JPH03190252A - プローブカード - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 ＬＳＩテスタに付属するプローブカードの改善に関し、 インピーダンスのミスマツチングを減少させることを目
的とし、 絶縁基板の中心円孔に傾斜面をもった孔縁を設け、該孔
縁の傾斜面に表出させた配線パターンにプローブを半田
付けした構造にする。

〔産業上の利用分野〕

本発明はＬＳＩテスタに付属するプローブカードの改善
に関する。

従来、ＬＳＩなどの半導体装置はウェハー上に多数の素
子を形成して、これを個々のチップに分割する前にプロ
ーブ（ｐｒｏｂｅ、探針）を接触させ、それら素子の電
気的特性の可否を判別しており、これをウェハーのプロ
ーブテストと呼んでいる。

このようにウェハープロセスの最終工程においてプロー
ブテストをおこなうと、完成後の半導体製品は殆ど全数
が良品にできる。従って、プローブテストは信頼度の高
い試験であることが望まれている。

〔従来の技術〕

さて、第４図はプローブテストヘッドの概要図を示して
おり、図中の記号１はプローブカード。

２はウェハー　３はフロックリング、４はパフォーマン
スポード、５はＬＳＩテスタ（テストステーション）、
６は可動ステージで、これらの相互間はコンタクトピン
７で接続されているが、そのうちのプローブカード１は
ＬＳＩの品種毎にプローブが接触するウェハー（チップ
）の電極パッドの位置が異なるために、品種毎に特定プ
ローブカードを作製しており、このプローブカードを交
換してプローブテストをおこなっている。

第５図はそのうちの従来のプローブカードを示しており
、同図（ａ）は斜視図、同図（ｂ）はそのＡＡ断面図で
ある。図中の記号１１はプローブ、１２は絶縁基板、１
３はプローブを固定するための固定樹脂。

１４はコンタクトピン接触などのために設けた接続電極
、１５は絶縁基板の内部に設けた内部配線パターン、１
６は絶縁基板の表面に設けた表面配線パターン、　１７
はプローブの半田付は部である。例えば、絶縁基板１２
は直径十数ｃｍ、厚さ３．５１程度で、中央に２０〜３
０ｍｍφの円孔を有するドーナツ形であり、また、プロ
ーブ１１は長さ３０〜４０ｍｍ、直径数十μｍの細い金
属線で、タングステンやパラジウムからなり、先端部分
ＩＴが尖らしてあって、その先端部分がウェハーの電極
パッドに接触して試験がおこなわれる。また、内部配線
パターン１５および表面配線パターン１６は絶縁基板の
中心円孔２Ｃから放射状に作成された金（Ａｕ）からな
る配線パターンであり、且つ、プローブ１１の後端は絶
縁基板１２に設けられた内部配線パターン１５や表面配
線パターン１６の表出部分に半田付けされている。なお
、プローブ１１の本数は２００〜３００本にも及び、先
端部分のプローブ隣接相互の間隔（ウェハーの電極パッ
ドの間隔と同じ）は１００〜３００μｍ程度に狭くなる
。このように、プローブカードは極めて微細で複雑な構
造になっている。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、上記した従来のプローブカードは絶縁基板１
２の配線パターンの表出部分に半田付けする方式である
から、プローブの長さが長くなってＬ（容量）成分によ
って高周波特性に悪影響を及ぼす欠点がある。即ち、絶
縁基板内部は接地層が埋められ、インピーダンスのマツ
チングが採られているが、プローブは絶縁基板から離れ
ているためにプローブの長さが長くなるとミスマツチン
グが生じて正しい高周波特性値が得られないという問題
がある。

本発明はこのような問題点を低減させて、インピーダン
スのミスマツチングを減少させるようにしたプローブカ
ードを提案するものである。

〔課題を解決するための手段］ その課題は、第１図に示す実施例のように、絶縁基板２
２の中心円孔２Ｃに傾斜面Ｓをもった孔縁を設け、該孔
縁の傾斜面に表出させた配線パターン２５、２６にプロ
ーブ２１を半田付けした構造を有するプローブカードに
よって解決される。

〔作　用〕

即ち、本発明にかかるプローブカードは、絶縁基板の中
心円孔に傾斜面を形成し、そこに配線パターンを表出さ
せてプローブを半田付けする。

そうすれば、プローブの長さが短くできて、インピーダ
ンスのミスマツチングを減少させることができる。

〔実　施　例〕

以下に図面を参照して実施例によって詳細に説明する。

第１図（ａ）、　（ｂ）は本発明にかかるプローブカー
ドを示しており、同図（ａ）は斜視図、同図（ｂ）はそ
のＢＢ断面図である。図中の記号２１はプローブ、２２
は絶縁基板、２３はプローブを固定する固定樹脂、２４
はコンタクトピン接触など外部と接続するための接続電
極、２５は絶縁基板内部に設けた内部配線パターン、２
６は絶縁基板表面に設けた表面配線パターン、２７はプ
ローブの半田付は部、　ＩＴはプローブの先端部分、　
２Ｃは絶縁基板の中心円孔で、Ｓがその傾斜面を示して
いる。なお、第１図（ａ）には固定樹脂２３を図示して
いないが、他部分を明白に示すためである。このように
構成すれば、従来のプローブ１１の長さ３０〜４０ｍｍ
に対して、本発明にかかるプローブカードではプローブ
２１の長さを１０ｍｍ程度に短くすることができ、従っ
て、その長さが短くなる分だけ指数函数的にインピーダ
ンスのミスマツチングを減少させることができる。

第２図は第１図では明らかに示されないため、プローブ
部分を拡大して図示した本発明にかかるプローブカード
の部分断面図を示している。第１図と同一部材には同一
記号が付けであるが、その他の記号２８は導電体を埋め
たスルーホール導電体である。このスルーホール導電体
２８によって内部配線パターン２５および表面配線パタ
ーン２６を傾斜面Ｓに表出させている。且つ、本例では
２層の内部配線パターン２５（一部を実線、一部を点線
で示している）が設けてあり、両表面には表面配線パタ
ーン２６（点線で示している）が形成しである。

なお、絶縁基板２２の内部全面に接地パターンが内蔵さ
れているが、それは図示していない。

次の第３図（ａ）〜（Ｃ）は本発明にかかるプローブカ
ードの形成方法を説明する図である。同図（ａ）、　（
ｂ）は絶縁基板２２を形成する工程図で、まず、同図（
ａ）のように、内部配線パターン２５１表面配線パター
ン２６を有する多層積層板からなる絶縁基板を形成し、
中心円孔２Ｃの周囲に形成したスルーホールに導電体を
埋めてスルーホール導電体２８を形成する。

次いで、同図（ｂ）のように、中心円孔２Ｃの周縁を研
削して傾斜面Ｓを形成する。そうすると、その傾斜面Ｓ
にスルーホール導電体２８が表出される。

その傾斜面Ｓにプローブ２１を半田付けして完成させる
もので、第３図（Ｃ）は傾斜面Ｓにプローブ２１を半田
付けした一例の平面図を図示しており、２７は半田付は
部、　２Ｃは中心円孔である。このようにして、本発明
にかかるプローブカードを作成する。

なお、上記例は傾斜面Ｓに配線パターンを表出させるた
めにスルーホール導電体２８を設けた実施例であるが、
必ずしもスルーホール導電体２８を介在させなくても接
続は可能で、配線パターンとプローブとを直接的に接続
することもできる。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなように、本発明にかかるプロー
ブカードはプローブの長さを半分以下に短くすることが
できるために、その短くなる分だけ指数函数的にインピ
ーダンスのミスマツチングを減少して、信軌度の高い高
周波特性値が得られる効果が得られるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、　（ｂ）は本発明にかかるプローブカー
ドを示す図、 第２図は本発明にかかるプローブカードの部分断面図、 第３図（ａ）〜（Ｃ）は本発明にかかるプローブカード
の形成方法を説明する図、 第４図はプローブテストヘッドの概要図、第５図（ａ）
、　（ｂ）は従来のプローブカードを示す図である。 図において、 １１、２１はプローブ、　　１２．２２は絶縁基板、１
３、２３は固定樹脂、　　１４．２４は接続電極、１５
、２５は内部配線パターン、 １６、２６は表面配線パターン、 １７、２７は半田付は部、　２８はスルーホール導電体
、１Ｔはプローブの先端部分、 ２Ｃは絶縁基板の中心円孔、 Ｓは中心円孔の傾斜面 を示している。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 絶縁基板の中心円孔に傾斜面をもった孔縁を設け、該孔
   縁の傾斜面に表出させた配線パターンにプローブを半田
   付けした構造を有することを特徴とするプローブカード
   。