JP2001151853A - 絶縁樹脂組成物及びそれを用いた多層配線板の製造方法 - Google Patents
絶縁樹脂組成物及びそれを用いた多層配線板の製造方法Info
- Publication number
- JP2001151853A JP2001151853A JP33992999A JP33992999A JP2001151853A JP 2001151853 A JP2001151853 A JP 2001151853A JP 33992999 A JP33992999 A JP 33992999A JP 33992999 A JP33992999 A JP 33992999A JP 2001151853 A JP2001151853 A JP 2001151853A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- insulating
- resin composition
- layer
- epoxy resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Epoxy Resins (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高い絶縁信頼性を有し、高温・高湿下でのめっ
き銅との接着強度の維持性に優れた多層配線板用の絶縁
樹脂粗生物とそれを用いた多層配線板の製造方法を提供
すること 【解決手段】酸無水化合物で変性したエポキシ樹脂とグ
リオギザールとアンモニアから製造された窒素原子を２
個含む五員環化合物の誘導体からなる絶縁樹脂組成物
と、内層回路を有する内メw回路板の上に、その絶縁樹脂
組成物を層状に形成し、バイアホールとなる個所をマス
クしたフォトマスクを重ねて光を照射し、露光されなか
った個所を現増液で除去してバイアホールを形成する工
程を有する多層配線板の製造方法。
き銅との接着強度の維持性に優れた多層配線板用の絶縁
樹脂粗生物とそれを用いた多層配線板の製造方法を提供
すること 【解決手段】酸無水化合物で変性したエポキシ樹脂とグ
リオギザールとアンモニアから製造された窒素原子を２
個含む五員環化合物の誘導体からなる絶縁樹脂組成物
と、内層回路を有する内メw回路板の上に、その絶縁樹脂
組成物を層状に形成し、バイアホールとなる個所をマス
クしたフォトマスクを重ねて光を照射し、露光されなか
った個所を現増液で除去してバイアホールを形成する工
程を有する多層配線板の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁材料組成物及
び多層配線板の製造方法に関するものである。
び多層配線板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】通常の多層配線板は、内層回路を形成し
た絶縁基板上に、プリプレグと呼ばれるガラス布にエポ
キシ樹脂を含浸し、半硬化状態にした材料を銅箔と重ね
て熱プレスにより積層一体化した後、ドリルで層間接続
用のスルーホールと呼ばれる穴をあけ、スルーホール内
壁と銅箔表面上 ノ無電解めっきを行って、必要ならば更
に電解めっきを行って回路導体として必要な厚さとした
後、不要な銅を除去して多層配線板を製造する。ところ
で、近年、電子機器の小型化、軽量化、多機能化が一段
と進み、これに伴い、ＬＳＩやチップ部品等の高集積化
が進みその形態も多ピン化、小型化へと急速に変化して
いる。この為、多層配線板は、電子部品の実装密度を向
上するために、微細配線化の開発が進められている。し
かしながら、配線幅の縮小には技術的に限界があり、現
在量産可能な配線幅は７５〜１００μｍである。この
為、単に配線幅を縮小するだけでは大幅な配線密度の向
上が達成しにくい。また、配線密度向上の隘路となって
いるのが、直径３００μｍ前後の面積を占めるスルーホ
ールである。このスルーホールは、一般的にメカニカル
ドリルで形成されるために比較的に寸法が大きく、この
為配線設計の自由度が乏しくなる。これらの問題を解決
するものとして、感光性を付与した絶縁樹脂を回路形成
した絶縁基板上に形成し、フォトプロセスにより絶縁樹
脂に微少なバイアホールを形成して層間接続する方法
が、特公平４−５５５５５号公報や特開昭６３−１２６
２９６号公報に開示されている。
た絶縁基板上に、プリプレグと呼ばれるガラス布にエポ
キシ樹脂を含浸し、半硬化状態にした材料を銅箔と重ね
て熱プレスにより積層一体化した後、ドリルで層間接続
用のスルーホールと呼ばれる穴をあけ、スルーホール内
壁と銅箔表面上 ノ無電解めっきを行って、必要ならば更
に電解めっきを行って回路導体として必要な厚さとした
後、不要な銅を除去して多層配線板を製造する。ところ
で、近年、電子機器の小型化、軽量化、多機能化が一段
と進み、これに伴い、ＬＳＩやチップ部品等の高集積化
が進みその形態も多ピン化、小型化へと急速に変化して
いる。この為、多層配線板は、電子部品の実装密度を向
上するために、微細配線化の開発が進められている。し
かしながら、配線幅の縮小には技術的に限界があり、現
在量産可能な配線幅は７５〜１００μｍである。この
為、単に配線幅を縮小するだけでは大幅な配線密度の向
上が達成しにくい。また、配線密度向上の隘路となって
いるのが、直径３００μｍ前後の面積を占めるスルーホ
ールである。このスルーホールは、一般的にメカニカル
ドリルで形成されるために比較的に寸法が大きく、この
為配線設計の自由度が乏しくなる。これらの問題を解決
するものとして、感光性を付与した絶縁樹脂を回路形成
した絶縁基板上に形成し、フォトプロセスにより絶縁樹
脂に微少なバイアホールを形成して層間接続する方法
が、特公平４−５５５５５号公報や特開昭６３−１２６
２９６号公報に開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記したように、フォ
トプロセスによって形成した微少なバイアホールで層間
接続する多層配線板は、従来抱えていた多層配線板の配
線密度向上の問題に関して大きく寄与するものである。
このフォトプロセス方式に用いる絶縁材料には、フォト
リソ機能とめっき材料機能及び絶縁性機能が必要であ
る。この為、絶縁材料には、多くの機能をバランスよく
付加させることが絶対条件となる。一般的に、フォトリ
ソ機能とめっき材料及び絶縁性機能を併せ持つために
は、光官能基を付与させた材料と熱硬化材料及び熱硬化
材料を加熱により硬化させる熱硬化剤が必要である。し
かしながら、光官能基を有する材料と熱硬化材料とをネ
ットワーク上に硬化させることは極めて困難である。こ
の理由は、フォトリソ機能を発現させるためには、光官
能基を有する材料を主体とした組成系にせざるを得ない
ためである。この大部分の光官能基を有する材料は、バ
イアホールを形成するための露光・現像工締により光反
応を生じるが、加熱硬化工締では既に光反応が生じてい
るために、熱硬化材料とネットワーク上に硬化が進行し
にくくなるためである。このため、絶縁材料層の硬化
は、光反応が主体となった熱的な安定性に乏しい硬化と
なりやすく、結果的に高い絶縁信頼性や高温・高湿下で
の接着強度に支障がきたしやすかった。
トプロセスによって形成した微少なバイアホールで層間
接続する多層配線板は、従来抱えていた多層配線板の配
線密度向上の問題に関して大きく寄与するものである。
このフォトプロセス方式に用いる絶縁材料には、フォト
リソ機能とめっき材料機能及び絶縁性機能が必要であ
る。この為、絶縁材料には、多くの機能をバランスよく
付加させることが絶対条件となる。一般的に、フォトリ
ソ機能とめっき材料及び絶縁性機能を併せ持つために
は、光官能基を付与させた材料と熱硬化材料及び熱硬化
材料を加熱により硬化させる熱硬化剤が必要である。し
かしながら、光官能基を有する材料と熱硬化材料とをネ
ットワーク上に硬化させることは極めて困難である。こ
の理由は、フォトリソ機能を発現させるためには、光官
能基を有する材料を主体とした組成系にせざるを得ない
ためである。この大部分の光官能基を有する材料は、バ
イアホールを形成するための露光・現像工締により光反
応を生じるが、加熱硬化工締では既に光反応が生じてい
るために、熱硬化材料とネットワーク上に硬化が進行し
にくくなるためである。このため、絶縁材料層の硬化
は、光反応が主体となった熱的な安定性に乏しい硬化と
なりやすく、結果的に高い絶縁信頼性や高温・高湿下で
の接着強度に支障がきたしやすかった。
【０００４】本発明は、高い絶縁信頼性を有し、高温・
高湿下でのめっき銅との接着強度の維持性に優れた多層
配線板用の絶縁樹脂粗生物とそれを用いた多層配線板の
製造方法を提供することを目的とする。
高湿下でのめっき銅との接着強度の維持性に優れた多層
配線板用の絶縁樹脂粗生物とそれを用いた多層配線板の
製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、以下のことを
特徴とする。 （１）酸無水化合物で変性したエポキシ樹脂とグリオギ
ザールとアンモニアから製造された窒素原子を２個含む
五員環化合物の誘導体からなる絶縁樹脂組成物。 （２）内層回路を有する内窈回路板の上に、（１）に記
載の絶縁樹脂組成物を層状に形成し、バイアホールとな
る個所をマスクしたフォトマスクを重ねて光を照射し、
露光されなかった個所を現増液で除去してバイアホール
を形成する工程を有する多層配線板の製造方法。
特徴とする。 （１）酸無水化合物で変性したエポキシ樹脂とグリオギ
ザールとアンモニアから製造された窒素原子を２個含む
五員環化合物の誘導体からなる絶縁樹脂組成物。 （２）内層回路を有する内窈回路板の上に、（１）に記
載の絶縁樹脂組成物を層状に形成し、バイアホールとな
る個所をマスクしたフォトマスクを重ねて光を照射し、
露光されなかった個所を現増液で除去してバイアホール
を形成する工程を有する多層配線板の製造方法。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明で用いる酸無水物で変性し
たエポキシ樹脂は、エポキシ樹脂のエポキシ基をマレイ
ン酸無水物、テトラヒドロフタル酸無水物、イタコン酸
無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、コハク酸無水
物、ナフタル酸無水物、、シトラコン酸無水物、カルボ
ン酸無水物、メチルフタル酸無水物、ジクロロフタル酸
無水物、クロレンディック酸無水物、ブテニルテトラヒ
ドロフタル酸無水物、メチルテトラヒドロフタル酸無水
物、アルケニル酸無水物、トリカルバリル酸無水物等で
変性した化合物が挙げられる。また、酸無水物で変性す
るエポキシ樹脂は、特に制限がなく、ビスフェノールＡ
型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラ
ック型、Ｂｒ化エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型、ビ
スフェノールＳ型、サリチルアルデヒド型等が挙げられ
る。
たエポキシ樹脂は、エポキシ樹脂のエポキシ基をマレイ
ン酸無水物、テトラヒドロフタル酸無水物、イタコン酸
無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、コハク酸無水
物、ナフタル酸無水物、、シトラコン酸無水物、カルボ
ン酸無水物、メチルフタル酸無水物、ジクロロフタル酸
無水物、クロレンディック酸無水物、ブテニルテトラヒ
ドロフタル酸無水物、メチルテトラヒドロフタル酸無水
物、アルケニル酸無水物、トリカルバリル酸無水物等で
変性した化合物が挙げられる。また、酸無水物で変性す
るエポキシ樹脂は、特に制限がなく、ビスフェノールＡ
型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラ
ック型、Ｂｒ化エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型、ビ
スフェノールＳ型、サリチルアルデヒド型等が挙げられ
る。
【０００７】本発明で用いるグリオギザールとアンモニ
アから製造された窒素原子を２個含む五員環化合物の誘
導体は、イミダゾール類の活性水素にアクリロニトリル
を付加してシアノエチル化したイミダゾール誘導体化合
物、イミダゾール類の活性水素にアクリロニトリルを付
加してシアノエチ 幕化し、さらにトリアジン化したイ
ミダゾール誘導体化合物、イミダゾール類にトリメリッ
ト酸またはイソシアヌル酸を付加したイミダゾール誘導
体化合物、イミダゾール類のヒドロキシメチル置換イミ
ダゾール誘導体化合物等が使用できる。
アから製造された窒素原子を２個含む五員環化合物の誘
導体は、イミダゾール類の活性水素にアクリロニトリル
を付加してシアノエチル化したイミダゾール誘導体化合
物、イミダゾール類の活性水素にアクリロニトリルを付
加してシアノエチ 幕化し、さらにトリアジン化したイ
ミダゾール誘導体化合物、イミダゾール類にトリメリッ
ト酸またはイソシアヌル酸を付加したイミダゾール誘導
体化合物、イミダゾール類のヒドロキシメチル置換イミ
ダゾール誘導体化合物等が使用できる。
【０００８】また、これらのイミダゾール誘導体化合物
は、市販品として入手可能である。例えば、１−シアノ
エチル−２ウンデシルイミダゾールのＣ１１Ｚ−ＣＮ
（四国化成工業株式会社製、商品名）、１−シアノエチ
ル−２エチル４メチルイミダゾリウムトリメリテートの
２Ｅ４ＭＺ−ＣＮＳ（四国化成工業株式会社製、商品
名）、１−シアノエチル−２フェニルイミダゾリウムト
リメリテートの２ＰＺ−ＣＮＳ（四国化成工業株式会社
製、商品名）、２，４−ジアミノ−６−（２−メチルイ
ミダゾリル−（１））−エチルＳ−トリアジンの２ＭＺ
−ＡＺＩＮＥ（四国化成工業株式会社製、商品名）、
２，４−ジアミノ−６−（２−エチル−４−メチルイミ
ダゾリル−（１））−エチルＳ−トリアジンの２Ｅ４Ｍ
Ｚ−ＡＺＩＮＥ（四国化成工業株式会社製、商品名）、
２−メチルイミダゾリウムイソシアヌル酸付加物の２Ｍ
Ｚ−ＯＫ（四国化成工業株式会社製、商品名）、２−フ
ェニルイミダゾリウムイソシアヌル酸付加物の２ＰＺ−
ＯＫ（四国化成工業株式会社製、商品名）、２−フェニ
ル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールの
２Ｐ４ＭＨＺ（四国化成工業株式会社製、商品名）、２
−フェニル−４，５−ヒドロキシメチルイミダゾールの
２ＰＨＺ（四国化成工業株式会社製、商品名）等が使用
できる。
は、市販品として入手可能である。例えば、１−シアノ
エチル−２ウンデシルイミダゾールのＣ１１Ｚ−ＣＮ
（四国化成工業株式会社製、商品名）、１−シアノエチ
ル−２エチル４メチルイミダゾリウムトリメリテートの
２Ｅ４ＭＺ−ＣＮＳ（四国化成工業株式会社製、商品
名）、１−シアノエチル−２フェニルイミダゾリウムト
リメリテートの２ＰＺ−ＣＮＳ（四国化成工業株式会社
製、商品名）、２，４−ジアミノ−６−（２−メチルイ
ミダゾリル−（１））−エチルＳ−トリアジンの２ＭＺ
−ＡＺＩＮＥ（四国化成工業株式会社製、商品名）、
２，４−ジアミノ−６−（２−エチル−４−メチルイミ
ダゾリル−（１））−エチルＳ−トリアジンの２Ｅ４Ｍ
Ｚ−ＡＺＩＮＥ（四国化成工業株式会社製、商品名）、
２−メチルイミダゾリウムイソシアヌル酸付加物の２Ｍ
Ｚ−ＯＫ（四国化成工業株式会社製、商品名）、２−フ
ェニルイミダゾリウムイソシアヌル酸付加物の２ＰＺ−
ＯＫ（四国化成工業株式会社製、商品名）、２−フェニ
ル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールの
２Ｐ４ＭＨＺ（四国化成工業株式会社製、商品名）、２
−フェニル−４，５−ヒドロキシメチルイミダゾールの
２ＰＨＺ（四国化成工業株式会社製、商品名）等が使用
できる。
【０００９】これらのイミダゾール誘導体化合物の配合
量は、酸無水物で変性したエポキシ樹脂１００重量部に
対して、０．５〜１５重量部の範囲で使用する。更に好
ましくは、１．０〜１０重量部の範囲である。イミダゾ
ール誘導体化合物の配合量が酸無水物で変性したエポキ
シ樹脂１００重量部に対して０．５重量部未満では、酸
無水物で変性したエポキシ樹脂の硬化が弱く、高温・高
湿度下での絶縁信頼性や絶縁層とめっき銅との接着強度
が低下する。また、１５重量部以上では反応に寄与され
ないイミダゾール誘導体化合物が存在し、はんだ耐熱性
が悪化する。以上説明した、酸無水で変性したエポキシ
樹脂とイミダゾール誘導体化合物を必須成分とし、この
他、ブタジエンアクリロニトリルゴム、天然ゴム、ＳＢ
Ｒ、カルボン酸変性ブタジエンアクリロニトリルゴム、
カルボン酸変性アクリルゴム、架橋ＮＢＲ粒子、カルボ
ン酸変性架橋ＮＢＲ粒子を加えることは、可とう性が向
上する点で好ましい。
量は、酸無水物で変性したエポキシ樹脂１００重量部に
対して、０．５〜１５重量部の範囲で使用する。更に好
ましくは、１．０〜１０重量部の範囲である。イミダゾ
ール誘導体化合物の配合量が酸無水物で変性したエポキ
シ樹脂１００重量部に対して０．５重量部未満では、酸
無水物で変性したエポキシ樹脂の硬化が弱く、高温・高
湿度下での絶縁信頼性や絶縁層とめっき銅との接着強度
が低下する。また、１５重量部以上では反応に寄与され
ないイミダゾール誘導体化合物が存在し、はんだ耐熱性
が悪化する。以上説明した、酸無水で変性したエポキシ
樹脂とイミダゾール誘導体化合物を必須成分とし、この
他、ブタジエンアクリロニトリルゴム、天然ゴム、ＳＢ
Ｒ、カルボン酸変性ブタジエンアクリロニトリルゴム、
カルボン酸変性アクリルゴム、架橋ＮＢＲ粒子、カルボ
ン酸変性架橋ＮＢＲ粒子を加えることは、可とう性が向
上する点で好ましい。
【００１０】また、フィラーを配合することもでき、フ
ィラーとしてはシリカ、溶融シリカ、タルク、アルミ
ナ、水和アルミナ、硫酸バリウム、水酸化カルシウム、
エーロジル、炭酸カルシウム等の無機微粒子、粉末状エ
ポキシ樹脂、粉末状ポリイミド粒子等の有機微粒子、粉
末状テフロン粒子等が挙げられる。これらのフィラーに
は、予めカップリング処理を施して有ってもよい。これ
らの分散はニーダー、ボールミル、ビーズミル、３本ロ
ール等既知の混練方法によって達成される。本発明に用
いる光重合開始剤は、市販の製品を使用することがで
き、特に制限はない。さらに、絶縁層に耐熱性を持たせ
るため、前記組成にエポキシ樹脂、アクリレート変性エ
ポキシ樹脂、メラミン樹脂、シアネートエステル樹脂等
の熱硬化性樹脂をフォトプロセスにおける露光及び現像
に悪影響しない範囲で併用することも好ましい。
ィラーとしてはシリカ、溶融シリカ、タルク、アルミ
ナ、水和アルミナ、硫酸バリウム、水酸化カルシウム、
エーロジル、炭酸カルシウム等の無機微粒子、粉末状エ
ポキシ樹脂、粉末状ポリイミド粒子等の有機微粒子、粉
末状テフロン粒子等が挙げられる。これらのフィラーに
は、予めカップリング処理を施して有ってもよい。これ
らの分散はニーダー、ボールミル、ビーズミル、３本ロ
ール等既知の混練方法によって達成される。本発明に用
いる光重合開始剤は、市販の製品を使用することがで
き、特に制限はない。さらに、絶縁層に耐熱性を持たせ
るため、前記組成にエポキシ樹脂、アクリレート変性エ
ポキシ樹脂、メラミン樹脂、シアネートエステル樹脂等
の熱硬化性樹脂をフォトプロセスにおける露光及び現像
に悪影響しない範囲で併用することも好ましい。
【００１１】次に、本発明の絶縁材料組成物を用いて多
層配線板を製造する工程を、例示して説明する。先ず、
絶縁基板２上に第１の回路層（１ａ）を形成した回路板
３を用意する（図１（ａ）参照）。絶縁基板２は、通常
の配線板において用いられている功知の積層板、例え
ば、ガラス布−エポキシ樹脂、紙−フェノール樹脂、紙
−エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス紙−エポキシ樹脂等
が使用でき特に制限はない。また、回路層１ａを形成す
るための方法についても特に制限はなく、銅箔と前記絶
縁基板を張り合わせた銅張り積層板を用い、銅箔の不要
な部分をエッチング除去するサブトラクティブ法や、前
記絶縁基板の必要な個所に無電解めっきによって回路を
形成するアディテブ法等、公知の配線板の製造法を用い
ることができる。また、図１（ａ）には絶縁基板２の片
面に回路層１ａを形成した例を示すが、両面銅張り積層
板を用いて回路層１ａを絶縁基板２の両面に形成するこ
ともできる。次に、回路層１ａの表面を接着性に適した
状態に表面処理する。この手法も、特に制限はなく、例
えば、次亜塩素酸ナトリウムのアルカリ水溶液により回
路層１ａの表面に酸化銅の針状結晶を形成し、形成した
酸化銅の針状結晶をジメチルアミンボラン水溶液に浸漬
して還元するなど公知の製造方法を用いることができ
る。
層配線板を製造する工程を、例示して説明する。先ず、
絶縁基板２上に第１の回路層（１ａ）を形成した回路板
３を用意する（図１（ａ）参照）。絶縁基板２は、通常
の配線板において用いられている功知の積層板、例え
ば、ガラス布−エポキシ樹脂、紙−フェノール樹脂、紙
−エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス紙−エポキシ樹脂等
が使用でき特に制限はない。また、回路層１ａを形成す
るための方法についても特に制限はなく、銅箔と前記絶
縁基板を張り合わせた銅張り積層板を用い、銅箔の不要
な部分をエッチング除去するサブトラクティブ法や、前
記絶縁基板の必要な個所に無電解めっきによって回路を
形成するアディテブ法等、公知の配線板の製造法を用い
ることができる。また、図１（ａ）には絶縁基板２の片
面に回路層１ａを形成した例を示すが、両面銅張り積層
板を用いて回路層１ａを絶縁基板２の両面に形成するこ
ともできる。次に、回路層１ａの表面を接着性に適した
状態に表面処理する。この手法も、特に制限はなく、例
えば、次亜塩素酸ナトリウムのアルカリ水溶液により回
路層１ａの表面に酸化銅の針状結晶を形成し、形成した
酸化銅の針状結晶をジメチルアミンボラン水溶液に浸漬
して還元するなど公知の製造方法を用いることができ
る。
【００１２】次に、回路層１ａの表面に、絶縁材料組成
物層４ｂを形成する（図１（ｂ）参照）。絶縁材料４ｂ
の形成方法は、液状の樹脂をロールコート、カーテンコ
ート、ディプコート等の方法で塗布する方式や、前記絶
縁樹脂をフィルム化してラミネートで張り合わせる方式
を用いることができる。また、絶縁材料組成物層４ｂの
厚さについては特に制限はなく、通常２０〜１５０μｍ
の範囲で適宜選択される。次に、回路層１ａと接続する
バイアホール７ｄを形成すべき箇所をマスクするように
形成されたフォトマスク５ｃを通して絶縁材料組成物層
４ｂに光線６ｃを照射する露光（光源としては通常紫外
線が用いられ、通常の配線板のレジスト形成方法と同じ
手法が用いられる）を行う（図１（ｃ）参照）。
物層４ｂを形成する（図１（ｂ）参照）。絶縁材料４ｂ
の形成方法は、液状の樹脂をロールコート、カーテンコ
ート、ディプコート等の方法で塗布する方式や、前記絶
縁樹脂をフィルム化してラミネートで張り合わせる方式
を用いることができる。また、絶縁材料組成物層４ｂの
厚さについては特に制限はなく、通常２０〜１５０μｍ
の範囲で適宜選択される。次に、回路層１ａと接続する
バイアホール７ｄを形成すべき箇所をマスクするように
形成されたフォトマスク５ｃを通して絶縁材料組成物層
４ｂに光線６ｃを照射する露光（光源としては通常紫外
線が用いられ、通常の配線板のレジスト形成方法と同じ
手法が用いられる）を行う（図１（ｃ）参照）。
【００１３】次に、絶縁材料組成物層４ｂの未露光部分
を現像液により食刻する方法によって現像してバイアホ
ール７ｄを形成する（図１（ｄ）参照）。現像液により
食刻する方法は、功知の方法によることができ特に制限
はない。例えば、現像液をスプレーするか又は現像液に
浸漬するなどが挙げられる。用いる現像液としては、絶
縁樹脂組成物をどのような現像タイプにすることで決定
されるが、アルカリ現像液、準水系現像液、溶剤現像液
など一般的なものを用いることができる。現像後、必要
に応じて後露光を行う。そして後加熱を行う。この後加
熱は、本発明の効果を発机するために重要であり、温度
は１３０℃〜２００℃の範囲で３０分〜１２０分の時間
で行う。なお、基板が熱劣化により後工締に支障がきた
さない条件で、絶縁材料組成物層４ｂが最も効率よく硬
化する範囲が良く、望ましい後加熱範囲は１３０〜１８
０℃の温度で４５分〜９０分である。
を現像液により食刻する方法によって現像してバイアホ
ール７ｄを形成する（図１（ｄ）参照）。現像液により
食刻する方法は、功知の方法によることができ特に制限
はない。例えば、現像液をスプレーするか又は現像液に
浸漬するなどが挙げられる。用いる現像液としては、絶
縁樹脂組成物をどのような現像タイプにすることで決定
されるが、アルカリ現像液、準水系現像液、溶剤現像液
など一般的なものを用いることができる。現像後、必要
に応じて後露光を行う。そして後加熱を行う。この後加
熱は、本発明の効果を発机するために重要であり、温度
は１３０℃〜２００℃の範囲で３０分〜１２０分の時間
で行う。なお、基板が熱劣化により後工締に支障がきた
さない条件で、絶縁材料組成物層４ｂが最も効率よく硬
化する範囲が良く、望ましい後加熱範囲は１３０〜１８
０℃の温度で４５分〜９０分である。
【００１４】この後加熱により、後硬化を行った絶縁層
を絶縁層８ｄとする。次に、絶縁層８ｄの表面及びバイ
アホール内を酸化性粗化液で処理する。酸化性粗化液と
しては、クロム／硫酸粗化液、アルカリ過 }ンガン酸粗
化液、フッ化ナトリウム／クロム／硫酸粗化液、ホウフ
ッ酸粗化液などを用いることができる。次に、塩化第１
錫の塩酸水溶液に浸漬して、中和処理を行い、さらにパ
ラジウムを付着させるめっき触媒付与処理を行う。
を絶縁層８ｄとする。次に、絶縁層８ｄの表面及びバイ
アホール内を酸化性粗化液で処理する。酸化性粗化液と
しては、クロム／硫酸粗化液、アルカリ過 }ンガン酸粗
化液、フッ化ナトリウム／クロム／硫酸粗化液、ホウフ
ッ酸粗化液などを用いることができる。次に、塩化第１
錫の塩酸水溶液に浸漬して、中和処理を行い、さらにパ
ラジウムを付着させるめっき触媒付与処理を行う。
【００１５】めっき触媒処理は、塩化パラジウム系のめ
っき触媒液に浸漬することにより行われる。次に、無電
解めっき液に浸漬することにより、この上に厚さが０．
３〜１．５μｍの無電解めっき層を析出させる。必要に
より、更に電気めっきを行う。無電解めっきに使用する
無電解めっき液は、功知の無電解めっき液を使用するこ
とができ、特に制限はない。また、電気めっきについて
も功知の方法によることができ特に制限はない。次に、
かくして形成された回路加工を施すことにより、回路層
１ｅ及び回路層１ａと回路層１ｅとの層間接続を形成す
る（図１（ｅ）参照）。
っき触媒液に浸漬することにより行われる。次に、無電
解めっき液に浸漬することにより、この上に厚さが０．
３〜１．５μｍの無電解めっき層を析出させる。必要に
より、更に電気めっきを行う。無電解めっきに使用する
無電解めっき液は、功知の無電解めっき液を使用するこ
とができ、特に制限はない。また、電気めっきについて
も功知の方法によることができ特に制限はない。次に、
かくして形成された回路加工を施すことにより、回路層
１ｅ及び回路層１ａと回路層１ｅとの層間接続を形成す
る（図１（ｅ）参照）。
【００１６】なお、回路層１ｅを形成するための手法と
しては、粗化した絶縁層表面に無電解めっき用の触媒を
付与して全面に無電解めっき銅を析出させ、必要な場合
には電気めっきによって回路導体を必要な厚さにして、
不要な箇所をエッチング除去して形成する方法や、めっ
き触媒を含有した絶縁層を用いて、めっきレジストを形
成して必要な箇所のみ無電解めっきにより回路形成する
方法、及びめっき触媒を含有しない絶縁層を粗化し、め
っき触媒を付与した後めっきレジストを形成して必要な
箇所のみ無電解めっきにより回路形成する法等を用いる
ことができる。以下、回路層１ａの表面処理と同様にし
て回路層１ｅの表面処理を行い、以下層１ｅの形成と同
様にして絶縁材料組成物層４ｆを形成し（図１（ｆ）参
照）、フォトマスク５ｇを通して絶縁材料４ｆに光線６
ｇを照射する露光を行い（図１（ｇ）参照）、絶縁材料
４ｆの未露光部分を現像液に食刻する方法によって現像
してバイアホール７ｈを形成し、絶縁材料４ｆを硬化さ
せて絶縁層８ｈとし（図１（ｈ）参照）、回路層１ｉを
形成（図１（ｉ）参照）する。以下、更に同様の工程を
繰り返して、層数の多い多層配線板を製造できる。
しては、粗化した絶縁層表面に無電解めっき用の触媒を
付与して全面に無電解めっき銅を析出させ、必要な場合
には電気めっきによって回路導体を必要な厚さにして、
不要な箇所をエッチング除去して形成する方法や、めっ
き触媒を含有した絶縁層を用いて、めっきレジストを形
成して必要な箇所のみ無電解めっきにより回路形成する
方法、及びめっき触媒を含有しない絶縁層を粗化し、め
っき触媒を付与した後めっきレジストを形成して必要な
箇所のみ無電解めっきにより回路形成する法等を用いる
ことができる。以下、回路層１ａの表面処理と同様にし
て回路層１ｅの表面処理を行い、以下層１ｅの形成と同
様にして絶縁材料組成物層４ｆを形成し（図１（ｆ）参
照）、フォトマスク５ｇを通して絶縁材料４ｆに光線６
ｇを照射する露光を行い（図１（ｇ）参照）、絶縁材料
４ｆの未露光部分を現像液に食刻する方法によって現像
してバイアホール７ｈを形成し、絶縁材料４ｆを硬化さ
せて絶縁層８ｈとし（図１（ｈ）参照）、回路層１ｉを
形成（図１（ｉ）参照）する。以下、更に同様の工程を
繰り返して、層数の多い多層配線板を製造できる。
【００１７】
【実施例】実施例１ （１）銅箔の厚さ１８μｍの両面粗化箔を両面に有する
ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張り積層板であるＭＣ
Ｌ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社製、商品名）にエ
ッチングを施して片面に回路層（以下、第１回路層とす
る）を有する回路板を作製した。 （２）下記組成の絶縁樹脂をＰＥＴフィルム上に塗工
し、８０℃−２０分乾燥して絶縁樹脂付フィルムを作製
した。この絶縁樹脂付フィルムを、前記回路板の片面に
絶縁樹脂が回路層と接する面側にしてラミネーターを用
いて形成し、膜厚５０μｍの絶縁層を形成した。 ・テトラヒドロキシ無水フタル酸変性エポキシ樹脂： ＰＣＲ−１０５０（日本化薬株式会社製、商品名） …５０重量部 ・アクリレート変性エポキシ樹脂： ＹＤＶ−１０１１（東都化成株式会社製、商品名） …２０重量部 ・カルボン酸変成ブタジエン： ハイカーＣＴＢＮ１３００×１３（宇部興産株式会社製、商品名）…１０重量部 ・カルボン酸変性アクリロニトリルブタジエンゴム： ＸＥＲ−３１ＳＫ−２５（ＪＳＲ株式会社製、商品名） …８重量部 ・光開始剤： イルガギュア６５１（チバガイギー株式会社製、商品名） …５重量部 ・充填剤、水酸化アルミニウム： ハイジライトＨ−４２Ｍ（昭和電工株式会社製、商品名） …１０重量部 ・イミダゾール誘導体化合物：１−シアノエチル−２フェニルイミダゾリウムト リメリテート ２ＰＺ−ＣＮＳ（四国化成工業株式会社製、商品名） …２重量部 （３）バイアホールとなる部分に遮蔽部を形成したフォ
トマスクを介して、露光量３０ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を
照射して、さらに未露光部分を、２−２ブトキシエトキ
シエタノールを１０ｖｏｌ％、４ホウ酸ナトリウム８ｇ
／ｌを含んだ現像液で３０℃−１分間スプレー処理をし
てバイアホールを形成した。 （４）メタルハライドランプ型コンベア式露光機（ラン
プ出力：８０Ｗ／ｃｍ2、ランプ高さ：８０ｃｍ、コー
ルドミラーなし、コンベア速度：１．５ｍ／分）を用い
て、紫外線１０００ｍＪ／ｃｍ2を絶縁層に照射して後
露光を行う。 （５）１５０℃−１時間後加熱を行うことにより、バイ
アホールを有した絶縁層を形成した。 （６）絶縁層を化学粗化するために、粗化液として、Ｋ
ＭｎＯ4：６０ｇ／ｌ、ＮａＯＨ：４０ｇ／ｌの水溶液
を作製し、７０℃に加温して５分間浸漬処理する。引き
続き、中和液（ＳｎＣ１2：３０ｇ／ｌ、ＨＣｌ：３０
０ｍ／ｌ）の水溶液に室温で５分間浸漬処理して中和し
た。 （７）第１の絶縁層表面に第２の回路を形成するため
に、まず、ＰｄＣ１2を含む無電解めっき触媒であるＨ
Ｓ−２０２Ｂ（日立化成工業株式会社製、商品名）に、
室温−１０分間浸漬処理し、推薦し、無電解銅めっき液
Ｌ−５９めっき液（日立化成工業株式会社製、商品名）
に７０℃−３０分間浸漬し、さらに硫酸銅電解めっきを
行って、絶縁層表面上に厚さ２０μｍの導体層を形成す
る。次に、めっき導体の不要な箇所をエッチング除去す
るためにエッチングレジストを形成し、エッチングし、
その後エッチングレジストを除去して、第１の回路と接
続したバイアホールを含む第２の回路形成を行う。 （８）さらに、多層化するために、第２の回路導体表面
を、亜塩素酸ナトリウム：５０ｇ／ｌ、ＮａＯＨ：２０
ｇ／ｌ、リン酸三ナトリウム１０ｇ／ｌの水溶液に８５
℃−２０分間浸漬し、水洗して、８０℃−２０分間乾燥
して第２の回路導体表面上に酸化銅の凹凸を形成する。 （９）（２）〜（７）の工程を繰り返して３層の多層配
線板を作製した。
ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張り積層板であるＭＣ
Ｌ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社製、商品名）にエ
ッチングを施して片面に回路層（以下、第１回路層とす
る）を有する回路板を作製した。 （２）下記組成の絶縁樹脂をＰＥＴフィルム上に塗工
し、８０℃−２０分乾燥して絶縁樹脂付フィルムを作製
した。この絶縁樹脂付フィルムを、前記回路板の片面に
絶縁樹脂が回路層と接する面側にしてラミネーターを用
いて形成し、膜厚５０μｍの絶縁層を形成した。 ・テトラヒドロキシ無水フタル酸変性エポキシ樹脂： ＰＣＲ−１０５０（日本化薬株式会社製、商品名） …５０重量部 ・アクリレート変性エポキシ樹脂： ＹＤＶ−１０１１（東都化成株式会社製、商品名） …２０重量部 ・カルボン酸変成ブタジエン： ハイカーＣＴＢＮ１３００×１３（宇部興産株式会社製、商品名）…１０重量部 ・カルボン酸変性アクリロニトリルブタジエンゴム： ＸＥＲ−３１ＳＫ−２５（ＪＳＲ株式会社製、商品名） …８重量部 ・光開始剤： イルガギュア６５１（チバガイギー株式会社製、商品名） …５重量部 ・充填剤、水酸化アルミニウム： ハイジライトＨ−４２Ｍ（昭和電工株式会社製、商品名） …１０重量部 ・イミダゾール誘導体化合物：１−シアノエチル−２フェニルイミダゾリウムト リメリテート ２ＰＺ−ＣＮＳ（四国化成工業株式会社製、商品名） …２重量部 （３）バイアホールとなる部分に遮蔽部を形成したフォ
トマスクを介して、露光量３０ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を
照射して、さらに未露光部分を、２−２ブトキシエトキ
シエタノールを１０ｖｏｌ％、４ホウ酸ナトリウム８ｇ
／ｌを含んだ現像液で３０℃−１分間スプレー処理をし
てバイアホールを形成した。 （４）メタルハライドランプ型コンベア式露光機（ラン
プ出力：８０Ｗ／ｃｍ2、ランプ高さ：８０ｃｍ、コー
ルドミラーなし、コンベア速度：１．５ｍ／分）を用い
て、紫外線１０００ｍＪ／ｃｍ2を絶縁層に照射して後
露光を行う。 （５）１５０℃−１時間後加熱を行うことにより、バイ
アホールを有した絶縁層を形成した。 （６）絶縁層を化学粗化するために、粗化液として、Ｋ
ＭｎＯ4：６０ｇ／ｌ、ＮａＯＨ：４０ｇ／ｌの水溶液
を作製し、７０℃に加温して５分間浸漬処理する。引き
続き、中和液（ＳｎＣ１2：３０ｇ／ｌ、ＨＣｌ：３０
０ｍ／ｌ）の水溶液に室温で５分間浸漬処理して中和し
た。 （７）第１の絶縁層表面に第２の回路を形成するため
に、まず、ＰｄＣ１2を含む無電解めっき触媒であるＨ
Ｓ−２０２Ｂ（日立化成工業株式会社製、商品名）に、
室温−１０分間浸漬処理し、推薦し、無電解銅めっき液
Ｌ−５９めっき液（日立化成工業株式会社製、商品名）
に７０℃−３０分間浸漬し、さらに硫酸銅電解めっきを
行って、絶縁層表面上に厚さ２０μｍの導体層を形成す
る。次に、めっき導体の不要な箇所をエッチング除去す
るためにエッチングレジストを形成し、エッチングし、
その後エッチングレジストを除去して、第１の回路と接
続したバイアホールを含む第２の回路形成を行う。 （８）さらに、多層化するために、第２の回路導体表面
を、亜塩素酸ナトリウム：５０ｇ／ｌ、ＮａＯＨ：２０
ｇ／ｌ、リン酸三ナトリウム１０ｇ／ｌの水溶液に８５
℃−２０分間浸漬し、水洗して、８０℃−２０分間乾燥
して第２の回路導体表面上に酸化銅の凹凸を形成する。 （９）（２）〜（７）の工程を繰り返して３層の多層配
線板を作製した。
【００１８】実施例２ 実施例１において、イミダゾール誘導体化合物の１−シ
アノエチル−２フェニルイミダゾリウムトリメリテート
である２ＰＺ−ＣＮＳ（四国化成工業株式会社製、商品
名）に代えて、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロ
キシメチルイミダゾールである２Ｐ４ＭＨＺ（四国化成
工業株式会社製、商品名）を用いた。その他は、実施例
１と同様に行った。
アノエチル−２フェニルイミダゾリウムトリメリテート
である２ＰＺ−ＣＮＳ（四国化成工業株式会社製、商品
名）に代えて、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロ
キシメチルイミダゾールである２Ｐ４ＭＨＺ（四国化成
工業株式会社製、商品名）を用いた。その他は、実施例
１と同様に行った。
【００１９】実施例３ 実施例１において、テトラヒドロキシ無水フタル酸変性
エポキシ樹脂のＰＣＲ−１０５０（日本化薬株式会社
製、商品名）に代えて、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂のエピコート１００１（油化シェル株式会社製、商品
名）に無水マレイン酸（和光純薬株式会社製、試薬特
級）を１３０℃−２０時間の条件下で変性したエポキシ
樹脂を作製し用いた。配合量は実施例１と同様であり、
その他も実施例１と同様に行った。
エポキシ樹脂のＰＣＲ−１０５０（日本化薬株式会社
製、商品名）に代えて、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂のエピコート１００１（油化シェル株式会社製、商品
名）に無水マレイン酸（和光純薬株式会社製、試薬特
級）を１３０℃−２０時間の条件下で変性したエポキシ
樹脂を作製し用いた。配合量は実施例１と同様であり、
その他も実施例１と同様に行った。
【００２０】比較例１ 実施例１において、イミダゾール誘導体化合物を用いな
い組成とした。その他は実施例１と同様で行った。
い組成とした。その他は実施例１と同様で行った。
【００２１】比較例２ 実施例３において、イミダゾール誘導体化合物を用いな
い組成とした。その他は実施例１と同様で行った。
い組成とした。その他は実施例１と同様で行った。
【００２２】以上のようにして作製した多層配線板につ
いて、バイアホールの解像性、ピール強度（絶縁層とめ
っき銅との接着強度）及び層間絶縁抵抗を以下に示した
方法で調べた。その結果を表１に示す。 （バイアホールの解像性）実施例１の（３）に相当する
工締において、フォトマスクに、直径５０〜１５０μｍ
で１０μｍ間隔の円形黒丸の遮蔽部を設け、バイアホー
ルを形成した。なお、バイアホールを形成できた最小の
直径の評価は、実施例（６）に相当する工締を実施した
後、金属顕微鏡により評価した。 （ピール強度）Ｌ１回路層（第３回路層）の一部に幅１
０ｍｍ、長さ１００ｍｍの部分を形成し、この一端を剥
がしてつかみ具でつかみ、垂直方向に約５０ｍｍ引き剥
がした時の荷重を測定した。表１には、常態及び１２１
℃、１００％ＲＨのプレッシャークッカーテスター中に
て４８時間保持後（表１中においてＰＣＴ−４８と記
載）について測定した結果を示す。 （層間絶縁抵抗）バイアホールによる回路層間の接続が
含まれないように切断した試験片を用いて、Ｌ１−Ｌ２
間（第３回路と第２回路間）の絶縁抵抗を測定した。表
１には、常態及び１１０℃、８５％ＲＨのプレッシャー
クッカーテスター中にて１００時間保持後（表１中にお
いてＰＣＴ−１００と記載）について測定した結果を示
す。
いて、バイアホールの解像性、ピール強度（絶縁層とめ
っき銅との接着強度）及び層間絶縁抵抗を以下に示した
方法で調べた。その結果を表１に示す。 （バイアホールの解像性）実施例１の（３）に相当する
工締において、フォトマスクに、直径５０〜１５０μｍ
で１０μｍ間隔の円形黒丸の遮蔽部を設け、バイアホー
ルを形成した。なお、バイアホールを形成できた最小の
直径の評価は、実施例（６）に相当する工締を実施した
後、金属顕微鏡により評価した。 （ピール強度）Ｌ１回路層（第３回路層）の一部に幅１
０ｍｍ、長さ１００ｍｍの部分を形成し、この一端を剥
がしてつかみ具でつかみ、垂直方向に約５０ｍｍ引き剥
がした時の荷重を測定した。表１には、常態及び１２１
℃、１００％ＲＨのプレッシャークッカーテスター中に
