KR102382323B1 - 유기발광다이오드 표시장치 - Google Patents

유기발광다이오드 표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102382323B1
KR102382323B1 KR1020150138255A KR20150138255A KR102382323B1 KR 102382323 B1 KR102382323 B1 KR 102382323B1 KR 1020150138255 A KR1020150138255 A KR 1020150138255A KR 20150138255 A KR20150138255 A KR 20150138255A KR 102382323 B1 KR102382323 B1 KR 102382323B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
horizontal line
emission control
scan signal
transistor
control signal
Prior art date
Application number
KR1020150138255A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170039052A (ko
Inventor
박영주
윤성욱
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020150138255A priority Critical patent/KR102382323B1/ko
Priority to EP16191053.4A priority patent/EP3151232B1/en
Priority to US15/279,408 priority patent/US10373563B2/en
Priority to CN201610875930.0A priority patent/CN106847184B/zh
Publication of KR20170039052A publication Critical patent/KR20170039052A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102382323B1 publication Critical patent/KR102382323B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3266—Details of drivers for scan electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0202—Addressing of scan or signal lines
    • G09G2310/0205—Simultaneous scanning of several lines in flat panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0262—The addressing of the pixel, in a display other than an active matrix LCD, involving the control of two or more scan electrodes or two or more data electrodes, e.g. pixel voltage dependent on signals of two data electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/0281—Arrangement of scan or data electrode driver circuits at the periphery of a panel not inherent to a split matrix structure
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/0286—Details of a shift registers arranged for use in a driving circuit
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
    • G09G2320/045—Compensation of drifts in the characteristics of light emitting or modulating elements

Abstract

본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 화소들 및 상기 화소들에 배치되는 트랜지스터들을 구동하는 쉬프트레지스터를 포함한다. 쉬프트레지스터는 제1 스캔신호를 인접하는 두 개의 수평라인에 배열된 화소들에 동시에 인가한다. 제2 스캔신호 스테이지는 제2 스캔신호를 인접하는 두 개의 수평라인에 배열된 화소들에 순차적으로 인가한다. 발광제어신호 스테이지는 제4 및 제5 트랜지스터들에 인가되는 발광제어신호를 생성한다.

Description

유기발광다이오드 표시장치{Organic Light Emitting Diode Display}
본 발명은 액티브 매트릭스 타입의 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다.
평판 표시장치(FPD; Flat Panel Display)는 소형화 및 경량화에 유리한 장점으로 인해서 데스크탑 컴퓨터의 모니터 뿐만 아니라, 노트북컴퓨터, PDA 등의 휴대용 컴퓨터나 휴대 전화 단말기 등에 폭넓게 이용되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정표시장치{Liquid Crystal Display; LCD), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel; PDP), 전계 방출표시장치{Field Emission Display; FED) 및 유기발광다이오드 표시장치(Organic Light Emitting diode Display; OLED) 등이 있다.
이 중에서 유기발광다이오드 표시장치는 응답속도가 빠르고, 발광효율이 높은 휘도를 표현할 수 있으며 시야각이 큰 장점이 있다. 자발광 소자인 유기발광다이오드는 도 1과 같은 구조를 갖는다. 유기발광다이오드는 애노드전극 및 캐소드전극과, 이들 사이에 형성된 유기 화합물층(HIL, HTL, EML, ETL, EIL)을 포함한다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)으로 이루어진다. 애노드전극과 캐소드전극에 구동전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(EML)이 가시광을 발생한다.
일반적으로 유기발광다이오드 표시장치는 스캔신호에 의해서 턴-온 되는 스캔 트랜지스터를 이용하여 데이터전압을 구동트랜지스터의 게이트 전극에 인가하고, 이처럼 구동트랜지스터에 공급되는 데이터전압을 이용하여 유기발광다이오드를 발광시킨다. 그리고 발광제어신호를 이용하여 구동트랜지스터와 고전위전압 입력단을 스위칭한다.
스캔신호 및 발광제어신호를 생성하는 구동회로들은 표시패널의 베젤 영역에 게이트-인-패널(Gate In Panel, 이하 GIP) 형태로 구현되기도 한다. 근래에는 사용자의 요구에 따라 베젤 영역을 줄이기 위한 방안들이 모색되고 있는데, GIP 회로부로 인해서 베젤 사이즈를 줄이기가 쉽지 않은 상태이다.
평판 표시장치(FPD; Flat Panel Display)는 소형화 및 경량화에 유리한 장점으로 인해서 데스크탑 컴퓨터의 모니터 뿐만 아니라, 노트북컴퓨터, PDA 등의 휴대용 컴퓨터나 휴대 전화 단말기 등에 폭넓게 이용되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정표시장치{Liquid Crystal Display; LCD), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel; PDP), 전계 방출표시장치{Field Emission Display; FED) 및 유기발광다이오드 표시장치(Organic Light Emitting diode Display; OLED) 등이 있다.
이 중에서 유기발광다이오드 표시장치는 응답속도가 빠르고, 발광효율이 높은 휘도를 표현할 수 있으며 시야각이 큰 장점이 있다. 자발광 소자인 유기발광다이오드는 도 1과 같은 구조를 갖는다. 유기발광다이오드는 애노드전극 및 캐소드전극과, 이들 사이에 형성된 유기 화합물층(HIL, HTL, EML, ETL, EIL)을 포함한다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)으로 이루어진다. 애노드전극과 캐소드전극에 구동전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(EML)이 가시광을 발생한다.
일반적으로 유기발광다이오드 표시장치는 스캔신호에 의해서 턴-온 되는 스캔 트랜지스터를 이용하여 데이터전압을 구동트랜지스터의 게이트 전극에 인가하고, 이처럼 구동트랜지스터에 공급되는 데이터전압을 이용하여 유기발광다이오드를 발광시킨다. 그리고 발광제어신호를 이용하여 구동트랜지스터와 고전위전압 입력단을 스위칭한다.
