JP7287250B2

JP7287250B2 - 試験装置及び試験方法

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Publication number: JP7287250B2
Application number: JP2019208009A
Authority: JP
Inventors: 淑之植田; 貴也野口; 克典渕上
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2019-11-18
Filing date: 2019-11-18
Publication date: 2023-06-06
Anticipated expiration: 2039-11-18
Also published as: JP2021081274A

Description

本発明は、試験装置及び試験方法に関する。

電極間又は端子間に高電圧を印加して計測する場合、電極間又は端子間の空間距離又は沿面距離が放電開始電圧に影響する。放電開始電圧が低い場合、高電圧を印加すると放電が発生して正しく計測できない。この放電を抑制するために、パッシェンの法則を利用して圧力容器内の検査空間の気体の圧力を上げる又は下げることにより放電開始電圧を引き上げる手法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１１－２５２７９２号公報

従来は、圧力容器に配管と試験電極が固定されていた。このため、試験電極を交換する際に装置を停止させ、圧力容器から配管を外さなければならなかった。また、配管と試験電極を固定するために圧力容器を大きくしなければならないため、気圧を上昇させる時間と常圧に戻す時間が長くなる。従って、生産性が低下するという問題があった。また、配線を長くしなければならないため、寄生インダクタンスと寄生容量が大きくなり、測定精度が低下するという問題があった。

本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は高電圧試験中の放電を抑制でき、生産性と測定精度を向上することができる試験装置及び試験方法を得るものである。

本発明に係る試験装置は、ステージと、前記ステージの上方に配置された試験治具と、前記試験治具を支持する支持台と、電気特性を測定するテスタと、前記ステージの上面と前記試験治具の下面との間の空間を密閉する第１の弾性体とを備え、前記試験治具は、前記試験治具の前記下面から突出した接触端子と、前記接触端子に接続された第１の導電部材とを有し、前記支持台は、前記テスタに接続された第２の導電部材を有し、前記試験治具を前記支持台に載せた際に前記第１の導電部材が前記第２の導電部材に接続され、前記ステージは、前記空間の内部の気体を加圧する加圧用配管を有し、前記試験治具は前記支持台に固定されずに前記支持台の上に載せられており、前記支持台に対して着脱可能であることを特徴とする。

本発明では、弾性体がステージの上面と試験治具の下面との間の空間を密閉する。そして、ステージは、空間の内部の気体を加圧する加圧用配管を有する。このため、加圧した気体中で試験を行うことができるので、高電圧試験中の放電を抑制することができる。また、試験治具を支持台に載せた際に試験治具の第１の導電部材が支持台の第２の導電部材に接続させる。これにより、試験治具とテスタを接続するために従来用いていたケーブルが不要となる。従って、試験治具を容易かつ瞬時に交換できるため、生産性を向上することができる。また、ケーブルの寄生インダクタンスと寄生容量を削減できるため、測定精度を向上することができる。

実施の形態１に係る試験装置を示す断面図である。実施の形態１に係る試験装置を示す上面図である。実施の形態２に係る試験装置を示す断面図である。接点を拡大した側面図と下面図である。実施の形態３に係る試験装置を示す断面図である。実施の形態４に係る試験装置を示す断面図とステージ上の半導体装置を示す上面図である。実施の形態４に係る試験装置を示す上面図である。実施の形態５に係る試験装置を示す断面図である。実施の形態５に係る試験治具を示す上面図と側面図である。実施の形態６に係る試験装置を示す断面図である。実施の形態７に係る試験装置を示す断面図である。実施の形態８に係る試験装置を示す断面図である。実施の形態９に係る試験装置を示す断面図である。実施の形態９に係る試験装置を示す断面図である。実施の形態１０に係る試験装置を示す断面図である。実施の形態１１に係る試験装置を示す断面図である。実施の形態１２に係る試験方法のフローチャートである。実施の形態１３に係る試験方法のフローチャートである。実施の形態１４に係る試験方法のフローチャートである。実施の形態１４に係る試験方法のフローチャートである。実施の形態１４に係る試験方法を示す断面図である。実施の形態１４に係る試験方法を示す断面図である。

実施の形態に係る試験装置及び試験方法について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る試験装置を示す断面図である。図２は、実施の形態１に係る試験装置を示す上面図である。

被試験対象である半導体装置１がステージ２に載せられる。ステージ２の上方に試験治具３が配置される。支持台４が試験治具３を支持する。試験治具３は支持台４に固定されずに載せられており、支持台４に対して着脱可能である。テスタ５が試験治具３と支持台４を介して半導体装置１の電気特性を測定する。

試験治具３は例えばＰＥＥＫ材等の樹脂製である。試験治具３は、試験治具３の下面から突出した接触端子６と、接触端子６に接続された第１の導電部材８と、試験治具３の下面の外周に設けられた第１の弾性体７とを有する。

接触端子６は、スプリングプローブ、ワイヤプローブ、測定針等であり、導電性を有し、座屈と弾性変形を含む伸縮性のあるものである。接触端子６に金めっき等の表面処理をしてもよい。接触端子６は、これに限らず、電圧の印加と測定を行うことができるものであればよい。接触端子６は、試験治具３に加工された穴（図示せず）に挿入されて固定されており、半導体装置１の電極パターン又は電極パッドの位置に対応して配置されている。

第１の弾性体７は、例えばＯリング等の弾性変形するものであり、密着性のあるものがよい。ここで、図１に示すように、ステージ２を上昇させて接触端子６を半導体装置１の電極パターン又は電極パッドに接触させると、第１の弾性体７がステージ２の上面に密着する。これにより、第１の弾性体７はステージ２の上面と試験治具３の下面との間の空間９を密閉する。この密閉された空間９の内部に半導体装置１が配置される。

支持台４は、コネクタ１０を介してテスタ５に接続された第２の導電部材１１を有する。支持台４の第２の導電部材１１は、試験治具３の第１の導電部材８に対向する位置に設けられている。試験治具３を支持台４に載せた際に第２の導電部材１１が第１の導電部材８に接触し、互いに電気的に接続される。第１の導電部材８は金属板、エナメル線等である。金属板の場合には、金めっき等の表面処理をしてもよい。第２の導電部材１１はプリント基板、樹脂材料に導体を貼り合わせたもの等である。なお、本実施の形態では、試験治具３と支持台４は、第１の導電部材８と第２の導電部材１１でのみ接触し、他の部分では接触しない。

接触端子６は、表面電圧印加接触端子６ａ、表面電圧測定接触端子６ｂ、裏面電圧印加接触端子６ｃ、裏面電圧測定接触端子６ｄを有する。表面電圧印加接触端子６ａ、表面電圧測定接触端子６ｂ、裏面電圧印加接触端子６ｃ、裏面電圧測定接触端子６ｄは、それぞれ第１の導電部材８の個別の配線を介して、第２の導電部材１１の表面電圧印加用パターン１１ａ、表面電圧測定用パターン１１ｂ、裏面電圧印加用パターン１１ｃ、裏面電圧測定用パターン１１ｄに接続される。表面電圧印加接触端子６ａは半導体装置１の表面に接触して電圧を印加する。表面電圧測定接触端子６ｂは半導体装置１の表面に接触して電圧を測定する。裏面電圧印加接触端子６ｃはステージ２に接触して半導体装置１の裏面に電圧を印加する。裏面電圧測定接触端子６ｄはステージ２に接触して半導体装置１の裏面の電圧を測定する。

ステージ２は吸着穴１２と加圧用配管１３を有する。ステージ２は、載置された半導体装置１を吸着穴１２で吸引して保持する。加圧用配管１３から気体を入れて空間９の内部の気体を加圧する。気体を所定の圧力に上昇させた後、接触端子６に高電圧を印加して半導体装置１の電気特性を試験する。

以上説明したように、本実施の形態では、試験治具３の第１の弾性体７がステージ２の上面と試験治具３の下面との間の空間９を密閉する。そして、ステージ２は、空間９の内部の気体を加圧する加圧用配管１３を有する。このため、加圧した気体中で試験を行うことができるので、高電圧試験中の放電を抑制することができる。

また、試験治具３を支持台４に載せた際に試験治具３の第１の導電部材８が支持台４の第２の導電部材１１に接続させる。これにより、試験治具３とテスタ５を接続するために従来用いていたケーブルが不要となる。従って、高電圧の試験で半導体装置１が破壊された場合でも、試験治具３を交換することでダメージを受けた接触端子６を容易かつ瞬時に交換できる。この結果、生産性を向上することができる。また、ケーブルの寄生インダクタンスと寄生容量を削減できるため、測定精度を向上することができる。

実施の形態２．
図３は、実施の形態２に係る試験装置を示す断面図である。第１の導電部材８は、第２の導電部材１１と接触する接点１４を有する。接点１４と第２の導電部材１１との接触抵抗は、接点１４を除いた第１の導電部材８の他の部分と第２の導電部材１１との接触抵抗よりも小さい。

図４は、接点を拡大した側面図と下面図である。接点１４のピン１４ａが第１の導電部材８と電気的に接続されている。接点１４の接触板１４ｂが第２の導電部材１１と接触する。ピン１４ａに接触板１４ｂを張り合わせ、ねじ止め又は接合する。

接触板１４ｂの接触面は、左の例では平面、中央の例では曲面、右の例では凹凸形状になっている。ここで、接触抵抗を増大させる原因は酸化膜である。接触板１４ｂの接触面を曲面又は凹凸形状にすることで応力を集中させて酸化膜を削ることができる。

また、接触板１４ｂに金、金・コバルト合金、ロジウム、パラジウム、ニッケル、銀等のめっき処理をしてもよい。金は酸化膜を形成しないので接触抵抗が小さい。ロジウムめっきとパラジウムめっきは耐食性も優れており、フレッテイングコロージョンにも有効である。

以上説明したように、本実施の形態では、接点１４を設けたことで第１の導電部材８と第２の導電部材１１との間の接触抵抗が小さくなる。これにより、電圧の測定精度を向上することができる。その他の構成及び効果は実施の形態１と同様である。

実施の形態３．
図５は、実施の形態３に係る試験装置を示す断面図である。押圧機構１５が実施の形態１の構成に追加されている。押圧機構１５は、例えば、エアシリンダ、油圧プレス、おもり等であり、試験治具３を支持台４とステージ２に向かって押圧する。これにより、第１の導電部材８と第２の導電部材１１との間の接触抵抗が小さくなる。また、接触端子６の本数の増加による反力を押圧機構１５で押さえることができるので、接触端子６と半導体装置１との間の接触抵抗も小さくなる。よって、電圧の測定精度を向上することができる。その他の構成及び効果は実施の形態１と同様である。

実施の形態４．
図６は、実施の形態４に係る試験装置を示す断面図とステージ上の半導体装置を示す上面図である。試験治具３は、接触端子６の伸びる方向に対して垂直な第１の平面１６を有する。支持台４は、ステージ２の上面に対して平行な第２の平面１７を有する。第２の導電部材１１の下面にゴム、ばね等の弾性体１８が設けられている。

試験治具３を支持台４に載せた際に、第２の導電部材１１が第１の導電部材８に接触する。さらに、弾性体１８が収縮して第２の平面１７が第１の平面１６に接触する。これにより、接触端子６の傾きが小さくなるため、複数の接触端子６の先端の位置ばらつきが小さくなる。従って、半導体装置１の電極パッド１ａに接触端子６を正確に接触させることができる。試験治具３の傾きを補正することなく、接触端子６と半導体装置１の片当たりを防止することができる。特に、接触端子６が、半導体装置１との接触量が小さく、伸縮量が小さいワイヤプローブの場合に有効である。

また、支持台４に位置決めピン１９が設けられている。この位置決めピン１９を試験治具３に差し込むことで試験治具３の位置ずれを防止することができる。図７は、実施の形態４に係る試験装置を示す上面図である。２本の位置決めピン１９が、平面視で四角形の試験治具３の対角方向の角部に対応する位置に設けられている。この位置決めピン１９により試験治具３の水平方向と回転方向の位置ずれを防止することができる。接触端子６は試験治具３に固定されているため、接触端子６の位置ずれも防止することができる。従って、カメラによる画像認識による位置補正が不要となる。その他の構成及び効果は実施の形態１と同様である。

実施の形態５．
図８は、実施の形態５に係る試験装置を示す断面図である。図９は、実施の形態５に係る試験治具を示す上面図と側面図である。高電圧試験で耐圧不良による半導体装置１の破壊により接触端子６の先端に半導体装置１の溶融物が付着する場合がある。この溶融物が付着した接触端子６で次の半導体装置１を壊してしまうおそれがある。このため、試験治具３を交換する必要がある。そこで、本実施の形態では、試験治具３の側面に溝２０を設けている。ロボット（図示せず）で溝２０にチャック２１を引っ掛けることで、試験治具３を自動で交換することができる。これにより、生産性を向上することができる。その他の構成及び効果は実施の形態１と同様である。

実施の形態６．
図１０は、実施の形態６に係る試験装置を示す断面図である。支持台４は、テスタ５に接続された第３の導電部材２２を有する。ステージ２は、第３の導電部材２２に接触するプローブ２３を有する。これにより、試験治具３に固定する接触端子６の本数が少なくなるので、試験治具３を小型化できる。その他の構成及び効果は実施の形態１と同様である。

実施の形態７．
図１１は、実施の形態７に係る試験装置を示す断面図である。第１の弾性体７は支持台４の下面に取り付けられている。これにより、試験治具３に第１の弾性体７を取り付けるスペースが不要となるため、試験治具３を小型化できる。その他の構成及び効果は実施の形態１と同様である。

実施の形態８．
図１２は、実施の形態８に係る試験装置を示す断面図である。導体板２４が試験治具３の下面に対向してステージ２の上に設けられている。この導体板２４の上に半導体装置１を載せる。これにより、高電圧試験中に半導体装置１が破損した場合にステージ２ではなく導体板２４がダメージを受ける。ダメージを受けた導体板２４は容易に交換することができる。ステージ２を交換する必要が無くなるため、生産性を向上できる。その他の構成及び効果は実施の形態１と同様である。

実施の形態９．
図１３及び図１４は、実施の形態９に係る試験装置を示す断面図である。図１３は装置の側面の断面図であり、図１４は正面の断面図である。第１の導電部材８と第２の導電部材１１との間に伸縮性を有する中継プローブ２５が設けられている。これにより、第１の導電部材８と第２の導電部材１１の平面度に依存せず、試験治具３の第１の平面１６と支持台４の第２の平面１７が平行になる。これにより、接触端子６の傾きが小さくなるため、接触端子６の先端の位置ばらつきが小さくなる。従って、半導体装置１の電極パッド１ａに接触端子６を正確に接触させることができる。試験治具３の傾きを補正することなく、接触端子６と半導体装置１の片当たりを防止することができる。その他の構成及び効果は実施の形態１と同様である。

実施の形態１０．
図１５は、実施の形態１０に係る試験装置を示す断面図である。加工精度によって剛体である第１の導電部材８と第２の導電部材１１との間に隙間ができる。そこで、第２の弾性体２６が試験治具３と支持台４との接触面の全周に設けられている。これにより、試験治具３と支持台４との接触面の気密性が高くなるため、空間９からの気体の漏れを防ぐことができる。従って、空間９内の加圧力が向上して放電を抑制する効果が高くなる。また、押圧機構（図示せず）で試験治具３を支持台４に押し付けることにより、第２の弾性体２６が支持台４に密着して更に気密性が高くなる。その他の構成及び効果は実施の形態１と同様である。

実施の形態１１．
図１６は、実施の形態１１に係る試験装置を示す断面図である。試験治具３は、接触端子６が設けられた第１の部材３ａと、支持台４により支持される第２の部材３ｂとを有する。両者が貼り合わされていれば気密性が高いが、ねじ止めされている場合は加工精度によって両者の間に隙間ができる。そこで、第２の弾性体２６が第１の部材３ａと第２の部材３ｂとの接触面の全周に設けられている。ねじ止め等の締め付け力により第３の弾性体２７が密着して試験治具３の気密性が高くなる。これにより、試験治具３と支持台４との接触面の気密性が高くなるため、空間９内の加圧力が向上して放電を抑制する効果が高くなる。その他の構成及び効果は実施の形態１と同様である。

実施の形態１２．
図１７は、実施の形態１２に係る試験方法のフローチャートである。この試験方法では実施の形態１～１１の何れかの試験装置を用いて半導体装置１の試験を行う。

まず、試験治具３を支持台４に載せ（ステップＳ１）、第２の導電部材１１を第１の導電部材８に接触させて互いに電気的に接続させる（ステップＳ２）。これにより、試験治具３の第１の導電部材８は支持台４の第２の導電部材１１を介してテスタ５に接続される。

次に、半導体装置１をステージ２に載せ（ステップＳ３）、半導体装置１を吸着穴１２から吸引してステージ２に吸着する。次に、ステージ２を上昇させて接触端子６を半導体装置１に接触させ（ステップＳ４）、第１の弾性体７をステージ２に密着させる（ステップＳ５）。

第１の弾性体７により密閉された空間９に加圧用配管１３から気体を入れて空間９の内部の気体を加圧する（ステップＳ６）。加圧された空間９の内部において半導体装置１に高電圧を印加して（ステップＳ７）、半導体装置１の電気特性を測定する（ステップＳ８）。電気特性を測定した後に半導体装置１から接触端子６を離す（ステップＳ９）。

本実施の形態では、加圧した気体中で試験を行うことができるので、高電圧試験中の放電を抑制することができる。また、試験治具３とテスタ５を接続するケーブルが無いため、試験治具３を容易かつ瞬時に交換できる。また、ケーブルの寄生インダクタンスと寄生容量を削減できるため、測定精度を向上することができる。

実施の形態１３．
図１８は、実施の形態１３に係る試験方法のフローチャートである。本実施の形態では、半導体装置１の電気特性を測定した後、半導体装置１から接触端子６を離す前に、加圧を停止して空間９の内部を常圧に戻す（ステップＳ１０）。圧力容器内で試験を行う場合に比べて本実施の形態では加圧する空間９の体積が小さい。このため、加圧と常圧に戻すために必要な時間が短い。その他のステップ及び効果は実施の形態１２と同様である。

実施の形態１４．
図１９及び図２０は、実施の形態１４に係る試験方法のフローチャートである。図２１，２２は、実施の形態１４に係る試験方法を示す断面図である。

まず、実施の形態１２と同様に、試験治具３を支持台４に載せる（ステップＳ１）。そして、図２１に示すように、押圧機構１５で試験治具３を支持台４に押し付けることで、第２の導電部材１１を第１の導電部材８に接触させて互いに電気的に接続させる（ステップＳ２）。これにより、試験治具３の第１の導電部材８は支持台４の第２の導電部材１１を介してテスタ５に接続される。

次に、図１等に示すように、半導体装置１をステージ２に載せ（ステップＳ３）、半導体装置１を吸着穴１２から吸引してステージ２に吸着する。次に、図２２に示すように、ステージ２をカメラ２８の下に移動してカメラ２８で半導体装置１を認識して接触端子６とのずれ量を計算する（ステップＳ１１）。次に、ステージ２を試験治具３の下に移動して表面電圧印加接触端子６ａと表面電圧測定接触端子６ｂを半導体装置１の電極パターンと電極パッドに位置合わせする（ステップＳ１２）。

次に、ステージ２を上昇させて接触端子６を半導体装置１に接触させ（ステップＳ４）、第１の弾性体７をステージ２に密着させる（ステップＳ５）。第１の弾性体７により密閉された空間９に加圧用配管１３から気体を入れて空間９の内部の気体を加圧する（ステップＳ６）。加圧された空間９の内部において半導体装置１に高電圧を印加して（ステップＳ７）、半導体装置１の電気特性を測定する（ステップＳ８）。加圧を停止して空間９の内部を常圧に戻す（ステップＳ１０）。電気特性を測定した後に半導体装置１から接触端子６を離す（ステップＳ９）。

次に、半導体装置１の電気特性が規格値内かどうかを判定する（ステップＳ１３）。規格外の半導体装置１を不良品置き場（図示せず）に移動させる（ステップＳ１４）。電気特性が規格内の半導体装置１を良品置き場（図示せず）に移動させる（ステップＳ１５）。

次に、試験治具３の交換要否を判定する（ステップＳ１６）。交換が必要と判定された場合、押圧機構１５を離して試験治具３を交換し、再び押圧機構１５で試験治具３を押圧して固定する（ステップＳ１７）。次の半導体装置１があるかどうかを判定する（ステップＳ１８）。次の半導体装置１がある場合は試験を繰り返し、半導体装置１が無くなれば試験を終了する。

本実施の形態では、試験治具３の交換要否を判定し、交換が必要と判定された場合に試験治具３を交換する。試験治具３とテスタ５を接続するケーブルが無いため、試験治具３を容易かつ瞬時に交換できる。その他のステップ及び効果は実施の形態１２と同様である。

２ステージ、３試験治具、４支持台、５テスタ、６接触端子、７第１の弾性体、８第１の導電部材、９空間、１１第２の導電部材、１３加圧用配管、１４接点、１５押圧機構、１６第１の平面、１７第２の平面、２０溝、２２第３の導電部材、２３プローブ、２４導体板、２５中継プローブ、２６第２の弾性体、２７第３の弾性体

Claims

ステージと、
前記ステージの上方に配置された試験治具と、
前記試験治具を支持する支持台と、
電気特性を測定するテスタと、
前記ステージの上面と前記試験治具の下面との間の空間を密閉する第１の弾性体とを備え、
前記試験治具は、前記試験治具の前記下面から突出した接触端子と、前記接触端子に接続された第１の導電部材とを有し、
前記支持台は、前記テスタに接続された第２の導電部材を有し、
前記試験治具を前記支持台に載せた際に前記第１の導電部材が前記第２の導電部材に接続され、
前記ステージは、前記空間の内部の気体を加圧する加圧用配管を有し、
前記試験治具は前記支持台に固定されずに前記支持台の上に載せられており、前記支持台に対して着脱可能であることを特徴とする試験装置。
前記第１の導電部材は、前記第２の導電部材と接触する接点を有し、
前記接点と前記第２の導電部材との接触抵抗は、前記接点を除いた前記第１の導電部材の部分と前記第２の導電部材との接触抵抗よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の試験装置。
前記試験治具を前記支持台に向かって押圧する押圧機構を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の試験装置。
前記試験治具は、前記接触端子の伸びる方向に対して垂直な第１の平面を有し、
前記支持台は、前記ステージの前記上面に対して平行な第２の平面を有し、
前記試験治具を前記支持台に載せた際に前記第２の平面が前記第１の平面に接触することを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の試験装置。
前記試験治具の側面に溝が設けられていることを特徴とする請求項１～４の何れか１項に記載の試験装置。
前記支持台は、前記テスタに接続された第３の導電部材を有し、
前記ステージは、前記第３の導電部材に接触するプローブを有することを特徴とする請求項１～５の何れか１項に記載の試験装置。
前記第１の弾性体は前記支持台の下面に取り付けられていることを特徴とする請求項１～６の何れか１項に記載の試験装置。
前記試験治具の前記下面に対向して前記ステージの上に設けられた導体板を更に備えることを特徴とする請求項１～７の何れか１項に記載の試験装置。
前記第１の導電部材と前記第２の導電部材との間に設けられた中継プローブを更に備えることを特徴とする請求項１～８の何れか１項に記載の試験装置。
前記試験治具と前記支持台との接触面の全周に設けられた第２の弾性体を更に備えることを特徴とする請求項１～９の何れか１項に記載の試験装置。
前記試験治具は、前記接触端子が設けられた第１の部材と、前記支持台により支持される第２の部材と、前記第１の部材と前記第２の部材との接触面の全周に設けられた第３の弾性体とを有することを特徴とする請求項１～１０の何れか１項に記載の試験装置。
請求項１～１１の何れか１項に記載の試験装置を用いた試験方法であって、
前記試験治具を前記支持台に載せて前記第１の導電部材を前記第２の導電部材に接続させるステップと、
半導体装置を前記ステージに載せるステップと、
前記ステージを上昇させて前記接触端子を前記半導体装置に接触させ、前記第１の弾性体をステージに密着させるステップと、
前記第１の弾性体により密閉された前記空間の内部の気体を加圧するステップと、
加圧された前記空間の内部において前記半導体装置に電圧を印加して前記半導体装置の電気特性を測定するステップと、
前記電気特性を測定した後に前記半導体装置から前記接触端子を離すステップを備えることを特徴とする試験方法。
前記電気特性を測定した後、前記半導体装置から前記接触端子を離す前に、加圧を停止して前記空間の内部を常圧に戻すステップを更に備えることを特徴とする請求項１２に記載の試験方法。
前記試験治具の交換要否を判定するステップと、
交換が必要と判定された場合に前記試験治具を交換するステップとを更に備えることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の試験方法。