JPS6317540A - プロ−ブカ−ド - Google Patents

プロ−ブカ−ド

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Publication number
JPS6317540A
JPS6317540A JP16223986A JP16223986A JPS6317540A JP S6317540 A JPS6317540 A JP S6317540A JP 16223986 A JP16223986 A JP 16223986A JP 16223986 A JP16223986 A JP 16223986A JP S6317540 A JPS6317540 A JP S6317540A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
film
insulating film
section
coated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16223986A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Ogiwara
康次 荻原
Kazunari Ozaki
一成 尾崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP16223986A priority Critical patent/JPS6317540A/ja
Publication of JPS6317540A publication Critical patent/JPS6317540A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [概要] 先端と配線接続部との間のプローブ中央に絶縁膜と金属
膜を同軸状に被覆し、金属膜を接地したプローブを設け
たプローブカードとする。
このようなプローブカードは、プローブ試験の信頼性を
向上させる。
[産業上の利用分野] 本発明はプローブ試験装置に付設させるプローブカード
の改善に関する。
従来、ICなどの半導体装置は、半導体ウェハー上に多
数の素子が形成され、これを個々のチップに分割する前
に、プローブ(probe  ;探針)を接触させて、
それらの素子の電気的特性の良否を判別しており、これ
をウェハーのプローブテストと呼んでいる。
これは、ウェハー状態で予めプローブテストを行なって
おけば、不良チップをパッケージに組み込む工数とパッ
ケージ等の材料が節約されるからで、このようなプロー
ブテストを経ると、半導体装置製品は殆ど100%に近
い収率が得られる。そのため、ウェハーのプローブテス
ト、即ち、ウェハー試験は出来るだけ精度の高いことが
望まれている。
〔従来の技術〕
第4図はプローブ試験装置のうち、プローブ。
テストヘッド部分の断面概要を示しており、lはテスト
ステーション、2はパフォーマンスポード。
3はコンタクトリング、4はインサートリング。
5はプローブカード、6はウェハー、7は可動ステージ
、8は架台である。
このプローブカード5が本考案に関しており、プローブ
カードはICの品種によって取り替える必要がある。そ
れは、トランジスタ単体やICの品種毎にプローブが接
触するウェハーの電極パッドの位置が異なるためで、そ
のため、品種毎に特定したプローブカードが作成されて
いる。
第5図(a)、 (b)はプローブカード5を示してお
り、同図(a)は平面図、そのAA’断面が同図(b)
である。
図において、11はプローブ、12は絶縁基板、 13
は突起部、14は環状の電源電極パターン、15は同じ
く環状の接地パターンである。絶縁基板12は直径士数
国、厚さ5鶴程度で、中央に20〜30inφの空孔が
開けてあり、プローブ11は長さ20〜30m、直径数
十μmの細い金属線で、タングステンやパラジウムから
なり、先端は30μmφ以下に尖らしてあり、その先端
部がウェハーの電極パッド(図示していない)に接触し
て試験が行われる。なお、プローブ11の本数は少ない
場合は数本、多い場合は100〜200本もあり、プロ
ーブ11の先端のプローブ相互の間隔(ウェハーの電極
間隔に等しい)は、例えば、100〜300μm程度で
、このように、プローブカードは極めて微細で複雑な構
造である。
更に、第5図(C)は同図(′b)の部分拡大図を示し
ており、絶縁基板12には多数のパターンやスルーホー
ルが設けられているが、これらの図には環状の電源電極
パターン14.接地パターン15の他は図示していない
。また、電源電極パターン14.接地パターン15も種
々の構成が考えられ、上記図に限定されるものでなはな
い。
[発明が解決しようとする問題点] ところで、このような従来のプローブカードをテストヘ
ッドに取付けて、プローブ試験をおこなうと、プローブ
11は上記のような細く長い金属の裸線であるから、イ
ンピーダンスが高くて、ノイズが多く、測定マージン(
測定値の許容範囲)が大きくとれない問題がある。ノイ
ズはプローブ試験装置が載置された測定室の空調設備や
プローブ試験装置の主設備、即ち、コンピュータから拾
ってくるものである。
また、プローブ相互間が接触し易いと云う欠点もある。
本発明は、これらの欠点を解消させるプローブカードを
提案するものである。
[問題点を解決するための手段] その目的は、信号用プローブの接続部とプローブの尖っ
た先端部との間に絶縁膜を同軸状に被覆し、該絶縁膜上
に金属膜を同軸状に被覆して、該金属膜を接地したプロ
ーブを備えたプローブカードによって達成される。
[作用] 即ち、本発明は、先端と配線接続部との間のプローブ中
央に絶縁膜と金属膜を同軸状に被覆し、金属膜を接地し
たプローブを複数または単数設けたプローブカードにす
る。
そうすると、プローブ試験の際に、インピーダンスが低
く安定し、接地がカード面で強化されて、クロストーク
が減少し、プローブとプローブカード間のインピーダン
スマツチングが容易になる。
[実施例] 以下、図面を参照して実施例によって詳細、に説明する
第1図(a)、 (b)は本発明にかかるプローブ20
の断面図を示しており、同図(a)のBB’断面が同図
fb)である。この本発明にかかるプローブ20は金属
針からなるプローブ芯線21に絶縁膜22を被着し、そ
の上に金属膜23を蒸着したもので、例えば、プローブ
芯線21は従来のプローブ11と同様に50μmφのタ
ングステン線で、形成法は、プローブの先端部と後端部
をマスクし、プローブの露出面に化学気相成長法によっ
て膜厚20.+1m程度の酸化シリコン膜(絶縁膜)を
被着し、更にその上に膜厚10μm程度のアルミニウム
膜を蒸着して形成する。また、有機樹脂膜を薄く均一に
塗布できれば、絶縁膜22は有機樹脂膜を塗布してもよ
い。
且つ、本発明にかかるプローブ20の断面形状に形成す
るために、個々にプローブ芯線21に絶縁膜と金属膜を
被覆するのが望ましいが、被覆工程途中でプローブカー
ドに取付けて、その後に第1図に示すプローブ20に完
成させても良い。例えば、プローブ芯線21に絶縁膜2
2のみ被覆し、次いで、カードに取付けた後、金属膜を
蒸着する方法を用いる。
なお、このように同軸状に゛被覆して太くしても、全体
の直径は110μmφ程度になり、プローブの先端にお
けるプローブ相互間隔が100μm程度になっても充分
に対処できる。
第2図は第5図(C1に対応したプローブカードの部分
図で、図示のように、本発明にかかるプローブ20は金
属膜23を接地部15に接続して、表面を接地状態にす
る。これは、接地パターン15をプローブカードの適所
に配置すれば、半田付けして接続が可能である。
また、プローブカードにおけるプローブ20の相互間隔
が余りに狭くなる場合(今後は100μmの間隔より狭
くなることも予想される)は、複数本を同時に絶縁膜で
被覆し、更に、その上を金属膜で被覆してもよい。第3
図(a)は前記の1本のプローブ20の先端部分の斜視
図であるが、同図(b)に3本のプローブ30を同時に
被覆した先端部分の斜視図を示している。
このような、本発明にかかるプローブカードを′用いれ
ば、インピーダンスが安定し、クロストークが減少する
等の効果がある。
なお、本発明にかかるプローブ20の本数は、信号用プ
ローブの本数によって決まり、通常は複数本が設けられ
るが、2〜5本のプローブのみを有するプローブカード
では1本のみを本発明にかかるプローブ20の構造にす
る場合もある。
[発明の効果] 以上の説明から明らかなように、本発明によればプロー
ブカードのインピーダンスが安定し、ノイズが低減する
等の効果があり、プローブ試験の信鎖性が高くなって、
測定マージンを小さくできて、ICの品質向上1歩留向
上に寄与するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)、 (blは本発明にかかるプローブを示
す図、第2図は本発明にかかるプローブを取付けたプロ
ーブカードの部分断面図、 第3図(al、 (b)は本発明にかかるプローブの斜
視図、第4図はプローブテストヘッドの概要図、第5図
(al、 (b)、 (C1はプローブカードの概要図
である。 図において、 5はプローブカード、 11は従来のプローブ、 12は絶縁基板、 15は接地パターン、 20、30は本発明にかがるプローブ、21はプローブ
芯線、 22は絶縁膜、 23は金属膜、 を示している。 第1図 第2図 /$襄g月にj、かき7O−7−t+軒卓見図第3図 ’7’O−7°°テスμへ’/F”/l邦1雫イコ第4
図 7°ローフ・〃−ド司看Iすl刀 第5図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 絶縁基板と、絶縁基板上の信号用配線と、絶縁基板上の
    接地用配線と、プローブとからなるプローブカードにお
    いて、信号用プローブの配線接続部とプローブの尖つた
    先端部との間に絶縁膜を同軸状に被覆し、該絶縁膜上に
    金属膜を同軸状に被覆して、該金属膜を接地したプロー
    ブを備えてなることを特徴とするプローブカード。
JP16223986A 1986-07-09 1986-07-09 プロ−ブカ−ド Pending JPS6317540A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16223986A JPS6317540A (ja) 1986-07-09 1986-07-09 プロ−ブカ−ド

Applications Claiming Priority (1)

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JP16223986A JPS6317540A (ja) 1986-07-09 1986-07-09 プロ−ブカ−ド

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6317540A true JPS6317540A (ja) 1988-01-25

Family

ID=15750627

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16223986A Pending JPS6317540A (ja) 1986-07-09 1986-07-09 プロ−ブカ−ド

Country Status (1)

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JP (1) JPS6317540A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4998062A (en) * 1988-10-25 1991-03-05 Tokyo Electron Limited Probe device having micro-strip line structure
US5365829A (en) * 1992-12-28 1994-11-22 Aida Engineering, Ltd. Transfer driver for pressing machine
JP2010071718A (ja) * 2008-09-17 2010-04-02 Japan Electronic Materials Corp プローブカード

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4998062A (en) * 1988-10-25 1991-03-05 Tokyo Electron Limited Probe device having micro-strip line structure
US5365829A (en) * 1992-12-28 1994-11-22 Aida Engineering, Ltd. Transfer driver for pressing machine
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