JP3924710B2

JP3924710B2 - コンタクタ

Info

Publication number: JP3924710B2
Application number: JP12617399A
Authority: JP
Inventors: 順一萩原
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1998-08-12
Filing date: 1999-05-06
Publication date: 2007-06-06
Anticipated expiration: 2019-05-06
Also published as: JP2000121673A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被検査体の電気的特性検査を行う際に用いられるコンタクタに関し、更に詳しくは、被検査体と一括接触して検査を行うことができるコンタクタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
被検査体、例えば半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」と称す。）に多数形成されたメモリ回路やロジック回路等のＩＣチップの電気的特性検査を行う場合にはコンタクタとしてプローブカードが用いられる。このプローブカードは検査時にウエハの電極用パッドと接触した時にテスタとＩＣチップ間で検査用信号の授受を中継する役割を果たしている。このプローブカードは、例えばＩＣチップ上に形成された複数の電極パッドに対応した複数のプローブ針を有し、各プローブ針と各電極パッドとをそれぞれ電気的に接触させてＩＣチップの検査を行うようにしている。
【０００３】
ところで最近、ＩＣチップの集積度が高まって電極パッドの数が急激に増加すると共に電極パッドの配列が益々狭ピッチ化している。これに伴ってプローブカードのプローブ針の本数が急激に増加し、狭ピッチ化している。しかも、ウエハの大口径化に伴ってウエハ内のＩＣチップ数が急激に増加し、検査に長時間を要し、検査時間の短縮が重要課題になっている。そこで、プローブカードによって検査を行う場合にも、ＩＣチップを１個ずつ検査するのではなく、同時に検査するＩＣチップの数（同測数）を増やし、検査時間を短縮するようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のプローブカードは、複数のプローブ針がそれぞれ個別に片持ち支持されているため、電極パッドの配列が複数列になると、プローブ針の支持構造が極めて複雑になり、電極パッドの種々の配列に即してプローブ針の配列を変えることが難しく、プローブ針の配列の自由度が低く、しかも、検査時の熱的影響によりプローブ針の針先位置が狂い易いという課題があった。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、プローブ端子の配列に自由度が高く、被検査体の種々の電極配列に即してプローブ端子の配列を変えることができ、しかも検査時の熱的影響を受け難く高低差を吸収することができコンタクト性に優れ正確且つ確実に被検査体と接触して高精度で信頼性の高い検査を行うことができるコンタクタを提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に記載のコンタクタは、基板の表面に配列された複数の電極と、これらの電極にそれぞれ設けられた複数のプローブ端子とを備え、上記各プローブ端子がそれぞれ被検査体と接触してその電気的特性検査を行うコンタクタであって、上記プローブ端子は、上記電極上に立設され且つ横方向断面が円弧状に形成されてなる導電性支持部材と、この導電性支持部材上端で導通自在に支持されたバンプとを有し、更に、上記導電性支持部材は、骨格をなすコア金属と、このコア金属のバネ性を補足し且つコア金属を被覆する合金層と、この合金層とコア金属との間に介在してこれら両者を接合する接合用金属層とからなることを特徴とするものである。
【０００７】
また、本発明の請求項２に記載のコンタクタは、基板の表面に配列された複数の電極と、これらの電極にそれぞれ設けられた複数のプローブ端子とを備え、上記各プローブ端子がそれぞれ被検査体と接触してその電気的特性検査を行うコンタクタであって、上記プローブ端子は、上記電極上に立設された導電性支持部材と、この導電性支持部材上端で導通自在に支持されたバンプとを有し、更に、上記導電性支持部材は、互いに隣合う一対の支持プレートと、これらの支持プレート上端からそれぞれ横方向へ延設されて一体化する片持ち支持プレートからなり、且つ、上記導電性支持部材は、骨格をなすコア金属と、このコア金属のバネ性を補足し且つコア金属を被覆する合金層と、この合金層とコア金属との間に介在してこれら両者を接合する接合用金属層とからなることを特徴とするものである。
【０００８】
また、本発明の請求項３に記載のコンタクタは、請求項１または請求項２に記載の発明において、上記コア金属がニッケルであり、上記接合用金属が金であり、上記合金がニッケル−コバルト系合金であることを特徴とするものである。
【０００９】
以下、図１及び図６〜図８に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。
本実施形態のコンタクタ３０は、図１の（ａ）、（ｂ）に示すように、被検査体であるウエハ（図示せず）と略同一大きさに形成されたシリコン基板３１と、このシリコン基板３１の表面にマトリックス状に配列され且つニッケル、ニッケル合金等の導電性金属からなる複数の矩形状の電極３２と、これらの電極３２上にそれぞれ配設された複数のプローブ端子３３とを備え、各プローブ端子３３がウエハに形成されたアルミニウム、銅等の導電性金属からなる検査用電極パッド（図示せず）と接触し、例えば複数（例えば１６個または３２個）のＩＣチップを同時に検査できるようにしてある。また、シリコン基板３１の裏面には表面の電極３２に対応する電極（図示せず）が電極３２と同種の導電性金属により形成されている。
【００１０】
上記プローブ端子３３は、図１の（ａ）、（ｂ）に示すように、電極３２表面立設された横方向断面が円弧状の導電性支持柱３４と、この導電性支持柱３４上端から側方（図７では右方）へ延設された延設部３４Ａで導通自在に支持されたバンプ３５とを有している。導電性支持柱３４の断面を円弧状にすることで、プローブ端子３３にオーバードライブが掛かった時に、同図の（ｂ）の仮想線で示すように全ての導電性支持柱３４が同一方向へ弾力的に湾曲して撓むようにしてある。また、プローブ端子３３の導電性支持柱３４は、同図の（ｃ）に示すように、中核をなすコア金属３４Ｂと、このコア金属３４Ｂのバネ性を補足し且つコア金属３５Ｂを含む合金層３４Ｃと、この合金層３４Ｃとコア金属３４Ｂ間に介在してこれら両者の接合を媒介する接合用金属層３４Ｄとからなる三層構造の金属から形成されている。
【００１１】
そして、本実施形態では、例えば、コア金属３４Ｂとしてはニッケル、合金層３４Ｃとしてはニッケル−コバルト系合金、接合用金属層３４Ｄとしては金が用いられている。プローブ端子３３としてニッケル単体を用いると、コンタクタ３０の種類によってはバネ性が不足し、十分なオーバードライブ量を得られないことがある。これに対してニッケル−コバルト系合金はバネ性に優れているため、プローブ端子３３として好ましいが、電鋳処理ではプローブ端子３３を均一なニッケル−コバルト系合金によって形成することが難しく、プローブ端子３３として安定した性能が得難い。そこで、後述する図２〜図５の参考例で示すコンタクタのプローブ端子の製造方法と同様の電鋳処理によりプローブ端子３３の骨格をニッケル単体で形成した後、この骨格のニッケル表面に電気メッキ処理を施してニッケル−コバルト系合金を被覆することで、プローブ端子３３のバネ性を得ることができ、十分なオーバードライブ量を確保することができる。ところが、ニッケル−コバルト系合金はニッケルとの密着性に劣るため、これら両者との密着性に優れた金を電気メッキ処理により接合用金属層としてニッケルとニッケル−コバルト系合金層の間に介在させている。
【００１２】
図２、図３は参考例のコンタクタを示す。このコンタクタ１は、図２、図３に示すように、ウエハ（図示せず）と略同一大きさに形成されたシリコン基板２と、このシリコン基板２の表面全面にマトリックス状に配列され且つニッケル、ニッケル合金等の導電性金属からなる複数の矩形状の第１電極３と、これらの電極３上にそれぞれ配設された複数のプローブ端子４とを備え、各プローブ端子４がウエハ全面に形成されたアルミニウム、銅等の導電性金属からなる検査用電極パッド（図示せず）と一括して接触し、例えば複数（例えば１６個または３２個）のＩＣチップを同時に検査できるようにしてある。また、シリコン基板２の裏面には表面の第１電極３に対応する第２電極５が第１電極３と同種の導電性金属により形成され、表裏の第１、第２電極３、５はビアホールの接続導体６を介して電気的に接続されている。
【００１３】
上記プローブ端子４は、図２、図３に示すように、第１電極３表面の対向する隅角部にそれぞれ立設された同一高さの一対の導電性支持柱７と、これらの導電性支持柱７上端で水平に導通自在に片持ち支持された平面形状がコ字状の弾性支持プレート（以下、「カンチレバーバネ」と称す。）８と、このカンチレバーバネ８の自由端部で導通自在に支持されたバンプ９とを有している。尚、カンチレバーバネ９の平面形状はコ字状に限らずく字状を呈するものであっても良い。
【００１４】
即ち、カンチレバーバネ８は、互いに対向する二辺の基端部で一対の導電性支持柱７の上端に連結され、残りの一辺の自由端が隣のカンチレバーバネ８に接近している。そして、カンチレバーバネ８の自由端部の中央部にバンプ９が固定されている。バンプ９は、図２、図３に示すように、略円柱状に形成された支持部である円柱部９Ａと、この円柱部９Ａの上面に連接されて一体化した接触部である四角錐台部９Ｂとからなっている。そして、例えば、カンチレバーバネ８はニッケルやニッケル−コバルト系合金等のバネ力及び靭性のある導電性金属によって形成されている。従って、バンプ９がウエハの電極パッドと接触した時に、カンチレバーバネ８のバネ力でバンプ９を電極パッドに押し付けてバンプ９と電極パッド間の導通を図ると共に電極パッドの高低差を吸収するようにしてある。また、バンプ９は、例えば円柱部９Ａがカンチレバーバネ８と同一の導電性金属によって形成され、四角錐台部９Ｂがウエハの電極パッドより硬度の高い材料、例えばタングステンカーバイド等の導電性金属によって形成されている。そして、プローブ端子４の表面には例えば金、ロジウムあるいはこれらの合金等の良導性金属によってコーティングされている。
【００１５】
また、図３に示すように上記シリコン基板２の裏面には例えば金合金等からなるリボン状の弾性接続部材１０を介してパフォーマンスボード等のプリント配線基板１１が接続され、プリント配線基板１１を介してコンタクタ１をテスタ（図示せず）側へ接続するようにしてある。リボン状の弾性接続部材１０は同図に示すように折曲面１０Ａを有し、この折曲面１０Ａがシリコン基板２裏面の第２電極５に接続され、その他端がプリント配線基板１１の電極１１Ａに接続されている。この弾性接続部材１０表面は、例えば、ニッケルやニッケル−コバルト系合金等のバネ力及び靭性のある導電性金属膜によって形成され、リボン対応のボンディング装置によって第２電極５に対して自動接続できるようにしてある。
【００１６】
次に、例えば図４及び図５を参照しながらＬＩＧＡ(Lithographie,Galvanoformung,Abformung)プロセスを用いたコンタクタ１の製造方法について説明する。まず、図４の（ａ）に示すようにシリコン基板２１表面にシリコン酸化膜２１Ａを形成した後、その表面にレジスト膜２２を形成する。次いで、バンプ９のパターンに即したフォトマスク２３を介して露光した後、レジスト膜２２を現像処理し、同図に示すようにレジスト膜２２に四角形の孔２２Ａを明ける。引き続き、孔２２Ａの部分のシリコン酸化膜２１Ａを除去した後、シリコン基板２１に異方性エッチングを施し、同図の（ｂ）に示すように逆四角錐台状の孔２１Ｂを明けた後、レジスト膜２２及びシリコン酸化膜２１Ａを除去する。更に、同図（ｃ）に示すようにシリコン基板２１の表面に酸化膜２４を形成し、その表面にチタン膜２５を形成する。次いで、レジスト塗布し、孔２１Ｂに相当する部分のレジスト膜を露光、現像処理により除去して孔２１Ｂを開口した後、タングステンカーバイド−コバルト合金をスパッタリングし、同図の（ｄ）に示すようにシリコン基板２１の孔２１Ｂをタングステンカーバイド−コバルト合金で埋め、プローブ端子４のバンプ９の四角錐台部（接触部）９Ｂに相当する部分を形成する。シリコン酸化膜２４がバンプ９の四角錐台部９Ｂをシリコン基板２１の孔２１Ｂから分離する時の分離層となり、チタン膜２５が四角錐台部９Ｂを形成するタングステンカーバイド−コバルト合金の金属拡散防止用のバリア層になる。
【００１７】
しかる後、図５の（ａ）に示すようにポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）を含有し透明度の高いレジストを塗布して犠牲層２６を形成し、この犠牲層２６に対して露光、現像処理を施し、バンプ９の四角錐台部９Ｂの該当箇所に円形状または四角形状の孔２６Ａを形成する。透明度の高いＰＭＭＡを用いることによりＸ等の光線が犠牲層２６を直進して透過し、アスペクト比の高い孔２６Ａを形成する。次いで、図５の（ｂ）に示すように電鋳処理により例えばニッケル合金で孔２６Ａを埋め、バンプ９の円柱部９Ａを形成する。次に、図５の（ｂ）で示す犠牲層２６表面及びニッケル合金からなる円柱部９Ａの表面にチタン膜の分離層を形成し、更にその表面にレジスト膜を形成した後、露光、現像処理によりニッケル合金からなる円柱部９Ａの該当箇所を開口し、その部分のチタン膜をエッチング処理により除去し円柱部９Ａのニッケル合金を無垢の状態にする。更にその表面にＰＭＭＡを含有するレジストを塗布し、犠牲層２７を形成した後、所定パターンを露光、現像処理により開口し犠牲層２７にカンチレバーバネに相当する凹部を形成し、図５の（ｃ）に示すようにこの凹部を電鋳処理によりニッケル合金で埋めてカンチレバーバネ８を形成すると共にカンチレバーバネ８と円柱部９Ａとを一体化する。引き続き、図５の（ｃ）と同様の処理を行って犠牲層２６と同一の樹脂からなる犠牲層２８及びその円周状孔２８Ａを形成し、この円柱孔２８Ａにニッケル合金を埋めて図５の（ｄ）に示すように導電性支持柱７を形成し、結果としてシリコン基板２１の表面の犠牲層２６、２７、２８内にプローブ端子４を形成することができる。次いで、このシリコン基板２１をコンタクタ用のシリコン基板２に接合し、導電性支持柱７をシリコン基板２の第１電極３と接続し、両シリコン基板２、２１を一体化する。次いで、フッ酸等で処理してプローブ端子４を犠牲層２６、２７、２８から分離する。
【００１８】
更に、ボンディング装置を用いて弾性接続部材１０をシリコン基板２の第２電極５に接続すると共にこの面に例えばワックス等を犠牲層として塗布し、弾性接続部材１０を犠牲層内に埋める。次いで、犠牲層表面を研磨し、弾性接続部材１０の自由端を同一高さに揃えた後、プリント配線基板１１と接合し、弾性接続部材１０の自由端をプリント配線基板１１の電極１１Ａに接続してプリント配線基板１１をシリコン基板２と一体化し、結果的にシリコン基板２とプリント配線基板１１を一体化する。その後、ワックスを除去してプリント配線基板１１に接続されたコンタクタ１となる。
【００１９】
次に、本実施形態のコンタクタ３０をプローブ装置に装着した場合のコンタクタ３０の動作について説明する。例えば、プローブ装置内でＸ、Ｙ、Ｚ及びθ方向に移動可能な載置台（図示せず）上にウエハを載置した後、載置台がコンタクタ３０の真下まで移動し、位置合わせ機構を用いて各プローブ端子３３とウエハの各電極パッドの位置合わせを行う。次いで、載置台が上昇するとウエハ全面に形成された電極パッドがコンタクタ３０の全てのプローブ端子３３と一括接触する。更に、載置台がオーバードライブするとプローブ端子３３に針圧が作用すると、図１の（ｂ）の仮想線で示すようにプローブ端子３３はしなやかに撓み、十分なオーバードライブ量を確保することができ、全てのプローブ端子３３が対応するウエハの電極パッドの中心で確実に電気的に接触し、信頼性の高い検査を行うことができる。
【００２０】
以上説明したように本実施形態によれば、ウエハ（図示せず）と略同一大きさに形成されたシリコン基板３１と、このシリコン基板３１の表面にマトリックス状に配列され且つニッケル、ニッケル合金等の導電性金属からなる複数の矩形状の電極３２と、これらの電極３２上にそれぞれ配設された複数のプローブ端子３３とを備え、プローブ端子３３は、電極３２上に立設され且つ横方向断面が円弧状に形成されてなる導電性支持柱３４と、この導電性支持柱３４上端で導通自在に支持されたバンプ３５とを有し、更に、導電性支持柱３４は、骨格をなすコア金属３４Ｂと、このコア金属３４Ｂのバネ性を補足し且つコア金属３４Ｂを被覆する合金層３４Ｃと、この合金層３４Ｃとコア金属３４Ｂとの間に介在してこれら両者を接合する接合用金属層３４Ｄとからなるため、ウエハの電極パッドが狭ピッチ化し、ＩＣチップ内の電極パッドの配列が複数列になっても、これらの電極パッドの配列に対応してプローブ端子３３を自由に配置することができると共に検査中に発熱してもプローブ端子３３の熱的影響を受けることなく全てのプローブ端子３３と電極パッド間の位置ずれがなく正確且つ確実に接触し、接触時には導電性支持柱３４自体が撓んで十分なオーバードライブ量を確保することができ、プローブ端子３３自体でウエハの電極パッドの高低差を十分に吸収することができ、コンタクタ３０の構造を簡素化することができる。
【００２１】
図６〜図８はいずれも本発明の他の実施形態のコンタクタを示す図である。図６〜図８に示すコンタクタはいずれも図１に示すコンタクタ３０とは導電性支持柱の形態を異にする以外は図１に示すものに準じて形成されているため、それぞれの実施形態の特徴部分を中心に説明する。
【００２２】
図６の（ａ）、（ｂ）に示すコンタクタ４０は、シリコン基板４１、電極４２及びプローブ端子４３を備えている。プローブ端子４３は図１に示すものと同様に三層構造の金属により導電性支持柱４４及びバンプ４５が形成されている。この導電性支持柱４４は、互いに対向する一対の支持プレート４４Ａ、４４Ａと、これらの支持プレート４４Ａそれぞれの上端を繋ぐ連結プレート４４Ｂからなり、平面形状が細長い長方形に形成され、その長手方向中央部にバンプ４５が形成されている。
【００２３】
隣合う導電性支持柱４４、４４は図６の（ａ）に示すように互いに９０°回転した状態で配置され、同図の（ｂ）の仮想線で示すようにプローブ端子４３にオーバードライブが掛かって支持プレート４４Ａが湾曲しても互いに干渉しないようになっている。本実施形態においても図１に示すコンタクタ３０と同様の作用効果を期することができる。
【００２４】
図７の（ａ）、（ｂ）に示すコンタクタ５０は、シリコン基板５１、電極５２及びプローブ端子５３を備えている。プローブ端子５３は図１に示すものと同様に三層構造の金属により導電性支持柱５４及びバンプ５５が形成されている。この導電性支持柱５４は、互いに隣合う一対の支持プレート５４Ａ、５４Ａと、これらの支持プレート５４Ａ、５４Ａ上端からそれぞれ側方（右方）延設され且つ延設端で一体化する、平面形状が略Ｙ字状に形成された片持ち支持プレート５４Ｂからなっている。そして、片持ち支持プレート５４Ｂのバンプ５５を支持する部分が隣の片持ち支持プレート５４Ｂの内に隙間を介して侵入している。従って、同図の（ｂ）の仮想線で示すようにプローブ端子５３にオーバードライブが掛かって支持プレート５４Ａが湾曲しても互いに干渉せず、しかもバンプ５５の中心が隣のウエハの電極パッドの中心で電気的に接触するようになっている。本実施形態においても図１に示すコンタクタ３０と同様の作用効果を期することができる。
【００２５】
図８の（ａ）、（ｂ）に示すコンタクタ６０は、シリコン基板６１、電極６２及びプローブ端子６３を備えている。プローブ端子６３は図１に示すものと同様に三層構造の金属により導電性支持柱６４及びバンプ６５が形成されている。この導電性支持柱６４は、同図の（ｂ）に示すように、上端が閉塞した筒状支持柱６４Ａからなり、その上面にバンプ６５が形成されている。そして、同図の（ｃ）に示すように筒状支持柱６４Ａには例えば４本の上下方向全長に渡るスリット６４Ｂが周方向等間隔を空けて形成されている。電気メッキを施す時には各スリット６４Ｂを介して筒状支持柱６４Ａ内にメッキ液が入り込み、金及びニッケル−コバルト系合金で内面をコーティングするようになっている。従って、同図の（ｂ）の仮想線で示すようにプローブ端子６３にオーバードライブが掛かると筒状支持柱６４Ａが湾曲して撓み、図７に示すコンタクタ３０と同様の作用効果を期することができる。
【００２６】
尚、プローブ端子の三層構造を形成する金属は上記実施形態に何等制限されるものではなく、必要に応じてプローブ端子として用いられる金属を適宜選択することができる。また、上記各実施形態ではプローブ端子をニッケルベースで製造する場合について説明したが、パラジウム等の貴金属を用いることもできる。また、上記実施形態では分離層としてチタンを用いたがチタンに代えて銀等も用いることができる。また、プローブ端子のバンプを除いた部分を絶縁膜で保護しても良く、また、プローブ端子の形状及び配列は上記実施形態に何等制限されるものではない。
【００２７】
【発明の効果】
本発明の請求項１〜請求項３に記載の発明によれば、プローブ端子の配列に自由度が高く、被検査体の種々の電極配列に即してプローブ端子の配列を変えることができ、しかも検査時の熱的影響を受け難く高低差を吸収することができコンタクト性に優れ正確且つ確実に被検査体と接触して高精度で信頼性の高い検査を行うことができるコンタクタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のコンタクタの一実施形態の要部を示す図で、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）の縦方向の断面図、（ｃ）は（ｂ）のＣ−Ｃ線断面図である。
【図２】参考例のコンタクタの要部を拡大して示す平面図である。
【図３】図２に示すコンタクタを示す側面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は図２に示すプローブ端子のバンプ部分を製造する工程を示す図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は図２に示すプローブ端子のバンプ部分以外の部分を製造する工程を示す図である。
【図６】本発明のコンタクタの他の実施形態の要部を示す図で、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）の側面図である。
【図７】本発明のコンタクタの更に他の実施形態の要部を示す図で、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）の縦方向の断面図である。
【図８】本発明のコンタクタの更に他の実施形態の要部を示す図で、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）の縦方向の断面図、（ｃ）は（ｂ）のＣ−Ｃ線断面図である。
【符号の説明】
３０、４０、５０、６０コンタクタ
３１、４１、５１、６１シリコン基板
３２、４２、５２、５３第１電極、電極
３３、４３、５３、６３プローブ端子
３４、４４、５４、６４導電性支持柱（導電性支持部材）
３４Ｂコア金属
３４Ｃ合金層
３４Ｄ接合用金属
６４Ａ筒状支持柱
６４Ｂスリット

Claims

基板の表面に配列された複数の電極と、これらの電極にそれぞれ設けられた複数のプローブ端子とを備え、上記各プローブ端子がそれぞれ被検査体と接触してその電気的特性検査を行うコンタクタであって、上記プローブ端子は、上記電極上に立設され且つ横方向断面が円弧状に形成されてなる導電性支持部材と、この導電性支持部材上端で導通自在に支持されたバンプとを有し、更に、上記導電性支持部材は、骨格をなすコア金属と、このコア金属のバネ性を補足し且つコア金属を被覆する合金層と、この合金層とコア金属との間に介在してこれら両者を接合する接合用金属層とからなることを特徴とするコンタクタ。
基板の表面に配列された複数の電極と、これらの電極にそれぞれ設けられた複数のプローブ端子とを備え、上記各プローブ端子がそれぞれ被検査体と接触してその電気的特性検査を行うコンタクタであって、上記プローブ端子は、上記電極上に立設された導電性支持部材と、この導電性支持部材上端で導通自在に支持されたバンプとを有し、更に、上記導電性支持部材は、互いに隣合う一対の支持プレートと、これらの支持プレート上端からそれぞれ横方向へ延設されて一体化する片持ち支持プレートからなり、且つ、上記導電性支持部材は、骨格をなすコア金属と、このコア金属のバネ性を補足し且つコア金属を被覆する合金層と、この合金層とコア金属との間に介在してこれら両者を接合する接合用金属層とからなることを特徴とするコンタクタ。
上記コア金属がニッケルであり、上記接合用金属が金であり、上記合金がニッケル−コバルト系合金であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のコンタクタ。