KR20170015750A - 화소 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치 - Google Patents

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Abstract

유기발광 표시장치의 화소는 데이터선과 제 1 노드 사이에 연결되는 제 1 트랜지스터, 제 2 노드와 제 3 노드 사이에 연결되는 제 2 트랜지스터, 상기 제 2 노드와 제 4 노드 사이에 연결되는 제 3 트랜지스터, 상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이에 연결되는 제 4 트랜지스터, 상기 제 3 노드와 초기화 전원 사이에 연결되는 제 5 트랜지스터, 제 1 전원과 상기 제 3 노드 사이에 연결되는 제 6 트랜지스터, 상기 제 1 노드와 상기 제 4 노드 사이에 연결되는 커패시터 및 상기 제 2 노드와 제 2 전원 사이에 연결되는 유기발광 다이오드를 포함한다.

Description

화소 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치 {PIXEL AND ORGANIC LIGHT EMITTNG DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}
본 발명은 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 화소 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치에 관한 것이다.
유기발광 표시장치는 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발생하는 유기발광 다이오드를 이용하여 영상을 표시하는 것으로, 이는 빠른 응답속도를 가짐과 동시에 선명한 영상을 표시할 수 있다는 장점이 있다.
일반적으로, 유기발광 표시장치는 구동 트랜지스터와 유기발광 다이오드를 포함하는 다수의 화소들을 구비하며, 각 화소는 구동 트랜지스터를 이용하여 유기발광 다이오드로 공급되는 전류량을 제어함으로써 해당 계조를 표현할 수 있다.
이 경우, 화소들 각각에 포함된 구동 트랜지스터들의 문턱 전압 편차에 의하여, 불균일한 휘도의 영상이 표시되는 문제점이 있다.
본 발명의 일 실시예는 구동 트랜지스터들의 문턱 전압 편차로 인한 휘도 불균일 현상을 제거할 수 있는 화소를 제공한다.
본 발명의 다른 실시예는 구동 트랜지스터들의 문턱 전압 편차로 인한 휘도 불균일 현상을 제거할 수 있는 유기발광 표시장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 화소는 제 1 트랜지스터, 제 2 트랜지스터, 제 3 트랜지스터, 제 4 트랜지스터, 제 5 트랜지스터, 제 6 트랜지스터, 커패시터 및 유기발광 다이오드를 포함한다. 상기 제 1 트랜지스터는 데이터선과 제 1 노드 사이에 연결된다. 상기 제 2 트랜지스터는 제 2 노드와 제 3 노드 사이에 연결된다. 상기 제 3 트랜지스터는 상기 제 2 노드와 제 4 노드 사이에 연결된다. 상기 제 4 트랜지스터는 상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이에 연결된다. 상기 제 5 트랜지스터는 상기 제 3 노드와 초기화 전원 사이에 연결된다. 상기 제 6 트랜지스터는 제 1 전원과 상기 제 3 노드 사이에 연결된다. 상기 커패시터는 상기 제 1 노드와 상기 제 4 노드 사이에 연결된다. 상기 유기발광 다이오드는 상기 제 2 노드와 제 2 전원 사이에 연결된다.
일 실시예에서, 상기 제 1 트랜지스터는, 상기 데이터선에 연결되는 제 1 전극, 상기 제 1 노드에 연결되는 제 2 전극 및 제 1 제어선에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 상기 제 2 트랜지스터는, 상기 제 3 노드에 연결되는 제 1 전극, 상기 제 2 노드에 연결되는 제 2 전극 및 상기 제 4 노드에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 상기 제 3 트랜지스터는, 상기 제 4 노드에 연결되는 제 1 전극, 상기 제 2 노드에 연결되는 제 2 전극 및 상기 제 1 제어선에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 상기 제 4 트랜지스터는, 상기 제 1 노드에 연결되는 제 1 전극, 상기 제 2 노드에 연결되는 제 2 전극 및 제 2 제어선에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 상기 제 5 트랜지스터는, 상기 제 3 노드에 연결되는 제 1 전극, 상기 초기화 전원에 연결되는 제 2 전극 및 상기 제 1 제어선에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 상기 제 6 트랜지스터는, 상기 제 1 전원에 연결되는 제 1 전극, 상기 제 3 노드에 연결되는 제 2 전극 및 상기 제 2 제어선에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제 1 내지 제 6 트랜지스터 각각은 n 채널형 트랜지스터일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 화소는 제 1 기간, 제 2 기간, 제 3 기간 및 제 4 기간을 순차적으로 포함하는 단위 기간 동안 동작할 수 있다. 이 경우, 상기 제 1 트랜지스터, 상기 제 3 트랜지스터 및 상기 제 5 트랜지스터는 상기 단위 기간 중 상기 제 2 기간 동안 온 상태를 유지할 수 있다. 또한, 상기 제 4 트랜지스터 및 상기 제 6 트랜지스터는 상기 단위 기간 중 상기 제 4 기간 동안 온 상태를 유지할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제 1 기간 동안 상기 제 1 내지 제 6 트랜지스터가 오프 상태를 유지함에 따라, 상기 제 2 노드의 전위는 상기 유기발광 다이오드의 문턱전압 레벨을 유지할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제 2 기간 동안 상기 제 3 트랜지스터가 온 상태를 유지함에 따라, 상기 제 2 트랜지스터의 상기 게이트 전극과 상기 제 2 전극은 다이오드-연결될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 초기화 전원은 상기 제 2 전원과 동일한 전압 레벨을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제 1 내지 제 6 트랜지스터의 각 활성층은, 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제 1 제어선은 상기 화소와 연결된 주사선일 수 있다. 또한, 상기 제 2 제어선은 상기 화소와 연결된 발광 제어선일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 다수의 화소들, 주사 구동부, 데이터 구동부 및 제어 구동부를 포함한다. 상기 다수의 화소들은 n(n은 2 이상의 자연수)개의 주사선들, m(m은 2 이상의 자연수)개의 데이터선들 및 n개의 제어선들과 연결된다. 상기 주사 구동부는 상기 주사선들로 주사 신호를 공급한다. 상기 데이터 구동부는 상기 데이터선들로 데이터 신호를 공급한다. 상기 제어 구동부는 상기 제어선들로 제어 신호를 공급한다. 상기 다수의 화소들 중 제 i (i는 n 이하의 자연수) 주사선, 제 i 제어선 및 제 j (j는 m 이하의 자연수) 데이터선과 연결되는 화소는, 제 1 내지 제 6 트랜지스터, 커패시터 및 유기발광 다이오드를 포함한다. 상기 제 1 트랜지스터는 상기 제 j 데이터선과 제1 노드 사이에 연결되며, 상기 제 i 주사선에 공급되는 주사 신호에 대응하여 턴-온된다. 상기 제 2 트랜지스터는 제 2 노드와 제 3 노드 사이에 연결된다. 상기 제 3 트랜지스터는 상기 제 2 노드와 제 4 노드 사이에 연결되며, 상기 제 i 주사선에 공급되는 주사 신호에 대응하여 턴-온된다. 상기 제 4 트랜지스터는 상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이에 연결되며, 상기 제 i 제어선에 공급되는 제어 신호에 대응하여 턴-온된다. 상기 제 5 트랜지스터는 상기 제 3 노드와 초기화 전원 사이에 연결되며, 상기 제 i 주사선에 공급되는 주사 신호에 대응하여 턴-온된다. 상기 제 6 트랜지스터는 제 1 전원과 상기 제 3 노드 사이에 연결되며, 상기 제 i 제어선에 공급되는 제어 신호에 대응하여 턴-온된다. 상기 커패시터는 상기 제 1 노드와 상기 제 4 노드 사이에 연결된다. 상기 유기발광 다이오드는 상기 제 2 노드와 제 2 전원 사이에 연결된다.
일 실시예에서, 상기 제 1 트랜지스터는, 상기 제 j 데이터선에 연결되는 제 1 전극, 상기 제 1 노드에 연결되는 제 2 전극 및 상기 제 i 주사선에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 상기 제 2 트랜지스터는, 상기 제 3 노드에 연결되는 제 1 전극, 상기 제 2 노드에 연결되는 제 2 전극 및 상기 제 4 노드에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 상기 제 3 트랜지스터는, 상기 제 4 노드에 연결되는 제 1 전극, 상기 제 2 노드에 연결되는 제 2 전극 및 상기 제 i 주사선에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 상기 제 4 트랜지스터는, 상기 제 1 노드에 연결되는 제 1 전극, 상기 제 2 노드에 연결되는 제 2 전극 및 제 i 제어선에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 상기 제 5 트랜지스터는, 상기 제 3 노드에 연결되는 제 1 전극, 상기 초기화 전원에 연결되는 제 2 전극 및 상기 제 i 주사선에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 상기 제 6 트랜지스터는, 상기 제 1 전원에 연결되는 제 1 전극, 상기 제 3 노드에 연결되는 제 2 전극 및 상기 제 i 제어선에 연결되는 게이트 전극을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제 1 내지 제 6 트랜지스터 각각은, n 채널형 트랜지스터일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 유기발광 표시장치는 제 1 기간 내지 제 4 기간을 포함하는 단위 기간동안 동작할 수 있다. 이 경우, 상기 제 i 주사선은 상기 제 2 기간동안 주사 신호를 공급받고, 상기 제 j 데이터선은 상기 제 2 기간동안 데이터 신호를 공급받으며, 상기 제 i 제어선은 상기 제 4 기간동안 제어 신호를 공급받을 수 있다.
일 실시예에서, 상기 초기화 전원은, 상기 제 2 전원과 동일한 전압 레벨을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제 1 내지 제 6 트랜지스터의 각 활성층은, 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 화소에 의하면, 유기발광 다이오드로 공급되는 구동 전류가 구동 트랜지스터의 문턱 전압과 무관하게 결정되므로, 구동 트랜지스터들의 문턱 전압 편차로 인한 휘도 불균일 현상을 제거할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치에 의하면, 유기발광 표시장치에 포함되는 화소들의 각 유기발광 다이오드로 공급되는 구동 전류가 각 구동 트랜지스터의 문턱 전압과 무관하게 결정되므로, 구동 트랜지스터들의 문턱 전압 편차로 인한 휘도 불균일 현상을 제거할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 유기발광 표시장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 화소를 나타내는 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 화소의 구동 방법을 나타내는 타이밍도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 화소를 나타내는 회로도이다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 이하의 설명에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 도면에서 본 발명과 관계없는 부분은 본 발명의 설명을 명확하게 하기 위하여 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.
이하, 본 발명의 실시예들과 관련된 도면들을 참고하여, 본 발명의 실시예에 의한 화소 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치에 대해 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 유기발광 표시장치를 나타내는 블록도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 유기발광 표시장치(1)는 다수의 화소들(PXL1)을 포함하는 화소부(10), 주사 구동부(20), 데이터 구동부(30), 제어 구동부(40) 및 타이밍 제어부(50)를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 의한 유기발광 표시장치(1)는 주사 구동부(20)와 화소들(PXL1) 사이에 연결되는 n개의 주사선들(S1 내지 Sn)과, 데이터 구동부(30)와 화소들(PXL1) 사이에 연결되는 m개의 데이터선들(D1 내지 Dm), 및 제어 구동부(40)와 화소들(PXL1) 사이에 연결되는 n개의 제어선들(C1 내지 Cn)을 더 포함할 수 있다. (여기서, n과 m은 2 이상의 자연수이다.) 본 명세서에서, 상기 제어선들(C1 내지 Cn)은 발광 제어선들로도 지칭될 수 있다.
화소들(PXL1)을 포함하는 화소부(10)는 각각의 화소들(PXL1)을 구동하기 위해 n개의 주사선들(S1 내지 Sn), m개의 데이터선들(D1 내지 Dm) 및 n개의 제어선들(C1 내지 Cn)과 연결될 수 있다.
예를 들어, 각 화소(PXL1)는 주사선, 데이터선 및 제어선에 연결될 수 있다.
즉, h 번째 라인에 위치하는 화소들(PXL1)은 제 h 주사선(Sh) 및 제 h 제어선(Ch)과 연결될 수 있다. (여기서, h는 n 이하의 자연수이다.)
화소들(PXL1)은 전원 공급부(미도시)로부터 제 1 전원(ELVDD), 제 2 전원(ELVSS) 및 초기화 전원(INT)를 공급받을 수 있다. 도 1에서 제 2 전원(ELVSS) 및 초기화 전원(INT)은 독립된 전원인 것으로 도시되어 있으나, 실시예에 따라 제 2 전원(ELVSS) 및 초기화 전원(INT)을 동일한 전원으로 구성할 수도 있다.
또한, 화소들(PXL1) 각각은 제 1 전원(ELVDD)으로부터 유기발광 다이오드를 경유하여 제 2 전원(ELVSS)으로 흐르는 전류에 의해, 데이터 신호에 대응하는 빛을 생성할 수 있다.
주사 구동부(20)는 타이밍 제어부(50)의 제어에 의해 주사 신호를 생성하고, 생성된 주사 신호를 주사선들(S1 내지 Sn)로 공급할 수 있다.
따라서, 화소들(PXL1)은 주사선들(S1 내지 Sn)을 통해 주사 신호를 공급받을 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 화소를 나타내는 회로도이다. 도 2에 도시된 화소(PXL1)는 유기발광 표시장치의 화소부 내 i (i는 n 이하의 자연수) 번째 행 및 j (j는 m 이하의 자연수) 번째 열에 위치한 화소를 나타낸 것이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 화소(PXL1)는 제 1 트랜지스터(T1), 제 2 트랜지스터(T2), 제 3 트랜지스터(T3), 제 4 트랜지스터(T4), 제 5 트랜지스터(T5), 제 6 트랜지스터(T6), 커패시터(Cst) 및 유기발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED)를 포함한다.
제 1 트랜지스터(T1)는 제 j 데이터선(Dj)과 제 1 노드(N1) 사이에 연결될 수 있다.
예를 들어, 제 1 트랜지스터(T1)의 제 1 전극은 제 j 데이터선(Dj)에 연결되고, 제 1 트랜지스터(T1)의 제 2 전극은 제 1 노드(N1)에 연결되며, 제 1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제 i 주사선(Si)에 연결될 수 있다.
이에 따라, 제 1 트랜지스터(T1)는 제 i 주사선(Si)에 공급되는 주사 신호에 대응하여 턴-온될 수 있다.
제 1 트랜지스터(T1)가 턴-온되는 경우, 제 j 데이터선(Dj)의 데이터 신호는 제 1 노드(N1)로 전달될 수 있다.
제 2 트랜지스터(T2)는 제 2 노드(N2)와 제 3 노드(N3) 사이에 연결될 수 있다.
예를 들어, 제 2 트랜지스터(T2)의 제 1 전극은 제 3 노드(N3)에 연결되고, 제 2 트랜지스터(T2)의 제 2 전극은 제 2 노드(N2)에 연결되며, 제 2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 제 4 노드(N4)에 연결될 수 있다.
제 2 트랜지스터(T2)는 유기발광 다이오드(OLED)로 구동 전류를 공급하는 구동 트랜지스터의 역할을 수행할 수 있다.
예를 들어, 제 2 트랜지스터(T2)는 커패시터(Cst)에 저장된 전압에 대응하는 구동 전류를 유기발광 다이오드(OLED)로 공급할 수 있다.
제 3 트랜지스터(T3)는 제 2 노드(N2)와 제 4 노드(N4) 사이에 연결될 수 있다.
예를 들어, 제 3 트랜지스터(T3)의 제 1 전극은 제 4 노드(N4)에 연결되고, 제 3 트랜지스터(T3)의 제 2 전극은 제 2 노드(N2)에 연결되며, 제 3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 제 i 주사선(Si)에 연결될 수 있다.
이에 따라, 제 3 트랜지스터(T3)는 제 i 주사선(Si)에 공급되는 주사 신호에 대응하여 턴-온될 수 있다.
제 3 트랜지스터(T3)가 턴-온되는 경우, 제 2 트랜지스터(T2)의 제 2 전극과 제 2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 제 3 트랜지스터(T3)가 턴-온되는 경우, 제 2 트랜지스터(T2)는 다이오드-연결(diode connecting)될 수 있다.
제 4 트랜지스터(T4)는 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2) 사이에 연결될 수 있다.
예를 들어, 제 4 트랜지스터(T4)의 제 1 전극은 제 1 노드(N1)에 연결되고, 제 4 트랜지스터(T4)의 제 2 전극은 제 2 노드(N2)에 연결되며, 제 4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 제 i 제어선(Ci)에 연결될 수 있다.
이에 따라, 제 4 트랜지스터(T4)는 제 i 제어선(Ci)에 공급되는 제어 신호에 대응하여 턴-온될 수 있다. 제 4 트랜지스터(T4)가 턴-온되는 경우, 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2)가 전기적으로 연결될 수 있다.
제 5 트랜지스터(T5)는 제 3 노드(N3)와 초기화 전원(INT) 사이에 연결될 수 있다.
예를 들어, 제 5 트랜지스터(T5)의 제 1 전극은 제 3 노드(N3)에 연결되고, 제 5 트랜지스터(T5)의 제 2 전극은 초기화 전원(INT)에 연결되며, 제 5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극은 제 i 주사선(Si)에 연결될 수 있다.
이에 따라, 제 5 트랜지스터(T5)는 제 i 주사선(Si)에 공급되는 주사 신호에 대응하여 턴-온될 수 있다. 제 5 트랜지스터(T5)가 턴-온되는 경우, 초기화 전원(INT)의 전압이 제 3 노드(N3)에 전달될 수 있다.
제 6 트랜지스터(T6)는 제 1 전원(ELVDD)과 제 3 노드(N3) 사이에 연결될 수 있다.
예를 들어, 제 6 트랜지스터(T6)의 제 1 전극은 제 1 전원(ELVDD)에 연결되고, 제 6 트랜지스터(T6)의 제 2 전극은 제 3 노드(N3)에 연결되며, 제 6 트랜지스터(T6)의 게이트 전극은 제 i 제어선(Ci)에 연결될 수 있다.
이에 따라, 제 6 트랜지스터(T6)는 제 i 제어선(Ci)에 공급되는 제어 신호에 대응하여 턴-온될 수 있다. 제 6 트랜지스터(T6)가 턴-온되는 경우, 제 1 전원(ELVDD)의 전압이 제 3 노드(N3)에 전달될 수 있다.
여기서, 각 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6)의 제1 전극은 소스 전극 또는 드레인 전극으로 설정되고, 제2 전극은 제1 전극과 다른 전극으로 설정될 수 있다.
예를 들어, 제1 전극이 드레인 전극으로 설정되면, 제2 전극은 소스 전극으로 설정될 수 있다.
화소(PXL1)에 포함된 트랜지스터들(T1, T2, T3, T4, T5, T6)은 모두 동일한 채널형을 가질 수 있다.
예를 들어, 다결정 실리콘 박막 트랜지스터(poly-Si TFT: polycrystalline-Silicon Thin Film Transistor) 뿐만 아니라, 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(a-Si TFT: amorphous Silicon Thin Film Transistor)와 산화물 박막 트랜지스터(oxide TFT: oxide Thin Film Transistor)를 채용할 수 있도록, 제 1 내지 제 6 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6) 각각은 n 채널형으로 설정될 수 있다.
n 채널형 트랜지스터는 제어 신호의 레벨 상태가 로우 레벨이면 턴-오프될 수 있고, 제어 신호의 레벨 상태가 하이 레벨이면 턴-온될 수 있으며, 또한 p 채널형 트랜지스터에 비하여 동작 속도가 빨라 대면적의 표시장치를 제조하는데 유리하다.
즉, 전자는 정공에 비하여 이동도가 높은데, n 채널형 트랜지스터는 전자를 캐리어(carrier)로 이용하기 때문에, 정공을 캐리어로 이용하는 p 채널형 트랜지스터에 비하여 제어 신호에 대한 응답 속도가 빠르다.
특히, 각 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6)가 산화물 박막 트랜지스터로 구현된 경우, 상기 각 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6)의 활성층(active layer)은 산화물 반도체(oxide semiconductor)를 포함할 수 있다.
산화물 반도체는 티타늄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 게르마늄(Ge), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 또는 인듐(In)을 기본으로 하는 산화물, 이들의 복합 산화물인 산화아연(ZnO), 인듐-갈륨-아연 산화물(InGaZnO4), 인듐-아연 산화물(Zn-In-O), 아연-주석 산화물(Zn-Sn-O) 인듐-갈륨 산화물 (In-Ga-O), 인듐-주석 산화물(In-Sn-O), 인듐-지르코늄 산화물(In-Zr-O), 인듐-지르코늄-아연 산화물(In-Zr-Zn-O), 인듐-지르코늄-주석 산화물(In-Zr-Sn-O), 인듐-지르코늄-갈륨 산화물(In-Zr-Ga-O), 인듐-알루미늄 산화물(In-Al-O), 인듐-아연-알루미늄 산화물(In-Zn-Al-O), 인듐-주석-알루미늄 산화물(In-Sn-Al-O), 인듐-알루미늄-갈륨 산화물(In-Al-Ga-O), 인듐-탄탈륨 산화물(In-Ta-O), 인듐-탄탈륨-아연 산화물(In-Ta-Zn-O), 인듐-탄탈륨-주석 산화물(In-Ta-Sn-O), 인듐-탄탈륨-갈륨 산화물(In-Ta-Ga-O), 인듐-게르마늄 산화물(In-Ge-O), 인듐-게르마늄-아연 산화물(In-Ge-Zn-O), 인듐-게르마늄-주석 산화물(In-Ge-Sn-O), 인듐-게르마늄-갈륨 산화물(In-Ge-Ga-O), 티타늄-인듐-아연 산화물(Ti-In-Zn-O), 하프늄-인듐-아연 산화물(Hf-In-Zn-O) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상술한 산화물 반도체의 종류는 예시적인 것에 불과하며, 그 외 다른 산화물 반도체가 사용될 수 있다.
커패시터(Cst)는 제 1 노드(N1)와 제 4 노드(N4) 사이에 연결될 수 있다.
예를 들어, 커패시터(Cst)의 제 1 전극은 제 1 노드(N1)와 연결되고, 커패시터(Cst)의 제 2 전극은 제 4 노드(N4)에 연결될 수 있다.
유기발광 다이오드(OLED)는 제 2 노드(N2)와 제 2 전원(ELVSS) 사이에 연결될 수 있다.
예를 들어, 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극은 제 2 노드(N2)에 연결되고, 유기발광 다이오드(OLED)의 캐소드 전극은 제 2 전원(ELVSS)에 연결될 수 있다.
유기발광 다이오드(OLED)는 제 2 트랜지스터(T2)로부터 구동 전류를 공급받고, 상기 구동 전류에 대응하는 휘도로 발광할 수 있다.
또한, 점선으로 도시된 바와 같이, 유기발광 다이오드(OLED)에는 기생 커패시터(Cp)가 존재할 수 있다.
제 1 노드(N1)는 제 1 트랜지스터(T1), 제 4 트랜지스터(T4) 및 커패시터(Cst)가 공통적으로 접속되는 노드이다.
예를 들어, 제 1 트랜지스터(T1)의 제 2 전극, 제 4 트랜지스터(T4)의 제 1 전극 및 커패시터(Cst)의 제 1 전극은 제 1 노드(N1)에 공통적으로 연결될 수 있다.
제 2 노드는 제 2 트랜지스터(T2), 제 3 트랜지스터(T3), 제 4 트랜시스터(T4) 및 유기발광 다이오드(OLED)가 공통적으로 접속되는 노드이다.
예를 들어, 제 2 트랜지스터(T2)의 제 2 전극, 제 3 트랜지스터(T3)의 제 2 전극, 제 4 트랜시스터(T4)의 제 2 전극 및 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극은 제 2 노드(N2)에 공통적으로 연결될 수 있다.
제 3 노드(N3)는 제 2 트랜지스터(T2), 제 5 트랜지스터(T5) 및 제 6 트랜지스터(T6)가 공통적으로 접속되는 노드이다.
예를 들어, 제 2 트랜지스터(T2)의 제 1 전극, 제 5 트랜지스터(T5)의 제 1 전극 및 제 6 트랜지스터(T6)의 제 2 전극은 제 3 노드(N3)에 공통적으로 연결될 수 있다.
제 4 노드(N4)는 제 2 트랜지스터(T2), 제 3 트랜지스터(T3) 및 커패시터(Cst)가 공통적으로 접속되는 노드이다.
예를 들어, 제 2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극, 제 3 트랜지스터(T3)의 제 1 전극 및 커패시터(Cst)의 제 2 전극은 제 4 노드(N4)에 공통적으로 연결된다.
제1 전원(ELVDD)은 고전위 전원으로서 양전압을 가지고, 제2 전원(ELVSS)은 저전위 전원으로서 음전압 또는 그라운드 전압을 가질 수 있다.
또한, 초기화 전원(INT)은 저전위 전원일 수 있으며, 실시예에 따라 제 2 전원(ELVSS)과 상이하거나 동일한 전압 레벨을 가질 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 화소의 구동 방법을 나타내는 타이밍도이다.
도 2 및 도 3을 참조하여, 단위 기간(Pu) 동안 화소(PXL1)의 구동 동작을 설명하도록 한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 화소(PXL1)의 구동 방법은 초기화 단계, 문턱전압 보상 및 데이터 기입 단계, 및 발광 단계를 포함할 수 있다.
초기화 단계는 제 1 기간(P1) 동안 수행될 수 있다. 초기화 단계에서 제 i 주사선(Si)을 통해 공급받는 주사 신호는 로우 레벨의 신호일 수 있고, 제 i 제어선(Ci)을 통해 공급받는 제어 신호는 로우 레벨의 신호일 수 있다. 또한, 초기화 단계에서는 제 j 데이터선(Dj)을 통해 로우 레벨의 신호가 공급될 수 있다. 도 3에서는 초기화 단계에서 제 j 데이터선(Dj)을 통해 로우 레벨의 신호가 공급되는 것으로 도시되어 있으나, 초기화 단계에서 제 1 트랜지스터(T1)는 턴-오프 되므로, 제 j 데이터선(Dj)을 통해 하이 레벨의 신호가 공급되더라도 이후 화소(PXL1)의 동작에는 영향을 주지 않는다. 즉, 초기화 단계에서 제 j 데이터선(Dj)을 통해 공급받는 신호는 실시예에 따라 하이 레벨의 신호일 수도 있고, 로우 레벨의 신호일 수도 있다.
제 1 기간(P1)동안 수행되는 초기화 단계에서 제 i 주사선(Si)을 통해 로우 레벨의 주사 신호가 공급되고, 제 i 제어선(Ci)을 통해 로우 레벨의 제어 신호가 공급되므로, 제 1 트랜지스터(T1), 제 3 트랜지스터(T3), 제 4 트랜지스터(T4), 제 5 트랜지스터(T5) 및 제 6 트랜지스터(T6)는 모두 턴-오프될 수 있다. 이 경우, 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극과 연결된 제 2 노드(N2)의 전압은 소정의 전압값으로 유지될 수 있다. 예를 들어, 제 2 노드(N2)의 전압은 유기발광 다이오드(OLED)의 문턱 전압값(EL_Vth)으로 유지될 수 있다.
문턱전압 보상 및 데이터 기입 단계는 제 2 기간(P2) 동안 수행될 수 있다. 문턱전압 보상 및 데이터 기입 단계에서 제 i 주사선(Si)을 통해 공급받는 주사 신호는 하이 레벨의 신호가 공급될 수 있고, 제 i 제어선(Ci)을 통해 공급받는 제어 신호는 로우 레벨의 신호가 공급될 수 있다. 또한, 문턱전압 보상 및 데이터 기입 단계에서는 제 j 데이터선(Dj)을 통해 데이터 신호가 공급될 수 있다.
제 i 주사선(Si)을 통해 하이 레벨의 신호가 공급됨에 따라, 제 2 기간(P2) 동안 제 1 트랜지스터(T1), 제 3 트랜지스터(T2) 및 제 5 트랜지스터(T3)가 턴-온될 수 있다. 제 1 트랜지스터(T1)가 턴-온 됨에 따라, 제 1 노드(N1)에는 데이터 전압(Data)이 전달될 수 있다. 제 3 트랜지스터(T3)가 턴-온 됨에 따라, 제 2 노드(N2)와 제 4 노드(N4)가 전기적으로 연결될 수 있다. 제 5 트랜지스터(T5)가 턴-온 됨에 따라, 초기화 전원(INT)의 전압이 제 3 노드(N3)에 전달될 수 있다.
한편, 제 i 제어선(Ci)을 통해 로우 레벨의 신호가 공급됨에 따라, 제 2 기간(P2) 동안 제 4 트랜지스터(T4) 및 제 6 트랜지스터(T6)는 턴-오프될 수 있다. 제 4 트랜지스터(T4)가 턴-오프됨에 따라, 제 2 기간(P2)동안 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2)는 전기적으로 연결되지 않는다. 제 6 트랜지스터(T6)가 턴-오프됨에 따라, 제 2 기간(P2)동안 제 1 전원(ELVDD)과 제 3 노드(N3)는 전기적으로 연결되지 않는다.
문턱전압 보상 및 데이터 기입 단계를 수행하는 제 2 기간(P2)에서 제 2 노드(N2)와 제 4 노드(N4)가 전기적으로 연결됨에 따라, 제 2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극과 제 2 전극은 전기적으로 연결된다. 따라서 제 2 트랜지스터(T2)는 다이오드-연결된다. 제 1기간(P1)동안 제 2 노드(N2)는 소정의 전압값, 예를 들어 유기발광 다이오드(OLED)의 문턱 전압값(EL_Vth)으로 유지된다. 제 2 트랜지스터(T2)가 다이오드-연결되고 제 2 트랜지스터(T2)의 제 1 전극에 초기화 전원(INT)의 전압이 인가됨에 따라, 제 2 노드(N2)의 전압값은 제 1 기간(P1) 동안의 EL_Vth 에서 제 2 기간(P2)의 진입에 따라 변경되어 하기 수식(1)과 같은 관계가 성립한다.
VN2 = VINT + VTH --- (1)
(VN2는 제 2 노드(N2)의 전압값, VINT는 초기화 전원(INT)의 전압값, VTH는 제 2 트랜지스터(T2)의 문턱전압값)
제 2 노드(N2)의 전압값이 VINT + VTH 이고, 제 1 노드(N1)에는 데이터 전압이 인가되므로, 커패시터(Cst)의 제 2 전극과 제 1 전극 사이의 전압차는 하기 수식(2)에 따른 값을 갖는다.
VCst = VINT + VTH - VData --- (2)
(VCst 는 커패시터(Cst)의 제 2 전극과 제 1 전극 사이의 전압차, VData는 제 j 데이터선(Dj)을 통해 인가되는 데이터(Data) 전압)
즉, 제 2 기간(P2)에 수행되는 문턱전압 보상 및 데이터 기입 단계에 의해, 커패시터(Cst)의 양단에는 제 2 트랜지스터(T2)의 문턱전압값(VTH)이 반영된 데이터값(VDATA)가 기입된다.
제 3 기간(P3)은 제 2 기간(P2)과 제 4 기간(P4) 사이에 존재하며, 제 3 기간(P3)에서 제 i 주사선(Si)을 통해 공급받는 주사 신호는 로우 레벨의 신호일 수 있고, 제 i 제어선(Ci)을 통해 공급받는 제어 신호는 로우 레벨의 일 수 있다. 도 3에서는 제 3 기간(P3)에서 제 j 데이터선(Dj)을 통해 로우 레벨의 신호가 공급되는 것으로 도시되어 있으나, 제 3 기간(P3) 및 제 4 기간(P4) 에서 제 1 트랜지스터(T1)는 턴-오프 되므로, 제 j 데이터선(Dj)을 통해 하이 레벨의 신호가 공급되더라도 이후 화소(PXL1)의 동작에는 영향을 주지 않는다. 즉, 제 3 기간(P3) 및 제 4 기간(P4)에서 제 j 데이터선(Dj)을 통해 공급받는 신호는 실시예에 따라 하이 레벨의 신호일 수도 있고, 로우 레벨의 신호일 수도 있다.
제 3 기간(P3)에서 제 i 주사선(Si)을 통해 로우 레벨의 주사 신호가 공급되고, 제 i 제어선(Ci)을 통해 로우 레벨의 제어 신호가 공급되므로, 제 1 트랜지스터(T1), 제 3 트랜지스터(T3), 제 4 트랜지스터(T4), 제 5 트랜지스터(T5) 및 제 6 트랜지스터(T6)는 모두 턴-오프될 수 있다.
제 3 기간(P3)은 제 2 기간(P2)과 제 4 기간(P4)을 분리하기 위한 것이다. 즉, 제 i 주사선(Si)을 통해 전달되는 주사 신호와 제 i 제어선(Ci)을 통해 전달되는 제어 신호의 하이 레벨 구간이 중첩되지 않도록 하기 위해 제 3 기간(P3)을 도입할 수 있다. 따라서, 실시예에 따라, 제 3 기간(P3)은 상대적으로 짧은 시간 동안 유지될 수 있다.
발광 단계는 제 4 기간(P4) 동안 수행될 수 있다. 발광 단계에서, 제 i 주사선(Si)을 통해 공급받는 주사 신호는 로우 레벨의 신호일 수 있고, 제 i 제어선(Ci)을 통해 공급받는 제어 신호는 하이 레벨의 신호일 수 있다.
제 i 제어선(Ci)을 통해 하이 레벨의 신호가 공급됨에 따라, 발광 단계를 수행하는 제 4 기간(P4) 동안 제 4 트랜지스터(T4) 및 제 6 트랜지스터(T6)가 턴-온될 수 있다. 제 4 트랜지스터(T4)가 턴-온됨에 따라, 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2)가 전기적으로 연결될 수 있다. 제 6 트랜지스터(T6)가 턴-온됨에 따라, 제 1 전원(ELVDD)의 전압이 제 3 노드(N3)에 전달될 수 있다.
한편, 제 i 주사선(Si)을 통해 로우 레벨의 신호가 공급됨에 따라, 제 4 기간(P4)동안 제 1 트랜지스터(T1), 제 3 트랜지스터(T2) 및 제 5 트랜지스터(T3)가 턴-오프될 수 있다. 제 1 트랜지스터(T1)가 턴-오프 됨에 따라, 제 1 노드(N1)와 제 j 데이터선(Dj)은 전기적으로 연결되지 않는다. 제 3 트랜지스터(T3)가 턴-오프 됨에 따라, 제 2 노드(N2)와 제 4 노드(N4)는 전기적으로 연결되지 않는다. 제 5 트랜지스터(T5)가 턴-오프 됨에 따라, 초기화 전원(INT)과 제 3 노드(N3)는 전기적으로 연결되지 않는다.
제 4 기간(P4) 동안 화소(PXL1)의 연결 관계를 제 2 트랜지스터(T2) 중심으로 살펴 보면, 제 2 트랜지스터(T2)의 제 1 전극은 제 1 전원(ELVDD)에 연결되고, 제 2 트랜지스터(T2)의 제 2 전극은 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극 및 커패시터(Cst)의 제 1 전극과 연결되며, 제 2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 커패시터(Cst)의 제 2 전극과 연결된다.
따라서, 제 4 기간(P4) 동안 제 2 트랜지스터(T2)는 하기 수식 (3)에 따른 구동 전류를 유기발광 다이오드(OLED)로 공급할 수 있다.
Io = k(VGS - VTH)2 --- (3)
(Io는 제 2 트랜지스터(T2)로부터 출력되는 구동 전류, k는 상수)
제 4 기간(P4) 동안 제 3 트랜지스터(T3)는 턴-오프 되고 제 4 트랜지스터(T4)는 턴-온 되므로, VGS는 VCst와 동일한 값을 갖는다. 따라서 전술한 수식(2)의 관계를 상기 수식(3)에 적용하면 다음과 같이 차례로 수식 (4) 내지 (6)과 같은 관계를 유도할 수 있다.
Io = k(VCst - VTH)2 --- (4)
Io = k(VINT + VTH - VData - VTH)2 --- (5)
Io = k(VINT - VData)2 --- (6)
상술한 수식 (6)에 나타난 바와 같이, 유기발광 다이오드(OLED)는 제 4 기간(P4) 동안 구동 전류(Io)에 대응하는 휘도로 발광할 수 있다. 이 때, 제 2 트랜지스터(T2)로부터 출력되는 구동 전류는 문턱 전압(VTH)과 무관하게 결정되므로, 각 화소에 포함된 구동 트랜지스터(T2)의 문턱 전압 편차로 인한 휘도 불균일 현상을 제거할 수 있다.
한편, 수식(6)을 참조하면, 발광 단계가 수행되는 제 4 기간(P4) 동안 유기발광 다이오드(OLED)로 흐르는 전류 Io는 제 1 전원(ELVDD)와 무관하다. 따라서 제 1 전원의 IR-drop에도 불구하고 각 화소의 유기발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류는 균일하게 유지될 수 있다. 본 발명에 따른 화소 및 이를 포함하는 표시 장치에 의하면, 하나의 화소를 구동하기 위한 신호가 하나의 주사 신호 및 하나의 제어 신호로서 상대적으로 단순한 구조를 갖기 때문에 유기발광 표시장치의 제작에 소모되는 비용 및 시간을 절감할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 화소를 나타내는 회로도이다. 여기서는 상술한 실시예와 중복되는 내용을 생략하고, 상술한 실시예와 차이가 있는 부분을 중심으로 설명하도록 한다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 초기화 전원(INT)은 제 2 전원(ELVSS)과 동일한 전압 레벨을 가질 수 있다.
따라서, 본 발명의 다른 실시예에 의한 화소(PXL2)에서는, 제 5 트랜지스터(T5)가 제 3 노드(N3)와 제 2 전원(ELVSS) 사이에 연결될 수 있다.
예를 들어, 제 5 트랜지스터(T5)의 제 1 전극은 제 3 노드(N3)에 연결되고, 제 5 트랜지스터(T5)의 제 2 전극은 제 2 전원(ELVSS)에 연결되며, 제 5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극은 제 i 주사선(Si)에 연결될 수 있다.
본 실시예에 의한 화소(PXL2)의 경우, 도 2에 도시된 화소(PXL1)에 비해 보다 적은 수의 전원을 이용하므로, 제조 편의와 제조 비용의 절감을 도모할 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
PXL1, PXL2: 화소
1: 유기발광 표시장치 20: 주사 구동부
30: 데이터 구동부 40: 제어 구동부
50: 타이밍 제어부

Claims (15)

  1. 데이터선과 제 1 노드 사이에 연결되는 제 1 트랜지스터;
    제 2 노드와 제 3 노드 사이에 연결되는 제 2 트랜지스터;
    상기 제 2 노드와 제 4 노드 사이에 연결되는 제 3 트랜지스터;
    상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이에 연결되는 제 4 트랜지스터;
    상기 제 3 노드와 초기화 전원 사이에 연결되는 제 5 트랜지스터;
    제 1 전원과 상기 제 3 노드 사이에 연결되는 제 6 트랜지스터;
    상기 제 1 노드와 상기 제 4 노드 사이에 연결되는 커패시터; 및
    상기 제 2 노드와 제 2 전원 사이에 연결되는 유기발광 다이오드를 포함하는 화소.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 트랜지스터는, 상기 데이터선에 연결되는 제 1 전극, 상기 제 1 노드에 연결되는 제 2 전극 및 제 1 제어선에 연결되는 게이트 전극을 포함하고,
    상기 제 2 트랜지스터는, 상기 제 3 노드에 연결되는 제 1 전극, 상기 제 2 노드에 연결되는 제 2 전극 및 상기 제 4 노드에 연결되는 게이트 전극을 포함하고,
    상기 제 3 트랜지스터는, 상기 제 4 노드에 연결되는 제 1 전극, 상기 제 2 노드에 연결되는 제 2 전극 및 상기 제 1 제어선에 연결되는 게이트 전극을 포함하고,
    상기 제 4 트랜지스터는, 상기 제 1 노드에 연결되는 제 1 전극, 상기 제 2 노드에 연결되는 제 2 전극 및 제 2 제어선에 연결되는 게이트 전극을 포함하고,
    상기 제 5 트랜지스터는, 상기 제 3 노드에 연결되는 제 1 전극, 상기 초기화 전원에 연결되는 제 2 전극 및 상기 제 1 제어선에 연결되는 게이트 전극을 포함하고,
    상기 제 6 트랜지스터는, 상기 제 1 전원에 연결되는 제 1 전극, 상기 제 3 노드에 연결되는 제 2 전극 및 상기 제 2 제어선에 연결되는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 화소.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 내지 제 6 트랜지스터 각각은 n 채널형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 화소.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소는 제 1 기간, 제 2 기간, 제 3 기간 및 제 4 기간을 순차적으로 포함하는 단위 기간 동안 동작하고,
    상기 제 1 트랜지스터, 상기 제 3 트랜지스터 및 상기 제 5 트랜지스터는 상기 단위 기간 중 상기 제 2 기간 동안 온(On) 상태를 유지하고,
    상기 제 4 트랜지스터 및 상기 제 6 트랜지스터는 상기 단위 기간 중 상기 제 4 기간 동안 온(On) 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 화소.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 기간 동안 상기 제 1 내지 제 6 트랜지스터가 오프(Off) 상태를 유지함에 따라, 상기 제 2 노드의 전위는 상기 유기발광 다이오드의 문턱전압 레벨을 유지하는 것을 특징으로 하는 화소.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 기간 동안 상기 제 3 트랜지스터가 온(On) 상태를 유지함에 따라, 상기 제 2 트랜지스터의 상기 게이트 전극과 상기 제 2 전극은 다이오드-연결(diode connection)되는 것을 특징으로 하는 화소.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 초기화 전원은 상기 제 2 전원과 동일한 전압 레벨을 갖는 화소.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 내지 제 6 트랜지스터의 각 활성층은, 산화물 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 화소.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 제어선은 상기 화소와 연결된 주사선이고, 상기 제 2 제어선은 상기 화소와 연결된 발광 제어선인 것을 특징으로 하는 화소.
  10. n(n은 2 이상의 자연수)개의 주사선들, m(m은 2 이상의 자연수)개의 데이터선들 및 n개의 제어선들과 연결되는 다수의 화소들;
    상기 주사선들로 주사 신호를 공급하는 주사 구동부;
    상기 데이터선들로 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부; 및
    상기 제어선들로 제어 신호를 공급하는 제어 구동부를 포함하는 유기발광 표시장치로서,
    제 i (i는 n 이하의 자연수) 주사선, 제 i 제어선 및 제 j (j는 m 이하의 자연수) 데이터선과 연결되는 화소는,
    상기 제 j 데이터선과 제1 노드 사이에 연결되며, 상기 제 i 주사선에 공급되는 주사 신호에 대응하여 턴-온되는 제 1 트랜지스터;
    제 2 노드와 제 3 노드 사이에 연결되는 제 2 트랜지스터;
    상기 제 2 노드와 제 4 노드 사이에 연결되며, 상기 제 i 주사선에 공급되는 주사 신호에 대응하여 턴-온되는 제 3 트랜지스터;
    상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이에 연결되며, 상기 제 i 제어선에 공급되는 제어 신호에 대응하여 턴-온되는 제 4 트랜지스터;
    상기 제 3 노드와 초기화 전원 사이에 연결되며, 상기 제 i 주사선에 공급되는 주사 신호에 대응하여 턴-온되는 제 5 트랜지스터;
    제 1 전원과 상기 제 3 노드 사이에 연결되며, 상기 제 i 제어선에 공급되는 제어 신호에 대응하여 턴-온되는 제 6 트랜지스터;
    상기 제 1 노드와 상기 제 4 노드 사이에 연결되는 커패시터; 및
    상기 제 2 노드와 제 2 전원 사이에 연결되는 유기발광 다이오드를 포함하는, 유기발광 표시 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 트랜지스터는, 상기 제 j 데이터선에 연결되는 제 1 전극, 상기 제 1 노드에 연결되는 제 2 전극 및 상기 제 i 주사선에 연결되는 게이트 전극을 포함하고,
    상기 제 2 트랜지스터는, 상기 제 3 노드에 연결되는 제 1 전극, 상기 제 2 노드에 연결되는 제 2 전극 및 상기 제 4 노드에 연결되는 게이트 전극을 포함하고,
    상기 제 3 트랜지스터는, 상기 제 4 노드에 연결되는 제 1 전극, 상기 제 2 노드에 연결되는 제 2 전극 및 상기 제 i 주사선에 연결되는 게이트 전극을 포함하고,
    상기 제 4 트랜지스터는, 상기 제 1 노드에 연결되는 제 1 전극, 상기 제 2 노드에 연결되는 제 2 전극 및 제 i 제어선에 연결되는 게이트 전극을 포함하고,
    상기 제 5 트랜지스터는, 상기 제 3 노드에 연결되는 제 1 전극, 상기 초기화 전원에 연결되는 제 2 전극 및 상기 제 i 주사선에 연결되는 게이트 전극을 포함하고,
    상기 제 6 트랜지스터는, 상기 제 1 전원에 연결되는 제 1 전극, 상기 제 3 노드에 연결되는 제 2 전극 및 상기 제 i 제어선에 연결되는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 내지 제 6 트랜지스터 각각은, n 채널형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 유기발광 표시장치는 제 1 기간 내지 제 4 기간을 포함하는 단위 기간동안 동작하고,
    상기 제 i 주사선은 상기 제 2 기간동안 주사 신호를 공급받고,
    상기 제 j 데이터선은 상기 제 2 기간동안 데이터 신호를 공급받고,
    상기 제 i 제어선은 상기 제 4 기간동안 제어 신호를 공급받는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 초기화 전원은, 상기 제 2 전원과 동일한 전압 레벨을 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시 장치.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 내지 제 6 트랜지스터의 각 활성층은, 산화물 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
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