JPH02110188A - 光刺戟性りん光体を用いるx線像の製造法 - Google Patents
光刺戟性りん光体を用いるx線像の製造法Info
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- C09K11/778—Borates
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
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- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
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- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
-
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- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
びスクリーン又はパネルの形で前記りん光体を含有する
バインダー層によりX線パターンを記録し再現する方法
に関する。
バインダー層によりX線パターンを記録し再現する方法
に関する。
X線が適切な物質を発光させることは良く知られている
。X線の影響下発光現象を示す物質はりん光体と称され
ている。
。X線の影響下発光現象を示す物質はりん光体と称され
ている。
X線パターンを記録し、再現する古典的な方法によれば
、発光された蛍光に対し高度に感光性である写真ハロゲ
ン化乳剤と組合せてラジオグラフを形成するためにりん
光体が使用されている。
、発光された蛍光に対し高度に感光性である写真ハロゲ
ン化乳剤と組合せてラジオグラフを形成するためにりん
光体が使用されている。
前記スクリーンで使用されるリン光体は発光すべきであ
るが、X線源を切った後翼めつる長寿命発光を示しては
ならない。著しく長い寿命の発光を有するスクリーンを
使用すると、それはX線ビームが停止した後でもその像
を保持しそれと接触させた新しいフィルムはいわゆるコ
ース像を得、これは形成すべき次の像を妨害する。蛍光
X@変換スクリーンと接触露光することによりラジオグ
ラフを作るに当って望ましからぬこの現像は「残光」及
び「遅れ」なる語で知られている。
るが、X線源を切った後翼めつる長寿命発光を示しては
ならない。著しく長い寿命の発光を有するスクリーンを
使用すると、それはX線ビームが停止した後でもその像
を保持しそれと接触させた新しいフィルムはいわゆるコ
ース像を得、これは形成すべき次の像を妨害する。蛍光
X@変換スクリーンと接触露光することによりラジオグ
ラフを作るに当って望ましからぬこの現像は「残光」及
び「遅れ」なる語で知られている。
例えば米国特許第3859527号に記載されているX
@パターンを記録し、再現す°る別の方法によれば、光
刺戟性りん光体として知られている特殊なりん光体が使
用され、これはパネル中に組入れられ、入射したパター
ンに従って変調されたX線に対露光され、その結果とし
てX線放射線パターンlζ含有されたエネルギーをその
中に一時的に貯蔵する。露光後ある時間間隔で、可視光
又は赤外線のビームがパネルヲ走査すると、光として貯
蔵されたエネルギーの放出を刺戟し、この光は検出され
、可視像を作るために処理しつる逐次電気信号に変えら
れる。
@パターンを記録し、再現す°る別の方法によれば、光
刺戟性りん光体として知られている特殊なりん光体が使
用され、これはパネル中に組入れられ、入射したパター
ンに従って変調されたX線に対露光され、その結果とし
てX線放射線パターンlζ含有されたエネルギーをその
中に一時的に貯蔵する。露光後ある時間間隔で、可視光
又は赤外線のビームがパネルヲ走査すると、光として貯
蔵されたエネルギーの放出を刺戟し、この光は検出され
、可視像を作るために処理しつる逐次電気信号に変えら
れる。
この目的のため、りん光体は入射X線エネルギーをでき
る限り多く貯蔵すべきであり、走査ビームで刺戟される
までエネルギーをできる限り少なく放出すべきである。
る限り多く貯蔵すべきであり、走査ビームで刺戟される
までエネルギーをできる限り少なく放出すべきである。
米国特許第4239968号に記載されている如く、ユ
ーロピウムドープしたフルオロハロゲン化バリウムは、
He −Neレーザービーム(633nm)、ルビーレ
ーザービーム(694r+m)及びYAGレーザ−ビー
ム(1064nm )の刺戟性光fこ対してのその高感
度のため、刺戟性りん光体として用いるのに特に有用で
あり、最良の刺戟は500〜700 nmの範囲にある
。刺戟したとき発する光(被刺戟光)はその主極大を3
90 nmに有する350〜390 nmの波長範囲l
こ位置する(定期刊行物ラジオグラフィ1983年9月
号、第834頁参照)。
ーロピウムドープしたフルオロハロゲン化バリウムは、
He −Neレーザービーム(633nm)、ルビーレ
ーザービーム(694r+m)及びYAGレーザ−ビー
ム(1064nm )の刺戟性光fこ対してのその高感
度のため、刺戟性りん光体として用いるのに特に有用で
あり、最良の刺戟は500〜700 nmの範囲にある
。刺戟したとき発する光(被刺戟光)はその主極大を3
90 nmに有する350〜390 nmの波長範囲l
こ位置する(定期刊行物ラジオグラフィ1983年9月
号、第834頁参照)。
上記定期刊行物に記載されている如く、刺戟性りん光体
を含有する像形成板は、それが含んでいる残存エネルギ
ーを消去するため光を大量に当てることによって簡単に
X線像を貯蔵するため繰返し使用できる。
を含有する像形成板は、それが含んでいる残存エネルギ
ーを消去するため光を大量に当てることによって簡単に
X線像を貯蔵するため繰返し使用できる。
ドイツ公開特許(DE −O8)第3347207号か
ら知ることができるように、ユーロピウムドープしたバ
リウムフルオロハライドは化学的に安定でなく、特に経
験によるとその蛍光発光力に影響を与える水分に敏感で
ある。
ら知ることができるように、ユーロピウムドープしたバ
リウムフルオロハライドは化学的に安定でなく、特に経
験によるとその蛍光発光力に影響を与える水分に敏感で
ある。
古典的なχ線りん光体は、それらが吸収されたエネルギ
ーの大部分をすぐに再放し、非常に少ししか貯蔵しない
という事実によって貯蔵りん光体として不適当である。
ーの大部分をすぐに再放し、非常に少ししか貯蔵しない
という事実によって貯蔵りん光体として不適当である。
従って効率的なX線エネルギー貯蔵、光刺戟性能力及び
耐湿性に関係する要求を満たすりん光体を見出さんとし
て強力な探求がなおなされている。
耐湿性に関係する要求を満たすりん光体を見出さんとし
て強力な探求がなおなされている。
2価ユーロピウムでドープされたハロボレートりん光体
が、効率的な光励起性で効率の劣る陰極線励起しうるり
ん光体であることを、ザ・ジャーナル・オブ・インオー
ガニック・アンド・ヌクレア・ケミストリー第32巻、
第1089頁〜第1095頁(1970年)にティ・イ
ー・ピーターズ及びジ°エイ・バグリオによって、又イ
ンオーガニック・ケミストリー第19巻第3807貞〜
第3811頁(1980年)にケイ・マチダ、ジー・ア
ダチ等によって報告されている。イズベスチャ・アカデ
ミ−・ナウカ・5SSR,セリャ・ツイツチニスカヤ第
38巻、第1145頁〜第1150頁(1974年)に
は鉛でドープしたCa2八O,ClのX線発光性が報告
されており、このりん光体は貯蔵された光射固定強度(
即事発光)の高い比を示すが刺戟光の影響の下強度の相
対増加は劣る。
が、効率的な光励起性で効率の劣る陰極線励起しうるり
ん光体であることを、ザ・ジャーナル・オブ・インオー
ガニック・アンド・ヌクレア・ケミストリー第32巻、
第1089頁〜第1095頁(1970年)にティ・イ
ー・ピーターズ及びジ°エイ・バグリオによって、又イ
ンオーガニック・ケミストリー第19巻第3807貞〜
第3811頁(1980年)にケイ・マチダ、ジー・ア
ダチ等によって報告されている。イズベスチャ・アカデ
ミ−・ナウカ・5SSR,セリャ・ツイツチニスカヤ第
38巻、第1145頁〜第1150頁(1974年)に
は鉛でドープしたCa2八O,ClのX線発光性が報告
されており、このりん光体は貯蔵された光射固定強度(
即事発光)の高い比を示すが刺戟光の影響の下強度の相
対増加は劣る。
Sb、Nauchn、Ir、、VSeS Nauch
no−1ssled、rnsttt。
no−1ssled、rnsttt。
Lyuminoforov、 0sobo Chris
t、 Veschestv第11巻第7貞〜第11頁(
1974年)にはマンガン活性化カルシウム及びストロ
ンチュウムクロロボレート、タイプMe、B、o、Cl
の光発光性が報告されている。
t、 Veschestv第11巻第7貞〜第11頁(
1974年)にはマンガン活性化カルシウム及びストロ
ンチュウムクロロボレート、タイプMe、B、o、Cl
の光発光性が報告されている。
これらの刊行物の中に、効率的なX線エネルギー貯蔵と
可視光又は赤外光での刺戟性能力を示すとして報告され
たりん光体はない。鉛ドープCa2B50gCJの刺戟
性能力はかかるりん光体が光刺戟性りん光体として役に
立たない程悪いものである。
可視光又は赤外光での刺戟性能力を示すとして報告され
たりん光体はない。鉛ドープCa2B50gCJの刺戟
性能力はかかるりん光体が光刺戟性りん光体として役に
立たない程悪いものである。
本発明の目的はX線パターンを記録し、再現する方法を
提供することにあり、この方法は、特別のユーロピウム
ドープしたハロボレートりん光体を、入射X線からのエ
ネルギーを効率的に貯蔵し、前記エネルギーを、光刺戟
に使用した光より短い波長の電子的に検出しつる光子の
形で高収率で放出するために使用する。
提供することにあり、この方法は、特別のユーロピウム
ドープしたハロボレートりん光体を、入射X線からのエ
ネルギーを効率的に貯蔵し、前記エネルギーを、光刺戟
に使用した光より短い波長の電子的に検出しつる光子の
形で高収率で放出するために使用する。
本発明の別の目的はバインダー層中に分散させた酌記光
刺戟性りん光体を含有するX線スクリーン又はパネルを
提供することにある。
刺戟性りん光体を含有するX線スクリーン又はパネルを
提供することにある。
本発明の別の目的及び利点は以下の説明から明らかにな
るであろう。
るであろう。
本発明によればX線像を記録し再現するための方法を提
供し、この方法は (1)光刺戟性りん光体に像に従って又はパターンに従
って変調されたX線を吸収せしめ、(2)前記りん光体
を可視光及び赤外線から選択した刺戟性電磁放射線で光
刺戟して、光刺戟に使用した放射線とは波長特性ζこお
いて異なる電磁放射線を吸収されたX線に従ってりん光
体から放出せしめ、 (3)光刺戟1こよって発光した前記光を検出する工程
を含み、前記りん光体が下記実験式%式% 〔式中MはCa 、 Sr及びBaからなる群から選択
したアルカリ土類金属の少なくとも一つであり、 Xl1Cl、Br及び丁からなる群から選択したハロゲ
ンの少なくとも一つであり、 DはEu”+及びCe’+からなる群から選択した稀土
類金属の少なくとも一つのドープ剤であり、これらは所
望によって、La、Y、Sc及びランタニド元X(但し
、Eu’+及びCe3+−を除く)からなる群から選択
したl員又はNa 、 K 、 Rb及びCsからなる
群から選択した1種以上のアルカリ元素である少なくと
も一つの共ドープ剤と組合た形でもよい Xは5 ×I 0−fiS x < 4 X 10−’
の範囲であり、yは0.4≦y≦1.6の範囲である〕
に和尚するハロボレートであることを特徴としている。
供し、この方法は (1)光刺戟性りん光体に像に従って又はパターンに従
って変調されたX線を吸収せしめ、(2)前記りん光体
を可視光及び赤外線から選択した刺戟性電磁放射線で光
刺戟して、光刺戟に使用した放射線とは波長特性ζこお
いて異なる電磁放射線を吸収されたX線に従ってりん光
体から放出せしめ、 (3)光刺戟1こよって発光した前記光を検出する工程
を含み、前記りん光体が下記実験式%式% 〔式中MはCa 、 Sr及びBaからなる群から選択
したアルカリ土類金属の少なくとも一つであり、 Xl1Cl、Br及び丁からなる群から選択したハロゲ
ンの少なくとも一つであり、 DはEu”+及びCe’+からなる群から選択した稀土
類金属の少なくとも一つのドープ剤であり、これらは所
望によって、La、Y、Sc及びランタニド元X(但し
、Eu’+及びCe3+−を除く)からなる群から選択
したl員又はNa 、 K 、 Rb及びCsからなる
群から選択した1種以上のアルカリ元素である少なくと
も一つの共ドープ剤と組合た形でもよい Xは5 ×I 0−fiS x < 4 X 10−’
の範囲であり、yは0.4≦y≦1.6の範囲である〕
に和尚するハロボレートであることを特徴としている。
前述した如き異なる元素を使用するドープ剤りの混合物
及び/又は異なる化学原子価の同じ元素の存在は、X線
照射後強力な光刺戟性発光を提供する。
及び/又は異なる化学原子価の同じ元素の存在は、X線
照射後強力な光刺戟性発光を提供する。
前記実験式(I)による好ましい光刺戟性りん光体は、
MがSr及びBaからなる群の少なくとも一つの元素で
あり:XはCl及びBrからなる群からなる群の少なく
とも一つの元素であり;DはEu3+及びCe’+から
なる群から選択した1員を表わし、これらは所望によっ
てLa 、 Y 、 Sc及びランタニド元素(但しE
u”+及びCe3+を除く)の群から選択した少なくと
も1貝又はNa及びKからなる群から選択した一つ以上
のアルカリ元素き組合せもよい:そしてXは10−4≦
x≦5 X 10−2の範囲であり、yは04≦y≦1
.6の範囲であるようなハロボレートである。
MがSr及びBaからなる群の少なくとも一つの元素で
あり:XはCl及びBrからなる群からなる群の少なく
とも一つの元素であり;DはEu3+及びCe’+から
なる群から選択した1員を表わし、これらは所望によっ
てLa 、 Y 、 Sc及びランタニド元素(但しE
u”+及びCe3+を除く)の群から選択した少なくと
も1貝又はNa及びKからなる群から選択した一つ以上
のアルカリ元素き組合せもよい:そしてXは10−4≦
x≦5 X 10−2の範囲であり、yは04≦y≦1
.6の範囲であるようなハロボレートである。
本発明より使用する特に奸才しい光刺戟性りん光体は、
共ドープ剤りとしてガドリニウム、イツトリウム、ラン
タン、サマリウム及びルテニウムの一つ以上又はナトリ
ウム及びカリウムからなる群から選択したアルカリ金属
の一つ以上を含有する。
共ドープ剤りとしてガドリニウム、イツトリウム、ラン
タン、サマリウム及びルテニウムの一つ以上又はナトリ
ウム及びカリウムからなる群から選択したアルカリ金属
の一つ以上を含有する。
本発明による使用するのに好適な光刺戟性りん光体は、
Ca 、 Sr及び/又はBa ハライド、Ca 。
Ca 、 Sr及び/又はBa ハライド、Ca 。
Sr及び/又はBa酸素含有塩例えば炭酸塩、硝酸塩及
び硫酸塩、H3BO,及び/又はB、Ol及びD元素(
1種又はそれ以上)の無水及び/又は水利ハライド、酸
化物又は酸素含有塩の混合物、そして所望により臭化ア
ンモニウム及び/又は塩化アンモニウムと組合せた混合
物を、700〜1000℃の温度で40時間以下の時間
焼成することによって製造することができる。所望によ
って1種以上のD元素をCa 、 Sr及び/又はBa
ハライド及び/又は酸素含有塩及び/又は酸化物と共沈
澱させて混入できる。
び硫酸塩、H3BO,及び/又はB、Ol及びD元素(
1種又はそれ以上)の無水及び/又は水利ハライド、酸
化物又は酸素含有塩の混合物、そして所望により臭化ア
ンモニウム及び/又は塩化アンモニウムと組合せた混合
物を、700〜1000℃の温度で40時間以下の時間
焼成することによって製造することができる。所望によ
って1種以上のD元素をCa 、 Sr及び/又はBa
ハライド及び/又は酸素含有塩及び/又は酸化物と共沈
澱させて混入できる。
ハロボレートりん光体の形成を促進するため、過剰のM
X!及び/又は1種以上の他のフラックス、例えば(N
H4)2CO3、NHlBr 、 NH4Cl + H
aBO3及びB、0.を加えることができる。
X!及び/又は1種以上の他のフラックス、例えば(N
H4)2CO3、NHlBr 、 NH4Cl + H
aBO3及びB、0.を加えることができる。
本発明による方法で使用するため、光刺戟性ハロボレー
トりん光体は、自己支持しうる又は支持されるバインダ
ー層中に分散した形で存在させるのが好ましく、X線像
貯蔵パネルと称されるスクリーン又はパネルを形成する
。
トりん光体は、自己支持しうる又は支持されるバインダ
ー層中に分散した形で存在させるのが好ましく、X線像
貯蔵パネルと称されるスクリーン又はパネルを形成する
。
分散した形で前記りん光体を混入するバインダー層を形
成するの(ζ好適なバインダーには、フィルム形成性有
機重合体、例えばセルロースアセテートブチレート、ポ
リアルキル(メタ)アクリレート、例えばポリメチルメ
タクリレート、ポリビニル−n−ブチラール例えば米国
特許第3043710号に記載されているもの、コポリ
(ビニルアセテート/ビニルクロライド)及びコポリ(
アクリロニトリル/ブタジェン/スチレン)又はコポリ
(ビニルクロライド/ビニルアセテート/ビニルアルコ
ール)又はそれらの混合物がある。
成するの(ζ好適なバインダーには、フィルム形成性有
機重合体、例えばセルロースアセテートブチレート、ポ
リアルキル(メタ)アクリレート、例えばポリメチルメ
タクリレート、ポリビニル−n−ブチラール例えば米国
特許第3043710号に記載されているもの、コポリ
(ビニルアセテート/ビニルクロライド)及びコポリ(
アクリロニトリル/ブタジェン/スチレン)又はコポリ
(ビニルクロライド/ビニルアセテート/ビニルアルコ
ール)又はそれらの混合物がある。
高X@エネルギー吸収を得るため最少量のバインダーを
使用するのが好ましい。しかしながら非常に少ない量の
結合剤は脆すぎる層を生せしめることがある、従って妥
協をしなければならない。りん光体の被覆率は約300
〜1500し侃の範囲が好ましい。
使用するのが好ましい。しかしながら非常に少ない量の
結合剤は脆すぎる層を生せしめることがある、従って妥
協をしなければならない。りん光体の被覆率は約300
〜1500し侃の範囲が好ましい。
好ましい実施態様によれば、りん光体層は支持体シート
上に支持された層として使用する。
上に支持された層として使用する。
好適な支持体材料はフィルム形成性樹脂例えばポリエチ
レンテレフタレートから作る、しかし所望によってα−
オレフィン樹脂層の如き樹脂層で被覆した紙支持体及び
カードボード支持体も特に廟用である。更にガラス支持
体及び金属支持体も挙げることができる。りん光体層の
厚さ6i 0.05 nm〜0.5 nmの範囲である
のが好ましい。
レンテレフタレートから作る、しかし所望によってα−
オレフィン樹脂層の如き樹脂層で被覆した紙支持体及び
カードボード支持体も特に廟用である。更にガラス支持
体及び金属支持体も挙げることができる。りん光体層の
厚さ6i 0.05 nm〜0.5 nmの範囲である
のが好ましい。
光刺戟性りん光体スクリーンの製造のため、りん光体粒
子はバインダーの溶液中に均質に分散させ、次いで支持
体上に被覆し、乾燥する。
子はバインダーの溶液中に均質に分散させ、次いで支持
体上に被覆し、乾燥する。
本発明のりん光体バインダー層の被覆は任意の普通の方
法、例えば噴霧、浸漬被覆又はドクターブレード被覆に
より行うことができる。被覆機被覆混合物中の溶媒は蒸
発lこより、例えば熱(60℃)空気流中での乾燥によ
り除去する。
法、例えば噴霧、浸漬被覆又はドクターブレード被覆に
より行うことができる。被覆機被覆混合物中の溶媒は蒸
発lこより、例えば熱(60℃)空気流中での乾燥によ
り除去する。
りん光体−バインダー組合せの充填密度を改良するため
及び脱泡を行うため超音波処理を適゛用できる。保護被
覆の任意付与前に、りん光体層はカレンダー処理して充
填密度(即ち乾燥被覆IJについてりん光体の9数)を
改良するとよい。
及び脱泡を行うため超音波処理を適゛用できる。保護被
覆の任意付与前に、りん光体層はカレンダー処理して充
填密度(即ち乾燥被覆IJについてりん光体の9数)を
改良するとよい。
場合によっては、りん光体含有層とその支持体の間に光
反射層を設け、光刺戟をこよって発光する光の出力を増
強させる。かかる光反射層はバインダー中に分散させた
白色顔料粒子例えば二酸化チタン粒子を含有できる、或
いは金属蒸着層例えばアルミニウム層から作ることがで
きる、或いは例えば米国特許第4380702号1こ記
載されている如く、刺戟性放射線を吸収するが発光した
光を反射する着色顔料層であることができる。
反射層を設け、光刺戟をこよって発光する光の出力を増
強させる。かかる光反射層はバインダー中に分散させた
白色顔料粒子例えば二酸化チタン粒子を含有できる、或
いは金属蒸着層例えばアルミニウム層から作ることがで
きる、或いは例えば米国特許第4380702号1こ記
載されている如く、刺戟性放射線を吸収するが発光した
光を反射する着色顔料層であることができる。
解像力を改良するため、りん光体層の下に発光された光
を吸収する層例えばカーボンブラック含有層を設けるこ
とができる、或いは着色支持体例えば灰色もしくは黒色
フィルム支持体を使用できる。
を吸収する層例えばカーボンブラック含有層を設けるこ
とができる、或いは着色支持体例えば灰色もしくは黒色
フィルム支持体を使用できる。
X線層を記録し、再現するための上述した方法の実施態
様によれば、X線で像に従って又はパターンに従って露
光されたりん光体−バインダー層の光刺戟は、走査光ビ
ーム、好ましくはレーザー光ビーム、例えばHe −N
e又はアルコンイオンレーザ−のビームで行う。
様によれば、X線で像に従って又はパターンに従って露
光されたりん光体−バインダー層の光刺戟は、走査光ビ
ーム、好ましくはレーザー光ビーム、例えばHe −N
e又はアルコンイオンレーザ−のビームで行う。
光刺戟によって発光された光は、光エネルギーを電気エ
ネルギーに変換する変換器、例えばディジタル化し、貯
蔵できる逐次電気信号を与える光電管(光電子増倍管)
で検出するのが好ましい。貯蔵後これらの信号はディジ
タル処理を受けることができる。ディジタル処理には、
例えば像コントラスト増強、立体周波数増強、像サブト
ラクション、像アデイション、及び個々の像部分の輪か
く鮮明化を含む。
ネルギーに変換する変換器、例えばディジタル化し、貯
蔵できる逐次電気信号を与える光電管(光電子増倍管)
で検出するのが好ましい。貯蔵後これらの信号はディジ
タル処理を受けることができる。ディジタル処理には、
例えば像コントラスト増強、立体周波数増強、像サブト
ラクション、像アデイション、及び個々の像部分の輪か
く鮮明化を含む。
記録されたX線像の再現のための一実施態様によれば、
所望によって処理されたディジタル信号を、例えば音響
光学変調器によって、書き込みレーザービームを変調す
るため使用されるアナログ信号に変換する。変調された
レーザービームは次いで写真材料例えばハロゲン化銀乳
剤フィルムを走査するために使用し、その上イこ像処理
された状態でのX線像を再現する。上述した実施態様及
びそれに使用する装置については例えば定期刊行物、ラ
ジオグラフィ1983年9月号第833頁〜第838頁
を8照されたい。
所望によって処理されたディジタル信号を、例えば音響
光学変調器によって、書き込みレーザービームを変調す
るため使用されるアナログ信号に変換する。変調された
レーザービームは次いで写真材料例えばハロゲン化銀乳
剤フィルムを走査するために使用し、その上イこ像処理
された状態でのX線像を再現する。上述した実施態様及
びそれに使用する装置については例えば定期刊行物、ラ
ジオグラフィ1983年9月号第833頁〜第838頁
を8照されたい。
別の実施態様によれば、光刺戟によって得られた光に相
当する電気信号のアナログ−デイジタル変換から得られ
たディジタル信号は陰極線管上に表示する。表示前に信
号はコンピューターで処理することができる。像の信号
対雑音比を減するため及びラジオグラフの粗又は微細像
特長の像品質を増強するために通常の像処理方法を用い
ることができる。
当する電気信号のアナログ−デイジタル変換から得られ
たディジタル信号は陰極線管上に表示する。表示前に信
号はコンピューターで処理することができる。像の信号
対雑音比を減するため及びラジオグラフの粗又は微細像
特長の像品質を増強するために通常の像処理方法を用い
ることができる。
本発明のりん光体について、それらの光−物理的性質を
決定するため測定を行った。
決定するため測定を行った。
第一にX線励起下りん光体の発光スペクトルを測定する
。測定は110 kvpで操作するX線源を用い、X線
照射による励起を行うスペクトル蛍光計で行う。連続X
線励起中に発行された光は光電子増倍管に組合せたモノ
クロメータ−で走査する。この発光スペクトルは光刺戟
時に得られるスペクトルと同じであり、全ての他の測定
においてフィルターが使用されるべきである測定をする
のに使用される。第一フィルターは光刺戟によって得ら
れる発光した光を透過するが、しかし刺戟性光殆ど全て
を戸先する。He−Ncqレーザー刺戟に対しては、2
.5a+ホヤB590フイルターを使用する、これの透
過スペクトルは、日本のホヤ−・コーポレイションによ
って発行されているホヤ、カラー・フィルター・ガラス
・カタログ、[8503Eに1己載されている。
。測定は110 kvpで操作するX線源を用い、X線
照射による励起を行うスペクトル蛍光計で行う。連続X
線励起中に発行された光は光電子増倍管に組合せたモノ
クロメータ−で走査する。この発光スペクトルは光刺戟
時に得られるスペクトルと同じであり、全ての他の測定
においてフィルターが使用されるべきである測定をする
のに使用される。第一フィルターは光刺戟によって得ら
れる発光した光を透過するが、しかし刺戟性光殆ど全て
を戸先する。He−Ncqレーザー刺戟に対しては、2
.5a+ホヤB590フイルターを使用する、これの透
過スペクトルは、日本のホヤ−・コーポレイションによ
って発行されているホヤ、カラー・フィルター・ガラス
・カタログ、[8503Eに1己載されている。
即発発光はスクリーンを85kVp極犬及び20 mA
で操作するX線源に連続的に曝露し、発光を監視するこ
とによって測定する。このため(こモノドル(MONO
DOR:西ドイツ国シーメンス愉アー・ゲーの商標)X
線源を使用した。低エネルギーX線は、厚さ21m+の
アルミニウム板を用いX線スペクトルから戸別する。高
電圧はl OOHzの周波数で短いX線パルスを生ずる
5QHzの周波数で正弦波である。信号パルスの線量は
、既知の時間間隔(1秒)に対する線量を測定し、パル
スの数を計量して測定した。発光は増幅器に組合せたハ
ママツ(商品名)R1398光電子増倍管で1.77
tar/のピンホールを通して測定し、チクl’ ロニ
7 クス(TgKTRONIX :商品名)7D20デ
イジタルオツシ口スコープで監視する。100パルス/
秒を検出する。これらの一つのトレースをオツシロスコ
ープを用いて貯蔵し、曲線下の面積を計算する。光電子
増倍管、増幅器及びディジタイザ−に対する感度ファク
ターは知られているから、1パルスについての即発発光
エネルギーは計算でき、p J /r*rt”/ mR
の単位での即発発光効率は、この値を励起パルスのxl
lJftで割ることによって得られる。
で操作するX線源に連続的に曝露し、発光を監視するこ
とによって測定する。このため(こモノドル(MONO
DOR:西ドイツ国シーメンス愉アー・ゲーの商標)X
線源を使用した。低エネルギーX線は、厚さ21m+の
アルミニウム板を用いX線スペクトルから戸別する。高
電圧はl OOHzの周波数で短いX線パルスを生ずる
5QHzの周波数で正弦波である。信号パルスの線量は
、既知の時間間隔(1秒)に対する線量を測定し、パル
スの数を計量して測定した。発光は増幅器に組合せたハ
ママツ(商品名)R1398光電子増倍管で1.77
