイシング用シート１
１の周縁部を保持するリング状であってもよい。
【００７４】以下、図１０を参照しながら本発明の第６
実施形態に係る半導体装置の検査方法について説明す
る。
実施形態に係る半導体装置の検査方法について説明す
る。
【００７５】まず、図１０（ａ），（ｂ）に示すよう
に、半導体ウェハ１０を粘着性シート２６を介して、前
記のコンタクタと略同じ熱膨張率を有する材料よりなる
剛性基板２５に貼着する。すなわち、第５実施形態は、
第４実施形態におけるダイシング用シート１１を省略す
る方法である。フレキシブルなダイシング用シート１１
を用いないので、剛性のリング１２は不要である。その
後、半導体ウェハ１０をスクライブライン１０ｂに沿っ
てダイシングを行なって半導体チップ１０ａ同士の間に
切溝１０ｃを形成する。この場合、粘着性シート２６に
は例えば２０μｍ程度の切込みが入る程度にダイシング
を行なう。このようにすると、ダイシング用の切断刃が
剛性基板２５に接触して破損する事態を回避できる。
に、半導体ウェハ１０を粘着性シート２６を介して、前
記のコンタクタと略同じ熱膨張率を有する材料よりなる
剛性基板２５に貼着する。すなわち、第５実施形態は、
第４実施形態におけるダイシング用シート１１を省略す
る方法である。フレキシブルなダイシング用シート１１
を用いないので、剛性のリング１２は不要である。その
後、半導体ウェハ１０をスクライブライン１０ｂに沿っ
てダイシングを行なって半導体チップ１０ａ同士の間に
切溝１０ｃを形成する。この場合、粘着性シート２６に
は例えば２０μｍ程度の切込みが入る程度にダイシング
を行なう。このようにすると、ダイシング用の切断刃が
剛性基板２５に接触して破損する事態を回避できる。
【００７６】この状態で、半導体ウェハ１０及びコンタ
クタ１５をオーブンに入れて、半導体ウェハ１０を例え
ば１２５℃に加熱する。このようにすると、剛性基板２
５がコンタクタ１５と同程度に膨張するので、図１０
（ｃ）に示すように、半導体ウェハ１０の切溝１０ｃの
幅が拡がり、半導体チップ１０ａ同士の間隔も拡がるの
で、半導体ウェハ１０は疑似的に膨張する。これによっ
て、半導体ウェハ１０の周縁部においても、コンタクタ
１５のバンプ１３と半導体ウェハ１０の検査用電極１０
ｄと位置ずれしない。この状態で、すべての半導体チッ
プ１０ａに対して例えば１２５℃の温度下において一括
してバーンインを行なう。
クタ１５をオーブンに入れて、半導体ウェハ１０を例え
ば１２５℃に加熱する。このようにすると、剛性基板２
５がコンタクタ１５と同程度に膨張するので、図１０
（ｃ）に示すように、半導体ウェハ１０の切溝１０ｃの
幅が拡がり、半導体チップ１０ａ同士の間隔も拡がるの
で、半導体ウェハ１０は疑似的に膨張する。これによっ
て、半導体ウェハ１０の周縁部においても、コンタクタ
１５のバンプ１３と半導体ウェハ１０の検査用電極１０
ｄと位置ずれしない。この状態で、すべての半導体チッ
プ１０ａに対して例えば１２５℃の温度下において一括
してバーンインを行なう。
【００７７】半導体チップ１０ａに対するバーンインが
完了すると、半導体ウェハ１０を冷却して半導体ウェハ
１０を元の大きさに戻した後、半導体チップ１０ａに対
して出荷前の検査を行なう。
完了すると、半導体ウェハ１０を冷却して半導体ウェハ
１０を元の大きさに戻した後、半導体チップ１０ａに対
して出荷前の検査を行なう。
【００７８】以下、図１１及び図１２を参照しながら本
発明の第７実施形態に係る半導体装置の検査方法につい
て説明する。
発明の第７実施形態に係る半導体装置の検査方法につい
て説明する。
【００７９】まず、図１１（ａ）及び図１２に示すよう
に、前記のコンタクタと略同じ熱膨張率を有する材料よ
りなり、半導体ウェハ１０よりも一回り大きい形状に形
成され、半導体チップ１０ａと対応する位置に吸引孔２
７を有すると共に内部に吸引孔２７と連通する空間部２
８を有するウェハ固定用基板３０を準備する。尚、ウェ
ハ固定用基板３０の周縁部には空間部２８と連通し、該
空間部２８を減圧するための吸引口３１が設けられてい
る。その後、ウェハ固定用基板３０の上に伸縮性を有す
る通気性シート３２を介して半導体ウェハ１０を載置す
る。
に、前記のコンタクタと略同じ熱膨張率を有する材料よ
りなり、半導体ウェハ１０よりも一回り大きい形状に形
成され、半導体チップ１０ａと対応する位置に吸引孔２
７を有すると共に内部に吸引孔２７と連通する空間部２
８を有するウェハ固定用基板３０を準備する。尚、ウェ
ハ固定用基板３０の周縁部には空間部２８と連通し、該
空間部２８を減圧するための吸引口３１が設けられてい
る。その後、ウェハ固定用基板３０の上に伸縮性を有す
る通気性シート３２を介して半導体ウェハ１０を載置す
る。
【００８０】次に、図１１（ｂ）に示すように、吸気口
３１から空間部２８を減圧して吸引孔２７からの吸引力
によって半導体ウェハ１０をウェハ固定用基板３０に固
定する。その後、半導体ウェハ１０をスクライブライン
１０ｂに沿ってダイシングを行なって半導体チップ１０
ａ同士の間に切溝１０ｃを形成する。この場合、通気性
シート３２には例えば２０μｍ程度の切込みが入る程度
にダイシングを行なう。このようにすると、ダイシング
用の切断刃がウェハ固定用基板３０に接触して破損する
事態を回避できる。
３１から空間部２８を減圧して吸引孔２７からの吸引力
によって半導体ウェハ１０をウェハ固定用基板３０に固
定する。その後、半導体ウェハ１０をスクライブライン
１０ｂに沿ってダイシングを行なって半導体チップ１０
ａ同士の間に切溝１０ｃを形成する。この場合、通気性
シート３２には例えば２０μｍ程度の切込みが入る程度
にダイシングを行なう。このようにすると、ダイシング
用の切断刃がウェハ固定用基板３０に接触して破損する
事態を回避できる。
【００８１】この状態で、半導体ウェハ１０及びウェハ
固定用基板３０をオーブンに入れて、半導体ウェハ１０
を例えば１２５℃に加熱する。このようにすると、ウェ
ハ固定用基板３０がコンタクタ１５と同程度に膨張する
ので、図１１（ｃ）に示すように、半導体ウェハ１０の
切溝１０ｃの幅が拡がり、半導体チップ１０ａ同士の間
隔も拡がるので、半導体ウェハ１０は疑似的に膨張す
る。この状態で、すべての半導体チップ１０ａに対して
例えば１２５℃の温度下において一括してバーンインを
行なう。
固定用基板３０をオーブンに入れて、半導体ウェハ１０
を例えば１２５℃に加熱する。このようにすると、ウェ
ハ固定用基板３０がコンタクタ１５と同程度に膨張する
ので、図１１（ｃ）に示すように、半導体ウェハ１０の
切溝１０ｃの幅が拡がり、半導体チップ１０ａ同士の間
隔も拡がるので、半導体ウェハ１０は疑似的に膨張す
る。この状態で、すべての半導体チップ１０ａに対して
例えば１２５℃の温度下において一括してバーンインを
行なう。
【００８２】半導体チップ１０ａに対するバーンインが
完了すると、半導体ウェハ１０を冷却して半導体ウェハ
１０を元の大きさに戻した後、半導体チップ１０ａに対
して１個づつ出荷前の検査を行なう。
完了すると、半導体ウェハ１０を冷却して半導体ウェハ
１０を元の大きさに戻した後、半導体チップ１０ａに対
して１個づつ出荷前の検査を行なう。
【００８３】以下、図１３を参照しながら本発明の第８
実施形態に係る半導体装置の検査方法について説明す
る。
実施形態に係る半導体装置の検査方法について説明す
る。
【００８４】第８実施形態が第７実施形態と異なるの
は、ウェハ固定用基板３０に、半導体チップ１０ａの大
きさ及び位置とは無関係に碁盤の目状に多数の吸引孔２
７が設けられている点と、半導体ウェハ１０とウェハ固
定用基板３０との間に、半導体チップ１０ａと対応する
位置に比較的大きな径の貫通孔３４を有する連通用シー
ト３５を介在させた点とである。ウェハ固定用基板３０
に多数の吸引孔２７が設けられていると共に連通用シー
ト３５に比較的大きな径の貫通孔３４が設けられている
ので、貫通孔３４はいずれかの吸引孔２７と連通する。
これにより、半導体ウェハ１０は、ウェハ固定用基板３
０の吸引孔２７及び連通用シート３５の貫通孔３４から
の吸引力によってウェハ固定用基板３０に固定される。
第８実施形態においては、半導体ウェハ１０に対するバ
ーンインは第７実施形態と同様であるので、説明は省略
する。
は、ウェハ固定用基板３０に、半導体チップ１０ａの大
きさ及び位置とは無関係に碁盤の目状に多数の吸引孔２
７が設けられている点と、半導体ウェハ１０とウェハ固
定用基板３０との間に、半導体チップ１０ａと対応する
位置に比較的大きな径の貫通孔３４を有する連通用シー
ト３５を介在させた点とである。ウェハ固定用基板３０
に多数の吸引孔２７が設けられていると共に連通用シー
ト３５に比較的大きな径の貫通孔３４が設けられている
ので、貫通孔３４はいずれかの吸引孔２７と連通する。
これにより、半導体ウェハ１０は、ウェハ固定用基板３
０の吸引孔２７及び連通用シート３５の貫通孔３４から
の吸引力によってウェハ固定用基板３０に固定される。
第８実施形態においては、半導体ウェハ１０に対するバ
ーンインは第７実施形態と同様であるので、説明は省略
する。
【００８５】第８実施形態によると、連通用シート３５
を半導体ウェハ１０に対応して設けるだけでよく、ウェ
ハ固定用基板３０に汎用性を持たせることができるの
で、コストの低減を図ることができる。
を半導体ウェハ１０に対応して設けるだけでよく、ウェ
ハ固定用基板３０に汎用性を持たせることができるの
で、コストの低減を図ることができる。
【００８６】以下、図１３を参照しながら本発明の第９
実施形態に係る半導体装置の検査方法について説明す
る。
実施形態に係る半導体装置の検査方法について説明す
る。
【００８７】第９実施形態が第８実施形態と異なるの
は、連通用シート３５とウェハ固定用基板３０との間に
多孔性シート３６が介在している点である。これによ
り、連通用シート３５の連通孔３４は対向する吸引孔２
７以外の他の吸引孔２７とも多孔性シート３６を介して
連通するので、ウェハ固定用基板３０に対する吸引力が
大きくなるので、半導体ウェハ１０ａのウェハ固定用基
板３０に対する固定が確実になる。第９実施形態におい
ても、半導体ウェハ１０に対するバーンインは第７実施
形態と同様であるので、説明は省略する。
は、連通用シート３５とウェハ固定用基板３０との間に
多孔性シート３６が介在している点である。これによ
り、連通用シート３５の連通孔３４は対向する吸引孔２
７以外の他の吸引孔２７とも多孔性シート３６を介して
連通するので、ウェハ固定用基板３０に対する吸引力が
大きくなるので、半導体ウェハ１０ａのウェハ固定用基
板３０に対する固定が確実になる。第９実施形態におい
ても、半導体ウェハ１０に対するバーンインは第７実施
形態と同様であるので、説明は省略する。
【００８８】
【発明の効果】請求項１の発明に係る半導体装置の検査
方法によると、コンタクタの熱膨張に応じて複数の半導
体チップ同士の間隔が拡がり、半導体ウェハは疑似的に
膨張するため、バーンイン時に、半導体ウェハの周縁部
においても半導体チップの検査用電極とコンタクタのプ
ローブ端子とが位置ずれを起こさないので、半導体ウェ
ハの周縁部においても半導体チップの検査用電極とコン
タクタのプローブ端子とが位置ずれを起こすことなくウ
ェハ状態で一括してバーンインを行なうことができる。
方法によると、コンタクタの熱膨張に応じて複数の半導
体チップ同士の間隔が拡がり、半導体ウェハは疑似的に
膨張するため、バーンイン時に、半導体ウェハの周縁部
においても半導体チップの検査用電極とコンタクタのプ
ローブ端子とが位置ずれを起こさないので、半導体ウェ
ハの周縁部においても半導体チップの検査用電極とコン
タクタのプローブ端子とが位置ずれを起こすことなくウ
ェハ状態で一括してバーンインを行なうことができる。
【００８９】また、従来はバーンイン後にダイシングを
