JPH0517705B2 - - Google Patents

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JPH0517705B2
JPH0517705B2 JP63132517A JP13251788A JPH0517705B2 JP H0517705 B2 JPH0517705 B2 JP H0517705B2 JP 63132517 A JP63132517 A JP 63132517A JP 13251788 A JP13251788 A JP 13251788A JP H0517705 B2 JPH0517705 B2 JP H0517705B2
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Jei Guruubu Hansu
Ii Garutsu Barudeisu
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Tektronix Inc
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Tektronix Inc
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Publication date
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Publication of JPH0517705B2 publication Critical patent/JPH0517705B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/0735—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card arranged on a flexible frame or film

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、集積回路のウエハの測定に好適な多
探針型プローブ装置に関する。
［従来技術］ 集積回路（IC）の製造上の重要な工程として、
そのICが仕様書通りに動作するか否かを確認す
る為の試験工程がある。ICの各チツプをパツケ
ージした後に試験することも可能であるが、ウエ
ハのダイシング（個々のチツプに分割すること）
及びパツケージングに要する費用を節約するに
は、IC製造工程の出来る限り早い時期に試験を
実施して不良のICに無駄な費用と労力を消費す
るのを避けることが望ましい。従つて、ウエハの
形成直後でダイシング及びパツケージングの以前
か、或いはダイシング後でもパツケージングの以
前にICの試験を実施することが望ましい。何れ
の場合にも、ICと外部試験機器からの接触端子
（通常、接続パツド）との電気的接触によりICが
破壊されることがなく、パツケージング及び接続
等の後工程に支障を来たさないようにすることが
必要である。
ICの試験は、設計された動作条件下、及び設
計された許容範囲の限界条件下で実施されること
が望ましい。特に、典型的な高速ICは1GHzを超
える入出力信号に対して動作するように設計され
ており、このようなICの動作は、同様の高周波
数信号を用いて評価されるべきである。
［発明が解決しようとする課題］ 従来からICの試験用プローブとして、弾性部
材の本体の１表面上に金属製の導体線路を有する
プローブが提案されてきた。しかし、この種のプ
ローブには多くの欠点がある。このようなプロー
ブでは数百ＭHzを超える周波数の信号を劣化させ
ずに測定出来ない上に、弾性部材の本体と金属製
の導体線路の弾性率に大きな隔たりがあるので、
プローブの機械的な安定性を損なつていた。
1985年12月23日出願の米国特許出願第812145号
（特開昭62−163973号に対応）の明細書には、IC
の試験用プローブ装置が開示されている。このプ
ローブ装置は、開口を形成した硬質の支持部材と
弾性を有する変形可能な薄膜を有する。これら支
持部材と薄膜は、どちらも誘電体部分を有すると
共に、電気的に絶縁性のこの誘電体部分によつて
支持された導電性材料の部分も有する。この薄膜
上の導電性材料の部分は、薄膜の第１主面上の内
部接触片を形成し、これらの接触片はIC上の接
触面上のパターンに対応した第１のパターンで配
置されている。外部接触片は薄膜の周囲に第２の
パターンで配置されており、内部接触片から外部
接触片まで夫々導体線路が伸びている。支持部材
の導電性材料の部分は、薄膜の第２のパターンに
略対応したパターンで開口部分に配置された内部
接触片を構成している。この支持部材の内部接触
片から試験装置まで伝送線路によつて接続されて
いる。この薄膜は開口を塞ぐように支持部材に固
定されており、薄膜の外部接触片と支持部材の内
部接触片が夫々電気的に接続されている。
このプローブの実施例では、支持部材は水平に
置かれて使用され、支持部材の内部接触片は支持
部材の上側表面上に露出している。薄膜の第１主
面上に外部接触片が露出しており、薄膜の外周部
分が支持部材の上側表面上に圧着され、支持部材
の開口内に薄膜の弾性部材が張られている。薄膜
の第１主面は、支持部材の開口の内側で、且つ下
側を向いている。ICは、支持部材の開口内に容
易に入る程度の大きさの台座の上に置かれてい
る。薄膜の弾性を有する本体は下側方向に伸びた
突起部分を有し、この突起部分によつて内部接触
片の真上に薄膜が保持されている。従つて、IC
を乗せた台座が上昇すると、ICの接触部分が薄
膜の内部接触片に押し付けられ、薄膜の弾性力に
よつて上方向への変形に対する抗力が生じ、これ
によりICの接触部分と薄膜上の内部接触片間に
接触圧力が生じる。支持部材の開口部分の最大直
径は、標準の半導体ウエハの直径よりも小さくな
つている。被試験中のICを支持部材の開口部分
内に持ち上げなければならないので、このプロー
ブ装置はウエハ状態のICを試験するには余り好
適ではない。
1986年９月５日に出願された米国特許出願第
904600号（特開昭63−69247号に対応）の明細書
には、ウエハ状態のICの試験に好適なプローブ
装置が開示されている。このプローブ装置は開口
部分を有する硬質の支持部材と弾性を有する変形
可能な薄膜を含んでいる。この薄膜は、支持部材
の開口部分を塞ぐように薄膜の第１主面上で支持
部材の下側に取り付けられている。これら支持部
材及び薄膜は、共に誘電体部分と、この絶縁性の
誘電体に支持された導電材部分とを含んでいる。
薄膜の導電材部分は、薄膜の第２主面上に露出し
た内部接触片を構成している。これらの内部接触
片は、IC上の接触面のパターンに対応する第１
のパターンで配置されている。薄膜の第１主面上
の外周部分にある外部接触片は、第２のパターン
で配置され、薄膜の内部接触片から対応する外部
接触片まで夫々伝送線路が伸びている。薄膜の外
部接触片は支持部材の内部接触片と電気的に接続
されている。薄膜の各接触片は導電体の接触突起
を有し、これら接触突起はプローブの他の部分よ
り下方向に突起している。従つて、これら接触突
起からプローブの他の部分までの距離が、被試験
ICを含むウエハの直径より小さくなつていても、
これら接触突起を、プローブの支持部材の下に置
かれたウエハ上のICの接続パツドに接続し得る。
しかし、このプローブ装置では、薄膜は支持部
材にハンダ付けされているので、通常の使用状況
では簡単に交換することが出来ない。従つて、被
試験ICの構造が変わつたり、或いは薄膜の接触
突起が摩耗したりすると、プローブ装置全体を交
換しなければならない。従つて、本発明の目的
は、ウエハ内のICの接触部分に容易に接触し得
るプローブ装置を提供することである。
本発明の他の目的は、プローブ・ヘツドを容易
に交換し得るプローブ装置を提供することであ
る。
［課題を解決する為の手段及び作用］ ウエハ状態のICの試験に好適な本発明のプロ
ーブ装置は、開口を形成した硬質の支持部材を含
み、プローブ・ヘツドは弾性を有する変形可能な
薄膜を含んでいる。この薄膜は、第１及び第２の
主面を有し、第１主面の外周部分は、支持部材の
開口を囲む上側表面部分と隣接している。薄膜の
導電材部分は、内部接触片と外部接触片を形成
し、内部接触片は、ICの接触部分のパターンに
対応した第１のパターンで、薄膜の中心部分に露
出している。外部接触片は、薄膜の第１主面の周
辺部分に第２のパターンで配置されている。内部
接触片とそれらに対応する外部接触片まで夫々伝
送線路が延びている。
支持部材の導電材部分に含まれる内部接触片
が、第２のパターンに略対応したパターンで開口
部の周囲の上側表面上に露出している。これら支
持部材の内部接触片から試験装置まで伝送線路が
延びている。薄膜の外周部分にある外部接触片は
第１主面から突起した導電体の接触突起を有し、
これらの突起した接触突起が、支持部材の内部接
触片と電気的に接続する。取り外し可能な圧力プ
レートによつて、弾性パツドと支持部材との間に
挟まれた薄膜の外周部分が締め付けられ、薄膜の
外周部分が支持部材上に保持されており、これに
より、薄膜の外部接触片と支持部材の内部接触片
の電気的接続が確実に維持されている。
薄膜の内部接触片にも、薄膜の第１主面から下
方向に突起している導電体の接触突起が有る。両
端に弾性部材を有するシヤフトが、圧力プレート
と薄膜の第２主面の中心部分との間に設けられて
おり、薄膜の内部接触片がIC上の対応する接触
部分に押し付けられると、このシヤフトの弾性部
材により、薄膜の内部接触片の上方向への移動を
妨げる抗力が生じ、これによつてICの接触部分
と薄膜上の内部接触突起との接触圧力が適正に維
持される。
［実施例］ 本発明のプローブ装置を第１図乃至第４図の図
面を参照して説明する。第１図は、本発明のプロ
ーブ装置の断面図である。このプローブ装置は、
硬質の支持部材２と、プローブ・ヘツド４と、周
辺支持構体７を含んでいる。被試験用のICを含
むウエハ８が、ウエハ支持装置１０上に固定され
ている。ICの上側表面には、図示されていない
が、複数の接触パツドが設けられている。これら
の接触パツドが配置されたICの表面を、以下IC
の接触表面と称する。
第２図は、プローブ・ヘツド４に含まれる薄膜
１２の展開図である。また、第４図は、薄膜１２
の各部分の断面図である。この薄膜１２は、第１
及び第２の薄膜層１４及び１６を含み、ポリイミ
ドの如き可撓性で透明な誘電体で形成されてい
る。導電体のパターン１８及び２０が、通常のフ
オトリソグラフイー技術により第１の薄膜層１４
の上下両面に形成されている。第２の薄膜層１６
が薄膜層１４の上側表面に設けられ、更に薄膜層
１６の上側表面に導電体のパターン２２が形成さ
れている。パターン２０は、第１及び第２の薄膜
層１４及び１６の間に挟まれた薄膜１２の内部導
体線路２４を含んでいる。パターン１８及び２２
は、薄膜１２の夫々上下の表面上にある上側及び
下側の接地面２８及び２６を含んでいる。薄膜１
２の中心領域２５から薄膜の外周領域に向かつて
導体線路２４が延びている。
導電性で耐摩耗性の金属で出来た接触突起３０
が、導体線路２４の端部から第１の薄膜層１４の
穴を貫通している金属製の柱３２の下端に形成さ
れている。薄膜層１４に設けられたこれらの穴
は、従来のマスクキング及びエツチング技術によ
り形成され、柱３２と接触突起３０の金属でメツ
キしてこれらの穴が塞がれている。２つの異なる
メツキ槽を使用して、柱３２と接触突起３０とで
異なる金属、例えば柱に金を用い、接触突起にニ
ツケルを用いても良い、下側接地面２６から薄膜
の中心領域２５に延びている接地線路３６の端部
に接地用接触突起３４を設けても良い。接地線路
３６は接地面２６と同時に薄膜層１４の表面に形
成される。
薄膜１２の下側表面上の接触突起３０及び３４
の配置はICの接触表面上の接触パツドの配置に
夫々対応している。従つて、接触突起３０及び３
４は、押し付けるだけでICの接触パツドと電気
的に導通し得る。上下の両表面上の接地面２８及
び２６は、透明な中心領域２５及び外周部分の下
側を除く、薄膜１２の殆ど総ての領域を覆つてい
る。薄膜の中心領域２５は、薄膜１２の上方から
容易に接触突起３０及び３４を監視出来るように
接地面は設けられていない。薄膜１２の外周部分
の下側は、後述するように、支持部材２との接続
領域である。プローブ・ヘツド４が支持部材２に
取り付けられると、接地面２６及び２８は接地さ
れ、導体線路２４と接地面２６及び２８により接
触突起３０及び３４から薄膜の外周部分まで延び
る伝送線路が形成される。
第３図は、支持部材２の平面図である。支持部
材２は円形で、中心部分に長方形の開口３８を有
する。この支持部材２の上表面に形成された導体
線路４０は、開口３８の周囲から支持部材の外周
部まで延びている。導体線路４０の両端部は、開
口３８の周囲付近及び支持部材２の外周部分の両
方の部分で、外部と接触し得るように支持部材２
の上側に露出している。第１図に示しているよう
に、支持部材２の下側表面は連続的な接地面４２
に覆われている。第３図から判るように、支持部
材２の上側表面の接地面４４は、導体線路４０の
間を覆つている。
下側の薄膜層１４の一部が薄膜１２の外周付近
でエツチングで取り除かれ、導体線路２４の端部
が露出している。複数対の信号用接触突起４６
が、導体線路２４の露出した端部に設けられてい
る。接地面２８から２６まで薄膜層１４及び１６
の穴を貫通している金属製の柱５０の下端に複数
対の接地用接触突起４８が形成されている。薄膜
層１４及び１６のこれらの穴は、従来のマスクキ
ング及びエツチング技術により形成され、柱５０
及び接触突起４８の金属でメツキしてこれらの穴
が塞がれる。柱５０は、接地面２６及び２８と電
気的に導通している。
プローブ・ヘツド４が支持部材２に取り付けら
れると、信号用接触突起４６が対応する導体線路
４０とを接触し、接地用接触突起４８が対応する
接地面４４に接触するように接触突起４６及び４
８は薄膜上に配置されている。４本１組の位置設
定用ピン５２が支持部材２の上に垂直に固定され
ている。第２図に示すように、支持部材２に取り
付けられていない時には、薄膜１２は略平坦で十
字形をしており、この十字形の各脚部に２つの穴
５４を有する。薄膜１２は、隣合う２つの穴５４
を支持部材上の位置設定用の各ピン５２に通し、
また、薄膜の中心領域２５を開口部３８の中に押
し込んで支持部材２に固定される。薄膜１２は、
支持部材２に取り付けられた時、すり鉢状の形に
なるので、薄膜の中心領域２５の接触突起３０及
び３４の位置は、支持部材２の下側表面よりも下
になる。また、薄膜１２の外周部分の下側は、支
