JP2888015B2 - 半導体装置の検査用治具及びその位置合わせ方法 - Google Patents
半導体装置の検査用治具及びその位置合わせ方法Info
- Publication number
- JP2888015B2 JP2888015B2 JP2890192A JP2890192A JP2888015B2 JP 2888015 B2 JP2888015 B2 JP 2888015B2 JP 2890192 A JP2890192 A JP 2890192A JP 2890192 A JP2890192 A JP 2890192A JP 2888015 B2 JP2888015 B2 JP 2888015B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- chip
- projection
- semiconductor device
- transparent substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の電気的特
性を検査するのに用いる検査用治具及びその位置合わせ
方法に関する。
性を検査するのに用いる検査用治具及びその位置合わせ
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置（チップ）の電気的特
性検査に用いられる検査用治具は図２に示すように、検
査用基板１′の中央部に開口部１２が設けられ、その開
口部１２の開口縁よりウェハー１４上に設けられたチッ
プ６′の電極５′に対向するように、タングステン等の
金属針１３が開口部１２の中央付近に向けて引き出され
ている。
性検査に用いられる検査用治具は図２に示すように、検
査用基板１′の中央部に開口部１２が設けられ、その開
口部１２の開口縁よりウェハー１４上に設けられたチッ
プ６′の電極５′に対向するように、タングステン等の
金属針１３が開口部１２の中央付近に向けて引き出され
ている。
【０００３】チップ６′の電気的特性検査は、検査基板
１′に設けられた開口部１２より前記金属針先端のチッ
プ６′の電極５′に当る部分とチップ上の電極５′をウ
ェハーの数点において人間が目合せを行ない、その座標
とチップ６′のウェハー１４内ピッチとを検査装置に記
憶させて他のチップの座標についても計算し、基板１の
金属針１３の先端と電極５′の位置合せをウェハー１４
内の全チップにおいて行なっている。
１′に設けられた開口部１２より前記金属針先端のチッ
プ６′の電極５′に当る部分とチップ上の電極５′をウ
ェハーの数点において人間が目合せを行ない、その座標
とチップ６′のウェハー１４内ピッチとを検査装置に記
憶させて他のチップの座標についても計算し、基板１の
金属針１３の先端と電極５′の位置合せをウェハー１４
内の全チップにおいて行なっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の基板を用い
た検査方法においては、基板に設けられた金属針をチッ
プ上の電極に接触抵抗を低減するために一定圧力で押し
つけ、金属針と電極の導通を取っている。
た検査方法においては、基板に設けられた金属針をチッ
プ上の電極に接触抵抗を低減するために一定圧力で押し
つけ、金属針と電極の導通を取っている。
【０００５】金属針は、基板より斜めに電極に向かって
形成されているので、押しつけられると、金属針先端の
位置がチップ上の電極の位置からずれて、導通が取れな
い場合がある。
形成されているので、押しつけられると、金属針先端の
位置がチップ上の電極の位置からずれて、導通が取れな
い場合がある。
【０００６】特に、電極のサイズが小さい場合に上記不
具合が起きやすくなる。
具合が起きやすくなる。
【０００７】また、金属針先端の位置とチップ上の電極
の位置合わせにおいて、ウェハー内数点のチップの位置
と、チップ間のピッチにより、他のチップの位置を決定
していることにより、累積誤差が生じ、金属針と電極の
位置がずれるという不具合があった。
の位置合わせにおいて、ウェハー内数点のチップの位置
と、チップ間のピッチにより、他のチップの位置を決定
していることにより、累積誤差が生じ、金属針と電極の
位置がずれるという不具合があった。
【０００８】本発明の目的は、前記課題を解決した半導
体装置の検査用治具及びその位置合わせ方法を提供する
ことにある。
体装置の検査用治具及びその位置合わせ方法を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体装置の検査用治具は、透明基板
に、電極用突起を半導体装置の電極に対向するように設
け、 前記電極用突起から引き出された配線層を前記電極
突起より遠ざかるにつれて太くなるように前記透明基板
上に設け、 透明基板の裏面にカーボン層を電極突起と同
じ位置で設けたものである。
め、本発明に係る半導体装置の検査用治具は、透明基板
に、電極用突起を半導体装置の電極に対向するように設
け、 前記電極用突起から引き出された配線層を前記電極
突起より遠ざかるにつれて太くなるように前記透明基板
上に設け、 透明基板の裏面にカーボン層を電極突起と同
じ位置で設けたものである。
【００１０】また、前記透明基板は、前記電極用突起の
存在する領域より外側の領域の表面が傾斜し、 前記電極
用突起より離れるにつれて、基板表面の高さが低くなる
ようにしたものである。
存在する領域より外側の領域の表面が傾斜し、 前記電極
用突起より離れるにつれて、基板表面の高さが低くなる
ようにしたものである。
【００１１】また、本発明に係る半導体装置用検査治具
の位置合わせ方法は、検査用治具の電極用突起とチップ
の電極との位置合わせを行なう電極の位置合わせ方法で
あって、 検査用治具の電極用突起とチップの電極とは、
垂直に接触するものであり、 レーザ光をプリズムに反射
させ検査用治具の透明基板を通してチップの電極に照射
し、その反射光を前記透明基板及びプリズムに通してセ
ンサーに入光させ、 さらに前記チップの対角に位置する
電極に対してレーザ光をＸ方向とＹ方向に移動させ、反
射光の変化をセンサーで検出することにより、検査用治
具の電極用突起とチップの電極との位置合わせを行なう
ものである。
の位置合わせ方法は、検査用治具の電極用突起とチップ
の電極との位置合わせを行なう電極の位置合わせ方法で
あって、 検査用治具の電極用突起とチップの電極とは、
垂直に接触するものであり、 レーザ光をプリズムに反射
させ検査用治具の透明基板を通してチップの電極に照射
し、その反射光を前記透明基板及びプリズムに通してセ
ンサーに入光させ、 さらに前記チップの対角に位置する
電極に対してレーザ光をＸ方向とＹ方向に移動させ、反
射光の変化をセンサーで検出することにより、検査用治
具の電極用突起とチップの電極との位置合わせを行なう
ものである。
【００１２】
【作用】検査用基板には、チップ電極に対向するように
電極用突起が設けられており、チップを検査する場合に
は、基板の電極用突起とチップの電極とを接触させる。
電極用突起が設けられており、チップを検査する場合に
は、基板の電極用突起とチップの電極とを接触させる。
【００１３】この場合、電極用突起は、チップ電極に垂
直に当たるので、従来技術のように金属針が電極からず
れて導通が取れないという不具合は生じない。
直に当たるので、従来技術のように金属針が電極からず
れて導通が取れないという不具合は生じない。
【００１４】また、上記電極用突起とチップの電極との
位置合わせは、透明な基板の裏面からレーザー光を基板
を通して電極に当て、反射光を検出することにより行な
うので、ウェハー内の各々のチップに対して精度良く位
置合わせできる。従って、従来技術のような累積誤差に
よる位置合わせ時のずれはなくなる。
位置合わせは、透明な基板の裏面からレーザー光を基板
を通して電極に当て、反射光を検出することにより行な
うので、ウェハー内の各々のチップに対して精度良く位
置合わせできる。従って、従来技術のような累積誤差に
よる位置合わせ時のずれはなくなる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図により説明す
る。図１（ａ）は、本発明の一実施例に係る検査基板を
示す平面図、（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ′線断面図
である。
る。図１（ａ）は、本発明の一実施例に係る検査基板を
示す平面図、（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ′線断面図
である。
【００１６】図１において、本実施例に係る検査基板
は、石英製などの透明基板１に、電極用突起２をチップ
６の電極５に対向させて設けてある。
は、石英製などの透明基板１に、電極用突起２をチップ
６の電極５に対向させて設けてある。
【００１７】電極用突起２から引き出された金属製の配
線層３は、電極用突起２より遠ざかるにつれて太くなる
ように透明基板１上に設けてある。４は、配線層３の終
端に設けた引出端子である。
線層３は、電極用突起２より遠ざかるにつれて太くなる
ように透明基板１上に設けてある。４は、配線層３の終
端に設けた引出端子である。
【００１８】透明基板１の裏面には、カーボン層１１が
電極用突起２と同じ位置で１００〜２００μｍの膜厚に
設けてある。
電極用突起２と同じ位置で１００〜２００μｍの膜厚に
設けてある。
【００１９】さらに透明基板１は、電極用突起２の存在
する領域より外側の領域の表面１ａが傾斜し、電極用突
起２より離れるにつれて基板表面の高さが低くなるよう
に形成してある。
する領域より外側の領域の表面１ａが傾斜し、電極用突
起２より離れるにつれて基板表面の高さが低くなるよう
に形成してある。
【００２０】次に、本発明に係る検査基板を製造する場
合について説明する。
合について説明する。
【００２１】まず、基板１上の全面にＴｉを２０００Å
スパッタし、配線層３を所望の形状にパターニングす
る。パターニングはリソグラフィー技術を用いる。
スパッタし、配線層３を所望の形状にパターニングす
る。パターニングはリソグラフィー技術を用いる。
【００２２】次に、同じくリソグラフィー技術を用い電
極用突起２を形成するため、レジストに開口部を設け、
電気めっきによりＡｕの電極用突起２を２０μｍの高さ
で成長させる。
極用突起２を形成するため、レジストに開口部を設け、
電気めっきによりＡｕの電極用突起２を２０μｍの高さ
で成長させる。
【００２３】引出端子４は、基板１に有機系接着材で接
着する。また、カーボン層１１は、有機塗料を塗布した
後にリソグラフィー技術により、表面の配線層３と同じ
位置にパターニングする。
着する。また、カーボン層１１は、有機塗料を塗布した
後にリソグラフィー技術により、表面の配線層３と同じ
位置にパターニングする。
【００２４】次に、本発明に係る検査基板を用いてチッ
プの電気的特性を検査する際に、電極用突起２とチップ
の電極５との位置合わせ方法を図１（ｃ）に基いて説明
する。
プの電気的特性を検査する際に、電極用突起２とチップ
の電極５との位置合わせ方法を図１（ｃ）に基いて説明
する。
【００２５】レーザー発振器７より発せられたレーザー
光８は、プリズム１０により反射され、基板１を通して
チップ６の電極５に当り、反射して基板１及びプリズム
１０を通ってセンサ９に入る。
光８は、プリズム１０により反射され、基板１を通して
チップ６の電極５に当り、反射して基板１及びプリズム
１０を通ってセンサ９に入る。
【００２６】基板１を移動させることにより、電極用突
起２とチップの電極５との位置が一致すると、カーボン
層１１は電極用突起２と同じ位置にあるため、カーボン
層１１はレーザー光８を吸収し、センサ９にレーザー光
８の反射光が入射しなくなる。このレーザー光８の変化
をセンサ９で検出する。
起２とチップの電極５との位置が一致すると、カーボン
層１１は電極用突起２と同じ位置にあるため、カーボン
層１１はレーザー光８を吸収し、センサ９にレーザー光
８の反射光が入射しなくなる。このレーザー光８の変化
をセンサ９で検出する。
【００２７】このレーザー光検出方法をチップの対角に
位置する２つの電極５に対し、図１（ａ）のＸ方向及び
Ｙ方向について行なうことにより、チップ６と基板１と
の位置合わせを正確に行なうことができる。
位置する２つの電極５に対し、図１（ａ）のＸ方向及び
Ｙ方向について行なうことにより、チップ６と基板１と
の位置合わせを正確に行なうことができる。
【００２８】Ｘ方向とＹ方向のレーザー光の切替は、レ
ーザー発振器７をＸ方向にレーザー光が向うものと、Ｙ
方向に向うものとを用い、プリズム１０を各々のレーザ
ー光に向けることにより行なう。
ーザー発振器７をＸ方向にレーザー光が向うものと、Ｙ
方向に向うものとを用い、プリズム１０を各々のレーザ
ー光に向けることにより行なう。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、従
来技術で使われていた金属針による接続がなくなり、金
属針のたわみによるチップの電極からのずれはない。
来技術で使われていた金属針による接続がなくなり、金
属針のたわみによるチップの電極からのずれはない。
【００３０】また、レーザー反射光によりチップ毎に、
チップの電極と電極用突起との位置合わせを行なうた
め、従来技術で生じた累積誤差によるチップの電極と電
極用突起の位置ずれが生じない。
チップの電極と電極用突起との位置合わせを行なうた
め、従来技術で生じた累積誤差によるチップの電極と電
極用突起の位置ずれが生じない。
【図１】（ａ）は、本発明の一実施例に係る検査用基板
を示す平面図、（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ′線断面
図、（ｃ）は、本発明において電極用突起とチップの電
極との位置合わせを行なう方法を示す概略図である。
を示す平面図、（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ′線断面
図、（ｃ）は、本発明において電極用突起とチップの電
極との位置合わせを行なう方法を示す概略図である。
【図２】従来技術によるチップの電気的特性検査方法を
示す概略図である。
示す概略図である。
１ 基板 ２ 電極用突起 ３ 配線層 ４ 引出端子 ５ チップの電極 ６ チップ ７ レーザー発振器 ８ レーザー光 ９ センサ １０ プリズム １１ カーボン層 １２ 開口部 １３ 金属針 １４ ウェハー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/66 H01L 21/68
Claims (3)
- 【請求項１】 透明基板に、電極用突起を半導体装置の
電極に対向するように設け、 前記電極用突起から引き出された配線層を前記電極突起
より遠ざかるにつれて太くなるように前記透明基板上に
設け、 透明基板の裏面にカーボン層を電極突起と同じ位置で設
けたことを特徴とする半導体装置の検査用治具。 - 【請求項２】 前記透明基板は、前記電極用突起の存在
する領域より外側の領域の表面が傾斜し、 前記電極用突起より離れるにつれて、基板表面の高さが
低くなるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の
半導体装置の検査用治具。 - 【請求項３】 検査用治具の電極用突起とチップの電極
との位置合わせを行なう電極の位置合わせ方法であっ
て、 検査用治具の電極用突起とチップの電極とは、垂直に接
触するものであり、 レーザ光をプリズムに反射させて検査用治具の透明基板
を通してチップの電極に照射し、その反射光を前記透明
基板及び前記プリズムに通してセンサーに入光させ、 さらに、前記チップの対角に位置する電極に対してレー
ザ光をＸ方向とＹ方向に移動させ、反射光の変化をセン
サーで検出することにより、検査用治具の電極用突起と
チップの電極との位置合わせを行なうことを特徴とする
半導体装置用検査治具の位置合わせ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2890192A JP2888015B2 (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 半導体装置の検査用治具及びその位置合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2890192A JP2888015B2 (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 半導体装置の検査用治具及びその位置合わせ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198634A JPH05198634A (ja) | 1993-08-06 |
| JP2888015B2 true JP2888015B2 (ja) | 1999-05-10 |
Family
ID=12261313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2890192A Expired - Fee Related JP2888015B2 (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 半導体装置の検査用治具及びその位置合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2888015B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4713763B2 (ja) * | 2000-05-18 | 2011-06-29 | 株式会社アドバンテスト | プローブの位置ずれ検出方法・プローブの位置決定方法・プローブの位置ずれ検出装置・プローブの位置決定装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0642501B2 (ja) * | 1987-12-18 | 1994-06-01 | 富士通株式会社 | 微小半導体チップの位置合わせ方法 |
| JPH0680713B2 (ja) * | 1989-10-11 | 1994-10-12 | 三菱電機株式会社 | ウエハ試験用プローブカードおよびその製造方法 |
-
1992
- 1992-01-20 JP JP2890192A patent/JP2888015B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05198634A (ja) | 1993-08-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8822238B2 (en) | Apparatus and method for predetermined component placement to a target platform | |
| US7315038B2 (en) | Methods and systems for positioning a laser beam spot relative to a semiconductor integrated circuit using a processing target as an alignment target | |
| JPH03183906A (ja) | 半田の外観検査方法 | |
| JP2888015B2 (ja) | 半導体装置の検査用治具及びその位置合わせ方法 | |
| JPH0319395A (ja) | 厚膜薄膜混成多層配線基板の製造方法 | |
| JP4391738B2 (ja) | プローブの接触位置の採取方法、プローブの接触位置の補正方法及びプローブ装置間の接触誤差の解消方法 | |
| JP3055161B2 (ja) | 半田付状態の外観検査方法 | |
| JPS584314B2 (ja) | 電子線測定装置 | |
| JPH0744208B2 (ja) | 半導体ウエハの特殊パターン位置認識方法 | |
| JP3044924B2 (ja) | 電子部品のリードの先端平坦部の位置検出方法 | |
| JP2010526314A (ja) | 試験システム及び試験される電気部材を揃える方法及び装置 | |
| JP3114241B2 (ja) | 半田の形状検査方法 | |
| JPH0658933B2 (ja) | 半導体ウエハの位置合わせ方法 | |
| JP2754857B2 (ja) | 電子部品の外観検査方法 | |
| JPH041559A (ja) | 半導体装置の検査装置および検査方法 | |
| JP2770551B2 (ja) | 半田の外観検査装置 | |
| JPH05145299A (ja) | 電子部品の狭ピツチリードの計測方法 | |
| JP2929769B2 (ja) | 半田の外観検査方法 | |
| JPH07122896A (ja) | 電子部品の位置・姿勢計測方法及び装置 | |
| JPH05315412A (ja) | コンタクトポイントの判定方法 | |
| JP3055252B2 (ja) | Ｔａｂデバイスのリードの計測方法 | |
| JPH0213807A (ja) | 位置検出素子による高さ検出方法 | |
| JPH04152634A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP2827285B2 (ja) | ウェーハ検査装置 | |
| JPH06163654A (ja) | プローブカードにおけるアライメント方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |