JP3929119B2

JP3929119B2 - 液晶表示装置

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Publication number: JP3929119B2
Application number: JP20942797A
Authority: JP
Inventors: 慎吾永野; 幸雄遠藤
Original assignee: 株式会社アドバンスト・ディスプレイ
Priority date: 1997-08-04
Filing date: 1997-08-04
Publication date: 2007-06-13
Anticipated expiration: 2017-08-04
Also published as: JPH1152418A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はアクティブマトリックス型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
アクティブマトリックス型液晶表示装置は、通常、半導体薄膜などからなる薄膜トランジスタ（thin film transistor、以下、ＴＦＴという）などが設けられた薄膜トランジスタアレイ基板（以下、アレイ基板という）と対向基板との２枚の基板のあいだに液晶などの表示材料が挟持され、さらに上下に偏光板を設置した構成となっている。対向基板上には、対向電極、カラーフィルタおよびブラックマトリックスなどが設けられている。また、この表示材料に対して、画素ごとに選択的に電圧を印加し、その電圧を制御することにより、液晶材料の電気光学特性を利用して表示を行う。
【０００３】
とくに、ＴＦＴを用いたアクティブマトリックス型液晶表示装置のばあい、基板上に形成された電極である、画素電極と対向電極とが容量の電極板（以下、極板という）の役割を果たし、この極板のあいだに蓄積される電荷の量をＴＦＴによって制御し、液晶に印加される電圧を制御することで表示を行う。
【０００４】
携帯性、表示品位の点でＣＲＴや単純マトリックス液晶表示装置より優れた特徴をもつアクティブマトリックス型液晶表示装置はノート型などの携帯型パーソナルコンピュータなどに広く実用されている。これらの実用においては、携帯性の向上のために消費電力を小さくすることが求められている。この低消費電力化の技術の一つとして、バックライトからの光利用効率を大きくする観点から、画素開口率を大きくすることが試みられている。
【０００５】
画素開口率を大きくする従来技術としては、たとえば、特開平５−２９７４１２号公報に、以下に説明する画素平面構造により画素開口率を大きくする技術が開示されている。一般に、画素開口率を制限する要因としては、表示品質向上のため液晶容量と並列に形成される補助容量電極が存在することや、画素電極以外の光透過領域からの光の漏れすなわち、漏れ光を防ぐ目的でカラーフィルタに形成されるブラックマトリックスが存在することがあげられる。図７および図８は、それぞれ従来技術の例による液晶表示装置の画素を示す平面説明図であり、図７において、２１はゲート配線であり、２２は補助容量配線であり、２３はソース配線であり、２４はドレイン電極であり、２５は画素電極であり、２６は半導体層である。また、図８において、３１はゲート配線であり、３３はソース電極であり、３４はドレイン電極であり、３５は画素電極であり、３６は半導体層である。図７の例では、補助容量電極を画素電極の全周にわたり環状に形成することにより、アレイ基板上での画素電極以外の光透過領域からの漏れ光に対する遮光と補助容量形成の２つの役割を画素電極の全周にわたり形成された補助容量電極にもたせている。これにより、カラーフィルタに形成するブラックマトリックスの開口部を、画素電極の全周にわたり環状に形成された補助容量電極の内径寸法より大きくすることができ、また非光透過領域である補助容量電極の画素開口部に与える影響を小さくすることで、開口率を大きくしている。
【０００６】
図８は、前述した従来例と同様の目的で、補助容量電極を形成するかわりに、ゲート電極を画素電極の全周を環状にとり囲むように設けて補助容量を形成した例である。このばあい、補助容量電極の形成が不要のため、ゲート配線と画素電極の間隔を小さくして開口率を大きくしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図７に示した従来例では、大きな開口率をうるためにゲート配線と補助容量配線との間隔を小さくしなければならないという問題が生じる。このばあい、ゲート電極と補助容量電極とを同一の膜により形成すると、電極間隔の減少による両電極間の短絡が発生しやすいという問題が生じて表示特性に大きな影響を与える。また、ゲート電極と補助容量電極とのあいだに絶縁膜を設けて別々の膜で構成することにより前記問題を回避することも可能ではあるが、そのばあい、製造プロセスの増加により製造コストが高くなるので、実現するのはむずかしいという問題が生じる。また、図８で示した従来例では、ゲート電極により補助容量を形成するため、ゲート電極の配線容量が増大してしまい、液晶表示装置の大画面、高精細化を行ううえで信号遅延による表示特性が劣化するという大きな問題が生じる。
【０００８】
本発明はこのような従来技術の問題を解決するためになされたものであり、本発明の目的はアレイ基板の画素開口率が大きくでき、かつ表示特性の優れた量産性の高いアクティブマトリックス型液晶表示装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前述の目的を達成するため本発明にかかわる液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板と、対向基板と、該ＴＦＴアレイ基板と該対向基板のあいだに挟持された液晶とからなり、該ＴＦＴアレイ基板上にはゲート配線、信号線、ＴＦＴ、画素電極、ソース電極、ドレイン電極および補助容量配線が形成されてなる液晶表示装置であって、
該補助容量配線は該ゲート配線と前段のゲート配線とのあいだに、そのいずれとも平行に配設され、かつ、該画素電極の外周に沿って延在させて４つの延長部を有しており、
前記前段のゲート配線と、該前段のゲート配線側の前記延長部とにまたがるように２箇所でそれぞれ前記画素電極上または下に前記信号線と同一の金属膜が形成され、前記ドレイン電極と、該ゲート配線側の前記延長部が２箇所でそれぞれ重なり、
該画素電極の周囲が、該前段のゲート配線、前記信号線と同一の金属膜、前記延長部および前記ドレイン電極によって完全に遮光するように覆われている。また、前記信号線と同一の金属膜は、前記前段ゲート配線と該前段のゲート配線側の前記延長部との隙間の近傍にのみ配置される。
【００１０】
前記画素電極と前記４つの延長部のそれぞれとの重なり部分が第１の補助容量となるように形成することにより、補助容量形成部を遮光領域として使用でき、また、補助容量配線を画素中央部に配置できるので、ゲート配線と補助容量配線の短絡を防止できるので好ましい。
【００１１】
前記画素電極と前記前段のゲート配線との重なり部分が第２の補助容量となるように形成することにより、補助容量形成部を遮光領域として使用でき、また、補助容量配線を画素中央部に配置できるので、ゲート配線と補助容量配線の短絡を防止できるので好ましい。
【００１２】
前記画素電極が前記前段のゲート配線上に拡張部分を有していると、拡張部分すなわち、画素電極と前段ゲート配線との重なり部分を補助容量の一部として積極的に利用しうるので好ましい。
【００１３】
前記延長部が前記ソース配線の下部に拡張され、隣接する画素の補助容量配線の延長部と一体に幅広に形成されていると、信号線の画素電極とのあいだからの漏れ光を遮光できるので好ましい。
【００１４】
前記ソース配線が、２層からなる２層構造であり、下層はアモルファスシリコン層であると、ソース電極から続く信号線下のアモルファスシリコン層の不連続部分をなくすことができ、その不連続部分での信号線断線を防止できるので好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、添付図を参照しつつ、本発明にかかわるアクティブマトリックス型液晶表示装置について詳細に説明する。
【００１７】
実施の形態１
図１は、本発明の実施の形態１にかかわるアクティブマトリックス型液晶表示装置に用いられるアレイ基板（図示せず）上の画素を示す平面構造説明図である。図において、１ａはゲート配線であり、１ｂは前段のゲート配線（以下、前段ゲート配線１ｂという）であり、２は補助容量配線であり、３は信号線であり、４はドレイン電極であり、５は画素電極であり、６はアモルファスシリコンなどからなる半導体層であり、７は金属膜からなる遮光膜であり、１０は延長部であり、Ｈはブラックマトリックスの開口部であり、１３はソース電極である。図中、二点鎖線で示した領域は、アレイ基板と一定の間隙を保ってアレイ基板に対向されている対向基板に設けたブラックマトリックスの開口部Ｈの位置を示している。
【００１８】
本実施の形態では、アレイ基板上にマトリックス状に配置されたゲート配線１ａと信号線３との交差点近傍のゲート配線１ａ上にアモルファスシリコンなどからなる半導体層６が形成されており、この半導体層６にソース電極１３とドレイン電極４とが接続されてＴＦＴが形成されている。ソース電極１３は、信号線３から分岐して延設されており、ドレイン電極４は、画素電極５の外周のゲート配線に沿って、画素電極５の辺縁部分を覆うように形成されている。また、画素電極５は前段ゲート配線１ｂに重なり合うように形成され、前段ゲート配線１ｂに沿った画素電極５の外周は前段ゲート配線１ｂにより遮光される。補助容量配線２は、画素電極５の中央付近で画素電極の下層に、ゲート配線１ａおよび１ｂに平行に配設され、さらに、この補助容量配線２は、この補助容量配線２から分岐して、隣接する前段のゲート配線１ｂの手前まで信号線３に沿って画素電極５の辺縁の一部に重なるようにして画素電極５の下層に延在させた延長部１０を有する形で配設されている。ここで、画素電極５と補助容量配線２の延長部１０との重なり部が第１の補助容量Ａである。また、画素電極５と前段ゲート配線１ｂとの重なり部が第２の補助容量Ｂである。また、補助容量配線の延長部１０の端部と前段ゲート配線とが、間隙をはさんで対向する対向部分の上層で延長部１０の一部およびゲート配線の一部を覆うようにして遮光膜７が形成される。なお、のちに説明するように、前記遮光膜は信号線と同一の工程で形成される。
【００１９】
以上説明したように、信号線用金属膜で遮光できるように画素電極５や補助容量配線２を構成することにより、画素電極５の外周は、補助容量配線の延長部１０とドレイン電極４と遮光膜７とで完全に遮光されることになる。従来技術によれば、補助容量配線または前段ゲート配線といった１つの配線要素だけで遮光を行なっていたが、本発明では補助容量配線と前段ゲート配線との両方と信号線用金属膜とを併用して画素電極外周の遮光を行なっている点が大きく異なる。また、カラーフィルタなどが形成された対向基板に形成されるブラックマトリックスの開口部Ｈをアレイ基板の開口部すなわち、補助容量配線の延長部１０とドレイン電極４と遮光膜７とで囲まれた領域よりも大きくすることができ、アレイ基板の画素電極の開口部がカラーフィルタの設置により小さくならないようにすることによって、画素開口率を大きくすることができる。また、前段ゲート配線１ｂのみで補助容量を形成するばあいと比較して、前段ゲート配線１ｂと画素電極５との重なり部の幅を小さくすることができ、ゲート配線の配線容量を低減できるので、走査信号遅延による表示特性の劣化を軽減できる。
【００２０】
また、ゲート配線１ａや１ｂとは独立した補助容量配線２のみで補助容量を形成し、その補助容量配線２で画素電極５の外周を遮光するばあい、一般には補助容量配線とゲート配線の間隔を小さくしなければ大きな開口率はえられないが、本実施の形態では、画素電極５を前段ゲート配線１ｂの一部と重ねて形成し画素電極の前段ゲート配線に沿った外周部の遮光を行うので、補助容量配線２を画素電極５の中央部に配置することができる。したがって、補助容量配線２と前段ゲート配線との配線間の短絡を防止し、大きな開口率をうることが可能となる。
【００２１】
つぎに、このような本発明の実施の形態にかかわるアレイ基板の製法を説明する。
【００２２】
本実施の形態は、通常のＴＦＴ製造プロセスに適用可能であり、エッチストッパー型ＴＦＴ、チャネルエッチ型ＴＦＴなどを用いたＴＦＴアレイの製造プロセスに適用可能である。そこで、図１および図２を参照しつつ、たとえばチャネルエッチ型ＴＦＴ製造プロセスにもとづいてアレイ基板の製法を示す。図２は、図１に示したＴＦＴ部のＸ−Ｘ線における断面説明図であり、１５はゲート絶縁膜であり、２１は基板であり、６１はリンドープアモルファスシリコン層であり、６２はアモルファスシリコン層であり、６１と６２とでＴＦＴの半導体層６を構成しており、その他の符号は図１と共通である。まず、ガラスなどからなる基板２１上にたとえば、クロムなどによりスパッタ法で金属膜を形成し、この金属膜をパターニングしてゲート配線１ａや１ｂ、補助容量配線２を形成する。つぎにプラズマＣＶＤ法でゲート絶縁膜１５としてシリコン窒化膜を形成したのち、半導体層６としてアモルファスシリコン層６２、リンドープアモルファスシリコン層６１を成膜し、これらの半導体層６をパターニングしたのち、ＩＴＯ膜をスパッタ法で成膜、パターニングし画素電極５を形成する。つぎに金属膜をスパッタ法で成膜し、パターニングすることでソース電極１３とドレイン電極４とを形成したのち、ソース電極とドレイン電極とのあいだのリンドープアモルファスシリコン層をエッチングすることでＴＦＴを形成する。遮光膜７は、ゲート配線と補助容量配線を遮光するように、延長部１０とゲート配線１ｂとが間隙をはさんで対向する対向部分の上層で、延長部の一部およびゲート配線の一部を覆って形成される。
【００２３】
このように、ガラス基板上にＴＦＴ、ゲート配線、ソース配線および画素電極などをアレイ状に作製して表示領域とするとともに、入力端子および駆動回路などを表示領域の周辺に配設する。このとき、それぞれの機能を発現させるために導電膜や絶縁膜を必要に応じてさらに配設する。また、対向基板上には対向電極を設けるとともにカラーフィルタ、ブラックマトリックスを設ける。
【００２４】
ＴＦＴアレイ基板と対向基板とを作製したのち、のちに２枚の基板のあいだに液晶材料が注入されうるように所望の間隙を有する状態にして両基板をその周囲で貼りあわせたのち、２枚の基板のあいだの間隙に液晶材料を注入して液晶表示装置を作製する。
【００２５】
以上のようにして、本実施の形態にかかわるアレイ基板およびこのアレイ基板を用いるアクティブマトリックス型液晶表示装置を製造する。
【００２６】
実施の形態２
図３は本発明の実施の形態２にかかわるアクティブマトリックス型液晶表示装置の画素を示す平面説明図である。図において、５ａは本実施の形態における画素電極であり、５ｂは突出部であり、その他、図１および図２に示した要素と同じ要素には同じ符号を付して示した。
【００２７】
本実施の形態では実施の形態１の画素平面構造において、画素電極５と前段ゲート配線１ｂとの重なり部の幅を大きく拡張した突出部５ｂを設けるようにして前段ゲート配線１ｂと画素電極５との重なり部を積極的に補助容量として用いるものである。なお、本実施の形態においては前段ゲート配線１ｂと画素電極５との重なり部を補助容量の一部として利用するため、走査信号中に補助容量配線用の信号電位を設ける必要がある。
【００２８】
本実施の形態により、画素電極内における補助容量配線の占有率を低減でき、画素開口率を犠牲にすることなく、補助容量を形成することが可能となるため大きな開口率をうることが可能となる。また、補助容量が前段ゲート配線１ｂと補助容量配線との２つの要素で形成されるため、実施の形態１で示したばあいよりもゲート配線の配線容量は増加するが、前段ゲート配線のみで補助容量を形成するばあいと比較して、ゲート配線の配線容量は低減されるので、信号遅延による表示特性の劣化を軽減できる。
【００２９】
本実施の形態は、実施の形態１と同様に、通常のＴＦＴ製造プロセスに適用可能であり、エッチストッパー型ＴＦＴ、チャネルエッチ型ＴＦＴなどを用いたＴＦＴアレイの製造プロセスに適用可能である。本実施の形態においては、画素電極５ａを形成するばあいのパターンを変更して、前段のゲート配線１ｂとの重なり部を大きくとるようにすることのほかは、実施の形態１のばあいと同様にアレイ基板を製造することができる。
【００３０】
実施の形態３
図４は本発明の実施の形態３にかかわるアクティブマトリックス型液晶表示装置の画素を示す平面説明図である。図において、２ａは補助容量配線であり、１０ａは幅広延長部であり、その他、図１および図２に示した要素と同じ要素には同じ符号を付して示した。
【００３１】
本実施の形態は、実施の形態１で示した画素平面構造において、信号線３に沿った画素電極５の外周部に延在させて形成した延長部１０を、さらに信号線３下にまで拡張部分を有して延在させ、隣接する画素の補助容量配線の延長部と一体に幅広に形成した幅広延長部１０ａを有する補助容量配線２ａとしたものである。これにより、信号線３と画素電極５とのあいだからの漏れ光をアレイ基板上で遮光することができ、カラーフィルタに形成されるブラックマトリックスの開口部をさらに大きくすることが可能となる。本実施の形態のばあいのように補助容量配線２ａを形成すると、とくに基板に対してある角度をもって入射する光の遮光に対して有効である。
【００３２】
本実施の形態も、通常のＴＦＴ製造プロセスに適用可能であり、エッチストッパー型ＴＦＴ、チャネルエッチ型ＴＦＴなどを用いたＴＦＴアレイの製造プロセスに適用可能である。本実施の形態においては、補助容量配線を形成するばあいのパターンを変更して、実施の形態１のばあいの延長部１０を隣接する画素の補助容量配線の延長部と一体に幅広にできるようにすることのほかは実施の形態１のばあいと同様にアレイ基板を製造することができる。
【００３３】
本実施の形態は実施の形態１、２の画素平面構造に対して適用することが可能である。
【００３４】
実施の形態４
図５は本発明の実施の形態４にかかわるアクティブマトリックス型液晶表示装置の画素を示す平面説明図である。図において、９は信号線下層膜であり、その他、図１に示した要素と同じ要素には同じ符号を付して示した。
【００３５】
本実施の形態は、実施の形態１で示した画素平面構造において信号線を、信号線３の下層かつゲート絶縁膜の上層に、ＴＦＴのソース電極と連続してアモルファスシリコン層を形成する。すなわち、信号線としては２層となるように、もう１層の信号線下層膜９をアモルファスシリコンで形成したものであり、ＴＦＴ部に形成される半導体層６のアモルファスシリコン層６２をＴＦＴ部から連続して信号線３下に延在させて形成するものである。本実施の形態にかかわるアレイ基板により、信号線３と補助容量配線２との重なり部の容量、信号線３、ゲート配線１ａとの重なり部の容量を低減することが可能である。ソース電極から連続する信号線３下のアモルファスシリコン層の不連続部分をなくすことで、アモルファスシリコン層の不連続部段差における信号線の断線を防止できる。
【００３６】
本実施の形態も、通常のＴＦＴ製造プロセスに適用可能であり、エッチストッパー型ＴＦＴ、チャネルエッチ型ＴＦＴなどを用いたＴＦＴアレイの製造プロセスに適用可能である。本実施の形態においては、ゲート絶縁膜の形成後に、ＴＦＴの半導体層を形成する際のパターンを変更して、信号線の配設パターンにほぼ相似のパターンとして半導体層を形成することのほかは実施の形態１のばあいと同様にアレイ基板を製造することができる。
【００３７】
本実施の形態は実施の形態１〜３のいずれの画素平面構造に対しても適用可能である。
【００３８】
実施の形態５
図６は本発明の実施の形態５にかかわるアクティブマトリックス型液晶表示装置の画素を示す平面説明図である。図において、図１に示した要素と同じ要素には同じ符号を付して示した。
【００３９】
本実施の形態は、信号線３やドレイン電極４の上層のパッシベーション膜を設けたことにより、所望の位置にパッシベーション膜を貫通するコンタクトホール８を設けたものである。すなわち、アレイ基板上にマトリックス状に配置されたゲート配線１ａと信号線３との交差点近傍のゲート配線１ａ上にアモルファスシリコンなどからなる半導体層６が形成され、半導体層６上に信号線３から延びたソース電極１３と画素電極５の外周のゲート配線１ａに沿った部分を覆うように形成されたドレイン電極４を配置して、コンタクトホール８を介してドレイン電極４と画素電極５を接続することでＴＦＴが形成される。補助容量配線２は実施の形態１のばあいと同様に形成され、画素電極５と補助容量配線２および延長部１０との重なり部により補助容量が形成される。さらに、遮光膜７も実施の形態１と同様に形成され、本実施の形態においてはコンタクトホール８で画素電極５に接続される。なお、前記遮光膜７は信号線３と同一の工程で形成される。また、画素電極５は前段ゲート配線１ｂに重なり合うように形成され、前段ゲート配線に沿った画素電極の外周は前段ゲート配線により遮光される。
【００４０】
以上説明したように、画素電極５の外周は、補助容量配線２とドレイン電極４と遮光膜７で完全に遮光され、カラーフィルター基板に形成されるブラックマトリックスの開口部１２をアレイ基板の開口部よりも大きくすることができ、アレイ基板の画素電極の開口部がカラーフィルタの設置により小さくならないようにすることで、画素開口率を大きくすることが可能となる。
【００４１】
本実施の形態は画素電極５の膜をパッシベーション膜上すなわち、アレイ基板の最上層に形成する製造プロセスに本発明を適用した例である。すなわち、信号線と画素電極とを別層にして画素電極を最上層に形成する。このばあいドレイン電極と画素電極とは、コンタクトホールを介して接続される。この特徴のほかは実施の形態１のばあいと同様である。したがって、エッチストッパー型ＴＦＴ、チャネルエッチ型ＴＦＴなどを用いたＴＦＴアレイの製造プロセスにも適用可能である。すなわち、金属膜をスパッタ法により成膜しパターニングして信号線３、ドレイン電極４を形成したのち、その上に絶縁膜を形成しパッシベーション膜を形成する。さらに、ドレイン電極４上にコンタクトホール８をパターニングし、その部分の絶縁膜を除去したのち、ＩＴＯ膜をスパッタ法で成膜し、パターニングし、画素電極５を形成することで本実施の形態のアクティブマトリックス型液晶表示装置のアレイ基板が製造可能であり、さらにカラーフィルタと重ね合せて用いることでアクティブマトリックス型液晶表示装置がえられる。
【００４２】
本実施の形態は実施の形態１〜４で示したいずれの画素の平面構造に対しても適用可能である。
【００４３】
【発明の効果】
本発明によれば、画素電極を前段ゲート配線に重ね合せて形成し、補助容量配線を画素電極中央に配置し補助容量配線の一部を信号線に沿った画素電極の外周に延在させる形で形成し、かつ前段ゲート配線と補助容量電極の画素電極の外周に延在させた部分のあいだに金属膜を形成し、画素電極の外周を完全に遮光することで、ゲート配線と補助容量配線間の短絡不良を発生させることなく、画素開口率を大きくすることができる。また、ゲート配線の時定数増加による信号遅延が引き起こす表示特性の劣化を低減し、カラーフィルタに形成されるブラックマトリックスの開口部を補助容量配線、前段ゲート配線、金属膜により遮光された画素電極外周の内径より大きくし、アレイ基板の開口部がカラーフィルタの設置により小さくならないようにすることが可能となり、画素開口率の大きなアクティブマトリックス型液晶表示装置を量産性を高くして提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１にかかわる画素を示す平面説明図である。
【図２】図１に示した画素のＸ−Ｘ線断面説明図である。
【図３】本発明の実施の形態２にかかわる画素を示す平面説明図である。
【図４】本発明の実施の形態３にかかわる画素を示す平面説明図である。
【図５】本発明の実施の形態４にかかわる画素を示す平面説明図である。
【図６】本発明の実施の形態５にかかわる画素を示す平面説明図である。
【図７】従来例の画素を示す平面説明図である。
【図８】従来例の画素を示す平面説明図である。
【符号の説明】
１ａゲート配線
１ｂ前段ゲート配線
２、２ａ補助容量配線
３信号線
４ドレイン電極
５、５ａ画素電極
５ｂ突出部
６半導体層
７遮光膜
８コンタクトホール
１０延長部
１０ａ幅広延長部
１３ソース電極

Claims

ＴＦＴアレイ基板と、対向基板と、該ＴＦＴアレイ基板と該対向基板とのあいだに挟持された液晶とからなり、該ＴＦＴアレイ基板上にはゲート配線、信号線、ＴＦＴ、画素電極、ソース電極、ドレイン電極および補助容量配線が形成されてなる液晶表示装置であって、
該補助容量配線は該ゲート配線と前段のゲート配線とのあいだに、そのいずれとも平行に配設され、かつ、該画素電極の外周に沿って延在させて４つの延長部を有しており、
前記前段のゲート配線と、該前段のゲート配線側の前記延長部とにまたがるように２箇所でそれぞれ前記画素電極上または下に前記信号線と同一の金属膜が形成され、
前記ドレイン電極と、該ゲート配線側の前記延長部が２箇所でそれぞれ重なり、
該画素電極の周囲が、該前段のゲート配線、前記信号線と同一の金属膜、前記延長部および前記ドレイン電極によって完全に遮光するように覆われてなる液晶表示装置。
前記信号線と同一の金属膜は、前記前段ゲート配線と該前段のゲート配線側の前記延長部との隙間の近傍にのみ配置される請求項１記載の液晶表示装置。
前記画素電極と前記４つの延長部のそれぞれとの重なり部分が第１の補助容量である請求項１または２記載の液晶表示装置。
前記画素電極と前記前段のゲート配線との重なり部分が第２の補助容量である請求項１、２または３記載の液晶表示装置。
前記画素電極が前記前段のゲート配線上に拡張部分を有してなる請求項１から４のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記延長部が前記ソース配線の下部に拡張され、隣接する画素の補助容量配線の延長部と一体に幅広に形成されてなる請求項１から５のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記ソース配線が、２層からなる２層構造であり、下層はアモルファスシリコンからなる請求項１から６のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記ドレイン電極および前記信号線と同一の金属膜と画素電極がコンタクトホールを介して接続されてなる請求項１から７のいずれかに記載の液晶表示装置。