JP4287820B2 - 表示装置、及びその製造方法 - Google Patents

Description

【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用した表示装置、及びその製造方法に関し、特にボトムエミッション型のアクティブマトリクス有機ＥＬパネルに適用するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光型のディスプレイとして、有機固体に電極からキャリアを注入し、面状発光を取り出す有機ＥＬを用いた有機ＥＬディスプレイの開発が盛んに行われている。この有機ＥＬディスプレイは、例えば駆動方法の相違によりパッシブマトリクス型とアクティブマトリクス型に分類される。前者はマトリクス状に配置された画素を線順次駆動により発光させる形態を採り、後者はマトリクス状の画素毎にスイッチング素子が配置され、スイッチング素子の駆動制御により個々の画素毎に発光させる形態を採る。
【０００３】
アクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイは、各スイッチング回路により個々の画素毎に発光制御する駆動方法を採るため、特に動画の表示に最適なディスプレイとして注目されており、ガラス基板側へ発光を取り出すボトムエミッション型と、ガラス基板の反対側へ発光を取り出すトップエミッション型のものがある。
【０００４】
ボトムエミッション型のアクティブマトリクス有機ＥＬパネルは、画素毎にスイッチング回路を設け、しかもガラス基板側へ発光することから、画素の半分を占めるスイッチング回路の部分が必然的に非発光領域となる。加えて、フルカラー表示するために必要なＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の３つの発光領域は各色に対応して有機ＥＬ発光層を独立に塗り分けて形成されるため、隣接する発光領域間には色毎に塗り分けるための位置合わせマージン（ｄｍ）が必要であり、このｄｍ部位も非発光領域となる。
【０００５】
従来、Ｒ，Ｇ，Ｂの３つの発光領域の発光領域とスイッチング回路部の配置は各色で連続している（図４（横（Ｘ方向）並び配置）参照）。画素成膜装置の位置合わせ精度とパターニング用マスクの加工精度とに依存するため、位置合わせマージン（ｄｍ）の抑制には限界があり、現状では一般的にｄｍ＝２０μｍ（±１０μｍ相当）が最小値である。ここで、高精細化を図るほど各発光領域幅は細くなるが、ｄｍの最小値は一定であるため、高精細化においては画素に占めるｄｍの割合が増加し、発光領域の占める割合（開口率）が縮小してしまう。開口率が小さくなると発光輝度が下がるため、発光に寄与する電流量を増大して必要輝度を確保する必要があり、これにより消費電力の増加を招来するという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、十分な開口率を効率良く確保し、高精細化を図る場合にも開口率を殆ど犠牲にすることのない画素配置を実現し、これにより必要な輝度を得るための消費電力を抑えることができ、駆動回路及び装置全体の小型化に寄与することを可能とするボトムエミッション型のアクティブマトリクス有機ＥＬパネルを備えた表示装置、及び当該表示装置の構成を容易且つ確実に実現する製造方法を提供することを目的とする。
【発明の開示】
【０００７】
本発明の表示装置は、基板上に設けられた第１の電極及び第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた有機ＥＬ発光層と、前記有機ＥＬ発光層の発光を制御するスイッチング回路と、を有するアクティブマトリクス有機ＥＬパネルを備えた表示装置であって、前記有機ＥＬ発光層は発光領域を含み、前記発光領域とこれに対応したスイッチング回路とを長手方向に配置した領域が、複数の前記発光領域が千鳥状となるように隣接配置され、前記発光領域の面積がこれに対応する前記スイッチング回路の面積よりも小さく、隣接する発光領域がこれに対応する前記スイッチング回路を介して隔てられ非接触状態とされている。
【０００８】
本発明の表示装置の製造方法は、基板上に設けられた第１の電極及び第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた有機ＥＬ発光層と、前記有機ＥＬ発光層の発光を制御するスイッチング回路と、を有するアクティブマトリクス有機ＥＬパネルを備えた表示装置の製造方法であって、前記有機ＥＬ発光層は発光領域を含んでなり、前記各発光領域を複数含むように形成するに際して、マスク蒸着法により、前記発光領域とこれに対応したスイッチング回路とを長手方向に配置した領域が、複数の前記発光領域が千鳥状となって隣接配置され、且つ前記発光領域の面積がこれに対応する前記スイッチング回路の面積よりも小さく、隣接する発光領域がこれに対応する前記スイッチング回路を介して隔てられ非接触状態となるように、前記各発光領域に対応する前記有機ＥＬ発光層を形成する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、参考例１による有機ＥＬディスプレイの有機ＥＬ層を示す概略断面図である。
図２は、参考例１による有機ＥＬディスプレイの主要構成をなす有機ＥＬ発光層の表面を拡大して示す概略平面図である。
図３は、図２の画素ユニットを拡大して示す概略平面図である。
図４は、従来のボトムエミッション型のアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイにおける画素配置の一例を示す概略平面図である。
図５は、画素の高精細化と開口率との関係について、従来例（前記比較例）との比較に基づいて調べた結果を示す特性図である。
図６Ａ〜図６Ｇは、参考例１の有機ＥＬディスプレイを製造する際の主要工程を順に示す概略断面図である。
図７は、参考例２による有機ＥＬディスプレイの主要構成をなす有機ＥＬ発光層の表面を拡大して示す概略平面図である。
図８は、本実施形態による有機ＥＬディスプレイの主要構成をなす有機ＥＬ発光層の表面を拡大して示す概略平面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明を適用した具体的な実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１１】
以下、本発明を適用した好適な実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。この実施形態では、主としてボトムエミッション型のアクティブマトリクス有機ＥＬパネルを備えた表示装置（ボトムエミッション型のアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイ）を対象とする。
【００１２】
−有機ＥＬディスプレイの具体的構成−
図１は、参考例１による有機ＥＬディスプレイのパネル構成を示す概略断面図であり、図２は、参考例１による有機ＥＬディスプレイの主要構成をなす有機ＥＬ発光層の表面を拡大して示す概略平面図、図３は、図２の画素を拡大して示す概略平面図である。ここで、図１は図３のＩ−Ｉ’に沿った断面に対応している。
【００１３】
この有機ＥＬディスプレイは、図１に示すように、透明基板として例えばガラス基板１上に、発光を制御するスイッチング回路としてＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子１２を構成し、平坦化膜１０によりＴＦＴ素子１２及び配線の絶縁保護をするとともに、有機ＥＬ素子を積層するための平坦な面を形成する。同面上に、透明電極として例えば酸化インジウム−錫合金（ＩＴＯ）等を含む材料からなる複数の第１の電極２と、各第１の電極２に対応する複数の有機ＥＬ層３と、アルミニウム等を含む材料からなり全面を覆う第２の電極４とが積層されてなり、各第１の電極２と第２の電極４との間に各有機ＥＬ層３が挟持され、平坦化膜１０の一部に設けたスルーホールにより第１の電極２とＴＦＴ素子１２とが接続されるように構成されている。ここで、有機ＥＬ層３の面積が第１の電極２の面積よりも大きくなるように形成されている。駆動時には、有機ＥＬ層３から第１の電極２及びガラス基板１を経て発光がなされることになる。
【００１４】
図２に示すように、複数の画素２１がマトリクス状に配置されており、各画素２１は、複数の発光領域であり、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応する発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂと、発光領域毎に対応して設けられ、各発光領域の発光を制御するスイッチング回路となる複数のＴＦＴ素子１２とを含む。ここでは、第１の電極２と有機ＥＬ層３との重畳部分がそれぞれ発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂとなる。各発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂは、千鳥状に配置されており、各発光領域の角部位に設けられた非発光領域１３により隣接する発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂと互いに非接触状態とされている。１つの画素２１はＰ×Ｐの正方形状となる。各画素２１は、縦方向２分割、横方向３分割した６つの区画２２ａ〜２２ｃ，２３ａ〜２３ｃに分割されており、千鳥状の３つの区画２２ａ〜２２ｃに各発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂが配置されるとともに、残りの３つの区画２３ａ〜２３ｃに各ＴＦＴ素子１２が配置されて構成される。ここでは、同色の発光領域がＴＦＴ素子１２を介して縦（Ｙ方向）一列に配置されている。
【００１５】
ここで、参考例１の比較例として、従来のボトムエミッション型のアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイにおける画素配置の一例を図４に示す。
【００１６】
このように従来では、画素１１１の構成要素である発光領域１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂは横（Ｘ方向）一列に配置されているため、隣接する発光領域は互いに当該発光領域の縦一辺部位に設けられた非発光領域１０３及びＴＦＴ素子１０２により隔てられている。この非発光領域１０３の面積を小さくするには必然的に限界がある。
【００１７】
これに比べて、参考例１では、各発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂにはそれぞれ４つの角部位に非発光領域１３として切り欠き、ここではＣ面取り形状（Ｒ形状でも良い。）の切り欠きが形成されており、この非発光領域１３及びＴＦＴ回路１２により隣接する発光領域同士が互いに非接触状態に保たれる。非発光領域１３は発光領域の角部位に形成されるために極めて小さい面積を確保すれば十分であり、図４に比べて格段に開口率を向上させることが可能となる。
【００１８】
この画素配置構成を基本とし、一例として精細度１６０ｐｐｉの寸法について図３を用いて説明する。なお、この寸法は飽くまで一例であり、本発明がこれに限定されないことは言うまでもない。
【００１９】
精細度１６０ｐｐｉのとき、Ｐ＝１５９μｍであるから、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色にそれぞれ占める領域を与えると、その面積は１５９μｍ×５３μｍであり、このうち各半分の７９．５μｍ×５３μｍがＴＦＴ素子１２の占める領域、残りの半分の７９．５μｍ×５３μｍが各発光領域の占める領域となる。この発光領域の占める領域の角部位において、３色の塗り分けに必要な位置合わせマージン及びスイッチング回路の各種配線スペースを確保するため、非発光領域１３として所謂Ｃ面取りを設ける。塗り分けに必要な位置合わせマージンはｄｍ＝２０μｍ（画素成膜装置の位置合わせ精度±５μｍ＋Ｒ，Ｇ，Ｂパターニング用マスクの加工精度±５μｍ）である。配線は、データ線３１、走査線３２、電源線３３、保持容量線３４が必要であり、各々５μｍ〜１５μｍ幅とする。データ線３１をＹ方向に配線し、走査線３２、電源線３３及び保持容量線３４をＸ方向に配線する。ＴＦＴ素子１２におけるこれらの配線は多層膜形成によって各々異なる層で構成され、配線間の接続は層間絶縁膜に設けたスルーホール３５を介して成される。従って、各色発光領域の角部位においてＣ１５μｍの面取りを設けることで、位置合わせマージンと配線スペースを確保できる。
【００２０】
各発光領域を形成するには、ガラス基板上の透明電極である第１の電極２の形状を７９．５μｍ×５３μｍの矩形状とし、各角部位の面取りをＣ１５μｍとする。従って、各色の区分の面積が１５９μｍ×５３μｍ＝８４２７μｍ^２となるのに対して、実効的な発光領域の面積が７９．５μｍ×５３μｍ−Ｃ１５μｍ×４＝３７６３．５μｍ^２となり、開口率は（３７６３．５／８４２７）×１００＝４４．７％となる。
【００２１】
これに対して、図４の比較例では、画素のピッチＰにおける各Ｒ，Ｇ，Ｂの発光領域の区画幅はＰ／３であり、塗り分け用の位置合わせマージンｄｍを確保することで発光領域の幅はＰ／３−ｄｍとなる。塗り分け用の位置合わせマージンｄｍを下限値で設計し高精細化を図ると、ピッチＰを小さくするほどｄｍによる発光領域幅の減少割合が大きくなり、開口率が小さくなってしまう。
【００２２】
例えば、Ｐ＝３１８μｍ（精細度８０ｐｐｉ）、ｄｍ＝２０μｍのとき、発光領域の寸法Ｌ×Ｗ＝１５９μｍ×８６μｍ、開口率４０．６％であるが、Ｐ＝１５９μｍ（精細度１６０ｐｐｉ）、ｄｍ＝２０μｍのとき、Ｌ×Ｗ＝７９．５μｍ×３３μｍ、開口率３１．１％となり、高精細化するに従い位置合わせマージンｄｍによって開口率を大きく損失してしまう。
【００２３】
また、上述した構成の参考例１による有機ＥＬディスプレイにおいて、画素の高精細化と開口率との関係について、従来例（前記比較例）との比較に基づいて調べた。結果を図５に示す。このように、塗り分けに必要な位置合わせマージンｄｍ＝２０μｍの場合において、精細度の大小に関わらず参考例１の構成における開口率は従来の構成における開口率を大きく上回る。従って、ボトムエミッション型のアクティブマトリクス有機ＥＬパネルにおいては、参考例１の構成が開口率を向上させるために極めて有効であることが判った。
【００２４】
このように、参考例１では、当該比較例に比べて開口率を１３．６％向上させることができる。従って、参考例１によれば、十分な開口率を効率良く確保し、高精細化を図る場合にも開口率を殆ど犠牲にすることのない画素配置を実現し、これにより必要な輝度を得るための消費電力を抑えることができ、駆動回路及び装置全体の小型化に寄与することを可能とするボトムエミッション型のアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイが実現する。
【００２５】
−有機ＥＬディスプレイの製造方法の具体例−
図６Ａ〜図６Ｇは、参考例１の有機ＥＬディスプレイを製造する際の主要工程を順に示す概略断面図である。ここで、図６Ａ〜図６Ｇの各図において、紙面上で左側が図３のＩＩ−ＩＩ’に沿った断面を、右側が図３のＩＩＩ−ＩＩＩ’に沿った断面をそれぞれ示す。
【００２６】
先ず、図６Ａに示すように、透明基板として例えばガラス基板１の表面に、スイッチング回路となるＴＦＴ素子１２と、データ線３１、走査線３２、電源線３３、保持容量線３４等の各種配線とを形成した後、これらを覆うように透明樹脂からなる平坦化膜１０を形成する。ここで、ＴＦＴ素子１２は、上述のように画素２１の区画２３ａ〜２３ｃに相当する部位に形成される。
続いて、図６Ｂに示すように、上述した実効的な発光部分に透明電極である酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）を成膜し、第１の電極２を形成する。
続いて、各画素２１を構成する発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂを順次形成する。
【００２７】
具体的には、先ず図６Ｃに示すように、発光領域の形成領域に対応して開口５ａが設けられた蒸着マスク５を用い、開口５ａが発光領域１１Ｒに対応する有機ＥＬ層３の形成位置のみに位置するように蒸着マスク５をガラス基板１の表面に重ねて、蒸着法により発光領域１１Ｒに対応する有機ＥＬ層３を区画２２ａに形成する。このとき、第１の電極２は発光領域１１Ｒの有機ＥＬ層３により完全に覆われ、他色の第１の電極２にはこの有機ＥＬ層３は重ならない。
【００２８】
続いて、図６Ｄに示すように、同一の蒸着マスク５を用い、開口５ａが発光領域１１Ｇに対応する有機ＥＬ層３の形成位置のみに位置するように蒸着マスク５を移動させてガラス基板１の表面に重ね、蒸着法により発光領域１１Ｇに対応する有機ＥＬ層３を区画２２ｂに形成する。このとき、第１の電極２は発光領域１１Ｇの有機ＥＬ層３により完全に覆われ、他色の第１の電極２にはこの有機ＥＬ層３は重ならない。
【００２９】
続いて、図６Ｅに示すように、同一の蒸着マスク５を用い、開口５ａが発光領域１１Ｂに対応する有機ＥＬ層３の形成位置のみに位置するように蒸着マスク５を移動させてガラス基板１の表面に重ね、蒸着法により発光領域１１Ｂに対応する有機ＥＬ層３を区画２２ｃに形成する。このとき、第１の電極２は発光領域１１Ｂの有機ＥＬ層３により完全に覆われ、他色の第１の電極２にはこの有機ＥＬ層３は重ならない。
【００３０】
以上、図６Ｃ〜図６Ｅの各工程を経て、各発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂにはそれぞれ４つの角部位に非発光領域１３、ここではＣ面取り形状（Ｒ形状でも良い。）の非発光領域１３が形成され、これら非発光領域１３がＴＦＴ素子１２の区画２３ａ〜２３ｃとともに非発光領域とされており、隣接する発光領域同士が互いに非接触状態に保たれてなる画素２１をマトリクス状に複数有するように、各有機ＥＬ層３を形成する。ここで、各発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂに対応する有機ＥＬ層３をそれぞれ第１の電極２よりも面積を大きくこれを覆うように形成することにより、各発光領域を形成する際の位置合わせマージンを確保することができ、更にはＴＦＴ素子領域を高精細化における位置合わせマージンの確保に利用することにより、開口率を向上させることが可能となる。
【００３１】
また、各発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂが互いに近接することなく面内に均一に配置するため、同色の発光領域をＴＦＴ素子１２を介して一列に配置するように形成する。
続いて、図６Ｆに示すように、全発光領域を露出させるように開口６ａが設けられた蒸着マスク６を用い、これをガラス基板１の表面に重ねて蒸着法によりアルミニウム合金膜を成膜し、全発光領域を覆うように第２の電極４を形成する。
そして、図６Ｇに示すように、第２の電極４を覆うようにガラス等からなる不透湿板７を例えば接着剤８により接着固定し、形成した有機ＥＬ層３が水分等によって劣化することを防止する。ガラス基板１上に形成された各種導電部材はＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）の配線９を介して駆動回路（不図示）と接続される。
【００３２】
しかる後、諸々の後工程を経て、例えば精細度１６０ｐｐｉで開口率４４．７％のボトムエミッション型アクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイを完成させる。
【００３３】
以上説明したように、参考例１によれば、上述した構成の有機ＥＬディスプレイを製造するに際して、各発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂに対応する有機ＥＬ層３の形成にマスク蒸着法を用い、同一の蒸着マスク５を順次移動させて各発光領域を形成する手法を採ることにより、単一の蒸着マスク５を単一の成膜室で容易に形成でき、低分子有機ＥＬの蒸着形成が可能となり、容易且つ確実に上述した構成の有機ＥＬディスプレイを実現することができる。
【００３４】
−参考例１の諸変形例−
以下、参考例１のいくつかの変形例について説明する。
【００３５】
（参考例２）
図７は、参考例２による有機ＥＬディスプレイの主要構成をなす有機ＥＬ発光層の表面を拡大して示す概略平面図である。
この有機ＥＬディスプレイでは、各画素２１において、各発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの面積がそれぞれＴＦＴ素子１２の面積よりも大きく形成されている。この場合も、３色の塗り分けに必要な位置合わせマージンをＴＦＴ素子１２の区画に吸収させることができ、開口率を高めることができる。
【００３６】
（実施形態）
図８は、実施形態による有機ＥＬディスプレイの主要構成をなす有機ＥＬ発光層の表面を拡大して示す概略平面図である。
この有機ＥＬディスプレイでは、各画素２１において、各発光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの面積がそれぞれＴＦＴ素子１２の面積よりも小さく形成されている。この場合、隣接（図示の例ではＴＦＴ素子１２の区画は接触している。）するＴＦＴ素子１２により、隣接する発光領域間が隔てられるため、各発光領域に付随した非発光領域を設ける必要がなく、従って開口率を高めることができる。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明によれば、十分な開口率を効率良く確保し、高精細化を図る場合にも開口率を殆ど犠牲にすることのない画素配置を実現し、これにより必要な輝度を得るための消費電力を抑えることができ、駆動回路及び装置全体の小型化に寄与することを可能とするボトムエミッション型のアクティブマトリクス有機ＥＬパネルを備えた表示装置、及び当該表示装置の構成を容易且つ確実に実現する製造方法を提供することができる。

Claims (9)

1. 基板上に設けられた第１の電極及び第２の電極と、
   前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた有機ＥＬ発光層と、
   前記有機ＥＬ発光層の発光を制御するスイッチング回路と、
   を有するアクティブマトリクス有機ＥＬパネルを備えた表示装置であって、
   前記有機ＥＬ発光層は発光領域を含み、
   前記発光領域とこれに対応したスイッチング回路とを長手方向に配置した領域が、複数の前記発光領域が千鳥状となるように隣接配置され、
   前記発光領域の面積がこれに対応する前記スイッチング回路の面積よりも小さく、隣接する発光領域がこれに対応する前記スイッチング回路を介して隔てられ非接触状態とされている表示装置。
2. Ｒ，Ｇ，Ｂに対応する３種の前記発光領域と、３種の前記発光領域に対応した３つの前記スイッチング回路とが複数マトリクス状に配置されてなり、
   縦方向２分割、横方向３分割した６つの区画において、千鳥状の３つの前記区画に前記各発光領域が配置されるとともに、残りの３つの前記区画に前記各スイッチング回路が配置されてなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 同色の前記発光領域が前記スイッチング回路を介して一列に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
4. 前記有機ＥＬ発光層の面積が前記第１の電極の面積よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
5. 基板上に設けられた第１の電極及び第２の電極と、
   前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた有機ＥＬ発光層と、
   前記有機ＥＬ発光層の発光を制御するスイッチング回路と、
   を有するアクティブマトリクス有機ＥＬパネルを備えた表示装置の製造方法であって、
   前記有機ＥＬ発光層は発光領域を含んでなり、前記各発光領域を複数含むように形成するに際して、
   マスク蒸着法により、前記発光領域とこれに対応したスイッチング回路とを長手方向に配置した領域が、複数の前記発光領域が千鳥状となって隣接配置され、且つ前記発光領域の面積がこれに対応する前記スイッチング回路の面積よりも小さく、隣接する発光領域がこれに対応する前記スイッチング回路を介して隔てられ非接触状態となるように、前記各発光領域に対応する前記有機ＥＬ発光層を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
6. 同一のマスクを順次移動させ、前記各発光領域に対応する前記有機ＥＬ発光層を形成することを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
7. Ｒ，Ｇ，Ｂに対応する３種の前記発光領域と、３種の前記発光領域に対応した３つの前記スイッチング回路とを複数マトリクス状に配置し、
   縦方向２分割、横方向３分割した６つの区画において、千鳥状の３つの前記区画に前記各発光領域を配置するとともに、残りの３つの前記区画に前記各スイッチング回路を配置するように形成することを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
8. 同色の前記発光領域を前記スイッチング回路を介して一列に配置することを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
9. 前記有機ＥＬ発光層の面積を前記第１の電極の面積よりも大きく形成することを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。

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