JPH0631906B2 - 放射線画像変換パネル - Google Patents
放射線画像変換パネルInfo
- Publication number
- JPH0631906B2 JPH0631906B2 JP61020982A JP2098286A JPH0631906B2 JP H0631906 B2 JPH0631906 B2 JP H0631906B2 JP 61020982 A JP61020982 A JP 61020982A JP 2098286 A JP2098286 A JP 2098286A JP H0631906 B2 JPH0631906 B2 JP H0631906B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stimulable phosphor
- radiation image
- image conversion
- radiation
- panel
- Prior art date
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- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
Description
本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに
関するものであり、さらに詳しくは長期間にわたって良
好な状態で使用することのできる放射線画像変換パネル
に関するものである。
関するものであり、さらに詳しくは長期間にわたって良
好な状態で使用することのできる放射線画像変換パネル
に関するものである。
Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。このＸ線画像を得るために、被写体を透
過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
とるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射し
て現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。し
かし、近年銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光
体層から直接画像を取り出す方法が工夫されるようにな
った。 この方法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸
収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せし
め、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具体的
には、例えば米国特許第3,859,527号及び特開昭55-1214
4号には輝尽性蛍光体を用い可視光線又は赤外線を輝尽
励起光とした放射線画像変換変換方法が示されている。
この方法は支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線
画像変換パネルを使用するもので、この放射線画像変換
パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当
てて被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネル
ギーを蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこの輝尽性
蛍光体層を輝尽励起光で走査することによって各部の蓄
積された放射線エネルギーを輝尽発光として放射させこ
の光の強弱による光信号をたとえば光電変換し、画像再
生装置により画像を得るものである。この最終的な画像
はハードコピーとして再生しても良いし、ＣＲＴ上に再
生しても良い。 この放射線画像変換方法において使用される放射線画像
変換パネルは、放射線画像情報を蓄積した後励起光の走
査によって蓄積エネルギーを放出するので走査後再度放
射線画像の蓄積を行うことができ、繰り返し使用が可能
である。 そこで、前記放射線画像変換パネルは、得られる放射線
画像の画質を劣化させることなく長期間の使用に耐える
性能を有することが望ましい。 しかし、放射線画像変換パネルの製造に用いられる輝尽
性蛍光体は一般に吸湿性が大であり、通常の気候条件の
下で室内に放置すると、空気中の水分を収着し、時間の
経過とともに著しく劣化する。 具体的には、たとえば輝尽性蛍光体を高湿度のもとに置
くと、収着した水分量の増大にともなって前記輝尽性蛍
光体の放射線感度が低下する。 また、一般に輝尽性蛍光体に記録された放射線画像の潜
像は、放射線照射後の時間の経過にともなって褪行する
ため、再生される放射線画像信号の強さは放射線照射か
ら励起光による走査までの時間が長いほど小さくなると
いう性質を有するが、輝尽性蛍光体が吸湿すると前記潜
像褪行の速さが著しく速くなる。そのため、吸湿した輝
尽性蛍光体を有する放射線画像変換パネルを用いると、
放射線画像読取の際、励起光走査の開始から終了までの
間（通常数秒〜数分程度の時間である）に再生画像信号
の強さが急速に減衰しつづけ、画像の再現性が低下する
可能性がある。 従来、輝尽性蛍光体の吸湿による前記の劣化現象を防止
するには、特願昭60-154559号および特願昭60-156345号
に述べられているように、透湿度の低い保護層で輝尽性
蛍光体層を被覆することにより該輝尽性蛍光体層に到達
する水分を低減させる方法がとられてきた。しかし、輝
尽性蛍光体層それ自体の吸湿性を改善する技術について
は、ほとんど記述されていなかった。
いられている。このＸ線画像を得るために、被写体を透
過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
とるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射し
て現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。し
かし、近年銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光
体層から直接画像を取り出す方法が工夫されるようにな
った。 この方法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸
収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せし
め、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具体的
には、例えば米国特許第3,859,527号及び特開昭55-1214
4号には輝尽性蛍光体を用い可視光線又は赤外線を輝尽
励起光とした放射線画像変換変換方法が示されている。
この方法は支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線
画像変換パネルを使用するもので、この放射線画像変換
パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当
てて被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネル
ギーを蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこの輝尽性
蛍光体層を輝尽励起光で走査することによって各部の蓄
積された放射線エネルギーを輝尽発光として放射させこ
の光の強弱による光信号をたとえば光電変換し、画像再
生装置により画像を得るものである。この最終的な画像
はハードコピーとして再生しても良いし、ＣＲＴ上に再
生しても良い。 この放射線画像変換方法において使用される放射線画像
変換パネルは、放射線画像情報を蓄積した後励起光の走
査によって蓄積エネルギーを放出するので走査後再度放
射線画像の蓄積を行うことができ、繰り返し使用が可能
である。 そこで、前記放射線画像変換パネルは、得られる放射線
画像の画質を劣化させることなく長期間の使用に耐える
性能を有することが望ましい。 しかし、放射線画像変換パネルの製造に用いられる輝尽
性蛍光体は一般に吸湿性が大であり、通常の気候条件の
下で室内に放置すると、空気中の水分を収着し、時間の
経過とともに著しく劣化する。 具体的には、たとえば輝尽性蛍光体を高湿度のもとに置
くと、収着した水分量の増大にともなって前記輝尽性蛍
光体の放射線感度が低下する。 また、一般に輝尽性蛍光体に記録された放射線画像の潜
像は、放射線照射後の時間の経過にともなって褪行する
ため、再生される放射線画像信号の強さは放射線照射か
ら励起光による走査までの時間が長いほど小さくなると
いう性質を有するが、輝尽性蛍光体が吸湿すると前記潜
像褪行の速さが著しく速くなる。そのため、吸湿した輝
尽性蛍光体を有する放射線画像変換パネルを用いると、
放射線画像読取の際、励起光走査の開始から終了までの
間（通常数秒〜数分程度の時間である）に再生画像信号
の強さが急速に減衰しつづけ、画像の再現性が低下する
可能性がある。 従来、輝尽性蛍光体の吸湿による前記の劣化現象を防止
するには、特願昭60-154559号および特願昭60-156345号
に述べられているように、透湿度の低い保護層で輝尽性
蛍光体層を被覆することにより該輝尽性蛍光体層に到達
する水分を低減させる方法がとられてきた。しかし、輝
尽性蛍光体層それ自体の吸湿性を改善する技術について
は、ほとんど記述されていなかった。
本発明は、輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネル
における前述のような現状に鑑みてなされたものであ
り、本発明の目的は、輝尽性蛍光体層の吸湿性が小さく
長期間にわたり良好な状態で使用が可能な放射線画像変
換パネルを提供することにある。
における前述のような現状に鑑みてなされたものであ
り、本発明の目的は、輝尽性蛍光体層の吸湿性が小さく
長期間にわたり良好な状態で使用が可能な放射線画像変
換パネルを提供することにある。
前記した本発明の目的は、輝尽性蛍光体を、結着剤中に
分散してなる輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パ
ネルにおいて、前記輝尽性蛍光体層中に疎水性微粒子を
輝尽性蛍光体に対して0.005重量％以上10重量％以下の
量で含有することを特徴とする放射線画像変換パネルに
よって達成される。 ここで、疎水性微粒子とは、一次粒子の平均径が0.1μ
ｍ程度より小であり、かつメタノールウェッタビリティ
ー法による疎水化度（ＭＷ値）が20より大である粒子を
さす。 本発明で好ましく用いられる疎水性微粒子は、前記ＭＷ
値が35より大であるような粒子である。さらに、一次粒
子の平均径が３mμ〜60mμの範囲にある粒子が特に好ま
しい。 前記疎水性微粒子の具体例としては、ジメチルジクロル
シラン、ヘキサメチルジシラザン、オクチルトリメトキ
シシラン、シリコーンオイル等を用いて疎水化表面処理
を施した微粒子状シリカあるいは同様の表面処理を施し
た微粒子状酸化チタン等が挙げられる。 平均粒径が数μｍ〜数十μｍ程度の輝尽性蛍光体粒子に
適当量の前記疎水性微粒子を混合すると、多数の疎水性
微粒子が個々の輝尽性蛍光体粒子の表面にまぶされた状
態がつくられ、該構造は溶剤中あるいは樹脂中において
も維持される。このように疎水性微粒子によって輝尽性
蛍光体粒子を包むことにより、その吸湿性を低下させる
ことができる。 さらに、輝尽性蛍光体を結着剤中に分散してなる輝尽性
蛍光体層を形成する場合、前記疎水性微粒子を添加する
と、分散液中の輝尽性蛍光体粒子の凝集および沈降が抑
制され、ムラのない均一な輝尽性蛍光体層を形成するこ
とができるため、得られる画像の画質の向上に寄与す
る。とくに、前記分散液の作成前に前記疎水性微粒子と
輝尽性蛍光体粒子とを混合すれば、前記輝尽性蛍光体の
粉体流動性が増大するので、粉砕、分級等の作業の効率
が大幅に向上する。 次に、本発明を具体的に説明する。 通常、放射線画像変換パネルは、適当な支持体上に輝尽
性蛍光体層が設けられ、さらに該輝尽性蛍光体層の上表
面に適当な保護層が設けられた構造を有する。ここで前
記輝尽性蛍光体層は、たとえば輝尽性蛍光体を適当な結
着剤中に分散して塗布液を支持体上もしくは保護層上に
塗布して作成することができる。 本発明の放射線画像変換パネルにおいて輝尽性蛍光体と
は、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射された
後に、光的、熱的、機械的、光学的または電気的等の刺
激（輝尽励起）により、最初の光もしくは高エネルギー
の放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体を言
うが、実用的な面から好ましくは500nm以上の輝尽励起
光によって輝尽発光を示す蛍光体である。本発明の放射
線画像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体としては、
例えば特開昭48-80487号に記載されているBaSO4：Ax
（但しＡはDy,Tb及びTmのうち少なくとも１種であり、
ｘは0.001≦ｘ＜１モル％である。）で表される蛍光
体、特開昭48-80488号記載のMgSO4：Ａｘ（但しＡはＨ
ｏ或いはＤｙのうちいずれかであり、0.001≦ｘ≦１モ
ル％である）で表される蛍光体、特開昭48-80489号に記
載されているSrSO4:Ax（但しＡはDy,Tb及びＴｍのうち
少なくとも１種であり、ｘは0.001≦ｘ＜１モル％であ
る。）で表わされている蛍光体、特開昭51-29889号に記
載されているNa2SO4,ＣａＳＯ4及びＢａＳＯ4等にMn,Dy
及びTbのうち少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭
52-30487号に記載されているBeO,LiF,MgSO4及びCaF2等
の蛍光体、特開昭53-39277号に記載されているLi2B
4O7：Cu,Ag等の蛍光体、特開昭54-47883号に記載されて
いるLi2O・(B2O2)x：Cu（但しｘは２＜ｘ≦３）、及びL
i2O・(B2O2)x：Cu,Ag（但しｘは２＜ｘ≦３）等の蛍光
体、米国特許第3,859,527号に記載されているSrS：Ce,S
m、SrS；Eu,Sm、La2O2S：Eu,Sm及び(Zn,Cd)S：Mn,Ｘ
（但しＸはハロゲン）で表わされる蛍光体が挙げられ
る。また、特開昭55-12142号に記載されているZnS：Cu,
Pb蛍光体、一般式がBaO・xAl2O3：Eu（但し0.8≦ｘ≦1
0）で表わされるアルミン酸バリウム蛍光体、及び一般
式がＭIIＯ・xSiO2：Ａ（但しＭIIはMg,Ca,Sr,Zn,Cd又
はBaでありＡはCe,Tb,Eu,Tm,Pb,Tl,Bi及びMnのうち少な
くとも１種であり、ｘは0.5≦ｘ＜2.5である。）で表わ
されるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。
また、一般式が （Ba1-x-yMgxCay)ＦＸ：eEu2+ （但しＸはＢｒ及びＣｌの中の少なくとも１つであり、
x,y及びｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦0.6、xy≠０及び10-6
≦ｅ≦５×１０-2なる条件を満たす数である。）で表さ
れる蛍光帯が挙げられる。また一般式が ＬｎＯＸ：ｘＡ （但しLnはLa,Y,Gd及びＬｕの少なくとも１つを、Ｘは
Ｃｌ及び／又はＢｒを、ＡはＣｅ及び／又はＴｂを、ｘ
は０＜ｘ＜0.1を満足する数を表す。）で表される蛍光
体、特開昭55-12145号に記載されている一般式が （Ba1-xMII x）ＦＸ：ｙＡ （但しＭIIは、Mg,Ca,Sr,Zn及びＣｄのうちの少なくと
も１つを、ＸはCl,Br及びＩのうち少なくとも１つを、
ＡはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb及びErのうちの少なく
とも１つを、ｘ及びｙは０≦ｘ≦0.6及び０≦ｙ≦0.2な
る条件を満たす数を表す。）で表される蛍光体、特開昭
55-84389号に記載されている一般式がBaFX：xCe,yA（但
し、ＸはCl,Br及びＩのうちの少なくとも１つ、ＡはIn,
Tl,Gd,Sm及びZrのうちの少なくとも１つであり、ｘ及び
ｙはそれぞれ０＜ｘ≦２×10-1及び０＜ｙ≦５×10-2で
ある。）で表される蛍光体、特開昭55-160078号に記載
されている一般式が ＭIIＦＸ，xA：ｙＬｎ （但しＭIIはMg,Ca,Ba,Sr,Zn及びＣｄのうちの少なくと
も１種、ＡはBeO,MgO,CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3,Y2O3,La2
O3,In2O3,SiO2,TiO2,ZrO2,GeO2,SnO2,Nb2O5,Ta2O5及びT
hO2のうちの少なくとも１種、LnはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,H
o,Nd,Yb,Er,Sm及びＧｄのうちの少なくとも１種であ
り、ＸはCl,Br及びＩのうちの少なくとも１種であり、
ｘ及びｙはそれぞれ５×１０-5≦ｘ≦0.5及び０＜ｙ≦
0.2なる条件を満たす数である。）で表される希土類元
素付活２価金属フルオロハライド蛍光体、一般式がZn
S：Ａ、(Zn,Cd)S：Ａ、CdS：Ａ、ZnS：Ａ，Ｘ及びCdS：
Ａ，Ｘ（但しＡはCu,Ag,Au,又はMnであり、Ｘはハロゲ
ンである。）で表される蛍光体、特開昭57-148285号に
記載されている一般式〔Ｉ〕又は〔II〕、 一般式〔Ｉ〕 ｘＭ３（ＰＯ4）2・ＮＸ2：ｙＡ 一般式〔II〕 Ｍ3（ＰＯ4）2・ｙＡ （式中、Ｍ及びＮはそれぞれMg,Ca,Sr,Ba,Zn及びＣｄの
うち少なくとも１種、ＸはF,Cl,Br,及びＩのうち少なく
とも１種、ＡはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Sb,Tl,
Mn及びＳｎのうち少なくとも１種を表す。また、ｘ及び
ｙは０＜ｘ≦６、０≦ｙ≦１なる条件を満たす数であ
る。）で表される蛍光体、一般式〔III〕又は〔IV〕 一般式〔III〕 nReX3・ｍＡＸ′2：xEu 一般式〔IV〕 nReX3・ｍＡＸ′2：xEu,ySm （式中、ReはLa,Gd,Y,Luのうち少なくとも１種、Ａはア
ルカリ土類金属、Ba,Sr,Caのうち少なくとも１種、Ｘ及
びＸ′はF,Cl,Brのうち少なくとも１種を表わす。ま
た、ｘ及びｙは、１×10-4＜ｘ＜３×10-1、１×10-4＜
ｙ＜１×10-1なる条件を満たす数であり、ｎ／ｍは１×
10- 3ｎ／ｍ＜７×10-1なる条件を満たす。）で表される
蛍光体、及び 一般式 ＭI×・ａＭII×′・ｂＭIII×″：cA （但し、ＭIはLi,Na,K,Rb,及びＣｓから選ばれる少なく
とも一種のアルカリ金属であり、ＭIIはBe,Mg,Ca,Sr,B
a,Zn,Cd,Cu及びＮｉから選ばれる少なくとも一種の二価
金属である。ＭIIIはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,T
b,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Al,Ga,及びＩｎから選ばれる少な
くとも一種の三価金属である。 X,X′及びＸ″はF,Cl,Br及びＩから選ばれる少なくとも
一種のハロゲンである。ＡはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,
Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu及びＭｇから選ばれる少
なくとも一種の金属である。 またａは０≦ａ≦0.5の範囲の数値であり、ｂは０≦ｂ
＜0.5の範囲の数値であり、ｃは０＜ｃ≦0.2の範囲の数
値である。）で表されるアルカリハライド蛍光体等が挙
げられる。特にアルカリハライド蛍光体は放射線感度そ
の他の性能において好ましい蛍光体である。 しかし、本発明において用いられる輝尽性蛍光体は、前
述の蛍光体に限られるものではなく、放射線を照射した
後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発光を示す蛍光体で
あればいかなる蛍光体であってもよい。 本発明の放射線画像変換パネルは前記の輝尽性蛍光体の
少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽性
蛍光体層から成る輝尽性蛍光体層群を含んでもよい。ま
た、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性蛍光体
は同一であってもよいが異なっていてもよい。 使用する輝尽性蛍光体の平均粒子径は放射線画像変換パ
ネルの感度と粒状性を考慮して平均粒子径0.1乃至100μ
ｍの範囲に於て適宜選択される。さらに好ましくは平均
粒径が0.5乃至40μｍのものが使用される。 以下、本発明の放射線画像変換パネル（以下、意味明晰
な場合は単にパネルと略称することがある）の製造方法
を具体例として述べる。 本発明のパネルの製造方法については、以下に示す例に
限られるものではない。 まず、輝尽性蛍光体層用塗布液を作成する前記塗布液は
輝尽性蛍光体および結着剤を疎水性微粒子とともに適当
な溶剤中に分散して得られる。 本発明に用いられる結着剤としては、例えばゼラチンの
如きタンパク質、デキストランの如きポリサツカライド
またはアラビアゴム、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸
ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロース、塩化ビ
ニリデン−塩化ビニルコポリマー、ポリメチルメタクリ
レート、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、ポリウレ
タン、セルロースアセテートブチレート、ポリビニルア
ルコール、およびそれらの混合物等のような通常層構成
に用いられる結着剤が使用される。一般に結着剤は輝尽
性蛍光体１重量部に対して0.01乃至１重量部の範囲で使
用される。しかしながら得られる放射線画像変換パネル
の感度と鮮鋭度の点では結着剤は少ない方が好ましく、
塗布の容易さとの兼合いから0.03乃至0.2重量部の範囲
がより好ましい。 塗布後の調製に用いられる溶剤の例としては、メタノー
ル、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノー
ル、ｎ−ブタノール等の低級アルコール、アセトン、メ
チルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン、酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル等の低級脂肪酸と
低級アルコールとのエステル、メチレンクロライド、エ
チレンクロライド等の塩素原子含有炭化水素およびそれ
らの混合などが挙げられる。 輝尽性蛍光体用塗布液を調製する手順としては、たとえ
ば、前記結着剤を前記溶剤に溶解してなる溶液中に輝尽
性蛍光体粒子と該粒子に対し0.005重量％以上１０重量
％以下の疎水性微粒子とをよく混合したものを加えたの
ち、ボールミル、サンドミル、アトライター、三本ロー
ルミル、高速インペラー分散機、高速衝撃ミル、超音波
分散機等を用いて分散混合してもよい。あるいは輝尽性
蛍光体および疎水性微粒子を結着剤とよく混合した後溶
剤を加えて分散してもよい。また疎水性微粒子は分散の
途中に加えてもよい。 前記疎水性微粒子の添加量は、輝尽性蛍光体に対して0.
005重量％より小であると十分な防湿効果は得られず、
また10重量％以上であると添加量を増大しても効果が飽
和してそれ以上の効果の向上はみられないうえに、輝尽
性蛍光体充填率が低下して放射線感度が減少する。その
最適添加量は、輝尽性蛍光体粒子の粒径分布や疎水性微
粒子の平均粒径、また疎水性微粒子の種類などによって
異なるが、効果と実用性の面から0.05重量％以上1.0重
量％以下とするのが好ましい。 なお、輝尽性蛍光体層用塗布液中に、輝尽性蛍光体層蛍
光体粒子の分散性を向上させる目的でステアリン酸、フ
タル酸、カプロン酸、親油性界面活性剤等の分散剤を混
合してもよい。また必要に応じて結着剤に対する可塑剤
を添加してもよい。前記可塑剤の例としては、フタル酸
ジエチル、フタル酸ジブチル等のフタル酸エステル、燐
酸トリクレジル、燐酸トリフェニル等の燐酸エステル、
コハク酸ジイソデシル、アジピン酸ジオクチル等の脂肪
族２塩基酸エステル、グリコール酸エチルフタリルエチ
ル、グリコール酸ブチルフタリルブチル等のグリコール
酸エステル等が挙げられる。 上記のようにして調製された輝尽性蛍光体用塗布液をド
クターブレード、ナイフコーター、ロールコーター等の
塗工機を用いて支持体上に塗布することにより、輝尽性
蛍光体層が形成される。なお、保護層上に輝尽性蛍光体
層を形成した後、支持体を設ける手順をとってもよい。 本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の膜厚
は目的とする放射線画像変換パネルの特性、輝尽性蛍光
体の種類、結着剤と輝尽性蛍光体との混合比等によって
異なるが、10μｍ〜1000μｍの範囲から選ばれるのが好
ましく、10μｍ〜500μｍの範囲から選ばれるのがより
好ましい。 尚、本発明の放射線画像変換パネルの鮮鋭性向上を目的
として、特開昭55-163500号に開示されているように放
射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層もしくは入射する
輝尽励起光に対して蛍光体層底面にある支持体もしくは
保護層に輝尽励起光を吸収するような着色剤で着色して
もよい。また、特開昭59-202100号に開示されているよ
うに、輝尽性蛍光体層をハニカム構造としてもよい。 また、塗布の際に、特願昭59-186859号に述べられてい
るように、輝尽性蛍光体層の層厚方向に蛍光体粒子の所
定の粒子大きさ分布配列が構成されるように塗布しても
よい。 本発明において、用いられる支持体としては各種高分子
材料、ガラス、金属等が用いられる。特に情報記録材料
としての取り扱い上可撓性のあるシートあるいはウェブ
に加工できるものが好適であり、この点から例えばセル
ロースアセテートフィルム，ポリエステルフィルム，ポ
リエチレンテレフタレートフィルム，ポリアミドフィル
ム，ポリイミドフィルム，トリアセテートフィルム，ポ
リカーボネイトフィルム等のプラスチックフィルム，ア
ルミニウム，鉄，銅，クロム等の金属シート或は該金属
酸化物の被覆層を有する金属シートが好ましい。 また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的に80μｍ〜1000μｍであり、取り
扱い上の点からさらに好ましくは80μｍ〜500μｍであ
る。 本発明においては、一般的に前記輝尽性蛍光体層が露呈
する面に、輝尽性蛍光体層群を物理的にあるいは化学的
に保護するための保護層を設けることが好ましい。この
保護層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗
布して形成してもよいし、あるいはあらかじめ別途形成
した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。保護
層の材料としては酢酸セルロース，ニトロセルロース，
ポリメチルメタクリレート，ポリビニルブチラール，ポ
リビニルホルマール，ポリカーボネート，ポリエステ
ル，ポリエチレンテレフタレート，ポリエチレン，ポリ
プロプレン，ポリ塩化ビニリデン，ナイロン，ポリ四フ
ッ化エチレン，ポリ三フッ化−塩化エチレン，四フッ化
エチレン−六フッ化プロピレン共重合体，塩化ビニリデ
ン−塩化ビニル共重合体，塩化ビニリデン−アクリロニ
トリル共重合体等の保護層用材料が用いられる。 また、この保護層は真空蒸着法，スパッタ法等により、
SiC,SiO2,SiN,Al2O3などの無機物質を積層して形成して
もよい。 本発明の放射線画像変換パネルは第１図に概略的に示さ
れた放射線画像変換方法に用いられた場合、優れた鮮鋭
性と感度を与える。すなわち、第１図において、11は放
射線発生装置、12は被写体、13は本発明の放射線画像変
換パネル、14は輝尽励起光源、15は該放射線画像変換パ
ネルより放射された輝尽発光を検出する光電変換装置、
16は15で検出された信号を画像として再生する装置、17
は再生された画像を表示する装置、18は輝尽励起と輝尽
発光とを分離し、輝尽発光のみを透過させるフィルター
である。尚15以降は13からの光情報を何らかの形で画像
として再生できるものであればよく、上記に限定される
ものではない。 第１図に示されるように、放射線発生装置11からの放射
線は被写体12を通して本発明の放射線画像変換パネル13
に入射する。この入射した放射線は放射線画像変換パネ
ル13の輝尽性蛍光体層に吸収され、そのエネルギーが蓄
積され、放射線透過像の蓄積像が形成される。次にこの
蓄積像を輝尽励起光源14からの輝尽励起光で励起して輝
尽発光として放出せしめる。 放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置15で光電変換し、画像表示装置17によ
って表示することにより、被写体の放射線透過像を観察
することができる。
分散してなる輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パ
ネルにおいて、前記輝尽性蛍光体層中に疎水性微粒子を
輝尽性蛍光体に対して0.005重量％以上10重量％以下の
量で含有することを特徴とする放射線画像変換パネルに
よって達成される。 ここで、疎水性微粒子とは、一次粒子の平均径が0.1μ
ｍ程度より小であり、かつメタノールウェッタビリティ
ー法による疎水化度（ＭＷ値）が20より大である粒子を
さす。 本発明で好ましく用いられる疎水性微粒子は、前記ＭＷ
値が35より大であるような粒子である。さらに、一次粒
子の平均径が３mμ〜60mμの範囲にある粒子が特に好ま
しい。 前記疎水性微粒子の具体例としては、ジメチルジクロル
シラン、ヘキサメチルジシラザン、オクチルトリメトキ
シシラン、シリコーンオイル等を用いて疎水化表面処理
を施した微粒子状シリカあるいは同様の表面処理を施し
た微粒子状酸化チタン等が挙げられる。 平均粒径が数μｍ〜数十μｍ程度の輝尽性蛍光体粒子に
適当量の前記疎水性微粒子を混合すると、多数の疎水性
微粒子が個々の輝尽性蛍光体粒子の表面にまぶされた状
態がつくられ、該構造は溶剤中あるいは樹脂中において
も維持される。このように疎水性微粒子によって輝尽性
蛍光体粒子を包むことにより、その吸湿性を低下させる
ことができる。 さらに、輝尽性蛍光体を結着剤中に分散してなる輝尽性
蛍光体層を形成する場合、前記疎水性微粒子を添加する
と、分散液中の輝尽性蛍光体粒子の凝集および沈降が抑
制され、ムラのない均一な輝尽性蛍光体層を形成するこ
とができるため、得られる画像の画質の向上に寄与す
る。とくに、前記分散液の作成前に前記疎水性微粒子と
輝尽性蛍光体粒子とを混合すれば、前記輝尽性蛍光体の
粉体流動性が増大するので、粉砕、分級等の作業の効率
が大幅に向上する。 次に、本発明を具体的に説明する。 通常、放射線画像変換パネルは、適当な支持体上に輝尽
性蛍光体層が設けられ、さらに該輝尽性蛍光体層の上表
面に適当な保護層が設けられた構造を有する。ここで前
記輝尽性蛍光体層は、たとえば輝尽性蛍光体を適当な結
着剤中に分散して塗布液を支持体上もしくは保護層上に
塗布して作成することができる。 本発明の放射線画像変換パネルにおいて輝尽性蛍光体と
は、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射された
後に、光的、熱的、機械的、光学的または電気的等の刺
激（輝尽励起）により、最初の光もしくは高エネルギー
の放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体を言
うが、実用的な面から好ましくは500nm以上の輝尽励起
光によって輝尽発光を示す蛍光体である。本発明の放射
線画像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体としては、
例えば特開昭48-80487号に記載されているBaSO4：Ax
（但しＡはDy,Tb及びTmのうち少なくとも１種であり、
ｘは0.001≦ｘ＜１モル％である。）で表される蛍光
体、特開昭48-80488号記載のMgSO4：Ａｘ（但しＡはＨ
ｏ或いはＤｙのうちいずれかであり、0.001≦ｘ≦１モ
ル％である）で表される蛍光体、特開昭48-80489号に記
載されているSrSO4:Ax（但しＡはDy,Tb及びＴｍのうち
少なくとも１種であり、ｘは0.001≦ｘ＜１モル％であ
る。）で表わされている蛍光体、特開昭51-29889号に記
載されているNa2SO4,ＣａＳＯ4及びＢａＳＯ4等にMn,Dy
及びTbのうち少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭
52-30487号に記載されているBeO,LiF,MgSO4及びCaF2等
の蛍光体、特開昭53-39277号に記載されているLi2B
4O7：Cu,Ag等の蛍光体、特開昭54-47883号に記載されて
いるLi2O・(B2O2)x：Cu（但しｘは２＜ｘ≦３）、及びL
i2O・(B2O2)x：Cu,Ag（但しｘは２＜ｘ≦３）等の蛍光
体、米国特許第3,859,527号に記載されているSrS：Ce,S
m、SrS；Eu,Sm、La2O2S：Eu,Sm及び(Zn,Cd)S：Mn,Ｘ
（但しＸはハロゲン）で表わされる蛍光体が挙げられ
る。また、特開昭55-12142号に記載されているZnS：Cu,
Pb蛍光体、一般式がBaO・xAl2O3：Eu（但し0.8≦ｘ≦1
0）で表わされるアルミン酸バリウム蛍光体、及び一般
式がＭIIＯ・xSiO2：Ａ（但しＭIIはMg,Ca,Sr,Zn,Cd又
はBaでありＡはCe,Tb,Eu,Tm,Pb,Tl,Bi及びMnのうち少な
くとも１種であり、ｘは0.5≦ｘ＜2.5である。）で表わ
されるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。
また、一般式が （Ba1-x-yMgxCay)ＦＸ：eEu2+ （但しＸはＢｒ及びＣｌの中の少なくとも１つであり、
x,y及びｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦0.6、xy≠０及び10-6
≦ｅ≦５×１０-2なる条件を満たす数である。）で表さ
れる蛍光帯が挙げられる。また一般式が ＬｎＯＸ：ｘＡ （但しLnはLa,Y,Gd及びＬｕの少なくとも１つを、Ｘは
Ｃｌ及び／又はＢｒを、ＡはＣｅ及び／又はＴｂを、ｘ
は０＜ｘ＜0.1を満足する数を表す。）で表される蛍光
体、特開昭55-12145号に記載されている一般式が （Ba1-xMII x）ＦＸ：ｙＡ （但しＭIIは、Mg,Ca,Sr,Zn及びＣｄのうちの少なくと
も１つを、ＸはCl,Br及びＩのうち少なくとも１つを、
ＡはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb及びErのうちの少なく
とも１つを、ｘ及びｙは０≦ｘ≦0.6及び０≦ｙ≦0.2な
る条件を満たす数を表す。）で表される蛍光体、特開昭
55-84389号に記載されている一般式がBaFX：xCe,yA（但
し、ＸはCl,Br及びＩのうちの少なくとも１つ、ＡはIn,
Tl,Gd,Sm及びZrのうちの少なくとも１つであり、ｘ及び
ｙはそれぞれ０＜ｘ≦２×10-1及び０＜ｙ≦５×10-2で
ある。）で表される蛍光体、特開昭55-160078号に記載
されている一般式が ＭIIＦＸ，xA：ｙＬｎ （但しＭIIはMg,Ca,Ba,Sr,Zn及びＣｄのうちの少なくと
も１種、ＡはBeO,MgO,CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3,Y2O3,La2
O3,In2O3,SiO2,TiO2,ZrO2,GeO2,SnO2,Nb2O5,Ta2O5及びT
hO2のうちの少なくとも１種、LnはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,H
o,Nd,Yb,Er,Sm及びＧｄのうちの少なくとも１種であ
り、ＸはCl,Br及びＩのうちの少なくとも１種であり、
ｘ及びｙはそれぞれ５×１０-5≦ｘ≦0.5及び０＜ｙ≦
0.2なる条件を満たす数である。）で表される希土類元
素付活２価金属フルオロハライド蛍光体、一般式がZn
S：Ａ、(Zn,Cd)S：Ａ、CdS：Ａ、ZnS：Ａ，Ｘ及びCdS：
Ａ，Ｘ（但しＡはCu,Ag,Au,又はMnであり、Ｘはハロゲ
ンである。）で表される蛍光体、特開昭57-148285号に
記載されている一般式〔Ｉ〕又は〔II〕、 一般式〔Ｉ〕 ｘＭ３（ＰＯ4）2・ＮＸ2：ｙＡ 一般式〔II〕 Ｍ3（ＰＯ4）2・ｙＡ （式中、Ｍ及びＮはそれぞれMg,Ca,Sr,Ba,Zn及びＣｄの
うち少なくとも１種、ＸはF,Cl,Br,及びＩのうち少なく
とも１種、ＡはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Sb,Tl,
Mn及びＳｎのうち少なくとも１種を表す。また、ｘ及び
ｙは０＜ｘ≦６、０≦ｙ≦１なる条件を満たす数であ
る。）で表される蛍光体、一般式〔III〕又は〔IV〕 一般式〔III〕 nReX3・ｍＡＸ′2：xEu 一般式〔IV〕 nReX3・ｍＡＸ′2：xEu,ySm （式中、ReはLa,Gd,Y,Luのうち少なくとも１種、Ａはア
ルカリ土類金属、Ba,Sr,Caのうち少なくとも１種、Ｘ及
びＸ′はF,Cl,Brのうち少なくとも１種を表わす。ま
た、ｘ及びｙは、１×10-4＜ｘ＜３×10-1、１×10-4＜
ｙ＜１×10-1なる条件を満たす数であり、ｎ／ｍは１×
10- 3ｎ／ｍ＜７×10-1なる条件を満たす。）で表される
蛍光体、及び 一般式 ＭI×・ａＭII×′・ｂＭIII×″：cA （但し、ＭIはLi,Na,K,Rb,及びＣｓから選ばれる少なく
とも一種のアルカリ金属であり、ＭIIはBe,Mg,Ca,Sr,B
a,Zn,Cd,Cu及びＮｉから選ばれる少なくとも一種の二価
金属である。ＭIIIはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,T
b,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Al,Ga,及びＩｎから選ばれる少な
くとも一種の三価金属である。 X,X′及びＸ″はF,Cl,Br及びＩから選ばれる少なくとも
一種のハロゲンである。ＡはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,
Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu及びＭｇから選ばれる少
なくとも一種の金属である。 またａは０≦ａ≦0.5の範囲の数値であり、ｂは０≦ｂ
＜0.5の範囲の数値であり、ｃは０＜ｃ≦0.2の範囲の数
値である。）で表されるアルカリハライド蛍光体等が挙
げられる。特にアルカリハライド蛍光体は放射線感度そ
の他の性能において好ましい蛍光体である。 しかし、本発明において用いられる輝尽性蛍光体は、前
述の蛍光体に限られるものではなく、放射線を照射した
後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発光を示す蛍光体で
あればいかなる蛍光体であってもよい。 本発明の放射線画像変換パネルは前記の輝尽性蛍光体の
少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽性
蛍光体層から成る輝尽性蛍光体層群を含んでもよい。ま
た、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性蛍光体
は同一であってもよいが異なっていてもよい。 使用する輝尽性蛍光体の平均粒子径は放射線画像変換パ
ネルの感度と粒状性を考慮して平均粒子径0.1乃至100μ
ｍの範囲に於て適宜選択される。さらに好ましくは平均
粒径が0.5乃至40μｍのものが使用される。 以下、本発明の放射線画像変換パネル（以下、意味明晰
な場合は単にパネルと略称することがある）の製造方法
を具体例として述べる。 本発明のパネルの製造方法については、以下に示す例に
限られるものではない。 まず、輝尽性蛍光体層用塗布液を作成する前記塗布液は
輝尽性蛍光体および結着剤を疎水性微粒子とともに適当
な溶剤中に分散して得られる。 本発明に用いられる結着剤としては、例えばゼラチンの
如きタンパク質、デキストランの如きポリサツカライド
またはアラビアゴム、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸
ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロース、塩化ビ
ニリデン−塩化ビニルコポリマー、ポリメチルメタクリ
レート、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、ポリウレ
タン、セルロースアセテートブチレート、ポリビニルア
ルコール、およびそれらの混合物等のような通常層構成
に用いられる結着剤が使用される。一般に結着剤は輝尽
性蛍光体１重量部に対して0.01乃至１重量部の範囲で使
用される。しかしながら得られる放射線画像変換パネル
の感度と鮮鋭度の点では結着剤は少ない方が好ましく、
塗布の容易さとの兼合いから0.03乃至0.2重量部の範囲
がより好ましい。 塗布後の調製に用いられる溶剤の例としては、メタノー
ル、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノー
ル、ｎ−ブタノール等の低級アルコール、アセトン、メ
チルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン、酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル等の低級脂肪酸と
低級アルコールとのエステル、メチレンクロライド、エ
チレンクロライド等の塩素原子含有炭化水素およびそれ
らの混合などが挙げられる。 輝尽性蛍光体用塗布液を調製する手順としては、たとえ
ば、前記結着剤を前記溶剤に溶解してなる溶液中に輝尽
性蛍光体粒子と該粒子に対し0.005重量％以上１０重量
％以下の疎水性微粒子とをよく混合したものを加えたの
ち、ボールミル、サンドミル、アトライター、三本ロー
ルミル、高速インペラー分散機、高速衝撃ミル、超音波
分散機等を用いて分散混合してもよい。あるいは輝尽性
蛍光体および疎水性微粒子を結着剤とよく混合した後溶
剤を加えて分散してもよい。また疎水性微粒子は分散の
途中に加えてもよい。 前記疎水性微粒子の添加量は、輝尽性蛍光体に対して0.
005重量％より小であると十分な防湿効果は得られず、
また10重量％以上であると添加量を増大しても効果が飽
和してそれ以上の効果の向上はみられないうえに、輝尽
性蛍光体充填率が低下して放射線感度が減少する。その
最適添加量は、輝尽性蛍光体粒子の粒径分布や疎水性微
粒子の平均粒径、また疎水性微粒子の種類などによって
異なるが、効果と実用性の面から0.05重量％以上1.0重
量％以下とするのが好ましい。 なお、輝尽性蛍光体層用塗布液中に、輝尽性蛍光体層蛍
光体粒子の分散性を向上させる目的でステアリン酸、フ
タル酸、カプロン酸、親油性界面活性剤等の分散剤を混
合してもよい。また必要に応じて結着剤に対する可塑剤
を添加してもよい。前記可塑剤の例としては、フタル酸
ジエチル、フタル酸ジブチル等のフタル酸エステル、燐
酸トリクレジル、燐酸トリフェニル等の燐酸エステル、
コハク酸ジイソデシル、アジピン酸ジオクチル等の脂肪
族２塩基酸エステル、グリコール酸エチルフタリルエチ
ル、グリコール酸ブチルフタリルブチル等のグリコール
酸エステル等が挙げられる。 上記のようにして調製された輝尽性蛍光体用塗布液をド
クターブレード、ナイフコーター、ロールコーター等の
塗工機を用いて支持体上に塗布することにより、輝尽性
蛍光体層が形成される。なお、保護層上に輝尽性蛍光体
層を形成した後、支持体を設ける手順をとってもよい。 本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の膜厚
は目的とする放射線画像変換パネルの特性、輝尽性蛍光
体の種類、結着剤と輝尽性蛍光体との混合比等によって
異なるが、10μｍ〜1000μｍの範囲から選ばれるのが好
ましく、10μｍ〜500μｍの範囲から選ばれるのがより
好ましい。 尚、本発明の放射線画像変換パネルの鮮鋭性向上を目的
として、特開昭55-163500号に開示されているように放
射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層もしくは入射する
輝尽励起光に対して蛍光体層底面にある支持体もしくは
保護層に輝尽励起光を吸収するような着色剤で着色して
もよい。また、特開昭59-202100号に開示されているよ
うに、輝尽性蛍光体層をハニカム構造としてもよい。 また、塗布の際に、特願昭59-186859号に述べられてい
るように、輝尽性蛍光体層の層厚方向に蛍光体粒子の所
定の粒子大きさ分布配列が構成されるように塗布しても
よい。 本発明において、用いられる支持体としては各種高分子
材料、ガラス、金属等が用いられる。特に情報記録材料
としての取り扱い上可撓性のあるシートあるいはウェブ
に加工できるものが好適であり、この点から例えばセル
ロースアセテートフィルム，ポリエステルフィルム，ポ
リエチレンテレフタレートフィルム，ポリアミドフィル
ム，ポリイミドフィルム，トリアセテートフィルム，ポ
リカーボネイトフィルム等のプラスチックフィルム，ア
ルミニウム，鉄，銅，クロム等の金属シート或は該金属
酸化物の被覆層を有する金属シートが好ましい。 また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的に80μｍ〜1000μｍであり、取り
扱い上の点からさらに好ましくは80μｍ〜500μｍであ
る。 本発明においては、一般的に前記輝尽性蛍光体層が露呈
する面に、輝尽性蛍光体層群を物理的にあるいは化学的
に保護するための保護層を設けることが好ましい。この
保護層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗
布して形成してもよいし、あるいはあらかじめ別途形成
した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。保護
層の材料としては酢酸セルロース，ニトロセルロース，
ポリメチルメタクリレート，ポリビニルブチラール，ポ
リビニルホルマール，ポリカーボネート，ポリエステ
ル，ポリエチレンテレフタレート，ポリエチレン，ポリ
プロプレン，ポリ塩化ビニリデン，ナイロン，ポリ四フ
ッ化エチレン，ポリ三フッ化−塩化エチレン，四フッ化
エチレン−六フッ化プロピレン共重合体，塩化ビニリデ
ン−塩化ビニル共重合体，塩化ビニリデン−アクリロニ
トリル共重合体等の保護層用材料が用いられる。 また、この保護層は真空蒸着法，スパッタ法等により、
SiC,SiO2,SiN,Al2O3などの無機物質を積層して形成して
もよい。 本発明の放射線画像変換パネルは第１図に概略的に示さ
れた放射線画像変換方法に用いられた場合、優れた鮮鋭
性と感度を与える。すなわち、第１図において、11は放
射線発生装置、12は被写体、13は本発明の放射線画像変
換パネル、14は輝尽励起光源、15は該放射線画像変換パ
ネルより放射された輝尽発光を検出する光電変換装置、
16は15で検出された信号を画像として再生する装置、17
は再生された画像を表示する装置、18は輝尽励起と輝尽
発光とを分離し、輝尽発光のみを透過させるフィルター
である。尚15以降は13からの光情報を何らかの形で画像
として再生できるものであればよく、上記に限定される
ものではない。 第１図に示されるように、放射線発生装置11からの放射
線は被写体12を通して本発明の放射線画像変換パネル13
に入射する。この入射した放射線は放射線画像変換パネ
ル13の輝尽性蛍光体層に吸収され、そのエネルギーが蓄
積され、放射線透過像の蓄積像が形成される。次にこの
蓄積像を輝尽励起光源14からの輝尽励起光で励起して輝
尽発光として放出せしめる。 放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置15で光電変換し、画像表示装置17によ
って表示することにより、被写体の放射線透過像を観察
することができる。
【実施例】 次に実施例によって本発明を説明する。 実施例１． 輝尽性蛍光体RbBr：0.0015TlBrの粒子と該粒子に対し0.
05重量％の微粒子状疎水性シリカ、アエロジルＲ812
（二本アエロジル株式会社製，一次粒子の平均径：約７
ｍμ，ＭＷ値：約60）とをよく混合し、輝尽性蛍光体を
含有する粉体を準備した。次にポリビニルブチラール樹
脂（積水化学製エスレックＢＭＳと同エスレックＢＬＳ
とを７：３の重量比で混合したもの）１重量部およびス
テアリン酸0.1重量部を酢酸ｎ−ブチル4.5重量部および
ｎ−ブタノール1.5重量部の混合溶媒に溶解して結着剤
溶液を調整した。該結着剤溶液に前記輝尽性蛍光体を含
有する粉体13重量部を加え、サンドミルにより混合分散
した。このようにして得た分散液Ａを、250μｍ厚のポ
リエチレンテレフタレートフィルム上にドクターブレー
ドを用いて塗布し、40℃で乾燥して、約300μｍ厚の輝
尽性蛍光体層を有する本発明の放射線画像変換パネルＡ
を製造した。 このようにして得られた本発明のパネルＡを乾燥ボック
ス内に２日間放置して水分を除去した後、以下に述べる
評価を行なった。 本発明のパネルＡに管電圧80ＫＶｐのＸ線を10mR照射し
た後、半導体レーザ光（波長780nm）で輝尽励起し、輝
尽性蛍光体層から放射される輝尽発光を光検出器（光電
子増倍管）で光電変換し、この信号の大きさよりＸ線に
対する感度を調べた。ここでＸ線照射から半導体レーザ
光照射までの時間を５秒および２分と変えてそれぞれ感
度を測定した。前者の結果をSo(5sec)、後者の結果をSo
(2min)と表す。次にパネルＡを40℃80％の恒温恒湿槽内
に48時間放置して強制劣化させた後再び５秒後の感度お
よび２分後の感度を測定し、その他のそれぞれS1(5se
c),S1(2min)とした。 So(5sec),S1(5sec)／So(5sec)および(S1(2min)／S1(5se
c))／(So(2min)／So(5sec))の値を第１表に示す。ここ
で、S1(5sec))／So(5sec)および(S1(2min)／Ｓ１（５ｓ
ｅｃ））(So(2min)／So(5sec))はそれぞれ強制劣化後の
感度劣化の目安および潜像褪行速度の増大の目安となる
値である。また、第１表においてSo(5sec)は本発明のパ
ネルＡを100として相対値で示してある。 一方、分散液Ａの一部を塗布用とは別にシリンダーにと
り、30分間かくはんした後３時間静置して固形物の沈降
の有無を調べた。結果を第２表に示す。 実施例２． 実施例１において、微粒子状疎水性シリカの添加量を輝
尽性蛍光体に対し0.1重量％とする以外は実施例１と同
様にして混合分散の作業を行い、分散液Ｂを得た。次に
分散液Ｂを実施例１と同様の方法により塗布乾燥して本
発明のパネルＢを製造した。 このようにして得られた本発明のパネルＢおよび分散液
Ｂは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表およ
び第２表に併記する。 実施例３． 実施例１において、微粒子疎水性シリカの添加量を輝尽
性蛍光体に対し0.5重量％とする以外は実施例１と同様
にして混合分散の作業を行い、分散液Ｃを得た。 次に分散液Ｃを実施例１と同様の方法により塗布乾燥し
て本発明のパネルＣを製造した。 このようにして得られた本発明のパネルＣおよび分散液
Ｃは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表およ
び第２表に併記する。 実施例４． 実施例１において、微粒子状疎水性シリカの添加量を輝
尽性蛍光体に対し0.9重量％とする以外は実施例１と同
様にして混合分散の作業を行い、分散液Ｄを得た。 次に分散液Ｄを実施例１と同様の方法により塗布乾燥し
て本発明のパネルＤを製造した。 このようにして得られた本発明のパネルＤおよび分散液
Ｄは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表およ
び第２表に併記する。 実施例５． 実施例１において、微粒子状疎水性シリカの添加量を輝
尽性蛍光体に対し５重量％とする以外は実施例１と同様
にして混合分散の作業を行い、分散液Ｅを得た。 次に分散液Ｅを実施例１と同様の方法により塗布乾燥し
て本発明のパネルＥを製造した。 このようにして得られた本発明のパネルＥおよび分散液
Ｅは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表およ
び第２表に併記する。 実施例６． 実施例１において、微粒子状疎水性シリカの代わりに微
粒子状疎水性酸化チタン、アエロジルＴ805（日本アエ
ロジル株式会社製，一次粒子の平均径：約21ｍμ，ＭＷ
値：約60）を輝尽性蛍光体に対し0.5重量％添加する以
外は実施例１と同様にして混合分散の作業を行い分散液
Ｆを得た。 次に分散液Ｆを実施例１と同様の方法により塗布乾燥し
て本発明のパネルＦを製造した。 このようにして得られた本発明のパネルＦおよび分散液
Ｆは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表およ
び第２表に併記する。 比較例１． 実施例１において、微粒子状疎水性シリカの添加を省略
する以外は実施例１と同様にして混合分散の作業を行
い、分散液Ｐを得た。 次に分散液Ｐを実施例１と同様の方法により塗布乾燥し
て比較のパネルＰを製造した。 このようにして得られた比較のパネルＰおよび分散液Ｐ
は、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表および
第２表に併記する。 比較例２． 実施例１において、微粒子状疎水性シリカの添加量を輝
尽性蛍光体に対し20重量％とする以外は実施例１と同様
にして混合分散の作業を行い、分散液Ｑを得た。 次に、分散液Ｑを実施例１と同様の方法により塗布乾燥
した。 このようにして得られた比較のパネルＱおよび分散液Ｑ
は、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表および
第２表に併記する。 第１表より明らかなように、疎水性微粒子を含有してい
る本発明のパネルＡ〜Ｆおよび比較のパネルＱは、疎水
性微粒子を含有しない比較のパネルＰに比べて、強制劣
化後においても感度劣化の程度および潜像褪行速度の増
大の程度が小さい。これは疎水性微粒子により輝尽性蛍
光体層の吸湿が抑制されるためである。 また、疎水性微粒子を含有する分散液Ａ〜ＦおよびＱ
は、固形物の沈降が現れず、分散安定性に優れている。
これは、疎水性微粒子が分散液中の輝尽性蛍光体粒子の
凝集を防ぐ効果を有するためである。 一方、疎水性微粒子の含有率が最も高い比較のパネルＱ
は、輝尽性蛍光体の充填率が低いため、他のパネルに比
較して感度が低くなっている。 以上のことからわかるように、本発明のパネルＡ〜Ｆ
は、いずれも輝尽性蛍光体層の防湿性が高く、輝尽性蛍
光体層塗布用の分散液の分散安定性に優れ、かつ感度は
従来のパネルに比較してほぼ同等である。本発明のパネ
ルの中では、とくにパネルB,C,DおよびＦが防湿効果、
感度ともに優れている。
05重量％の微粒子状疎水性シリカ、アエロジルＲ812
（二本アエロジル株式会社製，一次粒子の平均径：約７
ｍμ，ＭＷ値：約60）とをよく混合し、輝尽性蛍光体を
含有する粉体を準備した。次にポリビニルブチラール樹
脂（積水化学製エスレックＢＭＳと同エスレックＢＬＳ
とを７：３の重量比で混合したもの）１重量部およびス
テアリン酸0.1重量部を酢酸ｎ−ブチル4.5重量部および
ｎ−ブタノール1.5重量部の混合溶媒に溶解して結着剤
溶液を調整した。該結着剤溶液に前記輝尽性蛍光体を含
有する粉体13重量部を加え、サンドミルにより混合分散
した。このようにして得た分散液Ａを、250μｍ厚のポ
リエチレンテレフタレートフィルム上にドクターブレー
ドを用いて塗布し、40℃で乾燥して、約300μｍ厚の輝
尽性蛍光体層を有する本発明の放射線画像変換パネルＡ
を製造した。 このようにして得られた本発明のパネルＡを乾燥ボック
ス内に２日間放置して水分を除去した後、以下に述べる
評価を行なった。 本発明のパネルＡに管電圧80ＫＶｐのＸ線を10mR照射し
た後、半導体レーザ光（波長780nm）で輝尽励起し、輝
尽性蛍光体層から放射される輝尽発光を光検出器（光電
子増倍管）で光電変換し、この信号の大きさよりＸ線に
対する感度を調べた。ここでＸ線照射から半導体レーザ
光照射までの時間を５秒および２分と変えてそれぞれ感
度を測定した。前者の結果をSo(5sec)、後者の結果をSo
(2min)と表す。次にパネルＡを40℃80％の恒温恒湿槽内
に48時間放置して強制劣化させた後再び５秒後の感度お
よび２分後の感度を測定し、その他のそれぞれS1(5se
c),S1(2min)とした。 So(5sec),S1(5sec)／So(5sec)および(S1(2min)／S1(5se
c))／(So(2min)／So(5sec))の値を第１表に示す。ここ
で、S1(5sec))／So(5sec)および(S1(2min)／Ｓ１（５ｓ
ｅｃ））(So(2min)／So(5sec))はそれぞれ強制劣化後の
感度劣化の目安および潜像褪行速度の増大の目安となる
値である。また、第１表においてSo(5sec)は本発明のパ
ネルＡを100として相対値で示してある。 一方、分散液Ａの一部を塗布用とは別にシリンダーにと
り、30分間かくはんした後３時間静置して固形物の沈降
の有無を調べた。結果を第２表に示す。 実施例２． 実施例１において、微粒子状疎水性シリカの添加量を輝
尽性蛍光体に対し0.1重量％とする以外は実施例１と同
様にして混合分散の作業を行い、分散液Ｂを得た。次に
分散液Ｂを実施例１と同様の方法により塗布乾燥して本
発明のパネルＢを製造した。 このようにして得られた本発明のパネルＢおよび分散液
Ｂは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表およ
び第２表に併記する。 実施例３． 実施例１において、微粒子疎水性シリカの添加量を輝尽
性蛍光体に対し0.5重量％とする以外は実施例１と同様
にして混合分散の作業を行い、分散液Ｃを得た。 次に分散液Ｃを実施例１と同様の方法により塗布乾燥し
て本発明のパネルＣを製造した。 このようにして得られた本発明のパネルＣおよび分散液
Ｃは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表およ
び第２表に併記する。 実施例４． 実施例１において、微粒子状疎水性シリカの添加量を輝
尽性蛍光体に対し0.9重量％とする以外は実施例１と同
様にして混合分散の作業を行い、分散液Ｄを得た。 次に分散液Ｄを実施例１と同様の方法により塗布乾燥し
て本発明のパネルＤを製造した。 このようにして得られた本発明のパネルＤおよび分散液
Ｄは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表およ
び第２表に併記する。 実施例５． 実施例１において、微粒子状疎水性シリカの添加量を輝
尽性蛍光体に対し５重量％とする以外は実施例１と同様
にして混合分散の作業を行い、分散液Ｅを得た。 次に分散液Ｅを実施例１と同様の方法により塗布乾燥し
て本発明のパネルＥを製造した。 このようにして得られた本発明のパネルＥおよび分散液
Ｅは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表およ
び第２表に併記する。 実施例６． 実施例１において、微粒子状疎水性シリカの代わりに微
粒子状疎水性酸化チタン、アエロジルＴ805（日本アエ
ロジル株式会社製，一次粒子の平均径：約21ｍμ，ＭＷ
値：約60）を輝尽性蛍光体に対し0.5重量％添加する以
外は実施例１と同様にして混合分散の作業を行い分散液
Ｆを得た。 次に分散液Ｆを実施例１と同様の方法により塗布乾燥し
て本発明のパネルＦを製造した。 このようにして得られた本発明のパネルＦおよび分散液
Ｆは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表およ
び第２表に併記する。 比較例１． 実施例１において、微粒子状疎水性シリカの添加を省略
する以外は実施例１と同様にして混合分散の作業を行
い、分散液Ｐを得た。 次に分散液Ｐを実施例１と同様の方法により塗布乾燥し
て比較のパネルＰを製造した。 このようにして得られた比較のパネルＰおよび分散液Ｐ
は、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表および
第２表に併記する。 比較例２． 実施例１において、微粒子状疎水性シリカの添加量を輝
尽性蛍光体に対し20重量％とする以外は実施例１と同様
にして混合分散の作業を行い、分散液Ｑを得た。 次に、分散液Ｑを実施例１と同様の方法により塗布乾燥
した。 このようにして得られた比較のパネルＱおよび分散液Ｑ
は、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表および
第２表に併記する。 第１表より明らかなように、疎水性微粒子を含有してい
る本発明のパネルＡ〜Ｆおよび比較のパネルＱは、疎水
性微粒子を含有しない比較のパネルＰに比べて、強制劣
化後においても感度劣化の程度および潜像褪行速度の増
大の程度が小さい。これは疎水性微粒子により輝尽性蛍
光体層の吸湿が抑制されるためである。 また、疎水性微粒子を含有する分散液Ａ〜ＦおよびＱ
は、固形物の沈降が現れず、分散安定性に優れている。
これは、疎水性微粒子が分散液中の輝尽性蛍光体粒子の
凝集を防ぐ効果を有するためである。 一方、疎水性微粒子の含有率が最も高い比較のパネルＱ
は、輝尽性蛍光体の充填率が低いため、他のパネルに比
較して感度が低くなっている。 以上のことからわかるように、本発明のパネルＡ〜Ｆ
は、いずれも輝尽性蛍光体層の防湿性が高く、輝尽性蛍
光体層塗布用の分散液の分散安定性に優れ、かつ感度は
従来のパネルに比較してほぼ同等である。本発明のパネ
ルの中では、とくにパネルB,C,DおよびＦが防湿効果、
感度ともに優れている。
以上述べてきたように、本発明のパネルは輝尽性蛍光体
層中に疎水性微粒子を含有するため、輝尽性蛍光体層の
吸湿による感度の劣化および潜像褪行速度の増大を抑制
することが可能である。 また、本発明のパネルは輝尽性蛍光体層中に輝尽性蛍光
体粒子の凝集を防止する疎水性微粒子を含有しているた
め、ムラのない高画質の画像を得ることが可能である。 本発明はその効果が極めて大きく、工業的に有用であ
る。
層中に疎水性微粒子を含有するため、輝尽性蛍光体層の
吸湿による感度の劣化および潜像褪行速度の増大を抑制
することが可能である。 また、本発明のパネルは輝尽性蛍光体層中に輝尽性蛍光
体粒子の凝集を防止する疎水性微粒子を含有しているた
め、ムラのない高画質の画像を得ることが可能である。 本発明はその効果が極めて大きく、工業的に有用であ
る。
第１図は本発明の放射線画像変換パネルを使用する放射
線画像変換方法を説明する概要図である。
線画像変換方法を説明する概要図である。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−83700（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−63900（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−31100（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−237098（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】輝尽性蛍光体を結着剤中に分散してなる輝
尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、
前記輝尽性蛍光体層中に疎水性微粒子を輝尽性蛍光体に
対して0.005重量％以上１０重量％以下の量で含有する
ことを特徴とする放射線画像変換パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61020982A JPH0631906B2 (ja) | 1986-01-30 | 1986-01-30 | 放射線画像変換パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61020982A JPH0631906B2 (ja) | 1986-01-30 | 1986-01-30 | 放射線画像変換パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62177500A JPS62177500A (ja) | 1987-08-04 |
| JPH0631906B2 true JPH0631906B2 (ja) | 1994-04-27 |
Family
ID=12042358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61020982A Expired - Lifetime JPH0631906B2 (ja) | 1986-01-30 | 1986-01-30 | 放射線画像変換パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0631906B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000160155A (ja) * | 1998-09-24 | 2000-06-13 | Konica Corp | 希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体、その防湿処理方法、放射線像変換パネルおよび輝尽性蛍光体の製造方法 |
| JP2014136670A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 強負帯電付与性疎水性球状シリカ微粒子、その製造方法及びそれを用いた静電荷現像用電荷制御剤 |
| JP2015089898A (ja) * | 2013-11-05 | 2015-05-11 | 信越化学工業株式会社 | 無機蛍光体粉末、無機蛍光体粉末を用いた硬化性樹脂組成物、波長変換部材および光半導体装置 |
| JP6872139B2 (ja) * | 2016-11-17 | 2021-05-19 | 日本電気硝子株式会社 | 無機ナノ蛍光体粒子複合体及び波長変換部材 |
| JP2020019921A (ja) * | 2018-02-06 | 2020-02-06 | 信越化学工業株式会社 | 蛍光体粒子 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55146447A (en) * | 1979-05-01 | 1980-11-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | Radiation image converting panel |
| JPS55160078A (en) * | 1979-05-25 | 1980-12-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Fluorescent substance and preparation of the same |
| JPS58223099A (ja) * | 1982-06-22 | 1983-12-24 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線増感スクリ−ンの製造法 |
-
1986
- 1986-01-30 JP JP61020982A patent/JPH0631906B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62177500A (ja) | 1987-08-04 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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