て４８時間保持後（表１中においてＰＣＴ−４８と記
載）について測定した結果を示す。 （層間絶縁抵抗）バイアホールによる回路層間の接続が
含まれないように切断した試験片を用いて、Ｌ１−Ｌ２
間（第３回路と第２回路間）の絶縁抵抗を測定した。表
１には、常態及び１１０℃、８５％ＲＨのプレッシャー
クッカーテスター中にて１００時間保持後（表１中にお
いてＰＣＴ−１００と記載）について測定した結果を示
す。
【００２３】
【表１】
【００２４】表１からフォトプロセスにおいて重要な特
性であるバイアホール解像性は、実施例１〜３並びに比
較例１〜２になる３層の多層配線板において同等で有る
ことが示され、実施例１〜３になる３層の多層配線板に
おいては、１２１℃−１００％ＲＨ又は１１０℃−８５
％ＲＨという高温・高湿下においてもピール強度と層間
絶縁抵抗の低下が少ないことが示された。一方、比較例
１〜２においての３層多層配線板においては、１２１℃
−１００％ＲＨ又は１１０℃−８５％ＲＨという高温・
高湿下でのピール強度が実施例に比べて約０．３〜０．
４ＫＮ／ｍ低下し、層間絶縁抵抗の低下具合は実施例と
比較して約３桁大きいことが示された。
性であるバイアホール解像性は、実施例１〜３並びに比
較例１〜２になる３層の多層配線板において同等で有る
ことが示され、実施例１〜３になる３層の多層配線板に
おいては、１２１℃−１００％ＲＨ又は１１０℃−８５
％ＲＨという高温・高湿下においてもピール強度と層間
絶縁抵抗の低下が少ないことが示された。一方、比較例
１〜２においての３層多層配線板においては、１２１℃
−１００％ＲＨ又は１１０℃−８５％ＲＨという高温・
高湿下でのピール強度が実施例に比べて約０．３〜０．
４ＫＮ／ｍ低下し、層間絶縁抵抗の低下具合は実施例と
比較して約３桁大きいことが示された。
【００２５】
【発明の効果】以上に説明したとおり、本発明によっ
て、高い絶縁信頼性を有し、高温・高湿下でのめっき銅
との接着強度の維持性に優れた多層配線板用の絶縁樹脂
粗生物とそれを用いた多層配線板の製造方法を提供する
ことができる。
て、高い絶縁信頼性を有し、高温・高湿下でのめっき銅
との接着強度の維持性に優れた多層配線板用の絶縁樹脂
粗生物とそれを用いた多層配線板の製造方法を提供する
ことができる。
【図１】（ａ）〜（ｉ）は、多層配線板を製造する工締
を説明する断面図である。
を説明する断面図である。
１ａ、１ｅ、１ｉ．回路層 ２．絶縁基板 ３．回路板 ４ｂ、４ｆ．絶縁材料組成物 ５ｃ、５ｇ．フォトマスク ６ｃ、６ｇ．光 ７ｄ、７ｈ．バイアホール ８ｄ、８ｈ．絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ (72)発明者 森田 正樹 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 渡邉 貴子 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 2H025 AA10 AA14 AA20 AB15 AC01 AD01 BC13 BC34 BC43 CB30 4J036 AA01 CA19 CA20 DC41 DC44 DC45 JA08 5E346 AA05 AA06 AA12 AA15 BB01 CC09 DD02 DD03 DD25 DD32 DD33 EE31 EE33 GG02 GG15 GG17 HH11
Claims (2)
- 【請求項１】酸無水化合物で変性したエポキシ樹脂とグ
リオギザールとアンモニアから製造された窒素原子を２
個含む五員環化合物の誘導体からなる絶縁樹脂組成物。 - 【請求項２】内層回路を有する内層回路板の上に、請求
項１に記載の絶縁樹脂組成物を層状に形成し、バイアホ
ールとなる箇所以外の箇所をマスクしたフォトマスクを
重ねて光を照射し、露光されなかった個所を現増液で除
去してバイアホールを形成する工程を有する多層配線板
の製造方法 エ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33992999A JP2001151853A (ja) | 1999-11-30 | 1999-11-30 | 絶縁樹脂組成物及びそれを用いた多層配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33992999A JP2001151853A (ja) | 1999-11-30 | 1999-11-30 | 絶縁樹脂組成物及びそれを用いた多層配線板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001151853A true JP2001151853A (ja) | 2001-06-05 |
Family
ID=18332105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33992999A Pending JP2001151853A (ja) | 1999-11-30 | 1999-11-30 | 絶縁樹脂組成物及びそれを用いた多層配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001151853A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009256587A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用接着剤、半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置の製造方法、および半導体装置 |
| US8674502B2 (en) | 2010-07-16 | 2014-03-18 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor-encapsulating adhesive, semiconductor-encapsulating film-form adhesive, method for producing semiconductor device, and semiconductor device |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01141904A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-02 | Taiyo Ink Seizo Kk | 感光性熱硬化性樹脂組成物及びソルダーレジストパターン形成方法 |
| JPH07207211A (ja) * | 1994-01-17 | 1995-08-08 | Nippon Kayaku Co Ltd | フレキシブルプリント配線板用レジストインキ組成物及びその硬化物 |
| JPH08134390A (ja) * | 1994-09-13 | 1996-05-28 | Nippon Kayaku Co Ltd | フレキシブルプリント配線板用レジストインキ組成物及びその硬化物 |
| JPH08269172A (ja) * | 1996-03-11 | 1996-10-15 | Taiyo Ink Mfg Ltd | 感光性熱硬化性樹脂組成物 |
| JPH09244241A (ja) * | 1996-03-13 | 1997-09-19 | Ibiden Co Ltd | めっきレジスト組成物及びプリント配線板 |
-
1999
- 1999-11-30 JP JP33992999A patent/JP2001151853A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01141904A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-02 | Taiyo Ink Seizo Kk | 感光性熱硬化性樹脂組成物及びソルダーレジストパターン形成方法 |
| JPH07207211A (ja) * | 1994-01-17 | 1995-08-08 | Nippon Kayaku Co Ltd | フレキシブルプリント配線板用レジストインキ組成物及びその硬化物 |
| JPH08134390A (ja) * | 1994-09-13 | 1996-05-28 | Nippon Kayaku Co Ltd | フレキシブルプリント配線板用レジストインキ組成物及びその硬化物 |
| JPH08269172A (ja) * | 1996-03-11 | 1996-10-15 | Taiyo Ink Mfg Ltd | 感光性熱硬化性樹脂組成物 |
| JPH09244241A (ja) * | 1996-03-13 | 1997-09-19 | Ibiden Co Ltd | めっきレジスト組成物及びプリント配線板 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009256587A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用接着剤、半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置の製造方法、および半導体装置 |
| US8674502B2 (en) | 2010-07-16 | 2014-03-18 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor-encapsulating adhesive, semiconductor-encapsulating film-form adhesive, method for producing semiconductor device, and semiconductor device |
| US9123734B2 (en) | 2010-07-16 | 2015-09-01 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor-encapsulating adhesive, semiconductor-encapsulating film-form adhesive, method for producing semiconductor device, and semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3204545B2 (ja) | 多層プリント配線板およびその製造方法 | |
| JP3069356B2 (ja) | 多層プリント配線板およびその製造方法 | |
| JPH11177237A (ja) | ビルドアップ多層プリント配線板とその製造方法 | |
| JP2001151853A (ja) | 絶縁樹脂組成物及びそれを用いた多層配線板の製造方法 | |
| JP3637613B2 (ja) | 多層配線板の製造方法 | |
| JPH06260763A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JPH10275983A (ja) | 多層プリント配線板 | |
| JP4505908B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JP3697726B2 (ja) | 多層配線板の製造方法 | |
| JP2001151837A (ja) | 絶縁樹脂組成物及びそれを用いた多層配線板の製造方法 | |
| JP2000306429A (ja) | 絶縁材料組成物及び多層配線板 | |
| JP4505907B2 (ja) | 多層プリント配線板及びその製造方法 | |
| JP4366632B2 (ja) | 内層回路付金属張積層板、多層プリント配線板及びそれらの製造方法 | |
| JP4126735B2 (ja) | 特定の酸化防止剤を含む絶縁樹脂を用いた多層配線板の製造方法 | |
| JP4832621B2 (ja) | 多層プリント配線板 | |
| JP4051587B2 (ja) | 熱又は光により硬化可能な樹脂組成物を用いた多層配線板の製造方法 | |
| JP2008166720A (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP2003064269A (ja) | 絶縁樹脂組成物及びこれを用いた多層配線板の製造方法 | |
| JP2002275241A (ja) | 絶縁樹脂組成物およびその用途ならびに配線板の製造方法 | |
| JP2001119127A (ja) | 配線板の製造方法 | |
| JP3761200B2 (ja) | 配線板の製造方法 | |
| JP2003309377A (ja) | 多層配線板の製造方法 | |
| JPH11163517A (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
| JPH10294568A (ja) | 多層プリント配線板 | |
| JPH11103173A (ja) | 特定の還元剤を含む絶縁樹脂を用いた多層配線板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061023 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090626 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091119 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100318 |