JP5084114B2 - プロジェクター - Google Patents
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Description
絶縁表面上に第1配線と、
前記第1配線上に第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に半導体膜と、
前記半導体膜上に第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に第2配線と、前記第1配線と接続するゲート電極と、
前記第2配線及び前記ゲート電極上に第3絶縁膜と、
前記第3絶縁膜上に前記半導体膜と接続する第3の配線とを有することを特徴とする半導体装置である。
信号線駆動回路に接続され互いに平行に所定の間隔を隔てて配置される複数の信号線と、
走査線駆動回路に接続され互いに平行に所定の間隔を隔てて配置される複数の走査線と、
前記信号線と平行に配置される容量配線とを有することを特徴とする半導体装置。
絶縁表面を有する基板上に第1配線を形成する第1工程と、
前記第1配線上に第1絶縁膜を形成する第2工程と、
前記第1配線上に半導体膜を形成する第3工程と、
前記半導体膜上に第2絶縁膜を形成する第4工程と、
前記第1絶縁膜及び第2絶縁膜に選択的なエッチングを施して、前記第1配線に達する第1コンタクトホールを形成する第5工程と、
前記第1コンタクトホールを通じて前記第1配線と接続し、且つ、前記第2絶縁膜上に前記半導体膜の一部と重なるゲート電極を形成する第6工程と、
前記ゲート電極上に第3絶縁膜を形成する第7工程と、
前記第2絶縁膜及び第3絶縁膜に選択的なエッチングを施して、前記半導体膜に達する第2コンタクトホールを形成する第8工程と、
前記第2コンタクトホールを通じて前記半導体膜と接続した第3配線を前記第3絶縁膜上に形成する第9工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
2503、操作スイッチ2504、受像部(図示しない)で構成される。本願発明を表示部2502に適用することができる。
Claims (12)
- 絶縁表面上に複数の走査線と、
前記複数の走査線と交差する複数の信号線と、
前記複数の走査線と重なり、前記複数の信号線の一つとのみ重なる容量配線と、を有する画素部を有する表示装置を用いたプロジェクターであって、
前記容量配線は、前記信号線に沿った方向に各画素連続的に配置され、
前記画素部における一つの画素は、
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに電気的に接続された保持容量と、を有し、
前記一つの画素は、
前記複数の走査線の一つの上に第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に半導体膜と、
前記半導体膜上に第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に、前記複数の走査線の一つと電気的に接続された前記薄膜トランジスタのゲート電極と、
前記第2絶縁膜上に、前記容量配線と電気的に接続された前記保持容量の上部電極部と、
前記ゲート電極上に第3絶縁膜と、を有し、
前記半導体膜は、前記薄膜トランジスタのソース領域、ドレイン領域、チャネル形成領域及び前記保持容量の下部電極部を有し、
前記上部電極部は、前記下部電極部と重なって配置され、
前記保持容量は、前記複数の走査線の一つ及び前記複数の信号線の一つと重なり、
前記複数の走査線の一つは、前記薄膜トランジスタのソース領域、チャネル形成領域、ドレイン領域を覆い、
前記複数の走査線は、遮光膜としての機能を有することを特徴とする表示装置を用いたプロジェクター。 - 絶縁表面上に複数の走査線と、
前記複数の走査線と交差する複数の信号線と、
前記複数の走査線と重なり、前記複数の信号線の一つとのみ重なる容量配線と、を有する画素部を有する表示装置を用いたプロジェクターであって、
前記容量配線は、前記信号線に沿った方向に各画素連続的に配置され、
前記画素部における一つの画素は、
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに電気的に接続された保持容量と、を有し、
前記一つの画素は、
前記複数の走査線の一つの上に第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に半導体膜と、
前記半導体膜上に第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に、前記複数の走査線の一つと電気的に接続された前記薄膜トランジスタのゲート電極と、
前記第2絶縁膜上に、前記容量配線と電気的に接続された前記保持容量の上部電極部と、
前記ゲート電極上に第3絶縁膜と、
前記第3絶縁膜上に画素電極と、を有し、
前記半導体膜は、前記薄膜トランジスタのソース領域、ドレイン領域、チャネル形成領域及び前記保持容量の下部電極部を有し、
前記上部電極部は、前記下部電極部と重なって配置され、
前記保持容量は、前記複数の走査線の一つ及び前記複数の信号線の一つと重なり、
前記複数の走査線の一つは、前記薄膜トランジスタのソース領域、チャネル形成領域、ドレイン領域を覆い、
前記複数の走査線は、遮光膜としての機能を有することを特徴とする表示装置を用いたプロジェクター。 - 請求項1または請求項2において、
前記第1絶縁膜は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜からなり、
前記第3絶縁膜は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜からなることを特徴とする表示装置を用いたプロジェクター。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記複数の走査線は、前記容量配線と直交することを特徴とする表示装置を用いたプロジェクター。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記複数の走査線は、前記複数の信号線と直交することを特徴とする表示装置を用いたプロジェクター。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記ゲート電極は、導電型を付与する不純物元素がドープされたpoly−Si、W、WSiX(X=2.0〜2.8)、Al、Ta、Cr、もしくはMoでなる導電膜、又はこれらの導電膜から選ばれた膜を積層した膜であることを特徴とする表示装置を用いたプロジェクター。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記複数の走査線は、導電型を付与する不純物元素がドープされたpoly−Si、W、WSiX(X=2.0〜2.8)、Al、Ta、Cr、もしくはMoでなる導電膜、又はこれらの導電膜から選ばれた膜を積層した膜であることを特徴とする表示装置を用いたプロジェクター。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、
前記複数の信号線は、Al、W、TiもしくはTiNを主成分とする膜、又はこれらの導電膜から選ばれた膜を積層した膜であることを特徴とする表示装置を用いたプロジェクター。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、
前記薄膜トランジスタはLDD領域を有することを特徴とする表示装置を用いたプロジェクター。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一項において、
前記チャネル形成領域は、ボロンを有することを特徴とする表示装置を用いたプロジェクター。 - 請求項1乃至請求項10のいずれか一項において、
前記絶縁表面上に駆動回路を有し、前記駆動回路はCMOS回路を有することを特徴とする表示装置を用いたプロジェクター。 - 請求項11において、
前記駆動回路は、シフトレジスタを有する走査線駆動回路と、シフトレジスタとサンプルホールド回路とを有する信号線駆動回路と、を有することを特徴とする表示装置を用いたプロジェクター。
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