JPS5826530Y2 - プロ−ブカ−ド - Google Patents

プロ−ブカ−ド

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Publication number
JPS5826530Y2
JPS5826530Y2 JP1980073548U JP7354880U JPS5826530Y2 JP S5826530 Y2 JPS5826530 Y2 JP S5826530Y2 JP 1980073548 U JP1980073548 U JP 1980073548U JP 7354880 U JP7354880 U JP 7354880U JP S5826530 Y2 JPS5826530 Y2 JP S5826530Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
board
probes
probe card
layer
Prior art date
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Expired
Application number
JP1980073548U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS56174849U (ja
Inventor
康良 吉光
昌男 大久保
Original Assignee
日本電子材料株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本電子材料株式会社 filed Critical 日本電子材料株式会社
Priority to JP1980073548U priority Critical patent/JPS5826530Y2/ja
Priority to US06/266,054 priority patent/US4523144A/en
Publication of JPS56174849U publication Critical patent/JPS56174849U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPS5826530Y2 publication Critical patent/JPS5826530Y2/ja
Priority to US06/613,346 priority patent/US4567433A/en
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  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は半導体ウェハチェック用のプローブカードに関
する。
一般に、IC,LSIなどを製造する工程において、一
枚の基板上に多数個のウェハチップを製作したのち、こ
れらをチップごとに切断する前に、並設された個々のチ
ップが良品であるか不良品であるかをチェックするウェ
ハチェック工程がある。
このようなウェハチェックは、通常、プローバと呼ばれ
る装置にプローブカードを接続し、プローブカードの探
針を半導体チップの所定電極上に接触させた状態で行わ
れる。
初期のプローブカードは、IC等の集積度の比較的低い
集積回路、或いはチェック用端子数の比較的少ないLS
I等に適用されるものであったから、直径2cm程度の
開口部の周辺に沿って例えば48ピン程度の探針を配設
したもので充分であった。
しかし、集積回路の集積度が進むにつれて探針数を増や
すことに対する要請が強く、最近ではチップの大きさ8
×8mmの内に300個以上のものが要求されている。
これに対し開口部の形状を長方形にしてその周辺長さを
増大することも試みられているが、それにも限度がある
そこでプローブカードの中央部に向って集中する多数の
探針を、プローブカード中央開口部のまわりに設けた探
針取り付はリングに途中で一旦固定し、その先さらに中
央部に向って延びる部分の俯角を隣接探針間で相互にず
らし、テストすべき半導体チップのテスト端子に接触す
る先端部のみを特に細く形成して垂直下向に屈曲させる
ことにより、探針の密集による相互接触を避ける方式の
プローブカードが提案されている。
また、このような方式によっても探針の増加に対処し難
い場合には、探針を複数枚の基板上に分けて配設したう
え、各基板を適当なスペーサを介して平行に積み重ねて
多段構成とし、各基板に属する探針は各基板の中央開口
部を通じて下方に導かれ、最下段の基板の下側で、すべ
ての探針の先端が同一面上にそろうよう構成された多段
式のプローブカードが提案されている。
しかし、このような多段式のプローブカードでは、最下
段の基板以外の基板に属する探針が非常に長くなって探
針先端の配列パターンが安定に保たれ難く、プローブカ
ードの組立自体が非常に困難であるばかりでなく、完成
後に探針間の接触短絡事故が起りやすい。
さらに、多段式に構成されているためにプローブカード
全体の厚みが大きくなることから、先づ、プローブカー
ドを受は入れるプローバのブローブカードホールダを改
造する必要の生ずる場合があり、また、プローバの顕微
鏡の対物距離が大きくなるので所定の拡大率を保ったう
えで困難が生じる。
本考案は、探針の増加に対処して提案された従来のプロ
ーブカードが有する上記の欠点が排除され、高集積度半
導体チップのテストに適したプローブカードの提供をそ
の目的としている。
以下本考案の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図に本考案実施例の正面図の部分図、第2図に第1
図の中央縦断面図を示す。
2層の回路基板10の内側の基板11の中央部に円孔1
2と段部13を形成し、その段部に探針を支持する取付
リング14を接着する。
一方外側の基板15の中央部に、内側の基板、11上の
導体16・・・・・・16の中心部分が露呈するように
、内側の円孔12よりも広い外側の円孔17を同心円的
に開口すると共に、上記導体16・・・・・・16の外
端にそれぞれスルーホール18・・・・・・18を円周
上に沿って設け、その背面上にそれぞれ外部接続用端子
19・・・・・・19を設ける。
また、外側の基板15上に内側基板上の導体16と重な
り合わない位置に導体20・・・・・・20を形成し、
内側の導体に係るスルーホールと同心円周上に沿って各
導体20・・・・・・20の外端にそれぞれスルーホー
ル21・・・・・・21を設け、その背面上にそれぞれ
外部接続用端子22・・・・・・22を設ける。
外部接続用端子16・・・・・・16および22・・・
・・・22は、電気的にはそれぞれ導体16・・・・・
・16および20・・・・・・20に別々に接続されて
いるが、機械的には、それぞれのスルーホールを通じて
外側および内側の側基板に貫通し、それらを互いに固着
させる役割をはたしている。
取付ノング14上に、探針23・・・・・・23を相互
に接触しないように放射状に支持し各探針の根元を内側
の導体16・・・・・・16及び外側の導体20・・・
・・・20の中央端部へそれぞれ半田付けをする。
なお、図において24は検査すべき半導体ウェハの1チ
ツプの配設位置を示している。
第3図に、第2図における取付リング部の部分拡大図を
示し、第4図に第3図のIV−IV断面図を示す。
探針23の形状は、この拡大図に示すように、腰部(B
−B線よりも根元側)が一様な太さを有し、そこから先
端部にかけて漸次細くなり、先端部が下方へ向けてカギ
形に曲っている。
そして、円周方向について見れば、短い先端部25をも
つ探針23Aと、長い先端部26をもつ探針23Bとが
交互に配設されており、従って、取付リング14の支持
部において、第4図に表われている通り探針23Aと2
3Bとが異なる高さに交互規則的に配列されている。
このような探針構造は、プラスチック或いは金属製のリ
ング基体14Aの上に一度接着剤14Bを塗布して先端
部の長い探針23Bを固着したのち、その上に再度接着
剤14Cを塗布して先端部の短い探針23Aを固着する
ことにより得ることができる。
以上、二重基板を用いたものについて説明したが、本考
案は三層以上の多層基板を用いて実施しうること勿論で
ある。
以上説明したように本考案によれば、外部接続端子と取
付リング間の探針および探針に係わる回路部分を複数枚
の基板に分けて処理することによりプローブカード全体
の探針配設密度が飛躍的に増大し、しかも、各基板が層
状に密着形成されているため全体の厚さは各基板の厚さ
の和に過ぎず、多段式プローブカードに比べて非常にコ
ンパクトな、起LSI用多探針プローブカードが得られ
る。
また、多層プローブカードを構成する各基板を外部接続
用端子が共通に貫通しているため探針先端部の位置合が
せ等、プローブカードの組立作業が格段に容易である。
さらに、どの層の基板に属する探針にも多段式プローブ
カードの上段の基板に属する探針のように、取付リング
から探針先端部までの長さが非常に長くなるものはなく
、従って探針先端配列パターンの機械的安定性は非常に
よく、1枚の基板から成るプローブカードの場合と事実
上昇ならない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案実施例の正面図の部分図、第2図は第1
図の中央縦断面図である。 第3図は第2図のA部拡大図、第4図は第3図のIV−
IV断面図である。 10・・・・・・回路基板、11・・・・・・内側の回
路基板、14・・・・・・取付リング、15・・・・・
・外側の回路基板、12・・・・・・内側の円孔、17
・・・・・・外側の円孔、16・・・・・・内側の導体
、20・・・・・・外側の導体、19.22・・・・・
・外部接続用端子、23゜23A、23B・・・・・・
探針。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 回路基板に、試験すべき半導体回路の電極に接続する複
    数個の探針並びにプローバへ接続する複数個の外部接続
    用端子を備えた装置において、上記回路基板として層状
    に密着形成された多層基板を用い、その多層基板の最も
    内側の基板の中央部に上記探針を支持する取付リングを
    設け、その取付リングの周辺部においてより内側の層を
    威す基板の中央開口部よりもより外側の層を威す基板の
    中央開口部をより広く形成して各層の中央部を露呈させ
    、各層の中央部から外側に向かって少なくとも部分的に
    放射状に形成されている導体の上記開口部に露呈した部
    分と上記各探針の根元を接続し、上記導体の、上記探針
    が接続されていない側の端部を上記多層基板を構成する
    各基板を共通に貫いて設けられた上記外部接続用端子に
    接続して成ることを特徴とするプローブカード。
JP1980073548U 1980-05-27 1980-05-27 プロ−ブカ−ド Expired JPS5826530Y2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1980073548U JPS5826530Y2 (ja) 1980-05-27 1980-05-27 プロ−ブカ−ド
US06/266,054 US4523144A (en) 1980-05-27 1981-05-21 Complex probe card for testing a semiconductor wafer
US06/613,346 US4567433A (en) 1980-05-27 1984-05-23 Complex probe card for testing a semiconductor wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1980073548U JPS5826530Y2 (ja) 1980-05-27 1980-05-27 プロ−ブカ−ド

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS56174849U JPS56174849U (ja) 1981-12-23
JPS5826530Y2 true JPS5826530Y2 (ja) 1983-06-08

Family

ID=29436365

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1980073548U Expired JPS5826530Y2 (ja) 1980-05-27 1980-05-27 プロ−ブカ−ド

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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4641572B2 (ja) * 1999-06-04 2011-03-02 株式会社日本マイクロニクス プローブカード

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5486962U (ja) * 1977-11-29 1979-06-20

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JPS56174849U (ja) 1981-12-23

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