JPH06235799A - 照射画像を記録および複製するための方法、この方法を用いる装置、照射画像を保存するためのパネルおよび光刺激性ホスファー - Google Patents
照射画像を記録および複製するための方法、この方法を用いる装置、照射画像を保存するためのパネルおよび光刺激性ホスファーInfo
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- JPH06235799A JPH06235799A JP5281065A JP28106593A JPH06235799A JP H06235799 A JPH06235799 A JP H06235799A JP 5281065 A JP5281065 A JP 5281065A JP 28106593 A JP28106593 A JP 28106593A JP H06235799 A JPH06235799 A JP H06235799A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 高エネルギー照射画像を記録および複製する
ためのパネル、装置および方法に用いる新規なホスファ
ーを提供する。 【構成】 (i)可視光または赤外線照射刺激性ホスファ
ーに物体を通過した高エネルギー照射を吸収させる工
程、(ii)該ホスファーを可視光または赤外線照射で刺激
することにより蛍光として蓄えられたエネルギーを放出
させる工程、および(iii)光検出手段で該蛍光を検出す
る工程、を包含する照射画像を記録および複製する方法
であって、該ホスファーがMg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、G
e、Pb、Bi、遷移元素およびランタノイドからなる群か
ら選択される少なくとも１種の元素でドープされたグリ
ーン発光テルビウム活性化アルカリ金属タンタレートで
あることにより特徴付けられる方法。
ためのパネル、装置および方法に用いる新規なホスファ
ーを提供する。 【構成】 (i)可視光または赤外線照射刺激性ホスファ
ーに物体を通過した高エネルギー照射を吸収させる工
程、(ii)該ホスファーを可視光または赤外線照射で刺激
することにより蛍光として蓄えられたエネルギーを放出
させる工程、および(iii)光検出手段で該蛍光を検出す
る工程、を包含する照射画像を記録および複製する方法
であって、該ホスファーがMg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、G
e、Pb、Bi、遷移元素およびランタノイドからなる群か
ら選択される少なくとも１種の元素でドープされたグリ
ーン発光テルビウム活性化アルカリ金属タンタレートで
あることにより特徴付けられる方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、可視照射刺激性ホスフ
ァーに物体を通過した後の高エネルギー照射を吸収させ
る工程、該ホスファーを刺激することにより蛍光として
蓄えられたエネルギーを放出させる工程および該蛍光を
検出する工程により照射画像を記録および複製するため
の方法であって、上記光刺激性ホスファーがMg、Ca、S
r、Ba、Al、Ga、Ge、Pb、Bi、遷移元素およびランタノ
イドからなる群から選択される少なくとも１種の金属で
ドープされたグリーン発光テルビウム活性化アルカリ金
属タンタレートである方法に関する。
ァーに物体を通過した後の高エネルギー照射を吸収させ
る工程、該ホスファーを刺激することにより蛍光として
蓄えられたエネルギーを放出させる工程および該蛍光を
検出する工程により照射画像を記録および複製するため
の方法であって、上記光刺激性ホスファーがMg、Ca、S
r、Ba、Al、Ga、Ge、Pb、Bi、遷移元素およびランタノ
イドからなる群から選択される少なくとも１種の金属で
ドープされたグリーン発光テルビウム活性化アルカリ金
属タンタレートである方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】米国特許第3,859,527号には、そのよう
な照射に露出された後に可視光または赤外線照射で刺激
された場合に発光する刺激性ホスファーを有する照射画
像を保存するためのパネルを用いる高エネルギー照射画
像を記録および複製するための方法が記載されている
(ここで、高エネルギー照射とは、X線、α線、β線、γ
線、中性子線、紫外線などを意味する。)。
な照射に露出された後に可視光または赤外線照射で刺激
された場合に発光する刺激性ホスファーを有する照射画
像を保存するためのパネルを用いる高エネルギー照射画
像を記録および複製するための方法が記載されている
(ここで、高エネルギー照射とは、X線、α線、β線、γ
線、中性子線、紫外線などを意味する。)。
【０００３】米国特許第4,258,264号には、強いホスフ
ァーを刺激光(この波長は600〜700nmの範囲である。)で
刺激し、そして光検出器により刺激された光を検出する
こと(検出される光は300〜500nmの範囲である。)により
照射画像を複製するための方法および装置が記載されて
いる。
ァーを刺激光(この波長は600〜700nmの範囲である。)で
刺激し、そして光検出器により刺激された光を検出する
こと(検出される光は300〜500nmの範囲である。)により
照射画像を複製するための方法および装置が記載されて
いる。
【０００４】EP第111,893号には、(i)照射画像保存パネ
ルに物体を通過した後の照射を吸収させる工程(このよ
うなパネルは二価のユーロピウム活性化バウリムフルオ
ロクロリドホスファーを有する)、(ii)上記パネルを400
〜550nmの範囲の波長を有する電磁波に露出することに
より蛍光として蓄えられた照射エネルギーを放出させる
工程、および(iii)上記蛍光を検出する工程、を包含す
る照射画像を記録および複製するための方法が記載され
ている。
ルに物体を通過した後の照射を吸収させる工程(このよ
うなパネルは二価のユーロピウム活性化バウリムフルオ
ロクロリドホスファーを有する)、(ii)上記パネルを400
〜550nmの範囲の波長を有する電磁波に露出することに
より蛍光として蓄えられた照射エネルギーを放出させる
工程、および(iii)上記蛍光を検出する工程、を包含す
る照射画像を記録および複製するための方法が記載され
ている。
【０００５】EP第435,241号には、ユーロピウムドープ
化バウリムフルオロハライドとニオビウムドープ化イッ
トリウム金属タンタレートとの混合物を含有するラジオ
グラフフィルムと組み合わせて用いられる直接X線強調
スクリーンのためのホスファーが記載されている EP第299,409号には、直接ラジオグラフィーのためのラ
ジオグラフフィルムと組み合わせて用いるラジオグラフ
強調スクリーンが記載されている。請求されているホス
ファーはテルビウム活性化希土類オキシスルフィドホス
ファーとテルビウム活性化希土類タンタレート錯体オキ
シドホスファーとの混合物を含有する。
化バウリムフルオロハライドとニオビウムドープ化イッ
トリウム金属タンタレートとの混合物を含有するラジオ
グラフフィルムと組み合わせて用いられる直接X線強調
スクリーンのためのホスファーが記載されている EP第299,409号には、直接ラジオグラフィーのためのラ
ジオグラフフィルムと組み合わせて用いるラジオグラフ
強調スクリーンが記載されている。請求されているホス
ファーはテルビウム活性化希土類オキシスルフィドホス
ファーとテルビウム活性化希土類タンタレート錯体オキ
シドホスファーとの混合物を含有する。
【０００６】JP第02/47,185号(1990年)には、式 (L1-nTbn)2O3・xTa2O5・yB2O3・zNaF [式中、LはY、La、GbまたはLuであり、n=0.005-0.1、x=
0.95-1.05、y=0-5.0そしてzは0.52重量％までのNaFを得
るための数である。]のテルビウム活性化希土類タンタ
レート錯体オキシドの調製法が記載されている。
0.95-1.05、y=0-5.0そしてzは0.52重量％までのNaFを得
るための数である。]のテルビウム活性化希土類タンタ
レート錯体オキシドの調製法が記載されている。
【０００７】上述の特許参照文献のいずれも米国特許第
3,859,527号および同第4,239,968号に記載のものと同様
の方法に有用なグリーン発光光刺激性ホスファーを得る
ための本発明のテルビウム活性化アルカリ金属タンタレ
ートの使用を示唆する刺激性ホスファーに関連しない。
3,859,527号および同第4,239,968号に記載のものと同様
の方法に有用なグリーン発光光刺激性ホスファーを得る
ための本発明のテルビウム活性化アルカリ金属タンタレ
ートの使用を示唆する刺激性ホスファーに関連しない。
【０００８】
【発明の要旨】本発明は高エネルギー照射画像を記録お
よび複製するためのパネル、装置および方法に用いる新
規なホスファーに関する。この方法はホスファーを画像
に応じて照射に露出して刺激し、そして刺激における上
記ホスファーにより発光された蛍光を検出することを含
み、上記ホスファーはMg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、Ge、P
b、Bi、遷移元素およびランタノイドからなる群から選
択される少なくとも１種のエレメントでドープされたグ
リーン発光テルビウム活性化アルカリ金属タンタレート
である。
よび複製するためのパネル、装置および方法に用いる新
規なホスファーに関する。この方法はホスファーを画像
に応じて照射に露出して刺激し、そして刺激における上
記ホスファーにより発光された蛍光を検出することを含
み、上記ホスファーはMg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、Ge、P
b、Bi、遷移元素およびランタノイドからなる群から選
択される少なくとも１種のエレメントでドープされたグ
リーン発光テルビウム活性化アルカリ金属タンタレート
である。
【０００９】
【発明の構成】本発明は、(i)可視光または赤外線照射
刺激性ホスファーに物体を通過後の高エネルギー照射を
吸収させる工程、(ii)上記ホスファーを可視光または赤
外線照射で刺激することにより蛍光として蓄えられたエ
ネルギーを放出させる工程、および(iii)上記蛍光を光
検出手段で検出する工程、を包含する照射画像を記録お
よび複製するための方法であって、上記ホスファーがM
g、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、Ge、Pb、Bi、遷移元素および
ランタノイドからなる群から選択される少なくとも１種
の元素でドープされたグリーン発光テルビウム活性化ア
ルカリ金属タンタレートであることより特徴付けられて
いる方法に関する。
刺激性ホスファーに物体を通過後の高エネルギー照射を
吸収させる工程、(ii)上記ホスファーを可視光または赤
外線照射で刺激することにより蛍光として蓄えられたエ
ネルギーを放出させる工程、および(iii)上記蛍光を光
検出手段で検出する工程、を包含する照射画像を記録お
よび複製するための方法であって、上記ホスファーがM
g、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、Ge、Pb、Bi、遷移元素および
ランタノイドからなる群から選択される少なくとも１種
の元素でドープされたグリーン発光テルビウム活性化ア
ルカリ金属タンタレートであることより特徴付けられて
いる方法に関する。
【００１０】好ましくは、本発明は上記ホスファーが以
下の式で示される上述の方法に関する。
下の式で示される上述の方法に関する。
【００１１】Li1-xAxTaO3・yMe：zTb 式中、AはNa、K、RbおよびCeからなる群から選択される
アルカリ金属であり、MeはMg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、G
e、Pb、Bi、遷移元素およびランタノイドからなる群か
ら選択される少なくとも１種の金属であり、そしてx、y
およびzは０≦x＜１、０≦y＜0.1および０＜z≦0.1の条
件を満足する数である。
アルカリ金属であり、MeはMg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、G
e、Pb、Bi、遷移元素およびランタノイドからなる群か
ら選択される少なくとも１種の金属であり、そしてx、y
およびzは０≦x＜１、０≦y＜0.1および０＜z≦0.1の条
件を満足する数である。
【００１２】より好ましくは、本発明は上記ホスファー
が以下の式で示されるされる上述の方法に関する。
が以下の式で示されるされる上述の方法に関する。
【００１３】Li1-xAxTaO3・yMe：zTb 式中、AはNa、K、RbおよびCeからなる群から選択される
アルカリ金属であり、MeはMg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、G
e、Pb、Bi、Zr、W、Zn、Sm、EuおよびGdからなる群から
選択される少なくとも１種の金属であり、そしてx、yお
よびzは０≦x＜１、０≦y＜0.05および０＜z≦0.01の条
件を満足する数である。
アルカリ金属であり、MeはMg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、G
e、Pb、Bi、Zr、W、Zn、Sm、EuおよびGdからなる群から
選択される少なくとも１種の金属であり、そしてx、yお
よびzは０≦x＜１、０≦y＜0.05および０＜z≦0.01の条
件を満足する数である。
【００１４】特に、本発明は上記刺激照射の波長が400
〜1100nmの範囲である上述の方法に関する。
〜1100nmの範囲である上述の方法に関する。
【００１５】本発明の方法の好ましい実施態様では、上
記刺激照射の波長は600〜800nmの範囲、より好ましくは
600〜650nmおよび750〜800nmの範囲である。
記刺激照射の波長は600〜800nmの範囲、より好ましくは
600〜650nmおよび750〜800nmの範囲である。
【００１６】本発明の方法の他の好ましい実施態様で
は、刺激照射の波長の範囲は400〜500nmである。
は、刺激照射の波長の範囲は400〜500nmである。
【００１７】上述の方法は、上述のホスファーにより発
光される上記蛍光が500nmを上回る、好ましくは500〜60
0nmの範囲の波長を有することにより特徴付けられる。
光される上記蛍光が500nmを上回る、好ましくは500〜60
0nmの範囲の波長を有することにより特徴付けられる。
【００１８】さらに他の局面では、本発明は、(i)可視
光または赤外線照射刺激性ホスファーに物体を通過した
後の高エネルギー照射を吸収させるための手段、(ii)上
記ホスファーを可視光または赤外線刺激照射で刺激する
ことにより蛍光として蓄えられたエネルギーを放出する
ための手段、および(iii)上記蛍光を検出するための手
段、を包含する照射画像を記録および複製するための装
置であって、上記ホスファーがMg、Ca、Sr、Ba、Al、G
a、Ge、Pb、Bi、遷移元素およびランタノイドからなる
群から選択される少なくとも１種の元素でドープされた
グリーン発光テルビウム活性化アルカリ金属タンタレー
トであることにより特徴付けられる装置に関する。
光または赤外線照射刺激性ホスファーに物体を通過した
後の高エネルギー照射を吸収させるための手段、(ii)上
記ホスファーを可視光または赤外線刺激照射で刺激する
ことにより蛍光として蓄えられたエネルギーを放出する
ための手段、および(iii)上記蛍光を検出するための手
段、を包含する照射画像を記録および複製するための装
置であって、上記ホスファーがMg、Ca、Sr、Ba、Al、G
a、Ge、Pb、Bi、遷移元素およびランタノイドからなる
群から選択される少なくとも１種の元素でドープされた
グリーン発光テルビウム活性化アルカリ金属タンタレー
トであることにより特徴付けられる装置に関する。
【００１９】さらに他の局面では、本発明はバインダー
およびバインダー中に分散された刺激性ホスファーを含
有する蛍光層を有する高エネルギー照射画像保存パネル
であって、上記刺激性ホスファーがMg、Ca、Sr、Ba、A
l、Ga、Ge、Pb、Bi、遷移元素およびランタノイドから
なる群から選択される少なくとも１種の元素でドープさ
れたグリーン発光テルビウム活性化アルカリ金属タンタ
レートであるものに関する。
およびバインダー中に分散された刺激性ホスファーを含
有する蛍光層を有する高エネルギー照射画像保存パネル
であって、上記刺激性ホスファーがMg、Ca、Sr、Ba、A
l、Ga、Ge、Pb、Bi、遷移元素およびランタノイドから
なる群から選択される少なくとも１種の元素でドープさ
れたグリーン発光テルビウム活性化アルカリ金属タンタ
レートであるものに関する。
【００２０】さらに他の局面では、本発明はMg、Ca、S
r、Ba、Al、Ga、Ge、Pb、Bi、遷移元素およびランタノ
イドからなる群から選択される少なくとも１種の元素で
ドープされたグリーン発光テルビウム活性化アルカリ金
属タンタレートに関する。
r、Ba、Al、Ga、Ge、Pb、Bi、遷移元素およびランタノ
イドからなる群から選択される少なくとも１種の元素で
ドープされたグリーン発光テルビウム活性化アルカリ金
属タンタレートに関する。
【００２１】本発明の照射画像保存パネルを用いる高エ
ネルギー照射画像を記録および複製するための方法およ
び装置は、高エネルギー照射源、物体、照射画像保存パ
ネル、パネルの蛍光層を刺激することにより蛍光として
その中に蓄えられた照射エネルギーを放出する光源発光
刺激照射、選択された波長において光源により発光され
たパネルにより反射された照射をカットオフするため、
およびパネルにより発光された蛍光のみを透過させるた
めのフィルター、およびパネルにより発光され、フィル
ターを通過した光を矯正するための焦点光学エレメント
を有する。パネルにより発光された光を検出し、電気信
号に変換するために光増幅器とホトセンサーとの組み合
わせが用いられ、上記増幅された電気信号はデータ分析
器により分析される。
ネルギー照射画像を記録および複製するための方法およ
び装置は、高エネルギー照射源、物体、照射画像保存パ
ネル、パネルの蛍光層を刺激することにより蛍光として
その中に蓄えられた照射エネルギーを放出する光源発光
刺激照射、選択された波長において光源により発光され
たパネルにより反射された照射をカットオフするため、
およびパネルにより発光された蛍光のみを透過させるた
めのフィルター、およびパネルにより発光され、フィル
ターを通過した光を矯正するための焦点光学エレメント
を有する。パネルにより発光された光を検出し、電気信
号に変換するために光増幅器とホトセンサーとの組み合
わせが用いられ、上記増幅された電気信号はデータ分析
器により分析される。
【００２２】可視光または赤外線照射刺激性ホスファー
に物体を通過した後の高エネルギー照射を吸収させるた
めの方法は当業者に知られており、例えば、米国特許第
4,239,968号に記載されている。これらの方法は高エネ
ルギー照射源(例えば、X線チューブ)および本発明のも
のと異なるホスファーを有すること以外は本発明と同様
の照射画像保存パネルを有する。ホスファーがX線に露
出される場合は、照射は物体を通過する。物体を通過後
の照射の強度は物体の透過ファクターを示す。物体の透
過パターンを示す画像は照射がパネル上に衝突すること
により得られる。照射はパネルの蛍光層により吸収さ
れ、吸収された照射の量に比例して蛍光層中に電子また
はホールが生成される。この電子またはホールは本発明
のホスファーの捕捉(trap)中に保存される。パネル中に
保存された照射画像は刺激照射源(特に、ビーム)で刺激
することにより可視照射に変換される。上記パネルを可
視光または赤外線照射で刺激するための当業者に知られ
る方法には、例えば、適当な光学フィルターにより800n
mにおいて発光するオスラムQJランプ、米国特許第4,23
9,968号に記載のような633nmにおけるHe-Neレーザ発光
レーザビーム、および488nmにおいて発光するレーザ発
光のような赤外線または可視領域における刺激照射源発
光が含まれる。ホスファー発光の波長よりも長い波長で
ある633および800nmの波長を有する刺激照射源が好まし
いが、ホスファー発光の波長よりも短い波長である400
または488nmにおける刺激においても良好な結果が得ら
れる。米国特許第4,258,264号に記載のように、スキャ
ナ装置はパネルの蛍光層が光源により発光された刺激照
射で走査されるのを許容する。米国特許第4,258,264号
に記載のように、焦点手段はライトがパネルにおいて微
小なスポット(例えば、0.7mm2)に焦点されることを許容
する。光刺激性ホスファーの捕捉中に保存された電子ま
たはホールはそこから排出され、パネル中に保存された
照射画像は蛍光として放出される。
に物体を通過した後の高エネルギー照射を吸収させるた
めの方法は当業者に知られており、例えば、米国特許第
4,239,968号に記載されている。これらの方法は高エネ
ルギー照射源(例えば、X線チューブ)および本発明のも
のと異なるホスファーを有すること以外は本発明と同様
の照射画像保存パネルを有する。ホスファーがX線に露
出される場合は、照射は物体を通過する。物体を通過後
の照射の強度は物体の透過ファクターを示す。物体の透
過パターンを示す画像は照射がパネル上に衝突すること
により得られる。照射はパネルの蛍光層により吸収さ
れ、吸収された照射の量に比例して蛍光層中に電子また
はホールが生成される。この電子またはホールは本発明
のホスファーの捕捉(trap)中に保存される。パネル中に
保存された照射画像は刺激照射源(特に、ビーム)で刺激
することにより可視照射に変換される。上記パネルを可
視光または赤外線照射で刺激するための当業者に知られ
る方法には、例えば、適当な光学フィルターにより800n
mにおいて発光するオスラムQJランプ、米国特許第4,23
9,968号に記載のような633nmにおけるHe-Neレーザ発光
レーザビーム、および488nmにおいて発光するレーザ発
光のような赤外線または可視領域における刺激照射源発
光が含まれる。ホスファー発光の波長よりも長い波長で
ある633および800nmの波長を有する刺激照射源が好まし
いが、ホスファー発光の波長よりも短い波長である400
または488nmにおける刺激においても良好な結果が得ら
れる。米国特許第4,258,264号に記載のように、スキャ
ナ装置はパネルの蛍光層が光源により発光された刺激照
射で走査されるのを許容する。米国特許第4,258,264号
に記載のように、焦点手段はライトがパネルにおいて微
小なスポット(例えば、0.7mm2)に焦点されることを許容
する。光刺激性ホスファーの捕捉中に保存された電子ま
たはホールはそこから排出され、パネル中に保存された
照射画像は蛍光として放出される。
【００２３】パネルにより発光される蛍光の発光はパネ
ルの蛍光層中に保存された電子またはホールの数に比例
する。すなわち、それらに吸収された照射の量に比例す
る。
ルの蛍光層中に保存された電子またはホールの数に比例
する。すなわち、それらに吸収された照射の量に比例す
る。
【００２４】パネルにより発光される上記蛍光を検出す
るための知られている方法には、(a)その伝達ピークが
試料により発光される信号の波長に調節されることによ
り望ましくない刺激光をフィルター除去する妨害フィル
ター手段(例えば、BG１またはBG３スコットフィルタ
ー); (b)米国特許第4,346,295号に記載されているよう
な光検出器の光受容表面に隣接して位置するホスファー
および環状末端部分により発光される光を受容し導くた
めの光刺激性ホスファーのスキャンラインに隣接して位
置している真っ直ぐなまたは弓形の末端部分を有する光
ガイド部材のようなパネルにより発光される光を集める
ための光学的手段。パネルにより発光された光を集める
ために有用な光学的手段には、欧州特許出願S.N.第210,
505号に記載のようなパネルに向かった凹側および刺激
照射の通過のための開口部を有する楕円鏡も挙げられ
る。; (c)蛍光を検出し、電気信号に変えるための光セ
ンサーと光増幅器との組み合わせ(例えば、ソーン・エ
ミ(Thorn Emi)9635QB光増幅器);(d)信号の増幅のための
ピコ電流計(例えば、EG&Gのパルク第181型増幅器)およ
び(e)得られる電気信号を評価するための評価手段(本来
の高エネルギー照射画像に対応したもの)(例えば、デー
タ分析器)；が含まれる。
るための知られている方法には、(a)その伝達ピークが
試料により発光される信号の波長に調節されることによ
り望ましくない刺激光をフィルター除去する妨害フィル
ター手段(例えば、BG１またはBG３スコットフィルタ
ー); (b)米国特許第4,346,295号に記載されているよう
な光検出器の光受容表面に隣接して位置するホスファー
および環状末端部分により発光される光を受容し導くた
めの光刺激性ホスファーのスキャンラインに隣接して位
置している真っ直ぐなまたは弓形の末端部分を有する光
ガイド部材のようなパネルにより発光される光を集める
ための光学的手段。パネルにより発光された光を集める
ために有用な光学的手段には、欧州特許出願S.N.第210,
505号に記載のようなパネルに向かった凹側および刺激
照射の通過のための開口部を有する楕円鏡も挙げられ
る。; (c)蛍光を検出し、電気信号に変えるための光セ
ンサーと光増幅器との組み合わせ(例えば、ソーン・エ
ミ(Thorn Emi)9635QB光増幅器);(d)信号の増幅のための
ピコ電流計(例えば、EG&Gのパルク第181型増幅器)およ
び(e)得られる電気信号を評価するための評価手段(本来
の高エネルギー照射画像に対応したもの)(例えば、デー
タ分析器)；が含まれる。
【００２５】上述の装置の照射画像保存パネルは刺激性
ホスファーとしてMg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、Ge、Pb、B
i、遷移元素およびランタノイドからなる群から選択さ
れる少なくとも１種の元素でドープされた少なくとも１
種のグリーン発光テルビウム活性化アルカリ金属タンタ
レートを有する。
ホスファーとしてMg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、Ge、Pb、B
i、遷移元素およびランタノイドからなる群から選択さ
れる少なくとも１種の元素でドープされた少なくとも１
種のグリーン発光テルビウム活性化アルカリ金属タンタ
レートを有する。
【００２６】前提となる仮説としての本発明のホスファ
ーの保存性能は、Tb3+位置におけるホール捕捉およびド
ープ金属(例えば、W、Moなど)の電子捕捉性能もしくは
ドープ金属自体により生じるアニオン性空格子(F+中心)
によると考えられる。ドープ金属により占められる位
置、すなわち、アルカリ金属またはタンタル位置、に依
存して、カチオン性および/またはアニオン性空格子が
生じうることに注意する必要がある。置換位置を証明す
るためには特別の測定が必要であるけれども、カチオン
性空格子は、Tb3+イオンがそうであるように、ホール捕
捉として機能し、そのことにより、保存効率を増大させ
るのに寄与すると考えられる。他方、電子捕捉アニオン
性空格子の形成も同様に保存効率を増大させる。
ーの保存性能は、Tb3+位置におけるホール捕捉およびド
ープ金属(例えば、W、Moなど)の電子捕捉性能もしくは
ドープ金属自体により生じるアニオン性空格子(F+中心)
によると考えられる。ドープ金属により占められる位
置、すなわち、アルカリ金属またはタンタル位置、に依
存して、カチオン性および/またはアニオン性空格子が
生じうることに注意する必要がある。置換位置を証明す
るためには特別の測定が必要であるけれども、カチオン
性空格子は、Tb3+イオンがそうであるように、ホール捕
捉として機能し、そのことにより、保存効率を増大させ
るのに寄与すると考えられる。他方、電子捕捉アニオン
性空格子の形成も同様に保存効率を増大させる。
【００２７】総括すると、本発明の保存ホスファー中で
機能しうる異なる捕捉中心でありうるのは、ホール捕捉
のためにはTb3+イオンおよびLi+および/またはTa5+位置
におけるカチオン性空格子、および電子捕捉のためには
酸素空格子(F+中心)、超価数(supervalent)リチウム置
換位置、還元性ドーパント金属イオン(例えば、W6+、Mo
6+など)でありうる。電子、およびTb3+以外の捕捉から
放出されたホールは、Tb3+位置において再結合するまで
格子中を移動し、ここで蛍光が発光されると考えられ
る。
機能しうる異なる捕捉中心でありうるのは、ホール捕捉
のためにはTb3+イオンおよびLi+および/またはTa5+位置
におけるカチオン性空格子、および電子捕捉のためには
酸素空格子(F+中心)、超価数(supervalent)リチウム置
換位置、還元性ドーパント金属イオン(例えば、W6+、Mo
6+など)でありうる。電子、およびTb3+以外の捕捉から
放出されたホールは、Tb3+位置において再結合するまで
格子中を移動し、ここで蛍光が発光されると考えられ
る。
【００２８】特に、上述の照射画像保存パネルは以下の
式に示す少なくとも１種のホスファーを刺激性ホスファ
ーとして有する。
式に示す少なくとも１種のホスファーを刺激性ホスファ
ーとして有する。
【００２９】Li1-xAxTaO3・yMe：zTb 式中、AはNa、K、RbおよびCeからなる群から選択される
アルカリ金属であり;MeはMg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、G
e、Pb、Bi、遷移元素およびランタノイドからなる群か
ら選択される少なくとも１種の金属であり、そしてx、y
およびzは０≦x＜１、０≦y＜0.1および０＜z≦0.1の条
件を満足する数である。
アルカリ金属であり;MeはMg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、G
e、Pb、Bi、遷移元素およびランタノイドからなる群か
ら選択される少なくとも１種の金属であり、そしてx、y
およびzは０≦x＜１、０≦y＜0.1および０＜z≦0.1の条
件を満足する数である。
【００３０】より好ましくは、上述の照射画像保存パネ
ルは以下の式で示す少なくとも１種のホスファーを刺激
性ホスファーとして有する蛍光層を有する。
ルは以下の式で示す少なくとも１種のホスファーを刺激
性ホスファーとして有する蛍光層を有する。
【００３１】Li1-xAxTaO3・yMe：ｚＴｂ 式中、ＡはNa、K、RbおよびCeからなる群から選択され
るアルカリ金属であり;MeはMg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、G
e、Pb、Bi、Zr、W、Zn、Sm、EuおよびGbからなる群から
選択される少なくとも１種の金属であり、およびx、y、
およびzは０≦x＜１、０≦y＜0.05および０＜z≦0.01の
条件を満足する数である。
るアルカリ金属であり;MeはMg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、G
e、Pb、Bi、Zr、W、Zn、Sm、EuおよびGbからなる群から
選択される少なくとも１種の金属であり、およびx、y、
およびzは０≦x＜１、０≦y＜0.05および０＜z≦0.01の
条件を満足する数である。
【００３２】上記の一般式で定義される本発明のホスフ
ァーは500nmを上回る、好ましくは500〜600nmの範囲の
波長を有する電磁照射による刺激において蛍光を発光す
ることで特徴付けられる。
ァーは500nmを上回る、好ましくは500〜600nmの範囲の
波長を有する電磁照射による刺激において蛍光を発光す
ることで特徴付けられる。
【００３３】さらに、本発明により発光される蛍光は40
0〜1100nm、好ましくは600〜800nmおよび400〜500nmの
範囲の波長を有する電磁照射により刺激された場合に最
大に達する蛍光にある。
0〜1100nm、好ましくは600〜800nmおよび400〜500nmの
範囲の波長を有する電磁照射により刺激された場合に最
大に達する蛍光にある。
【００３４】本発明の上述のホスファーは熱処理されう
る。
る。
【００３５】このような熱処理は当業者に知られるいず
れかの方法により行いうる。好ましい実施態様では、こ
のような熱処理は、アセトン、エタノールなどのような
有機液体の存在下で行いうる成分の混合、100〜200℃の
温度における10〜20時間の乾燥、および「フラックス」と
して機能する塩(アンモニウムクロリド、ナトリウムカ
ーボネートなど)の存在下における800〜1500℃、好まし
くは1000〜1300℃の範囲の温度における焼成、および室
温における冷却、およびその後の得られたホスファーを
繰り返し水洗することにより精製、を含む。加熱はるつ
ぼ中において試薬を空気中または不活性ガス雰囲気(例
えば、アルゴン)において１〜30、好ましくは１〜10時
間にわたって機械的に撹拌しながら行いうる。
れかの方法により行いうる。好ましい実施態様では、こ
のような熱処理は、アセトン、エタノールなどのような
有機液体の存在下で行いうる成分の混合、100〜200℃の
温度における10〜20時間の乾燥、および「フラックス」と
して機能する塩(アンモニウムクロリド、ナトリウムカ
ーボネートなど)の存在下における800〜1500℃、好まし
くは1000〜1300℃の範囲の温度における焼成、および室
温における冷却、およびその後の得られたホスファーを
繰り返し水洗することにより精製、を含む。加熱はるつ
ぼ中において試薬を空気中または不活性ガス雰囲気(例
えば、アルゴン)において１〜30、好ましくは１〜10時
間にわたって機械的に撹拌しながら行いうる。
【００３６】本発明の照射画像保存パネルは、通常は、
バインダー、およびその中に分散された本発明の少なく
とも１種のホスファーを含有する蛍光層を有する。蛍光
層は、ホスファーをバインダー中に分散させることによ
り被覆分散体を調製し、次いで、この被覆分散体を従来
の被覆法により均一層に形成することにより形成され
る。蛍光層が自己支持的である場合には蛍光層はそれ自
体で照射画像保存パネルでありうるけれども、一般に、
蛍光層は基材上に提供されることにより照射画像保存パ
ネルを形成する。さらに、蛍光層を物理的および化学的
に保護するために蛍光層の表面上に保護層が通常設けら
れる。さらに、蛍光層と基材との密接な接合のために蛍
光層と基材との間に下塗り層がしばしば提供される。
バインダー、およびその中に分散された本発明の少なく
とも１種のホスファーを含有する蛍光層を有する。蛍光
層は、ホスファーをバインダー中に分散させることによ
り被覆分散体を調製し、次いで、この被覆分散体を従来
の被覆法により均一層に形成することにより形成され
る。蛍光層が自己支持的である場合には蛍光層はそれ自
体で照射画像保存パネルでありうるけれども、一般に、
蛍光層は基材上に提供されることにより照射画像保存パ
ネルを形成する。さらに、蛍光層を物理的および化学的
に保護するために蛍光層の表面上に保護層が通常設けら
れる。さらに、蛍光層と基材との密接な接合のために蛍
光層と基材との間に下塗り層がしばしば提供される。
【００３７】本発明の照射画像保存パネルの蛍光層に用
いられるバインダーとしては、層形成のために通常用い
られるバインダーが挙げられ、例えば、アラビアゴム、
ゼラチンのようなプロティン、デキストランのようなポ
リサッカライド、ポリビニルブチラール、ポリビニルア
セテート、ニトロセルロース、エチルセルロース、ビニ
リデンクロリド-ビニルクロリドコポリマー、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ビニル
クロリド-ビニルアセテートコポリマー、ポリウレタ
ン、セルロースアセテート-ブチレート、ポリビニルア
ルコールなどのような有機ポリマーバインダーが挙げら
れる。
いられるバインダーとしては、層形成のために通常用い
られるバインダーが挙げられ、例えば、アラビアゴム、
ゼラチンのようなプロティン、デキストランのようなポ
リサッカライド、ポリビニルブチラール、ポリビニルア
セテート、ニトロセルロース、エチルセルロース、ビニ
リデンクロリド-ビニルクロリドコポリマー、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ビニル
クロリド-ビニルアセテートコポリマー、ポリウレタ
ン、セルロースアセテート-ブチレート、ポリビニルア
ルコールなどのような有機ポリマーバインダーが挙げら
れる。
【００３８】一般に、バインダーはホスファー１重量部
当たり0.01〜１重量部の量で用いられる。しかしなが
ら、得られるパネルの感度および鮮明性の見地からはバ
インダーの量は少ないことが好ましい。したがって、パ
ネルの感度および鮮明性、および被覆分散体の塗布の容
易さの両方を考慮すれば、バインダーは刺激性ホスファ
ー１重量部当たり0.03〜0.2重量部の量で用いることが
好ましい。一般に、蛍光層の厚さは10μm〜１mmの範囲
である。
当たり0.01〜１重量部の量で用いられる。しかしなが
ら、得られるパネルの感度および鮮明性の見地からはバ
インダーの量は少ないことが好ましい。したがって、パ
ネルの感度および鮮明性、および被覆分散体の塗布の容
易さの両方を考慮すれば、バインダーは刺激性ホスファ
ー１重量部当たり0.03〜0.2重量部の量で用いることが
好ましい。一般に、蛍光層の厚さは10μm〜１mmの範囲
である。
【００３９】一般に、本発明の照射画像保存パネルにお
いては蛍光層が基材上に被覆される。基材としてはポリ
マー材料、ガラス、ウール、コットン、紙、金属などの
ような種々の材料を用いうる。情報記録媒体としてのパ
ネルの取り扱いの観点から、基材はシートまたは可撓性
ロールに処理されうることが好ましい。この関連で、セ
ルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、
ポリエチレン-テレフタレートフィルム、ポリアミドフ
ィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフ
ィルムなどのような有機ポリマーフィルム、または通常
の紙、または写真紙、ばら板紙、樹脂被覆紙、二酸化チ
タンのような顔料を含有する紙などのような処理紙が好
ましい。蛍光層を強固に保持する目的のために基材はそ
れらの表面上に下塗り層を(蛍光層の表面上に提供され
てもよい。)有しうる。下塗り層の材料としては通常の
接着剤を用いうる。基材上または下塗り層上に蛍光層を
提供する際に、バインダー中に分散されたホスファーを
含有する被覆分散体は直接基材または下塗り層に被覆さ
れることにより蛍光層を形成する。または予め形成した
蛍光層を基材または下塗り層に接着しうる。用いられる
基材がホスファーの刺激照射を透過可能である場合は、
この照射画像保存パネルは基材側から刺激照射に露出さ
れうる。
いては蛍光層が基材上に被覆される。基材としてはポリ
マー材料、ガラス、ウール、コットン、紙、金属などの
ような種々の材料を用いうる。情報記録媒体としてのパ
ネルの取り扱いの観点から、基材はシートまたは可撓性
ロールに処理されうることが好ましい。この関連で、セ
ルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、
ポリエチレン-テレフタレートフィルム、ポリアミドフ
ィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフ
ィルムなどのような有機ポリマーフィルム、または通常
の紙、または写真紙、ばら板紙、樹脂被覆紙、二酸化チ
タンのような顔料を含有する紙などのような処理紙が好
ましい。蛍光層を強固に保持する目的のために基材はそ
れらの表面上に下塗り層を(蛍光層の表面上に提供され
てもよい。)有しうる。下塗り層の材料としては通常の
接着剤を用いうる。基材上または下塗り層上に蛍光層を
提供する際に、バインダー中に分散されたホスファーを
含有する被覆分散体は直接基材または下塗り層に被覆さ
れることにより蛍光層を形成する。または予め形成した
蛍光層を基材または下塗り層に接着しうる。用いられる
基材がホスファーの刺激照射を透過可能である場合は、
この照射画像保存パネルは基材側から刺激照射に露出さ
れうる。
【００４０】さらに、本発明の照射画像保存パネルにお
いては、露出が意図される蛍光層の表面上(基材と反対
側上)に蛍光層を物理的および化学的に保護するための
保護層が一般に設けられる。上述のように、蛍光層が自
己支持的である場合は、蛍光層の両面上に保護層が提供
されうる。保護層は、保護層をその上に形成するための
被覆分散体を蛍光層の上に直接塗布することにより提供
されうる。または、予め形成した保護層をそれらの上に
接着することによっても提供されうる。保護層の材料と
しては、ニトロセルロース、エチルセルロース、セルロ
ースアセテート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタ
レートなどのような従来の保護層のための材料を用いう
る。
いては、露出が意図される蛍光層の表面上(基材と反対
側上)に蛍光層を物理的および化学的に保護するための
保護層が一般に設けられる。上述のように、蛍光層が自
己支持的である場合は、蛍光層の両面上に保護層が提供
されうる。保護層は、保護層をその上に形成するための
被覆分散体を蛍光層の上に直接塗布することにより提供
されうる。または、予め形成した保護層をそれらの上に
接着することによっても提供されうる。保護層の材料と
しては、ニトロセルロース、エチルセルロース、セルロ
ースアセテート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタ
レートなどのような従来の保護層のための材料を用いう
る。
【００４１】本発明の照射画像保存パネルは着色剤で着
色されうる。さらに、本発明の照射画像保存パネル上の
蛍光層はその中に分散された白色粉を含有しうる。着色
剤または白色粉を用いることにより、非常に鮮明な画像
を提供する照射画像保存パネルが得られる。
色されうる。さらに、本発明の照射画像保存パネル上の
蛍光層はその中に分散された白色粉を含有しうる。着色
剤または白色粉を用いることにより、非常に鮮明な画像
を提供する照射画像保存パネルが得られる。
【００４２】
【実施例】以下の実施例を参照することにより本発明が
より詳細に説明されうる。
より詳細に説明されうる。
【００４３】モル分率を示す数値の表現における近似は
それらの合計を表示する数値における近似の結果である
(1.0000というよりも、ある場合には0.9999であり、ま
た他の場合には0.9998-である。)。
それらの合計を表示する数値における近似の結果である
(1.0000というよりも、ある場合には0.9999であり、ま
た他の場合には0.9998-である。)。
【００４４】
【ホスファーの調製】実施例１ LiTaO3・Tb(表１の化合物１)の調製 8.00gのTa2O5、および9.00gのLiSO4および0.010gのTb4O
7をアセトンの存在下に混合した。この混合物を170℃に
おいて約15時間乾燥させ、次いで、空気中で1200℃にお
いて８時間焼成した。次いで、得られるホスファーを空
気中で放置することにより室温まで冷却し、粉砕し、冷
水中で濾過し、150℃において乾燥させた。
7をアセトンの存在下に混合した。この混合物を170℃に
おいて約15時間乾燥させ、次いで、空気中で1200℃にお
いて８時間焼成した。次いで、得られるホスファーを空
気中で放置することにより室温まで冷却し、粉砕し、冷
水中で濾過し、150℃において乾燥させた。
【００４５】LiTaO3(Bi)・Tb(表１の化合物２)の調製 8.00gのTa2O5、および9.00gのLiSO4、0.010gのTb4O7お
よび0.001gのBi2O3を含有する混合物をアセトンの存在
下で混合した。この混合物を170℃で約15時間乾燥さ
せ、次いで、空気中で1200℃において８時間焼成した。
次いで、得られたホスファーを空気中に放置することに
より室温まで冷却し、粉砕し、冷水中で濾過し、そして
150℃で乾燥させた。
よび0.001gのBi2O3を含有する混合物をアセトンの存在
下で混合した。この混合物を170℃で約15時間乾燥さ
せ、次いで、空気中で1200℃において８時間焼成した。
次いで、得られたホスファーを空気中に放置することに
より室温まで冷却し、粉砕し、冷水中で濾過し、そして
150℃で乾燥させた。
【００４６】0.01gのBi2O3を用いることにより同様にし
て化合物３を調製した。
て化合物３を調製した。
【００４７】LiTaO3(Pb)・Tb(表１の化合物４)の調製 8.00gのTa2O5、9.00gのLiSO4、0.010gのTb4O7および0.0
05gのPgOをアセトン存在下で混合した。この混合物を17
0℃で約15時間乾燥させ、次いで、空気中で1200℃にお
いて８時間焼成した。得られたホスファーを空気中に放
置することにより室温に冷却し、粉砕し、冷水中で濾過
し、次いで150℃で乾燥させた。
05gのPgOをアセトン存在下で混合した。この混合物を17
0℃で約15時間乾燥させ、次いで、空気中で1200℃にお
いて８時間焼成した。得られたホスファーを空気中に放
置することにより室温に冷却し、粉砕し、冷水中で濾過
し、次いで150℃で乾燥させた。
【００４８】0.005gのGeO2を用いることにより同様の方
法で化合物５を調製した。
法で化合物５を調製した。
【００４９】LiTaO3(Al)・Tb(表１の化合物６)の調製 8.00gのTa2O5、9.00gのLiSO4、0.010gのTb4O7および0.0
1gのAl2O5をアセトンの存在下に混合した。この混合物
を170℃において約15時間乾燥させ、次いで、空気中で1
200℃において８時間焼成した。次いで、得られるホス
ファーを空気中に放置することにより室温まで冷却し、
粉砕し、冷水中で濾過し、150℃において乾燥させた。
1gのAl2O5をアセトンの存在下に混合した。この混合物
を170℃において約15時間乾燥させ、次いで、空気中で1
200℃において８時間焼成した。次いで、得られるホス
ファーを空気中に放置することにより室温まで冷却し、
粉砕し、冷水中で濾過し、150℃において乾燥させた。
【００５０】それぞれ0.01gおよび0.1gのGa2O3を用いる
ことにより同様の方法で化合物７および８を調製した。
ことにより同様の方法で化合物７および８を調製した。
【００５１】LiTaO3(Zr)・Tb(表１の化合物９)の調製 8.00gのTa2O5、9.00gのLiSO4、0.010gのTb4O7および0.0
06gのZrO2をアセトンの存在下に混合した。この混合物
を170℃において約15時間乾燥させ、次いで、空気中で1
200℃において８時間焼成した。次いで、得られるホス
ファーを空気中に放置することにより室温まで冷却し、
粉砕し、冷水中で濾過し、150℃において乾燥させた。
06gのZrO2をアセトンの存在下に混合した。この混合物
を170℃において約15時間乾燥させ、次いで、空気中で1
200℃において８時間焼成した。次いで、得られるホス
ファーを空気中に放置することにより室温まで冷却し、
粉砕し、冷水中で濾過し、150℃において乾燥させた。
【００５２】LiTaO3(W)・Tb(表１の化合物10)の調製 8.00gのTa2O5、9.00gのLiSO4、0.010gのTb4O7および0.0
05gのWO3をアセトンの存在下に混合した。この混合物を
170℃において約15時間乾燥させ、次いで、空気中で120
0℃において８時間焼成した。次いで、得られるホスフ
ァーを空気中に放置することにより室温まで冷却し、粉
砕し、冷水中で濾過し、150℃において乾燥させた。
05gのWO3をアセトンの存在下に混合した。この混合物を
170℃において約15時間乾燥させ、次いで、空気中で120
0℃において８時間焼成した。次いで、得られるホスフ
ァーを空気中に放置することにより室温まで冷却し、粉
砕し、冷水中で濾過し、150℃において乾燥させた。
【００５３】0.1gのWO3を用いることにより同様の方法
で化合物11を調製した。
で化合物11を調製した。
【００５４】LiTaO3(Zn)・Tb(表１の化合物12)の調製 8.00gのTa2O5、9.00gのLiSO4、0.010gのTb4O7および0.0
1gのZnOをアセトンの存在下に混合した。この混合物を1
70℃において約15時間乾燥させ、次いで、空気中で1200
℃において８時間焼成した。次いで、得られるホスファ
ーを空気中に放置することにより室温まで冷却し、粉砕
し、冷水中で濾過し、150℃において乾燥させた。
1gのZnOをアセトンの存在下に混合した。この混合物を1
70℃において約15時間乾燥させ、次いで、空気中で1200
℃において８時間焼成した。次いで、得られるホスファ
ーを空気中に放置することにより室温まで冷却し、粉砕
し、冷水中で濾過し、150℃において乾燥させた。
【００５５】それぞれ0.03gおよび0.1gのZnOを用いるこ
とにより同様の方法で化合物13および14を調製した。
とにより同様の方法で化合物13および14を調製した。
【００５６】LiTaO3(Mg)・Tb(表１の化合物15)の調製 8.00gのTa2O5、9.00gのLiSO4、0.010gのTb4O7および0.0
6gのMgSO4をアセトンの存在下に混合した。この混合物
を170℃において約15時間乾燥させ、次いで、空気中で1
200℃において８時間焼成した。次いで、得られるホス
ファーを空気中に放置することにより室温まで冷却し、
粉砕し、冷水中で濾過し、150℃において乾燥させた。
6gのMgSO4をアセトンの存在下に混合した。この混合物
を170℃において約15時間乾燥させ、次いで、空気中で1
200℃において８時間焼成した。次いで、得られるホス
ファーを空気中に放置することにより室温まで冷却し、
粉砕し、冷水中で濾過し、150℃において乾燥させた。
【００５７】それぞれ0.1gおよび0.2gのMgSO4を用いる
ことにより同様の方法で化合物16および17を調製した。
ことにより同様の方法で化合物16および17を調製した。
【００５８】それぞれ0.007g、0.07gおよび0.2gのCaSO4
を用いることにより同様の方法で化合物18、19および20
を調製した。
を用いることにより同様の方法で化合物18、19および20
を調製した。
【００５９】それぞれ0.0009g、0.009gおよび0.09gのSr
SO4を用いることにより同様の方法で化合物21、22およ
び23を調製した。
SO4を用いることにより同様の方法で化合物21、22およ
び23を調製した。
【００６０】0.12gのBaSO4を用いることにより同様の方
法で化合物24を調製した。
法で化合物24を調製した。
【００６１】LiTaO3(Eu)・Tb(表１の化合物25)の調製 8.00gのTa2O5、9.00gのLiSO4、0.009gのTb4O7および0.0
0025gのEu2O3をアセトンの存在下に混合した。この混合
物を170℃において約15時間乾燥させ、次いで、空気中
で1200℃において８時間焼成した。次いで、得られるホ
スファーを空気中に放置することにより室温まで冷却
し、粉砕し、冷水中で濾過し、150℃において乾燥させ
た。
0025gのEu2O3をアセトンの存在下に混合した。この混合
物を170℃において約15時間乾燥させ、次いで、空気中
で1200℃において８時間焼成した。次いで、得られるホ
スファーを空気中に放置することにより室温まで冷却
し、粉砕し、冷水中で濾過し、150℃において乾燥させ
た。
【００６２】それぞれ0.0005g、0.001g、0.002gおよび
0.004gのEu2O3を用いることにより同様の方法で化合物2
6、27、28および29を調製した。
0.004gのEu2O3を用いることにより同様の方法で化合物2
6、27、28および29を調製した。
【００６３】それぞれ0.0005gおよび0.002gのSm2O3を用
いることにより同様の方法で化合物30および31を調製し
た。
いることにより同様の方法で化合物30および31を調製し
た。
【００６４】それぞれ0.001gおよび0.01gのGd2O3を用い
ることにより同様の方法で化合物32および33を調製し
た。
ることにより同様の方法で化合物32および33を調製し
た。
【００６５】
【表１】
【００６６】
【表２】
【００６７】
【ホスファーの評価】実施例２ 表１のホスファーの試料を40KVpおよび10mAのX線照射に
10秒間露出した。２分後に、メレス(Melles)-グリオッ
ト(Griot)型FIL026フィルターを通してQJランプにより
発光される光により得られる633nmの光線でそれらを刺
激した。集光フィルターは２枚のメレス-グリオットFIV
044型およびSWP015とした。光の出力はEG&Gパルク(Par
c)第450型ラジオメータにより測定した場合に0.017μW/
cm2であった。プログラム可能シャッター装置(イーロン
グ社)を用いて60秒間刺激を行った。ホスファーにより
発光された光刺激光を光増幅器(エミー・ソーン9635第Q
B型)により収集し、電気信号に変換した。
10秒間露出した。２分後に、メレス(Melles)-グリオッ
ト(Griot)型FIL026フィルターを通してQJランプにより
発光される光により得られる633nmの光線でそれらを刺
激した。集光フィルターは２枚のメレス-グリオットFIV
044型およびSWP015とした。光の出力はEG&Gパルク(Par
c)第450型ラジオメータにより測定した場合に0.017μW/
cm2であった。プログラム可能シャッター装置(イーロン
グ社)を用いて60秒間刺激を行った。ホスファーにより
発光された光刺激光を光増幅器(エミー・ソーン9635第Q
B型)により収集し、電気信号に変換した。
【００６８】この電気信号はEG&Gパルク第181型予備増
幅器およびEG&Gパルク第133増幅器の組み合わせにより
増幅した。次いで、この信号をデータ・プレシジョン60
00、ディビジョン・アナロジック社、データ分析器によ
り評価した。
幅器およびEG&Gパルク第133増幅器の組み合わせにより
増幅した。次いで、この信号をデータ・プレシジョン60
00、ディビジョン・アナロジック社、データ分析器によ
り評価した。
【００６９】実施例３ QJランプ(オスラム、HLX-64625-FCR)を用いてメレス-グ
リオットFIL007+FIL015およびスコットRG850フィルター
を通過させて得られる800nmの光線でホスファーを刺激
すること以外は実施例２で記載したのと同様にして、表
１のホスファーの試料をX線照射に露出した。上記と同
様にして測定した光の出力は0.2μW/cm2であった。
リオットFIL007+FIL015およびスコットRG850フィルター
を通過させて得られる800nmの光線でホスファーを刺激
すること以外は実施例２で記載したのと同様にして、表
１のホスファーの試料をX線照射に露出した。上記と同
様にして測定した光の出力は0.2μW/cm2であった。
【００７０】実施例４ QJランプ(オスラム、HLX-64625-FCR)を用いてメレス-グ
リオットFIV026型を通過させて得られる400nmの光線で
ホスファーを刺激すること以外は実施例２で記載したの
と同様にして、表１のホスファーの試料をX線照射に露
出した。集光フィルターはメレス-グリオットFIV044型
およびSWP015型とした。上記と同様にして測定した光の
出力は0.2μW/cm2であった。
リオットFIV026型を通過させて得られる400nmの光線で
ホスファーを刺激すること以外は実施例２で記載したの
と同様にして、表１のホスファーの試料をX線照射に露
出した。集光フィルターはメレス-グリオットFIV044型
およびSWP015型とした。上記と同様にして測定した光の
出力は0.2μW/cm2であった。
【００７１】実施例５ スペクトラ・フィジクス・レーザー165を用いてメレス-
グリオットFIL002型フィルターと２枚のグレイFNQ007型
および015型フィルターとを通過させて得られる488nmの
光線でホスファーを刺激すること以外は実施例２で記載
したのと同様にして、表１のホスファーの試料をX線照
射に露出した。集光フィルターはメレス-グリオットFIV
044型とした。上記と同様にして測定した光の出力は0.2
μW/cm2であった。
グリオットFIL002型フィルターと２枚のグレイFNQ007型
および015型フィルターとを通過させて得られる488nmの
光線でホスファーを刺激すること以外は実施例２で記載
したのと同様にして、表１のホスファーの試料をX線照
射に露出した。集光フィルターはメレス-グリオットFIV
044型とした。上記と同様にして測定した光の出力は0.2
μW/cm2であった。
【００７２】実施例６ 以下の表２には、表１のホスファーを実施例２および３
で記載のように処理した光刺激発光された光の発光値を
示す。
で記載のように処理した光刺激発光された光の発光値を
示す。
【００７３】表２において、参照ホスファー(化合物１)
の633および800nmでのそれぞれの刺激における発光効率
の値を100に標準化した。このことは、633nmにおいて刺
激されたこのようなホスファーの発光効率の値が800nm
において刺激された場合の同一のホスファーの発光効率
の値と等しいことを意味するものではない。
の633および800nmでのそれぞれの刺激における発光効率
の値を100に標準化した。このことは、633nmにおいて刺
激されたこのようなホスファーの発光効率の値が800nm
において刺激された場合の同一のホスファーの発光効率
の値と等しいことを意味するものではない。
【００７４】
【表３】
【００７５】
【表４】
【００７６】表２の結果は、本発明の金属でドープされ
た場合にテルビウムで活性化されたリチウムタンタレー
トの発光効率の改良を明確に示す。
た場合にテルビウムで活性化されたリチウムタンタレー
トの発光効率の改良を明確に示す。
【００７７】実施例７ 以下の表３は、実施例４および５で説明したように処理
された場合の表１の数種のホスファーの光刺激発光され
た光の発光値を示す。
された場合の表１の数種のホスファーの光刺激発光され
た光の発光値を示す。
【００７８】表３において、参照ホスファー(化合物１)
の400および488nmでのそれぞれの刺激における発光効率
の値を100に標準化した。このことは、400nmにおいて刺
激されたこのようなホスファーの発光効率の値が488nm
において刺激された場合の同一のホスファーの発光効率
の値と等しいことを意味するものではない。
の400および488nmでのそれぞれの刺激における発光効率
の値を100に標準化した。このことは、400nmにおいて刺
激されたこのようなホスファーの発光効率の値が488nm
において刺激された場合の同一のホスファーの発光効率
の値と等しいことを意味するものではない。
【００７９】
【表５】
【００８０】実施例８ 8.00gのTa2O5および0.010gのTb4O7をアセトンの存在下
に表４の成分と混合した。この混合物を170℃において
約15時間乾燥させ、次いで、空気中で1200℃において８
時間焼成した。次いで、得られるホスファーを空気中に
放置することにより室温まで冷却し、粉砕し、冷水中で
濾過し、150℃において乾燥させた。
に表４の成分と混合した。この混合物を170℃において
約15時間乾燥させ、次いで、空気中で1200℃において８
時間焼成した。次いで、得られるホスファーを空気中に
放置することにより室温まで冷却し、粉砕し、冷水中で
濾過し、150℃において乾燥させた。
【００８１】
【表６】
【００８２】表４のホスファーの試料を実施例２で説明
したのと同様にしてX線照射に露出した。以下の表５
に、実施例２により処理した場合の表４のホスファーの
光刺激発光された発光値を示す。
したのと同様にしてX線照射に露出した。以下の表５
に、実施例２により処理した場合の表４のホスファーの
光刺激発光された発光値を示す。
【００８３】
【表７】
【００８４】表５の結果は、リチウムを他の少量のアル
カリ金属で置換することにより本発明のホスファーの発
光効率が改良されることを明確に示す。他方、この置換
が１:１重量％を上回る場合は、発光効率が減少する。
カリ金属で置換することにより本発明のホスファーの発
光効率が改良されることを明確に示す。他方、この置換
が１:１重量％を上回る場合は、発光効率が減少する。
Claims (22)
- 【請求項１】 (i)可視光または赤外線照射刺激性ホス
ファーに物体を通過した高エネルギー照射を吸収させる
工程、(ii)該ホスファーを可視光または赤外線照射で刺
激することにより蛍光として蓄えられたエネルギーを放
出させる工程、および(iii)光検出手段で該蛍光を検出
する工程、を包含する照射画像を記録および複製する方
法であって、該ホスファーがMg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、
Ge、Pb、Bi、遷移元素およびランタノイドからなる群か
ら選択される少なくとも１種の元素でドープされたグリ
ーン発光テルビウム活性化アルカリ金属タンタレートで
あることにより特徴付けられる方法。 - 【請求項２】 前記ホスファーが、式 Li1-xAxTaO3・yMe：zTb [式中、AはNa、K、RbおよびCeからなる群から選択され
るアルカリ金属であり、MeはMg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、
Ge、Pb、Bi、遷移元素およびランタノイドからなる群か
ら選択される少なくとも１種の金属であり、x、yおよび
zは０≦x＜１、０≦y＜0.1および０＜z≦0.1の条件を満
足する数である。]で示される請求項１記載の照射画像
を記録および複製するための方法。 - 【請求項３】 前記ホスファーが、式 Li1-xAxTaO3・(Me)y・Tb [式中、AはNa、K、RbおよびCeからなる群から選択され
るアルカリ金属であり、MeはMg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、
Ge、Pb、Bi、Zr、W、Zn、Sm、EuおよびGdからなる群か
ら選択される少なくとも１種の金属であり、そしてx、y
およびzは０≦x＜１、０≦y＜0.05および０＜z≦0.01の
条件を満足する数である。]で示される請求項１記載の
照射画像を記録および複製するための方法。 - 【請求項４】 前記ホスファーが400〜1100nmの範囲の
波長を有する照射で刺激される請求項１記載の照射画像
を記録および複製するための方法。 - 【請求項５】 前記ホスファーが400〜500nmの範囲の波
長を有する照射で刺激される請求項１記載の照射画像を
記録および複製するための方法。 - 【請求項６】 前記ホスファーが600〜800nmの範囲の波
長を有する照射で刺激される請求項１記載の照射画像を
記録および複製するための方法。 - 【請求項７】 前記ホスファーが500nmを上回る波長を
有する蛍光を発光する請求項１記載の照射画像を記録お
よび複製するための方法。 - 【請求項８】 前記ホスファーが500〜600nmの波長を有
する蛍光を発光する請求項１記載の照射画像を記録およ
び複製するための方法。 - 【請求項９】 (i)可視光または赤外線照射刺激性ホス
ファーに物体を通過した高エネルギー照射を吸収させる
ための手段、(ii)該ホスファーを可視光または赤外線照
射で刺激することにより蛍光として蓄えられたエネルギ
ーを放出させるための手段、および(iii)該蛍光を検出
するための手段、を有する照射画像を記録および複製す
るための改良された装置であって、該ホスファーが元素
の周期表のII、III、IV、Vおよび遷移元素族から選択さ
れる少なくとも１種の元素でドープされたグリーン発光
テルビウム活性化アルカリ金属タンタレートであること
により特徴付けられる装置。 - 【請求項１０】 前記ホスファーが、式 Li1-xAxTaO3・yMe：zTb [式中、AはNa、K、RbおよびCeからなる群から選択され
るアルカリ金属であり、MeはMg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、
Ge、Pb、Bi、遷移元素およびランタノイドからなる群か
ら選択される少なくとも１種の金属であり、x、yおよび
zは０≦x＜１、０≦y＜0.1および０＜z≦0.1の条件を満
足する数である。]で示される請求項９記載の照射画像
を記録および複製するための装置。 - 【請求項１１】 前記ホスファーが、式 Li1-xAxTaO3・yMe：zTb [式中、AはNa、K、RbおよびCeからなる群から選択され
るアルカリ金属であり、MeはMg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、
Ge、Pb、Bi、Zr、W、Zn、Sm、EuおよびGdからなる群か
ら選択される少なくとも１種の金属であり、そしてx、y
およびzは０≦x＜１、０≦y＜0.05および０＜z≦0.01の
条件を満足する数である。］で示される請求項９記載の
照射画像を記録および複製するための装置。 - 【請求項１２】 前記ホスファーが４００〜1100nmの範
囲の波長を有する照射で刺激される請求項９記載の照射
画像を記録および複製するための装置。 - 【請求項１３】 前記ホスファーが500nmを上回る波長
を有する蛍光を発光する請求項９記載の照射画像を記録
および複製するための装置。 - 【請求項１４】 前記ホスファーが500〜600nmの波長を
有する蛍光を発光する請求項９記載の照射画像を記録お
よび複製するための装置。 - 【請求項１５】 バインダーおよび該バインダー中に分
散された刺激性ホスファーを含有する蛍光層を有する照
射画像保存パネルであって、該ホスファーが元素の周期
表のII、III、IV、Vおよび遷移元素族から選択される少
なくとも１種の元素でドープされたグリーン発光テルビ
ウム活性化アルカリ金属タンタレートであることにより
特徴付けられるパネル。 - 【請求項１６】 前記ホスファーが、式 Li1-xAxTaO3・yMe：zTb [式中、AはNa、K、RbおよびCeからなる群から選択され
るアルカリ金属であり、MeはMg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、
Ge、Pb、Bi、遷移元素およびランタノイドからなる群か
ら選択される少なくとも１種の金属であり、x、yおよび
zは０≦x＜１、０≦y＜0.1および０＜z≦0.1の条件を満
足する数である。]で示される請求項15記載の照射画像
保存パネル。 - 【請求項１７】 前記ホスファーが、式 Li1-xAxTaO3・yMe：zTb [式中、AはNa、K、RbおよびCeからなる群から選択され
るアルカリ金属であり、MeはMg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、
Ge、Pb、Bi、Zr、W、Zn、Sm、EuおよびGdからなる群か
ら選択される少なくとも１種の金属であり、そしてx、y
およびzは０≦x＜１、０≦y＜0.05および０＜z≦0.01の
条件を満足する数である。]で示される請求項15記載の
照射画像保存パネル。 - 【請求項１８】 元素の周期表のII、III、IV、Vおよび
遷移元素族から選択される少なくとも１種の元素でドー
プされたグリーン発光テルビウム活性化アルカリ金属タ
ンタレートからなる群から選択される光刺激性ホスファ
ー。 - 【請求項１９】 式 Li1-xAxTaO3・yMe：zTb [式中、AはNa、K、RbおよびCeからなる群から選択され
るアルカリ金属であり、MeはMg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、
Ge、Pb、Bi、遷移元素およびランタノイドからなる群か
ら選択される少なくとも１種の金属であり、x、yおよび
zは０≦x＜１、０≦y＜0.1および０＜z≦0.1の条件を満
足する数である。]で示される請求項18記載の光刺激性
ホスファー。 - 【請求項２０】 式 Li1-xAxTaO3・yMe：zTb [式中、AはNa、K、RbおよびCeからなる群から選択され
るアルカリ金属であり、MeはMg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、
Ge、Pb、Bi、Zr、W、Zn、Sm、EuおよびGdからなる群か
ら選択される少なくとも１種の金属であり、そしてx、y
およびzは０≦x＜１、０≦y＜0.05および０＜z≦0.01の
条件を満足する数である。]で示される請求項18記載の
光刺激性ホスファー。 - 【請求項２１】 500nmを上回る波長を有する蛍光を発
光する請求項20記載の光刺激性ホスファー。 - 【請求項２２】 500〜600nmの波長を有する蛍光を発光
する請求項18記載の光刺激性ホスファー。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT92A002593 | 1992-11-12 | ||
| ITMI922593A IT1256101B (it) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | Metodo per registrare e riprodurre l'immagine di una radiazione, apparato che impiega detto metodo,pannello per la memorizzazione della immagine di una radiazione e fosforo fotostimolabile |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06235799A true JPH06235799A (ja) | 1994-08-23 |
Family
ID=11364279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5281065A Pending JPH06235799A (ja) | 1992-11-12 | 1993-11-10 | 照射画像を記録および複製するための方法、この方法を用いる装置、照射画像を保存するためのパネルおよび光刺激性ホスファー |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0597311A3 (ja) |
| JP (1) | JPH06235799A (ja) |
| IT (1) | IT1256101B (ja) |
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| US5601751A (en) * | 1995-06-08 | 1997-02-11 | Micron Display Technology, Inc. | Manufacturing process for high-purity phosphors having utility in field emission displays |
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| US8585928B1 (en) | 2010-04-27 | 2013-11-19 | Sandia Corporation | Rare-earth tantalates and niobates suitable for use as nanophosphors |
| DE102010026627A1 (de) * | 2010-07-09 | 2012-01-12 | Giesecke & Devrient Gmbh | Alkalimetall-und Erdalkalimetall-Niobate und -Tantalate als Sicherheitmerkmalsstoffe |
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|---|---|---|---|---|
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| US4024069A (en) * | 1975-07-16 | 1977-05-17 | Rca Corporation | Yttrium tantalate phosphors |
| JPS5944333B2 (ja) * | 1978-07-12 | 1984-10-29 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換方法 |
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- 1992-11-12 IT ITMI922593A patent/IT1256101B/it active IP Right Grant
-
1993
- 1993-09-30 US US08/128,651 patent/US5367173A/en not_active Expired - Fee Related
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- 1993-11-10 JP JP5281065A patent/JPH06235799A/ja active Pending
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