JP2700788B2 - アルカリハライド蛍光体を含む複層構成の放射線画像変換パネル - Google Patents
アルカリハライド蛍光体を含む複層構成の放射線画像変換パネルInfo
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネル
に関し、更に詳しくはアルカリハライド蛍光体を含有す
る蛍光体複層構成の放射線画像変換パネルに関する。 （従来技術） Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く
用いられている。このＸ線画像を得るために、被写体を
透過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、
これにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真
をとるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射
して現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。
更に銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光体層か
ら直接画像を取り出す方法が知られている。 この方法としては、被写体を透過した放射線を蛍光体
に吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば光又は熱
エネルギーで励起することにより、この蛍光体が上記吸
収により蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放
射せしめ、この蛍光を検出して画像化する方法がある。
具体的には、例えば米国特許3,859,527号及び特開昭55
−12144号には輝尽性蛍光体を用い、可視光線又は赤外
線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示されてい
る。この方法は、支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した
放射線画像変換パネルを使用するもので、この放射線画
像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射
線を当てて被写体各部の放射線透過度に対応する放射線
エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこの
輝尽性蛍光体層を輝励起光で走査することによって各部
の蓄積された放射線エネルギーを放射させてこれを光に
変換し、この光の強弱による光信号により画像を得るも
のである。この最終的な画像はハードコピーとして再生
してもよいし、CRT上に再生してもよい。 一方、物体を透過してくる放射線によって物体の内部
を深査する。例えば診療用Ｘ線撮影のような方法におい
て、物質の放射線吸収係数の放射線エネルギー依存性が
物質によって異なることを利用して、その探査能力を向
上させようとする試みがなされてきた。 例えば、日医放会誌第12巻、第１号27ページに発表さ
れているように、２枚の増感紙A,Bを交換して使用し、
ＡはＸ線により赤橙色に、Ｂは青緑色に発色するものを
用い、それぞれ異なるＸ線管球電圧と、異なるフィルタ
ーとを用い、１枚のカラーフィルム上に２回のＸ線照射
を行って撮影する方法がある。 しかしながら、このような複数回のＸ線照射を行う方
法は、単に手数がかかるばかりでなく診療用の場合に
は、患者の被曝線量を増大させるという問題があり、ま
た、人体をはじめ動く物体の撮影の場合には、複数回の
Ｘ線照射の間の物体の動きが大きな障害となって、実用
的でない。 このような欠点を取り除く試みとして、蛍光体の組成
と賦活材の混合比を変えて、三原色が同時に発光する特
殊カラー増感紙とカラーフィルムを用いて、Ｘ線撮影を
行う方法が知られている。しかし、この方法は、現像処
理に多大な時間と労力が必要であり、実用化されていな
い。 更に同一被写体に対して、互いに異なるエネルギー分
布を有する２種類の放射線を照射し、注目している物質
が異なって描出された２つの放射線画像を得、その後両
画像間で引き算を行ない、注目している物質の画像を得
る、いわゆるエネルギー・サブトラクョン方法が知られ
ている。 しかし、この方法では既存のI.IチューブとTVカメラ
からなるＸ線透視カメラの出力をデジタル処理し、或い
はXe−検出器等CTに使われるＸ線検出システムを用いて
画像を得るので、得られる画像は使用する機器の画像分
解能によりその画質が左右される。現在の機器は前記画
像分解能があまり高くなく、注目している物質に対する
微細な診断は不可能であるという問題がある。 しかも特殊な放射線源を必要としたり、２種の画像間
に撮影時間の差がある場合には画像自体にもずれが生じ
る等画質以前の極めて対応困難な問題も含まれている。 これに対して、前記した輝尽性蛍光体からなる放射線
画像変換パネル（以後単に「変換パネル」と称す）を複
数枚構成とし、更には放射線の低エネルギー成分吸収物
質からなるフィルタを有する変換パネルを用いて、前記
注目している物質に対応する部分の画像情報を前記複数
枚の変換パネルに蓄積記録し、のその後各放射線画像か
らサブトラクション画像を得る方法が知られている。 具体的には、特開昭59−83486号に以下のように種々
の方法が示されている。 （１）被写体に放射線を照射し、この被写体を透過した
放射線を、複数枚重積してセットされた輝尽性蛍光体層
を有する変換パネルに同時に照射して、これら変換パネ
ルのうち被写体からより遠い位置に置かれた変換パネル
に被写体により近い位置に置かれた変換パネルよりも前
記特定の構造物に対応する部分において放射線の低エネ
ルギー成分がより吸収された画像情報が記録されるよう
に各変換パネル毎に放射線画像を蓄積記録し、その後前
記各変換パネルを輝尽励起光で走査して、それら変換パ
ネルに蓄積記録された各放射線画像を輝尽発光に変換
し、この輝尽発光を光電的に読み取ってデジタル画像信
号に変換し、このデジタル画像信号に変換された前記各
放射線画像から少なくとも２つのサブトラクションすべ
き放射線画像を得、この少なくとも２つのサブトラクシ
ョンすべき放射線画像の対応する画素間でデジタル画像
信号の引き算を行なう方法、 （２）被写体に放射線を照射し、この被写体を透過した
放射線を ａ）重積してセットされた複数枚の変換パネルと ｂ）これら変換パネルの各変換パネル間の少なくとも１
個所に介在せしめられた放射線の低エネルギー成分吸収
物質からなるフィルタ とからなる変換パネル−フイルタ重積体に照射し、フイ
ルタが介在せしめられている個所に関して被写体とは反
対の側に位置する変換パネルに被写体の側に位置する変
換パネルよりも前記特定の構造物に対応する部分におい
て放射線の低エネルギー成分がより吸収された画像情報
が記録されるように各変換パネルに放射線画像を蓄積記
録し、その後前記各変換パネルを輝尽励起光で走査し
て、それら変換パネルに蓄積記録された各放射線画像を
輝尽発光に変換し、この輝尽発光を光電的に読み取って
デジタル画像信号に変換し、フイルタが介在せしめられ
た個所によって（フイルタが介在せしめられた個所の数
＋１）個のブロックに分けられた前記変換パネル−フイ
ルタ重積体の各ブロック毎にそのブロックに存在する変
換パネルから得られた前記デジタル画像信号に変換され
た放射線画像より１つのサブトラクションすべき放射線
画像を得ることによって（フイルタが介在せしめられた
個所の数＋１）個のサブトラクションすべき放射線画像
を得、それらサブトラクションすべき放射線画像の対応
する画素間でデジタル画像信号の引き算を行なう方法、
などである。 しかし、これら方法のうち（１）の方法は、変換パネ
ルが複数枚となるため取扱いが面倒である、サブトラク
ション時における位置合わせがむずかしい等の欠点があ
る。更に（１）の方法では、複数枚の変換パネルの放射
線吸収特性を変えるために放射線吸収特性の異なる輝尽
性蛍光体を用いたり、輝尽性蛍光体層中に放射線の低エ
ネルギー成分吸収物質を混入する必要があるが、前者で
は使用する輝尽性蛍光体が著しく限定されるため好まし
くない。また後者では低エネルギー成分吸収物質のため
に変換パネルの感度が低下して好ましくない。 （２）の方法は、前記（１）の方法の様に低エネルギ
ー成分吸収物質が使用されないので感度の低下はない
が、（１）の方法と同様に変換パネルが複数枚となるた
め取扱いが面倒である、サブトラクション時における位
置合わせがむずかしい等の欠点があるばかりか、複数の
輝尽性蛍光体層間に支持体とフイルタが存在するため、
得られる画像間でズレが生じアーチファクトとなる重大
な欠点を有し、どの方法も操作面、画質面の両方に於て
極めて重要な問題が生じてしまう。 一方、前記複数枚の変換パネルを用いる方法に対して
１枚の変換パネルに複数の放射線画像を蓄積記録し、そ
の後各放射線画像からサブトラクション画像を得る方法
も知られている。 具体的には、前記特開昭59−83486号に示されるよう
な、 （３）被写体に放射線を照射し、この被写体を透過した
放射線を ａ）放射線の低エネルギー成分吸収物質からなる支持体
と、 ｂ）この支持体の画面上に設けられた輝尽性蛍光体層 とからなる変換パネルに照射し、前記変換パネルの支持
体の被写体とは反対側の面上に設けられた輝尽性蛍光体
層に該支持体の被写体側の面上に設けられた輝尽性蛍光
体層よりも前記特定の構造物に対応する部分において放
射線の低エネルギー成分がより吸収された画像情報が記
録されるように各輝尽性蛍光体層に放射線画像を蓄積記
録し、その後前記各輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査
してそれら層に蓄積記録された各放射線画像を輝尽発光
に変換し、この輝尽発光を光電的に読み取ってデジタル
画像信号に変換し、このデジタル画像信号に変換された
２つの放射線画像の対応する画素間でデジタル画像信号
の引き算を行なう方法、 特開昭60−35300号に示されるような、 （４）被写体に放射線を照射し、この被写体を透過した
放射線を、輝尽発光効率の放射線エネルギー依存性が互
いに異なる２種類以上の輝尽性蛍光体を有する変換パネ
ルに照射して、複数の放射線画像を蓄積記録し、その後
前記変換パネルを輝尽励起光で走査して、前記蓄積記録
された複数の放射線画像を分離して検出し、該放射線画
像の少なくとも２つを用いてサブトラクションを行なう
方法、などである。 これらの方法は、複数の放射線画像が１枚の変換パネ
ルから得られるので、変換パネルの取扱い、サブトラク
ション時の画像の位置合わせ等が容易である利点を有す
る。 しかし、これら方法のうち（３）の方法は、放射線エ
ネルギーの分離を支持体のみによって行なうため、支持
体を金属等の放射線吸収特性のよい物質にする必要があ
りパネルの取扱いが不便となる、パネルの曲げに対する
耐久性が低下する等の欠点があるばかりか、前記と同様
の理由により、放射線エネルギーの分離が十分ではな
く、得られる複数枚の放射線画像間に放射線エネルギー
差による違いがほとんどないので、サブトラクションし
た場合に良好な画像が得られない欠点がある。 また、（４）の方法は輝尽発光率効率の放射線エネル
ギー依存性が異なる蛍光体を用いて放射線エネルギーを
分離吸収し、その蓄積記録された複数枚の放射線画像を
分離検出する方法は甚だ有用であるけれども、従来用い
られる輝尽性蛍光体の種類が限定されており選択が難し
く、また前記放射線画像を分離するのが困難であるのが
現状である。即ち従来知られている輝尽性蛍光体のう
ち、Ｘレイに対する感度、輝尽励起光に対する応答速
度、残光等の点から実用の範囲に入るものは、BaFX:Eu
2+またはLaOX:Ce3+であり、これらはＸレイの吸収特性
にあまり差がなく吸収差別化に種々の補充手段を必要と
する。 （発明の目的） 本発明は前記の様な状況に鑑みてなされたものであ
り、本発明の目的は下記の要件を満す変換パネルの提供
にある。 （１）エネルギーサブトラクションを簡便に行ない得る
こと、 （２）エネルギーサブトラクションすべき２枚の画像の
位置合わせが容易なこと、 （３）変換パネルが複数枚とならず取扱いが容易である
こと、 （４）エネルギーサブトラクションすべき２枚の画像間
で放射線エネルギーの分離が十分行なわれていること。 （発明の構成） 前記本発明の目的は、下記一般式で表されるアルカリ
ハライド蛍光体を輝尽性蛍光体として含有する輝尽性蛍
光体層、及び放射線エネルギー吸収特性において、高エ
ネルギー成分の吸収度が該蛍光体より大きくなるように
輝尽発光効率の放射線エネルギー依存性が異なる輝尽性
蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層を輝尽励起光遮断層を
介して有するエネルギーサブトラクション用放射線画像
変換パネルによって達成される。 〔一般式〕 MIX,aMIIＸ′２・bMIIIＸ″３:cA 但し、MIはLi,Na,K,Rb及びCsから選ばれる少なくとも
１種のアルカリ金属であり、MIIはBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,C
d,Cu及びNiから選ばれる少なくとも１種の二価金属であ
る。MIIIはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,DY,Ho,E
r,Tm,Yb,Lu,Al,Ga及びInから選ばれる少なくとも１種の
三価金属である。Ｘ、Ｘ′及びＸ″はF,Cl,Br及びＩか
ら選ばれる少なくとも１種のハロゲンである。ＡはEu,T
b,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu及
びMgから選ばれる少なくとも１種の金属である。またａ
は、０≦ａ＜0.5の範囲の数値であり、ｂは０≦ｂ＜0.5
の範囲の数値であり、ｃは０＜ｃ≦0.2の範囲の数値で
ある。 次に本発明を詳しく説明する。 本発明に於て、輝尽発光効率の放射線エネルギー依存
性が異るとは、具体的には組成の異なる輝尽性蛍光体で
あって放射線例えばＸ線の吸収特性を異にし硬Ｘ線に対
し好都合にＸ線エネルギーを吸収するもの或は軟Ｘ線に
対し好都合なものであり、付随的にＸ線を吸収した輝尽
性蛍光体間に輝尽潜像の輝尽発光スペクトル及び／また
は輝尽励起光スペクトルが異っていることを意味する。 場所的に放射線吸収効率の放射線エネルギー依存性
（放射線吸収スペクトル）が異なる被写体に放射線を照
射した場合、透過した放射線のつくる画像は、その放射
線エネルギーの硬軟によって異なっている。 例えば、高いエネルギーの放射線照射によって得られ
る放射線画像は、高いエネルギーの放射線をより吸収し
やすい物質を強調し、低いエネルギーの放射線照射によ
って得られる放射線画像は、低いエネルギーの放射線を
より吸収しやすい物質を強調する。 従って、被写体にいくつかのエネルギーを含むブロー
ドな波長域の放射線を照射し、透過してくる放射線画像
を変換パネルに入射すると、蓄積エネルギーからなる放
射線画像の潜像（輝尽潜像）は、変換パネルを構成する
輝尽発光効率の放射線エネルギー依存性が互いに異なる
輝尽性蛍光体の組み合せ方に応じ、複数の潜像を同時に
１枚のパネル上に得ることができる。 このようにして得られた複数の潜像は分離して検出
し、複数の画像を再生するには、次のようないくつかの
方法がある。 ひとつは、輝尽発光効率の放射線エネルギー依存性と
輝尽発光スペクトルが互いに異なる輝尽性蛍光体を組み
合わせて使用し、輝尽発光の検出に際し、この発光スペ
クトルの差を利用て分離する方法である。 また、他のひとつは、輝尽発光効率の放射線エネルギ
ー依存性と輝尽励起スペクトルが互いに異なる蛍光体を
使用し、波長の異なる輝尽励起光で輝尽発行させること
によって分離する方法である。 画像を再生する別のひとつの方法は、輝尽発光効率の
放射線エネルギー依存性が互いに異なる輝尽性蛍光体
を、層状に配置し、その空間的位置を利用して分離する
方法である。 前記本発明に係るアルカリハライド蛍光体（以後「A
H」と標記する）としては前記一般式に於て、MIがK,Rb,
Csのうちの少くとも１つのアルカリ金属であり、MIIと
してMg,Ca,Sr,Baのうちの少くとも１つのアルカリ土類
金属であり、また付活剤ＡはEu,Tl,Naのうちの少くとも
１つであり、且つ０≦ａ＜0.1、０≦ｂ＜0.05、０＜ｃ
≦0.1である蛍光体が好しい。特に好しくは、MIがRb及
び／またはCs、MIIがCa,Sr,Baのいずれかであり、ＡがT
l及び／またはNaであり、且つ０≦ａ＜0.1、０≦ｂ＜0.
01である蛍光体である。 本発明に係るAHは、変換パネルの輝尽性蛍光体層中に
30wt％以上、好ましくは50wt％以上、最も好ましくは全
量AHである。 本発明の放射線画像変換パネルにおいて輝尽性蛍光体
とは、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射され
た後に、光的、熱的、機械的、化学的または電気的等の
刺激（輝尽励起）により、最初の光もしくは高エネルギ
ー放射線の照射量に対応した輝尽発行を示す蛍光体を言
うが、実用的な面から好ましくは500nm以上の輝尽励起
光によって輝尽発行を示す蛍光体である。本発明の放射
線画像変換パネルに用いられるアルカリハライド蛍光体
以外の輝尽性蛍光体（以後「NAH」と標記する）として
は、例えば特開昭48−80487号に記載されているBaSO4:A
x（但しＡはDy,Tb及びTmのうち少なくとも１種であり、
ｘは0.001≦ｘ＜１モル％である。）で表わされる蛍光
体、特開昭48−80488号記載のMgSO4:Ax（但しＡはHo或
いはDyのうちいづれかであり、0.001≦ｘ≦１モル％で
ある）で表わされる蛍光体、特開昭48−80489号に記載
されているSrSO4:Ax（但しＡはDy,Tb及びTmのうち少な
くとも１種であり、ｘは0.001≦ｘ＜１モル％であ
る。）で表わされている蛍光体、特開昭51−29889号に
記載されているMa2SO4，CaSO4及びBaSO4等にMn,Dy及びT
bのうち少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭52−3
0487号に記載されているBeO,LiF,MaSO4等の蛍光体、特
開昭53−39277号に記載されているLi2B4O7:Cu,Ag等の蛍
光体、特開昭54−47883号に記載されているLi2O・(B
2O2)x:Cu（但しｘは２＜ｘ≦３）、及びLi2O・(B2O2)x:
Cu,Ag（但しｘは２＜ｘ≦３）等の蛍光体、米国特許3,8
59,527号に記載されているSrS:Ce,Sm,SrS:Eu,Sm、La2O2
S:Eu,Sm及び（Zn,Cd）S:Mn,X（但しＸはハロゲン）で表
わされる蛍光体が挙げられる。また、特開昭55−12142
号に記載されているZnS:Cu.Pb蛍光体、一般式がBaO・xA
l2O3:Eu（但し0.8≦ｘ≦10）で表わされるアルミン酸バ
リウム蛍光体、及び一般式がMIIO・xSiO2:A（但しMIIは
Mg,Ca,Sr,Zn,Cd又はBaでありＡはCe,Tb,Eu,Tm,Pb,Tl,Bi
及びMnのうち少なくとも１種であり、ｘは0.5≦ｘ＜2.5
である。）で表わされるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光
体が挙げられる。また、一般式が （Ba1-x-yMgxCay）FX:eEu2+ （但しＸはBr及びClの中の少なくとも１つであり、x,y
及びｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦0.6、xy≠０及び10-6≦
ｅ≦５×10-2なる条件を満たす数である。）で表わされ
るアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開昭55−12
144号に記載されている一般式が LnOX:xA （但しLnはLa,Y,Gd及びLuの少なくとも１つを、ｘはCl
及び／又はBrを、ＡはCeを及び／又はTbを、ｘは０＜ｘ
＜0.1を満足する数を表わす。）で表わされる蛍光体、
特開昭55−12145号に記載されている一般式が （Ba1-xMIIｘ）FX:yA （但しMIIは、Mg,Ca,Sr,Zn及びCdのうちの少なくとも１
つを、ＸはCl,Br及びＩのうちの少なくとも１つを、Ａ
はEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb及びErのうちの少なくと
も１つを、ｘ及びｙは０≦ｘ≦0.6及び０≦ｙ≦0.2なる
条件を満たす数を表わす。）で表わされる蛍光体、特開
昭55−84389号に記載されている一般式がBaFX:xCe,yA
（但し、ＹはCl,Br及びＩのうちの少なくとも１つ、Ａ
はIn,Tl,Gd,Sm及びZrのうちの少なくとも１つであり、
ｘ及びｙはそれぞれ０＜ｘ≦２×10-1及び０＜ｙ≦５×
10-2である。）で表わされる蛍光体、特開昭55−160078
号に記載されている一般式が MIIFX・xA:yLn （但しMIIはMg,Ca,Ba,Sr,Zn及びCdのうちの少なくとも
１種、ＡはBeO,MgO,CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3，Y2O3，La2
O3，In2O3，SiO2，TiO2，ZrO2，GeO2，SnO2，Nb2O5，Ta
2O5及びThO2のうちの少なくとも１種、LnはEu,Tb,Ce,T
m,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Sm及びGdのうちの少なくとも１種
であり、ＸはCl,Br及びＩのうちの少くとも１種であ
り、ｘ及びｙはそれぞれ５×10-5≦ｘ≦0.5及び０＜ｙ
≦0.2なる条件を満たす数である。）で表わされる希土
類元素付活２価金属フルオロハライド蛍光体、一般式が
ZnS:A、CdS:A、（Zn,Cd）S:A、ZnS:A、Ｘ及びCdS:A,X
（但しＡはCu,Ag,Au,又はMnであり、Ｘはハロゲンであ
る。）で表わされる蛍光体、特開昭57−148285号に記載
されている下記いづれかの一般式 xM3(PO4)2・NX2:yA M3(PO4)2:yA （式中、Ｍ及びＮはそれぞれMg,Ca,Sr,Ba,Zn及びCdのう
ち少なくとも１種、ＸはF,Cl,Br及びＩのうち少なくと
も１種、ＡはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Sb,Tl,Mn
及びSnのうち少なくとも１種を表わす。また、ｘ及びｙ
の０＜ｘ≦６、０≦ｙ≦１なる条件を満たす数であ
る。）で表わされる蛍光体、下記いづれかの一般式 nReX3・mAX′2:xEu nReX3・mAX′2:xEu,ySm （式中、ReはLa,Gd,Y,Luのうち少なくとも１種、Ａはア
ルカリ土類金属、Ba,Sr,Caのうち少なくとも１種、Ｘ及
びＸ′はF,Cl,Brのうち少なくとも１種を表わす。ま
た、ｘ及びｙは、１×10-4＜ｘ＜３×10-1、１×10-4＜
ｙ＜１×10-1なる条件を満たす数であり、n/mは１×10
-3＜n/m＜７×10-1なる条件を満たす。）で表わされる
蛍光体等が挙げられる。 尚、本発明に好ましく用いられるアルカリ土類弗化物
系蛍光体の具体例としては、特開昭55−12143号、同55
−160078号及び同55−84389号に開示された蛍光体が好
ましく、特に好ましくはアルカリ土類金属としてBa、付
活剤としてEu及び／またはCeを含むものである。 更に本発明に好ましく用いられるランタンオキシハラ
イド系蛍光体の具体例としては、特開昭55−12144号に
開示された蛍光体が好しく、特に好しくはハライドがブ
ロマイドであり、付活剤がCeである蛍光体である。 これらAHとは別層に含有させるNAHは該層中に30wt％
以上、好しくは50wt％以上、最も好しくは全量NAHであ
る。 本発明に係るAH、または放射線エネルギー吸収特性が
高エネルギー側でAHよりも高いNAHを夫々に含む輝尽性
蛍光体層は、夫々に輝尽性蛍光体或は分散剤等をバイン
ダー液中に懸濁、溶解させて調合した蛍光体塗料を性能
別に分けて別層に塗布して形成される。 或はまた蒸着、スパッタリング等の気相堆積法を用い
て、蛍光体毎に別けて蒸発させる多元蒸発源、もし蒸発
速度による支障が起らなければ混合一元蒸発源によって
気相堆積して形成させてもよいし、更に時系列的に堆積
に順序を与え多層堆積層としてもよい。 また本発明に於ては、前記複層の別層をなす輝尽性蛍
光体層のうち少なくとも一層が放射線エネルギー吸収層
により他の輝尽性蛍光体層と分離されて設けられている
ことが好しい。更に前記放射線エネルギー吸収層は放射
線の低エネルギー成分を吸収し高エネルギー成分を透過
するものであることが好ましい。 また該吸収層の材質については金属を含有しているこ
とが好ましく、該含有金属が金属もしくは金属化合物で
あること、特に金属酸化物、金属水酸化物および金属塩
の中から選ばれることが好ましい。 尚隔てられた蛍光体層は放射線の入射側より射出側が
厚いことが好ましい。 前記した吸収層に含有させる金属もしは金属化合物は
粉末（無定形状態）としてバインダーに分散して塗設さ
れてもよいし、気相堆積法（例えば蒸着法）或はミート
状の薄膜として輝尽性蛍光体層間に600μｍ未満好まし
くは400μｍ未満の層として設けられてもよい。 前記金属としては特にZn,Al,Cd,Au,Ag,Cr,Co,Sn,W,T
i,Fe,Cu,Pb,Ni,Mo,Ta,Nb及びＶが好ましく選ばれ、金属
化合物としては、これらの金属の難溶性もしくは不溶性
の化合物等に酸化物、水酸化物、金属塩等が選ばれる。 前記金属以外としては、金属化合物として安定に存在
するアルカリ金属、アルカリ土類金属等であってもよ
く、金属化合物を吸収層に用いる場合には使用できる金
属の種類が増えて好ましい。 また前記塩としてはそれぞれの金属の硫酸塩、炭酸
塩、クロム酸塩等が好ましい。 前記金属もしくは金属化合物を無定形状態として吸収
層に用いる場合には変換パネルの可撓性が失なわれるこ
とがなく好ましい。 また、前記金属もしくは金属化合物を無定形状態とし
て吸収層に用いる時には該物質が白色金属化合物特に白
色の金属酸化物、金属水酸化物、金属塩等であると、吸
収層が輝尽励起光及び／または輝尽発光の反射層となり
感度が向上しより好ましい。 更に本発明に於ては、前記複層の別層をなす輝尽性蛍
光体層のうち少なくとも一層は少なくとも一層の輝尽励
起光遮断層によって他の輝尽性蛍光体層と分離して設け
られていることが好ましい。 変換パネルの該輝尽励起光遮断層は、輝尽励起光を反
射および／または吸収する材料であればどのようなもの
であっても使用できるが、蛍光体パネルとしての取扱い
上可撓性のあるものが好ましい。この点から、例えばA
l,Pb,Ni,Cu,Zn,Ag,Pt,Au,Fe等の金属およびこれらの合
金から成る金属シート、セルロースアセテートフイル
ム、ポリエステルフイルム、ホリエチレンテレフタレー
トフイルム、ポリアミドフイルム、ポリイミドフイル
ム、トリアセテートフイルム、ポリカーボネートフイル
ム等のプラスチックフイルムシート、および紙など種々
のシート状材料が挙げられる。ただし、輝尽励起光遮断
層としてプラスチックフイルムシートおよび紙を用いる
場合には、これらシート自体には輝尽励起光を遮断する
能力がほとんどないため、前記シートが輝尽励起光反射
層あるいは吸収層となるように、前記シート自体を着色
する必要がある。前記シートが輝尽励起光反射層となる
ようにするには、前記シートを白色顔料等で着色すれば
よいし、輝尽励起光吸収層となるようにするには、前記
シートを輝尽励起光を吸収する顔料あるいは黒色顔料等
で着色すればよい。 前記シート自体を着色する代わりに前記シートの片面
あるいは両面に輝尽励起光反射層あるいは吸収層を設け
てもよい。輝尽励起光反射層としては前記シートの表面
に金属反射層を蒸着、スパッタ等の方法で設けてもよい
し、白色顔料層等を塗布等の方法で設けてもよい。輝尽
励起光吸収層としては輝尽励起光を吸収する顔料あるい
は黒色顔料等を前記シートの表面に塗布等の方法で設け
ればよい。 さらに、必要に応じて前記シートを着色した後、その
表面に輝尽励起光反射層あるいは吸収層を設けてもよい
し、前記シートへの片面に輝尽励起光反射層を設け、他
方に輝尽励起光吸収層を設けてもよい。 また、前記輝尽励起光遮断層は前記シート状材料以外
にも白色粉体あるいは黒色粉体等を樹脂中に分散し、塗
布したものであってもよい。 本発明の蛍光体パネルの輝尽励起光遮断層の層厚は、
薄いほど好ましいが実用的には600μｍ未満、さらに好
ましくは400μｍ未満である。前記輝尽励起光遮断層の
層厚が600μｍ以上の場合には得られる画像のズレが大
きく好ましくないばかりか蛍光体パネル全体の層厚自体
が大きくなり、取り扱いが困難となる。尚、これら輝尽
励起光遮断層は、輝尽性蛍光体層との接着性を向上させ
る目的で輝尽励起光遮断層の片面又は両面に下引き層を
設けてもよい。 前記放射線の吸収層は一般に輝尽励起光の遮断層とし
ても機能しうるので、両機能を兼用させてもよい。また
支持体は放射線吸収剤或は輝尽励起光遮断剤を含有させ
ることにより、変換パネル構成層担持機能の外に吸収層
及び／または遮断層として活用すれば変換パネルの構成
を簡略化することができる。 次に本発明の変換パネルの構成態様例の断面図を第１
図（１）〜（11）に示す。 第１図に於て、１はAHを含む輝尽性蛍光体層（AH層と
称す）、２はNAHを含有する輝尽性蛍光体層（NAH層と称
す）、３は支持体、４は保護層である。 更に５は輝尽励起光遮断層、６は放射線吸収層、35は
励起光遮断支持体、36は放射線吸収支持体、56は励起光
遮断・放射線吸収層、356は励起光遮断・放射線吸収支
持体である。 尚放射線の入射側にAH層、その後にNAH層を設けるこ
とが好しい。また支持体３は輝尽励起光及び輝尽発光に
対し透明であることが好ましい。 （１）〜（３）の変換パネルに比較して（４）以降の
変換パネルは画像の読取りに於て２枚の画像の分離が容
易であり、より好ましい。 本発明の放射線画像変換パネルに於ては、一般的に前
記輝尽性蛍光体層及び該蛍光体層が設けられる面とは反
対側の面に、輝尽性蛍光体層及び反対側面を物理的にあ
るいは化学的に保護するための保護層が設けられてもよ
い。この保護層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上
等に直接塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形
成した保護層を輝尽性蛍光体層上等に接着してもよい。
あるいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成
する手順を取ってもよい。保護層の材料としては酢酸セ
ルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポ
リカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロ
ン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エレチ
ン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、
塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニルリデ
ン−アクリロニトリル共重合体等の通常の保護層用材料
が用いられる。また、この保護層は蒸着法、スパッタリ
ング法等により、SiC,SiO2,SiN,Al2O3などの無機物質を
積層して形成してもよい。これらの保護層の層厚は一般
には0.1μｍ〜100μｍ程度が好ましい。 本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層を塗
設する場合に用いられるバインダーとしては、例えばゼ
ラチンの如きタンパク質、デキストランの如きポリサッ
カライドまたはアラビアゴム、ポリビニルブチラール、
ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロー
ス、塩化ビニリデン−塩化ビニルコポリマー、ポリメチ
ルメタクリレート、塩化ビニル−酢酸ピニルコポリマ
ー、ポリウレタン、セルロースアセテートブチレート、
ポリビニルアルコール等のような通常層構成に用いられ
るバインダーが使用される。一般にバインダーは輝尽性
蛍光体１重量部に対して0.01乃至１重量部の範囲で使用
される。しかしながら、得られる放射線画像変換パネル
の感度と鮮鋭性の点ではバインダーは少ない方が好まし
く、塗布の容易さとの兼合いから0.01乃至0.2重量部の
範囲がより好ましい。 本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の層
厚は目的とする放射線画像変換パネルの特性、輝尽性蛍
光体の種類、バインダーと輝尽性蛍光体との混合比等に
よって異なるが、塗料塗布によるときは10μｍ〜1000μ
ｍの範囲から選ばれるのが好ましく、10μｍ〜500μｍ
の範囲から選ばれるのがより好ましい。また気相堆積に
よるときは30μｍ〜1000μｍが好ましく、更に50〜600
μｍが好ましい。 尚、本発明の放射線画像変換パネルの鮮鋭性向上を目
的として、特開昭55−146447号に開示されているように
放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層中に白色粉末を
分散させてもよいし、特開昭55−163500号に開示されて
いるように放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層もし
くは入射する輝尽励起光に対して蛍光体層底面にある支
持体もしくは保護層に輝尽励起光を吸収するような着色
剤で着色してもよい。 また、特開昭59−202100号に開示されているように輝
尽性蛍光体層をハニカム構造としてもよい。あるいは特
願昭55−186859号に述べられているように輝尽性蛍光体
粒子が輝尽性蛍光体層の層厚方向に所定の粒子大きさ分
布をもつようにしてもよい。 輝尽性蛍光体用塗料の調整は、ボールミル、サンドミ
ル、アトライター、三本ロールミル、高速インペラー分
散機、Kadyミルおよび超音波分散機などの分散装置を用
いて行なわれる。調製された塗料をドクターブレード、
ロールコーター、ナイフコーターなどを用いて支持体上
に塗布し、乾燥することにより輝尽性蛍光体層が形成さ
れる。前記塗料を保護層上に塗布し、乾燥した後に輝尽
性蛍光体層と支持体とを接着してもよい。 なお、輝尽性蛍光体層用塗料中に、輝尽性蛍光体層蛍
光体粒子の分散性を向上させる目的で、ステアリン酸、
フタル酸、カプロン酸、親油性界面活性剤等の分散剤を
混合してもよい。また必要に応じてバインダーに対する
可塑剤を添加してもよい。 前記可塑剤の例としては、フタル酸ジエチル、フタル
酸ジブチル等のフタル酸エステル、燐酸トリクレジル、
燐酸トリフェニル等の燐酸エステル、コハク酸ジイソデ
シル、アジピン酸ジオクチル等の脂肪族２塩基酸エステ
ル、グリコール酸エチルフタリルエチル、グリコール酸
ブチルフタリルブチル等のグリコール酸エステル等が挙
げられる。 輝尽性蛍光体を懸濁した塗料の調製に用いられる溶剤
の例としては、メタノール、エタノール、イソプロパノ
ール、ｎ−ブタノールなどの低級アルコール、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シ
クロヘキサノンなどのケトン、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸ｎ−ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコール
とのエステルジオキサン、エチレングリコールモノエチ
ルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルな
どのエーテル、トリオール、キシロールなどの芳香族、
メチレンクロライド、エチレンクロライドなどのハロゲ
ン化炭化水素及びそれらの混合物などが挙げられる。 次に前記のように構成された本発明の変換パネルの作
用効果を図面を用いた説明する。 本発明に係るAH（アルカリハライド蛍光体）の例とし
てRbBr:Tl+蛍光体及びNAHの例としてBaFBr:Eu2+とLaOB
r:Ce3+のＸ線吸収スペクトルを第２図に示す。 図に明かな如く曲線（ａ）で示されるAHは放射線（Ｘ
線）の低エネルギー成分を大きく吸収し、高エネルギー
成分の大部分は吸収することなく透過させる。一方曲線
（ｂ）または（ｃ）で示されるNAHは低エネルギー成分
の吸収が高エネルギー側に移るに従って急峻に減少し、
再び40KeV近傍でほゞ垂直に立直って吸収性を回復し再
び緩かに減少してゆく。 従ってAHによって低エネルギー成分が吸収され、該吸
収に対応する輝尽潜像（蓄積記録された放射線画像）が
形成され、吸収された低エネルギー成分スペクトルを失
った残部の高エネルギー成分に対応してNAHに輝尽潜像
が形成されるので、高、低エネルギー成分に対する輝尽
潜像が容易に且つ明確に分離されることが解る。 このようにAHとNAHを組合せることによってエネルギ
ー・サブトラックションによる画像分離が完全に行われ
る。一方NAHであるBaFBr:Eu2+とLaOBr:Ce3+の両蛍光体
を組合せた従来の場合には吸収スペクトルに於て若干Ba
FBr:Eu2+の低エネルギー成分の吸収がLaOBr:Ce3+より大
きいが、高エネルギー成分の吸収はほゞ同等であり、ス
ペクトル曲線（ｂ）及び（ｃ）から推定された通り放射
線エネルギーの分離は良好でない。 また第３図には本発明に係る放射線吸収層（フイルタ
ー）として用いられる錫箔（厚さ50μｍ）の放射線（Ｘ
線）吸収スペクトルを示す。前記したNAHに近似した形
状の曲線を示す。但し吸収スペクトルに於てNAHと異り3
0KeVまで急峻な低エネルギー成分の吸収低下を起し再び
垂直に立上って吸収性を回復するが、NAHが吸収性を回
復する40KeVの点以降の範囲では高エネルギー成分の吸
収率は50％以下となり常にNAHの曲線の下位にある。従
って吸収を制御して放射線エネルギーの分離を助成調成
する手段として錫箔をフイルターとして用いることは有
用であることが解る。 前記した特性の作用効果を具象的に説明するために第
４図（Ａ）に本発明の変換パネルの層構成を分解図とし
て示し、更に同図（Ｂ）に被写体、AH層及びNAH層を透
過した後の夫々のＸ線強度スペクトルを曲線（ａ）
（ｂ）及び（ｃ）として示した。 また第５図（Ａ）にはAH層とNAH層の間に50μｍの錫
箔を差挾んだ時の分解図及び同図（Ｂ）には被写体AH
層、錫箔及びNAH層透過後のＸ線強度スペクトルを夫々
曲線（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）で示した。 第４図及び第５図から放射線画像が低エネルギー成分
の作る画像と高エネルギー成分の作る画像とに良好に分
離されることが知られる。 また適当なフイルター（例えば錫箔）を用いれば放射
線エネルギーの分離が更に好都合に展開できる。 またRbBr:Tl+蛍光体及びBaFBr:Eu2+の輝尽発光スペク
トル及び輝尽励起スペクトルの最高の適用条件は夫々に
異るのでRbBr:Tl+蛍光体層には780mm程度の半導体レー
ザで励起し、BaFBr:Eu2+蛍光体層はAr+レーザ、He−Ne
レーザで励起して、画像分離に輝尽励起光の効果を加え
て画像を分離することにより更に容易、確実にすること
ができる。 本発明の変換パネルは第６図に概略的に示される放射
線画像変換方法に用いられる場合に優れた放射線画像を
与える。 尚本発明に於ては、少くともAH層とNAH層の２層に別
けて高、低エネルギー画像を形成するので、該励起の順
に第１、第２の番号を付って表現する。第６図において
100は撮影部、200は第１の輝尽性蛍光体に蓄積された放
射線画像を読み取るための第１読み取り部、300は第２
の輝尽性蛍光体に蓄積された放射線画像を読み取るため
の第２読み取り部、400は再生記録部をそれぞれ示して
いる。 撮影部100においては放射線源101から被写体102に向
けて照射された放射線は被写体102を透過した後、放射
線画像変換パネル103の輝尽性蛍光体層104を構成する輝
尽発光効率の輝尽励起エネルギー依存性の互いに異なる
第１の輝尽性蛍光体層105および第２の輝尽性蛍光体層1
06（この第１及び第２の輝尽性蛍光体のうち、105がAH
であれば106がNAHである。但し照射方向は対応して変え
ることが好しい）に吸収され、被写体の放射線画像が蓄
積記録される。次いでこの放射線画像変換パネル103は
第１読み取り部200へ送られる。 第１読み取り部200においては、読み取り光源201から
の第１の輝尽励起光202はガルバノミラー等の光偏向器
により放射線画像変換パネル103の輝尽性蛍光体層104上
に一次元的に偏向されて放射線画像変換パネル103が副
走査されることにより、輝尽性蛍光体層104の全面にわ
たって輝尽励起光202が照射される。このように輝尽励
起光202が照射されると、放射線画像変換パネル103の輝
尽性蛍光体層104を構成する第１の輝尽励起光202にマッ
チングした輝尽励起エネルギー分布をもつ第１の輝尽性
蛍光体層105は、これに蓄積記録されている放射線エネ
ルギーに比例する輝尽発光を発する。この発光は輝尽励
起光202のみをカットするフイルター203を透過した後、
公電変換器204に入射し、光電変換される。光電変換後2
04の出力は増幅器205によって増幅される。第１の輝尽
性蛍光体層105の読み取りを終了した放射線画像変換パ
ネル103は、第２読み取り部300へ送られる。 第２読み取り部300においては、第１読み取り部200の
場合と同様にして読み取り光源301からの第２の輝尽励
起光302はガルバノミラー等の光偏光器により放射線画
像変換パネル103の輝尽性蛍光体層104上に一次元的に偏
光されて、放射線画像変換パネル103が幅走査されるこ
とにより、輝尽性蛍光体層104の全面にわたって輝尽励
起光302が照射される。このうよに輝尽励起光302が照射
されると、放射線画像変換パネル103の輝尽性蛍光体層1
04を構成する第２の輝尽励起光302にマッチングした輝
尽励起エネルギー分布をもつ第２の輝尽性蛍光体層106
は、これに蓄積記録されている放射線エネルギーに比例
する輝尽発光を発し、この発光は輝尽励起光302のみを
カットするフィルター303を透過した後、光電変換器304
に入射し、光電変換され、増幅器305によって増幅され
る。 第１読み取り部200の最終出力206および第２読み取り
部300の最終出力306は、それぞれ別々に再生記録部400
に於てハードコピーあるいはCRT等に可視画像として出
力してもよいし、電気的に重ね合わせ処理あるいは減算
処理等を施して１枚の可視画像としてハードコピーある
いはCTR等に出力してもよい。 第６図の再生記録部400はハードコピーとして感光材
料を用いる実施態様を示しているが該再生記録部400に
おいては、記録用レーザ光源402からのレーザ光403が、
光変調器401により画像信号に基づいて変調され、走査
ミラー404によって写真フィルム等の感光材料405上を走
査される。また感光材料405はレーザ光403の走査に同期
して副走査されるので、感光材料405上に放射線画像が
出力される。 前記の放射線画像変換パネル103の第１の輝尽性蛍光
体層105と第２の輝尽性蛍光体層106はこの順に読み取る
必要はなく、逆であってもまた同時であってもよい。ま
た読み取り部は１つであってもよい。 さらに第１読み取り部200の最終出力206から放射線画
像変換パネル103に蓄積記録されている放射線情報を把
握し、この情報を基にして第２読み取り部300の光電交
換器304の感度、増幅器305の増幅率等を設定するように
することができる。 即ち第１読取り結果を、本格的に観察読影する放射線
画像となる第２読取りによってえられる画像調整のため
のパイロットとして用い、読影目的に最も適した画質に
調える用に供することができる。 更に具体的に第７図に示すブロック図によって説明す
る。 第７図に於て前記の通り205は第１読取り部の増幅
器、206はその画像信号出力、305は第２読取り部の増幅
器、304は同部の光電変換器である。 307は画像信号出力206の情報に基いて画像制御を行う
制御回路、307による制御は前記光電変換器304増幅器30
5及びA/D変換器308、信号処理回路309を総括し画像信号
306を整えて、前記光変調器401に入り観察読影に適した
画像を再生記録部４に出現させる。 即ち光電変換器304の出力は増幅器305によって増幅さ
れ、A/D変換器308によってA/D変換された後、信号処理
回路309によって診断適正の優れた放射線画像が得られ
るように信号処理される。光電変換器304および増幅器3
05の増幅率、A/D変換器308の収録スケールファクタ及び
信号処理回路309における信号処理条件は、前述のよう
に第１読み取り部200において得られた前記放射線画像
の蓄積記録情報に基づいて制御回路307によって最も適
切な条件に設定される。 信号処理回路309より出力された画像信号306は記録部
400へ伝送される。 （実施例） 次に実施例を示し、本発明を具体的に説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。 実施例１ RbBr:Tl+蛍光体、BaFBr:Eu2+蛍光体の夫々単独からな
る輝尽性蛍光体層を別層として有する変換パネルP1を作
成し、エネルギー・サブトラクションによる放射線画像
変換を行い、えられる画像特性を観察した。 前記変換パネルP1の輝尽性蛍光体層は夫々RbBr:Tl+蛍
光体及びBaFBr:Eu2+蛍光体の８重量部と、ポリビニルブ
チラール１重量部を、溶剤（シクロヘキサン）を用いて
分散させ、これをポリエチレンテレフタレート基板の両
面に均一に塗布し、一昼夜放置し、自然乾燥することに
よって、それぞれ約300μｍの蛍光体層を形成して作製
した。 上記のようにしてえた変換パネルP1はRbBr:Tl+蛍光体
層が被写体に近く位置するように置き、管電圧120KVの
Ｘ線10ミリレントゲンを、銅とポリメチルメタクリレー
ト樹脂からなる被写体をとおして照射し、変換パネルP1
の夫々の輝尽性蛍光体層に輝尽潜像を形成した。 次にRbBr:Tl+蛍光体層に対しては半導体レーザ光（78
0nm,10mV）、BaFBr:Eu2+蛍光体層に対してはHe−Neレー
ザ光（633nm、10mV）を輝尽励起光として、夫々輝尽性
蛍光体層をスキャンし輝尽発光による画像を求めた。変
換パネルP1のRbBr:Tl+蛍光体層からはＸ線の低エネルギ
ー成分吸収像（前記樹脂像が強調された画像）がえら
れ、BaFBr:Eu2+蛍光体層からは高いエネルギー成分吸収
像（銅の像が強調された画像）がえられた。 上記両者に夫々重み付け像幅を施し両者をサブトラク
ションすると、完全に樹脂像または銅の像が分離された
画像が得られた。 実施例２ 前記変換パネルP1のRbBr:Tl+蛍光体層とBaFBr:Eu2+蛍
光体層の間に厚さ50μｍの錫箔からなる放射線吸収層を
差挾んで変換パネルP2を作成し、実施例１と全く同じ条
件でえられる画像特性を観察した。 変換パネルP2のBaFBr:Eu2+蛍光体層からえられる画像
は前記変換パネルP1の場合よりも更に樹脂像が抑えられ
銅の像が強調され、エネルギー・サブトラクシヨンは容
易であった。 比較例１ BaFBr:Eu2+蛍光体層とLaOBr:Ce2+蛍光体層を別層とし
て有する変換パネルP3を前記変換パネルP1と全く同条件
で作り、変換パネルP3に於てBaFBr:Eu2+蛍光体層が被写
体に近いように配置し実施例１と同条件で観察を行っ
た。但し輝尽励起光にはHe−Neレーザ光を用いた。 比較例２ BaFBr:Eu2+蛍光体層の２層からなり、その間に前記錫
箔からなる放射線吸収層を介在させた変換パネルP4を作
成し、実施例１と同条件の観察を行った。但し輝尽励起
はHe−Neレーザ光によって行った。 変換パネルP3及びP4に於ては高エネルギー成分吸収像
と低エネルギー成分吸収像との分離が甚だ不十分であ
り、両者に夫々重み付け増幅を施し、両者をサブトラク
ションしても十分なサブトラクション像は得られなかっ
た。 （発明の効果） 以上説明したように、本発明の放射線画像変換パネル
を用いれば、１回の放射線照射によって少なくとも２枚
のエネルギー・サブトラクションに適した放射線画像デ
ータを得ることが可能となる。 また複数枚の変換パネルを重積する必要がないので重
ね合せ処理等で像のズレを生ずることがなく高品位な放
射線画像を得ることが必要となる。 また、本発明の放射線画像変換パネルを用いる読取り
方法によれば、第１読取りを実施することによって第２
読取りの際に放出されるべき蓄積放射線エネルギーの減
少がまったくないので、第１読取りに起因するシステム
感度の低下を防止することが可能となる。 更に本発明の放射線画像変換パネルを用いれば、放射
線画像変換パネルに記録されている放射線画像の蓄積記
録情報を予め精度よく把握することができるので、格別
に広いダイナミックレンジを有する読み取り系を使用し
なくても前記蓄積記録情報に基づいて読み取りゲインを
適当に調節することにより、撮影条件等が変動しても常
に診断適性の優れた放射線画像を得ることが可能とな
る。 また、放射線画像変換パネルに記録されている放射線
画像の記録パターンを予め把握できるので、前記記録パ
ターンに応じた信号処理を第２読取り後の電気信号に対
して施すことにより、診断適性の優れた放射線画像を得
ることが可能となる。 本発明は前述のような多数の効果があり、工業的に非
常に有用である。
に関し、更に詳しくはアルカリハライド蛍光体を含有す
る蛍光体複層構成の放射線画像変換パネルに関する。 （従来技術） Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く
用いられている。このＸ線画像を得るために、被写体を
透過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、
これにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真
をとるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射
して現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。
更に銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光体層か
ら直接画像を取り出す方法が知られている。 この方法としては、被写体を透過した放射線を蛍光体
に吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば光又は熱
エネルギーで励起することにより、この蛍光体が上記吸
収により蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放
射せしめ、この蛍光を検出して画像化する方法がある。
具体的には、例えば米国特許3,859,527号及び特開昭55
−12144号には輝尽性蛍光体を用い、可視光線又は赤外
線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示されてい
る。この方法は、支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した
放射線画像変換パネルを使用するもので、この放射線画
像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射
線を当てて被写体各部の放射線透過度に対応する放射線
エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこの
輝尽性蛍光体層を輝励起光で走査することによって各部
の蓄積された放射線エネルギーを放射させてこれを光に
変換し、この光の強弱による光信号により画像を得るも
のである。この最終的な画像はハードコピーとして再生
してもよいし、CRT上に再生してもよい。 一方、物体を透過してくる放射線によって物体の内部
を深査する。例えば診療用Ｘ線撮影のような方法におい
て、物質の放射線吸収係数の放射線エネルギー依存性が
物質によって異なることを利用して、その探査能力を向
上させようとする試みがなされてきた。 例えば、日医放会誌第12巻、第１号27ページに発表さ
れているように、２枚の増感紙A,Bを交換して使用し、
ＡはＸ線により赤橙色に、Ｂは青緑色に発色するものを
用い、それぞれ異なるＸ線管球電圧と、異なるフィルタ
ーとを用い、１枚のカラーフィルム上に２回のＸ線照射
を行って撮影する方法がある。 しかしながら、このような複数回のＸ線照射を行う方
法は、単に手数がかかるばかりでなく診療用の場合に
は、患者の被曝線量を増大させるという問題があり、ま
た、人体をはじめ動く物体の撮影の場合には、複数回の
Ｘ線照射の間の物体の動きが大きな障害となって、実用
的でない。 このような欠点を取り除く試みとして、蛍光体の組成
と賦活材の混合比を変えて、三原色が同時に発光する特
殊カラー増感紙とカラーフィルムを用いて、Ｘ線撮影を
行う方法が知られている。しかし、この方法は、現像処
理に多大な時間と労力が必要であり、実用化されていな
い。 更に同一被写体に対して、互いに異なるエネルギー分
布を有する２種類の放射線を照射し、注目している物質
が異なって描出された２つの放射線画像を得、その後両
画像間で引き算を行ない、注目している物質の画像を得
る、いわゆるエネルギー・サブトラクョン方法が知られ
ている。 しかし、この方法では既存のI.IチューブとTVカメラ
からなるＸ線透視カメラの出力をデジタル処理し、或い
はXe−検出器等CTに使われるＸ線検出システムを用いて
画像を得るので、得られる画像は使用する機器の画像分
解能によりその画質が左右される。現在の機器は前記画
像分解能があまり高くなく、注目している物質に対する
微細な診断は不可能であるという問題がある。 しかも特殊な放射線源を必要としたり、２種の画像間
に撮影時間の差がある場合には画像自体にもずれが生じ
る等画質以前の極めて対応困難な問題も含まれている。 これに対して、前記した輝尽性蛍光体からなる放射線
画像変換パネル（以後単に「変換パネル」と称す）を複
数枚構成とし、更には放射線の低エネルギー成分吸収物
質からなるフィルタを有する変換パネルを用いて、前記
注目している物質に対応する部分の画像情報を前記複数
枚の変換パネルに蓄積記録し、のその後各放射線画像か
らサブトラクション画像を得る方法が知られている。 具体的には、特開昭59−83486号に以下のように種々
の方法が示されている。 （１）被写体に放射線を照射し、この被写体を透過した
放射線を、複数枚重積してセットされた輝尽性蛍光体層
を有する変換パネルに同時に照射して、これら変換パネ
ルのうち被写体からより遠い位置に置かれた変換パネル
に被写体により近い位置に置かれた変換パネルよりも前
記特定の構造物に対応する部分において放射線の低エネ
ルギー成分がより吸収された画像情報が記録されるよう
に各変換パネル毎に放射線画像を蓄積記録し、その後前
記各変換パネルを輝尽励起光で走査して、それら変換パ
ネルに蓄積記録された各放射線画像を輝尽発光に変換
し、この輝尽発光を光電的に読み取ってデジタル画像信
号に変換し、このデジタル画像信号に変換された前記各
放射線画像から少なくとも２つのサブトラクションすべ
き放射線画像を得、この少なくとも２つのサブトラクシ
ョンすべき放射線画像の対応する画素間でデジタル画像
信号の引き算を行なう方法、 （２）被写体に放射線を照射し、この被写体を透過した
放射線を ａ）重積してセットされた複数枚の変換パネルと ｂ）これら変換パネルの各変換パネル間の少なくとも１
個所に介在せしめられた放射線の低エネルギー成分吸収
物質からなるフィルタ とからなる変換パネル−フイルタ重積体に照射し、フイ
ルタが介在せしめられている個所に関して被写体とは反
対の側に位置する変換パネルに被写体の側に位置する変
換パネルよりも前記特定の構造物に対応する部分におい
て放射線の低エネルギー成分がより吸収された画像情報
が記録されるように各変換パネルに放射線画像を蓄積記
録し、その後前記各変換パネルを輝尽励起光で走査し
て、それら変換パネルに蓄積記録された各放射線画像を
輝尽発光に変換し、この輝尽発光を光電的に読み取って
デジタル画像信号に変換し、フイルタが介在せしめられ
た個所によって（フイルタが介在せしめられた個所の数
＋１）個のブロックに分けられた前記変換パネル−フイ
ルタ重積体の各ブロック毎にそのブロックに存在する変
換パネルから得られた前記デジタル画像信号に変換され
た放射線画像より１つのサブトラクションすべき放射線
画像を得ることによって（フイルタが介在せしめられた
個所の数＋１）個のサブトラクションすべき放射線画像
を得、それらサブトラクションすべき放射線画像の対応
する画素間でデジタル画像信号の引き算を行なう方法、
などである。 しかし、これら方法のうち（１）の方法は、変換パネ
ルが複数枚となるため取扱いが面倒である、サブトラク
ション時における位置合わせがむずかしい等の欠点があ
る。更に（１）の方法では、複数枚の変換パネルの放射
線吸収特性を変えるために放射線吸収特性の異なる輝尽
性蛍光体を用いたり、輝尽性蛍光体層中に放射線の低エ
ネルギー成分吸収物質を混入する必要があるが、前者で
は使用する輝尽性蛍光体が著しく限定されるため好まし
くない。また後者では低エネルギー成分吸収物質のため
に変換パネルの感度が低下して好ましくない。 （２）の方法は、前記（１）の方法の様に低エネルギ
ー成分吸収物質が使用されないので感度の低下はない
が、（１）の方法と同様に変換パネルが複数枚となるた
め取扱いが面倒である、サブトラクション時における位
置合わせがむずかしい等の欠点があるばかりか、複数の
輝尽性蛍光体層間に支持体とフイルタが存在するため、
得られる画像間でズレが生じアーチファクトとなる重大
な欠点を有し、どの方法も操作面、画質面の両方に於て
極めて重要な問題が生じてしまう。 一方、前記複数枚の変換パネルを用いる方法に対して
１枚の変換パネルに複数の放射線画像を蓄積記録し、そ
の後各放射線画像からサブトラクション画像を得る方法
も知られている。 具体的には、前記特開昭59−83486号に示されるよう
な、 （３）被写体に放射線を照射し、この被写体を透過した
放射線を ａ）放射線の低エネルギー成分吸収物質からなる支持体
と、 ｂ）この支持体の画面上に設けられた輝尽性蛍光体層 とからなる変換パネルに照射し、前記変換パネルの支持
体の被写体とは反対側の面上に設けられた輝尽性蛍光体
層に該支持体の被写体側の面上に設けられた輝尽性蛍光
体層よりも前記特定の構造物に対応する部分において放
射線の低エネルギー成分がより吸収された画像情報が記
録されるように各輝尽性蛍光体層に放射線画像を蓄積記
録し、その後前記各輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査
してそれら層に蓄積記録された各放射線画像を輝尽発光
に変換し、この輝尽発光を光電的に読み取ってデジタル
画像信号に変換し、このデジタル画像信号に変換された
２つの放射線画像の対応する画素間でデジタル画像信号
の引き算を行なう方法、 特開昭60−35300号に示されるような、 （４）被写体に放射線を照射し、この被写体を透過した
放射線を、輝尽発光効率の放射線エネルギー依存性が互
いに異なる２種類以上の輝尽性蛍光体を有する変換パネ
ルに照射して、複数の放射線画像を蓄積記録し、その後
前記変換パネルを輝尽励起光で走査して、前記蓄積記録
された複数の放射線画像を分離して検出し、該放射線画
像の少なくとも２つを用いてサブトラクションを行なう
方法、などである。 これらの方法は、複数の放射線画像が１枚の変換パネ
ルから得られるので、変換パネルの取扱い、サブトラク
ション時の画像の位置合わせ等が容易である利点を有す
る。 しかし、これら方法のうち（３）の方法は、放射線エ
ネルギーの分離を支持体のみによって行なうため、支持
体を金属等の放射線吸収特性のよい物質にする必要があ
りパネルの取扱いが不便となる、パネルの曲げに対する
耐久性が低下する等の欠点があるばかりか、前記と同様
の理由により、放射線エネルギーの分離が十分ではな
く、得られる複数枚の放射線画像間に放射線エネルギー
差による違いがほとんどないので、サブトラクションし
た場合に良好な画像が得られない欠点がある。 また、（４）の方法は輝尽発光率効率の放射線エネル
ギー依存性が異なる蛍光体を用いて放射線エネルギーを
分離吸収し、その蓄積記録された複数枚の放射線画像を
分離検出する方法は甚だ有用であるけれども、従来用い
られる輝尽性蛍光体の種類が限定されており選択が難し
く、また前記放射線画像を分離するのが困難であるのが
現状である。即ち従来知られている輝尽性蛍光体のう
ち、Ｘレイに対する感度、輝尽励起光に対する応答速
度、残光等の点から実用の範囲に入るものは、BaFX:Eu
2+またはLaOX:Ce3+であり、これらはＸレイの吸収特性
にあまり差がなく吸収差別化に種々の補充手段を必要と
する。 （発明の目的） 本発明は前記の様な状況に鑑みてなされたものであ
り、本発明の目的は下記の要件を満す変換パネルの提供
にある。 （１）エネルギーサブトラクションを簡便に行ない得る
こと、 （２）エネルギーサブトラクションすべき２枚の画像の
位置合わせが容易なこと、 （３）変換パネルが複数枚とならず取扱いが容易である
こと、 （４）エネルギーサブトラクションすべき２枚の画像間
で放射線エネルギーの分離が十分行なわれていること。 （発明の構成） 前記本発明の目的は、下記一般式で表されるアルカリ
ハライド蛍光体を輝尽性蛍光体として含有する輝尽性蛍
光体層、及び放射線エネルギー吸収特性において、高エ
ネルギー成分の吸収度が該蛍光体より大きくなるように
輝尽発光効率の放射線エネルギー依存性が異なる輝尽性
蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層を輝尽励起光遮断層を
介して有するエネルギーサブトラクション用放射線画像
変換パネルによって達成される。 〔一般式〕 MIX,aMIIＸ′２・bMIIIＸ″３:cA 但し、MIはLi,Na,K,Rb及びCsから選ばれる少なくとも
１種のアルカリ金属であり、MIIはBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,C
d,Cu及びNiから選ばれる少なくとも１種の二価金属であ
る。MIIIはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,DY,Ho,E
r,Tm,Yb,Lu,Al,Ga及びInから選ばれる少なくとも１種の
三価金属である。Ｘ、Ｘ′及びＸ″はF,Cl,Br及びＩか
ら選ばれる少なくとも１種のハロゲンである。ＡはEu,T
b,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu及
びMgから選ばれる少なくとも１種の金属である。またａ
は、０≦ａ＜0.5の範囲の数値であり、ｂは０≦ｂ＜0.5
の範囲の数値であり、ｃは０＜ｃ≦0.2の範囲の数値で
ある。 次に本発明を詳しく説明する。 本発明に於て、輝尽発光効率の放射線エネルギー依存
性が異るとは、具体的には組成の異なる輝尽性蛍光体で
あって放射線例えばＸ線の吸収特性を異にし硬Ｘ線に対
し好都合にＸ線エネルギーを吸収するもの或は軟Ｘ線に
対し好都合なものであり、付随的にＸ線を吸収した輝尽
性蛍光体間に輝尽潜像の輝尽発光スペクトル及び／また
は輝尽励起光スペクトルが異っていることを意味する。 場所的に放射線吸収効率の放射線エネルギー依存性
（放射線吸収スペクトル）が異なる被写体に放射線を照
射した場合、透過した放射線のつくる画像は、その放射
線エネルギーの硬軟によって異なっている。 例えば、高いエネルギーの放射線照射によって得られ
る放射線画像は、高いエネルギーの放射線をより吸収し
やすい物質を強調し、低いエネルギーの放射線照射によ
って得られる放射線画像は、低いエネルギーの放射線を
より吸収しやすい物質を強調する。 従って、被写体にいくつかのエネルギーを含むブロー
ドな波長域の放射線を照射し、透過してくる放射線画像
を変換パネルに入射すると、蓄積エネルギーからなる放
射線画像の潜像（輝尽潜像）は、変換パネルを構成する
輝尽発光効率の放射線エネルギー依存性が互いに異なる
輝尽性蛍光体の組み合せ方に応じ、複数の潜像を同時に
１枚のパネル上に得ることができる。 このようにして得られた複数の潜像は分離して検出
し、複数の画像を再生するには、次のようないくつかの
方法がある。 ひとつは、輝尽発光効率の放射線エネルギー依存性と
輝尽発光スペクトルが互いに異なる輝尽性蛍光体を組み
合わせて使用し、輝尽発光の検出に際し、この発光スペ
クトルの差を利用て分離する方法である。 また、他のひとつは、輝尽発光効率の放射線エネルギ
ー依存性と輝尽励起スペクトルが互いに異なる蛍光体を
使用し、波長の異なる輝尽励起光で輝尽発行させること
によって分離する方法である。 画像を再生する別のひとつの方法は、輝尽発光効率の
放射線エネルギー依存性が互いに異なる輝尽性蛍光体
を、層状に配置し、その空間的位置を利用して分離する
方法である。 前記本発明に係るアルカリハライド蛍光体（以後「A
H」と標記する）としては前記一般式に於て、MIがK,Rb,
Csのうちの少くとも１つのアルカリ金属であり、MIIと
してMg,Ca,Sr,Baのうちの少くとも１つのアルカリ土類
金属であり、また付活剤ＡはEu,Tl,Naのうちの少くとも
１つであり、且つ０≦ａ＜0.1、０≦ｂ＜0.05、０＜ｃ
≦0.1である蛍光体が好しい。特に好しくは、MIがRb及
び／またはCs、MIIがCa,Sr,Baのいずれかであり、ＡがT
l及び／またはNaであり、且つ０≦ａ＜0.1、０≦ｂ＜0.
01である蛍光体である。 本発明に係るAHは、変換パネルの輝尽性蛍光体層中に
30wt％以上、好ましくは50wt％以上、最も好ましくは全
量AHである。 本発明の放射線画像変換パネルにおいて輝尽性蛍光体
とは、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射され
た後に、光的、熱的、機械的、化学的または電気的等の
刺激（輝尽励起）により、最初の光もしくは高エネルギ
ー放射線の照射量に対応した輝尽発行を示す蛍光体を言
うが、実用的な面から好ましくは500nm以上の輝尽励起
光によって輝尽発行を示す蛍光体である。本発明の放射
線画像変換パネルに用いられるアルカリハライド蛍光体
以外の輝尽性蛍光体（以後「NAH」と標記する）として
は、例えば特開昭48−80487号に記載されているBaSO4:A
x（但しＡはDy,Tb及びTmのうち少なくとも１種であり、
ｘは0.001≦ｘ＜１モル％である。）で表わされる蛍光
体、特開昭48−80488号記載のMgSO4:Ax（但しＡはHo或
いはDyのうちいづれかであり、0.001≦ｘ≦１モル％で
ある）で表わされる蛍光体、特開昭48−80489号に記載
されているSrSO4:Ax（但しＡはDy,Tb及びTmのうち少な
くとも１種であり、ｘは0.001≦ｘ＜１モル％であ
る。）で表わされている蛍光体、特開昭51−29889号に
記載されているMa2SO4，CaSO4及びBaSO4等にMn,Dy及びT
bのうち少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭52−3
0487号に記載されているBeO,LiF,MaSO4等の蛍光体、特
開昭53−39277号に記載されているLi2B4O7:Cu,Ag等の蛍
光体、特開昭54−47883号に記載されているLi2O・(B
2O2)x:Cu（但しｘは２＜ｘ≦３）、及びLi2O・(B2O2)x:
Cu,Ag（但しｘは２＜ｘ≦３）等の蛍光体、米国特許3,8
59,527号に記載されているSrS:Ce,Sm,SrS:Eu,Sm、La2O2
S:Eu,Sm及び（Zn,Cd）S:Mn,X（但しＸはハロゲン）で表
わされる蛍光体が挙げられる。また、特開昭55−12142
号に記載されているZnS:Cu.Pb蛍光体、一般式がBaO・xA
l2O3:Eu（但し0.8≦ｘ≦10）で表わされるアルミン酸バ
リウム蛍光体、及び一般式がMIIO・xSiO2:A（但しMIIは
Mg,Ca,Sr,Zn,Cd又はBaでありＡはCe,Tb,Eu,Tm,Pb,Tl,Bi
及びMnのうち少なくとも１種であり、ｘは0.5≦ｘ＜2.5
である。）で表わされるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光
体が挙げられる。また、一般式が （Ba1-x-yMgxCay）FX:eEu2+ （但しＸはBr及びClの中の少なくとも１つであり、x,y
及びｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦0.6、xy≠０及び10-6≦
ｅ≦５×10-2なる条件を満たす数である。）で表わされ
るアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開昭55−12
144号に記載されている一般式が LnOX:xA （但しLnはLa,Y,Gd及びLuの少なくとも１つを、ｘはCl
及び／又はBrを、ＡはCeを及び／又はTbを、ｘは０＜ｘ
＜0.1を満足する数を表わす。）で表わされる蛍光体、
特開昭55−12145号に記載されている一般式が （Ba1-xMIIｘ）FX:yA （但しMIIは、Mg,Ca,Sr,Zn及びCdのうちの少なくとも１
つを、ＸはCl,Br及びＩのうちの少なくとも１つを、Ａ
はEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb及びErのうちの少なくと
も１つを、ｘ及びｙは０≦ｘ≦0.6及び０≦ｙ≦0.2なる
条件を満たす数を表わす。）で表わされる蛍光体、特開
昭55−84389号に記載されている一般式がBaFX:xCe,yA
（但し、ＹはCl,Br及びＩのうちの少なくとも１つ、Ａ
はIn,Tl,Gd,Sm及びZrのうちの少なくとも１つであり、
ｘ及びｙはそれぞれ０＜ｘ≦２×10-1及び０＜ｙ≦５×
10-2である。）で表わされる蛍光体、特開昭55−160078
号に記載されている一般式が MIIFX・xA:yLn （但しMIIはMg,Ca,Ba,Sr,Zn及びCdのうちの少なくとも
１種、ＡはBeO,MgO,CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3，Y2O3，La2
O3，In2O3，SiO2，TiO2，ZrO2，GeO2，SnO2，Nb2O5，Ta
2O5及びThO2のうちの少なくとも１種、LnはEu,Tb,Ce,T
m,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Sm及びGdのうちの少なくとも１種
であり、ＸはCl,Br及びＩのうちの少くとも１種であ
り、ｘ及びｙはそれぞれ５×10-5≦ｘ≦0.5及び０＜ｙ
≦0.2なる条件を満たす数である。）で表わされる希土
類元素付活２価金属フルオロハライド蛍光体、一般式が
ZnS:A、CdS:A、（Zn,Cd）S:A、ZnS:A、Ｘ及びCdS:A,X
（但しＡはCu,Ag,Au,又はMnであり、Ｘはハロゲンであ
る。）で表わされる蛍光体、特開昭57−148285号に記載
されている下記いづれかの一般式 xM3(PO4)2・NX2:yA M3(PO4)2:yA （式中、Ｍ及びＮはそれぞれMg,Ca,Sr,Ba,Zn及びCdのう
ち少なくとも１種、ＸはF,Cl,Br及びＩのうち少なくと
も１種、ＡはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Sb,Tl,Mn
及びSnのうち少なくとも１種を表わす。また、ｘ及びｙ
の０＜ｘ≦６、０≦ｙ≦１なる条件を満たす数であ
る。）で表わされる蛍光体、下記いづれかの一般式 nReX3・mAX′2:xEu nReX3・mAX′2:xEu,ySm （式中、ReはLa,Gd,Y,Luのうち少なくとも１種、Ａはア
ルカリ土類金属、Ba,Sr,Caのうち少なくとも１種、Ｘ及
びＸ′はF,Cl,Brのうち少なくとも１種を表わす。ま
た、ｘ及びｙは、１×10-4＜ｘ＜３×10-1、１×10-4＜
ｙ＜１×10-1なる条件を満たす数であり、n/mは１×10
-3＜n/m＜７×10-1なる条件を満たす。）で表わされる
蛍光体等が挙げられる。 尚、本発明に好ましく用いられるアルカリ土類弗化物
系蛍光体の具体例としては、特開昭55−12143号、同55
−160078号及び同55−84389号に開示された蛍光体が好
ましく、特に好ましくはアルカリ土類金属としてBa、付
活剤としてEu及び／またはCeを含むものである。 更に本発明に好ましく用いられるランタンオキシハラ
イド系蛍光体の具体例としては、特開昭55−12144号に
開示された蛍光体が好しく、特に好しくはハライドがブ
ロマイドであり、付活剤がCeである蛍光体である。 これらAHとは別層に含有させるNAHは該層中に30wt％
以上、好しくは50wt％以上、最も好しくは全量NAHであ
る。 本発明に係るAH、または放射線エネルギー吸収特性が
高エネルギー側でAHよりも高いNAHを夫々に含む輝尽性
蛍光体層は、夫々に輝尽性蛍光体或は分散剤等をバイン
ダー液中に懸濁、溶解させて調合した蛍光体塗料を性能
別に分けて別層に塗布して形成される。 或はまた蒸着、スパッタリング等の気相堆積法を用い
て、蛍光体毎に別けて蒸発させる多元蒸発源、もし蒸発
速度による支障が起らなければ混合一元蒸発源によって
気相堆積して形成させてもよいし、更に時系列的に堆積
に順序を与え多層堆積層としてもよい。 また本発明に於ては、前記複層の別層をなす輝尽性蛍
光体層のうち少なくとも一層が放射線エネルギー吸収層
により他の輝尽性蛍光体層と分離されて設けられている
ことが好しい。更に前記放射線エネルギー吸収層は放射
線の低エネルギー成分を吸収し高エネルギー成分を透過
するものであることが好ましい。 また該吸収層の材質については金属を含有しているこ
とが好ましく、該含有金属が金属もしくは金属化合物で
あること、特に金属酸化物、金属水酸化物および金属塩
の中から選ばれることが好ましい。 尚隔てられた蛍光体層は放射線の入射側より射出側が
厚いことが好ましい。 前記した吸収層に含有させる金属もしは金属化合物は
粉末（無定形状態）としてバインダーに分散して塗設さ
れてもよいし、気相堆積法（例えば蒸着法）或はミート
状の薄膜として輝尽性蛍光体層間に600μｍ未満好まし
くは400μｍ未満の層として設けられてもよい。 前記金属としては特にZn,Al,Cd,Au,Ag,Cr,Co,Sn,W,T
i,Fe,Cu,Pb,Ni,Mo,Ta,Nb及びＶが好ましく選ばれ、金属
化合物としては、これらの金属の難溶性もしくは不溶性
の化合物等に酸化物、水酸化物、金属塩等が選ばれる。 前記金属以外としては、金属化合物として安定に存在
するアルカリ金属、アルカリ土類金属等であってもよ
く、金属化合物を吸収層に用いる場合には使用できる金
属の種類が増えて好ましい。 また前記塩としてはそれぞれの金属の硫酸塩、炭酸
塩、クロム酸塩等が好ましい。 前記金属もしくは金属化合物を無定形状態として吸収
層に用いる場合には変換パネルの可撓性が失なわれるこ
とがなく好ましい。 また、前記金属もしくは金属化合物を無定形状態とし
て吸収層に用いる時には該物質が白色金属化合物特に白
色の金属酸化物、金属水酸化物、金属塩等であると、吸
収層が輝尽励起光及び／または輝尽発光の反射層となり
感度が向上しより好ましい。 更に本発明に於ては、前記複層の別層をなす輝尽性蛍
光体層のうち少なくとも一層は少なくとも一層の輝尽励
起光遮断層によって他の輝尽性蛍光体層と分離して設け
られていることが好ましい。 変換パネルの該輝尽励起光遮断層は、輝尽励起光を反
射および／または吸収する材料であればどのようなもの
であっても使用できるが、蛍光体パネルとしての取扱い
上可撓性のあるものが好ましい。この点から、例えばA
l,Pb,Ni,Cu,Zn,Ag,Pt,Au,Fe等の金属およびこれらの合
金から成る金属シート、セルロースアセテートフイル
ム、ポリエステルフイルム、ホリエチレンテレフタレー
トフイルム、ポリアミドフイルム、ポリイミドフイル
ム、トリアセテートフイルム、ポリカーボネートフイル
ム等のプラスチックフイルムシート、および紙など種々
のシート状材料が挙げられる。ただし、輝尽励起光遮断
層としてプラスチックフイルムシートおよび紙を用いる
場合には、これらシート自体には輝尽励起光を遮断する
能力がほとんどないため、前記シートが輝尽励起光反射
層あるいは吸収層となるように、前記シート自体を着色
する必要がある。前記シートが輝尽励起光反射層となる
ようにするには、前記シートを白色顔料等で着色すれば
よいし、輝尽励起光吸収層となるようにするには、前記
シートを輝尽励起光を吸収する顔料あるいは黒色顔料等
で着色すればよい。 前記シート自体を着色する代わりに前記シートの片面
あるいは両面に輝尽励起光反射層あるいは吸収層を設け
てもよい。輝尽励起光反射層としては前記シートの表面
に金属反射層を蒸着、スパッタ等の方法で設けてもよい
し、白色顔料層等を塗布等の方法で設けてもよい。輝尽
励起光吸収層としては輝尽励起光を吸収する顔料あるい
は黒色顔料等を前記シートの表面に塗布等の方法で設け
ればよい。 さらに、必要に応じて前記シートを着色した後、その
表面に輝尽励起光反射層あるいは吸収層を設けてもよい
し、前記シートへの片面に輝尽励起光反射層を設け、他
方に輝尽励起光吸収層を設けてもよい。 また、前記輝尽励起光遮断層は前記シート状材料以外
にも白色粉体あるいは黒色粉体等を樹脂中に分散し、塗
布したものであってもよい。 本発明の蛍光体パネルの輝尽励起光遮断層の層厚は、
薄いほど好ましいが実用的には600μｍ未満、さらに好
ましくは400μｍ未満である。前記輝尽励起光遮断層の
層厚が600μｍ以上の場合には得られる画像のズレが大
きく好ましくないばかりか蛍光体パネル全体の層厚自体
が大きくなり、取り扱いが困難となる。尚、これら輝尽
励起光遮断層は、輝尽性蛍光体層との接着性を向上させ
る目的で輝尽励起光遮断層の片面又は両面に下引き層を
設けてもよい。 前記放射線の吸収層は一般に輝尽励起光の遮断層とし
ても機能しうるので、両機能を兼用させてもよい。また
支持体は放射線吸収剤或は輝尽励起光遮断剤を含有させ
ることにより、変換パネル構成層担持機能の外に吸収層
及び／または遮断層として活用すれば変換パネルの構成
を簡略化することができる。 次に本発明の変換パネルの構成態様例の断面図を第１
図（１）〜（11）に示す。 第１図に於て、１はAHを含む輝尽性蛍光体層（AH層と
称す）、２はNAHを含有する輝尽性蛍光体層（NAH層と称
す）、３は支持体、４は保護層である。 更に５は輝尽励起光遮断層、６は放射線吸収層、35は
励起光遮断支持体、36は放射線吸収支持体、56は励起光
遮断・放射線吸収層、356は励起光遮断・放射線吸収支
持体である。 尚放射線の入射側にAH層、その後にNAH層を設けるこ
とが好しい。また支持体３は輝尽励起光及び輝尽発光に
対し透明であることが好ましい。 （１）〜（３）の変換パネルに比較して（４）以降の
変換パネルは画像の読取りに於て２枚の画像の分離が容
易であり、より好ましい。 本発明の放射線画像変換パネルに於ては、一般的に前
記輝尽性蛍光体層及び該蛍光体層が設けられる面とは反
対側の面に、輝尽性蛍光体層及び反対側面を物理的にあ
るいは化学的に保護するための保護層が設けられてもよ
い。この保護層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上
等に直接塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形
成した保護層を輝尽性蛍光体層上等に接着してもよい。
あるいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成
する手順を取ってもよい。保護層の材料としては酢酸セ
ルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポ
リカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロ
ン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エレチ
ン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、
塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニルリデ
ン−アクリロニトリル共重合体等の通常の保護層用材料
が用いられる。また、この保護層は蒸着法、スパッタリ
ング法等により、SiC,SiO2,SiN,Al2O3などの無機物質を
積層して形成してもよい。これらの保護層の層厚は一般
には0.1μｍ〜100μｍ程度が好ましい。 本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層を塗
設する場合に用いられるバインダーとしては、例えばゼ
ラチンの如きタンパク質、デキストランの如きポリサッ
カライドまたはアラビアゴム、ポリビニルブチラール、
ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロー
ス、塩化ビニリデン−塩化ビニルコポリマー、ポリメチ
ルメタクリレート、塩化ビニル−酢酸ピニルコポリマ
ー、ポリウレタン、セルロースアセテートブチレート、
ポリビニルアルコール等のような通常層構成に用いられ
るバインダーが使用される。一般にバインダーは輝尽性
蛍光体１重量部に対して0.01乃至１重量部の範囲で使用
される。しかしながら、得られる放射線画像変換パネル
の感度と鮮鋭性の点ではバインダーは少ない方が好まし
く、塗布の容易さとの兼合いから0.01乃至0.2重量部の
範囲がより好ましい。 本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の層
厚は目的とする放射線画像変換パネルの特性、輝尽性蛍
光体の種類、バインダーと輝尽性蛍光体との混合比等に
よって異なるが、塗料塗布によるときは10μｍ〜1000μ
ｍの範囲から選ばれるのが好ましく、10μｍ〜500μｍ
の範囲から選ばれるのがより好ましい。また気相堆積に
よるときは30μｍ〜1000μｍが好ましく、更に50〜600
μｍが好ましい。 尚、本発明の放射線画像変換パネルの鮮鋭性向上を目
的として、特開昭55−146447号に開示されているように
放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層中に白色粉末を
分散させてもよいし、特開昭55−163500号に開示されて
いるように放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層もし
くは入射する輝尽励起光に対して蛍光体層底面にある支
持体もしくは保護層に輝尽励起光を吸収するような着色
剤で着色してもよい。 また、特開昭59−202100号に開示されているように輝
尽性蛍光体層をハニカム構造としてもよい。あるいは特
願昭55−186859号に述べられているように輝尽性蛍光体
粒子が輝尽性蛍光体層の層厚方向に所定の粒子大きさ分
布をもつようにしてもよい。 輝尽性蛍光体用塗料の調整は、ボールミル、サンドミ
ル、アトライター、三本ロールミル、高速インペラー分
散機、Kadyミルおよび超音波分散機などの分散装置を用
いて行なわれる。調製された塗料をドクターブレード、
ロールコーター、ナイフコーターなどを用いて支持体上
に塗布し、乾燥することにより輝尽性蛍光体層が形成さ
れる。前記塗料を保護層上に塗布し、乾燥した後に輝尽
性蛍光体層と支持体とを接着してもよい。 なお、輝尽性蛍光体層用塗料中に、輝尽性蛍光体層蛍
光体粒子の分散性を向上させる目的で、ステアリン酸、
フタル酸、カプロン酸、親油性界面活性剤等の分散剤を
混合してもよい。また必要に応じてバインダーに対する
可塑剤を添加してもよい。 前記可塑剤の例としては、フタル酸ジエチル、フタル
酸ジブチル等のフタル酸エステル、燐酸トリクレジル、
燐酸トリフェニル等の燐酸エステル、コハク酸ジイソデ
シル、アジピン酸ジオクチル等の脂肪族２塩基酸エステ
ル、グリコール酸エチルフタリルエチル、グリコール酸
ブチルフタリルブチル等のグリコール酸エステル等が挙
げられる。 輝尽性蛍光体を懸濁した塗料の調製に用いられる溶剤
の例としては、メタノール、エタノール、イソプロパノ
ール、ｎ−ブタノールなどの低級アルコール、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シ
クロヘキサノンなどのケトン、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸ｎ−ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコール
とのエステルジオキサン、エチレングリコールモノエチ
ルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルな
どのエーテル、トリオール、キシロールなどの芳香族、
メチレンクロライド、エチレンクロライドなどのハロゲ
ン化炭化水素及びそれらの混合物などが挙げられる。 次に前記のように構成された本発明の変換パネルの作
用効果を図面を用いた説明する。 本発明に係るAH（アルカリハライド蛍光体）の例とし
てRbBr:Tl+蛍光体及びNAHの例としてBaFBr:Eu2+とLaOB
r:Ce3+のＸ線吸収スペクトルを第２図に示す。 図に明かな如く曲線（ａ）で示されるAHは放射線（Ｘ
線）の低エネルギー成分を大きく吸収し、高エネルギー
成分の大部分は吸収することなく透過させる。一方曲線
（ｂ）または（ｃ）で示されるNAHは低エネルギー成分
の吸収が高エネルギー側に移るに従って急峻に減少し、
再び40KeV近傍でほゞ垂直に立直って吸収性を回復し再
び緩かに減少してゆく。 従ってAHによって低エネルギー成分が吸収され、該吸
収に対応する輝尽潜像（蓄積記録された放射線画像）が
形成され、吸収された低エネルギー成分スペクトルを失
った残部の高エネルギー成分に対応してNAHに輝尽潜像
が形成されるので、高、低エネルギー成分に対する輝尽
潜像が容易に且つ明確に分離されることが解る。 このようにAHとNAHを組合せることによってエネルギ
ー・サブトラックションによる画像分離が完全に行われ
る。一方NAHであるBaFBr:Eu2+とLaOBr:Ce3+の両蛍光体
を組合せた従来の場合には吸収スペクトルに於て若干Ba
FBr:Eu2+の低エネルギー成分の吸収がLaOBr:Ce3+より大
きいが、高エネルギー成分の吸収はほゞ同等であり、ス
ペクトル曲線（ｂ）及び（ｃ）から推定された通り放射
線エネルギーの分離は良好でない。 また第３図には本発明に係る放射線吸収層（フイルタ
ー）として用いられる錫箔（厚さ50μｍ）の放射線（Ｘ
線）吸収スペクトルを示す。前記したNAHに近似した形
状の曲線を示す。但し吸収スペクトルに於てNAHと異り3
0KeVまで急峻な低エネルギー成分の吸収低下を起し再び
垂直に立上って吸収性を回復するが、NAHが吸収性を回
復する40KeVの点以降の範囲では高エネルギー成分の吸
収率は50％以下となり常にNAHの曲線の下位にある。従
って吸収を制御して放射線エネルギーの分離を助成調成
する手段として錫箔をフイルターとして用いることは有
用であることが解る。 前記した特性の作用効果を具象的に説明するために第
４図（Ａ）に本発明の変換パネルの層構成を分解図とし
て示し、更に同図（Ｂ）に被写体、AH層及びNAH層を透
過した後の夫々のＸ線強度スペクトルを曲線（ａ）
（ｂ）及び（ｃ）として示した。 また第５図（Ａ）にはAH層とNAH層の間に50μｍの錫
箔を差挾んだ時の分解図及び同図（Ｂ）には被写体AH
層、錫箔及びNAH層透過後のＸ線強度スペクトルを夫々
曲線（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）で示した。 第４図及び第５図から放射線画像が低エネルギー成分
の作る画像と高エネルギー成分の作る画像とに良好に分
離されることが知られる。 また適当なフイルター（例えば錫箔）を用いれば放射
線エネルギーの分離が更に好都合に展開できる。 またRbBr:Tl+蛍光体及びBaFBr:Eu2+の輝尽発光スペク
トル及び輝尽励起スペクトルの最高の適用条件は夫々に
異るのでRbBr:Tl+蛍光体層には780mm程度の半導体レー
ザで励起し、BaFBr:Eu2+蛍光体層はAr+レーザ、He−Ne
レーザで励起して、画像分離に輝尽励起光の効果を加え
て画像を分離することにより更に容易、確実にすること
ができる。 本発明の変換パネルは第６図に概略的に示される放射
線画像変換方法に用いられる場合に優れた放射線画像を
与える。 尚本発明に於ては、少くともAH層とNAH層の２層に別
けて高、低エネルギー画像を形成するので、該励起の順
に第１、第２の番号を付って表現する。第６図において
100は撮影部、200は第１の輝尽性蛍光体に蓄積された放
射線画像を読み取るための第１読み取り部、300は第２
の輝尽性蛍光体に蓄積された放射線画像を読み取るため
の第２読み取り部、400は再生記録部をそれぞれ示して
いる。 撮影部100においては放射線源101から被写体102に向
けて照射された放射線は被写体102を透過した後、放射
線画像変換パネル103の輝尽性蛍光体層104を構成する輝
尽発光効率の輝尽励起エネルギー依存性の互いに異なる
第１の輝尽性蛍光体層105および第２の輝尽性蛍光体層1
06（この第１及び第２の輝尽性蛍光体のうち、105がAH
であれば106がNAHである。但し照射方向は対応して変え
ることが好しい）に吸収され、被写体の放射線画像が蓄
積記録される。次いでこの放射線画像変換パネル103は
第１読み取り部200へ送られる。 第１読み取り部200においては、読み取り光源201から
の第１の輝尽励起光202はガルバノミラー等の光偏向器
により放射線画像変換パネル103の輝尽性蛍光体層104上
に一次元的に偏向されて放射線画像変換パネル103が副
走査されることにより、輝尽性蛍光体層104の全面にわ
たって輝尽励起光202が照射される。このように輝尽励
起光202が照射されると、放射線画像変換パネル103の輝
尽性蛍光体層104を構成する第１の輝尽励起光202にマッ
チングした輝尽励起エネルギー分布をもつ第１の輝尽性
蛍光体層105は、これに蓄積記録されている放射線エネ
ルギーに比例する輝尽発光を発する。この発光は輝尽励
起光202のみをカットするフイルター203を透過した後、
公電変換器204に入射し、光電変換される。光電変換後2
04の出力は増幅器205によって増幅される。第１の輝尽
性蛍光体層105の読み取りを終了した放射線画像変換パ
ネル103は、第２読み取り部300へ送られる。 第２読み取り部300においては、第１読み取り部200の
場合と同様にして読み取り光源301からの第２の輝尽励
起光302はガルバノミラー等の光偏光器により放射線画
像変換パネル103の輝尽性蛍光体層104上に一次元的に偏
光されて、放射線画像変換パネル103が幅走査されるこ
とにより、輝尽性蛍光体層104の全面にわたって輝尽励
起光302が照射される。このうよに輝尽励起光302が照射
されると、放射線画像変換パネル103の輝尽性蛍光体層1
04を構成する第２の輝尽励起光302にマッチングした輝
尽励起エネルギー分布をもつ第２の輝尽性蛍光体層106
は、これに蓄積記録されている放射線エネルギーに比例
する輝尽発光を発し、この発光は輝尽励起光302のみを
カットするフィルター303を透過した後、光電変換器304
に入射し、光電変換され、増幅器305によって増幅され
る。 第１読み取り部200の最終出力206および第２読み取り
部300の最終出力306は、それぞれ別々に再生記録部400
に於てハードコピーあるいはCRT等に可視画像として出
力してもよいし、電気的に重ね合わせ処理あるいは減算
処理等を施して１枚の可視画像としてハードコピーある
いはCTR等に出力してもよい。 第６図の再生記録部400はハードコピーとして感光材
料を用いる実施態様を示しているが該再生記録部400に
おいては、記録用レーザ光源402からのレーザ光403が、
光変調器401により画像信号に基づいて変調され、走査
ミラー404によって写真フィルム等の感光材料405上を走
査される。また感光材料405はレーザ光403の走査に同期
して副走査されるので、感光材料405上に放射線画像が
出力される。 前記の放射線画像変換パネル103の第１の輝尽性蛍光
体層105と第２の輝尽性蛍光体層106はこの順に読み取る
必要はなく、逆であってもまた同時であってもよい。ま
た読み取り部は１つであってもよい。 さらに第１読み取り部200の最終出力206から放射線画
像変換パネル103に蓄積記録されている放射線情報を把
握し、この情報を基にして第２読み取り部300の光電交
換器304の感度、増幅器305の増幅率等を設定するように
することができる。 即ち第１読取り結果を、本格的に観察読影する放射線
画像となる第２読取りによってえられる画像調整のため
のパイロットとして用い、読影目的に最も適した画質に
調える用に供することができる。 更に具体的に第７図に示すブロック図によって説明す
る。 第７図に於て前記の通り205は第１読取り部の増幅
器、206はその画像信号出力、305は第２読取り部の増幅
器、304は同部の光電変換器である。 307は画像信号出力206の情報に基いて画像制御を行う
制御回路、307による制御は前記光電変換器304増幅器30
5及びA/D変換器308、信号処理回路309を総括し画像信号
306を整えて、前記光変調器401に入り観察読影に適した
画像を再生記録部４に出現させる。 即ち光電変換器304の出力は増幅器305によって増幅さ
れ、A/D変換器308によってA/D変換された後、信号処理
回路309によって診断適正の優れた放射線画像が得られ
るように信号処理される。光電変換器304および増幅器3
05の増幅率、A/D変換器308の収録スケールファクタ及び
信号処理回路309における信号処理条件は、前述のよう
に第１読み取り部200において得られた前記放射線画像
の蓄積記録情報に基づいて制御回路307によって最も適
切な条件に設定される。 信号処理回路309より出力された画像信号306は記録部
400へ伝送される。 （実施例） 次に実施例を示し、本発明を具体的に説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。 実施例１ RbBr:Tl+蛍光体、BaFBr:Eu2+蛍光体の夫々単独からな
る輝尽性蛍光体層を別層として有する変換パネルP1を作
成し、エネルギー・サブトラクションによる放射線画像
変換を行い、えられる画像特性を観察した。 前記変換パネルP1の輝尽性蛍光体層は夫々RbBr:Tl+蛍
光体及びBaFBr:Eu2+蛍光体の８重量部と、ポリビニルブ
チラール１重量部を、溶剤（シクロヘキサン）を用いて
分散させ、これをポリエチレンテレフタレート基板の両
面に均一に塗布し、一昼夜放置し、自然乾燥することに
よって、それぞれ約300μｍの蛍光体層を形成して作製
した。 上記のようにしてえた変換パネルP1はRbBr:Tl+蛍光体
層が被写体に近く位置するように置き、管電圧120KVの
Ｘ線10ミリレントゲンを、銅とポリメチルメタクリレー
ト樹脂からなる被写体をとおして照射し、変換パネルP1
の夫々の輝尽性蛍光体層に輝尽潜像を形成した。 次にRbBr:Tl+蛍光体層に対しては半導体レーザ光（78
0nm,10mV）、BaFBr:Eu2+蛍光体層に対してはHe−Neレー
ザ光（633nm、10mV）を輝尽励起光として、夫々輝尽性
蛍光体層をスキャンし輝尽発光による画像を求めた。変
換パネルP1のRbBr:Tl+蛍光体層からはＸ線の低エネルギ
ー成分吸収像（前記樹脂像が強調された画像）がえら
れ、BaFBr:Eu2+蛍光体層からは高いエネルギー成分吸収
像（銅の像が強調された画像）がえられた。 上記両者に夫々重み付け像幅を施し両者をサブトラク
ションすると、完全に樹脂像または銅の像が分離された
画像が得られた。 実施例２ 前記変換パネルP1のRbBr:Tl+蛍光体層とBaFBr:Eu2+蛍
光体層の間に厚さ50μｍの錫箔からなる放射線吸収層を
差挾んで変換パネルP2を作成し、実施例１と全く同じ条
件でえられる画像特性を観察した。 変換パネルP2のBaFBr:Eu2+蛍光体層からえられる画像
は前記変換パネルP1の場合よりも更に樹脂像が抑えられ
銅の像が強調され、エネルギー・サブトラクシヨンは容
易であった。 比較例１ BaFBr:Eu2+蛍光体層とLaOBr:Ce2+蛍光体層を別層とし
て有する変換パネルP3を前記変換パネルP1と全く同条件
で作り、変換パネルP3に於てBaFBr:Eu2+蛍光体層が被写
体に近いように配置し実施例１と同条件で観察を行っ
た。但し輝尽励起光にはHe−Neレーザ光を用いた。 比較例２ BaFBr:Eu2+蛍光体層の２層からなり、その間に前記錫
箔からなる放射線吸収層を介在させた変換パネルP4を作
成し、実施例１と同条件の観察を行った。但し輝尽励起
はHe−Neレーザ光によって行った。 変換パネルP3及びP4に於ては高エネルギー成分吸収像
と低エネルギー成分吸収像との分離が甚だ不十分であ
り、両者に夫々重み付け増幅を施し、両者をサブトラク
ションしても十分なサブトラクション像は得られなかっ
た。 （発明の効果） 以上説明したように、本発明の放射線画像変換パネル
を用いれば、１回の放射線照射によって少なくとも２枚
のエネルギー・サブトラクションに適した放射線画像デ
ータを得ることが可能となる。 また複数枚の変換パネルを重積する必要がないので重
ね合せ処理等で像のズレを生ずることがなく高品位な放
射線画像を得ることが必要となる。 また、本発明の放射線画像変換パネルを用いる読取り
方法によれば、第１読取りを実施することによって第２
読取りの際に放出されるべき蓄積放射線エネルギーの減
少がまったくないので、第１読取りに起因するシステム
感度の低下を防止することが可能となる。 更に本発明の放射線画像変換パネルを用いれば、放射
線画像変換パネルに記録されている放射線画像の蓄積記
録情報を予め精度よく把握することができるので、格別
に広いダイナミックレンジを有する読み取り系を使用し
なくても前記蓄積記録情報に基づいて読み取りゲインを
適当に調節することにより、撮影条件等が変動しても常
に診断適性の優れた放射線画像を得ることが可能とな
る。 また、放射線画像変換パネルに記録されている放射線
画像の記録パターンを予め把握できるので、前記記録パ
ターンに応じた信号処理を第２読取り後の電気信号に対
して施すことにより、診断適性の優れた放射線画像を得
ることが可能となる。 本発明は前述のような多数の効果があり、工業的に非
常に有用である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の変換パネルの構成態様例の断面図であ
る。 第２図並びに第３図は、本発明に係るAH及びNAH並びに
錫箔のＸ線吸収スペクトルである。 第４図及び第５図は変換パネル構成層透過毎のＸ線強度
スペクトルである。 第６図は本発明の変換パネルを用いる放射線画像変換方
法の説明図であり、第７図は該方法に於る画像再生記録
部のブロック図である。 100……撮影部 101……放射線源 102……被写体 103……放射線画像変換パネル 104……輝尽性蛍光体層 105……第１の輝尽性蛍光体層 106……第２の輝尽性蛍光体層 107……支持体 200……第１読み取り部 201……輝尽励起光源 202……輝尽励起光 203……フィルター 204……光電変換器 205……増幅器 206……出力 300……第２読み取り部 301……輝尽励起光源 302……輝尽励起光 303……フィルター 304……光電変換器 305……増幅器 306……出力 400……再生記録部
る。 第２図並びに第３図は、本発明に係るAH及びNAH並びに
錫箔のＸ線吸収スペクトルである。 第４図及び第５図は変換パネル構成層透過毎のＸ線強度
スペクトルである。 第６図は本発明の変換パネルを用いる放射線画像変換方
法の説明図であり、第７図は該方法に於る画像再生記録
部のブロック図である。 100……撮影部 101……放射線源 102……被写体 103……放射線画像変換パネル 104……輝尽性蛍光体層 105……第１の輝尽性蛍光体層 106……第２の輝尽性蛍光体層 107……支持体 200……第１読み取り部 201……輝尽励起光源 202……輝尽励起光 203……フィルター 204……光電変換器 205……増幅器 206……出力 300……第２読み取り部 301……輝尽励起光源 302……輝尽励起光 303……フィルター 304……光電変換器 305……増幅器 306……出力 400……再生記録部
フロントページの続き
(72)発明者 島田 文生
日野市さくら町１番地 小西六写真工業
株式会社内
審査官 山田 泰之
(56)参考文献 特開 昭58−109898（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−21179（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−166380（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−101174（ＪＰ，Ａ)
特開 昭56−74175（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−264084（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−236889（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−157573（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−72089（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−209187（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−212491（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．下記一般式で表されるアルカリハライド蛍光体を輝
尽性蛍光体として含有する輝尽性蛍光体層、及び放射線
エネルギー吸収特性において、高エネルギー成分の吸収
度が該蛍光体より大きくなるように輝尽発光効率の放射
線エネルギー依存性が異なる輝尽性蛍光体を含有する輝
尽性蛍光体層を輝尽励起光遮断層を介して有するエネル
ギーサブトラクション用放射線画像変換パネル。 〔一般式〕 MIX,aMIIＸ′２・bMIIIＸ″３:cA 〔但し、MIはLi,Na,K,Rb及びCsから選ばれる少なくとも
１種のアルカリ金属であり、MIIはBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,C
d,Cu及びNiから選ばれる少なくとも１種の二価金属であ
る。MIIIはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,E
r,Tm,Yb,Lu,Al,Ga及びInから選ばれる少なくとも１種の
三価金属である。Ｘ、Ｘ′及びＸ″はF,Cl,Br及びＩか
ら選ばれる少なくとも１種のハロゲンである。ＡはEu,T
b,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu及
びMgから選ばれる少なくとも１種の金属である。またａ
は、０≦ａ＜0.5の範囲の数値であり、ｂは０≦ｂ＜0.5
の範囲の数値であり、ｃは０＜ｃ≦0.2の範囲の数値で
ある。〕 ２．上記一般式で表されるアルカリハライド蛍光体とは
輝尽発光効率の放射線エネルギー依存性が異なる輝尽性
蛍光体が、アルカリ土類金属弗化物系蛍光体であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の放射線画像変
換パネル。 ３．上記一般式で表されるアルカリハライド蛍光体とは
輝尽発光効率の放射線エネルギー依存性が異なる輝尽性
蛍光体が、ランタンオキシハライド系蛍光体であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の放射線画像変
換パネル。 ４．上記一般式で表されるアルカリハライド蛍光体が、
ルビジウム系蛍光体であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項乃至第３項記載の放射線画像変換パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61055862A JP2700788B2 (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | アルカリハライド蛍光体を含む複層構成の放射線画像変換パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61055862A JP2700788B2 (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | アルカリハライド蛍光体を含む複層構成の放射線画像変換パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62212492A JPS62212492A (ja) | 1987-09-18 |
| JP2700788B2 true JP2700788B2 (ja) | 1998-01-21 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2700788B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| JPS61236889A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換方法およびその方法に用いられる放射線像変換パネル |
| JPS61264084A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 螢光体およびそれを用いた放射線像変換パネル |
-
1986
- 1986-03-13 JP JP61055862A patent/JP2700788B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62212492A (ja) | 1987-09-18 |
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