스캔신호 및 발광제어신호를 생성하는 구동회로들은 표시패널의 베젤 영역에 게이트-인-패널(Gate In Panel, 이하 GIP) 형태로 구현되기도 한다. 근래에는 사용자의 요구에 따라 베젤 영역을 줄이기 위한 방안들이 모색되고 있는데, GIP 회로부로 인해서 베젤 사이즈를 줄이기가 쉽지 않은 상태이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 화소들 및 상기 화소들에 배치되는 트랜지스터들을 구동하는 쉬프트레지스터를 포함한다. 쉬프트레지스터는 제1 스캔신호를 인접하는 두 개의 수평라인에 배열된 화소들에 동시에 인가한다. 제2 스캔신호 스테이지는 제2 스캔신호를 인접하는 두 개의 수평라인에 배열된 화소들에 순차적으로 인가한다. 발광제어신호 스테이지는 제4 및 제5 트랜지스터들에 인가되는 발광제어신호를 생성한다.
본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 하나의 스테이지로 구현되는 제1 스캔신호 스테이지가 한 쌍의 수평라인에 배열되는 화소들에 제1 스캔신호를 동시에 공급하기 때문에, 전체 표시패널을 구동하기 위한 제1 스캔신호 스테이지의 스테이지 개수를 줄일 수 있다. 그 결과, 제1 스캔신호 스테이지가 배치되는 베젤 영역을 줄일 수 있다.
도 1은 유기발광다이오드와 그 발광원리를 보여주는 도면.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 보여주는 도면.
도 3은 본 발명의 실시 예에 의한 쉬프트레지스터를 나타내는 도면.
도 4는 인접하는 한 쌍의 화소 구조를 나타내는 도면.
도 5는 도 4에 도시된 화소에 인가되는 데이터신호와 게이트신호를 나타내는 도면.
도 6a, 도 6b 및 도 6c는 본 발명의 화소 동작에 대응하는 등가 회로도.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 의한 화소 구조를 나타내는 도면.
도 8은 다른 실시 예에 의한 쉬프트레지스터를 나타내는 도면.
도 9는 도 7에 도시된 화소에 인가되는 데이터신호와 게이트신호를 나타내는 도면.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 보여준다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 화소들(P)이 매트릭스 형태로 배열되는 표시패널(100), 데이터 구동부(120), 게이트 구동부(130,140) 및 타이밍 콘트롤러(110)를 구비한다.
표시패널(100)은 화소(P)들이 배치되어 영상을 표시하는 표시부(100A) 및 쉬프트레지스터(140)가 배치되고 영상을 표시하지 않는 비표시부(100B)를 포함한다.
표시부(100A)는 복수 개의 화소(P)를 포함하고, 각각의 화소(P)들이 표시하는 계조를 기반으로 영상을 표시한다. 화소(P)들은 제1 내지 제n 수평라인(HL1 내지 HL[n])들을 따라 배열된다.
각각의 화소(P)는 컬럼라인(Column Line)을 따라 배열되는 데이터라인(DL)과 연결되고, 수평라인(HL)을 따라 배열되는 게이트라인(GL)에 연결된다. 게이트라인(GL)은 도 4에 보는 바와 같이, 제1 스캔라인(SL1), 제2 스캔라인(SL2) 및 발광제어신호라인(EML)을 포함한다. 그리고 각각의 화소(P)들은 유기발광다이오드(OLED), 구동트랜지스터(DT) 및 제1 내지 제5 트랜지스터(T1~T5), 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다. 각각의 트랜지스터들(DT,T1~T5)은 산화물 반도체층을 포함한 산화물 박막트랜지스터(Thin Film Transitor;이하, 트랜지스터)로 구현될 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 트랜지스터의 반도체층을 아몰포스 실리콘 또는, 산화물 반도체 등으로 형성할 수도 있다.
타이밍 콘트롤러(110)는 데이터 구동부(120) 및 게이트 구동부(130,140)의 구동 타이밍을 제어하기 위한 것이다. 이를 위해서 타이밍 콘트롤러(110)는 외부로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 표시패널(100)의 해상도에 맞게 재정렬하여 데이터 구동부(120)에 공급한다. 또한, 타이밍 콘트롤러(110)는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 도트클럭신호(DCLK) 및 데이터 인에이블신호(DE) 등의 타이밍 신호들에 기초하여 데이터 구동부(120)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DDC)와, 게이트 구동부(130,140)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호(GDC)를 발생한다.
데이터 구동부(120)는 데이터라인부(DL)를 구동하기 위한 것이다. 이를 위해서 데이터 구동부(120)는 데이터 제어신호(DDC)를 기반으로 타이밍 콘트롤러(110)로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 아날로그 데이터전압으로 변환하여 데이터라인(DL)들에 공급한다.
스캔 구동부(130,140)는 레벨 시프터(130) 및 쉬프트 레지스터(140)를 포함한다. 레벨 시프터(130)는 레벨 시프터(130)는 IC 형태로 표시패널(100)에 접속되는 인쇄회로기판(미도시)에 형성되고, 쉬프트 레지스터(140)는 표시패널(100)의 비표시영역(100B)에 형성되는 게이트-인-패널(Gate In Panel; 이하 GIP) 방식으로 형성된다.
레벨 시프터(130)는 타이밍 콘트롤러(110)의 제어하에 클럭신호들(CLK) 및 스타트신호(VST)를 레벨 쉬프팅한 후 쉬프트 레지스터(140)에 공급한다. 쉬프트 레지스터(140)는 GIP 방식에 의해 표시패널(100)의 비표시영역(100B)에서 다수의 박막 트랜지스터(이하 트랜지스터)조합으로 형성된다. 쉬프트 레지스터(140)는 클럭신호들(CLK) 및 스타트신호(VST)에 대응하여 스캔 신호를 시프트하고 출력하는 스테이지들로 구성된다.
도 3을 참조하여, j 번째 수평라인에 배열되는 화소(Pj)들 및 (j+1) 번째 수평라인에 배열되는 화소(Pj+1)들을 구동하기 위한 쉬프트레지스터(140)의 스테이지를 살펴보면 다음과 같다. 도 4에서와 같이, j 번째 수평라인에 배열되는 화소(Pj)는 j 번째 제1 스캔라인(SCAN1[j]), j 번째 제2 스캔라인(SCAN2[j]), j 번째 발광제어신호라인(EML[j]) 및 (j+1) 번째 발광제어신호라인(EML[j+1])을 포함한다.
인접하는 두 개의 수평라인(HLj, HL[j+1])에 배열된 화소들을 구동하기 위해서, 쉬프트레지스터(140)는 j 번째 제1 스캔신호 스테이지(SCAN 1_STG[J]), j 번째 제2 스캔신호 스테이지(SCAN 2_STG[J]), (j+1) 번째 제2 스캔신호 스테이지(SCAN2_STG[j+1]), j 번째 발광제어신호 스테이지(EM_STG[j]) 및 (j+1) 번째 발광제어신호 스테이지(EM_STG[j+1])를 포함한다.
j 번째 제1 스캔신호 스테이지(SCAN 1_STG[j])는 j 번째 제1 스캔신호(SCAN1[j])생성하고, 이를 j 번째 수평라인에 배치되는 j 번째 제1 스캔라인(SL1[j]) 및 (j+1) 번째 수평라인에 배치된 제1 스캔라인(SL1[j+1])에 인가한다.
j 번째 제2 스캔신호 스테이지(SCAN 2_STG[j])는 j 번째 제2 스캔신호(SCAN2[j])를 생성하고, 이를 j 번째 수평라인에 배치되는 j 번째 제2 스캔라인(SL2[j])에 인가한다.
(j+1) 번째 제2 스캔신호 스테이지(SCAN 2_STG[j+1])는 (j+1) 번째 제2 스캔신호(SCAN[j+1])를 생성하고, 이를 (j+1) 번째 수평라인에 배치되는 (j+1) 번째 제2 스캔라인(SL2[j+1])에 인가한다.
j 번째 발광제어신호 스테이지(EM[j])는 j 번째 발광제어신호(EM[j])를 생성하고, 이를 j 번째 수평라인에 배치되는 j 번째 발광제어신호라인(EML[j]) 및 (j-1) 번째 수평라인에 배치되는 (j-1) 번째 발광제어신호라인(EML[J-1))에 인가한다.
이와 같이, 인접하는 한 쌍의 수평라인에 배열되는 화소들(PJ,Pj+1)은 동일한 제1 스캔신호를 인가받기 때문에, n/2 개의 제1 스캔신호 스테이지를 이용하여 n개의 수평라인에 배열된 화소들을 구동할 수 있다. 즉, 본 발명은 쉬프트레지스터(140)의 전체 면적을 줄일 수 있기 때문에, 비표시부(100B)의 베젤 영역을 줄일 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 화소 구조를 보여주는 등가 회로도이다. 그리고, 도 4는 도 3의 화소에 인가되는 데이터신호와 게이트신호를 보여주는 파형도이다.
도 3을 참조하면, j(j은 자연수)번째 화소 행에 배치된 각 화소(PXL)는 유기발광다이오드, 구동 트랜지스터(DT), 제1 내지 제5 트랜지스터(T1~T5), 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다.
유기발광다이오드는 구동 트랜지스터(DT)로부터 공급되는 구동 전류에 의해 발광한다. 도 1과 같이 유기발광다이오드의 애노드전극과 캐소드전극 사이에는 다층의 유기 화합물층이 형성된다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)을 포함한다. 유기발광다이오드의 애노드전극은 노드 D에 접속되고, 그의 캐소드전극은 저전위 구동전압(ELVSS)의 입력단에 접속된다.
구동 트랜지스터(DT)는 자신의 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따라 유기발광다이오드에 인가되는 구동전류를 제어한다. 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극은 노드 A에 접속되고, 드레인전극은 노드 B에 접속되며, 소스전극은 노드 C에 접속된다.
제1 트랜지스터(T1)는 노드 A와 노드 B 사이에 접속되고, 제1 스캔신호(SCAN1)에 따라 온/오프 된다. 제1 트랜지스터(T1)의 게이트전극은 제1 스캔신호(SCAN1)가 인가되는 j 번째 제1 스캔라인(SL1[j])에 접속되고, 드레인전극은 노드 B에 접속되며, 소스전극은 노드 A에 접속된다.
제2 트랜지스터(T2)는 노드 D와 초기화전압(Vinit)의 입력단 사이에 접속되고, j 번째 제1 스캔신호(SCAN1[j])에 따라 온/오프 된다. 제2 트랜지스터(T2)의 게이트전극은 j 번째 제1 스캔신호(SCAN1[j])가 인가되는 j번째 제1 스캔라인(SL[j])에 접속되고, 드레인전극은 노드 D에 접속되며, 소스전극은 초기화전압(Vinit)의 입력단에 접속된다.
제3 트랜지스터(T3)는 데이터라인(DL)과 노드 C 사이에 접속되고, j 번째 제2 스캔신호(SCAN2[j])에 따라 온/오프 된다. 제3 트랜지스터(T3)의 게이트전극은 제2 스캔신호(SCAN2[j])가 인가되는 j번째 제2 스캔라인(SL2[j])에 접속되고, 드레인전극은 데이터라인(DL)에 접속되며, 소스전극은 노드 C에 접속된다.
제4 트랜지스터(T4)는 고전위전압(VDD)의 입력단과 노드 B 사이에 접속되고, (j+1) 번째 발광제어신호(EM[j+1])에 따라 온/오프 된다. 제4 트랜지스터(T4)의 게이트전극은 (j+1) 번째 발광제어신호(EM1[j+1])가 인가되는 (j+1)번째 발광제어신호라인(EML[j+1])에 접속되고, 드레인전극은 고전위전압(VDD)의 입력단에 접속되며, 소스전극은 노드 B에 접속된다.
제5 트랜지스터(T5)는 노드 D와 노드 C 사이에 접속되고, j 번째 발광제어신호(EM2[j])에 따라 온/오프 된다. 제5 트랜지스터(T5)의 게이트전극은 j 번째 발광제어신호(EM[j])가 인가되는 j번째 발광제어신호라인 EML[j]에 접속되고, 드레인전극은 노드 C에 접속되며, 소스전극은 노드 D에 접속된다.
스토리지 커패시터(Cst)는 노드 A와 노드 D 사이에 접속된다.
상술한 바와 같은 구조를 갖는 화소(P)의 동작을 살펴보면 다음과 같다. 도 5는 도 4의 화소(P)에 인가되는 신호들(EM,SCAN,DATA)을 나타내는 파형도이다. 도면에서, j수평주기(jH)는 j 번째 수평라인(HLj)에 배열된 화소(P)들의 스캔 기간을 의미한다.
도 6a 내지 도 6c는 각각 초기화 기간(Pi), 샘플링 기간(Ps), 발광 기간(Pe)에서의 화소(P)의 등가회로를 보여준다. 도 6a 내지 도 6c에서 소자 및 전류 경로가 활성화된 것은 실선으로, 반대로 소자 및 전류 경로가 비활성화된 것은 점선으로 표시하고 있다.
한 프레임기간은, 도 5와 같이 노드 A와 노드 D를 초기화하는 초기화 기간(Pi), 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압을 샘플링하여 노드 A에 저장하는 샘플링 기간(Ps), 및 샘플링된 문턱전압을 포함하여 구동 트랜지스터(DT)의 게이트-소스 간 전압을 프로그래밍하고, 상기 프로그래밍된 게이트-소스 간 전압에 따른 구동전류로 유기발광다이오드를 발광시키는 발광 기간(Pe)으로 나뉘어질 수 있다.
본 발명은 j 번째 수평라인(HLj)에 배치된 화소들의 초기화 동작을 j-1번째 수평 기간([j-1]H)에서 행함으로써 j번째 수평 기간(jH)을 모두 샘플링 동작에 할애할 수 있게 된다. 이렇게 샘플링 기간(Ps)을 충분히 확보하면 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압을 보다 정확히 샘플링할 수 있는 효과가 있다.
이하, j 번째 수평라인(HLj)에 배치된 화소들의 동작을 살펴보면 다음과 같다.
초기화 기간(Pi) 동안, j 번째 제1 스캔신호(SCAN1[j])와 (j+1) 번째 발광제어신호(EM1[j+1])는 온 레벨로 인가되고, j 번째 제2 스캔신호(SCAN2[j])와 j 번째 발광제어신호(EM[j])는 오프 레벨로 인가된다. 초기화 기간(Pi)에서, j 번째 제1 스캔신호(SCAN1[j]) 응답하여 제1 및 제2 트랜지스터(T1,T2)가 턴 온 되고, (j+1) 번째 발광제어신호(EM1[j+1])에 응답하여 제4 트랜지스터(T4)가 턴 온 됨으로써, 노드 A는 고전위전압(VDD)로 초기화되고, 노드 D는 초기화전압(Vinit)으로 초기화된다. 이렇게 샘플링 동작에 앞서 노드 A, D를 초기화하는 이유는 샘플링의 신뢰성을 높이고, 유기발광다이오드의 불필요한 발광을 방지하기 위함이다. 이를 위해, 초기화전압(Vinit)은 유기발광다이오드의 동작전압보다 충분히 낮은 전압 범위 내에서 선택되고, 저전위전압(VSS)과 같거나 그보다 낮게 설정될 수 있다.
샘플링 기간(Ps) 동안, j 번째 제1 스캔신호(SCAN1[j]) 및 j 번째 제2 스캔신호(SCAN2[j])는 온 레벨로 인가되고, j 번째 발광제어신호(EM[j]) 및 (j+1) 번째 발광제어신호(EM[j+1])는 오프 레벨로 인가된다. 샘플링 기간(Ps)에서, j 번째 제1 스캔신호(SCAN1[j])에 응답하여 제1 및 제2 트랜지스터(T1,T2)가 턴 온 되고, j 번째 제2 스캔신호(SCAN2[j])에 응답하여 제3 트랜지스터(T3)가 턴 온 됨으로써, 구동 트랜지스터(DT)는 다이오드 커넥션(diode connection, 게이트전극과 드레인전극이 쇼트되어 트랜지스터가 다이오드처럼 동작함)되고, 노드 C에는 데이터전압(Vdata(j))이 인가된다. 여기서, 데이터전압(Vdata[j])은 샘플링 기간(Ps) 동안 구동 트랜지스터(DT)가 턴 온 될 수 있도록 충분히 낮은 전압(Vdata[j]<VDD-Vth)으로 인가된다. 샘플링 기간(Ps)에서, 구동 트랜지스터(DT)의 드레인-소스 사이에는 전류(Ids)가 흐르며, 이러한 전류(Ids)에 의해 노드 A의 전위는 초기화 상태인 고전위전압(VDD)에서 데이터전압(Vdata[j])과 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압을 합산한 값(Vdata[j]+Vth)까지 낮아진다.
발광 기간(Pe)은 한 프레임기간 중에서 초기화 기간(Pi)과 샘플링 기간(Ps)을 제외한 나머지 기간에 해당된다. 발광 기간(Pe) 동안에, j 번째 제1 스캔신호(SCAN1[j]) 및 j 번째 제2 스캔신호(SCAN2[j])는 모두 오프 레벨로 인가되고, 발광 기간(Pe) 시작 시점에서 1수평주기(1H)가 경과한 이후에는, j 번째 발광제어신호(EM[j]) 및 (j+1) 번째 발광제어신호(EM[j+1])가 모두 온 레벨로 인가된다.
발광 기간(Pe)에서, (j+1) 번째 발광제어신호(EM[j+1])에 응답하여 제4 트랜지스터(T4)가 턴 온 됨으로써 구동 트랜지스터(DT)의 드레인전극에 고전위전압(VDD)을 연결하고, j 번째 발광제어신호(EM[j])에 응답하여 제5 트랜지스터(T5)가 턴 온 됨으로써 노드 C 및 노드 D의 전위를 유기발광다이오드의 동작전압(Voled)으로 동일하게 한다.
발광 기간(Pe)에서, 노드 D의 전위는 초기화 상태인 초기화전압(Vinit)에서 유기발광다이오드의 동작전압(Voled)으로 변화된다. 발광 기간(Pe)에서, 노드 A는 플로팅됨과 아울러 스토리지 커패시터(Cst)를 통해 노드 D에 커플링되어 있기 때문에, 노드 A의 전위도 샘플링 기간(Ps)에서 셋팅된 전압(Vdata[j]+Vth)에서 노드 D의 전위 변화분(Voled-Vinit)만큼 변화된다. 즉, 발광 기간(Pe)에서, 노드 A의 전위는 "Vdata[j]+Vth+Voled-Vinit"으로 셋팅되고, 노드 C 및 노드 D의 전위는 "Voled"로 셋팅되며, 그에 따라 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전압(Vg)에서 소스전압(Vs)을 뺀 게이트-소스 간 전압(Vgs)은 "Vdata[j]+Vth-Vinit"으로 프로그래밍된다.
발광 기간(Pe)에서 유기발광다이오드에 흐르는 구동전류(Ioled)에 대한 관계식은 하기 수학식 1과 같이 된다. 유기발광다이오드는 이러한 구동전류에 의해 발광함으로써 원하는 표시 계조를 구현하게 된다.
Figure 112015094952289-pat00001
수학식 1에서, k는 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도, 기생 커패시턴스 및 채널 용량 등에 의해 결정되는 비례 상수를 지시한다.
구동전류(Ioled) 수식은 k/2(Vgs-Vth)2인데, 발광 기간(Pe)을 통해 프로그래밍 된 Vgs에는 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth) 성분이 이미 포함되어 있으므로, 수학식 1과 같이 구동전류(Ioled) 관계식에서 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth) 성분Vth 성분은 소거된다. 이를 통해, 문턱전압(Vth) 변화가 구동전류(Ioled)에 미치는 영향이 제거된다.
한편, 유기발광다이오드 표시장치의 휘도 균일도를 저해하는 또 다른 요인으로 위치별 IR 드롭 편차가 있다. IR 드롭 편차는 각 화소에 인가되는 고전위전압(VDD)에 편차를 야기한다. 하지만, 본 발명에서는 수학식 1에서와 같이 구동전류(Ioled) 수식에 고전위전압(VDD)의 성분을 미 포함되게 함으로써 IR 드롭 편차가 구동전류(Ioled)에 미치는 영향까지 제거할 수 있다.
도 7은 다른 실시 예에 의한 화소 구조를 나타내는 도면이고, 도 8은 도 7에 도시된 화소(P)를 구동하기 위한 쉬프트레지스터를 나타내는 도면이다.
전술한 실시 예에서, 제4 트랜지스터(T4)는 후단 스테이지에서 생성하는 발광제어신호를 입력받는다. 즉, (j+1) 번째 발광제어신호(EM[j+1])는 j 번째 수평라인에 배치된 화소들의 제4 트랜지스터에 인가되는 동시에 (j+1) 번째 수평라인에 배치된 화소들의 제5 트랜지스터에 인가된다. j 번째 수평라인의 샘플링 기간이 종료된 직후부터부터 1수평주기 동안은 (j+1) 번째 수평라인의 샘플링 기간에 대응된다. (j+1) 번째 수평라인의 샘플링 기간에는 제5 트랜지스터(T5)가 턴-오프 상태를 유지하여야 하기 때문에, j 번째 수평라인의 발광기간은 샘플링 기간이 종료되고 1수평주기 이후에 시작한다. 이에 반해서, 도 7에 도시된 실시 예의 화소 구조는 각각의 수평라인에 배치되는 화소들에 발광제어신호를 개별적으로 인가하기 때문에, 샘플링 기간이 종료된 직후에 발광 기간이 시작한다.
도 7 및 도 8을 참조하여 다른 실시 예에 의한 화소 구조 및 이를 구동하기 위한 쉬프트레지스터를 살펴보면 다음과 같다. 도 7 및 도 8에서 전술한 실시 예와 실질적으로 동일한 구조에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고 자세한 설명을 생략하기로 한다.
도 7에서, j 번째 수평라인에 배치되는 화소들(Pj)의 제4 트랜지스터(T4)는 j 번째 제2 발광제어신호(EM2[j])에 의해서 턴-온 또는 턴-오프된다. j 번째 수평라인에 배치되는 화소들(Pj)의 제5 트랜지스터(T5)는 j 번째 제1 발광제어신호(EM1[j])에 의해서 턴-온 또는 턴-오프된다. 도 8을 참조하면, j 번째 제1 발광제어신호(EM1[j])는 j 번째 제1 발광제어신호 스테이지(EM1_STG[j])에서 생성되고, j 번째 제2 발광제어신호(EM2[j])는 j 번째 제2 발광제어신호 스테이지(EM2_STG[j])에서 생성된다.
도 7 및 도 8에서와 같이, 각각의 수평라인에 인가되는 발광제어신호는 독립적으로 생성되기 때문에, 발광제어신호들이 서로 다른 동작 기간을 갖는 두 개의 수평라인에 동시에 인가되지 않는다. 따라서, 다른 실시 예에 화소들은 도 9에서와 같이, 샘플링 기간(Ps)과 발광 기간(pE)을 연속적으로 수행할 수 있다.
도 9는 도 7에 도시된 화소(P)에 인가되는 신호들(EM,SCAN,DATA)의 타이밍을 나타내는 도면이다. 도 9에 도시된 신호들을 이용하여 도 7을 구동하는 방법은 전술한 실시 예와 실질적으로 동일하다.
즉, j 번째 수평라인에 배열된 화소들(Pj)의 초기화 기간(Pi) 동안에, j 번째 제1 스캔신호(SCAN1[j])를 이용하여 제1 및 제2 트랜지스터(T1,T2)를 턴-온 시켜서 노드 A 및 노드 D를 초기화한다.
샘플링 기간(Ps) 동안에는, j 번째 제1 스캔신호(SCAN1[j]) 및 j 번째 제2 스캔신호(SCAN2[j])를 이용하여 구동트랜지스터(DT)가 다이오드 커넥션이 되도록 한다.
그리고 발광 기간(Pe) 동안에는, j 번째 제1 발광제어신호(EM1[j]) 및 j 번째 제2 발광제어신호(EM2[j])를 이용하여, 노드 C 및 노드 D를 유기발광다이오드의 동작전압으로 설정하고, 유기발광 다이오드에 전류를 공급한다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
100: 표시패널 110: 타이밍 콘트롤러
120: 데이터 구동회로 130: 레벨 쉬프터
140: 쉬프트 레지스터

Claims (11)

  1. n개의 수평 라인들 각각에 배치되는 복수의 화소들 및 상기 복수의 화소들에 배치되는 트랜지스터들을 구동하는 쉬프트레지스터를 포함하되,
    상기 화소들은
    노드 A에 접속되는 게이트전극, 노드 B에 접속되는 드레인전극 및 노드 C에 접속되는 소스전극으로 이루어지며, 노드 D에 접속하는 유기발광다이오드에 공급하는 구동전류를 제어하는 구동 트랜지스터;
    상기 노드 A 및 노드 B 사이에 접속되고, 게이트전극이 제1 스캔신호를 인가받는 제1 트랜지스터;
    노드 D 및 초기화전압 입력단 사이에 접속되고, 게이트전극이 상기 제1 스캔신호를 인가받는 제2 트랜지스터;
    데이터라인 및 상기 노드 C 사이에 접속되고, 게이트전극이 제2 스캔신호를 인가받는 제3 트랜지스터;
    상기 노드 B 및 고전위전압 입력단 사이에 접속되는 제4 트랜지스터; 및
    상기 노드 C 및 상기 노드 D 사이에 접속되는 제5 트랜지스터를 포함하고,
    상기 쉬프트레지스터는
    상기 제1 스캔신호를 인접하는 한 쌍의 수평라인에 배열된 화소들에 동시에 인가하는 n/2개의 제1 스캔신호 스테이지;
    상기 제2 스캔신호를 상기 인접하는 한 쌍의 수평라인 각각에 배열된 화소들에 순차적으로 인가하는 n개의 제2 스캔신호 스테이지; 및
    상기 제4 및 제5 트랜지스터들 각각에 인가되는 발광제어신호를 생성하는 n개의 발광제어신호 스테이지를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    초기화 기간 내에서,
    상기 제1 및 제2 트랜지스터는 상기 제1 스캔신호에 응답하여, 상기 노드 A를 고전위전압으로 초기화하고, 노드 D를 초기화전압으로 초기화하는 유기발광다이오드 표시장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 초기화 기간에 이어지는 샘플링 기간 내에서,
    상기 제1 트랜지스터는 상기 제1 스캔신호에 응답하여 턴-온되고, 상기 제3 트랜지스터는 상기 제2 스캔신호에 응답하여 턴-온 됨으로써, 상기 구동트랜지스터의 드레인-소스는 다이오드 커넥션되는 유기발광다이오드 표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    서로 인접하는 j 번째 수평라인 및 (j+1) 번째 수평라인에 배열되는 화소들을 구동하기 위한 상기 쉬프트 레지스터는
    j(j는 자연수) 번째 제1 스캔신호를 j 번째 수평라인 및 (j+1) 번째 수평라인에 배치된 제1 및 제2 트랜지스터에 인가하는 j 번째 제1 스캔신호 스테이지;
    j 번째 제2 스캔신호를 j 번째 수평라인에 배치된 제3 트랜지스터에 인가하는 j 번째 제2 스캔신호 스테이지;
    (j+1) 번째 제2 스캔신호를 (j+1) 번째 수평라인에 배치된 제3 트랜지스터에 인가하는 (j+1) 번째 제2 스캔신호 스테이지;
    j 번째 발광제어신호를 j 번째 수평라인에 배치된 제5 트랜지스터에 인가하는 j 번째 발광제어신호 스테이지;
    (j+1) 번째 발광제어신호를 j 번째 수평라인에 배치된 제4 트랜지스터 (j+1) 번째 수평라인에 배치된 제5 트랜지스터에 인가하는 (j+1) 번째 발광제어신호 스테이지; 및
    (j+2) 번째 발광제어신호를 (j+1) 번째 수평라인에 배치된 제4 트랜지스터에 인가하는 (j+2) 번째 발광제어신호 스테이지를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 j 번째 제1 스캔신호 스테이지는
    j 번째 수평라인에 배치된 화소들의 초기화 기간 및 샘플링 기간과 (j+1) 번째 수평라인에 배치된 화소들의 초기화 기간 및 샘플링 기간 동안에, 상기 제1 및 제2 트랜지스터를 턴-온 시키는 j 번째 제1 스캔신호를 출력하는 유기발광다이오드 표시장치.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 j 번째 제2 스캔신호 스테이지는 j 번째 수평라인에 배치된 화소들의 샘플링 기간 동안에 상기 제3 트랜지스터를 턴-온 시키는 j 번째 제2 스캔신호를 출력하는 유기발광다이오드 표시장치.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 j 번째 발광제어신호 스테이지는 j 번째 수평라인에 배치된 화소들의 초기화 기간 및 샘플링 기간 동안에 상기 제5 트랜지스터를 턴-오프 시키는 j 번째 발광제어신호를 출력하는 유기발광다이오드 표시장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    서로 인접하는 j 번째 수평라인 및 (j+1) 번째 수평라인에 배열되는 화소들을 구동하기 위한 상기 쉬프트 레지스터는
    j(j는 자연수) 번째 제1 스캔신호를 j 번째 수평라인 및 (j+1) 번째 수평라인에 배치된 제1 및 제2 트랜지스터에 인가하는 j 번째 제1 스캔신호 스테이지;
    j 번째 제2 스캔신호를 j 번째 수평라인에 배치된 제3 트랜지스터에 인가하는 j 번째 제2 스캔신호 스테이지;
    (j+1) 번째 제2 스캔신호를 (j+1) 번째 수평라인에 배치된 제3 트랜지스터에 인가하는 (j+1) 번째 제2 스캔신호 스테이지;
    j 번째 제1 발광제어신호를 j 번째 수평라인에 배치된 제5 트랜지스터에 인가하는 j 번째 제1 발광제어신호 스테이지;
    j 번째 제2 발광제어신호를 j 번째 수평라인에 배치된 제4 트랜지스터에 인가하는 j 번째 제2 발광제어신호 스테이지;
    (j+1) 번째 제1 발광제어신호를 (j+1) 번째 수평라인에 배치된 제5 트랜지스터에 인가하는 (j+1) 번째 제1 발광제어신호 스테이지; 및
    (j+1) 번째 제2 발광제어신호를 (j+1) 번째 수평라인에 배치된 제4 트랜지스터에 인가하는 (j+1) 번째 제2 발광제어신호 스테이지를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 j 번째 제1 스캔신호 스테이지는
    j 번째 수평라인에 배치된 화소들의 초기화 기간 및 샘플링 기간과 (j+1) 번째 수평라인에 배치된 화소들의 초기화 기간 및 샘플링 기간 동안에, 상기 제1 및 제2 트랜지스터를 턴-온 시키는 j 번째 제1 스캔신호를 출력하는 유기발광다이오드 표시장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 j 번째 제1 발광제어신호 스테이지는 j 번째 수평라인에 배치된 화소들의 초기화 기간 및 샘플링 기간 동안에 상기 제5 트랜지스터를 턴-오프 시키는 j 번째 제1 발광제어신호를 출력하는 유기발광다이오드 표시장치.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 j 번째 제2 발광제어신호 스테이지는 j 번째 수평라인에 배치된 화소들의 샘플링 기간 동안에 상기 제4 트랜지스터를 턴-오프 시키는 j 번째 제2 발광제어신호를 출력하는 유기발광다이오드 표시장치.
KR1020150138255A 2015-09-30 2015-09-30 유기발광다이오드 표시장치 KR102382323B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150138255A KR102382323B1 (ko) 2015-09-30 2015-09-30 유기발광다이오드 표시장치
EP16191053.4A EP3151232B1 (en) 2015-09-30 2016-09-28 Organic light emitting diode (oled) display
US15/279,408 US10373563B2 (en) 2015-09-30 2016-09-28 Organic light emitting diode (OLED) display
CN201610875930.0A CN106847184B (zh) 2015-09-30 2016-09-30 有机发光二极管显示器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150138255A KR102382323B1 (ko) 2015-09-30 2015-09-30 유기발광다이오드 표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170039052A KR20170039052A (ko) 2017-04-10
KR102382323B1 true KR102382323B1 (ko) 2022-04-05

Family

ID=57083128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150138255A KR102382323B1 (ko) 2015-09-30 2015-09-30 유기발광다이오드 표시장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10373563B2 (ko)
EP (1) EP3151232B1 (ko)
KR (1) KR102382323B1 (ko)
CN (1) CN106847184B (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102382323B1 (ko) * 2015-09-30 2022-04-05 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
US20170186782A1 (en) * 2015-12-24 2017-06-29 Innolux Corporation Pixel circuit of active-matrix light-emitting diode and display panel having the same
KR102312349B1 (ko) * 2017-06-30 2021-10-13 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
KR102332423B1 (ko) * 2017-07-27 2021-11-30 엘지디스플레이 주식회사 시프트레지스터 및 이를 포함하는 표시장치
KR102436560B1 (ko) * 2017-08-31 2022-08-26 엘지디스플레이 주식회사 게이트 구동회로 및 이를 이용한 유기발광 표시장치
KR102498500B1 (ko) * 2017-09-15 2023-02-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN108877674A (zh) * 2018-07-27 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路及其驱动方法、显示装置
KR102566278B1 (ko) * 2018-08-23 2023-08-16 삼성디스플레이 주식회사 화소 회로
KR102648977B1 (ko) * 2018-11-12 2024-03-20 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN109410836A (zh) * 2018-12-05 2019-03-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled像素驱动电路及显示面板
WO2021081990A1 (zh) 2019-11-01 2021-05-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置和显示驱动方法
KR20210082904A (ko) * 2019-12-26 2021-07-06 엘지디스플레이 주식회사 게이트 구동 회로 및 이를 이용한 표시 장치
KR20210130309A (ko) * 2020-04-21 2021-11-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111445851B (zh) * 2020-04-30 2021-10-08 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法、显示装置
KR20220067304A (ko) * 2020-11-17 2022-05-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112419967B (zh) * 2020-11-19 2022-04-12 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法、显示装置
US11532282B2 (en) 2020-12-09 2022-12-20 Apple Inc. Displays with reduced temperature luminance sensitivity
EP4229622A1 (en) * 2020-12-09 2023-08-23 Apple Inc. Displays with reduced temperature luminance sensitivity
KR20220089325A (ko) * 2020-12-21 2022-06-28 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN114093321B (zh) * 2021-11-30 2023-11-28 厦门天马微电子有限公司 像素驱动电路、驱动方法、显示面板及显示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070063932A1 (en) 2005-09-13 2007-03-22 Arokia Nathan Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices
US20090225009A1 (en) 2008-03-04 2009-09-10 Ji-Hyun Ka Organic light emitting display device and associated methods
US20120287025A1 (en) 2011-05-11 2012-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Active matrix display device and driving method thereof
US20140198136A1 (en) 2013-01-16 2014-07-17 Samsung Display Co., Ltd. Pixel circuit of an organic light emitting display device and organic light emitting display device including the same
CN104282266A (zh) * 2014-08-26 2015-01-14 苹果公司 具有降低的电容敏感度的有机发光二极管显示器
US20150170576A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US20160351122A1 (en) 2015-05-28 2016-12-01 Lg Display Co., Ltd. Organic Light Emitting Display and Circuit Thereof

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014219521A (ja) 2013-05-07 2014-11-20 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 画素回路及びその駆動方法
KR102077661B1 (ko) * 2013-05-07 2020-02-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 구동 방법
TW201447848A (zh) 2013-06-11 2014-12-16 Au Optronics Corp 顯示器及其驅動方法
JP2015045831A (ja) * 2013-08-29 2015-03-12 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 電気光学装置
CN103956140B (zh) 2014-05-08 2016-06-15 上海和辉光电有限公司 场效应晶体管工作点状态重置电路、方法及其oled显示器
KR102357345B1 (ko) * 2015-01-27 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102559083B1 (ko) * 2015-05-28 2023-07-25 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102503160B1 (ko) * 2015-09-30 2023-02-24 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
KR102382323B1 (ko) * 2015-09-30 2022-04-05 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
US10475371B2 (en) * 2016-11-14 2019-11-12 Int Tech Co., Ltd. Pixel circuit in an electroluminescent display
KR102573334B1 (ko) * 2016-12-28 2023-09-01 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그의 구동방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070063932A1 (en) 2005-09-13 2007-03-22 Arokia Nathan Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices
US20090225009A1 (en) 2008-03-04 2009-09-10 Ji-Hyun Ka Organic light emitting display device and associated methods
US20120287025A1 (en) 2011-05-11 2012-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Active matrix display device and driving method thereof
US20140198136A1 (en) 2013-01-16 2014-07-17 Samsung Display Co., Ltd. Pixel circuit of an organic light emitting display device and organic light emitting display device including the same
US20150170576A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
CN104282266A (zh) * 2014-08-26 2015-01-14 苹果公司 具有降低的电容敏感度的有机发光二极管显示器
US20160351122A1 (en) 2015-05-28 2016-12-01 Lg Display Co., Ltd. Organic Light Emitting Display and Circuit Thereof

Also Published As

Publication number Publication date
CN106847184B (zh) 2019-01-25
US20170092200A1 (en) 2017-03-30
EP3151232A1 (en) 2017-04-05
CN106847184A (zh) 2017-06-13
KR20170039052A (ko) 2017-04-10
EP3151232B1 (en) 2020-05-06
US10373563B2 (en) 2019-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102382323B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치
KR102503160B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치
KR102523280B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 구동방법
KR102559083B1 (ko) 유기발광 표시장치
KR102597752B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치
GB2560082B (en) Organic light emitting display panel and organic light emitting display device including the same
KR20210083827A (ko) 전계 발광 표시장치
KR20160057596A (ko) 유기발광다이오드 표시장치
KR102218315B1 (ko) 표시장치 및 그 구동 방법
KR20100069427A (ko) 유기발광다이오드 표시장치
US20180190199A1 (en) Organic light emitting display panel and organic light emitting display device including the same
KR20210084097A (ko) 표시 장치
KR102405106B1 (ko) Oled 구동전류 보상회로 및 그를 포함하는 유기발광표시장치
KR102364098B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치
KR102171466B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치 및 그의 구동방법
KR102076845B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법
KR20160067636A (ko) 유기발광 표시장치
KR102328983B1 (ko) 유기발광 표시장치
KR20210085077A (ko) 게이트 구동회로 및 이를 이용한 전계 발광 표시 장치
KR102508806B1 (ko) 유기발광 표시장치
KR20200067584A (ko) 픽셀 회로와 이를 이용한 표시장치
CN111383593B (zh) 用于有机发光二极管显示器的像素和oled显示器
KR102202798B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치
KR102498500B1 (ko) 유기발광 표시장치
KR102199033B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant