JPS62177500A - 放射線画像変換パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は１ＮＩフ性蛍光体を用いた放射線画像変換パネ
ルに関するものであり、さらに詳しくは長期間にわたっ
て良好な状態で使用することのできる放射線画像変換パ
ネルに関するものである。

【従来の技術】

Ｘ線画像のような放射線画像はｉｒ１気診断用などに多
く用いられている。このＸ４９画像を得るために、被写
体を透過したＸ！ａを蛍光体層（蛍光スクリーン）に照
射し、これにより可視光を生じさせてこの可視光を通常
の写真をとるときと同じように銀塩を使用したフィルム
に照射して現像した、いわゆる放射線写真が利用されて
いる。しがし、近年銀塩を塗布したフィルムを使用しな
いで蛍光体層から直接画像を取り出す方法が工夫される
ようになった。 この方法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸
収せしめ、しかる後二の蛍光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ
、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具体的に
は、例えば米国１．？許３，８５９．５２７号及び特開
昭５５−１２１’４４号には輝尽性蛍光体を”用・・可
視光線又は赤外線＠　（Ｉすｊ起光とした放射線画像変
換方法が示されている。この方法は支持体上に輝尽性蛍
光体層を形成した放射線画像変換パネルを使用するもの
で、この放射線画像′ｌｌ換パネルの輝尽性蛍光体層に
被写体を透過した放射線を当てて被写体各部の放射線辺
過度に対応する放射線エネルギーを′Ｐｌ積させて潜像
を形成し、しかる後にこの輝尽性蛍光体層を輝尽励起光
で走査することによって各部の蓄積された放射線エネル
ギーな輝尽発光として放射させこの光の強弱による光信
号をたとえば充電変換し、画像再生装置により画像を得
るものである。この最終的な画像はハードコピーとして
再生しても良いし、ＣＲＴ上に再生しても良い。 この放射線画像変換方法において使用される放射線画像
変換パネルは、放射線画像情報をＭ積した後励起光の走
査によって′？ｌ積エネルギーを放出するので走査後再
度放射線画像の蓄積を行うことができ、繰り返し使用が
可能である。 そこで、前記放射線画像変換パネルは、得られる放射線
画像の画質を劣化させることなく長期間の使用に酎える
性能を有することが望ましい。 しかし、放射線画像変換パネルの製造に用いられる輝尽
性蛍光体は一般に吸湿性が大であり、通常の気候条件の
下で室内に放置すると、空気中の水分を収着し、時間の
経過とともに著しく劣化する。 具体的には、たとえば輝尽性蛍光体を高湿度のもとに置
くと、収着した水分量の増大にともなってＩｉ？ｒ記１
ｉ１１尽性蛍光体の放射線感度が低下士る。 また、一般に輝尽性蛍光体に記録された放射線画像の潜
像は、放射線照射後の時間の経過にともなって槌打する
ため、再生される放射線画像信号の強さは放射線照射か
ら励起光による１２査までの時間が長いほど小さくなる
という性質を有するが、輝尽性蛍光体が吸湿すると前記
潜像槌打の速さが著しく速くなる。そのため、吸１ｇシ
た輝尽性蛍光体を有する放射線画像変換パネルを用いる
と、放射線画像読取の際、励起光走査の開始から終了ま
での間（通常数秒〜数分程度の時間である）に再生画像
信号の強さが急速に減衰しつづけ、画像の再現性が低下
する可能性がある。 従来、輝尽性蛍光体の吸湿による前記の劣化現象を防止
するには、特願昭６０−１５４５５９号および特願昭６
０−１５６３４５号に述べられているように、透湿度の
低い保護層で輝尽性蛍光体層を被覆することにより該輝
尽性蛍光体層に到達する水分を低減させる方法がとられ
てきた。しかし、輝尽性蛍光体層それ自体の吸湿性を改
善する技術については、はとんど記述されていなかった
。 ｒ発明の目的】 本発明は、輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネル
における前述のような現状に鑑みてなされたものであり
、本発明の目的は、輝尽性蛍光体層の吸湿性が小さく長
期間にわたり良好な状態で使用が可能な放射線画像変換
パネルを提供することにある。 τ発明の構１′＆】 前記した本発明の目的は、輝尽性蛍光体を、結着剤中に
分散してなる輝尽性蛍光体層を有する放射ＩＩＡ！ｉＩ
像変換パネルにおいて、前記輝尽性蛍光体層中に疎水性
微粒子を輝尽性蛍光体に対して０．００５ｆｉ　ｆｉ％
以上１０重量％以下の量で含有することを特徴とする放
射線画像変換パネルによって達成される。 ここで、疎水性微粒子とは、−大粒子の平均径が０．１
μｌ程度より小であり、かつメタノールウェツタビリテ
イ−法による疎水化度（ＭＷ値）が２０より大である粒
子をさす。 本発明で好ましく用いられる疎水性微粒子は。 前記ＭＷ値が３５より大であるような粒子である。 さらに、−大粒子の平均径が３１μ〜６（ｌｙμの範囲
にある粒子が特に好ましい。 前記疎水性微粒子の具体例としては、ツメチルジクロル
シラン、ヘキサメチルノシラザン、オクチルトリメトキ
シシラン、シリコーンオイル等を用いて疎水化表面処理
を施した微粒子状シリカあるいは同様の表面処理を施し
た徴゛位子状酸化チタン等が挙げられる。 平均粒径が数μ屑〜数十μｌ程度の師尽性蛍尤１ド粒子
に適当量の前記疎水性微粒子を混合すると、多数の疎水
性微粒子が個々の輝尽性蛍光体粒子の表面にまぶされた
状態がつくられ、該購造は溶剤中あるいはｔＭ脂中にお
いても推持される。このように疎水性微粒子によって輝
尽性蛍光体粒子を包ム、：ｍ　ト、１．１ｍより、その
吸湿性を低下させることができる。 さらに、輝尽性蛍光体を結着剤中に分散してなる輝尽性
蛍光体Ｗｒを形成する場合、前記疎水性微粒子を添加す
ると、分散液中の輝尽性蛍光体粒子の凝集および沈降が
抑制され、ムラのない均一な輝尽性蛍光体層を形成する
ことができるため、得られる画像の画質の向上に寄与す
る。とくに、前記分散液の作成前に前記疎水性微粒子と
輝尽性蛍光体粒子とを混合すれば、前記輝尽性蛍光体の
粉体流動性が増大するので、粉砕、分級等の作業の効率
が大幅に向上する。 次に、本発明を具体的に説明する。 通常、放射線画像変換パネルは、適当な支持体上に輝尽
性蛍光体層が設けられ、さらに該１１１尽性蛍尤体層の
上表面に適当な保護層が設けられた構造を右する。ここ
で面記暉尽性蛍光体層は、たとえば輝尽性蛍光体を適当
な結着剤中に分散して塗布液を支持体上もしくは保：１
１層上に塗布して作成本発明の放射線画像変換パネルに
おり）で輝尽性蛍光体とは、最初の光もしくは高エネル
ギー放射線が照射された後に、光重、熱的、機械的、光
学的または電気的等の刺激（輝尽励起）により、最初の
光もしくは高エネルギーの放射線の照射量に対応した輝
尽発光を示す蛍光体を言うが、実用的６面から好ましく
は５００ｎｍ以上の輝尽励起光によってＸｌ１ｉ尽発光
を示す蛍光体である。本発明の放射線画像変換パネルに
用いられる輝尽性蛍光体としでは、例えば特開昭４８−
８０４８７号に記載されているＢ　ａＳ　Ｏ、：Ａ　ｘ
（但しＡはＤｙ１Ｔｂ及びＴ　ｔｎのうち少なくとも１
種であり、Ｋは０．００１≦ｘ＜１モル％である。）で
表される蛍光体、特開昭４８−８０４８８号記載のＭｇ
５Ｏ＜：Ａｘ（但しＡはＨｏ或いはＤｙのうちいずれか
であり、０．００１≦Ｘ≦１モル％であ゛る）で表され
る蛍光体、特開昭４８−８０４８９号に記載されている
Ｓ　ｒＳ　Ｏ、：Ａ　ｘ（但しΔはＤｙ、Ｔｂ及びＴＶ
ｌのうち少なくとも１種であり、×はｏ、ｏｏｉ≦にく
１モル％である。）や表わされている蛍光体、特開昭５
１−２９８８９号に記載されているＮａ２Ｓ０４ＩＣＩ
ＩＳＯ４及びＢａ５Ｏ，等にＭ　ｎ　＋　Ｄ　ｙ及びＴ
ｂのうち少なくとも１種を添加した蛍光体、ｖｆ開昭５
２−３０４８７号に記載されているＢ　ｅ　Ｏ＊　Ｌ　
ｉ　Ｆ　＋　Ｍ　ｇ　Ｓ　Ｏ４及びＣａＦ２等の蛍光体
、′＋ｙ開昭５３−３９２７７号に記載されでいるＬｉ
２Ｂ　＋　Ｏｔ　：　Ｃｕ　＋　Ａ　８等の蛍光体、特
開昭５４−４７８８３号に記＠されているＬ　ｉ２０　
・（Ｂ　２０　＊）ｘ：Ｃｕ（但しには２＜ｘ≦３）、
及びＬｉ２Ｏ・（Ｂ　２０　ｚ）ｘ：ＣｕｔＡｇ（但し
Ｘは２＜ｘ≦３）等の蛍光体、米国特許３，８５９，５
２７号に記載されているＳｒＳ：Ｃｅ、Ｓｍ、ＳｒＳ；
Ｅｕ。 ３ｍ％　ＬａｚＯ２Ｓ：Ｅｕ、Ｓｍ及び（ＺｎｌＣｄ）
Ｓ　：Ｍｎ、Ｘ（但しＸはハロゲン）で表わされる蛍光
体が挙げられる。また、特開昭５５−１２１４２号に記
載されているＺｎＳ：Ｃｕ、Ｐｂ蛍光体、一般式がＢ　
ａｏ−ＸＡ　１２０　ｓ：Ｅｕ（但し０．８≦に≦１０
）で表わ゛されるフルミン酸バリウム蛍光体、及び一般
式がＭ”　Ｏ・にＳｉＯ□：Ａ（但しＭ”はＭ　Ｆｉ＋
　Ｃａ　＋　Ｓ　ｒ　＋　Ｚ　ｎ　＋　Ｃｄ又はＢａで
ありＡはＣｅ、ＴＩ＋、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｐｂ、Ｔ　Ｉ、Ｂ
　ｉ及びＭｎのうち少なくとも１種であり、×は０．５
≦Ｘ＜２．５である。）で表わされるアルカリ土類金属
珪酸塩系蛍光体が挙げられる。また、一般式が （但しＸはＢ「及びＣ１の中の少なくとも１つであり、
×、ｙ及びｅはそれぞれＯ＜ｘ＋ｙ≦０．６、×ｙ≠・
０及び１０−６≦ｅ≦５Ｘ１０−２なる条件を満たす数
である。）で表される蛍光帯が挙げられる。また一般式
が Ｌ　ｎｏ　Ｘ　：ｘＡ （但しＬｎはＬａｙＹ、−Ｇｄ及びＬｕの少なくとも１
つを、ＸはＣ１及Ｖ／又はＢ「を、ＡはＣｅ及び／又は
Ｔｂを、ＸはＯ＜ｘ＜０．１を満足する数を表す。）で
表される蛍光体、＊”ｆ　Ｉ）＋１昭５５−１２１４５
号に記載されている一般式が （Ｂａ　　　Ｍ”　）Ｆ　Ｘ：ｙＡ −ｘｘ （但しＭ・は、Ｍｇ、Ｃ・、Ｓ’ｒ、’Ｚ・・及びｃａ
゛のうちの少なくとも１つを、ＸはＣＩ、Ｂｒ及びＩの
うち少なくとも１つを、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔ＋ａ
＋Ｄｙ＋Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ及びＥｒのうちの少な
くとも１つを、Ｘ及びｙは０≦Ｘ≦０．６及びＯ≦ｙ≦
０．２なる条件を満たす数を表す。）で表される蛍光体
、特開昭５５−８４３８９号に記＠されている一般式が
ＢａＦＸ：ｘＣｅｔｙＡ（但し、ＸはＣＩ、Ｂｒ及びＩ
のうちの少なくとも１つ、ＡはＩ　ｎ、Ｔ　Ｉ、Ｇ　ｄ
、Ｓ　ｖ及びＺｒのうちの少なくとも１つであり、×及
びｙはそれぞれＯくＸ≦２ＸＩＱ−’及びｏ＜ｙ≦Ｓ　
ｘ　ｔｏ−”である。）で表される蛍光体、特開昭５５
−１６００７８号に記載されている一般式が Ｍ”　ＦＸ、ｘＡ：ｙＬｎ （但しＭＩＩはＭ８ｗＣａｔＢａｔＳｒ、Ｚｎ及びＣｄ
のうちの少なくとも１種、ＡはＢｅＯＩｌｖ！ｇｏ　ｖ
ｃａｏ　＋Ｓ　ｒｏ　、Ｂ　ａｏ　＊Ｚ　ｎＯｘＡ　ｌ
ｉｏ　□Ｙ　ｚＯ３，Ｌ　ｎ２０３−Ｉ　ｎ１０　ｓ、
Ｓ　ｉｏ　２．Ｔ　ｉｏ　２−Ｚ　ｒｏ　ｚ−Ｇ　ｅｏ
　２−６１１０２゜ＮｂｔＯｓｓＴａ２０５及びＴｈ０
２のうちの少なくとも１　種　、　　Ｌ　　ｎ　は　Ｅ
ｕ＋Ｉ”ｌ＋、Ｃｅ、Ｔ＋ａｗＤｙ＋Ｐｒ＋Ｈｏ、Ｎｄ
＋ＹＬ＋、Ｅｒ、Ｓｓ及びＧｄのうちの少なくとも１！
ｉ１！であり、ＸはＣＩ、Ｂｒ及びＩのうちの少なくと
も１種であり、Ｘ及びｙはそれぞれ５　Ｘ　ｔｏ−’≦
Ｘ≦０．５及びｏ＜ｙ≦０．２なる条件を満たす数であ
る。）で表される希土類元素付活２剣金Ｍフルオロハラ
イド蛍光体、一般式がＺｎＳ　：Ａ、　（Ｚｎ、Ｃｄ）
Ｓ　：Ａ。 ＣｄＳ：Ａ、ＺｎＳ：Ａ、Ｘ及ｔＪ′ＣｄＳ：Ａ、Ｘ（
但し！＼は（、Ｊ　Ａ　ｇ、　Ａ　ｕ＋又はＭｎであり
、ＸはハＯデンである。）で表される蛍光体、特開昭５
７−１４８２８５号に記載されている一般式〔１〕又は
（ｎ）、一般式（１）　　　ｘＭｉ（ＰＯ４ｈ’ＮＸ：
：ｙＡ一般式［ＩＩ　）　　　　Ｍ、（ＰＯ，）２・ｙ
Ａ（式中、Ｍ及１／ＮはそれぞれＭ　ｇ＋　Ｃａｔ　Ｓ
　ｒ、　Ｂ　ａｔＺｎ及びＣｄのうち少なくとも１種、
ＸはＦ　、ＣＩ。 Ｂｒ＋及びＩのうち少なくとも１種、Ａ　１．ｔ　Ｅ　
ｕ＋Ｔ　ｂ。 ＣｅｔＴｍ＋Ｄｙ＋Ｐｒ、Ｈｏ＋ＮｃＬＹｂ＋Ｅｒ＋Ｓ
Ｉ＋＋Ｔ　ｌ＋Ｍｎ及びＳｎのうち少なくとも１種を表
す。また、Ｘ及びｙはＯ＜ｘ≦６、Ｏ≦ｙ≦１なる条件
を満たす数である。）で表される蛍光体、一般式（Ｉ［
［）又は（ＩＶ） 一般式（ＩＩＩ）　　　ｎＲｅＸコ・＋ａＡＸ’２：ｘ
Ｅｕ一般式（１！／）　　　ｎＲｅＸ３・ｍＡＸ’２：
ｘＥｕ＋ｙｓｍ（式中、ＲｅはＬａ、Ｇｄ、Ｙ　、Ｌｕ
のうち少なくとも１！！１１、Ａはアルカリ土類金属、
ＢａｗＳｒ、Ｃａのうち少なくとも１種、Ｘ及びＸ′は
Ｆ、ＣＩ、Ｂｒのうち少なくとも１種を表わす。また、
Ｘ及びｙは、１ＸＩＯ−’＜ｘ＜　３　Ｘｌ０−’、　
　Ｉ　Ｘｌ０−’＜ｙ＜　Ｉ　Ｘｌ０−’なる条件を満
たす数であり、ｎ７ｍはＩ　Ｘ　１Ｏ−２ｎ／糟く７Ｘ
１０−’なる条件を満たす、）で表される蛍光体、及び 一般式 ％式％： （但し、Ｍ！はＬｉ＋Ｎａ＋に、Ｒｈ、及びＣｓから選
ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ”はＢ
ｅ＊Ｍｇ＋Ｃａ＊Ｓ’ｒ＋Ｂａ５Ｚｎ＊Ｃｄ＊Ｃｕ及び
Ｎｉから選ばれる少なくとも一種の二価金属である。 Ｍ璽　はＳｃ、Ｙ、Ｌｍ、Ｃｃ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓ
＋＊、Ｅｕ、Ｇｄ。 Ｔｂ、ＤｙｗＨｏ＊Ｅｒ、Ｔ＋ａｖＹＩ＋ｔＬｕ＋ＡＩ
、Ｇａ＋及びＩｎから選ばれる少なくとも一種の三価金
属である。 ｘ、ｘ’及びＸ″はＦ、Ｃ１，Ｂｒ及び■から選ばれる
少なくとも一種のハａデンである。ＡはＥｕ。 Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ＋Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ＋Ｎｄ、Ｙｂ＋Ｅ
ｒ、Ｇｄ、Ｌｕ。 ＳｍｔＹ　、Ｔ　ｌ＋Ｎａ＋Ａｇ＋ｃｕ及びＭｇから選
ばれる少なくとも一種の金属である。 １ｒ：ａはＯ≦ａ＜０．５の範囲の数値であり、ｂは０
≦ｂ＜０．５の範囲の数値であり、ＣはＯ＜ｃ≦０．２
の範囲の数値である。）で表されるアルカリハライド蛍
光体等が挙げられる。特にアルカツノ１ライド蛍光体は
放射線感度その他の性能において好ましい蛍光体である
。 しかし、本発明において用いられる輝尽性蛍光体は、前
述の蛍光体に限られるものではなく、放射線を照射した
後輝尽励起光を照射した場合に輝尽蛍光を示す蛍光体で
あればいかなる蛍光体であってもよい。 本発明の放射線画像変換パネルは前記の輝尽性蛍光体の
少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上の１！Ｉ
Ｊ！−性蛍光体層から成る輝尽性蛍光体層群を含んでも
よい。また、それぞれの輝尽性蛍光水層に含まれる輝尽
性蛍光体は同一であってもよいが異なっていてもよい。 使用する輝尽性蛍光体の平均粒子径は放射線画像変換パ
ネルの感度と粒状性を４°Ｉ２シて平均粒子径０．１乃
至１００μ臂の＋屯囲に於て適宜選択される。 さらに好ましくは平均粒径が０．５乃至４０μ膚のもの
が使用される。 以下、本発明の放射線画像変換パネル（以下、意味明晰
な場合は単にパネルと略称することがある）の製造方法
を具体例として述べる。 本発明のパネルの製造方法については、以下に示す例に
限られるものではない。 まず、輝尽性蛍光体層用塗布液を作成する前記塗布液は
ＩＴＩ尽性蛍尤体および結着剤を疎水性微粒子とともに
適当な溶剤中に分散して得られる。 本発明に用いられる結着剤としては、例えばゼラチンの
如きタンパク質、デキストランの如きポリサッカライド
またはアラビアゴム、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸
ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロース、塩化ビ
ニリデン−塩化ヒニルフボリマー、ポリメチルメタクリ
レート、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、ポリウレ
タン、セルロースアセテートブチレート、ポリビニルア
ルフール、およびそれらの混合物等のような通常層構成
に用いられる結着剤が使用される。一般に結着剤は輝尽
性蛍光体１重量部に対して０．０１乃至１重量部の範囲
で使用される。しかしながら得られる放射線画像変換パ
ネルの感度と鮮鋭性の点では結着剤は少ない方が好まし
く、塗布の寥易さとの兼合いから０．０３乃至０．２重
量部の範囲がより好ましい。 塗布液の調製に用いられる溶剤の例としては、メタノー
ル、エタノール、１１−プロパ／−ル、インプロパツー
ル、１１−ブタノール等の低級アルコール、アセトン、
メチルエチルケトン キサノン等のケトン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ
−ブチル等の低ａ脂肪酸と低級アルコールとのエステル
、メチレンクロライド、エチレンクロライド等の塩素原
子含有炭化水素およびそれらの混合などが挙げられる。 輝尽性蛍光体用塗布液を調製する手順としては、たとえ
ば、前記結着剤を前記溶剤に溶解してなる溶液中に輝尽
性蛍光体粒子と該粒子に対し０．００５重量％以上１０
重量％以下の疎水性微粒子とをよ（混合したものを加え
たのち、ボールミル、サンドミル、アトライター、三本
ロールミル、高速インペラー分散機、高速衝撃ミル、超
音波分散機等を用いて分散混合してもよい．あるいは輝
尽性蛍光体および疎水性微粒子を結着剤とよく混合した
後溶剤を加えて分散してもよい．また疎水性微粒子は分
散の途中に加えてもよい。 曲記疎水性微粒子の添加量は、輝尽性蛍光体に対して０
．００５重量％より小であると十分な防湿効果は得られ
ず、また１０重量％以上であると添加量を増大しても効
果が飽和してそれ以上の効果の向上はみられないうえに
、輝尽性蛍光体充填率が低下して放射線感度が減少する
．その最適添加量は、輝尽性蛍光体粒子の粒径分布や疎
水性微粒子の平均粒径、また疎水性微粒子の種類などに
よって異なるが、効果と実用性の面から０，Ｏ’４ｆｉ
％以上１、０重量％以下とするのが好ましい。 なお、輝尽性蛍光体層用塗布液中に、輝尽性蛍光体層蛍
光体粒子の分散性を向上させる目的で、ステアリン酸、
７タル酸、カプロン酸、親油性界面活性剤等の分散剤を
混合してもよい。また必要に応じて結着剤に対する可塑
剤を添加してもよい。 前記可塑剤の例としては、７タル酸ノエチル、７タル酸
ノブチル等の７タル酸エステル、燐酸トリ。 クレジル、燐酸トリフェニル等の燐酸エステル、コハク
酸ジイソデシル、７クビン酸ノオクチル等の脂肪族２塩
基酸エステル、グリコール酸エチル７タリルエチル、グ
リコール酸ブチル７タリルプチル等のグリコール酸エス
テル等が挙げられる。 上記のようにして調製された輝尽性蛍光体用塗布液をド
クターブレード、ナイフコーター、ロールコータ−等の
塗工機を用いて支持体上に塗布することにより、輝尽性
蛍光体層が形成される．なお、保護層上に輝尽性蛍光体
層を形成した後、支持体を設ける手順をとってもよい。 本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の膜厚
は目的とする放射線画像変換パネルの特性、輝尽性蛍光
体の種類、結着剤と輝尽性蛍光体との混合比等によって
異なるが、１０μｌ〜１０００μ肩の範囲から選ばれる
のが好ましく、ｌＯμｌ〜５００／ｊｚの範囲から選ば
れるのがより好ましい。 尚、本発明の放射線画像変換パネルの鮮鋭性向上を目的
として、特開昭５５−１８３５００号に開示されている
ように放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層もしくは
入射する輝尽励起光に討して蛍光体層底面にある支持体
もしくは保護層にＸｌｌｌ７？−励起光を吸収するよう
な着色剤で着色してもよい。また、１、′ｆＩＩＨ昭５
９−２０２１００号にｆｉｌ示されているように、輝尽
性蛍光体層をハニカム構造としてもよい。 また、塗布の際に、特願昭５９−１８６８５９号に述べ
られているように、輝尽性蛍光体層のＷＩ厚方向に蛍光
体粒子の所定の粒子大きさ分布配列が情成されるように
塗布してもよい。 本発明において、用いられる支持体としては各種高分子
材料、ガラス、金属等が用いられる。特に情報記録材料
としての取り扱い上可撓性のあるシートあるいはウェブ
に加工できるものが好適であり、この点から例えばセル
ロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポ
リエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィル
ム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポ
リカーボネイトフィルム等のプラスチックフィルム、ア
ルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シート或は該金属
酸化物の被？ＩＷＩを有する金属シートが好ましい。 また、これら支持体のＷＩＩ′＋７は用いる支持体の材
質等によって異なるが、一般的に８０μＩ〜１０００μ
ｌであり、取り扱い上の点からさらに好ましくはＳＯμ
１１〜５００μｌである。 本発明においては、一般的に前記輝尽性蛍光体層が露呈
する面に、輝尽性蛍光体層群を物理的にあるいは化学的
に保護するための保、Ｊ層を設けることが好ましい。こ
の保護層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接
塗布して形成してもよいし、あるいはあらかじめ別途形
成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。保
護層の材料としては酢酸セルロース、ニトロセルロース
、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール。 ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステ
ル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四７
フ化エチレン、ポリ三７ツ化−塩化エチレン、四７フ化
エチレン−六７フ化プロピレン共重合体、塩化ビニリプ
レー塩化ビニル共重合体。 塩化ビニリデン−７クリロニトリル共重合体等の保護層
用材料が用いられる。 また、この保護層は真空蒸着法、スパッタ法等により、
Ｓ　ｉＣ、Ｓ　ｒｏ　、、Ｓ　ｉＮ　、Ａ　１２０２な
どの無機物質を積層して形成してもよい。 本発明の放射線画像変換パネルは第１図に概略的に示さ
＃ｔた放射線画像変換方法に用いられた場合、優れた鮮
鋭性と感度を与える。すなわち、第１図において、１１
は放射線発生装置、１２は被写体、１３は本発明の放射
線画像変換パネル、１４は１ｌｌＩ尽励起光源、１５は
該放射線画像変換パネルより放射されたＲ尽発光を検出
する光電変換ｉ置、１６は１５で検出された信号を画像
として再生する装置、１７は再生された画像を表示する
装置、１８は輝尽励起と輝尽発光とを分離し、輝尽発光
のみを透過させるフィルターである。尚１５以降は１３
がらの光情報を何らかの形で画像として再生できるもの
であればよく、上記に限定されるものではない。 第１図に示されるように、放射線発生装置１１がらの放
射線は被写体１２を通しで本発明の放射線画像変換パネ
ル１３に入射する。この入射した放射線は放射線画像変
換パネル１３の輝尽性蛍光体層に吸収され、そのエネル
ギーがＭ！積され、放射線透過像の蓄積像が形成される
。次にこの蓄積像を輝尽励起光源１４からのｔＩＩ＋尽
励起光で励起して輝尽発光として放出せしめる。 放射されるＲ尽発光の強弱は１１Ｆ積された放射線エネ
ルギー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増
倍管等の光電変換装置１５で光電変換し、画像表示装ｒ
ａ１フによって表示することにより、被写体の放射線透
過像を観察することができる。

【実施例】

次に実施例によって本発明を説明する。 実施例１゜ 輝尽性蛍光体ＲｂＢ　ｒ：ｏ、’００１５Ｔ　ＩＢｒの
粒子と該粒子に対し０．０５重皿％の微粒子状疎水性シ
リカ、７エロジルＲ’８１２　（日本７エロノル株式会
社Ｍ　＋−次粒子の平均径：約７Ｒμ、ＭＷ値：約６０
）とをよく混合し、輝尽性蛍光体を含有する粉体を亭備
した。 次にポリビニルブチラール樹脂（積水化学製エスレソク
ＢＭＳと同エスレックＢＬＳとを７：３の重量比で混合
したもの）１重量部およびステアリン酸０．１重量部を
酢酸ｎ−ブチル４．５爪呈部およびｎ−ブタノール１．
５重量部の混合溶媒に溶解して結着剤１８液を調整した
。該結着剤溶液に前記１ＩＩＩ尽性蛍尤体を含有する粉
体１３重量部を加え、サンドミルにより混合分散した。 このようにして得た分散液Ａを、２５シ］厚のポリエチ
レンテレフタレートフィルム上にドクターブレードを用
いて塗布し、４０°Ｃで乾燥して、約３００μ屑厚の輝
尽性蛍光体層を有する本発明の放射＃２１ｉ！ｉｉ像変
換パネルＡを製造した。 このようにして得られた本発明のパネルＡを乾燥ボンク
ス内に２０間放置して水分を除去した後、以下に述べる
評価を行なった。 本発明のパネルＡに管電圧８０ＫＶｐのＸ線を１０１１
１Ｒ照射した後、半導体レーザ光（波長７８０ｎｍ）で
輝尽励起し、輝尽性蛍光体層がら放射される輝尽発光な
光検出器（光電子増倍管）で充電変換し、二の４３号の
大！さよりＸ線に対する感度を調べた。 ユニでｘｍ照射から半導体レーザ尤照射までの時間を５
秒および２分と変えてそれぞれ感度を測定した。１１η
者の結果をＳ　ｏ（５５ｅｃ）、後者の結果をＳ　ｏ（
２ｍ１ｎ）と表す。次にパネル八を４０℃８０％の恒温
恒湿槽内に４８時間放置して強制劣化させた後再び５抄
後の感度および２分後の感度を測定し、その他をそれぞ
れＳ　ｌ（５５ｅｃ）、　Ｓ　、（２ｍｉｎ＞とした。 Ｓ　ｏ（５５ｅｃ）、Ｓ　、（５５ｅｃ）／　Ｓ　ｏ（
５５ｅｃ）および（Ｓ　、（２＋５ｉｎ）／　Ｓ　、（
５５ｅｃ））／　（Ｓ　Ｏ（２ｌ０ｉｎ）／　Ｓ　ｏ（
，５ｓｅｃ））の値を第１表に示す。ここで、Ｓ　＋（
５５ｅｃ）／　Ｓ　ｏ（５５ｅｃ）および（Ｓ　、（２
ｒａｉｎ）／　Ｓ　、（５５ｅｃ））／（Ｓ　ｏ（２ｗ
ｉｎ）／　Ｓ　ｏ（５５ｅｃ））はそれぞれ強制劣化後
の感度劣化の目安および潜像槌打速度の増大の目安とな
る値である。また、第１表において５ｏ（Ｓｓｅｃ　）
は本発明のパネル八を１００として相対値で示しである
。 一方、分散液Ａの一部を塗布用とは別にシリング−にと
り、３０分間がくはんした後３時間静置して固形物の沈
降の有無を調べた。結果を１２表に示す。 実施例２゜ 実施例１において、微粒子状疎水性シリカの添加量を輝
尽性蛍光体に対し０．１重量％とする以外は実施例１と
同様にして混合分散の作業を行い、分散液Ｂを得た。次
に分散液Ｂを実施例１と同様の方法により塗布乾燥して
本発明のパネルＢを製造した。 このようにして得られた本発明のパネル、Ｂおよび分散
液Ｂは、実施外１と同様にして評価し、結果を第１表お
上Ｖ第２表に併記する。 実施例３゜ 実施例１において、微粒子状疎水性シリカの添加量を輝
尽性蛍光体に対し０．５重量％とする以外は実施例１と
同様にして混合分散の作業を行い、分散液Ｃを得た。 次に分散液Ｃを実施例１と同様の方法により塗布乾燥し
て本発明のパネルＣを製造した。 このようにして得られた本発明のパネルＣおよび分散液
Ｃは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表お上
Ｖ第２表に併記する。 実施例４゜ 実施例１において、微粒子状疎水性シリカの添加量を輝
尽性蛍光体に対し０．９重量％とする以外は実施例１と
同様にして混合分散の作業を行い、分散液りを得た。 次に分散液Ｄ＠一実施例１と同様の方法により塗布乾燥
して本発明のパネルＤを製造した。 このようにして得られた本発明のパネルＤおより分散液
りは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表およ
び第２表に併記する。 実施例５゜ 実施例１において、微粒子状疎水性シリカの添加量を輝
尽性′蛍光体に対し５重量％とする以外は実施例１と同
様にして混合分散の作業を行い、分散液Ｅを得た。 次に分散液Ｅを実施例１と同様の方法により塗布乾燥し
て本発明のパネルＥを製造した。 このようにして得られた本発明のパネルＥお上り分散液
Ｅは、実施例１と同様にして評価し、結果をｒｊＳ１表
および第２表に併記する。 実施例６゜ 実施例１において、微粒子状疎水性ンリカの代わりに微
粒子状疎水性酸化チタン、アエロジルＴＳ０５（日本ア
エロノル株式会社製、−次粒子の平均径：約２１肩μ、
ＭＷ値：約６０）を輝尽性蛍光体に対し０．５重量％添
加する以外は実施例１と同様にして混合分散の作業を行
い分散液Ｆを得た。 次に分散？ｌｌＦを実施例１と同様の方法により塗布乾
燥して本発明のパネルＦを５！遺した。 この上うにして得られた本発明のパネルＦおよび分散ｆ
ｉＦは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表お
上Ｖ第２表に併記する。 比較例１゜ 実施例１にす３いて、微粒子状疎水性シリカの添加を省
略する以外は実施例１と同様にして混合分散の作業を行
い、分散液Ｐを得た。 次に分散液Ｐを実施例１と同様の方法により塗布乾燥し
て比較のパネルＰを製造した。 このようにして得られた比較のパネルＰおよび分散液Ｐ
は、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表および
第２友に０１記する。 比較例２゜ ″Ｘ、施例１Ｉこおいて、微粒子状疎水性シリカの添加
址を輝尽性蛍光体に対し２０重景％とする以外は実施側
１と同様にして混合分散の乍業を行い、分散液Ｑを得た
。 次に分散ａＱを実施例１と同様の方法１こよグ）塗布乾
燥した。 このようにして得られた比較のパネルＱおよび分散液Ｑ
は、実施例１と同様にして評価し、ｔ、ｌ！ｉ果を第１
表およＣ／第２表に併記する。 以下余白 第１表より明らかなように、疎水性微粒子を含有してい
る本発明のパネルＡ−Ｆおよび比較のパネルＱは、疎水
性微粒子を含有しない比較のパネルＰに比べて、強制劣
化後においても感度劣化の程度および潜像槌打速度の増
大の程度が小さい。 これは疎水性微粒子により輝尽性蛍光体層の吸湿が抑制
されるためである。 また、疎水性微粒子を含有する分散液Ａ−Ｆす３よびＱ
は、固形物の沈降が現れず、分散安定性に優れている。 これは、疎水性微粒子が分散液中の輝尽性蛍光体粒子の
凝集を防ぐ効果を有するためである。 一方、疎水性微粒子の含有率が最も高い比較のパネルＱ
は、輝尽性蛍光体の充填率が低いため、池のパネルに比
較して感度が低くなっている。 以とのことがられかるように、本発明のパネルＡ−Ｆは
、いずれも輝尽性蛍光体層の防湿性が高く、輝尽性蛍光
体層塗布用の分散液の分散安定性に優れ、かつ感度は従
来のパネルに比較してほぼ同等である。本発明のパネル
の中では、とくにパネルＢ　、Ｃ、ＤおよびＦが防湿効
果、感度ともに優れている。

【発明の効果】

以上述べてきたように、本発明のパネルは輝尽性蛍光体
層中に疎水性微粒子を含有するため、輝尽性蛍光体層の
吸湿による感度の劣化および潜像槌打速度の増大を抑制
することが可能である。 また、本発明のパネルは輝尽性蛍光体層中に輝尽性蛍光
体粒子の凝集を防止する疎水性微粒子を含有しているた
め、ムラのない高画質の画像を得ることが可能である。 本発明はその効果が極めて大きく、工業的に有用である
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の放射線画像変換パネルを使■する放射
線画像変換方法を説明する概要図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 輝尽性蛍光体を結着剤中に分散してなる輝尽性蛍光体層
   を有する放射線画像変換パネルにおいて、前記輝尽性蛍
   光体層中に疎水性微粒子を輝尽性蛍光体に対して０．０
   ０５重量％以上１０重量％以下の量で含有することを特
   徴とする放射線画像変換パネル。