JP2971706B2 - プローブカード及び同軸プローブ針の端末処理方法 - Google Patents

プローブカード及び同軸プローブ針の端末処理方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体ウエハ等
の被検査体の電気的特性を検査するプローブ装置に用い
られるプローブカード及び同軸プローブ針の端末処理方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】周知の如く、半導体製造プロセスにおい
ては、半導体ウエハ上に精密写真技術等を用いて所定の
回路パターンを持つ多数のチップ(半導体デバイス)が
配列して形成される。これらチップの電気的特性の検査
(試験判定)は、各チップが分割される前の半導体ウエ
ハの状態で、プローブ装置(別名:ウエハプローバ)に
より行われる。この検査結果、良品と判定された半導体
チップのみを、次のボンディングやパッケージィング工
程に送り、最終製品の歩留まりの向上を図るようにして
いる。
【0003】ここで、そのプローブ装置は、特開昭64
−73632号公報等に示されているようなもので、メ
インステージにはX−Y−Z−θ方向に移動制御可能に
構成されたウエハ載置台が備えられており、このウエハ
載置台の上方には、半導体ウエハのチップの電極パッド
に対応した多数のプローブ針を備えたプローブカードが
固定支持されている。
【0004】そして、ウエハ載置台上に被検査体である
半導体ウエハを載置し、そのウエハ載置台をX−Y−Z
−θ方向に移動制御して、この上面に保持した半導体ウ
エハ上の各チップの電極パッドにプローブカードの各プ
ローブ針の先端を接触させ、これでそのプローブ針を介
しプローブカードの更に上方に配するテスタヘッド並び
に外部テスタとの電気的接続を行って、そのテスタによ
り該半導体チップの電気的特性の測定検査を行うように
なっている。
【0005】このようなプローブ装置に用いられるプロ
ーブカードは、このプリント基板に対し各プローブ針の
針杆部を斜めにして取付けた斜針タイプのものが主流で
あっが、近年の半導体素子の高集積化に伴い、半導体ウ
エハ上に形成されるチップの単位面積当たりの電極パッ
ド数の増加、並びにその電極パッドの大きさ及び配置間
隔の縮小化が進み、これに対し、前述の斜針タイプのプ
ローブカードでは該プローブ針の実装本数に限界があっ
て対処できなくなって来た。
【0006】そこで、最近では、前記斜針タイプのプロ
ーブカードに代わって、例えば特公平2−28828
報等に開示されている垂直針タイプの多ピン用高密度
プローブカード(VTPC)が開発されて実用化されつ
つある。
【0007】この垂直針タイプのプローブカードでは、
プリント基板の導電パターンに基端(端末)を半田付け
により接続固定した各プローブ針を、放物線状に彎曲し
て、該プリント基板の中央開口からその下部の針接着固
定部の小孔に挿入してエポキシ樹脂等により接着固定
し、先端側部を下側のガイド板の小孔に挿通案内させ
る。これで、各プローブ針の途中接着固定部から先端側
部が被検査体に対し略垂直状態に配列することになるの
で、前述の斜針タイプのものよりプローブ針の実装本数
の大幅な増加、即ち実装針の狭ピッチ化及び多数本化が
可能となる。
【0008】ところで、近年の例えば16メガDRAM
のチップのように、電極パッドの大きさが約60〜80
μm 角で、その配列ピッチは約100μm 程度のものが
対象の場合、針先を15μm 程度に尖鋭とした外径が約
70μm 程度の極細のプローブ針を電極パッドの配列と
対応して微細ピッチで多数本垂直に高密度実装する必要
がある。
【0009】しかも、その各プローブ針は、接触抵抗の
低減と耐久性とを図るべく金と銅(Au−Cu)の合金
製とし、且つ前記接着固定部から先端側(垂直に配して
オーバードライブにより座屈する部分)は前述の如く約
70μm 程度の極細としても、それより上側の基端側部
は剛性強度のアップ並びに導体抵抗の低減を図るべく一
段太く(200μm )程度に成形する必要がある。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】前述した垂直針タイプ
の高密度プローブカードにおいては、プローブ針を極細
にして多数本微細ピッチで実装する場合、その各プロー
ブ針の特性インピーダンスやシールド性などを考慮する
ことにより、テスタ側とのインピーダンス不整合による
電気的反射や針相互のクロストークによる異常なリンギ
ング発生を防止する必要があり、このために、各プロー
ブ針は、導電針体(中心導体)と、この先端側を除いた
外周を覆う誘電体(内部絶縁体)と、この更に外周を覆
う外部導体(シールド等)と、この更に外周を覆うシー
ス(外部絶縁被覆)とにより、テスタ側と出来るだけマ
ッチングした特性インピーダンスを持つ同軸ケーブル状
の構成とすることを考えた。
【0011】しかしながら、このプローブ針を同軸ケー
ブル状としても、前述の如く超高密度実装の場合、各プ
ローブ針の基端側端末の処理に問題が発生した。即ち、
同軸ケーブル状に構成した多数本のプローブ針は、この
導電針体(中心導体)の基端側端末をプリント基板の各
パターン電極に半田付けにより接続固定する一方、その
各プローブ針の外部導体(シールド等)のアースを取り
たいが、そのアースを取るスペースがプリント基板上に
無い。
【0012】つまり、同軸ケーブル状に(シールド処
理)したプローブ針の外径寸法は略0.8 mm程度となる
が、通常の多ピン用高密度プローブカード(VTPC)
のプリント基板を用いた場合、そのスペース的な制約
で、各プローブ針の導電針体の基端側端末を半田付けす
る各パターン電極は、該プリント基板上に1mm〜1.5mm
程度の狭ピッチで配列する必要があり、その狭ピッチの
パターン電極の相互間に、該電極と同一平面上で絶縁距
離を確保して、各プローブ針の外部導体(シールド等)
の端末を半田付けするアース用導電層(ベタグランド)
を設けることはスペース的に不可能である。
【0013】本発明は前記事情に鑑みなされ、その目的
とするところは、プリント基板の平面スペースを立体的
に活用して、多数本の同軸プローブ針端末のパターン電
極への接続とアース処理とが、相互に充分な絶縁距離を
保って非常に簡単確実に図れて、テスティング特性の一
層の向上に役立つ高密度実装のプローブカード及び同軸
プローブ針の端末処理方法を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために、基端側端末をプリント基板に固定し先端
を被検査体に圧接して電気的接続を行う多数本のプロー
ブ針を備えたプローブカードにおいて、前記プローブ針
は、導電針体と、この先端側を除いた外周を覆う誘電体
と、この更に外周を覆う外部導体と、この更に外周を覆
うシースとにより、同軸ケーブル状に構成する一方、前
記プリント基板に導電層を有したアース基板を重設し、
このアース基板の孔に前記プローブ針の誘電体の端末を
引き込んで前記導電針体の端末を該アース基板の導電層
と絶縁状態にして貫通しプリント基板のパターン電極に
接続固定すると共に、前記外部導体の端末を該アース基
板の導電層に接続固定したことを特徴とする。
【0015】本発明の同軸プローブ針の端末処理方法
は、前記構成のプローブカードを簡単に得るために、プ
ローブカードのプリント基板に導電層を有したアース基
板を重設し、このアース基板の孔に同軸ケーブル状のプ
ローブ針の誘電体の端末を引き込んで、その中心の導電
針体の端末を該アース基板の導電層と絶縁状態にして貫
通しプリント基板のパターン電極に接続固定すると共
に、前記外部導体の端末を該アース基板の導電層に接続
固定することを特徴とする。また、前記プローブカード
及び同軸プローブ針の端末処理方法における前記アース
基板の絶縁性の樹脂プレートに段付き孔を形成し、この
段付き孔の大径部に前記誘電体の端末を引き込んで固定
したことを特徴とする。
【0016】
【作用】前記構成のプローブカード及び同軸プローブ針
の端末処理方法であれば、プリント基板に、導電層を有
したアース基板を重設したので、該プリント基板の狭ピ
ッチで配列する多数のパターン電極とアース基板のアー
ス用導電層とを、同一平面上に無理やり存在させること
なく、上下に別けて立体的に配することができ、しか
も、そのアース基板に穿設した孔に同軸ケーブル状のプ
ローブ針の誘電体の端末を引き込むことで、その中心の
導電針体を該アース基板の孔に導電層と確実に絶縁させ
て貫通でき、その状態で導電針体の端末をプリント基板
のパターン電極に接続固定すると共に、前記外部導体の
端末を該アース基板の導電層に接続固定したので、高密
度実装の多数本の同軸プローブ針端末のパターン電極へ
の接続とアース処理が、相互に充分な絶縁距離を保って
非常に簡単確実に行い得て、優れたテスティング特性を
持つ垂直針タイプの高密度実装プローブカードとして最
適となる。
【0017】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面により説明す
る。まず、図2は半導体製造プロセスにおいて半導体ウ
エハW上に形成したチップ(半導体デバイス)の電気的
特性を検査(試験判定)するプローブ装置(別名:ウエ
ハプローバ)の一部分を断面で示している。
【0018】このプローブ装置は、この基台(図示せ
ず)の略中央のメインステージにX−Y−Z−θ方向に
移動制御可能に構成されたウエハ載置台1が備えられ、
このウエハ載置台1の上面に被検査体である半導体ウエ
ハWを真空チャックして水平状態に位置決め保持でき
る。
【0019】一方、そのウエハ載置台1の上方には、前
記基台と平行に設けられたヘッドプレート及びインサー
トリングにカードホルダー(いずれも図示せず)を介し
て本発明のプローブカード2が固定支持されていると共
に、その上側にコンタクトリング3並びにテストヘッド
4が設置され、外部テスタ5と接続されている。
【0020】前記プローブカード2は、半導体ウエハW
の高密度・高集積化に対処すべく、プローブ針31の実
装本数の大幅な増加、即ち実装針の狭ピッチ化及び多数
本化を図った垂直針タイプの超高密度針プローブカード
である。
【0021】この垂直針タイプの超高密度針プローブカ
ード2の構成を以下に述べると、まず、プローブカード
本体として、中央に開口21aを持つプリント基板21
と、この上側に重設された同じく中央に開口22aを持
つアース基板22と、前記プリント基板21の下側に次
々と位置決めピンや締結ねじ(図示せず)等により同心
的に固着された各々中央に開口を持つリング状の固定ブ
ロック23,24,25,26と、これら固定ブロック
内部空間の上部寄りに固定ブロック24,25により挟
持するかたちで水平に固定された針接着固定板27と、
同様に固定ブロック内部空間の下端部に固定ブロック2
6に嵌着して水平に固定された上下2枚のガイド板2
8,29とが備えられている。
【0022】その針接着固定板27とガイド板28,2
9は、絶縁性の樹脂プレートで、それぞれに針挿通用の
小孔27a,28a,29a(図1参照)が下記の針実
装本数並びに配列に対応して多数穿設されている。
【0023】前記プリント基板21は、中央開口21a
の周囲に図1に示す如く孔開きパターン電極21bが狭
ピッチ(1mm〜1.5mm程度)で多数個配設されてい
る。前記アース基板22は、前記プリント基板21の上
面に位置決めピンや締結ねじ等により同心的に位置決め
固定されている。このアース基板22は、片面銅張絶縁
基板或いはベタグランドと称するもので、絶縁性の樹脂
プレート22bの上面に銅箔等を貼着することで導電層
22cが設けられて、この導電層22cがリード端子2
2dを介してプリント基板21のグランドパターンに電
気的に接続されている。
【0024】また、このアース基板22には、上面の導
電層22cから絶縁性の樹脂プレート22bに貫通して
孔22eが、前記プリント基板21の各パターン電極2
1bの孔と対応して多数形成されている。この孔22e
は上半部分が比較的大径な段付き孔(座ぐり孔)とされ
ている。
【0025】こうしたプローブカード2にプローブ針3
1が多数本(図2には3本のみ示したが、実際には約1
5mm2 内に約1500〜2000本程度)実装されてい
る。即ち、各プローブ針31は、先端側部を上側の針接
着固定板27の各小孔27aに上方から一本ずつ垂直に
挿入して、その各針先を下側のガイド板28,29の小
孔28a,29aに通して下方に僅かに突出する状態と
なし、この状態で前記針接着固定板27上にエポキシ樹
脂等の接着剤32を充填して該プローブ針31の途中を
接着固定する。これで各プローブ針31の途中の接着固
定部から先端側が被検査体であるウエハWに対し各々略
垂直状態で微細ピッチで配列支持されている。
【0026】一方、その各プローブ針31の途中の接着
固定部から上側の基端側部は、前記プリント基板21と
アース基板22との中央開口21a,22aを介して上
方に延出して外周方に向け放物線状に彎曲させられ、そ
の各基端側端末が後述する如く該アース基板22とプリ
ント基板21とに接続処理されている。
【0027】ここで、前記各プローブ針31は、図1に
示す如く、中心導体として実装される導電針体33と、
この導電針体33の座屈可能な先端側部33aを除いた
外周を覆う誘電体(内部絶縁体)34と、この更に外周
を覆う外部導体(シールド等)35と、この更に外周を
覆うシース(外部絶縁被覆)36とから同軸ケーブル状
に構成されている。
【0028】その導電針体33は、接触抵抗の低減と耐
久性とを図るべく金と銅(Au−Cu)の合金製で、且
つ電極パッドPの大きさが約60μm 角で、その配列ピ
ッチは約100μm 程度の高集積化・高密度の半導体チ
ップを検査対象とすべく、途中の接着固定部付近(固定
板27の少し上部)から先端側部(下方に略垂直に突出
する部分)33aが外径約70μm 程度の極細とされ、
更にその先端の針先33bが円錐形状に尖鋭化されて、
直径15μm 程度の平坦面に成形されている。なお、そ
の先端側部33aは全長が略15mm程度とされ、その途
中(固定板27とガイド板28との間)に略10mm程度
の長さの座屈部33cを有し、針先33bが下側のガイ
ド板29より略250μm 程度下方に突出されている。
【0029】また、その導電針体33は、剛性強度のア
ップ並びに導体抵抗の低減を図るべく、前記途中の針接
着固定部(固定板27の少し上部)より上側に伸びる基
端側部33dが、プリント基板21のパターン電極21
bに半田付け固定される基端(端末)33eまでに亘
り、前記先端側部33aより一段太い所要の外径寸法
(略200μm 程度)に成形されている。
【0030】この導電針体33の座屈可能な先端側部3
3aを除いた基端側部33dの外周を覆う誘電体(内部
絶縁体)34は、厚さが0.158mmで外径が0.57
mm程度のFEP製であり、この更に外周を覆う外部導体
(シールド等)35は、錫めっき軟銅製の編組シールド
素線よりなり、この更に外周を覆うシース(外部絶縁被
覆)36は、厚さ0.025mmの仕上げ標準外径0.8
mm程度のミレン材製である。これでテスタ5側と出来る
だけ整合する所望の特性インピーダンス(約50Ω程
度)を持つ同軸ケーブル状に構成されている。
【0031】この同軸ケーブル状のプローブ針31の基
端側端末処理を述べると、図1に示す如く、その各プロ
ーブ針31の誘電体34の端末34aを前述したアース
基板22の段付き孔22e内に上方から少し引き込み、
これでその中心の導電針体33の端末33eを該アース
基板22の導電層22cと絶縁状態としてプリント基板
21のパターン電極21bに貫通し、この状態で、該導
電針体33の端末33eをプリント基板21のパターン
電極21b下面に半田付けにより接続固定すると共に、
その外周を覆う外部導体(シールド等)35の端末を3
5aを少し剥き開き、これをアース基板22上面の導電
層(ベタグランド)22cに半田付けして接続固定して
いる。
【0032】こうした構成のプローブカード2では、プ
リント基板21上に、導電層22cを有したアース基板
22を重設したので、該プリント基板21の狭ピッチで
配列する多数のパターン電極21bとアース基板22の
アース用導電層22cとを上下に別けて配することがで
き、即ちプリント基板21の上面スペースを立体的に有
効活用でき、しかも、そのアース基板22に穿設した孔
22eに同軸ケーブル状のプローブ針31の誘電体34
の端末34aを少し引き込むことで、導電針体33を該
アース基板22の孔22eに導電層22cと確実に絶縁
させて貫通できる。従って、導電針体33の端末33e
のパターン電極21bへの接続固定と、外部導体35の
端末35aのアース基板22の導電層22cへの接続固
定とが、相互に充分な絶縁距離を保って非常に簡単確実
に行い得るようになる。
【0033】こうした端末処理により、同軸ケーブル状
のプローブ針31を高密度で多数本実装して用いること
が可能となり、テスター5側とのインピーダンス整合が
図れて電気的反射が低減すると共に、微細ピッチで配列
していてもクロストークが抑えられ、異常なリンギング
の発生を防止でき、優れたテスティング特性が得られる
ようになり、なお、そのテスティングは、プローブ装置
のウエハ載置台1上に半導体ウエハWを載置し、そのウ
エハ載置台1をX−Y−Z−θ方向に移動制御して、こ
の上面に保持した半導体ウエハW上の各チップの電極パ
ッドPにプローブカード2の各プローブ針31の針先を
接触させ、これでそのプローブ針31とプローブカード
2の上方に配するコンタクトリング3並びにテストヘッ
ド4を介して外部テスタ5を電気的に接続し、そのテス
タ5により該半導体チップの電気的特性の測定検査を行
うようになる。
【0034】そのウエハ載置台1を上昇させて半導体ウ
エハWのチップの電極パッドP面を各プローブ針31の
針先に接触させた際、そこで更にオーバードライブ(ウ
エハ載置台1の上昇)をかけて、各プローブ針31を前
記接着固定部(固定板27)と下側ガイド板28との間
で図示想像線で示す如く座屈させながら、それぞれ電極
パッドPに対する所要の接触面圧を確保し、この圧接状
態で、更に前記ウエハ載置台1を水平方向に数回微細変
位させて、該電極パッドP面の酸化皮膜を針先で掻き取
ることで、各プローブ針31と電極パッドPとの確実な
電気的接続を行うようにする。
【0035】
【発明の効果】本発明のプローブカード及び同軸プロー
ブ針の端末処理方法は、前述の如く構成したので、同軸
ケーブル状のプローブ針を多数本狭ピッチで高密度実装
しても、プリント基板とこれに重合するアース基板とに
より平面スペースを立体的に有効活用できて、各プロー
ブ針端末のパターン電極への接続とアース処理とが、相
互に充分な絶縁距離を保って非常に簡単確実に図れて、
テスティング特性の向上に役立つ効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のプローブカードの一実施例を示す一部
省略した要部拡大断面図。
【図2】同上実施例のプローブカードを用いたプローブ
装置の一部省略した断面図。
【符号の説明】
2…プローブカード、21…プリント基板、21b…パ
ターン電極、22…アース基板、22c…導電層、22
e…孔、31…プローブ針、33…導電針体、33e…
基端側端末、34…誘電体、34a…誘電体端末、35
…外部導体、35a…外部導体端末、36…シース、W
…被検査体(半導体ウエハ)。

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基端側端末をプリント基板に固定し先端
    を被検査体に圧接して電気的接続を行う多数本のプロー
    ブ針を備えたプローブカードにおいて、前記プローブ針
    は、導電針体と、この先端側を除いた外周を覆う誘電体
    と、この更に外周を覆う外部導体と、この更に外周を覆
    うシースとにより、同軸ケーブル状に構成する一方、前
    記プリント基板に導電層を有したアース基板を重設し、
    このアース基板の孔に前記プローブ針の誘電体の端末を
    引き込んで前記導電針体の端末を該アース基板の導電層
    と絶縁状態にして貫通しプリント基板のパターン電極に
    接続固定すると共に、前記外部導体の端末を該アース基
    板の導電層に接続固定したことを特徴とするプローブカ
    ード。
  2. 【請求項2】 プローブカードのプリント基板に導電層
    を有したアース基板を重設し、このアース基板の孔に同
    軸ケーブル状のプローブ針の誘電体の端末を引き込ん
    で、その中心の導電針体の端末を該アース基板の導電層
    と絶縁状態にして貫通しプリント基板のパターン電極に
    接続固定すると共に、前記外部導体の端末を該アース基
    板の導電層に接続固定することを特徴とする同軸プロー
    ブ針の端末処理方法。
  3. 【請求項3】 前記アース基板の絶縁性の樹脂プレート
    に段付き孔を形成し、この段付き孔の大径部に前記誘電
    体の端末を引き込んで固定したことを特徴とする請求項
    1記載のプローブカード。
  4. 【請求項4】 前記アース基板の絶縁性の樹脂プレート
    に段付き孔を形成し、この段付き孔の大径部に前記誘電
    体の端末を引き込んで固定したことを特徴とする請求項
    2記載の同軸プローブ針の端末処理方法。
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