JPS6148800A - 放射線画像変換方法 - Google Patents

放射線画像変換方法

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JPS6148800A
JPS6148800A JP17199984A JP17199984A JPS6148800A JP S6148800 A JPS6148800 A JP S6148800A JP 17199984 A JP17199984 A JP 17199984A JP 17199984 A JP17199984 A JP 17199984A JP S6148800 A JPS6148800 A JP S6148800A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は輝尽性螢光体を用りた放射線画像変換パネルに
関するものである。  ・ (従来技術) X線ii!lI像のような放射線画像は医療用として多
く用いられている。従来、この放射線画像を得るために
は、銀塩感光材料からなる放射線写真フィルムと増感紙
とを組合せた、いわゆる放射線写真法が利用されてりる
。しかし、近年放射線画像診断技術の進歩にともない銀
塩感光材料からなる放射線写真フィルムを使用しないで
放射線画像を得る方法が工夫されるようになった。
このような方法とし【は、被写体を透過した放射線をあ
5る釉の螢光体に吸収せしめ、しがる後この螢光体を例
えば光又は熱エネルギーで励起することにより、この螢
光体がhl」記吸収により蓄積している放射線二洋ルギ
ーを螢光として放射せし教この螢光を検出して画像化す
る方法がある。具体的には、例えば英国特許1,462
,769号及び特開昭5l−29E189号には、螢光
体として熱輝尽性螢光体を用いる方法が示されている。
この方法は支持体上に熱ルIX尽性螢光体層を形成した
放射線画像変換パネルを使用するもので、この放射線画
像変換パネルの熱ル1【ハ性螢光体層に被写体を透過し
た放射勝を吸収させて被写体各部の放射線透過度に対応
する放射縁エネルキーを蓄積させて潜像を形成し、しか
る後にこの熱輝層性螢光体層を加熱することによって輝
尽励起し、パネルの各部に蓄積された放射線エネルギー
を光の信号として取り出し、この光の強弱によって放射
線画像を得るものである。
また、例えば米国特許3,859,527号及び特開昭
55−12144号には、螢光体として光輝尽′1・性
螢光体を用いる方法が示されている。この方法は支持体
上に光輝層性螢光体層を形成した放射線画像変換パネル
を使用するもので、上述のように潜像を形成した後、こ
の光輝尽性J訃光体層を輝尽励起光で走査することによ
って、ごくネル各部に蓄積された放射線エネルギーを光
の信号として取り出し、放射N&両画像得るものである
。この最終的な画像はハードコピーとして再生しても良
いし、CRT上に再生しても良い。
ところで、このような放射線画像変換方法に用いられる
放射線画像変換パネルの輝層性螢光体層に関する記述は
ほとんどないのが現状であるが、一般的には、前記特開
昭55−12144号中に示されているように、ただ1
層の輝層性螢光体層から成っている。しかしながら、輝
層性螢光体層が1層である場合くは、ただ1回の輝尽励
起によって蓄積された放射線エネルギーの大部分が放出
されてしまい、1回の放射線照射によって複数枚の放射
線画像データを得ることは不可能であった。
一方これに対し1回の放射線照射によりて複数枚の放射
線画像データを得る方法がいくつか知られている。具体
的な方法としては、例えば特開昭56−11399号に
は、複数枚の放射線画像変換ノくネルを重ねて同時に放
射線照射を行ない、この複数 枚の放射線画像変換パネ
ルを順次に輝尽励起することによって複数枚の放射線画
像データを得る方法が示されている。しかし、この方法
は、放射線画像変換パネルが複数枚となるため、放射線
照射の際に取りあつかいが面倒であったり、放射線画像
データを得るための読取り装置が複雑で犬がかりになる
欠点を有していた。
また、他の方法としては例えば特開昭56−114(1
)号には、1枚の支持体の両面に輝層性螢光体層を塗布
した放射線画像変換パネルを使用する方法が示されてい
る。しかし、この方法においては1枚の支持体の一方の
輝層性螢光体層を輝尽励起光で走査しても、他方の輝層
性螢光体層に輝尽励起光が到達しないよう支持体は青色
等に着色したり、支持体と輝層性螢光体層との間に中間
層として光反射層を設ける必要があり、放射線画像変換
パネルが高価となる欠点があった。しかもこの方法では
、支持体の膜5ノ、を大きくすると被写体から放射線1
iiIi像変換パネルの各輝層性螢光体層までの距離が
太き(異なることとなり、はぼ点光源である放射線源か
ら放射される放射線を被写体を通して照射すると各4尽
性螢光体層間で像の大きさが異なり、東ね合わせ処理等
で像のズレを生ずる欠点を有していた。一方、逆に支持
体の膜厚を小さくすると、支持体の強度が低下して、支
持体としての機能が低下するため、(り返し使用によっ
て放射線画像変換パネルの輝尽性に22層層に亀裂が入
ったり、琲割が入ったりして得られる放射線画像の画質
が著しく低下する欠点を有していた。さらにこの方法で
は支持体の両11i1iK輝層性螢光体層が位置するた
め、放射線画像読取装置中での搬送等により、放射線画
像変換パネルの輝層性螢光体層に傷が付き易く、くり返
し使用することによって得られる放射線画像の画質が低
下する欠点を有していた。
(本発明の目的) 本発明は輝尽性螢光体を用いた放射線画像変換パネルに
おける前述のような欠点に鑑みてなされたものであり、
本発明の目的は、1回の放射線照射によって複数枚の放
射線画像データの得られる放射線画像変換パネルを提供
することにある。
本発明の他の目的は、重ね合わせ処理等で像のズレな生
じない放射線画像変換パネルを提供することにある。
さらに本発明の他の目的は、くり返し使用しても輝層性
螢光体層の傷による画質低下の少ない放射線画像変換パ
ネルを提供することにある。
(発明の構成) 本発明者は前記目的を達成するために、4尽性螢光体を
用いた放射線画像変換パネルについて鋭意研兇を重ねて
きた。その結果、個々の輝尽性螢光体はそれぞれ固有の
輝尽励起エネルギー分布を有しており、輝尽発光効率は
個々のy4尽性螢光体にマツチングした輝尽励起エネル
ギーで励起した時に最大となることを見い出した。すな
わち、前記現象を利用すれば輝尽発光効率の輝尽励起エ
ネルギー依存性の異なった少なくとも2私類の輝尽性螢
光体を含有する輝層性螢光体層を、それぞれの無尽性螢
光体にマツチングした輝尽励起エネルギーで複数回励起
することに′より、1回のX、1151照射で複数の放
射線画像が得られる。
本発明の目的は、かかる知見に基づいて、輝層性螢光体
層な有する放射線画像変換パネルにおいて、前記輝層性
螢光体層が輝尽発光効率の輝尽励起エネルギー依存性が
互いに異なる少なくとも2釉類の輝尽性螢光体を含有す
ることを特徴とする放射線画像変換パネルによりて達成
される。
尚前記輝尽性螢光体の少(とも1種類の熱輝尽性螢光体
を用いれば好しい本発明の実施態様の1つとなる。
本発明において輝尽性螢光体とは、最初の光もしくは高
エネルギー放射線力1照射された後に、先約、熱的、機
械的、化学的または電気的等の刺激(輝尽励起)により
、最初の光もしくは高エネルギー放射線の照射量に対応
した輝尽発光を示す螢光体を言う。/11.5Vc4尽
励起が先約に起こるものを光輝尽性僅光体、輝尽励起が
熱的に起こるものを熱輝尽性螢光体と言う。
ここで光とは[la放射線のうち可視光、紫外光、赤外
光を含み、高エネルギー放射線とはX線、ガフ−2m、
ベータ線、アルファ線、中性子線を含む。
また、本発明において輝尽発光効率の輝尽励起エネルギ
ーが意なる輝尽性螢光体とは、広くは輝尽性螢光体に輝
尽発光させるための刺激エネルギーの種類が互いに異な
る螢光体であり、狭(は輝尽励起スペクトルのピークが
5Q nrrc以上互いに異なる螢光体を言う。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の放射線画像変換〕(ネルに用いられる輝尽性螢
光体は、先に述べたように放射線を照射した後輝尽励起
すると輝尽発光を示す螢光体であり、その中の少なくと
も2種類は互いに輝尽発光効率の輝尽励起エネルギー依
存性が異なっていればいかなる螢光体であってもよい。
輝尽励起エネルギー依存性の異なる輝尽性螢光体の組み
合わせとしては、例えば光輝尿性螢光体と熱輝尽性螢光
体、光輝尿性螢光体の中では輝尽励起スペクトルのピー
クが5Q ?Lm以上互いに異なる螢光体、熱輝尽性螢
光体中では輝尽励起温度の互いに異なる螢光体等が挙げ
られるが、これに限定されるものではない。
本発明の放射線画像変換パネルに用いられる輝尽性螢光
体としては、例えば特開昭48−80487号に記載さ
れているBa804: Ax(但しAはDy。
Tb及びhのうち少な(とも1種であり、2は0.00
1≦χ〈1モル係である)で表わされる螢光体、特開昭
48−80488号記載ノMg5o4: Ax(但しA
はHO或いはDYのうちいづれがであり、0.001≦
χ≦1モル係である)で表わされる螢光体、特開昭48
−80489号に記載されている5rSO,: Ax 
(但しAはDy、Tb及び′陥のうち少な(とも1種で
あり、Xは0.001≦x (1モルチである)で表わ
される螢光体、%開昭51−29889号に記載されて
いるNa 80  、 Ca804及びBa804等に
Mn 、 Dy及びTbのうち少なくとも1種を添加し
た螢光体、特開昭52−30487号に記載されている
BeO、LiF 、 MgSO4及びCaF 2等の螢
光倣特開昭53−39277号に記載されて〜・るLl
。B4O7: Cu 、 Ag等の螢光体、特開昭54
−47883号に記載されているL+20 @ (B2
02)X : Cu (但しXは2 (x≦3)、及び
Li2Oa (B202)x: C:u 、 Ag(但
しXは2くx≦3)等の螢光体、米国特許3.859,
527号に記載されている8rS : Ce 、 Sm
、SrS: Eu 、 Sm、 La2O2S : E
u 、 Sm及び(Zn。
Cd ) S : Mn 、 X (但しXは)・ログ
ン)で衣わされる螢光体が挙げられる。また、特開昭5
5−12142号に記載されているZnS : Cu 
、 Pb螢光体、一般式がBaS @−AA、03: 
Eu (但し0.8≦2≦10)で表わされるアル(ン
酸共すウム螢光体、及び一般式がMIIO−zSiO2
:A(但しMIIはi”vlg 。
Ca 、 Sr 、 Xn 、 Cd又はBaでありA
はCe 、 Tb 。
Eu、 1%、 Pb 、 ’旬、 Bi及び鳩のうち
少なくとも1種であり、【は0.5≦1≦2.5である
)で表わされるアルカリ土類金属珪酸塩系螢光体が挙げ
られる。また、一般式が (Ba、−MgzCa、 ) FX : Juχ−ン (但しXはBr及び−の中の少なくとも1つであり、z
、y及び番はそれぞれO(z+/≦0.6、す10及び
10  ≦4≦5×10 なる条件を満たす数である)
で表わされるアルカリ土類弗化ハロゲン化物螢光体、特
開昭55−12144号に記載されている一般式が LnOX :2人 (但しLnはLa 、 Y 、 Gd及びLuの少なく
とも1つを、Xは匂及び/又はB「を、AはCe及び/
又はTbを、2はOくχ(0,1を満足する数を表わす
。)で表わされる螢光体、特開昭55−12145号に
記載されている一般式が(Ba1−z” z ) Fx
: yA(但しMはMg、 Ca 、 Sr 、 Zn
及びCdのうちの少なくとも1つを、Xは<3 、Br
及び■のうちの少な(とも1つを、AはBu 、 Tb
 、 Ce 、 ’I”m 。
Dy 、 Pr 、 Ho 、 Nd 、 Yb及びE
rのうちの少な(とも1つを、2及びンは0≦2≦06
及び。≦1≦02なる条件を満たす数を表わす。)で表
わされる螢光体、%開昭55−84389号に記載され
ている一般式がノ3a’FX : zce 、 2A 
(但し、X ハC−13。
Br及び工のうちの少なくとも1つ、AはInr ’J
 )□□□、Sm及びZrのうちの少なくとも1つであ
り、χ及びyはそれぞれo<z≦2X10−1及び0<
>≦5×10 である。)で表わされる螢光体、特開昭
55−160078号に記載されている一般式がM”F
X ・χA : 1Ln (但しMlはMg 、 Ca 、 Br 、 Zn及び
Cdのうちの少なくとも1柚、AはBeU 、 MgU
 、 (、”ao 、 SrO。
BaOI Zn(J I A−g2o3 + y2o3
1 La2(J3 + ”2o3 +5i02 、 T
iO2,ZrO2、Gem2.5n02 、 Nb2O
5、T’l’a205及びThO2のうちの少な(とも
1種、LnはEu 、 Tb 、 Ce 、 Tm 、
 Dy 、 E’r 、 Ho 、 Nd 、 Yb 
Er 、 Sm及びGdのうちの少なくとも1独であり
、XはCd3 、 Brおよび工のうちの少な(とも1
種であり、2及びyはそれぞれ5X10−’≦2≦0.
5及び0くン≦02なる条件を満たす数である。)で表
わされる希土類元素付活2価金属フルオロハライド螢光
体、一般式がZnS : A、 CaF2 : A、 
 (Zn。
(、:d ) S :A、 ZnS :A、 X及び(
シds:AX(但しAはCu 、 Ag 、 Au 、
又は詣であり、Xはハロゲンである。)で表わされる螢
光体、特開昭57−148285号に記載されている一
般式CD又は[ID、 一般式CD   zM3(PO4)2.〜X2: 、、
A一般式(II)   M3(P(J4)2: yA(
式中、M及びへはそれぞれMg 、 Ca 、 Sr 
Ba 、 Zn及びCd)うち少すくトもla、X+−
1F。
Ce 、 Br及び工のうち少なくとも1種、Aはhu
 +Tb、 Ce 、 Tm 、 Dy 、 Pr 、
 Ho 、 N’d 、 Yb 、 )3r 。
Sb 、 ’13 、〜石及びSnのうち少なくとも1
種を表わす。また、χ及びyはO(、≦6.0≦y≦1
なる条件を満たす数である。)で表わされる螢光体、及
び一般式[[[]又はav〕 一般式Q[l)   n&X3− mAX’2: zE
u一般式GV)   nReX3e mAX’2: z
Eu 、 ysm(式中、■忙はLa 、 Gd 、 
Y 、 Luのうち少なくとも1種、Aは7A/カリ−
J:類金属、Ba 、 8r 、Caのうち少なくとも
1種、X及びX′はF 、 (3、Brのうち少なくと
も1aを表わす。また、χ及びyは、1 xlo−’(
z(3x1o−’、 Ixlo−’<y<lXl0”’
なる条件を満たす数であり、n/fnは1×1O−3(
n/fn (7X lυ−1なる条件を満たす。)で表
わされる螢光体等が挙げられる。しかし、本発明の放射
、1iJi画像変換パネルに用いられる輝尽性螢光体は
、前述の螢光体に限られるものではなく、放射線を照射
した後輝尽励起元を照射した場合に揮発光を示す螢光体
であればいかなる螢光体であってもよい。
使用する輝尽性螢光体の平均粒子径は放射線画像変換パ
ネルの感度に粒状性を考慮して平均粒子径0.1乃至1
00μmの範囲に於て適宜選択される。
さらに好ましくは平均粒径が1乃至301irLのもの
が使用される。
本発明の放射線画像変換パネルにおいて、輝層性螢光体
層は少なくとも2稙類の輝尽発光効率の輝尽励起エネル
ギー依存性の異なる輝尽性螢光体を含有していればよく
、本発明の実施態様としては例えば以下に示すような層
構成の放射線画像変換パネルが挙げられる。
(1)1層の輝層性螢光体層中に少なくとも2種類の輝
尽発光効率の輝尽励起エネルギー依存性の異なる輝尽性
螢光体を含有して成る放射線画像変換パネル。
(2)輝層性螢光体層が少なくとも2層から成り、この
無尽性螢光体層の少くとも21が輝尽発光効率の輝尽励
起エネルギー依存性の互に異る輝尽性螢光体から成る放
射線画像変換パネル。
第1図に前記本発明実施態様に基く例を掲げた。
第1図に於て1,2.及び3は夫々輝尽発光効率の輝尽
励起エネルギー依存性を異にする輝尽性螢光体、12は
前記輝尽性螢光体の混合体、4は保護膜、5は支持体で
ある。6は輝尽励起光遮断層である。
尚本発明のパネルに於ては上記した例に限るものではな
く例えば輝層性螢光体層或いは輝尽励起光遮断層の構造
強度が充分ならば支持体はあってもよく、な(てもよい
また、熱輝尽励起を行う態様の場合には結着剤、支持体
等のパネル構成物には耐熱性のものを用いることが好ま
しい。
更に輝尽発光効率の輝尽励起光依存性の異る2稙類の輝
尽螢光体を用いる場合その使用割合は、使用目的によっ
て異るけれども1:1〜1 : 0.05(亜量比)の
範囲か好しい。
一般的に、Air記輝層性螢光体層は、輝尽性螢光体を
適当な結着剤中に分散して塗布液を調製し、これを従来
の塗布方法を用いて塗布し、均一な層とすることKよっ
て作製される。結着剤としては、例えばゼラチンの如き
タンパク質、デキストランの如きポリサッカライドまた
はアラビアゴム、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニ
ル、ニトロセルロース、エチルセルロース、塩化ビニリ
チン−塩化ビニルコポリマー、ポリメチルメタクリレー
ト、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、ポリウレタン
、セルロースアセテートブチレート、ポリビニルアルコ
ール、シリコン樹脂、ポリシロキサン系樹脂等のような
通常N!!構成に用いられる結着剤が使用される。一般
に結着剤は輝尽性螢光体1重量部に対して0.01乃至
1重量部の範囲で使用される。しかしながら得られる放
射線画像変換パネルの感度と鮮鋭性の点では結着剤は少
ない方が好ましく、塗布の容易さとの兼合いから0.0
3乃至0.2重量部の範囲がより好ましい。
本発明の放射線画像変換パネルの輝層性螢光体層の膜厚
は目的とする放射線画像変換パネルの特性、輝尽性螢光
体の種類、結着剤と輝尽性螢光体との混合比等によって
異なるが、一般的には、輝層性螢光体層が1層から成る
場合にはIQ /11rn〜1200μmの範囲から選
ばれるのが好ましく、さしKは10μm〜800μmの
範囲から選ばれるのがより好ましい。また、輝層性螢光
体層が2層以上から成る場合には、1層当りの膜厚は1
0μm〜800μmの範囲から選ばれるのが好ましく、
それぞれの輝層性螢光体層から得られる放射線画像のズ
レな小さくするためKは、10μm〜600μmの範囲
から選ばれるのがより好ましい。尚、本発明の放射線画
像変換パネルの鮮鋭性向上を目的として、特開昭55−
146447号に開示されているように放射線画像変換
パネルの輝層性螢光体層中に白色粉末を分散させてもよ
いし、特開昭55−163500号に開示されているよ
うに放射線画像変換ノくネルの輝層性螢光体層を輝尽励
起光を吸収するような着色剤で着色してもよい。
本発明の放射線画像変換パネルにおいて、前記輝層性螢
光体層を支持する支持体としては輝尽励起光および輝尽
発光に対して透明である各種高分子材料、ガラス等が用
いられるが、特に情報記録材料とし【の取扱い上可撓性
のあるシートあるいはロールに加工できるものが好適で
あり、この点から例えばセルロースアセテートフィルム
、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレート
フィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、
トリアセテートフィルム、ポリカーボネイトフィルム等
のプラスチックフィルム等力特に好ましい。これら支持
体は、輝層性螢光体層との接着性を向上させる目的で輝
層性螢光体層が設けられる面に下引層を設けてもよい。
また、これら支持体の膜厚は用いる支持体の材質等罠よ
って異なるが、一般的には(資)8m〜1000μmで
あり、取扱い上の点からさら忙好ましくは(資)μm−
500μmである。
本発明の放射線画像変換パネルにおいては、一般的に前
記輝層性螢光体層の支持体が設けられる面とは反対側の
面に、輝層性螢光体層を物理的にあるいは化学的に保護
するための保護層が設けられる。この保護層は、保護層
用塗布液を輝層性螢光体層上に直接塗布して形成しても
よいし、あるいはあらかじめ別途形成した保護層を輝層
性螢光体層上に接着してもよい。保護層の材料としては
酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタク
リレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマー
ル、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリエチレン、塩化ビニリデン、ナイロ
ン等の41の保護膜用材料が用いられる。これら保護膜
の膜厚は一般にはコμm〜40μm程度が好ましい。
本発明の放射線画像変換パネルに必要に応じて用いられ
る輝尽励起光遮断層は、輝尽励起光を反射および/また
は吸収する材料であればどのようなものであっても使用
できるが、放射線画@父換パネルとしての取扱い上可撓
性のあるものが好ましい。この点から、例えばIJ 、
 Pb 、 Ni 、 Cu 。
Zn 、Ag + Pt + Au + Fe等の金属
およびこれらの合金から成る金属シート、セルロースア
セテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリ
イミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボ
ネートフィルム等のプラスチックフィルムシート、およ
び紙など種々のシート状材料が誉げられる。ただし、輝
尽励起光遮断層としてプラスチックフィルムシートおよ
び紙を用いる場合には、これらシート自体には輝尽励起
光を遮断する能力がほとんどないため、前記シートが輝
尽励起光反射層あるいは吸収層となるjうに、前記シー
ト自体を着色する必要がある。前記シートが輝尽励起光
反射層となるようにするには、前記シートを白色顔料等
で着色すればよいし、輝尽励起光吸収層となるようにす
るには、前記シートな輝尽励起光吸収層来例料あるいは
黒色顔料等で着色すればよい。
前記シート自体を着色する代わりに前記シートの片面あ
るいは両面に輝尽励起光反射層あるいは吸収層を設けて
もよい。輝尽励起光反射層としては前記シートの表面に
金属反射層を蒸着、スパッタ等の方法で設けてもよいし
、白色顔料層等を塗布等の方法で設け【もよい。輝尽励
起光吸収層としては輝尽励起光を吸収する顔料あるいは
黒色顔料等を前記シートの表面に塗布等の方法で設けれ
ばよい。
さらに、必要に応じて前記シートを着色した後、その表
面に輝尽励起光反射層あるいは吸収層を設けてもよいし
、前記シートの片面に輝尽励起光反射層を設け、他方に
輝尽励起光吸収層を設けてもよい。
また、前記輝尽励起光遮断層は前記シート状材料以外に
も白色粉体あるいは黒色粉体等を樹脂中に分散し、塗布
したものであってもよい。
本発明の放射線画像変換パネルの輝尽励起光遮断層の膜
厚は、薄いほど好ましいが実用的には1000μm以下
、さらに好ましくは400μm以下である。前記輝尽励
起光遮断層の膜厚か1000−をこえる場合には放射線
画像変換パネル全体の膜厚自体が大きくなり、取り扱い
が困難となる。尚、これら輝尽励起光遮断層は、輝層性
螢光体層との接着性を向上させる目的で輝尽励起光遮断
層の片抑又は両面に下引き層を設けてもよい。
本発明の放射線画像変換パネルは、例えは第2図に概略
的に示される放射線画像変換方法に用いられた場合優れ
た放射線画像を与える。すなわち、第2図において10
は撮影部、旬は第1の輝層性螢光体層の放射線画像を読
み取るための第1読み取り部、刃は第2の輝層性螢光体
層群の放射線画像を読み取るための第2読み取り部をそ
れぞれ示している。
撮影部10においては放射線源101から被写体102
に向けて照射された放射線は被写体102を透過した後
、放射線画像変換パネル103の輝層性螢光体層104
に含まれる輝尽発光効率の輝尽励起エネルギー依存性の
互いに異なる第1の輝尽性螢光体105および第2の輝
尽性螢光体1061c吸収され、被写体の放射線画像が
蓄積記録される。次いでこの放射線画像変換パネル10
3は第1読み取り都銀へ送られる。
第1読み取り部20においては、読み取り光源201か
らの第1の輝尽励起光202はガルバノミラ−等の光偏
向器により放射線画像変換パネル103の輝層性螢光体
層104上に一次元的に偏向されて、放射線画像変換パ
ネル103が副走査されることにより、輝層性螢光体層
104の全面にわたって輝尽励起光202が照射される
。このように輝尽励起光202が照射されると、放射線
画像変換パネル103の輝層性螢光体層104 K含ま
れる第1の輝尽励起光202にマツチングした素瓦励起
エネルギー分布をもつ第1の輝尽性螢光体・−105は
、これに蓄積記録されている放射線エネルギーに比例す
る輝尽発光を発する。この発光は輝尽励起光202のみ
をカットするフィルター203を透過した後、光を変換
器204に入射し、光電変換される。光電変換器204
の出力は増幅器205によって増幅される。第1の輝層
性螢光体層104の読み取りを終了した放射線画像変換
パネル103は、第2読み取り部30へ送られる。
第2読み取り部Iにおいては、第1¥Jt、み取り都銀
の場合と同様にして読み取り光源301からの第2の輝
尽励起光302はガルバノミラi等の光偏光器により放
射線画像変換パネル103の輝層性螢光体層104上に
一次元的に偏向されて、放射線画像変換パネル103が
副走査さえることにより、輝層性螢光体層104の全面
にわたって輝尽励起光302が照射される。このように
輝尽励起光302か照射されると、放射線画像変換パネ
ル103の輝層性螢光体層104に含まれる第2の輝尽
励起光302にマツチングした輝尽励起エネルギー分布
をもつ第2の輝尽性螢光体106は、これに′!積記録
されている放射線エネルギーに比例する輝尽発光を発し
、この発光は輝尽励起光302のみをカットするフィル
ター303を透過した後、光電変換器304に入射し、
光電変換され、増幅器305によって増幅される。
第1読み取り都銀の最終出力206および第2読み取り
部間の最終出力306は、それぞれ別々に71%−トコ
ピーあるいはCRT等に可視画像として出力してもよい
し、電気的に重ね合わせ処理あるいは減算処理等を施し
て1枚の可視画像としてノ・−トコピーあるいはCRT
等に出力してもよい。
さらに第1読み取り都銀の最終出力206から放射線画
像変換パネル103に蓄積記録されている放射線情報を
把握し、この情報を基にして第2読み取り都銀の光電変
換器304の感度、増幅器305の増幅率等を設定する
よ5Ktてもよい。
放射線画像変換パネル103の第1の輝層性螢光体層1
04に含まれる第1の輝尽性螢光体105と第2の輝尽
性螢光体106はこのl@に読み取る必要はなく、逆で
あってもまた同時であってもよい。
(実施例) 次に本発明を実が1j例により説明する。
実施例 1 BaFBr : Eu輝尽性螢光体4重量部、 BaS
O4:Mn輝尽性螢光体4重量部およびシリコン樹脂1
重量部とを溶剤(トルエン)5重量部を用いて混合、分
散し、輝層性螢光体層用塗布液を調整した。
次にこの塗布液を水平に置いた200μm厚の支持体と
してのポリイミドアミド系樹脂上に均一に塗布し、自然
乾燥させて約400μm厚の輝層性螢光体層を形成し、
本発明の放射線画像変換ノくネルAを作成した。
この放射線画像変換パネルAを用いて1QQKVp。
100 mAの条件のX線で胸部単純撮影を行なったの
ち、第2図に示した放射線画像変換方法゛に用いられる
装置で読み取って2枚の放射線画像データを得た。本実
施例では第1読み取り光源201としてはsoomwの
CO2レーザ(10600nm )を用い、第2読み取
り部の読み取り光源301としては閣nMJ tl’)
 He −Ne v−ザ(633nm )を用いた。
得られた2枚の画像データは電気的に重ね合わせ処理し
て1枚の画像として再構成した。得られた画像は被写体
のわずかなコントラストの差も再現しており、極めて診
断価値の高いものでありた。
実施例 2 実施例IにおいてBaFBr : Eu輝尽性螢光体の
代わりにBaFo3.Br1 os : Eu輝尽性螢
光体4重量部と、BaSO4: Mn 卦ア、性螢光体
の代わりにZn3 :Cu 、 Pb輝尽性螢尤体4重
量部とを用いた以外は実施例1と同様にして本発明の放
射線画像変換パネルBを作成した。
この放射線画像変換パネルBを用いて実施例1において
第1読み取り部の読み取り光源201を50 nfN 
cn Ar? v−ザ(515rim )とし、第2読
み取り部の読み取り光源301を50mWの半導体レー
ザ(800nm )とした以外は実施例1と同様にして
放射線画像を得た。得も−れた画像は被写体のわずかな
コントラスト差も再現しており、極めて診断価値の高い
ものであった。
実施例 3 実施例1においてB、1804: Mll輝尽性螢光体
の代わりにBaF<18 : Tb、 、 Eu輝尽性
螢光体を用いた以外は実施例1と同様にして本発明の放
射線画像変換パネルCを作成した。
この放射線画像変換パネルCを用いて、実施例1と同様
にして放射線画像を得た。得られた画像は被写体のわず
かなコントラスト差も再現しており、極めてし断価値の
高いものであった。
比較例 工 実施例1においてBaSO4: b4n輝尽性螢光体を
用いる代わりにBaFI : Eu輝尽性螢光体を用い
た以外は実施例1と同様にして比較の放射線画像変換パ
ネルPを作成した。
この比較の放射線画像変換パネルPを用いて、実施例1
において第1読み取り部の読み取り光源201を50 
dVのHe −Ne t/−ザ(633nm )とし、
第2わ“こみ取り部の読み取り光源301を50mWの
Kr+レーザ(G471 nm )とした以外は実施例
1と同様にして2枚の放射線画像データを得ようと試み
たが、2枚目の画像データはSハ比が悪く実用に供さな
かった。
実施例 4 Zn8 : Cu 、 Pb輝尽性喰光体8重量部とポ
リビニルブチラール樹脂工X量部とを溶剤(シクロヘキ
サノン)5重量部を用いて混合・分散し、輝層性螢光体
層用塗布液を調整した。次にこの塗布液を水平に置いた
300μm厚の透明ポリエチレンテレフタレート上に均
一に塗布し、自然乾燥させて約150μm厚の第1の輝
層性螢光体層を形成した。
同様にし℃、BaFBr : Eu輝尽性螢光体8重量
部とポリビニルブチラール樹脂1型景部とを溶剤(/ク
ロヘキサノン)5重量部を用いて混合分散し、輝層性螢
光体層用塗布液を調整し、前記の第1の輝層性螢光体層
上に均一に塗布し、自然乾燥させて約150 sn厚の
第2の輝層性螢光体層を形成し、本発明の放射線画像り
を作成した。
この放射線画像変換パネルDを用いて、実施例1におい
て第1読み取り部の読み取り光源201を50mWノ半
導体レーザ(soo nm )として、支持体側から輝
尽励起し、支持体側で光電変換するようにしたことと、
第2読み取り部の読み取り光源301を50tMの)(
e −Ne L/−ザ(633nm )としたこと以外
は実施例1と同様にして放射線画像を得た。得られた画
像は被写体のわずかなコントラスト差も再現しており、
極めて診断価値の高いものであった。
比較例 2 実施例4において、支持体を300μm厚の黒色ポリエ
チレンテレフタレートとしたことと、支持体の下側にZ
nS ”、Cu 、 Pb輝尽性螢光体を塗布し、第1
の輝層性螢光体層とし、上側忙BaFBr : Eu輝
尽性螢光体を塗布し、第2の輝層性螢光体層とした以外
は実施例4と同様にして比較の放射線画像変換パネルQ
を作成した〇 この比較の放射線画像変換パネルQを用いて、実施例4
と同様にして第1読み取り部において5重mWの半導体
レーザで第1の輝層性螢光体層を読み取り、第2にみ取
り部において50イの)Le−、Neレーザで第20輝
層性螢光体層を読み取って2枚の放射1がII像データ
を得た。
得られた2枚の画像データは電気的に重ね合わせ処理し
て1枚の画像として再構成したが、2枚の画像にはズレ
があり、再構成することKよりてかえっ【鮮鋭性が低下
した。
実施例 5 実施例1においてBaFBr : Eu輝尽性螢光体6
重量部とBaSO4: Mn輝尽性螢光体2重量部とを
この割合で使用する以外は実施例1と同様にして本発明
の放射線画像変換パネルEを作成した。
この放射線画像変換パネルEを用いて、実施例1と同様
にして胸部単純撮影を行なったのち、第2図に示した放
射線画像変換方法に用いられる装置で読み取って2枚の
放射線画像データを得た。
本実施例では第1読み取り部の読み取り光源;。
201の代わりにサーマルヘッドを用い、第2読み取り
部の読み取り光源301としては50mWのHe−Ne
レーザ(633nm )を用いた。また本実施例では、
第1読み取り部で得られた放射線画像データにより、本
発明の放射線画像変換パネルEに蓄積記録されている放
射線画像情報を把握し、第2読み取り部の光電変換器お
よび増幅器のゲインを調整したのち、第2読み取り部に
おいて画像を読み取った。得られた画像は、ゲイン設定
が最適であり、診断価値の高いものであった。
(発明の効果) 以上説OjJ したように、本発明の放射線画像変換パ
ネルによれば、1回の放射線照射によって複数枚の放射
線画像データを得ることが可能となる。
また、本発明の放射線画像変換パネルによれば、複数枚
の放射線lI!j像間の画像のズレがほとんどな(、重
ね合わせ処理等で高品位な放射線画像を得ることが可能
となる。
また、本発明の放射線it!li塚変侠パネルによれ(
六複数枚の放射線画像データを得るに当って、最初の1
枚の画像情報から2枚目以降の読み取り榮件なコントロ
ールできるので高品位な放射線1塚を得ることか可能と
なる。
本発明は、前述のような多数の効果があり、工業的に非
常に有用である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の放射線ii!i11′17!変換パネ
ルの1例であり、第2図は本発明の放射線画像変換パネ
ルを用いた放射線画像変換方法の概略説明図である。 10・・・撮影部 101・・・放射線源 102・・・被写体 103・・・放射線画像変換パネル 104・・・輝層性螢光体層 105・・・第10輝尽性螢九体 106・・・第2の輝尽性螢光体 107・・・支持体 20・・・第1読み取り部 201・・・輝尽励起光源 202・・・輝尽励起光 203・・・フィルター 204・・・光電変換器 205・・・堀幅器 206・・・出力 30・・・第2読み取り部 301・・・輝尽励起光源 302・・・輝尽励起光 303・・・フィルター 304・・・光電変換器 305・・・増幅器 306・・・出力

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)輝層性螢光体層を有する放射線画像変換パネルに
    おいて、前記輝尽性螢光体層が輝尽発光効率の輝尽励起
    、エネルギー依存性が互いに異なる少なくとも2種類の
    輝尽性螢光体を含有することを特徴とする放射線画像変
    換パネル。
  2. (2)前記輝尽性螢光体の少なくとも1種類が熱輝尽性
    螢光体である特許請求の範囲第1項記載の放射線画像変
    換パネル。
JP17199984A 1984-08-17 1984-08-17 放射線画像変換方法 Granted JPS6148800A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4943516A (en) * 1987-11-30 1990-07-24 Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Photosensitive thermosetting resin composition and method of forming solder resist pattern by use thereof
JP2006234773A (ja) * 2005-02-28 2006-09-07 Japan Atomic Energy Agency ガラス状化イメージングプレート
JP2010164592A (ja) * 2010-05-06 2010-07-29 Japan Atomic Energy Agency 放射線および中性子イメージ検出器

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