tar/のピンホールを通して測定し、チクl’ ロニ
7 クス(TgKTRONIX :商品名)7D20デ
イジタルオツシ口スコープで監視する。100パルス/
秒を検出する。これらの一つのトレースをオツシロスコ
ープを用いて貯蔵し、曲線下の面積を計算する。光電子
増倍管、増幅器及びディジタイザ−に対する感度ファク
ターは知られているから、1パルスについての即発発光
エネルギーは計算でき、p J /r*rt”/ mR
の単位での即発発光効率は、この値を励起パルスのxl
lJftで割ることによって得られる。
第二の測定において、一定のX線量に曝露したとき貯蔵
される全光刺戟性エネルギーを測定する。X線励起をす
る前にりん光体スクリーン中になお存在する残存エネル
ギーは照射によって除去する。消去中光励起を避けるた
め、西ドイツ国、マインツ市のショット・グラスヴエル
ケで発行しているフィルターガラス・カタログA353
1/4clに記載されているカットオフショットGG
435フイルター(このフィルターは435 nm以下
の全波長を除去する)を、光刺戟する光を発するランプ
とりん光体スクリーンの間に置く。りん光体スクリーン
を次に85 kVp及び’l Q mAで操作するX線
源で励起させる。このため、西ドイツ国のシーメンス・
アー・ゲーのモノドルX線源を使用するとよい。低エネ
ルギーX線は厚さ21Hのアルミニウム板で戸別してX
線スペクトルを硬化する。X線励起後、りん光体スクリ
ーンを暗所で測定装置に移す。
される全光刺戟性エネルギーを測定する。X線励起をす
る前にりん光体スクリーン中になお存在する残存エネル
ギーは照射によって除去する。消去中光励起を避けるた
め、西ドイツ国、マインツ市のショット・グラスヴエル
ケで発行しているフィルターガラス・カタログA353
1/4clに記載されているカットオフショットGG
435フイルター(このフィルターは435 nm以下
の全波長を除去する)を、光刺戟する光を発するランプ
とりん光体スクリーンの間に置く。りん光体スクリーン
を次に85 kVp及び’l Q mAで操作するX線
源で励起させる。このため、西ドイツ国のシーメンス・
アー・ゲーのモノドルX線源を使用するとよい。低エネ
ルギーX線は厚さ21Hのアルミニウム板で戸別してX
線スペクトルを硬化する。X線励起後、りん光体スクリ
ーンを暗所で測定装置に移す。
この装置中で、x#J照射したりん光体スクリーンを光
刺戟するためレーザー光を使用する。この測定に使用す
るレーザーはHe −Ne(633nyy+)、アルコ
ンイオン(514nm )及び半導体(750及び82
0 nm )レーザーである。
刺戟するためレーザー光を使用する。この測定に使用す
るレーザーはHe −Ne(633nyy+)、アルコ
ンイオン(514nm )及び半導体(750及び82
0 nm )レーザーである。
レーザーオプティックスは、電子シャッタービームエキ
スパンダー及び二つのフィルターを有する。光電子増倍
管(ハママッR1398)は光刺戟によって発光した光
を集め、対応する電流を与える。測定法は、HP 69
44マルチプログラマ−に接続したヒユーレット・パラ
カード・HP 9826コンピユーターで制御する。電
圧コンバーターに電流で増幅後、チクトロニックスフD
20ディジタル・オッシロスコープが得られた光電流を
可視化する。電子シャッターが開いているとき、レーザ
ービームはりん光体スクリーンを刺戟することを開始し
.デイジタル・オツシロスコープを作動させる。スクリ
−ンと接触させて置いたピンホールを用い、僅か1.7
7−の面積のみが露出される。レーザー力(5mV )
の半分のみがスクリーン面に到達する。
スパンダー及び二つのフィルターを有する。光電子増倍
管(ハママッR1398)は光刺戟によって発光した光
を集め、対応する電流を与える。測定法は、HP 69
44マルチプログラマ−に接続したヒユーレット・パラ
カード・HP 9826コンピユーターで制御する。電
圧コンバーターに電流で増幅後、チクトロニックスフD
20ディジタル・オッシロスコープが得られた光電流を
可視化する。電子シャッターが開いているとき、レーザ
ービームはりん光体スクリーンを刺戟することを開始し
.デイジタル・オツシロスコープを作動させる。スクリ
−ンと接触させて置いたピンホールを用い、僅か1.7
7−の面積のみが露出される。レーザー力(5mV )
の半分のみがスクリーン面に到達する。
この方法で、刺戟性ビームの強度はより均一になる。レ
ーザーの直ぐ前に置いた赤色フィルター(3朋シヨツト
OG 590 )はレーザー発光中の弱い紫外成分を除
く。光電子増倍管からの信号振幅i−を光刺戟性を与え
る光の強度と直線状であり、貯蔵された光刺戟性エネル
ギーと直線的である。信号は指数関数的に減少する。信
号曲線が介入するとき、オツシロスコープは、入力とは
無関係で一定である誤差の成分として規定されるオフセ
ットを測定するための秒時間を開始させる。このオフセ
ットを引いた後、信号が最大値のl/θに達した点を計
算する。曲線下の積分を次いで開始からこの1/e点ま
で計算する。
ーザーの直ぐ前に置いた赤色フィルター(3朋シヨツト
OG 590 )はレーザー発光中の弱い紫外成分を除
く。光電子増倍管からの信号振幅i−を光刺戟性を与え
る光の強度と直線状であり、貯蔵された光刺戟性エネル
ギーと直線的である。信号は指数関数的に減少する。信
号曲線が介入するとき、オツシロスコープは、入力とは
無関係で一定である誤差の成分として規定されるオフセ
ットを測定するための秒時間を開始させる。このオフセ
ットを引いた後、信号が最大値のl/θに達した点を計
算する。曲線下の積分を次いで開始からこの1/e点ま
で計算する。
機能はr (t、) = A −(1−”によって算術
的に記載される二式中Aは振幅であり、τは時間定数で
あり、tは刺戟時間であり、eは自然対数の底である。
的に記載される二式中Aは振幅であり、τは時間定数で
あり、tは刺戟時間であり、eは自然対数の底である。
1/e点はt=τI!−であるときに到達し、このとき
貯蔵されたエネルギーの半分が放出された。
貯蔵されたエネルギーの半分が放出された。
上記結果を得るため、コンピューターは、系の感度と積
分を掛ける。従って光電子増倍管及び増幅器の感度は光
電子増倍管の陽極−陰極電圧の関数として測定しなけれ
ばならず、りん光体の発光スペクトルのくりこみ及び分
離フィルターの透過スペクトルを計算しなければならな
い。
分を掛ける。従って光電子増倍管及び増幅器の感度は光
電子増倍管の陽極−陰極電圧の関数として測定しなけれ
ばならず、りん光体の発光スペクトルのくりこみ及び分
離フィルターの透過スペクトルを計算しなければならな
い。
発光した光はあらゆる方向に散乱されるため、発光した
光の一部分のみが光電子増倍管で検出される。光電子増
倍管及びパネルの位置は、全発光の10%が光電子増倍
管で検出されるようである。これらの全ての修正がなさ
れた後、変換効率値(c、E、)がpJ/sr”/mu
で得られる。この値はスクリーンの厚さで変化する、従
って比較しうる測定をするためにそれらは一定のりん光
体の被覆率で行わなければならない。
光の一部分のみが光電子増倍管で検出される。光電子増
倍管及びパネルの位置は、全発光の10%が光電子増倍
管で検出されるようである。これらの全ての修正がなさ
れた後、変換効率値(c、E、)がpJ/sr”/mu
で得られる。この値はスクリーンの厚さで変化する、従
って比較しうる測定をするためにそれらは一定のりん光
体の被覆率で行わなければならない。
光刺戟エネルギーは貯蔵されたエネルギーの半分を刺戟
するのに必要なエネルギーとして定義され、μJ/−で
表わされる。
するのに必要なエネルギーとして定義され、μJ/−で
表わされる。
第三の測定において、応答時間を測定する。
これは短い光パルスでりん光体スクリーンを刺戟するこ
とによって測定される。レーザー光は音響光学変調器で
変調される。刺戟光の立ち上り時間は15nsである。
とによって測定される。レーザー光は音響光学変調器で
変調される。刺戟光の立ち上り時間は15nsである。
発光された光は小さい陽極抵抗器(150Ω)を有する
光電子増倍管(ハママツR1398)で測定シ、広いバ
ンド幅(10MHz )を得る。測定装置自体の立ち上
り時間は35n8である。応答時間は発光した光の最高
強度の半分に達するまでの時間であり、t 1/2と表
示される。
光電子増倍管(ハママツR1398)で測定シ、広いバ
ンド幅(10MHz )を得る。測定装置自体の立ち上
り時間は35n8である。応答時間は発光した光の最高
強度の半分に達するまでの時間であり、t 1/2と表
示される。
第四の測定において、刺戟スペクトルを測定する。タン
グステン(石英−沃素)ランプの光をモノクロメータ−
(西ドイツ国のバラシュ・アンド・ロム)#ご供給し、
次いで単一孔で回転ホイールで機械的に切る。ランプは
、近紫外スペクトルから可視スペクトルを経て赤外スペ
クトルに延びる連続スペクトルを提供する。バウシュ◆
アンド・ロムからの33−86−02格子は第一順位で
350 nm〜800 nmの可視範囲ヲカバーする1
350ライン/朋格子であり、500 nmで輝く。刺
戟性光の波長はコンピューターの制御の下にモノクロメ
ータ−に接続されたステップモーターを介してセットで
きる。モノクロメータ−の第二ハーモニーはりん光体ス
クリーンの前lこ4HのショットGG 435フイルタ
ーを置くことによって除去される。刺戟性光(デユーテ
ィサイクル1/200)を細断することによってりん光
体中に吸収されたエネルギーの小部分のみが放出される
。AC信号のみを測定して、例えば光電子増倍管の暗電
流により生ずるオフセットを除去する。良好な信号対雑
音比が幾つかのパルスを平均すること(こよって得られ
る。
グステン(石英−沃素)ランプの光をモノクロメータ−
(西ドイツ国のバラシュ・アンド・ロム)#ご供給し、
次いで単一孔で回転ホイールで機械的に切る。ランプは
、近紫外スペクトルから可視スペクトルを経て赤外スペ
クトルに延びる連続スペクトルを提供する。バウシュ◆
アンド・ロムからの33−86−02格子は第一順位で
350 nm〜800 nmの可視範囲ヲカバーする1
350ライン/朋格子であり、500 nmで輝く。刺
戟性光の波長はコンピューターの制御の下にモノクロメ
ータ−に接続されたステップモーターを介してセットで
きる。モノクロメータ−の第二ハーモニーはりん光体ス
クリーンの前lこ4HのショットGG 435フイルタ
ーを置くことによって除去される。刺戟性光(デユーテ
ィサイクル1/200)を細断することによってりん光
体中に吸収されたエネルギーの小部分のみが放出される
。AC信号のみを測定して、例えば光電子増倍管の暗電
流により生ずるオフセットを除去する。良好な信号対雑
音比が幾つかのパルスを平均すること(こよって得られ
る。
測定が完了したとき、コンピューターが、タングステン
ランプの波長依存する強度に対して曲線を修正する。測
定は、刺戟スペクトルの発生が15時間までの間にわた
って続きつるように繰返す。
ランプの波長依存する強度に対して曲線を修正する。測
定は、刺戟スペクトルの発生が15時間までの間にわた
って続きつるように繰返す。
第5の測定において、X線露光と刺戟(いわゆる暗崩壊
)の間の時間による変換効率の依存性は室温で測定する
。X線の高線量でりん光体を励起し、試料を暗箱中に挿
入し、不測の露光を避け、周期的にファンクションジェ
ネレーターで制御された短い(20μs)低電力パルス
で光(650nm )発光ダイオード(LED )で刺
戟することによって評価する。通常単位時間間隔につい
て8パルスのバーストを与える。全パルスのエネルギー
は一緒にして、測定中貯蔵されたエネルギーの量の1に
のみが刺戟を受ける程小さいものである。発光した光は
ショッ)BG−3又はホヤB590を用いて刺戟する光
から分離し、光電子増倍管及び感光性電子増幅器で増幅
する。パルスはデイジタルオッシロスコープを用いて監
視し、8パルスバーストからの平均パルスをオーデイネ
ータに送り信号の振幅を計算する。この振幅がオッシロ
スコープの感度とマツチしないときには、感度を自動的
に変え、測定を再び開始する。100時間以上継続する
測定を、パルスのバースト間の時間間隔(通常30分)
によって行うことができる。オーディネーターはそのメ
モリーに全測定を貯蔵し、測定が完了したとき、いわゆ
る暗崩壊曲線をプロットする。
)の間の時間による変換効率の依存性は室温で測定する
。X線の高線量でりん光体を励起し、試料を暗箱中に挿
入し、不測の露光を避け、周期的にファンクションジェ
ネレーターで制御された短い(20μs)低電力パルス
で光(650nm )発光ダイオード(LED )で刺
戟することによって評価する。通常単位時間間隔につい
て8パルスのバーストを与える。全パルスのエネルギー
は一緒にして、測定中貯蔵されたエネルギーの量の1に
のみが刺戟を受ける程小さいものである。発光した光は
ショッ)BG−3又はホヤB590を用いて刺戟する光
から分離し、光電子増倍管及び感光性電子増幅器で増幅
する。パルスはデイジタルオッシロスコープを用いて監
視し、8パルスバーストからの平均パルスをオーデイネ
ータに送り信号の振幅を計算する。この振幅がオッシロ
スコープの感度とマツチしないときには、感度を自動的
に変え、測定を再び開始する。100時間以上継続する
測定を、パルスのバースト間の時間間隔(通常30分)
によって行うことができる。オーディネーターはそのメ
モリーに全測定を貯蔵し、測定が完了したとき、いわゆ
る暗崩壊曲線をプロットする。
本発明を第1図〜第9図に示した曲線を参照した下記実
施例によって示す。実施例は何ら本発明を限定するもの
ではない。実施例中百分率及び比は他に特記せぬ限り重
量による。原子重量には、全てのドープ剤の合計9原子
に対する個々のDドープ剤の9原子に関する。
施例によって示す。実施例は何ら本発明を限定するもの
ではない。実施例中百分率及び比は他に特記せぬ限り重
量による。原子重量には、全てのドープ剤の合計9原子
に対する個々のDドープ剤の9原子に関する。
第1図は実施例1の方法によって得られた本発明による
ハロボレートりん光体のX線回折スペクトル(χRDス
ペクトル)に関する。この第1図において、極大強度(
P、 1.)は2×シータ(2θ)に対してプロットし
た、2θは極太値が観察されたときの角度である。
ハロボレートりん光体のX線回折スペクトル(χRDス
ペクトル)に関する。この第1図において、極大強度(
P、 1.)は2×シータ(2θ)に対してプロットし
た、2θは極太値が観察されたときの角度である。
第2図、第6図、第7図、及び第9図は相関する実施例
に記載したりん光体の即発発光スペクトルを表わす。図
1こおいて即発発光の相対強度(λ1.E、p)は縦軸
に、nmでの波長範囲は横軸に示す。
に記載したりん光体の即発発光スペクトルを表わす。図
1こおいて即発発光の相対強度(λ1.E、p)は縦軸
に、nmでの波長範囲は横軸に示す。
第3図、第4図及び第8図は相関する実施例に記載した
りん光体の刺戟スペクトルを表わす。
りん光体の刺戟スペクトルを表わす。
図において刺戟された発光のその極大波長での相対強度
(R,1,E、s)を縦軸に、nmでの刺戟光の波長を
横軸に示す。
(R,1,E、s)を縦軸に、nmでの刺戟光の波長を
横軸に示す。
第5図は実施例2に記載したりん光体の暗崩壊曲線を表
わす。このグラフにおいて使用したLEDの発光波長で
刺戟された発光の相対強度(R,1,)を縦軸に表わし
、時間(hr)を横軸に表わす。
わす。このグラフにおいて使用したLEDの発光波長で
刺戟された発光の相対強度(R,1,)を縦軸に表わし
、時間(hr)を横軸に表わす。
実施例 l
遊星型ボールミル中で、6.97049のBaC01,
0,014089のEu2O3,3,49609のB、
07.1.532589のBaBr2 ・2 )(20
及び2.42909のNH4Brを7−のエタノールと
15分間混合した。混合物を、焼成中減圧を作るため密
閉した外側坩堝中に2回蒸溜した水3.59と79の木
炭を入れた二重坩堝配置中で850℃で6時間酸化アル
ミニウム坩堝で焼成した。gu2+0.2にでドープさ
れたBa2BSO9、−ヅ、 13ryが得られた。こ
の。
0,014089のEu2O3,3,49609のB、
07.1.532589のBaBr2 ・2 )(20
及び2.42909のNH4Brを7−のエタノールと
15分間混合した。混合物を、焼成中減圧を作るため密
閉した外側坩堝中に2回蒸溜した水3.59と79の木
炭を入れた二重坩堝配置中で850℃で6時間酸化アル
ミニウム坩堝で焼成した。gu2+0.2にでドープさ
れたBa2BSO9、−ヅ、 13ryが得られた。こ
の。
りん光体のχRDスペクトルを第1図に示す。
極大値2×シータ(2θ)の位置及び原子間分離(d)
をnmで、それらの相対極大高さ(I/′I2Q1nm
)X100と共に下表1に示す。
をnmで、それらの相対極大高さ(I/′I2Q1nm
)X100と共に下表1に示す。
表 1
0、5 7 9 1
0.521 1
0.431 2
0.361 2
0.351 2
0、3 3 6 2
0、3 3 2 2
0、2 9 3 3
0、2 9 1 3
0、2 8 2 3
0、 2 6 0 3
0.233 3
0、 2 2 1 4
0、 2 0 6 4
0、 1 9 1 4
0、 1 6 0 5
5.28
7.00
1.52
5.34
6.47
7.64
0.53
8.56
0.86
7.49
本実施例では次にX線励起を受けさせ、即発発光スペク
トルを測定した。これは第2図に示す如く約35.5ガ
mの半値幅を有する4 20.5 nmでの単一発光極
大値を特長として有している。
トルを測定した。これは第2図に示す如く約35.5ガ
mの半値幅を有する4 20.5 nmでの単一発光極
大値を特長として有している。
次に粉砕した粉末を、メチルエチルケトンに溶解したセ
ルロースアセトブチレートを含有するバインダー溶液中
に分散させた。得られた分散液を厚さ100μmのポリ
エチレンテレフタレートの透明シート上に10009/
ly?の被覆重量を与えるように被覆した。このスクリ
ーンを次にりん光体のエネルギー貯蔵特性を測定するた
めに使用した。紫外成分を除くため戸先した白色光で照
射して残存貯蔵エネルギーを消した後、スクリーンを一
定の線量のX線で照射し、次いで前述した如きHe −
Neレーザー光(633nm)で刺戟した。刺戟性光で
照射中に得られた光を光電子増倍管で検出し、前述した
如くして変換効率を測定した。
ルロースアセトブチレートを含有するバインダー溶液中
に分散させた。得られた分散液を厚さ100μmのポリ
エチレンテレフタレートの透明シート上に10009/
ly?の被覆重量を与えるように被覆した。このスクリ
ーンを次にりん光体のエネルギー貯蔵特性を測定するた
めに使用した。紫外成分を除くため戸先した白色光で照
射して残存貯蔵エネルギーを消した後、スクリーンを一
定の線量のX線で照射し、次いで前述した如きHe −
Neレーザー光(633nm)で刺戟した。刺戟性光で
照射中に得られた光を光電子増倍管で検出し、前述した
如くして変換効率を測定した。
光刺戟によって得られた光を戸先して、光電子増倍管で
検出した発光した光を減衰することなく残存刺戟性光を
除去した。
検出した発光した光を減衰することなく残存刺戟性光を
除去した。
13、8 pJ/&/mRの即発発光効率、10 pT
/sun”/+nnの変換効率及び110μJ/−の
刺戟エネルギーが得られた。
/sun”/+nnの変換効率及び110μJ/−の
刺戟エネルギーが得られた。
このりん光体スクリーンの応答時間を、前述した如きア
ルゴンイオンレーザ−からの短レーザー光パルスで、照
射されたスクリーンを刺戟して次に測定した。応答時間
は、発光した光の最高エネルギーの半分に達するまでの
時間であり、t1/2で表記され、0.74μsであっ
た。
ルゴンイオンレーザ−からの短レーザー光パルスで、照
射されたスクリーンを刺戟して次に測定した。応答時間
は、発光した光の最高エネルギーの半分に達するまでの
時間であり、t1/2で表記され、0.74μsであっ
た。
最後にこのりん光体の刺戟スペクトルを前述した如くし
て測定した。これを第3図に示す、そして約53hOn
mで極大を示す。
て測定した。これを第3図に示す、そして約53hOn
mで極大を示す。
実施例 2
遊星型ボールミル中で乾燥状態で、15分間、5、93
6369のBaCO3,0,011369のEu2O3
,6、187949のH,BO,及び3.332179
のBaBr1・2 H,Oを混合した。混合物を、焼成
中減圧雰囲気を作るため、閉じた外側坩堝中に59の二
回蒸溜した水及び10gの木炭を有し、二重坩堝配着で
、酸化アルミニウム坩堝中で800℃で29時間焼成し
た。
6369のBaCO3,0,011369のEu2O3
,6、187949のH,BO,及び3.332179
のBaBr1・2 H,Oを混合した。混合物を、焼成
中減圧雰囲気を作るため、閉じた外側坩堝中に59の二
回蒸溜した水及び10gの木炭を有し、二重坩堝配着で
、酸化アルミニウム坩堝中で800℃で29時間焼成し
た。
Eu” %で0.16でドープしたBayB30g4−
y/2 Bryが得られた、これはそのXRDスペクト
ルで確認した(実施例1参照)。
y/2 Bryが得られた、これはそのXRDスペクト
ルで確認した(実施例1参照)。
He −Noレーザー(633nm )での刺戟に対す
る変換効率及び刺戟エネルギーを実施例1に記載した如
く測定し、それぞれ0.12 pJ /1art?/
mR及び63 /7J /1m2であった。即発発光効
率は23.1pJ /’rr+rn2/ mRであった
。
る変換効率及び刺戟エネルギーを実施例1に記載した如
く測定し、それぞれ0.12 pJ /1art?/
mR及び63 /7J /1m2であった。即発発光効
率は23.1pJ /’rr+rn2/ mRであった
。
このりん光体の刺戟スペクトルを前述した如く測定した
。これを第4図に示す、そして約630 nmで極大値
を示す。
。これを第4図に示す、そして約630 nmで極大値
を示す。
前述した如く暗崩壊を測定し、暗崩壊曲線を第5図に示
す、これから暗崩壊は室温で非常に徐々に進行すること
を知ることができる。
す、これから暗崩壊は室温で非常に徐々に進行すること
を知ることができる。
実施例 3
遊星型ボールミル中で、5.92029の13acO3
,0,014079のEu2O3,2,44279のB
aC4*2 H2O及び6.1839のH3BO,を7
−のエタノールと15分間混合した。混合物を窒素99
.8容量%及び水素0.2容量%の雰囲気下に850℃
で6時間酸化アルミニウム坩堝中で焼成した。
,0,014079のEu2O3,2,44279のB
aC4*2 H2O及び6.1839のH3BO,を7
−のエタノールと15分間混合した。混合物を窒素99
.8容量%及び水素0.2容量%の雰囲気下に850℃
で6時間酸化アルミニウム坩堝中で焼成した。
02%のEu2+でドープした882850g、6−y
/2 ClYが得られた、これは、そのXRDスペクト
ルによって確認した。このりん光体のXRDスペクトル
は既に、1970年にティ・イー・ピーターズ及びジエ
イ・バグリオによってJournal InorgNu
cl、 Chem、第32巻第1089頁〜第1095
頁に発表されていた。
/2 ClYが得られた、これは、そのXRDスペクト
ルによって確認した。このりん光体のXRDスペクトル
は既に、1970年にティ・イー・ピーターズ及びジエ
イ・バグリオによってJournal InorgNu
cl、 Chem、第32巻第1089頁〜第1095
頁に発表されていた。
このりん光体の即発発光スペクトルを実施例1に記載し
た如く測定した。これは第6図に示す如く約31 nm
の半値幅を有する417ガmの単一発光極大値を特徴と
している。He −Neレーザー(633nm )での
刺戟に対する刺戟エネルギー及び変換効率を実施例1に
記載した如くして測定し、それぞれ195μJ7il及
び0.05 pJ/mARであった。
た如く測定した。これは第6図に示す如く約31 nm
の半値幅を有する417ガmの単一発光極大値を特徴と
している。He −Neレーザー(633nm )での
刺戟に対する刺戟エネルギー及び変換効率を実施例1に
記載した如くして測定し、それぞれ195μJ7il及
び0.05 pJ/mARであった。
実施例 4
遊星型ボールミル中で15分間、4.42899のS
r C03,0,014079のEu、03.3.55
529の5rBrl @ 5 H,O及び6.3684
99のH,BO。
r C03,0,014079のEu、03.3.55
529の5rBrl @ 5 H,O及び6.3684
99のH,BO。
を7−のエタノールと混合した。混合物を密閉した外側
坩堝中に2回蒸溜した水3.5−と木炭7gを有する2
重坩堝配置中で850℃で6時間酸化アルミニウム坩堝
中で焼成した。Eu”+Q、2にでドープされたS r
x”s O*、s −y/x BrYが得られた、これ
はそのXRDスペクトルで確認した。前記りん光体のX
RDスペクトルはJ、 I no rg、 Nucl、
Chem。
坩堝中に2回蒸溜した水3.5−と木炭7gを有する2
重坩堝配置中で850℃で6時間酸化アルミニウム坩堝
中で焼成した。Eu”+Q、2にでドープされたS r
x”s O*、s −y/x BrYが得られた、これ
はそのXRDスペクトルで確認した。前記りん光体のX
RDスペクトルはJ、 I no rg、 Nucl、
Chem。
(1970年)第32巻第1089頁〜第1095頁に
も記載されている。
も記載されている。
このりん光体の即発発光スペクトルを測定した。それは
第7図に示す如く約27.5 nmの半値幅を有し、4
31.5+mでの単一発光極大値を特徴として有してい
る。
第7図に示す如く約27.5 nmの半値幅を有し、4
31.5+mでの単一発光極大値を特徴として有してい
る。
9、4 pJ 、”m’/mRの即発発光効率、0.1
0 pJ Ai/mRの変換効率及び75μJ/朋2の
刺戟エネルギーが得られた。
0 pJ Ai/mRの変換効率及び75μJ/朋2の
刺戟エネルギーが得られた。
このりん光体の刺戟スペクトルを実施例1に記載した如
く測定した。これを第8図に示す、そして約580 n
mで極大値を示す。
く測定した。これを第8図に示す、そして約580 n
mで極大値を示す。
応答時間t1/2は080μsであった。
実施例 5
遊星型ボールミル中で15分間、4.42899の5r
C01,0,014079のRu2O3,2,6662
9のBrC1166H2O及び6.18499のH3B
O,を7dのエタノールと混合した。混合物を、密閉外
側坩堝中に3.5艷の二回蒸溜水及び7gの木炭を有す
る二重坩堝配置で850℃で15時間酸化アルミニウム
坩堝中で焼成した。Eu2+ Q、 2にでドープされ
た5r2B、O,−ヅ2C1yを得た、これはそのXR
Dスペクトルで確認した。このりん光体のXRDスペク
トルはJ、 Inor)<、 Nucl、 Ohem、
1970年、第32巻、第1089頁〜第1095頁
(こも記載されている。
C01,0,014079のRu2O3,2,6662
9のBrC1166H2O及び6.18499のH3B
O,を7dのエタノールと混合した。混合物を、密閉外
側坩堝中に3.5艷の二回蒸溜水及び7gの木炭を有す
る二重坩堝配置で850℃で15時間酸化アルミニウム
坩堝中で焼成した。Eu2+ Q、 2にでドープされ
た5r2B、O,−ヅ2C1yを得た、これはそのXR
Dスペクトルで確認した。このりん光体のXRDスペク
トルはJ、 Inor)<、 Nucl、 Ohem、
1970年、第32巻、第1089頁〜第1095頁
(こも記載されている。
即発発光スペクトルは、第9図に示す如く約35、5
nmの半値幅を有する4 27 nmで単一極大値を特
徴としている。
nmの半値幅を有する4 27 nmで単一極大値を特
徴としている。
4、2 pJ/+r+//mRの即発発光効率、0.0
04 pJ%鏑/mRの変換効率及び32μJ/1tr
rs−2の刺戟エネルギーが得られた。応答時間t1/
2は0.93μsであった。
04 pJ%鏑/mRの変換効率及び32μJ/1tr
rs−2の刺戟エネルギーが得られた。応答時間t1/
2は0.93μsであった。
実施例 6〜17
実施例6〜17のりん光体は、5.99のBaCO3,
4gの無水Ba1r、 (3391;モル過剰)、7g
のH,BO,(l 0%モル過剰)を用い、りん光体を
生ぜしめる焼成前に、それぞれEu3+の0.002に
、0.00596’、 0.010%、0.020に
、0.050に、0、100に、0.200に、050
0%、1.000に、2.000%、5.000%、1
0.000にの濃度でEut03の適切量を加えて作っ
た。
4gの無水Ba1r、 (3391;モル過剰)、7g
のH,BO,(l 0%モル過剰)を用い、りん光体を
生ぜしめる焼成前に、それぞれEu3+の0.002に
、0.00596’、 0.010%、0.020に
、0.050に、0、100に、0.200に、050
0%、1.000に、2.000%、5.000%、1
0.000にの濃度でEut03の適切量を加えて作っ
た。
混合物を酸化アルミニウム坩堝中で400℃で3時間、
その後875℃で4時間焼成した、この全時間中窒素雰
囲気下で焼成した。
その後875℃で4時間焼成した、この全時間中窒素雰
囲気下で焼成した。
これらのりん光体を用いて実施例1に記載した如くスク
リーンをキャストした。633 nm刺戦に対する変換
効率及び刺戟エネルギーを実施例1に記載した如く測定
し、表2に示す。
リーンをキャストした。633 nm刺戦に対する変換
効率及び刺戟エネルギーを実施例1に記載した如く測定
し、表2に示す。
表 2
0.002
0.020
0.050
0、100
0.500
1.000
2.000
5.000
10.000
0.01
0.09 1
0.14
0.25
0.38
0.46
0.44
0.43
0.47
0.19
0.22
実施例 18及び19
実施例18及び19のりん光体は、0.5にのユーロピ
ウム濃度及び0,5にのガドリニウノ・又はナトリウム
共活性剤濃度を用い、りん光体を生ぜしめる焼成前に適
切量の酸化ガドリニウム又は酸化すl−IJウムを加え
て、実施例13の方法と同じ方法で作った。
ウム濃度及び0,5にのガドリニウノ・又はナトリウム
共活性剤濃度を用い、りん光体を生ぜしめる焼成前に適
切量の酸化ガドリニウム又は酸化すl−IJウムを加え
て、実施例13の方法と同じ方法で作った。
実施例1に記載した如くしてこれらのりん光体を用いて
スクリーンをキャストした。633nm刺戟に対する変
換効率及び刺戟エネルギーを実施例1に記載した如く測
定して、表3に集計した。
スクリーンをキャストした。633nm刺戟に対する変
換効率及び刺戟エネルギーを実施例1に記載した如く測
定して、表3に集計した。
表 3
180.5 − 0.5 0.1
7 10719 0.5 0.5
0.20 78実施例
20 遊星型ボールミル中で15分間、1.97359の”’
0592G ’ ELIo、0075 CO3,4,9
3359のBaCO3、]、22139のRace2・
H2O、2,13969のNH,Cl及び3.4959
9のE203を乾式混合した。混合物を、酸化アルミニ
ウムの蓋で被った酸化アルミニウム坩堝中で11時間8
50℃で焼成した。
7 10719 0.5 0.5
0.20 78実施例
20 遊星型ボールミル中で15分間、1.97359の”’
0592G ’ ELIo、0075 CO3,4,9
3359のBaCO3、]、22139のRace2・
H2O、2,13969のNH,Cl及び3.4959
9のE203を乾式混合した。混合物を、酸化アルミニ
ウムの蓋で被った酸化アルミニウム坩堝中で11時間8
50℃で焼成した。
第一焼成後試料を粉砕し、850℃で2時間再焼成した
。両焼成に続いては急冷を行った(焼成試料の室温への
急速冷却)。焼成は0.2容量にの水素と99.8容′
Ikにの窒素の雰囲気中で行った。
。両焼成に続いては急冷を行った(焼成試料の室温への
急速冷却)。焼成は0.2容量にの水素と99.8容′
Ikにの窒素の雰囲気中で行った。
0、2 % Eu3+でドープしたBa2B50u −
y/j c/yを得た、これはXRDスペクトルで確認
した。このりん光体のXRDスペクトルは1970年に
既にJournalInorg、 Nucl、 Che
m、第32巻第1089頁〜第1095頁にティ・イー
・ピーターズ等によって発表されている。
y/j c/yを得た、これはXRDスペクトルで確認
した。このりん光体のXRDスペクトルは1970年に
既にJournalInorg、 Nucl、 Che
m、第32巻第1089頁〜第1095頁にティ・イー
・ピーターズ等によって発表されている。
He −N−eレーザー(633nm )での刺戟に対
する変換効率及び刺戟エネルギーを実施例1に記載した
如く測定し、それぞれ0.325 pJ、’mシ・’m
R及び92.8μmJ7/−であった。
する変換効率及び刺戟エネルギーを実施例1に記載した
如く測定し、それぞれ0.325 pJ、’mシ・’m
R及び92.8μmJ7/−であった。
実施例 21
遊星型ボールミル中で15分間、6.90919の(B
a : Eu ) CO3,1,87219のNH,C
l、0、72479のNH,I、1.22129のBa
Cr、・2 I(、O、及び3.49729のhへを混
合した。
a : Eu ) CO3,1,87219のNH,C
l、0、72479のNH,I、1.22129のBa
Cr、・2 I(、O、及び3.49729のhへを混
合した。
混合物を、02容量にの水素及び99.8容量πの窒素
雰囲気中で、850’Cで11時間蓋付酸化アルミニウ
ム坩堝中で焼成した。混合物を熱い状態で沖から取り出
し、急冷した。
雰囲気中で、850’Cで11時間蓋付酸化アルミニウ
ム坩堝中で焼成した。混合物を熱い状態で沖から取り出
し、急冷した。
ユーロピウムドープしたBa2B50t5−Y/! (
C10,9、In、+ )yである生成物は、Jour
nal Inorg、 Nucl、 Chom、第32
巻第1089頁〜第1095頁にティ・イー・ピータ−
等によって1970年に報告されたXRDスペクトルと
同様のXRDスペクトルで示された如きBa、2B30
9Cl iこ類似した構造を有する。
C10,9、In、+ )yである生成物は、Jour
nal Inorg、 Nucl、 Chom、第32
巻第1089頁〜第1095頁にティ・イー・ピータ−
等によって1970年に報告されたXRDスペクトルと
同様のXRDスペクトルで示された如きBa、2B30
9Cl iこ類似した構造を有する。
He −Heレーザー(633nm )での刺戟に対す
る変換効率及び刺戟エネルギーを実施例1に記載した如
く測定して、それぞれ0.107 T)J/R屑VmR
及び264μtnJ、/rx−であった。
る変換効率及び刺戟エネルギーを実施例1に記載した如
く測定して、それぞれ0.107 T)J/R屑VmR
及び264μtnJ、/rx−であった。
第1図は実施例1の方法により得られた本発明によるハ
ロボレートりん光体のX線回折スペクトル(χRDスペ
クトル)に関する、第2図、第6図、第7図及び第9図
は相関実施例において示したりん光体の即発発光スペク
トルを表わす、第3図、第4図及び第8図は相関実施例
に記載したりん光体の刺戟スペクトルを表わす、第5図
は実施例2に記載したりん光体の暗崩壊曲線を表わす。
ロボレートりん光体のX線回折スペクトル(χRDスペ
クトル)に関する、第2図、第6図、第7図及び第9図
は相関実施例において示したりん光体の即発発光スペク
トルを表わす、第3図、第4図及び第8図は相関実施例
に記載したりん光体の刺戟スペクトルを表わす、第5図
は実施例2に記載したりん光体の暗崩壊曲線を表わす。
Claims (12)
- 1.(1)光刺戟性りん光体に像に従つて又はパター
ンに従つて変調されたX線を吸収せしめ、(2)前記り
ん光体を可視光及び赤外線から選択した刺戟性電磁放射
線で光刺戟して光刺戟に使用した放射線とは異なる波長
特性で電磁放射線を吸収されたX線に従つてりん光体か
ら放出せしめ、(3)光刺戟によつて発光した前記光を
検出する工程を含むX線像を記録し、再現する方法にお
いて、前記りん光体が下記実験式 (I)M_2_−_xB_5O_9_._5_−_y
_/_2X_y:D_x〔式中Mはca,sr及びBa
からなる群から選択したアルカリ土類金属の少なくとも
一つであり、xはCl,Br及びIからなる群から選択
したハロゲンの少なくとも一つであり、Dは、所望によ
つてLa,Y,Sc及びランタニド元素(但しEu^2
^+及びce^3^+を除く)からなる群から選択した
1員又はNa,K,Rb及びCsからなる群から選択し
たアルカリ元素の一つ以上である共ドープ剤の少なくと
も一つと組合せた形での、Eu^2^+Ce^3^+か
らなる群から選択した少なくとも一つの稀土類金属であ
るドープ剤であり、xは5×10^−^5≦x<4×1
0^−^1の範囲であり、yは0.4≦y≦1.6の範
囲である〕に相当するハロポレートであることを特徴と
する方法。 - 2.りん光体が、Mがsr及びBaからなる群の少なく
とも一つの元素であり、xはCl及びBrからなる群の
少なくとも一つの元素であり、Dは、所望によつてLa
,Y,Sc及びランタニド元素(但しEu^2^+及び
Ce^3^+を除く)の群から選択した少なくとも1員
又はNa及びKからなる群から選択した一つ以上のアル
カリ金属と組合せた形での、Eu^2^+及びce^3
^+からなる群から選択した1員を表す一般式(I)に
相当する請求項1記載の方法。 - 3.りん光体が、Mがsr及びBaの群から選択した少
なくとも一つの元素であり、xがCl及びBrからなる
群の少なくとも一つの元素であり、Dが、所望によりL
a,Y,Sc及びランタニド元素(但しEu^2^+及
びCe^3^+を除く)の群から選択した少なくとも1
員又はNa及びKからなる群から選択した一つ以上のア
ルカリ元素と組合せた形での、Eu^2^+及びCe^
3^+からなる群から選択した1員を表わし、xは10
^−^4≦x≦5×10^−^2の範囲であり、yは0
.4≦y≦1.6の範囲である一般式(I)に相当する
請求項1又は2記載の方法。 - 4.光刺戟をHe−Neレーザーで行う請求項1〜3の
何れかに記載の方法。 - 5.光刺戟により発光した光の検出をデイジタイズされ
、貯蔵された電気信号を与える光電管で行う請求項1〜
4の何れかに記載の方法。 - 6.貯蔵後前記信号がデイジタル処理を受ける請求項5
記載の方法。 - 7.光刺戟によつて得られた光に相当する電気信号のア
ナログ−デイジタル変換から得られたデイジタル信号を
陰極線管に表示する請求項5記載の方法。 - 8.デイジタル信号を、書き取りレーザービームを変調
するため使用されるアナログ信号に変換する請求項5記
載の方法。 - 9.変調されたレーザービームを写真材料を走査するた
めに使用する請求項8記載の方法。 - 10.バインダー層中に光刺戟性りん光体を含有する放
射線像貯蔵パネルにおいて、前記りん光体が下記一般式 (I)M_2_−_xB_5O_9_._5_−_y_
/_2X_y:D_x〔式中MはCa,Sr及びBaか
らなる群から選択したアルカリ土類金属の少なくとも一
つであり、XはCl,Br及びIからなる群から選択し
た少なくとも一つのハロゲンであり、Dは、所望によつ
てLa,Y,Sc及びランタニド元素(但しEu^2^
+及びCe^3^+を除く)からなる群から選択した1
員又はNa,K,Rb及びCsからなる群から選択した
一つ以上のアルカリ金属である少なくとも一つの共ドー
プ剤と組合せた形での、Eu^2^+及びCe^3^+
からなる群から選択した少なくとも一つの稀土類金属で
あるドープ剤であり、xは5×10^−^5≦x<4×
10^−^1の範囲であり、yは0.4≦y≦1.6の
範囲である〕に相当するハロポレートである放射線像貯
蔵パネル。 - 11.りん光体を300〜1500g/m^2の範囲の
被覆率で付与する請求項10記載の放射線像貯蔵パネル
。 - 12.りん光体層を支持体シート上で支持された層とし
て使用する請求項10又は11記載の放射線像貯蔵パネ
ル。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP88201693.4 | 1988-08-05 | ||
EP88201693 | 1988-08-05 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02110188A true JPH02110188A (ja) | 1990-04-23 |
Family
ID=8199832
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1202255A Pending JPH02110188A (ja) | 1988-08-05 | 1989-08-03 | 光刺戟性りん光体を用いるx線像の製造法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5140159A (ja) |
EP (1) | EP0353805B1 (ja) |
JP (1) | JPH02110188A (ja) |
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---|---|---|---|---|
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DE69302138T2 (de) * | 1992-07-02 | 1996-10-02 | Agfa Gevaert Nv | Methode zum Speichern und zur Wiedergabe eines Strahlungsbildes |
US5357211A (en) * | 1993-05-03 | 1994-10-18 | Raytheon Company | Pin driver amplifier |
CN1333041C (zh) * | 2005-11-30 | 2007-08-22 | 天津理工大学 | M2(1-x)B5O9Cl∶A2x发光薄膜及其制备方法 |
US8823057B2 (en) | 2006-11-06 | 2014-09-02 | Cree, Inc. | Semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices |
CN102408891B (zh) * | 2010-09-26 | 2014-04-02 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种氯硼酸盐荧光粉及其制备方法 |
US11555147B2 (en) | 2011-10-10 | 2023-01-17 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Metal halide scintillators with reduced hygroscopicity and method of making the same |
US9966162B2 (en) * | 2011-10-10 | 2018-05-08 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Metal halide scintillators with reduced hygroscopicity and method of making the same |
CN107209275B (zh) | 2014-07-23 | 2019-08-20 | 皇家飞利浦有限公司 | 用于表征闪烁体材料的表征装置 |
WO2016144718A1 (en) * | 2015-03-06 | 2016-09-15 | General Electric Company | Scintillator composition, radiation detection apparatus and related method |
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---|---|---|---|---|
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US3431216A (en) * | 1965-10-11 | 1969-03-04 | Sylvania Electric Prod | Europium activated strontium haloborate phosphor |
US3657141A (en) * | 1970-08-12 | 1972-04-18 | Sylvania Electric Prod | Europium-samarium coactivated strontium fluoroborate phosphor |
JPS53147690A (en) * | 1977-05-30 | 1978-12-22 | Dainippon Toryo Co Ltd | Fluorescent substance |
JPS598381B2 (ja) * | 1978-12-29 | 1984-02-24 | 大日本塗料株式会社 | 高演色性螢光ランプ |
EP0296531B1 (en) * | 1987-06-22 | 1993-03-31 | Kasei Optonix, Ltd. | Phospor process for its production and ultraviolet ray excited fluorescent tube employing it |
-
1989
- 1989-07-11 EP EP89201834A patent/EP0353805B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-11 DE DE8989201834T patent/DE68905107T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-08-03 JP JP1202255A patent/JPH02110188A/ja active Pending
- 1989-08-04 US US07/389,792 patent/US5140159A/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
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EP0353805B1 (en) | 1993-03-03 |
US5140159A (en) | 1992-08-18 |
DE68905107D1 (de) | 1993-04-08 |
DE68905107T2 (de) | 1993-09-16 |
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