JPH0643297A - 赤外刺戟性リン光体により放射線像を記録及び観視し、又は再生するための方法 - Google Patents

赤外刺戟性リン光体により放射線像を記録及び観視し、又は再生するための方法

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JPH0643297A
JPH0643297A JP5071263A JP7126393A JPH0643297A JP H0643297 A JPH0643297 A JP H0643297A JP 5071263 A JP5071263 A JP 5071263A JP 7126393 A JP7126393 A JP 7126393A JP H0643297 A JPH0643297 A JP H0643297A
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Luc Struye
リュク・ストリュエ
Paul Leblans
ポール・ルブラン
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Agfa Gevaert NV
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 特に半導体レーザーで非常に効率的に光刺戟
される波長範囲で光刺戟して放射線像を記録し、観視又
は再生する方法である。 【構成】 (1) 第一の方式によれば、貯蔵しうる放射
線エネルギーでの均一照射に由来する均一に貯蔵された
エネルギーを含有する材料に赤外光を像に従って適用す
る、そして(2) 第二の方式によれば、貯蔵しうる放射
線エネルギーでの材料の像に従った照射に由来する像に
従って貯蔵されたエネルギーを含有する材料に赤外光を
均一に適用する、光刺戟性貯蔵リン光体を含有する材料
を赤外光で光刺戟して放射線像を記録し、観視し、又は
再生する方法であり、前記赤外光が７２０〜１５５０ｎ
ｍの波長範囲にあり、前記リン光体が、ホスト金属とし
て少なくとも１種のアルカリ土類金属を、ドープ剤とし
てＥｕ2+を、共ドープ剤として、リチウム、硼素、イッ
トリウム、サマリウム、ランタン、ガリウム及び／又は
チタンを含有する光刺戟性ハロシリケート又はハロ（シ
リケート−ゲルマネート）リン光体である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明は赤外刺戟性リン光体による放射線
像を記録し、そして観視又は再生するの方法に関する。
【０００２】紫外放射線の如きエネルギー富含（rich）
不可視放射線、Ｘ線の如き透過放射線及び陰極線の如き
荷電粒子放射線は適切な物質を発光させることは良く知
られている。前記放射線の影響の下ルミネセンスの現象
を示す物質はリン光体と称される。
【０００３】Journal of Applied Physics１８巻（１９
４７年４月）３４３〜３４７頁に記載されている如く、
Ｘ線、β線、γ線、紫外線及び可視光線からのエネルギ
ーを貯蔵し、このエネルギーを不定期間保持するリン光
体を作ることができる。このエネルギーは、赤外放射線
の強度によって支配される放出速度で赤外放射線によ
り、赤から紫外まで変化する光の形で部分的に放出され
る。
【０００４】例えばＵＳ−Ｐ３８５９５２７に記載され
たＸ線パターンを記録し、再生する方法によれば、パネ
ル中に導入された光刺戟性リン光体は入射パターンに従
って変調されたＸ線に露光され、その結果としてＸ線放
射線パターンに由来するエネルギーをその中に一時的に
貯蔵する。Ｘ線露光後或る時間間隔で、可視光又は赤外
光のビームがパネルを走査して、可視像を作るために処
理できる逐次電気信号に変換され、検出される光として
貯蔵されたエネルギーの放出を刺戟する。この目的のた
め、刺戟性リン光体は入射Ｘ線エネルギーのできる限り
多くを貯蔵し、そして走査ビームによって刺戟されるま
で貯蔵されたエネルギーをできる限り徐々に放出すべき
である。換言すれば、リン光体は遅い暗減衰を有する高
いエネルギー貯蔵能力を有すべきである。それに加え
て、光刺戟時の貯蔵されたエネルギーの放出は、効率的
に進行すべきである、即ち殆ど全部の貯蔵されたエネル
ギーが、刺戟性光の波長範囲から充分に離れた波長範囲
を有する刺戟光の形で適宜な読みとり時間内で放出され
るべきである。
【０００５】実際に、刺戟性リン光体パネルは、満足で
きる解像度を得るため、５０〜３００μｍの直径を有す
る走査レーザービームの光に対して露光される。
【０００６】ＵＳ−Ｐ３８５９５２７（図１参照）に記
載された特定の硫化物系リン光体は赤外光で刺戟可能で
あり、それ自体放出放射線に対しては透明である。これ
らのリン光体は充分な時間の長さに対して高エネルギー
放射線の像を保持できるが、赤外放射線による読みとり
は、高輝度の刺戟された光を生ぜしめない。
【０００７】より良好な貯蔵容量を有する貯蔵リン光体
に対する研究は、既に知られているアルカリ土類金属弗
化物Ｘ線リン光体の使用に導いた、このリン光体は６０
０〜７００ｎｍ光範囲で効率的に刺戟できることが証明
された（ＵＳ−Ｐ４２３９９６８の図４参照）。
【０００８】その光範囲で、６３３ｎｍで放出するＨｅ
−Ｎｅレーザーで光刺戟は有利に行うことができる。
【０００９】リン光体を刺戟することによって放出され
る光（被刺戟光と称される）は３００〜５００ｎｍの波
長範囲に位置しているのが好ましく、これは光電子増倍
管が高量子効率を有しており（定期刊行物、Radiology
１９８３年９月号、８３４頁参照）、そしてこれによっ
て適切なフィルターにより長い波長の刺戟性光から被刺
戟光を分離することが容易である。刺戟しうるリン光体
パネルは繰返し使用しなければならないから、残存（読
みとり得ない）エネルギーは、各像形成段階の間で消去
されなければならない。残存エネルギーパターンを消去
するため、充分な輝度の刺戟性光でリン光体パネルを投
光することによってこれは行うことができる。
【００１０】実際的に有用なリン光体のために別の重要
な性質は、その化学的安定性、特にその湿分に対する抵
抗性である、何故なら吸湿性リン光体は、湿って来たと
きルミネセンス力の損失に悩まされるからである。
【００１１】ＵＳ−Ｐ４５８７０３６から知ることがで
きるように、幾らかのユーロピウムドープしたアルカリ
土類金属フルオロハライド（これはＥＰ００２１３４２
に記載されている）は湿分に対して敏感であり、これに
よりそれらの蛍光力は低下する。
【００１２】公開されたヨーロッパ特許出願No. ０３０
４１２１には、Ｅｕ2+及び／又はＣｅ3+ドープした（活
性化した）ハロシリケートが記載されており、これは特
に湿分に対し抵抗性であり、そして５１４．５ｎｍのア
ルゴンイオンレーザー光で刺戟したとき、貯蔵されたＸ
線エネルギーの可視刺戟光への高変換効率を有する。
【００１３】公開されたヨーロッパ特許出願No. ０３８
２２９５には、Ｅｕ2+又はＣｅ3+ドープした（活性化し
た）ハロゲルマネート及びハロ（シリケート−ゲルマネ
ート）リン光体が記載されており、これは特に湿分に対
し抵抗性であり、６００ｎｍを超える波長範囲の光、従
って６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザー光で刺戟したと
き、貯蔵されたＸ線エネルギーの可視刺戟光へ高い変換
効率を有する。
【００１４】一般に知られている如く、殆どのリン光体
はその実験式構造中に１種以上のホスト金属及び１種以
上の共ドープ剤と混合したドープ剤又は活性剤金属を含
有する。ホスト金属はリン光体Ｘ線阻止能を与え、そし
てドープ剤及び共ドープ剤との組合せでそのエネルギー
貯蔵容量を決定する。刺戟時の蛍光放出スペクトル及び
吸収されたエネルギーの放出される蛍光への変換の効率
は主としてドープ剤そして場合により存在する共ドープ
剤によって決定される。
【００１５】例えば公開されたＥＰ−Ａ０３０４１２１
から知ることができるように、リン光体組成が光刺戟ス
ペクトルを決定するという事実を心にとめて、工業的に
利用でき、高価でなく、信頼性あるレーザーによって放
出される光に対して最適である光刺戟を有するリン光体
を作るための研究がなされている。その点において、赤
外放出半導体レーザー及び半導体レーザー配列が有利で
ある、何故ならそれらの非常にコンパクトな構造、電気
制御の容易さ、相対的に低い価、及び現在３ｍＷ〜１０
Ｗの範囲にあるそれらの光放出力（The １９９１ Prod
uct Catalogueof SPECTRA Diode Lasers and the perio
dical Lasers and Optronics 、１９９１年８月参照）
のためである。かかるレーザーの例は、それぞれ７５０
ｎｍ及び８２０ｎｍで発光最高を有するＳＯＮＹ（商
標）ＳＬＤ ２０１ Ｖ−３及びＳＯＮＹ ＳＬＤ ２
０２ Ｖ−３の如き、７５０〜９８０ｎｍの範囲で発光
極大を有するGaAlAs及びInGaAsレーザーダイオードが市
場で入手できる。
【００１６】本発明の目的は、特に共ドープしたハロシ
リケート及びハロ（シリケート−ゲルマネート）リン光
体を、それらが特に半導体レーザーで非常に効率的に光
刺戟される波長又は波長範囲で、赤外放射線で光刺戟す
ることにより、放射線像を記録し、そして観視し又は再
生するための方法において、前記化合物を使用すること
にある。
【００１７】特に本発明の目的は、前記共ドープしたハ
ロシリケート及びハロ（シリケート−ゲルマネート）リ
ン光体によりＸ線像を記録し、再生するための方法を提
供することにあり、前記リン光体の、Ｘ線像に像に従っ
て露光した後の前記リン光体の光刺戟が、刺戟された光
の光像が光電子的に検出される７２０〜１５５０ｎｍの
波長範囲での赤外光で効率的に進行する。
【００１８】本発明の他の目的及び利点は以下の説明か
ら明らかになるであろう。
【００１９】本発明は、光刺戟性貯蔵リン光体を含有す
る材料を赤外光で光刺戟する工程を含む放射線像を記録
し、そして観視し又は再生するための方法であり、(1)
第一の方式によれば、貯蔵しうる放射線エネルギーで
の均一照射に由来するエネルギーをその中で貯蔵中及び
／又は貯蔵後、前記材料に前記赤外光を像に従って適用
し、そして(2) 第二の方式によれば、貯蔵しうる放射
線エネルギーでの前記材料の像に従った照射に由来する
像に従って貯蔵されたエネルギーを含む前記材料に前記
赤外光を均一に適用することからなり、前記赤外光が７
２０〜１５００ｎｍの波長範囲、好ましくは７２０〜１
１００ｎｍの範囲にあり、前記リン光体が、ホスト金属
として少なくとも１種のアルカリ土類金属、ドープ剤と
してＥｕ2+、そして共ドープ剤としてリチウム、硼素、
イットリウム、サマリウム、ランタン、ガリウム及び／
又はチタンを含有する光刺戟性ハロシリケート又はハロ
（シリケート−ゲルマネート）リン光体であることを特
徴とする。
【００２０】前記ハロシリケート又はハロ（シリケート
−ゲルマネート）中のハロゲンはＣｌ、Ｂｒ又はＩ又は
それらの混合物であるのが好ましく、主としてＢｒであ
るのが更に好ましい。
【００２１】「シリケート」なる語は、ケイ素及び酸素
からなるアニオンを含む化合物に適用する。
【００２２】「シリケート−ゲルマネート」なる語は、
ケイ素、ゲルマニウム及び酸素からなるアニオンを含む
化合物に適用する。
【００２３】前記した第一の方式によれば、本発明は
(1) 前記リン光体により貯蔵できる放射線、例えば紫
外放射線又は陰極線放射線に光刺戟性リン光体を均一に
露光する工程、(2) 前記リン光体を赤外光で像に従っ
て光刺戟して前記露光されたリン光体によって貯蔵され
たエネルギーを像に従って放出させ、これによって光刺
戟光を発生させる工程、及び(3) 光刺戟光を観視し、
又は検出する工程を含み、前記リン光体が前述した如き
ハロシリケート又はハロ（シリケート−ゲルマネート）
リン光体であり、光刺戟を、７２０〜１５５０ｎｍ、好
ましくは７２０〜１１００ｎｍの範囲の赤外光で行う赤
外像を記録し、観視し又は再生する方法を含む。
【００２４】全面的に紫外線露光した貯蔵リン光体の光
刺戟赤外光による像に従った光刺戟は、写真を作るため
に発表されている（例えばＵＳ−Ｐ２４８２８１４参
照）。別の応用において、前記光刺戟は例えば暗さ又は
ヘイズを介して、赤外像の直接観視又は記録で応用され
る。これらの用途において、リン光体被覆の支持体は赤
外光及び／又は光刺戟された光に対して透明であるのが
好ましい。
【００２５】前述した第二の方式によれば、本発明は
(1) 光刺戟性リン光体をＸ線に対して像に従って露光
する工程、(2) 前記リン光体を赤外光で光刺戟し、吸
収されたＸ線に従って前記リン光体から光刺戟光を放出
する工程、及び(3) 光刺戟光を好ましくは光電子的に
検出する工程を含み、前記リン光体が前述した如きハロ
シリケート又はハロ（シリケート−ゲルマネート）リン
光体であり、光刺戟を、７２０〜１５５０ｎｍ、好まし
くは７２０〜１１００ｎｍの波長範囲での光刺戟性赤外
光で行うＸ線像を記録し、再生する方法を含む。
【００２６】図１に、実施例７に記載した如く作ったリ
チウム共ドープしたハロシリケートリン光体のＸ線露光
により得られた即発発光スペクトルを示す。前記スペク
トルは、赤外光により光刺戟したとき得られる蛍光の発
光スペクトルと同じである。相対発光強度（Ｒ．Ｅ．）
をｎｍでの波長に対してプロットした。
【００２７】図２、図３及び図４は、ｐＪ／ｍｍ3 ／ｍ
Ｒで表示した変換効率（Ｃ．Ｅ．）を、数字で示した各
実施例のスクリーンのＸ線照射と読みとりの間の分によ
る時間経過の関数としてプロットした。
【００２８】図５において、実施例１により作ったリン
光体の赤外帯域での刺戟スペクトルを示す。グラフにお
いて、相対輝度、即ち刺戟光の発光の相対強度（Ｒ．
Ｅ．Ｉ．）を刺戟赤外光の波長（ｎｍ）に対してプロッ
トした。
【００２９】本発明により使用するため、特に興味ある
リン光体は、ホスト金属としてＢａ、Ｓｒ及びＣａから
なる群から選択した少なくとも１種のアルカリ土類金属
を含有する。
【００３０】本発明により使用するのに好ましいリン光
体は下記実験式の範囲内にある：
【００３１】 Ba5-(n+p+q+z)ZqGevSiwO4X6 : Eun 2+, D2p +, M2z/r r+
【００３２】式中Ｚはストロンチウム及びカルシウムか
らなる群から選択した少なくとも１種の共ホスト金属で
あり、ｑは０〜０．５の範囲にあり、ｖは０〜０．５の
範囲にあり、ｖ＋ｗは１に等しく、Ｘは臭素及び／又は
塩素であり、ＤはＮａ+ 、Ｋ+ からなる群から選択した
少なくとも１種の共ドープ剤であり、ＭはＬｉ+ 、
Ｂ3+、Ｇａ3+、Ｙ3+、Ｌａ3+、Ｓｍ3+及びＴｉ4+からな
る群から選択した少なくとも１種の共ドープ剤であり、
ｎは０．０００１〜０．２０の範囲にあり、ｐは０〜
０．０１５の範囲にあり、ｚは２×１０-5〜２×１０-1
の範囲にあり、ｒは１，３又は４である。
【００３３】本発明により使用する他のリン光体は下記
実験式の範囲内にある。
【００３４】 Sr5-(n+p+q+z)ZqGevSiwO4X6 : Eun 2+, D2p +, M2z/r r+
【００３５】式中Ｚはバリウム及びカルシウムからなる
群から選択した少なくとも１種の共ホスト金属であり、
ｑは０〜０．５の範囲にあり、ｖは０〜０．５の範囲に
あり、ｖ＋ｗは１に等しく、Ｘは臭素及び／又は塩素で
あり、ＤはＮａ+ 、Ｋ+ からなる群から選択した少なく
とも１種の共ドープ剤であり、ＭはＬｉ+ 、Ｂ3+、Ｇａ
3+、Ｙ3+、Ｌａ3+、Ｓｍ3+及びＴｉ4+からなる群から選
択した少なくとも１種の共ドープ剤であり、ｎは０．０
００１〜０．２０の範囲にあり、ｐは０〜０．０１５の
範囲にあり、ｚは２×１０-5〜２×１０-1の範囲内にあ
り、ｒは１，３又は４である。
【００３６】光刺戟によるＸ線像再生に特に有用なリン
光体は、下記実験式(I) 又は(II)の一つの範囲内にあ
る：
【００３７】 (I) Ba5-(n+p+z)GevSiwO4X6 : Eun 2+, D2p +, Li2z (II) Sr5-(n+p+z)GevSiwO4X6 : Eun 2+, D2p +, Li2z
【００３８】式中ｖは０〜０．５の範囲にあり、ｖ＋ｗ
は１に等しく、Ｘは臭素及び／又は塩素であり、ｎは
０．０００１〜０．１５の範囲にあり、ｐは０〜０．０
１５の範囲にあり、ＤはＮａ+ 及びＫ+ からなる群から
選択した少なくとも１種の共ドープ剤であり、ｚは２×
１０-5〜２×１０-1の範囲にある。
【００３９】本発明によるＸ線像再生に特に有用な他の
光刺戟性リン光体は、下記実験式(III) 又は(IV)の一つ
の範囲内にある：
【００４０】 (III) Ba5-(n+z)GevSiwO4X6, Eun 2+, Li2z (IV) Sr5-(n+z)GevSiwO4Br6, Eun 2+, Li2z
【００４１】式中ｎは０．０００１〜０．１５の範囲に
あり、ｖは０≦ｖ≦０．５の範囲にあり、ｖ＋ｗは１に
等しく、Ｘは臭素及び／又は塩素であり、ｚは２×１０
-5〜２×１０-1の範囲にある。
【００４２】共ドープした光刺戟性リン光体は、４５０
〜１１００℃の温度で４０時間以下の時間、ＳｉＯ（シ
リカ）もしくはＳｉＯ2 とＧｅＯ2 の混合物と混合した
形で、酸化物に熱分解できるホスト金属化合物例えば炭
酸塩、及びホスト金属ハロゲン化物化合物と混合した形
でＥｕ2 Ｏ3 もしくはＥｕＦ3 を少なくとも１度焼成す
ることによって作ることができる。焼成段階で、Ｅｕ2
Ｏ3 は他の共ドープ剤のハロゲン化物及び／又は酸化
物、例えばＹ2 Ｏ3 及び／又はＹＦ3 、及び／又はＳｍ
Ｃｌ3 との混合物の形で使用できる。
【００４３】リチウム共ドープしたリン光体の製造にお
いては、前述した他のリン光体成分の原料混合物に、Ｌ
ｉＯＨ、Ｌｉ2 ＣＯ3 、ＬｉＦ、ＬｉＣｌ、ＬｉＢｒ又
はＬｉＩの如きリチウム化合物を加える。硼素ドープし
たリン光体の製造は、例えばフラックスとしてＢ2 Ｏ3
を用いて行う。ガリウムドープしたリン光体の製造は焼
成において例えばＧａ（ＮＯ3 ）3 を用いて行う。チタ
ンドープしたリン光体の製造は焼成において例えばＴｉ
Ｆ4 を用いて行う。
【００４４】原料混合物は、４５０〜１０００℃の温度
でＮ2 雰囲気中で第一焼成を受ける。焼成は５００〜１
０００℃の温度で還元性雰囲気中で、多段階で行うのが
好ましい。
【００４５】Ｘ線像の記録及び再生において、前述した
リチウムドープしたリン光体の赤外光での光刺戟は、例
えば赤外（７２０〜１５５０ｎｍ）放出ガスレーザー、
染料レーザー、又は固体状態レーザーで行う、固体状態
レーザーの中、レーザーダイオードとも称される半導体
レーザーが、そのコンパクトな構造及び容易に電気的に
制御できるレーザー光出力のため好ましい。
【００４６】単一半導体レーザー又は複数のダイオード
レーザーの配列が使用される。
【００４７】特に有用な赤外放出固体レーザーには、例
えばＮｄ：ＹＡＧ（１０６４又は１３１９ｎｍ）、Ｎ
ｄ：ＹＬＦ（１０４７，１３１３又は１０５３ｎｍ）、
Ｔｉ：サファイヤ（７００〜９００ｎｍの間で同調しう
る）、アレキサンドライト（７９０ｎｍ）、Ｎｄ；Ｃ
ｒ：ＧＳＧＧ（１０６１ｎｍ）、Ｎｄ：ガラス（１０６
１ｎｍ）、Ｅｒ：ガラス（１５４０ｎｍ）、Ｅｒ，Ｙ
ｂ：ガラス（１５３５ｎｍ）、Ｃｒ：ＬｉＳＡＦ（７８
０〜１０１０ｎｍの間で同調しうる）、フォーステライ
ト（１１３０〜１３７０ｎｍの間で同調しうる）がある
（Lasers and Optronics、１９９１年１２月２５日号、
１７８〜１８４頁参照）。
【００４８】用いるレーザーダイオードは、７２０〜１
５５０ｎｍの波長範囲で少なくとも５０ｍＷの光学出力
を有するのが好ましい。
【００４９】例えば、光刺戟は、GaAlAs、InGaAs、GaAl
As／GaAs、InGaAsP 、GaLnAsP 、又はInGaAlP 半導体レ
ーザーの平行走査レーザービームで行う（例えばLasers
andOptronics、１９９１年１２月２５日号、７頁参
照）。
【００５０】リン光体板上に刺戟光ビームを焦点合せす
るため、レンズ又はレンズのセットを使用するのが好ま
しい。非点収差を修正するため、アナモルフプリズム対
又はシリンダー状レンズの対を使用するのが好ましい。
同様に光学繊維特にセルフォック（selfoc）レンズを用
いてダイオードレーザーの光を集めそして平行にするこ
とができる。SELFOCは定期刊行物、Lasers and Optroni
cs、１９９１年８月号に広告された光学繊維の登録商標
である。
【００５１】被刺戟光を検出する前に、被刺戟光、即ち
光刺戟によって放出された光に対する高透過率を有する
一つ以上の光学繊維によって刺戟光を濾光する。
【００５２】光刺戟によって放出される光は、光エネル
ギーを電気エネルギーに変える変換器、例えばデイジタ
ル化し、貯蔵できる逐次電気信号を与える光電管（光電
子増倍管）で検出するのが好ましい。貯蔵後、これらの
信号はデイジタル処理を受けることができる。デイジタ
ル処理は、像コントラスト増強、空間周波数増強、増減
色、増加色及び個々の像部分の縁解像を含む。
【００５３】記録されたＸ線像の再生のための一つの実
施態様によれば、光学的に処理されたデイジタル信号
は、例えば音響−光学変調器により、書き込みレーザー
ビームを変調するため使用されるアナログ信号に変換さ
れる。変調されたレーザービームは次いで写真材料例え
ばハロゲン化銀乳剤フィルムを走査するために使用さ
れ、フィルム上に像処理された状態で光学的にＸ線像が
再生される。この例及びそれに使用する装置は例えば定
期刊行物、Radiography １９８３年９月号、８３３〜８
３８頁を参照され度い。
【００５４】別の実施態様によれば、光刺戟を介して得
られた光に相当する電気信号のアナログ−デイジタル変
換から得られたデイジタル信号は陰極線管で表示され
る。表示前に信号はコンピューターで処理できる。放射
線写真の粗い又は微細な像特性の像品質を増強し、像の
信号対雑音比を改良するため通常の像処理法を適用でき
る。
【００５５】本発明による前述した方法で使用するた
め、支持された又は自己支持性であることができ、Ｘ線
像貯蔵パネルと称されるパネル又はスクリーンを形成し
うる結合剤層中に分散した状態で光刺戟性リン光体を適
用するのが好ましい。
【００５６】分散した形で前記リン光体を導入する結合
剤層を形成するのに好適な結合剤には、フィルム形成性
有機重合体例えばセルロースアセテートブチレート、ポ
リアルキル（メタ）アクリレート例えばポリ（メチルメ
タクリレート）、ポリビニル−ｎ−ブチラール例えばＵ
Ｓ−Ｐ３０４３７１０に記載されたもの、コポリ（ビニ
ルアセテート／ビニルクロライド）及びコポリ（アクリ
ロニトリル／ブタジエン／スチレン）又はコポリ（ビニ
ルクロライド／ビニルアセテート／ビニルアルコール）
又はそれらの混合物がある。
【００５７】高いＸ線エネルギー吸収を得るため、最少
量の結合剤を使用するのが好ましい。しかしながら、非
常に少量の結合剤は脆すぎる層を生ぜしめることがある
ので、妥協をしなければならない。リンの被覆量は約３
００〜１５００ｇ／ｍ2 の範囲であるのが好ましい。
【００５８】好ましい実施態様によれば、リン光体層は
支持体シート上に支持された層として使用する。好適な
支持体材料はフィルム形成性有機樹脂、例えばポリエチ
レンテレフタレートから作られる、しかし、所望によっ
てα−オレフィン層の如き樹脂層で被覆された紙支持体
及びカードボード支持体も特に有用である。ガラス及び
金属支持体も使用できる。リン光体層の厚さは０．０５
〜０．５ｍｍの範囲であるのが好ましい。
【００５９】光刺戟性リン光体スクリーンの製造のた
め、リン光体粒子は結合剤の溶液中に均質に分散させ、
次いで支持体上に被覆し、乾燥する。本発明のリン光体
結合剤層の被覆は通常の方法、例えばスプレー被覆、浸
漬被覆又はドクターブレード被覆により行うことができ
る。被覆後、被覆混合物の溶剤は蒸発により、例えば熱
（６０℃）空気流中で乾燥することによって除去する。
【００６０】超音波処理が、リン光体−結合剤組合せの
脱泡を行うため及び充填密度を改良するため適用でき
る。場合により付与する保護被覆する前に、リン光体−
結合剤層はカレンダー掛けし（加圧下に）、充填密度
（即ち乾燥被覆１ｃｍ3 についてのリン光体のｇ数）を
改良することができる。
【００６１】所望により、光反射層をリン光体−結合剤
層とその支持体の間に設け、光刺戟により放出される光
の出力を増強する。かかる光反射層は結合剤中に分散し
た白色顔料粒子例えば二酸化チタンを含有できる、又は
それは蒸着金属層例えばアルミニウム層から作ることが
できる、又は例えばＵＳ−Ｐ４３８０７０２に記載され
ている如く、放出された光を反射するが刺戟光は吸収す
る着色顔料層であることができる。
【００６２】所望により、リン光体含有層と支持体の界
面での光の反射を避け、これによって光刺戟性リン光体
の解像度を増大させるため、光吸収層を、リン光体含有
層とその支持体の間に又は支持体自体中に設ける。
【００６３】医学用Ｘ線におけるよりもよりエネルギー
の大なるＸ線及びγ線を使用する、金属被写体の非破壊
試験に用いる如き工業用放射線写真においては、Ｘ線増
感スクリーン中の蛍光リン光体層を金属層又は金属支持
体と組合せることが有利なことが見出された、これらの
金属は原子番号４６〜８３のものである（ＵＳ−Ｐ３８
７２３０９参照）。金属層又は支持体は、工業用Ｘ線装
置によって放出される強力に賦活されたＸ線及びγ線よ
りも高い効率で、隣接リン光体層中で吸収される低エネ
ルギーの二次Ｘ線及び光電子のエミッターとして作用す
る。工業用刺戟放射線写真でのこの種のスクリーン構造
の適用は、貯蔵リン光体層中により多くのエネルギーを
蓄積し、従ってより多くのエネルギーを光刺戟によって
後で放出できる。
【００６４】ここに説明した如きハロシリケートリン光
体を含有するリン光体スクリーンについて、それらの光
−物理的特性を決定するための測定を行った。
【００６５】第一の測定において、Ｘ線励起下のリン光
体の即発発光スペクトルを測定する。測定は、Ｘ線照射
による励起を１１０ｋＶｐで操作するＸ線源で行う分光
フルオリ光度計（spectrofluorimeter）で行う。連続Ｘ
線励起中、放出された光は光電子増倍管と組合せたモノ
クロメータで走査する。この発光スペクトルは光刺戟し
たとき得られるそれと同じであり、刺戟光から蛍光発光
を分離するに当って使用すべきフィルターを選択するた
めに使用される。
【００６６】第二の測定において、７００〜１２００ｎ
ｍの波長範囲での刺戟性赤外光を用いて刺戟スペクトル
即ち相対刺戟効率（Ｃ．Ｅ．／Ｓ．Ｅ．）を測定する、
これによって刺戟の一定強度での刺戟光の波長に対する
相対発光強度を意味する。
【００６７】刺戟スペクトルは、分光フルオリ光度計Ｐ
ＥＫＩＮ ＥＬＭＥＲ（商標）タイプ ＭＰＦ−４で測
定する。前記スペクトルを測定するため、リン光体試料
は前もって、１０ｍＡのカソード電流及び５０ｋＶで操
作するＸ線露光源ＢＡＬＴＥＡＵ（商標）タイプ ＧＬ
Ａで、２０ｃｍの距離で１分間露光しておく。
【００６８】分光光度計は二つのモノクロメータを含
む。Ba5SiO4Br6 : Eu, Li リン光体を用いる特定の試験
においては、発光スペクトルの測定に使用するモノクロ
メータは、４４０ｎｍでその発光の最高を有する前記リ
ン光体の発光の最高を受容するため１０ｎｍの解像に相
当するスリット幅で、４４０ｎｍで一定に保つ。前記リ
ン光体及びモノクロメータの間に、フィルターＶ−Ｙ４
３（前述したＭＰＦ−４タイプ装置に属する）を、４０
０ｎｍより短い波長の光を減衰するために使用する。こ
れによってモノクロメータのハーモニックスの光が実質
的に除去される。
【００６９】光刺戟光はキセノンランプから起る、その
光は、７００〜１２００ｎｍの波長を有する連続的に変
化する刺戟光を得るため第二モノクロメータによって走
査する。刺戟光の強度は、そのモノクロメータ後に光電
子増倍管で検出され、電気信号出力は電子レコーダーで
登録される。
【００７０】図５から知ることができるように、実施例
１の Ba5SiO4Br6 : Eu, Liリン光体の赤外刺戟スペクト
ルは、相対発光強度（Ｒ．Ｅ．Ｉ．）対波長（ｎｍ）と
して表わされ、７４０ｎｍ、７６０ｎｍ、８２０ｎｍ及
び８９０ｎｍで発光極大を有し、主発光極は７６０ｎｍ
である。
【００７１】第三の測定において、一定のＸ線量に対し
露光したとき貯蔵される全光刺戟しうるエネルギー（Ｅ
0)及び刺戟エネルギー（Ｓｅ）を測定する。Ｘ線励起前
に、リン光体スクリーン中になお存在する残存エネルギ
ーは照射によって除去する。消去中光励起を避けるた
め、４３５ｎｍより短い波長の全部を除くカットオフＳ
ＣＨＯＴＴ ＧＧ４３５フィルターを、リン光体スクリ
ーンへ光刺戟する光を放出するタングステンランプの間
に置く。
【００７２】次にリン光体スクリーンを、８０ｋＶｐ及
び２０ｍＡで操作するタングステン陽極Ｘ線源で励起す
る。これにドイツ国のＳＩＥＭＥＮＳ ＡＧのＭＯＮＯ
ＤＯＲ Ｘ線源を使用した。低エネルギーＸ線は、Ｘ線
スペクトルを硬化するため２１ｍｍの厚さのアルミニウ
ム板で濾別する。Ｘ線照射後、リン光体スクリーンは暗
所へ移し、測定のためセットする。このセットにおい
て、Ｘ線照射したリン光体スクリーンを光刺戟するため
赤外レーザー光を使用する。
【００７３】異なる種類のダイオードレーザーを使用で
きる、例えば３０ｍＷの光学出力を有するＳＯＮＹ（商
標）タイプ ＳＬＤ ２０４Ｖ又は８２３ｎｍで２００
ｍＷの光学出力を有するＳＯＮＹ（商標）ダイオードレ
ーザータイプ ＳＬＤ３０２Ｖ／Ｗを使用できる。測定
は、７５０ｎｍで３ｍＷの光学出力を有するレーザーダ
イオードＳＨＡＲＰ（商標）タイプ ＬＴ０３０ＭＤを
用いて同様に行うことができる。
【００７４】受光器は、電子シャッター、単一レンズ
（Melles Griot) 、ダイヤフラム、着色ガラスフィルタ
ーＳＣＨＯＴＴ( 商標）タイプ ＢＧ３９及び光電子増
倍管ＨＡＭＡＭＡＴＳＵ（商標）タイプ Ｒ１３９８を
含む。
【００７５】強力に発散するダイオードレーザーのレー
ザー光は、３ｍｍの直径を有する円形孔を有するダイヤ
フラムシートに対して押圧したリン光体試料上の単一レ
ンズで焦点合せをする。その方法で７．１ｍｍ2 のスポ
ット部域を有するリン光体試料に貯蔵されたエネルギー
のみが測定される。
【００７６】電子シャッターを開いたとき、赤外レーザ
ービームがリン光体スクリーンを刺戟することを開始
し、デイジタルオツシロスコープを作動させる。リン光
体スクリーン試料と光電子増倍管の間に置いた着色ガラ
スフィルターＢＧ３９は赤外刺戟性光をブロックする。
前記フィルターは放出された光（４４０ｎｍ）の波長で
９５％の透過係数を有する。
【００７７】光電子増倍管で発生した光電流は電圧信号
に変えられる。信号はデイジタルオツシロスコープＴＥ
ＫＴＲＯＮＩＸ（商標）タイプ ７Ｄ２０で可視化され
る。測定結果はコンピューターＨＥＷＬＥＴＴ ＰＡＣ
ＫＡＲＤ（商標）タイプ ＨＰ９８２６で読む。
【００７８】機能は数学的に次の如く表わされる：
【００７９】
【数１】
【００８０】式中Ａは振幅であり、τは時間定数であ
り、ｔは刺戟時間であり、ｅは自然対数の底である。
【００８１】ｔ＝τで、６３％の貯蔵されたエネルギー
が放出された。前記結果を得るため、曲線下の積分を、
開始点（電子シャッターの開放時）から１／ｅ点の間で
計算する。
【００８２】絶対値を得るため、光電子増倍管及び電圧
コンバーターへの電流の両方の感度、又分離フィルター
の透過スペクトル及びリン光体の発光スペクトルの旋回
も考慮に入れる。放出光は全ての方向に等しく散乱され
るから、発光の一部のみが光電子増倍管で検出されるだ
けである。ダイヤフラム及び光電子増倍管の位置は全放
出光の１０％が光電子増倍管で検出されるようにする。
【００８３】これらの全ての修正がなされた後、Ｘ線変
換効率の値がｐＪ／ｍｍ2 ／ｍＲの単位で得られる。リ
ン光体の量は、最後の結果をスクリーンの厚さで割るこ
とによって考慮に入れる、かくしてｐＪ／ｍｍ3 ／ｍＲ
の単位でのＸ線変換効率が得られる。前記結果はスクリ
ーンの厚さによって決るから、比較しうるためには全て
の測定は殆ど同じリン光体被覆量で行わなければならな
い。
【００８４】光刺戟エネルギーは、貯蔵されたエネルギ
ーの６３％を放出するのに必要なエネルギーとして定義
される。適用される光刺戟エネルギーはμＪ／ｍｍ2 で
表示され、刺戟光の強度を時間定数に乗ずることによっ
て得られる。
【００８５】第四の測定において、リン光体試料の暗減
衰特性が規定される。そのため、一定のＸ線量に露光し
たとき貯蔵された光刺戟しうるエネルギーを、前記露光
後１５，６０又は３００分測定する。時間を変えて、第
三の測定のために前述した如きＣ．Ｅ．の測定法を用い
る。
【００８６】医学及び工業用放射線写真でのそれらの用
途とは別に本発明による刺戟性リン光体スクリーンはオ
ートラジオグラフィにも同様に有用である。
【００８７】古典的なオートラジオグラフィにおいて
は、放射性パターンの記録を直接又は現像を介して中に
形成する写真材料と被写体と密着させて置くことによ
り、被写体内の放射性材料の写真記録が作られる。本発
明によるオートラジオグラフィにおいては、放射性目的
物を本発明による刺戟性リン光体スクリーンと接触させ
て又は非常に近づけて置く、これによりリン光体は目的
物中の放射性パターンのエネルギーを貯蔵する。貯蔵さ
れたエネルギーは光刺戟によって蛍光の形で放出され、
放出された光は検出され、例えば写真材料又は陰極線管
上に像貯蔵し、再生のために使用される。
【００８８】本発明を下記実施例で説明するが、これに
限定するものではない。
【００８９】割合、部及び百分率は、他に特記せぬ限り
重量による。
【００９０】実施例 １及び２及び比較実施例 ３ Ba4.985-zEu0.015SiO4Br6 : Li2z（ｚ＝５×１０-3又は
１．５×１０-2）（ｚは比較実施例３においては０であ
る）。
【００９１】下記成分を秤量した： ＢａＢｒ2 ・２Ｈ2 Ｏ ５４１．７ｇ ＢａＣＯ3 ・０．４７％Ｈ2 Ｏ １８７ｇ Ｅｕ2 Ｏ3 ・３．３３％Ｈ2 Ｏ １．３２ｇ ＳｉＯ2 ・１．８９％Ｈ2 Ｏ ３０．６ｇ
【００９２】前記成分を均質に混合し、粉砕した。次に
混合物を二つの５００ｍｌ容器に分けた。各容器に４個
の１．５ｃｍ球及び１８０ｍｌの無水エタノールを加
え、混合物を１５分間遊星形ボールミル中で粉砕した。
粉砕後原料混合物をオーブン中に置き、７０〜８０℃で
一夜乾燥した。
【００９３】５０ｇの原料混合物に第一焼成を受けさせ
た。焼成は、１ｌ／分のＮ2 流れの下で８００℃で行っ
た。９０分後、粉末を炉から取り出し、粉砕し、再び同
じ条件の下で９０分焼成した。
【００９４】実施例１の材料を作るため、１．４６×１
０-3ｇのＬｉＯＨを、１５ｇの第一焼成材料と均質混合
し、混合物を還元性雰囲気中で再焼成した。
【００９５】実施例２の材料を作るため、４．３８×１
０-3ｇのＬｉＯＨを、１５ｇの第一焼成材料と均質混合
し、混合物を還元性雰囲気中で再焼成した。
【００９６】比較実施例３の材料を作るため、１５ｇの
第一焼成材料を、ＬｉＯＨを存在させずに還元性雰囲気
中で焼成した。
【００９７】８００℃で行った焼成に当って用いた還元
性雰囲気は、Ｈ2 及びＮ2 の５／９５容量％混合物から
なっていた。
【００９８】各粉末試料は２時間で２回、そして９０分
で２回焼成した。二つの焼成の間で粉末は乳鉢中で粉砕
した。
【００９９】３種の得られた試料は同様の即発発光スペ
クトルを有していた。即発発光スペクトルは、光刺戟し
たとき放出する蛍光のスペクトルと同じであり、図１に
示す、図１において、相対発光強度Ｒ．Ｅ．を波長（ｎ
ｍ）に対してプロットした。
【０１００】各リン光体を次に酢酸エチルに溶解したポ
リエチルアクリレートを含有する結合剤溶液中に分散さ
せた。それぞれ得られた分散液を厚さ１００μのポリエ
チレンテレフタレートの透明シート上に被覆して５００
ｇ／ｍ2 の被覆重量を与えた。次に各スクリーンをそれ
らのリン光体のエネルギー貯蔵特性を測定するために使
用した。Ｈｅ−Ｎｅレーザー光（６３３ｎｍ）に露光す
ることにより残存貯蔵エネルギーを消去した後、各スク
リーンをＸ線の一定線量で照射し、次いでＨｅ−Ｎｅレ
ーザーで刺戟した。前述した如く変換効率を測定した。
【０１０１】図２に、実施例１，２及び比較実施例３
（それぞれ曲線１，２及び３に対応する）のスクリーン
のＸ線照射と８２３ｎｍで放出されるダイオードレーザ
ーでの読みとりの間の時間（分）の関数として、ｐＪ／
ｍｍ3 ／ｍＲで表示した変換効率（Ｃ．Ｅ．）をプロッ
トした。
【０１０２】この図２から、ドープ剤としてＬｉを含有
する実施例１及び２の前記スクリーンのＸ線照射と読み
とりの間の時間間隔（分）の関数としてプロットした変
換効率が、比較実施例３に示したリチウムを含有しない
かかるリン光体のそれよりも非常に良好である（これは
前記スクリーンが非常に遅い暗減衰を有することを意味
する）ことが明らかである。
【０１０３】実施例 ４及び５及び比較実施例 ６
【０１０４】実施例４のリン光体の製造においては、実
施例１により第一焼成を受けた原料混合物１５ｇと４．
５１×１０-3ｇのＬｉＣＯ3 を均質混合した。かくして
得られた混合物を還元性雰囲気中で再焼成した。
【０１０５】実施例５のリン光体の製造においては、実
施例１により第一焼成を受けた原料混合物１５ｇと１．
３５×１０-2ｇのＬｉＣＯ3 を均質混合した。かくして
得られた混合物を還元性雰囲気中で再焼成した。
【０１０６】比較実施例６のリン光体の製造において
は、１５ｇの前記第一焼成した原料混合物をＬｉＣＯ3
を存在させずに還元性雰囲気中で焼成した。
【０１０７】リン光体試料の還元焼成は、Ｈ2 及びＮ2
の５／９５容量％混合物からなる雰囲気中で８００℃で
行った。
【０１０８】リン光体試料は、２時間で４回焼成し、二
つの一連の焼成の間に粉末は乳鉢中で粉砕した。
【０１０９】スクリーンはそれぞれ実施例１，２及び比
較実施例３について記載した如く作った。
【０１１０】図３に、ｐＪ／ｍｍ3 ／ｍＲで表示した変
換効率（Ｃ．Ｅ．）を、Ｘ線照射と、実施例４，５及び
比較実施例６（それぞれ曲線４，５及び６に対応する）
のスクリーンの８２３ｎｍで放出するダイオードレーザ
ーでの読みとりの間の時間（分）の関数としてプロット
した。
【０１１１】図３から、ドープ剤としてＬｉを含有する
実施例４及び５に示した如き本発明によるリン光体の暗
減衰挙動は、比較実施例６に示した如くリチウムを含有
しないかかるリン光体のそれよりも非常に良好であるこ
とが明らかである。
【０１１２】 実施例 ７，８，９及び１０及び比較実施例 １１ Ba4.985-zEu0.015SiO4Br6 : Li2z（ｚ＝１．５×１
０-2）（ｚは比較実施例１１では０である）。
【０１１３】下記成分を秤量した： ＢａＢｒ2 ・２Ｈ2 Ｏ ５４１．７ｇ ＢａＣＯ3 ・０．４７％Ｈ2 Ｏ １８７ｇ Ｅｕ2 Ｏ3 ・３．３３％Ｈ2 Ｏ １．３２ｇ ＳｉＯ2 ・１．８９％Ｈ2 Ｏ ３０．６ｇ
【０１１４】前記成分を均質混合し、粉砕した。続いて
混合物を二つの５００ｍｌ容器に分けた。各容器に、４
個の１．５ｃｍ球及び１８０ｍｌの無水エタノールを加
え、混合物を遊星形ボールミル中で１５分間粉砕した。
粉砕後原料混合物をオーブン中に入れ、７０〜８０℃で
一夜乾燥した。
【０１１５】５０ｇの原料混合物に第一焼成を受けさせ
た。焼成は１分について１ｌのＮ2流れ中で８００℃で
行った。９０分後粉末を炉から取り出し、粉砕し、９０
分同じ条件の下で再焼成した。
【０１１６】実施例７及び８の材料を作るため、それぞ
れ４．６７×１０-3ｇのＬｉＦ及び７．３６×１０-3ｇ
のＬｉＣｌを、１５ｇの第一焼成材料と均質混合し、混
合物を還元性雰囲気中で再焼成した。
【０１１７】実施例９及び１０の材料を作るため、それ
ぞれ１．５６×１０-2ｇのＬｉＢｒ及び２．４１×１０
-2ｇのＬｉＩを、１５ｇの第一焼成材料と均質混合し、
混合物を還元性雰囲気中で再焼成した。
【０１１８】比較実施例１１の材料を作るため、Ｌｉ化
合物を存在させずに還元性雰囲気中で１５ｇの第一焼成
材料を焼成した。
【０１１９】８００℃で行った焼成に用いた還元性雰囲
気は、Ｈ2 及びＮ2 の５／９５容量％混合物からなって
いた。
【０１２０】各粉末試料は２時間で４回焼成した。二つ
の焼成の間で粉末は乳鉢中で粉砕した。
【０１２１】各リン光体試料は、酢酸エチルに溶解した
ポリエチルアクリレートを含有する結合剤溶液中に分散
させた。得られた各分散液を厚さ１００μのポリエチレ
ンテレフタレートの透明シート上に被覆して、５００ｇ
／ｍ2 の被覆重量を与えた。次に各スクリーンをそれら
のリン光体のエネルギー貯蔵特性を測定するために使用
した。ダイオードレーザー光（７５０ｎｍ）に露光する
ことにより残存貯蔵エネルギーを消去した後、各スクリ
ーンを一定線量のＸ線で照射し、次いでダイオードレー
ザーで刺戟した。Ｘ線照射と８２３ｎｍで放出するダイ
オードレーザーで行ったリン光体スクリーンの読みとり
の間の時間経過の関数として変換効率を測定した。
【０１２２】図４に、ｐＪ／ｍｍ3 ／ｍＲで表示した変
換効率（Ｃ．Ｅ．）を、Ｘ線照射と、実施例７〜１０及
び比較実施例１１（それぞれ曲線７，８，９，１０及び
１１に対応する）のスクリーンの読みとりの間の分での
時間の関数としてプロットした。
【０１２３】図４からドープ剤としてＬｉを含有する実
施例７〜１０に例示した本発明によるリン光体の暗減衰
挙動が、比較実施例１１に例示したリチウムを含有しな
いリン光体のそれよりも非常に良いことが明らかであ
る。
【０１２４】実施例 １２〜１８ 実施例１２〜１８のリン光体を作るに当っては、原料混
合物は比較実施例１１のリン光体と同じに作った。
【０１２５】実施例１２の材料を作るため、１．３７×
１０-2ｇのＳｍＣｌ3 を１５ｇの原料混合物と均質混合
した。
【０１２６】実施例１３及び１４の材料を作るため、そ
れぞれ１．４２×１０-2ｇ及び４．２６×１０-2ｇのイ
ットリウムプロポキサイドを使用して、１５ｇの原料混
合物と均質混合した。
【０１２７】実施例１５の材料を作るため、１．１１×
１０-2ｇのＢ2 Ｏ3 を１５ｇの原料混合物と均質混合し
た。
【０１２８】実施例１６の材料を作るため、３．１４×
１０-2ｇのＬａＦ3 を１５ｇの原料混合物と均質混合し
た。
【０１２９】実施例１７の材料を作るため、４．０９×
１０-2ｇのＧａ（ＮＯ3 ）3 を１５ｇの原料混合物と均
質混合した。
【０１３０】実施例１８の材料を作るため、１．９８×
１０-2ｇのＴｉＦ4 を１５ｇの原料混合物と均質混合し
た。
【０１３１】実施例１２〜１８のリン光体材料は、それ
らの共ドープ剤を含有する前記１５ｇの原料混合物に６
回の焼成を受けさせた。
【０１３２】第一焼成は１分について１ｌのＮ2 流中で
８００℃で行った。９０分後炉から粉末を取り出し、粉
砕し、同じ条件の下で９０分再焼成した。
【０１３３】続いて、Ｈ2 ５容量％及びＮ2 ９５容
量％の混合物からなる還元性雰囲気中で４回２時間の焼
成を行った。焼成温度は８００℃であった。二つの焼成
の間で粉末は乳鉢中で粉砕した。
【０１３４】各リン光体試料を、酢酸エチル中に溶解し
たポリエチルアクリレートを含有する結合剤溶液中に分
散させた。得られた分散液を、厚さ１００μのポリエチ
レンテレフタレートの透明支持体上に被覆して５００ｇ
／ｍ2 の被覆重量を与えた。次に各スクリーンをそれら
のリン光体のエネルギー貯蔵特性を測定するために使用
した。Ｈｅ−Ｎｅレーザー光（６３３ｎｍ）に露光して
残存貯蔵エネルギーを消去した後、各スクリーンを一定
線量のＸ線で照射し、次いでＨｅ−Ｎｅレーザーで刺戟
した。測定結果の分析により、前記した如く変換効率
（Ｃ．Ｅ．）を測定した。
【０１３５】同じ方法で、変換効率（Ｃ．Ｅ．）を、そ
れぞれ７５０及び８２３ｎｍのダイオードレーザー光で
刺戟して測定した。
【０１３６】下表における実施例１２〜１８を参照し、
６３３ｎｍと比較において８２３ｎｍで得られたＣ．
Ｅ．値の比及び７５０ｎｍと６３３ｎｍの光でリン光体
スクリーン試料を刺戟して得たＣ．Ｅ．値の比を示す。
ブランクとして比較のため、前記共ドープ剤を含有しな
い材料を使用した。
【０１３７】 表 実施例 C.E.(750nm)/C.E.(633nm) C.E.(823nm)/C.E.(633nm) 12 1 1.89 13 1.13 2.08 14 0.83 1.41 15 1 1.61 16 0.89 1.44 17 1.03 1.75 18 1.06 1.55
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１，２及び比較実施例３で作ったリン光
体のＸ線露光により得られた即発発光スペクトルであ
る。
【図２】実施例１，２及び比較実施例３の変換効率を示
す。
【図３】実施例４，５及び比較実施例６の変換効率を示
す。
【図４】実施例７〜１０及び比較実施例１１の変換効率
を示す。
【図５】実施例１で作ったリン光体の赤外帯域での刺戟
スペクトルを示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ポール・ルブラン ベルギー国モートゼール、セプテストラー ト 27 アグファ・ゲヴェルト・ナームロ ゼ・ベンノートチャップ内

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光刺戟性貯蔵リン光体を含有する材料を
    赤外光で光刺戟することにより放射線像を記録及び観視
    し、又は再生するための方法であり、 (1) 第一の方式によれば、貯蔵しうる放射線エネルギ
    ーでの均一照射に由来する均一に貯蔵されたエネルギー
    を含有する前記材料に前記赤外光を像に従って適用す
    る、そして (2) 第二の方式によれば、貯蔵しうる放射線エネルギ
    ーでの前記材料の像に従った照射に由来する像に従って
    貯蔵されたエネルギーを含有する前記材料に前記赤外光
    を均一に適用する方法において、前記赤外光が７２０〜
    １５５０ｎｍの波長範囲にあり、レーザー光とも称され
    る半導体レーザーによって放出され、前記リン光体が、
    ホスト金属として少なくとも１種のアルカリ土類金属、
    ドープ剤としてＥｕ2+及び共ドープ剤としてリチウム、
    硼素、イットリウム、サマリウム、ランタン、ガリウム
    及び／又はチタンを含有する光刺戟性ハロシリケート又
    はハロ（シリケート−ゲルマネート）リン光体であるこ
    とを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 (1) 前記リン光体により貯蔵しうる放
    射線に対し光刺戟性リン光体を均一に露光し、前記放射
    線が紫外放射線又は陰極線放射線である工程、 (2) 前記赤外光で前記リン光体を像に従って光刺戟し
    て前記均一に露光されたリン光体によって貯蔵されたエ
    ネルギーを像に従って放出させ、これによって光刺戟光
    を生ぜしめる工程、 (3) 光刺戟光を観視又は検知する工程を含むことを特
    徴とする請求項１の方法。
  3. 【請求項３】 前記方法が、 (1) 光刺戟性リン光体をＸ線に対し像に従って露光す
    る工程、 (2) 前記赤外光で前記リン光体を光刺戟して吸収され
    たＸ線に従って前記リン光体から光刺戟光を放出させる
    工程、 (3) 光刺戟光を検知する工程を含むことを特徴とする
    請求項１の方法。
  4. 【請求項４】 前記レーザーダイオードが、７２０〜１
    ５５０ｎｍの波長範囲で少なくとも５０ｍＷの放出力を
    有することを特徴とする請求項１の方法。
  5. 【請求項５】 前記レーザーダイオードが、GaAlAs、In
    GaAs、GaAlAs／GaAs、InGaAsP 、GaLnAsP 、又はInGaAl
    P 半導体レーザーであることを特徴とする請求項４の方
    法。
  6. 【請求項６】 前記レーザーダイオードが、前記レーザ
    ーダイオードによって放出されるレーザービームをコリ
    メートするかピント合せする光学繊維とその出力面で連
    結されていることを特徴とする請求項１の方法。
  7. 【請求項７】 前記リン光体が、ホスト金属として、Ｂ
    ａ、Ｓｒ及びＣａからなる群から選択した少なくとも１
    種のアルカリ土類金属を含有することを特徴とする請求
    項１の方法。
  8. 【請求項８】 前記ハロシリケート又はハロ（シリケー
    ト−ゲルマネート）リン光体がハロゲンとしてＣｌ、Ｂ
    ｒ又はＩ又はそれらの混合物を含有することを特徴とす
    る請求項１の方法。
  9. 【請求項９】 前記リン光体が、下記実験式 Ba5-(n+p+q+z)ZqGevSiwO4X6 : Eun 2+, D2p +, M2z/r r+ （式中Ｚはストロンチウム及びカルシウムからなる群か
    ら選択した少なくとも１種の共ホスト金属であり、ｑは
    ０〜０．５の範囲にあり、ｖは０〜０．５の範囲にあ
    り、ｖ＋ｗは１に等しく、Ｘは臭素及び／又は塩素であ
    り、ＤはＮａ+ 、Ｋ+ からなる群から選択した少なくと
    も１種の共ドープ剤であり、ＭはＬｉ+ 、Ｂ3+、Ｇ
    ａ3+、Ｙ3+、Ｌａ3+、Ｓｍ3+及びＴｉ4+からなる群から
    選択した少なくとも１種の共ドープ剤であり、ｎは０．
    ０００１〜０．２０の範囲にあり、ｐは０〜０．０１５
    の範囲にあり、ｚは２×１０-5〜２×１０-1の範囲にあ
    り、ｒは１，３又は４である）の範囲内にあることを特
    徴とする請求項７の方法。
  10. 【請求項１０】 前記リン光体が、下記実験式 Sr5-(n+p+q+z)ZqGevSiwO4X6 : Eun 2+, D2p +, M2z/r r+ （式中Ｚはバリウム及びカルシウムからなる群から選択
    した少なくとも１種の共ホスト金属であり、ｑは０〜
    ０．５の範囲にあり、ｖは０〜０．５の範囲にあり、ｖ
    ＋ｗは１に等しく、Ｘは臭素及び／又は塩素であり、Ｄ
    はＮａ+ 、Ｋ+ からなる群から選択した少なくとも１種
    の共ドープ剤であり、ＭはＬｉ+ 、Ｂ3+、Ｇａ3+、
    Ｙ3+、Ｌａ3+、Ｓｍ3+及びＴｉ4+からなる群から選択し
    た少なくとも１種の共ドープ剤であり、ｎは０．０００
    １〜０．２０の範囲にあり、ｐは０〜０．０１５の範囲
    にあり、ｚは２×１０-5〜２×１０-1の範囲にあり、ｒ
    は１，３又は４である）の範囲内にあることを特徴とす
    る請求項７の方法。
  11. 【請求項１１】 前記リン光体が、下記実験式(I) 又は
    (II) (I) Ba5-(n+p+z)GevSiwO4X6 : Eun 2+, D2p +, Li2z (II) Sr5-(n+p+z)GevSiwO4X6 : Eun 2+, D2p +, Li2z （式中ｖは０〜０．５の範囲にあり、ｖ＋ｗは１に等し
    く、Ｘは塩素及び／又は臭素であり、ｎは０．０００１
    〜０．１５の範囲にあり、ｐは０〜０．０１５の範囲に
    あり、ＤはＮａ+ 及びＫ+ からなる群から選択した少な
    くとも１種の共ドープ剤であり、ｚは２×１０-5〜２×
    １０-2の範囲にある）の一つの範囲内にあることを特徴
    とする請求項７の方法。
  12. 【請求項１２】 前記リン光体が、下記実験式(III) 又
    は(IV) (III) Ba5-(n+z)GevSiwO4X6, Eun 2+, Li2z (IV) Sr5-(n+z)GevSiwO4Br6, Eun 2+, Li2z （式中ｎは０．０００１〜０．１５の範囲にあり、ｖは
    ０≦ｖ≦０．５の範囲にあり、ｖ＋ｗは１に等しく、Ｘ
    は臭素及び／又は塩素であり、ｚは２×１０-5〜２×１
    ０-2の範囲にある）の一つの範囲内にあることを特徴と
    する請求項７の方法。
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