TW478014B - Semiconductor device and method of manufacturing thereof - Google Patents
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Description
478014 A7
五、發明說明(1 ) 發明背景 1 ·發明範圍 本發明是關於半導體裝置,其具有由薄膜電晶體(此 後稱爲TFT s )構成的電路,及製造半導體裝置之方法 。例如’本發明關於以液晶顯示面板爲典型的電光學裝置 ’及以此電光學裝置做爲其零件之電子裝備。 注意’在說明書中使用的半導體裝置標示一般的裝置 ’其利用半導體特徵而作用,且電光學裝置、半導體電路 與電子裝備皆爲半導體裝置。 2.相關技藝說明 近年來,利用形成在具有絕緣表面之基材上的半導體 薄膜(其厚度在約數毫微米至數百毫微米的位階)構成薄 膜電晶體(T F T )的技術已成爲眾人注目的焦點。此薄 膜電晶體廣泛應用到電子裝置,諸如積體電路或電光學裝 置,特別地,薄膜電晶體充當液晶顯示裝置之切換元件的 發展正快速進行中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲了在液晶顯示裝置中獲得高品質的影像,一使用薄 月旲電晶體做爲切換兀件以連接到個別像素電極-其係配置在 基體中-的有效基體型液晶顯示裝置正吸引很多注意,。 必須做到的是,一影像信號的電位保存在每一連接到 薄膜電晶體的像素電極中,直到次一寫入時間爲止,以在 有效基體型液晶顯示裝置中執行良好品質的顯示。通常, 在每一像素中提供一儲存電容器(C s )可保存影像信號 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -4- 478014 A7 _________ B7 五、發明說明(2 ) 的電位。 已有各種建議,以用於上述儲存電容器(C s )的結 構與形成方法。然而,自製造過程之可靠性或簡單性的觀 點,較佳者爲,在用於構成一像素的絕緣薄膜中,薄膜電 晶體之一具有最高品質的閘絕緣薄膜充當儲存電容器( C s )的介電質。傳統上,如圖1 8所示,一成爲上電極 的電容器線路係首先利用一掃描線而提供,然後儲存電容 器(C s )的形成是利用上電極(電容器線路)、一介電 層(閘絕緣薄膜)與一下電極(半導體薄膜)而實行。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而且,自執行顯示的觀點,需要提供像素更大的儲存 電容器及使孔徑比更高。如果每一像素具有高孔徑比,則 改進背光的有效利用。結果,可以抑制用於獲得預定的顯 示發光性之背光量,因而可獲得省電及小尺寸的顯示裝置 。此外,每一像素設有一大的儲存電容器,藉以改進每一 像素保存顯示資料的特徵,以改進顯示品質。此外,在顯 示裝置的點循序驅動狀況,於每一信號線的驅動電路側需 要一信號儲存電容器(抽樣保存電容器)。然而,藉由在 每一像素中提供一大的儲存電容器,抽樣保存電容器所佔 據的表面積可以更小,因此,顯示裝置可以做得更小。 隨著使每一顯示像素微小化的進展,微小化伴隨著使 液晶顯示裝置更小及高淸晰度(增加像素數目)的進展而 發生,此需求乃變成問題。 有一額外的問題,即,在上述傳統像素結構中,難以 實現高孔徑比及相容的大儲存電容器。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -5-
五、發明說明(3 ) 依據表1的設計規則之傳統像素結構象素尺寸爲 1 9 · 2微米-顯示於圖1 8。 矽層.最小尺寸=Ο . 8微米,最小間隔=丄.5微米 聞電極:最小尺寸=1·〇微米,最小間隔=1·5微米 掃插線:最小尺寸=1 · 5微米,最小間隔二1 · 5微米 ίθ號線與砂層的接觸孔:最小尺寸:=1 . Q微米 接觸孔與矽層的界限=1 . 〇微米 接觸孔與掃描(鬧電極)線的最小間隔=1 . 3微米 信號線:最小尺寸=1 . 5微米,最小間隔=1 . 5微米 接觸孔與信號線的界限=1 . 3微米 像素尺寸:19.微米□ 像素薄膜電晶體:L = 1 · 5微米,W = 〇 . 8微米,單閘 掃描線:線路寬度的最小尺寸=1 . 0微米 掃描線:在重疊的矽層之一部分的線路寬度之最小尺寸= 1 . 5微米 電容器線路:最小尺寸二2.0微米_ 傳統像素結構之一特徵爲’二線路(一掃描線與一電 容器線路)係相關於二個別線路、掃描線與電容器線路的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478014 A7 ______________ B7 五、發明說明(4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 連續形成而配置成互相平行。圖1 8中,參考號碼1 ◦標 示一半導體薄膜,1 1標示一掃描線,1 2標示一信號線 ’ 1 3標示一電極,1 4標示一電容器線路。注意,圖 1 8是像素的簡化頂視圖,所以連接到電極1 3的像素電 極及到達電極1 3的接觸孔二者皆未顯示於圖中。 於是,在以一上電極(電容器線路)、一介電層(絕 緣薄膜)與一下電極(半導體薄膜)構成儲存電容器的狀 況,構成像素之電路所需要的全部電路元件(一像素薄膜 電晶體、一儲存電容器、一接觸孔等)變成與一閘絕緣薄 膜相關的元件。因此,構成電路元件的這些元件在每一像 素內幾乎配置成平面狀。 所以,重要的是有效佈置構成像素電路所需要的電路 元件,以獲得每一像素的高孔徑比及大的儲存電容器,且 在規則化的像素尺寸內。另言之,自全部電路元件係與閘 絕緣薄膜連接的事實,可以斷言,重要的是改進利用閘絕 緣薄膜的效率。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於是,從以上的看法,圖1 8之一像素電路結構的例 子之有效平面佈置圖顯示於圖1 9。圖1 9中,參考號碼 2 1標示單一像素區域,2 2標示一像素開口區域,2 3 標示一儲存電容器區域,2 4標示一 A區域,2 5標示薄 膜電晶體之一部分與一接觸區域。 關於圖1 9所示像素開口區域2 2的面積,其爲 216· 7平方微米(孔徑比爲58 .8%),其由 6 4 · 2平方微米之儲存電容器區域2 3、薄膜電晶體部 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 478014 A7 B7 五、發明說明(5) 分與42 · 2平方微米之接觸區域25、及34 · 1平方 微米之A區域的面積組成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A區域2 4是掃描線與電容器線路之隔離區域,其源 自於以下的事實-用於將充當薄膜電晶體閘電極之區域互相 連接的線路部分、掃描線與電容器線路配置成爲互相平行 ° A區域的閘絕緣薄膜未被賦予它的原始功能,乃成爲線 路佈置效率減少的原因。 此外,在以上結構的狀況有一個問題,即,嚴格要求 一電容器線路電阻。 在一正常的液晶顯示裝置驅動器中,影像信號電位之 寫入至連接到每一掃描線的複數像素是在掃描線方向連續 (於點循序驅動的狀況或同時(於線性循序驅動的狀況) 執行。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 關於上述使電容器線路與掃描線於像素結構中互相平 行的配置,連接到個別掃描線的複數像素係連接到一共同 的電容器線路。所以,對應於像素寫入電流之用於複數像 素的相反電流連續或同時流動於共同的電容器線路中。爲 了避免電容器線路的電位變化造成顯示品質降低,需要充 分降低電容器線路電阻。 然而,加寬線路的寬度以降低電容器線路電阻意指, 儲存電容器的表面積擴大,而像素的孔徑比減少。 發明槪述 鑑於以上問題,乃產生本發明以做爲設計方面的解答 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -8- 478014 A7 B7 -------—--— 五、發明說明(6 ) ,所以,本發明之一目的是提供一種液晶顯示裝置,其藉 由獲得高孔徑比並保存足夠的儲存電容器(C s ),胃_ 將電容器線路的負載(像素寫入電流)以適時的方式# Μ 而有效減少負載,乃具有高顯示品質。 揭示於此說明書中之本發明的結構是一半導體裝置, 其特徵爲包括: 一在絕緣表面上的第一線路; 一在該第一線路上的第一絕緣薄膜; 一在該第一絕緣薄膜上的半導體薄膜; 一在該半導體薄膜上的第二絕緣薄膜; 一第二線路與一閘電極,其待連接到該第二絕緣薄膜 上的第一線路; 一在該第二線路與該閘電極上的第三絕緣薄膜; 一弟二線路,其待連接到該第二絕緣薄膜上的半導體 薄膜。 在上述結構中,半導體裝置之特徵爲半導體薄膜與第 二線路經由第二絕緣薄膜而重疊。 此外,在上述個別結構中,半導體裝置之特徵爲一儲 存電容器具有第二絕緣薄膜充當介電質,而在一區域,第 二線路與半導體薄膜經由第二絕緣薄膜而重疊。 此外,在上述個別結構中,半導體裝置之特徵爲一導 電型式的不純元素摻雜至半導體薄膜區域中,於該處,第 二線路經由第二絕緣薄膜而重疊。 此外,在上述個別結構中,半導體裝置之特徵爲又包 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項#填寫本頁) 裝
-ϋ I _1 ^-°4 «^1 I ammmm I I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -9- 478014 A7 ___ B7 五、發明說明(7 ) 括一待連接到半導體薄膜的電極及一待連接到第三絕緣薄 膜上之電極的像素。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外’在上述個別結構中,半導體裝置之特徵爲第一 線路與第二線路配置在互相正交的方向。 此外’在上述個別結構中,半導體裝置之特徵爲第一 線路配置在與第三線路正交的方向。 此外’在上述個別結構中,半導體裝置之特徵爲閘電 極形成在與第一線路不同的層上。 此外’在上述個別結構中,半導體裝置之特徵爲閘電 極的圖案是島形。 此外,在上述個別結構中,半導體裝置之特徵爲第一 線路包括一掃描線。 此外,在上述個別結構中,半導體裝置之特徵爲第二 線路包括一*電容器線路。 此外,在上述個別結構中,半導體裝置之特徵爲第三 線路包括一* fg號線。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外,在上述個別結構中,半導體裝置之特徵爲第二 絕緣薄膜包括一閘絕緣薄膜。 此外,在上述個別結構中,半導體裝置之特徵爲閘電 極由一薄膜製成,薄膜以一元素做爲它的主要成分,元素 是選自聚矽、鎢、W S i x、鋁、鉅、鉻或鉬組成的群組, 其已摻雜導電型不純元素,或由這些元素之組合的層壓薄 膜製成。 此外,另一發明的結構是一半導體裝置,其特徵爲包 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -10- 478014 A7 B7 五、發明說明(8 ) 括: (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 複數信號線,其以一預定間隔互相配置成平行’且連 接到一信號線驅動器電路;及 複數掃描線,其以一預定間隔互相配置成平行,且連 接到一掃描線驅動器電路;及 一配置成與信號線平行的電容器線路。 此外,在上述結構中,半導體裝置之特徵爲掃描線與 信號線正交。 此外,在上述個別結構中,半導體裝置之特徵爲又包 括一薄膜電晶體,其具有一連接到與信號線正交之掃描線 的閘電極及一連接到薄膜電晶體的像素電極。 此外,在上述個別結構中,半導體裝置之特徵爲閘電 極形成在與掃描線不同的層上。 此外,在上述個別結構中,半導體裝置之特徵爲閘電 極的圖案是島形。 · 此外,獲得以上結構之本發明的結構是一種半導體裝 置之製造方法,其特徵爲包括: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第一步驟,在一具有絕緣表面的基材上形成第一線路 y 第二步驟,在第一線路上形成第一絕緣薄膜; 第二步驟,在第一線路上形成半導體薄膜; 第四步驟,在半導體薄膜上形成第二絕緣薄膜; 第五步驟,藉由選擇性蝕刻第一絕緣薄膜與第二絕緣 薄膜’形成到達第一線路的第一接觸孔; 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -11 - 478014 A7 B7
第六步驟,在第二絕緣薄膜上形成一閘電極,其電_ 於半導體薄膜之一部分,且經由第一接觸孔連接到第〜 線 路; 第七步驟,在閘電極上形成第三絕緣薄膜; 第八步驟,藉由選擇性蝕刻第二絕緣薄膜與第三絕糸条 薄膜,形成到達半導體薄膜的第二接觸孔; 第九步驟,在第三絕緣薄膜上形成第三線路,其,經_ 第二接觸孔連接到半導體薄膜; 此外,在上述結構中,製造方法之特徵爲在形成阐胃 極的相同步驟中,第二線路形成於第二絕緣薄膜上,以胃 疊於一部分半導體薄膜。 此外,在上述結構中,製造方法之特徵爲又包括_ & 驟,係在形成第二絕緣薄膜於半導體薄膜上的步驟以後, 使重疊於第二線路的第二絕緣薄膜部分變薄。 此外,在上述結構中,製造方法之特徵爲第二絕緣薄 膜是一閘絕緣薄膜,第一線路是一掃描線,第二線路是一 電容器線路,而第二線路是一信號線。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖式簡單說明 在附圖中: 圖1是一像素的頂視圖; 圖2!是顯不一薄膜電晶體基材之電路結構的圖; 圖3 A與3 B是顯示薄膜電晶體基材之剖視圖的圖; 圖4繪示一有效基體型液晶顯示裝置的剖面結構; 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -12 - 478014 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(11) 100c 接觸孔 1〇〇d 接觸孔 1〇1 基材(薄膜電晶體基材) 102 掃描線 10 3 第一絕緣薄膜 1〇4 半導體薄膜 10 5 閘絕緣薄膜(第 1〇6 閘電極 107 電容器線路 108 第三絕緣薄膜 10 9 信號線或電極 110 島形電極 111 信號線或電極 112 第四絕緣薄膜 113 光屏蔽薄膜 114 第五絕緣薄膜 115 像素電極 116 對準薄膜 117 液晶層 118 對準薄膜 119 對立電極 120 對立基材 200 儲存電容器 2 0 1 像素部分 絕緣薄膜) ------------·!裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — — — — — — — — 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -14- 478014 A7 B7 五、發明說明(12) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 〇 2 掃 描 線 馬區 動 器 電 路 2 〇 3 信 號 線 驅 動 器 電 路 2 〇 4 驅 動 器 電路 2 〇 5 影 像 信 號 2 〇 6 接 地 或 固 定 電 位 2 0 7 掃 描 線 ( 閘 線 路 ) 2 〇 8 信 線 4 〇 1 基 材 4 〇 2 掃 描 線 4 〇 3 3 絕 緣 薄 膜 4 〇 3 b 絕 緣 薄 膜 4 〇 4 半 導 體 層 4 〇 5 罩 幕 4 〇 6 半 導 體 rJ-ii 層 的 一 部 分 4 〇 7 罩 幕 4 〇 8 a 絕 緣 薄 膜 4 〇 8 b 絕 緣 薄 膜 4 〇 9 罩 幕 4 1 〇 閘 電 極 4 1 1 電 容 器 線 路 4 1 2 罩 幕 4 1 3 筒 濃 度 不 純 區 域 4 1 4 槽 道 形成 域 4 1 5 低 濃 度 不 純 區 域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -15- 478014 A7 B7 五、發明說明(13) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 1 6 鈍 化 薄 膜 4 1 7 層 間 絕 緣 薄 膜 4 1 8 電 極 4 1 9 源 極 線 路 4 2 〇 層 間 絕 緣 薄 膜 4 2 1 光 屏 蔽 層 4 2 2 層 間 絕 緣 薄 膜 4 2 3 像 素 電 極 4 2 4 像 素 電 極 5 〇 0 a 接 觸 孔 5 〇 Ob 接 觸 孔 5 〇 0 c 接 觸 孔 5 0 1 基 材 5 0 2 閘 絕 緣 薄 膜 ( 5 0 2 a 掃 描 線 5 〇 2 b 電 容 器 電 極 5 〇 3 絕 緣 薄 膜 5 〇 4 半 導 體 薄 膜 5 〇 6 閘 電 極 5 〇 7 電 容 器 線 路 5 〇 8 第 二 閘 絕 緣 薄 5 〇 9 信 號 線 5 1 〇 電 極 6 〇 1 基 材 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -16- 478014 A7 _B7 五、發明說明(14) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 〇 2 掃 描 線 6 〇 3 第 一 絕 緣 薄 膜 6 〇 4 半 導 體 薄 膜 6 〇 5 閘 絕 緣 薄 膜 ( 第 二 絕 緣薄 6 〇 6 a 電 容 器 線 路 6 0 6 b 閘 電 極 6 0 6 c 閘 線 路 6 〇 7 第 二 絕 緣 薄 膜 6 〇 8 電 極 6 0 9 第 四 絕 緣 薄 膜 6 1 〇 光 屏 蔽 薄 膜 6 1 1 第 五 絕 緣 薄 膜 6 1 2 像 素 電 極 6 1 3 對 準 薄 膜 6 1 4 液 晶 層 6 1 5 對 準 薄 膜 6 1 6 對 、r,: 電 極 6 1 7 對 基 材 8 〇 〇 像 素 薄 膜 電 晶 體 8 0 2 掃 描 線 驅 動 器 電 路 8 〇 3 信 號 線 驅 動 器 電 路 8 〇 4 F P C ( 撓 性 印 刷 電 路) 8 〇 5 外 部 輸 入 _LU_r m 子 8 〇 6 連 接 線 路 -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) « 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 478014 A7 B7 五、發明說明(15) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 〇 7 連接 線 路 8 〇 8 對立 基 材 2 〇 〇 1 主 體 2 〇 〇 2 影 像 輸 入 部 分 2 〇 〇 3 顯 示 部 分 2 〇 〇 4 鍵 j&ru 2 1 〇 1 主 體 2 1 〇 2 顯 示 部 分 2 1 〇 3 聲 頻 輸 入 部 分 2 1 〇 4 操 作 開 關 2 1 〇 5 電 池 2 1 〇 6 影 像 接 收 部 分 2 2 〇 1 主 體 2 2 〇 2 照 相 機 部 分 2 2 〇 3 影 像 接 收 部 分 2 2 〇 4 操 作 開 關 2 2 〇 5 顯 示 部 分 2 3 〇 1 主 體 2 3 〇 2 顯 示 部 分 2 3 〇 3 臂 部 分 2 4 〇 1 主 體 2 4 〇 2 顯 示 部 分 2 4 〇 3 揚 聲 器 部 分 2 4 〇 4 記 錄 媒 體 -------------^^装-----r---訂---------線一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -18- 478014 A7 B7 五、發明說明(16) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 4 〇 5 操 作 開 關 2 5 〇 1 主 體 2 5 〇 2 顯 示 部 分 2 5 〇 3 巨 m 部 分 2 5 〇 4 操 作 開 關 2 6 〇 1 投 影 單 元 2 6 〇 2 螢 光 幕 2 7 〇 1 主 體 2 7 〇 2 投 影 單 元 2 7 〇 3 鏡 子 2 7 〇 4 螢 光 幕 2 8 〇 1 光 源 光 學 系 統 2 8 〇 2 鏡 子 2 8 〇 3 二 色 鏡 2 8 〇 4 鏡 子 2 8 〇 5 鏡 子 2 8 〇 6 鏡 子 2 8 〇 7 稜 鏡 2 8 〇 8 液 晶 顯 示 裝 置 2 8 〇 9 相 差 板 2 8 1 〇 投 影 光 學 系 統 2 8 1 1 反射 器 2 8 1 2 光 源 2 8 1 3 透 鏡 陣 列 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·% 一^ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -19- 478014 A7 B7 五、發明說明(17) 2 8 14 透鏡陣列 2815 極化轉換元件 2 8 16 聚光透鏡 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 較佳實施例詳細說明 以下將說明本發明的較佳實施例。 本發明的特徵爲一掃描線形成在與一閘電極不同的層 上’以增加孔徑比及增加儲存電容器。本發明之像素結構 的例子顯示於圖1。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1中,一藉由圖案化而成爲島形的閘電極1 〇 6經 由一形成在絕緣薄膜上的接觸孔1 〇 〇 c ,而連接到一掃 描線1 0 2。此外,一半導體薄膜1 〇 4經由一接觸孔 1 〇 0 a連接到一信號線1 〇 9。此外,半導體薄膜 1〇4經由一接觸孔1 〇 〇 b連接到一電極1 1 〇。半導 體薄膜之一區域,其連接到信號線1 〇 9或電極1 1 〇, 稱爲源極區域或汲極區域。此外,一槽道形成區域形成在 源極區域與汲極區域之間,且閘電極1 〇 6經由一閘絕緣 薄膜而出現在槽道形成區域上。注意,爲了簡化起見,源 極區域與汲極區域、槽道形成區域未顯示於圖中。 依據本發明,在掃描線1 〇 2係形成於閘電極1 0 6 下層的狀況,如圖1所示,掃描線1 〇 2將設在半導體薄 膜1 0 4下層,於是可充當光屏蔽薄膜。此外,儲存電容 器具有充當半導體薄膜的下電極、遮蓋充當介電質之半導 體薄膜的絕緣薄膜、充當電容器線路1 〇 7的上電極。注 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 20- 478014 A7 __ B7 五、發明說明(18) 意’儲存電容器可以藉由使遮蓋半導體薄膜的絕緣薄膜部 分變薄而變大。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外,依據本發明之一特色,每一像素的薄膜電晶體 可以是雙閘結構,其中一閘電極經由一閘絕緣薄膜而設在 槽道形成區域的上與下部,而可以抑制由掃描線與另一線 路形成的儲存電容器,並藉由適當設定第一絕緣薄膜的薄 膜厚度,而改進薄膜電晶體的特徵。 不同於先前技藝(電容器線路配置成與掃描線平行) ,本發明的特徵爲電容器線路的配置是俾使它與信號線平 行。因此,可以獲得良好的顯示影像,其原因爲每一像素 連接到由個別獨立的電容器線路所形成的儲存電容器,即 使影像信號的連續寫入是以驅動方法而執行於和每一掃描 線對應的像素時亦然,故避免了相鄰像素的寫入電流所致 之電容器線路電位的變化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 傳統上,一抽樣保存電容器設在每一信號線中,以在 寫入每一掃描線期間,防止信號線電位(寫入電位)減少 。在本發明中,電容器線路配置成爲平行且重疊於信號線 。所以,從信號線的寄生電容增加的事實,不需要在周邊 電路之一部分中設置抽樣保存電容器,藉以改進信號線電 位的保存特徵。與先前技藝相比,周邊電路可以做成更小 〇 此外,已經減輕了電容器線路電阻的性·能需求,其原 因同上,所以在設計電容器線路的配置、尺寸與薄膜厚度 時有更多的自由。此外,因爲用於電容器線路之材料的選 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -21 - 478014 A7 ____ B7 五、發明說明(19) 擇範圍已經加寬,故減少設計與製造的複雜程度,導致獲 得更高的生產良率。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 關於由以上特色組成的本發明,實施例的詳細說明如 下。 〔實施例1〕 以下,取一投影機型液晶顯示裝置的點循序驅動器爲 例,說明本發明的實施例。 一有效基體型液晶顯示裝置,其使用薄膜電晶體做爲 它的切換元件,是由一基材(薄膜電晶體基材)與一對立 基材構成,基材的像素電極係配置在基體中,具有對立電 極的對立基材係形成於其上,而經由一液晶層配置成爲面 對薄膜電晶體基材。二基材之間的空間經由隔板等控制在 一預定的間隔’且使用一密封材料於顯示區域外周緣部分 的周圍,以圍繞液晶層。 圖4示意顯示本發明之液晶顯示裝置的剖面結構。圖 4中,參考號碼1 0 1標示一基材(薄膜電晶體基材), 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1〇2標不掃描線’ 1 0 3標不第一^絕緣薄膜,1 〇 4標 示半導體薄膜,1 0 5標示閘絕緣薄膜(第二絕緣薄膜) ,1 0 6標示閘電極,1 0 7標示電容器線路,1 〇 8標 示第三絕緣薄膜,1 0 9與1 1 1標示由信號線發出的信 號線或電極。參考號碼1 1 0標示一電極,其經由一接觸 孔(圖中未顯示)連接到半導體薄膜,接觸孔係形成於第 三絕緣薄膜。此外,閘電極1 1 0是用於將薄膜電晶體連 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)" --- •22- 478014 A7 B7 五、發明說明(20) 接到像素電極的電極。 注意,在本發明中,術語「電極」意指「線路」的一 部分,且指示線路與另一線路電連接的地方’或線路與一 半導體層相交的地方。於是,爲了解說方便起見’將術語 「線路」與「電極」區別而使用。然而,術語「電極」總 是涵蓋「線路」的意義。 注意,由參考號碼1 0 1至1 1 〇標示的部分在本發 明中界定爲薄膜電晶體。此外,參考號碼1 0 9與1 1 0 可以是由一線路發散出去的電極。 此外,參考號碼1 1 2標示第四絕緣薄膜,其遮蓋薄 膜電晶體,1 1 3標示一光屏蔽薄膜,用於防止薄膜電晶 體光退化,1 1 4標示第五絕緣薄膜,1 1 5標示一經由 接觸孔1 0 0 d連接到電極1 1 0的像素電極,1 1 6標 示一對準薄膜,用於將液晶層1 1 7定位。 亦在圖4中,一對立電極1 1 9與一對準薄膜1 1 8 設在一對立基材1 2 0上,此外,需要時,可以提供一光 屏蔽薄膜與一顏色過濾器。 基材(薄膜電晶體基材)i 〇 1包括形成在其周緣之 一像素部分2 0 1、一掃描線驅動器電路2 0 2與一信號 線驅動器電路2 0 3,如圖2所示。 掃描線驅動器電路2 0 2主要由移位暫存器組成,用 於循序傳送掃瞄信號。信號線驅動器電路2 0 3主要由抽 樣保存電路組成,用於在將一移位暫存器與一影像信號( 影像信號是依據移位暫存器的輸出而輸入)抽樣以後,保 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
23 478014 A7 _____ B7 五、發明說明(21) 存影像信號且驅動一信號線。 在像素部分2 0 1中,複數掃描線(閘線路)2 0 7 連接到是掃描線驅動器電路2 0 2,且以一預定間隔配置 成爲互相平行,且複數掃痛線2 0 8連接到具備一用於輸 入影像信號2 0 5之端子的信號線驅動器電路2 0 3 ’且 以一預定間隔配置成爲互相平行。掃描線2 0 7與信號線 2 0 8正交。配合薄膜電晶體(圖中未顯示)之配置在每 一交點,像素電極(圖中未顯示)配置在由掃描線與信號 線標記的個別區域中。於是,每一像素電極配置在來自此 結構的基體中。此外,連接到一 G N D (接地)或固定電 位2 0 6的複數電容器線路2 0 9配置成爲與信號線 2〇8平行。參考號碼2 〇 4標示一驅動器電路,其配置 在一^對立基材上。注意’爲了簡化起見’只有ί目號線、掃 描線與電容器線路的一些線顯不於圖2。 以下,參考圖1、3Α與3Β,說明圖4所示半導體 裝置之簡化的製造過程。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先,此外,也可以使用諸如基材1 0 1之玻璃基材 、石英基材與塑膠基材。在使用玻璃基材的狀況,可以在 低於玻璃畸變點約1 〇至2 0 °C的溫度,預先執行熱處理 。此外,在將形成薄膜電晶體的基材表面上形成一底薄膜 ,以防止不純物從基材1 0 1擴散。底薄膜由絕緣薄膜製 成,諸如氧化矽薄膜、氮化矽薄膜、或矽氧氮化物薄膜。 其次,一導電薄膜形成在基材上,然後,執行圖案化 ,藉以形成掃描線1 〇 2。諸如聚砂、W S i X ( X = 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -24- 478014 A7 __ B7 五、發明說明(22) 2 · 0至2 · 8 )、鋁、鉅、鎢與鉻-其已摻雜一導電型不 純物元素-及其層化結構的導電材料可以用於掃描線1 〇 2 。此實施例中,配置在一預定間隔的掃描線1 〇 2由 WSix薄膜(薄膜厚度:1〇〇毫微米)與一聚矽薄膜( 薄膜厚度:5 0毫微米)組成的層化結構形成,其係具有 高光阻礙特徵的導電材料。 其次,形成第一絕緣薄膜1 0 3,其遮蓋掃描線 1 0 2且薄fl吴厚度約爲5 0 0毫微米。一含有砂的絕緣薄 膜’其由諸如電漿化學蒸氣澱積或噴濺的習知方法形成, 係用於第一絕緣薄膜1 0 3。此外,第一絕緣薄膜1 〇 3 可由一有機絕緣材料製成的薄膜、一氧化矽薄膜、一矽氧 氮化物薄膜、一氮化矽薄膜或這些薄膜組合的層化薄膜形 成。 其次,半導體薄膜藉由諸如電漿化學蒸氣澱積或噴濺 的習知方法形成,厚度爲2 5與8 0毫微米之間(較佳爲 3 0與6 0毫微米之間),然後圖案化至所欲的形狀。此 實施例中,一無定形矽薄膜藉由電漿化學蒸氣澱積形成爲 約5 0毫微米厚。藉由習知的結晶方法,執行結晶過程, 以自無定形矽薄膜形成結晶矽薄膜(聚矽)。然後,在結 晶矽薄膜上進行圖案化,以成爲島形。雖然本實施例使用 結晶矽薄膜(聚矽),但只要它是半導體薄膜即可,無特 殊限制。 注意,在本發明中,術語「半導體薄膜」標示單晶半 導體薄膜、結晶半導體薄膜(諸如聚矽、無定形半導體薄 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·· --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 •25- 478014 A7 ____ B7 五、發明說明(23) 膜(諸如a -矽),或微結晶半導體薄膜。此外,,諸如 矽鍺薄膜的複合半導體薄膜也包含於「半導體薄膜」。 藉由諸如電漿化學蒸氣澱積噴濺方法形成之含有矽的 絕緣薄膜’或已熱氧化之半導體薄膜(諸如矽薄膜)所形 成的氧化物薄膜是用於形成第二絕緣薄膜(閘絕緣薄膜) 1 0 5。需要的時候,第二絕緣薄膜1 〇 5可以是由諸如 二層或三層之複數層組成的層化結構。 其後’爲了利用個別的島形半導體薄膜構建薄膜電晶 體’其充當影像信號寫入開關,乃使用習知的技術,以選 擇性摻雜一不純元素(諸如磷或硼),其將P型或n型導 電性賦予島形半導體薄膜,藉以形成一低電阻源極區域與 汲極區域,且又形成一低電阻區域。此低電阻區域類似於 汲極區域之處在於,它摻雜一不純元素(典型上爲磷或硼 )’且是已變成低電阻的半導體薄膜之一部分。注意,選 擇性摻雜不純元素之過程的順序沒有特殊限制。例如,不 純元素可以在第一絕緣薄膜與閘電極形成以前摻雜,或在 閘電極形成以後摻雜。此外,可以回應於電路結構,而形 成一 LDD區域與一偏置區域。注意,爲了簡化起見,個 別區域在圖中未顯示。 於是,一槽道形成區域形成於薄膜1 0 4的源極區域 與汲極區域之間。 其次,在第一絕緣薄膜1 0 3與第二絕緣薄膜1 0 5 之間執行選擇性蝕刻,藉以形成圖3 Β所示到達掃描線 102的第一接觸孔100c。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---- 訂---------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -26 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478014 A7 B7 五、發明說明(24) 其次,一導電薄膜形成於第二絕緣薄膜i 〇 5上。然 後’執彳了圖案化,以形成閘電極1 Q 6 ®電容器線路 1 0 7。閘電極1 0 6與電容器線路1 〇 7以導電材料形 成約3 0 0毫微米之厚度’導電材料係諸如聚砂、w s 土 χ (X = 2 · Ο至2 · 8 )、鋁、鉅、鎢與鉻—其已摻雜一導 電型不純物兀素-及其層化結構。此外,形成單一層,以用 於閘電極1 0 6與電容器線路1 0 7,但需要的時候,也 可以形成由諸如二層或三層之複數層組成的層化結構。在 此狀況,每一島形的閘電極經由第一接觸孔1 〇 〇 C電連 接到掃描線1 0 2 ’第一接觸孔1 〇 〇 c具有第一絕緣薄 膜1 〇 3與第二絕緣薄膜1 0 5。 島形閘電極1 〇 6經由第二絕緣薄膜1 〇 5而配置在 每一像素的槽道形成區域上。此外,電容器線路1 〇 7經 由第二絕緣薄膜1 0 5而配置在低電阻區域上。注意,儲 存電容器可以藉由增加一過程而擴大,在該過程中,電容 器線路1 0 7重疊於第二絕緣薄膜1 〇 5之區域的薄膜部 分變薄。電容器線路1 0 7也在信號線方向連續配置至每 一像素,且於顯示區域外部電連接至地面或固定的電位。 其次,形成遮蓋閘電極1 0 6與電容器線路1 〇 7的 第三絕緣薄膜1 0 8。一含有矽的絕緣薄膜,其由諸如電 槳化學蒸氣澱積或噴濺方法形成,係用於第三絕緣薄膜 1〇8。此外,第三絕緣薄膜1 0 8可由氧化矽薄膜、氮 化氧薄膜、氮化砂薄膜或這些薄膜組合的層化薄膜形成。 其次,在第二絕緣薄膜1 〇 5與第三絕緣薄膜1 0 8 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------I I---—. 裝·!!!訂--I I I I I--線 j (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) -27- 478014 A7 B7 五、發明說明(25) 上執行選擇性蝕刻,藉以形成個別顯示於圖3 A與3 B的 第二接觸孔1 0 0 a與1 〇 〇 b,以到達半導體薄膜(源 極區域或汲極區域)。 其次,一具有鋁、鎢、鈦與氮化鈦做爲其主要成分的 薄膜或一具有這些元素之層化結構的導電薄膜(薄膜厚度 :5 0 0微米)形成於第三絕緣薄膜1 〇 8上。然後執行 圖案化,藉以形成信號線1 0 9與1 1 1及島形電極 1 1 0,以連接一稍後形成的像素電極。信號線1 〇 9與 1 1 1經由到達半導體薄膜的第二接觸孔1 0 0 a與 1 0 0 b,而連接到源極區域或汲極區域。類似地,島形 電極1 1 0經由到達半導體薄膜的第二接觸孔1 〇 〇 a , 而連接到源極區域或汲極區域。此外,信號線1 〇 9與 1 1 1配置在平行於電容器線路1 0 7的方向。 島形電極1 1 0配置成爲與信號線1 0 9隔離。然而 ,信號線1 0 9與島形電極1 1 0二者不一起連接到源極 區域。類似地,信號線1 0 9與島形電極1 1 〇二者不一 起連接到汲極區域。 對應於圖1之在此階段的像素頂視圖及剖面結構示意 圖-其中’剖面是沿者圖1的斷裂線A — A 與斷裂線B — B /而作-個別對應於圖3 A與3 B。 其次,形成第四絕緣薄膜1 1 2,其遮蓋信號線 1 0 9與島形電極1 1 0。第四絕緣薄膜1 1 2可由諸如 有機絕緣材料薄膜、氧化矽薄膜、矽氧氮化物薄膜、氮化 矽薄膜或這些薄膜組合的層化薄膜形成。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) « I I I I---訂·!--I I ! 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -28- 478014 A7 ___B7 五、發明說明(26) 接著,一由諸如鈦、鋁、鎢、鉻或黑色樹脂之材料形 成而具有高光屏蔽特徵的薄膜形成在第四絕緣薄膜1 1 2 上,然後圖案化至所欲的形狀,藉以形成光屏蔽薄膜 1 1 3。光屏蔽薄膜1 1 3配置成篩孔狀,以致於除了像 素的開口部分以外,使其他區域與光隔開。 在實施例1中,如果選擇一低電阻薄膜充當光屏蔽薄 膜的材料,則雖然光屏蔽薄膜1 1 3變成電浮動,但可以 控制光屏蔽薄膜至一在顯示部分外部的選擇性電位。 其次,一第五絕緣薄膜1 1 4形成於光屏蔽薄膜 1 1 3上。以一由有機絕緣材料製成的薄膜形成第五絕緣 薄膜1 1 4是適當的。藉由以一有機絕緣材料形成第五絕 緣薄膜1 1 4,可使表面充分平坦。此外,因爲有機樹脂 材料通常是低介電常數,故可減少寄生電容。然而,因爲 有機樹脂材料是吸收性,它們不適於充當保護薄膜。於是 ’第五絕緣薄膜1 1 4可以是氧化氮薄膜、矽氧氮化物薄 膜與氮化矽薄膜之組合的層化結構。 ---------------------訂---------線· (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 到 4 , 5 個部 1 以圖 膜 1 。 口 1 , 由 薄^-"I ο 開 膜 d d 電極 1 的 薄 ο ο 導電 1 極 緣 ο ο 明素極電 絕 1 1 透像電一 五孔孔 的。形每 第觸觸 膜 5 島蓋 與接接 薄 1 到遮 2 三三 物 1 接以 1 第第 化極連, 1 成, 氧電.而置 膜形見 錫素,配 薄以起 銦像 d 立 緣藉化 如成 ο 獨 絕,簡 諸形 ο 自 四刻了 一以 1 各 第蝕爲。成藉孔係 在性。示形,觸極 , 擇極指,化接電 次選電線次案三素 其行形裂其圖第像 執島斷 後由的 上達的 然經別 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -29- 478014 A7 _ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(27) 分。 用於將液晶層1 1 7定位的對準薄膜1 1 6形成於如 此开< 成的薄膜電晶體基材上。然後,薄膜電晶體基材與對 立的基材1 2 0,其設有對立的電極1 1 9與對準薄膜 1 1 8,利用習知的電池構建技術連接在一起。其後,一 液晶材料注入於二基材之間,且封閉於其中。於是完成液 晶電池,其中液晶層保存在二基材之間。 利用上述製造步驟,而且依據表2之設計規則配置線 路、半導體薄膜等,可獲得表面積爲2 3 6 · 9平方微米 的像素開口區域(孔徑比:6 4 · 3 % )與表面積爲 6 2 · 8平方微米的儲存電容器區域。 (請先閱讀背面之注音2事項再填寫本頁) 0 裝 —.1 ϋ I I >ϋ 1 n I » 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -30 - 478014 A7 B7 五、發明說明(28) 表 2 _____— 一_ ϊ夕層:最小尺寸=0 · 8微米’最小間隔=1 · 5微米 閘電極··最小尺寸=1 · 〇微米,最小間隔=1 . 5微米 掃描線與聞電極的接觸孔:最小尺寸=1 · 〇微米 接觸孔與閘電極的界限=1 . 0微米□ 掃描線:最小尺寸=1 · 5微米,最小間隔=1 . 5微米 信號線與矽層的接觸孔:最小尺寸=1 · 0微米□ 接觸孔與矽層的界限二1 . 0微米 接觸孔與掃描(閘電極)線的最小間隔=1 . 3微米 信號線:最小尺寸=1 · 5微米,最小間隔=1 . 5微米 接觸孔與信號線的界限二1 . 3微米 像素尺寸:19.2微米□ 像素薄膜電晶體:L = 1 · 5微米,W = 〇 . 8微米,單閘 掃描線:線路寬度的最小尺寸=1 . 0微米 掃描線:在重疊矽層之一部分的線路寬度之最小尺寸二 1 . 5微米 電容器線路:最小尺寸=2 . 0微米 在實施例1中,再構建之像素區域中需要提供一用於 接觸孔1 0 0 c的區域,以連接閘電極1 0 6與掃描線 1 0 2。此外,在實施例1中,一上光屏蔽薄膜只是一用 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· --線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -31 · 478014 A7 B7 五、發明說明(29) 於使島形矽薄膜之槽道形成區域的周緣部分隔離於光的薄 膜。因此,所欲者爲,結構設有一上光屏蔽薄膜。 依據本結構’因爲掃描線1 0 2充當槽道形成區域及 其周緣部分的下光屏蔽薄膜’故自液晶層1 1 7入射的光 在薄膜電晶體基材的下表面反射,然後入射於槽道形成區 域及其周緣部分。因此’可以避免光自薄膜電晶體洩漏, 以致於可獲得較佳的顯示品質。 〔實施例2〕 此處,將參考圖5的透視圖,在實施例2中說明實施 例1所示有效基體型液晶顯示裝置的結構。注意,相同的 參考號碼標示與實施例1的對應的部件。 圖5中,一基體基材由一像素部分、一掃描線驅動器 電路8 0 2、一信號線驅動器電路8 0 3及形成於一基材 1 0 1上之其他信號處理電路組成。一像素薄膜電晶體 8〇0與一儲存電容器2 0 0設在像素部分中,且設在其 周緣中的驅動器電路是根據一互補式金氧半導體電路而構 建。. 此外,電容器線路1 0 7設在與信號線1 0 9平行的 方向,且充當儲存電容器2 0 0的上電極。電容器線路 1〇7也接地或連接到一固定的電位。 個別來自掃描線驅動器電路8 0 2與信號線驅動器電 路8 0 3的掃描線1 〇 2與信號線1 0 9延伸到像素部分 ,且連接到像素薄膜電晶體8 0 0。此外,一 F P C (撓 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-----r---訂---------線j 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -32- 478014 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(30) 性印刷電路)8 〇 4連接到一外部輸入端子8 〇 5,其用 於輸入諸如影像信號的信號。F P c 8 〇 4係以強化樹脂 牢牢固定。然後,連接線路8 0 6與8 0 7連接至個別的 驅動器電路。一光屏蔽薄膜與一透明的電極設在一對立基 材8 0 8上,但圖中未顯不。 〔實施例3〕 藉由實行本發明而形成的像素基體電路可以適用於各 種電光學裝置(有效基體型液晶顯示裝置、有效基體E L 顯不器與有效基體E C顯不器)。即,本發明可施行於全 部電子裝備,其將這些電光學裝置附設爲一顯示部分。 以下可以提供爲電子裝備·視頻照相機、數位照相機 、ί又影機(後型或則型)、頭邰安裝式顯示器(眼鏡智顯 示器)、汽車導航系統、個人電腦、可攜式資訊終端機( 諸如行動電腦、細胞式電話與電子書)等。這些中的若干 例子顯示於圖6Α至6F與圖7Α至7D。 圖6Α顯示一個人電腦,其由一主體soQi、一影 .像輸入部分2 0 0 2、一顯示部分2 0 .0 3與一鍵盤 2 0 0 4組成。本發明可以應用到顯示部分2 q 〇 3。 圖6 B顯示一視頻照相機,其由一主體2 1 〇丨、一 顯示部分2 1 0 2、一聲頻輸入部分2 1 〇 3、操作開關 2 1〇4、一電池2 1 〇 5與一影像接收部分2工〇 6組 成。本發明可以應用到顯示部分2 1 0 2。 圖6 C顯示一行動電腦,其由一主體2 2 〇 ;[、一日s 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 χ 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-----r---訂---------線 •丨 -33- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478014 A7 ___ B7 五、發明說明(31) 相機部分2 2 0 2、一影像接收部分2 2 0 3、操作開關 2 2 0 4與一顯不部分2 2 0 5組成。本發明可以應用到 顯不部分2 2〇5。 圖6 D顯示一眼鏡型顯示器,其由一主體2 3 〇丄、 顯示部分2 3 0 2與臂部分2 3 0 3組成。本發明可以應 用到顯示部分2 3 0 2。 圖6 E顯示一播送器,其使用儲存一節目的記錄媒體 (此後稱爲記錄媒體),且其由一主體2 4 0 1、一顯示 部分2402、揚聲器部分2403、一記錄媒體 2 4 0 4與ί架作開關2 4 0 5組成。D V D (多樣化數位 光碟)、光碟(C D )等充當記錄媒體,以使播送者欣賞 音樂與視頻遊戲或上網。本發明可以應用到顯示部分 2 4 0 2。 圖6顯示一數位照相機,其由一主體2 5 0 1、一顯 示部分2 5 0 2、一目鏡部分2 5 0 3、操作開關 2 5 0 4與一影像接收部分(圖中未顯示)組成。本發明 可以應用到顯示部分2 5 0 2。 圖7 Α顯示一前型投影機,其由一投影單元2 6 0 1 、一螢光幕2 6 0 2等組成。本發明可以應用到一液晶顯 示裝置2808,其係構成投影單元2601之一零件。 圖7B顯示一後型投影機,其由一主體2701、一 投影單元2702、一鏡子2703、一螢光幕2704 等組成。本發明可以應用到液晶顯示裝置2 8 0 8,其係 構成投影單元2 7 0 2之一零件。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------------------r---訂---------線. (請先閱讀背面之注咅3事項再填寫本頁) -34- A7
478014 五、發明說明(32) 圖7 C所繪示的是圖7 A與7 B所個別顯示之投影單 元2 6 0 1與2 7〇2之一例。每一投影單元2 6 0 1與 27 02由一光源光學系統280 1、鏡子2802與 2804 至 2806、二色鏡 2803、一稜鏡 2807 、液晶顯示裝置2 8 0 8、相差板2 8 0 9與一投影光學 系統2 8 1 0組成。投影光學系統2 8 1 0由一光學系統 構成’其包含投影透鏡。三板系統之一例顯示於實施例3 ,但無特殊限制。例如,單板系統之光學系統是可以接受 的。此外,操作者可以適當設定光學系統,諸如光學透鏡 、極化薄膜、薄膜,以調節光學路徑中的相差、I R薄膜 ,如圖7 C的箭頭所示。 此外,圖7D顯示圖7 C之光源光學系統2 8 0 1的 結構之一例。此實施例中,光源光學系統2 8 0 1由一反 射器2 8 1 1、一光源2 8 1 2、透鏡陣列2 8 1 3與 2 8 1 4、一極化轉換元件2 8 1 5與一聚光透鏡 2 8 1 6組成。注意,圖7 D所示的光源光學系統是一例 ,且不限於所繪不的結構。例如,操作者可以適當設定光 學系統,諸如光學透鏡、極化薄膜、薄膜,以調節相差與 I R薄膜。 於是,本發明的應用範圍極廣,且它可應用到所有領 域的電子裝備。此外,此實施例的電子裝備能以一使用實 施例1與2之任何組合的構造而實現。 〔實施例4〕 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財彥扃員工消費合作社印製 -35- 478014 A7 -—-- B7 五、發明說明(33) 單閘薄膜電晶體之一例顯示於實施例1 ,但此處,雙 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 閘薄膜電晶體之一例將顯示於實施例4中。儘管如此,它 們的結構基本上相同。 首先,一導電薄膜形成在具有一絕緣表面的基材 4 0 1上,然後執行圖案化,以形成一掃描線4 0 2 (見 圖8 A )。掃描線4 0 2也充當光屏蔽層,保護一稍後形 成的有效層,以與光隔離。一石英基材充當基材4 0 1 , 且一聚矽薄膜(薄膜厚度爲5 〇毫微米)與一矽化鎢(W 一 S i )薄膜(薄膜厚度爲χ 〇 〇毫微米)的層化結構用 於掃描線4 0 2。此外,聚矽薄膜保護基材,免於被矽化 鎢薄膜污染。 其次,形成薄膜厚度在1 0 0與1 0 0 0毫微米之間 (典型爲3 0 0與5 0 0毫微米之間)的絕緣薄膜 403a與403b,其遮蓋掃描線402 (見圖8B) 。此處,層化一利用化學蒸氣澱積方法形成的1 0 0毫微 米厚氧化矽薄膜與一利用低壓化學蒸氣澱積方法形成的 2 8 0毫微米厚氧化矽薄膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然後,形成一無定形半導體薄膜,厚度爲1 0至 1 0 0毫微米。此處,一 6 9毫微米厚無定形矽薄膜利用 低壓化學蒸氣澱積方法形成。其次,利用日本先行公開專 利申請案平8 - 7 8 3 2 9號所揭示的結晶技術,其係使 無定形半導體薄膜結晶的技術,以執行無定形半導體薄膜 的結晶。以上公告所揭示的技術是一結晶技術,其中一用 於促進結晶的金屬元素選擇性摻雜至無定形矽薄膜中,然 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -36 - 478014 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(34) 後執行熱處理。藉由執行熱處理,形成一結晶矽薄膜,其 中它的形成是始於摻雜的區域。此處,鎳充當金屬元素, 以促進結晶。用於結晶的熱處理(6 0 0 t,1 2小時) 是在用於釋放氫的熱處理(4 5 0 °C,1小時)執行以後 執行。 其後,自一充當薄膜電晶體的有效層之區域獲得鎳。 充當薄膜電晶體的有效層之區域是以一罩幕(氧化矽薄膜 )遮蓋,然後,磷(P )摻雜至結晶矽薄膜之一部分中。 其次,在6 0 0 °C的氮氣氛中執行熱處理1 2小時。 移除罩幕以後,執行圖案化,以移除結晶矽薄膜之不 需要的部分,以形成一半導體層404 (見圖8C (1) )。注思’半導體層4 0 4形成以後之像素的頂視圖顯示 於圖8 C ( 2 )。沿著圖8 C ( 2 )之斷裂線A — A >切 開的剖視圖對應於圖8 C ( 1 )。 其次,形成一罩幕4 0 5,然後磷摻雜至半導體層的 一部分(一充當儲存電容器的區域)4 0 6,以形成儲存 電容器(見圖9A)。 然後,移除罩幕405,且在形成一用於遮蓋半導體 層之絕緣薄膜以後,形成一罩幕4 0 7。然後,移除充當 儲存電容器的區域4 0 6上之絕緣薄膜(見圖9 B )。 其後,移除罩幕4 0 7,且進行熱氧化,以形成一絕 緣薄肖吴4 0 8 a (鬧絕緣薄膜)。經由熱氧化,閘絕緣薄 膜的最後厚度變成8 0毫微米。注意,一在充當儲存電容 器之區域上形成的絕緣薄膜4 0 8 b比其他區域者更薄( 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) I ·ϋ emt ϋ I «I 1 I Mmmmm eamf ϋ ϋ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線 _ -37- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478014 A7 _— B7 五、發明說明(35) 見圖9 C ( 1 ))。此階段之像素的頂視圖顯示於圖9 c (2 )。圖9 C ( 2 )中,沿著斷裂線B — B,切開的剖 視圖對應於圖9 C ( 1 )。此外,圖9 C ( 1 )與(2 ) 中的虛線所示區域是形成薄絕緣薄膜4 0 8 b的部分。 在整個表面上或選擇性執行一用於摻雜不純元素的槽 道摻雜過程,其將低濃度的p型或η型導電性賦予一待變 成薄膜電晶體之槽道形成區域的區域。槽道摻雜過程是一 用於控制薄膜電晶體臨限値電壓的過程。注意,乙硼院( Β 2 Η 6 )並不大量分離,但硼是藉由電獎激發的離子摻雜 方法而摻雜。當然,可以使用離子植入方法,以執行大量 分離。 其次,一罩幕4 0 9形成於絕緣薄膜4 0 8 a與絕緣 薄膜4 0 3 a及4 0 3 b上,以形成一到達掃描線4 0 2 的接觸孔(見圖1 0 A )。然後,形成接觸孔以後,移除 罩幕。 其次,形成一導電薄膜,然後執行圖案化,以形成一 閘電極4 1 0與一電容器線路4 1 1 (見圖1 Ο B )。此 處使用一矽薄膜(薄膜厚度爲1 5 0毫微米)與一矽化鎢 (薄膜厚度爲1 5 0毫微米)的層化結構,其係已摻雜磷 ◦注意,以絕緣薄膜4 0 8 b做爲介電質的儲存電容器是 由電容器線路4 1 1與半導體層的部分4 0 6組成。 然後,以自行對準方式,利用閘電極4 1 0與電容器 線路4 1 1充當罩幕,而以低濃度摻雜磷(見圖1 〇 C ( 1 ))。此階段之像素的頂視圖顯示於圖1 0 C ( 2 ) ° 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-38- 478014 A7 厂 _ B7 五、發明說明(36) 圖1 0 C ( 2 )中,沿著斷裂線C 一 C /切開的剖視圖對 應於圖1 0 C ( 1 )。調整以低濃度摻雜之此區域的磷濃 度,以致於它變成1 X 1〇16至5 X 1 018原子/立方公 分,典型上爲3 X 1 〇17至3 X 1 〇18原子/立方公分。 其次,形成一罩幕4 1 2,以高濃度摻雜磷,藉以形 成一高濃度不純區域4 1 3,其待變成源極區域或汲極區 域(見圖1 1 A )。調整此高濃度不純區域的磷濃度,以 致於它變成lxl 02Q至1x1 〇21原子/立方公分,( 典型上爲2xl02Q至5xl02Q原子/立方公分)。注 意,與閘電極4 1 0重疊的半導體層4 0 4之一區域變成 一槽道形成區域4 1 4,而由罩幕4 1 2遮蓋的半導體層 4 0 4之一區域變成一低濃度不純區域4 1 5,其充當 L D D區域。然後,摻雜一不純元素以後,移除罩幕 4 12。 雖然在圖中未顯示,爲了形成一用於驅動器電路的p 型薄膜電晶體,驅動器電路是形成於相同基材上以充當像 素,一待變成η型薄膜電晶體的區域以一罩幕遮蓋,然後 摻雜硼,以形成源極區域或汲極區域。 其次,移除罩幕4 1 2以後,形成一鈍化薄膜4 1 6 ,以遮蓋閘電極4 1 0與電容器線路4 1 1。此處,一厚 度爲7 0毫微米的氧化矽薄膜是用於鈍化薄膜。其次,執 行熱處理,以激發不純元素’其將以個別濃度摻雜之Ρ型 導電性或η型導電性賦予半導體層。熱處理是在8 5 0 °C 執行3 0分鐘。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I——tr---------率 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -39- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478014 A7 ------ B7 五、發明說明(38) 鉬(Μ 〇 )、鎢(W )、鉻(C r )與矽(S i )組成之 群組選出的元素或由這些元素(典型上爲鉬一鎢合金與鉬 鈦合金)之組合的合金薄膜所形成的薄膜可以充當個別的 導電薄膜。此外,氧化矽薄膜、氮化矽薄膜、矽氧氮化物 薄膜與一由有機樹脂材料(諸如聚醯亞胺、丙烯酸、聚醯 月女樹脂、聚酿亞fee熱化物與B C B ( benzocyclobutene )) 可充當個別的絕緣薄膜。 如此獲得的薄膜電晶體之特徵顯示令人滿意的値。薄 膜電晶體特徵(V - I特徵)顯示於圖1 3。一 S値顯示 105 · 8 (毫伏特/dec)之優良値,其原因爲,特 別地,本發明之結構是雙閘結構。此外,藉由製造本發明 的結構,一臨限値(V t h )-其顯示在V - I特徵圖之啓 動點的電壓値-在V d二〇 · 1伏特的狀況是〇 · 9 4 6伏 特,而在V d二5伏特的狀況是〇 · 8 8 6伏特。於是, 差是〇 · 〇 6,其極小。可以斷言,差越小,則短槽道效 應被抑制得越多。此外,移動率(// F F )顯示2 2 〇 (平 方公分/Vs)之優良値。 〔實施例5〕 實施例5之特徵爲一掃描線5 0 2 a形成在與閘電極 不同的層上,此外,一電容器電極5 0 2 b形成在與掃描 線5 0 2 a相同的層上,以增加孔徑比及使儲存電容器擴 大。本發明之像素結構之一例顯示於圖1 4與圖1 5 A及 1 5 B 。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------I-----^i-----—訂丨i丨丨丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -41 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478014 A7 _ B7 五、發明說明(39) 注意,沿著圖1 4之斷裂線A - A /與B - B >切開 的示意剖視圖個別對應於圖1 5 A及1 5 B。 圖1 4中,一圖案化爲島形的聞電極5 0 6經由一形 成在絕緣薄膜的接觸孔5 0 0 c,而連接到一掃描線 5〇2 a。此外,一半導體薄膜5 0 4經由一接觸孔 5 0 0 a連接到一信號線5 0 9。此外,半導體薄膜 5 0 4經由一接觸孔5 0 0 b連接到一電極5 1 0。連接 到信號線5 0 9或電極5 1 0的半導體薄膜之一區域稱爲 源極區域或汲極區域。此外,一槽道形成區域形成在源極 區域與汲極區域之間,且閘電極5 0 6經由一閘絕緣薄膜 而出現在槽道形成區域上。注意,爲了簡化起見,源極區 域、汲極區域與槽道形成區域未顯示於圖中。 實施例5中,在形成掃描線5 0 2 a於鬧電極5 0 6 下層之狀況,如圖1 4所示,掃描線5 0 2 a將設在半導 體薄膜5 0 4的下層上,於是,使它可充當光屏蔽薄膜。 此外,儲存電容器具有一充當半導體薄膜之下電極、一遮 蓋充當介電質之半導體薄膜的儲存電容器、一遮蓋於充當 介電質半導體薄膜之絕緣薄膜、一充當電容器線路5 0 7 的上電極。注意,藉由使遮蓋半導體薄膜的絕緣薄膜部分 變薄,可擴大儲存電容器。 此外,實施例5的儲存電容器也可具有連接到電容器 線路5 0 7的電容器電極5 0 2 b ’而絕緣薄膜5 0 3充 當介電質,如圖1 5 A與1 5 B顯示。替代地’可以有效 確保儲存電容器,且可改進使用此像素結構之液晶顯示裝 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) -----------·裝--------訂---------線·- (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) 478014 A7 一 B7 五、發明說明(40) 置的對比。注意’參考號碼5 0 1標示一基材,5 〇 2標 不一閘絕緣薄膜(第二聞絕緣薄膜),5 Q 8標示一第三 閘絕緣薄膜,而5 1 1標示一信號線。 依據實施例5的結構,每一像素的膜電晶體可以是雙 閘結構,其中一閘電極經由一絕緣薄膜而設在槽道形成區 域之上與下部分’且可抑制掃描線與另一線路所形成的寄 生性電容,並藉由適當設定第一絕緣的薄膜厚度而改進薄 膜電晶體的特徵。 實施例5所示像素結構的製造方法與實施例1或4者 幾乎相同,所以其說明在此省略。 注意’實施例5可與實施例1至4所述任一結構自由 結合。 〔實施例6〕 實施例6揭示’在減少像素尺寸的狀況時,增加孔徑 比及擴大儲存電容器。特別地,本實施例之特徵爲儲存電 容器由光屏蔽薄膜與像素電極形成。 圖1 6是剖視圖’顯示本實施例的液晶顯示裝置。參 考號碼6 0 1標示一基材(薄膜電晶體基材),6 0 2標 示一掃描線,6 0 3標示第一絕緣薄膜,6 〇 4標示半導 體薄膜,6 0 5標不閘絕緣薄膜(第二絕緣薄膜), 6〇6 b標示閘電極,6 0 6 c標示閘線路,6 0 6 a標 示電容器線路’ 6 0 7標示第三絕緣薄膜,6 〇 8標示一 電極,用於經由第三絕緣薄膜中所形成的接觸孔連接像素 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
Μ·· I ^OJ MM βΒΜ MM ----線IP-· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -43- 478014 A7
五、發明說明(41) 電極6 1 2與薄膜電晶體。 參考號碼6 0 9標示遮蓋薄膜電晶體的第四絕緣薄膜 ’ 6 1 0標示光屏蔽薄膜,其防止薄膜電晶體因光而畸變 ,6 1 1標示第五絕緣薄膜,6 1 2標示經由一接觸孔連 接到電極6 0 8的像素電極,6 1 3標示一用於使液晶層 6 1 4定位的對準薄膜。 圖1 6中,一對立電極6 1 6與一對準薄膜6 1 5設 在對基材6 1 7上。可再設置一光屏蔽薄膜或一顏色過 濾器於對立基材6 1 7上。 如圖1 6所示,本實施例的儲存電容器是由電容器線 路6 0 6 a形成的第一儲存電容器、半導體薄膜6 〇 4、 充當介電質的絕緣薄膜6 0 5、光屏蔽薄膜6 1 0形成的 第二儲存電容器、像素電極6 1 2與充當介電質的絕緣薄 膜6 1 1所構成。注意,絕緣薄膜6 1 1可以是有機樹脂 薄膜或無機絕緣薄膜,諸如矽氧氮化物與氧化矽等。絕緣 薄膜的厚度可以由操作者適當決定。 例如,即使像素尺寸設定爲1 4微米X 1 4微米,則 藉由構建如圖1 7 B所示的像素電極,可以確保足夠的儲 存電容器(約lOOfF)與48 · 8%的孔徑比。 圖1 7 A標示在形成電極6 0 8的步驟之頂視圖,而 圖17B是在形成光屏蔽薄膜610與像素電極612的 步驟之頂視圖。相同的參考號碼使用在對應於圖1 6的零 件。 注意,實施例6可與實施例1至5所述任一結構自由 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ϋ MMme —mm _1 aKmm^-OJa 1 I ϋ n ammmm ϋ I · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -44 - 478014 A7 __ B7 五、發明說明(42) 結合。 依據本發明,一區域(對應於圖1 9的A區域)-其傳 統上充當掃描線內的線路區域及掃描線/電容器線路隔離 區域-可以充當儲存電容器。此外,藉由構建連接到個別掃 描線以連接到個別獨立的電容器線路之複數電極,則可對 每一像素與相鄰像素執行信號寫入,即使在執行以上信號 寫入的狀況,每一像素不會受到相鄰像素之寫入電流的影 響。此外,個別電容器線路的電負載以適時的方式分散, 藉以減少有效負載。於是,減輕了電容器線路電阻的需求 〇 結果,依據使用本發明之液晶顯示裝置,獲得一液晶 顯示元件,其具有高孔徑比與個別的像素,像素內具有儲 存電容器,其保存足夠的顯示信號電位。因此,可以獲得 令人滿意的影像顯不,並得到小尺寸及省電的裝置。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) -45-
Claims (1)
- 478014 A8 B8 C8 D8 〜年Μ月,乡正 補充 六、申請專利範圍 第89 1 1 61 26號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國90年1 1月修正 1 · 一種半導體裝置,包括: 一在絕緣表面上的第一線路; 一在該第一線路上的第一絕緣薄膜; 一在該第一絕緣薄膜上的半導體薄膜; 一在該半導體薄膜上的第二絕緣薄膜; 一第二線路與一閘電極,其待連接到該第二絕緣薄膜 上的第一線路; 一在該第二線路與該閘電極上的第三絕緣薄膜; 一第三線路,其連接到該第三絕緣薄膜上的半導體薄 膜。 2 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中半導 體薄膜與第二線路經由第二絕緣薄膜而重疊。 3 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中一儲 存電容器具有第二絕緣薄膜充當介電質,而在一區域,第 二線路與半導體薄膜經由第二絕緣薄膜而重疊。 4 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中一導 電型不純元素摻雜至半導體薄膜區域中,於該處,第二線 路經由第二絕緣薄膜而重疊。 5 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置,.又包括一 連接到半導體薄膜的電極及一連接到第三絕緣薄膜上之電 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) A4規格(210X297公嫠) -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社卬製 478014 A8 B8 C8 _ D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 極的像素。 6 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中第一 線路與第二線路配置在互相正交的方向。 7 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中第一 線路配置在與第三線路正交的方向。 8 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中閘電 極形成在與第一線路不同的層上。 9 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中閘電 極的圖案是島形。 1 〇 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中第 一線路包括一掃描線。 1 1 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中第 二線路包括一電容器線路。 1 2 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中第 三線路包括一信號線。 1 3 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中第 二絕緣薄膜包括一閘絕緣薄膜。 1 4 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中閘 電極由一薄膜製成,薄膜以一元素做爲它的主要成分,元 素是選自聚矽、鎢、W S i X、鋁、鉬、鉻或鉬組成的群組 ,其已摻雜導電型不純元素,或由這些元素之組合的層壓 薄膜製成。 1 5 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置.,其中該 半導體裝置選自於由視頻照相機、數位照相機、投影機、 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逍用中國國家揉準(CNS ) A4規格(公釐) 478014 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 頭部安裝式顯示器、汽車導航系統、個人電腦、資訊處理 終端機組成的群組。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 6 .如申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中該 半導體裝置是E L顯示裝置。 17. —種半導體裝置,包括: 複數信號線,其以一預定間隔互相配置成平行,且連 接到一信號線驅動器電路; 複數掃描線,其以一預定間隔互相配置成平行,且連 接到一掃描線驅動器電路;及 一配置成與該信號線平fr的電容器線路。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項之半導體裝置,其中 掃描線與信號線相交。 1 9 .如申請專利範圍第1 7項之半導體裝置,又包 括一薄膜電晶體,其具有一連接到與信號線相交之掃描線 的閘電極及一連接到薄膜電晶體的像素電極。 2 〇 ·如申請專利範圍第1 7項之半導體裝置,其中 閘電極形成在與掃描線不同的層上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 1 .如申請專利範圍第1 7項之半導體裝置,其中 閘電極的圖案是島形。 2 2 ·如申請專利範圍第1 7項之半導體裝置,其中 該半導體裝置選自於由視頻照相機、數位照相機、投影機 、頭部安裝式顯示器、汽車導航系統、個人電腦、資訊處 理終端機組成的群組。 . 2 3 ·如申請專利範圍第1 7項之半導體裝置,其中 一· 一 - . — —____________ — | 1 — f 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(2J GX297公簸) 〇 478014 ,A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 該斗*導體裝置是E L顯示裝置。 24 · —種半導體裝置之製造方法,包括的步驟爲: (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在一具有絕緣表面的基材上形成第一線路; 在第一線路上形成第一絕緣薄膜; 在第一線路上形成半導體薄膜; 在半導體薄膜上形成第二絕緣薄膜; 藉由選擇性蝕刻第一絕緣薄膜與第二絕緣薄膜,形成 到達弟一線路的第一接觸孔; 在第一絕緣薄膜上形成一閘電極,第二絕緣薄膜重疊 於半導體薄膜之一部分,且經由第一接觸孔連接到第一線 路; 在閘電極上形成第三絕緣薄膜; 藉由選擇性蝕刻第二絕緣薄膜與第三絕緣薄膜,形成 到達半導體薄膜的第二接觸孔; 在第三絕緣薄膜上形成第三線路,其經由第二接觸孔 連接到半導體薄膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 5 ·如申請專利範圍第2 4項之方法,其中在形成 閘電極的相同步驟中,第二線路形成於第二絕緣薄膜上, 以重疊於一部分半導體薄膜。 2 6 ·如申請專利範圍第2 4項之方7去,又包括一步 驟,係在形成第二絕緣薄膜於半導體薄膜上的步驟以後, 使重疊於第二線路的第二絕緣薄膜部分變薄。 2 7 ·如申請專利範圍第2 4項之方法,其.中第二絕 緣薄膜包括一閘絕緣薄膜。 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公後) ~~ 一 478014 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 2 8 .如申請專利範圍第2 4項之方法,其中第一線 路包括一掃描線。 2 9 .如申請專利範圍第2 4項之方法,其中第二線 路包括一電容器線路。 3 0 .如申請專利範圍第2 4項之方法,其中第三線 路包括一信號線。 3 1 .如申請專利範圍第2 4項之方法,其中該半導 體裝置選自於由視頻照相機、數位照相機、投影機、頭部 安裝式顯示器、汽車導航系統、個人電腦、資訊處理終端 機組成的群組。 3 2 ·如申請專利範圍第2 4項之方法,其中該半導 體裝置是E L顯示裝置。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公嫠) -5-
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