JPH01108738A - 測定装置 - Google Patents
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- JPH01108738A JPH01108738A JP62266761A JP26676187A JPH01108738A JP H01108738 A JPH01108738 A JP H01108738A JP 62266761 A JP62266761 A JP 62266761A JP 26676187 A JP26676187 A JP 26676187A JP H01108738 A JPH01108738 A JP H01108738A
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Landscapes
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は微小電極をもつ回路基板の電気特性を測定する
ため゛の測定装置に関するものである。
ため゛の測定装置に関するものである。
従来の技術
近年、半導体素子(LSI)は多ピン化し、かつその電
極ピッチも微細化の方向にあるが、第4図のようにこれ
ら超LS11の電極2に触針し、電気特性を測定する手
段として、最つとも良く用いられるのは第4図に示した
金属針3を直接電極に突当てる方法である。
極ピッチも微細化の方向にあるが、第4図のようにこれ
ら超LS11の電極2に触針し、電気特性を測定する手
段として、最つとも良く用いられるのは第4図に示した
金属針3を直接電極に突当てる方法である。
発明が解決しようとする問題点
金属針は一般にタングステン材が用いられ、電極と接触
する先端部は放電加工や精密エツチング加工し、微少な
曲率を設け、電極に対する接触を良好にせしめていたが
それでも電極をつき破り破損せしめ信頼性を低下してい
た。また、この様な金属針を微少ピッチで並べるのは非
常に高度が必要であるばかシか、金属針の強度も加味さ
れ、その直径は、ある一定の大きさから小さくできず、
金属針のピッチを狭くできず、せいぜい150μmピッ
チであった。また、前記金属針は非常にもろく、折れて
しまいその耐使用度も著しるしく低いものであった。
する先端部は放電加工や精密エツチング加工し、微少な
曲率を設け、電極に対する接触を良好にせしめていたが
それでも電極をつき破り破損せしめ信頼性を低下してい
た。また、この様な金属針を微少ピッチで並べるのは非
常に高度が必要であるばかシか、金属針の強度も加味さ
れ、その直径は、ある一定の大きさから小さくできず、
金属針のピッチを狭くできず、せいぜい150μmピッ
チであった。また、前記金属針は非常にもろく、折れて
しまいその耐使用度も著しるしく低いものであった。
本発明は、従来の金属針を突当てる方法で課題であった
微少ピッチの測定が可能でかつ回路基板の電極が損傷せ
ず、安価な測定装置を提供するものである。
微少ピッチの測定が可能でかつ回路基板の電極が損傷せ
ず、安価な測定装置を提供するものである。
問題点を解決するための手段
本発明はこのような問題点を解決するため可撓性フィル
ム上に金属突起を有した配線パターンを形成し、この金
属突起を回路基板に押圧させる構成としたものである。
ム上に金属突起を有した配線パターンを形成し、この金
属突起を回路基板に押圧させる構成としたものである。
作 用
このような本発明によれば、突起をもった配線パターン
がフォトエツチング加工で形成できるため微小な電極ピ
ッチに対応できる金属突起が形成できる。
がフォトエツチング加工で形成できるため微小な電極ピ
ッチに対応できる金属突起が形成できる。
実施例
本発明の実施例を第1図を用いて説明する。ポリイミド
、ガラエポ、ポリエステル等の可撓性樹脂フィルム1o
上に銅配線パターン11が形成されている。前記フィル
ム1oの底面には銅配線パターン11上に金属突起12
が設けられている。
、ガラエポ、ポリエステル等の可撓性樹脂フィルム1o
上に銅配線パターン11が形成されている。前記フィル
ム1oの底面には銅配線パターン11上に金属突起12
が設けられている。
金属突起12が形成されているフィルム1oの反対面に
は、ゴム、樹脂等で形成した緩衝材13が設置され、更
に前記緩衝材13上には前記緩衝材よシも堅い材料14
が設けられている。また、前記銅配線パターン上の金属
突起12は、測定される半導体基板16の電極12と対
応した位置に設けられ、全体が上下方向18に移動でき
る構成である。
は、ゴム、樹脂等で形成した緩衝材13が設置され、更
に前記緩衝材13上には前記緩衝材よシも堅い材料14
が設けられている。また、前記銅配線パターン上の金属
突起12は、測定される半導体基板16の電極12と対
応した位置に設けられ、全体が上下方向18に移動でき
る構成である。
更に詳細にのべれば、金属突起を有する銅配線パターン
は第2図の如く構成される。すなわち、6〜126μm
厚の可撓性絶縁フィルム上に所望の切欠き孔10を形成
しておき、この上に接着剤等を介して6〜70μm厚の
銅箔を貼シつけ、フォトエツチング加工で、所定の配線
パターン12を形成し、次いで、半導体素子の電極と対
応する位置のみを残存させるように感光性レジストで覆
って、他の領域を6〜10μm程度エツチングすれば金
属突起12が形成される。後、全体にN1を下地とし金
を0.6〜3μm厚さにめっき曳処理すれば配線パター
ンが完成する。前記金属突起は、述べたように配線パタ
ーン自体をエツチング加工し、一体に形成しても良いし
、めっき処理によって所定の厚さ(例えば6〜10μm
)に形成する事もできる。
は第2図の如く構成される。すなわち、6〜126μm
厚の可撓性絶縁フィルム上に所望の切欠き孔10を形成
しておき、この上に接着剤等を介して6〜70μm厚の
銅箔を貼シつけ、フォトエツチング加工で、所定の配線
パターン12を形成し、次いで、半導体素子の電極と対
応する位置のみを残存させるように感光性レジストで覆
って、他の領域を6〜10μm程度エツチングすれば金
属突起12が形成される。後、全体にN1を下地とし金
を0.6〜3μm厚さにめっき曳処理すれば配線パター
ンが完成する。前記金属突起は、述べたように配線パタ
ーン自体をエツチング加工し、一体に形成しても良いし
、めっき処理によって所定の厚さ(例えば6〜10μm
)に形成する事もできる。
次に破線2oに従がい切断し、金属突起12が形成され
たフィルムを底面とし、他の領域のフィルムを900
折曲げる。この折曲げに対し切欠き孔10は折曲げやす
くする効果を奏するものである。
たフィルムを底面とし、他の領域のフィルムを900
折曲げる。この折曲げに対し切欠き孔10は折曲げやす
くする効果を奏するものである。
金属突起が形成されている領域のフィルム上にゴムや樹
脂で形成した弾力性のある緩衝材13を貼シつけ更にこ
の上に固い材料である樹脂、金属体14を設ける。この
ようにして第1図の構成が完成する。
脂で形成した弾力性のある緩衝材13を貼シつけ更にこ
の上に固い材料である樹脂、金属体14を設ける。この
ようにして第1図の構成が完成する。
半導体基板16の電極16と金属突起12との多少の高
さのバラツキは前記緩衝材13が吸収し、良好な接触を
得るものである。また、第3図で示した配線パターンの
他端11は測定のための電子回路やLSIに接続される
ものである。必要に応じて、LSIチップを前記配線パ
ターン上に搭載すれば、更に小型で高性能の測定装置が
完成できる。配線パターンや金属突起を構成する材料は
銅。
さのバラツキは前記緩衝材13が吸収し、良好な接触を
得るものである。また、第3図で示した配線パターンの
他端11は測定のための電子回路やLSIに接続される
ものである。必要に応じて、LSIチップを前記配線パ
ターン上に搭載すれば、更に小型で高性能の測定装置が
完成できる。配線パターンや金属突起を構成する材料は
銅。
金、ニッケルW等のあらゆる材料を用いる事ができる。
金属突起12が載置されているフィルムの形状は第3図
で示した様に例えば四辺が全て一体となった構成でも良
いが、各送缶に分離した状態かもしくは口字上に中央部
を切欠いた構造をもたせても良い。
で示した様に例えば四辺が全て一体となった構成でも良
いが、各送缶に分離した状態かもしくは口字上に中央部
を切欠いた構造をもたせても良い。
また、フィルム上の銅箔の形成方法は、述べたようにフ
ィルム上に銅箔を接着材で貼シつけても良いが、電解め
っき法等によシ接着剤を用いないで、形成することもで
きる。
ィルム上に銅箔を接着材で貼シつけても良いが、電解め
っき法等によシ接着剤を用いないで、形成することもで
きる。
緩衝材13の替シ、堅い材料を用いても良いが、この場
合は、金属突起12の各面の高さが充分に精度良く調整
されている場合である。
合は、金属突起12の各面の高さが充分に精度良く調整
されている場合である。
次に他の実施例について第3図で説明する。
この実施例は、配線電極11上の金属突起12が形成さ
れている領域のフィルム10に切欠き部■を形成した構
成である。前記切欠き部30にはゴム、樹脂等で形成し
た緩衝材13が突出し、配線パターン11と接する構成
になっておシ、金属突起12が半導体素子16の電極1
6に押圧され電気的接触を得る時に、各金属突起に均等
に圧力を加えることができるものである。
れている領域のフィルム10に切欠き部■を形成した構
成である。前記切欠き部30にはゴム、樹脂等で形成し
た緩衝材13が突出し、配線パターン11と接する構成
になっておシ、金属突起12が半導体素子16の電極1
6に押圧され電気的接触を得る時に、各金属突起に均等
に圧力を加えることができるものである。
また、基板は半導体素子のみならず、セラミック、ガラ
ス、ガラエボ基板を用い、これらの上に形成された回路
を検査することができるものである。
ス、ガラエボ基板を用い、これらの上に形成された回路
を検査することができるものである。
発明の効果
以上のように本発明によれば次のような効果を得ること
ができる。
ができる。
■ 可撓性フィルム基板上に突起を有した配線パターン
を形成するので従来得られなかった微小ピッチでの測定
で行なえる。
を形成するので従来得られなかった微小ピッチでの測定
で行なえる。
■ 可撓性フィルム基板上に突起を形成するため、比較
的やわらかい材料で前記突起が形成されるために、回路
基板の電極に押圧しても、電極が損傷することがない。
的やわらかい材料で前記突起が形成されるために、回路
基板の電極に押圧しても、電極が損傷することがない。
■ また、突起部の表面を平らに形成できるため、回路
基°板の電極にこの突起を押圧しても電極が損傷しない
。
基°板の電極にこの突起を押圧しても電極が損傷しない
。
■ 可撓性フィルム上で配線パターンを形成するため、
従来の方法に比べ製造コストが著しるしく安価となる。
従来の方法に比べ製造コストが著しるしく安価となる。
■ 突起を有する配線電極がフォトエツチング加工で形
成され、かつ所望の領域で折曲げて構成できるため著し
るしく小型の測定装置を得る事ができる。
成され、かつ所望の領域で折曲げて構成できるため著し
るしく小型の測定装置を得る事ができる。
第1図、第2図は本発明の可撓性フィルムを用いた測定
装置の実施例の断面図、第3図は可撓性フィルム上に金
属突起を有する配線パターンをエツチング加工した状態
を示す断面図、第4図は従来装置の構成の断面図である
。 10・・・・・・絶縁フィルム、11・・・・・・配線
パターン、12・・・・・・金属突起、13・・・・・
・緩衝材、16・・・・・・回路基板、16・・・・・
・電極。
装置の実施例の断面図、第3図は可撓性フィルム上に金
属突起を有する配線パターンをエツチング加工した状態
を示す断面図、第4図は従来装置の構成の断面図である
。 10・・・・・・絶縁フィルム、11・・・・・・配線
パターン、12・・・・・・金属突起、13・・・・・
・緩衝材、16・・・・・・回路基板、16・・・・・
・電極。
Claims (4)
- (1)絶縁フィルムの主面に形成され、一端が回路基板
の電極と対応した位置に突起を有し、他端が電子回路に
接続された金属配線パターンの前記突起を回路基板の電
極に押圧せしめ、前記回路基板の電気特性の測定を行な
うようにした測定装置。 - (2)絶縁フィルムの一主面上に配線パターンの突起が
形成され、他面に緩衝材が設置された特許請求の範囲第
1項記載の測定装置。 - (3)絶縁フィルムの一主面上に配線パターンの突起が
形成され、他面に固堅体が設置された特許請求の範囲第
1項記載の測定装置。 - (4)配線パターンの突起が絶縁フィルムの切欠き部内
に形成され、前記突起の反対面側に緩衝材が形成された
特許請求の範囲第1項記載の測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62266761A JPH07105416B2 (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62266761A JPH07105416B2 (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01108738A true JPH01108738A (ja) | 1989-04-26 |
JPH07105416B2 JPH07105416B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=17435342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62266761A Expired - Fee Related JPH07105416B2 (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07105416B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0244747A (ja) * | 1988-08-04 | 1990-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 検査装置 |
JPH03122371U (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-13 | ||
JPH09178777A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-07-11 | Soushiyou Tec:Kk | プローブユニット |
JP2007086044A (ja) * | 2005-09-19 | 2007-04-05 | Isao Kimoto | プローバ装置及びこれに用いるプローブ組立体 |
JP2008175628A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Micronics Japan Co Ltd | プローブユニット及び検査装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4917685A (ja) * | 1972-06-05 | 1974-02-16 | ||
JPS58197835A (ja) * | 1982-05-14 | 1983-11-17 | Nec Corp | プロ−バ |
JPS5918864A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-31 | 株式会社東芝 | 耐震架構 |
JPS644042A (en) * | 1987-06-09 | 1989-01-09 | Tektronix Inc | Prober |
-
1987
- 1987-10-21 JP JP62266761A patent/JPH07105416B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
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JPS4917685A (ja) * | 1972-06-05 | 1974-02-16 | ||
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JPH03122371U (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-13 | ||
JPH09178777A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-07-11 | Soushiyou Tec:Kk | プローブユニット |
JP2007086044A (ja) * | 2005-09-19 | 2007-04-05 | Isao Kimoto | プローバ装置及びこれに用いるプローブ組立体 |
JP2008175628A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Micronics Japan Co Ltd | プローブユニット及び検査装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07105416B2 (ja) | 1995-11-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |