KR890008604A - 감광성 열경화성 수지 조성물 및 그를 이용한 솔더 레지스트 패턴 형성방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

감광성 열경화성 수지 조성물 및 그를 이용한 솔더 레지스트 패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (28)

  1. (A) 그 분자 단위내에 최소한 둘이상의 에틸렌계 불포화 결합을 갖는 감광성 초기중합체, (B) 광중합 개시제, (C) 희석제로서 광중합 비닐단량제 및/또는 유기용매 및 (D) 그 분자단위내에 최소한 둘 이상의, 에폭시기를 가지며 상기 희석제에 난용성인 미세 분말형 에폭시 화합물로 구성되는 감광성 열경화성 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 미세분말형 에폭시 화합물이 50마이크로미터 이하의 입자크기를 갖는 것임을 특정으로 하는 조성물.
  3. 제1항에 있어서 상기 미세분말형 에폭시 화합물이 비스페놀 S형 에폭시 수지, 디글리시딜 프탈레이트 수지, 헤테로고리 에폭시 수지, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비스페놀형 에폭시 수지 및 테트라글리시딜 크실레노인 에탄 수지로 구성된 그룹으로부터 선택된, 고체 또는 반고체 상태의 최소한 한가지 이상의 에폭시 수지임을 특정으로 하는 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 감광성 초기중합체(A)와 상기 미세분말형 에폭시화합물(D)의 혼합비(A : D)가 중량 기준으로 50-95 : 50-5임을 특징으로 하는 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 사용되는 희석제에 난용성인 상기 미세분말형 에폭시 화합물의 일부가 그 분자 단위내에 최소한 둘이상의 에폭시기를 갖는 가용성 에폭시 화합물로 대체됨을 특징으로 하는 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 상기 난용성 미세분말형 에폭시화합물 대 가용성 에폭시 화합물의 혼합비가 중량을 기준으로 40-100 : 60-0임을 특징으로 하는 조성물.
  7. 제5항에 있어서, 상기 기용성 에폭시 화합물이 비스페놀 A형 에폭시 수지, 수소화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀A의 노볼락형 에폭시 수지, 키일레이트형 에폭시 수지, 글리옥살형 에폭시 수지, 아미노기 함유 에폭시 수지, 고무개질 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 페놀형 에폭시 수지, 실리콘개질 에폭시 수지, 및 엡실론-카프로락톤 개질 에폭시 수지로 구성된 그룹으로 부터 선택된 최소한 한가지 이상의 에폭시 수지임을 특징으로 하는 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 희석제의 함량이 상기 감광성 초기중합제 100중량부를 기준으로 20내지 300중량부 임을 특징으로 하는 조성물.
  9. 제8항에 있어서, 상기 희석제가 히드록시알킬(메트) 아크릴레이트, 글리콜의 모노- 및 디-(메트)아크릴레이트, 아크릴아미드, 아미노알킬(메트)아크릴레이트, 다가알코올의 다작용기(메트)아크릴레이트 및 그의 산화에틸렌이나 산화프로필렌 부가반응 생성물, 페놀의 (메트)아크릴레이트 및 그의 산화에틸렌이나 산화프로필렌 부가반응 생성물, 글리시딜 에테르의 (메트)아크릴레이트 및 멜라민(메트) 아크릴레이트로서 구성된 그룹으로 부터 선택된 최소한 한가지 이상의 중합성 비닐 단량체임을 특징으로 하는 조성물.
  10. 제8항에 있어서, 상기 회석제가 케톤, 방향족 탄화수소 화합물, 클리콜 에테르, 에스테르, 알코올, 지방족 탄화수소 화합물 및 석유계 용매로 구성된 그룹으로부터 선택된 최소한 한가지 이상의 유기용매임을 특징으로 하는 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 상기 광중합 개시제의 함량이 상기 감광성 초기 중합제 100중량부를 기준으로 0.2 내지 30중량부 범위임을 특징으로 하는 조성물.
  12. 제1항에 있어서, 상기 감광성 초기 중합제가 노볼락형 에폭시 화합물과 불포화 모노카르복시산과의 완전에스테르화 반응생성물 또는 부분에스테르화 반응생성물, 상기 에스테르화 산출물의 이차수산기를 포화 또는 불포화 다가산무수물과 반응시켜 산출한 반응 생성물, 상기 에스테르화 산출물의 이차수산기를 디이소시아네이트 및 그 분자 단위내에 하나의 수산기를 갖는(메트)아크릴레이트와 함께 반응시켜 산출한 반응 생성물; 노볼락형 에폭시화합과 불포화 페놀화합물과의 완전에테르화 반응생성물 또는 부분에테르화 반응 생성물, 상기 에테르화 산출물의 이차수산기를 포화 또는 불포화 다가산무수물과 반응시켜 산출한 반응생성물, 및 상기 에테르화 산출물의 이차수산기를 디이소시아네이트 및 그분자 단위내에 하나의 수산기를 갖는(메트) 아크릴레이트와 함께 반응시켜 산출한 반응생성물; 및 디아릴 프탈레이트 초기중합체 및 디알릴 이소프탈레이트 초기중합체와 같은 알릴 화합물류로 구성된 그룹으로 부터 선택된 최소한 한가지 이상의 감광성 초기 중합체임을 특징으로 하는 조성물.
  13. 제1항에 있어서, 상기 감광성 초기중합체가 상온에서 고체나 반고체 상태임을 특징으로 하는 조성물.
  14. 제12항에 있어서, 상기 노볼락형 에폭시 화합물이 산촉매 존재하에서 페놀, 크레솔, 할로겐화페놀 및 알킬페놀과 같은 페놀류를 포름알데히드와 함께 반응시켜 산출시킨 노볼락을 에피클로로히드린 및/또는 메틸 에피클로로히드린과 반응시켜 산출한 것임을 특징으로 하는 조성물.
  15. 제12항에 있어서, 상기 노볼락형 에폭시 화합물이 크레솔 노볼락형 에폭시 화합물임을 특징으로 하는 조성물.
  16. 제12항에 있어서, 상기 에스테르화 반응 생성물 또는 에테르화 반응 생성물이 상기 노볼락형 에폭시 화합물과 상기 불포화 모노카르복시산 또는 불포화 페놀화합물을 각각 에폭시기 당량수/카르복시기 당량수 또는 에폭시기 당량수/페놀 수산기 당량수가 0.8 내지 3.3인 범위내에서 반응시켜 산출한 방응생성물임으로 특징으로 하는 조성물.
  17. 제12항에 있어서, 상기 에스테르화 반응 생성물 또는 에테르화 반응생성물이 노볼락형 에폭시 화합물과 상기 불포화 모노카르복시산 또는 불포화 페놀화합물을 각각 에폭시기 당량수/카르복시기 당량수 또는 에폭시기 당량수/페놀 수산기 당량수가 0.9 내지 1.1인 범위 내에서 반응시켜 산출한 완전에스테르화 반응 생성물 또는 완전 에테르화반응 생성물임을 특징으로 하는 조성물.
  18. 제12항에 있어서, 상기 감광성 초기중합체가 상기 에스테르화 반응생성물 또는 에테르화반응생성물과 상기 포화 또는 불포화 다가산 무수물을, 각각 상기 산무수물 당량수 대 상기 에스테르화 반응 생성물 또는 에테르화 반응생성물의 이차수산기 당량수는 0.3이하이고, 산출되는 수지의 산가는 30내지 160㎎KOH/g, 바람직하게는 45 내지 120㎎ KOH/g이며 에폭시기의 잔류비는 20%이하인 조건하에서 반응시켜 산출한 방응생성물임을 특징으로 하는 조성물.
  19. 제12항에 있어서, 상기 감광성 초기중합체가 디이소시아네이트 및 그분자 단위내에 하나의 수산기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 상호 동일몰비로서 반응시켜 얻은 하프우레탄(메트) 아크릴레이트를 상기 에스테르화 반응생성물 또는 에테르화 반응생성물과 함께 상기 하프우레탄(메트) 아크릴레이트의 이소시아네이트기 당량수 대 상기 에스테르화 반응생성물 또는 에테르화 반응생성물의 이차수산기의 당량수의 비가 0.1내지 1.0범위내인 조건하에서, 반응시켜 산출한 반응 생성물임을 특징으로 하는 조성물.
  20. 제1항에 있어서, 상기 감광성 열경화성 수지조성물의 중량을 기준으로 10wt%이하 되는 양의 에폭시수지용 경화제 또는 경화촉진제를 부가적으로 포함하는 것임을 특징으로 하는 조성물.
  21. 제20항에 있어서, 상기 경화제 또는 경화촉진제가 이미다졸 유도체, 구안아미드, 폴리아미드 또는 그의 유기산 염이나 에폭시부가 반응생성물, 삼차아민, 폴리페놀, 유기포스핀, 포스포늄염, 사차암모늄염, 다가산 무수물, 양이온 광중합촉매 및 스티렌-말레산 수지로 구성된 그룹으로 부터 선택된 것임을 특징으로 하는 조성물.
  22. 제1항에 있어서, 무기 충진제를 부가적으로 포함하는 것임을 특징으로 하는 조성물.
  23. 제1항에 있어서, 착색제, 중합억제제, 농후화제, 소포제, 평준화제 및 부착촉진제로 구성된 그룹으로 부터 선택된 최소한 한가지 이상의 첨가제를 부가적으로 포함하는 것임을 특징으로 하는 조성물.
  24. (A)그분자 단위내에 최소한 둘 이상의 에틸렌계 불포화 결합을 갖는 감광성 초기중합체, (B)광중합개시제, (C) 회석제로서 광중합성 비닐단량체 및/또는 유기용매, (D) 그분자 단위내에 최소한 둘이상의 에폭시기를 가지며 사용되는 회석제에 난용성인 미세분말형 에폭시 화합물, 및 임의적인 (E) 에폭시 수지용 경화제를 포함하여 구성된 감광성 열경화성 수지 조성물을 인쇄회로판 표면상에 적용하고, 상기 조성물 적용층을 주어진 패턴을 갖는 포토마스크를 통하여 화학방츠선에 노출 감광시키고, 적용층의 비감광부분(화학선에 노출되지 않은 부분)을 현상액과 함께 현상하여 레지스트 패턴을 산출한 다음 가열에 의하여 미세분말형 에폭시 화합물을 열경화시킴으로써 인쇄회로 판상에 솔더 레지스트 패턴을 형성하는 방법.
  25. 제24항에 있어서, 상기 현상액이 시클로헥사논, 크실렌, 테트라메틸 벤젠, 부틸 셀로솔브, 부틸 카르비톨, 프로필렌 글리콜 모노 에틸 에테르, 셀로 솔브 아세테이트, 프로판올, 프로필렌 글리콜, 트리클로로에탄, 트리클로로에틸렌, 개질 트리클로로에탄, 수산화 칼륨수용액, 수산화나트륨 수용액, 탄산칼륨 수용액, 인산나트륨 수용액, 규산나트륨 수용액, 암모니아수, 수성아민용액 및 계면화성제 수용액으로 구성된 그룹으로부터 선택된 최소 한가지 이상의 것임을 특징으로 하는 조성물.
  26. 제24항에 있어서, 상기 감광성 열경화성 수지 조성물이 스크린 프린팅, 커텐 코우팅, 로울 코우팅 또는 스프레이 코우팅과 같은 방법에 의하여 인쇄회로 판상에 적용됨을 특징으로 하는 방법.
  27. 제24항에 있어서, 상기 감광성 열경화성 수지 조성물이 건조필름으로 변환되고 그 건조필름이 상기 인쇄회로판상에 직접 적층되어 지거나 또는 먼저 회로판상에 도포된 감광성 열경화성 수지 조성물의 습성필름상에 적층되어 지는 것임을 특징으로 하는 방법.
  28. 제24항에 있어서, 상기 노출 감광처리가 피막에 포토마스크가 접촉된 상태에서 또는 접촉되지 않은 상태에서 행하여지는 것임을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880015716A 1987-11-30 1988-11-28 감광성 열경화성 수지 조성물 및 그를 이용한 솔더 레지스트 패턴 형성방법 KR910008706B1 (ko)

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