JPS62212492A - アルカリハライド蛍光体を含む複層構成の放射線画像変換パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに
関し、更に詳しくはアルカリハライド蛍光体を含有する
蛍光体複層構成の放射線画像変換パネルに関する。

（従来技術） Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。このＸ線画像を得るために、被写体を透
過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、こ
れＫより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
とるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射し
て現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。更
に銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光体層から
直接画像を取り出す方法が知られている。

この方法としては、被写体を透過した放射線を蛍光体に
吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば光又は熱エ
ネルギーで励起することにより、この蛍光体が上記吸収
によシ蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射
せしめ、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具
体的には、例えば米国特許３，８５９，５２７号及び特
開昭５５−１２１４４号には輝尽性蛍光体を用い、可視
光線又は赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法
が示されている。この方法は、支持体上に輝尽性蛍光体
層を形成した放射線画像変換パネルを使用するもので、
この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を
透過した放射線を当てて被写体各部の放射線透過度に対
応する放射線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、し
かる後にこの輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査するこ
とによりて各部の蓄積された放射線エネルギーを放射さ
せてこれを光に変換し、この光の強弱による光信号によ
り画像を得るものである。この最終的な画像はハードコ
ピーとして再生してもよいし、ＣｒＬＴ上に再生しても
よい。

一方、物体を透過してくる放射線によって物体の内部を
探査する。例えば診療用Ｘ線撮影のような方法において
、物質の放射線吸収係数の放射線エネルギー依存性が物
質によって異なることを利用して、その探査能力を向上
させようとする試みがなされてきた。

例えば、日医放会誌　第１２巻　第１号　ｎページに発
表されているように、２枚の増感紙Ａ、Ｂを交換して使
用し、ＡはＸ線によシ赤橙色に、Ｂは青緑色に発色する
ものを用い、それぞれ異なるＸ線管球電圧と、異なるフ
ィルターとを用い、１枚のカラーフィルム上に２回のＸ
線照射を行って撮影する方法がある。

しかしながら、このような複数回のＸ線照射を行う方法
は、単に手数がかかるばかりでなく診療用の場合には、
患者の被曝線量を増大させるという問題があり、また、
人体をはじめ動く物体の撮影の場合には、複数回のＸ線
照射の間の物体の動きが大きな障害となって、実用的で
ない。

このような欠点を取り除く試みとして、蛍光体の組成と
賦活剤の混合比を変えて、三原色が同時に発光する特殊
カラー増感紙とカラーフィルムを用いて、Ｘ線撮影を行
う方法が知られている。しかし、この方法は、現像処理
に多大な時間と労力が必要であシ、実用化されていない
。

更に同一被写体に対して、互いに異なるエネルギー分布
を有する２種類の放射線を照射し、注目している物質が
異なって描出された２つの放射線画像を得、その後両画
像間で引き算を行ない、注目している物質の画像を得る
、いわゆるエネルギー・サブトラクシ１ン方法が知られ
ている。

しかし、この方法では既存の１．ＩチューブとＴＶカメ
ラからなるＸ線透視カメラの出力をデジタル処理し、或
いはＸｅ−検出器等ＣＴに使われるＸ線検出システムを
用いて画像を得るので、得られる画像は使用する機器の
画像分解能によりその画質が左右される。現在の機器は
前記画像分解能があまり高くなく、注目している物質に
対する微細な診断は不可能であるという問題がある。

しかも特殊な放射線源を必要としたり、２種の画像間に
撮影時間の差がある場合には画像自体にもずれが生じる
等画質以前の極めて対応困難な問題も含まれている。

これに対して、前記した輝尽性蛍光体からなる放射線画
像変換パネル（以後単に「変換パネル」と称す）を複数
枚構成とし、更には放射線の低エネルギー成分吸収物質
からなるフィルタを有する変換パネルを用いて、前記注
目している物質に対応する部分の画像情報を前記複数枚
の変換パネルに蓄積記録し、その後各放射線画像からサ
ブトラクション画像を得る方法が知られている。

具体的には、特開昭５９−８３４８６号に以下のよな種
々の方法が示されている。

（１）被写体に放射線を照射し、この被写体を透過した
放射線を、複数枚重積してセットされた輝尽性蛍光体層
を有する変換パネルに同時に照射して、これら変換パネ
ルのうち被写体からより遠い位置に置かれた変換パネル
に被写体により近い位置に置かれた変換パネルよりも前
記特定の構造物に対応する部分において放射線の低エネ
ルギー成分がより吸収された画像情報がＷｔ［されるよ
うに各変換パネル毎に放射線画像を蓄積記録し、その後
前記各変換パネルを輝尽励起光で走査して、それら変換
パネルに蓄積記録された各放射線画像を輝尽発光に変換
し、この輝尽発光を光電的に読み取ってデジタル画像信
号に変換し、このデジタル画像信号に変換された前記各
放射線画像から少なくとも２つのサブトラクションすべ
き放射線画像を得、この少なくとも２つのサブトラクシ
ョンすべき放射線画像の対応する画素間でデジタル画像
信号の引き算を行なう方法、 （２）被写体に放射線を照射し、この被写体を透過した
放射線を ａ）重積してセットされた複数枚の変換パネルと ｂ）これら変換パネルの各変換パネル間の少なくとも１
個所に介在せしめられた放射線の低エネルギー成分吸収
物質からなるフィルタとからなる変換パネル−フィルタ
重積体に照射し、フィルタが介在せしめられている個所
に関して被写体とは反対の側に位置する変換パネルに被
写体の側に位置する変換パネルよりも前記特定の構造物
に対応する部分において放射線の低エネルギー成分がよ
り吸収された画像情報が記録されるように各変換パネル
に放射線画像を蓄積記録し、その後前記各変換パネルを
輝尽励起光で走査して、それら変換パネルに蓄積記録さ
れた各放射線画像を輝尽発光に変換し、この輝尽発光を
光電的に読み取ってデジタル画像信号に変換し、フィル
タが介在せしめられた個所によって（フィルタが介在せ
しめられた個所の数＋１）個のブロックに分けられた前
記変換パネル−フィルタ重積体の各ブロック毎にそのブ
ロックに存在する変換パネルから得られた前記デジタル
画像信号に変換された放射線画像より１つのサブトラク
シコンすべき放射線画像を得ることによって（フィルタ
が介在せしめられた個所の数＋１）個のサブトラクショ
ンすべき放射線画像を得、それらサブトラクションすべ
き放射線画像の対応する画素間でデジタル画像信号の引
き算を行なう方法、などである。

しかし、これら方法のうち（１）の方法は、変換パネル
が複数枚となるため取扱いが面倒である、サブトラクシ
ョン時における位置合わせがむずかしい等の欠点がある
。更に（１）の方法では、複数枚の変換パネルの放射線
吸収特性を変えるために放射線吸収特性の異なる輝尽性
蛍光体を用いたり、輝尽性蛍光体層中に放射線の低エネ
ルギー成分吸収物質を混入する必要があるが、前者では
使用する輝尽性蛍光体が著しく限定されるため好ましく
ない。また後者では低エネルギー成分吸収物質のために
変換パネルの感度が低下して好ましくない。

（２）の方法は、前記（１）の方法の様に低エネルギー
成分吸収物質が使用されないので感度の低下はないが、
（１）の方法と同様に変換パネルが複数枚となるため取
扱いが面倒である、サブトラクション時における位置合
わせがむずかしい等の欠点があるばかりか、複数の輝尽
性蛍光体層間に支持体とフィルタが存在するため、得ら
れる画像間でズレが生じアーチファクトとなる重大な欠
点を有し、どの方法も操作面、画質面の両方に於て極め
て重要な問題が生じてしまう。

一方、前記複数枚の変換パネルを用いる方法に対して１
枚の変換パネルに複数の放射線画像を蓄積記録し、その
後裔放射線画像からサブトラクション画像を得る方法も
知られている。

具体的には、前記特開昭５９−８３４８６号に示される
ような、 （３）被写体に放射線を照射し、この被写体を透過した
放射線を ａ）放射線の低エネルギー成分吸収物質からなる支持体
と、 ｂ）この支持体の画面上に設けられた輝尽性蛍光体層 とからなる変換パネルに照射し、前記変換パネルの支持
体の被写体とは反対側の面上に設けられた輝尽性蛍光体
層に該支持体の被写体側の面上に設けられた輝尽性蛍光
体層よりも前記特定の構造物に対応する部分において放
射線の低エネルギー成分がより吸収された画像情報が記
録されるように各輝尽性蛍光体層に放射線画像を蓄積記
録し、その後前記各輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査
してそれら層に蓄積記録された各放射線画像を輝尽発光
に変換し、この輝尽発光を光電的に読み取ってデジタル
画像信号に変換し、このデジタル画像信号に変換された
２つの放射線画像の対応する画素間でデジタル画像信号
の引き算を行なう方法、特開昭６０−３５３００号に示
されるような、（４）被写体に放射線を照射し、この被
写体を透過した放射線を、輝尽発光効率の放射線エネル
ギー依存性が互いに異なる２種類以上の輝尽性蛍光体を
有する変換パネルに照射して、複数の放射線画像を蓄積
記録し、その後前記変換パネルを輝尽励起光で走査して
、前記蓄積記録された複数の放射線画像を分離して検出
し、該放射線画像の少なくとも２つを用いてサブトラク
ションを行なう方法、などである。

これらの方法は、複数の放射線画像が１枚の変換パネル
から得られるので、変換パネルの取扱い、サブトラクシ
コン時の画像の位置合わせ等が容易である利点を有する
。

しかし、これら方法のうち（３）の方法は、放射線エネ
ルギーの分離を支持体のみによって行なうため、支持体
を金属等の放射線吸収特性のよい物質にする必要があり
パネルの取扱いが不便となる、パネルの曲げに対する耐
久性が低下する等の欠点があるばかりか、前記と同様の
理由により、放射線エネルギーの分離が十分ではなく、
得られる複数枚の放射線画像間に放射線エネルギー差に
よる違いがほとんどないので、サブトラクションした場
合に良好な画像が得られない欠点がある。

また、（４）の方法は輝尽発光効率の放射線エネルギー
依存性が異なる蛍光体を用いて放射線エネルギーを分離
吸収し、その蓄積記録された複数枚の放射線画像を分離
検出する方法は甚だ有用であるけれども、従来用いられ
る輝尽性蛍光体の種類が限定されており選択が難しく、
また前記放射線画÷象を分離するのが困難であるのが現
状である。

即ち従来知られている輝尽性蛍光体のうち、Ｘレイに対
する感度、輝尽励起光に対する応答速度、残光等の点か
ら実用の範囲に入るものは、ＢａＦＸ２＋ ：Ｅｕ　　またはＬａ０Ｘ　：　Ｏｅ　　であり、これ
らはＸレイの吸収特性に゛あまり差がなく吸収差別化に
種々の補充手段を必要とする。

（発明の目的） −本発明は前記の様な状況に鑑みてなされたものであり
、本発明の目的は下記要件を満す変換パネルの提供にあ
る。

（１）エネルギーサブトラクシコンを簡便に行ない得る
こと、 （２）　　エネルギーサブトラクションすべき２枚の画
像の位置合わせが容易なこと、 （３）変換パネルが複数枚とならず取扱いが容易である
こと、 （４）　　エネルギーサブトラクションすべき２枚の画
像間で放射線エネルギーの分離が十分室なわれているこ
と。

（発明の構成） 前記本発明の目的は、輝尽発光効率の放射線エネルギー
依存性が異る少くとも２種類の輝尽性蛍光体が夫々に少
くとも２つの別層の輝尽性蛍光体層に含まれて構成され
る放射線画像変換・くネルに於て、前記少くとも２種類
の輝尽性蛍光体の１つが下記一般式で表わされるアルカ
リノ・ライド蛍光体であることを特徴とする称記放射線
画像変換ノくネルによって達成される。

〔一般式〕

Ｍ’Ｘ　、　ａＭ”Ｘ’２　・ｂＭ”Ｘ：　：　ｃＡ但
し、ＭｌはＬｉ　、　Ｎａ　、　Ｋ　、　Ｒｂ及びＣａ
から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属であり、Ｍ
ｌはＢｅ　、　Ｍｇ　、　Ｃ！ａ　、　Ｓｒ　、　Ｂａ
　、　Ｚｎ　、　Ｃｄ　、　Ｏｕ及びＮｉから選ばれる
少なくとも１種の二価金属である。

ＭｌｉはＳｃ　、　Ｙ　、　Ｌａ　、　Ｃｅ　、　Ｐｒ
　、　Ｎｄ　、　Ｐｍ　、　Ｓｍ　。

Ｅｕ　、　Ｇｄ　、　Ｔｂ　、　ＤＹ　、　Ｈｏ　、　
Ｅｒ　、　Ｔｍ　、　Ｙｂ　、　Ｌｕ　。

Ａｌ、　Ｇａ及びＩｎから選ばれる少なくとも１種の三
価金属である。ｘ　、　ｘ’及びｘ’はＦ、Ｏｅ、Ｂｒ
及びＩから選ばれる少なくとも１種の・・ロゲンである
。ＡはＥｕ　、　Ｔｂ　、　Ｏｃ　、　Ｔｍ　、　Ｄｙ
　、　Ｐｒ　、　Ｈａ　。

Ｎｄ　　、　Ｙｌ）　、　Ｅｒ　　、　Ｇｄ　　、　Ｌ
ｕ　　、　Ｓｍ　、　Ｙ　、　Ｔ（Ｊ　　、　Ｎａ　。

Ａｇ　、　Ｏｕ及びＭｇから選ばれる少なくとも１種の
金属である。またａは、０≦ａ　＜　０．５の範囲の数
値であり、ｂはＯ≦ｂ　＜　０．５の範囲の数値であり
、ＣはＯ＜Ｃ５０，２の範囲の数値である。

次に本発明の詳細な説明する。

本発明に於て、輝尽発光効率の放射線エネルギー依存性
が異るとは、具体的には組成の異なる輝尽性蛍光体であ
って放射線例えばＸ線の吸収特性を異にし硬Ｘ線に対し
好都合にＸ線エネルギーを吸収するもの或は軟Ｘ線に対
し好都合なものであり、付随的にＸ線を吸収した輝尽性
蛍光体間に輝尽潜像の輝尽発光スペクトル及び／または
輝尽励起光スペクトルが異っていることを意味する。

場所的に放射線吸収効率の放射線エネルギー依存性（放
射線吸収スペクトル）が異なる被写体に放射線を照射し
た場合、透過した放射線のつくる画像は、その放射線エ
ネルギーの硬軟によって異なっている。

例えば、高いエネルギーの放射線照射によって得られる
放射線画像は、高いエネルギーの放射線をより吸収しや
すい物質を強調し、低いエネルギーの放射線照射によっ
て得られる放射線画像は、低いエネルギーの放射線をよ
り吸収しやすい物質を強調する。

従って、被写体にいくつかのエネルギーを含むブロード
な波長域の放射線を照射し、透過してくる放射線画像を
変換パネルに入射すると、蓄積エネルギーからなる放射
線画像の潜像（輝尽潜像）は、変換パネルを構成する輝
尽発光効率の放射線エネルギー依存性が互いに異なる輝
尽性蛍光体の組み合せ方に応じ、複数の潜像を同時に１
枚のパネル上に得ることができる。

このようにして得られた複数の潜像を分離して検出し、
複数の画像を再生するには、次のようないくつかの方法
がある。

ひとつは、輝尽発光効率の放射線エネルギー依存性と輝
尽発光スペクトルが互いに異なる輝尽性蛍光体を組み合
わせて使用し、輝尽発光の検出に際し、この発光スペク
トルの差を利用して分離する方法である。

また、他のひとつは、輝尽発光効率の放射線エネルギー
依存性と輝尽励起スペクトルが互いに異なる蛍光体を使
用し、波長の異なる輝尽励起光で輝尽発行させることに
よって分離する方法である。

画像を再生する別のひとつの方法は、輝尽発光効率の放
射線エネルギー依存性が互いに異なる輝尽性蛍光体を、
層状に配置し、その空間的位置を利用して分離する方法
である。

前記本発明に係るアルカリハライド蛍光体（以後１’−
Ａ　ＨＪと標記する）としては前記一般式に於て、ＭＩ
がＫ　、　Ｒｂ　、　Ｏｓのうちの少くとも１つのアル
カリ金属であり、Ｍ’としてＭｇ　、　Ｏａ　、　Ｓｒ
　’＋　Ｂａのうちの少くとも１つのアルカリ土類金属
であり、また付活剤ＡはＥｕ　、　Ｔｌ、　Ｎａのうち
の少くとも１つであり、且つ０≦ａ　＜　０．１．０≦
ｂ＜０．０５．０　（ｃ≦０．１である蛍光体が好しい
。特に好しくは、ＭｌがＲｂ及び／まだはＣｓ、Ｍ’が
Ｃａ　、　Ｓｒ　。

Ｂａのいずれかであり、ＡがＴｅ及び／またはＮａであ
り、且つ０≦ａ＜０．１，０≦ｂ　＜　０．０１である
蛍光体である。

本発明に係るＡ　Ｉ−Ｉは、変換パネルの輝尽性蛍光体
層中に３０ｗ１　％以上、好ましくは５０ｗｔ１以上、
最も好ましくは全量Ａ　Ｉ−Ｉである。

本発明の放射線画像変換パネルにおいて輝尽性蛍光体と
は、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射された
後に、先約、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺
激（輝尽励起）により、最初の光もしくは高エネルギー
放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体を言う
が、実用的な面から好ましくは５００ｎｍ以上の輝尽励
起光によりて輝尽発光を示す蛍光体である。本発明の放
射線画像変換パネルに用いられるアルカリハライド蛍光
体以外の輝尽性蛍光体（以後「Ｎ　Ａ　Ｉ−Ｉ　）と標
記する）としては、例えば特開昭４８−８０４８７号に
記載されているＢａＳＯ４：　Ａｘ　（但しＡはＤｙ、
Ｔｂ及びＴｍのうち少なくとも１種であり、ｘは０．０
０１≦ｘ　＜　１モルチである。）で表わされる蛍光体
、特開昭４８−８０４８８号記載のＭｇＳＯ４：　Ａｘ
　（但しＡはＨｏ或いはＤｙのうちいづれかであり、０
．００１≦Ｘ≦１モルチである）で表わされる蛍光体、
特開昭４８−８０４８９号に記載されているＳｒＳＯ４
：　Ａｘ（但しＡはＤｙ、　Ｔｂ及びＴｍのうち少なく
とも１種であり、Ｘは０．００１≦ｘ＜ｔモルチである
。）で表わされている蛍光体、特開昭５１−２９８８９
号に記載されているＭａ２ＳＯ４、０ａＳＯ４及びＢａ
８０４等にＭｎ　、　Ｄｙ及びＴｂのうち少なくとも１
種を添加した蛍光体、特開昭５２−３０４８７号に記載
されているＢｅＯ、ＬｉＦ　、　ＭｇＳＯ４等の蛍光体
、特開昭５３−３９２７７号に記載されているＬｉ２Ｂ
４Ｏ，：　Ｃ！ｕ　、　Ａｇ等の蛍光体、特開昭５４−
４７８８３号に記載されているＬｉｚＯ・（Ｂ２０ｚ）
ｘ　：　Ｏｕ　（但しＸは２＜Ｘ≦３）、及びＬｉ２Ｏ
−（Ｂ２０２）ｘ　：　Ｏｕ　、　Ａｇ　（但しＸは２
　＜　ｘ≦３）等の蛍光体、米国特許３．８５９．５２
７号に記載されているＳｒＳ　：Ｃｅ　、　Ｓｍ、　Ｓ
ｒＳ　：　Ｅｕ　、　Ｓｍ。

Ｌａ２Ｏ２Ｓ　：　Ｈｕ　、　Ｓｍ及び（Ｚｎ　、　ｃ
ｄ　）　Ｓ　：　Ｍｎ　、　Ｘ　（但しＸはハロゲン）
で表わされる蛍光体が挙げられる。また、特開昭５５−
１２１４２号に記載されているＺｎＳ　：　Ｏｕ　、　
Ｐｂ蛍光体、一般式がＢａＯ−ｘＡｌ２Ｏ３：Ｅｕ　（
但し０．８≦Ｘ≦１０）で表わされるアルミ／酸バリウ
ム蛍光体、及び一般式がＭ　Ｏ＊　ｘｓｉ０２　：　Ａ
（但しＭはＭｇ　、　Ｃａ　、　Ｓｒ　、　Ｚｎ　、　
Ｃｄ又はＢａであｊ５ＡはＯｅ　、　Ｔｂ　、　Ｅｕ　
、　Ｔｍ　、　Ｐｂ　、　Ｔｌ　、　Ｂｉ及びＭｎのう
ち少なくとも１種であり、Ｘは０．５≦Ｘ＜２．５であ
る。）で表わされるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が
挙げられる。また、一般式が（Ｂａ１−、−、Ｍｇ、Ｏ
ａ、）　ＦＸ　：　ｅｍｕ”（但しＸはＢ「及びＣｌの
中の少なくとも１つであシ、”＋ｆｆ及びｅはそれぞれ
０＜＃＋、≦０．６１、、！′０及び１０−６≦Ｃ≦５
　Ｘ　１０−”なる命件を満たす数である。）で表わさ
れるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、％開昭５５
−１２１４４号に記載されている一般式が ＬｎＯＸ　：　ＪｅＡ （但しＬｎはＬａ　、　Ｙ　、　Ｇｄ及びＬｕの少なく
とも１つを、ＸはＣｌ及び／又はＢｒを、Ａは（３ｅ及
び／又はＴｂを、Ｘは０＜、＜０．１を満足する数を表
わす。）で表わされる蛍光体、７．特開昭５５−１２１
４５、号に記載されている一般式が （Ｂａｔ−、Ｍ　ＪＦ）　ＦＸ　：　ｙＡ（但しＭｌは
、Ｍｇ　、　Ｏａ　、　Ｓｒ　、　Ｚｎ及びＣｄのうち
の少なくとも１つを、ＸはＣＩ　、　Ｂｒ及び工のうち
の少なくとも１つを、ＡはＥｕ　、　Ｔｂ　、　Ｏｅ　
、　Ｔｍ　。

Ｄｙ　、　Ｐｒ　、　Ｈｏ　、　Ｎｄ　、　Ｙｂ及びＥ
「のうちの少なくとも１つを、２及びｙは０≦２≦０．
６及び０≦ｙ≦０．２なる条件を満たす数を表わす。）
で表わされる蛍光体、特開昭５５−８４３８９号に記載
されている一般式がＢａＦＸ　：　ｒｏｅ　、　ｙｋ　
（但し、ＹはＣＩ　。

Ｂｒ及びＩのうちの少なくとも１つ、ＡはＩｎ　。

Ｔｌ　、　Ｇｄ　、　Ｓｍ及びＺｒのうちの少なくとも
１つであり、Ｘ及びｙはそれぞれ０〈−≦２　Ｘ　１０
”　　及び０くν≦５　Ｘ　１０−２である。）で表わ
される蛍光体、特開昭５５−１６００７８号に記載され
ている一般式が Ｍ　ＦＸ　−’、Ａ　：　ｙＬｎ （但しＭｌはＭｇ　、　Ｏａ　、　Ｂａ’、　Ｓｒ　、
　Ｚｎ及びＣｄのうちの少なくとも１種、ＡはＢｃＯ、
ＭｇＯ、ＯａＯ。

ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３ｒ　Ｌ
ａ２Ｏ３１ｉｎ２０３１５ｉ０２　＋　ＴｉＯ２，Ｚｒ
Ｏ□、　Ｇｅｍ、　、　ＳｎＯ２，Ｎｂ２Ｏ，。

Ｔａ２０５及びＴ１１０２のうちの少なくとも１種、Ｌ
ｎはＥｕ　、　Ｔｂ　、　Ｃｅ　、　Ｔｍ　、　Ｄｙ　
、　Ｐｒ　、　Ｉ（ｏ　、　Ｎｄ　、　Ｙｂ　。

Ｅｒ　、　Ｓｍ及びＧｄのうちの少なくとも１種であり
、ＸはＣｌ、　Ｂｒ及び工のうちの少くとも１種であり
、！及びｙはそれぞれ５×１０　≦Ｘ≦０．５及びＯく
ｙ≦０，２なる条件を満たす数である。）で表わされる
希土類元素付活２価金属フルオロノ・ライド蛍光体、一
般式がＺｎＳ　：　ＡＳＯｄＳ　：　Ａ、　　（Ｚｎ　
。

Ｃｄ　）Ｓ　：Ａ、　ＺｎＳ　：Ａ、Ｘ及びＯｄＳ：Ａ
、Ｘ（但しＡはＣｕ　、　Ａｇ　、　Ａｕ　、又はＭｎ
であり、Ｘは）・ロゲンである。）で表わされる蛍光体
、特開昭５７−１４８２８５号に記載されている下記い
づれかの一般式 ％式％： ： （式中、Ｍ及びＮはそれぞれＭｇ　、　Ｃａ　、　Ｓｒ
　。

Ｂａ　、　２口及びｃｄのうち少なくとも１種、ＸはＦ
。

（ＩＪ　、　Ｂｒ及び■のうち少なくとも１種、ＡはＥ
ｕ　。

Ｔｂ　、　Ｃｅ　、　Ｔｍ　、　Ｄｙ　、　Ｐｒ　、　
Ｈｏ　、　Ｎｄ　、　Ｙｂ　、　ＦＪｒ　。

Ｓｂ　、　Ｔ６　、　Ｍｎ及びＳｎのうち少なくとも１
種を表わす。まだ、Ｘ及びｙのｏ＜、≦６．０≦ｙ≦１
なる条件を満たす数である。）で表わされる蛍光体、下
記いづれかの一般式 ％式％： （式中、几ｅはＬａ　、　Ｇｄ　、　Ｙ　、　Ｌｕのう
ち少なくとも１種、Ａはアルカリ土類金属、Ｂａ　、　
Ｓｒ　、　Ｃａのうち少なくとも１種、Ｘ及びＸ′はＦ
　、　Ｏｌｌ　、　Ｂｒのうち少なくとも１種を表わす
。また、Ｘ及びｙは、Ｉ　Ｘ　１０　　＜−＜３　Ｘ　
１０−’、ｔｘｉｏ−’＜ｙ＜１ｘＨ）−１なる条件を
満たす数であり、１７ｍはＩ　Ｘ　１Ｏ−３（１７ｍ＜
７　Ｘ　１０−１なる条件を満たす。）で表わされる蛍
光体等が挙げられる。

尚、本発明に好ましく用いられるアルカリ土類弗化物系
蛍光体の具体例としては、特開昭５５−１２１４３号、
同５５−１６００７８号及び同５５−８４３８９号に開
示された蛍光体が好ましく、特に好ましくはアルカリ土
類金属としとＢａ、付活剤としてＥｕ及び／またはＣｅ
を含むものである。

更に本発明に好ましく用いられるランタンオキシハライ
ド系蛍光体の具体例としては、特開昭５５−１２１４４
号に開示された蛍光体が好しく、特に好しくはハライド
がブロマイドであり、付活剤がＣＣである蛍光体である
。

これらＡＨとは別層に含有させるＮ　Ａ　Ｈは該層中に
３Ｏｗｔ％以上、好しくは５０Ｗｔ　１以上、最も好し
くけ全量ＮＡＨである。

本発明に係るＡＨ，または放射線エネルギー吸収特性が
高エネルギー側でＡＨよりも高いＮ　Ａ　Ｈを夫々に含
む輝尽性蛍光体層は、夫々に輝尽性蛍光体或は分散剤等
をバインダー液中に懸濁、溶解させて調合した蛍光体塗
料を性能別に分けて別層に塗布して形成される。

或はまた蒸着、スパッタリング等の気相堆積法を用いて
、蛍光体毎忙別けて蒸発させる多元蒸発源、もし蒸発速
度による支障が起らなければ混合−元蒸発源によって気
相堆積して形成させてもよいし、更に時系列的に堆積に
順序を与え多層堆積層としてもよい。

まだ本発明に於ては、前記複層の別層をなす輝尽性蛍光
体層のうち少なくとも一層が放射線エネルギー吸収層に
より他の輝尽性蛍光体層と分離されて設けられているこ
とが好しい。更に前記放射線エネルギー吸収層は放射線
の低エネルギー成分を吸収し高エネルギー成分を透過す
るものであることが好ましい。

また該吸収層の材質については金属を含有していること
が好ましく、該含有金属が金属もしくは金属化合物であ
ること、特に金属酸化物、金属水酸化物および金属塩の
中から選ばれることが好ましい。

尚隔てられた蛍光体層は放射線の入射側より射出側が厚
いことが好ましい。

前記した吸収層に含有させる金属もしくは金属化合物は
粉末（無定形状態）としてバインダーに分散して塗設さ
れてもよいし、気相堆積法（例えば蒸着法）或はミート
状の薄膜として輝尽性蛍光体層間に６００　ｔｍ未満好
ましくは４００μｍ未満の層として設けられてもよい。

前記金属としては特にＺｎ　、　Ａｌ、　Ｃｄ　、　Ａ
ｕ　、　Ａｇ　。

Ｏｒ　　、　Ｃｏ　　、　Ｓｎ　　、　Ｗ　、　Ｔｉ　
　、　Ｆｃ　　、　Ｃｕ　　、　　ＰＩ）　　、　Ｎｉ
　　。

Ｍｏ　、　Ｔａ　、　Ｎｂ及びＶが好ましく選ばれ、金
属化合物としては、これらの金属の難溶性もしくは不溶
性の化合物等に酸化物、水酸化物、金属塩等が選ばれる
。

前記金属以外としては、金属化合物として安定に存在す
るアルカリ金属、アルカリ土類金属等であってもよく、
金属化合物を吸収層に用いる場合には使用できる金属の
種類が増えて好ましい。

また前記塩としてはそれぞれの金属の硫酸塩、炭酸塩、
クロム酸塩等が好ましい。

前記金属もしくは金属化合物を無定形状態として吸収層
に用いる場合には変換パネルの可撓性が失なわれること
がなく好ましい。

また、前記金属もしくは金属化合物を無定形状態として
吸収層に用いる時には該物質が白色金属化合物特に白色
の金属酸化物、金属水酸化物、金属塩等であると、吸収
層が輝尽励起光及び／または輝尽発光の反射層となり感
度が向上しより好ましい。

更に本発明に於ては、前記複層の別層をなす輝尽性蛍光
体層のうち少なくとも一層は少なくとも一層の輝尽励起
光遮断層によって他の輝尽性蛍光体層と分離して設けら
れていることが好ましい。

変換パネルの該輝尽励起光遮断層は、輝尽励起光を反射
および／または吸収する材料であればどのようなもので
あっても使用できるが、蛍光体パネルとしての取扱い上
可撓性のあるものが好ましい。この点から、例えばＡＩ
！、　Ｐｂ　、　Ｎｉ　、　Ｃｕ　、　Ｚｎ　。

Ａｇ　、　Ｐｔ　、　Ａｕ　、　Ｆｅ等の金属およびこ
れらの合金から成る金属シート、セルロースアセテート
フィルム、ホリエステルフイルム、ポリエチレンテレフ
タレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフ
ィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフ
ィルム等のプラスチックフィルムシート、および紙など
種々のシート状材料が挙げられる。ただし、輝尽励起光
遮断層としてプラスチックフィルムシートおよび紙を用
いる場合には、これらシート自体には輝尽励起光を遮断
する能力がはとんどないため、前記シートが輝尽励起光
反射層あるいは吸収層となるように、前記シート自体を
着色する必要がある。前記シートが輝尽励起光反射層と
なるようにするには、前記シートを白色顔料等で着色す
ればよいし、輝尽励起光吸収層となるようにするには、
前記シートを輝尽励起光を吸収する顔料あるいは黒色顔
料等で着色すればよい。

前記シート自体を着色する代わりに前記シートの片面あ
るいは両面に輝尽励起光反射層あるいは吸収層を設けて
もよい。輝尽励起光反射層としては前記シートの表面に
金属反射層を蒸着、スパッタ等の方法で設けてもよいし
、白色顔料層等を塗布等の方法で設けてもよい。輝尽励
起光吸収層としては輝尽励起光を吸収する顔料あるいは
黒色顔料等を前記シートの表面に塗布等の方法で設けれ
ばよい。

さらに、必要に応じて前記シートを着色した後、その表
面に輝尽励起光反射層あるいは吸収層を設けてもよいし
、前記シートの片面に輝尽励起光反射層を設け、他方に
輝尽励起光吸収層を設けてもよい。

また、前記輝尽励起光遮断層は前記シート状材料以外に
も白色粉体あるいは黒色粉体等を樹脂中に分散し、塗布
したものであってもよい。

本発明の蛍光体パネルの輝尽励起光遮断層の層厚は、薄
い＃１ど好ましいが実用的には６００μｍ未満、さらに
好ましくは４００μｍ未満である。前記輝尽励起光遮断
層の層厚が６００μｍ以上の場合には得られる画像のズ
レが大きく好ましくないばかりか蛍光体パネル全体の層
厚自体が大きくなり、取り扱いが困難となる。尚、これ
ら輝尽励起光遮断層は、輝尽性蛍光体層との接着性を向
上させる目的で輝尽励起光遮断層の片面又は両面に下引
き層を設けてもよい。

前記放射線の吸収層は一般に輝尽励起光の遮断層として
も機能しうるので、両機能を兼用させてもよい。また支
持体は放射線吸収剤或は輝尽励起光遮断剤を含有させる
ことにより、変換パネル構成層担持機能の外に吸収層及
び／または遮断層として活用すれば変換パネルの構成を
簡略化するととができる。

次に本発明の変換パネルの構成態様例の断面図を第１図
（１）〜（ｌυに示す。

第１図に於て、１はＡ　Ｉ−Ｉを含む輝尽性蛍光体層（
Ａ　Ｈ層と称す）、２はＮ　Ａ　Ｈを含有する輝尽性蛍
光体層（ＮＡＩ−Ｉ周と称す）、３は支持体、４は保護
層である。

更に５は輝尽励起光遮断層、６は放射線吸収層、あけ励
起光遮断支持体、３６は放射線吸収支持体、５６は励起
光遮断・放射線吸収層、３５６は励起光遮断・放射線吸
収支持体である。

尚放射線の入射側にＡＨ層、その後にＮ　Ａ　Ｈ層を設
けることが好しい。また支持体３は輝尽励起光及び輝尽
発光に対し透明であることが好ましい。

（１）〜（３）の変換パネルに比較して（４）以降の変
換パネルは画像の読取りに於て２枚の画像の分離が容易
であり、より好ましい。

本発明の放射線画像変換パネルに於ては、一般的に前記
輝尽性蛍光体層及び該蛍光体層が設けられる面とは反対
側の面に、輝尽性蛍光体層及び反対側面を物理的にある
いは化学的に保護するだめの保護層が設けられてもよい
。この保護層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上等
に直接塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形成
した保護層を輝尽性蛍光体層上等に接着してもよい。あ
るいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成す
る手順を取ってもよい。保護層の材料とし一１酢酸セル
ロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート
、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリ
カーボネート、ホリエステル、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、
ポリ四フフ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、
四フフ化エチレンー六フッ化プロピレン共重合体、塩化
ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−ア
クリロニトリル共重合体等の通常の保護層用材料が用い
られる。また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法
等により、ＳｉＣ、５ｉｎ２゜ＳｉＮ　、　ｋ１２０３
などの無機物質を積層して形成してもよい。これらの保
護層の層厚は一般には０．１μｍ〜１００μｍ程度が好
ましい。

本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層を塗設
する場合に用いられるバインダーとしては、例えばゼラ
チンの如きタンパク質、デキストランの如きポリサッカ
ライドまたはアラビアゴム、ポリビニルブチラール、ポ
リ酢酸ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロース、
塩化ビニリチン−塩化ビニルコポリマー、ポリメチルメ
タクリレート、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、ポ
リウレタン、セルロースアセテートブチレート、ポリビ
ニルアルコール等のような通常層構成に用いられるバイ
ンダーが使用される。一般にバインダーは輝尽性蛍光体
１重食部に対して０．０１乃至１重量部の範囲で使用さ
れる。しかしながら、得られる放射線画像変換パネルの
感度と鮮鋭性の点ではバインダーは少ない方が好ましく
、塗布の容易さとの兼合いから０．０１乃至０．２重量
部の範囲がより好ましい。

本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の層厚
は目的とする放射線画像変換パネルの特性、輝尽性蛍光
体の種類、バインダーと輝尽性蛍光体との混合比等によ
って異なるが、塗料塗布によるときは１０μｍ〜１００
０μｍの範囲から選ばれるのが好ましく、１０μｍ〜５
００　μｍの範囲から選ばれるのがより好ましい。また
気相堆積によるときは３０μｍ〜１０００μｍが好まし
く、更に５０〜６００μｍが好ましい。

尚、本発明の放射線画像変換パネルの鮮鋭性向上を目的
として、特開昭５５−１４６４４７号に開示されている
ように放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層中に白色
粉末を分散させてもよいし、特開昭５５−１６３５００
号に開示されているように放射線画像変換パネルの輝尽
性蛍光体層もしくは入射する輝尽励起光に対して蛍光体
層底面にある支持体もしくは保護層に輝尽励起光を吸収
するような着色剤で着色してもよい。

また、特開昭５９−２０２１００号に開示されているよ
うに輝尽性蛍光体層をハニカム構造としてもよい。ある
いは特願昭５５−１８６８５９号に述べられているよう
に輝尽性蛍光体粒子が輝尽性蛍光体層の層厚方向に所定
の粒子大きさ分布をもつようにしてもよい。

輝尽性蛍光体用塗料の調整は、ボールミル、サンドミル
、アトライター、三本ロールミル、高速インペラー分散
機、Ｋ　ａ　ｄ　ｙ　ミルおよび超音波分散機などの分
散装置を用いて行なわれる。調製された塗料をドクター
ブレード、ロールコータ−、ナイフコーターなどを用い
て支持体上に塗布し、乾燥することにより輝尽性蛍光体
層が形成される。

前記塗料を保護層上に塗布し、乾燥した後に輝尽性蛍光
体層と支持体とを接着してもよい。

なお、輝尽性蛍光体層用塗料中に１輝尽性蛍光体層蛍光
体粒子の分散性を向上させる目的で、ステアリン酸、フ
タル酸、カプロン酸、親油性界面活性剤等の分散剤を混
合してもよい。また必要に応じてバインダーに対する可
塑剤を添加してもよい０ 前記可塑剤の例としては、フタル酸ジエチル、フタル酸
ジプチル等のフタル酸エステル、燐酸トリクレジル、燐
酸トリフェニル等の燐酸エステル、コハク酸ジイソデシ
ル、アジピン酸ジオクチル等の脂肪族２塩基酸エステル
、グリコール酸エチルフタリルエチル、グリコール酸ブ
チルフタリルブチル等のグリコール酸エステル等が挙げ
られる。

輝尽性蛍光体を懸濁した塗料の調製に用いられる溶剤の
例としては、メタノール、エタノール、イソプロパツー
ル、ｎ−ブタノールなどの低級アルコール、アセトン、
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロ
ヘキサノンなどのケトン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢
酸ｎ−ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコールとのエ
ステルジオキサン、エチレングリコールモノエチルエー
テル、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエ
ーテル、トリオール、キジロールなどの芳香族、メチレ
ンクロライド、エチレンクロライドなどのハロゲン化炭
化水素及びそれらの混合物などが挙げられる。

次に前記のように構成された本発明の変換パネルの作用
効果を図面を用いて説明する。

本発明に係るＡＨ（アルカリハライド蛍光体）の例とし
て几ｂＢｒ：Ｔｇ＋蛍光体及びＮＡＨの例としてＢａＦ
Ｂｒ　：　Ｅｕ２＋とＬａ０１Ｊｒ　：　Ｏｅ３＋のＸ
線吸収スペクトルを第２図に示す。

図に明かな如く曲！　（ａ）で示されるＡＨは放射線（
Ｘ線）の低エネルギー成分を大きく吸収し、高エネルギ
ー成分の大部分は吸収することなく透過させる。−力曲
線（ｂ）　ｔたは（Ｃ）で示されるＮ　Ａ　Ｈは低エネ
ルギー成分の吸収が高エネルギー側に移るに従って急峻
に減少し、再び４０　ＫｅＶ近傍ではソ垂直に立直って
吸収性を回復し再び緩かに減少してゆく。

従ってＡＨによって低エネルギー成分が吸収され、該吸
収に対応する輝尽潜像（蓄積記録された放射線画像）が
形成され、吸収された低エネルギー成分スペクトルを失
った残部の高エネルギー成分に対応してＮＡＨに輝尽潜
像が形成されるので、高、低エネルギー成分に対する輝
尽潜像が容易に且つ明確に分離されることが解る。

このようにＡＨとＮ　Ａ　Ｈを組合せることによってエ
ネルギー・サブトラックシランによる画像分離が完全に
行われる。一方ＮＡＨであるＢａＦＩ３ｒ　：Ｅｕ２＋
とＬａ０Ｂｒ　：　Ｏｅ３＋の雨雪光体を組合せた従来
の場合には吸収スペクトルに於て若干ＢａＦＢｒ　：　
Ｅｕ”の低エネルギー成分の吸収がＬａ０Ｂｒ　：　Ｏ
ｅ　　ｊ　’）　大きいが、高エネルギー成分の吸収は
はソ同等であり、スペクトル曲線（ｂ）及び（Ｃ）から
推定された通り放射線エネルギーの分離は良好でない。

また第３図には本発明に係る放射線吸収層（フィルター
）として用いられる錫箔（厚さ５０μｍ）の放射線（Ｘ
線）吸収スペクトルを示す。前記したＮＡＨに近似した
形状の曲線を示す。但し吸収スペクトルに於てＮＡＨと
異り３０ＫｅＶまで急峻な低エネルギー成分の吸収低下
を起し再び垂直に立上って吸収性を回復するが、ＮＡＨ
が吸収性を回復する４０ＫｅＶの点以降の範囲では高エ
ネルギー成分の吸収率は５０　％以下となり常にＮ　Ａ
　Ｈの曲線の下位にある。従って吸収を制御して放射線
エネルギーの分離を助成調成する手段として錫箔をフィ
ルターとして用いることは有用であることが解る。

前記した特性の作用効果を具象的に説明するために第４
図（５）に本発明の変換パネルの層構成を分解図として
示し、更に同図（Ｔ３）に被写体、ＡＨ層及びＮ　Ａ　
Ｈ層を透過した後の夫々のＸ線強度スペクトルを曲線（
、］）、（＋）ｌ及び（Ｃ）として示した。

また第５図（５）にはＡＨ層とＮ　Ａ　Ｈ層の間に５０
μｍの錫箔を差挟んだ時の分解図及び同図（ト））には
被写体、ＡＨ層、錫箔及びＮ　Ａ　Ｈ層透過後のＸ線強
度スペクトルを夫々曲線（ａ）、（ｂＬ　（Ｃ）及び（
ｄ）で示した。

第４図及び第５図から放射線画像が低エネルギー成分の
作る画像と高エネルギー成分の作る画像とに良好に分離
されることが知られる。

また適当なフィルター（例えば錫箔）を用いれば放射線
エネルギーの分離が更に好都合に展開できる。

まだＲｂＢｒ　：　Ｔ６＋蛍光体及びＢａＦＢｒ　：　
Ｅｕ”　ノ輝尽発光スペクトル及び輝尽励起スペクトル
の最高の適用条件は夫々に異るのでＲｂＢｒ　：　Ｔ６
＋蛍光体層には７８０　ｎｍ程度の半導体レーザで励起
し、ＢａＦＢｒ：Ｅｕ２＋蛍光体層はＡｒ＋レーザ、Ｈ
ｅ　−Ｎｃ　Ｖ−ザで励起して、画像分離に輝尽励起光
の効果を加えて画像を分離することにより更に容易、確
実にすることができる。

本発明の変換パネルは第６図に概略的に示される放射線
画像変換方法に用いられる場合に優れた放射線画像を与
える。

尚本発明に於ては、少くともＡ　Ｉ−Ｉ層とＮ　Ａ　Ｈ
層の２層に別けて高、低エネルギー画像を形成するので
、該励起の順に第１、第２の番号を付って表現する。第
６図において１００は撮影部、２００は第１の輝尽性蛍
光体に蓄積された放射線画像を読み取るための第１読み
取り部、３００は第２の輝尽性蛍光体に蓄積された放射
線画像を読み取るための第２読み取り部、４００は再生
記録部をそれぞれ示している。

撮影部ｌＯＯにおいては放射線源１０１から被写体１０
２に向けて照射された放射線は被写体１０２を透過した
後、放射線画像変換パネル１０３の輝尽性蛍光体層１０
４を構成する輝尽発光効率の輝尽励起エネルギー依存性
の互いに異なる第１の輝尽性蛍光体層１０５および第２
の輝尽性蛍光体層１０６（この第１及び第２の輝尽性蛍
光体のうち、１０５がＡ　Ｉ−Ｉであれば１０６がＮ　
Ａ　Ｈである。但し照射方向は対応して変えることが好
しい）に吸収され、被写体の放射線画像が蓄積記録され
る。次いでこの放射線画像変換パネル１０３は第１読み
取り部２００へ送られる。

第１読み取り部２００においては、読み取り光源２０１
からの第１の輝尽励起光２０２はガルバノミラ−等の光
偏向器により放射線画像変換パネル１０３の輝尽性蛍光
体層１０４上に一次元的に偏向されて、放射線画像変換
パネル１０３が副走査されることにより、輝尽性蛍光体
層１０４の全面にわたって輝尽励起光２０２が照射され
る。このように輝尽励起光２０２が照射されると、放射
線画像変換パネル１０３の輝尽性蛍光体層１０４を構成
する第１の輝尽励起光２０２にマツチングした輝尽励起
エネルギー分布をもつ第１の輝尽性蛍光体層１０５は、
これに蓄積記録されている放射線エネルギーに比例する
輝尽発光を発する。この発光は輝尽励起光２０２のみを
カットするフィルター２０３を透過した後、光電変換器
２０４に入射し、光電変換される。光電変換後２０４の
出力は増幅器２０５によって増幅される。第１の輝尽性
蛍光体層１０５の読み取りを終了した放射線画像変換パ
ネル１０３は、第２読み取り部３００へ送られる。

第２読み取り部３００においては、第１読み取り部２０
０の場合と同様にして読み取り光源３０１からの第２の
輝尽励起光３０２はガルバノミラ−等の光偏光器により
放射線画像変換パネル１０３の輝尽性蛍光体層１０４上
に一次元的に偏光されて、放射線画像変換パネル１０３
が幅走査されることにより、輝尽性蛍光体層１０４の全
面にわたりて輝尽励起光３０２が照射される。このよう
に輝尽励起光３０２が照射されると、放射線画像変換パ
ネル１０３の輝尽性蛍光体層１０４を構成する第２の輝
尽励起光３０２にマツチングした輝尽励起エネルギー分
布をもつ第２の輝尽性蛍光体層１０６は、これに蓄積記
録されている放射線エネルギーに比例する輝尽発光を発
し、この発光は輝尽励起光３０２のみをカントするフィ
ルター３０３を透過した後、光電変換器３０４に入射し
、光電変換され、増幅器３０５によって増幅される。

第１読み取り部２００の最終出力２０６および第２読み
取９部３００の最終出力３０６は、それぞれ別々に再生
記録部４００に於てノ・−トコピーあるいはＣＲＴ等に
可視画像として出力してもよいし、電気的に重ね合わせ
処理あるいは減算処理等を施して１枚の可視画像として
ノ・−トコピーあるいはＯＴＲ等に出力してもよい。

第６図の再生記録部４００はノ・−トコピーとして感光
材料を用いる実施態様を示しているが該再生記録部４０
０においては、記録用レーザ光源４０２からのレーザ光
４０３が、光変調器４０１により画像信号に基づいて変
調され、走査ミラー４０４によって写真フィルム等の感
光材料４０５上を走査される。

また感光材料４０５はレーザ光４０３の走査に同期して
副走査されるので、感光材料４０５上に放射線画像が出
力される。

前記の放射線画像変換パネル１０３の第１の輝尽性蛍光
体層１０５と第２の輝尽性蛍光体層１０６はこの順に読
み取る必要はなく、逆であってもまだ同時であってもよ
い。また読み取り部は１つであってもよい。

さらに第１読み取シ部２００の最終出力２０６から放射
線画像変換パネル１０３に蓄積記録されている放射線情
報を把握し、この情報を基にして第２読み取り部３００
の光電変換器３０４の感度、増幅器、３０５の増幅率等
を設定するようにすることができる０ 即ち第１読取り結果を、本格的に観察読影する放射線画
像となる第２読取りＫよりてえられる゛画像調整のため
のパイロットとして用い、読影目的に最も適した画質に
調える用に供することができる。

更に具体的に第７図に示すブロック図によって説明する
。

第７図に於て前記の通シ２０５は第１読取シ部の増幅器
、２０６はその画像信号出力、３０５は第２読取り部の
増幅器、３０４は回部の光電変換器である。

３０７は画像信号出力２０６の情報に基いて画像制御を
行う制御回路、３０７による制御は前記光電変換器３０
４増幅器３０５及びＡ／Ｄ変換器３０８、信号処理回路
３０９を統括し画像信号３０６を整えて、前記光変調器
４０１に入り観察読影に適した画像を再生記録部４に発
現させる。

即ち光電変換器３０４の出力は増幅器３０５によって増
幅され、Ａ／Ｄ変換器３０８によってＡ／Ｄ変換された
後、信号処理回路３０９によって診断適性の優れた放射
線画像が得られるように信号処理される。光電変換器３
０４および増幅器３０５の増幅率、Ａ／Ｄ変換器３０８
の収録スケールファクタ及び信号処理回路３０９におけ
る信号処理条件は、前述のように第１読み取り部２００
において得られた前記放射線画像の蓄積記録情報に基づ
いて制御回路３０７によって最も適切な条件に設定され
る。

信号処理回路３０９より出力された画像信号３０６は記
録部４００へ伝送される。

（実施例） 次に実施例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。

実施例１ ＲｂＢｒ　：　Ｔｌ＋蛍光体、ＢａＦＢｒ　：　Ｅｕ２
＋蛍光体の夫々単独からなる輝尽性蛍光体層を別層とし
て有する変換パネルＰ！を作成し、エネルギー・サブト
ラクションによる放射線画像変換を行い、見られる画像
特性を観察した。

前記変換パネルＰｌの輝尽性蛍光体層は夫々几ｂＢｒ：
Ｔｌ＋蛍光体及びＢａＦＢｒ　：　Ｂｕ２＋蛍光体の８
重量部と、ポリビニルブチラール１重量部を、溶剤（シ
クロヘキサン）を用いて分散させ、これをポリエチレン
テレフタレート基板の両面に均一に塗布し、−昼夜放置
し、自然乾燥することによって、それぞれ約３００μｍ
の蛍光体層を形成して作製した。

上記のようにしてえた変換パネルＰＫは几ｂＢｒ　：Ｔ
７！＋蛍光体層が被写体に近く位置するように置き、管
電圧１２０ＫＶのＸ線１０ミリレントゲンを、銅とポリ
メチルメタクリレート樹脂からなる被写体をとおして照
射し、変換パネルＰ、の夫々の輝尽性蛍光体層に輝尽潜
像を形成した。

次にＲｂＢｒ　：　Ｔｌ＋蛍光体層に対しては半導体レ
ーザ光（７８０ｎｍ　、　　１０　ｍＶ　）、ＢａＦＢ
ｒ　：　Ｅｕ　　蛍光体層に対してはＩ−Ｉｃ−Ｎｅレ
ーザ光（６３３ｎｍ、　１０ｍＶ）を輝尽励起光として
、夫々輝尽性蛍光体層をスキャンし輝尽発光による画像
を求めた。変換ノ（ネルＰ、のＲｂ１３ｒ　：　’ｒｌ
＋蛍光体層からはＸ線の低エネルギー成分吸収像（前記
樹脂像が強調された画像）がえられ、ＢａＦＢｒ　：　
Ｅｕ２＋蛍光体層からは高いエネルギー成分吸収像（銅
の像が強調された画像）かえられた。

上記両者に夫々重み付は増幅を施し両者をサブトラクシ
ョンすると、完全に樹脂像または銅の像が分離された画
像が得られた。

実施例２ 前記変換バネ／Ｌ／ＰＩの几ｂＩ３ｒ：Ｔ６＋蛍光体層
とＢａＦＢｒ：Ｅｕ２＋蛍光体層の間に厚さ５０μｍの
錫箔からなる放射線吸収層を差挟んで変換パネルＰ２を
作成し、実施例１と全く同じ条件で見られる画像特性を
観察した。

変換パネルＰ２のＢａＦＢｒ　：　Ｅｕ２＋蛍光体層か
らえられる画像は前記変換パネルＰ、の場合よりも更に
樹脂像が抑えられ銅の像が強調され、エネルギー・サブ
トラクションは容易であった。

比較例Ｉ ＢａＦＢｒ　：　Ｅｕ２＋蛍光体層とＬａ０Ｂｒ　：　
Ｏｃ２＋蛍光体層を別層として有する変換パネルＰ３を
前記変換パネルＰ１と全く同条件で作り、変換パネルＰ
３に於てＢａＦＢｒ　：　Ｅｕ２＋蛍光体層が被写体に
近いように配置し実施例１と同条件で観察を行った。但
し輝尽励起光にはＨｅ　−Ｎｅレーザ光を用いた。

比較例２ ＢａＦＢｒ　：　Ｅｕ　　蛍光体層の２層からなり、そ
の間に前記錫箔からなる放射線吸収層を介在させた変換
パネルＰ４を作成し、実施例１と同条件の観察を行った
。但し輝尽励起はＨｅ−Ｎｅレーザ光によって行った。

変換パネルＰ３及びＰ４に於ては高エネルギー成分吸収
像と低エネルギー成分吸収像との分離が甚だ不十分であ
り、両者に夫々重み付は増幅を施し、両者をサブトラク
ションしても十分なサブトラクション像は得られなかっ
た。

（発明の効果） 以上説明したように、本発明の放射線画像変換パネルを
用いれば、１回の放射線照射によって少くとも２枚のエ
ネルギー・サブトラクションに適した放射線画像データ
を得ることが可能となる。

また複数枚の変換パネルを重積する必要がないので重ね
合せ処理等で像のズレを生ずることがなく高品位な放射
線画像を得ることが可能となる。

また、本発明の放射線画像変換パネルを用いる読取り方
法によれば、第１読取りを実施することによって第２読
取りの際に放出されるべき蓄積放射線エネルギーの減少
がまったくないので、第１読取りに起因するシステム感
度の低下を防止することが可能となる。

更に本発明の放射線画像変換パネルを用いれば、放射線
画像変換パネルに記録されている放射線画像の蓄積記録
情報を予め精度よく把握することができるので、格別に
広いダイナミックレンジを有する読み取り系を使用しな
くても前記蓄積記録情報に基づいて読み取りゲインを適
当に調節することにより、撮影条件等が変動しても常に
診断適性の優れた放射線画像を得ることが可能となる。

また、放射線画像変換パネルに記録されている放射線画
像の記録パターンを予め把握できるので、前記記録パタ
ーンに応じた信号処理を第２読取り後の電気信号に対し
て施すことにより、診断適性の優れた放射線画像を得る
ことが可能となる。

本発明は前述のような多数の効果があり、工業的に非常
に有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の変換パネルの構成態様例の断面図であ
る。 第２図並びに第３図は、本発明に係るＡＨ及びＮＡＨ並
びに錫箔のＸ線吸収スペクトルである。 第４図及び第５図は変換パネル構成層透過毎のＸ線強度
スペクトルである。 第６図は本発明の変換パネルを用いる放射線画像変換方
法の説明図であり、第７図は該方法に於る画像再生記録
部のブロック図である。 １００・　撮影部 １０１・・・放射線源 １０２　・・・・被写体 １０３・・放射線画像変換パネル １０４・・・・・輝尽性蛍光体層 １０５・・・第１の輝尽性蛍光体層 １０６・・・・第２の輝尽性蛍光体層 １０７・・・・支持体 ２００・・・・・第１読み取υ部 ２０１　・・・・輝尽励起光源 ２０２・・・・輝尽励起光 ２０３・・・・・・フィルター ２０４・・・・・光電変換器 ２０５・・−・増幅器 ２０６・・・・・・出力 ３００・・・・第２読み取り部 ３０１・・・・輝尽励起光源 ３０２・・・・・・輝尽励起光 ３０３・・・・・・フィルター ３０４・・・・・・光電変換器 ３０５・・・・増幅器 ３０６・・　出力 ４００・・・・・再生記録部 出願人　　小西六写真工業株式会社 図面の浄な（内容に変更なし） 第１図 第２図 ｘ−ｒαン　エネルギ゛〜　（ＫｅＶつ第４ （Ａ＞ ［亙πコ （Ｂ） ×愚良エネルギニ　（Ｋｅｖす 第５図 ＜Ａ） ↓　　　　　　Ｘ ［２ワ７ＩＩコ ＸＮシー＝１−、ダヒノ〆二　（トニｅＶ）第６図 第７図 ５．補正の対象 手続補正書く方式） ％式％ ２、発明の名称 アルカリハライド蛍光体を含む副層構成の放射線画像変
換パネル３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所　　東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号〒１９１ 東京都日野市さくら町１番地 願書、明細書の全文及び図面。 ６、補正の内容 別紙の通り （内容に変更なし）。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）輝尽発光効率の放射線エネルギー依存性が異る少
   くとも２種類の輝尽性蛍光体が夫々に少くとも２つの別
   層の輝尽性蛍光体層に含まれて構成される放射線画像変
   換パネルに於て、前記少くとも２種類の輝尽性蛍光体の
   １つが下記一般式で表わされるアルカリハライド蛍光体
   であることを特徴とする称記放射線画像変換パネル。 〔一般式〕 Ｍ＾ＩＸ，ａＭ＾IIＸ′＿２・ｂＭ＾IIIＸ″＿３：ｃ
   Ａ 〔但し、Ｍ＾ＩはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ）及びＣｓから
   選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属であり、Ｍ＾I
   IはＢｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃｕ
   及びＮｉから選ばれる少なくとも１種の二価金属である
   。 Ｍ＾IIIはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，
   Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙ
   ｂ，Ｌｕ，Ａｉ，Ｇａ及びＩｎから選ばれる少なくとも
   １種の三価金属である。Ｘ，Ｘ′及びＸ″はＦ，Ｃｌ，
   Ｂｒ及びＩから選ばれる少なくとも１種のハロゲンであ
   る。ＡはＥｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，
   Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ
   ，Ａｇ，Ｃｕ及びＭｇから選ばれる少なくとも１種の金
   属である。またａは、０≦ａ＜０．５の範囲の数値であ
   り、ｂは０≦ｂ＜０．５の範囲の数値であり、ｃは０＜
   ｃ≦０．２の範囲の数値である。〕
2. （２）前記アルカリハライド蛍光体以外の少くとも１種
   類の輝尽性蛍光体が、放射線エネルギー吸収特性に於て
   、その高エネルギー吸収特性が前記アルカリハライド蛍
   光体より大きいことを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の放射線画像変換パネル。
3. （３）前記アルカリハライド蛍光体以外の少くとも１種
   類の輝尽性蛍光体が、アルカリ土類金属弗化物系蛍光体
   であることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第
   ２項記載の放射線画像変換パネル。
4. （４）前記アルカリハライド蛍光体以外の少くとも１種
   類の輝尽性蛍光体が、ランタンオキシハライド系蛍光体
   であることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
   項記載の放射線画像変換パネル。
5. （５）前記アルカリハライド蛍光体が、ルビジウム系蛍
   光体であることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至
   第４項記載の放射線画像変換パネル。