持部材２の開口３８の周辺部分の上側に固定され
る。
周辺支持構体７は、ウエハ８の直径の２倍を超
える直径の円形開口５８を形成した円形の周辺プ
レート５６を備えている。この周辺プレート５６
の周囲には直立円筒型の環体６０が設けられてお
り、支持部材２は、周辺支持構体７の円形の凹部
にはめ込まれている。環体６０は複数の同軸コネ
クタ６２を有し、その中の１つのみが第１図に示
されている。各コネクタ６２の内部導体は、支持
部材２上の導体線路に各々接続されている。コネ
クタ６２の外部導体は導電性の周辺支持構体７に
よつて接地される。周辺支持構体７は、接地され
ており、接地面４２及び４４にも接続されてい
る。 更に、周辺支持構体７は、堅く、透明で長
方形の圧力プレート６４と、堅く、透明な矩形シ
ヤフト６６とを備えている。このシヤフト６６の
上下両端部分には透明で弾性を有する圧力パツド
６８及び７０が設けられており、シヤフト６６
は、圧力プレート６４と薄膜１２の中心領域２５
の間に挿入されている。圧力パツド６８及び７０
は、接触突起３０及び３４の上方向への動きを弾
性抗力により制限し、各接触突起に平等に接触圧
力を配分している。圧力プレート６４は、位置設
定用ピン５２を通す４つ１組の案内孔７２を有
し、薄膜１２と圧力プレート６４の間に挿入され
た環体７４を介して薄膜１２の外周部分に圧力を
加える。圧力プレート６４から加えられる圧力に
より、薄膜１２の信号接触突起４６とそれに対応
する支持部２の信号導体４０との間の電気的接
触、並びに薄膜１２の接地用接触突起４８とそれ
に対応する支持部材２の接地面との間の電気的接
触が確実に維持される。
周辺環体６０の上を軸にして設けられた１組の
スプリング・クリツプ７６により、圧力プレート
６４に圧力が加えられる。スプリング・クリツプ
７６及び位置設定用ピン５２を用いた構成によ
り、被試験装置ICの接触パツドの配置が変わつ
た時に、薄膜１２を容易に交換出来る。スプリン
グ・クリツプ７６を横にずらして、圧力プレート
６４、環体７４、シヤフト６６、及び薄膜１２を
位置設定用ピン５２から持ち上げるだけで、容易
に薄膜１２を取り外すことが出来る。それから、
新しい薄膜１２の穴５４をピン５２に差し込み、
環体７４、シヤフト６６、及び圧力プレート６４
を元に戻し、クリツプ７４も圧力プレート６４の
上に戻せば、薄膜１２の交換が完了する。
マイクロ・スコープ７８で監視し、水平のＸ−
Ｙ位置調整機構（図示せず）を用いて、ICの支
持台１０を調整してウエハ８上の所望のICの接
触パツドの真上に接触突起３０及び３４が来るよ
うに設定することが出来る。垂直方向のＺ位置調
整機構（図示せず）を用い、支持台１０とプロー
ブ装置との相対的垂直位置を調整し、ICの接触
パツドと接触突起３０及び３４とを圧力接触させ
ることが出来る。薄膜１２は可撓性で、シヤフト
６６のパツド６８及び７０は弾性を有するので、
圧力接触によりウエハを損傷することがなく、そ
の上、接触パツドや接触突起３０及び３４の接触
面の垂直位置が少々ずれても、それを補償するこ
とも出来る。ウエハ８上の最初のICの試験が完
了すると、次に試験するICがプローブ装置の接
触突起の下に来るように、位置調整機構により自
動的にウエハ支持台１０の位置が調整され、その
後次の試験が実行される。ウエハ８と導体線路２
４及び４０との間に接地面２６及び４２があるの
で、試験中のICと導体線路２４及び４０との間
はシールドされている。
支持部材２上の導体線路４０に対して接地面４
２及び４４の間隔を調整し、信号導体線路及び接
地面とにより、コネクタ６２から開口３８まで延
びた、一定の特性インピーダンスを有する伝送線
路が形成されるようにしている。同様に、薄膜１
２の導体線路２４に対する接地面２６及び２８の
間隔を調整して、接地面と導体線路により、接触
突起４６及び４８から接触突起３０及び３４まで
延びた、一定の特性インピーダンスの伝送線路が
形成されている。図示したプローブ装置では、薄
膜１２上の伝送線路の特性インピーダンスは、支
持部材２上の伝送線路の特性インピーダンスに整
合しているので、ICの接触パツドと同軸コネク
タ６２との間に高精度の信号経路が形成されてい
る。また、支持部材２及び薄膜１２上の伝送線路
は、被試験ICへの信号線路としてだけでなく、
電源供給線路としても使用し得る。伝送線路を電
源供給線として使用した場合には、プローブ・ヘ
ツドの伝送線の特性インピーダンスを、例えば、
プローブ・ヘツドの周辺部では5Ωとし、中心領
域の接触突起付近では50Ωとして、その間を漸次
増加するように構成し、且つ特性インピーダンス
の抵抗分を適正値に設定することが望ましい。こ
れにより、ICの動作によつて生じる電源過渡ノ
イズを適正に減衰させることが出来る。
周辺プレート５６の開口５８の内側の範囲にあ
るプローブ装置の部分の中で、最も下方向に突起
しているのは、接触突起３０及び３４である。従
つて、支持部材２の開口３８は周辺プレートの開
口５８よりかなり小さいが、薄膜１２の中心領域
２５が開口３８を通つて下に突き出ており、開口
５８の直径は少なくともウエハ８の直径の２倍は
有るので、支持部材２がウエハ８上のIC試験の
障害になることはない。
第１図、第２図及び第４図に於いて、接触突起
３０及び３４は、薄膜１２の中心領域２５に比較
して便宜上大きく誇張して示している。また、こ
の中心領域２５は被試験ICの表面領域に略対応
している。図示したものより実際の接触突起３０
及び３４はずつと小さく、接触するIC上の接触
パツドと略同じ大きさになつている。従つて、薄
膜の中心領域２５には、数百個の接触突起を設け
ることが可能で、単一のICと高密度の接触をす
る上で困難は生じない。
本発明のプローブ装置は、従来の装置に比べ優
れた特徴を有する。プローブ・ヘツド４は安価で
簡単に交換可能であり、従来技術を用いて製造し
得る。また、プローブ・ヘツドは被試験ICとの
接触に対し耐久性が有り、この接触によりICを
損傷することもない。接触突起４６及び４８は支
持部材２の導体線路４０と極めて良好に電気的に
接続されるので、接続ワイヤを用いて導体線路４
０と２４を接続した場合のように特性インピーダ
ンスの連続性を損なうことがない。従つて、接続
ワイヤの使用を避けられ、プローブ装置の許容周
波数帯域を改善することが出来る。更に、特別な
道具を使用することなく、容易に薄膜１２を交換
出来る上に、薄膜１２と支持部材２とを弾性的な
圧力接触をする構造により、ハンダ付けの場合よ
りも信頼性を向上している。
以上本発明の好適実施例について説明したが、
本発明はここに説明した実施例のみに限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱する事なく必
要に応じて種々の変形及び変更を実施し得る事は
当業者には明らかである。
［発明の効果］ 本発明のプローブ装置によれば、被試験ICの
試験表面に接触するプローブ・ヘツドの接触片の
位置が、プローブ・ヘツドの支持部材より突出し
ているので、被試験ICをウエハ状態のまま容易
に試験出来る。プローブ・ヘツドの薄膜と支持部
材とを圧力接触させ、導体線路及び接地導体を接
続しているので、ハンダ付け不良の虞がない上
に、プローブ・ヘツドの交換を極めて容易にして
いる。また、接続ワイヤ等を使用しないので、高
周波特性の劣化を防止出来、更に、弾性部材の使
用により電気的接続を確実に維持出来ると共に被
試験ICの損傷を防止し得る。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明のプローブ装置の断面図、第
２図は、第１図の薄膜の展開図、第３図は、第１
図の支持部材の平面図、第４図は第１図の薄膜の
各部分の断面図である。 ２は支持部材、４はプローブ・ヘツド、１２は
薄膜、６４は圧力プレート、７４は弾性誘電体部
材（環体）、７６は締め付け手段（スプリング・
クリツプ）である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 開口を有し、該開口の周辺部分の一表面に第
    １のパターンで複数の第１接触片を設けた硬質の
    支持部材と、 第１主面の外周部分に、上記第１のパターンに
    対応するパターンで配置された複数の第２接触片
    を有し、被試験ICの表面に配置された接触片の
    パターンに対応する第２のパターンで、上記第１
    主面の中心領域に配置された複数の第３接触片を
    有し、上記第２の接触片から上記第３接触片まで
    延びる複数の第１導体線路を有する薄膜と、 該薄膜の上記第１主面の周辺部分を上記支持部
    材の開口の周辺部分に重ね、上記支持部材の上記
    第１接触片と上記薄膜の上記第２接触片を夫々電
    気的に接続し、上記薄膜の上記第３接触片が上記
    支持部材の他表面より突出するように、上記薄膜
    を上記支持部材に対し固定する接続手段とを具え
    ることを特徴とするプローブ装置。 ２ 上記接続手段は、 上記薄膜の周辺部分に接し、弾性を有する誘電
    体部材と、 該誘電体部材に接する圧力プレートと、 該圧力プレートに力を加え、上記支持部材の開
    口の周辺部分と上記誘電体部材との間にある上記
    薄膜の周辺部分を締め付ける手段とからなること
    を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプロー
    ブ装置。
JP63132517A 1987-06-09 1988-05-30 Prober Granted JPS644042A (en)

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Families Citing this family (119)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07105416B2 (ja) * 1987-10-21 1995-11-13 松下電器産業株式会社 測定装置
EP0361779A1 (en) * 1988-09-26 1990-04-04 Hewlett-Packard Company Micro-strip architecture for membrane test probe
GB8901817D0 (en) * 1989-01-27 1989-03-15 Stag Electronic Designs Apparatus for testing an electrical device
JP2556129B2 (ja) * 1989-03-07 1996-11-20 日本電気株式会社 フレキシブルプローブカード
JPH02237047A (ja) * 1989-03-09 1990-09-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体試験装置
JPH07109840B2 (ja) * 1989-03-10 1995-11-22 松下電器産業株式会社 半導体ｉｃの試験装置及び試験方法
US5055778A (en) * 1989-10-02 1991-10-08 Nihon Denshizairyo Kabushiki Kaisha Probe card in which contact pressure and relative position of each probe end are correctly maintained
JPH03127845A (ja) * 1989-10-13 1991-05-30 Fuji Electric Co Ltd 集積回路装置試験用プローブ
US5012187A (en) * 1989-11-03 1991-04-30 Motorola, Inc. Method for parallel testing of semiconductor devices
US4975638A (en) * 1989-12-18 1990-12-04 Wentworth Laboratories Test probe assembly for testing integrated circuit devices
JPH03122371U (ja) * 1990-03-23 1991-12-13
JP3033594B2 (ja) * 1990-04-10 2000-04-17 日東電工株式会社 検査装置
US5072176A (en) * 1990-07-10 1991-12-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Flexible membrane circuit tester
US5055776A (en) * 1990-07-10 1991-10-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Flexible membrane circuit tester
US5079501A (en) * 1990-07-10 1992-01-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Flexible membrane circuit tester
US5090118A (en) * 1990-07-31 1992-02-25 Texas Instruments Incorporated High performance test head and method of making
US5128612A (en) * 1990-07-31 1992-07-07 Texas Instruments Incorporated Disposable high performance test head
US5059898A (en) * 1990-08-09 1991-10-22 Tektronix, Inc. Wafer probe with transparent loading member
US5189363A (en) * 1990-09-14 1993-02-23 Ibm Corporation Integrated circuit testing system having a cantilevered contact lead probe pattern mounted on a flexible tape for interconnecting an integrated circuit to a tester
US5589781A (en) * 1990-09-20 1996-12-31 Higgins; H. Dan Die carrier apparatus
US5521518A (en) * 1990-09-20 1996-05-28 Higgins; H. Dan Probe card apparatus
JP2533430Y2 (ja) * 1990-10-03 1997-04-23 株式会社アドバンテスト Ｉｃウエーハ試験用プローブカード
US5148103A (en) * 1990-10-31 1992-09-15 Hughes Aircraft Company Apparatus for testing integrated circuits
JPH0792477B2 (ja) * 1991-02-08 1995-10-09 日本電子材料株式会社 プローブカード
US6998860B1 (en) 1991-06-04 2006-02-14 Micron Technology, Inc. Method for burn-in testing semiconductor dice
US5302891A (en) * 1991-06-04 1994-04-12 Micron Technology, Inc. Discrete die burn-in for non-packaged die
KR940001809B1 (ko) * 1991-07-18 1994-03-09 금성일렉트론 주식회사 반도체 칩의 테스터
US5264787A (en) * 1991-08-30 1993-11-23 Hughes Aircraft Company Rigid-flex circuits with raised features as IC test probes
US5304922A (en) * 1991-08-26 1994-04-19 Hughes Aircraft Company Electrical circuit with resilient gasket support for raised connection features
EP0532925B1 (en) * 1991-08-26 1997-01-15 Hughes Aircraft Company Rigid-flex circuits with raised features as IC test probes
JP2511621B2 (ja) * 1991-09-03 1996-07-03 エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション ウェ―ハ検査装置
US5204615A (en) * 1991-10-24 1993-04-20 Interconnect Devices, Inc. Module attachment for printed circuit board test fixtures
US5334931A (en) * 1991-11-12 1994-08-02 International Business Machines Corporation Molded test probe assembly
US5180977A (en) * 1991-12-02 1993-01-19 Hoya Corporation Usa Membrane probe contact bump compliancy system
GB2263980B (en) * 1992-02-07 1996-04-10 Marconi Gec Ltd Apparatus and method for testing bare dies
US5479109A (en) * 1992-06-03 1995-12-26 Trw Inc. Testing device for integrated circuits on wafer
US5336992A (en) * 1992-06-03 1994-08-09 Trw Inc. On-wafer integrated circuit electrical testing
JPH05340964A (ja) * 1992-06-05 1993-12-24 Mitsubishi Electric Corp ウエハ及びチップの試験装置
DE69416200T2 (de) * 1993-06-16 1999-06-02 Nitto Denko Corp Sondenkonstruktion
US5412866A (en) * 1993-07-01 1995-05-09 Hughes Aircraft Company Method of making a cast elastomer/membrane test probe assembly
US5786701A (en) * 1993-07-02 1998-07-28 Mitel Semiconductor Limited Bare die testing
GB2279805B (en) * 1993-07-02 1997-09-17 Plessey Semiconductors Ltd Bare die testing
DE4418679A1 (de) * 1994-05-28 1995-11-30 Telefunken Microelectron Vorrichtung zur Kontaktierung zweier Schaltungsteile
JP2978720B2 (ja) * 1994-09-09 1999-11-15 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
EP0779987A4 (en) * 1994-09-09 1998-01-07 Micromodule Systems Inc EXPLORATION OF THE CIRCUIT MEMBRANE
EP0779989A4 (en) * 1994-09-09 1998-01-07 Micromodule Systems Inc SCANING CIRCUITS WITH A MEMBRANE PROBE
EP0707214A3 (en) * 1994-10-14 1997-04-16 Hughes Aircraft Co Multiport membrane probe to test complete semiconductor plates
JP3685498B2 (ja) * 1994-10-28 2005-08-17 カリック アンド ソファ ホウルディングス インコーポレイテッド プログラム可能高密度電子工学試験装置
US5557212A (en) * 1994-11-18 1996-09-17 Isaac; George L. Semiconductor test socket and contacts
US5621333A (en) * 1995-05-19 1997-04-15 Microconnect, Inc. Contact device for making connection to an electronic circuit device
US5642054A (en) * 1995-08-08 1997-06-24 Hughes Aircraft Company Active circuit multi-port membrane probe for full wafer testing
US5886877A (en) * 1995-10-13 1999-03-23 Meiko Electronics Co., Ltd. Circuit board, manufacturing method therefor, and bump-type contact head and semiconductor component packaging module using the circuit board
US6046599A (en) * 1996-05-20 2000-04-04 Microconnect, Inc. Method and device for making connection
US5914613A (en) 1996-08-08 1999-06-22 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system with local contact scrub
US5926029A (en) * 1997-05-27 1999-07-20 International Business Machines Corporation Ultra fine probe contacts
US6137299A (en) * 1997-06-27 2000-10-24 International Business Machines Corporation Method and apparatus for testing integrated circuit chips
US5973405A (en) * 1997-07-22 1999-10-26 Dytak Corporation Composite electrical contact structure and method for manufacturing the same
JPH11160356A (ja) * 1997-11-25 1999-06-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd ウェハ一括型測定検査用プローブカードおよびセラミック多層配線基板ならびにそれらの製造方法
US6426636B1 (en) * 1998-02-11 2002-07-30 International Business Machines Corporation Wafer probe interface arrangement with nonresilient probe elements and support structure
US6256882B1 (en) * 1998-07-14 2001-07-10 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6343369B1 (en) * 1998-09-15 2002-01-29 Microconnect, Inc. Methods for making contact device for making connection to an electronic circuit device and methods of using the same
US6215320B1 (en) * 1998-10-23 2001-04-10 Teradyne, Inc. High density printed circuit board
US6578264B1 (en) 1999-06-04 2003-06-17 Cascade Microtech, Inc. Method for constructing a membrane probe using a depression
JP2001056346A (ja) * 1999-08-19 2001-02-27 Fujitsu Ltd プローブカード及び複数の半導体装置が形成されたウエハの試験方法
TW460697B (en) * 2000-01-24 2001-10-21 Urex Prec Inc Probe card of thin film type
US6496026B1 (en) 2000-02-25 2002-12-17 Microconnect, Inc. Method of manufacturing and testing an electronic device using a contact device having fingers and a mechanical ground
US6838890B2 (en) * 2000-02-25 2005-01-04 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6426638B1 (en) * 2000-05-02 2002-07-30 Decision Track Llc Compliant probe apparatus
DE20114544U1 (de) 2000-12-04 2002-02-21 Cascade Microtech Inc Wafersonde
AU2002327490A1 (en) 2001-08-21 2003-06-30 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6759861B2 (en) * 2002-07-30 2004-07-06 Intel Corporation Thin film probe card contact drive system
US7057404B2 (en) 2003-05-23 2006-06-06 Sharp Laboratories Of America, Inc. Shielded probe for testing a device under test
US7173442B2 (en) * 2003-08-25 2007-02-06 Delaware Capital Formation, Inc. Integrated printed circuit board and test contactor for high speed semiconductor testing
DE202004021093U1 (de) 2003-12-24 2006-09-28 Cascade Microtech, Inc., Beaverton Aktiver Halbleiterscheibenmessfühler
US20050162177A1 (en) * 2004-01-28 2005-07-28 Chou Arlen L. Multi-signal single beam probe
JP4980903B2 (ja) * 2004-07-07 2012-07-18 カスケード マイクロテック インコーポレイテッド 膜懸垂プローブを具えるプローブヘッド
KR20070058522A (ko) 2004-09-13 2007-06-08 캐스케이드 마이크로테크 인코포레이티드 양측 프루빙 구조
US7656172B2 (en) 2005-01-31 2010-02-02 Cascade Microtech, Inc. System for testing semiconductors
US7535247B2 (en) 2005-01-31 2009-05-19 Cascade Microtech, Inc. Interface for testing semiconductors
CN100348983C (zh) * 2005-02-07 2007-11-14 董玟昌 一种微机电探针电路薄膜及其制法
US20070075717A1 (en) * 2005-09-14 2007-04-05 Touchdown Technologies, Inc. Lateral interposer contact design and probe card assembly
JP4765508B2 (ja) * 2005-09-20 2011-09-07 エプソントヨコム株式会社 高周波デバイスの測定治具
TWI466205B (zh) * 2006-06-06 2014-12-21 Advanced Inquiry Systems Inc 用於雙形態晶圓測試之方法與設備
WO2007146291A2 (en) * 2006-06-09 2007-12-21 Octavian Scientific, Inc. Method and apparatus for fixed-form multi-planar extension of electrical conductors beyond the margins of a substrate
US7723999B2 (en) 2006-06-12 2010-05-25 Cascade Microtech, Inc. Calibration structures for differential signal probing
US7764072B2 (en) 2006-06-12 2010-07-27 Cascade Microtech, Inc. Differential signal probing system
US7403028B2 (en) 2006-06-12 2008-07-22 Cascade Microtech, Inc. Test structure and probe for differential signals
US7459924B2 (en) * 2006-07-07 2008-12-02 Advanced Inquiry Systems, Inc. Apparatus for providing electrical access to one or more pads of the wafer using a wafer translator and a gasket
US7489148B2 (en) * 2006-07-28 2009-02-10 Advanced Inquiry Systems, Inc. Methods for access to a plurality of unsingulated integrated circuits of a wafer using single-sided edge-extended wafer translator
JP4842049B2 (ja) * 2006-08-22 2011-12-21 株式会社日本マイクロニクス プローブ組立体
US7764076B2 (en) * 2007-02-20 2010-07-27 Centipede Systems, Inc. Method and apparatus for aligning and/or leveling a test head
US7876114B2 (en) 2007-08-08 2011-01-25 Cascade Microtech, Inc. Differential waveguide probe
US7888957B2 (en) 2008-10-06 2011-02-15 Cascade Microtech, Inc. Probing apparatus with impedance optimized interface
WO2010059247A2 (en) 2008-11-21 2010-05-27 Cascade Microtech, Inc. Replaceable coupon for a probing apparatus
KR101090333B1 (ko) 2009-06-03 2011-12-07 주식회사 쎄믹스 척의 능동적 기울기 제어가 가능한 웨이퍼 프로브 스테이션 및 그 제어방법
WO2010140814A2 (ko) * 2009-06-03 2010-12-09 주식회사 쎄믹스 척의 능동적 기울기 제어가 가능한 웨이퍼 프로브 스테이션 및 그 제어방법
US8362797B2 (en) * 2009-08-25 2013-01-29 Advanced Inquiry Systems, Inc. Maintaining a wafer/wafer translator pair in an attached state free of a gasket disposed therebetween
US9176186B2 (en) 2009-08-25 2015-11-03 Translarity, Inc. Maintaining a wafer/wafer translator pair in an attached state free of a gasket disposed
JP2013540354A (ja) 2010-09-28 2013-10-31 アドバンスド インクワイアリー システムズ インコーポレイテッド ウエハテストシステムならびに関連する使用方法および製造方法
US9435855B2 (en) 2013-11-19 2016-09-06 Teradyne, Inc. Interconnect for transmitting signals between a device and a tester
US9594114B2 (en) 2014-06-26 2017-03-14 Teradyne, Inc. Structure for transmitting signals in an application space between a device under test and test electronics
JP6496142B2 (ja) 2014-12-26 2019-04-03 株式会社ヨコオ 交換用コンタクトユニット及び検査治具
JP6630117B2 (ja) * 2015-03-27 2020-01-15 株式会社ヨコオ コンタクトユニット及び検査治具
JP6525831B2 (ja) * 2015-09-15 2019-06-05 株式会社ヨコオ コンタクトユニット及び検査治具
JP6384626B2 (ja) * 2016-07-19 2018-09-05 新日鐵住金株式会社 高周波焼入れ用鋼
JP6384629B2 (ja) 2016-07-19 2018-09-05 新日鐵住金株式会社 高周波焼入れ用鋼
KR20190028781A (ko) 2016-07-19 2019-03-19 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤 고주파 담금질용 강
JP6384627B2 (ja) 2016-07-19 2018-09-05 新日鐵住金株式会社 高周波焼入れ用鋼
US20190241997A1 (en) 2016-07-19 2019-08-08 Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation Steel for Induction Hardening
US9977052B2 (en) 2016-10-04 2018-05-22 Teradyne, Inc. Test fixture
IT201800005444A1 (it) 2018-05-16 2019-11-16 Scheda di misura avente elevate prestazioni in alta frequenza
US10677815B2 (en) 2018-06-08 2020-06-09 Teradyne, Inc. Test system having distributed resources
US11363746B2 (en) 2019-09-06 2022-06-14 Teradyne, Inc. EMI shielding for a signal trace
TWI706139B (zh) 2019-10-25 2020-10-01 巨擘科技股份有限公司 金屬探針結構及其製造方法
JP7287250B2 (ja) * 2019-11-18 2023-06-06 三菱電機株式会社 試験装置及び試験方法
US11243230B2 (en) 2019-12-30 2022-02-08 Juniper Networks, Inc. Compact opto-electric probe
US11862901B2 (en) 2020-12-15 2024-01-02 Teradyne, Inc. Interposer
JP2023047464A (ja) * 2021-09-27 2023-04-06 株式会社ヨコオ コンタクトユニット及び検査治具
CN114200278B (zh) * 2021-11-29 2022-12-27 强一半导体（苏州）有限公司 一种薄膜探针卡及其探针头

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3832632A (en) * 1971-11-22 1974-08-27 F Ardezzone Multi-point probe head assembly
JPS60260861A (ja) * 1984-06-08 1985-12-24 Hitachi Ltd プロ−ブ
US4636722A (en) * 1984-05-21 1987-01-13 Probe-Rite, Inc. High density probe-head with isolated and shielded transmission lines
JPS62182672A (ja) * 1986-01-07 1987-08-11 Yokogawa Hewlett Packard Ltd 試験用プロ−ブ

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3596228A (en) * 1969-05-29 1971-07-27 Ibm Fluid actuated contactor
US3866119A (en) * 1973-09-10 1975-02-11 Probe Rite Inc Probe head-probing machine coupling adaptor
US4164704A (en) * 1976-11-01 1979-08-14 Metropolitan Circuits, Inc. Plural probe circuit card fixture using a vacuum collapsed membrane to hold the card against the probes
US4523144A (en) * 1980-05-27 1985-06-11 Japan Electronic Materials Corp. Complex probe card for testing a semiconductor wafer
US4574235A (en) * 1981-06-05 1986-03-04 Micro Component Technology, Inc. Transmission line connector and contact set assembly for test site
US4590422A (en) * 1981-07-30 1986-05-20 Pacific Western Systems, Inc. Automatic wafer prober having a probe scrub routine
US4649339A (en) * 1984-04-25 1987-03-10 Honeywell Inc. Integrated circuit interface
JPS60231336A (ja) * 1984-04-27 1985-11-16 Sumitomo Electric Ind Ltd プロ−ブ・カ−ド
JPS6180067A (ja) * 1984-09-21 1986-04-23 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション テスト・プロ−ブ装置
FR2571861B1 (fr) * 1984-10-16 1987-04-17 Radiotechnique Compelec Tete de mesure pour tester sous pointes des circuits
KR870006645A (ko) * 1985-12-23 1987-07-13 로버트 에스 헐스 집적회로의 멀티플리드 프로브장치
US4733172A (en) * 1986-03-08 1988-03-22 Trw Inc. Apparatus for testing I.C. chip
US4891585A (en) * 1986-09-05 1990-01-02 Tektronix, Inc. Multiple lead probe for integrated circuits in wafer form

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3832632A (en) * 1971-11-22 1974-08-27 F Ardezzone Multi-point probe head assembly
US4636722A (en) * 1984-05-21 1987-01-13 Probe-Rite, Inc. High density probe-head with isolated and shielded transmission lines
JPS60260861A (ja) * 1984-06-08 1985-12-24 Hitachi Ltd プロ−ブ
JPS62182672A (ja) * 1986-01-07 1987-08-11 Yokogawa Hewlett Packard Ltd 試験用プロ−ブ

Also Published As

Publication number Publication date
JPS644042A (en) 1989-01-09
US4912399A (en) 1990-03-27
EP0294939A2 (en) 1988-12-14
EP0294939A3 (en) 1990-05-09
KR890001174A (ko) 1989-03-18

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