JP3033594B2 - 検査装置 - Google Patents
検査装置Info
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- JP3033594B2 JP3033594B2 JP2095899A JP9589990A JP3033594B2 JP 3033594 B2 JP3033594 B2 JP 3033594B2 JP 2095899 A JP2095899 A JP 2095899A JP 9589990 A JP9589990 A JP 9589990A JP 3033594 B2 JP3033594 B2 JP 3033594B2
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- Japan
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- inspection
- dielectric film
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- semiconductor device
- inspection apparatus
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- Measuring Leads Or Probes (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は検査装置、詳しくは半導体の検査に用いる検
査装置に関するものである。
査装置に関するものである。
＜従来の技術＞ 近年、半導体の高度集積技術とその高密度実装技術の
進展に伴なって半導体装置の電極数が増加し、そのピッ
チも年々密度が高まっている。また、ベアチップの直接
回路基板への実装などのために半導体装置を直接検査す
る技術も要求されている。
進展に伴なって半導体装置の電極数が増加し、そのピッ
チも年々密度が高まっている。また、ベアチップの直接
回路基板への実装などのために半導体装置を直接検査す
る技術も要求されている。
従来から半導体装置の検査には針式のメカニカル・プ
ローブが用いられているが、このようなメカニカル・プ
ローブの寿命は高密度になると接触回数が１〜２万回と
短く、また、針を挟むブレードと針とが簡単に位置ずれ
を起こしたり、曲がったり、時にはショートを起こした
りする。さらに、接触時に力が加わるので針やブレード
がダイパッドに突き刺さって損傷を与えることもあり、
検査時に製品不良を起こすこともある。また、インピー
ダンスの整合を針に行なうことが困難であるために複雑
な構造を採用し難いものである。
ローブが用いられているが、このようなメカニカル・プ
ローブの寿命は高密度になると接触回数が１〜２万回と
短く、また、針を挟むブレードと針とが簡単に位置ずれ
を起こしたり、曲がったり、時にはショートを起こした
りする。さらに、接触時に力が加わるので針やブレード
がダイパッドに突き刺さって損傷を与えることもあり、
検査時に製品不良を起こすこともある。また、インピー
ダンスの整合を針に行なうことが困難であるために複雑
な構造を採用し難いものである。
＜発明が解決しようとする課題＞ 本発明は上記従来の針式のメカニカル・プローブの欠
点を解決した全く新規な検査装置を提供することを目的
とするものである。
点を解決した全く新規な検査装置を提供することを目的
とするものである。
＜課題を解決するための手段＞ 本発明者らは上記目的を達成するために鋭意検討を重
ねた結果、特定構造の誘電体フィルムを用いることによ
って針式のメカニカル・プローブに代わる優れた検査装
置が得られることを見い出し、本発明を完成するに至っ
た。
ねた結果、特定構造の誘電体フィルムを用いることによ
って針式のメカニカル・プローブに代わる優れた検査装
置が得られることを見い出し、本発明を完成するに至っ
た。
即ち、本発明は検査回路および電極リードを表面に有
する誘電体フィルムからなる検査装置であって、リード
形成部位の誘電体フィルムには微小径の導通孔が設けら
れ、しかもリード形成面と反対面の導通孔端にバンプ状
の金属突出物が設けられており、金属突出物の表面が金
とその表面を被覆するロジウムから形成されていること
を特徴とする検査装置を提供するものである。
する誘電体フィルムからなる検査装置であって、リード
形成部位の誘電体フィルムには微小径の導通孔が設けら
れ、しかもリード形成面と反対面の導通孔端にバンプ状
の金属突出物が設けられており、金属突出物の表面が金
とその表面を被覆するロジウムから形成されていること
を特徴とする検査装置を提供するものである。
また、上記検査装置は検査回路および電極リードを形
成した誘電体フィルムを互いに電気的に接合して積層す
ることによって配線回路の自由度が増すので、高密度タ
イプの半導体装置の検査にも適用でき有用なものとな
る。
成した誘電体フィルムを互いに電気的に接合して積層す
ることによって配線回路の自由度が増すので、高密度タ
イプの半導体装置の検査にも適用でき有用なものとな
る。
＜実施例＞ 以下、本発明の実施例を図面により説明する。
第１図は本発明の検査装置を半導体装置５の電極部６
に接触させて検査を行なっている状態を示す一検査実例
の断面図である。本発明の検査装置は検査回路および電
極リード１を表面に有する誘電体フィルム２から構成さ
れ、リード１形成部位の誘電体フィルム２には微小径の
導通孔３が設けられいると共に、リード１形成面と反対
面の導通孔３の端部にはバンプ状の金属突出物４が設け
られてなるものである。検査に際しては上記バンプ状の
金属突出物４を半導体装置５の電極部６と接触させて、
電気的に様々な検査を行なうことができる。また、第１
図に示すように半導体装置５の有効面に対峙する部分の
誘電体フィルム２に窓部７を設けることによって、検査
時の位置合わせを容易に行なうことができ、さらに、不
良の半導体装置５には窓部７を通してマーキングするこ
ともできる。
に接触させて検査を行なっている状態を示す一検査実例
の断面図である。本発明の検査装置は検査回路および電
極リード１を表面に有する誘電体フィルム２から構成さ
れ、リード１形成部位の誘電体フィルム２には微小径の
導通孔３が設けられいると共に、リード１形成面と反対
面の導通孔３の端部にはバンプ状の金属突出物４が設け
られてなるものである。検査に際しては上記バンプ状の
金属突出物４を半導体装置５の電極部６と接触させて、
電気的に様々な検査を行なうことができる。また、第１
図に示すように半導体装置５の有効面に対峙する部分の
誘電体フィルム２に窓部７を設けることによって、検査
時の位置合わせを容易に行なうことができ、さらに、不
良の半導体装置５には窓部７を通してマーキングするこ
ともできる。
本発明の検査装置における誘電体フィルム２は、電気
絶縁性を有するフィルムであればその素材に限定はな
く、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系
樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリ
アミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ABS樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂など熱
硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を問わず使用できる。これら
のうち、誘電率や耐熱性、機械的強度の点からはポリイ
ミド系樹脂を用いることが好ましい。
絶縁性を有するフィルムであればその素材に限定はな
く、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系
樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリ
アミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ABS樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂など熱
硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を問わず使用できる。これら
のうち、誘電率や耐熱性、機械的強度の点からはポリイ
ミド系樹脂を用いることが好ましい。
上記誘電体フィルム２の片面に形成される検査回路お
よび電極リード１は、例えば金、銀、銅、鉄、ニッケ
ル、コバルトなどの各種金属、またはこれらを主成分と
する各種合金などの導電性材料を用い、スパッタリン
グ、各種蒸着、各種メッキなどの方法で形成され、検査
時に半導体装置５の所定の機能を検査できるように所望
の線状パターンにて配線される。
よび電極リード１は、例えば金、銀、銅、鉄、ニッケ
ル、コバルトなどの各種金属、またはこれらを主成分と
する各種合金などの導電性材料を用い、スパッタリン
グ、各種蒸着、各種メッキなどの方法で形成され、検査
時に半導体装置５の所定の機能を検査できるように所望
の線状パターンにて配線される。
上記誘電体フィルム２に設ける微小径導通孔３は、電
極リード１と半導体装置５上の電極部６との電気的接続
を果たすために重要であり、誘電体フィルム２のリード
１形成部位にリード１の幅よりも小さな孔間ピッチに
て、１個以上の導通孔がフィルム２の厚み方向に設けら
れている。貫通孔３は機械加工やレーザー加工、光加
工、化学エッチングなどの方法を用い、任意の孔径や孔
間ピッチにて設けることができ、例えば精度よく設ける
ためにはエキシマレーザーの照射による穿孔加工を行な
うことが好ましい。また、導通孔３の孔径は、隣り合う
導通孔同士が繋がってショートしない程度にまで大きく
し、さらに孔間ピッチもできるだけ小さくしてリード１
に接する導通孔３の数を増やすことが、該導通孔３の電
気抵抗が小さくできて好ましいものである。
極リード１と半導体装置５上の電極部６との電気的接続
を果たすために重要であり、誘電体フィルム２のリード
１形成部位にリード１の幅よりも小さな孔間ピッチに
て、１個以上の導通孔がフィルム２の厚み方向に設けら
れている。貫通孔３は機械加工やレーザー加工、光加
工、化学エッチングなどの方法を用い、任意の孔径や孔
間ピッチにて設けることができ、例えば精度よく設ける
ためにはエキシマレーザーの照射による穿孔加工を行な
うことが好ましい。また、導通孔３の孔径は、隣り合う
導通孔同士が繋がってショートしない程度にまで大きく
し、さらに孔間ピッチもできるだけ小さくしてリード１
に接する導通孔３の数を増やすことが、該導通孔３の電
気抵抗が小さくできて好ましいものである。
上記導通孔３は誘電体フィルム２の表裏面に導通して
おり、導通は通常、金属物質をメッキなどの手段を用い
て充填することによって達成できる。例えば、リード１
を電極として微小径穿孔した誘電体フィルム２を電解メ
ッキすることによって選択的にリード形成部位のみに充
填することができるのである。ここで充填される金属物
質は単一の金属物質に限定されず、複数種の金属物質を
用いて多層構造とすることができる。例えば、導通孔３
のリード１側の第１層に銅などの安価な金属物質を用
い、半導体装置と接する第３層には接続信頼性の高い金
などの金属物質を用い、第１層と第３層との間に位置す
る第２層として、第１層と第３層を形成する金属物質の
相互反応を防止するためのバリアー性金属物質としてニ
ッケルなどを用いることができる。
おり、導通は通常、金属物質をメッキなどの手段を用い
て充填することによって達成できる。例えば、リード１
を電極として微小径穿孔した誘電体フィルム２を電解メ
ッキすることによって選択的にリード形成部位のみに充
填することができるのである。ここで充填される金属物
質は単一の金属物質に限定されず、複数種の金属物質を
用いて多層構造とすることができる。例えば、導通孔３
のリード１側の第１層に銅などの安価な金属物質を用
い、半導体装置と接する第３層には接続信頼性の高い金
などの金属物質を用い、第１層と第３層との間に位置す
る第２層として、第１層と第３層を形成する金属物質の
相互反応を防止するためのバリアー性金属物質としてニ
ッケルなどを用いることができる。
さらに、この導通孔３のリード１形成面と反対面の孔
端には、0.1〜数百μｍの高さで半導体装置５の電極部
６と接触させるバンプ状の金属突出物４を形成させ、本
発明の検査装置とすることができる。バンプ状の金属突
出物４は任意の形状とすることができ、例えば導通孔３
の形状にしたがって、第２図のように形成することがで
きる。また、本発明においては第３図（ａ）や（ｂ）の
ように、金属突出物４上にさらに小径（もしくは針状）
の突出物15を形成することができる。このようにするこ
とによって、半導体装置５の電極部６表面に空気酸化な
どによって生じる金属酸化膜を突き破るという作用を付
加することもできる。また、本発明の検査装置では第４
図に示すように、金属突出物４の上面、即ち、半導体装
置５の電極部６と接する部分を耐摩耗性の金属物質16に
て被覆することによって、金属突出物の摩耗を低減する
ことができ、本発明では金属物質16にロジウムを用いる
ことによって、電極部６に生じる酸化膜カスによる汚染
を防止することができる。
端には、0.1〜数百μｍの高さで半導体装置５の電極部
６と接触させるバンプ状の金属突出物４を形成させ、本
発明の検査装置とすることができる。バンプ状の金属突
出物４は任意の形状とすることができ、例えば導通孔３
の形状にしたがって、第２図のように形成することがで
きる。また、本発明においては第３図（ａ）や（ｂ）の
ように、金属突出物４上にさらに小径（もしくは針状）
の突出物15を形成することができる。このようにするこ
とによって、半導体装置５の電極部６表面に空気酸化な
どによって生じる金属酸化膜を突き破るという作用を付
加することもできる。また、本発明の検査装置では第４
図に示すように、金属突出物４の上面、即ち、半導体装
置５の電極部６と接する部分を耐摩耗性の金属物質16に
て被覆することによって、金属突出物の摩耗を低減する
ことができ、本発明では金属物質16にロジウムを用いる
ことによって、電極部６に生じる酸化膜カスによる汚染
を防止することができる。
本発明の検査装置は上記構造を基本構造としている
が、例えば第５図や第６図のように積層構造とすること
もできる。第５図は検査回路および電極リード１を有す
る誘電体フィルム２を、電気絶縁性の接着剤層８を介し
て２枚積層してなる検査装置であり、一方の検査回路10
にアース用回路などを配線してなるものである。このよ
うな積層構造とすることによって、インピーダンスの整
合をより正確に保証できるようになる。また、上記２種
の回路は金属物質を充填した微細なバイアホール11で結
合することもできる。
が、例えば第５図や第６図のように積層構造とすること
もできる。第５図は検査回路および電極リード１を有す
る誘電体フィルム２を、電気絶縁性の接着剤層８を介し
て２枚積層してなる検査装置であり、一方の検査回路10
にアース用回路などを配線してなるものである。このよ
うな積層構造とすることによって、インピーダンスの整
合をより正確に保証できるようになる。また、上記２種
の回路は金属物質を充填した微細なバイアホール11で結
合することもできる。
第６図は検査回路の積層構造の他の実施例を示したも
のであり、検査回路12,12′をそれぞれ有する誘電体フ
ィルム13,13′が、第５図と同様に接着剤層14,14′を介
して積層されている構造のものを、第５図の検査装置の
構造に積層してなるものであり、各回路はバイヤホール
11による電気的な接合にて導通している。
のであり、検査回路12,12′をそれぞれ有する誘電体フ
ィルム13,13′が、第５図と同様に接着剤層14,14′を介
して積層されている構造のものを、第５図の検査装置の
構造に積層してなるものであり、各回路はバイヤホール
11による電気的な接合にて導通している。
このように、本発明の検査装置は積層数を必要に応じ
て設定できるので、配線の自由度が増し、高密度タイプ
の半導体装置の検査をすることも可能となる。
て設定できるので、配線の自由度が増し、高密度タイプ
の半導体装置の検査をすることも可能となる。
＜発明の効果＞ 以上のように、本発明の検査装置は特定構造の誘電体
フィルムを用いた構造を有し、バンプ状の金属突出物を
検査用の接点に用いているので、従来の針式のメカニカ
ル・プローブのような検査時に被検査部位を損傷させる
ことがなく、製品不良を起こすことがない。また、検査
時の位置合わせも容易であり、ショートを起こすことが
ないものである。さらに、検査回路を有するのでインピ
ーダンスの整合が容易であり、高周波特性を有する半導
体愛装置の検査が容易となり、多層化することによって
高密度タイプの半導体装置にも充分に対応できるもので
ある。
フィルムを用いた構造を有し、バンプ状の金属突出物を
検査用の接点に用いているので、従来の針式のメカニカ
ル・プローブのような検査時に被検査部位を損傷させる
ことがなく、製品不良を起こすことがない。また、検査
時の位置合わせも容易であり、ショートを起こすことが
ないものである。さらに、検査回路を有するのでインピ
ーダンスの整合が容易であり、高周波特性を有する半導
体愛装置の検査が容易となり、多層化することによって
高密度タイプの半導体装置にも充分に対応できるもので
ある。
第１図は本発明の検査装置を半導体装置の電極部に接触
させて検査を行なっている状態を示す一検査実例の断面
図、第２図、第３図（ａ）、第３図（ｂ）および第４図
は本発明の検査装置におけるバンプ状金属突出物の形成
方法を示す拡大断面図、第５図および第６図は本発明の
検査装置の他の実施例を示す断面図である。 １……検査回路、２……誘電体フィルム、 ３……導通孔、４……バンプ状金属突出物
させて検査を行なっている状態を示す一検査実例の断面
図、第２図、第３図（ａ）、第３図（ｂ）および第４図
は本発明の検査装置におけるバンプ状金属突出物の形成
方法を示す拡大断面図、第５図および第６図は本発明の
検査装置の他の実施例を示す断面図である。 １……検査回路、２……誘電体フィルム、 ３……導通孔、４……バンプ状金属突出物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 望月 周 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日 東電工株式会社内 (72)発明者 相沢 幹雄 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日 東電工株式会社内 合議体 審判長 新宮 佳典 審判官 島田 信一 審判官 榮永 雅夫 (56)参考文献 特開 昭64−4042（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−139511（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−155521（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−122265（ＪＰ，Ｕ)
Claims (2)
- 【請求項１】検査回路および電極リードを表面に有する
誘電体フィルムからなる検査装置であって、リード形成
部位の誘電体フィルムには微小径の導通孔が設けられ、
しかもリード形成面と反対面の導通孔端にバンプ状の金
属突出物が設けられており、金属突出物の表面が金とそ
の表面を被覆するロジウムから形成されていることを特
徴とする検査装置。 - 【請求項２】検査回路および電極リードを形成した誘電
体フィルムが、互いに電気的に接合されて積層されてい
る請求項（１）記載の検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2095899A JP3033594B2 (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | 検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2095899A JP3033594B2 (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | 検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03293566A JPH03293566A (ja) | 1991-12-25 |
| JP3033594B2 true JP3033594B2 (ja) | 2000-04-17 |
Family
ID=14150150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2095899A Expired - Lifetime JP3033594B2 (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | 検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3033594B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008185596A (ja) * | 1994-02-21 | 2008-08-14 | Renesas Technology Corp | 接続装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4912399A (en) * | 1987-06-09 | 1990-03-27 | Tektronix, Inc. | Multiple lead probe for integrated circuits in wafer form |
-
1990
- 1990-04-10 JP JP2095899A patent/JP3033594B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03293566A (ja) | 1991-12-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060711 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20061226 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |