JP3055252B2 - Ｔａｂデバイスのリードの計測方法 - Google Patents
Ｔａｂデバイスのリードの計測方法Info
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- JP3055252B2 JP3055252B2 JP3269237A JP26923791A JP3055252B2 JP 3055252 B2 JP3055252 B2 JP 3055252B2 JP 3269237 A JP3269237 A JP 3269237A JP 26923791 A JP26923791 A JP 26923791A JP 3055252 B2 JP3055252 B2 JP 3055252B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＴＡＢデバイスのリード
の計測方法に係り、詳しくはリードの下面にレーザ光の
最細部を当て、リードの計測を精密に行うための手段に
関する。
の計測方法に係り、詳しくはリードの下面にレーザ光の
最細部を当て、リードの計測を精密に行うための手段に
関する。
【０００２】
【従来の技術】基板の高密度高集積化を図るための電子
部品として、フィルムキャリアにて形成されるＴＡＢデ
バイスが知られている。このＴＡＢデバイスは、チップ
から外方へきわめて多数本のリードが延出しており、リ
ードはきわめて狭ピッチである。そのため、これを基板
に実装する際には、リードの高さや位置を正確に計測し
ておかないと、リードを基板の電極にマッチングさせる
ことはできず、ボンディング不良が生じる。このような
問題点は、ＱＦＰなどの狭ピッチリードを有する電子部
品の場合も同様である。このため、狭ピッチリードの計
測手段として、精密な計測ができるレーザ手段が使用さ
れている。
部品として、フィルムキャリアにて形成されるＴＡＢデ
バイスが知られている。このＴＡＢデバイスは、チップ
から外方へきわめて多数本のリードが延出しており、リ
ードはきわめて狭ピッチである。そのため、これを基板
に実装する際には、リードの高さや位置を正確に計測し
ておかないと、リードを基板の電極にマッチングさせる
ことはできず、ボンディング不良が生じる。このような
問題点は、ＱＦＰなどの狭ピッチリードを有する電子部
品の場合も同様である。このため、狭ピッチリードの計
測手段として、精密な計測ができるレーザ手段が使用さ
れている。
【０００３】図１はＴＡＢデバイスのリードを計測中の
側面図である。１はノズル２が装着された移載ヘッド、
Ｐはこのノズル２に吸着されたＴＡＢデバイスであり、
その本体となるチップＣの下面から、多数本のリードＬ
が外方へ水平に延出している。３はレーザ装置であり、
レーザ光４の発光部５と、このレーザ光４の反射光を受
光する受光部６を有している。移載ヘッド１をＸＹ方向
に移動させて、移載ヘッド１をレーザ装置３の上方に位
置させ、移載ヘッド１のノズル２に吸着されたＴＡＢデ
バイスＰのリードＬの下面に、発光部５からレーザ光４
を照射し、その反射光を受光部６に受光することで、リ
ードＬの浮きや位置の計測を行う。この場合、リードＬ
を精密に計測するためには、レーザ光４の光束の最細部
４ａを、計測対象物であるリードＬの下面に照射せねば
ならない。
側面図である。１はノズル２が装着された移載ヘッド、
Ｐはこのノズル２に吸着されたＴＡＢデバイスであり、
その本体となるチップＣの下面から、多数本のリードＬ
が外方へ水平に延出している。３はレーザ装置であり、
レーザ光４の発光部５と、このレーザ光４の反射光を受
光する受光部６を有している。移載ヘッド１をＸＹ方向
に移動させて、移載ヘッド１をレーザ装置３の上方に位
置させ、移載ヘッド１のノズル２に吸着されたＴＡＢデ
バイスＰのリードＬの下面に、発光部５からレーザ光４
を照射し、その反射光を受光部６に受光することで、リ
ードＬの浮きや位置の計測を行う。この場合、リードＬ
を精密に計測するためには、レーザ光４の光束の最細部
４ａを、計測対象物であるリードＬの下面に照射せねば
ならない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このリード
Ｌの下面への最細部４ａの照射位置の設定は、ノズル２
に吸着されるチップＣの厚さｄやリードＬの厚さｍか
ら、予めこのリードＬの下面の高さＨＬＯを算出し、そ
の高さＨＬＯに合わせてデバイスＰの高さ調整を行うこ
とでなされている。しかしながら、ノズル２の成形組付
誤差やチップＣの厚さ誤差や変形等のために、図１部分
拡大図に示すように、チップＣに厚さ誤差Δｄがあった
場合などには、実際のリードＬの下面の高さＨＬが、予
め算出された高さＨＬＯからずれてしまい、このため焦
点ぼけが生じて最細部４ａより大径の部分４ｂがリード
Ｌの下面に当たり、精密なリードＬの計測ができない問
題があった（図２も参照）。
Ｌの下面への最細部４ａの照射位置の設定は、ノズル２
に吸着されるチップＣの厚さｄやリードＬの厚さｍか
ら、予めこのリードＬの下面の高さＨＬＯを算出し、そ
の高さＨＬＯに合わせてデバイスＰの高さ調整を行うこ
とでなされている。しかしながら、ノズル２の成形組付
誤差やチップＣの厚さ誤差や変形等のために、図１部分
拡大図に示すように、チップＣに厚さ誤差Δｄがあった
場合などには、実際のリードＬの下面の高さＨＬが、予
め算出された高さＨＬＯからずれてしまい、このため焦
点ぼけが生じて最細部４ａより大径の部分４ｂがリード
Ｌの下面に当たり、精密なリードＬの計測ができない問
題があった（図２も参照）。
【０００５】そこで本発明は、チップの厚さ誤差等によ
りリードの下面の高さがばらついていても、個々のリー
ドの下面にレーザ光の最細部を当てて、リードの計測を
精密に行うことができるＴＡＢデバイスのリードの計測
方法を提供することを目的とする。
りリードの下面の高さがばらついていても、個々のリー
ドの下面にレーザ光の最細部を当てて、リードの計測を
精密に行うことができるＴＡＢデバイスのリードの計測
方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、移載ヘッドの
ノズルに吸着されたＴＡＢデバイスのチップの下面にレ
ーザ装置から発光されたレーザ光を照射して、その反射
光を受光することにより、チップの下面の高さを計測
し、次いでこの計測されたチップの下面の高さからリー
ドの厚さを差し引くことによりリードの下面の高さを求
め、次いでリードの下面が上記レーザ光の最細部に位置
すべく上記リードとレーザ装置の距離を調整し、次いで
このリードにレーザ光を照射して、このリードの位置を
計測するものである。
ノズルに吸着されたＴＡＢデバイスのチップの下面にレ
ーザ装置から発光されたレーザ光を照射して、その反射
光を受光することにより、チップの下面の高さを計測
し、次いでこの計測されたチップの下面の高さからリー
ドの厚さを差し引くことによりリードの下面の高さを求
め、次いでリードの下面が上記レーザ光の最細部に位置
すべく上記リードとレーザ装置の距離を調整し、次いで
このリードにレーザ光を照射して、このリードの位置を
計測するものである。
【０００７】
【作用】上記構成において、まず移載ヘッドのノズルに
吸着されたＴＡＢデバイスのチップの下面にレーザ装置
から発光されたレーザ光を照射して、その反射光を受光
することでチップの下面の高さを計測する。次いで、こ
の計測されたチップの下面の高さからリードの厚さを差
し引くことによりチップの下面から外方へ水平に延出す
るリードの下面の高さを求め、次いでリードの下面が上
記レーザ光の最細部に位置するようにリードとレーザ装
置の距離を調節する。次いで、このリードにレーザ光を
照射して、このリードの位置を計測する。このように、
リードの高さ調節を行って、その下面にレーザ光の最細
部を当てることにより、チップの厚さ誤差等によりリー
ドの下面の高さがばらついても、リードの計測を精密に
行うことができる。
吸着されたＴＡＢデバイスのチップの下面にレーザ装置
から発光されたレーザ光を照射して、その反射光を受光
することでチップの下面の高さを計測する。次いで、こ
の計測されたチップの下面の高さからリードの厚さを差
し引くことによりチップの下面から外方へ水平に延出す
るリードの下面の高さを求め、次いでリードの下面が上
記レーザ光の最細部に位置するようにリードとレーザ装
置の距離を調節する。次いで、このリードにレーザ光を
照射して、このリードの位置を計測する。このように、
リードの高さ調節を行って、その下面にレーザ光の最細
部を当てることにより、チップの厚さ誤差等によりリー
ドの下面の高さがばらついても、リードの計測を精密に
行うことができる。
【０００８】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。なお、本発明に使用される装置の構成は図１
に示す従来装置と同一である。
説明する。なお、本発明に使用される装置の構成は図１
に示す従来装置と同一である。
【０００９】ＴＡＢデバイスのような狭ピッチリードを
有する電子部品のリードの計測を行うにあたっては、図
１に示すように、移載ヘッド１をＸＹ方向に移動させ
て、移載ヘッド１をレーザ装置３の上方に位置させる。
次いで、図３（ａ）に示すように、チップＣのノズル２
に吸着されたＴＡＢデバイスＰの下面に発光部５からレ
ーザ光４を照射して、その反射光を受光部６により受光
することでチップＣの下面の高さＨを計測する。このよ
うにして、チップＣの下面の高さＨを予め計測すれば、
リードＬの厚さｍは既知であるので、チップとの下面の
高さＨからリードＬの厚さｍを差し引くことによりリー
ドＬの下面の高さＨＬも判明し、この高さＨＬのレーザ
光４の最細部４ａの高さＨＬＯからの位置ずれ△ｄも判
明する。
有する電子部品のリードの計測を行うにあたっては、図
１に示すように、移載ヘッド１をＸＹ方向に移動させ
て、移載ヘッド１をレーザ装置３の上方に位置させる。
次いで、図３（ａ）に示すように、チップＣのノズル２
に吸着されたＴＡＢデバイスＰの下面に発光部５からレ
ーザ光４を照射して、その反射光を受光部６により受光
することでチップＣの下面の高さＨを計測する。このよ
うにして、チップＣの下面の高さＨを予め計測すれば、
リードＬの厚さｍは既知であるので、チップとの下面の
高さＨからリードＬの厚さｍを差し引くことによりリー
ドＬの下面の高さＨＬも判明し、この高さＨＬのレーザ
光４の最細部４ａの高さＨＬＯからの位置ずれ△ｄも判
明する。
【００１０】そこで、この計測結果に基づいてこのリー
ドＬの下面がレーザ光４の最細部４ａの高さＨＬＯに位
置するように、ノズル２を昇降させるなどしてＴＡＢデ
バイスＰをわずかに上昇させるとともに、移載ヘッド１
をわずかにＸＹ方向に移動させてレーザ光４の照射位置
にリードＬを位置させ（図３（ｂ）参照）、このリード
Ｌにレーザ光４を照射する。するとレーザ光４の最細部
４ａがリードＬの下面に照射され、その反射光を受光部
６に受光することにより、このリードＬの位置や浮きを
計測する。このように、リードＬとレーザ装置３の距離
を調整して、リードＬの下面にレーザ光４の最細部４ａ
を当てることにより、リードＬの計測を精密に行うこと
ができる。
ドＬの下面がレーザ光４の最細部４ａの高さＨＬＯに位
置するように、ノズル２を昇降させるなどしてＴＡＢデ
バイスＰをわずかに上昇させるとともに、移載ヘッド１
をわずかにＸＹ方向に移動させてレーザ光４の照射位置
にリードＬを位置させ（図３（ｂ）参照）、このリード
Ｌにレーザ光４を照射する。するとレーザ光４の最細部
４ａがリードＬの下面に照射され、その反射光を受光部
６に受光することにより、このリードＬの位置や浮きを
計測する。このように、リードＬとレーザ装置３の距離
を調整して、リードＬの下面にレーザ光４の最細部４ａ
を当てることにより、リードＬの計測を精密に行うこと
ができる。
【００１１】本発明は上記実施例に限定されないのであ
って、例えばリードＬとレーザ装置３の距離の調整は、
レーザ装置３を昇降することで行ってもよい。
って、例えばリードＬとレーザ装置３の距離の調整は、
レーザ装置３を昇降することで行ってもよい。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、移載ヘッ
ドのノズルに吸着されたＴＡＢデバイスのチップの下面
にレーザ装置から発光されたレーザ光を照射して、その
反射光を受光することにより、チップの下面の高さを計
測し、次いでこの計測されたチップの下面の高さからリ
ードの厚さを差し引くことにより、リードの下面の高さ
を求め、次いでリードの下面が上記レーザ光の最細部に
位置すべく上記リードとレーザ装置の距離を調整し、次
いでこのリードにレーザ光を照射して、このリードの位
置を計測するようにしているので、チップの厚さ誤差等
のためにリードの下面の高さがばらついていても、レー
ザ光の最細部をリードの下面に照射して、リードの計測
を精密に行うことができる。
ドのノズルに吸着されたＴＡＢデバイスのチップの下面
にレーザ装置から発光されたレーザ光を照射して、その
反射光を受光することにより、チップの下面の高さを計
測し、次いでこの計測されたチップの下面の高さからリ
ードの厚さを差し引くことにより、リードの下面の高さ
を求め、次いでリードの下面が上記レーザ光の最細部に
位置すべく上記リードとレーザ装置の距離を調整し、次
いでこのリードにレーザ光を照射して、このリードの位
置を計測するようにしているので、チップの厚さ誤差等
のためにリードの下面の高さがばらついていても、レー
ザ光の最細部をリードの下面に照射して、リードの計測
を精密に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るＴＡＢデバイスのリードの計測中
の側面図
の側面図
【図２】同リードの計測図
【図３】同リードの計測中の要部側面図
１ 移載ヘッド ２ ノズル ４ レーザ光 Ｃ チップ Ｌ リード Ｐ ＴＡＢデバイス
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01B 11/00 - 11/30 G01N 21/84 - 21/91 H04N 21/64 - 21/66
Claims (1)
- 【請求項１】チップの下面からリードが外方へ水平に延
出するＴＡＢデバイスのリードの計測方法であって、移
載ヘッドのノズルに吸着されたＴＡＢデバイスのチップ
の下面にレーザ装置から発光されたレーザ光を照射し
て、その反射光を受光することにより、チップの下面の
高さを計測し、次いでこの計測されたチップの下面の高
さからリードの厚さを差し引くことによりリードの下面
の高さを求め、次いでリードの下面が上記レーザ光の最
細部に位置すべく上記リードとレーザ装置の距離を調整
し、次いでこのリードにレーザ光を照射して、このリー
ドの位置を計測することを特徴とするＴＡＢデバイスの
リードの計測方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3269237A JP3055252B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | Ｔａｂデバイスのリードの計測方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3269237A JP3055252B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | Ｔａｂデバイスのリードの計測方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05107024A JPH05107024A (ja) | 1993-04-27 |
| JP3055252B2 true JP3055252B2 (ja) | 2000-06-26 |
Family
ID=17469572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3269237A Expired - Fee Related JP3055252B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | Ｔａｂデバイスのリードの計測方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3055252B2 (ja) |
-
1991
- 1991-10-17 JP JP3269237A patent/JP3055252B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05107024A (ja) | 1993-04-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |