KR20080090382A - 일렉트로 루미넌스 소자의 휘도 저하를 보상하는 기술 - Google Patents

일렉트로 루미넌스 소자의 휘도 저하를 보상하는 기술 Download PDF

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아로키아 나탄
지. 레자 차지
샤힌 자파라바디아시티아니
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이그니스 이노베이션 인크.
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Abstract

일렉트로-루미넌스 소자의 휘도 저하를 보상하는 방법 및 시스템이 제공된다. 상기 시스템은 발광 소자, 저장 캐패시터 및 복수의 트랜지스터를 구비하는 화소 회로와, 상기 화소 회로를 동작시키는 제어 신호선들을 포함한다. 저장 캐패시터는 화소 회로를 프로그래밍하고 구동할 때 트랜지스터 및 신호선들과 연결 또는 차단된다.
일렉트로-루미넌스, 발광, 다이오드, 유기, 보상, 휘도, 그라운드 바운싱

Description

일렉트로 루미넌스 소자의 휘도 저하를 보상하는 기술{COMPENSATION TECHNIQUE FOR LUMINANCE DEGRADATION IN ELECTRO-LUMINANCE DEVICES}
관련 출원에 관한 상호 참조
본 출원은 2005년 9월 13일 출원된 캐나다 특허 출원 제2,518,276호의 우선권을 주장한다.
<기술분야>
본 발명은 일렉트로 루미넌스 소자 표시 장치(electro-luminance device display)에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 일렉트로 루미넌스 소자 표시 장치에서 휘도 저하를 보상하는 구동 기술에 관한 것이다
일렉트로 루미넌스 표시 장치는 셀룰러 폰과 같은 다양한 장치용으로 개발되어 왔다. 특히, 비정질 실리콘(a-Si), 폴리 실리콘(poly-silicon), 유기물 또는 기타 구동 후면(backplane)을 갖는 능동 행렬 유기 발광 다이오드(active-matrix organic light-emitting diode, AMOLED) 표시 장치는, 융통성있게 실현될 수 있는 표시 장치, 저가의 제조, 고해상도 및 광시야각과 같은 이점으로 인해 더욱 매력적인 것이 되었다.
AMOLED 표시 장치는, 각각이 그 행과 열의 어레이에 배치된 유기 발광 다이 오드(OLED)와 후면 전자 장치를 포함하는 화소들의 행과 열의 어레이(array)를 포함한다. OLED는 전류 구동 소자이므로, AMOLED의 화소 회로(pixel circuit)는 정확하고 일정한 구동 전류를 제공할 수 있어야 한다.
높은 정확성을 갖는 일정한 휘도를 제공하고 화소 회로의 에이징(aging) 효과를 감소시킬 수 있는 방법 및 시스템을 제공할 필요가 있다.
본 발명의 목적은 종래 시스템의 단점들 중 적어도 하나를 해소하거나 완화시키는 방법 및 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 특징에 따르면, 발광 소자와 제1 단자 및 제2 단자를 갖는 저장 캐패시터를 포함하는 화소 회로가 제공된다. 화소 회로는 게이트 단자, 제1 단자 및 제2 단자를 갖는 제1 트랜지스터를 포함하며, 게이트 단자는 제1 선택선에 연결된다. 화소 회로는 상기 제1 트랜지스터의 제2 단자에 연결되어 있는 제1 단자, 발광 소자에 연결되어 있는 제2 단자, 그리고 게이트 단자를 갖는 제2 트랜지스터를 포함한다. 화소 회로는 제2 선택선에 연결되어 있는 게이트 단자, 제1 트랜지스터의 제2 단자에 연결되어 있는 제1 단자, 그리고 제2 트랜지스터의 게이트 단자와 저장 캐패시터의 제1 단자에 연결되어 있는 제2 단자를 갖는 제3 트랜지스터를 포함한다. 화소 회로는 제3 선택선에 연결되어 있는 게이트 단자, 저장 캐패시터의 제2 단자에 연결되어 있는 제1 단자, 그리고 제2 트랜지스터의 제2 단자와 발광 소자에 연결되어 있는 제2 단자를 갖는 제4 트랜지스터를 포함한다. 화소 회로는 제2 선택선에 연결되어 있는 게이트 단자, 신호선에 연결되어 있는 제1 단자, 그리고 제4 트랜지스터의 제1 단자와 저장 캐패시터의 제2 단자에 연결되어 있는 제2 단자를 갖는 제5 트랜지스터를 포함한다.
위의 화소 회로에 있어서, 제3 선택선은 제1 선택선일 수 있다.
위의 화소 회로는 제2 선택선에 연결되어 있는 게이트 단자, 제2 트랜지스터의 제1 단자에 연결되어 있는 제1 단자, 그리고 바이어스 전류선(bias current line)에 연결되어 있는 제2 단자를 갖는 제6 트랜지스터를 포함할 수 있다.
본 발명의 추가적인 특징에 따르면, 화소 회로에 의해 형성되는 표시 어레이(display array)와 화소 회로를 프로그래밍하고 구동하는 구동 모듈을 포함하는 표시 시스템이 제공된다.
본 발명의 추가적인 특징에 따르면, 화소 회로에서의 발광 소자의 열화를 보상하는 방법이 제공된다. 본 방법은 저장 캐패시터를 충전시키는 단계와, 저장 캐패시터를 방전시키는 단계를 포함한다. 저장 캐패시터를 충전시키는 단계는 저장 캐패시터를 신호선에 연결시키는 단계를 포함한다. 본 방법은 저장 캐패시터를 신호선으로부터 차단시키고, 저장 캐패시터의 제2 단자를 제2 트랜지스터의 제2 단자와 연결시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 추가적인 특징에 따르면, 화소 회로의 트랜지스터의 문턱 전압의 변화(shift)를 보상하는 방법이 제공된다. 본 방법은 저장 캐패시터를 충전시키는 단계와, 저장 캐패시터를 방전시키는 단계를 포함한다. 저장 캐패시터를 충전시키는 단계는 저장 캐패시터를 신호선에 연결시키는 단계를 포함한다. 본 방법은 저장 캐패시터를 신호선으로부터 차단시키고, 저장 캐패시터의 제2 단자를 제2 트랜지스터의 제2 단자와 연결시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 추가적인 특징에 따르면, 화소 회로의 그라운드 바운싱(ground bouncing) 또는 IR 강하(drop)를 보상하는 방법이 제공된다. 본 방법은 저장 캐패시터를 충전시키는 단계와, 저장 캐패시터를 방전시키는 단계를 포함한다. 저장 캐패시터를 충전시키는 단계는 저장 캐패시터를 신호선 및 바이어스 전류선에 연결시키는 단계를 포함한다. 본 방법은 저장 캐패시터를 신호선 및 바이어스 전류선으로부터 차단시키고, 저장 캐패시터의 제2 단자를 제2 트랜지스터의 제2 단자와 연결시키는 단계를 포함한다.
본 발명에 대한 이러한 요약이 본 발명의 모든 특징을 반드시 설명하는 것은 아니다.
본 발명에 대한 이들 및 다른 특징들은 첨부 도면을 참조하는 이하의 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다.
도 1A는 본 발명의 실시예에 따른 화소 구동 방식이 적용된 화소 회로의 예를 그 제어 신호선과 함께 도시하는 도면;
도 1B는 도 1A의 화소 회로를 동작시키는 방법의 예를 도시하는 타이밍도;
도 2는 도 1A-1B에 대한 시뮬레이션 결과를 도시하는 그래프;
도 3은 도 1A-1B에 대한 다른 시뮬레이션 결과를 도시하는 그래프;
도 4A는 본 발명의 다른 실시예에 따른 화소 구동 방식이 적용된 화소 회로의 예를 그 제어 신호선과 함께 도시하는 도면;
도 4B는 도 4A의 화소 회로를 동작시키는 방법의 예를 도시하는 타이밍도;
도 5A는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 화소 구동 방식이 적용된 화소 회로의 예를 그 제어 신호선과 함께 도시하는 도면;
도 5B는 도 5A의 화소 회로를 동작시키는 방법의 예를 도시하는 타이밍도;
도 6은 도 1A의 화소 회로를 구비한 표시 어레이를 갖는 표시 시스템의 예를 도시하는 도면;
도 7은 도 6의 표시 어레이를 동작시키는 방법의 예를 도시하는 타이밍도;
도 8은 도 4A의 화소 회로를 구비한 표시 어레이를 갖는 표시 시스템의 예를 도시하는 도면;
도 9는 도 8의 표시 어레이를 동작시키는 방법의 예를 도시하는 타이밍도;
도 10은 도 5A의 화소 회로를 구비한 표시 어레이를 갖는 표시 시스템의 예를 도시하는 도면; 및
도 11은 도 10의 표시 어레이를 동작시키는 방법의 예를 도시하는 타이밍도이다.
본 발명의 실시예가, OLED와 같은 발광 소자와 복수의 트랜지스터를 갖는 화소 회로를 이용하여 설명된다. 하지만, 화소 회로는 OLED 이외의 임의의 발광 소자를 포함할 수 있다. 화소 회로의 트랜지스터는 n형 트랜지스터, p형 트랜지스터 또는 이들의 조합일 수 있다. 화소 회로의 트랜지스터는 비정질 실리콘, 나노/마이크로 결정 실리콘, 폴리 실리콘, 유기 반도체 기술(예컨대, 유기 TFT), NMOS/PMOS 기술 또는 CMOS 기술(예컨대, MOSFET)을 이용하여 제조될 수 있다. 화소 회로를 갖는 표시 장치는 단색(single color), 다색(multi-color) 또는 전색(fully color) 표시 장치일 수 있으며, 하나 이상의 EL(electroluminescence) 요소(예컨대, 유기 EL)를 포함할 수 있다. 표시 장치는 능동 매트릭스 발광형 표시 장치(active matrix light emitting display)일 수 있다. 표시 장치는 DVD, PDA(personal digital assistant), 컴퓨터 표시 장치 또는 셀룰러 폰에 사용될 수 있다.
상세한 설명에서, "화소 회로"와 "화소"는 호환되어 사용될 수 있다. 아래의 설명에서, "신호"와 "선(line)"은 호환되어 사용될 수 있다. 아래의 설명에서, "연결(connect)(또는 연결된)"과 "접속(couple)(또는 접속된)"은 서로 호환되어 사용될 수 있으며, 둘 이상의 요소가 직접 또는 간접적으로 서로 물리적 또는 전기적인 접촉이 있음을 나타내는 데 사용될 수 있다.
본 발명의 실시예는 화소 회로의 구동 방법에 관한 것으로서, OLED 열화, 후면 불안정(예를 들어, TFT 문턱값 변화) 및 그라운드 바운싱(또는, IR 강하) 중 적어도 하나를 보상하는 화소 내(in-pixel) 보상 기술을 포함한다. 본 구동 방식은, 예를 들어 장시간 표시 동작에 따른 화소 에이징 및 공정 변동으로 인한 화소 요소들의 특성 변화와 무관하게 화소 회로가 안정적인 휘도를 제공하도록 한다. 이는 OLED의 휘도 안정성을 강화하고 표시 동작 수명을 효율적으로 개선시킨다.
도 1A는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소 구동 방식이 적용된 화소 회로의 예를 그 제어 신호선과 함께 도시한다. 도 1A의 화소 회로(100)는 트랜지스 터(102-110), 저장 캐패시터(storage capacitor)(112) 및 OLED(114)를 포함한다. 화소 회로(100)는 세 개의 선택선 SEL1, SEL2 및 SEL3, 신호선 VDATA, 전압선 VDD 및 공통 접지(common ground)에 연결되어 있다.
트랜지스터(102-110)는 비정질 실리콘, 폴리 실리콘, 유기 박막 트랜지스터(TFT)나 또는 CMOS 기술의 표준 NMOS일 수 있다. 본 기술분야의 당업자는 p형 트랜지스터를 이용하여 화소 회로(100)를 재구성할 수 있음을 알 것이다.
트랜지스터(104)는 구동 트랜지스터이다. 구동 트랜지스터(104)의 소스 및 드레인 단자들은 OLED(114)의 애노드(anode) 전극과 트랜지스터(102)의 소스 단자에 각각 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(104)의 게이트 단자는 트랜지스터(106)의 소스 단자에 연결되어 있으며, 트랜지스터(110)를 통하여 신호선 VDATA에 연결되어 있다. 트랜지스터(106)의 드레인 단자는 트랜지스터(102)의 소스 단자에 연결되고, 게이트 단자는 신호선 SEL2에 연결되어 있다.
트랜지스터(108)의 드레인 단자는 트랜지스터(110)의 소스 단자에, 소스 단자는 OLED(114)의 애노드에, 게이트 단자는 선택선 SEL3에 연결되어 있다.
트랜지스터(110)의 드레인 단자는 신호선 VDATA에 연결되고, 게이트 단자는 선택선 SEL2에 연결되어 있다.
구동 트랜지스터(104), 트랜지스터(106) 및 저장 캐패시터(112)는 노드 A1에 연결되어 있다. 트랜지스터(108 및 110) 및 저장 캐패시터(112)는 노드 B1에 연결되어 있다.
도 1B는 도 1A의 화소 회로(100)를 동작시키는 방법의 예를 도시한다. 도 1A의 화소 회로(100)는 n형 트랜지스터를 포함한다. 그러나, 본 기술분야의 당업자는 도 1B의 방법을 p형 트랜지스터를 갖는 화소 회로에 적용 가능함을 이해할 것이다.
도 1A-1B를 참조하면, 화소 회로(100)의 동작은 2개의 동작 사이클, 즉 프로그래밍 사이클(programming cycle)(120) 및 구동 사이클(122)을 포함한다. 프로그래밍 사이클(120)의 마지막에 노드(A1)는 (VP+VT+ΔVOLED)로 충전되고, 여기서 VP는 프로그래밍 전압, VT는 트랜지스터(104)의 문턱 전압, 그리고 ΔVOLED는 바이어스 스트레스하에서의 OLED 전압 변화(voltage shift)이다.
프로그래밍 사이클(120)은 두 개의 서브 사이클(sub-cycle), 즉 프리차징(pre-charging) P11 및 보상(compensation) P12을 포함하고, 이후 각각 프리차징 서브 사이클 P11과 보상 서브 사이클 P12이라 한다.
프리차징 서브 사이클(P11) 동안, 선택선 SEL1, SEL2은 하이(high)이고, 선택선 SEL3은 로우(low)이며, 이에 따라 각각 트랜지스터(102, 106, 110)가 온되고, 트랜지스터(108)는 오프된다. VDATA에서의 전압은 (VOLEDi-VP)로 설정된다. "VP"는 프로그래밍 전압이고, "i"는 OLED의 초기 전압을 나타낸다. "VOLEDi"는 일정한 전압이고, OLED(114)의 초기 온(ON) 전압으로 설정될 수 있다. 그러나, VOLEDi는 0과 같은 다른 전압으로 설정될 수 있다. 프리차징 서브 사이클 P11의 마지막에 저장 캐패시터(112)는 (VDD+VP-VOLEDi)에 가까운 전압으로 충전된다.
보상 서브 사이클 P12 동안, 선택선 SEL2은 하이가 되어 트랜지스터(106, 110)는 온되고, 선택선 SEL1, SEL3은 로우가 되어 트랜지스터(102, 108)는 오프된다. 그 결과로서, 저장 캐패시터(112)는 구동 트랜지스터(104)와 OLED(114)를 흐르는 전류가 0에 가까워질 때까지 트랜지스터(104)와 OLED(114)를 통하여 방전을 시작한다. 결과적으로, 저장 캐패시터(112)에는 (VT+VP+VOLED-VOLEDi)에 가까운 전압이 저장되며, VOLED는 OLED(114)의 온 전압이다.
구동 사이클(122) 동안, 선택선 SEL2은 로우가 되어 트랜지스터(106, 110)는 오프되고, 선택선 SEL1, SEL3은 하이가 되어 트랜지스터(102, 108)는 온된다. 그 결과로서, 저장 캐패시터(112)는 신호선 VDATA로부터 차단되고, 구동 트랜지스터(104)의 소스에 연결된다.
구동 트랜지스터(104)가 포화 영역에 있는 경우, 다음 프로그래밍 사이클까지 K(VP+ΔVOLED)2에 가까운 전류가 OLED(114)를 통해 흐르며, 여기서, K는 구동 트랜지스터(104)의 트랜스 컨덕턴스(trans-conductance) 계수이고, ΔVOLED =VOLED-VOLEDi이다.
도 2는 도 1A-1B의 동작에 대한 시뮬레이션 결과의 예를 도시한다. 도 2의 그래프는 전압 변화의 함수로서 구동 사이클(122) 동안의 OLED 전류를 나타낸다. 도 1A, 1B 및 2를 참조하면, ΔVOLED가 시간에 따라 증가함에 따라, OLED(114)의 구동 전류 역시 증가함을 알 수 있다. 따라서, 화소 회로(100)는 OLED(114)의 구동 전류를 증가시킴으로써 OLED(114)의 휘도 열화를 보상한다.
도 3은 도 1A-1B의 동작에 대한 다른 시뮬레이션 결과의 예를 도시한다. 도 3의 그래프는 구동 트랜지스터(104)의 문턱 전압의 변화의 함수로서 구동 사이클(122) 동안의 OLED 전류를 나타낸다. 도 1A, 1B 및 3을 참조하면, 화소 회로(100)는 구동 트랜지스터(104)의 문턱 전압의 변화를 보상하는데, 이는 OLED(114)의 구동 전류가 구동 트랜지스터(104)의 문턱 전압에 무관하기 때문이다. 도 3에 도시된 결과는 구동 트랜지스터의 문턱 전압이 4V 변화하는 것에 대한 OLED 전류 안정성을 강조한다.
도 4A는 본 발명의 다른 실시예에 따른 화소 구동 방식이 적용된 화소 회로의 예를 그 제어 신호선과 함께 도시한다. 도 4A의 화소 회로(130)는 5개의 트랜지스터(132-140), 저장 캐패시터(142) 및 OLED(144)를 포함한다. 화소 회로(130)는 2개의 선택선 SEL1, SEL2, 신호선 VDATA, 전압선 VDD 및 공통 접지에 연결되어 있다.
트랜지스터(132-140)는 도 1A의 트랜지스터(102-110)와 동일하거나 유사할 수 있다. 트랜지스터(132-140)는 비정질 실리콘, 폴리 실리콘, 또는 유기 TFT 또는 CMOS 기술의 표준 NMOS일 수 있다. 저장 캐패시터(142) 및 OLED(144)는 각각 도 1A의 저장 캐패시터(112) 및 OLED(114)와 동일하거나 유사하다.
트랜지스터(134)는 구동 트랜지스터이다. 구동 트랜지스터(134)의 소스 및 드레인 단자들은 OLED(144)의 애노드 전극과 트랜지스터(132)의 소스 단자에 각각 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(134)의 게이트 단자는 트랜지스터(136)의 소스 단자에 연결되어 있으며, 트랜지스터(140)를 통하여 신호선 VDATA에 연결되어 있다. 트랜지스터(136)의 드레인 단자는 트랜지스터(132)의 소스 단자에, 게이트 단자는 신호선 SEL2에 연결되어 있다.
트랜지스터(138)의 드레인 단자는 트랜지스터(140)의 소스 단자에, 소스 단자는 OLED(144)의 애노드에, 게이트 단자는 선택선 SEL1에 연결되어 있다.
트랜지스터(140)의 드레인 단자는 신호선 VDATA에, 게이트 단자는 선택선 SEL2에 연결되어 있다.
구동 트랜지스터(134), 트랜지스터(136) 및 저장 캐패시터(142)는 노드 A2에 연결되어 있다. 트랜지스터(138, 140) 및 저장 캐패시터(142)는 노드 B2에 연결되어 있다.
도 4B는 도 4A의 화소 회로(130)를 동작시키는 방법의 예를 도시한다. 도 4A의 화소 회로(130)는 n형 트랜지스터를 포함한다. 그러나, 본 기술분야의 당업자는 도 4B의 방법을 p형 트랜지스터를 갖는 화소 회로에 적용 가능함을 이해할 것이다.
도 4A-4B를 참조하면, 화소 회로(130)의 동작은 2개의 동작 사이클, 즉 프로그래밍 사이클(150) 및 구동 사이클(152)을 포함한다. 프로그래밍 사이클(150)의 마지막에 노드 A2는 (VP+VT+ΔVOLED)로 충전되고, 여기서 VP는 프로그래밍 전압, VT는 트랜지스터(134)의 문턱 전압, 그리고 ΔVOLED는 바이어스 스트레스하에서의 OLED 전압 변화이다.
프로그래밍 사이클(150)은 두 개의 서브 사이클, 즉 프리차징 P21 및 보상 P22을 포함하고, 이후 각각 프리차징 서브 사이클 P21과 보상 서브 사이클 P22이라 한다.
프리차징 서브 사이클 P21 동안, 선택선 SEL1, SEL2은 하이이고, VDATA는 적절한 전압 VOLEDi로 바뀌면서 OLED(144)를 턴오프시킨다. VOLEDi는 OLED의 최소 온 전압보다 낮은 소정의 전압이다. 프리차징 서브 사이클 P21의 마지막에 저장 캐패시터(142)는 (VDD+VOLEDi)에 가까운 전압으로 충전된다. VDATA에서의 전압은 (VOLEDi-VP)로 설정되고, VP는 프로그래밍 전압이다.
보상 서브 사이클 P22 동안, 선택선 SEL2은 하이가 되어 트랜지스터(136, 140)는 턴온되고, 선택선 SEL1은 로우가 되어 트랜지스터(132, 138)는 오프된다. P22에서의 VDATA의 전압은 P21의 전압과는 달라져 P22의 마지막에 A2를 (VP+VT+ΔVOLED)로 적절하게 충전시킨다. 그 결과로서, 저장 캐패시터(142)는 구동 트랜지스터(134)와 OLED(144)를 흐르는 전류가 0에 가까워질 때까지 트랜지스터(134)와 OLED(144)를 통하여 방전을 시작한다. 결과적으로, 저장 캐패시터(142)에는 (VT+VP+VOLED-VOLEDi)에 가까운 전압이 저장되며, VOLED는 OLED(144)의 온 전압이다.
구동 사이클(152) 동안, 선택선 SEL2은 로우가 되어 트랜지스터(136, 140)는 턴오프된다. 선택선 SEL1은 하이가 되어 트랜지스터(132, 138)는 턴온된다. 그 결과로서, 저장 캐패시터(142)는 신호선 VDATA로부터 차단되고, 구동 트랜지스 터(134)의 소스 단자에 연결된다.
구동 트랜지스터(134)가 포화 영역에 있는 경우, 다음 프로그래밍 사이클까지 K(VP+ΔVOLED)2에 가까운 전류가 OLED(144)를 통해 흐르며, 여기서, K는 구동 트랜지스터(134)의 트랜스 컨덕턴스(trans-conductance) 계수이고, ΔVOLED =VOLED-VOLEDi이다. 그 결과로서, ΔVOLED가 시간에 따라 증가함에 따라, OLED(144)의 구동 전류가 증가한다. 따라서, 화소 회로(130)는 OLED(144)의 구동 전류를 증가시킴으로써 OLED(144)의 휘도 열화를 보상한다.
더욱이, 화소 회로(130)는 구동 트랜지스터(134)의 문턱 전압 변화를 보상하여 OLED(144)의 구동 전류를 문턱값 VT와 무관하도록 한다.
도 5A는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 화소 구동 방식이 적용된 화소 회로의 예를 그 제어 신호선과 함께 도시한다. 도 5A의 화소 회로(160)는 6개의 트랜지스터(162-172), 저장 캐패시터(174) 및 OLED(176)를 포함한다. 화소 회로(160)는 두 개의 선택선 SEL1, SEL2, 신호선 VDATA, 전압선 VDD, 바이어스 전류선(bias current line) IBIAS 및 공통 접지에 연결되어 있다.
트랜지스터(162-172)는 비정질 실리콘, 폴리 실리콘, 또는 유기 TFT 또는 CMOS 기술의 표준 NMOS일 수 있다. 저장 캐패시터(174) 및 OLED(176)는 각각 도 1A의 저장 캐패시터(112) 및 OLED(114)와 동일하거나 유사하다.
트랜지스터(164)는 구동 트랜지스터이다. 구동 트랜지스터(164)의 소스 및 드레인 단자들은 OLED(176)의 애노드 전극과 트랜지스터(162)의 소스 단자에 각각 연결된다. 구동 트랜지스터(164)의 게이트 단자는 트랜지스터(170)를 통하여 신호선 VDATA에 연결되고, 트랜지스터(166)의 소스 단자에 연결된다. 트랜지스터(166)의 드레인 단자는 트랜지스터(162)의 소스 단자에, 게이트 단자는 신호선 SEL2에 연결되어 있다.
트랜지스터(168)의 드레인 단자는 트랜지스터(170)의 소스 단자에, 소스 단자는 OLED(176)의 애노드에, 게이트 단자는 선택선 SEL1에 연결되어 있다.
트랜지스터(170)의 드레인 단자는 VDATA에, 게이트 단자는 선택선 SEL2에 연결되어 있다.
트랜지스터(172)의 드레인 단자는 바이어스선 IBIAS에, 게이트 단자는 선택선 SEL2에, 그리고 소스 단자는 트랜지스터(162)의 소스 단자와 트랜지스터(164)의 드레인 단자에 연결되어 있다.
구동 트랜지스터(164), 트랜지스터(166) 및 저장 캐패시터(174)는 노드 A3에 연결되어 있다. 트랜지스터(168, 170) 및 저장 캐패시터(174)는 노드 B3에 연결되어 있다.
도 5B는 도 5A의 화소 회로(160)를 동작시키는 방법의 예를 도시한다. 도 5A의 화소 회로(160)는 n형 트랜지스터를 포함한다. 그러나, 본 기술분야의 당업자는 도 5B의 방법을 p형 트랜지스터를 갖는 화소 회로에 적용 가능함을 이해할 것이다.
도 5A-5B를 참조하면, 화소 회로(160)의 동작은 2개의 동작 사이클, 즉 프로 그래밍 사이클(180) 및 구동 사이클(182)을 포함한다. 제2 동작 사이클(182)의 시작시에 노드 A3은 (VP+VT+ΔVOLED)로 충전되고, 여기서 VP는 프로그래밍 전압, VT는 트랜지스터(164)의 문턱 전압, 그리고 ΔVOLED는 바이어스 스트레스하에서의 OLED 전압 변화이다. VT 및 ΔVOLED는 큰 IBIAS에 의하여 생성되어 빠른 프로그래밍을 가능하게 한다.
제1 동작 사이클(180) 동안, 선택선 SEL1은 로우이고, 선택선 SEL2는 하이이며, VDATA는 적절한 전압(VOLEDi-VP)으로 바뀌며, VP는 프로그래밍 전압이다. 이러한 적절한 전압은 OLED들의 최소 온 전압보다 작은 소정의 전압이다. 또한, 바이어스선 IBIAS는 화소 회로(160)에 바이어스 전류("IBIAS"라 지칭됨)를 공급한다. 이 사이클의 마지막에 노드 A3은 VBIAS+VT+VOLED(IBIAS)로 충전되며, 여기서 VBIAS는 바이어스 전류 IBIAS에 관한 것이고, VOLED(IBIAS)는 IBIAS에 대응하는 OLED(176)의 전압이다. 노드 A3에서의 전압은 사이클(180)의 마지막에는 VP와 무관하다. 사이클(182)의 시작시에는 (VP+VT+ΔVOLED)로 충전된다.
제2 동작 사이클(182) 동안, 선택선 SEL1은 하이이고, 선택선 SEL2는 로우이다. 그 결과로서, 노드 B3은 VOLED(IP)로 충전되고, 여기서 VOLED(IP)는 화소 전류에 해당하는 OLED(176)의 전압이다. 따라서, 트랜지스터(164)의 게이트 소스간 전압은 (VP+ΔVOLED+VT)로 되며, 여기서 ΔVOLED=VOLED(IBIAS)-VOLEDi이다. OLED의 휘도가 감소 하는 동안 OLED 전압이 증가하여 휘도를 일정하게 하므로, 트랜지스터(164)의 게이트 소스간 전압이 증가하여 더 높은 OLED 전류가 흐르게 한다. 결과적으로, OLED(176)의 휘도는 일정하게 유지된다.
도 6은 도 1A의 화소 회로(100)를 포함하는 표시 시스템(200)의 예를 도시한다. 도 6의 표시 어레이(202)는 행과 열로 배치된 복수의 화소 회로(100)를 포함하며, AMOLED 표시 장치를 구성할 수 있다. VDATAj(j=1, 2,..)는 도 1A의 VDATA에 해당한다. SEL1k, SEL2k 및 SEL3k(k=1, 2,..)는 도 1A의 SEL1, SEL2 및 SEL3에 각각 해당한다. 선택선 SEL1k, SEL2k, SEL3k는 표시 어레이(202)의 공통 행에 있는 화소들 간에 공유된다. 신호선 VDATAj는 표시 어레이(202)의 공통 열에 있는 화소들 간에 공유된다.
표시 시스템(200)은 어드레스 구동기(address driver)(206), 소스 구동기(source driver)(208) 및 제어기(controller)(210)를 갖는 구동 모듈(204)을 포함한다. 선택선 SEL1k, SEL2k, SEL3k는 어드레스 구동기(206)에 의하여 구동된다. 신호선 VDATAj는 소스 구동기(208)에 의하여 구동된다. 제어기(210)는 어드레스 구동기(206)와 소스 구동기(208)의 동작을 제어하여 표시 어레이(202)를 동작시킨다.
도 1B에 도시된 파형은 구동 모듈(204)에 의하여 생성된다. 구동 모듈(204)은 또한 프로그래밍 전압을 생성한다. OLED 열화, 문턱 전압 변화 및 그라운드 바운싱에 대한 보상이 화소에서 이루어진다. 제3 사이클(도 1B의 122) 동안, 구동 트랜지스터의 게이스 소스간 전압은 저장 캐패시터(도 1의 112)에 저장된 전압에 의하여 정해진다. 따라서, 그라운드 바운싱은 게이트 소스간 전압을 변화시키지 않으며, 화소 전류가 안정된다.
도 7은 도 6의 표시 어레이를 동작시키는 방법의 예를 도시한다. 도 7에서, Row(i)(i=1, 2,..)는 도 6의 표시 어레이(202)의 행을 나타낸다. 도 7에서의 "120" 및 "122"는 "프로그래밍 사이클" 및 "구동 사이클"을 각각 나타내고, 도 1B의 그것에 각각 대응한다. 도 7에서의 "P11" 및 "P12"는 "프리차징 서브 사이클" 및 "보상 서브 사이클"을 각각 나타내고, 도 1B의 그것에 각각 대응한다. 한 행에서의 보상 서브 사이클 P12와 인접 행에서의 프리차징 서브 사이클 P11은 병렬로 행해진다. 또한, 한 행에서의 구동 사이클(122) 동안, 인접 행에서는 보상 서브 사이클 P12이 행해진다. 도 6의 표시 시스템(200)은 병렬 동작, 즉 서로에 대하여 영향을 미치지 않고, 상이한 사이클들을 독립적으로 수행할 수 있는 동작을 구현하도록 설계된다.
도 8은 도 4A의 화소 회로(130)를 포함하는 표시 시스템(300)의 예를 도시한다. 도 8의 표시 어레이(302)는 행과 열로 배치된 복수의 화소 회로(130)를 포함하고, AMOLED 표시 장치를 구성할 수 있다. VDATAj(j=1, 2,..)는 도 4A의 VDATA에 해당한다. SEL1k 및 SEL2k(k=1, 2,..)는 도 4A의 SEL1 및 SEL2에 각각 해당한다. 선택선 SEL1k, SEL2k는 표시 어레이(302)의 공통 행에 있는 화소들 간에 공유된다. 신호선 VDATAj는 표시 어레이(302)의 공통 열에 있는 화소들 간에 공유된다.
표시 시스템(300)은 어드레스 구동기(306), 소스 구동기(308) 및 제어기(310)를 구비하는 구동 모듈(304)을 포함한다. 선택선 SEL1k, SEL2k는 어드레스 구동기(306)에 의하여 구동된다. 신호선 VDATAj는 소스 구동기(308)에 의하여 구동된다. 제어기(310)는 어드레스 구동기(306)와 소스 구동기(308)의 동작을 제어하여 표시 어레이(302)를 동작시킨다.
도 4B에 도시된 파형은 구동 모듈(304)에 의하여 생성된다. 구동 모듈(304)은 또한 프로그래밍 전압을 생성한다. OLED 열화, 문턱 전압 변화 및 그라운드 바운싱에 대한 보상이 화소에서 이루어진다. 제3 사이클(도 4B의 152) 동안, 구동 트랜지스터의 게이스 소스간 전압은 저장 캐패시터(도 4A의 142)에 저장된 전압에 의하여 정해진다. 따라서, 그라운드 바운싱은 게이트 소스간 전압을 변화시키지 않으며, 화소 전류가 안정된다.
도 9는 도 8의 표시 어레이를 동작시키는 방법의 예를 도시한다. 도 9에서, Row(i)(i=1, 2,..)는 도 8의 표시 어레이(302)의 행을 나타낸다. 도 9에서의 "150" 및 "152"는 "프로그래밍 사이클" 및 "구동 사이클"을 각각 나타내고, 도 4B의 그것에 각각 해당한다. 도 9에서의 "P21" 및 "P22"는 "프리차징 서브 사이클" 및 "보상 서브 사이클"을 각각 나타내고, 도 4B의 그것에 각각 해당한다. 한 행에서의 보상 서브 사이클 P22와 인접 행에서의 프리차징 서브 사이클 P21은 병렬로 행해진다. 또한, 한 행에서의 구동 사이클(152) 동안, 인접 행에서는 보상 서브 사이클(P22)이 행해진다. 도 8의 표시 시스템(300)은 병렬 동작, 즉 서로에 대하여 영향을 미치지 않고, 상이한 사이클들을 독립적으로 수행할 수 있는 동작을 구현하도록 설계된다.
도 10은 도 5A의 화소 회로(160)를 포함하는 표시 시스템(400)의 예를 도시 한다. 도 10의 표시 어레이(402)는 행과 열로 배치된 복수의 화소 회로(160)를 포함하고, AMOLED 표시 장치를 구성할 수 있다. 표시 어레이(402)는 AMOLED 표시 장치일 수 있다. VDATAj(j=1, 2,..)는 도 5A의 VDATA에 해당한다. IBIASj(j=1, 2,...)는 도 5A의 IBIAS에 해당한다. SEL1k 및 SEL2k(k=1, 2,..)는 도 5A의 SEL1 및 SEL2에 각각 해당한다. 선택선 SEL1k, SEL2k는 표시 어레이(402)의 공통 행에 있는 화소들 간에 공유된다. 신호선 VDATAj 및 바이어스선 IBIASj는 표시 어레이(402)의 공통 열에 있는 화소들 간에 공유한다.
표시 시스템(400)은 어드레스 구동기(406), 소스 구동기(408) 및 제어기(410)를 구비하는 구동 모듈(404)을 포함한다. 선택선 SEL1k, SEL2k는 어드레스 구동기(406)에 의하여 구동된다. 신호선 VDATAj과 바이어스선 IBIASj는 소스 구동기(408)에 의하여 구동된다. 제어기(410)는 어드레스 구동기(406)와 소스 구동기(408)의 동작을 제어하여 표시 어레이(402)를 동작시킨다.
도 5B에 도시된 파형은 구동 모듈(404)에 의하여 생성된다. 구동 모듈(404)은 또한 프로그래밍 전압을 생성한다. OLED 열화, 문턱 전압 변화 및 그라운드 바운싱에 대한 보상이 화소에서 이루어진다. 제3 사이클(도 5B의 182) 동안, 구동 트랜지스터의 게이스 소스간 전압은 저장 캐패시터(도 5A의 174)에 저장된 전압에 의하여 정해진다. 따라서, 그라운드 바운싱은 게이트 소스간 전압을 변화시키지 않으며, 화소 전류가 안정된다.
도 11은 도 10의 표시 어레이를 동작시키는 방법의 예를 도시한다. 도 11에서, Row(i)(i=1, 2,..)는 도 10의 표시 어레이(402)의 행을 나타낸다. 도 11에서 의 "180" 및 "182"는 도 5B의 그것에 각각 해당한다. 프로그래밍 사이클(180)은 표시 어레이(402)의 행들에 대하여 후속적으로 행해진다. 한 행에서의 구동 사이클(182) 동안, 인접 행에서는 프로그래밍 사이클(180)이 행해진다. 도 10의 표시 시스템(400)은 병렬 동작, 즉 서로에 대하여 영향을 미치지 않고, 상이한 사이클들을 독립적으로 수행할 수 있는 동작을 구현하도록 설계된다.
모든 인용 문헌들은 본 명세서에서 참조로써 포함된다.
본 발명은 하나 이상의 실시예와 관련하여 설명되었다. 그러나, 청구범위에서 정의된 바와 같이 본 발명의 범주를 벗어나지 않고서도, 수많은 변형 및 변경이 이루어질 수 있음은 본 기술분야의 당업자에게 명백할 것이다.

Claims (30)

  1. 화소 회로(pixel circuit)로서,
    발광 소자,
    제1 단자 및 제2 단자를 갖는 저장 캐패시터,
    게이트 단자, 제1 단자 및 제2 단자를 갖는 제1 트랜지스터 - 상기 게이트 단자는 제1 선택선에 연결됨 - ;
    게이트 단자, 제1 단자 및 제2 단자를 갖는 제2 트랜지스터 - 상기 제1 단자는 상기 제1 트랜지스터의 상기 제2 단자에 연결되고, 상기 제2 단자는 상기 발광 소자에 연결됨 - ;
    게이트 단자, 제1 단자 및 제2 단자를 갖는 제3 트랜지스터 - 상기 게이트 단자는 제2 선택선에 연결되고, 상기 제1 단자는 상기 제1 트랜지스터의 상기 제2 단자에 연결되며, 상기 제2 단자는 상기 제2 트랜지스터의 상기 게이트 단자와 상기 저장 캐패시터의 상기 제1 단자에 연결됨 - ;
    게이트 단자, 제1 단자 및 제2 단자를 갖는 제4 트랜지스터 - 상기 게이트 단자는 제3 선택선에 연결되고, 상기 제1 단자는 상기 저장 캐패시터의 상기 제2 단자에 연결되며, 상기 제2 단자는 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 단자와 상기 발광 소자에 연결됨 - ; 및
    게이트 단자, 제1 단자 및 제2 단자를 갖는 제5 트랜지스터 - 상기 게이트 단자는 상기 제2 선택선에 연결되고, 상기 제1 단자는 신호선에 연결되며, 상기 제 2 단자는 상기 제4 트랜지스터의 상기 제1 단자와 상기 저장 캐패시터의 상기 제2 단자에 연결됨 -
    를 포함하는 화소 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 선택선, 상기 제2 선택선 및 상기 제3 선택선이 구동되어 프로그래밍 사이클(programming cycle) 및 구동 사이클(driving cycle)을 형성하고, 상기 프로그래밍 사이클은 프리차지 사이클(pre-charge cycle) 및 보상 사이클(compensation cycle)을 포함하는 화소 회로.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 저장 캐패시터는 상기 프리차지 사이클 동안 충전되고, 상기 보상 사이클 동안 방전되며, 상기 저장 캐패시터의 상기 제2 단자는 상기 구동 사이클 동안 상기 신호선으로부터 차단되고 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 단자와 연결되는 화소 회로.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 선택선, 상기 제2 선택선 및 상기 신호선이 구동되어, 상기 보상 사이클 동안 상기 저장 캐패시터가 상기 제2 트랜지스터의 문턱 전압, 상기 발광 소자와 관련된 전압 및 프로그래밍 전압에 따라 전압을 저장하도록 하는 화소 회 로.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제3 선택선은 상기 제1 선택선인 화소 회로.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 선택선 및 상기 제2 선택선이 구동되어 프로그래밍 사이클 및 구동 사이클을 형성하고, 상기 프로그래밍 사이클은 프리차지 사이클 및 보상 사이클을 포함하는 화소 회로.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 저장 캐패시터는 상기 프리차지 사이클 동안 충전되고, 상기 보상 사이클 동안 방전되며, 상기 저장 캐패시터의 상기 제2 단자는 상기 구동 사이클 동안 상기 신호선으로부터 차단되고 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 단자와 연결되는 화소 회로.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 선택선, 상기 제2 선택선 및 상기 신호선이 구동되어, 상기 보상 사이클 동안 상기 저장 캐패시터가 상기 제2 트랜지스터의 문턱 전압, 상기 발광 소자와 관련된 전압 및 프로그래밍 전압에 따라 전압을 저장하도록 하는 화소 회 로.
  9. 제5항에 있어서,
    게이트 단자, 제1 단자 및 제2 단자를 갖는 제6 트랜지스터 - 상기 게이트 단자는 상기 제2 선택선에 연결되고, 상기 제1 단자는 상기 제2 트랜지스터의 상기 제1 단자에 연결되며, 상기 제2 단자는 바이어스 전류선(bias current line)에 연결됨 - 를 더 포함하는 화소 회로.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 선택선 및 상기 제2 선택선이 구동되어 제1 동작 사이클 및 제2 동작 사이클을 형성하는 화소 회로.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 저장 캐패시터는 상기 제1 동작 사이클 동안 상기 신호선 및 상기 바이어스 전류선과 연결되고, 상기 제2 동작 사이클 동안 상기 저장 캐패시터는 상기 신호선 및 상기 바이어스 전류선으로부터 차단되고 상기 저장 캐패시터의 상기 제2 단자는 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 단자와 연결되는 화소 회로.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 선택선, 상기 제2 선택선, 상기 바이어스 전류선 및 상기 신호선이 구동되어, 상기 저장 캐패시터가 상기 제2 트랜지스터의 문턱 전압, 상기 발광 소자와 관련된 전압 및 프로그래밍 전압에 따라 전압을 저장하도록 하는 화소 회로.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광 소자는 유기 발광 다이오드인 화소 회로.
  14. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 화소 회로는 일렉트로-루미넌스 소자 표시 장치(electro-luminance device display)를 형성하는 화소 회로.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 화소 회로는 능동 행렬 발광 표시 장치(active matrix light emitting display)를 형성하는 화소 회로.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 표시 장치는 능동 행렬 유기 발광 표시 장치인 화소 회로.
  17. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 트랜지스터들 중 적어도 하나는 비정질, 나노/마이크로 결정, 다결정, 유기 재질, n형 재질, p형 재질 또는 CMOS 실리콘을 포함하는 화소 회로.
  18. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 트랜지스터들 중 적어도 하나는 n형 또는 p형 TFT인 화소 회로.
  19. 표시 시스템(display system)으로서,
    제1항의 상기 화소 회로에 의해 형성되는 표시 어레이(display array); 및
    상기 제1 선택선, 상기 제2 선택선, 상기 제3 선택선 및 상기 신호선을 구동하여, 프로그래밍 사이클 및 구동 사이클을 형성하는 구동 모듈
    을 포함하고,
    상기 프로그래밍 사이클은 프리차지 사이클 및 보상 사이클을 포함하며,
    상기 저장 캐패시터는 상기 프리차지 사이클 동안 충전되고 상기 보상 사이클 동안 방전되며, 상기 저장 캐패시터의 상기 제2 단자는 상기 구동 사이클 동안 상기 신호선으로부터 차단되고 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 단자와 연결되는 표시 시스템.
  20. 표시 시스템으로서,
    제6항의 상기 화소 회로에 의해 형성되는 표시 어레이; 및
    상기 제1 선택선, 상기 제2 선택선 및 상기 신호선을 구동하여, 프로그래밍 사이클 및 구동 사이클을 형성하는 구동 모듈
    을 포함하고,
    상기 프로그래밍 사이클은 프리차지 사이클 및 보상 사이클을 포함하며,
    상기 저장 캐패시터는 상기 프리차지 사이클 동안 충전되고, 상기 보상 사이클 동안 방전되며, 상기 저장 캐패시터의 상기 제2 단자는 상기 구동 사이클 동안 상기 신호선으로부터 차단되고 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 단자와 연결되는 표시 시스템.
  21. 표시 시스템으로서,
    제9항의 상기 화소 회로에 의해 형성되는 표시 어레이; 및
    상기 제1 선택선, 상기 제2 선택선, 상기 신호선 및 상기 바이어스 전류선을 구동하여, 제1 동작 사이클 및 제2 동작 사이클을 형성하는 구동 모듈
    을 포함하고,
    상기 저장 캐패시터는 상기 제1 동작 사이클 동안 상기 신호선 및 상기 바이어스 전류선과 연결되고, 상기 저장 캐패시터는 상기 제2 동작 사이클 동안 상기 신호선 및 상기 바이어스 전류선으로부터 차단되고 상기 제2 트랜지스터와 연결되는 표시 시스템.
  22. 제19항에 있어서,
    상기 구동 모듈은 상기 프리차지 사이클 및 상기 보상 사이클을 동작시켜, 상기 표시 어레이의 행에서는 상기 프리차지 사이클이, 상기 표시 어레이의 인접 행에서는 상기 보상 사이클이 병렬로 수행되도록 하는 표시 시스템.
  23. 제20항에 있어서,
    상기 구동 모듈은 상기 프리차지 사이클 및 상기 보상 사이클을 동작시켜, 상기 표시 어레이의 행에서는 상기 프리차지 사이클이, 상기 표시 어레이의 인접 행에서는 상기 보상 사이클이 병렬로 수행되도록 하는 표시 시스템.
  24. 제21항에 있어서,
    상기 구동 모듈은 상기 제1 동작 사이클 및 상기 제2 동작 사이클을 동작시켜, 상기 표시 어레이의 행들에서 상기 제1 동작 사이클을 후속하여 수행하고, 상기 제1 동작 사이클 다음에 상기 제2 동작 사이클을 수행하는 표시 시스템.
  25. 제1항의 상기 발광 소자의 열화를 보상하는 방법으로서,
    상기 저장 캐패시터를 상기 신호선에 연결시키는 것을 포함하여 상기 저장 캐패시터를 충전시키는 단계,
    상기 저장 캐패시터를 방전시키는 단계; 및
    상기 저장 캐패시터를 상기 신호선으로부터 차단시키고, 상기 저장 캐패시터의 상기 제2 단자를 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 단자와 연결시키는 단계
    를 포함하는 열화 보상 방법.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 제2 트랜지스터의 문턱 전압, 상기 발광 소자와 관련된 전압 및 프로그래밍 전압에 따라 전압이 상기 저장 캐패시터에 저장되어 상기 화소 회로를 구동하는 열화 보상 방법.
  27. 제1항의 상기 화소 회로에서 상기 트랜지스터의 문턱 전압의 변화를 보상하는 방법으로서,
    상기 저장 캐패시터를 상기 신호선에 연결시키는 것을 포함하여 상기 저장 캐패시터를 충전시키는 단계,
    상기 저장 캐패시터를 방전시키는 단계; 및
    상기 저장 캐패시터를 상기 신호선으로부터 차단시키고, 상기 저장 캐패시터의 상기 제2 단자를 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 단자와 연결시키는 단계
    를 포함하는 문턱 전압 변화 보상 방법.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 제2 트랜지스터의 문턱 전압, 상기 발광 소자와 관련된 전압 및 프로그래밍 전압에 따라 전압이 상기 저장 캐패시터에 저장되어 상기 화소 회로를 구동하는 문턱 전압 변화 보상 방법.
  29. 제1항의 상기 화소 회로의 그라운드 바운싱(ground bouncing) 또는 IR 강하(drop)를 보상하는 방법으로서,
    상기 저장 캐패시터를 상기 신호선 및 상기 바이어스 전류선에 연결시키는 것을 포함하여 상기 저장 캐패시터를 충전시키는 단계,
    상기 저장 캐패시터를 방전시키는 단계; 및
    상기 저장 캐패시터를 상기 신호선 및 상기 바이어스 신호선으로부터 차단시키고, 상기 저장 캐패시터의 상기 제2 단자를 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 단자와 연결시키는 단계
    를 포함하는 화소 회로 보상 방법.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 제2 트랜지스터의 문턱 전압, 상기 발광 소자와 관련된 전압 및 프로그래밍 전압에 따라 전압이 상기 저장 캐패시터에 저장되어 상기 화소 회로를 구동하는 화소 회로 보상 방법.
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