KR0151134B1

KR0151134B1 - 프로우브 장치

Info

Publication number: KR0151134B1
Application number: KR1019890010475A
Authority: KR
Inventors: 도오루 이케다
Original assignee: 고다까 토시오; 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤
Priority date: 1988-10-25
Filing date: 1989-07-24
Publication date: 1998-12-01
Also published as: KR900007081A; US4998062A

Abstract

내용 없음.

Description

프로우브 장치

제1도는 웨이퍼의 IC 칩을 검사대상으로 한, 본 발명에 관한 프로우브 장치의 1실시예의 요부를 나타낸 종단측면도.

제2도는 본 발명의 1실시예의 장치에서의 프로우브 카아드를 나타낸 평면도.

제3도는 본 발명의 1실시예의 장치에서의 마이크로 스트립 라인 유니트를 나타낸 종단 정면도.

제4도는 본 발명의 1실시예의 장치에서의 마이크로 스트립 라인 유니트를 나타낸 저면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

12 : 웨이퍼 14 : IC 칩(피검사체)

16 : 전극패드 22 : 프로우브 카아드

24 : 격리판 26 : 개구부

32 : 마이크로 스트립라인유니트(microstrip line unit)

34 : 절연기판(수정기판) 36 : 리이드 스트립(lead strip)

38 : 그라운드 스트립(ground strip) 42 : 프로우브

44 : 프로우브의 접점 46 : 잘라낸 부분

52 : 프린트 배선기판 54 : 제1돌기

56 : 제2돌기

본 발명은 반도체 웨이퍼에 형성된 IC, LSI 등의 전기적 특성을 측정하기 위한 프로우브(probe) 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 마이크로 스트립 라인(microstrip line) 기술에 의하여 각 프로우브를 형성한 프로우브 장치에 관한 것이다.

IC, LSI 등의 반도체 디바이스나, TV 화면을 구성하는 액정기판(LCD) 등에는 다수개의 전극이 배치되어 있고, 이들의 전기적특성 검사에 프로우브 장치가 이용되고 있다.

이러한 종류의 프로우브 장치에서는, 다수개의 프로우브 침이 소정의 배열로 프로우브 카아드에 착설되어 있다.

작업시에는, 프로우브침의 앞끝단이 피검사체의 전극패드에 접속되고, 이 접속상태에서 피검사체의 검사가 실행된다.

IC, LSI 등의 고집적화에 의하여 반도체 디바이스의 전극수가 증가되고 또한 미세화됨에 따라, 프로우브장치의 프로우브침도 마찬가지로 미세화 및 밀집화 하는 것이 요구되고 있다.

프로우브침의 미세화 및 밀집화는 프로우브침의 제작 및 착설을 복잡하게 한다.

특히 프로우브 침으로서 프로우브장치의 고주파특성을 양호하게 하는 동축 케이블 형상의 구조가 사용되는 경우는, 미세화 및 밀집화에 대응한 그의 정확한 제작 및 착설이 매우 곤란하게 되므로, 이것이 프로우브 장치의 신뢰성을 저하시키는 요인으로 되고 있다.

또한 프로우브 장치에는 검사작업의 자동화에 대응하는 것도 필요하게 되고 있다.

그러나 고집적화된 IC, LSI와 같이 미세화 및 밀집화된 다수개의 전극을 갖는 것을 검사하는 경우, 종래의 프로우브 침을 착설한 프로우브 카아드를 사용한 장치에서는, 프로우브 침의 성질상 여러가지 문제점이 발생한다.

예를들어 그의 1 예로서, 상기 구조의 장치에서는, 검사작업에 우선하여 각 침마다 신중위치 조정작업이 필요하게 된다. 상기 문제점에 대처하는 기술로서, 일본국 특공소 61-14659호 공보에서, 각 프로우브가 마이크로 스트립 라인 기술에 의하여 형성된 구조가 개시되어 있다.

마이크로 스트립 라인은, 전형적으로는 금속스트립-절연기판-금속스트립으로 이루어진 구조를 가지며, 고주파용의 배선기술로서 양호하게 알려져 있다.

상기 공보에 개시된 기술에서는, 피검사체의 전극 패드수와 동일한 수의, 개별적으로 형성된 마이크로 스트립라인이, 테스트기판 또는 프로우브 카아드의 아래편에 착설되어 있다.

각 스트립라인의 앞끝단부는 프로우브카아드 중앙의 개구부에서 돌출되도록 배치되어, 각 라인의 앞끝단부가 각 프로우브로서 기능을 발휘함과 동시에, 각 리이드 스트립(Leadstrip)의 앞끝단부가 각 프로우브의 접점으로서 기능을 발휘한다.

또한 이 개구부의 상부에는, 각 스트립 라인의 앞끝단부 즉 각 프로우브를 피검사체의 전극에 힘을 가하기 위한 눌러붙임용의 지그(gig)가 배열설치되고, 이 지그와 각 스트립라인과의 사이에는 완충제가 배열설치되어 있다.

이 구조의 이점은, 스트립라인 구조의 이용에 의하여 고주파 측정 특성이 우수할 뿐아니라, 종래의 구조에서의 프로우브의 위치 미세조정과 같은 작업이 불필요하게 된다.

그러나 고집적화에 따라, IC, LSI의 전극으로 되는 패드의 크기는, 한쪽변이 70∼100㎛이고, 패드사이의 거리는 예를들면 90∼130㎛ 정도로 되므로, 이 크기에 대응하기 위하여 필요로 하는 스트립 프로우브의 폭은 예를들면 60∼100㎛로 된다.

이로 인하여, 상기에서 설명한 바와 같이 모든 스트립 프로우브에 공용의 완충제를 끼워서, ㎛ 단위 폭의 각 스트립 프로우브를 각 전극패드에 밀어누르는 구조로서는, 양호한 전기적 접촉을 얻는 것은 매우 곤란하게 된다.

왜냐하면, 각 전극패드에는 높이에 불균형이 있으므로, 인접한 것끼리의 패드에 굴곡이 존재하기 때문이다.

또한 마이크로 스트립 라인에서는, 안정한 특성의 임피이던스를 얻기 위하여는, 피검사체의 패드에 접촉하는 리이드 스트립과는 반대쪽의 그라운드 스트립(Groundstrip)의 폭이 무한대인 것이 이상적으로 된다.

따라서 실제의 장치로서도, 리이드 스트립의 폭에 대하여 그라운드 스트립의 폭은 충분히 크게 확보할 필요가 있다. 그러나 상기 종래의 구조에서는 리이드쪽과 그라운드쪽과는 스트립폭이 거의 같게 되어 있다.

따라서 본 발명의 목적은, 고집적화된 IC, LSI와 같은 미세화 및 밀집화된 다수개의 전극에 대응하는 다수개의 프로우브가, 마이크로 스트립라인 기술에 의하여 정확히 배열설치된 프로우브 장치를 제공하는 데에 있다.

또한 본 발명의 다른 목적은, 각 프로우브와 피검사체위의 오목 볼록한 각 패드와의 전기적 접촉이 용이하고 또한 확실하게 할수가 있도록 함으로써, 검사작업의 자동화에 대응하여 확실한 검사를 행하는 것이 가능한 프로우브 장치를 제공하는 데에 있다.

또한 본 발명의 다른 목적은, 각 프로우브의 특성 임피이던스를 안정화함으로써, 고주파 특성이 우수한 프로우브 장치를 제공하는 데에 있다.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명 프로우브 장치에서는, 피검사체위의 복수개의 전극패드에 대응하는 각 프로우브가 마이크로 스트립 라인구조의 유니트에 일체적으로 형성된다.

상기 유니트는, 가요성을 갖는 절연기판과, 절연기판의 한쪽면에 배열설치된 리이드 스트립과, 절연기판의 다른쪽면에 배열설치된 그라운드 스트립 수단과로 이루어진다.

상기 리이드 스트립, 각각의 스트립이 독립하여 서로 절연되도록 형성되어 있다.

따라서, 상기 각 리이드 스트립과, 절연기판과, 그라운드 스트립수단과의 조합에 의하여 상기 각 전극 패드에 대응하는 각 마이크로 스트립라인이 형성되고, 상기 유니트의 앞끝단부에서 각 라인은 각 프로우브로서 기능을 발휘함과 동시에, 각 리이드 스트립의 앞끝단부는 프로우브의 접점으로서 기능을 발휘한다.

상기 유니트의 앞끝단부에는, 각 리이드스트립 사이에, 기판을 잘라내었을 때의 단면이 형성된다.

이 단면의 형성에 의하여 각 라인의 앞끝단부에서 구성되는 프로우브가 개별적으로 가동적인 가요성을 갖도록 이루어진다.

상기 유니트는 그의 앞끝단부가 소정의 각도, 바람직하게는 수평면에 대하여 15°± 5°의 각도로 상기 전극 패드를 향하여 경사지도록 지지된다.

이 각도의 형성에 의하여, 각 프로우브와 전극 패드와의 전기적 접속이 확실하게 된다.

상기 그라운드 스트립 수단은, 절연기판의 다른쪽 면의 실질적으로 전체면에 걸치는 1개의 스트립으로 형성된다.

안정한 특성의 임피이던스를 얻기 위하여는, 그라운드 스트립의 폭이, 리이드 스트립의 폭에 대하여 충분히 크게 확보되는 것이 바람직하다.

상기 유니트는, 그의 앞끝단부가 자유로운 끝단부로 되도록 지지되어 있다.

그러나 이 앞끝단부의 뒷면쪽에 쿠션(cushion)을 개재시키는 것도 가능하다.

상기 절연기판은, 수정의 광축, 즉, Z축이 면법선으로 되도록 잘려진 수정 박판으로 이루어진다.

수정의 잘라내는 면의 선택은, 에칭가공의 양호성을 고려하여 이루어지고 있다.

본 발명의 다른 특징 및 이점은, 첨부한 도면을 참조하면서 행하여지는 다음의 설명에 의하여 명백하게 된다.

제1도에 도시한 바와 같이, 피검사체인 웨이퍼(12)위의 IC 칩(14)에 대향하는 프로우브 장치의 테스트 헤드는 프로우브 카아드(22)를 주요부로 한다.

프로우브 카아드(22)의 지지체를 이루는 지지판(24)은, 제2도에 도시한 바와 같이, 중앙부에 개구부(26)를 갖고, 개구부의 주위에, 각 앞끝단부가 상기 개구부(26)를 향하도록 4개의 마이크로 스트립 라인 유니트(32)가 배열설치된다.

상기 각 마이크로 스트립 라인 유니트(32)는, 제3도에 나타낸 바와 같이, 절연기판(34)과, 이 한쪽면에 형성된 리이드 스트립(36)과, 다른쪽면에 형성된 그라운드 스트립(38)과로 이루어진다.

뒤에 설명하는 바와 같이, 각각으로 분할된 각 리이드 스트립(36)과, 절연기판(34)과, 그라운드 스트립(38)과의 조합에 의하여 피검사체의 전극 패드(16)에 대응하는 각 마이크로 스트립 라인이 형성된다.

상기 유니트의 앞끝단부에서 각 라인은 각 프로우브(42)로서 기능을 발휘함과 동시에, 각 리이드 스트립(36)의 앞끝단부는 각 프로우브의 접점(44)으로 기능을 발휘한다.

절연기판(34)은, 고절연성 물질인 수정의 단결정에서, 그의 광측, 즉, Z축이 면법선으로 되도록 잘라내어진 두께가 100㎛ 정도인 박판으로 이루어진다.

수정은, 본래 탄성이 낮은 재료(영률은 780000kgf/㎟)이지만, 기판은 그의 얇기가 따라 가요성을 갖는다.

이 가요성은, 열의 영향을 받기 어렵고 또한 시간의 경과에 따른 변화가 낮은 특성이다.

절연기판의 재료는 수정에 한정하지 않고, 예를들면 세라믹을 채용하는 것도 가능하다.

리이드 스트립(36)의 패턴은, 제4도에 도시한 바와 같이, 각각의 스트립(36)이 독립하여 서로 절연되도록 형성되고, 자유로운 끝단부쪽 즉 프로우브(42)쪽에서 IC 칩의 전극패드(16)에 상대한다.

각 리이드 스트립(36)은 원칙적으로 동일한 폭 및 길이로서 구성되어, 스트립의 길이에 의한 어긋남(신호간의 스큐(skew))이 발생하지 않도록 되어 있다.

단, 전원용의 라인은 신호용의 라인에 비하여 스트립의 폭을 크게하는 것이 바람직하다.

또한 각 리이드 스트립(36)은, 전송파의 반사를 방지하기 위하여, 각도를 갖고 구부러진 부분이 존재하지 않도록 배려되어 있다.

예를들면 직선부에서 직선부에로의 휘어짐은 원의 접선 방향을 따르는 원할한 곡선을 그리도록 하고, 또한 앞끝단은 곡면형상으로 가공하는 등의 대책이 실시되고 있다.

리이드 스트립(36)은 하기의 다중 금속층으로 이루어진다.

우선 수정기판(34)위에는, 수정에 대하여 도포성이 높은 크롬(Cr)이 500Å정도 두께의 층으로 형성되고, 그 위에 크롬에 대하여 도포성이 높은 금(Au)이 500Å정도 두께의 층으로 형성되어, 상기 크롬 및 금의 양쪽층이 기초막으로 기능한다.

그리고 상기 기초막의 위에, 전기적 검사 신호의 전송로로 이루어진 도전층이 3∼5㎛정도 형성되어 있다.

이 도전층의 재질은, 예를들면, 금, 은, 동 등의 전기 양도체로 이루어진다.

그라운드 스트립(38)은 수정기판(34)의 전체면에 걸쳐서 형성된 하나의 스트립으로 이루어진다.

따라서 이 구조에서는 그라운드 스트립(38)은 접지전극으로 된다.

원한다면, 리이드 스트립의 수에 대응하는 수의 스트립을 그라운드쪽에 형성하고, 각 그라운드 스트립의 폭을 각 리이드 스트립의 폭에 비하여 크게하는 것도 가능하다.

그라운드 스트립(38)의 다중금속층도 리이드 스트립의 다중금속층과 동일하다.

즉, 우선 수정기판(34) 위에는, 수정에 대하여 도포성이 높은 크롬(Cr)이 500Å정도 두께의 층으로 형성되고, 그 위에 크롬에 대하여 도포성이 높은 금(Au)이 500Å정도 두께의 층으로 형성되어, 상기 크롬 및 금의 양쪽층이 기초막으로 기능한다.

그리고 상기 기초막의 위에, 전기적 검사 신호의 전송로로 이루어지는 도전층이 3∼5㎛정도 형성되어 있다.

상기 마이크로 스트립라인 유니트(32)의 앞끝단부에는, 각 리이드 스트립, 즉, 각 프로우브(42) 사이에, 기판(34)을 쐐기 형상으로 잘라낸 부분(46)이 형성된다.

잘라낸 부분(46)은 에칭 기술에 의하여 형성되어, 약품(예를들면 불화암모늄(NH4F) 수용액)에 대한 수정의 면 방위(方位)에 의한 에칭 속도의 차가 이용된다.

잘라낸 길이는 1,875㎜, 폭은 개방끝단에서 50∼80㎛이고, 이들의 값은 상기 수정의 영률 (780000kgf/㎟) 및 두께(100㎛)를 고려하여, 각 프로우브에 대응하는 앞끝단부가 결정된다.

따라서 기판의 재료, 두께등의 조건이 다르게 되면, 바람직한 게 잘라낸 치수는 필연적으로 다르게 된다.

상기 마이크로 스트립라인 유니트(32)의 뒤끝단부는, 플렉시블 프린트 배선기판(52)의 한쪽끝단에 접속되어 있다.

이 프린트 배선기판(52)도 상기 유니트(32)와 마찬가지인 마이크로 스트립 라인 구조를 이루고, 상기 유니트(32)와 동일한 특성의 임피이던스 예를들면 50오옴을 갖는다.

다른쪽 상기 프린트 배선기판의 다른쪽끝단은 전기적 특성의 검사를 행하는 테스터(도시않됨)의 입출력단자에 직접 접속되어 있다.

이와같이 하여, 피검사체인 IC 칩의 전극패드(16)에서 테스터의 입출력단자 까지가 동일한 특성의 임피이던스 예를들면 50오옴을 갖는 배선으로 연결된 구조로 되므로, 100㎓ 이상의 주파수의 측정고주파를 사용하는 것이 가능하게 된다.

지지판(24)은, 절연성이고 또한 작업중에 휘어져서 변형되지 않는 세라믹등의 재료로 이루어지고, 그 중앙의 개구부(26)는, 피검사체인 IC 칩위의 모든 전극패드(16)를 포위하는 것 보다도 어느정도 큰 치수로 형성되어 있다.

상기 지지판(24)의 아래면에는, 이 지지판(24)과 상기 유니트(32)와를 접속하기 위한 제1돌기(54) 및 제2돌기(56)의 배열이 부설되어 있다.

제1돌기(54) 및 제2돌기(56)는 상기 개구부(26)의 주위를 둘러싸도록 방사방향으로 배열되고, 예를들면 개구부(26)의 각 변에 대응하여 제1돌기(54) 및 제2돌기(56)가 각각 2개씩 배열설치되어 있다.

각 돌기(54),(56)는 절연성 및 경질의 재료로 이루어지며, 수지계 접착제에 의해 지지판(24)의 아래면에 고정된다.

제1돌기(54) 및 제2돌기(56)는, 착설후의 상기 유니트(32)가 수평면에 대하여 15°± 5°의 각도로서 피검사체(14)를 향하여 경사지도록 의도되어 있다.

이로 인하여, 제1돌기(54)는 제2돌기(56)보다도 길고, 또한 각 돌기(54),(56)의 유니트 착설면은 수평면에 대하여 소정의 각도를 이루도록 형성되어 있다.

상기 각 유니트(32)는, 앞끝단부의 각 프로우브(42)가 피검사체의 전극 패드(16)와 대응하도록 위치 결정되어, 에폭시 수지계의 접착제에 의하여 돌기(54),(56)에 고정된다.

이 접착시, 유니트(32)의 뒤끝단부에는 이미 플렉시블 프린트 배선기판(52)이 접속된 상태로 되어 있고, 따라서 상기 유니트(32)의 접착과 병행하여, 상기 배선기판(52)이 지지판(24)의 아래면에 수지계 접착제에 의하여 고정된다.

도시한 실시예에서는, 지지판의 개구부(26)의 각 변에 대응하는 4개의 유니트(32)에 의하여 피검사체의 모든 전극 패드(16)와 동일한 숫자의 프로우브(42)를 제공하도록 되어 있다.

그러나 하나의 유니트에서 모든 전극 패드와 동일한 숫자의 프로우브를 제공하는 것도 가능하고, 예를들어 그와같은 예로서는 중앙에 프로우브가 접합된 개구부를 갖는 원반형상의 유니트가 고려된다.

단 도시한 실시예에서와 같이, 몇개의 유니트로 분할하여 모든 프로우브를 제공하는 쪽이, 프로우브가 고장일때에 불량 유니트만을 교환하면 좋고, 또한 프로우브의 위치수정을 행하기 쉬운 등의 이점이 있다.

상기 마이크로 스트립 라인 유니트(32)를 제조하는 공정의 예는 다음과 같다.

우선 스패터장치의 진공 챔버내에서, 상기 수정기판(34)의 양쪽면에, 수정에 대하여 도포성이 높은 크롬이 스패터렁되어, 그의 층이 제1의 기초막으로서 500Å정도의 두께로 형성된다.

계속해서 상기 크롬층위에, 크롬에 대하여 도포성이 높은 금이 스패터링되어, 그의 층이 제2의 기초막으로서 500Å정도의 두께로 형성된다.

그리고 또한 전해 도금에 의하여, 상기 기초막위에 전기 양도체의 금층이 3∼5㎛정도 도금됨으로써 도전층이 형성된다.

상기 도전층용의 금속으로서는, 금 대신에, 은, 구리 등의 전기 양도체도 사용이 가능하고, 이들 금속이 사용되는 경우는, 표면의 산화 방지를 위하여, 최후에 전해도금에 의하여, 금의 산화 방지층의 2㎛정도 배열설치하는 것이 바람직하다.

소정의 금속층이 형성된 후, 기판(34)의 양쪽면의 전체면에 레지스트가 도포되고, 노출 및 현상에 의하여 금속 스트립을 형성하는 부분이외의 레지스트가 제거된다.

그리고 웨트(wet) 에칭에 의하여 노출 금속층이 제거되어, 각 리이드 스트립 사이의 기판표면이 노출된다.

따라서 레지스트가 제거되면, 기판의 한쪽면에는 리이드 스트립(36)의 패턴이 얻어지고, 다른쪽면에는 그라운드 스트립(38)이 얻어진다.

다음에 기판(34)의 양쪽면의 전체면에 다시 레지스트가 도포되고, 노출 및 현상에 의하여 유니트 앞끝단부의 상기 잘라낸 부분(46)을 형성하는 부분의 레지스트가 제거된다.

그리고 불화암모늄(NH4F) 수용액 등의 부식액에 의한 웨트 에칭에 의하여 노출수정 부분이 제거되어, 잘라낸 부분(46)이 형성된다.

이때에, 수정의 면 방위에 의한 에칭속도의 차가 이용된다.

일반적으로, 불화암모늄에 대한 수정의 면 방위에 의한 에칭 속도는, X:Y:Z=6:1:100으로 되어 있고, 여기에서 Z는 수정의 광축, 즉, Z축방향, X는 Z축에 수직인 방향중 결정의 6각형의 대각선을 연결하는 X축방향, Y는 나머지의 Y축방향에서의 에칭 속도를 각각 나타낸다.

기판(34)은 Z축이 면법선으로 이루어지도록 잘려져 있기 때문에, 두께 방향에서 선택적으로 부식되고, 따라서, 소망의 치수의 잘라낸 부분이 정확히 형성된다.

이상의 조작에 의하여, 소망의 구조의 마이크로 스트립 라인 유니트(32)가 얻어진다.

다음에 본 발명에 관한 프로우브장치의 검사시에 있어서의 동작 상태를 설명한다.

우선 표면에 피검사체인 IC 칩(16)이 형성된 웨이퍼(12)가, 프로우브 장치의 프로우브 카아드(22)의 대향위치에 배치된다.

다음에 프로우브 카아드(22)가 실질적으로 고정된 상태에서, 웨이퍼(12)가 소정량만큼 상승되어, 각 프로우브의 접점(44) 즉 각 리이드 스트립(36)의 앞끝단부가, IC 칩의 전극 패드(16)에 맞닿게 된다.

그리고, 웨이퍼(12)가 더욱 상승되어, 즉, 오우버 드라이브가 걸린다.

이때, 잘라낸 부분(46)에 의하여 각 프로우브(42)마다 분할된 수정기판(34)의 앞끝단부 즉 자유로운 끝단부가, 그 자체의 가요성에 의하여 윗쪽으로 휘어져서, 각 프로우브의 접점(44)과 전극 패드(16)와의 사이의 밀접한 전기적 접속을 제공한다.

또한 피검사체의 전극 패드(16) 표면에 산화막이 형성되어 있거나, 오염되어 있는 경우에는, 상기 오우버 드라이브 조작에 의하여 표면이 벗겨져서, 소망의 전극 패드(16) 표면이 얻어지게 된다.

IC 칩의 전극 패드(16)는, 일반적으로 높이에 불균형이 있고, 인접된 것끼리의 사이에서 굴곡이 존재하지만, 수정기판의 앞끝단부의 잘라낸 부분(46)에 의하여 각 프로우브(42)가 독립하여 휘어지게 할 수가 있기 때문에, 상기 굴곡에 관계없이 확실한 전기적 접속이 달성된다.

각 테스터와 IC 칩(14)과의 전기적 접속상태에서, IC칩(14)의 입력전극에, 테스터에서 출력된 테스트신호가 프로우브(42)에서 인가되고, 다른쪽 IC칩(14)의 출력전극으로부터의 출력 신호가 다른 프로우브(42)에서 테스터로 피이드 백(feed back)되어, 소정의 검사가 행하여 진다.

검사에 있어서는, 프로우브의 접점으로부터 테스터의 출력단자까지가 동일특성의 임피이던스를 갖는 배선으로 연결된 구조로 되어 있기 때문에, 100㎓ 이상의 주파수의 측정고주파를 사용하는 것이 가능하게 된다.

검사 종료후에, 웨이퍼(12)가 강하되어, 프로우브(42)와 전극 패드(16)가 비접촉상태로 된다.

이때, 잘라낸 부분(46)에 의하여 각 프로우브(42)마다 분할된 수정기판(34)의 앞끝단부는, 그 자신의 반발력에 의하여 본래의 상태로 복귀된다.

이상 본 발명의 상세한 설명은, 첨부한 도면에 나타낸 바람직한 실시예에 따라 설명하였지만, 이들 실시예에 대하여는, 본 발명의 범위를 이탈함이 없이 여러 종류의 변경, 개량이 가능하게 되는 것은 명백하다.

Claims

피검사체(14)의 복수의 전극패드(16)에, 대응한 각 프로우브(42)를 접촉시켜서 전기적 특성을 측정하는 프로우브장치로서, 복수개의 상기 프로우브(42)를 제공하기 위한 마이크로 스트립라인 구조의 유니트(32)를 포함하고, 상기 유니트(32)는, 가요성의 절연기판(34)과, 이 절연기판의 한쪽면에 배열설치된 리이드 스트립(36) 및 상기 절연기판의 다른쪽면에 배열설치된 그라운드 스트립(38)으로 이루어지며, 상기 리이드 스트립(26)은, 각각의 스트립으로부터 독립하여 서로 전기적으로 절연되도록 형성되어 있고, 상기 절연기판(34)은, 그의 광축 또는 Z축이 상기 절연기판의 상기 양쪽면에 법선으로 되도록 절단된 수정박판을 포함하여 구성되며, 상기 절연기판(34)은 전체적으로 균일한 두께를 가지며, 각각의 상기 리이드 스트립(36)은 그 전체 길이에 걸쳐서 균일한 폭을 가지고, 상기 리이드 스트립(36) 및 상기 그라운드 스트립(38)은 상기 절연기판(34)의 앞끝단으로 연장되며, 각각의 상기 리이드 스트립은 상기 그라운드 스트립과의 사이에서 절연기판을 두고 그의 대응부분과 정렬되며, 상기 리이드 스트립(36) 사이의 위치에서 상기 절연기판(34)의 상기 앞끝단에 잘라낸 부분(46)이 형성되고, 각각의 상기 리이드 스트립(36)과, 상기 절연기판(34) 및 상기 그라운드 스트립(38)의 조합에 의하여, 각각의 상기 전극패드(16)에 대응하는 마이크로 스트립라인이 형성되고, 이 마이크로 스트립라인은, 그 전체길이에 걸쳐서 일정한 임피던스특성을 가지며, 상기 절연기판(34)의 상기 앞끝단부에서 상기 프로우브 중 하나로서 기능을 발휘함과 동시에, 상기 마이크로 스트립라인의 상기 리이드 스트립(36)의 앞끝단부는 상기 프로우브(42) 중 하나의 접점(44)으로서 기능을 발휘하는 것을 특징으로 하는 프로우브장치.
제1항에 있어서, 상기 유니트(32)가 상기 전극패드(16)를 향하여 경사진 상기 절연기판(34)의 상기 앞끝단부에 지지되는 것을 특징으로 하는 프로우브장치.
제1항에 있어서, 각각의 상기 리이드 스트립(36)이 크롬을 함유하고, 상기 절연기판(34)과 접촉되는 기초막을 가지는 것을 특징으로 하는 프로우브장치.
제1항에 있어서, 상기 유니트(32)는, 유니트의 앞끝단부가 자유로운 끝단부로 기능하도록 지지하는 것을 특징으로 하는 프로우브장치.
제1항에 있어서, 상기 그라운드 스트립(38)이 절연기판(34)의 다른쪽면의 전체면에 걸쳐서 연장된 단일 스트립으로 형성되는 것을 특징으로 하는 프로우브장치
제2항에 있어서, 상기 유니트(32)의 앞끝단부가 가상적인 수평면에 대하여 15°± 5°의 각도로 상기 전극패드(16)를 향하여 경사지도록 지지되는 것을 특징으로 하는 프로우브장치.
제1항에 있어서, 상기 프로우브장치가 상기 피검사체의 고주파 전기특성을 측정하는 것을 특징으로 하는 프로우브장치.