行なっていたため、ダイシング工程において発生する静
電気によって不良の半導体チップが発生することがあ
り、ダイシング後にも検査を行なう必要があったが、本
発明によると、ダイシング後にバーンインを行なうた
め、ダイシング工程において発生した不良の半導体チッ
プはバーンインスクリーニング工程において除去される
ので、検査の回数を低減できる。
行なっていたため、ダイシング工程において発生する静
電気によって不良の半導体チップが発生することがあ
り、ダイシング後にも検査を行なう必要があったが、本
発明によると、ダイシング後にバーンインを行なうた
め、ダイシング工程において発生した不良の半導体チッ
プはバーンインスクリーニング工程において除去される
ので、検査の回数を低減できる。
【００９０】また、ダイシングされた半導体ウェハをコ
ンタクタに固定するので、コンタクタのプローブ端子に
高低差があっても、各半導体チップがプローブ端子に馴
染むので、コンタクタのプローブ端子と半導体チップの
検査用電極との接触が確実になる。
ンタクタに固定するので、コンタクタのプローブ端子に
高低差があっても、各半導体チップがプローブ端子に馴
染むので、コンタクタのプローブ端子と半導体チップの
検査用電極との接触が確実になる。
【００９１】また、バーンイン時の加熱によって半導体
ウェハを疑似的に膨張させることができるため、工程数
の増加を招くことがないと共に、高価なコンタクタに対
する制約が減少しコンタクタの設計の自由度が増すので
コスト低減を図ることができる。
ウェハを疑似的に膨張させることができるため、工程数
の増加を招くことがないと共に、高価なコンタクタに対
する制約が減少しコンタクタの設計の自由度が増すので
コスト低減を図ることができる。
【００９２】請求項２の発明に係る半導体装置の検査方
法によると、バーンインが行なわれた複数の半導体チッ
プに対して出荷前の検査を行なうので、検査が行なわれ
たベアチップを出荷することができる。
法によると、バーンインが行なわれた複数の半導体チッ
プに対して出荷前の検査を行なうので、検査が行なわれ
たベアチップを出荷することができる。
【００９３】請求項３の発明に係る半導体装置の検査方
法によると、不良と判定された半導体チップをシートか
ら除去した後に、半導体チップに対してバーンインを行
なうため、電源電流不良又はリーク不良等が生じている
と判定された半導体チップをシートから除去した後に、
良品と判定された複数の半導体チップに対してバーンイ
ン電圧を安定して印加できるので、複数の半導体チップ
に対して一括して行なうバーンイン工程を効率良く行な
うことができる。
法によると、不良と判定された半導体チップをシートか
ら除去した後に、半導体チップに対してバーンインを行
なうため、電源電流不良又はリーク不良等が生じている
と判定された半導体チップをシートから除去した後に、
良品と判定された複数の半導体チップに対してバーンイ
ン電圧を安定して印加できるので、複数の半導体チップ
に対して一括して行なうバーンイン工程を効率良く行な
うことができる。
【００９４】請求項４の発明に係る半導体装置の検査方
法によると、半導体ウェハが固定されるシートは予め収
縮しているので、半導体ウェハに対してダイシングを行
なっても、ダイシング後にシートが収縮し難いので、ダ
イシング後の半導体チップ同士の位置ずれを抑制するこ
とができる。
法によると、半導体ウェハが固定されるシートは予め収
縮しているので、半導体ウェハに対してダイシングを行
なっても、ダイシング後にシートが収縮し難いので、ダ
イシング後の半導体チップ同士の位置ずれを抑制するこ
とができる。
【００９５】請求項５の発明に係る半導体装置の検査方
法によると、コンタクタに固定された半導体ウェハを加
熱すると、半導体ウェハは伸縮性を有するシートを介し
てコンタクタと略同じ熱膨張率を有する基板に固定され
た状態で加熱されるため、半導体ウェハはコンタクトと
同程度に膨張するので、半導体チップの検査用電極とコ
ンタクタのプローブ端子との位置ずれを抑制することが
できる。
法によると、コンタクタに固定された半導体ウェハを加
熱すると、半導体ウェハは伸縮性を有するシートを介し
てコンタクタと略同じ熱膨張率を有する基板に固定され
た状態で加熱されるため、半導体ウェハはコンタクトと
同程度に膨張するので、半導体チップの検査用電極とコ
ンタクタのプローブ端子との位置ずれを抑制することが
できる。
【００９６】請求項６の発明に係る半導体装置の検査方
法によると、吸引力によって半導体ウェハを伸縮性を有
するシートを介して基板に確実に固定することができ
る。
法によると、吸引力によって半導体ウェハを伸縮性を有
するシートを介して基板に確実に固定することができ
る。
【００９７】請求項７の構成により、半導体チップは検
査用電極が形成されていない部位において基板に吸引さ
れるため、半導体チップにおける検査用電極が形成され
ていない部位がコンタクタの方に湾曲する事態を防止で
きるので、半導体チップに反りを生じさせることなく、
バーンインを行なうことができる。
査用電極が形成されていない部位において基板に吸引さ
れるため、半導体チップにおける検査用電極が形成され
ていない部位がコンタクタの方に湾曲する事態を防止で
きるので、半導体チップに反りを生じさせることなく、
バーンインを行なうことができる。
【００９８】請求項８の発明に係る半導体装置の検査方
法によると、コンタクタにおける半導体ウェハのスクラ
イブラインと対応する位置に設けられた突起体を複数の
半導体チップ同士の間に挿入した状態で半導体ウェハを
加熱すると、コンタクタの熱膨張に応じて突起体が周辺
部側に拡がり、これに伴って、複数の半導体チップ同士
の間隔が拡がるので、半導体ウェハの周縁部における半
導体チップの検査用電極とコンタクタのプローブ端子と
の位置ずれを確実に防止できる。
法によると、コンタクタにおける半導体ウェハのスクラ
イブラインと対応する位置に設けられた突起体を複数の
半導体チップ同士の間に挿入した状態で半導体ウェハを
加熱すると、コンタクタの熱膨張に応じて突起体が周辺
部側に拡がり、これに伴って、複数の半導体チップ同士
の間隔が拡がるので、半導体ウェハの周縁部における半
導体チップの検査用電極とコンタクタのプローブ端子と
の位置ずれを確実に防止できる。
【００９９】また、半導体ウェハに対する加熱が終了
し、コンタクタが冷却されると、コンタクタの突起体が
中心部側に戻るので、これに伴って、複数の半導体チッ
プ同士の間隔が縮まる。
し、コンタクタが冷却されると、コンタクタの突起体が
中心部側に戻るので、これに伴って、複数の半導体チッ
プ同士の間隔が縮まる。
【０１００】請求項９の発明に係る半導体装置の検査方
法によると、コンタクタにおける半導体チップの検査用
電極と対応する位置に設けられたプローブ端子を半導体
チップの検査用電極に嵌合した状態で半導体ウェハを加
熱すると、コンタクタの熱膨張に応じてプローブ端子が
周辺部側に拡がり、これに伴って、複数の半導体チップ
同士の間隔が拡がるので、半導体ウェハの周縁部におけ
る半導体チップの検査用電極とコンタクタのプローブ端
子との位置ずれを確実に防止できる。
法によると、コンタクタにおける半導体チップの検査用
電極と対応する位置に設けられたプローブ端子を半導体
チップの検査用電極に嵌合した状態で半導体ウェハを加
熱すると、コンタクタの熱膨張に応じてプローブ端子が
周辺部側に拡がり、これに伴って、複数の半導体チップ
同士の間隔が拡がるので、半導体ウェハの周縁部におけ
る半導体チップの検査用電極とコンタクタのプローブ端
子との位置ずれを確実に防止できる。
【０１０１】また、半導体ウェハに対する加熱を終了
し、コンタクタが冷却されると、コンタクタのプローブ
端子が中心部側に戻るので、これに伴って、複数の半導
体チップ同士の間隔が縮まる。
し、コンタクタが冷却されると、コンタクタのプローブ
端子が中心部側に戻るので、これに伴って、複数の半導
体チップ同士の間隔が縮まる。
【０１０２】請求項１０の発明に係る半導体装置の検査
方法によると、基板の熱膨張に応じて複数の半導体チッ
プ同士の間隔が拡がり、半導体ウェハは疑似的に膨張す
るため、請求項１の発明と同様に、半導体ウェハの周縁
部においても半導体チップの検査用電極とコンタクタの
プローブ端子とが位置ずれを起こすことなくウェハ状態
で一括してバーンインを行なうことができる。
方法によると、基板の熱膨張に応じて複数の半導体チッ
プ同士の間隔が拡がり、半導体ウェハは疑似的に膨張す
るため、請求項１の発明と同様に、半導体ウェハの周縁
部においても半導体チップの検査用電極とコンタクタの
プローブ端子とが位置ずれを起こすことなくウェハ状態
で一括してバーンインを行なうことができる。
【０１０３】また、請求項１の発明と同様、ダイシング
工程において発生した不良の半導体チップはバーンイン
スクリーニング工程において除去されるため、検査の回
数を低減できる。また、バーンイン時の加熱によって半
導体ウェハを疑似的に膨張させるため、工程数の増加を
招くことがないと共に、高価なコンタクタに対する制約
が減少しコンタクタの設計の自由度が増すので、コスト
低減を図ることができる。
工程において発生した不良の半導体チップはバーンイン
スクリーニング工程において除去されるため、検査の回
数を低減できる。また、バーンイン時の加熱によって半
導体ウェハを疑似的に膨張させるため、工程数の増加を
招くことがないと共に、高価なコンタクタに対する制約
が減少しコンタクタの設計の自由度が増すので、コスト
低減を図ることができる。
【０１０４】請求項１１の発明に係る半導体装置の検査
方法によると、バーンインが行なわれた複数の半導体チ
ップに対して出荷前の検査を行なうので、検査が行なわ
れたベアチップを出荷することができる。
方法によると、バーンインが行なわれた複数の半導体チ
ップに対して出荷前の検査を行なうので、検査が行なわ
れたベアチップを出荷することができる。
【０１０５】請求項１２の構成により、不良と判定され
た半導体チップをシートから除去した後に、半導体チッ
プに対してバーンインを行なうため、電源電流不良又は
リーク不良等が生じていると判定された半導体チップを
シートから除去した後に、良品と判定された複数の半導
体チップに対してバーンイン電圧を安定して印加できる
ので、複数の半導体チップに対して一括して行なうバー
ンイン工程を効率良く行なうことができる。
た半導体チップをシートから除去した後に、半導体チッ
プに対してバーンインを行なうため、電源電流不良又は
リーク不良等が生じていると判定された半導体チップを
シートから除去した後に、良品と判定された複数の半導
体チップに対してバーンイン電圧を安定して印加できる
ので、複数の半導体チップに対して一括して行なうバー
ンイン工程を効率良く行なうことができる。
【０１０６】請求項１３の発明に係る半導体装置の検査
方法によると、半導体ウェハは基板に粘着剤によって固
定されているため、複数の半導体チップ同士の間隔が基
板の熱膨張に応じて確実に拡がるので、半導体ウェハの
周縁部において半導体チップの検査用電極とコンタクタ
のプローブ端子とが位置ずれを起こすことなくウェハ状
態で一括してバーンインを行なうことができる。
方法によると、半導体ウェハは基板に粘着剤によって固
定されているため、複数の半導体チップ同士の間隔が基
板の熱膨張に応じて確実に拡がるので、半導体ウェハの
周縁部において半導体チップの検査用電極とコンタクタ
のプローブ端子とが位置ずれを起こすことなくウェハ状
態で一括してバーンインを行なうことができる。
【０１０７】請求項１４の発明に係る半導体装置の検査
方法によると、半導体ウェハは伸縮性を有するシートを
介して基板に固定されているため、シートには切込みが
できるが基板には切込みができないように半導体ウェハ
に対するダイシングを行なうことができるので、ダイシ
ング用の切断刃の損傷を招くことなく、半導体チップ同
士を分離することができる。また、シートは伸縮性を有
しているおり、コンタクタの熱膨張に応じて伸びるの
で、半導体ウェハと基板との間にシートが介在していて
も、複数の半導体チップ同士の間隔は基板の熱膨張に応
じて確実に拡がるので、支障はない。
方法によると、半導体ウェハは伸縮性を有するシートを
介して基板に固定されているため、シートには切込みが
できるが基板には切込みができないように半導体ウェハ
に対するダイシングを行なうことができるので、ダイシ
ング用の切断刃の損傷を招くことなく、半導体チップ同
士を分離することができる。また、シートは伸縮性を有
しているおり、コンタクタの熱膨張に応じて伸びるの
で、半導体ウェハと基板との間にシートが介在していて
も、複数の半導体チップ同士の間隔は基板の熱膨張に応
じて確実に拡がるので、支障はない。
【０１０８】請求項１５の発明に係る半導体装置の検査
方法によると、半導体ウェハは基板に吸引力によって固
定されているため、複数の半導体チップ同士の間隔は基
板の熱膨張に応じて確実に拡がると共に、半導体ウェハ
に対する吸引を終了すると、半導体ウェハは基板から解
放されるので、スムーズに次工程に移行することができ
る。
方法によると、半導体ウェハは基板に吸引力によって固
定されているため、複数の半導体チップ同士の間隔は基
板の熱膨張に応じて確実に拡がると共に、半導体ウェハ
に対する吸引を終了すると、半導体ウェハは基板から解
放されるので、スムーズに次工程に移行することができ
る。
【０１０９】請求項１６の発明に係る半導体装置の製造
方法によると、シートと基板との間に多孔質シートが介
在しているため、シートの貫通孔と基板の吸引孔とが多
孔質シートを介して連通するので、半導体チップをシー
トの貫通孔及び基板の吸引孔からの吸引力によって基板
に確実に固定することができる。
方法によると、シートと基板との間に多孔質シートが介
在しているため、シートの貫通孔と基板の吸引孔とが多
孔質シートを介して連通するので、半導体チップをシー
トの貫通孔及び基板の吸引孔からの吸引力によって基板
に確実に固定することができる。
【０１１０】請求項１７の発明に係る半導体装置の検査
方法によると、半導体チップは検査用電極が形成されて
いない部位において基板に吸引されるため、半導体チッ
プにおける検査用電極が形成されていない部位がコンタ
クタの方に湾曲する事態を防止できるので、半導体チッ
プに反りを生じさせることなく、バーンインを行なうこ
とができる。
方法によると、半導体チップは検査用電極が形成されて
いない部位において基板に吸引されるため、半導体チッ
プにおける検査用電極が形成されていない部位がコンタ
クタの方に湾曲する事態を防止できるので、半導体チッ
プに反りを生じさせることなく、バーンインを行なうこ
とができる。
【０１１１】請求項１８の発明に係る半導体装置の検査
方法によると、各半導体チップをシートの貫通孔及び基
板の吸引孔からの吸引力によって基板に固定できるの
で、コンタクタひいては基板の熱膨張に応じて複数の半
導体チップ同士の間隔を拡げることができる。また、貫
通孔を有するシートを半導体ウェハに対応して設ける一
方、基板に汎用性を持たせることができるので、検査の
コストを低減することができる。
方法によると、各半導体チップをシートの貫通孔及び基
板の吸引孔からの吸引力によって基板に固定できるの
で、コンタクタひいては基板の熱膨張に応じて複数の半
導体チップ同士の間隔を拡げることができる。また、貫
通孔を有するシートを半導体ウェハに対応して設ける一
方、基板に汎用性を持たせることができるので、検査の
コストを低減することができる。
【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態に係る
半導体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
半導体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は前記第１実施形態に係る半導
体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は前記第１実施形態に係る半導
体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施形態に係
る半導体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
る半導体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は前記第２実施形態に係る半導
体装置の検査方法におけるコンタクタのパッド及び半導
体チップの検査用電極の変形例を示す断面図である。
体装置の検査方法におけるコンタクタのパッド及び半導
体チップの検査用電極の変形例を示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第３実施形態に係る
半導体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
半導体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
【図７】本発明の第４実施形態に係る半導体装置の検査
方法の工程を示す断面図である。
方法の工程を示す断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は前記第３の実施形態に係る半
導体装置の検査方法における問題点を説明する断面図で
ある。
導体装置の検査方法における問題点を説明する断面図で
ある。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第５実施形態に係る
半導体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
半導体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第６実施形態に係
る半導体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
る半導体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第７実施形態に係
る半導体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
る半導体装置の検査方法の各工程を示す断面図である。
【図１２】前記第７実施形態に係る半導体装置の検査方
法におけるウェハ固定用基板の平面図である。
法におけるウェハ固定用基板の平面図である。
【図１３】本発明の第８実施形態に係る半導体装置の検
査方法の工程を示す断面図である。
査方法の工程を示す断面図である。
【図１４】本発明の第９実施形態に係る半導体装置の検
査方法の工程を示す断面図である。
査方法の工程を示す断面図である。
【図１５】（ａ），（ｂ）は従来の半導体装置の検査方
法及びその問題点を説明する断面図である。
法及びその問題点を説明する断面図である。
１０ 半導体ウェハ １０ａ 半導体チップ １０ｂ スクライブライン １０ｃ 切溝 １０ｄ 検査用電極 １１ ダイシング用シート １２ 剛性のリング １３ バンプ １４ 突起体 １５ コンタクタ １６ パッキング材 １７ 凹状溝 １８ コンタクタ用吸引孔 １９ ウェハ用吸引孔 ２０ バーンイン用基板 ２１ 突き上げ用ピン ２２ コレッタ ２５ 剛性基板 ２６ 粘着性シート ２７ 吸引孔 ２８ 空間部 ３０ ウェハ固定用基板 ３２ 通気性シート ３４ 貫通孔 ３５ 連通用シート ３６ 多孔性シート
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０１Ｒ 31/28 Ｇ０１Ｒ 31/28 Ｖ
Claims (18)
- 【請求項１】 検査用電極を有する複数の半導体チップ
が形成された半導体ウェハを伸縮性を有するシートに固
定する第１の工程と、 前記シートに固定された前記半導体ウェハに対して前記
シートが分離しないようにダイシングを行なって、前記
複数の半導体チップを互いに分離する第２の工程と、 前記半導体チップの検査用電極に電気信号を供給するコ
ンタクタとダイシングされた半導体ウェハとをアライメ
ントした後、前記半導体ウェハを前記コンタクタに固定
する第３の工程と、 前記コンタクタに固定された前記半導体ウェハを加熱し
て前記複数の半導体チップ同士の間隔を前記コンタクタ
の熱膨張に応じて拡げ、間隔が拡がった前記複数の半導
体チップに対して一括してバーンインを行なう第４の工
程とを備えていることを特徴とする半導体装置の検査方
法。 - 【請求項２】 バーンインが行なわれた前記複数の半導
体チップに対して出荷前の検査を行なう第５の工程をさ
らに備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導
体装置の検査方法。 - 【請求項３】 前記第２の工程と前記第３の工程との間
に、前記半導体チップの良否の判定を行ない、不良と判
定された前記半導体チップを前記シートから除去する工
程をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載
の半導体装置の検査方法。 - 【請求項４】 前記第１の工程よりも前に、前記シート
を加熱して該シートを収縮させておく工程をさらに備え
ていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の
検査方法。 - 【請求項５】 前記第１の工程は、前記半導体ウェハが
固定された前記シートを前記コンタクタと略同じ熱膨張
率を有する基板に固定する工程を含むことを特徴とする
請求項１に記載の半導体装置の検査方法。 - 【請求項６】 前記第１の工程は、前記半導体ウェハが
固定された前記シートを前記基板に吸引力によって固定
する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導
体装置の検査方法。 - 【請求項７】 前記第１の工程は、前記半導体ウェハが
固定された前記シートを前記基板に、該基板における前
記半導体チップの前記検査用電極が形成されていない部
位と対応する部位に形成された吸引孔からの吸引力によ
って固定する工程を含むことを特徴とする請求項６に記
載の半導体装置の検査方法。 - 【請求項８】 前記第１の工程よりも前に、前記コンタ
クタにおける前記半導体ウェハのスクライブラインと対
応する位置に突起体を設ける工程をさらに備え、 前記第３の工程は、前記コンタクタの突起体を前記複数
の半導体チップ同士の間に挿入する工程を含み、 前記第４の工程は、前記コンタクタの熱膨張に伴い周辺
部側に拡がる前記突起体によって前記複数の半導体チッ
プ同士の間隔を拡げる工程を含むことを特徴とする請求
項１に記載の半導体装置の検査方法。 - 【請求項９】 前記第１の工程よりも前に、前記コンタ
クタにおける前記半導体チップの検査用電極と対応する
位置に該検査用電極と嵌合する形状のプローブ端子を設
ける工程をさらに備え、 前記第３の工程は、前記コンタクタのプローブ端子を前
記半導体チップの検査用電極に嵌合する工程を含み、 前記第４の工程は、前記コンタクタの熱膨張に伴い周辺
部側に拡がる前記プローブ端子によって前記半導体チッ
プ同士の間隔を拡げる工程を含むことを特徴とする請求
項１に記載の半導体装置の検査方法。 - 【請求項１０】 検査用電極を有する複数の半導体チッ
プが形成された半導体ウェハを、前記半導体チップの検
査用電極に電気信号を供給するプローブ端子を有するコ
ンタクタの熱膨張率と略等しい熱膨張率を有する基板に
固定する第１の工程と、 前記基板に固定された前記半導体ウェハに対して前記基
板が分離しないようにダイシングを行なって、前記複数
の半導体チップを互いに分離する第２の工程と、 前記コンタクタとダイシングされた前記半導体ウェハと
をアライメントした後、前記半導体チップの検査用電極
と前記コンタクタのプローブ端子とを接触させる第３の
工程と、 前記基板に固定された前記半導体ウェハを加熱して前記
複数の半導体チップ同士の間隔を前記基板の熱膨張に応
じて拡げ、間隔が拡がった前記複数の半導体チップに対
してバーンインを行なう第４の工程とを備えていること
を特徴とする半導体装置の検査方法。 - 【請求項１１】 バーンインが行なわれた前記複数の半
導体チップに対して出荷前の検査を行なう第５の工程を
さらに備えていることを特徴とする請求項１０に記載の
半導体装置の検査方法。 - 【請求項１２】 前記第２の工程と前記第３の工程との
間に、前記半導体チップの良否の判定を行ない、不良と
判定された前記半導体チップを前記シートから除去する
工程をさらに備えていることを特徴とする請求項１０に
記載の半導体装置の検査方法。 - 【請求項１３】 前記第１の工程は、前記半導体ウェハ
を前記基板に粘着剤によって固定する工程を含むことを
特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の検査方法。 - 【請求項１４】 前記第１の工程は、前記半導体ウェハ
を伸縮性を有するシートを介して前記基板に固定する工
程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装
置の検査方法。 - 【請求項１５】 前記第１の工程は、前記半導体ウェハ
を前記基板に吸引力によって固定する工程を含むことを
特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の検査方法。 - 【請求項１６】 前記第１の工程は、前記シートと前記
基板との間に多孔質シートを介在させる工程を含むこと
を特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の検査方
法。 - 【請求項１７】 前記第１の工程は、前記半導体ウェハ
を前記基板に、該基板における前記半導体チップの前記
検査用電極が形成されていない部位と対応する部位に形
成された吸引孔からの吸引力によって固定する工程を含
むことを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の検
査方法。 - 【請求項１８】 前記第１の工程よりも前に、前記基板
に多数の吸引孔を設けておくと共に、前記複数の半導体
チップと対応する位置に貫通孔を有するシートを前記半
導体ウェハと前記基板との間に設ける工程をさらに備
え、 前記第１の工程は、前記シートの貫通孔及び前記基板の
吸引孔からの吸引力によって前記半導体ウェハを前記基
板に固定する工程を含むことを特徴とする請求項１５に
記載の半導体装置の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7301418A JP2837829B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-11-20 | 半導体装置の検査方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7607195 | 1995-03-31 | ||
| JP7-76071 | 1995-03-31 | ||
| JP7301418A JP2837829B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-11-20 | 半導体装置の検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330372A true JPH08330372A (ja) | 1996-12-13 |
| JP2837829B2 JP2837829B2 (ja) | 1998-12-16 |
Family
ID=26417228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7301418A Expired - Fee Related JP2837829B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-11-20 | 半導体装置の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2837829B2 (ja) |
Cited By (75)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0989997A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-04-04 | Hioki Ee Corp | 基板検査装置用吸引式基板固定具 |
| JPH11238770A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路の検査装置 |
| JP2005294773A (ja) * | 2004-04-06 | 2005-10-20 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2006028040A1 (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Tokyo Electron Limited | ウエハチャック |
| JP2006257358A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Somar Corp | 被着体の加工方法及びこれに用いられる粘着シート |
| WO2007145053A1 (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 電磁結合モジュール、無線ｉｃデバイスの検査システム及びそれを用いた電磁結合モジュール、無線ｉｃデバイスの製造方法 |
| JP2008177562A (ja) * | 2007-12-28 | 2008-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ウェハカセット装置 |
| US7519328B2 (en) | 2006-01-19 | 2009-04-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device and component for wireless IC device |
| US7518558B2 (en) | 2006-04-14 | 2009-04-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device |
| JP2009272611A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体チップの製造方法及びダイシングテープ |
| JP2010153410A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-07-08 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 基板保持具及び半導体ウェーハの加工方法 |
| US7762472B2 (en) | 2007-07-04 | 2010-07-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Wireless IC device |
| US7786949B2 (en) | 2006-04-14 | 2010-08-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna |
| WO2010119507A1 (ja) * | 2009-04-14 | 2010-10-21 | パイオニア株式会社 | 半導体測定装置及び方法 |
| US7830311B2 (en) | 2007-07-18 | 2010-11-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device and electronic device |
| US7871008B2 (en) | 2008-06-25 | 2011-01-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device and manufacturing method thereof |
| US7990337B2 (en) | 2007-12-20 | 2011-08-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio frequency IC device |
| US8009101B2 (en) | 2007-04-06 | 2011-08-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device |
| US8031124B2 (en) | 2007-01-26 | 2011-10-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Container with electromagnetic coupling module |
| US8081119B2 (en) | 2006-04-26 | 2011-12-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Product including power supply circuit board |
| US8081541B2 (en) | 2006-06-30 | 2011-12-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Optical disc |
| US8081125B2 (en) | 2006-07-11 | 2011-12-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna and radio IC device |
| US8193939B2 (en) | 2007-07-09 | 2012-06-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device |
| JP2012122847A (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 半導体チップの特性測定システム及びチップ特性測定方法 |
| US8228075B2 (en) | 2006-08-24 | 2012-07-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Test system for radio frequency IC devices and method of manufacturing radio frequency IC devices using the same |
| US8228252B2 (en) | 2006-05-26 | 2012-07-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Data coupler |
| US8235299B2 (en) | 2007-07-04 | 2012-08-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device and component for wireless IC device |
| US8384547B2 (en) | 2006-04-10 | 2013-02-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device |
| CN102980742A (zh) * | 2011-08-25 | 2013-03-20 | 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 | 发光元件的检测装置及检测方法 |
| US8544754B2 (en) | 2006-06-01 | 2013-10-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device and wireless IC device composite component |
| US8690070B2 (en) | 2009-04-14 | 2014-04-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device component and wireless IC device |
| US8692718B2 (en) | 2008-11-17 | 2014-04-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna and wireless IC device |
| CN103765234A (zh) * | 2011-07-11 | 2014-04-30 | 密克罗奇普技术公司 | 在条式测试器上对有源受测试装置的温度测量 |
| US8847831B2 (en) | 2009-07-03 | 2014-09-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna and antenna module |
| US8853549B2 (en) | 2009-09-30 | 2014-10-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Circuit substrate and method of manufacturing same |
| US8870077B2 (en) | 2008-08-19 | 2014-10-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device and method for manufacturing same |
| US8878739B2 (en) | 2011-07-14 | 2014-11-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless communication device |
| US8905316B2 (en) | 2010-05-14 | 2014-12-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device |
| US8905296B2 (en) | 2011-12-01 | 2014-12-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless integrated circuit device and method of manufacturing the same |
| US8915448B2 (en) | 2007-12-26 | 2014-12-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna device and radio frequency IC device |
| US8937576B2 (en) | 2011-04-05 | 2015-01-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless communication device |
| US8944335B2 (en) | 2010-09-30 | 2015-02-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device |
| US8960557B2 (en) | 2008-05-21 | 2015-02-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device |
| US8960561B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-02-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless communication device |
| US8976075B2 (en) | 2009-04-21 | 2015-03-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna device and method of setting resonant frequency of antenna device |
| US8981906B2 (en) | 2010-08-10 | 2015-03-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Printed wiring board and wireless communication system |
| US8991713B2 (en) | 2011-01-14 | 2015-03-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | RFID chip package and RFID tag |
| US8994605B2 (en) | 2009-10-02 | 2015-03-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device and electromagnetic coupling module |
| US9024725B2 (en) | 2009-11-04 | 2015-05-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Communication terminal and information processing system |
| US9024837B2 (en) | 2010-03-31 | 2015-05-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna and wireless communication device |
| US9064198B2 (en) | 2006-04-26 | 2015-06-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electromagnetic-coupling-module-attached article |
| US9077067B2 (en) | 2008-07-04 | 2015-07-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio IC device |
| US9104950B2 (en) | 2009-01-30 | 2015-08-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna and wireless IC device |
| US9123996B2 (en) | 2010-05-14 | 2015-09-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device |
| US9166291B2 (en) | 2010-10-12 | 2015-10-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna device and communication terminal apparatus |
| US9178279B2 (en) | 2009-11-04 | 2015-11-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC tag, reader-writer, and information processing system |
| US9231305B2 (en) | 2008-10-24 | 2016-01-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device |
| US9236651B2 (en) | 2010-10-21 | 2016-01-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Communication terminal device |
| US9281873B2 (en) | 2008-05-26 | 2016-03-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device system and method of determining authenticity of wireless IC device |
| US9378452B2 (en) | 2011-05-16 | 2016-06-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio IC device |
| JP2016142649A (ja) * | 2015-02-03 | 2016-08-08 | 株式会社テセック | 半導体デバイス測定方法 |
| US9444143B2 (en) | 2009-10-16 | 2016-09-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna and wireless IC device |
| US9460320B2 (en) | 2009-10-27 | 2016-10-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transceiver and radio frequency identification tag reader |
| US9460376B2 (en) | 2007-07-18 | 2016-10-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio IC device |
| US9461363B2 (en) | 2009-11-04 | 2016-10-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Communication terminal and information processing system |
| US9543642B2 (en) | 2011-09-09 | 2017-01-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna device and wireless device |
| US9558384B2 (en) | 2010-07-28 | 2017-01-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna apparatus and communication terminal instrument |
| US9692128B2 (en) | 2012-02-24 | 2017-06-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna device and wireless communication device |
| US9727765B2 (en) | 2010-03-24 | 2017-08-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | RFID system including a reader/writer and RFID tag |
| US9761923B2 (en) | 2011-01-05 | 2017-09-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless communication device |
| US10013650B2 (en) | 2010-03-03 | 2018-07-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless communication module and wireless communication device |
| WO2018139612A1 (ja) | 2017-01-30 | 2018-08-02 | 三井化学東セロ株式会社 | 部品製造用フィルム、部品製造用具及び部品製造方法 |
| WO2018207793A1 (ja) | 2017-05-11 | 2018-11-15 | 三井化学東セロ株式会社 | 部品製造用具及び部品製造方法 |
| US10235544B2 (en) | 2012-04-13 | 2019-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Inspection method and inspection device for RFID tag |
| CN114002464A (zh) * | 2021-11-06 | 2022-02-01 | 深圳市欣同达科技有限公司 | 一种用于芯片检测烧录座的测试探针 |
-
1995
- 1995-11-20 JP JP7301418A patent/JP2837829B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (98)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0989997A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-04-04 | Hioki Ee Corp | 基板検査装置用吸引式基板固定具 |
| JPH11238770A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路の検査装置 |
| JP2005294773A (ja) * | 2004-04-06 | 2005-10-20 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP4570896B2 (ja) * | 2004-04-06 | 2010-10-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR100854801B1 (ko) * | 2004-09-06 | 2008-08-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 웨이퍼척 |
| JP2006073963A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Tokyo Electron Ltd | ウエハチャック |
| US7411384B2 (en) | 2004-09-06 | 2008-08-12 | Tokyo Electron Limited | Wafer chuck |
| WO2006028040A1 (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Tokyo Electron Limited | ウエハチャック |
| JP4559801B2 (ja) * | 2004-09-06 | 2010-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | ウエハチャック |
| JP2006257358A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Somar Corp | 被着体の加工方法及びこれに用いられる粘着シート |
| US7764928B2 (en) | 2006-01-19 | 2010-07-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device and component for wireless IC device |
| US7519328B2 (en) | 2006-01-19 | 2009-04-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device and component for wireless IC device |
| US8384547B2 (en) | 2006-04-10 | 2013-02-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device |
| US7518558B2 (en) | 2006-04-14 | 2009-04-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device |
| US7786949B2 (en) | 2006-04-14 | 2010-08-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna |
| US9165239B2 (en) | 2006-04-26 | 2015-10-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electromagnetic-coupling-module-attached article |
| US9064198B2 (en) | 2006-04-26 | 2015-06-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electromagnetic-coupling-module-attached article |
| US8081119B2 (en) | 2006-04-26 | 2011-12-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Product including power supply circuit board |
| US8228252B2 (en) | 2006-05-26 | 2012-07-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Data coupler |
| US8544754B2 (en) | 2006-06-01 | 2013-10-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device and wireless IC device composite component |
| WO2007145053A1 (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 電磁結合モジュール、無線ｉｃデバイスの検査システム及びそれを用いた電磁結合モジュール、無線ｉｃデバイスの製造方法 |
| US7932730B2 (en) | 2006-06-12 | 2011-04-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | System for inspecting electromagnetic coupling modules and radio IC devices and method for manufacturing electromagnetic coupling modules and radio IC devices using the system |
| US8081541B2 (en) | 2006-06-30 | 2011-12-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Optical disc |
| US8081125B2 (en) | 2006-07-11 | 2011-12-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna and radio IC device |
| US8228075B2 (en) | 2006-08-24 | 2012-07-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Test system for radio frequency IC devices and method of manufacturing radio frequency IC devices using the same |
| US8031124B2 (en) | 2007-01-26 | 2011-10-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Container with electromagnetic coupling module |
| US8009101B2 (en) | 2007-04-06 | 2011-08-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device |
| US7762472B2 (en) | 2007-07-04 | 2010-07-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Wireless IC device |
| US8235299B2 (en) | 2007-07-04 | 2012-08-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device and component for wireless IC device |
| US8193939B2 (en) | 2007-07-09 | 2012-06-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device |
| US9830552B2 (en) | 2007-07-18 | 2017-11-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio IC device |
| US7830311B2 (en) | 2007-07-18 | 2010-11-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device and electronic device |
| US9460376B2 (en) | 2007-07-18 | 2016-10-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio IC device |
| US7990337B2 (en) | 2007-12-20 | 2011-08-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio frequency IC device |
| US8915448B2 (en) | 2007-12-26 | 2014-12-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna device and radio frequency IC device |
| JP2008177562A (ja) * | 2007-12-28 | 2008-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ウェハカセット装置 |
| JP2009272611A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体チップの製造方法及びダイシングテープ |
| US8973841B2 (en) | 2008-05-21 | 2015-03-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device |
| US9022295B2 (en) | 2008-05-21 | 2015-05-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device |
| US8960557B2 (en) | 2008-05-21 | 2015-02-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device |
| US9281873B2 (en) | 2008-05-26 | 2016-03-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device system and method of determining authenticity of wireless IC device |
| US7871008B2 (en) | 2008-06-25 | 2011-01-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device and manufacturing method thereof |
| US9077067B2 (en) | 2008-07-04 | 2015-07-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio IC device |
| US8870077B2 (en) | 2008-08-19 | 2014-10-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device and method for manufacturing same |
| US9231305B2 (en) | 2008-10-24 | 2016-01-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device |
| US8917211B2 (en) | 2008-11-17 | 2014-12-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna and wireless IC device |
| US8692718B2 (en) | 2008-11-17 | 2014-04-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna and wireless IC device |
| JP2010153410A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-07-08 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 基板保持具及び半導体ウェーハの加工方法 |
| US9104950B2 (en) | 2009-01-30 | 2015-08-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna and wireless IC device |
| US8876010B2 (en) | 2009-04-14 | 2014-11-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Wireless IC device component and wireless IC device |
| WO2010119507A1 (ja) * | 2009-04-14 | 2010-10-21 | パイオニア株式会社 | 半導体測定装置及び方法 |
| JP4646271B1 (ja) * | 2009-04-14 | 2011-03-09 | パイオニア株式会社 | 半導体測定装置及び方法 |
| US8690070B2 (en) | 2009-04-14 | 2014-04-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device component and wireless IC device |
| US9203157B2 (en) | 2009-04-21 | 2015-12-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna device and method of setting resonant frequency of antenna device |
| US9564678B2 (en) | 2009-04-21 | 2017-02-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna device and method of setting resonant frequency of antenna device |
| US8976075B2 (en) | 2009-04-21 | 2015-03-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna device and method of setting resonant frequency of antenna device |
| US8847831B2 (en) | 2009-07-03 | 2014-09-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna and antenna module |
| US8853549B2 (en) | 2009-09-30 | 2014-10-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Circuit substrate and method of manufacturing same |
| US8994605B2 (en) | 2009-10-02 | 2015-03-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device and electromagnetic coupling module |
| US9117157B2 (en) | 2009-10-02 | 2015-08-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device and electromagnetic coupling module |
| US9444143B2 (en) | 2009-10-16 | 2016-09-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna and wireless IC device |
| US9460320B2 (en) | 2009-10-27 | 2016-10-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transceiver and radio frequency identification tag reader |
| US9178279B2 (en) | 2009-11-04 | 2015-11-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC tag, reader-writer, and information processing system |
| US9461363B2 (en) | 2009-11-04 | 2016-10-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Communication terminal and information processing system |
| US9024725B2 (en) | 2009-11-04 | 2015-05-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Communication terminal and information processing system |
| US10013650B2 (en) | 2010-03-03 | 2018-07-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless communication module and wireless communication device |
| US9727765B2 (en) | 2010-03-24 | 2017-08-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | RFID system including a reader/writer and RFID tag |
| US9024837B2 (en) | 2010-03-31 | 2015-05-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna and wireless communication device |
| US8905316B2 (en) | 2010-05-14 | 2014-12-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device |
| US9123996B2 (en) | 2010-05-14 | 2015-09-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device |
| US9558384B2 (en) | 2010-07-28 | 2017-01-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna apparatus and communication terminal instrument |
| US8981906B2 (en) | 2010-08-10 | 2015-03-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Printed wiring board and wireless communication system |
| US8944335B2 (en) | 2010-09-30 | 2015-02-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless IC device |
| US9166291B2 (en) | 2010-10-12 | 2015-10-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna device and communication terminal apparatus |
| US9236651B2 (en) | 2010-10-21 | 2016-01-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Communication terminal device |
| JP2012122847A (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 半導体チップの特性測定システム及びチップ特性測定方法 |
| US9761923B2 (en) | 2011-01-05 | 2017-09-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless communication device |
| US8991713B2 (en) | 2011-01-14 | 2015-03-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | RFID chip package and RFID tag |
| US8960561B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-02-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless communication device |
| US8937576B2 (en) | 2011-04-05 | 2015-01-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless communication device |
| US9378452B2 (en) | 2011-05-16 | 2016-06-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio IC device |
| CN103765234A (zh) * | 2011-07-11 | 2014-04-30 | 密克罗奇普技术公司 | 在条式测试器上对有源受测试装置的温度测量 |
| US8878739B2 (en) | 2011-07-14 | 2014-11-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless communication device |
| CN102980742B (zh) * | 2011-08-25 | 2015-06-03 | 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 | 发光元件的检测装置及检测方法 |
| US8699035B2 (en) | 2011-08-25 | 2014-04-15 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Inspection apparatus and inspection method for light emitting device |
| CN102980742A (zh) * | 2011-08-25 | 2013-03-20 | 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 | 发光元件的检测装置及检测方法 |
| US9543642B2 (en) | 2011-09-09 | 2017-01-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna device and wireless device |
| US8905296B2 (en) | 2011-12-01 | 2014-12-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wireless integrated circuit device and method of manufacturing the same |
| US9692128B2 (en) | 2012-02-24 | 2017-06-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna device and wireless communication device |
| US10235544B2 (en) | 2012-04-13 | 2019-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Inspection method and inspection device for RFID tag |
| JP2016142649A (ja) * | 2015-02-03 | 2016-08-08 | 株式会社テセック | 半導体デバイス測定方法 |
| WO2018139612A1 (ja) | 2017-01-30 | 2018-08-02 | 三井化学東セロ株式会社 | 部品製造用フィルム、部品製造用具及び部品製造方法 |
| KR20190100966A (ko) | 2017-01-30 | 2019-08-29 | 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤 | 부품 제조용 필름, 부품 제조 용구 및 부품 제조 방법 |
| US11251062B2 (en) | 2017-01-30 | 2022-02-15 | Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. | Component-manufacturing film, component-manufacturing tool, and component-manufacturing method |
| WO2018207793A1 (ja) | 2017-05-11 | 2018-11-15 | 三井化学東セロ株式会社 | 部品製造用具及び部品製造方法 |
| KR20190138658A (ko) | 2017-05-11 | 2019-12-13 | 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤 | 부품 제조 용구 및 부품 제조 방법 |
| US11984341B2 (en) | 2017-05-11 | 2024-05-14 | Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. | Component-manufacturing tool and component-manufacturing method |
| CN114002464A (zh) * | 2021-11-06 | 2022-02-01 | 深圳市欣同达科技有限公司 | 一种用于芯片检测烧录座的测试探针 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2837829B2 (ja) | 1998-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2837829B2 (ja) | 半導体装置の検査方法 | |
| KR0174773B1 (ko) | 반도체장치의 검사방법 | |
| TWI292602B (ja) | ||
| US5123850A (en) | Non-destructive burn-in test socket for integrated circuit die | |
| US5905382A (en) | Universal wafer carrier for wafer level die burn-in | |
| US6258609B1 (en) | Method and system for making known good semiconductor dice | |
| KR0165154B1 (ko) | 반도체집적회로장치의 시험용 캐리어 반도체집적회로의 시험방법 | |
| JPH07115113A (ja) | 半導体ウエハの試験装置および試験方法 | |
| JP2002110751A (ja) | 半導体集積回路装置の検査装置および製造方法 | |
| JPH04226046A (ja) | 電子チップの非破壊電気検査方法 | |
| JPH0817198B2 (ja) | バーンイン試験用の回路チップと一時キャリアとの間の接続を行うための方法及び装置 | |
| US6255124B1 (en) | Test arrangement and method for thinned flip chip IC | |
| KR950013605B1 (ko) | 번인 테스트용 칩 홀딩장치 및 그 제조방법 | |
| KR19980086450A (ko) | 다이를 검사하기 위한 방법 및 장치 | |
| JPH08148533A (ja) | 半導体ウェハの試験装置及び試験方法 | |
| US6340604B1 (en) | Contactor and semiconductor device inspecting method | |
| JP3196173B2 (ja) | コンタクタおよび半導体装置の検査方法 | |
| US20070285115A1 (en) | Universal wafer carrier for wafer level die burn-in | |
| JP2000269278A (ja) | バーンイン装置及び半導体ウエハ | |
| US6500699B1 (en) | Test fixture for future integration | |
| JPH11238770A (ja) | 半導体集積回路の検査装置 | |
| JP2001338952A (ja) | ウェハカセット装置 | |
| JPH0529418A (ja) | 半導体装置のバーイン方法及びそれに用いるバーインボード | |
| JP3260309B2 (ja) | プローブカード | |
| JPH09159694A (ja) | Ｌｓｉテストプローブ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980922 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081009 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091009 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091009 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101009 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |