JPH07105416B2 - 測定装置 - Google Patents
測定装置Info
- Publication number
- JPH07105416B2 JPH07105416B2 JP62266761A JP26676187A JPH07105416B2 JP H07105416 B2 JPH07105416 B2 JP H07105416B2 JP 62266761 A JP62266761 A JP 62266761A JP 26676187 A JP26676187 A JP 26676187A JP H07105416 B2 JPH07105416 B2 JP H07105416B2
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- metal
- electrode
- wiring pattern
- film
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- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は微少電極をもつ回路基板の電気特性を測定する
ための測定装置に関するものである。
ための測定装置に関するものである。
従来の技術 近年、半導体素子（LSI）は多ピン化し、かつその電極
ピッチも微細化の方向にあるが、第４図のようにこれら
超LSI1の電極２に触針し、電気特性を測定する手段とし
て、最っとも良く用いられるのは第４図に示した金属針
３を直接電極に突当てる方法である。
ピッチも微細化の方向にあるが、第４図のようにこれら
超LSI1の電極２に触針し、電気特性を測定する手段とし
て、最っとも良く用いられるのは第４図に示した金属針
３を直接電極に突当てる方法である。
発明が解決しようとする問題点 金属針は一般にタングステン材が用いられ、電極と接触
する先端部は放電加工や精密エッチング加工し、微少な
曲率を設け、電極に対する接触を良好にせしめていたが
それでも電極をつき破り破損せしめ信頼性を低下してい
た。また、この様な金属針を微少ピッチで並べるのは非
常に高度が必要であるばかりか、金属針の強度も加味さ
れ、その直径は、ある一定の大きさから小さくできず、
金属針のピッチを狭くできず、せいぜい150μｍピッチ
であった。また、前記金属針は非常にもろく、折れてし
まいその耐使用度も著しく低いものであった。
する先端部は放電加工や精密エッチング加工し、微少な
曲率を設け、電極に対する接触を良好にせしめていたが
それでも電極をつき破り破損せしめ信頼性を低下してい
た。また、この様な金属針を微少ピッチで並べるのは非
常に高度が必要であるばかりか、金属針の強度も加味さ
れ、その直径は、ある一定の大きさから小さくできず、
金属針のピッチを狭くできず、せいぜい150μｍピッチ
であった。また、前記金属針は非常にもろく、折れてし
まいその耐使用度も著しく低いものであった。
本発明は、従来の金属針を突当てる方法で課題であった
微少ピッチの測定が可能でかつ回路基板の電極が損傷せ
ず、安価な測定装置を提供するものである。
微少ピッチの測定が可能でかつ回路基板の電極が損傷せ
ず、安価な測定装置を提供するものである。
問題点を解決するための手段 本発明はこのような問題点を解決するため可撓性フィル
ム上に金属突起を有した配線パターンを形成し、この金
属突起を回路基板に押圧させる構成としたものである。
ム上に金属突起を有した配線パターンを形成し、この金
属突起を回路基板に押圧させる構成としたものである。
作用 このような本発明によれば、突起をもった配線パターン
がフォトエッチング加工で形成できるための微小な電極
ピッチに対応できる金属突起が形成できる。
がフォトエッチング加工で形成できるための微小な電極
ピッチに対応できる金属突起が形成できる。
実施例 本発明の実施例を第１図を用いて説明する。ポリイミ
ド，ガラエポ，ポリエステル等の可撓性樹脂フィルム10
上に銅配線パターン11が形成されている。前記フィルム
10の底面には銅配線パターン11上に金属突起12が設けら
れている。金属突起12が形成されているフィルム10の反
対面には、ゴム，樹脂等で形成した緩衝材13が設置さ
れ、更に前記緩衝材13上には前記緩衝材よりも堅い材料
14が設けられている。また、前記銅配線パターン上の金
属突起12は、測定される半導体基板15の電極12と対応し
た位置に設けられ、全体が上下方向18に移動できる構成
である。
ド，ガラエポ，ポリエステル等の可撓性樹脂フィルム10
上に銅配線パターン11が形成されている。前記フィルム
10の底面には銅配線パターン11上に金属突起12が設けら
れている。金属突起12が形成されているフィルム10の反
対面には、ゴム，樹脂等で形成した緩衝材13が設置さ
れ、更に前記緩衝材13上には前記緩衝材よりも堅い材料
14が設けられている。また、前記銅配線パターン上の金
属突起12は、測定される半導体基板15の電極12と対応し
た位置に設けられ、全体が上下方向18に移動できる構成
である。
更に詳細にのべれば、金属突起を有する銅配線パターン
は第２図の如く構成される。すなわち、５〜125μｍ厚
の可撓性絶縁フィルム上に所望の切欠き孔10′を形成し
ておき、この上に接着剤等を介して５〜70μｍ厚の銅箔
を貼りつけ、フォトエッチング加工で、所定の配線パタ
ーン12を形成し、次いで、半導体素子の電極と対応する
位置のみを残存させるように感光性レジストで覆って、
他の領域を５〜10μｍ程度エッチングすれば金属突起12
が形成される。後、全体にNiを下地とし金を0.5〜３μ
ｍ厚さにめっき処理すれば配線パターンが完成する。前
記金属突起は、述べたように配線パターン自体をエッチ
ング加工し、一体に形成しても良いし、めっき処理によ
って所定の厚さ（例えば５〜10μｍ）に形成する事もで
きる。
は第２図の如く構成される。すなわち、５〜125μｍ厚
の可撓性絶縁フィルム上に所望の切欠き孔10′を形成し
ておき、この上に接着剤等を介して５〜70μｍ厚の銅箔
を貼りつけ、フォトエッチング加工で、所定の配線パタ
ーン12を形成し、次いで、半導体素子の電極と対応する
位置のみを残存させるように感光性レジストで覆って、
他の領域を５〜10μｍ程度エッチングすれば金属突起12
が形成される。後、全体にNiを下地とし金を0.5〜３μ
ｍ厚さにめっき処理すれば配線パターンが完成する。前
記金属突起は、述べたように配線パターン自体をエッチ
ング加工し、一体に形成しても良いし、めっき処理によ
って所定の厚さ（例えば５〜10μｍ）に形成する事もで
きる。
次に破線20に従がい切断し、金属突起12が形成されたフ
ィルムを底面とし、他の領域のフィルムを90°折曲げ
る。この折曲げに対し切欠き孔10′は折曲げやすくする
効果を奏するものである。金属突起が形成されている領
域のフィルム上にゴムや樹脂で形成した弾力性のある緩
衝材13を貼りつけ更にこの上に固い材料である樹脂、金
属体14を設ける。このようにして第１図の構成が完成す
る。
ィルムを底面とし、他の領域のフィルムを90°折曲げ
る。この折曲げに対し切欠き孔10′は折曲げやすくする
効果を奏するものである。金属突起が形成されている領
域のフィルム上にゴムや樹脂で形成した弾力性のある緩
衝材13を貼りつけ更にこの上に固い材料である樹脂、金
属体14を設ける。このようにして第１図の構成が完成す
る。
半導体基板15の電極16と金属突起12との多少の高さのバ
ラツキは前記緩衝材13が吸収し、良好な接触を得るもの
である。また、第３図で示した配線パターンの他端11′
は測定のための電子回路やLSIに接続されるものであ
る。必要に応じて、LSIチップを前記配線パターン上に
搭載すれば、更に小形で高性能の測定装置が完成でき
る。配線パターンや金属突起を構成する材料は銅，金，
ニッケルＷ等のあらゆる材料を用いる事ができる。
ラツキは前記緩衝材13が吸収し、良好な接触を得るもの
である。また、第３図で示した配線パターンの他端11′
は測定のための電子回路やLSIに接続されるものであ
る。必要に応じて、LSIチップを前記配線パターン上に
搭載すれば、更に小形で高性能の測定装置が完成でき
る。配線パターンや金属突起を構成する材料は銅，金，
ニッケルＷ等のあらゆる材料を用いる事ができる。
金属突起12が載置されているフィルムの形状は第３図で
示した様に例えば四辺が全て一体となった構成でも良い
が、各辺毎に分離した状態かもしくは口字上に中央部を
切欠いた構造をもたせても良い。
示した様に例えば四辺が全て一体となった構成でも良い
が、各辺毎に分離した状態かもしくは口字上に中央部を
切欠いた構造をもたせても良い。
また、フィルム上の銅箔の形成方法は、述べたようにフ
ィルム上に銅箔を接着材で貼りつけても良いが、電解め
っき法等により接着剤を用いないで、形成することもで
きる。
ィルム上に銅箔を接着材で貼りつけても良いが、電解め
っき法等により接着剤を用いないで、形成することもで
きる。
緩衝材13の替り、堅い材料を用いても良いが、この場合
は、金属突起12の各面の高さが充分に精度良く調整され
ている場合である。
は、金属突起12の各面の高さが充分に精度良く調整され
ている場合である。
次に他の実施例について第３図で説明する。
この実施例は、配線電極11上の金属突起12が形成されて
いる領域のフィルム10に切欠き部30を形成した構成であ
る。前記切欠き部30にはゴム、樹脂等で形成した緩衝材
13が突出し、配線パターン11と接する構成になってお
り、金属突起12が半導体素子15の電極16に押圧され電気
的接触を得る時に、各金属突起に均等に圧力を加えるこ
とができるものである。
いる領域のフィルム10に切欠き部30を形成した構成であ
る。前記切欠き部30にはゴム、樹脂等で形成した緩衝材
13が突出し、配線パターン11と接する構成になってお
り、金属突起12が半導体素子15の電極16に押圧され電気
的接触を得る時に、各金属突起に均等に圧力を加えるこ
とができるものである。
また、基板は半導体素子のみならず、セラミック，ガラ
ス，ガラエポ基板を用い、これらの上に形成された回路
を検査することができるものである。
ス，ガラエポ基板を用い、これらの上に形成された回路
を検査することができるものである。
発明の効果 以上のように本発明によれば次のような効果を得ること
ができる。
ができる。
可撓性フィルム基板上に突起を有した配線パターン
を形成するので従来得られなかった微小ピッチでの測定
で行なえる。
を形成するので従来得られなかった微小ピッチでの測定
で行なえる。
可撓性フィルム基板上に突起を形成するため、比較
的やわらかい材料で前記突起が形成されるために、回路
基板の電極に押圧しても、電極が損傷することがない。
的やわらかい材料で前記突起が形成されるために、回路
基板の電極に押圧しても、電極が損傷することがない。
ま、た突起部の表面を平らに形成できるため、回路
基板の電極にこの突起を押圧しても電極が損傷しない。
基板の電極にこの突起を押圧しても電極が損傷しない。
可撓性フィルム上で配線パターンを形成するため、
従来の方法に比べ製造コストが著じるしく安価となる。
従来の方法に比べ製造コストが著じるしく安価となる。
突起を有する配線電極がフォトエッチング加工で形
成され、かつ所望の領域で折曲げて構成できるため著じ
るしく小型の測定装置を得る事ができる。
成され、かつ所望の領域で折曲げて構成できるため著じ
るしく小型の測定装置を得る事ができる。
第１図、第２図は本発明の可撓性フィルムを用いた測定
装置の実施例の断面図、第３図は可撓性フィルム上に金
属突起を有する配線パターンをエッチング加工した状態
を示す断面図、第４図は従来装置の構成の断面図であ
る。 10……絶縁フィルム、11……配線パターン、12……金属
突起、13……緩衝材、15……回路基板、16……電極。
装置の実施例の断面図、第３図は可撓性フィルム上に金
属突起を有する配線パターンをエッチング加工した状態
を示す断面図、第４図は従来装置の構成の断面図であ
る。 10……絶縁フィルム、11……配線パターン、12……金属
突起、13……緩衝材、15……回路基板、16……電極。
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁フィルムの主面に一端が回路基版の電
極と対応した位置に突起を有し、他端が電子回路に接続
された金属配線パターンで、前記絶縁フィルムの他面で
あって、前記突起が形成されている領域に弾力性のある
緩衝材と固型体とが一体に形成され、前記突起を回路基
版の電極に押圧せしめ、前記回路基版の電気特性の測定
を行なうようにした測定装置。 - 【請求項２】配線パターンの突起が絶縁フィルムの切欠
き部内に形成され、前記突起の反対面側に緩衝材が形成
された特許請求の範囲第１項記載の測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62266761A JPH07105416B2 (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62266761A JPH07105416B2 (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01108738A JPH01108738A (ja) | 1989-04-26 |
| JPH07105416B2 true JPH07105416B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=17435342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62266761A Expired - Fee Related JPH07105416B2 (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105416B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0244747A (ja) * | 1988-08-04 | 1990-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 検査装置 |
| JPH03122371U (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-13 | ||
| JP3138626B2 (ja) * | 1995-12-21 | 2001-02-26 | 株式会社双晶テック | プローブユニット |
| JP4962929B2 (ja) * | 2005-09-19 | 2012-06-27 | 軍生 木本 | プローバ装置及びこれに用いるプローブ組立体 |
| JP5209215B2 (ja) * | 2007-01-17 | 2013-06-12 | 株式会社日本マイクロニクス | プローブユニット及び検査装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4917685A (ja) * | 1972-06-05 | 1974-02-16 | ||
| JPS58197835A (ja) * | 1982-05-14 | 1983-11-17 | Nec Corp | プロ−バ |
| JPS5918864A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-31 | 株式会社東芝 | 耐震架構 |
| US4912399A (en) * | 1987-06-09 | 1990-03-27 | Tektronix, Inc. | Multiple lead probe for integrated circuits in wafer form |
-
1987
- 1987-10-21 JP JP62266761A patent/JPH07105416B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01108738A (ja) | 1989-04-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |