CN1333041C - M2(1-x)B5O9Cl∶A2x发光薄膜及其制备方法 - Google Patents
M2(1-x)B5O9Cl∶A2x发光薄膜及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1333041C CN1333041C CNB2005101220372A CN200510122037A CN1333041C CN 1333041 C CN1333041 C CN 1333041C CN B2005101220372 A CNB2005101220372 A CN B2005101220372A CN 200510122037 A CN200510122037 A CN 200510122037A CN 1333041 C CN1333041 C CN 1333041C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film
- electron beam
- beam evaporation
- preparation
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明公开了一种M2(1-x)B5O9Cl∶A2x发光薄膜及其制备方法,其化学表达式为:M2(1-x)B5O9Cl∶A2x,其中,M为Ca,Sr,Ba中的一种元素,A为Pr,Gd,Er,Tm,Ce,Lu中的一种元素,0.001<x≤0.4,其特征在于所说的原料选用纯度为99.99%的BaCl2,CaCl2,SrCl2,H3BO3,Pr2O3,Gd2O3,Er2O3,Tm2O3,Ce2O3,Lu2O3,溶剂为水和乙醇;本发明还提供了该发光薄膜制备方法。本发明制备的发光薄膜表面均匀、致密无开裂;薄膜颗粒大小均匀,而且薄膜的厚度可以控制;薄膜的发光性能优良;本发明的发光薄膜可用于制作场发射显示器的显示屏,该显示屏不但能够克服现有技术的缺点,而且还具有热稳定性高、放气率小、附着力强、表面平整度高等优点。
Description
【技术领域】
本发明涉及发光物理材料与显示技术,特别是一种M2(1-x)B5O9Cl:A2x发光薄膜及其制备方法。
【背景技术】
发光材料制成的显示屏在阴极射线管、电致发光以及场发射显示器件中起着十分重要的作用。目前将发光粉末制成的显示屏应用于场发射显示器存在着诸多障碍。由于颗粒之间的接触电阻,导致屏的电导率不高。此外,颗粒之间以及颗粒与衬底之间的附着力问题,也是难以克服的。同时,这种方法制备的屏表面粗糙,致密及均匀性差,容易造成光的反射且稳定性不好,分辨力也较低。因此,制备性能优良的发光薄膜成为研究的一个重要方向。
【发明内容】
本发明的目的是为了克服现有技术的不足,而提供一种发光性能优良的M2(1-x)B5O9Cl:A2x发光薄膜,以及该发光薄膜的其制备方法。
本发明制备为解决上述问题所采用的技术方案,是提供一种M2(1-x)B5O9Cl:A2x发光薄膜,其特征在于所说的原料选用纯度为99.99%的BaCl2,CaCl2,SrCl2,H3BO3,Pr2O3,Gd2O3,Er2O3,Tm2O3,Ce2O3,Lu2O3,溶剂为水和乙醇;其化学表达式为:
M2(1-x)B5O9Cl:A2x,
其中,M为Ca或Sr,Ba中的一种元素;A为Pr,Gd,Er,Tm,Ce或Lu中的一种元素;0.001<x≤0.4。
本发明还提供了一种M2(1-x)B5O9Cl:A2x发光薄膜制备方法,其特征在于所说的制备过程为:
1)将原料按照化学计量比混合,并加入溶剂充分研磨,采用固态反应,在600-1000℃高温下还原气氛中灼烧2小时,获得靶材料,靶材料经过压制成形,然后经600-800℃还原气氛中烧结2小时,制成直径为3mm的电子束蒸发靶;
2)采用电子束蒸发镀膜系统,将衬底表面清洗后经掩模遮盖,装于旋转架上,放入电子束蒸发镀膜系统的反应室中,将电子束蒸发靶装入坩埚内;反应室真空度至少抽到10-5Torr,然后加热衬底,使衬底温度为100-400℃,确定真空度、衬底温度,打开电子枪电源,进行蒸发。
3)将电子束蒸发制备的薄膜放入程序升温炉中,以100℃/h的速度加热到500-700℃,并且保留2-3小时。
本发明制备的发光薄膜表面均匀、致密无开裂;薄膜颗粒大小均匀,而且薄膜的厚度可以控制;薄膜的发光性能优良;本发明的发光薄膜可用于制作场发射显示器的显示屏,该显示屏不但能够克服现有技术的缺点,而且还具有热稳定性高、放气率小、附着力强、表面平整度高等优点。
【具体实施方式】
本发明中所使用的原料,选用纯度为99.99%的BaCl2,CaCl2,SrCl2,H3BO3,Pr2O3,Gd2O3,Er2O3,Tm2O3,Ce2O3,Lu2O3,溶剂为水和乙醇。
其化学表达式为:
M2(1-x)B5O9Cl:A2x,
其中,M为Ca,Sr,Ba中的一种元素;A为Pr,Gd,Er,Tm,Ce,Lu中的一种元素;0.001<x≤0.4。
在该薄膜M2(1-x)B5O9Cl:A2x的化学表达式中,x的数值也可以是以下范围:
0.001<x≤0.1。
比较好的发光薄膜可以用以下化学表达式表达为:
(1)Ba1.9B5O9Cl:Tm0.1;
(2)Sr1.94B5O9Cl:Ce0.06。
此外,在发光薄膜的具体实施例还可以按下列表中的数据确定:
M | A | X | |
1 | Ca | Tm | 0.05 |
2 | Sr | Pr | 0.08 |
3 | Ba | Er | 0.06 |
4 | Ba | Pr, | 0.05 |
5 | Ba | Ce | 0.03 |
6 | Ca | Ce | 0.04 |
7 | Ca | Pr | 0.08 |
8 | Ca | Er | 0.06 |
本发明发光薄膜的制备:
以Ba1.9B5O9Cl:Tm0.1为例,按照化学计量比,将BaCl2,H3BO3,Tm2O3,等进行混合,并加入溶剂充分研磨,采用固态反应,在850℃高温下还原气氛中灼烧2小时,获得靶材料,靶材料经过压制成形,然后经700℃还原气氛中烧结2小时,制成直径为3mm的电子束蒸发靶。采用电子束蒸发镀膜系统制备,选择ITO玻璃作为衬底,将衬底表面清洗后经掩模遮盖,装于旋转架上,放入电子束蒸发镀膜系统的反应室中,将电子束蒸发靶装入坩埚内。反应室真空度抽到10-5Torr,然后加热衬底,使衬底温度为200℃,确定真空度、基底温度保持不变,打开电子枪电源,进行蒸发。生长速度设定为5_/s,薄膜的厚度为200nm。将电子束蒸发制备的薄膜放入程序升温炉中,以100℃/h的速度加热到600℃,并且保留3小时。所得发光薄膜表面均匀、致密无开裂,薄膜颗粒大小均匀。
发光薄膜的衬底材料除采用ITO玻璃外,还可以采用硅、蓝宝石、或玻璃等。
在电子束蒸发制备薄膜时,加热衬底的优选温度为200-300℃。
Claims (6)
1一种M2(1-x)B5O9Cl:A2x发光薄膜,其特征在于其原料选用纯度为99.99%的BaCl2,CaCl2,SrCl2,H3BO3,Pr2O3,Gd2O3,Er2O3,Tm2O3,Ce2O3,Lu2O3,溶剂为水和乙醇;所制备发光薄膜的化学表达式为:
M2(1-x)B5O9Cl:A2x
其中:M为Ca,Sr或Ba中的一种元素;A为Pr,Gd,Er,Tm,Ce或Lu中的一种元素;0.001<x≤0.4。
2按照权利要求1所述的发光薄膜,其特征在于
0.001<x≤0.1。
3按照权利要求1或2所述的发光薄膜,其特征在于所述的发光薄膜的化学表达式为:
Ba1.9B5O9Cl:Tm0.1 。
4按照权利要求1或2所述的发光薄膜,其特征在于所所述的发光薄膜的化学表达式为:
Sr1.94B5O9Cl:Ce0.06。
5一种权利要求1的发光薄膜制备方法,其特征在于所说的制备过程为:
1)将原料按照化学计量比混合,并加入溶剂充分研磨,采用固态反应,在600-1000℃高温下还原气氛中灼烧2小时,获得靶材料,靶材料经过压制成形,然后经600-800℃还原气氛中烧结2小时,制成直径为3mm的电子束蒸发靶;
2)采用电子束蒸发镀膜系统,将衬底表面清洗后经掩模遮盖,装于旋转架上,放入电子束蒸发镀膜系统的反应室中,将电子束蒸发靶装入坩埚内;反应室真空度至少抽到10-5Torr,然后加热衬底,使衬底温度为100-400℃,确定真空度、衬底温度,打开电子枪电源,进行蒸发。
3)将电子束蒸发制备的薄膜放入程序升温炉中,以100℃/h的速度加热到500-700℃,并且保留2-3小时。
6按照权利要求5所述的制备方法,其特征在于所说的在电子束蒸发制备薄膜时,加热衬底的优选温度为200-300℃。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2005101220372A CN1333041C (zh) | 2005-11-30 | 2005-11-30 | M2(1-x)B5O9Cl∶A2x发光薄膜及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2005101220372A CN1333041C (zh) | 2005-11-30 | 2005-11-30 | M2(1-x)B5O9Cl∶A2x发光薄膜及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1775907A CN1775907A (zh) | 2006-05-24 |
CN1333041C true CN1333041C (zh) | 2007-08-22 |
Family
ID=36765629
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005101220372A Expired - Fee Related CN1333041C (zh) | 2005-11-30 | 2005-11-30 | M2(1-x)B5O9Cl∶A2x发光薄膜及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN1333041C (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5140159A (en) * | 1988-08-05 | 1992-08-18 | Agfa-Gevaert, N.V. | Reproduction of X-ray images with photostimulable phosphor |
CN1338501A (zh) * | 2001-09-27 | 2002-03-06 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 稀土发光材料的制备方法 |
CN1605612A (zh) * | 2003-10-08 | 2005-04-13 | 北京大学 | 一种蓝色荧光粉及其应用 |
-
2005
- 2005-11-30 CN CNB2005101220372A patent/CN1333041C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5140159A (en) * | 1988-08-05 | 1992-08-18 | Agfa-Gevaert, N.V. | Reproduction of X-ray images with photostimulable phosphor |
CN1338501A (zh) * | 2001-09-27 | 2002-03-06 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 稀土发光材料的制备方法 |
CN1605612A (zh) * | 2003-10-08 | 2005-04-13 | 北京大学 | 一种蓝色荧光粉及其应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1775907A (zh) | 2006-05-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1325604C (zh) | MY(1-x)SiO4∶Ax发光薄膜及其制备方法 | |
JP4762062B2 (ja) | 焼結体、膜及び有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
CN101231431B (zh) | 氧化锡铟靶,其制备方法和用其制备的透明电极 | |
CN1690011A (zh) | 氧化物烧结体、溅射靶材、透明导电性薄膜及其制造方法 | |
EP2276712A1 (en) | A process for the manufacture of a high density ito sputtering target | |
JP2010506811A (ja) | 透明な導電性被膜のための酸化チタンベースのスパッタリングターゲット、係る被膜の製造方法及び該導電性被膜に使用するための組成物 | |
CN1304527C (zh) | 一种发光薄膜及其制备方法与用途 | |
JP2004087451A (ja) | 透明導電性薄膜、その形成方法、それを用いた表示パネル用透明導電性基材及び有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
CN108914080B (zh) | 一种制备具有室温交换偏置效应锰铋合金薄膜的方法 | |
CN1333041C (zh) | M2(1-x)B5O9Cl∶A2x发光薄膜及其制备方法 | |
TW201118057A (en) | Tablet for vapor depositing and method for producing the same | |
CN1775998A (zh) | MGd (1-x)SiO4:Ax发光薄膜及其制备方法 | |
CN101617384A (zh) | 具有阳极涂层的场发射装置 | |
CN1818147A (zh) | 一种白钨矿发光膜材料的制备方法 | |
CN110204200B (zh) | 一种掺杂石英玻璃蒸镀材料的制备方法 | |
CN1772841A (zh) | ZnS:Zn,Pb发光薄膜及其制备方法 | |
JP2009184876A (ja) | Gzo焼結体およびその製造方法 | |
CN1775999A (zh) | Gd3Al5O12:Ce,Dy发光薄膜及其制备方法 | |
CN101368259A (zh) | 一种负热膨胀材料ZrW2O8薄膜的制备方法 | |
CN1468934A (zh) | 钨酸盐发光薄膜的制备方法 | |
JP2004323877A (ja) | Ito薄膜作製用ターゲットとその製造方法 | |
CN103774098A (zh) | 氧化亚锡织构薄膜及其制备方法 | |
JP5104273B2 (ja) | イオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末、イオンプレーティング用蒸発源材料及びその製造方法、ガスバリア性シート及びその製造方法 | |
JP3494205B2 (ja) | MgOを主成分とするタ−ゲット材料およびその製造方法 | |
KR20090113109A (ko) | 패시배이션 조성물과 이를 이용한 스퍼터링 타겟과패시배이션막 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20070822 Termination date: 20091230 |