WO2004073356A1 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

　各画素（２１）は、有機ＥＬ層（３）を有する複数の発光領域であり、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応する発光領域（１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ）と、発光領域毎に対応して設けられ、各発光領域の発光を制御する複数のＴＦＴ素子（１２）とを含み、各発光領域は、千鳥状に配置されており、隣接する発光領域と互いに非接触状態とされている。各画素（２１）は、６つの区画（２２ａ～２２ｃ，２３ａ～２３ｃ）に分割されており、千鳥状の３つの区画（２２ａ～２２ｃ）に各発光領域が配置される。この構成により、ボトムエミッション型のアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイにおいて、十分な開口率を効率良く確保し、高精細化を図る場合にも開口率を殆ど犠牲にすることのない画素配置を実現し、これにより必要な輝度を得るための消費電力を抑え、駆動回路及び装置全体の小型化に寄与する。

Description

明 細 書

表示装置及びその製造方法 技術分野

本発明は、 有機 E L ( Electro-Luminescence) を利用した表示装置に関し、 特 にボトムェミッション型のアクティブマトリクス有機 E Lパネルに適用するもの である。 背景技術

近年、自発光型のディスプレイとして、有機固体に電極からキヤリアを注入し、 面状発光を取り出す有機 E Lを用いた有機 E Lディスプレイの開発が盛んに行わ れている。 この有機 E Lディスプレイは、 例えば駆動方法の相違によりパッシブ マトリクス型とアクティブマトリクス型に分類される。 前者はマトリクス状に配 置された画素を線順次駆動により発光させる形態を採り、 後者はマトリクス状の 画素毎にスィツチング素子が配置され、 スィツチング素子の駆動制御により個々 の画素毎に発光させる形態を採る。 アクティブマトリクス型の有機 E Lディスプレイは、 各スイッチング回路によ り個々の画素毎に発光制御する駆動方法を採るため、 特に動画の表示に最適なデ イスプレイとして注目されており、 ガラス基板側へ発光を取り出すボトムェミツ シヨン型と、 ガラス基板の反対側へ発光を取り出すトップエミッション型のもの がある。 ボトムェミッション型のアクティブマトリクス有機 E Lパネルは、 画素毎にス イッチング回路を設け、 しかもガラス基板側へ発光することから、 画素の半分を 占めるスイッチング回路の部分が必然的に非発光領域となる。 加えて、 フルカラ 一表示するために必要な R (赤）， G (緑）， B (青） の 3つの発光領域は各色に 対応して有機 E L発光層を独立に塗り分けて形成されるため、 隣接する発光領域 間には色毎に塗り分けるための位置合わせマージン （d m ) が必要であり、 この d m部位も非発光領域となる。 従来、 R， G， Bの 3つの発光領域の発光領域とスイッチング回路部の配置は 各色で連続している （図 4 (横 （X方向） 並び配置） 参照〉。 画素成膜装置の位置 合わせ精度とパターニング用マスクの加工精度とに依存するため、 位置合わせマ —ジン （d m ) の W制には限界があり、 現状では一般的に d m = 2 0 m ( ± 1 相当） が最小値である。 ここで、 高精細化を図るほど各発光領域幅は細く なるが、 d mの最小値は一定であるため、 高精細化においては画素に占める d m の割合が増加し、 発光領域の占める割合 （開口率） が縮小してしまう。 開口率が 小さくなると発光輝度が下がるため、 発光に寄与する電流量を増大して必要輝度 を確保する必要があり、 これにより消費電力の増加を招来するという問題があつ た。 本発明は、 上記の課題に鑑みてなされたものであり、 十分な開口率を効率良く 確保し、 高精細化を図る場合にも開口率を殆ど犠牲にすることのない画素配置を 実現し、 これにより必要な輝度を得るための消費電力を抑えることができ、 駆動 回路及び装置全体の小型化に寄与することを可能とするポトムエミッション型の ァクティブマ卜リクス有機 E Lパネルを備えた表示装置、 及び当該表示装置の構 成を容易且つ確実に実現する製造方法を提供することを目的とする。 発明の開示

本発明の表示装置は、 基板上に設けられた第 1の電極及び第 2の電極と、 前記 第 1の電極と前記第 2の電極との間に設けられた有機 E L発光層とを有するァク ティブマ卜リクス有機 E Lパネルを備えた表示装置であって、 前記有機 E L発光 層は発光領域を含み、 複数の前記各発光領域が千鳥状に配置され、 隣接する前記 発光領域と互いに非接触状態とされている。 本発明の表示装置の製造方法は、 基板上に設けられた第 1の電極及び第 2の電 極と、 前記第 1の電極と前記第 2の電極との間に設けられた有機 E L発光層とを 有するアクティブマトリクス有機 E Lパネルを備えた表示装置の製造方法であつ て、 前記有機 E L発光層は発光領域を含んでなり、 前記各発光領域を複数含むよ うに形成するに際して、 マスク蒸着法により、 前記各発光領域に対応する前記有 機 E L発光層を千鳥状且つ隣接する前記発光領域と互いに非接触状態となるよう に形成する。 図面の簡単な説明

図 1は、 本実施形態による有機 E Lディスプレイの有機 E L層を示す概略断面 図である。 図 2は、 本実施形態による有機 E Lディスプレイの主要構成をなす有機 E L発 光層の表面を拡大して示す概略平面図である。 図 3は、 図 2の画素ユニットを拡大して示す概略平面図である。 図 4は、 従来のポトムェミッション型のアクティブマトリクス有機 E Lディス プレイにおける画素配置の一例を示す概略平面図である。 図 5は、 画素の高精細化と開口率との関係について、 従来例 （前記比較例） と の比較に基づいて調べた結果を示す特性図である。 図 6 A〜図 6 Gは、 本実施形態の有機 E Lディスプレイを製造する際の主要ェ 程を順に示す概略断面図である。 図 7は、 変形例 1による有機 E Lディスプレイの主要構成をなす有機 E L発光 層の表面を拡大して示す概略平面図である。 図 8は、 変形例 2による有機 E Lディスプレイの主要構成をなす有機 E L発光 層の表面を拡大して示す概略平面図である。 発明を実施するための最良の形態

以下、 本発明を適用した具体的な実施形態について図面を参照しながら詳細に 説明する。

以下、 本発明を適用した好適な実施形態について図面を参照しながら詳細に説 明する。 この実施形態では、 主としてボトムェミッション型のアクティブマトリ クス有機 E Lパネルを備えた表示装置 （ボトムェミッション型のアクティブマト リクス有機 E Lディスプレイ） を対象とする。

—有機 E Lディスプレイの具体的構成一

図 1は、 本実施形態による有機 E Lディスプレイのパネル構成を示す概略断面 図であり、 図 2は、 本実施形態による有機 E Lディスプレイの主要構成をなす有 機 E L発光層の表面を拡大して示す概略平面図、 図 3は、 図 2の画素を拡大して 示す概略平面図である。 ここで、 図 1は図 3の I 一 I ' に沿った断面に対応して いる。 この有機 E Lディスプレイは、 図 1に示すように、 透明基板として例えばガラ ス基板 1上に、 発光を制御するスイ ッチング回路として T F T ( Thin Film Transistor) 素子 1 2を構成し、平坦化膜 1 0により T F T素子 1 2及び配線の絶 縁保護をするとともに、 有機 E L素子を積層するための平坦な面を形成する。 同 面上に、 透明電極として例えば酸化インジウム一錫合金 （ I T O ) 等を含む材料 からなる複数の第 1の電極 2と、 各第 1の電極 2に対応する複数の有機 E L層 3 と、 アルミニウム等を含む材料からなり全面を覆う第 2の電極 4とが積層されて なり、 各第 1の電極 2と第 2の電極 4との間に各有機 E L層 3が挟持され、 平坦 化膜 1 0の一部に設けたスルーホールにより第 1の電極 2と T F T素子 1 2とが 接続されるように構成されている。 ここで、 有機 E L層 3の面積が第 1の電極 2 の面積よりも大きくなるように形成されている。 駆動時には、 有機 E L層 3から 第 1の電極 2及ぴガラス基板 1を経て発光がなされることになる。 図 2に示すように、 複数の画素 2.1がマトリクス状に配置されており、 各画素 2 1は、 複数の発光領域であり、 R, G, Bに対応する発光領域 1 1 R， 1 1 G， 1 I Bと、 発光領域毎に対応して設けられ、 各発光領域の発光を制御するスイツ チング回路となる複数の T F T素子 1 2とを含む。 ここでは、 第 1の電極 2と有 機 E L層 3との重畳部分がそれぞれ発光領域 1 1 R， 1 1 G, 1 I Bとなる。 各 発光領域 1 1 R， 1 1 G, 1 1 Bは、 千鳥状に配置されており、 各発光領域の角 部位に設けられた非発光領域 1 3により隣接する発光領域 1 1 R, 1 1 G, 1 1 Bと互いに非接触状態とされている。 1つの画素 2 1は P XPの正方形状となる。 各画素 2 1は、 縦方向 2分割、 横方向 3分割した 6つの区画 2 2 a〜 2 2 c , 2 3 a〜 2 3 cに分割されており、 千鳥状の 3つの区画 2 2 a〜 2 2 cに各発光領 域 1 1 R, 1 1 G， 1 1 Bが配置されるとともに、 残りの 3つの区画 2 3 a〜 2 3 cに各 T F T素子 1 2が配置されて構成される。 ここでは、 同色の発光領域が TFT素子 1 2を介して縦 （Y方向） 一列に配置されている。 ここで、 本実施形態の比較例として、 従来のボトムェミッション型のァクティ ブマトリクス有機 E Lディスプレイにおける画素配置の一例を図 4に示す。

このように従来では、 画素 1 1 1の構成要素である発光領域 1 0 1 R, 1 0 1 G, 1 0 1 Bは横 （X方向） 一列に配置されているため、 隣接する発光領域は互 いに当該発光領域の縦一辺部位に設けられた非発光領域 1 0 3及び T FT素子 1 0 2により隔てられている。 この非発光領域 1 0 3の面積を小さくするには必然 的に限界がある。 これに比べて、 本実施形態では、 各発光領域 1 1 R， 1 1 G， 1 I Bにはそれ ぞれ 4つの角部位に非発光領域 1 3として切り欠き、 ここでは C面取り形状 （R 形状でも良い。） の切り欠きが形成されており、 この非発光領域 1 3及び T F T回 路 1 2により隣接する発光領域同士が互いに非接触状態に保たれる。 非発光領域 1 3は発光領域の角部位に形成されるために極めて小さい面積を確保すれば十分 であり、 図 4に比べて格段に開口率を向上させることが可能となる。 この画素配置構成を基本とし、 一例として精細度 1 6 0 p p iの寸法について 図 3を用いて説明する。 なお、 この寸法は飽くまで一例であり、 本発明がこれに 限定されないことは言うまでもない。 精細度 1 6 0 p p iのとき、 P = 1 5 9 mであるから、 R， G, Bの各色に それぞれ占める領域を与えると、 その面積は 1 5 9 /imX 5 3 /^mであり、 この うち各半分の 7 9. 5 mX 5 3 mが T F T素子 1 2の占める領域、 残りの半 分の 7 9. 5 tmX 5 3 imが各発光領域の占める領域となる。 この発光領域の 占める領域の角部位において、 3色の塗り分けに必要な位置合わせマージン及び スィツチング回路の各種配線スペースを確保するため、 非発光領域 1 3として所 謂 C面取りを設ける。塗り分けに必要な位置合わせマージンは dm = 2 0 m (画 素成膜装置の位置合わせ精度 ± 5 m+ R, G, Bパターニング用マスクの加工 精度 ± 5 im) である。 配線は、 データ線 3 1、 走査線 3 2、 電源線 3 3、 保持 容量線 3 4が必要であり、 各々 5 m〜 1 5； m幅とする。 データ線 3 1を Y方 向に配線し、 走査線 3 2、 電源線 3 3及び保持容量線 3 4を X方向に配線する。 T F T素子 1 2におけるこれらの配線は多層膜形成によって各々異なる層で構成 され、 配線間の接続は層間絶縁膜に設けたスルーホール 3 5を介して成される。 従って、 各色発光領域の角部位において C 1 5 mの面取りを設けることで、 位 置合わせマ一ジンと配線スペースを確保できる。 各発光領域を形成するには、 ガラス基板上の透明電極である第 1の電極 2の形 状を 7 9. 5 mX 5 3 zmの矩形状とし、 各角部位の面取りを C 1 5 とす る。 従って、 各色の区分の面積が 1 5 9 Ζ ΠΙ Χ 5 3 Ζ ΠΙ= 8 4 2 7 ΠΙ²となる のに対して、 実効的な発光領域の面積が 7 9. 5 mX 5 3 nm- C I 5 i m X 4 = 3 7 6 3. 5 m²となり、 開口率は （ 3 7 6 3. 5 / 8 4 2 7 ) X 1 0 0 = 4 4. 7 %となる。 これに対して、 図 4の比較例では、 画素のピッチ Pにおける各 R， G, Bの発 光領域の区画幅は PZ 3であり、 塗り分け用の位置合わせマージン dmを確保す ることで発光領域の幅は PZ 3— dmとなる。 塗り分け用の位置合わせマ一ジン d mを下限値で設計し高精細化を図ると、 ピッチ Pを小さくするほど d mによる 発光領域幅の減少割合が大きくなり 開口率が小さくなつてしまう。 例えば、 P = 3 1 8 xm (精細度 8 0 p p i ). dm= 2 0 mのとき、 発光領 域の寸法 L XW= 1 5 9 ^mX 8 6 m、 開口率 4 0. 6 %であるが、 P= 1 5 9 /zm (精細度 1 6 0 p p i )、 dm= 2 0 mのとき、 L XW= 7 9. 5 t m X 3 3 m、 開口率 3 1. 1 %となり、 高精細化するに従い位置合わせマージン d mによって開口率を大きく損失してしまう。 また、 上述した構成の本実施形態による有機 E Lディスプレイにおいて、 画素 の高精細化と開口率との関係について、 従来例 （前記比較例） との比較に基づい て調べた。 結果を図 5に示す。 このように、 塗り分けに必要な位置合わせマージ ン dm= 2 0 imの場合において、 精細度の大小に関わらず本実施形態の構成に おける開口率は従来の構成における開口率を大きく上回る。 従って、 ボトムエミ ッシヨン型のアクティブマトリクス有機 E Lパネルにおいては、 本実施形態の構 成が開口率を向上させるために極めて有効であることが判った。 このように、 本実施形態では、 当該比較例に比べて開口率を 1 3. 6 %向上さ せることができる。 従って、 本実施形態によれば、 十分な開口率を効率良く確保 し、 高精細化を図る場合にも開口率を殆ど犠牲にすることのない画素配置を実現 し、 これにより必要な輝度を得るための消費電力を抑えることができ、 駆動回路 及び装置全体の小型化に寄与することを可能とするポトムェミッション型のァク ティブマトリクス有機 E Lディスプレイが実現する。 一有機 E Lディスプレイの製造方法の具体例一

図 6 A〜図 6 Gは、 本実施形態の有機 E Lディスプレイを製造する際の主要ェ 程を順に示す概略断面図である。 ここで、 図 6 A〜図 6 Gの各図において、 紙面 上で左側が図 3の I I 一 I I ' に沿った断面を、 右側が図 3の I I I 一 I I I， に沿った断面をそれぞれ示す。 先ず、 図 6 Aに示すように、 透明基板として例えばガラス基板 1の表面に、 ス ィツチング回路となる T F T素子 1 2と、 データ線 3 1、 走査線 3 2、 電源線 3 3、 保持容量線 3 4等の各種配線とを形成した後、 これらを覆うように透明樹脂 からなる平坦化膜 1 0を形成する。 ここで、 T F T素子 1 2は、 上述のように画 素 2 1の区画 2 3 a〜 2 3 cに相当する部位に形成される。 続いて、 図 6 Bに示すように、 上述した実効的な発光部分に透明電極である酸 化インジウム錫合金 （ I T O ) を成膜し、 第 1の電極 2を形成する。 続いて、 各画素 2 1を構成する発光領域 1 1 R , 1 1 G , 1 1 Bを順次形成す る。

具体的には、 先ず図 6 Cに示すように、 発光領域の形成領域に対応して開口 5 aが設けられた蒸着マスク 5を用い、 開口 5 aが発光領域 1 1 Rに対応する有機 E L層 3の形成位置のみに位置するように蒸着マスク 5をガラス基板 1の表面に 重ねて、 蒸着法により発光領域 1 1 Rに対応する有機 E L層 3を区画 2 2 aに形 成する。 このとき、 第 1の電極 2は発光領域 1 1 Rの有機 E L層 3により完全に 覆われ、 他色の第 1の電極 2にはこの有機 E L層 3は重ならない。 続いて、 図 6 Dに示すように、 同一の蒸着マスク 5を用い、 開口 5 aが発光領 域 1 1 Gに対応する有機 E L層 3の形成位置のみに位置するように蒸着マスク 5 を移動させてガラス基板 1の表面に重ね、 蒸着法により発光領域 1 1 Gに対応す る有機 E L層 3を区画 2 2 bに形成する。 このとき、 第 1の電極 2は発光領域 1 1 Gの有機 E L層 3により完全に覆われ、 他色の第 1の電極 2にはこの有機 E L 層 3は重ならない。 続いて、 図 6 Eに示すように、 同一の蒸着マスク 5を用い、 開口 5 aが発光領 域 1 1 Bに対応する有機 E L層 3の形成位置のみに位置するように蒸着マスク 5 を移動させてガラス基板 1の表面に重ね、 蒸着法により発光領域 1 1 Bに対応す る有機 E L層 3を区画 2 2 cに形成する。 このとき、 第 1の電極 2は発光領域 1 1 Bの有機 E L層 3により完全に覆われ、 他色の第 1の電極 2にはこの有機 E L 層 3は重ならない。 以上、 図 6 C〜図 6 Eの各工程を経て、 各発光領域 1 1 R， 1 1 G, 1 1 Bに はそれぞれ 4つの角部位に非発光領域 1 3、 ここでは C面取り形状 （R形状でも 良い。） の非発光領域 1 3が形成され、 これら非発光領域 1 3が T FT素子 1 2の 区画 2 3 a〜 2 3 cとともに非発光領域とされており、 隣接する発光領域同士が 互いに非接触状態に保たれてなる画素 2 1をマトリクス状に複数有するように、 各有機 E L層 3を形成する。 ここで、 各発光領域 1 1 R， 1 1 G, 1 I Bに対応 する有機 E L層 3をそれぞれ第 1の電極 2よりも面積を大きくこれを覆うように 形成することにより、 各発光領域を形成する際の位置合わせ.マージンを確保する ことができ、 更には T F T素子領域を高精細化における位置合わせマージンの確 保に利用することにより、 開口率を向上させることが可能となる。 また、 各発光領域 1 1 R, 1 1 G， 1 1 Bが互いに近接することなく面内に均 一に配置するため、 同色の発光領域を T F T素子 1 2を介して一列に配置するよ うに形成する。 続いて、 図 6 Fに示すように、 全発光領域を露出させるように開口 6 aが設け られた蒸着マスク 6を用い、 これをガラス基板 1の表面に重ねて蒸着法によりァ ルミニゥム合金膜を成膜し、 全発光領域を覆うように第 2の電極 4を形成する。 そして、 図 6 Gに示すように、 第 2の電極 4を覆うようにガラス等からなる不 透湿板 7を例えば接着剤 8により接着固定し、 形成した有機 E L層 3が水分等に よって劣化することを防止する。 ガラス基板 1上に形成された各種導電部材は F P C (Flexible Printed Circuit) の配線 9を介して駆動回路 （不図示） と接続され る。 しかる後、諸々の後工程を経て、例えば精細度 1 6 0 p p iで開口率 4 4 . 7 % のボトムェミッション型アクティブマトリクス有機 E Lディスプレイを完成させ る。 以上説明したように、 本実施形態によれば、 上述した構成の有機 E Lディスプ レイを製造するに際して、 各発光領域 1 1 R， 1 1 G， 1 I Bに対応する有機 E L層 3の形成にマスク蒸着法を用い、 同一の蒸着マスク 5を順次移動させて各発 光領域を形成する手法を採ることにより、 単一の蒸着マスク 5を単一の成膜室で 容易に形成でき、 低分子有機 E Lの蒸着形成が可能となり、 容易且つ確実に上述 した構成の有機 E Lディスプレイを実現することができる。 一本実施形態の諸変形例一

以下、 本実施形態のいくつかの変形例について説明する。 (変形例 1 )

図 7は、 変形例 1による有機 E Lディスプレイの主要構成をなす有機 E L発光 層の表面を拡大して示す概略平面図である。

この有機 E Lディスプレイでは、 各画素 2 1において、 各発光領域 1 1 R , 1 1 G， 1 1 Bの面積がそれぞれ T F T素子 1 2の面積よりも大きく形成されてい る。 この場合も、 3色の塗り分けに必要な位置合わせマージンを T F T素子 1 2 の区画に吸収させることができ、 開口率を高めることができる。

(変形例 2 )

図 8は、 変形例 2による有機 E Lディスプレイの主要構成をなす有機 E L発光 層の表面を拡大して示す概略平面図である。

この有機 E Lディスプレイでは、 各画素 2 1において、 各発光領域 1 1 R， 1

1 G , 1 1 Bの面積がそれぞれ T F T素子 1 2の面積よりも小さく形成されてい る。 この場合、 隣接 （図示の例では T F T素子 1 2の区画は接触している。） する T F T素子 1 2により、 隣接する発光領域間が隔てられるため、 各発光領域に付 随した非発光領域を設ける必要がなく、 従って開口率を高めることができる。 産業上の利用可能性

本発明によれば、 十分な開口率を効率良く確保し、 高精細化を図る場合にも開 口率を殆ど犠牲にすることのない画素配置を実現し、 これにより必要な輝度を得 るための消費電力を抑えることができ、 駆動回路及び装置全体の小型化に寄与す ることを可能とするボトムェミッション型のアクティブマトリクス有機 E Lパネ ルを備えた表示装置、 及び当該表示装置の構成を容易且つ確実に実現する製造方 法を提供することができる。

Claims

請 求 の 範 囲

1 . 基板上に設けられた第 1の電極及び第 2の電極と、

前記第 1の電極と前記第 2の電極との間に設けられた有機 E L発光層と を有するァクティブマトリクス有機 E Lパネルを備えた表示装置であって、 前記有機 E L発光層は発光領域を含み、 複数の前記各発光領域が千鳥状に配置 され、 隣接する前記発光領域と互いに非接触状態とされていることを特徴とする 表示装置。

2 . R , G , Bに対応する 3種の前記発光領域と、 3種の前記発光領域に対応 した 3つの前記スィツチング回路とが複数マトリクス状に配置されてなり、 縦方向 2分割、 横方向 3分割した 6つの区画において、 千鳥状の 3つの前記区 画に前記各発光領域が配置されるとともに、 残りの 3つの前記区画に前記各スィ ツチング回路が配置されてなることを特徴とする請求項 1に記載の表示装置。

3 . 同色の前記発光領域が前記スィツチング回路を介して一列に配置されてい ることを特徴とする請求項 2に記載の表示装置。

4 . 前記有機 E L発光層の面積が前記第 1の電極の面積よりも大きいことを特 徴とする請求項 1に記載の表示装置。

5 . 前記発光領域の角部位に非発光領域が形成されており、 前記非発光領域に より隣接する前記発光領域間が隔てられていることを特徴とする請求項 1に記載 の表示装置。

6 . 前記発光領域の面積が前記スィツチング回路の面積よりも大きいことを特 徵とする請求項 1に記載の表示装置。

7 .前記各発光領域は、その面積が前記スィツチング回路の面積よりも小さく、 前記スィツチング回路を介して隣接する前記発光領域と隔てられていることを特 徵とする請求項 1に記載の表示装置。

8 . 基板上に設けられた第 1の電極及び第 2の電極と、

前記第 1の電極と前記第 2の電極との間に設けられた有機 E L発光層と を有するアクティブマトリクス有機 E Lパネルを備えた表示装置の製造方法で あって、 前記有機 E L発光層は発光領域を含んでなり、 前記各発光領域を複数含むよう に形成するに際して、

マスク蒸着法により、 前記各発光領域に対応する前記有機 E L発光層を千鳥状 且つ隣接する前記発光領域と互いに非接触状態となるように形成することを特徴 とする表示装置の製造方法。

9 . 同一のマスクを順次移動させ、 前記各発光領域に対応する前記有機 E L発 光層を形成することを特徴とする請求項 8に記載の表示装置の製造方法。

1 0 . R , G , Bに対応する 3種の前記発光領域と、 3種の前記発光領域に対 応した 3つの前記スィツチング回路とを複数マ卜リクス状に配置し、

縦方向 2分割、 横方向 3分割した 6つの区画において、 千鳥状の 3つの前記区 画に前記各発光領域を配置するとともに、 残りの 3つの前記区画に前記各スィッ チング回路を配置するように形成することを特徴とする請求項 8に記載の表示装 置の製造方法。

1 1 . 同色の前記発光領域を前記スイッチング回路を介して一列に配置するこ とを特徴とする請求項 1 0に記載の表示装置の製造方法。

1 2 . 前記有機 E L発光層の面積を前記第 1の電極の面積よりも大きく形成す ることを特徴とする請求項 8に記載の表示装置の製造方法。

1 3 . 前記発光領域をその角部位が非発光領域となるように形成することを特 徵とする請求項 8に記載の表示装置の製造方法。

1 4 . 前記発光領域の面積を前記スィツチング回路の面積よりも大きく形成す ることを特徴とする請求項 8に記載の表示装置の製造方法。

1 5 . 前記各発光領域を、 その面積が前記スイッチング回路の面積よりも小さ く、 前記スイッチング回路を介して隣接する前記発光領域と隔てられるように形 成することを特徴とする請求項 8に記載の表示装置の製造方法。