JPH0159567B2 - - Google Patents
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- JPH0159567B2 JPH0159567B2 JP54087812A JP8781279A JPH0159567B2 JP H0159567 B2 JPH0159567 B2 JP H0159567B2 JP 54087812 A JP54087812 A JP 54087812A JP 8781279 A JP8781279 A JP 8781279A JP H0159567 B2 JPH0159567 B2 JP H0159567B2
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- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
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- Luminescent Compositions (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
本発明は放射線像変換方法、さらに詳しくは可
視乃至赤外輝尽性螢光体の輝尽特性を利用した放
射線像変換方法およびそのための装置に関する。 従来、放射線画像を得るために銀塩を使用し
た、いわゆる放射線写真が利用されているが、近
年特に銀資源の枯渇等の問題から銀塩を使用しな
いで放射線像を画像化する方法が望まれるように
なつた。 銀塩を使用しない放射線像変換方法として、米
国特第3859527号明細書に記載されている方法が
注目されている。この放射線像変換方法は可視乃
至赤外輝尽性螢光体(放射線を照射した後、可視
乃至赤外波長領域に存在するその螢光体に特有の
光で励起すると発光を示す螢光体。ここで放射線
とはX線、α線、β線、高エネルギー中性子線、
電子線、真空紫外線、紫外線等の電磁波あるいは
粒子線をいう。)を利用したもので、この可視乃
至赤外輝尽性螢光体からなる放射線像変換パネル
に被写体を透過した放射線を吸収せしめ、しかる
後該パネルを上記輝尽性螢光体の励起光波長領域
に含まれる光で励起して該パネル中に蓄積された
放射線エネルギーを螢光(輝尽発光)として放出
せしめ、この螢光を検出して画像化するものであ
る。 上記可視乃至赤外輝尽性螢光体を用いた放射線
像変換方法は従来の放射線写真法に代わる放射線
像変換方法として非常に有望なものである。しか
しながら、上記可視乃至赤外輝尽性螢光体を用い
た放射線像変換方法においては、使用後長時間放
電されていた放射線像変換パネルを用いたり、あ
るいは同一の放射線像変換パネルを反復して使用
したりした場合に、しばしば得られる画像にノイ
ズが加わり、画質が著しく悪化して鮮明な画像が
得ることができないことがある。これは上記のよ
うな場合、被写体を透過した放射線が放射線像変
換パネルに吸収され該パネル中に放射線エネルギ
ーが蓄積される前に、すでに上記放射線エネルギ
ーとは別の放射線エネルギーが該パネル中に蓄積
されていることがあり、この蓄積エネルギーが放
射線像変換パネルが励起される際に被写体を透過
した放射線による蓄積エネルギーと共に螢光とし
て放出させられるためである。すなわち、放射線
像変換パネルが使用後長時間放置される場合、放
射線像変換パネルに用いられている可視乃至赤外
輝尽性螢光体中に微量混入している。 226Raや
40K等の放射性同位元素から放射される放射線あ
るいは環境放射線等を吸収してこれら放射線のエ
ネルギーを蓄積するが、このようにして蓄積され
た放射線エネルギーがノイズの原因となる。ま
た、特に放射線像変換パネルを反復して使用する
場合において、放射線像変換パネル中に蓄積され
た放射線エネルギーを螢光として放出せしめるた
めの励起が不充分である場合(例えば励起光強度
が低い、励起光波長が不適当である等)には、放
射線エネルギーは完全に放出されずその一部が残
留し、この残留した放射線エネルギーがそれ以後
の放射線像変換におけるノイズの原因となる。ノ
イズは特に放射線像変換系の感度が高い場合に顕
著に現われる。上述のノイズの問題は可視乃至赤
外輝尽性螢光体を用いた放射線像変換方法の実用
を妨げるものであり、その改良が望まれている。 本発明は可視乃至赤外輝尽性螢光体を用いた放
射線像変換方法において、ノイズのない鮮明な画
像を与える放射線像変換方法を提供することを目
的とするものである。 本発明は、放射線像変換パネルに被写体を透過
した放射線を吸収せしめる前に、該パネルを加熱
して該パネル中にすでに蓄積されているノイズの
原因となる放射線エネルギーを除去し、これによ
つてノイズのない鮮明な画像を得るものである。
すなわち本発明の放射線像変換方法は (i) 可視乃至赤外輝尽性螢光体からなる放射線像
変換パネルに被写体に通過した放射線を吸収せ
しめ、 (ii) しかる後該パネルを上記輝尽性螢光体の励起
光波長領域に含まれる500nm以上の波長を有
する光で励起して上記放射線像変換パネル中に
蓄積された放射線エネルギーを螢光として放出
せしめ、 (iii) 上記螢光を検出する ことからなり、上記吸収工程(i)の前に上記放射線
像変換パネルを加熱して該パネル中にすでに蓄積
されているノイズの原因となる放射線エネルギー
を除去することを特徴とする放射線像変換方法に
おいて、上記可視乃至赤外輝尽性螢光体が一般式 (Ba1-x、Mx〓)FX:yA (但しM〓はMg、Ca、Sr、ZnおよびCdのうちの
少なくとも1種、XはCl、BrおよびIのうち少
なくとも1種、AはEu、Tb、Ce、Tm、Dy、
Pr、Ho、Nd、YbおよびErのうちの少なくとも
1種であり、xおよびyはそれぞれ0≦x≦0.6
および0≦y≦0.2なる条件を満たす数である) で表わされる弗化ハロゲン化物系螢光体に含まれ
る螢光体、一般式 LnOX:zM (但しLnはLa、Y、GdおよびLuのうちの少な
くとも1種、MはCeおよびTbのうちの少なくと
も1種、XはCl、BrおよびIのうちの少なくと
も1種であり、zは0≦z≦0.1なる条件を満た
す数である) で表わされるオキシハロゲン化物系螢光体に含ま
れる螢光体、一般式 Me〓O・pSiO2:D (但しMe〓はCa、Sr、ZnおよびBaのうちの少な
くとも1種、DはCe、Tb、Eu、PbおよびMnの
うちの少なくとも1種であり、pは0.5≦p≦2.5
なる条件を満たす数である) で表わされる2価金属珪酸塩系螢光体に含まれる
螢光体、および一般式が BaO・Al2O3:Eu で表わされるユーロピウム付活アルミン酸バリウ
ム系螢光体に含まれる螢光体からなる螢光体群よ
り選ばれる螢件体の1種もしくは2種以上である
ことを特徴とする。 本発明の放射線像変換方法を概略図を用いて具
体的に説明する。第1図において10は放射線像
変換パネル13に蓄積されたノイズの原因となる
放射線エネルギーを除去するためのヒーター、1
1は放射線発生装置、12は被写体、13は可視
乃至赤外輝尽性螢光体層を有する放射線像変換パ
ネル、14は放射線像変換パネル13の蓄積放射
線エネルギーを螢光として放射させるための励起
源としての光源、15は放射線像変換パネル13
より放射された螢光を検出する光電変換装置、1
6は15で検出された光電変換信号を画像として
再生する装置、17は再生された画像を表示する
装置、18は光源14からの反射光をカツトし、
放射線像変換パネル13より放射された光のみを
透過させるためのフイルムターである。15以降
は13からの光情報を何らかの形で画像として再
生できるものであればよく、上記に限定されるも
のではない。 第1図に示されるように、まずヒーター10か
ら放射される熱によつて該パネル13中にすでに
蓄積されているノイズの原因となる放射線エネル
ギーを除去する。次にこの放射線像変換パネル1
3と放射線発生装置11との間に被写体12を配
置し、放射線を照射すると、放射線は被写体12
の各部の放射線透過率の変化に従つて透過し、そ
の透過像(すなわち放射線の強弱の像)が放射線
像変換パネル13に入射する。この入射した透過
像は放射線像変換パネル13の螢光体層に吸収さ
れ、これによつて螢光体層中に吸収した放射線量
に比例した数の電子または正孔が発生し、これが
螢光体のトラツプレベルに蓄積される。すなわち
放射線透過像の蓄積像(一種の潜像)が形成され
る。次にこの潜像を光エネルギーで励起して顕在
化する。すなわち光源14によつて放射線像変換
パネル13に用いられている可視乃至赤外輝尽性
螢光体の励起光波長領域に含まれる光を放射線像
変換パネル13の螢光体層に照射してトラツプレ
ベルに蓄積された電子または正孔を追出し、蓄積
像を螢光として放射せしめる。この放射される螢
光の強弱は蓄積された電子または正孔の数、すな
わち放射線像変換パネル13の螢光体層に吸収さ
れた放射源エネルギーの強弱を比例しており、こ
の光信号を例えば光電子増倍管、フオトダイオー
ド等の光電変換装置15で電気信号に変換し、画
像再生装置16によつて画像として再生し、画像
表示装置17によつてこの画像を表示する。この
ようにしてノイズのない面像を見ることができ
る。 本発明の方法に用いらるれる加熱手段は放射線
像変換パネル全面を均一に加熱することができる
ものであればいかなる加熱装置であつても、特に
好ましい加熱手段としてはパネルヒーター、熱風
(温風)発生装置等が挙げられる。加熱温度が高
ければ高い程短時間でノイズ除去を行なうことが
できる。しかしながら、加熱は放射線像変換パネ
ルが変形あるいは変質しないような温度で行なわ
なければならず、この点から放射線像変換パネル
の加熱温度は一般に約50℃乃至150℃が適当であ
る。放射線像変換パネル中に蓄積されたノイズの
原因となる放射線エネルギーを完全に除去するの
に要する加熱時間は、窒積されている放射線エネ
ルギーの量、加熱温度等の種々のフアクターによ
つて広い範囲で変化するが、加熱温度が上記範囲
にある場合には一般に数秒乃至数分の加熱で充分
である。なお、放射線像変換パネルの加熱がかな
り高い温度で行なわれた場合等には、放射線像変
換パネルが常温にもどるのにかなり時間がかかる
場合がある。このような場合には何らかの冷却装
置で放射線像変換パネルを強制的に冷却するのが
好ましい。 本発明の方法に用いられる放射線像変換パネル
13の構造は第2図−aに示されるように基板2
1とこの基板21の片面上に形成された螢光体層
22よりなる。この螢光体層22は可視乃至赤外
輝尽性螢光体からなる。可視乃至赤外輝尽性螢光
体としては、セリウムおよびサマリウム付活硫化
ストロンチウム螢光体(SrS:Ce、Sm)、ユーロ
ピウムおよびサマリウム付活硫化ストロンチウム
螢光体(SrS:Eu、Sm)、ユーロピウムおよびサ
マリウム付活酸硫化ランタン螢光体(La2O2S:
Eu、Sm)、マンガンおよびハロゲン付活硫化亜
鉛・カドミウム螢光体〔(Zn、Cd)S:Mn、X、
但しXはハロゲンである〕、一般式が (Ba1-x、Mx〓)FX:yA (但しM〓はMg、Ca、Sr、ZnおよびCdのうちの
少なくとも1種、XはCl、BrおよびIのうちの
少なくとも1種、AはEu、Tb、Ce、Tm、Dy、
Pr、Ho、Nd、YbおよびErのうちの少なくとも
1種であり、xおよびyはそれぞれ0≦x≦0.6
および0≦y≦0.2なる条件を満たす数である。) で表わされる弗化ハロゲン化物系螢光体、一般式
が LnOX:zM (但しLnはLa、Y、GdおよびLuのうちの少な
くとも1種、XはCeおよびTbのうちの少なくと
も1種、XはCl、Brおよびのうちの少なくと
も1種であり、zは0<z≦0.1なる条件を満た
す数である) で表わされるオキシハロゲン化物系螢光体、一般
式 Me〓O・pSiO2:D (但しMe〓はCa、Sr、ZnおよびBaのうちの少な
くとも1種、DはCe、Tb、Eu、PbおよびMnの
うちの少なくとも1種であり、pは0.5≦p≦2.5
なる条件を満たす数である) で表わさる2価金属珪酸塩系螢光体、一般式が BaO・Al2O3:Eu で表わされるユーロピウム付活アルミン酸バリウ
ム系螢光体、等が用いられる。上記可視乃至赤外
輝尽性螢光体の中でも特に(Ba1-X、Mx〓)
FX:yA系螢光体、LnOX:zM系螢光体、M〓e・
pSiO2:D系螢光体、BaO・Al2O3:Eu系螢光体
はその他の螢光体よりも輝尽発光強度が著しく高
く、従つてこれらの螢光体からなる放射線像変換
パネルを用いた放射線像変換方法は著しく高い感
度で放射線像を変換することが可能である。 例えば放射線像変換パネルは以下のような製造
方法によつて製造される。 まず可視乃至赤外輝尽性螢光体8重量部と硝化
綿1重量部とを溶液(アセトン、酢酸エチルおよ
び酢酸ブチルの混液)を用いて混合し、粘度がお
よそ50センチトークスの塗布液を調整する。次に
この塗布液を水平に置いたポリエチレンテレフタ
レートフイルム(基板)上に均一に塗布し、一昼
夜放置し自然乾燥することによつて約300μの螢
光体層を形成し、放射線像変換パネルとする。基
板としては例えば透明なガラス板やアルミニウム
などの金属薄板等を用いてもよい。なお、一般に
螢光体層22の厚さは50乃至1000μであるのが好
ましい。 なお、放射線像変換パネル13は第2図−bに
示されるような2枚のガラス板等の透明な基板2
3,24間に可視乃至赤外輝尽性螢光体を挾みこ
んで任意の厚さの螢光体層22とし、その周囲を
密封した構造のものでも良い。 本発明の放射線像変換方法において、上述の放
射線像変換パネル13の螢光体層22を励起して
該螢光体層22に蓄積されている放射線潜像を螢
光として放出せしめる光エネルギーの光源14と
しては、螢光体層22に用いられている可視乃至
赤外輝尽性螢光体の励起光波長領域に含まれる光
を少なくとも放出する光源が用いられる。この光
源はバンドスペクトル分布を有する光を放射する
ものであつててもよいし、He−Neレーザー光
(633nm)、YAGレーザー光(1064nm)、ルビレ
ーザー光(694nm)等の単一波長の光を放射す
る光源であつてもよい。特にレーザー光を用いる
場合は高い励起エネルギーを得ることができる。 以上説明したように、本発明においてはノイズ
の原因となる放射線エネルギーは放射線像変換の
前に除去されるのでノイズのない鮮明な放射線画
像を得ることができる。このように本発明は可視
乃至赤外輝尽性螢光体を用いた放射線像変換方法
におけるノイズの問題をを解決するものであり、
その方法の実用性を高めるものであつて、本発明
の工業的利用価値は非常に大きなものである。 第1表は本発明の放射線像変換方法の感度を、
SrS:Eu、Sm螢光体を用いた従来公知の放射線
像変換方法の感度と比較して示すものである。第
1表において感度は放射線像変換パネルに管電圧
80KVpのX線を照射した後、これをHe−Neレー
ザー光で励起し、その螢光体層から放射される螢
光を受光器(分光感度S−5の光電子増倍管)で
受光した場合の発光強度を表わしたものであり、
SrS:Eu、Sm螢光体を用いた従来公知の方法の
感度を1とした相対値で示してある。
視乃至赤外輝尽性螢光体の輝尽特性を利用した放
射線像変換方法およびそのための装置に関する。 従来、放射線画像を得るために銀塩を使用し
た、いわゆる放射線写真が利用されているが、近
年特に銀資源の枯渇等の問題から銀塩を使用しな
いで放射線像を画像化する方法が望まれるように
なつた。 銀塩を使用しない放射線像変換方法として、米
国特第3859527号明細書に記載されている方法が
注目されている。この放射線像変換方法は可視乃
至赤外輝尽性螢光体(放射線を照射した後、可視
乃至赤外波長領域に存在するその螢光体に特有の
光で励起すると発光を示す螢光体。ここで放射線
とはX線、α線、β線、高エネルギー中性子線、
電子線、真空紫外線、紫外線等の電磁波あるいは
粒子線をいう。)を利用したもので、この可視乃
至赤外輝尽性螢光体からなる放射線像変換パネル
に被写体を透過した放射線を吸収せしめ、しかる
後該パネルを上記輝尽性螢光体の励起光波長領域
に含まれる光で励起して該パネル中に蓄積された
放射線エネルギーを螢光(輝尽発光)として放出
せしめ、この螢光を検出して画像化するものであ
る。 上記可視乃至赤外輝尽性螢光体を用いた放射線
像変換方法は従来の放射線写真法に代わる放射線
像変換方法として非常に有望なものである。しか
しながら、上記可視乃至赤外輝尽性螢光体を用い
た放射線像変換方法においては、使用後長時間放
電されていた放射線像変換パネルを用いたり、あ
るいは同一の放射線像変換パネルを反復して使用
したりした場合に、しばしば得られる画像にノイ
ズが加わり、画質が著しく悪化して鮮明な画像が
得ることができないことがある。これは上記のよ
うな場合、被写体を透過した放射線が放射線像変
換パネルに吸収され該パネル中に放射線エネルギ
ーが蓄積される前に、すでに上記放射線エネルギ
ーとは別の放射線エネルギーが該パネル中に蓄積
されていることがあり、この蓄積エネルギーが放
射線像変換パネルが励起される際に被写体を透過
した放射線による蓄積エネルギーと共に螢光とし
て放出させられるためである。すなわち、放射線
像変換パネルが使用後長時間放置される場合、放
射線像変換パネルに用いられている可視乃至赤外
輝尽性螢光体中に微量混入している。 226Raや
40K等の放射性同位元素から放射される放射線あ
るいは環境放射線等を吸収してこれら放射線のエ
ネルギーを蓄積するが、このようにして蓄積され
た放射線エネルギーがノイズの原因となる。ま
た、特に放射線像変換パネルを反復して使用する
場合において、放射線像変換パネル中に蓄積され
た放射線エネルギーを螢光として放出せしめるた
めの励起が不充分である場合(例えば励起光強度
が低い、励起光波長が不適当である等)には、放
射線エネルギーは完全に放出されずその一部が残
留し、この残留した放射線エネルギーがそれ以後
の放射線像変換におけるノイズの原因となる。ノ
イズは特に放射線像変換系の感度が高い場合に顕
著に現われる。上述のノイズの問題は可視乃至赤
外輝尽性螢光体を用いた放射線像変換方法の実用
を妨げるものであり、その改良が望まれている。 本発明は可視乃至赤外輝尽性螢光体を用いた放
射線像変換方法において、ノイズのない鮮明な画
像を与える放射線像変換方法を提供することを目
的とするものである。 本発明は、放射線像変換パネルに被写体を透過
した放射線を吸収せしめる前に、該パネルを加熱
して該パネル中にすでに蓄積されているノイズの
原因となる放射線エネルギーを除去し、これによ
つてノイズのない鮮明な画像を得るものである。
すなわち本発明の放射線像変換方法は (i) 可視乃至赤外輝尽性螢光体からなる放射線像
変換パネルに被写体に通過した放射線を吸収せ
しめ、 (ii) しかる後該パネルを上記輝尽性螢光体の励起
光波長領域に含まれる500nm以上の波長を有
する光で励起して上記放射線像変換パネル中に
蓄積された放射線エネルギーを螢光として放出
せしめ、 (iii) 上記螢光を検出する ことからなり、上記吸収工程(i)の前に上記放射線
像変換パネルを加熱して該パネル中にすでに蓄積
されているノイズの原因となる放射線エネルギー
を除去することを特徴とする放射線像変換方法に
おいて、上記可視乃至赤外輝尽性螢光体が一般式 (Ba1-x、Mx〓)FX:yA (但しM〓はMg、Ca、Sr、ZnおよびCdのうちの
少なくとも1種、XはCl、BrおよびIのうち少
なくとも1種、AはEu、Tb、Ce、Tm、Dy、
Pr、Ho、Nd、YbおよびErのうちの少なくとも
1種であり、xおよびyはそれぞれ0≦x≦0.6
および0≦y≦0.2なる条件を満たす数である) で表わされる弗化ハロゲン化物系螢光体に含まれ
る螢光体、一般式 LnOX:zM (但しLnはLa、Y、GdおよびLuのうちの少な
くとも1種、MはCeおよびTbのうちの少なくと
も1種、XはCl、BrおよびIのうちの少なくと
も1種であり、zは0≦z≦0.1なる条件を満た
す数である) で表わされるオキシハロゲン化物系螢光体に含ま
れる螢光体、一般式 Me〓O・pSiO2:D (但しMe〓はCa、Sr、ZnおよびBaのうちの少な
くとも1種、DはCe、Tb、Eu、PbおよびMnの
うちの少なくとも1種であり、pは0.5≦p≦2.5
なる条件を満たす数である) で表わされる2価金属珪酸塩系螢光体に含まれる
螢光体、および一般式が BaO・Al2O3:Eu で表わされるユーロピウム付活アルミン酸バリウ
ム系螢光体に含まれる螢光体からなる螢光体群よ
り選ばれる螢件体の1種もしくは2種以上である
ことを特徴とする。 本発明の放射線像変換方法を概略図を用いて具
体的に説明する。第1図において10は放射線像
変換パネル13に蓄積されたノイズの原因となる
放射線エネルギーを除去するためのヒーター、1
1は放射線発生装置、12は被写体、13は可視
乃至赤外輝尽性螢光体層を有する放射線像変換パ
ネル、14は放射線像変換パネル13の蓄積放射
線エネルギーを螢光として放射させるための励起
源としての光源、15は放射線像変換パネル13
より放射された螢光を検出する光電変換装置、1
6は15で検出された光電変換信号を画像として
再生する装置、17は再生された画像を表示する
装置、18は光源14からの反射光をカツトし、
放射線像変換パネル13より放射された光のみを
透過させるためのフイルムターである。15以降
は13からの光情報を何らかの形で画像として再
生できるものであればよく、上記に限定されるも
のではない。 第1図に示されるように、まずヒーター10か
ら放射される熱によつて該パネル13中にすでに
蓄積されているノイズの原因となる放射線エネル
ギーを除去する。次にこの放射線像変換パネル1
3と放射線発生装置11との間に被写体12を配
置し、放射線を照射すると、放射線は被写体12
の各部の放射線透過率の変化に従つて透過し、そ
の透過像(すなわち放射線の強弱の像)が放射線
像変換パネル13に入射する。この入射した透過
像は放射線像変換パネル13の螢光体層に吸収さ
れ、これによつて螢光体層中に吸収した放射線量
に比例した数の電子または正孔が発生し、これが
螢光体のトラツプレベルに蓄積される。すなわち
放射線透過像の蓄積像(一種の潜像)が形成され
る。次にこの潜像を光エネルギーで励起して顕在
化する。すなわち光源14によつて放射線像変換
パネル13に用いられている可視乃至赤外輝尽性
螢光体の励起光波長領域に含まれる光を放射線像
変換パネル13の螢光体層に照射してトラツプレ
ベルに蓄積された電子または正孔を追出し、蓄積
像を螢光として放射せしめる。この放射される螢
光の強弱は蓄積された電子または正孔の数、すな
わち放射線像変換パネル13の螢光体層に吸収さ
れた放射源エネルギーの強弱を比例しており、こ
の光信号を例えば光電子増倍管、フオトダイオー
ド等の光電変換装置15で電気信号に変換し、画
像再生装置16によつて画像として再生し、画像
表示装置17によつてこの画像を表示する。この
ようにしてノイズのない面像を見ることができ
る。 本発明の方法に用いらるれる加熱手段は放射線
像変換パネル全面を均一に加熱することができる
ものであればいかなる加熱装置であつても、特に
好ましい加熱手段としてはパネルヒーター、熱風
(温風)発生装置等が挙げられる。加熱温度が高
ければ高い程短時間でノイズ除去を行なうことが
できる。しかしながら、加熱は放射線像変換パネ
ルが変形あるいは変質しないような温度で行なわ
なければならず、この点から放射線像変換パネル
の加熱温度は一般に約50℃乃至150℃が適当であ
る。放射線像変換パネル中に蓄積されたノイズの
原因となる放射線エネルギーを完全に除去するの
に要する加熱時間は、窒積されている放射線エネ
ルギーの量、加熱温度等の種々のフアクターによ
つて広い範囲で変化するが、加熱温度が上記範囲
にある場合には一般に数秒乃至数分の加熱で充分
である。なお、放射線像変換パネルの加熱がかな
り高い温度で行なわれた場合等には、放射線像変
換パネルが常温にもどるのにかなり時間がかかる
場合がある。このような場合には何らかの冷却装
置で放射線像変換パネルを強制的に冷却するのが
好ましい。 本発明の方法に用いられる放射線像変換パネル
13の構造は第2図−aに示されるように基板2
1とこの基板21の片面上に形成された螢光体層
22よりなる。この螢光体層22は可視乃至赤外
輝尽性螢光体からなる。可視乃至赤外輝尽性螢光
体としては、セリウムおよびサマリウム付活硫化
ストロンチウム螢光体(SrS:Ce、Sm)、ユーロ
ピウムおよびサマリウム付活硫化ストロンチウム
螢光体(SrS:Eu、Sm)、ユーロピウムおよびサ
マリウム付活酸硫化ランタン螢光体(La2O2S:
Eu、Sm)、マンガンおよびハロゲン付活硫化亜
鉛・カドミウム螢光体〔(Zn、Cd)S:Mn、X、
但しXはハロゲンである〕、一般式が (Ba1-x、Mx〓)FX:yA (但しM〓はMg、Ca、Sr、ZnおよびCdのうちの
少なくとも1種、XはCl、BrおよびIのうちの
少なくとも1種、AはEu、Tb、Ce、Tm、Dy、
Pr、Ho、Nd、YbおよびErのうちの少なくとも
1種であり、xおよびyはそれぞれ0≦x≦0.6
および0≦y≦0.2なる条件を満たす数である。) で表わされる弗化ハロゲン化物系螢光体、一般式
が LnOX:zM (但しLnはLa、Y、GdおよびLuのうちの少な
くとも1種、XはCeおよびTbのうちの少なくと
も1種、XはCl、Brおよびのうちの少なくと
も1種であり、zは0<z≦0.1なる条件を満た
す数である) で表わされるオキシハロゲン化物系螢光体、一般
式 Me〓O・pSiO2:D (但しMe〓はCa、Sr、ZnおよびBaのうちの少な
くとも1種、DはCe、Tb、Eu、PbおよびMnの
うちの少なくとも1種であり、pは0.5≦p≦2.5
なる条件を満たす数である) で表わさる2価金属珪酸塩系螢光体、一般式が BaO・Al2O3:Eu で表わされるユーロピウム付活アルミン酸バリウ
ム系螢光体、等が用いられる。上記可視乃至赤外
輝尽性螢光体の中でも特に(Ba1-X、Mx〓)
FX:yA系螢光体、LnOX:zM系螢光体、M〓e・
pSiO2:D系螢光体、BaO・Al2O3:Eu系螢光体
はその他の螢光体よりも輝尽発光強度が著しく高
く、従つてこれらの螢光体からなる放射線像変換
パネルを用いた放射線像変換方法は著しく高い感
度で放射線像を変換することが可能である。 例えば放射線像変換パネルは以下のような製造
方法によつて製造される。 まず可視乃至赤外輝尽性螢光体8重量部と硝化
綿1重量部とを溶液(アセトン、酢酸エチルおよ
び酢酸ブチルの混液)を用いて混合し、粘度がお
よそ50センチトークスの塗布液を調整する。次に
この塗布液を水平に置いたポリエチレンテレフタ
レートフイルム(基板)上に均一に塗布し、一昼
夜放置し自然乾燥することによつて約300μの螢
光体層を形成し、放射線像変換パネルとする。基
板としては例えば透明なガラス板やアルミニウム
などの金属薄板等を用いてもよい。なお、一般に
螢光体層22の厚さは50乃至1000μであるのが好
ましい。 なお、放射線像変換パネル13は第2図−bに
示されるような2枚のガラス板等の透明な基板2
3,24間に可視乃至赤外輝尽性螢光体を挾みこ
んで任意の厚さの螢光体層22とし、その周囲を
密封した構造のものでも良い。 本発明の放射線像変換方法において、上述の放
射線像変換パネル13の螢光体層22を励起して
該螢光体層22に蓄積されている放射線潜像を螢
光として放出せしめる光エネルギーの光源14と
しては、螢光体層22に用いられている可視乃至
赤外輝尽性螢光体の励起光波長領域に含まれる光
を少なくとも放出する光源が用いられる。この光
源はバンドスペクトル分布を有する光を放射する
ものであつててもよいし、He−Neレーザー光
(633nm)、YAGレーザー光(1064nm)、ルビレ
ーザー光(694nm)等の単一波長の光を放射す
る光源であつてもよい。特にレーザー光を用いる
場合は高い励起エネルギーを得ることができる。 以上説明したように、本発明においてはノイズ
の原因となる放射線エネルギーは放射線像変換の
前に除去されるのでノイズのない鮮明な放射線画
像を得ることができる。このように本発明は可視
乃至赤外輝尽性螢光体を用いた放射線像変換方法
におけるノイズの問題をを解決するものであり、
その方法の実用性を高めるものであつて、本発明
の工業的利用価値は非常に大きなものである。 第1表は本発明の放射線像変換方法の感度を、
SrS:Eu、Sm螢光体を用いた従来公知の放射線
像変換方法の感度と比較して示すものである。第
1表において感度は放射線像変換パネルに管電圧
80KVpのX線を照射した後、これをHe−Neレー
ザー光で励起し、その螢光体層から放射される螢
光を受光器(分光感度S−5の光電子増倍管)で
受光した場合の発光強度を表わしたものであり、
SrS:Eu、Sm螢光体を用いた従来公知の方法の
感度を1とした相対値で示してある。
【表】
【表】
上記第1表から明らかなように本発明の放射線
像変換方法(No.2〜35)は従来公知の放射線像変
換方法(No.1)よりも著しく高感度である。 以上説明したように本発明は感度の著しく高い
放射線像変換方法を提供するものであり従来の放
射線写真法にかわる方法としてその工業的利用価
値は非常に大きなものである。
像変換方法(No.2〜35)は従来公知の放射線像変
換方法(No.1)よりも著しく高感度である。 以上説明したように本発明は感度の著しく高い
放射線像変換方法を提供するものであり従来の放
射線写真法にかわる方法としてその工業的利用価
値は非常に大きなものである。
第1図は本発明の放射線像変換方法の概略説明
図である。第2図−aおよびbは本発明の放射線
像変換方法に用いられる放射線像変換パネルの断
面図である。 10……ノイズ除去用モーター、11……放射
線発生装置、12……被写体、13……放射線像
変換パネル、14……励起用光源、15……光電
変換装置、16……画像再生装置、17……画像
表示装置、18……フイルター、21……基板、
22……螢光体層、23,24……透明基板。
図である。第2図−aおよびbは本発明の放射線
像変換方法に用いられる放射線像変換パネルの断
面図である。 10……ノイズ除去用モーター、11……放射
線発生装置、12……被写体、13……放射線像
変換パネル、14……励起用光源、15……光電
変換装置、16……画像再生装置、17……画像
表示装置、18……フイルター、21……基板、
22……螢光体層、23,24……透明基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 (i) 可視乃至赤外輝尽性螢光体からなる放射
線像変換パネルに被写体を透過した放射線を吸
収せしめ、 (ii) しかる後該パネルを上記輝尽性螢光体の励起
光波長領域に含まれる500nm以上の波長を有
する光で励起して上記放射線像変換パネル中に
蓄積された放射線エネルギーを螢光として放出
せしめ、 (iii) 上記螢光を検出する ことからなり、上記吸収工程(i)の前に上記放射線
像変換パネルを加熱して該パネル中にすでに蓄積
されているノイズの原因となる放射線エネルギー
を除去することを特徴とする放射線像変換方法に
おいて、上記可視乃至赤外輝尽性螢光体が一般式 (Ba1-x、Mx〓)FX:yA (但しM〓はMg、Ca、Sr、ZnおよびCdのうちの
少なくとも1種、XはCl、BrおよびIのうちの
少なくとも1種、AはEu、Tb、Ce、Tm、Dy、
Pr、Ho、Nd、YbおよびErのうちの少なくとも
1種であり、xおよびyはそれぞれ0≦x≦0.6
および0≦y≦0.2なる条件を満たす数である) で表わされる弗化ハロゲン化物系螢光体に含まれ
る螢光体、一般式 LnOX:zM (但しLnはLa、Y、GdおよびLuのうちの少な
くとも1種、MはCeおよびTbのうちの少なくと
も1種、XはCl、BrおよびIのうちの少なくと
も1種であり、zは0≦z≦0.1なる条件を満た
す数である) で表わされるオキシハロゲン化物螢光体に含まれ
る螢光体、一般式 Me〓O・pSiO2:D (但しMe〓はCa、Sr、ZnおよびBaのうちの少な
くとも1種、DはCe、Tb、Eu、PbおよびMnの
うちの少なくとも1種であり、pは0.5≦p≦2.5
なる条件を満たす数であり、付活剤Dの含有量は
母体1モルに対して10-6〜5×10-3グラム原子で
ある) で表わされる2価金属珪酸塩系螢光体に含まれる
螢光体、および一般式が BaO・Al2O3:Eu (但し付活剤Euの含有量は母体1モルに対して
10-6〜5×-3グラム原子である) で表わされるユーロピウム付活アルミン酸バリウ
ム系螢光体に含まれる螢光体からなる螢光体群よ
り選ばれる螢光体の1種もしくは2種以上である
ことを特徴とする放射線像変換方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8781279A JPS5612599A (en) | 1979-07-11 | 1979-07-11 | Method and device for converting radiation image |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8781279A JPS5612599A (en) | 1979-07-11 | 1979-07-11 | Method and device for converting radiation image |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5612599A JPS5612599A (en) | 1981-02-06 |
JPH0159567B2 true JPH0159567B2 (ja) | 1989-12-18 |
Family
ID=13925381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8781279A Granted JPS5612599A (en) | 1979-07-11 | 1979-07-11 | Method and device for converting radiation image |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5612599A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH075549U (ja) * | 1993-06-29 | 1995-01-27 | 光洋工機株式会社 | 塵取り |
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-
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- 1979-07-11 JP JP8781279A patent/JPS5612599A/ja active Granted
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