JPH0680713B2 - ウエハ試験用プローブカードおよびその製造方法 - Google Patents

ウエハ試験用プローブカードおよびその製造方法

Info

Publication number
JPH0680713B2
JPH0680713B2 JP1264150A JP26415089A JPH0680713B2 JP H0680713 B2 JPH0680713 B2 JP H0680713B2 JP 1264150 A JP1264150 A JP 1264150A JP 26415089 A JP26415089 A JP 26415089A JP H0680713 B2 JPH0680713 B2 JP H0680713B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
main surface
probe
wafer
probe card
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1264150A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH03125448A (ja
Inventor
哲生 多田
亮一 高木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP1264150A priority Critical patent/JPH0680713B2/ja
Priority to US07/501,463 priority patent/US4983908A/en
Priority to US07/601,635 priority patent/US5042148A/en
Publication of JPH03125448A publication Critical patent/JPH03125448A/ja
Publication of JPH0680713B2 publication Critical patent/JPH0680713B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07314—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being perpendicular to test object, e.g. bed of nails or probe with bump contacts on a rigid support
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49165—Manufacturing circuit on or in base by forming conductive walled aperture in base

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、ウエハ試験用プローブカードに関し、特に
半導体ウエハに形成された半導体装置（半導体チップ）
の複数個の電極に対応して接触できるように配置された
複数個の接触子を有するウエハ試験用プローブカードに
関するものである。
［従来の技術］ 一般に、半導体集積回路装置（IC）の製造工程において
は、ICを試験する検査装置（以下、ウエハ・プローバと
称する。）を用いて、半導体ウエハに形成された半導体
装置の電気的特性が測定される。このウエハ・プローバ
には、半導体装置の電極（ボンディング・パッド）パタ
ーンに対応した探針を絶縁基板に固定したプローブ基板
が用いられている。
第５図は、従来のウエハ試験用プローブ基板がウエハ・
プローバに組込まれた状態を概略的に示す断面図であ
る。第６図は、ウエハ上の電極パッドに細長い導体針
（以下、プローブ針と称する。）が接触している状態を
示す部分拡大斜視図である。以下、これらの図を参照し
て、従来のウエハ試験装置の構造について説明する。
LSI等の半導体装置が多数個作り込まれたウエハ１は、
ウエハチャック８上に載せられ、固定されている。ウエ
ハチャック８は移動機構９によって上下左右方向に移動
可能になっている。ウエハ１の表面上には、電極パッド
２が各半導体チップごとに数百個のオーダで形成されて
いる。これらの電極パッド２に対面するように、細長い
プローブ針３がプローブ支持基板４の上に設けられてい
る。プローブ支持基板４はウエハ１の上方に位置合わせ
されて対向させられている。プローブ針３は、タングス
テン、クロムまたはタングステン−クロム合金等からな
る。プローブ支持基板４はガラス・エポキシ等の絶縁材
料からなる。金属配線パターン５はプローブ支持基板４
の上に形成されている。この金属パターン配線５は銅な
どからなる。プローブ針３は、金属パターン配線５に半
田等によって電気的に接続されている。電極パッド２の
表面上にプローブ針３が接触する表面積は約50〜100μ
ｍφ程度である。プローブ支持基板４の側に接続される
プローブ針３の外径は約150〜200μｍφ程度である。金
属パターン配線５は、スルーホールを介して、プローブ
針３が接続される側のプローブ支持基板４の表面と反対
側の表面上にも形成されている。この金属パターン配線
５には、接触ピン（以下、ポゴピンと称する。）７が電
気的に接触させられている。このポゴピン７はLSIテス
タのテストヘッド６に設けられている。プローブ支持基
板４はウエハ・プローバの基板固定部12に支持固定され
ている。
次に、上記のようなウエハ試験用探触板（プローブ・カ
ード）を用いてウエハの状態で半導体装置の電気的特性
試験を行なう手順について説明する。移動機構９を用い
て、ウエハチャック８上に固定されているウエハ１内の
１個、または複数個のチップの各電極パッド２と、プロ
ーブ支持基板４上に固定されている各プローブ針３とが
対向して接触するように位置合わせされる。プローブ針
３は、ウエハチャック８が上下方向に動作することによ
って、電極パッド２の表面上に接触する。このようにし
て、各プローブ針３が半導体チップ内の各電極パッド２
上に接触すると、テストヘッド６内のポゴピン７と金属
パターン配線５とを経由して、ウエハ１とLSIテスタ本
体（図示せず）とは電気的に接続された状態となる。こ
れによって、ウエハ１、すなわち、ウエハ１内に作り込
まれた各半導体装置とLSIテスタ本体との電気的信号の
伝達が可能になり、所定のウエハ状態における半導体装
置の電気的特性試験が行なわれ得る状態となる。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、従来のウエハ試験用探触板はプローブ針
を用いているので、ウエハ内に作り込まれる電極パッド
のサイズやピッチ（間隔）が微細化すると、それに応じ
てプローブ針の外径も小さくする必要がある。プローブ
針の外径を微細化すると、電極パッドとの接触抵抗が大
きくなるという問題がある。また、プローブ針の外径の
微細化に伴なって、プローブ針の製造加工が困難とな
り、プローブ支持基板へのプローブ針の実装も困難とな
る。すなわち、ウエハ内に微細加工によって形成された
多数個の電極パッドに対して高い精度で位置合わせする
ことができるように、多数個の微小なプローブ針をプロ
ーブ支持基板に対して精度良く取付けることは困難にな
る。
そこで、上記のような問題点を解消するためにウエハ試
験用探針の位置精度を向上させたプローブカードの構造
が特開昭63−263738号公報に開示されている。第７図
は、このようなプローブカードの探針部分を示す部分断
面図である。このプローブカードによれば、絶縁基板21
の両面上に導電性パターン22が形成されている。基板21
の各面に形成された導電性パターン22は、スルーホール
に形成された導体部23を介して導通する。基板21の一方
の面に形成された導電性パターン22の上に接続するよう
にバンプ24が形成されている。導電性パターン22の形成
は、基板上に形成された銅箔をエッチングすることによ
り行なわれる。バンプ24は、金からなる。
上述のプローブカードによれば、探針となるバンプ24は
導電性パターン22の先端部に形成されるので、被測定物
の電極パッドの位置に合わせて導電性パターンを設計す
ることにより、探針部分の位置精度が高く保たれ得る。
しかしながら、探針部分の形状はバンプ形状であるた
め、各電極パッドとの接触の形態は点接触である。その
ため、バンプ24と電極パッドとの接触が安定して行なわ
れ得ない。また、バンプ24のみが電極パッドの表面に確
実に接触し得るようにバンプ24の高さを大きくしようと
すると、その形状の制約により、バンプ24は導電性パタ
ーン22の横方向に広がるように形成される。これによ
り、たとえ導電性パターン22が微細に形成され得たとし
ても、バンプ形状の制約のために、探針部分を所定の微
細な間隔で高密度に形成することは困難になる。
また、ウエハ試験用探針の位置精度を向上させたウエハ
試験用プローブカードの構造が特開昭64−39559号公報
に開示されている。第８図は、このようなプローブカー
ドの探針部分を示す部分断面図である。このプローブカ
ードによれば、半導体ウエハ内にある各チップの電極パ
ッドに対応して接触できるように、導電性の弾性材料で
作られた探針34が透明な基板31に固定されている。探針
34に接続するように配線層32が基板31上に形成されてい
る。この配線層32の上には、透明材料で作られた隔壁35
で囲まれた圧縮気体封入層33が設けられている。気体封
入層33に封入された高圧気体により、探針34に圧力が加
えられる。これにより、探針34と電極パッドとの接触が
良好に図られる。すなわち、各電極パッドに均等の針圧
が加えられる。
しかしながら、上述のプローブカードによれば、探針34
の形状がバンプ形状であるとともに、基板31内のスルー
ホールに挿入されることによって配線層32に接続されて
いる。そのため、探針の形状の制約により、電極パッド
と探針との安定した接触が図られない。これは、電極パ
ッドと探針との接触が接触面積の小さい点接触によって
行なわれるからである。また、探針34の先端面のみを電
極パッドに確実に接触させるためには、探針34の先端面
と基板31の表面との間の段差を大きくすることが必要で
ある。このことを実現するために探針34の高さを大きく
しようとすると、探針34は基板31の表面上で、横方向へ
広がるように形成される。これにより、探針34を微細な
間隔で高密度に形成することが困難になる。さらに、探
針34はスルーホールを介して配線層32に接続されてい
る。探針34には、測定ごとに繰返し、圧力が加えられ
る。そのため、第８図に示されるような形状を有する探
針34は、スルーホールから下方向へ抜け出る可能性があ
る。
そこで、この発明は、ウエハ内に微細加工によって形成
された多数個の電極パッドに対して高い精度の位置合わ
せが可能になるとともに、電極パッドと安定した接触を
図ることができ、スルーホールから抜け出ることを防止
することができる微細な接触子を備えたプローブカード
およびその製造方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ この発明に従ったプローブカードは、半導体ウエハに形
成された半導体装置の複数個の電極に対応して接触でき
るように配置された複数個の接触子を有する。ウエハ試
験用プローブカードは、基板と、接触子と、配線部とを
備える。基板は、２つの主表面を有し、電気絶縁性、光
透過性および感光性を有する物質からなる。基板には、
一方の主表面から他方の主表面に延びる貫通孔が形成さ
れている。接触子は、貫通孔を充填するように延び、両
端部から中央部に向かってその横断面積が減少するよう
に形成された柱状体からなる。接触子は、基板の一方の
主表面から突出する一方の端部を有し、導電材料からな
る。その一方の端部は少なくとも、ほぼ平坦な端面を有
する。配線部は、接触子の他方の端部に接続するように
延び、基板の他方の主表面の上に所定のパターンに従っ
て形成された導電層からなる。
この発明に従ったウエハ試験用プローブカードの製造方
法によれば、まず、２つの主表面を有し、電気絶縁性、
光透過性および感光性を有する基板に、フォトリソグラ
フィ技術を用いて貫通孔が形成される。この貫通孔は、
一方の主表面から他方の主表面に延び、かつ両端部から
中央部に向かってその横断面積が減少するように形成さ
れる。導電層は、貫通孔を充填し、かつ基板の両方の主
表面の上に延びるように形成される。基板の一方の主表
面の上に形成された導電層部分のみが除去される。貫通
孔に充填された導電層部分が基板の一方の主表面から突
出するように、基板の一部分を一方の主表面側から除去
される。
［作用］ この発明においては、プローブカードの基板は感光性を
有する。そのため、接触子が充填する貫通孔は、フォト
リソグラフィ技術を用いて微細に形成され得る。これに
より、接触子は、微細な間隔で高密度に基板に配置され
得る。したがって、微細に高密度で形成された、半導体
装置の複数個の電極に対応して、接触子を高い精度で位
置合わせすることが可能になる。
また、接触子は、基板に形成された貫通孔を充填するよ
うになっている。接触子は、その両端部から中央部に向
かって横断面積が減少するように形成された柱状体から
なる。柱状体の一方の端部はほぼ平坦な端面を有する。
そのため、接触子と電極パッドとの接触が、接触面積の
大きい面接触により行なわれる。これにより、電極パッ
ドと接触子との接触が安定になる。また、接触子の横断
面積は両端部から中央部に向かって減少するように形成
されているので、接触子の突出部分を基板の主表面から
高くなるように形成したとしても、接触子が基板の横方
向へ広がって形成されることはない。したがって、接触
子を微細な間隔で高密度に、基板に配置することが可能
になる。さらに、接触子は、両端部から中央部に向かっ
て横断面積が減少するように形成されているので、基板
に形成された貫通孔を通って上下方向へ抜け出ることは
ない。
［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1A
図は、この発明の一実施例によるウエハ試験用プローブ
カードがウエハ・プローバに組込まれたときの概略的な
構造を示す断面図である。第1B図は、第1A図において矢
印IBで示される方向から見た透視的な平面図である。な
お、第1A図は、第1B図におけるIA−IA線に沿った断面を
示している。第1C図は、プローブカードの探触子部分の
みを拡大して示す斜視図である。第1D図は、第1A図にお
ける探触子部分を拡大して示す部分断面図である。これ
らの図を参照して、この発明に従ったウエハ試験用プロ
ーブカードの一実施例の構造と、このプローブカードを
用いて構成されるウエハ・プローバの構造について説明
する。
感光性透明ガラス基板10には、微細加工された数100本
のスルーホール10aが形成されている。図では、簡略化
のため、10数本のスルーホール10aが示されているのみ
である。各スルーホール10aを充填するように接触部11a
が形成されている。接触部11aは、その両端部から中央
部に向かって横断面積が減少するように形成され、くび
れ部11bを有する。この接触部11aの一方端部は、試験対
象であるウエハ１の電極パッド２に接触可能な、ほぼ平
坦な端面を有する。接触部11aの他方端部は、感光性透
明ガラス基板10の他方の表面の上まで延びている。この
接触部11aの他方端部に接続するように、金属配線層11
c,11dが基板10の他方の表面上に形成されている。接触
部11aは、基板10上で80μｍ程度以下の間隔で配置され
ている。接触部11aが電極パッド２に接触する平面の大
きさは約50μｍφ程度以下である。また、接触部11aが
基板10から突出する高さは、約50μｍ程度である。さら
に、接触部11aの両端部から中央部に向かって横断面積
が減少する度合は、外周の傾斜角度で約３°程度であ
る。なお、これらの寸法は、試験対象としての半導体ウ
エハ内に設けられる電極パッドのサイズおよびピッチに
対応して適宜、設定される。
多数個のLSIが作り込まれたウエハ１はウエハチャック
８に載せられて固定されている。ウエハチャック８は移
動機構９によって上下左右方向に移動可能になってい
る。この移動機構９によって、ウエハ１内に設けられた
電極パッド２と、その上方に設けられる上述のプローブ
カードの接触部11aとの位置合わせが行なわれる。スル
ーホール10aを介して接触部11aを支持する感光性透明ガ
ラス基板10が、ウエハ・プローバの基板固定部12によっ
て固定されている。電極パッド２に接触する接触部11a
は金属配線層11cに接続されている。この金属配線層11c
は、ポゴピン７と電気的に接触する金属配線層11dにつ
ながっている。ポゴピン７は、LSIテスタのテストヘッ
ド６に設けられている。
上述のように構成されるウエハ・プローバにおいて、ウ
エハ１内に作り込まれた半導体装置とLSIテスタとの電
気信号の伝達は以下のような経路で行なわれる。電極パ
ッド２は接触部11aに接触し、金属配線層11cに電気的に
通ずる。金属配線層11cは金属配線層11dに通じている。
金属配線層11dは、テストヘッド６内に設けられたポゴ
ピン７を介してLSIテスタ本体（図示せず）と電気的に
接続される。感光性透明ガラス基板10の他方の表面上に
形成された金属配線層においては、第1B図に示されるよ
うに、ポゴピン７に接触する領域としての金属配線層11
dが、接触部11aと金属配線層11dとを接続する金属配線
層11cよりも大きな平面積を有するように形成されてい
る。これにより、LSIテスタのポゴピン７と金属配線層
との電気的接触がより安定になるようにされている。基
板10は透明であるので、電極パッド２と接触部11aとの
接触状態が良好に確認され得る。
第２図は、この発明に従ったウエハ試験用プローブカー
ドの別の実施例を示す部分断面図である。この図によれ
ば、くびれ部11bが、基板10のスルーホール10aの中に位
置している。このように、接触部11aが基板10の表面か
ら突出する長さに応じて接触部11aと基板10との位置関
係を変更してもよい。少なくとも、接触部11aがスルー
ホール10aから容易に抜け出ることのないように、くび
れ部11bが接触部11aの中央部に形成されていればよい。
第３図は、この発明に従ったウエハ試験用プローブカー
ドのさらに別の実施例を示す部分断面図である。この図
によれば、ウエハ１に面する感光性透明ガラス基板10の
表面と反対側の表面に補強用透明ガラス板13が接合され
ている。この補強用透明ガラス板13は、基板10および金
属配線層11c,11dに樹脂等の透明接着剤14を介して接合
されている。これにより、プローブカードの強度の向上
が図られる。たとえば、感光性透明ガラス基板10の厚み
は0.2〜05mm程度であるので、電極パッド２に接触部11a
を接触させた場合、プローブカード本体が破損する可能
性がある。この破損防止のために、補強用透明ガラス板
13が基板10に接合される。
次に、第２図に示されたウエハ試験用プローブカードを
一例として、その製造方法について説明する。製造方法
の一例として、基板10の材料に感光性ガラスを用いた場
合を説明する。第4A図〜第4J図は、この発明に従ったウ
エハ試験用プローブカードの製造方法を工程順に示す断
面図である。これらの図を参照して、１つの接触子を有
するウエハ試験用プローブカードの製造方法について説
明する。
まず、第4A図を参照して、両面が研摩された感光性ガラ
ス100の上にレジストからなるマスク101が形成される。
このマスク101を用いて、矢印で示される方向に紫外線
または光が照射される。これにより、潜像形成領域100a
が感光性ガラス100の内部にいくにつれて細くなるよう
にテーパ状に形成される。これは、紫外線または光の投
射が感光性ガラス100の内部にいくにつれて悪くなるか
らである。
次に、第4B図を参照して、第4A図と同様にして、感光性
ガラス100の他方の表面にマスク102が形成される。この
マスク102を用いて、紫外線または光が矢印で示される
方向に照射される。これにより、潜像形成領域100bが感
光性ガラス100に、潜像形成領域100aと逆のテーパ形状
を有するように形成される。このとき、潜像形成領域10
0a,100bのテーパ形状は約３°の傾斜角度を有する。
第4C図を参照して、感光性ガラス100において潜像形成
領域100a,100b、すなわち、感光した部分のみが所定の
熱処理によって結晶化される。これは、感光後の加熱現
像処理によって、金属コロイドが生じ、さらにその金属
コロイドが核となって結晶が成長するからである。この
ように結晶化された部分100cが、感光性ガラス100の２
つの主表面から内部にいくにつれて細くなるように形成
される。
第4D図を参照して、結晶化された部分100cが酸によって
溶解除去（エッチング）される。このようにして、接触
子が設けられるスルーホールとなる部分として孔100dが
感光性ガラス100に形成される。
第4E図に示すように、孔100dの壁面および感光性ガラス
100の両面の上にITO（Indium Tin Oxide，酸化インジウ
ム錫）膜が1000〜2000Åの厚みで形成される。このITO
めっき層103は無電解めっき法を用いて形成される。
さらに、第4F図を参照して、孔100dを充填し、かつ感光
性ガラス100の両面上にも堆積するように、ニッケルめ
っき層100が４〜５μｍ程度の膜厚でITOめっき層103の
上に形成される。
このニッケルめっき層110の形成は以下の条件下で行な
われる。触媒として、SnCl2（塩化錫）、PdCl4（四塩化
パラジウム）が用いられる。リンを10％含有する酸性
（PH＝５）の溶液に上記の触媒が入れられた後、200〜3
00℃の温度で加熱される。このとき行なわれる化学反応
は以下の式で表わされる。
SnCl2＋PdCl4→Sn2+＋Pd2+＋6Cl Sn2+＋Pd2として働き、酸の液に溶解したNiClのニッケ
ルイオンが、ITOめっき層103の上に成長する。孔100dに
おいてはニッケルめっき層110が柱状のニッケル層とし
て成長する。この柱状のニッケル層の形成時間は24時間
程度である。
第4G図に示すように、感光性ガラス100の一方の主表面
に形成されたニッケルめっき層110とITOめっき層103と
が、研摩により除去される。これにより、感光性ガラス
100の一方の主表面が露出される。
次に、第4H図を参照して、露出された感光性ガラス100
の全面上に紫外線または光が矢印で示される方向に照射
される。これにより、感光性ガラス100に潜像が形成さ
れる。
その後、第4I図に示すように、酸によって感光性ガラス
100の一方の主表面側の一部分が溶解除去（エッチン
グ）される。このようにして、柱状のニッケルめっき層
110の端部が感光性ガラス100の一方の主表面から突出す
るように形成される。このとき、柱状のニッケルめっき
層110が感光性ガラス100の表面から突出する部分の高さ
は、50〜100μｍ程度である。また、このときの感光性
ガラス100の厚みは0.2〜0.5mm程度である。
さらに、第4J図に示すように、接触部11aの電極パッド
と接触する先端部分の上に金めっき層104が形成され
る。これは、ニッケルめっき層110の表面が酸化するの
を防止するためである。このとき、形成される金めっき
層104の厚みは数10000Å〜数μｍ程度である。
なお、上記実施例では金めっき層とニッケルめっき層と
によって接触部11aを構成しているが、金めっき層のみ
で接触部11aを形成してもよい。しかしながら、電気抵
抗値を低くするためには、金属配線層11cにある程度の
厚みを必要とする。そのため、金めっき層のみで金属配
線層を形成することは製造コストの上昇をもたらす。ま
た、ニッケルはITOとのめっきの接着性が非常に大きく
安定している。したがって、電極接触部分のみを、低い
電気抵抗値を有する金めっき層で構成し、接触部の本体
部分をニッケルまたはクロムのめっき層で構成するのが
好ましい。
上記実施例で示されるように、プローブカードは、フォ
トリソグラフィ技術を用いた、一貫した製造プロセスに
より形成される。そのため、接触子は、微細で、かつ高
精度に基板上に配置することができるとともに、金属配
線層と一体化されて形成され得る。
［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば、LSIの多数個の電極
パッドに対応して高い精度で位置合わせすることが可能
な接触子を形成することができる。また、電極パッドと
安定した接触を図ることができる接触子の製造が形成さ
れ得る。さらに、貫通孔に形成された接触子が上下方向
に抜け出ることも効果的に防止される。
【図面の簡単な説明】
第1A図は、この発明に従ったウエハ試験用プローブカー
ドを用いて構成されるウエハ・プローバの概略的な構造
を示す断面図である。 第1B図は、第1A図において矢印IBで示される方向から見
た透視的な平面図である。 第1C図は、この発明に従ったウエハ試験用プローブカー
ドの接触子の部分のみを拡大して示す斜視図である。 第1D図は、第1A図における接触部のみを拡大して示す部
分断面図である。 第２図は、この発明に従ったウエハ試験用プローブカー
ドの別の実施例を示す部分断面図である。 第３図は、この発明に従ったウエハ試験用プローブカー
ドのさらに別の実施例を示す部分断面図である。 第4A図、第4B図、第4C図、第4D図、第4E図、第4F図、第
4G図、第4H図、第4I図、第4J図は、この発明に従ったウ
エハ試験用プローブカードの製造方法を工程順に従って
示す断面図である。 第５図は、従来のウエハ試験用探触板を用いて構成され
るウエハ・プローバの概略的な構成を示す断面図であ
る。 第６図は、第５図における電極接触部を拡大して示す部
分拡大斜視図である。 第７図は、プローブカードの先行技術として、プローブ
カードの探針部分を示す部分断面図である。 第８図は、プローブカードのもう１つの先行技術とし
て、プローブカードの探針部分を示す部分断面図であ
る。 図において、１はウエハ、２は電極パッド、10は感光性
透明ガラス基板、10aはスルーホール、11aは接触部、11
bはくびれ部、11c,11dは金属配線層である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体ウエハに形成された半導体装置の複
    数個の電極に対応して接触できるように配置された複数
    個の接触子を有するウエハ試験用プローブカードであっ
    て、 ２つの主表面を有し、電気絶縁性、光透過性および感光
    性を有する物質からなり、一方の主表面から他方の主表
    面に延びる貫通孔が形成された基板と、 前記貫通孔を充填するように延び、両端部から中央部に
    向かってその横断面積が減少するように形成された柱状
    体からなり、前記基板の一方の主表面から突出する一方
    の端部を有し、その一方の端部は少なくとも、ほぼ平坦
    な端面を有しており、導電材料からなる接触子と、 前記接触子の他方の端部に接続するように延び、前記基
    板の他方の主表面の上に所定のパターンに従って形成さ
    れた導電層からなる配線部とを備えた、ウエハ試験用プ
    ローブカード。
  2. 【請求項２】半導体ウエハに形成された半導体装置の複
    数個の電極に対応して接触できるように配置された複数
    個の接触子を有するウエハ試験用プローブカードの製造
    方法であって、 ２つの主表面を有し、電気絶縁性、光透過性および感光
    性を有する基板に、フォトリソグラフィ技術を用いて、
    一方の主表面から他方の主表面に延び、かつ両端部から
    中央部に向かってその横断面積が減少するように貫通孔
    を形成する工程と、 前記貫通孔を充填し、かつ前記基板の両方の主表面の上
    に延びるように、導電層を形成する工程と、 前記基板の一方の主表面の上に形成された導電層部分の
    みを除去する工程と、 前記貫通孔に充填された導電層部分が前記基板の一方の
    主表面から突出するように、前記基板の一部分を前記一
    方の主表面側から除去する工程とを備えた、ウエハ試験
    用プローブカードの製造方法。
JP1264150A 1989-10-11 1989-10-11 ウエハ試験用プローブカードおよびその製造方法 Expired - Lifetime JPH0680713B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1264150A JPH0680713B2 (ja) 1989-10-11 1989-10-11 ウエハ試験用プローブカードおよびその製造方法
US07/501,463 US4983908A (en) 1989-10-11 1990-03-30 Probing card for wafer testing and method of manufacturing the same
US07/601,635 US5042148A (en) 1989-10-11 1990-10-23 Method of manufacturing a probing card for wafer testing

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1264150A JPH0680713B2 (ja) 1989-10-11 1989-10-11 ウエハ試験用プローブカードおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03125448A JPH03125448A (ja) 1991-05-28
JPH0680713B2 true JPH0680713B2 (ja) 1994-10-12

Family

ID=17399160

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1264150A Expired - Lifetime JPH0680713B2 (ja) 1989-10-11 1989-10-11 ウエハ試験用プローブカードおよびその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US4983908A (ja)
JP (1) JPH0680713B2 (ja)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4963225A (en) * 1989-10-20 1990-10-16 Tektronix, Inc. Method of fabricating a contact device
JPH03203341A (ja) * 1989-12-29 1991-09-05 Hoya Corp 微小電極を有する基板およびその製造方法
JPH03218042A (ja) * 1990-01-23 1991-09-25 Toshiba Corp 高周波用固定カード
KR0138752B1 (ko) * 1990-09-03 1998-06-15 이노우에 아키라 프로우브 장치
JPH0511062U (ja) * 1991-07-23 1993-02-12 セイコー電子部品株式会社 プローブ針
JP2888015B2 (ja) * 1992-01-20 1999-05-10 日本電気株式会社 半導体装置の検査用治具及びその位置合わせ方法
US5383136A (en) * 1992-03-13 1995-01-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Electrical test structure and method for measuring the relative locations of conducting features on an insulating substrate
US5617340A (en) * 1994-04-28 1997-04-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Method and reference standards for measuring overlay in multilayer structures, and for calibrating imaging equipment as used in semiconductor manufacturing
US5602492A (en) * 1992-03-13 1997-02-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Electrical test structure and method for measuring the relative locations of conducting features on an insulating substrate
US5857258A (en) * 1992-03-13 1999-01-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Electrical test structure and method for measuring the relative locations of conductive features on an insulating substrate
JP3205167B2 (ja) * 1993-04-05 2001-09-04 キヤノン株式会社 電子源の製造方法及び画像形成装置の製造方法
US7064566B2 (en) 1993-11-16 2006-06-20 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit
US20020053734A1 (en) 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
US5699282A (en) * 1994-04-28 1997-12-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Methods and test structures for measuring overlay in multilayer devices
US5513430A (en) * 1994-08-19 1996-05-07 Motorola, Inc. Method for manufacturing a probe
JP3290041B2 (ja) * 1995-02-17 2002-06-10 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 多層プリント基板、多層プリント基板の製造方法
US20100065963A1 (en) 1995-05-26 2010-03-18 Formfactor, Inc. Method of wirebonding that utilizes a gas flow within a capillary from which a wire is played out
US8033838B2 (en) 1996-02-21 2011-10-11 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structure
JP3293460B2 (ja) * 1996-04-17 2002-06-17 松下電器産業株式会社 半導体装置の検査装置
US6245587B1 (en) 1997-02-25 2001-06-12 International Business Machines Corporation Method for making semiconductor devices having backside probing capability
US5990562A (en) * 1997-02-25 1999-11-23 International Business Machines Corporation Semiconductor devices having backside probing capability
US6066561A (en) * 1997-12-19 2000-05-23 Lsi Logic Corporation Apparatus and method for electrical determination of delamination at one or more interfaces within a semiconductor wafer
US6246245B1 (en) 1998-02-23 2001-06-12 Micron Technology, Inc. Probe card, test method and test system for semiconductor wafers
US6181144B1 (en) 1998-02-25 2001-01-30 Micron Technology, Inc. Semiconductor probe card having resistance measuring circuitry and method fabrication
US6246250B1 (en) 1998-05-11 2001-06-12 Micron Technology, Inc. Probe card having on-board multiplex circuitry for expanding tester resources
US6677776B2 (en) * 1998-05-11 2004-01-13 Micron Technology, Inc. Method and system having switching network for testing semiconductor components on a substrate
US6337577B1 (en) 1998-05-11 2002-01-08 Micron Technology, Inc. Interconnect and system for testing bumped semiconductor components with on-board multiplex circuitry for expanding tester resources
US6980017B1 (en) 1999-03-10 2005-12-27 Micron Technology, Inc. Test interconnect for bumped semiconductor components and method of fabrication
EP1220328A4 (en) * 1999-10-07 2008-03-12 Rohm Co Ltd PHOTO BREAKER AND SEMICONDUCTOR ASSEMBLY
US6714828B2 (en) * 2001-09-17 2004-03-30 Formfactor, Inc. Method and system for designing a probe card
US6879170B2 (en) * 2002-06-27 2005-04-12 Richard S. Norman Flexible connecting device for interfacing with a wafer
US6937039B2 (en) * 2003-05-28 2005-08-30 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Tip and tip assembly for a signal probe
US7030632B2 (en) * 2003-10-14 2006-04-18 Micron Technology, Inc. Compliant contract structures, contactor cards and test system including same
JP4535494B2 (ja) * 2004-10-20 2010-09-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 薄膜プローブシートの製造方法および半導体チップの検査方法
JP4687430B2 (ja) * 2005-12-06 2011-05-25 株式会社デンソー 電子装置およびその製造方法
JP4388029B2 (ja) * 2006-05-01 2009-12-24 日立化成工業株式会社 接続部材の製造方法
JP4629806B1 (ja) * 2010-07-16 2011-02-09 有限会社吉田構造デザイン 防護柵及びその嵩上げ方法
KR101718717B1 (ko) * 2015-08-11 2017-04-04 (주)다원넥스뷰 프로브 본딩장치 및 이를 이용한 프로브 본딩방법
KR20210119814A (ko) * 2020-03-25 2021-10-06 (주)포인트엔지니어링 프로브 헤드 및 이를 구비하는 프로브 카드
US20230065443A1 (en) * 2021-08-30 2023-03-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Probe head structure and method for forming the same

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3813773A (en) * 1972-09-05 1974-06-04 Bunker Ramo Method employing precision stamping for fabricating the wafers of a multiwafer electrical circuit structure
DE2604939C3 (de) * 1976-02-09 1978-07-27 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zum Herstellen von wenigstens einem Durchgangsloch insbesondere einer Düse für Tintenstrahldrucker
DE2626420C3 (de) * 1976-06-12 1979-11-29 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zum gleichzeitigen Ätzen von mehreren durchgehenden Löchern
US4647476A (en) * 1984-03-05 1987-03-03 General Electric Company Insulating glass body with electrical feedthroughs and method of preparation
JPS60189949A (ja) * 1984-03-12 1985-09-27 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd プロ−ブカ−ド
JPS6310536A (ja) * 1986-07-01 1988-01-18 Nec Corp Ｉｃ測定用プロ−ブカ−ド
US4766287A (en) * 1987-03-06 1988-08-23 The Perkin-Elmer Corporation Inductively coupled plasma torch with adjustable sample injector
JPS63263738A (ja) * 1987-04-22 1988-10-31 Hitachi Ltd プロ−ブカ−ド
JPS6439559A (en) * 1987-08-06 1989-02-09 Nec Corp Probe card
US4851767A (en) * 1988-01-15 1989-07-25 International Business Machines Corporation Detachable high-speed opto-electronic sampling probe
JPH07114227B2 (ja) * 1989-01-07 1995-12-06 三菱電機株式会社 ウエハ試験用探触板

Also Published As

Publication number Publication date
US4983908A (en) 1991-01-08
JPH03125448A (ja) 1991-05-28
US5042148A (en) 1991-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0680713B2 (ja) ウエハ試験用プローブカードおよびその製造方法
US4961052A (en) Probing plate for wafer testing
JP4514855B2 (ja) プロービングカードの製造方法
KR100196195B1 (ko) 프로우브 카드
US6242935B1 (en) Interconnect for testing semiconductor components and method of fabrication
US7064566B2 (en) Probe card assembly and kit
US6344752B1 (en) Contactor and production method for contractor
KR20010113485A (ko) 접촉 구조 및 그 조립 메카니즘
KR20000006268A (ko) 반도체웨이퍼검사접촉기및그의제조방법
JP4343256B1 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3924710B2 (ja) コンタクタ
KR20010106477A (ko) 반도체소자검사용 기판의 제조방법
US5235140A (en) Electrode bump for flip chip die attachment
JP3677027B2 (ja) 接続装置
JP3658334B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2000055936A (ja) コンタクタ
JPH07105416B2 (ja) 測定装置
JP2634060B2 (ja) プローブ装置
WO2001036986A1 (en) Probe card
JP2001298059A (ja) 検査用プローブ基板及びその製造方法
JP2005127961A (ja) テスト用基板及びそれを使用したテスト装置
JP2000180471A (ja) ベアチップ検査用プローブ基板
JP3596499B2 (ja) 半導体検査装置の製造方法、半導体検査装置および半導体装置の検査方法
JP4492976B2 (ja) 半導体装置
JPH01240880A (ja) プリント基板の試験方法