JP2929769B2 - 半田の外観検査方法 - Google Patents

半田の外観検査方法

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JP2929769B2 JP14580791A JP14580791A JP2929769B2 JP 2929769 B2 JP2929769 B2 JP 2929769B2 JP 14580791 A JP14580791 A JP 14580791A JP 14580791 A JP14580791 A JP 14580791A JP 2929769 B2 JP2929769 B2 JP 2929769B2
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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電子部品のリードを基板
に接着する半田の外観検方法に係り、レーザ光を受光部
側へ良好に反射させながら、半田形状を計測するように
したものである。
【0002】
【従来の技術】ICやLSIあるいはTABチップなど
の電子部品のリードを、半田により基板に接着した後、
この半田付状態の良否を判断する半田の外観検査が行わ
れる。
【0003】図4はレーザ光による従来の外観検査手段
を示すものであって、図中、1は電子部品の本体、2は
本体1から延出するリード、3はリード2を基板4の回
路パターン7上に接着する半田、5はレーザ照射器、6
は受光部である。
【0004】この方法は、リード2を横断する方向N1
にレーザ光をスキャンニングさせて、その反射光を受光
部6に受光することにより、リード2のセンターAを求
める。
【0005】次いでこのセンターAを通るリード2の長
さ方向N2にレーザ光をスキャンニングさせて、その反
射光を受光部6に受光することにより、この方向N2に
沿った半田3の形状を計測し、その結果に基づいて、半
田3の形状の良否を判断する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、リード2の
断面は一般にかまぼこ状であって、その上面はアーチ状
に湾曲している。このため上記従来手段では、レーザ光
を上記N2方向にスキャンニング照射した場合、リード
2の受光部6と反対側のエッジE’に照射されたレーザ
光は異常反射しやすく、このためセンターAを正確に求
めにくいものであった。またリード2の長さ方向のスキ
ャンニングが、図において実線N2から破線N2’に位
置ずれした場合、破線矢印aで示すように、レーザ光は
受光部6と反対側に反射されて受光部6には殆ど入射せ
ず、あるいは破線矢印a’で示すように隣りのリード2
aに2次反射されて、その2次反射光aが受光部6に入
射する結果、計測値が大きく狂ってしまうなどの問題点
があった。
【0007】そこで本発明は、上記従来手段の問題点を
解消し、半田の形状を良好に計測できる方法を提供する
ことを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】このために本発明は、
(1)本体から延出するリードを横断する方向に、レー
ザ照射器からレーザ光を照射して、その反射光を受光部
に受光することにより、このリードのこの受光部側のエ
ッジを検出するプロセスと、(2)このエッジとこのリ
ードのセンターの間にオフセット点を設定するプロセス
と、(3)上記オフセット点を通るリードの長さ方向に
レーザ光を照射して、その反射光を上記受光部に受光す
ることにより、このリードの先端部に接着させた半田の
形状を計測するプロセスと、から半田の外観検査方法を
構成している。
【0009】
【作用】上記構成によれば、リードに照射されたレーザ
光を受光部側へ良好に反射させて、半田の形状を計測す
ることができる。
【0010】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。
【0011】図1は半田の外観検査手段を示すものであ
って、図4に示した従来手段と同じであり、同一符号を
付すことにより、構成の説明を省略する。
【0012】本方法では、まずリード2を横断する方向
N1にレーザ光をスキャンニングさせて照射し、その反
射光を受光部6で受光して、受光部6側のエッジEを検
出する。このエッジEは、設定範囲T内で、反射点の高
さが急激に落ち込む点を検出することにより、簡単に求
めることができる(図2参照)。
【0013】次いでこのエッジEと、リード2のセンタ
ーAの間にオフセット点Bを設定する。リード2の横巾
は既知であり、このオフセット点Bは簡単に設定でき
る。
【0014】なお、図2において、Kは受光部6と反対
側のエッジE’によるレーザ光の異常反射を示してお
り、この異常反射のためにリード2のセンターAを正確
に求めにくいことは、発明が解決しようとする課題の項
で述べた通りである。
【0015】次に、上記オフセットB点を通るリード2
の長さ方向N2にレーザ光をスキャンニングさせて照射
し、その反射光を上記受光部6に受光することにより、
このリード2の先端部の半田の形状を計測する。
【0016】図3は、このようにして計測されたスキャ
ンニング方向N2の縦断形状を示すものであって、図
中、2’がリード2の上面形状、3’が半田3の上面形
状であり、この上面形状3’から半田3の形状の良否を
判断する。
【0017】このように本方法によれば、受光部6の反
対側のエッジE’によるレーザ光の異常反射による計測
の狂いを回避し、リード2の長さ方向N2に沿ってレー
ザ光をスキャンニングさせて、その反射光を受光部6側
へ確実に反射させながら、半田3の形状を良好に計測で
きる。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、(1)本
体から延出するリードを横断する方向に、レーザ照射器
からレーザ光を照射して、その反射光を受光部に受光す
ることにより、このリードのこの受光部側のエッジを検
出するプロセスと、(2)このエッジとこのリードのセ
ンターの間にオフセット点を設定するプロセスと、
(3)上記オフセット点を通るリードの長さ方向にレー
ザ光を照射して、その反射光を上記受光部に受光するこ
とにより、このリードの先端部に接着させた半田の形状
を計測するプロセスと、から半田の外観検査方法を構成
しているので、レーザ光を受光部側へ良好に反射させな
がら、半田の形状を正確に計測し、形状の良否判定を的
確に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半田の外観検査手段の斜視図
【図2】本発明に係る計測図
【図3】本発明に係る計測図
【図4】従来手段の半田の外観検査手段の斜視図
【符号の説明】
1 本体 2 リード 3 半田 5 レーザ照射器 6 受光部 A リードのセンター B オフセット点 E エッジ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H05K 3/34 512 H05K 3/34 512A

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(1)本体から延出するリードを横断する
    方向に、レーザ照射器からレーザ光を照射して、その反
    射光を受光部に受光することにより、このリードのこの
    受光部側のエッジを検出するプロセスと、(2)このエ
    ッジとこのリードのセンターの間にオフセット点を設定
    するプロセスと、(3)上記オフセット点を通るリード
    の長さ方向にレーザ光を照射して、その反射光を上記受
    光部に受光することにより、このリードの先端部に接着
    された半田の形状を計測するプロセスと、から成ること
    を特徴とする半田の外観検査方法。
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