JP2000241452A - プロービングカードの製造方法 - Google Patents
プロービングカードの製造方法Info
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- JP2000241452A JP2000241452A JP11039284A JP3928499A JP2000241452A JP 2000241452 A JP2000241452 A JP 2000241452A JP 11039284 A JP11039284 A JP 11039284A JP 3928499 A JP3928499 A JP 3928499A JP 2000241452 A JP2000241452 A JP 2000241452A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のプロービングカードの製造方法は、手
作業でタングステンワイヤーからプローブを作製し、取
り付けていたため、プロービングカードがＩＣチップの
微細化に伴ってプローブが微小化すると、手作業による
プローブの作製のみならずプローブの取り付けが難しく
なり、況してＩＣチップの同測数が多くなればなるほど
プローブの配列数が増え、手作業によるプロービングカ
ードの製造が益々難しくなる。 【解決手段】 本発明のプロービングカードの製造方法
は、プローブ本体４Ａの曲線形状を有する型ブロック１
０にその表面形状に沿って所定の深さの溝１１をプロー
ブ４の配列に合わせて設ける工程と、各溝１１に離型用
薄膜１２を設ける工程と、型ブロック１０を介して各プ
ローブ本体４Ａの一端を基板２に形成された電極パッド
３に接続すると共に各プローブ本体４Ａの他端に接触用
端子４Ｂを接続してプローブ４を形成する工程と、型ブ
ロック１０からプローブ４を剥離する工程とを有する。
作業でタングステンワイヤーからプローブを作製し、取
り付けていたため、プロービングカードがＩＣチップの
微細化に伴ってプローブが微小化すると、手作業による
プローブの作製のみならずプローブの取り付けが難しく
なり、況してＩＣチップの同測数が多くなればなるほど
プローブの配列数が増え、手作業によるプロービングカ
ードの製造が益々難しくなる。 【解決手段】 本発明のプロービングカードの製造方法
は、プローブ本体４Ａの曲線形状を有する型ブロック１
０にその表面形状に沿って所定の深さの溝１１をプロー
ブ４の配列に合わせて設ける工程と、各溝１１に離型用
薄膜１２を設ける工程と、型ブロック１０を介して各プ
ローブ本体４Ａの一端を基板２に形成された電極パッド
３に接続すると共に各プローブ本体４Ａの他端に接触用
端子４Ｂを接続してプローブ４を形成する工程と、型ブ
ロック１０からプローブ４を剥離する工程とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被検査体の電気的
特性検査を行う際に用いられるプロービングカードの製
造方法に関する。
特性検査を行う際に用いられるプロービングカードの製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】被検査体、例えば半導体ウエハ（以下、
単に「ウエハ」と称す。）に多数形成されたメモリ回路
やロジック回路等のＩＣチップの電気的特性検査を行う
場合にはコンタクタとしてプロービングカードが用いら
れる。このプロービングカードは検査時にウエハの電極
用パッドと接触した時にテスタとＩＣチップ間で検査用
信号の授受を中継する役割を果たしている。このプロー
ビングカードは、例えばＩＣチップ上に形成された複数
の電極パッドに対応したワイヤータイプのプローブを複
数有し、各プローブと各電極パッドとをそれぞれ電気的
に接触させてＩＣチップの検査を行うようにしている。
単に「ウエハ」と称す。）に多数形成されたメモリ回路
やロジック回路等のＩＣチップの電気的特性検査を行う
場合にはコンタクタとしてプロービングカードが用いら
れる。このプロービングカードは検査時にウエハの電極
用パッドと接触した時にテスタとＩＣチップ間で検査用
信号の授受を中継する役割を果たしている。このプロー
ビングカードは、例えばＩＣチップ上に形成された複数
の電極パッドに対応したワイヤータイプのプローブを複
数有し、各プローブと各電極パッドとをそれぞれ電気的
に接触させてＩＣチップの検査を行うようにしている。
【０００３】ところで最近、ＩＣチップの集積度が高ま
って電極パッドの数が急激に増加すると共に電極パッド
の配列が益々狭ピッチ化している。これに伴ってプロー
ビングカードのプローブの本数が急激に増加し、狭ピッ
チ化している。しかも、ウエハの大口径化に伴ってウエ
ハ内のＩＣチップ数が急激に増加し、検査に長時間を要
し、検査時間の短縮が重要課題になっている。そこで、
プロービングカードによって検査を行う場合にも、ＩＣ
チップを１個ずつ検査するのではなく、同時に検査する
ＩＣチップの数（同測数）を増やし、検査時間を短縮す
るようにしている。このようなプロービングカードを製
造する従来の方法は、例えばタングステンワイヤーを一
本ずつ所定形状に曲げてプローブを製作し、各プローブ
を一本ずつ手作業で支持体に取り付けていた。
って電極パッドの数が急激に増加すると共に電極パッド
の配列が益々狭ピッチ化している。これに伴ってプロー
ビングカードのプローブの本数が急激に増加し、狭ピッ
チ化している。しかも、ウエハの大口径化に伴ってウエ
ハ内のＩＣチップ数が急激に増加し、検査に長時間を要
し、検査時間の短縮が重要課題になっている。そこで、
プロービングカードによって検査を行う場合にも、ＩＣ
チップを１個ずつ検査するのではなく、同時に検査する
ＩＣチップの数（同測数）を増やし、検査時間を短縮す
るようにしている。このようなプロービングカードを製
造する従来の方法は、例えばタングステンワイヤーを一
本ずつ所定形状に曲げてプローブを製作し、各プローブ
を一本ずつ手作業で支持体に取り付けていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
プロービングカードの製造方法は、手作業でタングステ
ンワイヤーからプローブを作製し、取り付けていたた
め、プロービングカードがＩＣチップの微細化に伴って
プローブが微小化すると、手作業によるプローブの作製
のみならずプローブの取り付けが難しくなり、況してＩ
Ｃチップの同測数が多くなればなるほどプローブの配列
数が増え、手作業によるプロービングカードの製造が益
々難しくなる。
プロービングカードの製造方法は、手作業でタングステ
ンワイヤーからプローブを作製し、取り付けていたた
め、プロービングカードがＩＣチップの微細化に伴って
プローブが微小化すると、手作業によるプローブの作製
のみならずプローブの取り付けが難しくなり、況してＩ
Ｃチップの同測数が多くなればなるほどプローブの配列
数が増え、手作業によるプロービングカードの製造が益
々難しくなる。
【０００５】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、素子の微細化、その同測数の増加に伴って
多ピン化に対応するワイヤータイプのプロービングカー
ドを自動的に製造することができるプロービングカード
の製造方法を提供することを目的としている。
れたもので、素子の微細化、その同測数の増加に伴って
多ピン化に対応するワイヤータイプのプロービングカー
ドを自動的に製造することができるプロービングカード
の製造方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
のプロービングカードの製造方法は、被検査体に形成さ
れた複数の素子に、基板上に配置された所定の曲線形状
に形成された複数のプローブを接触させて上記各素子の
電気的特性検査を行うプロービングカードの製造方法で
あって、上記プローブ本体の曲線形状を有する型ブロッ
クにその表面形状に沿って所定の深さの溝を上記プロー
ブの配列に合わせて設ける工程と、上記各溝に離型用薄
膜を設ける工程と、上記各離型用薄膜に導電性材料を積
層して上記プローブ本体を設ける工程と、上記型ブロッ
クを介して上記各プローブ本体の一端を上記基板に形成
された電極に接続すると共に上記各プローブ本体の他端
に接触用端子を接続してプローブを形成する工程と、上
記型ブロックから上記プローブを剥離する工程とを有す
ることを特徴とするものである。
のプロービングカードの製造方法は、被検査体に形成さ
れた複数の素子に、基板上に配置された所定の曲線形状
に形成された複数のプローブを接触させて上記各素子の
電気的特性検査を行うプロービングカードの製造方法で
あって、上記プローブ本体の曲線形状を有する型ブロッ
クにその表面形状に沿って所定の深さの溝を上記プロー
ブの配列に合わせて設ける工程と、上記各溝に離型用薄
膜を設ける工程と、上記各離型用薄膜に導電性材料を積
層して上記プローブ本体を設ける工程と、上記型ブロッ
クを介して上記各プローブ本体の一端を上記基板に形成
された電極に接続すると共に上記各プローブ本体の他端
に接触用端子を接続してプローブを形成する工程と、上
記型ブロックから上記プローブを剥離する工程とを有す
ることを特徴とするものである。
【０００７】また、本発明の請求項２に記載のプロービ
ングカードの製造方法は、請求項１に記載の発明におい
て、上記プローブの配列パターンを上記溝の深さによっ
て設定することを特徴とするものである。
ングカードの製造方法は、請求項１に記載の発明におい
て、上記プローブの配列パターンを上記溝の深さによっ
て設定することを特徴とするものである。
【０００８】また、本発明の請求項３に記載のプロービ
ングカードの製造方法は、請求項１または請求項２に記
載の発明において、上記離型用薄膜をＰＶＤ法により設
けることを特徴とするものである。
ングカードの製造方法は、請求項１または請求項２に記
載の発明において、上記離型用薄膜をＰＶＤ法により設
けることを特徴とするものである。
【０００９】また、本発明の請求項４に記載のプロービ
ングカードの製造方法は、請求項１〜請求項３のいずれ
か１項に記載の発明において、上記離型用薄膜としてチ
タン膜を設けることを特徴とするものである。
ングカードの製造方法は、請求項１〜請求項３のいずれ
か１項に記載の発明において、上記離型用薄膜としてチ
タン膜を設けることを特徴とするものである。
【００１０】また、本発明の請求項５に記載のプロービ
ングカードの製造方法は、請求項１〜請求項４のいずれ
か１項に記載の発明において、上記導電性材料を電気メ
ッキにより積層することを特徴とするものである。
ングカードの製造方法は、請求項１〜請求項４のいずれ
か１項に記載の発明において、上記導電性材料を電気メ
ッキにより積層することを特徴とするものである。
【００１１】また、本発明の請求項６に記載のプロービ
ングカードの製造方法は、請求項１〜請求項５のいずれ
か１項に記載の発明において、上記導電性材料として少
なくともニッケルを用いることを特徴とするものであ
る。
ングカードの製造方法は、請求項１〜請求項５のいずれ
か１項に記載の発明において、上記導電性材料として少
なくともニッケルを用いることを特徴とするものであ
る。
【００１２】以下、図１〜図８に示す実施形態に基づい
て本発明を説明する。本実施形態により製造されるプロ
ービングカード１は、例えば図１に示すように、セラミ
ックスによって形成された基板２と、この基板２表面に
複数（例えば、４行４列のマトリックス状に配置された
１６個）のＩＣチップそれぞれの電極パッド（図示せ
ず）に対応して配列された３０〜６０μｍ角の複数の電
極パッド３と、各電極パッド３それぞれに後述のように
して設けられるプローブ４（図５参照）とを備え、マト
リックス状に配置されたワイヤータイプのプローブ４で
１６個のＩＣチップを同時に検査することができるよう
になっている。そして、本発明のプロービングカードの
製造方法ではプローブの作製作業及び基板２上へのプロ
ーブの取付作業をそれぞれ自動化している。
て本発明を説明する。本実施形態により製造されるプロ
ービングカード１は、例えば図１に示すように、セラミ
ックスによって形成された基板２と、この基板２表面に
複数（例えば、４行４列のマトリックス状に配置された
１６個）のＩＣチップそれぞれの電極パッド（図示せ
ず）に対応して配列された３０〜６０μｍ角の複数の電
極パッド３と、各電極パッド３それぞれに後述のように
して設けられるプローブ４（図５参照）とを備え、マト
リックス状に配置されたワイヤータイプのプローブ４で
１６個のＩＣチップを同時に検査することができるよう
になっている。そして、本発明のプロービングカードの
製造方法ではプローブの作製作業及び基板２上へのプロ
ーブの取付作業をそれぞれ自動化している。
【００１３】本実施形態では、図２の（ａ）、（ｂ）で
示す型ブロック１０を用いてワイヤータイプのプローブ
４を自動的に作製する。この型ブロック１は、図２の
（ａ）に示すように、金属または合成樹脂によりプロー
ブ４の側面形状に即した段差を持って形成されている。
この型ブロック１０でプローブ４を作製する場合には、
例えば、まず始めに型ブロック１０の段差表面にレジス
トが塗布された後、レーザビームが照射され、型ブロッ
ク１０の段差表面にプローブ４の配列に即した位置に所
定の深さの溝１１が図２の（ｂ）で示すように設けられ
る。基板２上でのプローブ４の配列パターンは溝１１の
深さを適宜変えることによって設定される。例えば、図
１の場合であれば、基板２上の６個の電極パッド３の
内、長手方向の右から１、２、６番目の電極パッド３と
３、４、５番目の電極パッド３は距離Ｄだけ座標位置が
ずれたパターンになっている。従って、前者の電極パッ
ド３に取り付けるプローブ４のための溝１１は後者の電
極パッド３に取り付けるプローブ４のための溝１１より
も寸法Ｄだけ深く形成する。溝１１の深さはレーザビー
ムの照射時間の長短によって適宜変えることができる。
示す型ブロック１０を用いてワイヤータイプのプローブ
４を自動的に作製する。この型ブロック１は、図２の
（ａ）に示すように、金属または合成樹脂によりプロー
ブ４の側面形状に即した段差を持って形成されている。
この型ブロック１０でプローブ４を作製する場合には、
例えば、まず始めに型ブロック１０の段差表面にレジス
トが塗布された後、レーザビームが照射され、型ブロッ
ク１０の段差表面にプローブ４の配列に即した位置に所
定の深さの溝１１が図２の（ｂ）で示すように設けられ
る。基板２上でのプローブ４の配列パターンは溝１１の
深さを適宜変えることによって設定される。例えば、図
１の場合であれば、基板２上の６個の電極パッド３の
内、長手方向の右から１、２、６番目の電極パッド３と
３、４、５番目の電極パッド３は距離Ｄだけ座標位置が
ずれたパターンになっている。従って、前者の電極パッ
ド３に取り付けるプローブ４のための溝１１は後者の電
極パッド３に取り付けるプローブ４のための溝１１より
も寸法Ｄだけ深く形成する。溝１１の深さはレーザビー
ムの照射時間の長短によって適宜変えることができる。
【００１４】図２の（ｂ）に示す溝１１が型ブロック１
０に設けられた後、型ブロック１０の各溝１１に導電性
材料からなる離型用薄膜１２が設けられる。離型用薄膜
１２は溝１１内に形成されたプローブ本体４Ａを溝１１
から剥離する場合の犠牲層としての役割を有すると共に
電気メッキによりプローブ本体４Ａを形成する場合の電
極としての役割を有している。溝１１内に離型用薄膜１
２を設ける場合には治具２０が用いられる。この治具２
０は例えば板状に形成され、その表面には図３に示すよ
うに型ブロック１０を収納する横方向の断面形状が例え
ばＶ字状を呈する収納溝２１が複数形成されている。そ
して、成膜時には治具２０の各収納溝２１内に型ブロッ
ク１０が配置され、図３に示すように複数の型ブロック
１０が収納された状態でスパッタリング方式、真空蒸着
方式等のＰＶＤ装置内に装着される。例えばスパッタリ
ング方式で離型用薄膜１２を成膜する場合にチタンがタ
ーゲットとして用いられ、図３に矢印で示すようにター
ゲットからスパッタリングされたチタン粒子が型ブロッ
ク１０の溝１１内に積層されてチタン薄膜が離型用薄膜
１２として形成される。チタン薄膜は例えば０．３〜
０．５μｍの厚さに形成される。
０に設けられた後、型ブロック１０の各溝１１に導電性
材料からなる離型用薄膜１２が設けられる。離型用薄膜
１２は溝１１内に形成されたプローブ本体４Ａを溝１１
から剥離する場合の犠牲層としての役割を有すると共に
電気メッキによりプローブ本体４Ａを形成する場合の電
極としての役割を有している。溝１１内に離型用薄膜１
２を設ける場合には治具２０が用いられる。この治具２
０は例えば板状に形成され、その表面には図３に示すよ
うに型ブロック１０を収納する横方向の断面形状が例え
ばＶ字状を呈する収納溝２１が複数形成されている。そ
して、成膜時には治具２０の各収納溝２１内に型ブロッ
ク１０が配置され、図３に示すように複数の型ブロック
１０が収納された状態でスパッタリング方式、真空蒸着
方式等のＰＶＤ装置内に装着される。例えばスパッタリ
ング方式で離型用薄膜１２を成膜する場合にチタンがタ
ーゲットとして用いられ、図３に矢印で示すようにター
ゲットからスパッタリングされたチタン粒子が型ブロッ
ク１０の溝１１内に積層されてチタン薄膜が離型用薄膜
１２として形成される。チタン薄膜は例えば０．３〜
０．５μｍの厚さに形成される。
【００１５】溝１１内に離型用薄膜１２が形成された
後、例えば従来公知の電鋳処理を用いて導電性材料であ
るニッケルイオンが溝１１内の離型用薄膜１２表面にメ
ッキされニッケル層として積層される。ニッケル層の厚
みは例えば電極パッド３の寸法（３０〜６０μｍ）に即
して形成される。このニッケル層がプローブ本体４Ａと
なる。
後、例えば従来公知の電鋳処理を用いて導電性材料であ
るニッケルイオンが溝１１内の離型用薄膜１２表面にメ
ッキされニッケル層として積層される。ニッケル層の厚
みは例えば電極パッド３の寸法（３０〜６０μｍ）に即
して形成される。このニッケル層がプローブ本体４Ａと
なる。
【００１６】各型ブロック１０にそれぞれ一列分のプロ
ーブ本体４Ａが形成された後、型ブロック１０が図１に
示すように基板２上に配置され、型ブロック１０を介し
て基板２上でプローブ４が作製される。例えば予め基板
２表面にワックス等を塗布し、その塗布面を電極パッド
３表面と面一に揃えておく。そして、図１に示すように
型ブロック１０のプローブ本体４Ａの下端が基板２の対
応する電極パッド３に位置合わせされた状態で型ブロッ
ク１０が基板２上に載置された後、プローブ本体４Ａの
下端が例えば抵抗溶接等の手段で電極パッド３に溶着さ
れる。次いで、型ブロック１０の各プローブ本体４Ａに
対応する複数の接触用端子４Ｂが各プローブ本体４Ａの
上端に位置合わせされた状態で抵抗溶接によりプローブ
本体４Ａに対して溶着される。
ーブ本体４Ａが形成された後、型ブロック１０が図１に
示すように基板２上に配置され、型ブロック１０を介し
て基板２上でプローブ４が作製される。例えば予め基板
２表面にワックス等を塗布し、その塗布面を電極パッド
３表面と面一に揃えておく。そして、図１に示すように
型ブロック１０のプローブ本体４Ａの下端が基板２の対
応する電極パッド３に位置合わせされた状態で型ブロッ
ク１０が基板２上に載置された後、プローブ本体４Ａの
下端が例えば抵抗溶接等の手段で電極パッド３に溶着さ
れる。次いで、型ブロック１０の各プローブ本体４Ａに
対応する複数の接触用端子４Ｂが各プローブ本体４Ａの
上端に位置合わせされた状態で抵抗溶接によりプローブ
本体４Ａに対して溶着される。
【００１７】型ブロック１０が一体化した基板２がフッ
酸溶液中に浸漬されると、離型用薄膜１２であるチタン
薄膜が溶解し、プローブ本体４Ａが型ブロック１０の溝
１１から剥離可能な状態になる。そこで、型ブロック１
０を基板２から外すと、基板２上に図５に示すプローブ
４が一列分だけ形成される。後は、同様の手順を繰り返
して他のプローブ４が基板２上に設けられ、所定本数の
プローブ４を有する図６に示すプロービングカード１が
作製される。
酸溶液中に浸漬されると、離型用薄膜１２であるチタン
薄膜が溶解し、プローブ本体４Ａが型ブロック１０の溝
１１から剥離可能な状態になる。そこで、型ブロック１
０を基板２から外すと、基板２上に図５に示すプローブ
４が一列分だけ形成される。後は、同様の手順を繰り返
して他のプローブ４が基板２上に設けられ、所定本数の
プローブ４を有する図６に示すプロービングカード１が
作製される。
【００１８】ところで、接触用端子４Ｂは例えば図４に
示すようにバンプ（例えば、四角錘台状に形成されてい
る）４Ｃとバンプを４Ｃを支持する支持部材４Ｄとから
なっている。この接触用端子４Ｂは例えばＬＩＧＡ(Lit
hographie,Galvanoformung,Abformung)プロセスを用い
て作製される。即ち、図７の（ａ）に示すように例えば
シリコン基板３１表面にシリコン酸化膜３１Ａが形成さ
れた後、その表面にレジスト膜３２が塗布される。次い
で、シリコン基板３１が型ブロック１０のプローブ４に
従って配列されたバンプ４Ｃのパターンを有するフォト
マスク３３を介して露光された後、レジスト膜３２が現
像処理されると、同図に示すようにレジスト膜３２に四
角形の孔３２Ａが形成される。引き続き、孔３２Ａの部
分のシリコン酸化膜３１Ａが除去され、シリコン基板３
１に異方性エッチングが施されると、同図の（ｂ）に示
すように逆四角錐台状の孔３１Ｂが形成される。次い
で、レジスト膜３２及びシリコン酸化膜３１Ａが除去さ
れる。更に、同図（ｃ）に示すようにシリコン基板３１
の表面に酸化膜３４が形成され、その表面にチタン膜３
５が形成される。次いで、レジストが塗布され、孔３１
Ｂに相当する部分のレジスト膜が露光、現像処理により
除去されて孔３１Ｂが開口された後、タングステンカー
バイド−コバルト合金がスパッタリングされ、同図の
（ｄ）に示すようにシリコン基板３１の孔３１Ｂがタン
グステンカーバイド−コバルト合金で埋められてバンプ
４Ｃが形成される。シリコン酸化膜３４はバンプ４Ｃを
シリコン基板３１の孔３１Ｂから分離する時の分離層と
なり、チタン膜３５がバンプ４Ｃを形成するタングステ
ンカーバイド−コバルト合金の金属拡散防止用のバリア
層になる。
示すようにバンプ（例えば、四角錘台状に形成されてい
る）４Ｃとバンプを４Ｃを支持する支持部材４Ｄとから
なっている。この接触用端子４Ｂは例えばＬＩＧＡ(Lit
hographie,Galvanoformung,Abformung)プロセスを用い
て作製される。即ち、図７の（ａ）に示すように例えば
シリコン基板３１表面にシリコン酸化膜３１Ａが形成さ
れた後、その表面にレジスト膜３２が塗布される。次い
で、シリコン基板３１が型ブロック１０のプローブ４に
従って配列されたバンプ４Ｃのパターンを有するフォト
マスク３３を介して露光された後、レジスト膜３２が現
像処理されると、同図に示すようにレジスト膜３２に四
角形の孔３２Ａが形成される。引き続き、孔３２Ａの部
分のシリコン酸化膜３１Ａが除去され、シリコン基板３
１に異方性エッチングが施されると、同図の（ｂ）に示
すように逆四角錐台状の孔３１Ｂが形成される。次い
で、レジスト膜３２及びシリコン酸化膜３１Ａが除去さ
れる。更に、同図（ｃ）に示すようにシリコン基板３１
の表面に酸化膜３４が形成され、その表面にチタン膜３
５が形成される。次いで、レジストが塗布され、孔３１
Ｂに相当する部分のレジスト膜が露光、現像処理により
除去されて孔３１Ｂが開口された後、タングステンカー
バイド−コバルト合金がスパッタリングされ、同図の
（ｄ）に示すようにシリコン基板３１の孔３１Ｂがタン
グステンカーバイド−コバルト合金で埋められてバンプ
４Ｃが形成される。シリコン酸化膜３４はバンプ４Ｃを
シリコン基板３１の孔３１Ｂから分離する時の分離層と
なり、チタン膜３５がバンプ４Ｃを形成するタングステ
ンカーバイド−コバルト合金の金属拡散防止用のバリア
層になる。
【００１９】しかる後、図８の（ａ）に示すようにポリ
メチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）を含有し透明度の高
いレジストがシリコン基板３１表面に塗布されて犠牲層
３６が形成され、この犠牲層３６に対して所定のフォト
マスクを介して露光、現像処理が施され、バンプ４Ｃの
支持部材４Ｄを形成するための孔３６Ａが形成される。
次いで、図８の（ｂ）に示すように電鋳処理により例え
ばニッケルで孔３６Ａが埋められ、バンプ４Ｃと支持部
材４Ｄからなる接触用端子４Ｂが形成される。次いで、
このシリコン基板３１に形成された各接触用端子４Ｂが
上述のようにして型ブロック１０に転写されプローブ４
が作製される。
メチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）を含有し透明度の高
いレジストがシリコン基板３１表面に塗布されて犠牲層
３６が形成され、この犠牲層３６に対して所定のフォト
マスクを介して露光、現像処理が施され、バンプ４Ｃの
支持部材４Ｄを形成するための孔３６Ａが形成される。
次いで、図８の（ｂ）に示すように電鋳処理により例え
ばニッケルで孔３６Ａが埋められ、バンプ４Ｃと支持部
材４Ｄからなる接触用端子４Ｂが形成される。次いで、
このシリコン基板３１に形成された各接触用端子４Ｂが
上述のようにして型ブロック１０に転写されプローブ４
が作製される。
【００２０】以上説明したように本実施形態によれば、
プローブ本体４Ａの曲線形状を有する型ブロック１０に
その表面形状に沿って所定の深さの溝１１をプローブ４
の配列に合わせて設けた後、これらの各溝１１に離型用
薄膜１２を設け、更に、各離型用薄膜１２上に導電性材
料としてニッケルを積層してプローブ本体４Ａを設ける
ようにしたため、ワイヤータイプのプローブ４を手作業
によることなく自動的に製造することができる。しか
も、各プローブ本体４Ａの一端に型ブロック１０を介し
て接触用端子４Ｂを接続すると共に各プローブ本体４Ａ
の他端を基板２に形成された電極パッド３に接続した
後、型ブロック１０からプローブ４を剥離するようにし
たため、一本一本のプローブ４を手作業により取り付け
るという面倒な作業を自動化することができる。
プローブ本体４Ａの曲線形状を有する型ブロック１０に
その表面形状に沿って所定の深さの溝１１をプローブ４
の配列に合わせて設けた後、これらの各溝１１に離型用
薄膜１２を設け、更に、各離型用薄膜１２上に導電性材
料としてニッケルを積層してプローブ本体４Ａを設ける
ようにしたため、ワイヤータイプのプローブ４を手作業
によることなく自動的に製造することができる。しか
も、各プローブ本体４Ａの一端に型ブロック１０を介し
て接触用端子４Ｂを接続すると共に各プローブ本体４Ａ
の他端を基板２に形成された電極パッド３に接続した
後、型ブロック１０からプローブ４を剥離するようにし
たため、一本一本のプローブ４を手作業により取り付け
るという面倒な作業を自動化することができる。
【００２１】また、本実施形態によれば、型ブロック１
０に設ける際に、溝１１の深さをレーザビームの照射時
間の長短によりプローブ４の座標位置に合わせて設定す
るようにしたため、プローブ４の配列パターンに柔軟に
対応することができる。また、離型用薄膜１２をＰＶＤ
法により設けるようにしたため、例えば溝１１内にチタ
ン薄膜等の離型用薄膜１２を均一で極めて薄い状態で成
膜することができる。更に、ニッケル等の導電性材料を
電鋳処理により積層するようにしたため、手作業では作
製困難な小さなプローブであっても複数本を同時且つ均
一に自動的に作製することができる。
０に設ける際に、溝１１の深さをレーザビームの照射時
間の長短によりプローブ４の座標位置に合わせて設定す
るようにしたため、プローブ４の配列パターンに柔軟に
対応することができる。また、離型用薄膜１２をＰＶＤ
法により設けるようにしたため、例えば溝１１内にチタ
ン薄膜等の離型用薄膜１２を均一で極めて薄い状態で成
膜することができる。更に、ニッケル等の導電性材料を
電鋳処理により積層するようにしたため、手作業では作
製困難な小さなプローブであっても複数本を同時且つ均
一に自動的に作製することができる。
【００２２】尚、上記実施形態ではプローブ本体４Ａを
ニッケルにより作製する場合に説明したが、プローブ本
体はニッケルに制限されるものではなく、プローブ本体
はその他ニッケル合金等のバネ性のある金属で作製した
ものであれば良い。また、プローブ本体の曲線形態も上
記実施形態に何等制限されるものではなく、被検査体に
種類に応じて適宜変更することができる。
ニッケルにより作製する場合に説明したが、プローブ本
体はニッケルに制限されるものではなく、プローブ本体
はその他ニッケル合金等のバネ性のある金属で作製した
ものであれば良い。また、プローブ本体の曲線形態も上
記実施形態に何等制限されるものではなく、被検査体に
種類に応じて適宜変更することができる。
【００２３】
【発明の効果】本発明の請求項１〜請求項６に記載の発
明によれば、素子の微細化、その同測数の増加に伴って
多ピン化に対応するワイヤータイプのプロービングカー
ドを自動的に製造することができるプロービングカード
の製造方法を提供することができる。
明によれば、素子の微細化、その同測数の増加に伴って
多ピン化に対応するワイヤータイプのプロービングカー
ドを自動的に製造することができるプロービングカード
の製造方法を提供することができる。
【図１】本発明のプロービングカードの製造方法の一実
施形態に用いられる基板を示す平面図である。
施形態に用いられる基板を示す平面図である。
【図２】本実施形態に用いられる型ブロックの一例を示
す図で、（ａ）は型ブロックそのものを示す斜視図、
（ｂ）はプローブ本体用の溝を設けた型ブロックを示す
斜視図である。
す図で、（ａ）は型ブロックそのものを示す斜視図、
（ｂ）はプローブ本体用の溝を設けた型ブロックを示す
斜視図である。
【図３】図２の（ｂ）に示す型ブロックの溝に離型用薄
膜を設ける方法を示す説明図である。
膜を設ける方法を示す説明図である。
【図４】図２の（ｂ）に示す型ブロックを用いてプロー
ブ本体を基板に接続する状態の説明図である。
ブ本体を基板に接続する状態の説明図である。
【図５】本実施形態により作製されたプロービングカー
ドの要部を拡大して示す斜視図である。
ドの要部を拡大して示す斜視図である。
【図６】本実施形態により作製されたプロービングカー
ドの一部を示す側面図である。
ドの一部を示す側面図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は本実施形態で製造されるプロ
ービングカードの接触用端子のバンプを作製する手順を
示す工程図である。
ービングカードの接触用端子のバンプを作製する手順を
示す工程図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は図７のバンプに支持部材を
接合する手順を示す工程図である。
接合する手順を示す工程図である。
１ プロービングカード ２ セラミック基板 ３ 電極パッド ４ プローブ ４Ａ プローブ本体 ４Ｂ 接触用端子 １０ 型ブロック １１ 溝 １２ 離型用薄膜（チタン薄膜）
Claims (6)
- 【請求項１】 被検査体に形成された複数の素子に、基
板上に配置された所定の曲線形状に形成された複数のプ
ローブを接触させて上記各素子の電気的特性検査を行う
プロービングカードの製造方法であって、上記プローブ
本体の曲線形状を有する型ブロックにその表面形状に沿
って所定の深さの溝を上記プローブの配列に合わせて設
ける工程と、上記各溝に離型用薄膜を設ける工程と、上
記各離型用薄膜に導電性材料を積層して上記プローブ本
体を設ける工程と、上記型ブロックを介して上記各プロ
ーブ本体の一端を上記基板に形成された電極に接続する
と共に上記各プローブ本体の他端に接触用端子を接続し
てプローブを形成する工程と、上記型ブロックから上記
プローブを剥離する工程とを有することを特徴とするプ
ロービングカードの製造方法。 - 【請求項２】 上記プローブの配列パターンを上記溝の
深さによって設定することを特徴とする請求項１に記載
のプロービングカードの製造方法。 - 【請求項３】 上記離型用薄膜をＰＶＤ法により設ける
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプロ
ービングカードの製造方法。 - 【請求項４】 上記離型用薄膜としてチタン膜を設ける
ことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に
記載のプロービングカードの製造方法。 - 【請求項５】 上記導電性材料を電気メッキにより積層
することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１
項に記載のプロービングカードの製造方法。 - 【請求項６】 上記導電性材料として少なくともニッケ
ルを用いることを特徴とする請求項１〜請求項５のいず
れか１項に記載のプロービングカードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11039284A JP2000241452A (ja) | 1999-02-17 | 1999-02-17 | プロービングカードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11039284A JP2000241452A (ja) | 1999-02-17 | 1999-02-17 | プロービングカードの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000241452A true JP2000241452A (ja) | 2000-09-08 |
Family
ID=12548870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11039284A Pending JP2000241452A (ja) | 1999-02-17 | 1999-02-17 | プロービングカードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000241452A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002151557A (ja) * | 2000-11-13 | 2002-05-24 | Tokyo Electron Ltd | コンタクタ、プローブカード及びコンタクタの製造方法 |
| WO2002097452A1 (fr) * | 2001-05-28 | 2002-12-05 | Advantest Corporation | Procede de fabrication de broche d'essai et procede de fabrication de carte d'essai |
| JP2006300807A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Micronics Japan Co Ltd | 通電試験用プローブ |
| JP2008518209A (ja) * | 2004-10-22 | 2008-05-29 | フォームファクター， インコーポレイテッド | 心棒上に作成された、他の表面に移動可能な電気鋳造バネ |
| JP2013083635A (ja) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | プローブカード及びその製造方法 |
| CN116298435A (zh) * | 2023-03-17 | 2023-06-23 | 圆周率半导体(南通)有限公司 | 一种有效减小接触电阻的垂直探针组件 |
-
1999
- 1999-02-17 JP JP11039284A patent/JP2000241452A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002151557A (ja) * | 2000-11-13 | 2002-05-24 | Tokyo Electron Ltd | コンタクタ、プローブカード及びコンタクタの製造方法 |
| WO2002097452A1 (fr) * | 2001-05-28 | 2002-12-05 | Advantest Corporation | Procede de fabrication de broche d'essai et procede de fabrication de carte d'essai |
| CN100414302C (zh) * | 2001-05-28 | 2008-08-27 | 爱德万测试株式会社 | 探针的制造方法及探测卡的制造方法 |
| JP2008518209A (ja) * | 2004-10-22 | 2008-05-29 | フォームファクター， インコーポレイテッド | 心棒上に作成された、他の表面に移動可能な電気鋳造バネ |
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| JP4571007B2 (ja) * | 2005-04-22 | 2010-10-27 | 株式会社日本マイクロニクス | 通電試験用プローブ |
| JP2013083635A (ja) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | プローブカード及びその製造方法 |
| CN116298435A (zh) * | 2023-03-17 | 2023-06-23 | 圆周率半导体(南通)有限公司 | 一种有效减小接触电阻的垂直探针组件 |
| CN116298435B (zh) * | 2023-03-17 | 2023-09-15 | 圆周率半导体(南通)有限公司 | 一种有效减小接触电阻的垂直探针组件 |
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