JP6334049B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6334049B2
JP6334049B2 JP2017213423A JP2017213423A JP6334049B2 JP 6334049 B2 JP6334049 B2 JP 6334049B2 JP 2017213423 A JP2017213423 A JP 2017213423A JP 2017213423 A JP2017213423 A JP 2017213423A JP 6334049 B2 JP6334049 B2 JP 6334049B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
wiring
source
drain
terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017213423A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018060590A (ja
Inventor
敦司 梅崎
敦司 梅崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of JP2018060590A publication Critical patent/JP2018060590A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6334049B2 publication Critical patent/JP6334049B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A42—HEADWEAR
    • A42B—HATS; HEAD COVERINGS
    • A42B1/00—Hats; Caps; Hoods
    • A42B1/02—Hats; Stiff caps
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/3406—Control of illumination source
    • G09G3/342—Control of illumination source using several illumination sources separately controlled corresponding to different display panel areas, e.g. along one dimension such as lines
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A42—HEADWEAR
    • A42B—HATS; HEAD COVERINGS
    • A42B1/00—Hats; Caps; Hoods
    • A42B1/004—Decorative arrangements or effects
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A42—HEADWEAR
    • A42B—HATS; HEAD COVERINGS
    • A42B1/00—Hats; Caps; Hoods
    • A42B1/008—Hats; Caps; Hoods with means for heating or cooling
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A42—HEADWEAR
    • A42B—HATS; HEAD COVERINGS
    • A42B1/00—Hats; Caps; Hoods
    • A42B1/24—Hats; Caps; Hoods with means for attaching articles thereto, e.g. memorandum tablets or mirrors
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A42—HEADWEAR
    • A42C—MANUFACTURING OR TRIMMING HEAD COVERINGS, e.g. HATS
    • A42C5/00—Fittings or trimmings for hats, e.g. hat-bands
    • A42C5/02—Sweat-bands
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3674—Details of drivers for scan electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3674—Details of drivers for scan electrodes
    • G09G3/3677—Details of drivers for scan electrodes suitable for active matrices only
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3685—Details of drivers for data electrodes
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
    • H01L29/247—Amorphous materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H01L29/78693—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate the semiconducting oxide being amorphous
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133621—Illuminating devices providing coloured light
    • G02F1/133622—Colour sequential illumination
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133753—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers with different alignment orientations or pretilt angles on a same surface, e.g. for grey scale or improved viewing angle
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
    • G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
    • G02F1/1393—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent the birefringence of the liquid crystal being electrically controlled, e.g. ECB-, DAP-, HAN-, PI-LC cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
    • G02F2202/103—Materials and properties semiconductor a-Si
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G09G2300/0452—Details of colour pixel setup, e.g. pixel composed of a red, a blue and two green components
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/024—Scrolling of light from the illumination source over the display in combination with the scanning of the display screen
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/0286—Details of a shift registers arranged for use in a driving circuit
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/08—Details of timing specific for flat panels, other than clock recovery
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0252—Improving the response speed
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
    • G09G3/3655—Details of drivers for counter electrodes, e.g. common electrodes for pixel capacitors or supplementary storage capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3031—Two-side emission, e.g. transparent OLEDs [TOLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Shift Register Type Memory (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Description

本発明は、液晶表示装置に関する。特に、トランジスタを用いて構成されたシフトレジス
タを有する液晶表示装置に関する。また、その液晶表示装置の駆動方法に関する。また、
その液晶表示装置を表示部に有する電子機器に関する。
近年、液晶表示装置は、液晶テレビなどの大型表示装置の増加から、活発に開発が進めら
れている。特に、絶縁基板上に非結晶半導体（以下、アモルファスシリコンともいう）に
よって構成されたトランジスタを用いて、画素回路、及びシフトレジスタ等を含む駆動回
路（以下、内部回路ともいう）を一体形成する技術は、低消費電力化、低コスト化に大き
く貢献するため、活発に開発が進められている。絶縁基板上に形成された内部回路は、Ｆ
ＰＣ等を介してコントローラＩＣ等（以下、外部回路ともいう）に接続され、その動作が
制御される。
上記示した内部回路の中でも、非結晶半導体によって構成されたトランジスタを用いたシ
フトレジスタが考案されている（例えば、特許文献１）。特許文献１に示されているシフ
トレジスタは、出力端子がフローティングになる期間が長いため、ノイズがシフトレジス
タの出力信号に発生するという問題があった。この特許文献１のシフトレジスタの問題を
解決するために、出力端子をフローティングにしないシフトレジスタの構成が考案されて
いる（例えば、非特許文献１）
特表平１０−５００２４３
２．０ｉｎｃｈ ａ−Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ−ＬＣＤ ｗｉｔｈ Ｌｏｗ Ｎｏｉｓｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｄｒｉｖｅｒ ＳＩＤ’０５ Ｄｉｇｅｓｔ Ｐ９４２−９４５
上記、非特許文献１では、非選択期間において、出力端子と負電源との間に接続されたト
ランジスタがオンとなる。したがって、非特許文献１に示したシフトレジスタの出力端子
がフローティングにならず、非特許文献１に示したシフトレジスタは出力信号のノイズを
小さくすることができる。
しかしながら、非結晶半導体によって構成されたトランジスタは、オンとなる時間、印加
する電圧などにしたがって、特性が劣化することが知られている。中でも、しきい値電圧
がシフト（上昇）するしきい値電圧シフトは、シフトレジスタの誤動作の大きな原因の１
つである。したがって、非特許文献１に示したシフトレジスタでは、非選択期間において
出力端子と負電源との間に接続されたトランジスタがオンとなるため、このトランジスタ
の特性が劣化してしまうことによって、誤動作してしまう。
このような問題点に鑑み、非選択期間において、出力信号のノイズが小さく、且つトラン
ジスタの特性劣化を抑制することができるシフトレジスタを有する液晶表示装置、及び当
該液晶表示装置を具備する電子機器を提供することを目的とする。
本発明に係わる液晶表示装置は、画素部と、絶縁基板上に画素部と一体形成されたシフト
レジスタを有している。そして、シフトレジスタは複数のフリップフロップを有し、この
複数のフリップフロップそれぞれは非選択期間において一定期間毎にオンとなり出力端子
（走査線）に電源電位を出力するトランジスタを有している。このトランジスタが一定期
間毎にオンとなり走査線に電源電位を供給することによって、複数のフリップフロップそ
れぞれは走査線の電位の変動を抑え、且つ該トランジスタの特性劣化を抑制する。
本発明の液晶表示装置は、液晶素子を有する第１の画素及び第２の画素と、駆動回路と、
第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第５の配線と、第６の配線
と、を有し、前記第１の画素は、前記第５の配線を介して前記駆動回路に電気的に接続さ
れ、前記第２の画素は、前記第６の配線を介して前記駆動回路に電気的に接続され、駆動
回路は、シフトレジスタを有し、シフトレジスタは、複数のフリップフロップを有し、複
数のフリップフロップのうち少なくとも一つは、第１のトランジスタ、第２のトランジス
タ、第３のトランジスタ及び第４のトランジスタを有し、第１のトランジスタの第１端子
が第１の配線に電気的に接続され、第１のトランジスタの第２端子が第２のトランジスタ
のゲート端子に電気的に接続され、第１のトランジスタのゲート端子が第５の配線に電気
的に接続され、第２のトランジスタの第１端子が第３の配線に電気的に接続され、第２端
子が第６の配線に電気的に接続され、第３のトランジスタの第１端子が第２の配線に電気
的に接続され、第２端子が第２のトランジスタのゲート端子に電気的に接続され、ゲート
端子が第４の配線に電気的に接続され、第４のトランジスタの第１端子が第２の配線に電
気的に接続され、第４のトランジスタの第２端子が第６の配線に電気的に接続され、第４
のトランジスタのゲート端子が第４の配線に電気的に接続されていることを特徴としてい
る。
また、本発明の液晶表示装置は、液晶素子を有する第１の画素及び第２の画素と、駆動回
路と、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第５の配線と、を有
し、前記第１の画素は、前記第５の配線を介して前記駆動回路に電気的に接続され、前記
第２の画素は、前記第１の配線を介して前記駆動回路に電気的に接続され、駆動回路は、
シフトレジスタを有し、シフトレジスタは、複数のフリップフロップを有し、複数のフリ
ップフロップのうち少なくとも一つは、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３
のトランジスタ及び第４のトランジスタを有し、第１のトランジスタは、第１端子が第５
の配線に電気的に接続され、第２端子が第２のトランジスタのゲート端子に電気的に接続
され、ゲート端子が第５の配線に電気的に接続され、第２のトランジスタは、第１端子が
第３の配線に電気的に接続され、第２端子が第１の配線に電気的に接続され、第３のトラ
ンジスタは、第１端子が第２のトランジスタのゲート端子に電気的に接続され、第２端子
が第２の配線に電気的に接続され、ゲート端子が第４の配線に電気的に接続され、第４の
トランジスタは、第１端子が第１の配線に電気的に接続され、第２端子が第２の配線に電
気的に接続され、ゲート端子が第４の配線に電気的に接続されていることを特徴としてい
る。
なお、本発明において、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジス
タ及び第４のトランジスタは、Ｎチャネル型トランジスタであってもよい。
また、本発明において、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジス
タ、及び第４のトランジスタは、半導体層を有し、半導体層は、アモルファスシリコンで
あってもよい。
また本発明において、第１のトランジスタの第２端子とゲート端子との間に、容量素子
が配置されていてもよい。
また、本発明の液晶表示装置は、液晶素子を有する第１の画素及び第２の画素と、駆動回
路と、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第５の配線と、第６
の配線と、第７の配線と、を有し、前記第１の画素は、前記第５の配線を介して前記駆動
回路に電気的に接続され、前記第２の画素は、前記第６の配線を介して前記駆動回路に電
気的に接続され、駆動回路は、シフトレジスタを有し、シフトレジスタは、複数のフリッ
プフロップを有し、複数のフリップフロップのうち少なくとも一つは、第１のトランジス
タ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ及び第５のトランジ
スタを有し、第１のトランジスタは、第１端子が第１の配線に電気的に接続され、第２端
子が第２のトランジスタのゲート端子に電気的に接続され、ゲート端子が第５の配線に電
気的に接続され、第２のトランジスタは、第１端子が第３の配線に電気的に接続され、第
２端子が第６の配線に電気的に接続され、第３のトランジスタは、第１端子が第２のトラ
ンジスタのゲート端子に電気的に接続され、第２端子が第２の配線に電気的に接続され、
ゲート端子が第４の配線に電気的に接続され、第４のトランジスタは、第１端子が第６の
配線に電気的に接続され、第２端子が第２の配線に電気的に接続され、ゲート端子が第４
の配線に電気的に接続され、第５のトランジスタは、第１端子が第６の配線に電気的に接
続され、第２端子が第２の配線に電気的に接続され、ゲート端子が第７の配線に電気的に
接続されていることを特徴としている。
また、本発明の液晶表示装置は、液晶素子を有する第１の画素及び第２の画素と、駆動回
路と、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第５の配線と、第６
の配線と、を有し、前記第１の画素は、前記第５の配線を介して前記駆動回路に電気的に
接続され、前記第２の画素は、前記第１の配線を介して前記駆動回路に電気的に接続され
、駆動回路は、シフトレジスタを有し、シフトレジスタは、複数のフリップフロップを有
し、複数のフリップフロップのうち少なくとも一つは、第１のトランジスタ、第２のトラ
ンジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ及び第５のトランジスタを有し、第
１のトランジスタは、第１端子が第５の配線に電気的に接続され、第２端子が第２のトラ
ンジスタのゲート端子に電気的に接続され、ゲート端子が第５の配線に電気的に接続され
、第２のトランジスタは、第１端子が第３の配線に電気的に接続され、第２端子が第６の
配線に電気的に接続され、第３のトランジスタは、第１端子が第２の配線に電気的に接続
され、第２端子が第２のトランジスタのゲート端子に電気的に接続され、ゲート端子が第
４の配線に電気的に接続され、第４のトランジスタは、第１端子が第１の配線に電気的に
接続され、第２端子が第２の配線に電気的に接続され、ゲート端子が第４の配線に電気的
に接続され、第５のトランジスタは、第１端子が第６の配線に電気的に接続され、第２端
子が第２の配線に電気的に接続され、ゲート端子が第１の配線に電気的に接続されている
ことを特徴としている。
なお、本発明において、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジス
タ、第４のトランジスタ及び第５のトランジスタは、Ｎチャネル型トランジスタであって
もよい。
また、本発明において、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジス
タ、第４のトランジスタ、及び第５のトランジスタは、半導体層を有し、半導体層はアモ
ルファスシリコンであってもよい。
また、本発明において、第１のトランジスタの第２端子と第１のトランジスタのゲート
端子との間に、容量素子が配置されていてもよい。
また、本発明の液晶表示装置は、液晶素子を有する第１の画素乃至第４の画素と、第１の
駆動回路と、第２の駆動回路と、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配
線と、第５の配線と、第６の配線と、第７の配線と、第８の配線と、第９の配線と、第１
０の配線と、第１１の配線と、第１２の配線と、を有し、前記第１の画素は、前記第５の
配線を介して前記第１の駆動回路に電気的に接続され、前記第２の画素は、前記第６の配
線を介して前記第１の駆動回路に電気的に接続され、前記第３の画素は、前記第１１の配
線を介して前記第２の駆動回路に電気的に接続され、前記第４の画素は、前記第１２の配
線を介して前記第２の駆動回路に電気的に接続され、第１の駆動回路は、第１のシフトレ
ジスタを有し、第２の駆動回路は、第２のシフトレジスタを有し、第１のシフトレジスタ
は、複数のフリップフロップを有し、複数のフリップフロップのうち少なくとも一つは、
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ及び第４のトランジスタ
を有し、第１のトランジスタは、第１端子が第１の配線に電気的に接続され、第２端子が
第２のトランジスタのゲート端子に電気的に接続され、ゲート端子が第５の配線に電気的
に接続され、第２のトランジスタは、第１端子が第３の配線に電気的に接続され、第２端
子が第６の配線に電気的に接続され、第３のトランジスタは、第１端子が第２の配線に電
気的に接続され、第２端子が第２のトランジスタのゲート端子に電気的に接続され、ゲー
ト端子が第４の配線に電気的に接続され、第４のトランジスタは、第１端子が第２の配線
に電気的に接続され、第２端子が第６の配線に電気的に接続され、ゲート端子が第４の配
線に電気的に接続され、第２のシフトレジスタは、複数のフリップフロップを有し、複数
のフリップフロップのうち少なくとも一つは、第５のトランジスタ、第６のトランジスタ
、第７のトランジスタ及び第８のトランジスタを有し、第５のトランジスタは、第１端子
が第７の配線に電気的に接続され、第２端子が第６のトランジスタのゲート端子に電気的
に接続され、ゲート端子が第１１の配線に電気的に接続され、第６のトランジスタは、第
１端子が第９の配線に電気的に接続され、第２端子が第１２の配線に電気的に接続され、
第７のトランジスタは、第１端子が第８の配線に電気的に接続され、第２端子が第６のト
ランジスタのゲート端子に電気的に接続され、ゲート端子が第１０の配線に電気的に接続
され、第８のトランジスタは、第１端子が第８の配線に電気的に接続され、第２端子が第
１２の配線に電気的に接続され、ゲート端子が第１０の配線に電気的に接続されているこ
とを特徴としている。
なお、本発明において、第５の配線及び第１１の配線は電気的に接続され、第６の配線
及び第１２の配線は電気的に接続されていてもよい。
また、本発明において、第５の配線及び第１１の配線は同一の配線であり、第６の配線
及び第１２の配線は同一の配線であってもよい。
また、本発明において、第１の配線及び第７の配線は電気的に接続され、第２の配線及
び第８の配線は電気的に接続され、第３の配線及び第９の配線は電気的に接続され、第４
の配線及び第１０の配線は電気的に接続されていてもよい。
また、本発明において、第１の配線及び第７の配線は同一の配線であり、第２の配線及
び第８の配線は同一の配線であり、第３の配線及び第９の配線は同一の配線であり、第４
の配線及び第１０の配線は同一の配線であってもよい。
また、本発明において、第１の配線及び第７の配線は電気的に接続され、第２の配線及
び第８の配線は電気的に接続され、第３の配線及び第９の配線は電気的に接続され、第４
の配線及び第１０の配線は電気的に接続され、第５の配線及び第１１の配線は電気的に接
続され、第６の配線及び第１２の配線は電気的に接続されていてもよい。
また、本発明において、第１の配線及び第７の配線は同一の配線であり、第２の配線及
び第８の配線は同一の配線であり、第３の配線及び第９の配線は同一の配線であり、第４
の配線及び第１０の配線は同一の配線であり、第５の配線及び第１１の配線は同一の配線
であり、第６の配線及び第１２の配線は同一の配線であってもよい。
また、本発明の液晶表示装置は、液晶素子を有する第１の画素乃至第４の画素と、第１の
駆動回路と、第２の駆動回路と、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配
線と、第５の配線と、第６の配線と、第７の配線と、第８の配線と、第９の配線と、第１
０の配線と、を有し、前記第１の画素は、前記第５の配線を介して前記第１の駆動回路に
電気的に接続され、前記第２の画素は、前記第１の配線を介して前記第１の駆動回路に電
気的に接続され、前記第３の画素は、前記第１０の配線を介して前記第２の駆動回路に電
気的に接続され、前記第４の画素は、前記第６の配線を介して前記第２の駆動回路に電気
的に接続され、第１の駆動回路は、第１のシフトレジスタを有し、第２の駆動回路は、第
２のシフトレジスタを有し、第１のシフトレジスタは、複数のフリップフロップを有し、
複数のフリップフロップのうち少なくとも一つは、第１のトランジスタ、第２のトランジ
スタ、第３のトランジスタ及び第４のトランジスタを有し、第１のトランジスタは、第１
端子が第５の配線に電気的に接続され、第２端子が第２のトランジスタのゲート端子に電
気的に接続され、ゲート端子が第５の配線に電気的に接続され、第２のトランジスタは、
第１端子が第３の配線に電気的に接続され、第２端子が第１の配線に電気的に接続され、
第３のトランジスタは、第１端子が第２のトランジスタのゲート端子に電気的に接続され
、第２端子が第２の配線に電気的に接続され、ゲート端子が第４の配線に電気的に接続さ
れ、第４のトランジスタは、第１端子が第１の配線に電気的に接続され、第２端子が第２
の配線に電気的に接続され、ゲート端子が第４の配線に電気的に接続され、第２のシフト
レジスタは、複数のフリップフロップを有し、複数のフリップフロップのうち少なくとも
一つは、第５のトランジスタ、第６のトランジスタ、第７のトランジスタ及び第８のトラ
ンジスタを有し、第５のトランジスタは、第１端子が第１０の配線に電気的に接続され、
第２端子が第６のトランジスタのゲート端子に電気的に接続され、ゲート端子が第１０の
配線に電気的に接続され、第６のトランジスタは、第１端子が第８の配線に電気的に接続
され、第２端子が第６の配線に電気的に接続され、第７のトランジスタは、第１端子が第
６のトランジスタのゲート端子に電気的に接続され、第２端子が第７の配線に電気的に接
続され、ゲート端子が第９の配線に電気的に接続され、第８のトランジスタは、第１端子
が第６の配線に電気的に接続され、第２端子が第７の配線に電気的に接続され、ゲート端
子が第９の配線に電気的に接続されていることを特徴としている。
なお、本発明において、第１の配線及び第６の配線は電気的に接続され、第５の配線及
び第１０の配線は電気的に接続されていてもよい。
また、本発明において、第１の配線及び第６の配線は同一の配線であり、第５の配線及
び第１０の配線は同一の配線であってもよい。
また、本発明において、第２の配線及び第７の配線は電気的に接続され、第３の配線及
び第８の配線は電気的に接続され、第４の配線及び第９の配線は電気的に接続されていて
もよい。
また、本発明において、第２の配線及び第７の配線は同一の配線であり、第３の配線及
び第８の配線は同一の配線であり、第４の配線及び第９の配線は同一の配線であってもよ
い。
また、本発明において、第１の配線及び第６の配線は電気的に接続され、第２の配線及
び第７の配線は電気的に接続され、第３の配線及び第８の配線は電気的に接続され、第４
の配線及び第９の配線は電気的に接続され、第５の配線及び第１０の配線は電気的に接続
されていてもよい。
また、本発明において、第１の配線及び第６の配線は同一の配線であり、第２の配線及
び第７の配線は同一の配線であり、第３の配線及び第８の配線は同一の配線であり、第４
の配線及び第９の配線は同一の配線であり、第５の配線及び第１０の配線は同一の配線で
あってもよい。
また、本発明において、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジス
タ、第４のトランジスタ、第５のトランジスタ、第６のトランジスタ、第７のトランジス
タ及び第８のトランジスタは、Ｎチャネル型トランジスタであってもよい。
また、本発明において、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジス
タ、第４のトランジスタ、第５のトランジスタ、第６のトランジスタ、第７のトランジス
タ、及び第８のトランジスタは、半導体層を有し、半導体層は、アモルファスシリコンで
あってもよい。
また、本発明において、第１のトランジスタの第２端子と、第１のトランジスタのゲー
ト端子との間に、第１の容量素子が配置され、第５のトランジスタの第２端子と、第５の
トランジスタのゲート端子との間に、第２の容量素子が配置されていてもよい。
また、本発明の液晶表示装置は、液晶素子を有する第１の画素乃至第４の画素と、第１の
駆動回路と、第２の駆動回路と、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配
線と、第５の配線と、第６の配線と、第７の配線と、第８の配線と、第９の配線と、第１
０の配線と、第１１の配線と、第１２の配線と、第１３の配線と、第１４の配線と、を有
し、前記第１の画素は、前記第５の配線を介して前記第１の駆動回路に電気的に接続され
、前記第２の画素は、前記第６の配線を介して前記第１の駆動回路に電気的に接続され、
前記第３の画素は、前記第１２の配線を介して前記第２の駆動回路に電気的に接続され、
前記第４の画素は、前記第１３の配線を介して前記第２の駆動回路に電気的に接続され、
第１の駆動回路は、第１のシフトレジスタを有し、第２の駆動回路は、第２のシフトレジ
スタを有し、第１のシフトレジスタは、複数のフリップフロップを有し、複数のフリップ
フロップのうち少なくとも一つは、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のト
ランジスタ、第４のトランジスタ及び第５のトランジスタを有し、第１のトランジスタは
、第１端子が第１の配線に電気的に接続され、第２端子が第２のトランジスタのゲート端
子に電気的に接続され、ゲート端子が第５の配線に電気的に接続され、第２のトランジス
タは、第１端子が第３の配線に電気的に接続され、第２端子が第６の配線に電気的に接続
され、第３のトランジスタは、第１端子が第２の配線に電気的に接続され、第２端子が第
２のトランジスタのゲート端子に電気的に接続され、ゲート端子が第４の配線に電気的に
接続され、第４のトランジスタは、第１端子が第２の配線に電気的に接続され、第２端子
が第６の配線に電気的に接続され、ゲート端子は、第４の配線に電気的に接続され、第５
のトランジスタは、第１端子が第２の配線に電気的に接続され、第２端子が第６の配線に
電気的に接続され、ゲート端子が第７の配線に電気的に接続され、第２のシフトレジスタ
は、複数のフリップフロップを有し、複数のフリップフロップのうち少なくとも一つは、
第６のトランジスタ、第７のトランジスタ、第８のトランジスタ、第９のトランジスタ及
び第１０のトランジスタを有し、第６のトランジスタは、第１端子が第８の配線に電気的
に接続され、第２端子が第７のトランジスタのゲート端子に電気的に接続され、ゲート端
子が第１２の配線に電気的に接続され、第７のトランジスタは、第１端子が第１０の配線
に電気的に接続され、第２端子が第１３の配線に電気的に接続され、第８のトランジスタ
は、第１端子が第９の配線に電気的に接続され、第２端子が第７のトランジスタのゲート
端子に電気的に接続され、ゲート端子が第１１の配線に電気的に接続され、第９のトラン
ジスタは、第１端子が第１３の配線に電気的に接続され、第２端子が第９の配線に電気的
に接続され、ゲート端子が第１１の配線に電気的に接続され、第１０のトランジスタは、
第１端子が第１３の配線に電気的に接続され、第２端子が第９の配線に電気的に接続され
、ゲート端子が第１４の配線に電気的に接続されていることを特徴としている。
なお、本発明において、第５の配線及び第１２の配線は電気的に接続され、第６の配線
及び第１３の配線は電気的に接続されていてもよい。
また、本発明において、第５の配線及び第１２の配線は同一の配線であり、第６の配線
及び第１３の配線は同一の配線であってもよい。
また、本発明において、第１の配線及び第８の配線は電気的に接続され、第２の配線及
び第９の配線は電気的に接続され、第３の配線及び第１０の配線は電気的に接続され、第
４の配線及び第１１の配線は電気的に接続され、第７の配線及び第１４の配線は電気的に
接続されていてもよい。
また、本発明において、第１の配線及び第８の配線は同一の配線であり、第２の配線及
び第９の配線は同一の配線であり、第３の配線及び第１０の配線は同一の配線であり、第
４の配線及び第１１の配線は同一の配線であり、第７の配線及び第１４の配線は同一の配
線であってもよい。
また、本発明において、第１の配線及び第８の配線は電気的に接続され、第２の配線及
び第９の配線は電気的に接続され、第３の配線及び第１０の配線は電気的に接続され、第
４の配線及び第１１の配線は電気的に接続され、第５の配線及び第１２の配線は電気的に
接続され、第６の配線及び第１３の配線は電気的に接続され、第７の配線及び第１４の配
線は電気的に接続されていてもよい。
また、本発明において、第１の配線及び第８の配線は同一の配線であり、第２の配線及
び第９の配線は同一の配線であり、第３の配線及び第１０の配線は同一の配線であり、第
４の配線及び第１１の配線は同一の配線であり、第５の配線及び第１２の配線は同一の配
線であり、第６の配線及び第１３の配線は同一の配線であり、第７の配線及び第１４の配
線は同一の配線であってもよい。
また、本発明の液晶表示装置は、液晶素子を有する第１の画素乃至第４の画素と、第１の
駆動回路と、第２の駆動回路と、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配
線と、第５の配線と、第６の配線と、第７の配線と、第８の配線と、第９の配線と、第１
０の配線と、第１１の配線と、第１２の配線と、を有し、前記第１の画素は、前記第５の
配線を介して前記第１の駆動回路に電気的に接続され、前記第２の画素は、前記第６の配
線を介して前記第１の駆動回路に電気的に接続され、前記第３の画素は、前記第１１の配
線を介して前記第２の駆動回路に電気的に接続され、前記第４の画素は、前記第１２の配
線を介して前記第２の駆動回路に電気的に接続され、第１の駆動回路は、第１のシフトレ
ジスタを有し、第２の駆動回路は、第２のシフトレジスタを有し、第１のシフトレジスタ
は、複数のフリップフロップを有し、複数のフリップフロップのうち少なくとも一つは、
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ及
び第５のトランジスタを有し、第１のトランジスタは、第１端子が第５の配線に電気的に
接続され、第２端子が第２のトランジスタのゲート端子に電気的に接続され、ゲート端子
が第５の配線に電気的に接続され、第２のトランジスタは、第１端子が第３の配線に電気
的に接続され、第２端子が第６の配線に電気的に接続され、第３のトランジスタは、第１
端子が第２のトランジスタのゲート端子に電気的に接続され、第２端子が第２の配線に電
気的に接続され、ゲート端子が第４の配線に電気的に接続され、第４のトランジスタは、
第１端子が第６の配線に電気的に接続され、第２端子が第２の配線に電気的に接続され、
ゲート端子が第４の配線に電気的に接続され、第５のトランジスタは、第１端子が第６の
配線に電気的に接続され、第２端子が第２の配線に電気的に接続され、ゲート端子が第１
の配線に電気的に接続され、第２のシフトレジスタは、複数のフリップフロップを有し、
複数のフリップフロップのうち少なくとも一つは、第６のトランジスタ、第７のトランジ
スタ、第８のトランジスタ、第９のトランジスタ及び第１０のトランジスタを有し、第６
のトランジスタは、第１端子が第１１の配線に電気的に接続され、第２端子が第７のトラ
ンジスタのゲート端子に電気的に接続され、ゲート端子が第１１の配線に電気的に接続さ
れ、第７のトランジスタは、第１端子が第９の配線に電気的に接続され、第２端子が第１
２の配線に電気的に接続され、第８のトランジスタは、第１端子が第８の配線に電気的に
接続され、第２端子が第７のトランジスタのゲート端子に電気的に接続され、ゲート端子
が第１０の配線に電気的に接続され、第９のトランジスタは、第１端子が第８の配線に電
気的に接続され、第２端子が第１２の配線に電気的に接続され、ゲート端子が第１０の配
線に電気的に接続され、第１０のトランジスタは、第１端子が第８の配線に電気的に接続
され、第２端子が第１２の配線に電気的に接続され、ゲート端子が第７の配線に電気的に
接続されていることを特徴としている。
なお、本発明において、第５の配線及び第１１の配線は電気的に接続され、第６の配線
及び第１２の配線は電気的に接続されていてもよい。
なお、本発明において、第５の配線及び第１１の配線は同一の配線であり、第６の配線
及び第１２の配線は同一の配線であってもよい。
なお、本発明において、第１の配線及び第７の配線は電気的に接続され、第２の配線及
び第８の配線は電気的に接続され、第３の配線及び第９の配線は電気的に接続され、第４
の配線及び第１０の配線は電気的に接続されていてもよい。
なお、本発明において、第１の配線及び第７の配線は同一の配線であり、第２の配線及
び第８の配線は同一の配線であり、第３の配線及び第９の配線は同一の配線であり、第４
の配線及び第１０の配線は同一の配線であってもよい。
なお、本発明において、第１の配線及び第７の配線は電気的に接続され、第２の配線及
び第８の配線は電気的に接続され、第３の配線及び第９の配線は電気的に接続され、第４
の配線及び第１０の配線は電気的に接続され、第５の配線及び第１１の配線は電気的に接
続され、第６の配線及び第１２の配線は電気的に接続されていてもよい。
なお、本発明において、第１の配線及び第７の配線は同一の配線であり、第２の配線及
び第８の配線は同一の配線であり、第３の配線及び第９の配線は同一の配線であり、第４
の配線及び第１０の配線は同一の配線であり、第５の配線及び第１１の配線は同一の配線
であり、第６の配線及び第１２の配線は同一の配線であってもよい。
なお、本発明において、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジス
タ、第４のトランジスタ、第５のトランジスタ、第６のトランジスタ、第７のトランジス
タ、第８のトランジスタ、第９のトランジスタ及び第１０のトランジスタは、Ｎチャネル
型トランジスタであってもよい。
なお、本発明において、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジス
タ、第４のトランジスタ、第５のトランジスタ、第６のトランジスタ、第７のトランジス
タ、第８のトランジスタ、第９のトランジスタ及び、第１０のトランジスタは、半導体層
を有し、半導体層は、アモルファスシリコンであってもよい。
なお、本発明において、第１のトランジスタの第２端子と、第１のトランジスタのゲー
ト端子との間に、第１の容量素子が配置され、第６のトランジスタの第２端子と、第１の
トランジスタのゲート端子との間に、第２の容量素子が配置されていてもよい。
本発明は、上記記載の液晶表示装置を具備する電子機器である。
なお、本明細書に示すスイッチは、様々な形態のものを用いることができ、一例として、
電気的スイッチや機械的なスイッチなどがある。つまり、電流の流れを制御できるもので
あればよく、特定のものに限定されず、様々なものを用いることができる。例えば、トラ
ンジスタでもよいし、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、ショッ
トキーダイオード、ダイオード接続のトランジスタなど）でもよいし、サイリスタでもよ
いし、それらを組み合わせた論理回路でもよい。よって、スイッチとしてトランジスタを
用いる場合、そのトランジスタは、単なるスイッチとして動作するため、トランジスタの
極性（導電型）は特に限定されない。ただし、オフ電流が少ない方が望ましい場合、オフ
電流が少ない方の極性のトランジスタを用いることが望ましい。オフ電流が少ないトラン
ジスタとしては、ＬＤＤ領域を設けているものやマルチゲート構造にしているもの等があ
る。また、スイッチとして動作させるトランジスタのソース端子の電位が、低電位側電源
（Ｖｓｓ、ＧＮＤ、０Ｖなど）に近い状態で動作する場合はＮチャネル型を、反対に、ソ
ース端子の電位が、高電位側電源（Ｖｄｄなど）に近い状態で動作する場合はＰチャネル
型を用いることが望ましい。なぜなら、ゲートとソース間の電圧の絶対値を大きくできる
ため、スイッチとしての動作をより正確に行うことができるからである。
なお、Ｎチャネル型とＰチャネル型の両方を用いて、ＣＭＯＳ型のスイッチにしてもよい
。ＣＭＯＳ型のスイッチにすると、Ｐチャネル型またはＮチャネル型スイッチが導通すれ
ば電流を流すことができるため、スイッチとしての動作がより正確に行うことができる。
例えば、スイッチへの入力信号の電圧が高い場合でも、低い場合でも、適切に電圧を出力
させることが出来る。また、スイッチをオンまたはオフさせるための信号の電圧振幅値を
小さくすることが出来るので、消費電力を小さくすることも出来る。また、スイッチとし
てトランジスタを用いる場合は、入力端子（ソース端子またはドレイン端子の一方）と、
出力端子（ソース端子またはドレイン端子の他方）と、導通を制御する端子（ゲート端子
）とを有している。一方、スイッチとしてダイオードを用いる場合は、導通を制御する端
子を有していない場合がある。そのため、端子を制御するための配線を少なくすることが
出来る。
なお、本明細書において、接続されているとは、電気的に接続されている場合と機能的に
接続されている場合と直接接続されている場合とを含むものとする。したがって、本明細
書が開示する構成において、所定の接続関係以外のものも含むものとする。例えば、ある
部分とある部分との間に、電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチやトランジ
スタや容量素子やインダクタや抵抗素子やダイオードなど）が１個以上配置されていても
よい。また、機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータやＮＡＮＤ
回路やＮＯＲ回路など）や信号変換回路（ＤＡ変換回路やＡＤ変換回路やガンマ補正回路
など）や電位レベル変換回路（昇圧回路や降圧回路などの電源回路やＨ信号やＬ信号の電
位レベルを変えるレベルシフタ回路など）や電圧源や電流源や切り替え回路や増幅回路（
オペアンプや差動増幅回路やソースフォロワ回路やバッファ回路など、信号振幅や電流量
などを大きく出来る回路など）や信号生成回路や記憶回路や制御回路など）が間に１個以
上配置されていてもよい。あるいは、間に他の素子や他の回路を挟まずに、直接接続され
て、配置されていてもよい。
なお、素子や回路を間に介さずに接続されている場合のみを含む場合は、直接接続されて
いる、と記載するものとする。また、電気的に接続されている、と記載する場合は、電気
的に接続されている場合（つまり、間に別の素子を挟んで接続されている場合）と機能的
に接続されている場合（つまり、間に別の回路を挟んで接続されている場合）と直接接続
されている場合（つまり、間に別の素子や別の回路を挟まずに接続されている場合）とを
含むものとする。
なお、表示素子や表示装置や発光素子や発光装置は、様々な形態を用いることができ、ま
た、様々な素子を有することが出来る。例えば、表示素子や表示装置や発光素子や発光装
置としては、ＥＬ素子（有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子又は有機物及び無機物を含むＥＬ素
子）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、
プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、圧電セ
ラミックディスプレイ、またはカーボンナノチューブ、など、電気磁気的作用によりコン
トラストが変化する表示媒体を適用することができる。なお、ＥＬ素子を用いた表示装置
としてはＥＬディスプレイ、電子放出素子を用いた表示装置としてはフィールドエミッシ
ョンディスプレイ（ＦＥＤ）やＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ
−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌｙ）など、液
晶素子を用いた表示装置としては液晶ディスプレイ、透過型液晶ディスプレイ、半透過型
液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、電子インクを用いた表示装置としては電子
ペーパーがある。
なお、本明細書において、トランジスタは、様々な形態のトランジスタを適用させること
が出来る。よって、適用可能なトランジスタの種類に限定はない。したがって、例えば、
非晶質シリコンや多結晶シリコンに代表される非単結晶半導体膜を有する薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）などを適用することが出来る。これらにより、単結晶半導体膜を用いる場合
より低い製造温度で製造できたり、低コストで製造でき、また大型基板上に製造でき、透
明基板上に製造でき、光を透過させることが可能なトランジスタを製造でき、またトラン
ジスタを用いて表示素子での光の透過を制御することが出来る。また、半導体基板やＳＯ
Ｉ基板などを用いて形成することが出来る。また、ＭＯＳ型トランジスタ、接合型トラン
ジスタ、バイポーラトランジスタなどを適用することが出来る。これらにより、バラツキ
の少ないトランジスタを製造できたり、電流供給能力の高いトランジスタを製造できたり
、サイズの小さいトランジスタを製造でき、また、消費電力の少ない回路を構成すること
が出来る。また、ＺｎＯ、ａ−ＩｎＧａＺｎＯ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓなどの化合物半導体
を有するトランジスタや、さらに、それらを薄膜化した薄膜トランジスタなどを適用する
ことが出来る。これらにより、低い製造温度で製造、また室温で製造でき、耐熱性の低い
基板、例えばプラスチック基板やフィルム基板に直接トランジスタを形成することが出来
る。また、インクジェットや印刷法を用いて形成したトランジスタなどを適用することが
出来る。これらにより、室温で製造、また、真空度の低い状態で製造、また、大型基板で
製造することができる。また、マスク（レチクル）を用いなくても製造することが可能と
なるため、トランジスタのレイアウトを容易に変更することが出来る。また、有機半導体
やカーボンナノチューブを有するトランジスタ、その他のトランジスタを適用することが
できる。これらにより、曲げることが可能なトランジスタを形成することが出来る。なお
、非単結晶半導体膜には水素またはハロゲンが含まれていてもよい。また、トランジスタ
が形成されている基板の種類は、様々なものを用いることができ、特定のものに限定され
ることはない。従って例えば、基板として、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英
基板、プラスチック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板、ステンレス・スチル基板
、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板などを用いることが出来る。また、ある基板
でトランジスタを形成し、その後、別の基板にトランジスタを移動させて、別の基板に配
置するようにしてもよい。配置された別の基板としては、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラ
ス基板、石英基板、プラスチック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板、ステンレス
・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板などを用いることができる。こ
れらの基板を用いることにより、特性のよいトランジスタを形成することができ、また消
費電力の小さいトランジスタを形成することができ、また壊れにくい装置とすることがで
き、また耐熱性を持たせることが出来る。
なお、トランジスタの構成は、様々な形態をとることができる。特定の構成に限定されな
い。例えば、ゲート電極が２個以上になっているマルチゲート構造を用いてもよい。マル
チゲート構造にすると、チャネル領域が直列に接続されるような構成となるため、複数の
トランジスタが直列に接続されたような構成となる。マルチゲート構造にすることにより
、オフ電流を低減、また、トランジスタの耐圧を向上させて信頼性を良くすることができ
、また、飽和領域で動作する時に、ドレインとソース間の電圧が変化しても、ドレインと
ソース間の電流があまり変化せず、フラットな特性にすることなどができる。また、チャ
ネルの上下にゲート電極が配置されている構造でもよい。チャネルの上下にゲート電極が
配置されている構造にすることにより、チャネル領域が増えるため、電流値を大きくする
ことができ、また、空乏層ができやすくなってＳ値を小さくすることができる。チャネル
の上下にゲート電極が配置されると、複数のトランジスタが並列に接続されたような構成
となる。
また、チャネルの上にゲート電極が配置されている構造、チャネルの下にゲート電極が配
置されている構造、正スタガ構造、逆スタガ構造、チャネル領域が複数の領域に分かれて
いる構造、ゲート電極が並列に接続された構造、または直列に接続された構造にすること
が可能である。また、チャネル（もしくはその一部）にソース電極やドレイン電極が重な
っていてもよい。チャネル（もしくはその一部）にソース電極やドレイン電極が重なって
いる構造にすることにより、チャネルの一部に電荷がたまって、動作が不安定になること
を防ぐことができる。また、ＬＤＤ領域が設けられた構成とすることも可能である。ＬＤ
Ｄ領域を設けることにより、オフ電流を低減、また、トランジスタの耐圧を向上させて信
頼性を良くすることができ、また、飽和領域で動作する時に、ドレインとソース間の電圧
が変化しても、ドレインとソース間の電流があまり変化せず、フラットな特性にすること
ができる。
なお、本明細書におけるトランジスタは、様々なタイプを用いることができ、様々な基板
上に形成させることができる。したがって、回路の全てが、ガラス基板上に形成されてい
てもよいし、プラスチック基板に形成されていてもよいし、単結晶基板に形成されていて
もよいし、ＳＯＩ基板上に形成されていてもよいし、どのような基板上に形成されていて
もよい。回路の全てが同じ基板上に形成されていることにより、部品点数を減らしてコス
トを低減することができ、また、回路部品との接続点数を減らして信頼性を向上させたり
することができる。あるいは、回路の一部が、ある基板に形成されており、回路の別の一
部が、別の基板に形成されていてもよい。つまり、回路の全てが同じ基板に形成されてい
なくてもよい。例えば、回路の一部は、ガラス基板にトランジスタを用いて形成し、回路
の別の一部は、単結晶基板に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａ
ｓｓ）で接続してガラス基板に配置してもよい。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔ
ａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いてガラス基板と接
続してもよい。このように、回路の一部が同じ基板に形成されていることにより、部品点
数を減らしてコストを低減することができ、また、回路部品との接続点数を減らして信頼
性を向上させたりすることができる。また、駆動電圧が高い部分や駆動周波数が高い部分
は、消費電力が大きくなってしまうので、そのような部分は同じ基板に形成しないように
すれば、消費電力の増加を防ぐことができる。
なお、本明細書においては、一画素とは、明るさを制御できる要素一つ分を示すものとす
る。よって、一例としては、一画素とは、一つの色要素を示すものとし、その色要素一つ
で明るさを表現する。従って、そのときは、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の色要素からなる
カラー表示装置の場合には、画像の最小単位は、Ｒの画素とＧの画素とＢの画素との三画
素から構成されるものとする。なお、色要素は、三色に限定されず、それ以上の数を用い
ても良いし、ＲＧＢ以外の色を追加しても良い。例えば、白色を加えて、ＲＧＢＷ（Ｗは
白）としてもよい。また、ＲＧＢに、例えば、イエロー、シアン、マゼンタ、エメラルド
グリーン、朱色などを一色以上追加したものでもよい。また、例えばＲＧＢの中の少なく
とも一色について、類似した色を追加してもよい。例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ１、Ｂ２としても
よい。Ｂ１とＢ２とは、どちらも青色であるが、少し周波数が異なっている。このような
色要素を用いることにより、より実物に近い表示を行うことができ、消費電力を低減する
ことが出来る。また、別の例としては、１つの色要素について、複数の領域を用いて明る
さを制御する場合は、その領域一つ分を一画素とする。よって、一例としては、面積階調
を行う場合、一つの色要素につき、明るさを制御する領域が複数あり、その全体で階調を
表現するわけであるが、明るさを制御する領域の一つ分を一画素とする。よって、その場
合は、一つの色要素は、複数の画素で構成されることとなる。また、その場合、画素によ
って、表示に寄与する領域の大きさが異なっている場合がある。また、一つの色要素につ
き複数ある、明るさを制御する領域において、つまり、一つの色要素を構成する複数の画
素において、各々に供給する信号を僅かに異ならせるようにして、視野角を広げるように
してもよい。なお、一画素（三色分）と記載する場合は、ＲとＧとＢの三画素分を一画素
と考える場合であるとする。一画素（一色分）と記載する場合は、一つの色要素につき、
複数の画素がある場合、それらをまとめて一画素と考える場合であるとする。
なお、本明細書において、画素は、マトリクス状に配置（配列）されている場合を含んで
いる。ここで、画素がマトリクスに配置（配列）されているとは、縦方向もしくは横方向
において、直線上に並んで配置されている場合や、ギザギザな線上に並んでいる場合を含
んでいる。よって、例えば三色の色要素（例えばＲＧＢ）でフルカラー表示を行う場合に
、ストライプ配置されている場合や、三つの色要素のドットがいわゆるデルタ配置されて
いる場合も含むものとする。さらに、ベイヤー配置されている場合も含んでいる。なお、
色要素は、三色に限定されず、それ以上でもよく、例えば、ＲＧＢＷ（Ｗは白）や、ＲＧ
Ｂに、イエロー、シアン、マゼンタなどを一色以上追加したものなどがある。また、色要
素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。これにより、消費電力を低
下、また、表示素子の寿命を延ばすことが出来る。
なお、トランジスタとは、それぞれ、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも
三つの端子を有する素子であり、ドレイン領域とソース領域の間にチャネル領域を有して
おり、ドレイン領域とチャネル領域とソース領域とを介して電流を流すことが出来る。こ
こで、ソースとドレインとは、トランジスタの構造や動作条件等によって変わるため、い
ずれがソースまたはドレインであるかを限定することが困難である。そこで、本明細書に
おいては、ソース及びドレインとして機能する領域を、ソースもしくはドレインと呼ばな
い場合がある。その場合、一例としては、それぞれを第１端子、第２端子と表記する場合
がある。なお、トランジスタは、ベースとエミッタとコレクタとを含む少なくとも三つの
端子を有する素子であってもよい。この場合も同様に、エミッタとコレクタとを、第１端
子、第２端子と表記する場合がある。
なお、ゲートとは、ゲート電極とゲート配線（ゲート線またはゲート信号線等とも言う）
とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言う。ゲート電極とは、チャネル領域
やＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域などを形成する半導体膜と、
ゲート絶縁膜を介してオーバーラップしている部分の導電膜のことを言う。ゲート配線と
は、各画素のゲート電極の間を接続、またはゲート電極と別の配線とを接続するための配
線のことを言う。
ただし、ゲート電極としても機能し、ゲート配線としても機能するような部分も存在する
。そのような領域は、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。つまり
、ゲート電極とゲート配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延
伸して配置されているゲート配線とオーバーラップしてチャネル領域がある場合、その領
域はゲート配線として機能しているが、ゲート電極としても機能していることになる。よ
って、そのような領域は、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。
また、ゲート電極と同じ材料で形成され、ゲート電極とつながっている領域も、ゲート電
極と呼んでも良い。同様に、ゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート配線とつながって
いる領域も、ゲート配線と呼んでも良い。このような領域は、厳密な意味では、チャネル
領域とオーバーラップしていなかったり、別のゲート電極と接続させる機能を有してなか
ったりする場合がある。しかし、製造時にマージンを設ける関係で、ゲート電極やゲート
配線と同じ材料で形成され、ゲート電極やゲート配線とつながっている領域がある。よっ
て、そのような領域もゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。
また、例えば、マルチゲートのトランジスタにおいて、１つのトランジスタのゲート電極
と、別のトランジスタのゲート電極とは、ゲート電極と同じ材料で形成された導電膜で接
続される場合が多い。そのような領域は、ゲート電極とゲート電極とを接続させるための
領域であるため、ゲート配線と呼んでも良いが、マルチゲートのトランジスタを１つのト
ランジスタであると見なすことも出来るため、ゲート電極と呼んでも良い。つまり、ゲー
ト電極やゲート配線と同じ材料で形成され、それらとつながって配置されているものは、
ゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。また、例えば、ゲート電極とゲート配線とを接
続させている部分の導電膜も、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い
。
なお、ゲート端子とは、ゲート領域、またはゲート電極の一部や、またはゲート電極と電
気的に接続されている領域の一部または全部のことを言う。
なお、ソースとは、ソース領域とソース電極とソース配線（ソース線またはソース信号線
等とも言う）とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言う。ソース領域とは、
Ｐ型不純物（ボロンやガリウムなど）やＮ型不純物（リンやヒ素など）が多く含まれる半
導体領域のことを言う。従って、少しだけＰ型不純物やＮ型不純物が含まれる領域、いわ
ゆる、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域は、ソース領域には含ま
れない。ソース電極とは、ソース領域とは別の材料で形成され、ソース領域と電気的に接
続されて配置されている部分の導電層のことを言う。ただし、ソース電極は、ソース領域
も含んでソース電極と呼ぶこともある。ソース配線とは、各画素のソース電極の間を接続
、またはソース電極と別の配線とを接続するための配線のことを言う。
しかしながら、ソース電極としても機能し、ソース配線としても機能するような部分も存
在する。そのような領域は、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。
つまり、ソース電極とソース配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例え
ば、延伸して配置されているソース配線とオーバーラップしてソース領域がある場合、そ
の領域はソース配線として機能しているが、ソース電極としても機能していることになる
。よって、そのような領域は、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い
。
また、ソース電極と同じ材料で形成され、ソース電極とつながっている領域や、ソース電
極とソース電極とを接続する部分も、ソース電極と呼んでも良い。また、ソース領域とオ
ーバーラップしている部分も、ソース電極と呼んでも良い。同様に、ソース配線と同じ材
料で形成され、ソース配線とつながっている領域も、ソース配線と呼んでも良い。このよ
うな領域は、厳密な意味では、別のソース電極と接続させる機能を有していない場合があ
る。しかし、製造時にマージン設ける関係で、ソース電極やソース配線と同じ材料で形成
され、ソース電極やソース配線とつながっている領域がある。よって、そのような領域も
ソース電極やソース配線と呼んでも良い。
また、例えば、ソース電極とソース配線とを接続している部分の導電膜も、ソース電極と
呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。
なお、ソース端子とは、ソース領域、またはソース電極の一部や、ソース電極と電気的に
接続されている領域の一部または全部のことを言う。
なお、ドレインについては、ソースと同様である。
なお、本明細書において、半導体装置とは半導体素子（トランジスタやダイオードなど）
を含む回路を有する装置をいう。また、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般
でもよい。また、表示装置とは、表示素子（液晶素子や発光素子など）を有する装置のこ
とを言う。なお、液晶素子やＥＬ素子などの表示素子を含む複数の画素やそれらの画素を
駆動させる周辺駆動回路が同一基板上に形成された表示パネル本体のことでもよい。また
、ワイヤボンディングやバンプなどによって基板上に配置された周辺駆動回路、いわゆる
チップオングラス（ＣＯＧ）で接続されたＩＣチップなどを含んでいても良い。さらに、
ＩＣや抵抗素子や容量素子やインダクタやトランジスタなどが取り付けられたフレキシブ
ルプリントサーキット（ＦＰＣ）又はプリント配線基板（ＰＷＢ）も含んでもよい。さら
に、偏光板や位相差板などの光学シートを含んでいても良い。さらに、バックライトユニ
ット（導光板やプリズムシートや拡散シートや反射シートや光源（ＬＥＤや冷陰極管など
）を含んでいても良い）を含んでいても良い。また、発光装置とは、特にＥＬ素子やＦＥ
Ｄで用いる素子などの自発光型の表示素子を有している表示装置をいう。液晶表示装置と
は、液晶素子を有している表示装置をいう。
なお、本明細書において、ある物の上に形成されている、あるいは、〜上に形成されてい
る、というように、〜の上に、あるいは、〜上に、という記載については、ある物の上に
直接接していることに限定されない。直接接してはいない場合、つまり、間に別のものが
挟まっている場合も含むものとする。従って例えば、層Ａの上に（もしくは層Ａ上に）、
層Ｂが形成されている、という場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合
と、層Ａの上に直接接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に
直接接して層Ｂが形成されている場合とを含むものとする。また、〜の上方に、という記
載についても同様であり、ある物の上に直接接していることに限定されず、間に別のもの
が挟まっている場合も含むものとする。従って例えば、層Ａの上方に、層Ｂが形成されて
いる、という場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と、層Ａの上に直
接接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｂが
形成されている場合とを含むものとする。なお、〜の下に、あるいは、〜の下方に、の場
合についても、同様であり、直接接している場合と、接していない場合とを含むこととす
る。
本発明により、トランジスタの特性劣化を抑制することができる。そのため、トランジス
タの特性劣化が原因のシフトレジスタの誤動作を防止することができる。また、シフトレ
ジスタの誤動作が原因の液晶表示装置の表示不良を抑制することができる。
実施の形態１を説明する図。 実施の形態１を説明する図。 実施の形態１を説明する図。 実施の形態１を説明する図。 実施の形態１を説明する図。 実施の形態１を説明する図。 実施の形態１を説明する図。 実施の形態１を説明する図。 実施の形態１を説明する図。 実施の形態１を説明する図。 実施の形態１を説明する図。 実施の形態１を説明する図。 実施の形態２を説明する図。 実施の形態２を説明する図。 実施の形態２を説明する図。 実施の形態２を説明する図。 実施の形態２を説明する図。 実施の形態２を説明する図。 実施の形態３を説明する図。 実施の形態３を説明する図。 実施の形態３を説明する図。 実施の形態３を説明する図。 実施の形態４を説明する図。 実施の形態４を説明する図。 実施の形態４を説明する図。 実施の形態４を説明する図。 実施の形態５を説明する図。 実施の形態５を説明する図。 実施の形態５を説明する図。 実施の形態５を説明する図。 実施の形態５を説明する図。 実施の形態６を説明する図。 実施の形態６を説明する図。 実施の形態６を説明する図。 実施の形態６を説明する図。 実施の形態７を説明する図。 実施の形態７を説明する図。 実施の形態７を説明する図。 実施の形態７を説明する図。 実施の形態８を説明する図。 実施の形態８を説明する図。 実施の形態８を説明する図。 実施の形態８を説明する図。 実施の形態１を説明する図。 実施の形態１を説明する図。 実施の形態９を説明する図。 実施の形態９を説明する図。 実施の形態９を説明する図。 実施の形態９を説明する図。 実施の形態９を説明する図。 実施の形態９を説明する図。 実施の形態９を説明する図。 実施の形態９を説明する図。 実施の形態９を説明する図。 実施の形態９を説明する図。 実施の形態１１を説明する図。 実施の形態１１を説明する図。 実施の形態１１を説明する図。 実施の形態１１を説明する図。 実施の形態１１を説明する図。 実施の形態１２を説明する図。 実施の形態１２を説明する図。 実施の形態１３を説明する図。 実施の形態１２を説明する図。 実施の形態１０を説明する図。 実施の形態１０を説明する図。 実施の形態１０を説明する図。 実施の形態１０を説明する図。 実施の形態１０を説明する図。 実施の形態１０を説明する図。 実施の形態１０を説明する図。 実施の形態１０を説明する図。 実施の形態１０を説明する図。 実施の形態１０を説明する図。 実施の形態１４を説明する図。 実施の形態１４を説明する図。 実施の形態１４を説明する図。 実施の形態１４を説明する図。 実施の形態１４を説明する図。 実施の形態１４を説明する図。 実施の形態１４を説明する図。 実施の形態１４を説明する図。 実施の形態１４を説明する図。 実施の形態１４を説明する図。 実施の形態１５を説明する図。 実施の形態１７を説明する図。 実施の形態１８を説明する図。 実施の形態１８を説明する図。 実施の形態１８を説明する図。 実施の形態１９を説明する図。 実施の形態２０を説明する図。 実施の形態１を説明する図。 実施の形態２２を説明する図。 実施の形態２３を説明する図。 実施の形態２３を説明する図。 実施の形態２３を説明する図。 実施の形態２３を説明する図。 実施の形態２３を説明する図。 実施の形態２３を説明する図。 実施の形態１４を説明する図。 実施の形態１４を説明する図。 実施の形態１７を説明する図。 実施の形態２１を説明する図。 実施の形態１６を説明する図。 実施の形態１６を説明する図。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの
異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することな
くその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って
本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
（実施の形態１）
本実施の形態は、本発明の表示装置のシフトレジスタの基本構成について、図面を参照し
て説明する。図１は、シフトレジスタが有する複数のフリップフロップのうち、ある１段
（例えば１段目）のフリップフロップを示している。図１に示すフリップフロップは、第
１のトランジスタ１０１、第２のトランジスタ１０２、第３のトランジスタ１０３及び第
４のトランジスタ１０４を有する。なお、フリップフロップは、第１の配線１１１、第２
の配線１１２、第３の配線１１３、第４の配線１１４、第５の配線１１５及び第６の配線
１１６に接続されている。本実施の形態において、第１のトランジスタ１０１、第２のト
ランジスタ１０２、第３のトランジスタ１０３及び第４のトランジスタ１０４はＮチャネ
ル型トランジスタとし、そのゲートとソース間の電圧（Ｖｇｓ）がしきい値電圧（Ｖｔｈ
）を上回ったとき、導通状態になるものとする。なお、第１の配線１１１及び第２の配線
１１２を、それぞれ第１の電源線、第２の電源線と呼んでもよい。また、第３の配線１１
３及び第４の配線１１４を、それぞれ第１の信号線、第２の信号線と呼んでもよい。
第１のトランジスタ１０１の第１端子（ソース端子及びドレイン端子の一方）は第１の配
線１１１に接続され、第２端子（ソース端子及びドレイン端子の他方）は第２のトランジ
スタ１０２のゲート端子に接続され、ゲート端子は第５の配線１１５に接続されている。
第３のトランジスタ１０３の第１端子は第２の配線１１２に接続され、第２端子は第２の
トランジスタ１０２のゲート端子に接続され、ゲート端子は第４の配線１１４に接続され
ている。第２のトランジスタ１０２の第１端子は第６の配線１１６に接続され、第２端子
は第３の配線１１３に接続されている。第４のトランジスタ１０４の第１端子は第６の配
線１１６に接続され、第２端子は第２の配線１１２に接続され、ゲート端子は第４の配線
１１４に接続されている。なお、第１のトランジスタ１０１の第２端子と、第２のトラン
ジスタ１０２のゲート端子と、第３のトランジスタ１０３の第１端子との接続箇所をノー
ド１２１とする。
なお、第３のトランジスタ１０３の第２端子及び第４のトランジスタ１０４の第２端子は
、第２の配線１１２に接続されていることに限定されず、別々の配線に接続されていても
よい。また、第３のトランジスタ１０３のゲート端子及び第４のトランジスタ１０４のゲ
ート端子は第４の配線１１４に接続されているとは限定されず、別々の配線に接続されて
いてもよい。
次に、図１で示したフリップフロップの動作について、図２のタイミングチャート及び図
３を参照して説明する。なお、図２において、セット期間、選択期間、非選択期間につい
て説明する。なお、非選択期間は、第１の非選択期間、第２の非選択期間及び第３の非選
択期間に分割され、第１の非選択期間、第２の非選択期間及び第３の非選択期間を順に繰
り返している。
なお、第１の配線１１１にはＶ１の電位が、第２の配線１１２にはＶ２の電位が供給され
ている。ただし、Ｖ１＞Ｖ２とする。
ただし、第１の配線１１１にはＶ１の電位が供給されているとは限定されず、他の電位が
供給されていてもよいし、デジタル信号又はアナログ信号が入力されていてもよい。また
、第２の配線１１２にはＶ２の電位が供給されているとは限定されず、他の電位が供給さ
れていてもよいし、デジタル信号又はアナログ信号が入力されていてもよい。
なお、第３の配線１１３、第４の配線１１４及び第５の配線１１５には信号が入力されて
いる。第３の配線１１３に入力される信号は第１のクロック信号であり、第４の配線１１
４に入力される信号は第２のクロック信号であり、第５の配線１１５に入力される信号は
スタート信号である。また、第３の配線１１３、第４の配線１１４及び第５の配線１１５
に入力される信号は、Ｈ信号の電位がＶ１（以下、Ｈレベルともいう）、Ｌ信号の電位が
Ｖ２（以下、Ｌレベルともいう）のデジタル信号である。
ただし、第３の配線１１３には第１のクロック信号が入力されているとは限定されず、他
の信号が入力されてもよいし、一定の電位又は電流が入力されていてもよい。また、第４
の配線１１４には第２のクロック信号が入力されているとは限定されず、他の信号が入力
されてもよいし、一定の電位又は電流が入力されていてもよい。また、第５の配線１１５
にはスタート信号が入力されているとは限定されず、他の信号が入力されてもよいし、一
定の電位又は電流が入力されていてもよい。
また、第３の配線１１３、第４の配線１１４及び第５の配線１１５に入力される信号のＨ
信号の電位はＶ１、Ｌ信号の電位はＶ２とは限定されず、Ｈ信号の電位がＬ信号の電位よ
りも高ければ、それらの電位は特に限定されない。
なお、第６の配線１１６からは信号が出力される。第６の配線１１６から出力される信号
は、フリップフロップの出力信号であり、次の段のフリップフロップのスタート信号でも
ある。また、第６の配線１１６から出力される信号は、次の段のフリップフロップの第５
の配線１１５に入力される。また、第６の配線１１６から出力される信号は、Ｈ信号の電
位がＶ１（以下、Ｈレベルともいう）、Ｌ信号の電位がＶ２（以下、Ｌレベルともいう）
のデジタル信号である。
図２において、信号２１３は第３の配線１１３に入力される信号であり、信号２１４は第
４の配線１１４に入力される信号であり、信号２１５は第５の配線１１５に入力される信
号であり、信号２１６は第６の配線１１６から出力される信号である。また、電位２２１
は図１のノード１２１の電位である。
まず、図２の期間Ａ及び図３（Ａ）に示すセット期間では、信号２１３がＬレベルであり
、信号２１４がＬレベルになり、信号２１５がＨレベルとなる。したがって、第３のトラ
ンジスタ１０３及び第４のトランジスタ１０４はオフとなり、第１のトランジスタ１０１
はオンとなる。このとき、第１のトランジスタ１０１の第２端子がソース端子となり、ノ
ード１２１の電位（電位２２１）は第５の配線１１５の電位から第１のトランジスタ１０
１のしきい値電圧（Ｖｔｈ１０１）を引いた値になるため、Ｖ１−Ｖｔｈ１０１となる。
よって、第２のトランジスタ１０２はオンとなり、第６の配線１１６の電位は第３の配線
１１３の電位と等しくなるためＶ２となる。このように、セット期間では、フリップフロ
ップは第２のトランジスタ１０２をオンしたまま、Ｌレベルを第６の配線１１６から出力
する。
図２の期間Ｂ及び図３（Ｂ）に示す選択期間では、信号２１３がＨレベルとなり、信号２
１４がＬレベルのままであり、信号２１５がＬレベルとなる。したがって、第３のトラン
ジスタ１０３及び第４のトランジスタ１０４はオフのままであり、第１のトランジスタ１
０１はオフとなる。このとき、第２のトランジスタ１０２の第２端子がソース端子となり
、第６の配線１１６の電位が上昇し始める。ノード１２１の電位（電位２２１）は、ノー
ド１２１が浮遊状態（以下、フローティング状態ともいう）となっているため、第２のト
ランジスタ１０２のゲート端子と第２端子との間の寄生容量の容量結合により第６の配線
１１６の電位と同時に上昇する（ブートストラップ動作ともいう）。よって、第２のトラ
ンジスタ１０２のゲートとソース間の電圧ＶｇｓはＶｔｈ１０２＋α（Ｖｔｈ１０２：第
２のトランジスタ１０２のしきい値電圧、α：任意の正の数）となり、第６の配線１１６
の電位はＨレベル（Ｖ１）となる。このように、選択期間では、フリップフロップはノー
ド１２１の電位をＶ１＋Ｖｔｈ１０２＋αにすることによって、Ｈレベルを第６の配線１
１６から出力することができる。
図２の期間Ｃ及び図３（Ｃ）に示す第１の非選択期間では、信号２１３がＬレベルとなり
、信号２１４がＨレベルとなり、信号２１５がＬレベルのままである。したがって、第３
のトランジスタ１０３及び第４のトランジスタ１０４がオンとなり、第１のトランジスタ
１０１はオフのままである。ノード１２１及び第６の配線１１６は、それぞれ第３のトラ
ンジスタ１０３、第４のトランジスタ１０４を介して第２の配線１１２の電位が供給され
るためＬレベルとなる。
図２の期間Ｄ及び図３（Ｄ）に示す第２の非選択期間では、信号２１３がＬレベルのまま
であり、信号２１４がＬレベルとなり、信号２１５がＬレベルのままである。したがって
、第３のトランジスタ１０３及び第４のトランジスタ１０４がオフとなり、第１のトラン
ジスタ１０１はオフのままである。したがって、ノード１２１及び第６の配線１１６はＬ
レベルを維持する。
図２の期間Ｅ及び図３（Ｅ）に示す第３の非選択期間では、信号２１３がＨレベルとなり
、信号２１４がＬレベルのままであり、信号２１５がＬレベルのままである。したがって
、第１のトランジスタ１０１、第３のトランジスタ１０３及び第４のトランジスタ１０４
がオフのままである。したがって、ノード１２１及び第６の配線１１６はＬレベルを維持
する。
以上のことから、図１のフリップフロップは、第３のトランジスタ１０３及び第４のトラ
ンジスタ１０４は第１の非選択期間のみでオンとなるため、第３のトランジスタ１０３及
び第４のトランジスタ１０４の特性劣化（しきい値電圧のシフト）を抑制することができ
る。なお、図１のフリップフロップは、第１のトランジスタ１０１及び第２のトランジス
タ１０２はそれぞれセット期間のみ、セット期間及び選択期間のみでオンとなるため、第
１のトランジスタ１０１及び第２のトランジスタ１０２の特性劣化も抑制することができ
る。
さらに、図１のフリップフロップは、非選択期間のうち、第１の非選択期間においてノー
ド１２１及び第６の配線１１６にＶ２が供給されるためフリップフロップの誤動作を抑制
することができる。なぜなら、非選択期間において、一定期間毎（第１の非選択期間）に
ノード１２１及び第６の配線１１６にＶ２が供給されており、ノード１２１及び第６の配
線１１６の電位を安定してＶ２に維持することができるからである。
なお、図１のフリップフロップは、第１のトランジスタ１０１、第２のトランジスタ１０
２、第３のトランジスタ１０３及び第４のトランジスタ１０４が全てＮチャネル型トラン
ジスタで構成されていることを特徴とする。したがって、図１のフリップフロップは、ト
ランジスタの半導体層として、アモルファスシリコンを用いることができるため、製造工
程の簡略化を図ることができ、製造コストの削減や歩留まりの向上を図ることができる。
さらに、大型の表示パネルなどの半導体装置を作製することも可能となる。また、トラン
ジスタの半導体層として、ポリシリコンや単結晶シリコンを用いても製造工程の簡略化を
図ることができる。
また、図１のフリップフロップは、トランジスタの半導体層として特性劣化（しきい値電
圧のシフト）が顕著に表れるアモフファスシリコンを用いても、トランジスタの特性劣化
を抑制することができるため、長寿命な表示パネルなどの半導体装置を作製することがで
きる。
ここで、第１のトランジスタ１０１、第２のトランジスタ１０２、第３のトランジスタ１
０３及び第４のトランジスタ１０４が有する機能を説明する。第１のトランジスタ１０１
は、第１の配線１１１の電位を供給するタイミングを選択する機能を有し、入力用トラン
ジスタとして機能する。第２のトランジスタ１０２は、第３の配線１１３の電位を第６の
配線１１６に供給するタイミングを選択し、ノード１２１の電位をブートストラップ動作
によって上昇させる機能を有し、ブートストラップ用トランジスタとして機能する。第３
のトランジスタ１０３は、第２の配線１１２の電位をノード１２１に供給するタイミング
を選択する機能を有し、スイッチングトランジスタとして機能する。第４のトランジスタ
１０４は、第２の配線１１２の電位を第６の配線１１６に供給する機能を有し、スイッチ
ングトランジスタとして機能する。
なお、図１と同様の動作を行うものであれば、トランジスタの配置及び数などは図１に限
定されない。図１のフリップフロップの動作を説明した図３から分かるように、本実施の
形態では、セット期間、選択期間、第１の非選択期間、第２の非選択期間及び第３の非選
択期間は、それぞれ図３（Ａ）乃至（Ｅ）に示す実線のように導通がとれていればよい。
よって、これを満たすようにトランジスタ等を配置し、動作させうる構成であれば、トラ
ンジスタ、その他の素子（抵抗素子、容量素子など）、ダイオード、スイッチ、様々な論
理回路などを新たに配置してもよい。
例えば、図４に示すように、図１に示した第２のトランジスタ１０２のゲート端子と第２
端子との間に容量素子４０１を配置してもよい。容量素子４０１を配置することによって
、選択期間でのブートストラップ動作をより安定して行うことができる。また、第２のト
ランジスタ１０２のゲート端子と第２端子との間の寄生容量を小さくできるため、各トラ
ンジスタを高速にスイッチングさせることができる。なお、容量素子４０１は、絶縁層と
してゲート絶縁膜を用いて導電層としてゲート電極層及び配線層を用いてもよいし、絶縁
層としてゲート絶縁膜を用いて導電層としてゲート電極層及び不純物が添加された半導体
層を用いてもよいし、絶縁層として層間膜（絶縁膜）を用いて導電層として配線層及び透
明電極層を用いてもよい。なお、図１の構成と共通するところは共通の符号を用いてその
説明を省略する。
図５のフリップフロップにおいても、図１と同様の動作を行うことができる。図５に示す
ように、図１に示した第１のトランジスタ１０１がダイオード接続となっていてもよい。
第１のトランジスタ１０１がダイオード接続されることによって、第１の配線１１１が不
要になり、配線及び電源（Ｖ１）を１つずつ減らすことができる。なお、図１の構成と共
通するところは共通の符号を用いてその説明を省略する。
続いて、上述した本実施の形態のフリップフロップを有するシフトレジスタについて図６
を参照して説明する。
シフトレジスタは、第１の配線６１１、第２の配線６１２、第３の配線６１３、第４の配
線６１４、第５の配線６１５、第６の配線６１６、配線６２２＿１〜６２２＿ｎ及びｎ個
（ｎ段）のフリップフロップ６０１＿１〜６０１＿ｎを有する。そして、１＋３Ｎ段目（
Ｎ：０若しくは正の整数）のフリップフロップ６０１は第１の配線６１１、第２の配線６
１２、第３の配線６１３及び第４の配線６１４に接続されている。２＋３Ｎ段目のフリッ
プフロップ６０１は第１の配線６１１、第２の配線６１２、第４の配線６１４及び第５の
配線６１５に接続されている。３＋３Ｎ段目のフリップフロップ６０１は第１の配線６１
１、第２の配線６１２、第５の配線６１５及び第３の配線６１３に接続されている。また
、例えばｉ段目のフリップフロップ６０１＿ｉ（フリップフロップ６０１＿１〜６０１＿
ｎのうちいずれか一）のうち、フリップフロップ６０１＿２〜フリップフロップ６０１＿
ｎ−１は、ｉ−１段目のフリップフロップ６０１＿ｉ−１及びｉ＋１段目のフリップフロ
ップ６０１＿ｉ＋１に接続され、ｉ段目のフリップフロップ６０１＿ｉとｉ＋１段目のフ
リップフロップ６０１＿ｉ＋１との接続箇所は配線６２２＿ｉ（配線６２２＿１〜６２２
＿ｎのうちいずれか一）に接続されている。なお、１段目のフリップフロップ６０１＿１
は第６の配線６１６と２段目のフリップフロップ６０１＿２に接続され、１段目のフリッ
プフロップ６０１＿１と２段目のフリップフロップ６０１＿２との接続箇所は配線６２２
＿１に接続されている。なお、ｎ段目のフリップフロップ６０１＿ｎはｎ−１段目のフリ
ップフロップ６０１＿ｎ−１と配線６２２＿ｎに接続されている。
なお、１＋３Ｎ段目のフリップフロップ６０１では、第１の配線６１１、第２の配線６１
２、第３の配線６１３、第４の配線６１４は、それぞれ図１の第１の配線１１１、第２の
配線１１２、第３の配線１１３、第４の配線１１４に接続されている。２＋３Ｎ段目のフ
リップフロップ６０１では、第１の配線６１１、第２の配線６１２、第４の配線１１４、
第５の配線６１５は、それぞれ図１の第１の配線１１１、第２の配線１１２、第３の配線
１１３、第４の配線１１４に接続されている。３＋３Ｎ段目のフリップフロップ６０１で
は、第１の配線６１１、第２の配線６１２、第５の配線６１５、第３の配線６１３は、そ
れぞれ図１の第１の配線１１１、第２の配線１１２、第３の配線１１３、第４の配線６１
４に接続されている。また、例えばｉ段目のフリップフロップ６０１＿ｉのうち、フリッ
プフロップ６０１＿２〜フリップフロップ６０１＿ｎ−１の図１に示す第５の配線１１５
及び第６の配線１１６は、それぞれｉ−１段目のフリップフロップ６０１＿ｉ−１の図１
に示す第６の配線１１６、ｉ＋１段目のフリップフロップ６０１＿ｉ＋１の図１に示す第
５の配線１１５に接続されている。なお、１段目のフリップフロップ６０１＿１の図１に
示す第５の配線１１５及び第６の配線１１６は、それぞれ図６の第６の配線６１６、２段
目のフリップフロップ６０１＿２の図１に示す第５の配線１１５に接続されている。なお
、ｎ段目のフリップフロップ６０１＿ｎの図１に示す第５の配線１１５及び第６の配線１
１６は、それぞれｎ−１段目のフリップフロップ６０１＿ｎ−１の図１に示す第６の配線
１１６、図６の配線６２２＿ｎに接続されている。
次に、図６に示したシフトレジスタの上面図の一形態を図９２に示す。なお、図９２に示
すシフトレジスタは、図１のフリップフロップを用いた場合のシフトレジスタであり、ｎ
段目のフリップフロップ６０１＿ｎ及びｎ＋１段目のフリップフロップ６０１＿ｎ＋１を
示す。図９２のシフトレジスタが有するフリップフロップには、第１のトランジスタ１０
１、第２のトランジスタ１０２、第３のトランジスタ１０３及び第４のトランジスタ１０
４が配置されている。そして、図９２のシフトレジスタが有するフリップフロップそれぞ
れは、第１の配線６１１、第２の配線６１２、第３の配線６１３、第４の配線６１４及び
第５の配線６１５に接続されている。なお、第１のトランジスタ１０１、第２のトランジ
スタ１０２、第３のトランジスタ１０３及び第４のトランジスタ１０４は、逆スタガ型の
トランジスタ構造であり、チャネルエッチ型の場合について説明する。ただし、第１のト
ランジスタ１０１、第２のトランジスタ１０２、第３のトランジスタ１０３及び第４のト
ランジスタ１０４は、チャネル保護型でもよい。また、第１のトランジスタ１０１、第２
のトランジスタ１０２、第３のトランジスタ１０３及び第４のトランジスタ１０４は、ト
ップゲート型のトランジスタとしてもよい。
また、図９２に示すシフトレジスタのレイアウト図は、第１の導電膜９２０１、半導体層
９２０２、コンタクト９２０３及び第２の導電膜９２０４によって構成されている。なお
、第１の導電膜９２０１はゲート電極として機能する。半導体層９２０２は不純物を含ま
ない真性の非結晶半導体膜である。コンタクト９２０３は、第１の導電膜９２０１と第２
の導電膜９２０４とを電気的に接続するために機能する。
図９２のシフトレジスタは、第１の配線６１１の配線幅を第３の配線６１３の配線幅、第
４の配線６１４の配線幅及び第５の配線６１５の配線幅よりも小さくすることができる。
なぜなら、第１の配線６１１に流れる電流は第３の配線６１３、第４の配線６１４及び第
５の配線６１５に比べて小さいため、第１の配線６１１の配線幅を小さくしてもシフトレ
ジスタの動作への影響は少ないからである。同様に、図９２のシフトレジスタは、第２の
配線６１２の配線幅を第３の配線６１３の配線幅、第４の配線６１４の配線幅及び第５の
配線６１５の配線幅よりも小さくすることができる。ただし、第２の配線６１２に流れる
電流は第１の配線６１１に流れる電流よりも大きいため、第２の配線６１２の配線幅は第
１の配線６１１の配線幅よりも大きいことが望ましい。したがって、図９２のシフトレジ
スタは、１段分のフリップフロップのピッチを小さくできる。また、図９２のシフトレジ
スタは、各トランジスタを効率的に配置できる。また、図９２のシフトレジスタは、各ト
ランジスタのチャネル幅を大きくすることができる。
また、図９２のシフトレジスタは、第２のトランジスタ１０２のチャネル幅を大きくする
ことで、ブートストラップ動作をより容易に行なうことができる。なぜなら、第２のトラ
ンジスタ１０２のチャネル幅が大きいため、第２のトランジスタ１０２のゲート端子と第
２端子との間の寄生容量が大きくなるからである。また、図９２のシフトレジスタは、第
２のトランジスタ１０２のチャネル幅を大きくすることで、高い駆動能力を得ることがで
きる。なぜなら、第２のトランジスタ１０２のチャネル幅が大きいため、第２のトランジ
スタ１０２の電流供給能力が大きくなるからである。なお、すでに述べたように、図９２
のシフトレジスタは第１の配線６１１及び第２の配線６１２の配線幅を小さくして、各ト
ランジスタを配置できる面積を大きくできる。その場合、図９２のシフトレジスタは第２
のトランジスタ１０２のチャネル幅を優先的に大きくすることでより高い駆動能力を得る
ことができる。したがって、第２のトランジスタのチャネル幅は、第１のトランジスタ１
０１のチャネル幅、第３のトランジスタ１０３のチャネル幅、第４のトランジスタ１０４
のチャネル幅よりも大きくすることが望ましい。
また、図９２のシフトレジスタは、第２のトランジスタ１０２のチャネル形状をＵ字型に
することで、第２のトランジスタ１０２のチャネル幅を大きくすることができる。
なお、図９２に示したレイアウト図の特徴は、他のシフトレジスタにも適用することがで
きる。
次に、図６に示したシフトレジスタの動作について、図７のタイミングチャートを参照し
て説明する。
なお、第１の配線６１１にはＶ１の電位が、第２の配線６１２にはＶ２の電位が供給され
ている。ただし、Ｖ１＞Ｖ２とする。
ただし、第１の配線６１１にはＶ１の電位が供給されているとは限定されず、他の電位が
供給されていてもよいし、デジタル信号又はアナログ信号が入力されていてもよい。また
、第２の配線６１２にはＶ２の電位が供給されているとは限定されず、他の電位が供給さ
れていてもよいし、デジタル信号又はアナログ信号が入力されていてもよい。
なお、第３の配線６１３、第４の配線６１４、第５の配線６１５、第６の配線６１６には
信号が入力されている。第３の配線６１３、第４の配線６１４、第５の配線６１５に入力
される信号は位相が１２０度ずつずれた３相のクロック信号である。第６の配線６１６に
入力される信号はスタート信号である。また、第３の配線６１３、第４の配線６１４、第
５の配線６１５、第６の配線６１６に入力される信号は、Ｈ信号の電位がＶ１、Ｌ信号の
電位がＶ２のデジタル信号である。
ただし、第３の配線６１３、第４の配線６１４及び第５の配線６１５にはそれぞれ位相が
１２０度ずつずれた３相のクロック信号が入力されているとは限定されず、他の信号が入
力されてもよいし、一定の電位又は電流が入力されていてもよい。また、第６の配線６１
６にはスタート信号が入力されているとは限定されず、他の信号が入力されてもよいし、
一定の電位又は電流が入力されていてもよい。
また、第３の配線６１３、第４の配線６１４、第５の配線６１５及び第６の配線６１６に
入力される信号のＨ信号の電位はＶ１、Ｌ信号の電位はＶ２とは限定されず、Ｈ信号の電
位がＬ信号の電位よりも高ければ、その電位は特に限定されない。
なお、配線６２２からは信号が出力される。例えば、配線６２２＿ｉ（ｉは任意の正の数
）から出力される信号は、ｉ段目のフリップフロップ６０１＿ｉの出力信号であり、ｉ＋
１段目のフリップフロップ６０１＿ｉ＋１入力信号でもある。
図７において、信号７１６は第６の配線６１６に入力される信号を示している。また、信
号７２２＿１、信号７２２＿ｉ、信号７２２＿ｉ＋１、信号７２２＿ｎは、それぞれ１段
目、ｉ段目、ｉ＋１段目、ｎ段目の配線６２２から出力される信号（配線６２２の電位）
を示している。
図７に示すように、例えば、ｉ段目のフリップフロップ６０１＿ｉが選択期間になると配
線６２２＿ｉにＨ信号（７２２＿ｉ）を出力する。このとき、ｉ＋１段目のフリップフロ
ップ６０１＿ｉ＋１はセット期間となり配線６２２＿ｉ＋１にＬ信号を出力する。その後
、ｉ段目のフリップフロップ６０１＿ｉは第１の非選択期間となり配線６２２＿ｉにＬ信
号を出力する。このとき、ｉ＋１段目のフリップフロップ６０１＿ｉ＋１は選択期間とな
り配線６２２＿ｉ＋１にＨ信号を出力する。その後、ｉ段目のフリップフロップ６０１＿
ｉは第２の非選択期間となり配線６２２＿ｉはＬレベルを維持したまま浮遊状態となる。
このとき、ｉ＋１段目のフリップフロップ６０１＿ｉ＋１は第１の非選択期間となり配線
６２２＿ｉ＋１にＬ信号を出力する。その後、ｉ段目のフリップフロップ６０１＿ｉは第
３の非選択期間となり配線６２２＿ｉはＬレベルを維持したまま浮遊状態のままである。
このとき、ｉ＋１段目のフリップフロップ６０１＿ｉ＋１は第２の非選択期間となり配線
６２２＿ｉ＋１はＬレベルを維持したまま浮遊状態となる。その後は、ｉ段目のフリップ
フロップ６０１＿ｉは、次のセット期間まで第１の非選択期間、第２の非選択期間、第３
の非選択期間を順に繰り返す。同様に、ｉ＋１段目のフリップフロップ６０１＿ｉ＋１は
、次のセット期間（ｉ段目のフリップフロップ６０１＿ｉの選択期間）まで、第３の非選
択期間、第１の非選択期間、第２の非選択期間を順に繰り返す。
以上のことから、図６のシフトレジスタは、３相のクロック信号を用いることができるた
め、立ち上がりまたは立ち下がりの回数を減らすことができ、省電力化を実現できる。ま
た、本実施の形態のシフトレジスタは、各クロック信号線（第３の配線６１３、第４の配
線６１４、第５の配線６１５）に接続されているフリップフロップ６０１の段数が単相の
クロック信号を用いた場合の２／３になるため、各クロック信号線の負荷を小さくするこ
とができる。
なお、図６のシフトレジスタは、各段のフリップフロップ６０１の出力信号をバッファを
介して、それぞれ各段の配線６２２に出力してもよく、このような構成を図８に示す。図
８のシフトレジスタは、各段のフリップフロップ６０１がバッファ８０１を介してそれぞ
れ各段の配線６２２に接続されているため、動作時における広いマージンを得ることがで
きる。なぜなら、配線６２２に大きな負荷が接続され、配線６２２の信号に遅延や波形の
なまりが生じても、シフトレジスタの動作に影響しないからである。なお、バッファ８０
１はインバータや、ＮＡＮＤ、ＮＯＲなどの論理回路や、オペアンプなどや、これらを組
み合わせた回路を用いることができる。
続いて、上述した本実施の形態のシフトレジスタを有する表示装置について図９を参照し
て説明する。
表示装置は、信号線駆動回路９０１、走査線駆動回路９０２及び画素部９０３を有し、画
素部９０３は、信号線駆動回路９０１から列方向に伸張して配置された複数の信号線Ｓ１
〜Ｓｍ、走査線駆動回路９０２から行方向に伸張して配置された複数の走査線Ｇ１〜Ｇｎ
及び信号線Ｓ１〜Ｓｍ並びに走査線Ｇ１〜Ｇｎに対応してマトリクス状に配置された複数
の画素９０４を有する。そして、各画素９０４は、信号線Ｓｊ（信号線Ｓ１〜Ｓｍのうち
いずれか一）、走査線Ｇｉ（走査線Ｇ１〜Ｇｎのうちいずれか一）と接続されている。
なお、走査線Ｇ１〜Ｇｎは、図６及び図８の配線６２２＿１〜６２２＿ｎに相当する。
なお、配線や電極は、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ネオジウム（Ｎｄ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル
（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）
、スカンジウム（Ｓｃ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニオブ（Ｎｂ）、シリコ
ン（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、ボロン（Ｂ）、ヒ素（Ａｓ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム
（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、及び酸素（Ｏ）から選ばれた一つ又は複数の元素、もしくは、群
から選ばれた一つ又は複数の元素を成分とする化合物や合金材料（例えば、インジウム錫
酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化珪素を添加したインジウム錫
酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミネオジウム（Ａｌ−Ｎｄ）、マグネシ
ウム銀（Ｍｇ−Ａｇ）など）、もしくは、これらの化合物を組み合わせた物質などを有し
て形成される。もしくは、それらとシリコンの化合物（シリサイド）（例えば、アルミシ
リコン、モリブデンシリコン、ニッケルシリサイドなど）や、それらと窒素の化合物（例
えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン等）を有して形成される。なお、シリ
コン（Ｓｉ）には、ｎ型不純物（リンなど）やｐ型不純物（ボロンなど）を多く含んでい
てもよい。これらの不純物を含むことにより、導電率が向上、また、通常の導体と同様の
振る舞いをするので、配線や電極として利用しやすくなる。なお、シリコンは、単結晶で
もよいし、多結晶（ポリシリコン）でもよいし、非晶質（アモルファスシリコン）でもよ
い。単結晶シリコンや多結晶シリコンを用いることにより、抵抗を小さくすることが出来
る。また、非晶質シリコンを用いることにより、簡単な製造工程で作ることが出来る。な
お、アルミニウムや銀は、導電率が高いため、信号遅延を低減することができ、また、エ
ッチングしやすいので、パターニングしやすく、微細加工を行うことが出来る。なお、銅
は、導電率が高いため、信号遅延を低減することが出来る。なお、モリブデンは、ＩＴＯ
やＩＺＯなどの酸化物半導体や、シリコンと接触しても、材料の不良などの問題が生じる
ことなく製造できたり、パターニングやエッチングがしやすく、また、耐熱性が高いため
、望ましい。なお、チタンは、ＩＴＯやＩＺＯなどの酸化物半導体や、シリコンと接触し
ても、材料の不良などの問題が生じることなく製造できたり、耐熱性が高いため、望まし
い。なお、タングステンは、耐熱性が高いため、望ましい。なお、ネオジウムは、耐熱性
が高いため、望ましい。特に、ネオジウムとアルミニウムとの合金にすると、耐熱性が向
上し、アルミニウムがヒロックをおこしにくくなるため、望ましい。なお、シリコンは、
トランジスタが有する半導体層と同時に形成できたり、耐熱性が高いため、望ましい。な
お、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化珪素を添加
したインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、シリコン（Ｓｉ）は、透光
性を有しているため、光を透過させるような部分に用いることができるため、望ましい。
たとえば、画素電極や共通電極として用いることができる。
なお、これらが単層で配線や電極を形成していてもよいし、多層構造になっていてもよい
。単層構造で形成することにより、製造工程を簡略化することができ、工程時間を少なく
でき、コストを低減することが出来る。また、多層構造にすることにより、それぞれの材
料のメリットを生かし、一の材料のデメリットを、他の材料を用いることにより低減させ
、性能の良い配線や電極を形成することが出来る。たとえば、抵抗の低い材料（アルミニ
ウムなど）を多層構造の中に含むようにすることにより、配線の低抵抗化を図ることがで
きる。また、耐熱性が高い材料を含むようにすれば、例えば、耐熱性が弱いが、別のメリ
ットを有する材料を、耐熱性が高い材料で挟むような積層構造にすることにより、配線や
電極全体として、耐熱性を高くすることが出来る。例えば、アルミニウムを含む層を、モ
リブデンやチタンを含む層で挟んだような形にした積層構造にすると望ましい。また、別
の材料の配線や電極などと直接接するような部分がある場合、お互いに悪影響を及ぼすこ
とがある。例えば、一方の材料が他方の材料の中に入っていって、性質を変えてしまい、
本来の目的を果たせなくなったり、製造するときに、問題が生じて、正常に製造できなく
なったりすることがある。そのような場合、ある層を別の層で挟んだり、覆ったりするこ
とにより、問題を解決することが出来る。例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）と、ア
ルミニウムを接触させたい場合は、間に、チタンやモリブデンを挟むことが望ましい。ま
た、シリコンとアルミニウムを接触させたい場合は、間に、チタンやモリブデンを挟むこ
とが望ましい。
なお、上記説明した配線や電極は、他の表示装置並びにシフトレジスタにも適用すること
が出来る。
なお、信号線駆動回路９０１は、信号線Ｓ１〜Ｓｍにビデオ信号に応じた電位若しくは電
流を入力する。また、信号線駆動回路９０１は、画素部９０３と同一基板上に形成される
必要はなく、ＩＣなどの単結晶基板上に形成されていてもよいし、一部を画素部９０３と
同一基板上に形成され、残りの部分をＩＣなどの単結晶基板に形成してもよい。
なお、走査線駆動回路９０２は、走査線Ｇ１〜Ｇｎに信号を入力し、走査線Ｇ１〜Ｇｎを
１行目から順に選択（以下、走査するともいう）する。そして、選択された走査線に接続
されている複数の画素９０４も同時に選択される。なお、１つの走査線が選択されている
期間を１ゲート選択期間と呼び、１つの走査線が選択されていない期間を非選択期間と呼
ぶ。また、走査線駆動回路９０２は図６又は図８に示したシフトレジスタを適用すること
ができる。また、走査線駆動回路９０２は、画素部９０３と同一基板上に形成されている
ことを特徴とする。
なお、画素９０４は、選択されている場合には信号線駆動回路９０１から信号線を介して
ビデオ信号に応じた電位若しくは電流が入力される。ただし、選択されていない場合には
ビデオ信号に応じた電位若しくは電流は入力されない。
次に、図９に示した表示装置の動作について、図１０のタイミングチャートを参照して説
明する。なお、図１０において、１画面分の画像を表示する期間に相当する１フレーム期
間を示す。なお、１フレーム期間は特に限定はしないが、画像を見る人がちらつき（フリ
ッカー）を感じないように１／６０秒以下とすることが好ましい。
なお、図１０のタイミングチャートでは、１行目の走査線Ｇ１、ｉ行目の走査線Ｇｉ、ｉ
＋１行目の走査線Ｇｉ＋１及びｎ行目の走査線Ｇｎがそれぞれ選択されるタイミングを示
している。
図１０において、例えばｉ行目の走査線Ｇｉが選択され、走査線Ｇｉに接続されている複
数の画素９０４が選択される。そして、走査線Ｇｉに接続されている複数の画素９０４に
はそれぞれビデオ信号が書き込まれ、それぞれの表示素子の輝度若しくは透過率がビデオ
信号に応じた値となる。その後、ｉ行目の走査線Ｇｉが非選択になると、ｉ＋１行目の走
査線Ｇｉ＋１が選択され、走査線Ｇｉ＋１に接続されている複数の画素９０４が選択され
る。そして、走査線Ｇｉ＋１に接続されている複数の画素９０４にはそれぞれビデオ信号
が書き込まれ、それぞれの表示素子の輝度若しくは透過率がビデオ信号に応じた値となる
。なお、各画素９０４は非選択状態になっても書き込まれたビデオ信号を保持するため、
それぞれの表示素子はビデオ信号に応じた輝度若しくは透過率を維持する。
以上のことから、走査線Ｇ１〜Ｇｎそれぞれは、１フレーム期間のうち１ゲート選択期間
で選択され、１ゲート選択期間以外では非選択期間となり選択されない。１ゲート選択期
間の長さは１フレーム期間の長さをｎで割ったものとおおむね等しいため、１フレーム期
間のうちほとんどの期間は非選択期間となる。つまり、走査線駆動回路９０２に図６又は
図８に示したシフトレジスタを適用した場合には、図６又は図８に示すフリップフロップ
６０１＿１〜６０１＿ｉそれぞれは１フレーム期間のうちほとんどの期間で第１の非選択
期間、第２の非選択期間及び第３の非選択期間を順に繰り返している。したがって、走査
線駆動回路９０２は、図６及び図８に示すフリップフロップ６０１＿１〜６０１＿ｉそれ
ぞれが有するトランジスタの劣化を抑制することができるため、寿命を長くすることがで
きる。さらに、長寿命な走査線駆動回路９０２を画素部９０３と一体形成した図９の表示
装置も寿命を長くすることができる。
なお、図９のように、画素を選択し、画素にビデオ信号を書き込むことができれば、駆動
回路の数や配置などは図９に限定されない。
例えば、図１１に示すように、走査線Ｇ１〜走査線Ｇｎを第１の走査線駆動回路１１０１
及び第２の走査線駆動回路１１０２によって走査してもよい。なお、第１の走査線駆動回
路１１０１及び第２の走査線駆動回路１１０２は、図９に示した走査線駆動回路９０２と
同様の構成であり、同じタイミングで走査線Ｇ１〜走査線Ｇｎを走査する。走査線Ｇ１〜
走査線Ｇｎを第１の走査線駆動回路１１０１及び第２の走査線駆動回路１１０２によって
走査することによって、走査線Ｇ１〜走査線Ｇｎそれぞれに出力する信号の遅延やなまり
が低減され、走査線Ｇ１〜走査線Ｇｎが高速に走査される。つまり、図１１の表示装置は
、パネルサイズが大きくなり、走査線Ｇ１〜走査線Ｇｎの配線抵抗や寄生容量が大きくな
っても、走査線Ｇ１〜走査線Ｇｎそれぞれに出力する信号の遅延やなまりが低減されるた
め、大型化を可能にすることができる。さらに、図１１の表示装置は、パネルサイズが大
きくなる若しくはパネルが高精細になって画素数が増えることにより、走査線Ｇ１〜走査
線Ｇｎを高速に走査する必要があっても、走査線Ｇ１〜走査線Ｇｎを高速に走査すること
ができるため、大型化、高精細化を可能にすることができる。さらに、図１１の表示装置
は、第１の走査線駆動回路１１０１及び第２の走査線駆動回路１１０２のうち一方に不良
が生じても、他方の走査線Ｇ１〜走査線Ｇｎを走査できるため、冗長性を持たせることが
できる。なお、図９の構成と共通するところは共通の符号を用いてその説明を省略する。
なお、図１１の表示装置には、図９と同様に図１０のタイミングチャートを用いることが
できる。
図１２に示した表示装置においても、図９のように画素を選択し、画素にビデオ信号を書
き込むことができる。図１２に示すように、第１の走査線駆動回路１２０１及び第２の走
査線駆動回路１２０２によって、走査線Ｇ１〜走査線Ｇｎを１行毎に走査してもよい。な
お、第１の走査線駆動回路１２０１及び第２の走査線駆動回路１２０２は、図９に示した
走査線駆動回路９０２と同様の構成であり、駆動タイミングが異なる。第１の走査線駆動
回路１２０１が奇数行目の走査線を走査し、第２の走査線駆動回路１２０２が偶数行目の
走査線を走査することによって、第１の走査線駆動回路１２０１及び第２の走査線駆動回
路１２０２の駆動周波数を小さくでき、第１の走査線駆動回路１２０１及び第２の走査線
駆動回路１２０２が有するフリップフロップの１段分のピッチが広がる。つまり、図１２
の表示装置は、第１の走査線駆動回路１２０１及び第２の走査線駆動回路１２０２の駆動
周波数を小さくできるため、省電力化を実現できる。さらに、図１２の表示装置は、第１
の走査線駆動回路１２０１及び第２の走査線駆動回路１２０２が有するフリップフロップ
の１段分のピッチが広がるため、効率的にレイアウトでき、額縁を小さくすることができ
る。さらに、図１２の表示装置は、第１の走査線駆動回路１２０１及び第２の走査線駆動
回路１２０２を左右に配置するため、額縁を左右均一にするこができる。なお、図９の構
成と共通するところは共通の符号を用いてその説明を省略する。なお、図１２の表示装置
には、図９と同様に図１０のタイミングチャートを用いることができる。
また、図４４に示した表示装置においても、図９のように画素を選択し、画素にビデオ信
号を書き込むことができる。図４４に示すように、第１の走査線駆動回路４４０２及び第
２の走査線駆動回路４４０３によって、走査線Ｇ１〜走査線Ｇｎを１行毎に走査してもよ
い。また、画素９０４は、１行毎に左右の信号線に接続されている。例えば、ｊ列目の複
数の画素９０４は、ｉ行目では信号線Ｓｊ（信号線Ｓ１〜信号線Ｓｍ＋１のうちいずれか
一）に接続され、ｉ＋１行目では信号線Ｓｊ＋１に接続され、ｉ−１行目では信号線Ｓｊ
＋１に接続されている。
図４４に示した表示装置の動作について、図４５のタイミングチャートを参照して説明す
る。なお、図４５において、１画面分の画像を表示する期間に相当する１フレーム期間を
示す。なお、１フレーム期間は特に限定はしないが、画像を見る人がちらつき（フリッカ
ー）を感じないように１／６０秒以下とすることが好ましい。
なお、図４５のタイミングチャートでは、１行目の走査線Ｇ１、ｉ−１行目の走査線Ｇｉ
−１、ｉ行目の走査線Ｇｉ、ｉ＋１行目の走査線Ｇｉ＋１及びｎ行目の走査線Ｇｎがそれ
ぞれ選択されるタイミングを示している。図４５のタイミングチャートでは、１つの選択
期間を選択期間Ｔａと選択期間Ｔｂとに分割している。
なお、図４４の表示装置は、１フレーム期間において各信号線に１列毎に正極のビデオ信
号と負極のビデオ信号とを入力するだけで、ドット反転駆動をすることができる。また、
図４４の表示装置は、１フレーム期間毎に、各信号線に入力するビデオ信号の極性を反転
することでフレーム反転駆動をすることができる。なお、図４５のタイミングチャートで
は、表示装置がドット反転駆動及びフレーム反転駆動をする場合について説明する。
図４５において、例えばｉ行目の走査線Ｇｉの選択期間Ｔａは、ｉ−１行目の走査線Ｇｉ
−１の選択期間と重なっており、ｉ行目の走査線Ｇｉの選択期間Ｔｂは、ｉ＋１行目の走
査線Ｇｉ＋１の選択期間と重なっている。したがって、選択期間Ｔａにおいて、ｉ−１行
・ｊ＋１列目の画素９０４に入力されるビデオ信号と同様なものが、ｉ行ｊ列目の画素９
０４に入力される。また、選択期間Ｔｂにおいて、ｉ行ｊ列目の画素９０４に入力される
ビデオ信号と同様なものが、ｉ＋１行・ｊ−１列目の画素９０４に入力される。なお、選
択期間Ｔｂにおいて画素９０４に入力されるビデオ信号が本来のビデオ信号であり、選択
期間Ｔａにおいて画素９０４に入力されるビデオ信号が画素９０４のプリチャージ用のビ
デオ信号である。したがって、画素９０４それぞれは、選択期間Ｔａにおいて入力される
ビデオ信号によってプリチャージされ、選択期間Ｔｂにおいて入力されるビデオ信号を保
持する。
以上のことから、図４４の表示装置は、画素９０４に高速にビデオ信号を書き込むことが
できるため、大型化、高精細化を容易に実現することができる。さらに、図４４の表示装
置は、１フレーム期間において信号線各々は同じ極性のビデオ信号が入力されるため、各
信号線の充放電が少なく、低消費電力化を実現できる。また、図４４の表示装置は、ビデ
オ信号を供給するためのＩＣの負荷が大幅に低減されるため、ＩＣの発熱や消費電力など
を低減することができる。さらに、図４４の表示装置は、第１の走査線駆動回路４４０２
及び第２の走査線駆動回路４４０３の駆動周波数を約半分にできる。
なお、図９、図１１、図１２、及び図４４の表示装置は、画素９０４の構成によって別の
配線などを追加してもよい。例えば、一定の電位に保たれている電源線、新たな走査線及
び容量線などを追加してもよい。なお、新たに走査線を追加する場合には、図６及び図８
に示したシフトレジスタを適用した走査線駆動回路を新たに追加してもよい。
なお、本実施の形態で示したシフトレジスタやフリップフロップは、本明細書中の他の実
施の形態に示した表示装置の構成と自由に組み合わせて実施することができる。また、本
実施の形態で示したシフトレジスタやフリップフロップの構成も自由に組み合わせて実施
することができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１とは異なる構成のフリップフロップを図１３に示す。な
お、実施の形態１と同様なものに関しては共通の符号を用いて示し、同一部分又は同様な
機能を有する部分の詳細な説明は省略する。
図１３に示すフリップフロップは、第１のトランジスタ１０１、第２のトランジスタ１０
２、第３のトランジスタ１０３、第４のトランジスタ１０４及び第５のトランジスタ１３
０５を有する。なお、フリップフロップは、第１の配線１１１、第２の配線１１２、第３
の配線１１３、第４の配線１１４、第５の配線１１５、第６の配線１１６及び第７の配線
１３１７に接続されている。本実施の形態において、第５のトランジスタ１３０５はＮチ
ャネル型トランジスタとし、そのゲートとソース間の電圧（Ｖｇｓ）がしきい値電圧（Ｖ
ｔｈ）を上回ったとき、導通状態になるものとする。なお、第７の配線１３１７を、第３
の信号線と呼んでもよい。
第１のトランジスタ１０１の第１端子（ソース端子及びドレイン端子の一方）は第１の配
線１１１に接続され、第２端子（ソース端子及びドレイン端子の他方）は第２のトランジ
スタ１０２のゲート端子に接続され、ゲート端子は第５の配線１１５に接続されている。
第３のトランジスタ１０３の第１端子は第２のトランジスタ１０２のゲート端子に接続さ
れ、第２端子は第２の配線１１２に接続され、ゲート端子は第４の配線１１４に接続され
ている。第２のトランジスタ１０２の第１端子は第３の配線１１３に接続され、第２端子
は第６の配線１１６に接続されている。第４のトランジスタ１０４の第１端子は第６の配
線１１６に接続され、第２端子は第２の配線１１２に接続され、ゲート端子は配線１１４
に接続されている。第５のトランジスタ１３０５の第１端子は第６の配線１１６に接続さ
れ、第２端子は第２の配線１１２に接続され、ゲート端子は第７の配線１３１７に接続さ
れている。
なお、第３のトランジスタ１０３の第２端子、第４のトランジスタ１０４の第２端子及び
第５のトランジスタ１３０５の第２端子は、第２の配線１１２に接続されているとは限定
されず、別々の配線に接続されていてもよい。また、第３のトランジスタ１０３のゲート
端子及び第４のトランジスタ１０４のゲート端子は第４の配線１１４に接続されていると
は限定されず、別々の配線に接続されていてもよい。
次に、図１３で示したフリップフロップの動作について、図１４のタイミングチャートを
参照して説明する。なお、図１４は、図１３のフリップフロップを図１に示したフリップ
フロップと同様に動作させる場合のタイミングチャートである。なお、図２のタイミング
チャートと共通するところは共通の符号を用いて説明を省略する。
なお、第７の配線１３１７には信号が入力されている。第７の配線１３１７に入力される
信号は、第３のクロック信号である。また、第７の配線１３１７に入力される信号は、Ｈ
信号の電位がＶ１（以下、Ｈレベルともいう）、Ｌ信号の電位がＶ２（以下、Ｌレベルと
もいう）のデジタル信号である。
ただし、第７の配線１３１７には第３のクロック信号が入力されているとは限定されず、
他の信号が入力されてもよいし、一定の電位又は電流が入力されていてもよい。
図１４において、信号１４１７は第７の配線１３１７に入力される信号である。
図１３のフリップフロップでは、セット期間及び第２の非選択期間において、第５のトラ
ンジスタ１３０５がオンとなる。そして、第６の配線１１６は、第５のトランジスタ１３
０５を介して第２の配線１１２の電位が供給されるためＬレベルを維持する。
以上のことから、図１３のフリップフロップは、第１の非選択期間、第２の非選択期間、
第３の非選択期間のうち、第１の非選択期間及び第２の非選択期間において、第６の配線
１１６にＶ２が供給されるためフリップフロップの誤動作をさらに抑制することができる
。なぜなら、非選択期間において、一定期間毎（第１の非選択期間及び第２の非選択期間
）に第６の配線１１６にＶ２が供給されており、第６の配線１１６の電位を安定してＶ２
に維持することができるからである。
さらに、図１３のフリップフロップの第５のトランジスタ１３０５は、セット期間及び第
２の非選択期間のみでオンとなるため、第５のトランジスタ１３０５の特性劣化を抑制す
ることができる。
なお、図１３のフリップフロップは、第１のトランジスタ１０１、第２のトランジスタ１
０２、第３のトランジスタ１０３、第４のトランジスタ１０４及び第５のトランジスタ１
３０５が全てＮチャネル型トランジスタで構成されていることを特徴とする。したがって
、図１３のフリップフロップは、トランジスタの半導体層として、アモルファスシリコン
を用いることができるため、製造工程の簡略化を図ることができ、製造コストの削減や歩
留まりの向上を図ることができる。さらに、大型の表示パネルなどの半導体装置を作製す
ることも可能となる。また、トランジスタの半導体層として、ポリシリコンや単結晶シリ
コンを用いても製造工程の簡略化を図ることができる。
また、図１３のフリップフロップは、トランジスタの半導体層として特性劣化（しきい値
電圧のシフト）が顕著に表れるアモフファスシリコンを用いても、トランジスタの特性劣
化を抑制することができるため、長寿命な表示パネルなどの半導体装置を作製することが
できる。
ここで、第５のトランジスタ１３０５が有する機能を説明する。第５のトランジスタ１３
０５は、第２の配線１１２の電位を第６の配線１１６に供給するタイミングを選択する機
能を有し、スイッチングトランジスタとして機能する。
なお、図１３と同様の動作を行うものであれば、トランジスタの配置及び数などは図１３
に限定されない。よって、トランジスタ、その他の素子（抵抗素子、容量素子など）、ダ
イオード、スイッチ、様々な論理回路などを新たに配置してもよい。
例えば、図１５に示すように、図１３に示した第２のトランジスタ１０２のゲート端子と
第２端子との間に容量素子１５０１を配置してもよい。容量素子１５０１を配置すること
によって、選択期間でのブートストラップ動作をより安定して行うことができる。また、
第２のトランジスタ１０２のゲート端子と第２端子との間の寄生容量を小さくできるため
、各トランジスタを高速にスイッチングさせることができる。なお、容量素子１５０１は
、絶縁層としてゲート絶縁膜を用いて導電層としてゲート電極層及び配線層を用いてもよ
いし、絶縁層としてゲート絶縁膜を用いて導電層としてゲート電極層及び不純物が添加さ
れた半導体層を用いてもよいし、絶縁層として層間膜（絶縁膜）を用いて導電層として配
線層及び透明電極層を用いてもよい。なお、図１３の構成と共通するところは共通の符号
を用いてその説明を省略する。
図１６のフリップフロップにおいても、図１３と同様の動作を行うことができる。図１６
に示すように、図１３に示した第１のトランジスタ１０１がダイオード接続してもよい。
第１のトランジスタ１０１がダイオード接続されることによって、第１の配線１１１が不
必要になり、配線及び電源（Ｖ１）を１つずつ減らすことができる。なお、図１３の構成
と共通するところは共通の符号を用いてその説明を省略する。
続いて、上述した本実施の形態のフリップフロップを有するシフトレジスタについて図１
７を参照して説明する。なお、図１に示したフリップフロップを有するシフトレジスタを
説明した図６と共通するところは共通の符号を用いて説明を省略する。
シフトレジスタは、第１の配線６１１、第２の配線６１２、第３の配線６１３、第４の配
線６１４、第５の配線６１５、第６の配線６１６、配線６２２＿１〜６２２＿ｎ及びｎ個
（ｎ段）のフリップフロップ１７０１＿１〜１７０１＿ｎを有する。そして、ｎ個（ｎ段
）のフリップフロップ１７０１＿１〜１７０１＿ｎそれぞれは、第１の配線６１１、第２
の配線６１２、第３の配線６１３、第４の配線６１４、第５の配線６１５に接続されてい
る。また、例えばｉ段目のフリップフロップ１７０１＿ｉ（フリップフロップ１７０１＿
１〜１７０１＿ｎのうちいずれか一）のうち、フリップフリップ１７０１＿２〜フリップ
フロップ＿ｎ−１は、ｉ−１段目のフリップフロップ１７０１＿ｉ−１及びｉ＋１段目の
フリップフロップ１７０１＿ｉ＋１に接続され、ｉ段目のフリップフロップ１７０１＿ｉ
とｉ＋１段目のフリップフロップ１７０１＿ｉ＋１との接続箇所は配線６２２＿ｉ（配線
６２２＿１〜６２２＿ｎのうちいずれか一）に接続されている。なお、１段目のフリップ
フロップ１７０１＿１は第６の配線６１６と２段目のフリップフロップ１７０１＿２に接
続され、１段目のフリップフロップ１７０１＿１と２段目のフリップフロップ１７０１＿
２との接続箇所は配線６２２＿１に接続されている。なお、ｎ段目のフリップフロップ１
７０１＿ｎはｎ−１段目のフリップフロップ１７０１＿ｎ−１と配線６２２＿ｎに接続さ
れている。
なお、１＋３Ｎ段目のフリップフロップ１７０１では、第１の配線６１１、第２の配線６
１２、第３の配線６１３、第４の配線６１４、第５の配線６１５は、それぞれ図１３の第
１の配線１１１、第２の配線１１２、第３の配線１１３、第４の配線１１４、第７の配線
１３１７に接続されている。２＋３Ｎ段目のフリップフロップ１７０１では、第１の配線
６１１、第２の配線６１２、第４の配線６１４、第５の配線６１５、第３の配線６１３は
、それぞれ図１３の第１の配線１１１、第２の配線１１２、第３の配線１１３、第４の配
線１１４、第７の配線１３１７に接続されている。３＋３Ｎ段目のフリップフロップ６０
１では、第１の配線６１１、第２の配線６１２、第５の配線６１５、第３の配線６１３、
第４の配線６１４は、それぞれ図１３の第１の配線１１１、第２の配線１１２、第３の配
線１１３、第４の配線６１４、第７の配線１３１７に接続されている。また、例えばｉ段
目のフリップフロップ１７０１＿ｉのうち、フリップフロップ１７０１＿２〜フリップフ
ロップ１７０１＿ｎ−１の図１３に示す第５の配線１１５及び第６の配線１１６は、それ
ぞれｉ−１段目のフリップフロップ１７０１＿ｉ−１の図１３に示す第６の配線１１６、
ｉ＋１段目のフリップフロップ１７０１＿ｉ＋１の図１３に示す第５の配線１１５に接続
されている。なお、１段目のフリップフロップ１７０１＿１の図１３に示す第５の配線１
１５及び第６の配線１１６は、それぞれ図１７の第６の配線６１６、２段目のフリップフ
ロップ１７０１＿２の図１３に示す第５の配線１１５に接続されている。なお、ｎ段目の
フリップフロップ１７０１＿ｎの図１３に示す第５の配線１１５及び第６の配線１１６は
、それぞれｎ−１段目のフリップフロップ１７０１＿ｎ−１の図１３に示す第６の配線１
１６、図１７の配線６２２＿ｎに接続されている。
なお、図１７に示したシフトレジスタは、図６に示したシフトレジスタと同様の動作を行
うことができる。したがって、図１７に示したシフトレジスタには、図７のタイミングチ
ャートを用いることができる。
よって、図１７のシフトレジスタは、実施の形態１と同様、３相のクロック信号を用いる
ことができるため省電力化を実現できる。また、本実施の形態のシフトレジスタは、各ク
ロック信号線（第３の配線６１３、第４の配線６１４、第５の配線６１５）に接続されて
いるフリップフロップ１７０１の段数が単相のクロック信号を用いた場合の２／３になる
ため、各クロック信号線の負荷を小さくすることができる。
なお、図１７のシフトレジスタは、各段のフリップフロップ１７０１の出力信号をバッフ
ァを介して、それぞれ各段の配線６２２に出力してもよく、このような構成を図１８に示
す。図１８のシフトレジスタは、各段のフリップフロップ１７０１がバッファ１８０１を
介してそれぞれ各段の配線６２２に接続されているため、動作における広いマージンを得
ることができる。なぜなら、配線６２２に大きな負荷が接続され、配線６２２の信号に遅
延や波形のなまりが生じても、シフトレジスタの動作に影響しないからである。なお、バ
ッファ１８０１はインバータや、ＮＡＮＤ、ＮＯＲなどの論理回路や、オペアンプなどや
、これらを組み合わせた回路を用いることができる。
また、本実施の形態に示したシフトレジスタを図９、図１１、図１２及び図４４の表示装
置に適用することができる。実施の形態１と同様、画素部と一体形成した走査線駆動回路
に本実施の形態を適用することによって、表示装置の寿命を長くすることができる。
なお、本実施の形態で示したシフトレジスタやフリップフロップは、本明細書中の他の実
施の形態に示した表示装置の構成と自由に組み合わせて実施することができる。また、本
実施の形態で示したシフトレジスタやフリップフロップの構成も自由に組み合わせて実施
することができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１及び実施の形態２とは異なる構成のフリップフロップを
図１９に示す。なお、実施の形態１及び実施の形態２と同様なものに関しては共通の符号
を用いて示し、同一部分又は同様な機能を有する部分の詳細な説明は省略する。
図１９に示すフリップフロップは、第１のトランジスタ１０１、第２のトランジスタ１０
２、第３のトランジスタ１０３、第４のトランジスタ１０４、第５のトランジスタ１３０
５、第６のトランジスタ１９０６、第７のトランジスタ１９０７、第８のトランジスタ１
９０８及び第９のトランジスタ１９０９を有している。なお、フリップフロップは、第１
の配線１１１、第２の配線１１２、第３の配線１１３、第４の配線１１４、第５の配線１
１５、第６の配線１１６及び第７の配線１３１７に接続されている。本実施の形態におい
て、第６のトランジスタ１９０６、第７のトランジスタ１９０７、第８のトランジスタ１
９０８及び第９のトランジスタ１９０９はＮチャネル型トランジスタとし、そのゲートと
ソース間の電圧（Ｖｇｓ）がしきい値電圧（Ｖｔｈ）を上回ったとき、導通状態になるも
のとする。
第１のトランジスタ１０１の第１端子（ソース端子及びドレイン端子の一方）は第１の配
線１１１に接続され、第２端子（ソース端子及びドレイン端子の他方）は第２のトランジ
スタ１０２のゲート端子に接続され、ゲート端子は第５の配線１１５に接続されている。
第３のトランジスタ１０３の第１端子は第２のトランジスタ１０２のゲート端子に接続さ
れ、第２端子は第２の配線１１２に接続され、ゲート端子は第４の配線１１４に接続され
ている。第２のトランジスタ１０２の第１端子は第３の配線１１３に接続され、第２端子
は第６の配線１１６に接続されている。第４のトランジスタ１０４の第１端子は第６の配
線１１６に接続され、第２端子は第２の配線１１２に接続され、ゲート端子は配線１１４
に接続されている。第５のトランジスタ１３０５の第１端子は第６の配線１１６に接続さ
れ、第２端子は第２の配線１１２に接続され、ゲート端子は第７の配線１３１７に接続さ
れている。第６のトランジスタ１９０６の第１端子は第８のトランジスタ１９０８のゲー
ト端子に接続され、第２端子は第２の配線１１２に接続され、ゲート端子は第２のトラン
ジスタ１０２のゲート端子に接続されている。第７のトランジスタ１９０７の第１端子は
第１の配線１１１に接続され、第２端子は第８のトランジスタ１９０８のゲート端子に接
続され、ゲート端子は第１の配線１１１に接続されている。第８のトランジスタ１９０８
の第１端子は第３の配線１１３に接続され、第２端子は第９のトランジスタ１９０９のゲ
ート端子に接続されている。第９のトランジスタ１９０９の第１端子は第６の配線１１６
に接続され、第２端子は第２の配線１１２に接続されている。なお、第６のトランジスタ
１９０６の第１端子、第７のトランジスタ１９０７の第２端子及び第８のトランジスタ１
９０８のゲート端子の接続箇所をノード１９２２とする。また、第８のトランジスタ１９
０８の第２端子及び第９のトランジスタ１９０９のゲート端子の接続箇所をノード１９２
３とする。
なお、第３のトランジスタ１０３の第２端子、第４のトランジスタ１０４の第２端子、第
５のトランジスタ１３０５の第２端子、第６のトランジスタ１９０６の第２端子及び第９
のトランジスタ１９０９の第２端子は第２の配線１１２に接続されているとは限定されず
、別々の配線に接続されていてもよい。また、第３のトランジスタ１０３のゲート端子及
び第４のトランジスタ１０４のゲート端子は第４の配線に接続されているとは限定されず
、別々の配線に接続されていてもよい。また、第１のトランジスタ１０１の第１端子、第
７のトランジスタ１９０７の第１端子及び第７のトランジスタ１９０７のゲート端子は第
１の配線１１１に接続されているとは限定されず、別々の配線に接続されていてもよい。
また、第２のトランジスタ１０２の第１端子及び第８のトランジスタ１９０８の第１端子
は第３の配線１１３に接続されているとは限定されず、別々の配線に接続されていてもよ
い。
次に、図１９で示したフリップフロップの動作について、図２０のタイミングチャートを
参照して説明する。なお、図２０は、図１９のフリップフロップを図１及び図１３に示し
たフリップフロップと同様に動作させる場合のタイミングチャートである。なお、図２及
び図１４のタイミングチャートと共通するところは共通の符号を用いて説明を省略する。
図２０において、電位２０２２は図１９のノード１９２２の電位であり、電位２０２３は
図１９のノード１９２３の電位である。
図１９のフリップフロップでは、第３の非選択期間において、第９のトランジスタ１９０
９がオンとなる。そして、第６の配線１１６は、第９のトランジスタ１９０９を介して第
２の配線１１２の電位が供給されるためＬレベルを維持する。
具体的に第９のトランジスタ１９０９のオン及びオフの制御を説明する。まず、第６のト
ランジスタ１９０６及び第７のトランジスタ１９０７はインバータを構成しており、第６
のトランジスタ１９０６のゲート端子にＨレベルが入力されると、ノード１９２２の電位
（電位２０２２）がおおむねＶ２となる。ただし、このときの電位２０２２は、このとき
の第６のトランジスタ１９０６と第７のトランジスタ１９０７との抵抗比によって決定す
るため、Ｖ２よりも少し高い値となる。また、第６のトランジスタ１９０６のゲート端子
にＬレベルが入力されると、ノード１９２２の電位が第１の配線１１１の電位から第７の
トランジスタ１９０７のしきい値電圧（Ｖｔｈ１９０７）を引いた値となるためＶ１−Ｖ
ｔｈ１９０７となる。したがって、第１の非選択期間、第２の非選択期間及び第３の非選
択期間では、ノード１２１がＬレベルであり、ノード１９２２がＨレベルになるため第８
のトランジスタ１９０８はオンとなる。よって、第９のトランジスタ１９０９は、第３の
配線１１３に入力される信号によって制御されるため、第３の非選択期間においてオンと
なり、第１の非選択期間及び第２の非選択期間においてはオフとなる。一方で、セット期
間及び選択期間では、ノード１２１がＨレベルであり、ノード１９２２がＬレベルになる
ため第８のトランジスタ１９０８はオフとなる。よって、第９のトランジスタ１９０９の
ゲート端子の電位がセット期間の前の期間である第１の非選択期間の電位、つまりＬレベ
ルを維持するため、第９のトランジスタ１９０９はオフとなる。
以上のことから、図１９のフリップフロップは、第１の非選択期間、第２の非選択期間及
び第３の非選択期間において、配線１１６にＶ２が供給されるため、フリップフロップの
誤動作をさらに抑制することができる。なぜなら、非選択期間において、第６の配線１１
６にＶ２を供給することができるからである。また、図１９のフリップフロップは、非選
択期間において第６の配線１１６にＶ２が供給されるため、第６の配線１１６のノイズを
少なくすることができる。
さらに、図１９のフリップフロップは、第６のトランジスタ１９０６、第７のトランジス
タ１９０７、第８のトランジスタ１９０８及び第９のトランジスタ１９０９の特性劣化を
抑制することができる。なぜなら、第６のトランジスタ１９０６はセット期間及び選択期
間のみでオンとなるからである。また、第７のトランジスタ１９０７は選択期間の後の第
１の非選択期間のうちノード１９２２の電位がＶ１−Ｖｔｈ１９０７まで上昇する期間の
みでオンとなるからである。また、第８のトランジスタ１９０８は第１の非選択期間、第
２の非選択期間及び第３の非選択期間のうちノード１９２３の電位がＶ１−β（β：Ｖｔ
ｈ１９０７＋Ｖｔｈ１９０８）まで上昇する期間のみでオンとなるからである。また、第
９のトランジスタ１９０９は第３の非選択期間のみでオンとなるからである。
なお、図１９のフリップフロップは、第１のトランジスタ１０１、第２のトランジスタ１
０２、第３のトランジスタ１０３、第４のトランジスタ１０４、第５のトランジスタ１３
０５、第６のトランジスタ１９０６、第７のトランジスタ１９０７、第８のトランジスタ
１９０８及び第９のトランジスタ１９０９が全てＮチャネル型トランジスタで構成されて
いることを特徴とする。したがって、図１９のフリップフロップは、トランジスタの半導
体層として、アモルファスシリコンを用いることができるため、製造工程の簡略化を図る
ことができ、製造コストの削減や歩留まりの向上を図ることができる。さらに、大型の表
示パネルなどの半導体装置を作製することも可能となる。また、トランジスタの半導体層
として、ポリシリコンや単結晶シリコンを用いても製造工程の簡略化を図ることができる
。
また、図１９のフリップフロップは、トランジスタの半導体層として特性劣化（しきい値
電圧のシフト）が顕著に表れるアモフファスシリコンを用いても、トランジスタの特性劣
化を抑制することができるため、長寿命な表示パネルなどの半導体装置を作製することが
できる。
ここで、第６のトランジスタ１９０６、第７のトランジスタ１９０７、第８のトランジス
タ１９０８及び第９のトランジスタ１９０９が有する機能を説明する。第６のトランジス
タ１９０６は、第２の配線１１２の電位をノード１９２２に供給するタイミングを選択す
る機能を有し、スイッチングトランジスタとして機能する。第７のトランジスタ１９０７
は、第１の配線１１１の電位をノード１９２２に供給するタイミングを選択する機能を有
し、ダイオードとして機能する。第８のトランジスタ１９０８は、第３の配線１１３の電
位をノード１９２３に供給するタイミングを選択する機能を有し、スイッチングトランジ
スタとして機能する。第９のトランジスタ１９０９は、第２の配線１１２の電位を第６の
配線１１６に供給するタイミングを選択する機能を有し、スイッチングトランジスタとし
て機能する。
なお、図１９と同様の動作を行うものであれば、トランジスタの配置及び数などは図１９
に限定されない。よって、トランジスタ、その他の素子（抵抗素子、容量素子など）、ダ
イオード、スイッチ、様々な論理回路などを新たに配置してもよい。
例えば、図２１に示すように、図１９に示した第２のトランジスタ１０２のゲート端子と
第２端子との間に容量素子２１０１を配置してもよい。容量素子２１０１を配置すること
によって、選択期間でのブートストラップ動作をより安定して行うことができる。また、
第２のトランジスタ１０２のゲート端子と第２端子との間の寄生容量を小さくできるため
、各トランジスタを高速にスイッチングさせることができる。なお、容量素子２１０１は
、絶縁層としてゲート絶縁膜を用いて導電層としてゲート電極層及び配線層を用いてもよ
いし、絶縁層としてゲート絶縁膜を用いて導電層としてゲート電極層及び不純物が添加さ
れた半導体層を用いてもよいし、絶縁層として層間膜（絶縁膜）を用いて導電層として配
線層及び透明電極層を用いてもよい。なお、図１９の構成と共通するところは共通の符号
を用いてその説明を省略する。
図２２のフリップフロップにおいても、図１９と同様の動作を行うことができる。図２２
に示すように、図１９に示した第１のトランジスタ１０１がダイオード接続してもよい。
第１のトランジスタ１０１がダイオード接続されることによって、第１の配線１１１に流
れる電流が小さくなるため、第１の配線１１１の配線幅を小さくすることができる。なお
、図１９の構成と共通するところは共通の符号を用いてその説明を省略する。
また、本実施の形態に示したフリップフロップを図１７及び図１８のシフトレジスタに適
用することができる。実施の形態１及び実施の形態２と同様、３相のクロック信号を用い
ることができるため省電力化を実現できる。また、本実施の形態のシフトレジスタは、各
クロック信号線（第３の配線６１３、第４の配線６１４、第５の配線６１５）に接続され
ているフリップフロップ１７０１の段数が単相のクロック信号を用いた場合の２／３とな
るため、各クロック信号線の負荷を小さくすることができる。
また、本実施の形態に示したシフトレジスタを図９、図１１、図１２及び図４４の表示装
置に適用することができる。実施の形態１及び実施の形態２と同様、画素部と一体形成し
た走査線駆動回路に本実施の形態を適用することによって、表示装置の寿命を長くするこ
とができる。
なお、本実施の形態で示したシフトレジスタやフリップフロップは、本明細書中の他の実
施の形態に示した表示装置の構成と自由に組み合わせて実施することができる。また、本
実施の形態で示したシフトレジスタやフリップフロップの構成も自由に組み合わせて実施
することができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態１、実施の形態２及び実施の形態３とは異なる構成のフリ
ップフロップを図２３に示す。なお、実施の形態１、実施の形態２及び実施の形態３と同
様なものに関しては共通の符号を用いて示し、同一部分又は同様な機能を有する部分の詳
細な説明は省略する。
図２３に示すフリップフロップは、第１のトランジスタ１０１、第２のトランジスタ１０
２、第３のトランジスタ１０３、第４のトランジスタ１０４、第５のトランジスタ１３０
５、第６のトランジスタ１９０６、第７のトランジスタ１９０７、第８のトランジスタ１
９０８、第９のトランジスタ１９０９、第１０のトランジスタ２３１０、第１１のトラン
ジスタ２３１１及び第１２のトランジスタ２３１２を有している。なお、フリップフロッ
プは、第１の配線１１１、第２の配線１１２、第３の配線１１３、第４の配線１１４、第
５の配線１１５、第６の配線１１６及び第７の配線１３１７に接続されている。本実施の
形態において、第１０のトランジスタ２３１０、第１１のトランジスタ２３１１及び第１
２のトランジスタ２３１２は、Ｎチャネル型トランジスタとし、そのゲートとソース間の
電圧（Ｖｇｓ）がしきい値電圧（Ｖｔｈ）を上回ったとき、導通状態になるものとする。
第１のトランジスタ１０１の第１端子（ソース端子及びドレイン端子の一方）は第１の配
線１１１に接続され、第２端子（ソース端子及びドレイン端子の他方）は第２のトランジ
スタ１０２のゲート端子に接続され、ゲート端子は第５の配線１１５に接続されている。
第３のトランジスタ１０３の第１端子は第２の配線１１２に接続され、第２端子は第２の
トランジスタ１０２のゲート端子に接続され、ゲート端子は第４の配線１１４に接続され
ている。第２のトランジスタ１０２の第１端子は第３の配線１１３に接続され、第２端子
は第６の配線１１６に接続されている。第４のトランジスタ１０４の第１端子は第２の配
線１１２に接続され、第２端子は第６の配線１１６に接続され、ゲート端子は第４の配線
１１４に接続されている。第５のトランジスタ１３０５の第１端子は第２の配線１１２に
接続され、第２端子は第６の配線１１６に接続され、ゲート端子は第７の配線１３１７に
接続されている。第６のトランジスタ１９０６の第１端子は第２の配線１１２に接続され
、第２端子は第８のトランジスタ１９０８のゲート端子及び第１１のトランジスタ２３１
１のゲート端子に接続され、ゲート端子は第２のトランジスタ１０２のゲート端子に接続
されている。第７のトランジスタ１９０７の第１端子は第１の配線１１１に接続され、第
２端子は第８のトランジスタ１９０８のゲート端子及び第１１のトランジスタ２３１１の
ゲート端子に接続され、ゲート端子は第１の配線１１１に接続されている。第８のトラン
ジスタ１９０８の第１端子は第３の配線１１３に接続され、第２端子は第９のトランジス
タ１９０９のゲート端子及び第１０のトランジスタ２３１０のゲート端子に接続されてい
る。第９のトランジスタ１９０９の第１端子は第２の配線１１２に接続され、第２端子は
第６の配線１１６に接続されている。第１０のトランジスタ２３１０の第１端子は第２の
配線１１２に接続され、第２端子は第２のトランジスタ１０２のゲート端子に接続されて
いる。第１１のトランジスタ２３１１の第１端子は第７の配線１３１７に接続され、第２
端子は第１２のトランジスタ２３１２のゲート端子に接続されている。第１２のトランジ
スタ２３１２の第１端子は第２の配線１１２に接続され、第２端子は第２のトランジスタ
１０２のゲート端子に接続されている。なお、第１１のトランジスタ２３１１の第２端子
及び第１２のトランジスタ２３１２のゲート端子の接続箇所をノード２３２４とする。
なお、第３のトランジスタ１０３の第１端子、第４のトランジスタ１０４の第１端子、第
５のトランジスタ１３０５の第１端子、第６のトランジスタ１９０６の第１端子、第９の
トランジスタ１９０９の第１端子、第１０のトランジスタ２３１０の第１端子及び第１２
のトランジスタ２３１２の第１端子は第２の配線１１２に接続されているとは限定されず
、別々の配線に接続されていてもよい。また、第３のトランジスタ１０３のゲート端子及
び第４のトランジスタ１０４のゲート端子は第４の配線１１４に接続されているとは限定
されず、別々の配線に接続されていてもよい。また、第１のトランジスタ１０１の第１端
子、第７のトランジスタ１９０７の第１端子及び第７のトランジスタ１９０７のゲート端
子は第１の配線１１１に接続されているとは限定されず、別々の配線に接続されていても
よい。また、第２のトランジスタ１０２の第１端子及び第８のトランジスタ１９０８の第
１端子は第３の配線１１３に接続されているとは限定されず、別々の配線に接続されてい
てもよい。また、第５のトランジスタ１３０５のゲート端子及び第１１のトランジスタ２
３１１の第１端子は第７の配線１３１７に接続されているとは限定されず、別々の配線に
接続されていてもよい。
次に、図２３で示したフリップフロップの動作について、図２４のタイミングチャートを
参照して説明する。図２４は、図２３のフリップフロップを図１、図１３及び図１９に示
したフリップフロップと同様に動作させる場合のタイミングチャートである。なお、図２
、図１４及び図２０のタイミングチャートと共通するところは共通の符号を用いて説明を
省略する。
図２４において、電位２４２４は図２３のノード２３２４の電位である。
図２３のフリップフロップでは、第３の非選択期間において第１０のトランジスタ２３１
０がオンとなる。そして、ノード１２１は、第１０のトランジスタ２３１０を介して第２
の配線１１２の電位が供給されるためＬレベルをより安定して維持できる。さらに、図２
３のフリップフロップでは、第１の非選択期間において第１２のトランジスタ２３１２が
オンとなる。そして、ノード１２１は、第１２のトランジスタ２３１２を介して第２の配
線１１２の電位が供給されるためＬレベルをより安定して維持できる。
具体的に第１２のトランジスタ２３１２のオン及びオフの制御を説明する。なお、第１０
のトランジスタ２３１０のオン及びオフの制御は、実施の形態３に示した第９のトランジ
スタ１９０９のオン及びオフの制御と同様である。まず、図１９のフリップフロップと同
様に第６のトランジスタ１９０６及び第７のトランジスタ１９０７はインバータを構成し
ている。したがって、第１の非選択期間、第２の非選択期間及び第３の非選択期間では、
ノード１２１がＬレベルでありノード１９２２がＨレベルになるため第１１のトランジス
タ２３１１はオンとなる。よって、第１２のトランジスタ２３１２は、第７の配線１３１
７に入力される信号によって制御されるため、第２の非選択期間においてオンとなり、第
１の非選択期間及び第３の非選択期間においてオフとなる。一方で、セット期間及び選択
期間ではノード１２１がＨレベルであり、ノード１９２２がＬレベルになるため第１１の
トランジスタ２３１１はオフとなる。よって、第１２のトランジスタ２３１２のゲート端
子の電位がセット期間の前の期間である第１の非選択期間の電位、つまりＬレベルを維持
するため、第１２のトランジスタ２３１２はオフとなる。
以上のことから、図２３のフリップフロップは、第１の非選択期間、第２の非選択期間及
び第３の非選択期間において、第６の配線１１６及びノード１２１にＶ２が供給されるた
め、フリップフロップの誤動作をさらに抑制することができる。なぜなら、非選択期間に
おいて、第６の配線１１６及びノード１２１にＶ２を供給することができるからである。
また、図２３のフリップフロップは、非選択期間において第６の配線１１６及びノード１
２１にＶ２が供給されるため、第６の配線１１６及びノード１２１のノイズを少なくする
ことができる。
さらに、図２３のフリップフロップは、第１０のトランジスタ２３１０、第１１のトラン
ジスタ２３１１及び第１２のトランジスタ２３１２の特性劣化を抑制することができる。
なぜなら、第１０のトランジスタ２３１０は第３の非選択期間のみでオンとなるからであ
る。また、第１１のトランジスタ２３１１は第１の非選択期間、第２の非選択期間及び第
３の非選択期間のうちノード２３２４の電位がＶ１−γ（γ：Ｖｔｈ１９０７＋Ｖｔｈ２
３１１）まで上昇する期間のみでオンとなるからである。また、第１２のトランジスタ２
３１２は、第２の非選択期間のみでオンとなるからである。
なお、図２３のフリップフロップは、第１のトランジスタ１０１、第２のトランジスタ１
０２、第３のトランジスタ１０３、第４のトランジスタ１０４、第５のトランジスタ１３
０５、第６のトランジスタ１９０６、第７のトランジスタ１９０７、第８のトランジスタ
１９０８、第９のトランジスタ１９０９、第１０のトランジスタ２３１０、第１１のトラ
ンジスタ２３１１及び第１２のトランジスタ２３１２が全てＮチャネル型トランジスタで
構成されていることを特徴とする。したがって、図２３のフリップフロップは、トランジ
スタの半導体層として、アモルファスシリコンを用いることができるため、製造工程の簡
略化を図ることができ、製造コストの削減や歩留まりの向上を図ることができる。さらに
、大型の表示パネルなどの半導体装置を作製することも可能となる。また、トランジスタ
の半導体層として、ポリシリコンや単結晶シリコンを用いても製造工程の簡略化を図るこ
とができる。
また、図２３のフリップフロップは、トランジスタの半導体層として特性劣化（しきい値
電圧のシフト）が顕著に表れるアモフファスシリコンを用いても、トランジスタの特性劣
化を抑制することができるため、長寿命な表示パネルなどの半導体装置を作製することが
できる。
ここで、第１０のトランジスタ２３１０、第１１のトランジスタ２３１１及び第１２のト
ランジスタ２３１２が有する機能を説明する。第１０のトランジスタ２３１０は、第２の
配線１１２の電位をノード１２１に供給するタイミングを選択する機能を有し、スイッチ
ングトランジスタとして機能する。第１１のトランジスタ２３１１は、第７の配線１３１
７の電位をノード２３２４に供給するタイミングを選択する機能を有し、スイッチングト
ランジスタとして機能する。第１２のトランジスタ２３１２は第２の配線１１２の電位を
ノード１２１に供給するタイミングを選択する機能を有し、スイッチングトランジスタと
して機能する。
なお、図２３と同様の動作を行うものであれば、トランジスタの配置及び数などは図２３
に限定されない。よって、トランジスタ、その他の素子（抵抗素子、容量素子など）、ダ
イオード、スイッチ、様々な論理回路などを新たに配置してもよい。
例えば、図２５に示すように、図２３に示した第２のトランジスタ１０２のゲート端子と
第２端子との間に容量素子２５０１を配置してもよい。容量素子２５０１を配置すること
によって、選択期間でのブートストラップ動作をより安定して行うことができる。また、
第２のトランジスタ１０２のゲート端子と第２端子との間の寄生容量を小さくできるため
、各トランジスタを高速にスイッチングさせることができる。なお、容量素子２５０１は
、絶縁層としてゲート絶縁膜を用いて導電層としてゲート電極層及び配線層を用いてもよ
いし、絶縁層としてゲート絶縁膜を用いて導電層としてゲート電極層及び不純物が添加さ
れた半導体層を用いてもよいし、絶縁層として層間膜（絶縁膜）を用いて導電層として配
線層及び透明電極層を用いてもよい。なお、図２３の構成と共通するところは共通の符号
を用いてその説明を省略する。
図２６のフリップフロップにおいても、図２３と同様の動作を行うことができる。図２６
に示すように、図２３に示した第１のトランジスタ１０１がダイオード接続してもよい。
第１のトランジスタ１０１がダイオード接続されることによって、第１の配線１１１に流
れる電流が小さくなるため、第１の配線１１１の配線幅を小さくすることができる。
また、本実施の形態に示したフリップフロップを図１７及び図１８のシフトレジスタに適
用することができる。実施の形態１、実施の形態２及び実施の形態３と同様、３相のクロ
ック信号を用いることができるため省電力化を実現できる。また、本実施の形態のシフト
レジスタは、各クロック信号線（第３の配線６１３、第４の配線６１４、第５の配線６１
５）に接続されているフリップフロップ１７０１の段数が単相のクロック信号を用いた場
合に比べて２／３になるため、各クロック信号線の負荷を小さくすることができる。
また、本実施の形態に示したシフトレジスタを図９、図１１、図１２及び図４４の表示装
置に適用することができる。実施の形態１、実施の形態２及び実施の形態３と同様、画素
部と一体形成した走査線駆動回路に本実施の形態を適用することによって、表示装置の寿
命を長くすることができる。
なお、本実施の形態で示したシフトレジスタやフリップフロップは、本明細書中の他の実
施の形態に示した表示装置の構成と自由に組み合わせて実施することができる。また、本
実施の形態で示したシフトレジスタやフリップフロップの構成も自由に組み合わせて実施
することができる。
（実施の形態５）
本実施形態では、フリップフロップが有するトランジスタにＰチャネル型トランジスタを
適用した場合について図２７を参照して説明する。なお、Ｐチャネル型トランジスタで構
成されるフリップフロップは、Ｎチャネル型トランジスタで構成されるフリップフロップ
と基本的な構成は同様である。だたし、電源電位及び信号のＨレベル、Ｌレベルが反転し
ている。
図２７は、シフトレジスタが有する複数のフリップフロップのうち、ある１段（例えば１
段目）のフリップフロップを示している。図２７に示すフリップフロップは、第１のトラ
ンジスタ２７０１、第２のトランジスタ２７０２、第３のトランジスタ２７０３及び第４
のトランジスタ２７０４を有する。なお、フリップフロップは、第１の配線２７１１、第
２の配線２７１２、第３の配線２７１３、第４の配線２７１４、第５の配線２７１５及び
第６の配線２７１６に接続されている。本実施の形態において、第１のトランジスタ２７
０１、第２のトランジスタ２７０２、第３のトランジスタ２７０３及び第４のトランジス
タ２７０４はＰチャネル型トランジスタとし、そのゲートとソース間の電圧の絶対値（｜
Ｖｇｓ｜）がしきい値電圧（｜Ｖｔｈ｜）を上回ったとき（ＶｇｓがＶｔｈを下回ったと
き）、導通状態になるものとする。なお、第１の配線２７１１及び第２の配線２７１２を
、それぞれ第１の電源線、第２の電源線と呼んでもよい。また、第３の配線２７１３及び
第４の配線２７１４を、それぞれ第１の信号線、第２の信号線と呼んでもよい。
なお、第１のトランジスタ２７０１、第２のトランジスタ２７０２、第３のトランジスタ
２７０３及び第４のトランジスタ２７０４は、それぞれ図１の第１のトランジスタ１０１
、第２のトランジスタ１０２、第３のトランジスタ１０３及び第４のトランジスタ１０４
に相当する。また、第１の配線２７１１、第２の配線２７１２、第３の配線２７１３、第
４の配線２７１４、第５の配線２７１５及び第６の配線２７１６は、それぞれ図１の第１
の配線１１１、第２の配線１１２、第３の配線１１３、第４の配線１１４、第５の配線１
１５、第６の配線１１６に相当する。
第１のトランジスタ２７０１の第１端子（ソース端子及びドレイン端子の一方）は第１の
配線２７１１に接続され、第２端子（ソース端子及びドレイン端子の他方）は第２のトラ
ンジスタ２７０２のゲート端子に接続され、ゲート端子は第５の配線２７１５に接続され
ている。第３のトランジスタ２７０３の第１端子は第２の配線２７１２に接続され、第２
端子は第２のトランジスタ２７０２のゲート端子に接続され、ゲート端子は第４の配線２
７１４に接続されている。第２のトランジスタ２７０２の第１端子は第３の配線２７１３
に接続され、第２端子は第６の配線２７１６に接続されている。第４のトランジスタ２７
０４の第１端子は第２の配線２７１２に接続され、第２端子は第６の配線２７１６に接続
され、ゲート端子は第４の配線２７１４に接続されている。なお、第１のトランジスタ２
７０１の第２端子と、第２のトランジスタ２７０２のゲート端子と、第３のトランジスタ
２７０３の第２端子との接続箇所をノード２７２１とする。
なお、第３のトランジスタ２７０３の第２端子及び第４のトランジスタ２７０４の第２端
子は、第２の配線２７１２に接続されているとは限定されず、別々の配線に接続されてい
てもよい。また、第３のトランジスタ２７０３のゲート端子及び第４のトランジスタ２７
０４のゲート端子は第４の配線２７１４に接続されているとは限定されず、別々の配線に
接続されていてもよい。
次に、図２７で示したフリップフロップの動作について、図２８のタイミングチャート及
び図２９を参照して説明する。なお、図２８において、セット期間、選択期間、非選択期
間について説明する。なお、非選択期間は、第１の非選択期間、第２の非選択期間及び第
３の非選択期間に分割され、第１の非選択期間、第２の非選択期間及び第３の非選択期間
を順に繰り返している。
なお、第１の配線２７１１にはＶ２の電位が、第２の配線２７１２にはＶ１の電位が供給
されている。ただし、Ｖ１＞Ｖ２とする。
ただし、第１の配線２７１１にはＶ２の電位が供給されているとは限定されず、他の電位
が供給されていてもよいし、デジタル信号又はアナログ信号が入力されていてもよい。ま
た、第２の配線２７１２にはＶ１の電位が供給されているとは限定されず、他の電位が供
給されていてもよいし、デジタル信号又はアナログ信号が入力されていてもよい。
なお、第３の配線２７１３、第４の配線２７１４及び第５の配線２７１５には信号が入力
されている。第３の配線２７１３に入力される信号は第１のクロック信号であり、第４の
配線２７１４に入力される信号は第２のクロック信号であり、第５の配線２７１５に入力
される信号はスタート信号である。また、第３の配線２７１３、第４の配線２７１４及び
第５の配線２７１５に入力される信号は、Ｈ信号の電位がＶ１（以下、Ｈレベルともいう
）、Ｌ信号の電位がＶ２（以下、Ｌレベルともいう）のデジタル信号である。
ただし、第３の配線２７１３には第１のクロック信号が入力されているとは限定されず、
他の信号が入力されてもよいし、一定の電位又は電流が入力されていてもよい。また、第
４の配線２７１４には第２のクロック信号が入力されているとは限定されず、他の信号が
入力されてもよいし、一定の電位又は電流が入力されていてもよい。また、第５の配線２
７１５にはスタート信号が入力されているとは限定されず、他の信号が入力されてもよい
し、一定の電位又は電流が入力されていてもよい。
また、第３の配線２７１３、第４の配線２７１４及び第５の配線２７１５に入力される信
号のＨ信号の電位はＶ１、Ｌ信号の電位はＶ２とは限定されず、Ｈ信号の電位がＬ信号の
電位よりも高ければ、その電位は特に限定されない。
なお、第６の配線２７１６からは信号が出力される。第６の配線２７１６から出力される
信号は、フリップフロップの出力信号であり、次の段のフリップフロップのスタート信号
でもある。また、第６の配線２７１６から出力される信号は、次の段のフリップフロップ
の第５の配線２７１５に入力される。また、第６の配線２７１６から出力される信号は、
Ｈ信号の電位がＶ１（以下、Ｈレベルともいう）、Ｌ信号の電位がＶ２（以下、Ｌレベル
ともいう）のデジタル信号である。
図２８において、信号２８１３は第３の配線２７１３に入力される信号であり、信号２８
１４は第４の配線２７１４に入力される信号であり、信号２８１５は第５の配線２７１５
に入力される信号であり、信号２８１６は第６の配線２７１６から出力される信号である
。また、電位２８２１は図２７のノード２７２１の電位である。
まず、図２８の期間Ａ及び図２９（Ａ）に示すセット期間では、信号２８１３及び信号２
８１４がＨレベルであり、信号２８１５がＬレベルとなる。したがって、第３のトランジ
スタ２７０３及び第４のトランジスタ２７０４はオフとなり、第１のトランジスタ２７０
１はオンとなる。このとき、第１のトランジスタ２７０１の第２端子がソース端子となり
、ノード２７２１の電位（電位２８２１）は第５の配線２７１５の電位と第１のトランジ
スタ２７０１のしきい値電圧の絶対値との和になるためＶ２＋｜Ｖｔｈ２７０１｜となる
。よって、第２のトランジスタ２７０２はオンとなり、第６の配線２７１６の電位は第３
の配線２７１３の電位と等しくなるためＶ１となる。このように、セット期間では、フリ
ップフロップは第２のトランジスタ２７０２をオンしたまま、Ｈレベルを第６の配線２７
１６から出力する。
図２８の期間Ｂ及び図２９（Ｂ）に示す選択期間では、信号２８１３がＬレベルとなり、
信号２８１４がＨレベルのままであり、信号２８１５がＨレベルとなる。したがって、第
３のトランジスタ２７０３及び第４のトランジスタ２７０４はオフのままであり、第１の
トランジスタ２７０１はオフとなる。このとき、第２のトランジスタ２７０２の第２端子
がソース端子となり、第６の配線２７１６の電位が減少し始める。ノード２７２１の電位
（電位２８２１）は、ノード２７２１が浮遊状態（以下、フローティング状態ともいう）
となっているため、第２のトランジスタ２７０２のゲート端子と第２端子との間の寄生容
量の容量結合により第６の配線２７１６の電位と同時に減少する（ブートストラップ動作
ともいう）。よって、第２のトランジスタ２７０２のゲートとソース間の電圧Ｖｇｓは−
｜Ｖｔｈ２７０２｜−α（Ｖｔｈ２７０２：第２のトランジスタ２７０２のしきい値電圧
、α：任意の正の数）となり、第６の配線２７１６の電位はＬレベル（Ｖ２）となる。こ
のように、選択期間では、フリップフロップはノード２７２１の電位をＶ２−｜Ｖｔｈ２
７０２｜−αにすることによって、Ｌレベルを第６の配線２７１６から出力することがで
きる。
図２８の期間Ｃ及び図２９（Ｃ）に示す第１の非選択期間では、信号２８１３がＨレベル
となり、信号２８１４がＬレベルとなり、信号２８１５がＨレベルのままである。したが
って、第３のトランジスタ２７０３及び第４のトランジスタ２７０４がオンとなり、第１
のトランジスタ２７０１はオフのままである。ノード２７２１及び第６の配線２７１６は
、それぞれ第３のトランジスタ２７０３、第４のトランジスタ２７０４を介して第２の配
線２７１２の電位が供給されるためＨレベルとなる。
図２８の期間Ｄ及び図２９（Ｄ）に示す第２の非選択期間では、信号２８１３がＨレベル
のままであり、信号２８１４がＨレベルとなり、信号２８１５がＨレベルのままである。
したがって、第３のトランジスタ２７０３及び第４のトランジスタ２７０４がオフとなり
、第１のトランジスタ２７０１はオフのままである。したがって、ノード２７２１及び第
６の配線２７１６はＨレベルを維持する。
図２８の期間Ｅ及び図２９（Ｅ）に示す第３の非選択期間では、信号２８１３がＬレベル
となり、信号２８１４がＨレベルのままであり、信号２８１５がＨレベルのままである。
したがって、第１のトランジスタ２７０１、第３のトランジスタ２７０３及び第４のトラ
ンジスタ２７０４がオフのままである。したがって、ノード２７２１及び第６の配線２７
１６はＨレベルを維持する。
以上のことから、図２７のフリップフロップは、第３のトランジスタ２７０３及び第４の
トランジスタ２７０４は第１の非選択期間のみでオンとなるため、第３のトランジスタ２
７０３及び第４のトランジスタ２７０４の特性劣化（しきい値電圧のシフト）を抑制する
ことができる。なお、図２７のフリップフロップは、第１のトランジスタ２７０１及び第
２のトランジスタ２７０２はそれぞれセット期間のみ、セット期間及び選択期間のみでオ
ンとなるため、第１のトランジスタ２７０１及び第２のトランジスタ２７０２の特性劣化
も抑制することができる。
さらに、図２７のフリップフロップは、非選択期間のうち、第１の非選択期間においてノ
ード２７２１及び第６の配線２７１６にＶ１が供給されるためフリップフロップの誤動作
を抑制することができる。なぜなら、非選択期間において、一定期間毎（第１の非選択期
間）にノード２７２１及び第６の配線２７１６にＶ１が供給されており、ノード２７２１
及び第６の配線２７１６の電位を安定してＶ１に維持することができるからである。
なお、図２７のフリップフロップは、第１のトランジスタ２７０１、第２のトランジスタ
２７０２、第３のトランジスタ２７０３及び第４のトランジスタ２７０４が全てＰチャネ
ル型トランジスタで構成されていることを特徴とする。したがって、図２７のフリップフ
ロップは、製造工程の簡略化を図ることができ、製造コストの削減や歩留まりの向上を図
ることができる。また、トランジスタの半導体層として、ポリシリコンや単結晶シリコン
を用いても製造工程の簡略化を図ることができる。
ここで、第１のトランジスタ２７０１、第２のトランジスタ２７０２、第３のトランジス
タ２７０３及び第４のトランジスタ２７０４が有する機能を説明する。第１のトランジス
タ２７０１は、第１の配線２７１１の電位を供給するタイミングを選択する機能を有し、
入力用トランジスタとして機能する。第２のトランジスタ２７０２は、第３の配線２７１
３の電位を第６の配線２７１６に供給するタイミングを選択し、ノード２７２１の電位を
ブートストラップ動作によって減少させる機能を有し、ブートストラップ用トランジスタ
として機能する。第３のトランジスタ２７０３は、第２の配線２７１２の電位をノード２
７２１に供給するタイミングを選択する機能を有し、スイッチングトランジスタとして機
能する。第４のトランジスタ２７０４は、第２の配線２７１２の電位を第６の配線２７１
６に供給する機能を有し、スイッチングトランジスタとして機能する。
なお、図２７と同様の動作を行うものであれば、トランジスタの配置及び数などは図２７
に限定されない。図２７のフリップフロップの動作を説明した図２９から分かるように、
本実施の形態では、セット期間、選択期間、第１の非選択期間、第２の非選択期間及び第
３の非選択期間は、それぞれ図２９（Ａ）乃至（Ｅ）に示す実線のように導通がとれてい
ればよい。よって、これを満たすようにトランジスタ等を配置し、動作させうる構成であ
れば、トランジスタ、その他の素子（抵抗素子、容量素子など）、ダイオード、スイッチ
、様々な論理回路などを新たに配置してもよい。
例えば、図３０に示すように、図２７に示した第２のトランジスタ２７０１のゲート端子
と第２端子との間に容量素子３００１を配置してもよい。容量素子３００１を配置するこ
とによって、選択期間でのブートストラップ動作をより安定して行うことができる。また
、第２のトランジスタ２７０２のゲート端子と第２端子との間の寄生容量を小さくできる
ため、各トランジスタを高速にスイッチングさせることができる。なお、容量素子３００
１は、絶縁層としてゲート絶縁膜を用いて導電層としてゲート電極層及び配線層を用いて
もよいし、絶縁層としてゲート絶縁膜を用いて導電層としてゲート電極層及び不純物が添
加された半導体層を用いてもよいし、絶縁層として層間膜（絶縁膜）を用いて導電層とし
て配線層及び透明電極層を用いてもよい。なお、図２７の構成と共通するところは共通の
符号を用いてその説明を省略する。
なお、容量素子３００１は、図４の容量素子４０１に相当する。
図３１のフリップフロップにおいても、図２７と同様の動作を行うことができる。図３１
に示すように、図２７に示した第１のトランジスタ２７０１がダイオード接続となってい
てもよい。第１のトランジスタ２７０１がダイオード接続されることによって、第１の配
線２７１１が不必要になり、配線及び電源（Ｖ２）を１つずつ減らすことができる。なお
、図２７の構成と共通するところは共通の符号を用いてその説明を省略する。
また、本実施の形態に示したフリップフロップを図６及び図８のシフトレジスタに適用す
ることができる。実施の形態１乃至実施の形態４と同様、３相のクロック信号を用いるこ
とができるため省電力化を実現できる。また、本実施の形態のシフトレジスタは、各クロ
ック信号線（第３の配線６１３、第４の配線６１４、第５の配線６１５）に接続されてい
るフリップフロップ６０１の段数が単相のクロック信号を用いた場合に比べて２／３にな
るため、各クロック信号線の負荷を小さくすることができる。ただし、第１の配線６１１
及び第２の配線６１２に供給される電位と、第３の配線６１３、第４の配線６１４、第５
の配線６１５及び第６の配線６１６に入力される信号と、配線６２２に出力される信号は
それぞれ、Ｎチャネル型トランジスタで構成されたフリップフロップを図６及び図８のシ
フトレジスタに適用した場合と比較して、Ｈレベル、Ｌレベルが反転している。
また、本実施の形態に示したシフトレジスタを図９、図１１、図１２及び図４４の表示装
置に適用することができる。実施の形態１乃至実施の形態４と同様、画素部と一体形成し
た走査線駆動回路に本実施の形態を適用することによって、表示装置の寿命を長くするこ
とができる。
なお、本実施の形態で示したシフトレジスタやフリップフロップは、本明細書中の他の実
施の形態に示した表示装置の構成と自由に組み合わせて実施することができる。また、本
実施の形態で示したシフトレジスタやフリップフロップの構成も自由に組み合わせて実施
することができる。
（実施の形態６）
本実施の形態では、実施の形態５とは異なる構成のＰチャネル型トランジスタで構成され
たフリップフロップを図３２に示す。なお、実施の形態５と同様なものに関しては共通の
符号を用いて示し、同一部分又は同様な機能を有する部分の詳細な説明は省略する。
図３２に示すフリップフロップは、第１のトランジスタ２７０１、第２のトランジスタ２
７０２、第３のトランジスタ２７０３、第４のトランジスタ２７０４及び第５のトランジ
スタ３２０５を有する。なお、フリップフロップは、第１の配線２７１１、第２の配線２
７１２、第３の配線２７１３、第４の配線２７１４、第５の配線２７１５、第６の配線２
７１６及び第７の配線３２１７に接続されている。本実施の形態において、第５のトラン
ジスタ３２０５はＰチャネル型トランジスタとし、そのゲートとソース間の電圧の絶対値
（｜Ｖｇｓ｜）がしきい値電圧（｜Ｖｔｈ｜）を上回ったとき（ＶｇｓがＶｔｈを下回っ
たとき）、導通状態になるものとする。なお、第７の配線３２１７を、第３の信号線と呼
んでもよい。
なお、第５のトランジスタ３２０５は、図１３の第５のトランジスタ１３０５に相当する
。また、第７の配線３２１７は、図１３の第７の配線１３１７に相当する。
第１のトランジスタ２７０１の第１端子（ソース端子及びドレイン端子の一方）は第１の
配線２７１１に接続され、第２端子（ソース端子及びドレイン端子の他方）は第２のトラ
ンジスタ２７０２のゲート端子に接続され、ゲート端子は第５の配線２７１５に接続され
ている。第３のトランジスタ２７０３の第１端子は第２の配線２７１２に接続され、第２
端子は第２のトランジスタ２７０２のゲート端子に接続され、ゲート端子は第４の配線２
７１４に接続されている。第２のトランジスタ２７０２の第１端子は第３の配線２７１３
に接続され、第２端子は第６の配線２７１６に接続されている。第４のトランジスタ２７
０４の第１端子は第２の配線２７１２に接続され、第２端子は第６の配線２７１６に接続
され、ゲート端子は第４の配線２７１４に接続されている。第５のトランジスタ３２０５
の第１端子は第２の配線２７１２に接続され、第２端子は第６の配線２７１６に接続され
、ゲート端子は第７の配線３２１７に接続されている。
なお、第３のトランジスタ２７０３の第１端子、第４のトランジスタ２７０４の第１端子
及び第５のトランジスタ３２０５の第１端子は、第２の配線２７１２に接続されていると
は限定されず、別々の配線に接続されていてもよい。また、第３のトランジスタ２７０３
のゲート端子及び第４のトランジスタ２７０４のゲート端子は第４の配線２７１４に接続
されているとは限定されず、別々の配線に接続されていてもよい。
次に、図３２で示したフリップフロップの動作について、図３３のタイミングチャートを
参照して説明する。なお、図３３は、図３２のフリップフロップを図２７に示したフリッ
プフロップと同様に動作させる場合のタイミングチャートである。なお、図２８のタイミ
ングチャートと共通するところは共通の符号を用いて説明を省略する。
なお、第７の配線３２１７には信号が入力されている。第７の配線３２１７に入力される
信号は、第３のクロック信号である。また、第７の配線３２１７に入力される信号は、Ｈ
信号の電位がＶ１（以下、Ｈレベルともいう）、Ｌ信号の電位がＶ２（以下、Ｌレベルと
もいう）のデジタル信号である。
ただし、第７の配線３２１７には第３のクロック信号が入力されているとは限定されず、
他の信号が入力されてもよいし、一定の電位又は電流が入力されていてもよい。
図３３において、信号３３１７は第７の配線３２１７に入力される信号である。
図３２のフリップフロップでは、セット期間及び第２の非選択期間において、第５のトラ
ンジスタ３２０５がオンとなる。そして、第６の配線２７１６は、第５のトランジスタ３
２０５を介して第２の配線２７１２の電位が供給されるためＨレベルを維持する。
以上のことから、図３２のフリップフロップは、第１の非選択期間、第２の非選択期間、
第３の非選択期間のうち、第１の非選択期間及び第２の非選択期間において、第６の配線
２７１６にＶ１が供給されるためフリップフロップの誤動作をさらに抑制することができ
る。なぜなら、非選択期間において、一定期間毎（第１の非選択期間及び第２の非選択期
間）に第６の配線２７１６にＶ１が供給されており、第６の配線２７１６の電位を安定し
てＶ１に維持することができるからである。
さらに、図３２のフリップフロップは、第５のトランジスタ３２０５はセット期間及び第
２の非選択期間のみでオンとなるため、第５のトランジスタ３２０５の特性劣化を抑制す
ることができる。
なお、図３２のフリップフロップは、第１のトランジスタ２７０１、第２のトランジスタ
２７０２、第３のトランジスタ２７０３、第４のトランジスタ２７０４及び第５のトラン
ジスタ３２０５が全てＰチャネル型トランジスタで構成されていることを特徴とする。し
たがって、図３２のフリップフロップは、製造工程の簡略化を図ることができ、製造コス
トの削減や歩留まりの向上を図ることができる。また、トランジスタの半導体層として、
ポリシリコンや単結晶シリコンを用いても製造工程の簡略化を図ることができる。
ここで、第５のトランジスタ３２０５が有する機能を説明する。第５のトランジスタ３２
０５は、第２の配線２７１２の電位を第６の配線２７６に供給するタイミングを選択する
機能を有し、スイッチングトランジスタとして機能する。
なお、図３２と同様の動作を行うものであれば、トランジスタの配置及び数などは図３２
に限定されない。よって、トランジスタ、その他の素子（抵抗素子、容量素子など）、ダ
イオード、スイッチ、様々な論理回路などを新たに配置してもよい。
例えば、図３４に示すように、図３２に示した第２のトランジスタ２７０２のゲート端子
と第２端子との間に容量素子３４０１を配置してもよい。容量素子３４０１を配置するこ
とによって、選択期間でのブートストラップ動作をより安定して行うことができる。また
、第２のトランジスタ２７０２のゲート端子と第２端子との間の寄生容量を小さくできる
ため、各トランジスタを高速にスイッチングさせることができる。なお、容量素子３４０
１は、絶縁層としてゲート絶縁膜を用いて導電層としてゲート電極層及び配線層を用いて
もよいし、絶縁層としてゲート絶縁膜を用いて導電層としてゲート電極層及び不純物が添
加された半導体層を用いてもよいし、絶縁層として層間膜（絶縁膜）を用いて導電層とし
て配線層及び透明電極層を用いてもよい。なお、図３２の構成と共通するところは共通の
符号を用いてその説明を省略する。
なお、容量素子３４０１は、図１５の容量素子１５０１に相当する。
図３５のフリップフロップにおいても、図３２と同様の動作を行うことができる。図３５
に示すように、図３２に示した第１のトランジスタ２７０１がダイオード接続されていて
もよい。第１のトランジスタ２７０１がダイオード接続されることによって、第１の配線
２７１１が不必要になり、配線及び電源（Ｖ２）を１つずつ減らすことができる。なお、
図３２の構成と共通するところは共通の符号を用いてその説明を省略する。
また、本実施の形態に示したフリップフロップを図１７及び図１８のシフトレジスタに適
用することができる。実施の形態１乃至実施の形態５と同様、３相のクロック信号を用い
ることができるため省電力化を実現できる。また、本実施の形態のシフトレジスタは、各
クロック信号線（第３の配線６１３、第４の配線６１４、第５の配線６１５）に接続され
ているフリップフロップ１７０１の段数が単相のクロック信号を用いた場合に比べて２／
３になるため、各クロック信号線の負荷を小さくすることができる。ただし、第１の配線
６１１及び第２の配線６１２に供給される電位と、第３の配線６１３、第４の配線６１４
、第５の配線６１５及び第６の配線６１６に入力される信号と、配線６２２に出力される
信号はそれぞれ、Ｎチャネル型トランジスタで構成されたフリップフロップを図１７及び
図１８のシフトレジスタに適用した場合と比較して、Ｈレベル、Ｌレベルが反転している
。
また、本実施の形態に示したシフトレジスタを図９、図１１、図１２及び図４４の表示装
置に適用することができる。実施の形態１乃至実施の形態５と同様、画素部と一体形成し
た走査線駆動回路に本実施の形態を適用することによって、表示装置の寿命を長くするこ
とができる。
なお、本実施の形態で示したシフトレジスタやフリップフロップは、本明細書中の他の実
施の形態に示した表示装置の構成と自由に組み合わせて実施することができる。また、本
実施の形態で示したシフトレジスタやフリップフロップの構成も自由に組み合わせて実施
することができる。
（実施の形態７）
本実施の形態では、実施の形態５及び実施の形態６とは異なる構成のフリップフロップを
図３６に示す。なお、実施の形態５及び実施の形態６と同様なものに関しては共通の符号
を用いて示し、同一部分又は同様な機能を有する部分の詳細な説明は省略する。
図３６に示すフリップフロップは、第１のトランジスタ２７０１、第２のトランジスタ２
７０２、第３のトランジスタ２７０３、第４のトランジスタ２７０４、第５のトランジス
タ３２０５、第６のトランジスタ３６０６、第７のトランジスタ３６０７、第８のトラン
ジスタ３６０８及び第９のトランジスタ３６０９を有している。なお、フリップフロップ
は、第１の配線２７１１、第２の配線２７１２、第３の配線２７１３、第４の配線２７１
４、第５の配線２７１５、第６の配線２７１６及び第７の配線３２１７に接続されている
。本実施の形態において、第６のトランジスタ３６０６、第７のトランジスタ３６０７、
第８のトランジスタ３６０８及び第９のトランジスタ３６０９はＰチャネル型トランジス
タとし、そのゲートとソース間の電圧の絶対値（｜Ｖｇｓ｜）がしきい値電圧（｜Ｖｔｈ
｜）を上回ったとき（ＶｇｓがＶｔｈを下回ったとき）、導通状態になるものとする。
第１のトランジスタ２７０１の第１端子（ソース端子及びドレイン端子の一方）は第１の
配線２７１１に接続され、第２端子（ソース端子及びドレイン端子の他方）は第２のトラ
ンジスタ２７０２のゲート端子に接続され、ゲート端子は第５の配線２７１５に接続され
ている。第３のトランジスタ２７０３の第１端子は第２の配線２７１２に接続され、第２
端子は第２のトランジスタ２７０２のゲート端子に接続され、ゲート端子は第４の配線２
７１４に接続されている。第２のトランジスタ２７０２の第１端子は第３の配線２７１３
に接続され、第２端子は第６の配線２７１６に接続されている。第４のトランジスタ２７
０４の第１端子は第２の配線２７１２に接続され、第２端子は第６の配線２７１６に接続
され、ゲート端子は第４の配線２７１４に接続されている。第５のトランジスタ３２０５
の第１端子は第２の配線２７１２に接続され、第２端子は第６の配線２７１６に接続され
、ゲート端子は第７の配線３２１７に接続されている。第６のトランジスタ３６０６の第
１端子は第２の配線２７１２に接続され、第２端子は第８のトランジスタ３２０８のゲー
ト端子に接続され、ゲート端子は第２のトランジスタ２７０２のゲート端子に接続されて
いる。第７のトランジスタ３６０７の第１端子は第１の配線２７１１に接続され、第２端
子は第８のトランジスタ３６０８のゲート端子に接続され、ゲート端子は第１の配線２７
１１に接続されている。第８のトランジスタ３６０８の第１端子は第３の配線２７１３に
接続され、第２端子は第９のトランジスタ３６０９のゲート端子に接続されている。第９
のトランジスタ３６０９の第１端子は第２の配線２７１２に接続され、第２端子は第６の
配線２７１６に接続されている。なお、第６のトランジスタ３６０６の第２端子、第７の
トランジスタ３６０７の第２端子及び第８のトランジスタ３６０８のゲート端子の接続箇
所をノード３６２２とする。また、第８のトランジスタ３６０８の第２端子及び第９のト
ランジスタ３６０９のゲート端子の接続箇所をノード３６２３とする。
なお、第３のトランジスタ２７０３の第１端子、第４のトランジスタ２７０４の第１端子
、第５のトランジスタ３２０５の第１端子、第６のトランジスタ３６０６の第１端子及び
第９のトランジスタ３６０９の第１端子は第２の配線２７１２に接続されているとは限定
されず、別々の配線に接続されていてもよい。また、第３のトランジスタ２７０３のゲー
ト端子及び第４のトランジスタ２７０４のゲート端子は第４の配線２７１４に接続されて
いるとは限定されず、別々の配線に接続されていてもよい。また、第１のトランジスタ２
７０１の第１端子、第７のトランジスタ３６０７の第１端子及び第７のトランジスタ３６
０７のゲート端子は第１の配線２７１１に接続されているとは限定されず、別々の配線に
接続されていてもよい。また、第２のトランジスタ２７０２の第１端子及び第８のトラン
ジスタ３６０８の第１端子は第３の配線２７１３に接続されているとは限定されず、別々
の配線に接続されていてもよい。
次に、図３６で示したフリップフロップの動作について、図３７のタイミングチャートを
参照して説明する。なお、図３７は、図３６のフリップフロップを図２７及び図３２に示
したフリップフロップと同様に動作させる場合のタイミングチャートである。なお、図２
８及び図３３のタイミングチャートと共通するところは共通の符号を用いて説明を省略す
る。
図３７において、電位３７２２は図３６のノード３６２２の電位であり、電位３７２３は
図３６のノード３６２３の電位である。
図３６のフリップフロップでは、第３の非選択期間において、第９のトランジスタ３６０
９がオンとなる。そして、第６の配線２７１６は、第９のトランジスタ３６０９を介して
第２の配線２７１２の電位が供給されるためＨレベルを維持する。
具体的に第９のトランジスタ３６０９のオン及びオフの制御を説明する。まず、第６のト
ランジスタ３６０６及び第７のトランジスタ３６０７はインバータを構成しており、トラ
ンジスタ３６０６のゲート端子にＬレベルが入力されると、ノード３６２２の電位（電位
３７２２）がおおむねＶ１となる。ただし、このときの電位３７２２は、このときの第６
のトランジスタ３６０６と第７のトランジスタ３６０７との抵抗比によって決定するため
、Ｖ１よりも少し低い値となる。また、第６のトランジスタ３６０６のゲート端子にＨレ
ベルが入力されると、ノード３６２２の電位が第１の配線２７１１の電位と第７のトラン
ジスタ３６０７のしきい値電圧の絶対値との和となるためＶ２＋｜Ｖｔｈ３６０７｜とな
る。したがって、第１の非選択期間、第２の非選択期間及び第３の非選択期間では、ノー
ド２７２１がＨレベルであり、ノード３６２２がＬレベルになるため第８のトランジスタ
３６０８はオンとなる。よって、第９のトランジスタ３６０９は、第３の配線２７１３に
入力される信号によって制御されるため、第３の非選択期間においてオンとなり、第１の
非選択期間及び第２の非選択期間においてオフとなる。一方で、セット期間及び選択期間
では、ノード２７２１がＬレベルであり、ノード３６２２がＨレベルになるため第８のト
ランジスタ３６０８はオフとなる。よって、第９のトランジスタ３６０９のゲート端子の
電位がセット期間の前の期間である第１の非選択期間の電位、つまりＨレベルを維持する
ため、第９のトランジスタ３６０９はオフとなる。
以上のことから、図３６のフリップフロップは、第１の非選択期間、第２の非選択期間及
び第３の非選択期間において、第６の配線２７１６にＶ１が供給されるため、フリップフ
ロップの誤動作をさらに抑制することができる。なぜなら、非選択期間において、第６の
配線２７１６にＶ１を供給することができるからである。また、図３６のフリップフロッ
プは、非選択期間において第６の配線２７１６にＶ１が供給されるため、第６の配線２７
１６のノイズを少なくすることができる。
さらに、図３６のフリップフロップは、第６のトランジスタ３６０６、第７のトランジス
タ３６０７、第８のトランジスタ３６０８及び第９のトランジスタ３６０９の特性劣化を
抑制することができる。なぜなら、第６のトランジスタ３６０６はセット期間及び選択期
間のみでオンとなるからである。また、第７のトランジスタ３６０７は選択期間の後の第
１の非選択期間のうちノード３６２２の電位がＶ２＋｜Ｖｔｈ３６０７｜まで減少する期
間のみでオンとなるからである。また、第８のトランジスタ３６０８は第１の非選択期間
、第２の非選択期間及び第３の非選択期間のうちノード３６２３の電位がＶ２＋δ（δ：
｜Ｖｔｈ３６０７｜＋｜Ｖｔｈ３６０８｜）まで減少する期間のみでオンとなるからであ
る。また、第９のトランジスタ３６０９は第３の非選択期間のみでオンとなるからである
。
なお、図３６のフリップフロップは、第１のトランジスタ２７０１、第２のトランジスタ
２７０２、第３のトランジスタ２７０３、第４のトランジスタ２７０４、第５のトランジ
スタ３２０５、第６のトランジスタ３６０６、第７のトランジスタ３６０７、第８のトラ
ンジスタ３６０８及び第９のトランジスタ３６０９が全てＰチャネル型トランジスタで構
成されていることを特徴とする。したがって、図３６のフリップフロップは、トランジス
タの半導体層として、ポリシリコンや単結晶シリコンを用いても製造工程の簡略化を図る
ことができる。
ここで、第６のトランジスタ３６０６、第７のトランジスタ３６０７、第８のトランジス
タ３６０８及び第９のトランジスタ３６０９が有する機能を説明する。第６のトランジス
タ３６０６は、第２の配線２７１２の電位をノード３６２２に供給するタイミングを選択
する機能を有し、スイッチングトランジスタとして機能する。第７のトランジスタ３６０
７は、第１の配線２７１１の電位をノード３６２２に供給するタイミングを選択する機能
を有し、ダイオードとして機能する。第８のトランジスタ３６０８は、第３の配線２７１
３の電位をノード３６２３に供給するタイミングを選択する機能を有し、スイッチングト
ランジスタとして機能する。第９のトランジスタ３６０９は、第２の配線２７１２の電位
を第６の配線２７１６に供給するタイミングを選択する機能を有し、スイッチングトラン
ジスタとして機能する。
なお、図３６と同様の動作を行うものであれば、トランジスタの配置及び数などは図３６
に限定されない。よって、トランジスタ、その他の素子（抵抗素子、容量素子など）、ダ
イオード、スイッチ、様々な論理回路などを新たに配置してもよい。
例えば、図３８に示すように、図３６に示した第２のトランジスタ２７０２のゲート端子
と第２端子との間に容量素子３８０１を配置してもよい。容量素子３８０１を配置するこ
とによって、選択期間でのブートストラップ動作をより安定して行うことができる。また
、第２のトランジスタ２７０２のゲート端子と第２端子との間の寄生容量を小さくできる
ため、各トランジスタを高速にスイッチングさせることができる。なお、容量素子３８０
１は、絶縁層としてゲート絶縁膜を用いて導電層としてゲート電極層及び配線層を用いて
もよいし、絶縁層としてゲート絶縁膜を用いて導電層としてゲート電極層及び不純物が添
加された半導体層を用いてもよいし、絶縁層として層間膜（絶縁膜）を用いて導電層とし
て配線層及び透明電極層を用いてもよい。なお、図３６の構成と共通するところは共通の
符号を用いてその説明を省略する。
図３９のフリップフロップにおいても、図３６と同様の動作を行うことができる。図３９
に示すように、図３６に示した第１のトランジスタ２７０１がダイオード接続してもよい
。第１のトランジスタ２７０１がダイオード接続されることによって、第１の配線２７１
１に流れる電流が小さくなるため、第１の配線２７１１の配線幅を小さくすることができ
る。なお、図３６の構成と共通するところは共通の符号を用いてその説明を省略する。
また、本実施の形態に示したフリップフロップを図１７及び図１８のシフトレジスタに適
用することができる。実施の形態１乃至実施の形態６と同様、３相のクロック信号を用い
ることができるため省電力化を実現できる。また、本実施の形態のシフトレジスタは、各
クロック信号線（第３の配線６１３、第４の配線６１４、第５の配線６１５）に接続され
ているフリップフロップ１７０１の段数が単相のクロック信号を用いた場合の２／３にな
るため、各クロック信号線の負荷を小さくすることができる。ただし、第１の配線６１１
及び第２の配線６１２に供給される電位と、第３の配線６１３、第４の配線６１４、第５
の配線６１５及び第６の配線６１６に入力される信号と、配線６２２に出力される信号は
それぞれ、Ｎチャネル型トランジスタで構成されたフリップフロップを図１７及び図１８
のシフトレジスタに適用した場合と比較して、Ｈレベル、Ｌレベルが反転している。
また、本実施の形態に示したシフトレジスタを図９、図１１、図１２及び図４４の表示装
置に適用することができる。実施の形態１乃至実施の形態６と同様、画素部と一体形成し
た走査線駆動回路に本実施の形態を適用することによって、表示装置の寿命を長くするこ
とができる。
なお、本実施の形態で示したシフトレジスタやフリップフロップは、本明細書中の他の実
施の形態に示した表示装置の構成と自由に組み合わせて実施することができる。また、本
実施の形態で示したシフトレジスタやフリップフロップの構成も自由に組み合わせて実施
することができる。
（実施の形態８）
本実施の形態では、実施の形態５、実施の形態６及び実施の形態７とは異なる構成のフリ
ップフロップを図４０に示す。なお、実施の形態５、実施の形態６及び実施の形態７と同
様なものに関しては共通の符号を用いて示し、同一部分又は同様な機能を有する部分の詳
細な説明は省略する。
図４０に示すフリップフロップは、第１のトランジスタ２７０１、第２のトランジスタ２
７０２、第３のトランジスタ２７０３、第４のトランジスタ２７０４、第５のトランジス
タ３２０５、第６のトランジスタ３６０６、第７のトランジスタ３６０７、第８のトラン
ジスタ３６０８、第９のトランジスタ３６０９、第１０のトランジスタ４０１０、第１１
のトランジスタ４０１１及び第１２のトランジスタ４０１２を有している。なお、フリッ
プフロップは、第１の配線２７１１、第２の配線２７１２、第３の配線２７１３、第４の
配線２７１４、第５の配線２７１５、第６の配線２７１６及び第７の配線３２１７に接続
されている。本実施の形態において、第１０のトランジスタ４０１０、第１１のトランジ
スタ４０１１及び第１２のトランジスタ４０１２は、Ｐチャネル型トランジスタとし、そ
のゲートとソース間の電圧の絶対値（｜Ｖｇｓ｜）がしきい値電圧（｜Ｖｔｈ｜）を上回
ったとき（ＶｇｓがＶｔｈを下回ったとき）、導通状態になるものとする。
第１のトランジスタ２７０１の第１端子（ソース端子及びドレイン端子の一方）は第１の
配線２７１１に接続され、第２端子（ソース端子及びドレイン端子の他方）は第２のトラ
ンジスタ２７０２のゲート端子に接続され、ゲート端子は第５の配線２７１５に接続され
ている。第３のトランジスタ２７０３の第１端子は第２の配線２７１２に接続され、第２
端子は第２のトランジスタ２７０２のゲート端子に接続され、ゲート端子は第４の配線２
７１４に接続されている。第２のトランジスタ２７０２の第１端子は第３の配線２７１３
に接続され、第２端子は第６の配線２７１６に接続されている。第４のトランジスタ２７
０４の第１端子は第２の配線２７１２に接続され、第２端子は第６の配線２７１６に接続
され、ゲート端子は第４の配線２７１４に接続されている。第５のトランジスタ３２０５
の第１端子は第２の配線２７１２に接続され、第２端子は第６の配線２７１６に接続され
、ゲート端子は第７の配線３２１７に接続されている。第６のトランジスタ３６０６の第
１端子は第２の配線２７１２に接続され、第２端子は第８のトランジスタ３６０８のゲー
ト端子及び第１１のトランジスタ４０１１のゲート端子に接続され、ゲート端子は第２の
トランジスタ２７０２のゲート端子に接続されている。第７のトランジスタ３６０７の第
１端子は第１の配線２７１１に接続され、第２端子は第８のトランジスタ３６０８のゲー
ト端子及び第１１のトランジスタ４０１１のゲート端子に接続され、ゲート端子は第１の
配線２７１１に接続されている。第８のトランジスタ３６０８の第１端子は第３の配線２
７１３に接続され、第２端子は第９のトランジスタ３６０９のゲート端子及び第１０のト
ランジスタ４０１０のゲート端子に接続されている。第９のトランジスタ３６０９の第１
端子は第２の配線２７１２に接続され、第２端子は第６の配線２７１６に接続されている
。第１０のトランジスタ４０１０の第１端子は第２の配線２７１２に接続され、第２端子
は第２のトランジスタ２７０２のゲート端子に接続されている。第１１のトランジスタ４
０１１の第１端子は第７の配線３２１７に接続され、第２端子は第１２のトランジスタ４
０１２のゲート端子に接続されている。第１２のトランジスタ４０１２の第１端子は第２
の配線２７１２に接続され、第２端子は第２のトランジスタ２７０２のゲート端子に接続
されている。なお、第１１のトランジスタ４０１１の第２端子及び第１２のトランジスタ
４０１２のゲート端子の接続箇所をノード４０２４とする。
なお、第３のトランジスタ２７０３の第２端子、第４のトランジスタ２７０４の第２端子
、第５のトランジスタ３２０５の第２端子、第６のトランジスタ３６０６の第２端子、第
９のトランジスタ３６０９の第２端子、第１０のトランジスタ４０１０の第２端子及び第
１２のトランジスタ４０１２の第２端子は第２の配線２７１２に接続されているとは限定
されず、別々の配線に接続されていてもよい。また、第３のトランジスタ２７０３のゲー
ト端子及び第４のトランジスタ２７０４のゲート端子は第４の配線２７１４に接続されて
いるとは限定されず、別々の配線に接続されていてもよい。また、第１のトランジスタ２
７０１の第１端子、第７のトランジスタ３６０７の第１端子及び第７のトランジスタ３６
０７のゲート端子は第１の配線２７１１に接続されているとは限定されず、別々の配線に
接続されていてもよい。また、第２のトランジスタ２７０２の第１端子及び第８のトラン
ジスタ３６０８の第１端子は第３の配線２７１３に接続されているとは限定されず、別々
の配線に接続されていてもよい。また、第５のトランジスタ３２０５のゲート端子及び第
１１のトランジスタ４０１１の第１端子は第７の配線３２１７に接続されているとは限定
されず、別々の配線に接続されていてもよい。
次に、図４０で示したフリップフロップの動作について、図４１のタイミングチャートを
参照して説明する。図４１は、図４０のフリップフロップを図２７、図３２及び図３６に
示したフリップフロップと同様に動作させる場合のタイミングチャートである。なお、図
２８、図３３及び図３７のタイミングチャートと共通するところは共通の符号を用いて説
明を省略する。
図４１において、電位４１２４は図４０のノード４０２４の電位である。
図４０のフリップフロップでは、第３の非選択期間において第１０のトランジスタ４０１
０がオンとなる。そして、ノード２７２１は、第１０のトランジスタ４０１０を介して第
２の配線２７１２の電位が供給されるためＨレベルをより安定して維持できる。さらに、
図４０のフリップフロップでは、第１の非選択期間において第１２のトランジスタ４０１
２がオンとなる。そして、ノード２７２１は、第１２のトランジスタ４０１２を介して第
２の配線２７１２の電位が供給されるためＨレベルをより安定して維持できる。
具体的に第１２のトランジスタ４０１２のオン及びオフの制御を説明する。なお、第１０
のトランジスタ４０１０のオン及びオフの制御は、実施の形態７に示した第９のトランジ
スタ３６０９のオン及びオフの制御と同様である。まず、図３６のフリップフロップと同
様に第６のトランジスタ３６０６及び第７のトランジスタ３６０７はインバータを構成し
ている。したがって、第１の非選択期間、第２の非選択期間及び第３の非選択期間では、
ノード２７２１がＨレベルであり、ノード３６２２がＬレベルになるため第１１のトラン
ジスタ４０１１はオンとなる。よって、第１２のトランジスタ４０１２は、第７の配線３
２１７に入力される信号によって制御されるため、第２の非選択期間おいてオンし、第１
の非選択期間及び第３の非選択期間においてオフとなる。一方で、セット期間及び選択期
間ではノード２７２１がＬレベルであり、ノード３６２２がＨレベルになるため第１１の
トランジスタ４０１１はオフとなる。よって、第１２のトランジスタ４０１２のゲート端
子の電位がセット期間の前の期間である第１の非選択期間の電位、つまりＨレベルを維持
するため、第１２のトランジスタ４０１２はオフとなる。
以上のことから、図４０のフリップフロップは、第１の非選択期間、第２の非選択期間及
び第３の非選択期間において、第６の配線２７１６及びノード２７２１にＶ１が供給され
るため、フリップフロップの誤動作をさらに抑制することができる。なぜなら、非選択期
間において、第６の配線２７１６及びノード２７２１にＶ１を供給することができるから
である。また、図４０のフリップフロップは、非選択期間において第６の配線２７１６及
びノード２７２１にＶ１が供給されるため、第６の配線２７１６及びノード２７２１のノ
イズを少なくすることができる。
さらに、図４０のフリップフロップは、第１０のトランジスタ４０１０、第１１のトラン
ジスタ４０１１及び第１２のトランジスタ４０１２の特性劣化を抑制することができる。
なぜなら、第１０のトランジスタ４０１０は第３の非選択期間のみでオンとなるからであ
る。また、第１１のトランジスタ４０１１は第１の非選択期間、第２の非選択期間及び第
３の非選択期間のうちノード４０２４の電位がＶ２＋ε（ε：｜Ｖｔｈ３６０７｜＋｜Ｖ
ｔｈ４０１１｜）まで減少する期間のみでオンとなるからである。また、第１２のトラン
ジスタ４０１２は、第２の非選択期間のみでオンとなるからである。
なお、図４０のフリップフロップは、第１のトランジスタ２７０１、第２のトランジスタ
２７０２、第３のトランジスタ２７０３、第４のトランジスタ２７０４、第５のトランジ
スタ３２０５、第６のトランジスタ３６０６、第７のトランジスタ３６０７、第８のトラ
ンジスタ３６０８、第９のトランジスタ３６０９、第１０のトランジスタ４０１０、第１
１のトランジスタ４０１１及び第１２のトランジスタ４０１２が全てＰチャネル型トラン
ジスタで構成されていることを特徴とする。したがって、図４０のフリップフロップは、
トランジスタの半導体層として、ポリシリコンや単結晶シリコンを用いても製造工程の簡
略化を図ることができる。
ここで、第１０のトランジスタ４０１０、第１１のトランジスタ４０１１及び第１２のト
ランジスタ４０１２が有する機能を説明する。第１０のトランジスタ４０１０は、第２の
配線２７１２の電位をノード２７２１に供給する機能を有し、スイッチングトランジスタ
として機能する。第１１のトランジスタ４０１１は、第７の配線３２１７の電位をノード
４０２４に供給する機能を有し、スイッチングトランジスタとして機能する。第１２のト
ランジスタ４０１２は第２の配線２７１２の電位をノード２７２１に供給する機能を有し
、スイッチングトランジスタとして機能する。
なお、図４０と同様の動作を行うものであれば、トランジスタの配置及び数などは図２３
に限定されない。よって、トランジスタ、その他の素子（抵抗素子、容量素子など）、ダ
イオード、スイッチ、様々な論理回路などを新たに配置してもよい。
例えば、図４２に示すように、図４０に示した第２のトランジスタ２７０２のゲート端子
と第２端子との間に容量素子４２０１を配置してもよい。容量素子４２０１を配置するこ
とによって、選択期間でのブートストラップ動作をより安定して行うことができる。また
、第２のトランジスタ２７０２のゲート端子と第２端子との間の寄生容量を小さくできる
ため、各トランジスタを高速にスイッチングさせることができる。なお、容量素子４２０
１は、絶縁層としてゲート絶縁膜を用いて導電層としてゲート電極層及び配線層を用いて
もよいし、絶縁層としてゲート絶縁膜を用いて導電層としてゲート電極層及び不純物が添
加された半導体層を用いてもよいし、絶縁層として層間膜（絶縁膜）を用いて導電層とし
て配線層及び透明電極層を用いてもよい。なお、図４０の構成と共通するところは共通の
符号を用いてその説明を省略する。
図４３のフリップフロップにおいても、図４０と同様の動作を行うことができる。図４３
に示すように、図４０に示した第１のトランジスタ２７０１がダイオード接続してもよい
。第１のトランジスタ２７０１がダイオード接続されることによって、第１の配線２７１
１に流れる電流が小さくなるため、第１の配線２７１１の配線幅を小さくする。
また、本実施の形態に示したフリップフロップを図１７及び図１８のシフトレジスタに適
用することができる。実施の形態１乃至実施の形態７と同様、３相のクロック信号を用い
ることができるため省電力化を実現できる。また、本実施の形態のシフトレジスタは、各
クロック信号線（第３の配線６１３、第４の配線６１４、第５の配線６１５）に接続され
ているフリップフロップ１７０１の段数が単相のクロック信号を用いた場合に比べて２／
３になるため、各クロック信号線の負荷を小さくすることができる。ただし、第１の配線
６１１及び第２の配線６１２に供給される電位と、第３の配線６１３、第４の配線６１４
、第５の配線６１５及び第６の配線６１６に入力される信号と、配線６２２に出力される
信号はそれぞれ、Ｎチャネル型トランジスタで構成されたフリップフロップを図１７及び
図１８のシフトレジスタに適用した場合と比較して、Ｈレベル、Ｌレベルが反転している
。
また、本実施の形態に示したシフトレジスタを図９、図１１、図１２及び図４４の表示装
置に適用することができる。実施の形態１乃至実施の形態７と同様、画素部と一体形成し
た走査線駆動回路に本実施の形態を適用することによって、表示装置の寿命を長くするこ
とができる。
なお、本実施の形態で示したシフトレジスタやフリップフロップは、本明細書中の他の実
施の形態に示した表示装置の構成と自由に組み合わせて実施することができる。また、本
実施の形態で示したシフトレジスタやフリップフロップの構成も自由に組み合わせて実施
することができる。
（実施の形態９）
本実施の形態では、実施の形態１乃至実施の形態８に示した表示装置が有する画素の一例
について図４６を参照して説明する。
図４６の画素構成について説明する。図４６（Ａ）に示す画素は、トランジスタ４６０１
、容量素子４６０２、表示素子４６２１を有する。なお、画素は、第１の配線４６１１、
第２の配線４６１２及び第３の配線４６１３に接続されている。また、表示素子４６２１
には図４６（Ｂ）に示すように画素電極４６２３と対向電極４６２２との間の電界によっ
て光の透過率が変化する液晶素子４６３１を用いた場合について説明する。なお、第１の
配線４６１１を信号線と呼んでもよい。また、第２の配線４６１２を走査線と呼んでもよ
い。また、第３の配線４６１３を保持容量線と呼んでもよい。
なお、トランジスタ４６０１は、Ｎチャネル型のトランジスタを示しているが、Ｐチャネ
ル型のトランジスタであってもよい。実施の形態１乃至実施の形態４では、トランジスタ
４６０１としてＮチャネル型のトランジスタを用いるほうが望ましい。なぜなら、トラン
ジスタの半導体層として、アモルファスシリコンを用いることができるため、製造工程の
簡略化を図ることができ、製造コストの削減や歩留まりの向上を図ることができるからで
ある。さらに、大型の表示パネルなどの半導体装置を作製することも可能となるからであ
る。また、トランジスタの半導体層として、ポリシリコンや単結晶シリコンを用いても製
造工程の簡略化を図ることができる。また、実施の形態５乃至実施の形態８では、トラン
ジスタ４６０１としてＰチャネル型のトランジスタを用いることが望ましい。なぜなら、
製造工程の簡略化を図ることができ、製造コストの削減や歩留まりの向上を図ることがで
きるからである。
なお、第１の配線４６１１は、図９、図１１、図１２及び図４４の表示装置に示した信号
線Ｓ１〜Ｓｍのいずれか一に相当する。第２の配線４６１２は、図９、図１１、図１２及
び図４４の表示装置に示した走査線Ｇ１〜Ｇｎのいずれか一に相当する。
なお、第３の配線４６１３は、図９、図１１、図１２及び図４４には図示していないが、
すでに述べたように必要に応じて図９、図１１、図１２及び図４４に追加するとよい。
なお、容量素子４６０２は、表示素子４６２１の画素電極４６２３の電位を保持する役目
をしている。よって、容量素子４６０２は、画素電極４６２３と第３の配線４６１３との
間に接続されているがこれに限定されない。画素電極４６２３の電位を保持できるように
配置されていればよく、別（例えば、前行）の画素の第２の配線４６１２に接続されてい
てもよいし、対向電極４６２２又は対向電極４６２２に相当する電極に接続されていても
よい。また、表示素子４６２１が容量性を有していれば、容量素子４６０２及び第３の配
線４６１３は必ずしも必要ではない。
動作方法としては、第１の配線４６１１を選択して、トランジスタ４６０１をオン状態に
して、第１の配線４６１１からビデオ信号を画素電極４６２３及び容量素子４６０２に入
力する。すると、表示素子４６２１がビデオ信号に応じた透過率となる。
ここで、表示装置を高画質化できる駆動方法について説明する。なお、表示装置を高画質
化できる駆動方法として、オーバードライブ駆動方法、コモン線（保持容量線）を制御す
る駆動方法、バックライトスキャン、高周波駆動方法などを説明する。また、これらの駆
動方法は、自由に組み合わせて実施することができる。
まず、オーバードライブ駆動について、図４７を参照して説明する。図４７（Ａ）は、表
示素子の、入力電圧に対する出力輝度の時間変化を表したものである。破線で表した入力
電圧１に対する表示素子の出力輝度の時間変化は、同じく破線で表した出力輝度１のよう
になる。すなわち、目的の出力輝度Ｌｏｗを得るための電圧はＶｉであるが、入力電圧と
してＶｉをそのまま入力した場合は、目的の出力輝度Ｌｏｗに達するまでに、素子の応答
速度に対応した時間を要してしまう。
オーバードライブ駆動は、この応答速度を速めるための技術である。具体的には、まず、
Ｖｉよりも大きい電圧であるＶｏを素子に一定時間与えることで素子の応答速度を高めて
、目的の出力輝度Ｌｏｗに近づけた後に、入力電圧をＶｉに戻す、という方法である。こ
のときの入力電圧は入力電圧２、出力輝度は出力輝度２に表したようになる。出力輝度２
のグラフは、目的の輝度Ｌｏｗに至るまでの時間が、出力輝度１のグラフよりも短くなっ
ている。
なお、図４７（Ａ）においては、入力電圧に対し出力輝度が正の変化をする場合について
述べたが、入力電圧に対し出力輝度が負の変化をする場合も、本発明は含んでいる。
このような駆動を実現するための回路について、図４７（Ｂ）および図４７（Ｃ）を参照
して説明する。まず、図４７（Ｂ）を参照して、入力映像信号Ｇｉがアナログ値（離散値
でもよい）をとる信号であり、出力映像信号Ｇｏもアナログ値をとる信号である場合につ
いて説明する。図４７（Ｂ）に示すオーバードライブ回路は、符号化回路４７０１、フレ
ームメモリ４７０２、補正回路４７０３、ＤＡ変換回路４７０４、を備える。
入力映像信号Ｇｉは、まず、符号化回路４７０１に入力され、符号化される。つまり、ア
ナログ信号から、適切なビット数のデジタル信号に変換される。その後、変換されたデジ
タル信号は、フレームメモリ４７０２と、補正回路４７０３と、にそれぞれ入力される。
補正回路４７０３には、フレームメモリ４７０２に保持されていた前フレームの映像信号
も、同時に入力される。そして、補正回路４７０３において、当該フレームの映像信号と
、前フレームの映像信号から、あらかじめ用意された数値テーブルにしたがって、補正さ
れた映像信号を出力する。このとき、補正回路４７０３に出力切替信号を入力し、補正さ
れた映像信号と、当該フレームの映像信号を切替えて出力できるようにしてもよい。次に
、補正された映像信号または当該フレームの映像信号は、ＤＡ変換回路４７０４に入力さ
れる。そして、補正された映像信号または当該フレームの映像信号にしたがった値のアナ
ログ信号である出力映像信号Ｇｏが出力される。このようにして、オーバードライブ駆動
が実現できる。
続いて、図４７（Ｃ）を参照して、入力映像信号Ｇｉがデジタル値をとる信号であり、出
力映像信号Ｇｏもデジタル値をとる信号である場合について説明する。図４７（Ｃ）に示
すオーバードライブ回路は、フレームメモリ４７１２、補正回路４７１３、を備える。
入力映像信号Ｇｉは、デジタル信号であり、まず、フレームメモリ４７１２と、補正回路
４７１３と、にそれぞれ入力される。補正回路４７１３には、フレームメモリ４７１２に
保持されていた前フレームの映像信号も、同時に入力される。そして、補正回路４７１３
において、当該フレームの映像信号と、前フレームの映像信号から、あらかじめ用意され
た数値テーブルにしたがって、補正された映像信号を出力する。このとき、補正回路４７
１３に出力切替信号を入力し、補正された映像信号と、当該フレームの映像信号を切替え
て出力できるようにしてもよい。このようにして、オーバードライブ駆動が実現できる。
なお、補正された映像信号を得るための数値テーブルの組み合わせは、１ＳＦにおいて取
りうる階調の数と、２ＳＦにおいて取りうる階調の数の積となる。この組み合わせの数は
、小さいほど、補正回路４７１３内に格納するデータ量が小さくなるため、好ましい。本
実施の形態においては、明画像を表示するサブフレームが最高輝度となるまでの中間調に
おいては、暗画像の輝度は０であり、明画像を表示するサブフレームが最高輝度となって
から最高階調となるまでは、明画像の輝度は一定であるため、この組み合わせの数を大幅
に小さくできる。
なお、本発明におけるオーバードライブ回路は、入力映像信号Ｇｉがアナログ信号であり
、出力映像信号Ｇｏがデジタル信号である場合も含む。このときは、図４７（Ｂ）に示し
た回路から、ＤＡ変換回路４７０４を省略すればよい。また、本発明におけるオーバード
ライブ回路は、入力映像信号Ｇｉがデジタル信号であり、出力映像信号Ｇｏがアナログ信
号である場合も含む。このときは、図４７（Ｂ）に示した回路から、符号化回路４７０１
を省略すればよい。
次に、コモン線の電位を操作する駆動について、図４８を参照して説明する。図４８（Ａ
）は、液晶素子のような容量的な性質を持つ表示素子を用いた表示装置において、走査線
１本に対し、コモン線が１本配置されているときの、複数の画素回路を表した図である。
図４８（Ａ）に示す画素回路は、トランジスタ４８０１、補助容量４８０２、表示素子４
８０３、映像信号線４８０４、走査線４８０５、コモン線４８０６、を備えている。
なお、トランジスタ４８０１、補助容量４８０２、表示素子４８０３、映像信号線４８０
４、走査線４８０５、コモン線４８０６それぞれは、図４６に示したトランジスタ４６０
１、容量素子４６０２、表示素子４６２１、第１の配線４６１１、第２の配線４６１２、
第３の配線４６１３に相当する。
トランジスタ４８０１のゲート端子は、走査線４８０５に電気的に接続され、トランジス
タ４８０１のソース端子またはドレイン端子の一方は、映像信号線４８０４に電気的に接
続され、トランジスタ４８０１のソース端子またはドレイン端子の他方は、補助容量４８
０２の一方の端子、および表示素子４８０３の一方の端子に電気的に接続されている。ま
た、補助容量４８０２の他方の端子は、コモン線４８０６に電気的に接続されている。
まず、走査線４８０５によって選択された画素は、トランジスタ４８０１がオンとなるた
め、それぞれ、映像信号線４８０４を介して、表示素子４８０３および補助容量４８０２
に映像信号に対応した電圧がかかる。このとき、その映像信号が、コモン線４８０６に接
続された全ての画素に対して最低階調を表示させるものだった場合、または、コモン線４
８０６に接続された全ての画素に対して最高階調を表示させるものだった場合は、画素に
それぞれ映像信号線４８０４を介して映像信号を書き込む必要はない。映像信号線４８０
４を介して映像信号を書き込む代わりに、コモン線４８０６の電位を動かすことで、表示
素子４８０３にかかる電圧を変えることができる。
続いて、図４８（Ｂ）は、液晶素子のような容量的な性質を持つ表示素子を用いた表示装
置において、走査線１本に対し、コモン線が２本配置されているときの、複数の画素回路
を表した図である。図４８（Ｂ）に示す画素回路は、トランジスタ４８１１、補助容量４
８１２、表示素子４８１３、映像信号線４８１４、走査線４８１５、第１のコモン線４８
１６、第２のコモン線４８１７、を備えている。
トランジスタ４８１１のゲート端子は、走査線４８１５に電気的に接続され、トランジス
タ４８１１のソース端子またはドレイン端子の一方は、映像信号線４８１４に電気的に接
続され、トランジスタ４８１１のソース端子またはドレイン端子の他方は、補助容量４８
１２の一方の端子、および表示素子４８１３の一方の端子に電気的に接続されている。ま
た、補助容量４８１２の他方の端子は、第１のコモン線４８１６に電気的に接続されてい
る。また、当該画素と隣接する画素においては、補助容量４８１２の他方の端子は、第２
のコモン線４８１７に電気的に接続されている。
図４８（Ｂ）に示す画素回路は、コモン線１本に対し電気的に接続されている画素が少な
いため、映像信号線４８１４を介して映像信号を書き込む代わりに、第１のコモン線４８
１６または第２のコモン線４８１７の電位を動かすことで、表示素子４８１３にかかる電
圧を変えることができる頻度が、顕著に大きくなる。また、ソース反転駆動またはドット
反転駆動が可能になる。ソース反転駆動またはドット反転駆動により、素子の信頼性を向
上させ、フリッカーを抑えることができる。
次に、走査型バックライトについて、図４９を参照して説明する。図４９（Ａ）は、冷陰
極管を並置した走査型バックライトを示す図である。図４９（Ａ）に示す走査型バックラ
イトは、拡散板４９０１と、Ｎ個の冷陰極管４９０２―１から４９０２―Ｎと、を備える
。Ｎ個の冷陰極管４９０２―１から４９０２―Ｎを、拡散板４９０１の後ろに並置するこ
とで、Ｎ個の冷陰極管４９０２―１から４９０２―Ｎは、その輝度を変化させて走査する
ことができる。
走査するときの各冷陰極管の輝度の変化を、図４９（Ｃ）を用いて説明する。まず、冷陰
極管４９０２―１の輝度を、一定時間変化させる。そして、その後に、冷陰極管４９０２
―１の隣に配置された冷陰極管４９０２―２の輝度を、同じ時間だけ変化させる。このよ
うに、冷陰極管４９０２―１から４９０２―Ｎまで、輝度を順に変化させる。なお、図４
９（Ｃ）においては、一定時間変化させる輝度は、元の輝度より小さいものとしたが、元
の輝度より大きくてもよい。また、冷陰極管４９０２―１から４９０２―Ｎまで走査する
としたが、逆方向に冷陰極管４９０２―Ｎから４９０２―１まで走査してもよい。
なお、輝度が小さい期間のバックライト輝度は、暗画像を挿入するサブフレームの最高輝
度と同程度とするのが好適である。具体的には、暗画像を１ＳＦに挿入する場合は、１Ｓ
Ｆの最高輝度Ｌｍａｘ１、暗画像を２ＳＦに挿入する場合は、２ＳＦの最高輝度Ｌｍａｘ
２、とするのが好ましい。
なお、走査型バックライトの光源として、ＬＥＤを用いてもよい。その場合の走査型バッ
クライトは、図４９（Ｂ）のようになる。図４９の（Ｂ）に示す走査型バックライトは、
拡散板４９１１と、ＬＥＤを並置した光源４９１２―１から４９１２―Ｎと、を備える。
走査型バックライトの光源として、ＬＥＤを用いた場合、バックライトを薄く、軽くでき
る利点がある。また、色再現範囲を広げることができるという利点がある。さらに、ＬＥ
Ｄを並置した光源４９１２―１から４９１２―Ｎのそれぞれに並置したＬＥＤも、同様に
走査することができるので、点走査型のバックライトとすることもできる。点走査型とす
れば、動画像の画質をさらに向上させることができる。
次に、高周波駆動について、図５０を参照して説明する。図５０（Ａ）は、フレーム周波
数が６０Ｈｚのときに暗画像を挿入して駆動するときの図である。５００１は当該フレー
ムの明画像、５００２は当該フレームの暗画像、５００３は次フレームの明画像、５００
４は次フレームの暗画像である。６０Ｈｚで駆動する場合は、映像信号のフレームレート
と整合性が取り易く、画像処理回路が複雑にならないという利点がある。
図５０（Ｂ）は、フレーム周波数が９０Ｈｚのときに暗画像を挿入して駆動するときの図
である。５０１１は当該フレームの明画像、５０１２は当該フレームの暗画像、５０１３
は当該フレームと次フレームと次々フレームから作成した第１の画像の明画像、５０１４
は当該フレームと次フレームと次々フレームから作成した第１の画像の暗画像、５０１５
は当該フレームと次フレームと次々フレームから作成した第２の画像の明画像、５０１６
は当該フレームと次フレームと次々フレームから作成した第２の画像の暗画像である。９
０Ｈｚで駆動する場合は、周辺駆動回路の動作周波数をそれほど高速化することなく、効
果的に動画像の画質を向上できるという利点がある。
図５０（Ｃ）は、フレーム周波数が１２０Ｈｚのときに暗画像を挿入して駆動するときの
図である。５０２１は当該フレームの明画像、５０２２は当該フレームの暗画像、５０２
３は当該フレームと次フレームから作成した画像の明画像、５０２４は当該フレームと次
フレームから作成した画像の暗画像、５０２５は次フレームの明画像、５０２６は次フレ
ームの暗画像、５０２７は次フレームと次々フレームから作成した画像の明画像、５０２
８は次フレームと次々フレームから作成した画像の暗画像である。１２０Ｈｚで駆動する
場合は、動画像の画質改善効果が著しく、ほとんど残像を感じることがないという利点が
ある。
図４６に示した画素の上面図及び断面図を図５１乃至図５５に示す。図５１乃至図５５は
、液晶の動作モードがそれぞれ異なっている。
まず、図５１は、液晶表示装置の画素構造のうち、ＴＮ方式と呼ばれるものに、薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）を組み合わせた場合の画素の断面図と上面図である。図５１（Ａ）は
、画素の断面図であり、図５１（Ｂ）は、画素の上面図である。また、図５１（Ａ）に示
す画素の断面図は、図５１（Ｂ）に示す画素の上面図における線分ａ−ａ’に対応してい
る。図５１に示す画素構造の液晶表示装置に本発明を適用することによって、安価に液晶
表示装置を製造することができる。
図５１（Ａ）を参照して、ＴＮ方式の液晶表示装置の画素構造について説明する。液晶表
示装置は、液晶パネルと呼ばれる、画像を表示する基幹部分を有する。液晶パネルは、加
工を施した２枚の基板を、数μｍのギャップを持たせて貼り合わせ、２枚の基板間に液晶
材料を注入することで作製される。図５１（Ａ）において、２枚の基板は、第１の基板５
１０１、および第２の基板５１１６である。第１の基板には、ＴＦＴおよび画素電極を作
製し、また、第２の基板には、遮光膜５１１４、カラーフィルター５１１５、第４の導電
層５１１３、スペーサ５１１７、および第２の配向膜５１１２を作製してもよい。
なお、本発明は、第１の基板５１０１にＴＦＴを作製しなくとも実施可能である。ＴＦＴ
を作製せずに本発明を実施する場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減するこ
とができる。また、構造が簡単であるので、歩留まりを向上させることができる。一方、
ＴＦＴを作製して本発明を実施する場合は、より大型の表示装置を得ることができる。
なお、図５１に示すＴＦＴは、非晶質半導体を用いたボトムゲート型のＴＦＴであり、大
面積の基板を用いて、安価に作製できるという利点がある。しかし、本発明はこれに限定
されるものではない。使用できるＴＦＴの構造は、ボトムゲート型のＴＦＴではチャネル
エッチ型、チャネル保護型などがある。また、トップゲート型でもよい。さらに、非晶質
半導体だけではなく、多結晶半導体も用いることができる。
なお、本発明は、第２の基板５１１６に遮光膜５１１４を作製しなくとも実施可能である
。遮光膜５１１４を作製せずに本発明を実施する場合は、工程数が減少するため、製造コ
ストを低減することができる。また、構造が簡単であるので、歩留まりを向上させること
ができる。一方、遮光膜５１１４を作製して本発明を実施する場合は、黒表示時に光漏れ
の少ない表示装置を得ることができる。
なお、本発明は、第２の基板５１１６にカラーフィルター５１１５を作製しなくとも実施
可能である。カラーフィルター５１１５を作製せずに本発明を実施する場合は、工程数が
減少するため、製造コストを低減することができる。また、構造が簡単であるので、歩留
まりを向上させることができる。一方、カラーフィルター５１１５を作製して本発明を実
施する場合は、カラー表示ができる表示装置を得ることができる。
なお、本発明は、第２の基板５１１６にスペーサ５１１７を作製せず、球状のスペーサを
散布することでも実施可能である。球状のスペーサを散布することで本発明を実施する場
合は、工程数が減少するため、製造コストを低減することができる。また、構造が簡単で
あるので、歩留まりを向上させることができる。一方、スペーサ５１１７を作製して本発
明を実施する場合は、スペーサの位置がばらつかないため、２枚の基板間の距離を一様に
することができ、表示ムラの少ない表示装置を得ることができる。
次に、第１の基板５１０１に施す加工について説明する。第１の基板５１０１は透光性を
有する基板が好適であり、例えば石英基板、ガラス基板またはプラスチック基板でもよい
。なお、第１の基板５１０１は遮光性の基板でもよく、半導体基板、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃ
ｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板でもよい。
まず、第１の基板５１０１に第１の絶縁膜５１０２を成膜してもよい。第１の絶縁膜５１
０２は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯｘＮｙ）等
の絶縁膜であってもよい。または、これらの膜の少なくとも２つの膜を組み合わせた積層
構造の絶縁膜を用いてもよい。第１の絶縁膜５１０２を成膜して本発明を実施する場合は
、基板からの不純物が半導体層に影響を及ぼし、ＴＦＴの性質が変化してしまうのを防ぐ
ことができるので、信頼性の高い表示装置を得ることができる。なお、第１の絶縁膜５１
０２を成膜せずに本発明を実施する場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減す
ることができる。また、構造が簡単であるので、歩留まりを向上させることができる。
次に、第１の基板５１０１または第１の絶縁膜５１０２上に、第１の導電層５１０３を形
成する。なお、第１の導電層５１０３は、形状を加工して形成してもよい。形状を加工す
る工程は、次のようなものであることが好適である。まず、第１の導電層５１０３を全面
に成膜する。このとき、スパッタ装置、またはＣＶＤ装置などの成膜装置を用いてもよい
。次に、全面に成膜した第１の導電層５１０３上に、感光性のレジスト材料を全面に形成
する。次に、フォトリソグラフィ法やレーザ直描法などによって、形成したい形状に従っ
てレジスト材料を感光させる。次に、感光させたレジスト材料、または感光させなかった
レジスト材料のうち、どちらか一方を、エッチングによって除去することで、第１の導電
層５１０３を形状加工するためのマスクを得ることができる。その後、形成したマスクパ
ターンに従って、第１の導電層５１０３をエッチングにより除去することで、所望のパタ
ーンに第１の導電層５１０３を形状加工することができる。なお、第１の導電層５１０３
をエッチングする方法には、化学的な方法（ウェットエッチング）と、物理的な方法（ド
ライエッチング）があるが、第１の導電層５１０３の材料や、第１の導電層５１０３の下
層にある材料の性質などを勘案し、適宜選択する。なお、第１の導電層５１０３に使用す
る材料は、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｄ、Ｃｒなどが好適である。または、これらの積層構造
であってもよい。さらに、これらの合金を単層または積層構造として、第１の導電層５１
０３として形成してもよい。
次に、第２の絶縁膜５１０４を形成する。このとき、スパッタ装置、またはＣＶＤ装置な
どの成膜装置を用いてもよい。なお、第２の絶縁膜５１０４に使用する材料は、熱酸化膜
、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などが好適である。または
、これらの積層構造であってもよい。なお、第１の半導体層５１０５に接する部分の第２
の絶縁膜５１０４は、酸化シリコン膜であることが、特に好適である。それは、酸化シリ
コン膜にすると半導体層５１０５との界面におけるトラップ準位が少なくなるからである
。なお、第１の導電層５１０３をＭｏで形成するときは、第１の導電層５１０３と接する
部分の第２の絶縁膜５１０４は窒化シリコン膜が好ましい。それは、窒化シリコン膜はＭ
ｏを酸化させないからである。
次に、第１の半導体層５１０５を形成する。その後、第２の半導体層５１０６を連続して
形成するのが好適である。なお、第１の半導体層５１０５および第２の半導体層５１０６
は、形状を加工して形成してもよい。形状を加工する方法は、前述したフォトリソグラフ
ィ法等の方法であることが好適である。なお、第１の半導体層５１０５に使用する材料は
、シリコンまたはシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）などが好適である。また、第２の半
導体層５１０６に使用する材料は、リン等を含んだシリコン等が好適である。
次に、第２の導電層５１０７を形成する。このとき、スパッタ法または印刷法を用いるの
が好適である。なお、第２の導電層５１０７に使用する材料は、透明性を有していても、
反射性を有していてもよい。透明性を有する場合は、例えば、酸化インジウムに酸化スズ
を混ぜたインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）膜、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に酸化珪
素を混ぜたインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）膜、酸化インジウムに酸化亜鉛を混ぜ
たインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、酸化亜鉛膜、または酸化スズ膜を用いることがで
きる。なお、ＩＺＯとは、ＩＴＯに２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合させたタ
ーゲットを用いてスパッタリングにより形成される透明導電材料である。一方、反射性を
有する場合は、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、Ａｌなどを用いることができる。また、Ｔ
ｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、ＷとＡｌを積層させた２層構造、ＡｌをＴｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ
、Ｗなどの金属で挟んだ３層積層構造としても良い。なお、第２の導電層５１０７は、形
状を加工して形成してもよい。形状を加工する方法は、前述したフォトリソグラフィ法等
の方法であることが好適である。なお、エッチング方法は、ドライエッチングで行なうの
が好適である。ドライエッチングはＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｒｏｔｒｏｎ Ｒ
ｅｓｏｎａｎｃｅ）やＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｚｍａ）な
どの高密度プラズマ源を用いたドライエッチング装置によって行われてもよい。
次に、ＴＦＴのチャネル領域を形成する。このとき、第２の導電層５１０７をマスクとし
て、第２の半導体層５１０６のエッチングを行なってもよい。こうすることで、マスク枚
数を減らすことができるので、製造コストを低減することができる。導電性をもつ第２の
半導体層５１０６のエッチングを行なうことで、除去された部分がＴＦＴのチャネル領域
となる。なお、第１の半導体層５１０５と第２の半導体層５１０６を連続で形成せずに、
第１の半導体層５１０５の形成のあと、ＴＦＴのチャネル領域となる部分にストッパーと
なる膜を成膜およびパターン加工し、その後、第２の半導体層５１０６を形成してもよい
。こうすることで、第２の導電層５１０７をマスクとして用いないで、ＴＦＴのチャネル
領域を形成することができるので、レイアウトパターンの自由度が大きくなる利点がある
。また、第２の半導体層５１０６のエッチング時に第１の半導体層５１０５までエッチン
グしてしまわないため、エッチング不良を起こすことなく、確実にＴＦＴのチャネル領域
が形成できる利点がある。
次に、第３の絶縁膜５１０８を形成する。第３の絶縁膜５１０８は、透明性を有している
ことが好適である。なお、第３の絶縁膜５１０８に用いる材料は、無機材料（酸化シリコ
ン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）または、低誘電率の有機化合物材料（感光性
又は非感光性の有機樹脂材料）などが好適である。また、シロキサンを含む材料を用いて
もよい。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される
材料である。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭
化水素）が用いられる。置換基としてフルオロ基を用いてもよい。または置換基として、
少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。第３の絶縁膜５１０８は
積層構造でも良い。なお、第３の絶縁膜５１０８は、形状を加工して形成してもよい。形
状を加工する方法は、前述したフォトリソグラフィ法等の方法であることが好適である。
このとき、同時に第２の絶縁膜５１０４もエッチングすることで、第３の絶縁膜５１０８
だけではなく、第１の導電層５１０３とのコンタクトホールを形成することができる。な
お、第３の絶縁膜５１０８の表面は、できるだけ平坦であることが好適である。それは、
液晶が接する面の凹凸により、液晶分子の配向が影響を受けてしまうからである。
次に、第３の導電層５１０９を形成する。このとき、スパッタ法または印刷法を用いるの
が好適である。なお、第３の導電層５１０９に使用する材料は、第２の導電層５１０７と
同じく、透明性を有していても、反射性を有していてもよい。なお、第３の導電層５１０
９として使用できる材料は、第２の導電層５１０７と同様でもよい。また、第３の導電層
５１０９は、形状を加工して形成してもよい。形状を加工する方法は、第２の導電層５１
０７と同様でもよい。
次に、第１の配向膜５１１０を形成する。配向膜５１１０には、ポリイミドなどの高分子
膜を用いることができる。なお、第１の配向膜５１１０を形成後、液晶分子の配向を制御
するために、ラビングを行なってもよい。ラビングは、布で配向膜をこすることによって
、配向膜にスジをつける工程である。ラビングを行なうことによって、配向膜に配向性を
持たせることができる。
以上のように作製した第１の基板５１０１と、遮光膜５１１４、カラーフィルター５１１
５、第４の導電層５１１３、スペーサ５１１７、および第２の配向膜５１１２を作製した
第２の基板５１１６を、シール材によって数μｍのギャップを持たせて貼り合わせ、２枚
の基板間に液晶材料を注入することで、液晶パネルが作製できる。なお、図５１に示すよ
うなＴＮ方式の液晶パネルにおいては、第４の導電層５１１３は、第２の基板５１１６の
全面に作製されていてもよい。
次に、図５１に示す、ＴＮ方式の液晶パネルの画素構造の特徴について説明する。図５１
（Ａ）に示した液晶分子５１１８は、長軸と短軸を持った細長い分子である。液晶分子５
１１８の向きを示すため、図５１（Ａ）においては、その長さによって表現している。す
なわち、長く表現された液晶分子５１１８は、その長軸の向きが紙面に平行であり、短く
表現された液晶分子５１１８ほど、その長軸の向きが紙面の法線方向に近くなっていると
する。つまり、図５１（Ａ）に示した液晶分子５１１８は、第１の基板５１０１に近いも
のと、第２の基板５１１６に近いものとでは、その長軸の向きが９０度異なっており、こ
れらの中間に位置する液晶分子５１１８の長軸の向きは、これらを滑らかにつなぐような
向きとなる。すなわち、図５１（Ａ）に示した液晶分子５１１８は、第１の基板５１０１
と第２の基板５１１６の間で、９０度ねじれているような配向状態となっている。
次に、図５１（Ｂ）を参照して、ＴＮ方式の液晶表示装置に本発明を適用した場合の、画
素のレイアウトの一例について説明する。本発明を適用したＴＮ方式の液晶表示装置の画
素は、走査線５１２１と、映像信号線５１２２と、容量線５１２３と、ＴＦＴ５１２４と
、画素電極５１２５と、画素容量５１２６と、を備えていてもよい。
走査線５１２１は、ＴＦＴ５１２４のゲート端子と電気的に接続されるため、第１の導電
層５１０３で構成されているのが好適である。
映像信号線５１２２は、ＴＦＴ５１２４のソース端子またはドレイン端子と電気的に接続
されるため、第２の導電層５１０７で構成されているのが好適である。また、走査線５１
２１と映像信号線５１２２はマトリックス状に配置されるため、少なくとも、異なる層の
導電層で形成されるのが好適である。
容量線５１２３は、画素電極５１２５と平行に配置されることで、画素容量５１２６を形
成するための配線であり、第１の導電層５１０３で構成されているのが好適である。なお
、図５１（Ｂ）に示すように、容量線５１２３は、映像信号線５１２２に沿って、映像信
号線５１２２を囲むように延設されていてもよい。こうすることで、映像信号線５１２２
の電位変化に伴って、電位を保持するべき電極の電位が変化してしまう現象、いわゆるク
ロストークを低減することができる。なお、映像信号線５１２２との交差容量を低減させ
るため、図５１（Ｂ）に示すように、第１の半導体層５１０５を容量線５１２３と映像信
号線５１２２の交差領域に設けてもよい。
ＴＦＴ５１２４は、映像信号線５１２２と画素電極５１２５を導通させるスイッチとして
動作する。なお、図５１（Ｂ）に示すように、ＴＦＴ５１２４のソース領域またはドレイ
ン領域のどちらか一方を、ソース領域またはドレイン領域の他方を囲むように配置しても
よい。こうすることで、小さい面積で大きなチャネル幅を得ることができ、スイッチング
能力を大きくすることができる。なお、図５１（Ｂ）に示すように、ＴＦＴ５１２４のゲ
ート端子は、第１の半導体層５１０５を囲むように配置してもよい。
画素電極５１２５は、ＴＦＴ５１２４のソース端子またはドレイン端子の一方に電気的に
接続される。画素電極５１２５は、映像信号線５１２２によって伝達された信号電圧を液
晶素子に与えるための電極である。また、容量線５１２３と画素容量５１２６を形成して
もよい。こうすることで、映像信号線５１２２によって伝達された信号電圧を保持する役
割も持つことができる。なお、画素電極５１２５は、図５１の（Ｂ）に示すように、矩形
であってもよい。こうすることで、画素の開口率を大きくすることができるので、液晶表
示装置の効率が向上する。また、画素電極５１２５を、透明性をもつ材料で作製した場合
は、透過型の液晶表示装置を得ることができる。透過型の液晶表示装置は、色の再現性が
高く、高い画質を持った映像を表示することができる。また、画素電極５１２５を、反射
性をもつ材料で作製した場合は、反射型の液晶表示装置を得ることができる。反射型の液
晶表示装置は、屋外などの明るい環境下における視認性が高く、また、バックライトが不
要なので、消費電力を非常に小さくすることができる。なお、画素電極５１２５を、透明
性をもつ材料および反射性をもつ材料の両方を用いて作成した場合は、両者の利点を併せ
持つ、半透過型の液晶表示装置を得ることができる。なお、画素電極５１２５を、反射性
をもつ材料で作製した場合は、画素電極５１２５の表面に凹凸を持たせてもよい。こうす
ることで、反射光が乱反射するので、反射光の強度分布の角度依存性が小さくなる利点が
ある。つまり、どの角度で見ても、一定の明るさを持った反射型の液晶表示装置を得るこ
とができる。
次に、図５２を参照して、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶
表示装置に、本発明を適用した場合を説明する。図５２は、ＶＡモードの液晶表示装置の
画素構造のうち、配向制御用突起を用いることで、液晶分子が様々な向きを持つように制
御し、視野角を大きくした、いわゆるＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃ
ａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式に、本発明を適用した場合の、画素の断面図と上面図で
ある。図５２（Ａ）は、画素の断面図であり、図５２（Ｂ）は、画素の上面図である。ま
た、図５２（Ａ）に示す画素の断面図は、図５２（Ｂ）に示す画素の上面図における線分
ａ−ａ’に対応している。図５２に示す画素構造の液晶表示装置に本発明を適用すること
によって、視野角が大きく、応答速度が速く、コントラストの大きい液晶表示装置を得る
ことができる。
図５２（Ａ）を参照して、ＭＶＡ方式の液晶表示装置の画素構造について説明する。液晶
表示装置は、液晶パネルと呼ばれる、画像を表示する基幹部分を有する。液晶パネルは、
加工を施した２枚の基板を、数μｍのギャップを持たせて貼り合わせ、２枚の基板間に液
晶材料を注入することで作製される。図５２（Ａ）において、２枚の基板は、第１の基板
５２０１、および第２の基板５２１６である。第１の基板には、ＴＦＴおよび画素電極を
作製し、また、第２の基板には、遮光膜５２１４、カラーフィルター５２１５、第４の導
電層５２１３、スペーサ５２１７、第２の配向膜５２１２、および配向制御用突起５２１
９を作製してもよい。
なお、本発明は、第１の基板５２０１にＴＦＴを作製しなくとも実施可能である。ＴＦＴ
を作製せずに本発明を実施する場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減するこ
とができる。また、構造が簡単であるので、歩留まりを向上させることができる。一方、
ＴＦＴを作製して本発明を実施する場合は、より大型の表示装置を得ることができる。
なお、図５２に示すＴＦＴは、非晶質半導体を用いたボトムゲート型のＴＦＴであり、大
面積の基板を用いて、安価に作製できるという利点がある。しかし、本発明はこれに限定
されるものではない。使用できるＴＦＴの構造は、ボトムゲート型のＴＦＴではチャネル
エッチ型、チャネル保護型などがある。また、トップゲート型でもよい。さらに、非晶質
半導体だけではなく、多結晶半導体も用いることができる。
なお、本発明は、第２の基板５２１６に遮光膜５２１４を作製しなくとも実施可能である
。遮光膜５２１４を作製せずに本発明を実施する場合は、工程数が減少するため、製造コ
ストを低減することができる。また、構造が簡単であるので、歩留まりを向上させること
ができる。一方、遮光膜５２１４を作製して本発明を実施する場合は、黒表示時に光漏れ
の少ない表示装置を得ることができる。
なお、本発明は、第２の基板５２１６にカラーフィルター５２１５を作製しなくとも実施
可能である。カラーフィルター５２１５を作製せずに本発明を実施する場合は、工程数が
減少するため、製造コストを低減することができる。また、構造が簡単であるので、歩留
まりを向上させることができる。一方、カラーフィルター５２１５を作製して本発明を実
施する場合は、カラー表示ができる表示装置を得ることができる。
なお、本発明は、第２の基板５２１６にスペーサ５２１７を作製せず、球状のスペーサを
散布することでも実施可能である。球状のスペーサを散布することで本発明を実施する場
合は、工程数が減少するため、製造コストを低減することができる。また、構造が簡単で
あるので、歩留まりを向上させることができる。一方、スペーサ５２１７を作製して本発
明を実施する場合は、スペーサの位置がばらつかないため、２枚の基板間の距離を一様に
することができ、表示ムラの少ない表示装置を得ることができる。
次に、第１の基板５２０１に施す加工については、図５１で説明した方法を用いてもよい
ため、省略する。ここで、第１の基板５２０１、第１の絶縁膜５２０２、第１の導電層５
２０３、第２の絶縁膜５２０４、第１の半導体層５２０５、第２の半導体層５２０６、第
２の導電層５２０７、第３の絶縁膜５２０８、第３の導電層５２０９、第１の配向膜５２
１０が、それぞれ、図５１における第１の基板５１０１、第１の絶縁膜５１０２、第１の
導電層５１０３、第２の絶縁膜５１０４、第１の半導体層５１０５、第２の半導体層５１
０６、第２の導電層５１０７、第３の絶縁膜５１０８、第３の導電層５１０９、第１の配
向膜５１１０、と対応する。なお、図示はしないが、第１の基板側にも、配向制御用突起
を設けてもよい。こうすることで、より確実に液晶分子の配向を制御することができる。
また、第１の配向膜５２１０および第２の配向膜５２１２は、垂直配向膜でもよい。こう
することで、液晶分子５２１８を垂直に配向することができる。
以上のように作製した第１の基板５２０１と、遮光膜５２１４、カラーフィルター５２１
５、第４の導電層５２１３、スペーサ５２１７、および第２の配向膜５２１２を作製した
第２の基板５２１６を、シール材によって数μｍのギャップを持たせて貼り合わせ、２枚
の基板間に液晶材料を注入することで、液晶パネルが作製できる。なお、図５２に示すよ
うなＭＶＡ方式の液晶パネルにおいては、第４の導電層５２１３は、第２の基板５２１６
の全面に作製されていてもよい。また、第４の導電層５２１３に接して、配向制御用突起
５２１９を作製してもよい。なお、配向制御用突起５２１９の形状に限定はないが、滑ら
かな曲面を持った形状であるのが好適である。こうすることで、近接する液晶分子５２１
８の配向が極近いものとなるため、配向不良が低減する。また、第２の配向膜５２１２が
、配向制御用突起５２１９によって段切れを起こしてしまうことによる、配向膜の不良も
低減することができる。
次に、図５２に示す、ＭＶＡ方式の液晶パネルの画素構造の特徴について説明する。図５
２の（Ａ）に示した液晶分子５２１８は、長軸と短軸を持った細長い分子である。液晶分
子５２１８の向きを示すため、図５２の（Ａ）においては、その長さによって表現してい
る。すなわち、長く表現された液晶分子５２１８は、その長軸の向きが紙面に平行であり
、短く表現された液晶分子５２１８ほど、その長軸の向きが紙面の法線方向に近くなって
いるとする。つまり、図５２の（Ａ）に示した液晶分子５２１８は、その長軸の向きが配
向膜の法線方向を向くように配向している。よって、配向制御用突起５２１９のある部分
の液晶分子５２１８は、配向制御用突起５２１９を中心として放射状に配向する。この状
態となることによって、視野角の大きい液晶表示装置を得ることができる。
次に、図５２の（Ｂ）を参照して、ＭＶＡ方式の液晶表示装置に本発明を適用した場合の
、画素のレイアウトの一例について説明する。本発明を適用したＭＶＡ方式の液晶表示装
置の画素は、走査線５２２１と、映像信号線５２２２と、容量線５２２３と、ＴＦＴ５２
２４と、画素電極５２２５と、画素容量５２２６と、配向制御用突起５２１９と、を備え
ていてもよい。
走査線５２２１は、ＴＦＴ５２２４のゲート端子と電気的に接続されるため、第１の導電
層５２０３で構成されているのが好適である。
映像信号線５２２２は、ＴＦＴ５２２４のソース端子またはドレイン端子と電気的に接続
されるため、第２の導電層５２０７で構成されているのが好適である。また、走査線５２
２１と映像信号線５２２２はマトリックス状に配置されるため、少なくとも、異なる層の
導電層で形成されるのが好適である。
容量線５２２３は、画素電極５２２５と平行に配置されることで、画素容量５２２６を形
成するための配線であり、第１の導電層５２０３で構成されているのが好適である。なお
、図５２（Ｂ）に示すように、容量線５２２３は、映像信号線５２２２に沿って、映像信
号線５２２２を囲むように延設されていてもよい。こうすることで、映像信号線５２２２
の電位変化に伴って、電位を保持するべき電極の電位が変化してしまう現象、いわゆるク
ロストークを低減することができる。なお、映像信号線５２２２との交差容量を低減させ
るため、図５２（Ｂ）に示すように、第１の半導体層５２０５を容量線５２２３と映像信
号線５２２２の交差領域に設けてもよい。
ＴＦＴ５２２４は、映像信号線５２２２と画素電極５２２５を導通させるスイッチとして
動作する。なお、図５２（Ｂ）に示すように、ＴＦＴ５２２４のソース領域またはドレイ
ン領域のどちらか一方を、ソース領域またはドレイン領域の他方を囲むように配置しても
よい。こうすることで、小さい面積で大きなチャネル幅を得ることができ、スイッチング
能力を大きくすることができる。なお、図５２（Ｂ）に示すように、ＴＦＴ５２２４のゲ
ート端子は、第１の半導体層５２０５を囲むように配置してもよい。
画素電極５２２５は、ＴＦＴ５２２４のソース端子またはドレイン端子の一方に電気的に
接続される。画素電極５２２５は、映像信号線５２２２によって伝達された信号電圧を液
晶素子に与えるための電極である。また、容量線５２２３と画素容量５２２６を形成して
もよい。こうすることで、映像信号線５２２２によって伝達された信号電圧を保持する役
割も持つことができる。なお、画素電極５２２５は、図５２の（Ｂ）に示すように、矩形
であってもよい。こうすることで、画素の開口率を大きくすることができるので、液晶表
示装置の効率が向上する。また、画素電極５２２５を、透明性をもつ材料で作製した場合
は、透過型の液晶表示装置を得ることができる。透過型の液晶表示装置は、色の再現性が
高く、高い画質を持った映像を表示することができる。また、画素電極５２２５を、反射
性をもつ材料で作製した場合は、反射型の液晶表示装置を得ることができる。反射型の液
晶表示装置は、屋外などの明るい環境下における視認性が高く、また、バックライトが不
要なので、消費電力を非常に小さくすることができる。なお、画素電極５２２５を、透明
性をもつ材料および反射性をもつ材料の両方を用いて作成した場合は、両者の利点を併せ
持つ、半透過型の液晶表示装置を得ることができる。なお、画素電極５２２５を、反射性
をもつ材料で作製した場合は、画素電極５２２５の表面に凹凸を持たせてもよい。こうす
ることで、反射光が乱反射するので、反射光の強度分布の角度依存性が小さくなる利点が
ある。つまり、どの角度で見ても、一定の明るさを持った反射型の液晶表示装置を得るこ
とができる。
次に、図５３を参照して、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶
表示装置に、本発明を適用した場合の、別の例を説明する。図５３は、ＶＡモードの液晶
表示装置の画素構造のうち、第４の導電層５３１３にパターン加工を施すことで、液晶分
子が様々な向きを持つように制御し、視野角を大きくした、いわゆるＰＶＡ（Ｐａｔｅｒ
ｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式に、本発明を適用した場合の、画
素の断面図と上面図である。図５３（Ａ）は、画素の断面図であり、図５３（Ｂ）は、画
素の上面図である。また、図５３（Ａ）に示す画素の断面図は、図５３（Ｂ）に示す画素
の上面図における線分ａ−ａ’に対応している。図５３に示す画素構造の液晶表示装置に
本発明を適用することによって、視野角が大きく、応答速度が速く、コントラストの大き
い液晶表示装置を得ることができる。
図５３（Ａ）を参照して、ＰＶＡ方式の液晶表示装置の画素構造について説明する。液晶
表示装置は、液晶パネルと呼ばれる、画像を表示する基幹部分を有する。液晶パネルは、
加工を施した２枚の基板を、数μｍのギャップを持たせて貼り合わせ、２枚の基板間に液
晶材料を注入することで作製される。図５３（Ａ）において、２枚の基板は、第１の基板
５３０１、および第２の基板５３１６である。第１の基板には、ＴＦＴおよび画素電極を
作製し、また、第２の基板には、遮光膜５３１４、カラーフィルター５３１５、第４の導
電層５３１３、スペーサ５３１７、および第２の配向膜５３１２を作製してもよい。
なお、本発明は、第１の基板５３０１にＴＦＴを作製しなくとも実施可能である。ＴＦＴ
を作製せずに本発明を実施する場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減するこ
とができる。また、構造が簡単であるので、歩留まりを向上させることができる。一方、
ＴＦＴを作製して本発明を実施する場合は、より大型の表示装置を得ることができる。
なお、図５３に示すＴＦＴは、非晶質半導体を用いたボトムゲート型のＴＦＴであり、大
面積の基板を用いて、安価に作製できるという利点がある。しかし、本発明はこれに限定
されるものではない。使用できるＴＦＴの構造は、ボトムゲート型のＴＦＴではチャネル
エッチ型、チャネル保護型などがある。また、トップゲート型でもよい。さらに、非晶質
半導体だけではなく、多結晶半導体も用いることができる。
なお、本発明は、第２の基板５３１６に遮光膜５３１４を作製しなくとも実施可能である
。遮光膜５３１４を作製せずに本発明を実施する場合は、工程数が減少するため、製造コ
ストを低減することができる。また、構造が簡単であるので、歩留まりを向上させること
ができる。一方、遮光膜５３１４を作製して本発明を実施する場合は、黒表示時に光漏れ
の少ない表示装置を得ることができる。
なお、本発明は、第２の基板５３１６にカラーフィルター５３１５を作製しなくとも実施
可能である。カラーフィルター５３１５を作製せずに本発明を実施する場合は、工程数が
減少するため、製造コストを低減することができる。また、構造が簡単であるので、歩留
まりを向上させることができる。一方、カラーフィルター５３１５を作製して本発明を実
施する場合は、カラー表示ができる表示装置を得ることができる。
なお、本発明は、第２の基板５３１６にスペーサ５３１７を作製せず、球状のスペーサを
散布することでも実施可能である。球状のスペーサを散布することで本発明を実施する場
合は、工程数が減少するため、製造コストを低減することができる。また、構造が簡単で
あるので、歩留まりを向上させることができる。一方、スペーサ５３１７を作製して本発
明を実施する場合は、スペーサの位置がばらつかないため、２枚の基板間の距離を一様に
することができ、表示ムラの少ない表示装置を得ることができる。
次に、第１の基板５３０１に施す加工については、図５１で説明した方法を用いてもよい
ため、省略する。ここで、第１の基板５３０１、第１の絶縁膜５３０２、第１の導電層５
３０３、第２の絶縁膜５３０４、第１の半導体層５３０５、第２の半導体層５３０６、第
２の導電層５３０７、第３の絶縁膜５３０８、第３の導電層５３０９、第１の配向膜５３
１０が、それぞれ、図５１における第１の基板５１０１、第１の絶縁膜５１０２、第１の
導電層５１０３、第２の絶縁膜５１０４、第１の半導体層５１０５、第２の半導体層５１
０６、第２の導電層５１０７、第３の絶縁膜５１０８、第３の導電層５１０９、第１の配
向膜５１１０、と対応する。なお、第１の基板５３０１側の第３の導電層５３０９に、電
極切り欠き部を設けてもよい。こうすることで、より確実に液晶分子の配向を制御するこ
とができる。また、第１の配向膜５３１０および第２の配向膜５３１２は、垂直配向膜で
もよい。こうすることで、液晶分子５３１８を垂直に配向することができる。
以上のように作製した第１の基板５３０１と、遮光膜５３１４、カラーフィルター５３１
５、第４の導電層５３１３、スペーサ５３１７、および第２の配向膜５３１２を作製した
第２の基板５３１６を、シール材によって数μｍのギャップを持たせて貼り合わせ、２枚
の基板間に液晶材料を注入することで、液晶パネルが作製できる。なお、図５３に示すよ
うなＰＶＡ方式の液晶パネルにおいては、第４の導電層５３１３は、パターン加工を施し
て、電極切り欠き部５３１９を作製してもよい。なお、電極切り欠き部５３１９の形状に
限定はないが、異なる向きを持った複数の矩形を組み合わせた形状であるのが好適である
。こうすることで、配向の異なる複数の領域が形成できるので、視野角の大きな液晶表示
装置を得ることができる。また、電極切り欠き部５３１９と第４の導電層５３１３の境界
における第４の導電層５３１３の形状は、滑らかな曲線であることが好適である。こうす
ることで、近接する液晶分子５３１８の配向が極近いものとなるため、配向不良が低減す
る。また、第２の配向膜５３１２が、電極切り欠き部５３１９によって段切れを起こして
しまうことによる、配向膜の不良も低減することができる。
次に、図５３に示す、ＰＶＡ方式の液晶パネルの画素構造の特徴について説明する。図５
３（Ａ）に示した液晶分子５３１８は、長軸と短軸を持った細長い分子である。液晶分子
５３１８の向きを示すため、図５３（Ａ）においては、その長さによって表現している。
すなわち、長く表現された液晶分子５３１８は、その長軸の向きが紙面に平行であり、短
く表現された液晶分子５３１８ほど、その長軸の向きが紙面の法線方向に近くなっている
とする。つまり、図５３（Ａ）に示した液晶分子５３１８は、その長軸の向きが配向膜の
法線方向を向くように配向している。よって、電極切り欠き部５３１９のある部分の液晶
分子５３１８は、電極切り欠き部５３１９と第４の導電層５３１３の境界を中心として放
射状に配向する。この状態となることによって、視野角の大きい液晶表示装置を得ること
ができる。
次に、図５３（Ｂ）を参照して、ＰＶＡ方式の液晶表示装置に本発明を適用した場合の、
画素のレイアウトの一例について説明する。本発明を適用したＰＶＡ方式の液晶表示装置
の画素は、走査線５３２１と、映像信号線５３２２と、容量線５３２３と、ＴＦＴ５３２
４と、画素電極５３２５と、画素容量５３２６と、電極切り欠き部５３１９と、を備えて
いてもよい。
走査線５３２１は、ＴＦＴ５３２４のゲート端子と電気的に接続されるため、第１の導電
層５３０３で構成されているのが好適である。
映像信号線５３２２は、ＴＦＴ５３２４のソース端子またはドレイン端子と電気的に接続
されるため、第２の導電層５３０７で構成されているのが好適である。また、走査線５３
２１と映像信号線５３２２はマトリックス状に配置されるため、少なくとも、異なる層の
導電層で形成されるのが好適である。
容量線５３２３は、画素電極５３２５と平行に配置されることで、画素容量５３２６を形
成するための配線であり、第１の導電層５３０３で構成されているのが好適である。なお
、図５３（Ｂ）に示すように、容量線５３２３は、映像信号線５３２２に沿って、映像信
号線５３２２を囲むように延設されていてもよい。こうすることで、映像信号線５３２２
の電位変化に伴って、電位を保持するべき電極の電位が変化してしまう現象、いわゆるク
ロストークを低減することができる。なお、映像信号線５３２２との交差容量を低減させ
るため、図５３の（Ｂ）に示すように、第１の半導体層５３０５を容量線５３２３と映像
信号線５３２２の交差領域に設けてもよい。
ＴＦＴ５３２４は、映像信号線５３２２と画素電極５３２５を導通させるスイッチとして
動作する。なお、図５３（Ｂ）に示すように、ＴＦＴ５３２４のソース領域またはドレイ
ン領域のどちらか一方を、ソース領域またはドレイン領域の他方を囲むように配置しても
よい。こうすることで、小さい面積で大きなチャネル幅を得ることができ、スイッチング
能力を大きくすることができる。なお、図５３の（Ｂ）に示すように、ＴＦＴ５３２４の
ゲート端子は、第１の半導体層５３０５を囲むように配置してもよい。
画素電極５３２５は、ＴＦＴ５３２４のソース端子またはドレイン端子の一方に電気的に
接続される。画素電極５３２５は、映像信号線５３２２によって伝達された信号電圧を液
晶素子に与えるための電極である。また、容量線５３２３と画素容量５３２６を形成して
もよい。こうすることで、映像信号線５３２２によって伝達された信号電圧を保持する役
割も持つことができる。なお、画素電極５３２５は、図５３（Ｂ）に示すように、第４の
導電層５３１３に設けた電極切り欠き部５３１９の形状に合わせて、電極切り欠き部５３
１９のない部分に、画素電極５３２５を切り欠いた部分を形成するのが好適である。こう
することで、液晶分子５３１８の配向が異なる複数の領域を形成することができるので、
視野角の大きな液晶表示装置を得ることができる。また、画素電極５３２５を、透明性を
もつ材料で作製した場合は、透過型の液晶表示装置を得ることができる。透過型の液晶表
示装置は、色の再現性が高く、高い画質を持った映像を表示することができる。また、画
素電極５３２５を、反射性をもつ材料で作製した場合は、反射型の液晶表示装置を得るこ
とができる。反射型の液晶表示装置は、屋外などの明るい環境下における視認性が高く、
また、バックライトが不要なので、消費電力を非常に小さくすることができる。なお、画
素電極５３２５を、透明性をもつ材料および反射性をもつ材料の両方を用いて作成した場
合は、両者の利点を併せ持つ、半透過型の液晶表示装置を得ることができる。なお、画素
電極５３２５を、反射性をもつ材料で作製した場合は、画素電極５３２５の表面に凹凸を
持たせてもよい。こうすることで、反射光が乱反射するので、反射光の強度分布の角度依
存性が小さくなる利点がある。つまり、どの角度で見ても、一定の明るさを持った反射型
の液晶表示装置を得ることができる。
次に、図５４を参照して、横電界方式の液晶表示装置に、本発明を適用した場合を説明す
る。図５４は、液晶分子の配向が基板に対して常に水平であるようにスイッチングを行な
うために、横方向に電界をかける方式の液晶表示装置の画素構造のうち、画素電極５４２
５と共通電極５４２３に櫛歯状のパターン加工を施すことで、横方向に電界をかける方式
、いわゆるＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式に、本発明を適用した
場合の、画素の断面図と上面図である。図５４（Ａ）は、画素の断面図であり、図５４（
Ｂ）は、画素の上面図である。また、図５４の（Ａ）に示す画素の断面図は、図５４（Ｂ
）に示す画素の上面図における線分ａ−ａ’に対応している。図５４に示す画素構造の液
晶表示装置に本発明を適用することによって、原理的に視野角が大きく、応答速度の階調
依存性の小さい液晶表示装置を得ることができる。
図５４（Ａ）を参照して、ＩＰＳ方式の液晶表示装置の画素構造について説明する。液晶
表示装置は、液晶パネルと呼ばれる、画像を表示する基幹部分を有する。液晶パネルは、
加工を施した２枚の基板を、数μｍのギャップを持たせて貼り合わせ、２枚の基板間に液
晶材料を注入することで作製される。図５４（Ａ）において、２枚の基板は、第１の基板
５４０１、および第２の基板５４１６である。第１の基板には、ＴＦＴおよび画素電極を
作製し、また、第２の基板には、遮光膜５４１４、カラーフィルター５４１５、スペーサ
５４１７、および第２の配向膜５４１２を作製してもよい。
なお、本発明は、第１の基板５４０１にＴＦＴを作製しなくとも実施可能である。ＴＦＴ
を作製せずに本発明を実施する場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減するこ
とができる。また、構造が簡単であるので、歩留まりを向上させることができる。一方、
ＴＦＴを作製して本発明を実施する場合は、より大型の表示装置を得ることができる。
なお、図５４に示すＴＦＴは、非晶質半導体を用いたボトムゲート型のＴＦＴであり、大
面積の基板を用いて、安価に作製できるという利点がある。しかし、本発明はこれに限定
されるものではない。使用できるＴＦＴの構造は、ボトムゲート型のＴＦＴではチャネル
エッチ型、チャネル保護型などがある。また、トップゲート型でもよい。さらに、非晶質
半導体だけではなく、多結晶半導体も用いることができる。
なお、本発明は、第２の基板５４１６に遮光膜５４１４を作製しなくとも実施可能である
。遮光膜５４１４を作製せずに本発明を実施する場合は、工程数が減少するため、製造コ
ストを低減することができる。また、構造が簡単であるので、歩留まりを向上させること
ができる。一方、遮光膜５４１４を作製して本発明を実施する場合は、黒表示時に光漏れ
の少ない表示装置を得ることができる。
なお、本発明は、第２の基板５４１６にカラーフィルター５４１５を作製しなくとも実施
可能である。カラーフィルター５４１５を作製せずに本発明を実施する場合は、工程数が
減少するため、製造コストを低減することができる。また、構造が簡単であるので、歩留
まりを向上させることができる。一方、カラーフィルター５４１５を作製して本発明を実
施する場合は、カラー表示ができる表示装置を得ることができる。
なお、本発明は、第２の基板５４１６にスペーサ５４１７を作製せず、球状のスペーサを
散布することでも実施可能である。球状のスペーサを散布することで本発明を実施する場
合は、工程数が減少するため、製造コストを低減することができる。また、構造が簡単で
あるので、歩留まりを向上させることができる。一方、スペーサ５４１７を作製して本発
明を実施する場合は、スペーサの位置がばらつかないため、２枚の基板間の距離を一様に
することができ、表示ムラの少ない表示装置を得ることができる。
次に、第１の基板５４０１に施す加工については、図５１で説明した方法を用いてもよい
ため、省略する。ここで、第１の基板５４０１、第１の絶縁膜５４０２、第１の導電層５
４０３、第２の絶縁膜５４０４、第１の半導体層５４０５、第２の半導体層５４０６、第
２の導電層５４０７、第３の絶縁膜５４０８、第３の導電層５４０９、第１の配向膜５４
１０が、それぞれ、図５１における第１の基板５１０１、第１の絶縁膜５１０２、第１の
導電層５１０３、第２の絶縁膜５１０４、第１の半導体層５１０５、第２の半導体層５１
０６、第２の導電層５１０７、第３の絶縁膜５１０８、第３の導電層５１０９、第１の配
向膜５１１０、と対応する。なお、第１の基板５４０１側の第３の導電層５４０９にパタ
ーン加工を施し、互いにかみ合った２つの櫛歯状の形状に形成してもよい。また、一方の
櫛歯状の電極は、ＴＦＴ５４２４のソース端子またはドレイ端子の一方と電気的に接続さ
れ、他方の櫛歯状の電極は、共通電極５４２３と電気的に接続されていてもよい。こうす
ることで、液晶分子５４１８に効果的に横方向の電界をかけることができる。
以上のように作製した第１の基板５４０１と、遮光膜５４１４、カラーフィルター５４１
５、スペーサ５４１７、および第２の配向膜５４１２を作製した第２の基板５４１６を、
シール材によって数μｍのギャップを持たせて貼り合わせ、２枚の基板間に液晶材料を注
入することで、液晶パネルが作製できる。なお、図示しないが、第２の基板５４１６側に
、導電層を形成してもよい。第２の基板５４１６側に導電層を形成することで、外部から
の電磁波ノイズの影響を受けにくくすることができる。
次に、図５４に示す、ＩＰＳ方式の液晶パネルの画素構造の特徴について説明する。図５
４（Ａ）に示した液晶分子５４１８は、長軸と短軸を持った細長い分子である。液晶分子
５４１８の向きを示すため、図５４（Ａ）においては、その長さによって表現している。
すなわち、長く表現された液晶分子５４１８は、その長軸の向きが紙面に平行であり、短
く表現された液晶分子５４１８ほど、その長軸の向きが紙面の法線方向に近くなっている
とする。つまり、図５４（Ａ）に示した液晶分子５４１８は、その長軸の向きが常に基板
と水平の方向を向くように配向している。図５４（Ａ）においては、電界のない状態にお
ける配向を表しているが、液晶分子５４１８に電界がかかったときは、その長軸の向きが
常に基板と水平の方向を保ったまま、水平面内で回転する。この状態となることによって
、視野角の大きい液晶表示装置を得ることができる。
次に、図５４（Ｂ）を参照して、ＩＰＳ方式の液晶表示装置に本発明を適用した場合の、
画素のレイアウトの一例について説明する。本発明を適用したＩＰＳ方式の液晶表示装置
の画素は、走査線５４２１と、映像信号線５４２２と、共通電極５４２３と、ＴＦＴ５４
２４と、画素電極５４２５と、を備えていてもよい。
走査線５４２１は、ＴＦＴ５４２４のゲート端子と電気的に接続されるため、第１の導電
層５４０３で構成されているのが好適である。
映像信号線５４２２は、ＴＦＴ５４２４のソース端子またはドレイン端子と電気的に接続
されるため、第２の導電層５４０７で構成されているのが好適である。また、走査線５４
２１と映像信号線５４２２はマトリックス状に配置されるため、少なくとも、異なる層の
導電層で形成されるのが好適である。なお、図５４（Ｂ）に示すように、映像信号線５４
２２は、画素電極５４２５および共通電極５４２３の形状に合わせるように、画素内で屈
曲して形成されていてもよい。こうすることで、画素の開口率を大きくすることができる
ため、液晶表示装置の効率を向上させることができる。
共通電極５４２３は、画素電極５４２５と平行に配置されることで、横方向の電界を発生
させるための電極であり、第１の導電層５４０３および第３の導電層５４０９で構成され
ているのが好適である。なお、図５４（Ｂ）に示すように、共通電極５４２３は、映像信
号線５４２２に沿って、映像信号線５４２２を囲むように延設されていてもよい。こうす
ることで、映像信号線５４２２の電位変化に伴って、電位を保持するべき電極の電位が変
化してしまう現象、いわゆるクロストークを低減することができる。なお、映像信号線５
４２２との交差容量を低減させるため、図５４（Ｂ）に示すように、第１の半導体層５４
０５を共通電極５４２３と映像信号線５４２２の交差領域に設けてもよい。
ＴＦＴ５４２４は、映像信号線５４２２と画素電極５４２５を導通させるスイッチとして
動作する。なお、図５４（Ｂ）に示すように、ＴＦＴ５４２４のソース領域またはドレイ
ン領域のどちらか一方を、ソース領域またはドレイン領域の他方を囲むように配置しても
よい。こうすることで、小さい面積で大きなチャネル幅を得ることができ、スイッチング
能力を大きくすることができる。なお、図５４（Ｂ）に示すように、ＴＦＴ５４２４のゲ
ート端子は、第１の半導体層５４０５を囲むように配置してもよい。
画素電極５４２５は、ＴＦＴ５４２４のソース端子またはドレイン端子の一方に電気的に
接続される。画素電極５４２５は、映像信号線５４２２によって伝達された信号電圧を液
晶素子に与えるための電極である。また、共通電極５４２３と画素容量を形成してもよい
。こうすることで、映像信号線５４２２によって伝達された信号電圧を保持する役割も持
つことができる。なお、画素電極５４２５および櫛歯状の共通電極５４２３は、図５４（
Ｂ）に示すように、屈曲した櫛歯状の形状として形成するのが好適である。こうすること
で、液晶分子５４１８の配向が異なる複数の領域を形成することができるので、視野角の
大きな液晶表示装置を得ることができる。また、画素電極５４２５および櫛歯状の共通電
極５４２３を、透明性をもつ材料で作製した場合は、透過型の液晶表示装置を得ることが
できる。透過型の液晶表示装置は、色の再現性が高く、高い画質を持った映像を表示する
ことができる。また、画素電極５４２５および櫛歯状の共通電極５４２３を、反射性をも
つ材料で作製した場合は、反射型の液晶表示装置を得ることができる。反射型の液晶表示
装置は、屋外などの明るい環境下における視認性が高く、また、バックライトが不要なの
で、消費電力を非常に小さくすることができる。なお、画素電極５４２５および櫛歯状の
共通電極５４２３を、透明性をもつ材料および反射性をもつ材料の両方を用いて作成した
場合は、両者の利点を併せ持つ、半透過型の液晶表示装置を得ることができる。なお、画
素電極５４２５および櫛歯状の共通電極５４２３を、反射性をもつ材料で作製した場合は
、画素電極５４２５および櫛歯状の共通電極５４２３の表面に凹凸を持たせてもよい。こ
うすることで、反射光が乱反射するので、反射光の強度分布の角度依存性が小さくなる利
点がある。つまり、どの角度で見ても、一定の明るさを持った反射型の液晶表示装置を得
ることができる。
なお、櫛歯状の画素電極５４２５と、櫛歯状の共通電極５４２３は、ともに第３の導電層
５４０９で形成されるとしたが、本発明が適用できる画素構成は、これに限定されず、適
宜選択することができる。例えば、櫛歯状の画素電極５４２５と、櫛歯状の共通電極５４
２３を、ともに第２の導電層５４０７で形成してもよいし、ともに第１の導電層５４０３
で形成してもよいし、どちらか一方を第３の導電層５４０９で形成し、他方を第２の導電
層５４０７で形成してもよいし、どちらか一方を第３の導電層５４０９で形成し、他方を
第１の導電層５４０３で形成してもよいし、どちらか一方を第２の導電層５４０７で形成
し、他方を第１の導電層５４０３で形成してもよい。
次に、図５５を参照して、別の横電界方式の液晶表示装置に、本発明を適用した場合を説
明する。図５５は、液晶分子の配向が基板に対して常に水平であるようにスイッチングを
行なうために、横方向に電界をかける方式の液晶表示装置の別の画素構造を示す図である
。より詳細には、画素電極５５２５と共通電極５５２３のうち、どちらか一方に櫛歯状の
パターン加工を施し、他方は櫛歯状の形状に重なる領域に一様に電極を形成することで、
横方向に電界をかける方式、いわゆるＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈ
ｉｎｇ）方式に、本発明を適用した場合の、画素の断面図と上面図である。図５５（Ａ）
は、画素の断面図であり、図５５（Ｂ）は、画素の上面図である。また、図５５（Ａ）に
示す画素の断面図は、図５５（Ｂ）に示す画素の上面図における線分ａ−ａ’に対応して
いる。図５５に示す画素構造の液晶表示装置に本発明を適用することによって、原理的に
視野角が大きく、応答速度の階調依存性の小さい液晶表示装置を得ることができる。
図５５（Ａ）を参照して、ＦＦＳ方式の液晶表示装置の画素構造について説明する。液晶
表示装置は、液晶パネルと呼ばれる、画像を表示する基幹部分を有する。液晶パネルは、
加工を施した２枚の基板を、数μｍのギャップを持たせて貼り合わせ、２枚の基板間に液
晶材料を注入することで作製される。図５５（Ａ）において、２枚の基板は、第１の基板
５５０１、および第２の基板５５１６である。第１の基板には、ＴＦＴおよび画素電極を
作製し、また、第２の基板には、遮光膜５５１４、カラーフィルター５５１５、スペーサ
５５１７、および第２の配向膜５５１２を作製してもよい。
なお、本発明は、第１の基板５５０１にＴＦＴを作製しなくとも実施可能である。ＴＦＴ
を作製せずに本発明を実施する場合は、工程数が減少するため、製造コストを低減するこ
とができる。また、構造が簡単であるので、歩留まりを向上させることができる。一方、
ＴＦＴを作製して本発明を実施する場合は、より大型の表示装置を得ることができる。
なお、図５５に示すＴＦＴは、非晶質半導体を用いたボトムゲート型のＴＦＴであり、大
面積の基板を用いて、安価に作製できるという利点がある。しかし、本発明はこれに限定
されるものではない。使用できるＴＦＴの構造は、ボトムゲート型のＴＦＴではチャネル
エッチ型、チャネル保護型などがある。また、トップゲート型でもよい。さらに、非晶質
半導体だけではなく、多結晶半導体も用いることができる。
なお、本発明は、第２の基板５５１６に遮光膜５５１４を作製しなくとも実施可能である
。遮光膜５５１４を作製せずに本発明を実施する場合は、工程数が減少するため、製造コ
ストを低減することができる。また、構造が簡単であるので、歩留まりを向上させること
ができる。一方、遮光膜５５１４を作製して本発明を実施する場合は、黒表示時に光漏れ
の少ない表示装置を得ることができる。
なお、本発明は、第２の基板５５１６にカラーフィルター５５１５を作製しなくとも実施
可能である。カラーフィルター５５１５を作製せずに本発明を実施する場合は、工程数が
減少するため、製造コストを低減することができる。また、構造が簡単であるので、歩留
まりを向上させることができる。一方、カラーフィルター５５１５を作製して本発明を実
施する場合は、カラー表示ができる表示装置を得ることができる。
なお、本発明は、第２の基板５５１６にスペーサ５５１７を作製せず、球状のスペーサを
散布することでも実施可能である。球状のスペーサを散布することで本発明を実施する場
合は、工程数が減少するため、製造コストを低減することができる。また、構造が簡単で
あるので、歩留まりを向上させることができる。一方、スペーサ５５１７を作製して本発
明を実施する場合は、スペーサの位置がばらつかないため、２枚の基板間の距離を一様に
することができ、表示ムラの少ない表示装置を得ることができる。
次に、第１の基板５５０１に施す加工については、図５１で説明した方法を用いてもよい
ため、省略する。ここで、第１の基板５５０１、第１の絶縁膜５５０２、第１の導電層５
５０３、第２の絶縁膜５５０４、第１の半導体層５５０５、第２の半導体層５５０６、第
２の導電層５５０７、第３の絶縁膜５５０８、第３の導電層５５０９、第１の配向膜５５
１０が、それぞれ、図５１における第１の基板５１０１、第１の絶縁膜５１０２、第１の
導電層５１０３、第２の絶縁膜５１０４、第１の半導体層５１０５、第２の半導体層５１
０６、第２の導電層５１０７、第３の絶縁膜５１０８、第３の導電層５１０９、第１の配
向膜５１１０、と対応する。
ただし、図５１と異なる点は、第１の基板５５０１側に、第４の絶縁膜５５１９および第
４の導電層５５１３を形成してもよいという点である。より詳細には、第３の導電層５５
０９にパターン加工を施したあと、第４の絶縁膜５５１９を成膜し、パターン加工を施し
てコンタクトホールを形成した後、第４の導電層５５１３を成膜し、同様にパターン加工
を施した後、第１の配向膜５５１０を形成してもよい。なお、第４の絶縁膜５５１９およ
び第４の導電層５５１３に使用できる材料および加工方法は、第３の絶縁膜５５０８およ
び第３の導電層５５０９に用いるものと同様のものを用いることができる。また、櫛歯状
の電極は、ＴＦＴ５５２４のソース端子またはドレイン端子の一方と電気的に接続され、
一様な電極は、共通電極５５２３と電気的に接続されていてもよい。こうすることで、液
晶分子５５１８に効果的に横方向の電界をかけることができる。
以上のように作製した第１の基板５５０１と、遮光膜５５１４、カラーフィルター５５１
５、スペーサ５５１７、および第２の配向膜５５１２を作製した第２の基板５５１６を、
シール材によって数μｍのギャップを持たせて貼り合わせ、２枚の基板間に液晶材料を注
入することで、液晶パネルが作製できる。なお、図示しないが、第２の基板５５１６側に
、導電層を形成してもよい。第２の基板５５１６側に導電層を形成することで、外部から
の電磁波ノイズの影響を受けにくくすることができる。
次に、図５５に示す、ＦＦＳ方式の液晶パネルの画素構造の特徴について説明する。図５
５（Ａ）に示した液晶分子５５１８は、長軸と短軸を持った細長い分子である。液晶分子
５５１８の向きを示すため、図５５（Ａ）においては、その長さによって表現している。
すなわち、長く表現された液晶分子５５１８は、その長軸の向きが紙面に平行であり、短
く表現された液晶分子５５１８ほど、その長軸の向きが紙面の法線方向に近くなっている
とする。つまり、図５５（Ａ）に示した液晶分子５５１８は、その長軸の向きが常に基板
と水平の方向を向くように配向している。図５５（Ａ）においては、電界のない状態にお
ける配向を表しているが、液晶分子５５１８に電界がかかったときは、その長軸の向きが
常に基板と水平の方向を保ったまま、水平面内で回転する。この状態となることによって
、視野角の大きい液晶表示装置を得ることができる。
次に、図５５（Ｂ）を参照して、ＦＦＳ方式の液晶表示装置に本発明を適用した場合の、
画素のレイアウトの一例について説明する。本発明を適用したＦＦＳ方式の液晶表示装置
の画素は、走査線５５２１と、映像信号線５５２２と、共通電極５５２３と、ＴＦＴ５５
２４と、画素電極５５２５と、を備えていてもよい。
走査線５５２１は、ＴＦＴ５５２４のゲート端子と電気的に接続されるため、第１の導電
層５５０３で構成されているのが好適である。
映像信号線５５２２は、ＴＦＴ５５２４のソース端子またはドレイン端子と電気的に接続
されるため、第２の導電層５５０７で構成されているのが好適である。また、走査線５５
２１と映像信号線５５２２はマトリックス状に配置されるため、少なくとも、異なる層の
導電層で形成されるのが好適である。なお、図５５（Ｂ）に示すように、映像信号線５５
２２は、画素電極５５２５の形状に合わせるように、画素内で屈曲して形成されていても
よい。こうすることで、画素の開口率を大きくすることができるため、液晶表示装置の効
率を向上させることができる。
共通電極５５２３は、画素電極５５２５と平行に配置されることで、横方向の電界を発生
させるための電極であり、第１の導電層５５０３および第３の導電層５５０９で構成され
ているのが好適である。なお、図５５（Ｂ）に示すように、共通電極５５２３は、映像信
号線５５２２に沿った形状に形成されていてもよい。こうすることで、映像信号線５５２
２の電位変化に伴って、電位を保持するべき電極の電位が変化してしまう現象、いわゆる
クロストークを低減することができる。なお、映像信号線５５２２との交差容量を低減さ
せるため、図５５（Ｂ）に示すように、第１の半導体層５５０５を共通電極５５２３と映
像信号線５５２２の交差領域に設けてもよい。
ＴＦＴ５５２４は、映像信号線５５２２と画素電極５５２５を導通させるスイッチとして
動作する。なお、図５５（Ｂ）に示すように、ＴＦＴ５５２４のソース領域またはドレイ
ン領域のどちらか一方を、ソース領域またはドレイン領域の他方を囲むように配置しても
よい。こうすることで、小さい面積で大きなチャネル幅を得ることができ、スイッチング
能力を大きくすることができる。なお、図５５（Ｂ）に示すように、ＴＦＴ５５２４のゲ
ート端子は、第１の半導体層５５０５を囲むように配置してもよい。
画素電極５５２５は、ＴＦＴ５５２４のソース端子またはドレイン端子の一方に電気的に
接続される。画素電極５５２５は、映像信号線５５２２によって伝達された信号電圧を液
晶素子に与えるための電極である。また、共通電極５５２３と画素容量を形成してもよい
。こうすることで、映像信号線５５２２によって伝達された信号電圧を保持する役割も持
つことができる。なお、画素電極５５２５は、図５５の（Ｂ）に示すように、屈曲した櫛
歯状の形状として形成するのが好適である。こうすることで、液晶分子５５１８の配向が
異なる複数の領域を形成することができるので、視野角の大きな液晶表示装置を得ること
ができる。また、画素電極５５２５および櫛歯状の共通電極５５２３を、透明性をもつ材
料で作製した場合は、透過型の液晶表示装置を得ることができる。透過型の液晶表示装置
は、色の再現性が高く、高い画質を持った映像を表示することができる。また、画素電極
５５２５および櫛歯状の共通電極５５２３を、反射性をもつ材料で作製した場合は、反射
型の液晶表示装置を得ることができる。反射型の液晶表示装置は、屋外などの明るい環境
下における視認性が高く、また、バックライトが不要なので、消費電力を非常に小さくす
ることができる。なお、画素電極５５２５および櫛歯状の共通電極５５２３を、透明性を
もつ材料および反射性をもつ材料の両方を用いて作成した場合は、両者の利点を併せ持つ
、半透過型の液晶表示装置を得ることができる。なお、画素電極５５２５および櫛歯状の
共通電極５５２３を、反射性をもつ材料で作製した場合は、画素電極５５２５および櫛歯
状の共通電極５５２３の表面に凹凸を持たせてもよい。こうすることで、反射光が乱反射
するので、反射光の強度分布の角度依存性が小さくなる利点がある。つまり、どの角度で
見ても、一定の明るさを持った反射型の液晶表示装置を得ることができる。
なお、櫛歯状の画素電極５５２５は、第４の導電層５５１３で形成され、一様な共通電極
５５２３は、第３の導電層５５０９で形成されるとしたが、本発明が適用できる画素構成
は、これに限定されず、ある条件を満たしていれば、適宜選択することができる。より詳
細には、第１の基板５５０１から見て、櫛歯状の電極が、一様な電極より液晶に近いほう
に位置していればよい。なぜならば、横方向の電界は、櫛歯状の電極から見た場合、常に
、一様な電極とは逆方向に発生するからである。つまり、液晶に横電界をかけるためには
、櫛歯状の電極は、一様な電極よりも液晶よりに位置していなければならないからである
。
この条件を満たすには、例えば、櫛歯状の電極を第４の導電層５５１３で形成し、一様な
電極を第３の導電層５５０９で形成してもよいし、櫛歯状の電極を第４の導電層５５１３
で形成し、一様な電極を第２の導電層５５０７で形成してもよいし、櫛歯状の電極を第４
の導電層５５１３で形成し、一様な電極を第１の導電層５５０３で形成してもよいし、櫛
歯状の電極を第３の導電層５５０９で形成し、一様な電極を第２の導電層５５０７で形成
してもよいし、櫛歯状の電極を第３の導電層５５０９で形成し、一様な電極を第１の導電
層５５０３で形成してもよいし、櫛歯状の電極を第２の導電層５５０７で形成し、一様な
電極を第１の導電層５５０３で形成してもよい。なお、櫛歯状の電極は、ＴＦＴ５５２４
のソース領域またはドレイン領域の一方と電気的に接続され、一様な電極は、共通電極５
５２３と電気的に接続されるとしたが、この接続は、逆でもよい。その場合は、一様な電
極が画素ごとに独立して形成されていてもよい。
なお、本発明の液晶表示装置が有する液晶素子の動作モードは、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ
Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、Ｆ
ＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−
ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒ
ｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍ
ｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ
Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｅｎｄ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ
Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉ
ｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒ
ｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード等を自由に用いることができる。
液晶表示装置に上記実施の形態で示した表示装置の構成を適用することにより、トランジ
スタの特性劣化を抑制することができる。そのため、トランジスタの特性劣化が原因のシ
フトレジスタの誤動作を防止することができる。また、シフトレジスタの誤動作が原因の
液晶表示装置の表示不良を抑制することができる。
なお、本実施の形態で示した画素の構成は、本明細書中の他の実施の形態に示した表示装
置の構成と自由に組み合わせて実施することができる。また、本実施の形態で示した画素
の構成も自由に組み合わせて実施することができる。
（実施の形態１０）
本実施の形態では、実施の形態１乃至実施の形態８に示した表示装置が有する画素の一例
について、実施の形態９とは別の一例を説明する。
図６５（Ａ）の画素構成について説明する。図６５（Ａ）に示す画素回路は、容量素子６
５００、第１のトランジスタ６５０１、第２のトランジスタ６５０２及び表示素子６５２
１を有する。なお、画素は、第１の配線６５１１、第２の配線６５１２、第３の配線６５
１３に接続されている。また、表示素子６５２１は発光層が画素電極と対向電極６５２２
との間に挟持され、画素電極から対向電極６５２２に電流が流れるＥＬ素子を適用するこ
とができる。なお、第１の配線６５１１は信号線と呼んでもよい。また、第２の配線６５
１２は電源線と呼んでもよい。また、第３の配線６５１３は走査線と呼んでもよい。なお
、第１のトランジスタ６５０１は駆動トランジスタと呼んでもよい。また、第２のトラン
ジスタ６５０２は選択用トランジスタと呼んでもよい。
なお、表示素子６５２１として、ＥＬ素子などの発光素子を適用した場合について説明す
る。
なお、トランジスタ６５０１及びトランジスタ６５０２は、Ｎチャネル型のトランジスタ
を示しているが、Ｐチャネル型のトランジスタであってもよい。実施の形態１乃至実施の
形態４では、トランジスタ６５０１及びトランジスタ６５０２としてＮチャネル型のトラ
ンジスタを用いるほうが望ましい。なぜなら、トランジスタの半導体層として、アモルフ
ァスシリコンを用いることができるため、製造工程の簡略化を図ることができ、製造コス
トの削減や歩留まりの向上を図ることができるからである。さらに、大型の表示パネルな
どの半導体装置を作製することも可能となるからである。また、トランジスタの半導体層
として、ポリシリコンや単結晶シリコンを用いても製造工程の簡略化を図ることができる
。また、実施の形態５乃至実施の形態８では、トランジスタ６５０１及びトランジスタ６
５０２としてＰチャネル型のトランジスタを用いることが望ましい。なぜなら、製造工程
の簡略化を図ることができ、製造コストの削減や歩留まりの向上を図ることができるから
である。
なお、第１の配線６５１１は、図９、図１１、図１２及び図４４の表示装置に示した信号
線Ｓ１〜Ｓｍのいずれか一に相当する。第３の配線６５１３は、図９、図１１、図１２及
び図４４の表示装置に示した走査線Ｇ１〜Ｇｎのいずれか一に相当する。
なお、第２の配線６５１２は、図９、図１１、図１２及び図４４には図示していないが、
すでに述べたように必要に応じて図９、図１１、図１２及び図４４に追加するとよい。
第１のトランジスタ６５０１の第１端子は第２の配線６５１２に接続され、第２端子は表
示素子６５２１の画素電極に接続されている。第２のトランジスタ６５０２の第１端子は
第１の配線６５１１に接続され、第２端子は第１のトランジスタ６５０１のゲート端子に
接続され、ゲート端子は第３の配線６５１３に接続されている。容量素子６５００の第１
の電極は第２の配線６５１２に接続され、第２の電極は第１のトランジスタ６５０１のゲ
ート端子に接続されている。
なお、容量素子６５００は、第１のトランジスタ６５０１のゲート端子の電圧を保持する
役目をしている。よって、容量素子６５００は、第１のトランジスタ６５０１と第２の配
線６５１２との間に接続されているがこれに限定されない。容量素子６５００は、第１の
トランジスタ６５０１のゲート端子の電圧を保持できるように配置されていればよく、別
の（例えば、前行）の画素の第３の配線６５１３に接続されてもよい。また、容量素子６
５００は、第１のトランジスタ６５０１のゲート容量を用いることで、省略してもよい。
動作方法としては、第３の配線６５１３を選択し、第２のトランジスタ６５０２をオン状
態にして、第１の配線６５１１からビデオ信号を容量素子６５００及び第１のトランジス
タ６５０１のゲート端子に入力する。すると、第１のトランジスタ６５０１がゲートとソ
ース間の電圧に応じた電流を表示素子６５２１に流すことで、表示素子６５２１が発光す
る。
ところで、表示装置の階調を表現する駆動方式には、表示アナログ階調方式とデジタル階
調方式とがある。表示アナログ階調方式には、表示素子の発光強度をアナログ制御する方
式と表示素子の発光時間をアナログ制御する方式とがある。アナログ階調方式において表
示素子の発光強度をアナログ制御方式がよく用いられる。一方、デジタル階調方式はデジ
タル制御で表示素子をオンまたはオフさせ、階調を表現している。デジタル階調方式の場
合、デジタル信号で処理できるためノイズに強いというメリットがあるが、発光・非発光
の２状態しかないため、このままでは２階調しか表現できない。そこで、別の手法を組み
合わせて、多階調化を図ることが行われている。多階調化のための手法としては、画素の
発光面積に重みをつけてその選択により階調表示を行う面積階調方式と、発光時間に重み
をつけてその選択により階調表示を行う時間階調方式とがある。
このデジタル階調方式と時間階調方式とを組み合わせた場合、図６８に示すように、１フ
レーム期間を複数のサブフレーム期間（ＳＦｎ）に分割する。各サブフレーム期間は、初
期化期間、しきい値電圧書き込み期間及びデータ書き込み期間を有するアドレス期間（Ｔ
ａ）と、発光期間（Ｔｓ）とを有する。なお、サブフレーム期間は表示ビット数ｎに応じ
た数を１フレーム期間に設ける。また、１フレーム期間において各々のサブフレーム期間
における発光期間の長さの比を２（ｎ−１）：２（ｎ−２）：…：２：１とし、各発光期
間で表示素子の発光、もしくは非発光を選択し、表示素子が発光している１フレーム期間
中の合計時間の差を利用して階調表現を行う。１フレーム期間において、発光している合
計時間が長ければ輝度が高く、短ければ輝度が低くなる。なお、図６８においては４ビッ
ト階調の例を示しており、１フレーム期間は４つのサブフレーム期間に分割され、発光期
間の組み合わせによって、２４＝１６階調を表現できる。なお、発光期間の長さの比は、
特に２のべき乗の比としなくても、階調表現は可能である。また、あるサブフレーム期間
をさらに分割していても良い。
なお、上記のように時間階調方式を用いて多階調化を図る場合、下位ビットの発光期間の
長さは短いため、発光期間の終了後直ちに次のサブフレーム期間のデータ書き込み動作を
開始しようとすると、前のサブフレーム期間のデータ書き込み動作と重複してしまい、正
常な動作ができなくなる。そのため、図６５（Ｂ）のように、第３のトランジスタ６５０
３を第１のトランジスタ６５０１のゲート端子と第３の配線６５１３との間に設け、発光
期間の一部において第３のトランジスタ６５０３がオンし、強制的に第１のトランジスタ
６５０１をオフとなり、強制的に非発光状態を作り、非発光状態の期間（消去期間）を設
けることで、全行に要するデータ書き込み期間より短い発光も表現することができる。な
お、第３のトランジスタ６５０３のオン及びオフは第４の配線６５１４によって制御され
ている。よって、表示アナログ階調において特に有効であることはもちろんであるが、デ
ジタル階調方式と時間階調方式とを組み合わせた方式においても有効である。なお、非発
光状態に作るには表示素子に電流が流れなければ良いため、上述したように第１のトラン
ジスタ６５０１をオフさせる他、第２の配線６５１２の電位を下げたりすることで非発光
状態を得ることができる。また、第１のトランジスタ６５０１と第２の配線６５１２との
間に新たなスイッチを設け、そのスイッチを用いて第１のトランジスタ６５０１と第２の
配線６５１２とを非導通にすることで非発光状態を得ることもできる。また、第１のトラ
ンジスタ６５０１と表示素子６５２１の画素電極との間に新たにスイッチを設け、そのス
イッチを用いて表示素子６５２１への電流の供給を止めることで非発光状態を得ることも
できる。
次に、図６５とは別の画素の構成について、図６６を参照して説明する。
図６６の画素構成について説明する。図６６に示す画素回路は、容量素子６６００、第１
のトランジスタ６６０１、第２のトランジスタ６６０２、第３のトランジスタ６６０３及
び表示素子６６２１を有する。なお、画素は、第１の配線６６１１、第２の配線６６１２
、第３の配線６６１３及び第４の配線６６１４に接続されている。また、表示素子６６２
１は画素電極と対向電極６６２２との間に挟持され、画素電極から対向電極６６２２に電
流が流れるＥＬ素子を適用することができる。なお、第１の配線６６１１は信号線と呼ん
でもよい。また、第２の配線６６１２は電源線と呼んでもよい。また、第３の配線６６１
３及び第４の配線６６１４は、第１の走査線、第２の走査線と呼んでもよい。なお、第１
のトランジスタ６６０１は駆動トランジスタと呼んでもよい。また、第２のトランジスタ
６６０２及び第３のトランジスタ６６０３は、第１のスイッチング用トランジスタ、第２
のスイッチング用トランジスタと呼んでもよい。
なお、表示素子６６２１として、ＥＬ素子などの発光素子を適用した場合について説明す
る。
なお、第１のトランジスタ６６０１、第２のトランジスタ６６０２及び第３のトランジス
タ６６０３は、Ｎチャネル型のトランジスタを示しているが、Ｐチャネル型のトランジス
タであってもよい。実施の形態１乃至実施の形態４では、第１のトランジスタ６６０１、
第２のトランジスタ６６０２及び第３のトランジスタ６６０３としてＮチャネル型のトラ
ンジスタを用いるほうが望ましい。なぜなら、トランジスタの半導体層として、アモルフ
ァスシリコンを用いることができるため、製造工程の簡略化を図ることができ、製造コス
トの削減や歩留まりの向上を図ることができるからである。さらに、大型の表示パネルな
どの半導体装置を作製することも可能となるからである。また、トランジスタの半導体層
として、ポリシリコンや単結晶シリコンを用いても製造工程の簡略化を図ることができる
。また、実施の形態５乃至実施の形態８では、第１のトランジスタ６６０１、第２のトラ
ンジスタ６６０２及び第３のトランジスタ６６０３としてＰチャネル型のトランジスタを
用いることが望ましい。なぜなら、製造工程の簡略化を図ることができ、製造コストの削
減や歩留まりの向上を図ることができるからである。
なお、第１の配線６６１１は、図９、図１１、図１２及び図４４の表示装置に示した信号
線Ｓ１〜Ｓｍのいずれか一に相当する。第３の配線６６１３は、図９、図１１、図１２及
び図４４の表示装置に示した走査線Ｇ１〜Ｇｎのいずれか一に相当する。
なお、第２の配線６６１２、第４の配線６６１４は、図９、図１１、図１２及び図４４に
は図示していないが、すでに述べたように必要に応じて図９、図１１、図１２及び図４４
に追加するとよい。
第１のトランジスタ６６０１の第１端子は第２の配線６６１２に接続され、第２端子は表
示素子６６２１の画素電極に接続されている。第２のトランジスタ６６０２の第１端子は
第１の配線６６１１に接続され、第２端子は表示素子６６２１の画素電極に接続され、ゲ
ート端子は第３の配線６６１３に接続されている。第３のトランジスタ６６０３の第１端
子は第２の配線６６１２に接続され、第２端子は第１のトランジスタ６６０１のゲート端
子に接続され、ゲート端子は第４の配線６６１４に接続されている。容量素子６６００の
第１の電極は第１のトランジスタ６６０１のゲート端子に接続され、第２の電極は表示素
子６６２１の画素電極に接続されている。
駆動方法としては、第３の配線６６１３及び第４の配線６６１４を選択し、第２のトラン
ジスタ６６０２及び第３のトランジスタ６６０３をオン状態にし、第２の配線６６１２の
電位を対向電極６６２２と同じくらいの電位まで下げる。その後、第２の配線６６１２か
ら第１の配線６６１１にビデオ信号に応じた電流を流す（ビデオ信号を入力する）。する
と、第１のトランジスタ６６０１のゲート端子の電圧は、ビデオ信号に応じた値となり、
そのとき第１のトランジスタ６６０１のゲートとソース間の電圧（ゲート端子と第２端子
との電位差）が容量素子６６００に保持される。その後、第２のトランジスタ６６０２及
び第３のトランジスタ６６０３をオフとなり、第２の配線６６１２の電位を上昇させるこ
とで、表示素子６６２１に電流が流れ始める。このとき、第１のトランジスタ６６０１の
ゲートとソース間の電圧は容量素子６６００によってビデオ信号に応じた電位を保つため
、ビデオ信号の電流と表示素子６６２１に流れる電流とが同じ値となる。すると、表示素
子６６２１はビデオ信号に応じた輝度で発光する。
次に、図６６とは別の画素の構成について、図６７を参照して説明する。
図６７の画素構成について説明する。図６７に示す画素回路は、容量素子６７００、第１
のトランジスタ６７０１、第２のトランジスタ６７０２、第３のトランジスタ６７０３、
第４のトランジスタ６７０４及び表示素子６７２１を有する。なお、画素は、第１の配線
６７１１、第２の配線６７１２、第３の配線６７１３、第４の配線６７１４及び第５の配
線６７１５に接続されている。また、表示素子６７２１は発光層が画素電極と対向電極６
７２２との間に挟持され、画素電極から対向電極６７２２に電流が流れるＥＬ素子を適用
することができる。なお、第１の配線６７１１は信号線と呼んでもよい。また、第２の配
線６７１２は電源線と呼んでもよい。また、第３の配線６７１３及び第４の配線６７１４
は、第１の走査線、第２の走査線と呼んでもよい。また、第５の配線６７１５は保持容量
線と呼んでもよい。なお、第１のトランジスタ６７０１及び第２のトランジスタ６７０２
は第１の駆動トランジスタ、第２の駆動トランジスタと呼んでもよい。また、第３のトラ
ンジスタ６７０３及び第４のトランジスタ６７０４は、第１のスイッチング用トランジス
タ、第２のスイッチング用トランジスタと呼んでもよい。なお、第１のトランジスタ６７
０１及び第２のトランジスタ６７０２は対をなしており、いわゆるカレントミラーの構成
となっている。
なお、表示素子６７２１として、ＥＬ素子などの発光素子を適用した場合について説明す
る。
なお、第１のトランジスタ６７０１、第２のトランジスタ６７０２、第３のトランジスタ
６７０３及び第４のトランジスタ６７０４は、Ｎチャネル型のトランジスタを示している
が、Ｐチャネル型のトランジスタであってもよい。実施の形態１乃至実施の形態４では、
第１のトランジスタ６７０１、第２のトランジスタ６７０２、第３のトランジスタ６７０
３及び第４のトランジスタ６７０４としてＮチャネル型のトランジスタを用いるほうが望
ましい。なぜなら、トランジスタの半導体層として、アモルファスシリコンを用いること
ができるため、製造工程の簡略化を図ることができ、製造コストの削減や歩留まりの向上
を図ることができるからである。さらに、大型の表示パネルなどの半導体装置を作製する
ことも可能となるからである。また、トランジスタの半導体層として、ポリシリコンや単
結晶シリコンを用いても製造工程の簡略化を図ることができる。また、実施の形態５乃至
実施の形態８では、第１のトランジスタ６７０１、第２のトランジスタ６７０２、第３の
トランジスタ６７０３及び第４のトランジスタ６７０４としてＰチャネル型のトランジス
タを用いることが望ましい。なぜなら、製造工程の簡略化を図ることができ、製造コスト
の削減や歩留まりの向上を図ることができるからである。
なお、第１の配線６７１１は、図９、図１１、図１２及び図４４の表示装置に示した信号
線Ｓ１〜Ｓｍのいずれか一に相当する。第３の配線６７１３は、図９、図１１、図１２及
び図４４の表示装置に示した走査線Ｇ１〜Ｇｎのいずれか一に相当する。
なお、第２の配線６７１２、第４の配線６７１４、第５の配線６７１５は、図９、図１１
、図１２及び図４４には図示していないが、すでに述べたように必要に応じて図９、図１
１、図１２及び図４４に追加するとよい。
第１のトランジスタ６７０１の第１端子は第２の配線６７１２に接続され、第２端子は表
示素子６７２１の画素電極に接続されている。第２のトランジスタ６７０２の第１端子は
第３のトランジスタ６７０３の第２端子に接続され、第２端子は表示素子６７２１の画素
電極に接続されている。第３のトランジスタ６７０３の第１端子は第１のトランジスタ６
７０１のゲート端子及び第２のトランジスタ６７０２のゲート端子に接続され、ゲート端
子は第４の配線６７１４に接続されている。第４のトランジスタ６７０４の第１端子は第
１の配線６７１１に接続され、第２端子は第１のトランジスタ６７０１のゲート端子及び
第２のトランジスタ６７０２のゲート端子に接続され、ゲート端子は第３の配線６７１３
に接続されている。容量素子６７００の第１の電極は第５の配線６７１５に接続され、第
２の電極は第１のトランジスタ６７０１のゲート端子及び第２のトランジスタ６７０２の
ゲート端子に接続されている。
なお、容量素子６７００は、第１のトランジスタ６７０１のゲート端子及び第２のトラン
ジスタ６７０２のゲート端子の電圧を保持する役目をしている。よって、容量素子６７０
０は、第１のトランジスタ６７０１のゲート端子及び第２のトランジスタ６７０２のゲー
ト端子と第５の配線６７１５との間に接続されているがこれに限定されない。容量素子６
７００は、第１のトランジスタ６７０１のゲート端子及び第２のトランジスタ６７０２の
ゲート端子の電圧を保持できるように配置されていればよく、別の（例えば、前行）の画
素の第３の配線６７１３に接続されてもよい。また、容量素子６７００は、第１のトラン
ジスタ６７０１のゲート容量及び第２のトランジスタ６７０２のゲート容量を用いること
で、省略してもよい。
駆動方法としては、第３の配線６７１３及び第４の配線６７１４を選択し、第３のトラン
ジスタ６７０３及び第４のトランジスタ６７０４をオン状態にする。その後、第１の配線
６７１１から表示素子６７２１にビデオ信号に応じた電流を流す（ビデオ信号を入力する
）。すると、第１のトランジスタ６７０１のゲート端子及び第２のトランジスタ６７０２
のゲート端子の電圧は、ビデオ信号に応じた値となる。そして、第１のトランジスタ６７
０１のゲート端子及び第２のトランジスタ６７０２のゲート端子の電圧が容量素子６７０
０に保持される。その後、第３のトランジスタ６７０３及び第４のトランジスタ６７０４
がオフとなる。すると、第１のトランジスタ６７０１は、ビデオ信号に応じた電流を表示
素子６７２１に供給し、表示素子６７２１はビデオ信号に応じた輝度で発光する。
次に、図６５（Ａ）、（Ｂ）に示した画素の断面図について説明する。
図６９（Ａ）に、１つの画素に２つのＴＦＴを有する画素の素子のレイアウト例を示す。
また、図６９（Ａ）において、Ｘ−Ｘ’で示される部分の断面図を図６９（Ｂ）に示す。
なお、図６９（Ａ）のレイアウト例は、図６５（Ａ）に示した画素に適用することができ
る。
図６９（Ａ）に示すように、本発明における画素は、第１のＴＦＴ６９０５、第１の配
線６９０６、第２の配線６９０７、第２のＴＦＴ６９０８、第３の配線６９１１、対向電
極６９１２、コンデンサ６９１３、画素電極６９１５、隔壁６９１６、有機導電体膜６９
１７、有機薄膜６９１８、基板６９１９を有していてもよい。なお、第１のＴＦＴ６９０
５はスイッチング用ＴＦＴとして、第１の配線６９０６はゲート信号線として、第２の配
線６９０７はソース信号線として、第２のＴＦＴ６９０８は駆動用ＴＦＴとして、第３の
配線６９１１は電流供給線として、それぞれ用いられるのが好適である。
図６９（Ａ）に示すように、第１のＴＦＴ６９０５のゲート電極は、第１の配線６９０
６と電気的に接続され、第１のＴＦＴ６９０５のソース端子またはドレイン端子の一方は
、第２の配線６９０７と電気的に接続され、第１のＴＦＴ６９０５のソース端子またはド
レイン端子は、第２のＴＦＴ６９０８のゲート端子およびコンデンサ６９１３の一方の電
極と電気的に接続されているのが好適である。なお、第１のＴＦＴ６９０５のゲート電極
は、図６９（Ａ）に示すように、複数のゲート電極によって構成されていても良い。こう
することで、第１のＴＦＴ６９０５のオフ状態におけるリーク電流を低減することができ
る。
また、第２のＴＦＴ６９０８のソース端子またはドレイン端子の一方は、第３の配線６９
１１と電気的に接続され、第２のＴＦＴ６９０８のソース端子またはドレイン端子の他方
は、画素電極６９１５と電気的に接続されているのが好適である。こうすることで、画素
電極６９１５に流れる電流を、第２のＴＦＴ６９０８によって制御することができる。
画素電極６９１５上には、有機導電体膜６９１７が設けられ、さらに有機薄膜（有機化合
物層）６９１８が設けられていてもよい。有機薄膜（有機化合物層）６９１８上には、対
向電極６９１２が設けられていてもよい。なお、対向電極６９１２は、全ての画素で共通
に接続されるように、一面に形成されていてもよく、シャドーマスクなどを用いてパター
ン形成されていてもよい。
有機薄膜（有機化合物層）６９１８から発せられた光は、画素電極６９１５もしくは対
向電極６９１２のうちいずれかを透過して発せられる。このとき、図６９（Ｂ）において
、画素電極側、すなわちＴＦＴ等が形成されている側に光が発せられる場合を下面射出、
対向電極側に光が発せられる場合を上面射出と呼ぶ。
下面射出の場合、画素電極６９１５は透明導電膜によって形成されるのが好適である。
また、上面射出の場合、対向電極６９１２は透明導電膜によって形成されるのが好適であ
る。
また、カラー表示の発光装置においては、Ｒ・Ｇ・Ｂそれぞれの発光色を持つＥＬ素子
を塗り分けても良いし、単色のＥＬ素子を一面に塗り、カラーフィルターによってＲ・Ｇ
・Ｂの発光を得るようにしても良い。
なお、図６９に示した構成はあくまで一例であり、画素レイアウト、断面構成、ＥＬ素
子の電極の積層順等に関して、図６９に示した構成以外にも、様々な構成をとることがで
きる。また、発光層は、図示した有機薄膜で構成される素子の他に、ＬＥＤのような結晶
性の素子、無機薄膜で構成される素子など、様々な素子を用いることができる。
次に、図７０（Ａ）を参照して、１つの画素に３つのＴＦＴを有する画素の素子のレイア
ウト例について説明する。また、図７０（Ａ）において、Ｘ−Ｘ’で示される部分の断面
図を図７０（Ｂ）に示す。なお、図７０（Ａ）のレイアウト例は、図６５（Ｂ）に示した
画素に適用することができる。
図７０（Ａ）に示すように、本発明における画素は、基板７０００、第１の配線７００
１、第２の配線７００２、第３の配線７００３、第４の配線７００４、第１のＴＦＴ７０
０５、第２のＴＦＴ７００６、第３のＴＦＴ７００７、画素電極７００８、隔壁７０１１
、有機導電体膜７０１２、有機薄膜７０１３、対向電極７０１４、を有していてもよい。
なお、第１の配線７００１はソース信号線として、第２の配線７００２は書込用ゲート信
号線として、第３の配線７００３は消去用ゲート信号線として、第４の配線７００４は電
流供給線として、第１のＴＦＴ７００５はスイッチング用ＴＦＴとして、第２のＴＦＴ７
００６は消去用ＴＦＴとして、第３のＴＦＴ７００７は駆動用ＴＦＴとして、それぞれ用
いられるのが好適である。
図７０（Ａ）に示すように、第１のＴＦＴ７００５のゲート電極は、第２の配線７００
２と電気的に接続され、第１のＴＦＴ７００５のソース端子またはドレイン端子の一方は
、第１の配線７００１と電気的に接続され、第１のＴＦＴ７００５のソース端子またはド
レイン電極の端子は、第３のＴＦＴ７００７のゲート端子と電気的に接続されているのが
好適である。なお、第１のＴＦＴ７００５のゲート電極は、図７０（Ａ）に示すように、
複数のゲート電極によって構成されていても良い。こうすることで、第１のＴＦＴ７００
５のオフ状態におけるリーク電流を低減することができる。
また、第２のＴＦＴ７００６のゲート電極は、第３の配線７００３と電気的に接続され
、第２のＴＦＴ７００６のソース電極またはドレイン電極の一方は、第４の配線７００４
と電気的に接続され、第２のＴＦＴ７００６のソース電極またはドレイン電極の他方は、
第３のＴＦＴ７００７のゲート電極と電気的に接続されているのが好適である。なお、第
２のＴＦＴ７００６のゲート電極は、図７０（Ａ）に示すように、複数のゲート電極によ
って構成されていても良い。こうすることで、第２のＴＦＴ７００６のオフ状態における
リーク電流を低減することができる。
また、第３のＴＦＴ７００７のソース端子またはドレイン端子の一方は、第４の配線７０
０４と電気的に接続され、第３のＴＦＴ７００７のソース端子またはドレイン端子の他方
は、画素電極７００８と電気的に接続されているのが好適である。こうすることで、画素
電極７００８に流れる電流を、第３のＴＦＴ７００７によって制御することができる。
画素電極７００８上には、有機導電体膜７０１２が設けられ、さらに有機薄膜（有機化合
物層）７０１３が設けられていてもよい。有機薄膜（有機化合物層）７０１３上には、対
向電極７０１４が設けられていてもよい。なお、対向電極７０１４は、全ての画素で共通
に接続されるように、一面に形成されていてもよく、シャドーマスクなどを用いてパター
ン形成されていてもよい。
有機薄膜（有機化合物層）７０１３から発せられた光は、画素電極７００８もしくは対
向電極７０１４のうちいずれかを透過して発せられる。このとき、図７０（Ｂ）において
、画素電極側、すなわちＴＦＴ等が形成されている側に光が発せられる場合を下面射出、
対向電極側に光が発せられる場合を上面射出と呼ぶ。
下面射出の場合、画素電極７００８は透明導電膜によって形成されるのが好適である。
逆に、上面射出の場合、対向電極７０１４は透明導電膜によって形成されるのが好適であ
る。
また、カラー表示の発光装置においては、Ｒ・Ｇ・Ｂそれぞれの発光色を持つＥＬ素子
を塗り分けても良いし、単色のＥＬ素子を一面に形成し、カラーフィルターによってＲ・
Ｇ・Ｂの発光を得るようにしても良い。
なお、図７０に示した構成はあくまで一例であり、画素レイアウト、断面構成、ＥＬ素
子の電極の積層順等に関して、図７０に示した構成以外にも、様々な構成をとることがで
きる。また、発光層は、図示した有機薄膜で構成される素子の他に、ＬＥＤのような結晶
性の素子、無機薄膜で構成される素子など、様々な素子を用いることができる。
次に、図７１（Ａ）を参照して、１つの画素に４つのＴＦＴを有する画素の素子のレイア
ウト例について説明する。また、図７１（Ａ）において、Ｘ−Ｘ’で示される部分の断面
図を図７１（Ｂ）に示す。
図７１（Ａ）に示すように、本発明における画素は、基板７１００、第１の配線７１０
１、第２の配線７１０２、第３の配線７１０３、第４の配線７１０４、第１のＴＦＴ７１
０５、第２のＴＦＴ７１０６、第３のＴＦＴ７１０７、第４のＴＦＴ７１０８、画素電極
７１０９、第５の配線７１１１、第６の配線７１１２、隔壁７１２１、有機導電体膜７１
２２、有機薄膜７１２３、対向電極７１２４、を有していてもよい。なお、第１の配線７
１０１はソース信号線として、第２の配線７１０２は書込用ゲート信号線として、第３の
配線７１０３は消去用ゲート信号線として、第４の配線７１０４は逆方向バイアス用信号
線として、第１のＴＦＴ７１０５はスイッチング用ＴＦＴとして、第２のＴＦＴ７１０６
は消去用ＴＦＴとして、第３のＴＦＴ７１０７は駆動用ＴＦＴとして、第４のＴＦＴ７１
０８は逆方向バイアス用ＴＦＴとして、第５の配線７１１１は電流供給線として、第６の
配線７１１２は逆方向バイアス用電源線として、それぞれ用いられるのが好適である。
図７１（Ａ）に示すように、第１のＴＦＴ７１０５のゲート電極は、第２の配線７１０
２と電気的に接続され、第１のＴＦＴ７１０５のソース端子またはドレイン端子の一方は
、第１の配線７１０１と電気的に接続され、第１のＴＦＴ７１０５のソース端子またはド
レイン端子の他方は、第３のＴＦＴ７１０７のゲート電極と電気的に接続されているのが
好適である。なお、第１のＴＦＴ７１０５のゲート電極は、図７１（Ａ）に示すように、
複数のゲート電極によって構成されていても良い。こうすることで、第１のＴＦＴ７１０
５のオフ状態におけるリーク電流を低減することができる。
また、第２のＴＦＴ７１０６のゲート電極は、第３の配線７１０３と電気的に接続され
、第２のＴＦＴ７１０６のソース端子またはドレイン端子の一方は、第５の配線７１１１
と電気的に接続され、第２のＴＦＴ７１０６のソース端子またはドレイン端子の他方は、
第３のＴＦＴ７１０７のゲート電極と電気的に接続されているのが好適である。なお、第
２のＴＦＴ７１０６のゲート電極は、図７１（Ａ）に示すように、複数のゲート電極によ
って構成されていても良い。こうすることで、第２のＴＦＴ７１０６のオフ状態における
リーク電流を低減することができる。
また、第３のＴＦＴ７１０７のソース端子またはドレイン端子の一方は、第５の配線７１
１１と電気的に接続され、第３のＴＦＴ７１０７のソース端子またはドレイン端子の他方
は、画素電極７１０９と電気的に接続されているのが好適である。こうすることで、画素
電極７１０９に流れる電流を、第３のＴＦＴ７１０７によって制御することができる。
また、第４のＴＦＴ７１０８のゲート電極は、第４の配線７１０４と電気的に接続され、
第４のＴＦＴ７１０８のソース端子またはドレイン端子の一方は、第６の配線７１１２と
電気的に接続され、第４のＴＦＴ７１０８のソース電極またはドレイン電極の他方は、画
素電極７１０９と電気的に接続されているのが好適である。こうすることで、画素電極７
１０９の電位を、第４のＴＦＴ７１０８によって制御することができるので、有機導電体
膜７１２２および有機薄膜７１２３などで構成される発光素子に、逆方向のバイアスを印
加することができる。有機導電体膜７１２２および有機薄膜７１２３などで構成される発
光素子に逆方向のバイアスを印加することによって、発光素子の信頼性を大きく向上させ
ることができる。
たとえば、直流電圧（３．６５Ｖ）で駆動した場合の輝度半減時間が４００時間程度であ
る発光素子を、交流電圧（順方向バイアス：３．７Ｖ、逆方向バイアス：１．７Ｖ、デュ
ーティ比５０％、交流周波数６０Ｈｚ）で駆動すると、輝度半減時間は７００時間以上と
なることがわかっている。
次に、画素電極７１０９上には、有機導電体膜７１２２が設けられ、さらに有機薄膜（有
機化合物層）７１２３が設けられていてもよい。有機薄膜（有機化合物層）７１２３上に
は、対向電極７１２４が設けられていてもよい。なお、対向電極７１２４は、全ての画素
で共通に接続されるように、一面に形成されていてもよく、シャドーマスクなどを用いて
パターン形成されていてもよい。
有機薄膜（有機化合物層）７１２３から発せられた光は、画素電極７１０９もしくは対
向電極７１２４のうちいずれかを透過して発せられる。このとき、図７１（Ｂ）において
、画素電極側、すなわちＴＦＴ等が形成されている側に光が発せられる場合を下面射出、
対向電極側に光が発せられる場合を上面射出と呼ぶ。
下面射出の場合、画素電極７１０９は透明導電膜によって形成されるのが好適である。
逆に、上面射出の場合、対向電極７１２４は透明導電膜によって形成されるのが好適であ
る。
また、カラー表示の発光装置においては、Ｒ・Ｇ・Ｂそれぞれの発光色を持つＥＬ素子
を塗り分けても良いし、単色のＥＬ素子を一面に形成し、カラーフィルターによってＲ・
Ｇ・Ｂの発光を得るようにしても良い。
なお、図７１に示した構成はあくまで一例であり、画素レイアウト、断面構成、ＥＬ素
子の電極の積層順等に関して、図７１に示した構成以外にも、様々な構成をとることがで
きる。また、発光層は、図示した有機薄膜で構成される素子の他に、ＬＥＤのような結晶
性の素子、無機薄膜で構成される素子など、様々な素子を用いることができる。
次に、本発明に適用できるＥＬ素子の構造について説明する。
本発明に適用できるＥＬ素子は、正孔注入材料からなる正孔注入層、正孔輸送材料から
なる正孔輸送層、発光材料からなる発光層、電子輸送材料からなる電子輸送層、電子注入
材料からなる電子注入層等が、明確に区別されるような積層構造ではなく、正孔注入材料
、正孔輸送材料、発光材料、電子輸送材料、電子注入材料等の材料のうち、複数の材料が
混合された層（混合層）を有する構成（以下、混合接合型のＥＬ素子と表記する）でもよ
い。
混合接合型のＥＬ素子の構造を示す模式図を、図７２に示す。図７２において、７２０
１はＥＬ素子の陽極である。７２０２はＥＬ素子の陰極である。陽極７２０１と陰極７２
０２の間に挟まれた層が、ＥＬ層に相当する。
図７２（Ａ）において、ＥＬ層は、正孔輸送材料からなる正孔輸送領域７２０３と、電
子輸送材料からなる電子輸送領域７２０４とを含み、正孔輸送領域７２０３は電子輸送領
域７２０４よりも陽極側に位置し、且つ、正孔輸送領域７２０３と、電子輸送領域７２０
４の間に、正孔輸送材料及び電子輸送材料の両方を含む混合領域７２０５が設けられた構
成とすることができる。
なお、このとき、陽極７２０１から陰極７２０２の方向に、混合領域７２０５内の正孔
輸送材料の濃度は減少し、混合領域７２０５内の電子輸送材料の濃度は増加することを特
徴としても良い。
なお、上記構成において、正孔輸送材料のみからなる正孔輸送領域７２０３が存在せず
、正孔輸送材料及び電子輸送材料の両方を含む混合領域７２０５内部で各機能材料の濃度
の割合が変化する（濃度勾配を有する）構成であってもよい。また、正孔輸送材料のみか
らなる正孔輸送領域７２０３及び電子輸送材料のみからなる電子輸送領域７２０４が存在
せず、正孔輸送材料及び電子輸送材料の両方を含む混合領域７２０５内部で各機能材料の
濃度の割合が変化する（濃度勾配を有する）構成であってもよい。また、濃度の割合は、
陽極や陰極からの距離に依存して変化する構成であってもよい。更に、濃度の割合の変化
は連続的であってもよい。濃度勾配の設定の仕方は、自由に設定することが可能である。
混合領域７２０５内に、発光材料が添加された領域７２０６を有する。発光材料によっ
て、ＥＬ素子の発光色を制御することができる。また、発光材料によって、キャリアをト
ラップすることができる。発光材料としては、キノリン骨格を含む金属錯体、ベンゾオキ
サドール骨格を含む金属錯体、ベンゾチアゾ−ル骨格を含む金属錯体等の他、各種蛍光色
素を用いることができる。これらの発光材料を添加することによって、ＥＬ素子の発光色
を制御することができる。
陽極７２０１としては、効率よく正孔を注入するため、仕事関数の大きな電極材料を用
いることが好ましい。例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）や、亜鉛ドープ酸化イ
ンジウム（ＩＺＯ）、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３等の透明電極を用いることができる
。また、透光性を有する必要が無いならば、陽極７２０１は、不透明の金属材料でもよい
。
また、正孔輸送材料としては、芳香族アミン系の化合物等を用いることができる。
また、電子輸送材料としては、キノリン誘導体、８−キノリノールまたはその誘導体を
配位子とする金属錯体（特に、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３））
等を用いることができる。
陰極７２０２としては、効率よく電子を注入するため、仕事関数の小さな電極材料を用
いることが好ましい。アルミニウム、インジウム、マグネシウム、銀、カルシウム、バリ
ウム、リチウム等の金属を単体で用いることができる。また、これらの金属の合金であっ
ても良いし、これらの金属と他の金属との合金であっても良い。
図７２（Ａ）とは異なる構成のＥＬ素子の模式図を図７２（Ｂ）に示す。なお、図７２
（Ａ）と同じ部分は同じ符号を用いて示し、説明は省略する。
図７２（Ｂ）では、発光材料が添加された領域を有さない。しかし、電子輸送領域７２
０４に添加する材料として、電子輸送性及び発光性の両方を有する材料（電子輸送発光材
料）、例えば、トリス（８−キノリノライト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を用いる構成と
し、発光を行うことができる。
または、正孔輸送領域７２０３に添加する材料として、正孔輸送性及び発光性の両方を
有する材料（正孔輸送発光材料）を用いてもよい。
図７２（Ａ）及び図７２（Ｂ）とは異なる構成のＥＬ素子の模式図を図７２（Ｃ）に示
す。なお、図７２（Ａ）及び図７２（Ｂ）と同じ部分は同じ符号を用いて示し、説明は省
略する。
図７２（Ｃ）において、正孔輸送材料に比べて最高被占分子軌道と最低空分子軌道との
エネルギー差が大きい正孔ブロッキング性材料が、混合領域７２０５内に添加された領域
７２０７を有する。正孔ブロッキング性材料が添加された領域７２０７を、混合領域７２
０５内の発光材料が添加された領域７２０６より陰極７２０２側に配置することによって
、キャリアの再結合率を上げ、発光効率を上げることができる。上記、正孔ブロッキング
性材料が添加された領域７２０７を設ける構成は、特に、三重項励起子のよる発光（燐光
）を利用するＥＬ素子において有効である。
図７２（Ａ）、図７２（Ｂ）及び図７２（Ｃ）とは異なる構成のＥＬ素子の模式図を図
７２（Ｄ）に示す。なお、図７２（Ａ）、図７２（Ｂ）及び図７２（Ｃ）と同じ部分は同
じ符号を用いて示し、説明は省略する。
図７２（Ｄ）において、電子輸送材料に比べて最高被占分子軌道と最低空分子軌道との
エネルギー差が大きい電子ブロッキング性材料が、混合領域７２０５内に添加された領域
７２０８を有する。電子ブロッキング性材料が添加された領域７２０８を、混合領域７２
０５内の発光材料が添加された領域７２０６より陽極７２０１側に配置することによって
、キャリアの再結合率を上げ、発光効率を上げることができる。上記、電子ブロッキング
性材料が添加された領域７２０８を設ける構成は、特に、三重項励起子のよる発光（燐光
）を利用するＥＬ素子において有効である。
図７２（Ｅ）は、図７２（Ａ）、図７２（Ｂ）、図７２（Ｃ）および図７２（Ｄ）とは
異なる混合接合型のＥＬ素子の構成を示す模式図である。図７２（Ｅ）では、ＥＬ素子の
電極に接するＥＬ層の部分に、金属材料を添加した領域７２０９を有する構成の例を示す
。図７２（Ｅ）において、図７２（Ａ）〜図７２（Ｄ）と同じ部分は同じ符号を用いて示
し説明は省略する。図７２（Ｅ）に示す構成は、たとえば、陰極７２０２としてＭｇＡｇ
（Ｍｇ―Ａｇ合金）を用い、電子輸送材料が添加された領域７２０４の、陰極７２０２に
接する領域にＡｌ（アルミニウム）合金を添加した領域７２０９を有する構成であっても
よい。上記構成によって、陰極の酸化を防止し、且つ、陰極からの電子の注入効率を高め
ることができる。こうして、混合接合型のＥＬ素子では、その寿命を長くすることができ
る。また、駆動電圧も低くすることができる。
上記混合接合型のＥＬ素子を作製する手法としては、共蒸着法等を用いることができる
。
図７２（Ａ）〜図７２（Ｅ）に示したような混合接合型のＥＬ素子では、明確な層の界
面が存在せず、電荷の蓄積を低減することができる。こうして、その寿命を長くすること
ができる。また、駆動電圧も低くすることができる。
なお、図７２（Ａ）〜図７２（Ｅ）に示した構成は、自由に組み合わせて実施すること
が可能である。
なお、混合接合型のＥＬ素子の構成は、これに限定されない。公知の構成を自由に用い
ることができる。
なお、ＥＬ素子のＥＬ層を構成する有機材料としては、低分子材料でも高分子材料でもよ
い。また、これらの材料を両方用いてもよい。有機化合物材料として低分子材料を用いる
場合は、蒸着法によって成膜することができる。一方、ＥＬ層として高分子材料を用いる
場合では、高分子材料を溶媒に溶かし、スピン塗布法やインクジェット方式で成膜するこ
とができる。
また、ＥＬ層は、中分子材料によって構成されていても良い。本明細書中において、中
分子系有機発光材料とは、昇華性を有さず、かつ、重合度が２０程度以下の有機発光材料
を示すものとする。ＥＬ層として中分子材料を用いる場合では、インクジェット方式等で
成膜することができる。
なお、低分子材料と、高分子材料と、中分子材料とを組み合わせて用いても良い。
また、ＥＬ素子は、一重項励起子からの発光（蛍光）を利用するものでも、三重項励起
子からの発光（燐光）を利用するものでも、どちらでも良い。
次に、本発明が適用できる表示装置を製造するための蒸着装置について、図面を参照し
て説明する。
本発明が適用できる表示装置は、ＥＬ層を形成して製造されてもよい。ＥＬ層は、エレ
クトロルミネセンスを発現する材料を少なくとも一部に含んで形成される。ＥＬ層は機能
の異なる複数の層で構成されても良い。その場合、ＥＬ層は、正孔注入輸送層、発光層、
電子注入輸送層などとも呼ばれる機能の異なる層が組み合わさって構成されていてもよい
。
トランジスタが形成された素子基板に、ＥＬ層を形成するための蒸着装置の構成を図７
３に示す。この蒸着装置は、搬送室７３６０、７３６１に複数の処理室を連結している。
処理室には、基板を供給するロード室７３６２、基板を回収するアンロード室７３６３、
その他、加熱処理室７３６８、プラズマ処理室７３７２、ＥＬ材料を蒸着する成膜処理室
７３６９、７３７０、７３７１、７３７３、７３７４、７３７５、ＥＬ素子の一方の電極
として、アルミニウム若しくはアルミニウムを主成分とする導電膜を形成する成膜処理室
７３７６を含んでいる。また、搬送室と各処理室の間にはゲートバルブ７３７７ａ〜７３
７７ｌが設けられていて、各処理室の圧力は独立して制御可能とされており、処理室間の
相互汚染を防いでいる。
ロード室７３６２から搬送室７３６０に導入された基板は、回転自在に設けられたアー
ム方式の搬送手段７３６６により、所定の処理室へ搬入される。また、基板は搬送手段７
３６６により、ある処理室から他の処理室へ搬送される。搬送室７３６０と搬送室７３６
１とは成膜処理室７３７０で連結され、ここで搬送手段７３６６と搬送手段７３６７によ
り基板の受け渡しを行う。
搬送室７３６０及び搬送室７３６１に連結する各処理室は減圧状態に保持されている。
従って、この蒸着装置では、基板は大気に触れることなく連続してＥＬ層の成膜処理が行
われる。ＥＬ層の成膜処理が終わった表示パネルは、水蒸気などにより劣化する場合があ
るので、この蒸着装置では、品質を保持するために大気に触れさせる前に封止処理を行う
ための封止処理室７３６５が搬送室７３６１に連結されている。封止処理室７３６５は大
気圧若しくはそれに近い減圧下におかれているので、搬送室７３６１と封止処理室７３６
５の間にも中間処理室７３６４が備えられている。中間処理室７３６４は基板の受け渡し
と、室間の圧力を緩衝するために設けられている。
ロード室、アンロード室、搬送室及び成膜処理室には室内を減圧に保持するための排気
手段が備えられている。排気手段としては、ドライポンプ、ターボ分子ポンプ、拡散ポン
プなど各種の真空ポンプを用いることができる。
図７３の蒸着装置において、搬送室７３６０及び搬送室７３６１に連結される処理室の
数やその構成は、ＥＬ素子の積層構造に応じて適宜組み合わせることができる。以下に、
その組み合わせの一例を示す。
加熱処理室７３６８は、最初に下部電極や絶縁隔壁等が形成された基板を加熱して脱ガ
ス処理を行う。プラズマ処理室７３７２は、下地電極表面を希ガスや酸素プラズマ処理を
行う。このプラズマ処理は、表面を清浄化、表面状態の安定化、表面の物理的若しくは化
学的状態（例えば、仕事関数など）を安定化させるために行う。
成膜処理室７３６９は、ＥＬ素子の一方の電極と接触する電極バッファ層を形成する処
理室である。電極バッファ層はキャリア注入性（正孔注入若しくは電子注入）があり、Ｅ
Ｌ素子の短絡や暗点欠陥の発生を抑制する層である。代表的には、電極バッファ層は、有
機無機混合材料であって、抵抗率が５×１０４〜１×１０６Ωｃｍであり、３０〜３００
ｎｍの厚さに形成される。また、成膜処理室７３７１は正孔輸送層を成膜する処理室であ
る。
ＥＬ素子における発光層は、単色発光をする場合と白色発光をする場合とで、その構成
が異なる。蒸着装置において成膜処理室もそれに応じて配置することが好ましい。例えば
、表示パネルに発光色が異なる三種類のＥＬ素子を形成する場合には、各発光色に対応し
た発光層を成膜する必要がある。この場合、成膜処理室７３７０を第１の発光層の成膜用
として、成膜処理室７３７３を第２の発光層の成膜用として、成膜処理室７３７４を第３
の発光層の成膜用として用いることができる。発光層ごとに成膜処理室を分けることで、
異なる発光材料による相互汚染を防止することができ、成膜処理のスループットを向上さ
せることが出来る。
また、成膜処理室７３７０、成膜処理室７３７３、成膜処理室７３７４のそれそれで、
発光色が異なる三種類のＥＬ材料を順次蒸着しても良い。この場合、シャドーマスクを使
い、蒸着する領域に応じて当該マスクをずらして蒸着を行うことになる。
白色発光するＥＬ素子を形成する場合には、異なる発光色の発光層を縦積みにして形成
する。その場合にも、素子基板が成膜処理室を順次移動して、発光層ごとに成膜すること
ができる。また、同じ成膜処理室で異なる発光層を連続して成膜することもできる。
成膜処理室７３７６では、ＥＬ層の上に電極を成膜する。電極の形成は、電子ビーム蒸
着法やスパッタリング法を適用することもできるが、好ましくは抵抗加熱蒸着法を用いる
ことが好ましい。
電極の形成まで終了した素子基板は、中間処理室７３６４を経て封止処理室７３６５に
搬入される。封止処理室７３６５は、ヘリウム、アルゴン、ネオン、若しくは窒素などの
不活性な気体が充填されており、その雰囲気下で素子基板のＥＬ層が形成された側に封止
板を貼り付けて封止する。封止された状態において、素子基板と封止板との間には、不活
性気体が充填されていても良いし、樹脂材料を充填しておいても良い。封止処理室７３６
５には、シール材を描画するディスペンサーや、素子基板に対向して封止板を固定する固
定ステージやアームなどの機械的要素、樹脂材料を充填するディスペンサー若しくはスピ
ンコーターなどが備えられている。
図７４は、成膜処理室の内部構成を示す。成膜処理室は減圧下に保たれていて、図７４
では天板７４９１と底板７４９２で挟まれる内側が室内であり、減圧状態に保たれる室内
を示している。
処理室内には、一つ又は複数個の蒸発源が備えられている。組成の異なる複数の層を成
膜する場合や、異なる材料を共蒸着する場合は、複数個の蒸発源を設けることが好ましい
からである。図７４では、蒸発源７４８１ａ、７４８１ｂ、７４８１ｃが蒸発源ホルダ７
４８０に装着されている。蒸発源ホルダ７４８０は多関節アーム７４８３によって保持さ
れている。多関節アーム７４８３は関節の伸縮によって、蒸発源ホルダ７４８０の位置を
その可動範囲内で自在に移動可能としている。また、蒸発源ホルダ７４８０に距離センサ
ー７４８２を設け、蒸発源７４８１ａ〜７４８１ｃと基板７４８９との間隔をモニターし
て、蒸着時における最適な間隔を制御しても良い。その場合には、多関節アームは上下方
向（Ｚ方向）にも変位する多関節アームとしても良い。
基板ステージ７４８６と基板チャック７４８７は一対となって基板７４８９を固定する
。基板ステージ７４８６はヒータを内蔵させて基板７４８９を加熱できるように構成して
も良い。基板７４８９は、基板チャック７４８７により、基板ステージ７４８６に固定さ
れまた搬出入される。蒸着に際しては、必要に応じて蒸着するパターンに対応して開口部
を備えたシャドーマスク７４９０を用いることもできる。その場合、シャドーマスク７４
９０は、基板７４８９と蒸発源７４８１ａ〜７４８１ｃの間に配置されるようにする。シ
ャドーマスク７４９０はマスクチャック７４８８により、基板７４８９と密着若しくは一
定の間隔を持って固定される。シャドーマスク７４９０のアライメントが必要な場合には
、処理室内にカメラを配置し、マスクチャック７４８８にＸ−Ｙ−θ方向に微動する位置
決め手段を備えることで、その位置合わせを行う。
蒸発源７４８１には、蒸着材料を蒸発源に連続して供給する蒸着材料供給手段が付加さ
れている。蒸着材料供給手段は、蒸発源７４８１と離れた位置に配置される材料供給源７
４８５ａ、７４８５ｂ、７４８５ｃと、その両者の間を繋ぐ材料供給管７４８４を有して
いる。典型的には、材料供給源７４８５ａ、７４８５ｂ、７４８５ｃは蒸発源７４８１に
対応して設けられている。図７４の場合は、材料供給源７４８５ａと蒸発源７４８１ａが
対応している。材料供給源７４８５ｂと蒸発源７４８１ｂ、材料供給源７４８５ｃと蒸発
源７４８１ｃについても同様である。
蒸着材料の供給方式には、気流搬送方式、エアロゾル方式などが適用できる。気流搬送
方式は、蒸着材料の微粉末を気流に乗せて搬送するもので、不活性ガスなどを用いて蒸発
源７４８１に搬送する。エアロゾル方式は、蒸着材料を溶剤中に溶解または分散させた原
料液を搬送し、噴霧器によりエアロゾル化し、エアロゾル中の溶媒を気化させながら行う
蒸着である。いずれの場合にも、蒸発源７４８１には加熱手段が設けられ、搬送された蒸
着材料を蒸発させて基板７４８９に成膜する。図７４の場合、材料供給管７４８４は柔軟
に曲げることができ、減圧状態下においても変形しない程度の剛性を持った細管で構成さ
れている。
気流搬送方式やエアロゾル方式を適用する場合には、成膜処理室内を大気圧若しくはそ
れ以下であって、好ましくは１３３Ｐａ〜１３３００Ｐａの減圧下で成膜を行えば良い。
成膜処理室内にはヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン、若しくは窒素な
どの不活性気体を充填し、または当該気体を供給しながら（同時に排気しながら）、圧力
の調節を行うことができる。また、酸化膜を形成する成膜処理室では、酸素、亜酸化窒素
などの気体を導入して酸化雰囲気としておいても良い。また、有機材料を蒸着する成膜処
理室内には水素などの気体を導入して還元雰囲気にしておいても良い。
その他の蒸着材料の供給方法として、材料供給管７４８４の中にスクリューを設け蒸着
材料を蒸発源に向けて連続的に押し出す構成としても良い。
この蒸着装置によれば、大画面の表示パネルであっても、均一性良く、連続して成膜す
ることができる。また、蒸発源に蒸着材料が無くなる度に、その都度蒸着材料を補給する
必要がないので、スループットを向上することができる。
（実施の形態１１）
本実施の形態では、実施の形態１乃至実施の形態８に示した表示装置が有する信号線駆動
回路について説明する。
図５６の信号線駆動回路について説明する。図５６に示す信号線駆動回路は、ドライバＩ
Ｃ５６０１、スイッチ群５６０２＿１〜５６０２＿Ｍ、第１の配線５６１１、第２の配線
５６１２、第３の配線５６１３及び配線５６２１＿１〜５６２１＿Ｍを有する。また、ス
イッチ群５６０２＿１〜５６０２＿Ｍそれぞれは、第１のスイッチ５６０３ａ、第２のス
イッチ５６０３ｂ及び第３のスイッチ５６０３ｃを有する。
ドライバＩＣ５６０１は第１の配線５６１１、第２の配線５６１２、第３の配線５６１３
及び配線５６２１＿１〜５６２１＿Ｍに接続されている。そして、スイッチ群５６０２＿
１〜５６０２＿Ｍそれぞれは、第１の配線５６１１、第２の配線５６１２、第３の配線５
６１３及びスイッチ群５６０２＿１〜５６０２＿Ｍそれぞれに対応した配線５６２１＿１
〜５６２１＿Ｍのうちいずれかに接続されている。そして、配線５６２１＿１〜５６２１
＿Ｍそれぞれは、第１のスイッチ５６０３ａ、第２のスイッチ５６０３ｂ及び第３のスイ
ッチ５６０３ｃを介して、３つの信号線に接続されている。例えば、Ｊ列目の配線５６２
１＿Ｊ（配線５６２１＿１〜配線５６２１＿Ｍのうちいずれか一）は、スイッチ群５６０
２＿Ｊが有する第１のスイッチ５６０３ａ、第２のスイッチ５６０３ｂ及び第３のスイッ
チ５６０３ｃを介して、信号線Ｓｊ−１、信号線Ｓｊ、信号線Ｓｊ＋１に接続されている
。
なお、ドライバＩＣ５６０１は、単結晶基板若しくは多結晶半導体を用いたガラス基板上
に形成されていることが望ましい。また、スイッチ群５６０２＿１〜５６０２＿Ｍは、実
施の形態１乃至実施の形態８に示した画素部と同一基板上に形成されていることが望まし
い。したがって、ドライバＩＣ５６０１とスイッチ群５６０２＿１〜５６０２＿ＭとはＦ
ＰＣなどを介して接続するとよい。
次に、図５６に示した信号線駆動回路の動作について、図５７のタイミングチャートを参
照して説明する。なお、図５７のタイミングチャートは、ｉ行目の走査線Ｇｉが選択され
ている場合のタイミングチャートを示している。また、ｉ行目の走査線Ｇｉの選択期間は
、第１のサブ選択期間Ｔ１、第２のサブ選択期間Ｔ２及び第３のサブ選択期間Ｔ３に分割
されている。なお、図５６の信号線駆動回路は、他の行の走査線が選択されている場合で
も図５７と同様の動作をする。
なお、第１の配線５６１１、第２の配線５６１２及び第３の配線５６１３には信号が入力
されている。第１の配線５６１１に入力される信号によって第１のスイッチ５６０３ａの
オン及びオフが制御される。第２の配線５６１２に入力される信号によって第２のスイッ
チ５６０３ｂのオン及びオフが制御される。第３の配線５６１３に入力される信号によっ
て、第３のスイッチ５６０３ｃのオン及びオフが制御される。
なお、図５７のタイミングチャートは、Ｊ列目の配線５６２１＿Ｊが第１のスイッチ５６
０３ａ、第２のスイッチ５６０３ｂ及び第３のスイッチ５６０３ｃを介して、信号線Ｓｊ
−１、信号線Ｓｊ、信号線Ｓｊ＋１に接続されている場合について示している。
なお、図５７のタイミングチャートは、ｉ行目の走査線Ｇｉが選択されるタイミング、第
１のスイッチ５６０３ａのオン及びオフのタイミング５７０３ａ、第２のスイッチ５６０
３ｂのオン及びオフのタイミング５７０３ｂ、第３のスイッチ５６０３ｃのオン及びオフ
のタイミング５７０３ｃ及びＪ列目の配線５６２１＿Ｊに入力される信号５７２１＿Ｊを
示している。
なお、配線５６２１＿１〜配線５６２１＿Ｍには第１のサブ選択期間Ｔ１、第２のサブ選
択期間Ｔ２及び第３のサブ選択期間Ｔ３において、それぞれ別のビデオ信号が入力されて
いる。例えば、第１のサブ選択期間Ｔ１において配線５６２１＿Ｊに入力されるビデオ信
号は信号線Ｓｊ−１に入力され、第２のサブ選択期間Ｔ２において配線５６２１＿Ｊに入
力されるビデオ信号は信号線Ｓｊに入力され、第３のサブ選択期間Ｔ３において配線５６
２１＿Ｊに入力されるビデオ信号は信号線Ｓｊ＋１に入力される。また、第１のサブ選択
期間Ｔ１、第２のサブ選択期間Ｔ２及び第３のサブ選択期間Ｔ３において、配線５６２１
＿Ｊに入力されるビデオ信号をそれぞれＤａｔａｊ−１、Ｄａｔａｊ、Ｄａｔａｊ＋１と
する。
図５７に示すように、第１のサブ選択期間Ｔ１において第１のスイッチ５６０３ａがオン
し、第２のスイッチ５６０３ｂ及び第３のスイッチ５６０３ｃがオフとなる。このとき、
配線５６２１＿Ｊに入力されるＤａｔａｊ−１が、第１のスイッチ５６０３ａを介して信
号線Ｓｊ−１に入力される。第２のサブ選択期間Ｔ２では、第２のスイッチ５６０３ｂが
オンし、第１のスイッチ５６０３ａ及び第３のスイッチ５６０３ｃがオフとなる。このと
き、配線５６２１＿Ｊに入力されるＤａｔａｊが、第２のスイッチ５６０３ｂを介して信
号線Ｓｊに入力される。第３のサブ選択期間Ｔ３では、第３のスイッチ５６０３ｃがオン
し、第１のスイッチ５６０３ａ及び第２のスイッチ５６０３ｂがオフとなる。このとき、
配線５６２１＿Ｊに入力されるＤａｔａｊ＋１が、第３のスイッチ５６０３ｃを介して信
号線Ｓｊ＋１に入力される。
以上のことから、図５６の信号線駆動回路は、１ゲート選択期間を３つに分割することで
、１ゲート選択期間中に１つの配線５６２１から３つの信号線にビデオ信号を入力するこ
とができる。したがって、図５６の信号線駆動回路は、ドライバＩＣ５６０１が形成され
る基板と、画素部が形成されている基板との接続数を信号線の数に比べて約１／３にする
ことができる。接続数が約１／３になることによって、図５６の信号線駆動回路は、信頼
性、歩留まりなどを上げることができる。
なお、本実施形態の信号線駆動回路を実施形態１乃至実施形態８に示した表示装置に適用
することによって、さらに画素部が形成されている基板と外部基板との接続数を減らすこ
とができる。したがって、本発明の表示装置は、信頼性及び歩留まりを高くすることがで
きる。
次に、第１のスイッチ５６０３ａ、第２のスイッチ５６０３ｂ及び第３のスイッチ５６０
３ｃにＮチャネル型のトランジスタを適用した場合について図５９を参照して説明する。
なお、図５６と同様なものに関しては共通の符号を用いて示し、同一部分又は同様な機能
を有する部分の詳細な説明は省略する。
第１のトランジスタ５９０３ａが第１のスイッチ５６０３ａに相当し、第２のトランジス
タ５９０３ｂが第２のスイッチ５６０３ｂに相当し、第３のトランジスタ５９０３ｃが第
３のスイッチ５６０３ｃに相当する。
例えば、スイッチ群５６０２＿Ｊの場合、第１のトランジスタ５９０３ａは、第１端子が
配線５６２１＿Ｊに接続され、第２端子が信号線Ｓｊ−１に接続され、ゲート電極が第１
の配線５６１１に接続されている。第２のトランジスタ５９０３ｂは、第１端子が配線５
６２１＿Ｊに接続され、第２端子が信号線Ｓｊに接続され、ゲート電極が第２の配線５６
１２に接続されている。第３のトランジスタ５９０３ｃは、第１端子が配線５６２１＿Ｊ
に接続され、第２端子が信号線Ｓｊ＋１に接続され、ゲート電極が第３の配線５６１３に
接続されている。
なお、第１のトランジスタ５９０３ａ、第２のトランジスタ５９０３ｂ、第３のトランジ
スタ５９０３ｃは、それぞれスイッチングトランジスタとして機能する。また、第１のト
ランジスタ５９０３ａ、第２のトランジスタ５９０３ｂ、第３のトランジスタ５９０３ｃ
は、それぞれゲート電極に入力される信号がＨレベルのときにオンとなり、ゲート電極に
入力される信号がＬレベルのときにオフとなる。
なお、第１のスイッチ５６０３ａ、第２のスイッチ５６０３ｂ及び第３のスイッチ５６０
３ｃとしてＮチャネル型のトランジスタを用いることによって、トランジスタの半導体層
として、アモルファスシリコンを用いることができるため、製造工程の簡略化を図ること
ができ、製造コストの削減や歩留まりの向上を図ることができる。さらに、大型の表示パ
ネルなどの半導体装置を作製することも可能となる。また、トランジスタの半導体層とし
て、ポリシリコンや単結晶シリコンを用いても製造工程の簡略化を図ることができる。し
たがって、図５９の信号線駆動回路は実施の形態１乃至実施の形態４の表示装置に適用す
ることが望ましい。
図５９の信号線駆動回路では、第１のトランジスタ５９０３ａ、第２のトランジスタ５９
０３ｂ、第３のトランジスタ５９０３ｃとしてＮチャネル型のトランジスタを用いた場合
について説明したが、第１のトランジスタ５９０３ａ、第２のトランジスタ５９０３ｂ、
第３のトランジスタ５９０３ｃとしてＰチャネル型のトランジスタを用いてもよい。この
とき、トランジスタはゲート電極に入力される信号がＬレベルのときにオンとなり、ゲー
ト電極に入力される信号がＨレベルのときにオフとなる。なお、第１のトランジスタ５９
０３ａ、第２のトランジスタ５９０３ｂ、第３のトランジスタ５９０３ｃとしてＰチャネ
ル型のトランジスタを用いた場合は、実施の形態５乃至実施の形態８の表示装置に適用す
ることが望ましい。
なお、図５６のように、１ゲート選択期間を複数のサブ選択期間に分割し、複数のサブ選
択期間それぞれにおいてある１つの配線から複数の信号線それぞれにビデオ信号を入力す
ることができれば、スイッチの配置や数、駆動方法などは限定されない。例えば、３つ以
上のサブ選択期間それぞれにおいて１つの配線から３つ以上の信号線それぞれにビデオ信
号を入力する場合は、スイッチ及びスイッチを制御するための配線を追加すればよい。た
だし、１ゲート選択期間を４つ以上のサブ選択期間に分割すると、１つのサブ選択期間が
短くなる。したがって、１ゲート選択期間は、２つ又は３つのサブ選択期間に分割するこ
とが望ましい。
例えば、図５８のタイミングチャートに示すように、１つの選択期間をプリチャージ期間
Ｔｐ、第１のサブ選択期間Ｔ１、第２のサブ選択期間Ｔ２、第３のサブ選択期間Ｔ３に分
割してもよい。なお、図５８のタイミングチャートは、ｉ行目の走査線Ｇｉが選択される
タイミング、第１のスイッチ５６０３ａのオン及びオフのタイミング５８０３ａ、第２の
スイッチ５６０３ｂのオン及びオフのタイミング５８０３ｂ、第３のスイッチ５６０３ｃ
のオン及びオフのタイミング５８０３ｃ及びＪ列目の配線５６２１＿Ｊに入力される信号
５８２１＿Ｊを示している。図５８に示すように、プリチャージ期間Ｔｐにおいて第１の
スイッチ５６０３ａ、第２のスイッチ５６０３ｂ及び第３のスイッチ５６０３ｃがオンと
なる。このとき、配線５６２１＿Ｊに入力されるプリチャージ電圧Ｖｐが第１のスイッチ
５６０３ａ、第２のスイッチ５６０３ｂ及び第３のスイッチ５６０３ｃを介してそれぞれ
信号線Ｓｊ−１、信号線Ｓｊ、信号線Ｓｊ＋１に入力される。第１のサブ選択期間Ｔ１に
おいて第１のスイッチ５６０３ａがオンし、第２のスイッチ５６０３ｂ及び第３のスイッ
チ５６０３ｃがオフとなる。このとき、配線５６２１＿Ｊに入力されるＤａｔａｊ−１が
、第１のスイッチ５６０３ａを介して信号線Ｓｊ−１に入力される。第２のサブ選択期間
Ｔ２では、第２のスイッチ５６０３ｂがオンし、第１のスイッチ５６０３ａ及び第３のス
イッチ５６０３ｃがオフとなる。このとき、配線５６２１＿Ｊに入力されるＤａｔａｊが
、第２のスイッチ５６０３ｂを介して信号線Ｓｊに入力される。第３のサブ選択期間Ｔ３
では、第３のスイッチ５６０３ｃがオンし、第１のスイッチ５６０３ａ及び第２のスイッ
チ５６０３ｂがオフとなる。このとき、配線５６２１＿Ｊに入力されるＤａｔａｊ＋１が
、第３のスイッチ５６０３ｃを介して信号線Ｓｊ＋１に入力される。
以上のことから、図５８のタイミングチャートのように動作させた図５６の信号線駆動回
路は、サブ選択期間の前にプリチャージ選択期間を設けることによって、信号線をプリチ
ャージできるため、画素へのビデオ信号の書き込みを高速に行うことができる。また、信
号線がプリチャージされているため、画素が正確なビデオ信号を保持することができる。
もちろん、図５８のタイミングチャートのように動作させた図５６の信号線駆動回路は、
図５７のタイミングチャートのように動作させた図５６の信号線駆動回路と同様に、ドラ
イバＩＣ５６０１が形成される基板と、画素部が形成されている基板との接続数を信号線
の数に比べて約１／３にすることができ、接続数が約１／３になることによって、信頼性
、歩留まりなどを上げることができる。なお、図５７と同様なものに関しては共通の符号
を用いて示し、同一部分又は同様な機能を有する部分の詳細な説明は省略する。
図６０においても、図５６のように、１ゲート選択期間を複数のサブ選択期間に分割し、
複数のサブ選択期間それぞれにおいてある１つの配線から複数の信号線それぞれにビデオ
信号を入力することができる。なお、図６０は、信号線駆動回路のうちＪ列目のスイッチ
群６０２２＿Ｊのみを示している。スイッチ群６０２２＿Ｊは、第１のトランジスタ６０
０１、第２のトランジスタ６００２、第３のトランジスタ６００３、第４のトランジスタ
６００４、第５のトランジスタ６００５、第６のトランジスタ６００６を有している。第
１のトランジスタ６００１、第２のトランジスタ６００２、第３のトランジスタ６００３
、第４のトランジスタ６００４、第５のトランジスタ６００５、第６のトランジスタ６０
０６はＮチャネル型のトランジスタである。スイッチ群６０２２＿Ｊは、第１の配線６０
１１、第２の配線６０１２、第３の配線６０１３、第４の配線６０１４、第５の配線６０
１５、第６の配線６０１６、配線５６２１＿Ｊ、信号線Ｓｊ−１、信号線Ｓｊ、信号線Ｓ
ｊ＋１に接続されている。
第１のトランジスタ６００１の第１端子は配線５６２１＿Ｊに接続され、第２端子は信号
線Ｓｊ−１に接続され、ゲート端子は第１の配線６０１１に接続されている。第２のトラ
ンジスタ６００２の第１端子は配線５６２１＿Ｊに接続され、第２端子は信号線Ｓｊ−１
に接続され、ゲート端子は第２の配線６０１２に接続されている。第３のトランジスタ６
００３の第１端子は配線５６２１＿Ｊに接続され、第２端子は信号線Ｓｊに接続され、ゲ
ート端子は第３の配線６０１３に接続されている。第４のトランジスタ６００４の第１端
子は配線５６２１＿Ｊに接続され、第２端子は信号線Ｓｊに接続され、ゲート端子は第４
の配線６０１４に接続されている。第５のトランジスタ６００５の第１端子は配線５６２
１＿Ｊに接続され、第２端子は信号線Ｓｊ＋１に接続され、ゲート端子は第５の配線６０
１５に接続されている。第６のトランジスタ６００６の第１端子は配線５６２１＿Ｊに接
続され、第２端子は信号線Ｓｊ＋１に接続され、ゲート端子は第６の配線６０１６に接続
されている。
なお、第１のトランジスタ６００１、第２のトランジスタ６００２、第３のトランジスタ
６００３、第４のトランジスタ６００４、第５のトランジスタ６００５、第６のトランジ
スタ６００６は、それぞれスイッチングトランジスタとして機能する。また、第１のトラ
ンジスタ６００１、第２のトランジスタ６００２、第３のトランジスタ６００３、第４の
トランジスタ６００４、第５のトランジスタ６００５、第６のトランジスタ６００６は、
それぞれゲート端子に入力される信号がＨレベルのときにオンとなり、ゲート端子に入力
される信号がＬレベルのときにオフとなる。
なお、第１の配線６０１１及び第２の配線６０１２は、図５９の第１の配線５９１１に相
当する。第３の配線６０１３及び第４の配線６０１４は、図５９の第２の配線５９１２に
相当する。第５の配線６０１５及び第６の配線６０１６は、図５９の第３の配線５９１３
に相当する。なお、第１のトランジスタ６００１及び第２のトランジスタ６００２は、図
５９の第１のトランジスタ５９０３ａに相当する。第３のトランジスタ６００３及び第４
のトランジスタ６００４は、図５９の第２のトランジスタ５９０３ｂに相当する。第５の
トランジスタ６００５及び第６のトランジスタ６００６は、図５９の第３のトランジスタ
５９０３ｃに相当する。
図６０では、図５７に示した第１のサブ選択期間Ｔ１において第１のトランジスタ６００
１又は第２のトランジスタ６００２のどちらかがオンとなる。第２のサブ選択期間Ｔ２に
おいて第３のトランジスタ６００３又は第４のトランジスタ６００４のどちらかがオンと
なる。第３のサブ選択期間Ｔ３において第５のトランジスタ６００５又は第６のトランジ
スタ６００６のどちらかがオンとなる。また、図５８に示したプリチャージ期間Ｔｐにお
いて第１のトランジスタ６００１、第３のトランジスタ６００３及び第５のトランジスタ
６００５か、第２のトランジスタ６００２、第４のトランジスタ６００４及び第６のトラ
ンジスタ６００６のどちらかがオンとなる。
したがって、図６０では、各トランジスタのオン時間を短くすることができるため、各ト
ランジスタの特性劣化を抑制することができる。なぜなら、例えば図５７に示した第１の
サブ選択期間Ｔ１においては、第１のトランジスタ６００１又は第２のトランジスタ６０
０２のどちらかがオンとなればビデオ信号を信号線Ｓｊ−１に入力することができるから
である。なお、例えば図５７に示した第１のサブ選択期間Ｔ１において、第１のトランジ
スタ６００１及び第２のトランジスタ６００２を同時にオンとなることによって、高速に
ビデオ信号を信号線Ｓｊ−１に入力することもできる。
なお、第１のトランジスタ６００１、第３のトランジスタ６００３及び第５のトランジス
タ６００５、第２のトランジスタ６００２、第４のトランジスタ６００４及び第６のトラ
ンジスタ６００６としてＮチャネル型のトランジスタを用いることによって、トランジス
タの半導体層として、アモルファスシリコンを用いることができるため、製造工程の簡略
化を図ることができ、製造コストの削減や歩留まりの向上を図ることができるからである
。さらに、大型の表示パネルなどの半導体装置を作製することも可能となるからである。
また、トランジスタの半導体層として、ポリシリコンや単結晶シリコンを用いても製造工
程の簡略化を図ることができる。したがって、図６０の信号線駆動回路は実施の形態１乃
至実施の形態４の表示装置に適用することが望ましい。
なお、図６０では、２つのトランジスタを配線５６２１と信号線との間に並列に接続する
場合について説明した。しかし、これに限定されず、３つ以上のトランジスタを配線５６
２１と信号線との間に並列に接続してもよい。こうすることで、さらに各トランジスタの
特性劣化を抑制することができる。
なお、本実施の形態で示した信号線駆動回路は、本明細書中の他の実施の形態に示した表
示装置の構成と自由に組み合わせて実施することができる。また、本実施の形態で示した
信号線駆動回路の構成も自由に組み合わせて実施することができる。
（実施の形態１２）
本実施の形態では、実施の形態１乃至実施の形態８に示した表示装置の静電破壊による不
良を防止するための構成について説明する。
なお、静電破壊とは、人体又は物体に蓄積された正又は負の電荷が半導体デバイスに触れ
た時にデバイスの入出力端子を介して瞬時に放電されることで、デバイス内部に大電流が
流れて発生する破壊のことである。
図６１（Ａ）は、保護ダイオードによって走査線に発生する静電破壊を防止するための構
成を示す。図６１（Ａ）は、保護ダイオードを配線６１１１と走査線との間に配置した構
成である。なお、図示はしないが、ｉ行目の走査線Ｇｉには複数の画素が接続されている
。なお、保護ダイオードとしては、トランジスタ６１０１を用いる。なお、トランジスタ
６１０１はＮチャネル型のトランジスタである。ただし、Ｐチャネル型のトランジスタを
用いてもよく、トランジスタ６１０１の極性は走査線駆動回路や画素が有するトランジス
タの極性と同様なものを用いればよい。
なお、保護ダイオードは１つだけ配置されているが、複数個の保護ダイオードが直列に配
置されていてもよいし、並列に配置されていてもよいし、直並列に配置されていてもよい
。
トランジスタ６１０１は第１端子がｉ行目の走査線Ｇｉに接続され、第２端子が配線６１
１１に接続され、ゲート端子がｉ行目の走査線Ｇｉに接続されている。
図６１（Ａ）の動作について説明する。配線６１１１にはある電位が入力されており、そ
の電位は、ｉ行目の走査線Ｇｉに入力される信号のＬレベルよりも低い電位である。正又
は負の電荷がｉ行目の走査線Ｇｉに放電されていない場合、ｉ行目の走査線Ｇｉの電位は
Ｈレベル若しくはＬレベルであるため、トランジスタ６１０１はオフとなる。一方、負の
電荷がｉ行目の走査線Ｇｉに放電された場合、ｉ行目の走査線Ｇｉの電位は瞬間的に下が
る。このとき、ｉ行目の走査線Ｇｉの電位が配線６１１１の電位からトランジスタ６１０
１のしきい値電圧を引いた値よりも低くなると、トランジスタ６１０１がオンとなり、電
流がトランジスタ６１０１を介して配線６１１１に流れる。したがって、図６１（Ａ）に
示した構成によって、大電流が画素に流れ込むことを防ぐことができるため、画素の静電
破壊を防止することができる。
なお、図６１（Ｂ）は、正の電荷がｉ行目の走査線Ｇｉに放電された場合に静電破壊を防
止するための構成である。保護ダイオードとして機能するトランジスタ６１０２が走査線
と配線６１１２との間に配置されている。なお、保護ダイオードは１つだけ配置されてい
るが、複数個の保護ダイオードが直列に配置されていてもよいし、並列に配置されていて
もよいし、直並列に配置されていてもよい。なお、トランジスタ６１０２はＮチャネル型
のトランジスタである。ただし、Ｐチャネル型のトランジスタを用いてもよく、トランジ
スタ６１０２の極性は走査線駆動回路や画素が有するトランジスタの極性と同様なものを
用いればよい。トランジスタ６１０２は第１端子がｉ行目の走査線Ｇｉに接続され、第２
端子が配線６１１２に接続され、ゲート端子が配線６１１２に接続されている。なお、配
線６１１２には、ｉ行目の走査線Ｇｉに入力される信号のＨレベルよりも高い電位が入力
されている。したがって、トランジスタ６１０２は、電荷がｉ行目の走査線Ｇｉに放電さ
れていない場合には、オフとなる。一方、正の電荷がｉ行目の走査線Ｇｉに放電された場
合、ｉ行目の走査線Ｇｉの電位は瞬間的に上昇する。このとき、ｉ行目の走査線Ｇｉの電
位が配線６１１２の電位とトランジスタ６１０２のしきい値電圧との和よりも高くなると
、トランジスタ６１０２がオンとなり、電流がトランジスタ６１０２を介して配線６１１
２に流れる。したがって、図６１（Ｂ）に示した構成によって、大電流が画素に流れ込む
ことを防ぐことができるため、画素の静電破壊を防止することができる。
なお、図６１（Ｃ）に示すように、図６１（Ａ）と図６１（Ｂ）とを組み合わせた構成に
することで、正の電荷がｉ行目の走査線Ｇｉに放電された場合でも、負の電荷がｉ行目の
走査線Ｇｉに放電された場合でも、画素の静電破壊を防止することができる。なお、図６
１（Ａ）、（Ｂ）と同様なものに関しては共通の符号を用いて示し、同一部分又は同様な
機能を有する部分の詳細な説明は省略する。
図６２（Ａ）は、保護ダイオードとして機能するトランジスタ６２０１を走査線と保持容
量線との間に接続した場合の構成を示す。なお、保護ダイオードは１つだけ配置されてい
るが、複数個の保護ダイオードが直列に配置されていてもよいし、並列に配置されていて
もよいし、直並列に配置されていてもよい。なお、トランジスタ６２０１はＮチャネル型
のトランジスタである。ただし、Ｐチャネル型のトランジスタを用いてもよく、トランジ
スタ６２０１の極性は走査線駆動回路や画素が有するトランジスタの極性と同様なものを
用いればよい。なお、配線６２１１は、保持容量線として機能する。トランジスタ６２０
１の第１端子はｉ行目の走査線Ｇｉに接続され、第２端子は配線６２１１に接続され、ゲ
ート電極はｉ行目の走査線Ｇｉに接続されている。なお、配線６２１１には、ｉ行目の走
査線Ｇｉに入力される信号のＬレベルよりも低い電位が入力されている。したがって、ト
ランジスタ６２０１は、電荷がｉ行目の走査線Ｇｉに放電されていない場合には、オフと
なる。一方、負の電荷がｉ行目の走査線Ｇｉに放電された場合、ｉ行目の走査線Ｇｉの電
位は瞬間的に下がる。このとき、ｉ行目の走査線Ｇｉの電位が配線６２１１の電位からト
ランジスタ６２０１のしきい値電圧を引いた値よりも低くなると、トランジスタ６２０１
がオンとなり、電流がトランジスタ６２０１を介して配線６２１１に流れる。したがって
、図６２（Ａ）に示した構成によって、大電流が画素に流れ込むことを防ぐことができる
ため、画素の静電破壊を防止することができる。また、図６２（Ａ）に示した構成では、
保持容量線を電荷を逃がす配線として利用しているので、新たに配線を追加する必要がな
い。
なお、図６２（Ｂ）は、正の電荷がｉ行目の走査線Ｇｉに放電された場合に静電破壊を防
止するための構成である。ここでは、配線６２１１には、ｉ行目の走査線Ｇｉに入力され
る信号のＨレベルよりも高い電位が入力されている。したがって、トランジスタ６２０２
は、電荷がｉ行目の走査線Ｇｉに放電されていない場合には、オフとなる。一方、正の電
荷がｉ行目の走査線Ｇｉに放電された場合、ｉ行目の走査線Ｇｉの電位は瞬間的に上昇す
る。このとき、ｉ行目の走査線Ｇｉの電位が配線６２１１の電位とトランジスタ６２０２
のしきい値電圧との和よりも高くなると、トランジスタ６２０２がオンとなり、電流がト
ランジスタ６２０２を介して配線６２１１に流れる。したがって、図６２（Ｂ）に示した
構成によって、大電流が画素に流れ込むことを防ぐことができるため、画素の静電破壊を
防止することができる。また、図６２（Ａ）に示した構成では、保持容量線を電荷を逃が
す配線として利用しているので、新たに配線を追加する必要がない。なお、図６２（Ｂ）
と同様なものに関しては共通の符号を用いて示し、同一部分又は同様な機能を有する部分
の詳細な説明は省略する。
次に、保護ダイオードによって信号線に発生する静電破壊を防止するための構成を図６４
（Ａ）に示す。図６４（Ａ）は、保護ダイオードを配線６４１１と信号線との間に配置し
た場合の構成である。なお、図示はしないがｊ列目の信号線Ｓｊには複数の画素が接続さ
れている。なお、保護ダイオードとしては、トランジスタ６４０１を用いる。なお、トラ
ンジスタ６４０１はＮチャネル型のトランジスタである。ただし、Ｐチャネル型のトラン
ジスタを用いてもよく、トランジスタ６４０１の極性は信号線駆動回路や画素が有するト
ランジスタの極性と同様なものを用いればよい。
なお、保護ダイオードは１つだけ配置されているが、複数個の保護ダイオードが直列に配
置されていてもよいし、並列に配置されていてもよいし、直並列に配置されていてもよい
。
トランジスタ６４０１は第１端子がｊ列目の信号線Ｓｊに接続され、第２端子が配線６４
１１に接続され、ゲート端子がｊ列目の信号線Ｓｊに接続されている。
図６４（Ａ）の動作について説明する。配線６４１１にはある電位が入力されており、そ
の電位は、ｊ列目の信号線Ｓｊに入力されるビデオ信号の最小値よりも低い電位である。
正又は負の電荷がｊ列目の信号線Ｓｊに放電されていない場合、ｊ列目の信号線Ｓｊの電
位はビデオ信号と同電位であるため、トランジスタ６４０１はオフとなる。一方、負の電
荷がｊ列目の信号線Ｓｊに放電された場合、ｊ列目の信号線Ｓｊの電位は瞬間的に下がる
。このとき、ｊ列目の信号線Ｓｊの電位が配線６４１１の電位からトランジスタ６４０１
のしきい値電圧を引いた値よりも低くなると、トランジスタ６４０１がオンとなり、電流
がトランジスタ６４０１を介して配線６４１１に流れる。したがって、図６４（Ａ）に示
した構成によって、大電流が画素に流れ込むことを防ぐことができるため、画素の静電破
壊を防止することができる。
なお、図６４（Ｂ）は、正の電荷がｊ列目の信号線Ｓｊに放電された場合に静電破壊を防
止するための構成である。保護ダイオードとして機能するトランジスタ６４０２が信号線
と配線６４１２との間に配置されている。なお、保護ダイオードは１つだけ配置されてい
るが、複数個の保護ダイオードが直列に配置されていてもよいし、並列に配置されていて
もよいし、直並列に配置されていてもよい。なお、トランジスタ６４０２はＮチャネル型
のトランジスタである。ただし、Ｐチャネル型のトランジスタを用いてもよく、トランジ
スタ６４０２の極性は信号線駆動回路や画素が有するトランジスタの極性と同様なものを
用いればよい。トランジスタ６４０２は第１端子がｊ列目の信号線Ｓｊに接続され、第２
端子が配線６４１２に接続され、ゲート端子が配線６４１２に接続されている。なお、配
線６４１２には、ｊ列目の信号線Ｓｊに入力されるビデオ信号の最大値よりも高い電位が
入力されている。したがって、トランジスタ６４０２は、電荷がｊ列目の信号線Ｓｊに放
電されていない場合ときには、オフとなる。一方、正の電荷がｊ列目の信号線Ｓｊに放電
された場合、ｊ列目の信号線Ｓｊの電位は瞬間的に上昇する。このとき、ｊ列目の信号線
Ｓｊの電位が配線６４１２の電位とトランジスタ６４０２のしきい値電圧との和よりも高
くなると、トランジスタ６４０２がオンとなり、電流がトランジスタ６４０２を介して配
線６４１２に流れる。したがって、図６４（Ｂ）に示した構成によって、大電流が画素に
流れ込むことを防ぐことができるため、画素の静電破壊を防止することができる。
なお、図６４（Ｃ）に示すように、図６４（Ａ）と図６４（Ｂ）とを組み合わせた構成に
することで、正の電荷がｊ列目の信号線Ｓｊに放電された場合でも、負の電荷がｊ列目の
信号線Ｓｊに放電された場合でも、画素の静電破壊を防止することができる。なお、図６
４（Ａ）、（Ｂ）と同様なものに関しては共通の符号を用いて示し、同一部分又は同様な
機能を有する部分の詳細な説明は省略する。
本実施の形態では、走査線及び信号線に接続された画素の静電破壊を防止するための構成
を説明した。しかし、本実施の形態の構成は、走査線及び信号線に接続された画素の静電
破壊の防止だけに適用されるものではない。例えば、実施の形態１乃至実施の形態８に示
した走査線駆動回路及び信号線駆動回路に接続されている信号又は電位が入力された配線
に本実施の形態を適用する場合は、走査線駆動回路及び信号線駆動回路の静電破壊を防止
することができる。
なお、本実施の形態で示した表示装置は、本明細書中の他の実施の形態に示した表示装置
の構成と自由に組み合わせて実施することができる。また、本実施の形態で示した表示装
置の構成も自由に組み合わせて実施することができる。
（実施の形態１３）
本実施の形態では、実施の形態１乃至実施の形態８に示した表示装置に適用できる表示装
置の新たな構成について説明する。
図６３（Ａ）は、ダイオード接続されたトランジスタをある走査線と別の走査線との間に
配置した場合の構成である。図６３（Ａ）では、ｉ−１行目の走査線Ｇｉ−１とｉ行目の
走査線Ｇｉとの間にダイオード接続されたトランジスタ６３０１ａを配置し、ｉ行目の走
査線Ｇｉとｉ＋１行目の走査線Ｇｉ＋１との間にダイオード接続されたトランジスタ６３
０１ｂを配置した場合の構成を示している。なお、トランジスタ６３０１ａ及びトランジ
スタ６３０１ｂはＮチャネル型のトランジスタである。ただし、Ｐチャネル型のトランジ
スタを用いてもよく、トランジスタ６３０１ａ及びトランジスタ６３０１ｂの極性は走査
線駆動回路や画素が有するトランジスタの極性と同様なものを用いればよい。
なお、図６３（Ａ）では、代表してｉ−１行目の走査線Ｇｉ−１、ｉ行目の走査線Ｇｉ及
びｉ＋１行目の走査線Ｇｉ＋１を示しているが、他の走査線も同様にダイオード接続され
たトランジスタが配置されている。
トランジスタ６３０１ａの第１端子はｉ行目の走査線Ｇｉに接続され、第２端子はｉ−１
行目の走査線Ｇｉ−１に接続され、ゲート端子はＧｉ−１行目の走査線Ｇｉ−１に接続さ
れている。トランジスタ６３０１ｂの第１端子はｉ＋１行目の走査線Ｇｉ＋１に接続され
、第２端子はｉ行目の走査線Ｇｉに接続され、ゲート端子はｉ行目の走査線Ｇｉに接続さ
れている。
図６３（Ａ）の動作について説明する。実施の形態１乃至実施の形態４に示した走査線駆
動回路では、非選択期間において、ｉ−１行目の走査線Ｇｉ−１、ｉ行目の走査線Ｇｉ及
びｉ＋１行目の走査線Ｇｉ＋１はＬレベルを維持している。したがって、トランジスタ６
３０１ａ及びトランジスタ６３０１ｂはオフとなる。しかしながら、例えばノイズなどに
よってｉ行目の走査線Ｇｉの電位が上昇した場合、ｉ行目の走査線Ｇｉが画素を選択して
しまい、画素に不正なビデオ信号が書き込まれてしまう。そこで、図６３（Ａ）のように
ダイオード接続したトランジスタを走査線間に配置しておくことで、画素に不正なビデオ
信号が書き込まれることを防止することができる。なぜなら、ｉ行目の走査線Ｇｉの電位
がｉ−１行目の走査線Ｇｉ−１の電位とトランジスタ６３０１ａのしきい値電圧との和以
上に上昇すると、トランジスタ６３０１ａがオンとなり、ｉ行目の走査線Ｇｉの電位が下
がる。したがって、ｉ行目の走査線Ｇｉによって画素が選択されることはないからである
。
なお、図６３（Ａ）の構成は、特に走査線駆動回路と画素部とを同一基板上に一体形成し
た場合に有利である。なぜなら、Ｎチャネル型のトランジスタ、又はＰチャネル型のトラ
ンジスタだけで構成されている走査線駆動回路では、走査線が浮遊状態になることがあり
、走査線にノイズが発生しやすいからである。
なお、図６３（Ｂ）は、走査線間に配置するダイオード接続されたトランジスタの向きを
逆にした場合の構成である。なお、トランジスタ６３０２ａ及びトランジスタ６３０２ｂ
はＮチャネル型のトランジスタである。ただし、Ｐチャネル型のトランジスタを用いても
よく、トランジスタ６３０２ａ及びトランジスタ６３０２ｂの極性は走査線駆動回路や画
素が有するトランジスタの極性と同様なものを用いればよい。図６３（Ｂ）では、トラン
ジスタ６３０２ａの第１端子がｉ行目の走査線Ｇｉに接続され、第２端子がｉ−１行目の
走査線Ｇｉ−１に接続され、ゲート端子がｉ行目の走査線Ｇｉに接続されている。トラン
ジスタ６３０２ｂの第１端子がｉ＋１行目の走査線Ｇｉ＋１に接続され、第２端子がｉ行
目の走査線Ｇｉに接続され、ゲート端子がｉ＋１行目の走査線Ｇｉ＋１に接続されている
。図６３（Ｂ）は、図６４（Ａ）と同様に、ｉ行目の走査線Ｇｉの電位がｉ＋１行目の走
査線Ｇｉ＋１の電位とトランジスタ６３０２ｂのしきい値電圧との和以上に上昇すると、
トランジスタ６３０２ｂがオンとなり、ｉ行目の走査線Ｇｉの電位が下がる。したがって
、ｉ行目の走査線Ｇｉによって画素が選択されることはなく、画素に不正なビデオ信号が
書き込まれることを防止することができる。
なお、図６３（Ｃ）に示すように、図６３（Ａ）と図６３（Ｂ）とを組み合わせた構成に
することで、ｉ行目の走査線Ｇｉの電位が上昇しても、トランジスタ６３０１ａ及びトラ
ンジスタ６３０２ｂがオンとなるので、ｉ行目の走査線Ｇｉの電位が下がる。なお、図６
３（Ｃ）では、電流が２つのトランジスタを介して流れるので、より大きいノイズを除去
することが可能である。なお、図６３（Ａ）、（Ｂ）と同様なものに関しては共通の符号
を用いて示し、同一部分又は同様な機能を有する部分の詳細な説明は省略する。
なお、図６２（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、走査線と保持容量線との間にダイオード接
続したトランジスタを配置しても図６３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）と同様の効果を得ること
ができる。
なお、本実施の形態で示した表示装置は、本明細書中の他の実施の形態に示した表示装置
の構成と自由に組み合わせて実施することができる。また、本実施の形態で示した表示装
置の構成も自由に組み合わせて実施することができる。
（実施の形態１４）
本実施の形態では、上記実施の形態で示した画素構成を有する表示パネルの構成について
図１００（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
なお、図１００（ａ）は、表示パネルを示す上面図、図１００（ｂ）は図１００（ａ）を
Ａ−Ａ’で切断した断面図である。点線で示された信号制御回路１０００１、画素部１０
００２、第１のゲートドライバ１０００３、第２のゲートドライバ１０００６を有する。
また、封止基板１０００４、シール材１０００５を有し、シール材１０００５で囲まれた
内側は、空間１０００７になっている。
なお、配線１０００８は第１のゲートドライバ１０００３、第２のゲートドライバ１００
０６及び信号制御回路１０００１に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入
力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１０００９からビデオ信号、ク
ロック信号、スタート信号等を受け取る。ＦＰＣ１０００９と表示パネルとの接続部上に
はＩＣチップ（メモリ回路や、バッファ回路などが形成された半導体チップ）１００１９
がＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）等で実装されている。なお、ここではＦＰＣし
か図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられてい
てもよい。本明細書における表示装置とは、表示パネル本体だけでなく、それにＦＰＣも
しくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。また、ＩＣチップなどが実装さ
れたものを含むものとする。
次に、断面構造について図１００（ｂ）を用いて説明する。基板１００１０上には画素部
１０００２とその周辺駆動回路（第１のゲートドライバ１０００３、第２のゲートドライ
バ１０００６及び信号制御回路１０００１）が形成されているが、ここでは、信号制御回
路１０００１と、画素部１０００２が示されている。
なお、信号制御回路１０００１はＮチャネル型であるトランジスタ１００２０やＮチャネ
ル型であるトランジスタ１００２１のように単極性のトランジスタで構成されている。な
お、画素構成には図４６、図６５、図６６及び図６７の画素構成を適用することにより単
極性のトランジスタで画素を構成することができる。よって、周辺駆動回路をＮチャネル
型トランジスタで構成すれば単極性表示パネルを作製することができる。もちろん、単極
性のトランジスタだけでなくＰチャネル型トランジスタも用いてＣＭＯＳ回路を形成して
もよい。
なお、トランジスタ１００２０、及びトランジスタ１００２１がＰチャネル型だった場合
でも、周辺駆動回路をＰチャネル型トランジスタで構成すれば単極性の表示パネルを作成
することができる。もちろん、単極性のトランジスタだけでなくＮチャネル型トランジス
タも用いてＣＭＯＳ回路を形成してもよい。
また、本実施の形態では、基板上に周辺駆動回路を一体形成した表示パネルを示すが、必
ずしもその必要はなく、周辺駆動回路の全部若しくは一部をＩＣチップなどに形成し、Ｃ
ＯＧなどで実装してもよい。その場合には駆動回路は単極性にする必要がなくＮチャネル
型トランジスタとＰチャネル型トランジスタとを組み合わせて用いることができる。
また、画素部１０００２はトランジスタ１００１１と、トランジスタ１００１２とを有し
ている。なお、トランジスタ１００１２のソース端子は第１の電極（画素電極）１００１
３と接続されている。また、第１の電極１００１３の端部を覆って絶縁物１００１４が形
成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
また、カバレッジを良好なものとするため、絶縁物１００１４の上端部または下端部に曲
率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物１００１４の材料としてポジ型
の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物１００１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ
〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物１００１４として、感
光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャント
に溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。
第１の電極１００１３上には、有機化合物を含む層１００１６、および第２の電極（対向
電極）１００１７がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第１の電極１
００１３に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば
、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、窒化チタン
膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミ
ニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化
チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての
抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることがで
きる。
また、有機化合物を含む層１００１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェ
ット法によって形成される。有機化合物を含む層１００１６には、元素周期表第４族金属
錯体をその一部に用いることとし、その他、組み合わせて用いることのできる材料として
は、低分子系材料であっても高分子系材料であってもよい。また、有機化合物を含む層に
用いる材料としては、通常、有機化合物を単層もしくは積層で用いる場合が多いが、本実
施の形態においては、有機化合物からなる膜の一部に無機化合物を用いる構成も含めるこ
ととする。さらに、公知の三重項材料を用いることも可能である。
さらに、有機化合物を含む層１００１６上に形成される第２の電極１００１７に用いる材
料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金Ｍｇ
Ａｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ２、または窒化カルシウム）を用いればよい。なお、
有機化合物を含む層１００１６で生じた光が第２の電極１００１７を透過させる場合には
、第２の電極（陰極）１００１７として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴ
Ｏ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ
）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのがよい。
さらにシール材１０００５で封止基板１０００４を基板１００１０と貼り合わせることに
より、基板１００１０、封止基板１０００４、およびシール材１０００５で囲まれた空間
１０００７に発光素子１００１８が備えられた構造になっている。なお、空間１０００７
には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材１０００５で充
填される構成も含むものとする。
なお、シール材１０００５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材
料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板１０
００４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−
ＲｅｉｎｆｏｒｃｅｄＰｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエス
テルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
以上のようにして、本発明の表示装置の画素構成を有する表示パネルを得ることができる
。なお、上述した構成は一例であって本発明の表示装置の表示パネルの構成はこれに限定
されない。
図１００に示すように、信号制御回路１０００１、画素部１０００２、第１のゲートドラ
イバ１０００３及び第２のゲートドライバ１０００６を一体形成することで、表示装置の
低コスト化が図れる。また、この場合において、信号制御回路１０００１、画素部１００
０２、第１のゲートドライバ１０００３及び第２のゲートドライバ１０００６に用いられ
るトランジスタを単極性とすることで作製工程の簡略化が図れるためさらなる低コスト化
が図れる。
なお、表示パネルの構成としては、図１００（ａ）に示したように信号制御回路１０００
１、画素部１０００２、第１のゲートドライバ１０００３及び第２のゲートドライバ１０
００６を一体形成した構成に限られず、信号制御回路１０００１に相当する図１０１に示
す信号制御回路１０１０１をＩＣチップ上に形成して、ＣＯＧ等で表示パネルに実装した
構成としてもよい。なお、図１０１（ａ）の基板１０１００、画素部１０１０２、第１の
ゲートドライバ１０１０３、第２のゲートドライバ１０１０４、ＦＰＣ１０１０５、ＩＣ
チップ１０１０６、ＩＣチップ１０１０７、封止基板１０１０８、シール材１０１０９は
図１００（ａ）の基板１００１０、画素部１０００２、第１のゲートドライバ１０００３
、第２のゲートドライバ１０００６、ＦＰＣ１０００９、ＩＣチップ１００１９、封止基
板１０００４、シール材１０００５に相当する。
つまり、駆動回路の高速動作が要求される信号制御回路のみを、ＣＭＯＳ等を用いてＩＣ
チップに形成し、低消費電力化を図る。また、ＩＣチップはシリコンウエハ等の半導体チ
ップとすることで、より高速動作且つ低消費電力化を図れる。
そして、第２のゲートドライバ１０１０３や第１のゲートドライバ１０１０４を画素部１
０１０２と一体形成することで、低コスト化が図れる。そして、この第２のゲートドライ
バ１０１０３、第１のゲートドライバ１０１０４及び画素部１０１０２は単極性のトラン
ジスタで構成することでさらなる低コスト化が図れる。画素部１０１０２の有する画素の
構成としては実施の形態１０で示した画素を適用することができる。
こうして、高精細な表示装置の低コスト化が図れる。また、ＦＰＣ１０１０５と基板１０
１００との接続部において機能回路（メモリやバッファ）が形成されたＩＣチップを実装
することで基板面積を有効利用することができる。
また、図１００（ａ）の信号制御回路１０００１、第１のゲートドライバ１０００３及び
第２のゲートドライバ１０００６に相当する図１０１（ｂ）の信号制御回路１０１１１、
第１のゲートドライバ１０１１４及び第２のゲートドライバ１０１１３をＩＣチップ上に
形成して、ＣＯＧ等で表示パネルに実装した構成としてもよい。この場合には高精細な表
示装置をより低消費電力にすることが可能である。よって、より消費電力が少ない表示装
置とするためには、画素部に用いられるトランジスタの半導体層にはアモルファスシリコ
ンを用いることが望ましい。なお、図１０１（ｂ）の基板１０１１０、画素部１０１１２
、ＦＰＣ１０１１５、ＩＣチップ１０１１６、ＩＣチップ１０１１７、封止基板１０１１
８、シール材１０１１９は図１００（ａ）の基板１００１０、画素部１０００２、ＦＰＣ
１０００９、ＩＣチップ１００１９、ＩＣチップ１００２２、封止基板１０００４、シー
ル材１０００５に相当する。
また、画素部１０１１２のトランジスタの半導体層にアモルファスシリコンを用いること
により低コスト化を図ることができる。さらに、大型の表示パネルを作製することも可能
となる。
また、画素の行方向及び列方向に第２のゲートドライバ、第１のゲートドライバ及び信号
制御回路を設けなくてもよい。例えば、図７５（ａ）に示すようにＩＣチップ上に形成さ
れた周辺駆動回路７５０１が図１０１（ｂ）に示す、第１のゲートドライバ１０１１４、
第２のゲートドライバ１０１１３及び信号制御回路１０１１１の機能を有するようにして
もよい。なお、図７５（ａ）の基板７５００、画素部７５０２、ＦＰＣ７５０４、ＩＣチ
ップ７５０５、ＩＣチップ７５０６、封止基板７５０７、シール材７５０８は図１００（
ａ）の基板１００１０、画素部１０００２、ＦＰＣ１０００９、ＩＣチップ１００１９、
ＩＣチップ１００２２、封止基板１０００４、シール材１０００５に相当する。
なお、図７５（ａ）の表示装置の配線の接続を説明する模式図を図７５（ｂ）に示す。基
板７５１０、周辺駆動回路７５１１、画素部７５１２、ＦＰＣ７５１３、ＦＰＣ７５１４
を有する。ＦＰＣ７５１３より周辺駆動回路７５１１に外部からの信号及び電源電位が入
力される。そして、周辺駆動回路７５１１からの出力は、画素部７５１２の有する画素に
接続された行方向及び列方向の配線に入力される。
さらに、発光素子１００１８に適用可能な発光素子の例を図７６（ａ）、（ｂ）に示す。
つまり、上記実施の形態で示した画素に適用可能な発光素子の構成について図７６（ａ）
、（ｂ）を用いて説明する。
図７６（ａ）の発光素子は、基板７６０１の上に陽極７６０２、正孔注入材料からなる正
孔注入層７６０３、その上に正孔輸送材料からなる正孔輸送層７６０４、発光層７６０５
、電子輸送材料からなる電子輸送層７６０６、電子注入材料からなる電子注入層７６０７
、そして陰極７６０８を積層させた素子構造である。ここで、発光層７６０５は、一種類
の発光材料のみから形成されることもあるが、２種類以上の材料から形成されてもよい。
また、素子の構造は、この構造に限定されない。
また、図７６（ａ）で示した各機能層を積層した積層構造の他、高分子化合物を用いた素
子、発光層に三重項励起状態から発光する三重項発光材料を利用した高効率素子など、バ
リエーションは多岐にわたる。ホールブロック層によってキャリアの再結合領域を制御し
、発光領域を二つの領域にわけることによって得られる白色発光素子などにも応用可能で
ある。
図７６（ａ）に示す本実施の形態で示す素子作製方法は、まず、陽極７６０２（ＩＴＯ）
を有する基板７６０１に正孔注入材料、正孔輸送材料、発光材料を順に蒸着する。次に電
子輸送材料、電子注入材料を蒸着し、最後に陰極７６０８を蒸着で形成する。
次に、正孔注入材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料の材料に好
適な材料を以下に列挙する。
正孔注入材料としては、有機化合物であればポルフィリン系の化合物や、フタロシアニン
（以下「Ｈ２Ｐｃ」と記す）、銅フタロシアニン（以下「ＣｕＰｃ」と記す）などが有効
である。また、使用する正孔輸送材料よりもイオン化ポテンシャルの値が小さく、かつ、
正孔輸送機能をもつ材料であれば、これも正孔注入材料として使用できる。導電性高分子
化合物に化学ドーピングを施した材料もあり、ポリスチレンスルホン酸（以下「ＰＳＳ」
と記す）をドープしたポリエチレンジオキシチオフェン（以下「ＰＥＤＯＴ」と記す）や
、ポリアニリンなどが挙げられる。また、絶縁体の高分子化合物も陽極の平坦化の点で有
効であり、ポリイミド（以下「ＰＩ」と記す）がよく用いられる。さらに、無機化合物も
用いられ、金や白金などの金属薄膜の他、酸化アルミニウム（以下「アルミナ」と記す）
の超薄膜などがある。
正孔輸送材料として最も広く用いられているのは、芳香族アミン系（すなわち、ベンゼン
環−窒素の結合を有するもの）の化合物である。広く用いられている材料として、４，４
’−ビス（ジフェニルアミノ）−ビフェニル（以下、「ＴＡＤ」と記す）や、その誘導体
である４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェ
ニル（以下、「ＴＰＤ」と記す）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニ
ル−アミノ］−ビフェニル（以下、「α−ＮＰＤ」と記す）がある。４，４’，４”−ト
リス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（以下、「ＴＤＡＴＡ」と記
す）、４，４’，４”−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］
−トリフェニルアミン（以下、「ＭＴＤＡＴＡ」と記す）などのスターバースト型芳香族
アミン化合物が挙げられる。
電子輸送材料としては、金属錯体がよく用いられ、Ａｌｑ、ＢＡｌｑ、トリス（４−メチ
ル−８−キノリノラト）アルミニウム（以下、「Ａｌｍｑ」と記す）、ビス（１０−ヒド
ロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（以下、「Ｂｅｂｑ」と記す）などのキノ
リン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体などがある。また、ビス［２−（２
−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾラト］亜鉛（以下、「Ｚｎ（ＢＯＸ）２」と記
す）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾチアゾラト］亜鉛（以下、「Ｚｎ
（ＢＴＺ）２」と記す）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体も
ある。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（以下、「ＰＢＤ」と記す）、ＯＸＤ−
７などのオキサジアゾール誘導体、ＴＡＺ、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４
−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１、２、４−トリアゾール（以
下、「ｐ−ＥｔＴＡＺ」と記す）などのトリアゾール誘導体、バソフェナントロリン（以
下、「ＢＰｈｅｎ」と記す）、ＢＣＰなどのフェナントロリン誘導体が電子輸送性を有す
る。
電子注入材料としては、上で述べた電子輸送材料を用いることができる。その他に、フッ
化カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウムなどの金属ハロゲン化物や、酸化リチウ
ムなどのアルカリ金属酸化物のような絶縁体の、超薄膜がよく用いられる。また、リチウ
ムアセチルアセトネート（以下、「Ｌｉ（ａｃａｃ）」と記す）や８−キノリノラト−リ
チウム（以下、「Ｌｉｑ」と記す）などのアルカリ金属錯体も有効である。
発光材料としては、先に述べたＡｌｑ、Ａｌｍｑ、ＢｅＢｑ、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯＸ）
２、Ｚｎ（ＢＴＺ）２などの金属錯体の他、各種蛍光色素が有効である。蛍光色素としは
、青色の４，４’−ビス（２，２−ジフェニル−ビニル）−ビフェニルや、赤橙色の４−
（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラ
ンなどがある。また、三重項発光材料も可能であり、白金ないしはイリジウムを中心金属
とする錯体が主体である。三重項発光材料として、トリス（２−フェニルピリジン）イリ
ジウム、ビス（２−（４’−トリル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）アセチルアセトナトイリ
ジウム（以下「ａｃａｃＩｒ（ｔｐｙ）２」と記す）、２，３，７，８，２３，１３，１
７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈポルフィリン−白金などが知られている。
以上で述べたような各機能を有する材料を、各々組み合わせ、高信頼性の発光素子を作製
することができる。
また、実施の形態１０で示した表示素子６５２１には図７６（ｂ）に示すように図７６（
ａ）とは逆の順番に層を形成した発光素子を用いることができる。つまり、基板７６１１
の上に陰極７６１８、電子注入材料からなる電子注入層７６１７、その上に電子輸送材料
からなる電子輸送層７６１６、発光層７６１５、正孔輸送材料からなる正孔輸送層７６１
４、正孔注入材料からなる正孔注入層７６１３、そして陽極７６１２を積層させた素子構
造である。
また、発光素子は発光を取り出すために少なくとも陽極又は陰極の一方が透明であればよ
い。そして、基板上にトランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を
取り出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反
対側の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、本発明の表示装置の画素構
成はどの射出構造の発光素子にも適用することができる。
上面射出構造の発光素子について図７７（ａ）を用いて説明する。
基板７７００上に駆動用トランジスタ７７０１が形成され、駆動用トランジスタ７７０１
のソース端子に接して第１の電極７７０２が形成され、その上に有機化合物を含む層７７
０３と第２の電極７７０４が形成されている。
また、第１の電極７７０２は発光素子の陽極である。そして第２の電極７７０４は発光素
子の陰極である。つまり、第１の電極７７０２と第２の電極７７０４とで有機化合物を含
む層７７０３が挟まれているところが発光素子となる。
また、ここで、陽極として機能する第１の電極７７０２に用いる材料としては、仕事関数
の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン
膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との
積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用
いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミッ
クコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。光を反射する金属膜を
用いることで光を透過させない陽極を形成することができる。
また、陰極として機能する第２の電極７７０４に用いる材料としては、仕事関数の小さい
材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、Ｃ
ａＦ２、または窒化カルシウム）からなる金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（インジウム
スズ酸化物）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用
いるのがよい。こうして薄い金属薄膜と、透明性を有する透明導電膜を用いることで光を
透過させることが可能な陰極を形成することができる。
こうして、図７７（ａ）の矢印に示すように発光素子からの光を上面に取り出すことが可
能になる。つまり、図１００の表示パネルに適用した場合には、封止基板１０００４側に
光が射出することになる。従って上面射出構造の発光素子を表示装置に用いる場合には封
止基板１０００４は光透過性を有する基板を用いる。
また、光学フィルムを設ける場合には、封止基板１０００４に光学フィルムを設ければよ
い。
なお、第１の電極７７０２を陰極として機能するＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ等の仕事
関数の小さい材料からなる金属膜を用いることができる。そして、第２の電極７７０４に
はＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電
膜を用いることができる。よって、この構成によれば、上面射出の透過率を高くすること
ができる。
また、下面射出構造の発光素子について図７７（ｂ）を用いて説明する。射出構造以外は
図７７（ａ）と同じ構造の発光素子であるため同じ符号を用いて説明する。
ここで、陽極として機能する第１の電極７７０２に用いる材料としては、仕事関数の大き
い材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウ
ム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜などの透明導電膜を用いることができる。透明性を有する透明
導電膜を用いることで光を透過させることが可能な陽極を形成することができる。
また、陰極として機能する第２の電極７７０４に用いる材料としては、仕事関数の小さい
材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、Ｃ
ａＦ２、またはＣａ３Ｎ２からなる金属膜を用いることができる。こうして、光を反射す
る金属膜を用いることで光が透過しない陰極を形成することができる。
こうして、図７７（ｂ）の矢印に示すように発光素子からの光を下面に取り出すことが可
能になる。つまり、図１００の表示パネルに適用した場合には、基板１００１０側に光が
射出することになる。従って下面射出構造の発光素子を表示装置に用いる場合には基板１
００１０は光透過性を有する基板を用いる。
また、光学フィルムを設ける場合には、基板１００１０に光学フィルムを設ければよい。
両面射出構造の発光素子について図７７（ｃ）を用いて説明する。射出構造以外は図７７
（ａ）と同じ構造の発光素子であるため同じ符号を用いて説明する。
ここで、陽極として機能する第１の電極７７０２に用いる材料としては、仕事関数の大き
い材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウ
ム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜などの透明導電膜を用いることができる。透明性を有する透明
導電膜を用いることで光を透過させることが可能な陽極を形成することができる。
また、陰極として機能する第２の電極７７０４に用いる材料としては、仕事関数の小さい
材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、Ｃ
ａＦ２、または窒化カルシウム）からなる金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（インジウム
スズ酸化物）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ
）等）との積層を用いるのがよい。こうして薄い金属薄膜と、透明性を有する透明導電膜
を用いることで光を透過させることが可能な陰極を形成することができる。
こうして、図７７（ｃ）の矢印に示すように発光素子からの光を両面に取り出すことが可
能になる。つまり、図１００の表示パネルに適用した場合には、基板１００１０側と封止
基板１０００４側に光が射出することになる。従って両面射出構造の発光素子を表示装置
に用いる場合には基板１００１０および封止基板１０００４は、ともに光透過性を有する
基板を用いる。
また、光学フィルムを設ける場合には、基板１００１０および封止基板１０００４の両方
に光学フィルムを設ければよい。
また、白色の発光素子とカラーフィルターを用いてフルカラー表示を実現する表示装置に
も本発明を適用することが可能である。
図７８に示すように、基板７８００上に下地膜７８０２が形成され、その上に駆動用トラ
ンジスタ７８０１が形成され、駆動用トランジスタ７８０１のソース端子に接して第１の
電極７８０３が形成され、その上に有機化合物を含む層７８０４と第２の電極７８０５が
形成されている。
また、第１の電極７８０３は発光素子の陽極である。そして第２の電極７８０５は発光素
子の陰極である。つまり、第１の電極７８０３と第２の電極７８０５とで有機化合物を含
む層７８０４が挟まれているところが発光素子となる。図７８の構成では白色光を発光す
る。そして、発光素子の上部に赤色のカラーフィルター７８０６Ｒ、緑色のカラーフィル
ター７８０６Ｇ、青色のカラーフィルター７８０６Ｂを設けられており、フルカラー表示
を行うことができる。また、これらのカラーフィルターを隔離するブラックマトリクス（
ＢＭともいう）７８０７が設けられている。
上述した発光素子の構成は組み合わせて用いることができ、本発明の表示装置に適宜用い
ることができる。また、上述した表示パネルの構成や、発光素子は例示であり、もちろん
画素構成は他の構成の表示装置に適用することもできる。
次に、表示パネルの画素部の部分断面図を示す。
まず、トランジスタの半導体層に結晶性半導体膜（ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ：Ｈ）膜）を
用いた場合について図７９及び図８０を用いて説明する。
ここで、半導体層は、例えば基板上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を公知の成膜
法で形成する。なお、アモルファスシリコン膜に限定する必要はなく、非晶質構造を含む
半導体膜（微結晶半導体膜を含む）であればよい。さらに非晶質シリコンゲルマニウム膜
などの非晶質構造を含む化合物半導体膜でもよい。
そして、アモルファスシリコン膜をレーザ結晶化法や、ＲＴＡやファーネスアニール炉を
用いた熱結晶化法や、結晶化を助長する金属元素を用いた熱結晶化法などにより結晶化さ
せる。もちろん、これらを組み合わせて行ってもよい。
上述した結晶化処理によって、非晶質半導体膜に部分的に結晶化された領域が形成される
。
さらに、部分的に結晶性が高められた結晶性半導体膜を所望の形状にパターニングして、
結晶化された領域から島状の半導体膜を形成する。この半導体膜をトランジスタの半導体
層に用いる。
図７９に示すように、基板７９０１上に下地膜７９０２が形成され、その上に半導体層が
形成されている。半導体層は駆動トランジスタ７９１８のチャネル形成領域７９０３及び
ソース領域又はドレイン領域となる不純物領域７９０５、並びに容量素子７９１９の下部
電極となるチャネル形成領域７９０６、ＬＤＤ領域７９０７及び不純物領域７９０８を有
する。なお、チャネル形成領域７９０３及びチャネル形成領域７９０６にはチャネルドー
プが行われていてもよい。
基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板などを用いることがで
きる。また、下地膜７９０２としては、窒化アルミニウムや酸化珪素、酸化窒化珪素など
の単層やこれらの積層を用いることができる。
半導体層上にはゲート絶縁膜７９０９を介してゲート電極７９１０及び容量素子の上部電
極７９１１が形成されている。
駆動トランジスタ７９１８及び容量素子７９１９を覆って層間絶縁物７９１２が形成され
、層間絶縁物７９１２上にコンタクトホールを介して配線７９１３が不純物領域７９０５
と接している。配線７９１３に接して画素電極７９１４が形成され、画素電極７９１４の
端部及び配線７９１３を覆って第２の層間絶縁物７９１５が形成されている。ここでは、
ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。そして、画素電極７９１４
上に有機化合物を含む層７９１６及び対向電極７９１７が形成され、画素電極７９１４と
対向電極７９１７とで有機化合物を含む層７９１６が挟まれた領域では発光素子７９２０
が形成されている。
また、図７９（ｂ）に示すように、容量素子７９１９の下部電極の一部を構成するＬＤＤ
領域が、上部電極７９１１と重なるような領域７９２１を設けてもよい。なお、図７９（
ａ）と共通するところは共通の符号を用い、説明は省略する。
また、図８０（ａ）に示すように、駆動トランジスタ７９１８の不純物領域７９０５と接
する配線７９１３と同じ層に形成された第２の上部電極８０９１を有していてもよい。な
お、図７９（ａ）と共通するところは共通の符号を用い、説明は省略する。第２の上部電
極８０９１と上部電極７９１１とで層間絶縁物７９１２を挟みこみ、第２の容量素子を構
成している。また、第２の上部電極８０９１は不純物領域７９０８と接しているため、上
部電極７９１１とチャネル形成領域７９０６とで下地膜７９０２を挟みこんで構成される
第１の容量素子と、上部電極７９１１と第２の上部電極８０９１とで層間絶縁物７９１２
を挟みこんで構成される第２の容量素子と、が並列に接続され、第１の容量素子と第２の
容量素子からなる容量素子８０９２を構成している。この容量素子８０９２の容量は第１
の容量素子と第２の容量素子の容量を加算した合成容量であるため、小さい面積で大きな
容量の容量素子を形成することができる。つまり、本発明の表示装置において画素構成の
容量素子として用いるとより開口率の向上が図れる。
また、図８０（ｂ）に示すような容量素子の構成としてもよい。基板８００１上に下地膜
８００２が形成され、その上に半導体層が形成されている。半導体層は駆動トランジスタ
８０１８のチャネル形成領域８００３及びソース領域又はドレイン領域となる不純物領域
８００５を有する。なお、チャネル形成領域８００３はチャネルドープが行われていても
よい。
基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板などを用いることがで
きる。また、下地膜７９０２としては、窒化アルミニウムや酸化珪素、酸化窒化珪素など
の単層やこれらの積層を用いることができる。
半導体層上にはゲート絶縁膜８００６を介してゲート電極８００７及び第１の電極８００
８が形成されている。
駆動トランジスタ８０１８及び第１の電極８００８を覆って第１の層間絶縁物８００９が
形成され、第１の層間絶縁物８００９上にコンタクトホールを介して配線８０１０が不純
物領域８００５と接している。また、配線８０１０と同じ材料からなる同層の第２の電極
８０１１が形成される。
さらに、配線８０１０及び第２の電極８０１１を覆うように第２の層間絶縁物８０１２が
形成され、第２の層間絶縁物８０１２上にコンタクトホールを介して、配線８０１０と接
して画素電極８０１３が形成されている。また、画素電極８０１３と同じ材料からなる同
層の第３の電極８０１４が形成されている。ここで、第１の電極８００８、第２の電極８
０１１及び第３の電極８０１４からなる容量素子８０１９が形成される。
画素電極８０１３と第３の電極８０１４の端部を覆って第３の層間絶縁物８０１５が形成
され、第３の層間絶縁物８０１５及び第３の電極８０１４上に有機化合物を含む層８０１
６及び対向電極８０１７が形成され、画素電極８０１３と対向電極８０１７とで有機化合
物を含む層８０１６が挟まれた領域では発光素子８０２０が形成されている。
上述したように、結晶性半導体膜を半導体層に用いたトランジスタの構成は図７９及び図
８０に示したような構成が挙げられる。なお、図７９及び図８０に示したトランジスタの
構造はトップゲートの構造のトランジスタの一例である。つまり、トランジスタはＰ型で
もＮ型でもよい。Ｎ型の場合には、ＬＤＤ領域はゲート電極と重なった構成としてもよい
し、ゲート電極と重なってない構成としてもよいし、又はＬＤＤ領域の一部の領域が重な
った構成としてもよい。さらに、ゲート電極はテーパー形状でもよく、ゲート電極のテー
パー部の下部にＬＤＤ領域が自己整合的に設けられた構成としてもよい。また、ゲート電
極は二つに限らず三以上のマルチゲート構造でもよいし、一つのゲート電極でもよい。
本発明の表示装置の画素を構成するトランジスタの半導体層（チャネル形成領域やソース
領域やドレイン領域など）に結晶性半導体膜を用いることで、例えば、図１００Ａにおけ
る第１のゲートドライバ１０００３、第２のゲートドライバ１０００６及び信号制御回路
１０００１を画素部１０００２と一体形成することが容易になる。
また、半導体層にポリシリコンを用いたトランジスタの構成として、基板と半導体層の間
にゲート電極が挟まれた構造、つまり、半導体層の下にゲート電極が位置するボトムゲー
トのトランジスタを適用した表示パネルの部分断面を図８１に示す。
基板８１０１上に下地膜８１０２が形成されている。さらに下地膜８１０２上にゲート電
極８１０３が形成されている。また、ゲート電極８１０３と同層に同じ材料からなる第１
の電極８１０４が形成されている。ゲート電極８１０３の材料にはリンが添加された多結
晶シリコンを用いることができる。多結晶シリコンの他に、金属とシリコンの化合物であ
るシリサイドでもよい。
また、ゲート電極８１０３及び第１の電極８１０４を覆うようにゲート絶縁膜８１０５が
形成されている。ゲート絶縁膜８１０５としては酸化珪素膜や窒化珪素膜などが用いられ
る。
また、ゲート絶縁膜８１０５上に、半導体層が形成されている。半導体層は駆動トランジ
スタ８１２２のチャネル形成領域８１０６、ＬＤＤ領域８１０７及びソース領域又はドレ
イン領域となる不純物領域８１０８、並びに容量素子８１２３の第２の電極となるチャネ
ル形成領域８１０９、ＬＤＤ領域８１１０及び不純物領域８１１１を有する。なお、チャ
ネル形成領域８１０６及びチャネル形成領域８１０９はチャネルドープが行われていても
よい。
基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板などを用いることがで
きる。また、下地膜８１０２としては、窒化アルミニウムや酸化珪素、酸化窒化珪素など
の単層やこれらの積層を用いることができる。
半導体層を覆って第１の層間絶縁物８１１２が形成され、第１の層間絶縁物８１１２上に
コンタクトホールを介して配線８１１３が不純物領域８１０８と接している。また、配線
８１１３と同層に同じ材料で第３の電極８１１４が形成されている。第１の電極８１０４
、第２の電極、第３の電極８１１４によって容量素子８１２３が構成されている。
また、第１の層間絶縁物８１１２には開口部８１１５が形成されている。駆動トランジス
タ８１２２、容量素子８１２３及び開口部８１１５を覆うように第２の層間絶縁物８１１
６が形成され、第２の層間絶縁物８１１６上にコンタクトホールを介して、画素電極８１
１７が形成されている。また、画素電極８１１７の端部を覆って絶縁物８１１８が形成さ
れている。例えば、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることができる。そして、画素
電極８１１７上に有機化合物を含む層８１１９及び対向電極８１２０が形成され、画素電
極８１１７と対向電極８１２０とで有機化合物を含む層８１１９が挟まれた領域では発光
素子８１２１が形成されている。そして、発光素子８１２１の下部に開口部８１１５が位
置している。つまり、発光素子８１２１からの発光を基板側から取り出すときには開口部
８１１５を有するため透過率を高めることができる。
また、図８１（ａ）において画素電極８１１７と同層に同じ材料を用いて第４の電極８１
２４を形成して、図８１（ｂ）のような構成としてもよい。すると、第１の電極８１０４
、第２の電極、第３の電極８１１４及び第４の電極８１２４によって構成される容量素子
８１２３を形成することができる。
次に、トランジスタの半導体層にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜を用いた場合
について説明する。図８２にはトップゲートのトランジスタ、図８３及び図８４にはボト
ムゲートのトランジスタの場合について示す。
アモルファスシリコンを半導体層に用いたトップゲート構造のトランジスタの断面を図８
２（ａ）に示す。基板８２０１上に下地膜８２０２が形成されている。さらに下地膜８２
０２上に画素電極８２０３が形成されている。また、画素電極８２０３と同層に同じ材料
からなる第１の電極８２０４が形成されている。
基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板などを用いることができる。また、下地膜
８２０２としては、窒化アルミニウムや酸化珪素、酸化窒化珪素などの単層やこれらの積
層を用いることができる。
また、下地膜８２０２上に配線８２０５及び配線８２０６が形成され、画素電極８２０３
の端部が配線８２０５で覆われている。配線８２０５及び配線８２０６の上部にＮ型の導
電型を有するＮ型半導体層８２０７及びＮ型半導体層８２０８が形成されている。また、
配線８２０５と配線８２０６の間であって、下地膜８２０２上に半導体層８２０９が形成
されている。そして、半導体層８２０９の一部はＮ型半導体層８２０７及びＮ型半導体層
８２０８上にまで延長されている。なお、この半導体層はアモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ）、微結晶半導体（μ−Ｓｉ：Ｈ）等の非結晶性を有する半導体膜で形成されてい
る。また、半導体層８２０９上にゲート絶縁膜８２１０が形成されている。また、ゲート
絶縁膜８２１０と同層の同じ材料からなる絶縁膜８２１１が第１の電極８２０４上にも形
成されている。なお、ゲート絶縁膜８２１０としては酸化珪素膜や窒化珪素膜などが用い
られる。
また、ゲート絶縁膜８２１０上に、ゲート電極８２１２が形成されている。また、ゲー
ト電極と同層に同じ材料でなる第２の電極８２１３が第１の電極８２０４上に絶縁膜８２
１１を介して形成されている。第１の電極８２０４及び第２の電極８２１３で絶縁膜８２
１１を挟まれた容量素子８２１９が形成されている。また、画素電極８２０３の端部、駆
動トランジスタ８２１８及び容量素子８２１９を覆い、層間絶縁膜８２１４が形成されて
いる。
層間絶縁膜８２１４及びその開口部に位置する画素電極８２０３上に有機化合物を含む層
８２１５及び対向電極８２１６が形成され、画素電極８２０３と対向電極８２１６とで有
機化合物を含む層８２１５が挟まれた領域では発光素子８２１７が形成されている。
また、図８２（ａ）に示す第１の電極８２０４を図８２（ｂ）に示すように第１の電極８
２２０で形成してもよい。第１の電極８２２０は配線８２０５及び８２０６と同層の同一
材料で形成されている。
また、アモルファスシリコンを半導体層に用いたボトムゲート構造のトランジスタを用い
た表示装置のパネルの部分断面を図８３に示す。
基板８３０１上に下地膜８３０２が形成されている。さらに下地膜８３０２上にゲート
電極８３０３が形成されている。また、ゲート電極と同層に同じ材料からなる第１の電極
８３０４が形成されている。ゲート電極８３０３の材料にはリンが添加された多結晶シリ
コンを用いることができる。多結晶シリコンの他に、金属とシリコンの化合物であるシリ
サイドでもよい。
また、ゲート電極８３０３及び第１の電極８３０４を覆うようにゲート絶縁膜８３０５が
形成されている。ゲート絶縁膜８３０５としては酸化珪素膜や窒化珪素膜などが用いられ
る。
また、ゲート絶縁膜８３０５上に、半導体層８３０６が形成されている。また、半導体
層８３０６と同層に同じ材料からなる半導体層８３０７が形成されている。
基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板などを用いることができる。また、下地膜
８２０２としては、窒化アルミニウムや酸化珪素、酸化窒化珪素などの単層やこれらの積
層を用いることができる。
半導体層８３０６上にはＮ型の導電性を有するＮ型半導体層８３０８、８３０９が形成さ
れ、半導体層８３０７上にはＮ型半導体層８３１０が形成されている。
Ｎ型半導体層８３０８、８３０９上にはそれぞれ配線８３１１、８３１２が形成され、Ｎ
型半導体層８３１０上には配線８３１１及び８３１２と同層の同一材料からなる導電層８
３１３が形成されている。
半導体層８３０７、Ｎ型半導体層８３１０及び導電層８３１３からなる第２の電極が構成
される。なお、この第２の電極と第１の電極８３０４で下地膜８３０２を挟み込んだ構造
の容量素子８３２０が形成されている。
また、配線８３１１の一方の端部は延在し、その延在した配線８３１１上部に接して画素
電極８３１４が形成されている。
また、画素電極８３１４の端部、駆動トランジスタ８３１９及び容量素子８３２０を覆う
ように絶縁物８３１５が形成されている。
画素電極８３１４及び絶縁物８３１５上には有機化合物を含む層８３１６及び対向電極８
３１７が形成され、画素電極８３１４と対向電極８３１７とで有機化合物を含む層８３１
６が挟まれた領域では発光素子８３１８が形成されている。
容量素子の第２の電極の一部となる半導体層８３０７及びＮ型半導体層８３１０は設けな
くても良い。つまり第２の電極は導電層８３１３とし、第１の電極８３０４と導電層８３
１３でゲート絶縁膜が挟まれた構造の容量素子としてもよい。
なお、図８３（ａ）において、配線８３１１を形成する前に画素電極８３１４を形成する
ことで、図８３（ｂ）に示すような、画素電極８３１４からなる第２の電極８３２１と第
１の電極８３０４でゲート絶縁膜８３０５が挟まれた構造の容量素子８３２２を形成する
ことができる。
なお、図８３では、逆スタガ型のチャネルエッチ構造のトランジスタについて示したが、
もちろんチャネル保護構造のトランジスタでも良い。チャネル保護構造のトランジスタの
場合について、図８４（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
図８４（ａ）に示すチャネル保護型構造のトランジスタは図８３（ａ）に示したチャネル
エッチ構造の駆動トランジスタ８３１９の半導体層８３０６のチャネルが形成される領域
上にエッチングのマスクとなる絶縁物８４０１が設けられている点が異なり、他の共通し
ているところは共通の符号を用いている。
また、同様に、図８４（ｂ）に示すチャネル保護型構造のトランジスタは図８３（ｂ）に
示したチャネルエッチ構造の駆動トランジスタ８３１９の半導体層８３０６のチャネルが
形成される領域上にエッチングのマスクとなる絶縁物８４０１が設けられている点が異な
り、他の共通しているところは共通の符号を用いている。
本発明の表示装置の画素を構成するトランジスタの半導体層（チャネル形成領域やソース
領域やドレイン領域など）に非晶質半導体膜を用いることで、製造コストを削減すること
ができる。例えば、図６６や図６７に示す画素構成を用いることで非晶質半導体膜を適用
することが可能である。
なお、本発明の表示装置の画素構成に適用することができるトランジスタの構造や、容量
素子の構造は上述した構成に限らず、さまざまな構成のトランジスタの構造や、容量素子
の構造のものを用いることができる。
また、表示パネルの駆動に上記実施の形態で示した表示装置の構成を適用することにより
、トランジスタの特性劣化を抑制することができる。そのため、トランジスタの特性劣化
が原因のシフトレジスタの誤動作を防止することができる。また、シフトレジスタの誤動
作が原因の表示パネルの表示不良を抑制することができる。
なお、本実施の形態で示した表示パネルの構成は、本明細書中の他の実施の形態に示した
表示装置の構成と自由に組み合わせて実施することができる。また、本実施の形態で示し
た表示パネルの構成も自由に組み合わせて実施することができる。
（実施の形態１５）
本実施形態においては、本発明を適用できる半導体装置が薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を
素子として有する場合の半導体装置の作製方法について、図面を参照して説明する。
図８５は、本発明を適用できる半導体装置が有することのできるＴＦＴの構造および製造
プロセスの例を示す図である。図８５（Ａ）は、本発明を適用できる半導体装置が有する
ことのできるＴＦＴの構造の例を示す図である。また、図８５（Ｂ）乃至（Ｇ）は、本発
明を適用できる半導体装置が有することのできるＴＦＴの製造プロセスの例を示す図であ
る。
なお、本発明を適用できる半導体装置が有することのできるＴＦＴの構造および製造プロ
セスは、図８５に示すものに限定されず、様々な構造および製造プロセスを用いることが
できる。
まず、図８５（Ａ）を参照し、本発明を適用できる半導体装置が有することのできるＴＦ
Ｔの構造の例について説明する。図８５（Ａ）は複数の異なる構造を有するＴＦＴの断面
図である。ここで、図８５（Ａ）においては、複数の異なる構造を有するＴＦＴを並置し
て示しているが、これは、発明を適用できる半導体装置が有することのできるＴＦＴの構
造を説明するための表現であり、発明を適用できる半導体装置が有することのできるＴＦ
Ｔが、実際に図８５（Ａ）のように並置されている必要はなく、必要に応じてつくり分け
ることができる。
次に、本発明を適用できる半導体装置が有することのできるＴＦＴを構成する各層の特徴
について説明する。
基板８５１１は、バリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス
基板、石英基板、セラミック基板またはステンレスを含む金属基板等を用いることができ
る。他にも、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥ
Ｎ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の可
撓性を有する合成樹脂からなる基板を用いることも可能である。可撓性を有する基板を用
いることによって、折り曲げが可能である半導体装置を作製することが可能となる。また
、このような基板であれば、その面積や形状に大きな制限はないため、基板８５１１とし
て、例えば、１辺が１メートル以上であって、矩形状のものを用いれば、生産性を格段に
向上させることができる。このような利点は、円形のシリコン基板を用いる場合と比較す
ると、大きな優位点である。
絶縁膜８５１２は、下地膜として機能する。基板８５１１からＮａなどのアルカリ金属や
アルカリ土類金属が、半導体素子の特性に悪影響を及ぼすのを防ぐために設ける。絶縁膜
８５１２としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等の酸素または窒
素を有する絶縁膜の単層構造、またはこれらの積層構造で設けることができる。例えば、
絶縁膜８５１２を２層構造で設ける場合、１層目の絶縁膜として窒化酸化珪素膜を設け、
２層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を設けるとよい。また絶縁膜８５１２を３層構造で
設ける場合、１層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を設け、２層目の絶縁膜として窒化酸
化珪素膜を設け、３層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を設けるとよい。
半導体膜８５１３、８５１４、８５１５は、非晶質（アモルファス）半導体またはセミア
モルファス半導体（ＳＡＳ）で形成することができる。また、多結晶半導体膜を用いても
良い。ＳＡＳは、非晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造を有し、自
由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪み
を有する結晶質な領域を含んでいる。少なくとも膜中の一部の領域には、０．５〜２０ｎ
ｍの結晶領域を観測することができ、珪素を主成分とする場合にはラマンスペクトルが５
２０ｃｍ−１よりも低波数側にシフトしている。Ｘ線回折では珪素結晶格子に由来すると
される（１１１）、（２２０）の回折ピークが観測される。未結合手（ダングリングボン
ド）の終端として水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている
。ＳＡＳは、珪素を含有した気体をグロー放電分解（プラズマＣＶＤ）して形成する。珪
素を含有した気体としては、ＳｉＨ４、その他にもＳｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ
Ｃｌ３、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４などを用いることが可能である。またＧｅＦ４を混合させ
ても良い。この珪素を含有した気体をＨ２、または、Ｈ２とＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｎｅから
選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈してもよい。希釈率は２〜１０００倍の範
囲。圧力は概略０．１Ｐａ〜１３３Ｐａの範囲、電源周波数は１ＭＨｚ〜１２０ＭＨｚ、
好ましくは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚ。基板加熱温度は３００℃以下でよい。膜中の不純物
元素として、酸素、窒素、炭素などの大気成分の不純物は１×１０２０ｃｍ−１以下とす
ることが望ましく、特に、酸素濃度は５×１０１９／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１
９／ｃｍ３以下とする。ここでは、公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣ
ＶＤ法等）を用いてシリコン（Ｓｉ）を主成分とする材料（例えばＳｉｘＧｅ１−ｘ等）
で非晶質半導体膜を形成し、当該非晶質半導体膜をレーザ結晶化法、ＲＴＡ又はファーネ
スアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法などの
公知の結晶化法により結晶化させる。
絶縁膜８５１６は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等の酸素または窒
素を有する絶縁膜の単層構造、またはこれらの積層構造で設けることができる。
ゲート電極８５１７は、単層の導電膜、または二層、三層の導電膜の積層構造とすること
ができる。ゲート電極８５１７の材料としては、公知の導電膜を用いることができる。た
とえば、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）
、クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）などの元素の単体膜、または、元素の窒化膜（代表
的には窒化タンタル膜、窒化タングステン膜、窒化チタン膜）、または、元素を組み合わ
せた合金膜（代表的にはＭｏ−Ｗ合金、Ｍｏ−Ｔａ合金）、または、元素のシリサイド膜
（代表的にはタングステンシリサイド膜、チタンシリサイド膜）などを用いることができ
る。なお、上述した単体膜、窒化膜、合金膜、シリサイド膜などは、単層で用いてもよい
し、積層して用いてもよい。
絶縁膜８５１８は、公知の手段（スパッタ法やプラズマＣＶＤ法等）により、酸化珪素、
窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等の酸素または窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダ
イヤモンドライクカーボン）等の炭素を含む膜の単層構造、またはこれらの積層構造で設
けることができる。
絶縁膜８５１９は、酸化珪素、窒化珪素（、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等の酸素または
窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等の炭素を含む膜はもちろ
ん、その他にもエポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシク
ロブテン、アクリル等の有機材料やシロキサン樹脂からなる単層または積層構造で設ける
ことができる。なお、シロキサン樹脂とは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。
シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基
として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられ
る。置換基として、フルオロ基を用いることもできる。または置換基として、少なくとも
水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。なお、本発明における半導体装置に
おいて、絶縁膜８５１８を設けずにゲート電極８５１７を覆うように直接絶縁膜８５１９
を設けることも可能である。
導電膜８５２３は、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕ、Ｍｎな
どの元素の単体膜、または、元素の窒化膜、または、元素を組み合わせた合金膜、または
、元素のシリサイド膜などを用いることができる。例えば、元素を複数含む合金として、
ＣとＴｉを含有したＡｌ合金、Ｎｉを含有したＡｌ合金、ＣとＮｉを含有したＡｌ合金、
ＣとＭｎを含有したＡｌ合金等を用いることができる。また、積層構造で設ける場合、Ａ
ｌをＭｏまたはＴｉなどで挟み込んだ構造とすることができる。こうすることで、Ａｌの
熱や化学反応に対する耐性を向上することができる。
次に、図８５（Ａ）に示した、複数の異なる構造を有するＴＦＴの断面図を参照して、各
々の構造の特徴について説明する。
８５０１は、シングルドレインＴＦＴであり、簡便な方法で製造できるため、製造コスト
が低く、歩留まりを高く製造できる利点がある。ここで、半導体膜８５１３、８５１５は
、それぞれ不純物の濃度が異なり、半導体膜８５１３はチャネル領域、半導体膜８５１５
はソース領域及びドレイン領域として用いる。このように、不純物の量を制御することで
、半導体膜の抵抗率を制御できる。また、半導体膜と導電膜８５２３との電気的な接続状
態を、オーミック接続に近づけることができる。なお、不純物の量の異なる半導体膜を作
り分ける方法としては、ゲート電極８５１７をマスクとして半導体膜に不純物をドーピン
グする方法を用いることができる。
８５０２は、ゲート電極８５１７に一定以上のテーパー角を有するＴＦＴであり、簡便な
方法で製造できるため、製造コストが低く、歩留まりを高く製造できる利点がある。ここ
で、半導体膜８５１３、８５１４、８５１５は、それぞれ不純物濃度が異なり、半導体膜
８５１３はチャネル領域、半導体膜８５１４は低濃度ドレイン（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐ
ｅｄ Ｄｒａｉｎ：ＬＤＤ）領域、半導体膜８５１５はソース領域及びドレイン領域とし
て用いる。このように、不純物の量を制御することで、半導体膜の抵抗率を制御できる。
また、半導体膜と導電膜８５２３との電気的な接続状態を、オーミック接続に近づけるこ
とができる。また、ＬＤＤ領域を有するため、ＴＦＴ内部に高電界がかかりにくく、ホッ
トキャリアによる素子の劣化を抑制することができる。なお、不純物の量の異なる半導体
膜を作り分ける方法としては、ゲート電極８５１７をマスクとして半導体膜に不純物をド
ーピングする方法を用いることができる。ＴＦＴ８５０２においては、ゲート電極８５１
７が一定以上のテーパー角を有しているため、ゲート電極８５１７を通過して半導体膜に
ドーピングされる不純物の濃度に勾配を持たせることができ、簡便にＬＤＤ領域を形成す
ることができる。
８５０３は、ゲート電極８５１７が少なくとも２層で構成され、下層のゲート電極が上層
のゲート電極よりも長い形状を有するＴＦＴである。ゲート電極８５１７がこのような形
状であることによって、フォトマスクを追加することなく、ＬＤＤ領域を形成することが
できる。なお、ＴＦＴ８５０３のように、ＬＤＤ領域がゲート電極８５１７と重なってい
る構造を、特にＧＯＬＤ構造（Ｇａｔｅ Ｏｖｅｒｌａｐｐｅｄ ＬＤＤ）と呼ぶ。なお
、ゲート電極８５１７の形状をこのような形状とする方法としては、次のような方法を用
いてもよい。まず、ゲート電極８５１７をパターニングする際に、ドライエッチングによ
り、下層のゲート電極及び上層のゲート電極をエッチングして側面に傾斜（テーパー）の
ある形状にする。続いて、異方性エッチングにより上層のゲート電極の傾斜を垂直に近く
なるように加工する。これにより、下層のゲート電極が上層のゲート電極よりも長い形状
のゲート電極が形成される。その後、２回、不純物元素をドーピングすることによって、
チャネル領域として用いる半導体膜８５１３、ＬＤＤ領域として用いる半導体膜８５１４
、ソース端子及びドレイン端子として用いる半導体膜８５１５が形成される。
なお、ゲート電極８５１７と重なっているＬＤＤ領域をＬｏｖ領域、ゲート電極８５１７
と重なっていないＬＤＤ領域をＬｏｆｆ領域と呼ぶことにする。ここで、Ｌｏｆｆ領域は
オフ電流値を抑える効果は高いが、ドレイン近傍の電界を緩和してホットキャリアによる
オン電流値の劣化を防ぐ効果は低い。一方、Ｌｏｖ領域はドレイン近傍の電界を緩和し、
オン電流値の劣化の防止には有効であるが、オフ電流値を抑える効果は低い。よって、種
々の回路毎に、求められる特性に応じた構造のＴＦＴを作製することが好ましい。たとえ
ば、本発明における半導体装置を表示装置として用いる場合、画素ＴＦＴは、オフ電流値
を抑えるために、Ｌｏｆｆ領域を有するＴＦＴを用いることが好適である。一方、周辺回
路におけるＴＦＴは、ドレイン近傍の電界を緩和し、オン電流値の劣化を防止するために
、Ｌｏｖ領域を有するＴＦＴを用いることが好適である。
８５０４は、ゲート電極８５１７の側面に接して、サイドウォール８５２１を有するＴＦ
Ｔである。サイドウォール８５２１を有することによって、サイドウォール８５２１と重
なる領域をＬＤＤ領域とすることができる。
８５０５は、半導体膜にマスクを用いてドーピングすることにより、ＬＤＤ（Ｌｏｆｆ）
領域を形成したＴＦＴである。こうすることにより、確実にＬＤＤ領域を形成することが
でき、ＴＦＴのオフ電流値を低減することができる。
８５０６は、半導体膜にマスクを用いてドーピングすることにより、ＬＤＤ（Ｌｏｖ）領
域を形成したＴＦＴである。こうすることにより、確実にＬＤＤ領域を形成することがで
き、ＴＦＴのドレイン近傍の電界を緩和し、オン電流値の劣化を低減することができる。
次に、図８５（Ｂ）乃至（Ｇ）を参照して、本発明を適用できる半導体装置が有すること
のできるＴＦＴの製造プロセスの例を説明する。なお、本発明を適用できる半導体装置が
有することのできるＴＦＴの構造および製造プロセスは、図８５に示すものに限定されず
、様々な構造および製造プロセスを用いることができる。
本発明においては、基板８５１１、絶縁膜８５１２、半導体膜８５１３、８５１４、８５
１５、絶縁膜８５１６、絶縁膜８５１８、または絶縁膜８５１９の表面に、プラズマ処理
を用いて酸化または窒化を行うことにより、半導体膜または絶縁膜を酸化または窒化する
ことができる。このように、プラズマ処理を用いて半導体膜または絶縁膜を酸化または窒
化することによって、当該半導体膜または絶縁膜の表面を改質し、ＣＶＤ法やスパッタ法
により形成した絶縁膜と比較してより緻密な絶縁膜を形成することができるため、ピンホ
ール等の欠陥を抑制し半導体装置の特性等を向上させることが可能となる。
まず、基板８５１１の表面をフッ酸（ＨＦ）、アルカリまたは純水を用いて洗浄する。基
板８５１１は、バリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基
板、石英基板、セラミック基板またはステンレスを含む金属基板等を用いることができる
。他にも、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ
）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓
性を有する合成樹脂からなる基板を用いることも可能である。なお、ここでは基板８５１
１としてガラス基板を用いる場合を示す。
ここで、基板８５１１の表面にプラズマ処理を行うことで、基板８５１１の表面を酸化ま
たは窒化することによって、基板８５１１の表面に酸化膜または窒化膜を形成してもよい
（図８５（Ｂ））。表面にプラズマ処理を行うことで形成された酸化膜または窒化膜など
の絶縁膜を、以下では、プラズマ処理絶縁膜とも記す。図８５（Ｂ）においては、絶縁膜
８５３１がプラズマ処理絶縁膜である。一般的に、ガラスやプラスチック等の基板上に薄
膜トランジスタ等の半導体素子を設ける場合、ガラスやプラスチック等に含まれるＮａな
どのアルカリ金属やアルカリ土類金属等の不純物元素が半導体素子に混入して汚染するこ
とによって、半導体素子の特性に影響を及ぼす恐れがある。しかし、ガラスやプラスチッ
ク等からなる基板の表面を窒化することにより、基板に含まれるＮａなどのアルカリ金属
やアルカリ土類金属等の不純物元素が半導体素子に混入するのを防止することができる。
なお、プラズマ処理により表面を酸化する場合には、酸素雰囲気下（例えば、酸素（Ｏ２
）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）雰囲気下または酸
素と水素（Ｈ２）と希ガス雰囲気下または一酸化二窒素と希ガス雰囲気下）でプラズマ処
理を行う。一方、プラズマ処理により表面を窒化する場合には、窒素雰囲気下（例えば、
窒素（Ｎ２）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）雰囲気
下または窒素と水素と希ガス雰囲気下またはＮＨ３と希ガス雰囲気下）でプラズマ処理を
行う。希ガスとしては、例えばＡｒを用いることができる。また、ＡｒとＫｒを混合した
ガスを用いてもよい。そのため、プラズマ処理絶縁膜は、プラズマ処理に用いた希ガス（
Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）を含んでいる。たとえば、Ａｒ
を用いた場合にはプラズマ処理絶縁膜にＡｒが含まれている。
また、プラズマ処理は、上記ガスの雰囲気中において、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３
以上１×１０１３ｃｍ−３以下であり、プラズマの電子温度が０．５ｅｖ以上１．５ｅＶ
以下で行うことが好適である。プラズマの電子密度が高密度であり、被処理物付近での電
子温度が低いため、被処理物に対するプラズマによる損傷を防止することができる。また
、プラズマの電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上と高密度であるため、プラズマ処理を
用いて、被照射物を酸化または窒化することよって形成される酸化膜または窒化膜は、Ｃ
ＶＤ法やスパッタ法等により形成された膜と比較して膜厚等が均一性に優れ、且つ緻密な
膜を形成することができる。また、プラズマの電子温度が１ｅＶ以下と低いため、従来の
プラズマ処理や熱酸化法と比較して低温度で酸化または窒化処理を行うことができる。た
とえば、ガラス基板の歪点温度よりも１００度以上低い温度でプラズマ処理を行っても十
分に酸化または窒化処理を行うことができる。なお、プラズマを形成するための周波数と
しては、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ）等の高周波を用いることができる。なお、以下に
特に断らない場合は、プラズマ処理として上記条件を用いて行うものとする。
なお、図８５（Ｂ）においては、基板８５１１の表面をプラズマ処理することによってプ
ラズマ処理絶縁膜を形成する場合を示しているが、本発明は、基板８５１１の表面にプラ
ズマ処理絶縁膜を形成しない場合も含む。
なお、図８５（Ｃ）乃至（Ｇ）においては、被処理物の表面をプラズマ処理することによ
って形成されるプラズマ処理絶縁膜を図示しないが、本発明においては、基板８５１１、
絶縁膜８５１２、半導体膜８５１３、８５１４、８５１５、絶縁膜８５１６、絶縁膜８５
１８、または絶縁膜８５１９の表面に、プラズマ処理を行なうことによって形成されるプ
ラズマ処理絶縁膜が存在する場合も含む。
次に、基板８５１１上に公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等）
を用いて絶縁膜８５１２を形成する（図８５（Ｃ））。絶縁膜８５１２としては、酸化珪
素または酸化窒化珪素を用いることができる。
ここで、絶縁膜８５１２の表面にプラズマ処理を行い、絶縁膜８５１２を酸化または窒化
することによって、絶縁膜８５１２の表面にプラズマ処理絶縁膜を形成してもよい。絶縁
膜８５１２の表面を酸化することによって、絶縁膜８５１２の表面を改質しピンホール等
の欠陥の少ない緻密な膜を得ることができる。また、絶縁膜８５１２の表面を酸化するこ
とによって、Ｎ原子の含有率が低いプラズマ処理絶縁膜を形成することができるため、プ
ラズマ処理絶縁膜に半導体膜を設けた場合にプラズマ処理絶縁膜と半導体膜界面特性が向
上する。また、プラズマ処理絶縁膜は、プラズマ処理に用いた希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ
、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）を含んでいる。なお、プラズマ処理は上述した条
件下で同様に行うことができる。
次に、絶縁膜８５１２上に島状の半導体膜８５１３、８５１４を形成する（図８５（Ｄ）
）。島状の半導体膜８５１３、８５１４は、絶縁膜８５１２上に公知の手段（スパッタ法
、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等）を用いてシリコン（Ｓｉ）を主成分とする材料（
例えばＳｉｘＧｅ１−ｘ等）等を用いて非晶質半導体膜を形成し、当該非晶質半導体膜を
結晶化させ、半導体膜を選択的にエッチングすることにより設けることができる。なお、
非晶質半導体膜の結晶化は、レーザ結晶化法、ＲＴＡ又はファーネスアニール炉を用いる
熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法またはこれら方法を組み合わ
せた方法等の公知の結晶化法により行うことができる。なお、ここでは、島状の半導体膜
の端部を直角に近い形状（θ＝８５〜１００°）で設ける。また、低濃度ドレイン領域と
なる半導体膜８５１４は、マスクを用いて不純物をドーピングすることによって形成され
てもよい。
ここで、半導体膜８５１３、８５１４の表面にプラズマ処理を行い、半導体膜８５１３、
８５１４の表面を酸化または窒化することによって、半導体膜８５１３、８５１４の表面
にプラズマ処理絶縁膜を形成してもよい。例えば、半導体膜８５１３、８５１４としてＳ
ｉを用いた場合、プラズマ処理絶縁膜として、酸化珪素または窒化珪素が形成される。ま
た、プラズマ処理により半導体膜８５１３、８５１４を酸化させた後に、再度プラズマ処
理を行うことによって窒化させてもよい。この場合、半導体膜８５１３、８５１４に接し
て酸化珪素が形成され、当該酸化珪素の表面に窒化酸化珪素が形成される。なお、プラズ
マ処理により半導体膜を酸化する場合には、酸素雰囲気下（例えば、酸素（Ｏ２）と希ガ
ス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）雰囲気下または酸素と水素
（Ｈ２）と希ガス雰囲気下または一酸化二窒素と希ガス雰囲気下）でプラズマ処理を行う
。一方、プラズマ処理により半導体膜を窒化する場合には、窒素雰囲気下（例えば、窒素
（Ｎ２）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）雰囲気下ま
たは窒素と水素と希ガス雰囲気下またはＮＨ３と希ガス雰囲気下）でプラズマ処理を行う
。希ガスとしては、例えばＡｒを用いることができる。また、ＡｒとＫｒを混合したガス
を用いてもよい。そのため、プラズマ処理絶縁膜は、プラズマ処理に用いた希ガス（Ｈｅ
、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）を含んでいる。たとえば、Ａｒを用
いた場合にはプラズマ処理絶縁膜にＡｒが含まれている。
次に、絶縁膜８５１６を形成する（図８５（Ｅ））。絶縁膜８５１６は、公知の手段（ス
パッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等）を用いて、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒
化珪素、窒化酸化珪素（ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁膜の単層構造、または
これらの積層構造で設けることができる。なお、半導体膜８５１３、８５１４の表面をプ
ラズマ処理することにより、半導体膜８５１３、８５１４の表面にプラズマ処理絶縁膜を
形成した場合には、プラズマ処理絶縁膜を絶縁膜８５１６として用いることも可能である
。
ここで、絶縁膜８５１６の表面にプラズマ処理を行い、絶縁膜８５１６の表面を酸化また
は窒化することによって、絶縁膜８５１６の表面にプラズマ処理絶縁膜を形成してもよい
。なお、プラズマ処理絶縁膜は、プラズマ処理に用いた希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ
、Ｘｅの少なくとも一つを含む）を含んでいる。また、プラズマ処理は上述した条件下で
同様に行うことができる。
また、一旦酸素雰囲気下でプラズマ処理を行うことにより絶縁膜８５１６を酸化させた後
に、再度窒素雰囲気下でプラズマ処理を行うことにより窒化させてもよい。このように、
絶縁膜８５１６にプラズマ処理を行い、絶縁膜８５１６の表面を酸化または窒化すること
によって、絶縁膜８５１６の表面を改質し緻密な膜を形成することができる。プラズマ処
理を行うことによって得られた絶縁膜は、ＣＶＤ法やスパッタ法で形成された絶縁膜と比
較して緻密でピンホール等の欠陥も少ないため、薄膜トランジスタの特性を向上させるこ
とができる。
次に、ゲート電極８５１７を形成する（図８５（Ｆ））。ゲート電極８５１７は、公知の
手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等）を用いて形成することができる
。
ＴＦＴ８５０１においては、ゲート電極８５１７を形成した後に不純物ドーピングを行な
うことで、ソース領域及びドレイン領域として用いる半導体膜８５１５を形成することが
できる。
ＴＦＴ８５０２においては、ゲート電極８５１７を形成した後に不純物ドーピングを行な
うことで、ＬＤＤ領域として用いる８５１４と、ソース領域及びドレイン領域として用い
る半導体膜８５１５を形成することができる。
ＴＦＴ８５０３においては、ゲート電極８５１７を形成した後に不純物ドーピングを行な
うことで、ＬＤＤ領域として用いる８５１４と、ソース領域及びドレイン領域として用い
る半導体膜８５１５を形成することができる。
ＴＦＴ８５０４においては、ゲート電極８５１７の側面にサイドウォール８５２１を形成
した後、不純物ドーピングを行なうことで、ＬＤＤ領域として用いる８５１４と、ソース
領域及びドレイン領域として用いる半導体膜８５１５を形成することができる。
なお、サイドウォール８５２１は、酸化珪素または窒化珪素を用いることができる。サイ
ドウォール８５２１をゲート電極８５１７の側面に形成する方法としては、たとえば、ゲ
ート電極８５１７を形成した後に、酸化珪素または窒化珪素を公知の方法で成膜した後に
、異方性エッチングによって酸化珪素膜または窒化珪素膜をエッチングする方法を用いる
ことができる。こうすることで、ゲート電極８５１７の側面にのみ酸化珪素または窒化珪
素膜を残すことができるので、ゲート電極８５１７の側面にサイドウォール８５２１を形
成することができる。
ＴＦＴ８５０５においては、ゲート電極８５１７を覆うようにマスク８５２２を形成した
後、不純物ドーピングを行なうことで、ＬＤＤ（Ｌｏｆｆ）領域として用いる８５１４と
、ソース領域及びドレイン領域として用いる半導体膜８５１５を形成することができる。
ＴＦＴ８５０６においては、ゲート電極８５１７を形成した後に不純物ドーピングを行な
うことで、ＬＤＤ（Ｌｏｖ）領域として用いる８５１４と、ソース領域及びドレイン領域
として用いる半導体膜８５１５を形成することができる。
次に、絶縁膜８５１８を形成する（図８５（Ｇ））。絶縁膜８５１８は、公知の手段（ス
パッタ法やプラズマＣＶＤ法等）により、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化
珪素等の酸素または窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等の炭
素を含む膜の単層構造、またはこれらの積層構造で設けることができる。
ここで、絶縁膜８５１８の表面にプラズマ処理を行い、絶縁膜８５１８の表面を酸化また
は窒化することによって、絶縁膜８５１８の表面にプラズマ処理絶縁膜を形成してもよい
。なお、プラズマ処理絶縁膜は、プラズマ処理に用いた希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ
、Ｘｅの少なくとも一つを含む）を含んでいる。また、プラズマ処理は上述した条件下で
同様に行うことができる。
次に、絶縁膜８５１９を形成する。絶縁膜８５１９は、公知の手段（スパッタ法やプラズ
マＣＶＤ法等）により、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等の酸素また
は窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等の炭素を含む膜を用い
ることができる他に、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベン
ゾシクロブテン、アクリル等の有機材料やシロキサン樹脂の単層構造、またはこれらの積
層構造で設けることができる。なお、シロキサン樹脂とは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む樹
脂に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成
される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水
素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いることもできる。または置換基とし
て、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。また、プラズマ処理
絶縁膜には、プラズマ処理に用いた希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも
一つを含む）が含まれており、例えばＡｒを用いた場合にはプラズマ処理絶縁膜中にＡｒ
が含まれている。
絶縁膜８５１９としてポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブ
テン、アクリル等の有機材料やシロキサン樹脂等を用いた場合、絶縁膜８５１９の表面を
プラズマ処理により酸化または窒化することにより、当該絶縁膜の表面を改質することが
できる。表面を改質することによって、絶縁膜８５１９の強度が向上し開口部形成時等に
おけるクラックの発生やエッチング時の膜減り等の物理的ダメージを低減することが可能
となる。また、絶縁膜８５１９の表面が改質されることによって、絶縁膜８５１９上に導
電膜８５２３を形成する場合に導電膜との密着性が向上する。例えば、絶縁膜８５１９と
してシロキサン樹脂を用いてプラズマ処理を用いて窒化を行った場合、シロキサン樹脂の
表面が窒化されることにより窒素または希ガスを含むプラズマ処理絶縁膜が形成され、物
理的強度が向上する。
次に、半導体膜８５１５と電気的に接続された導電膜８５２３を形成するため、絶縁膜８
５１９、絶縁膜８５１８、絶縁膜８５１６にコンタクトホールを形成する。なお、コンタ
クトホールの形状はテーパー状であってもよい。こうすることで、導電膜８５２３のカバ
レッジを向上させることができる。
なお、本実施の形態で示した半導体装置の作製方法は、本明細書中の他の実施の形態に示
した表示装置の作製方法にも適用させることができる。また、本実施の形態で示した半導
体装置の作製方法も自由に組み合わせて実施することができる。
（実施の形態１６）
本実施の形態では、トランジスタを始めとする半導体装置を作製するプロセスとして、ハ
ーフトーン方式について説明する。
図１０４はトランジスタ、容量素子、抵抗素子を含む半導体装置の断面構造を示す図であ
る。図１０４は、Ｎチャネル型トランジスタ１０４０１、Ｎチャネル型トランジスタ１０
４０２、容量素子１０４０４、抵抗素子１０４０５、Ｐチャネル型トランジスタ１０４０
３が示されている。各トランジスタは半導体層１０５０５、絶縁層１０５０８、ゲート電
極１０５０９を備えている。ゲート電極１０５０９は、第１導電層１０５０３と第２導電
層１０５０２の積層構造で形成されている。また、図１０５（Ａ）〜（Ｅ）は、図１０４
で示すトランジスタ、容量素子、抵抗素子に対応する上面図であり、合わせて参照するこ
とができる。
図１０４において、Ｎチャネル型トランジスタ１０４０１は、チャネル長方向（キャリア
の流れる方向）において、ゲート電極の両側に低濃度ドレイン（ＬＤＤ）とも呼ばれ、配
線１０５０４とコンタクトを形成するソース領域及びドレイン領域を形成する不純物領域
１０５０６の不純物濃度よりも低濃度にドープされた不純物領域１０５０７が半導体層１
０５０５に形成されている。不純物領域１０５０６と不純物領域１０５０７には、Ｎチャ
ネル型トランジスタ１０４０１を構成する場合、Ｎ型を付与する不純物としてリンなどが
添加されている。ＬＤＤはホットエレクトロン劣化や短チャネル効果を抑制する手段とし
て形成される。
図１０５（Ａ）で示すように、Ｎチャネル型トランジスタ１０４０１のゲート電極１０５
０９において、第１導電層１０５０３は、第２導電層１０５０２の両側に広がって形成さ
れている。この場合において、第１導電層１０５０３の膜厚は、第２導電層１０５０２の
膜厚よりも薄く形成されている。第１導電層１０５０３の厚さは、１０〜１００ｋＶの電
界で加速されたイオン種を通過させることが可能な厚さに形成されている。不純物領域１
０５０７はゲート電極１０５０９の第１導電層１０５０３と重なるように形成されている
。すなわち、ゲート電極１０５０９とオーバーラップするＬＤＤ領域を形成している。こ
の構造は、ゲート電極１０５０９において、第２導電層１０５０２をマスクとして、第１
導電層１０５０３を通して一導電型の不純物を添加することにより、自己整合的に不純物
領域１０５０７を形成している。すなわち、ゲート電極とオーバーラップするＬＤＤを自
己整合的に形成している。
図１０４において、Ｎチャネル型トランジスタ１０４０２は、ゲート電極の片側に不純物
領域１０５０６の不純物濃度よりも低濃度にドープされた不純物領域１０５０７が半導体
層１０５０５に形成されている。図１０５（Ｂ）で示すように、Ｎチャネル型トランジス
タ１０４０２のゲート電極１０５０９において、第１導電層１０５０３は、第２導電層１
０５０２の片側に広がって形成されている。この場合も同様に、第２導電層１０５０２を
マスクとして、第１導電層１０５０３を通して一導電型の不純物を添加することにより、
自己整合的にＬＤＤを形成することができる。
片側にＬＤＤを有するトランジスタは、ソース端子及びドレイン端子間に正電圧のみ、も
しくは負電圧のみが印加されるトランジスタに適用すればよい。具体的には、インバータ
回路、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路、ラッチ回路といった論理ゲートを構成するトランジス
タや、センスアンプ、定電圧発生回路、ＶＣＯといったアナログ回路を構成するトランジ
スタに適用すればよい。
図１０４において、容量素子１０４０４は、第１導電層１０５０３と半導体層１０５０５
とで絶縁層１０５０８を挟んで形成されている。容量素子１０４０４を形成する半導体層
１０５０５には、不純物領域１０５１０と不純物領域１０５１１を備えている。不純物領
域１０５１１は、半導体層１０５０５において第１導電層１０５０３と重なる位置に形成
される。また、不純物領域１０５１０は配線１０５０４とコンタクトを形成する。不純物
領域１０５１１は、第１導電層１０５０３を通して一導電型の不純物を添加することがで
きるので、不純物領域１０５１０と不純物領域１０５１１に含まれる不純物濃度は同じに
することもできるし、異ならせることも可能である。いずれにしても、容量素子１０４０
４において、半導体層１０５０５は電極として機能させるので、一導電型の不純物を添加
して低抵抗化しておくことが好ましい。また、第１導電層１０５０３は、図１０５（Ｃ）
に示すように、第２導電層１０５０２を補助的な電極として利用することにより、電極と
して十分に機能させることができる。このように、第１導電層１０５０３と第２導電層１
０５０２を組み合わせた複合的な電極構造とすることにより、容量素子１０４０４を自己
整合的に形成することができる。
図１０４において、抵抗素子１０４０５は、第１導電層１０５０３によって形成されてい
る。第１導電層１０５０３は３０〜１５０ｎｍ程度の厚さに形成されるので、その幅や長
さを適宜設定して抵抗素子を構成することができる。
抵抗素子は、高濃度に不純物元素を含む半導体層や、膜厚の薄い金属層によって構成すれ
ばよい。抵抗値が膜厚、膜質、不純物濃度、活性化率などに依存する半導体層に対して、
金属層は、膜厚、膜質で抵抗値が決定するため、ばらつきが小さく好ましい。抵抗素子１
０４０５の上面図を図１０５（Ｄ）に示す。
図１０４において、Ｐチャネル型トランジスタ１０４０３は、半導体層１０５０５に不純
物領域１０５１２を備えている。この不純物領域１０５１２は、配線１０５０４とコンタ
クトを形成するソース領域及びドレイン領域を形成する。ゲート電極１０５０９の構成は
第１導電層１０５０３と第２導電層１０５０２が重畳した構成となっている。Ｐチャネル
型トランジスタ１０４０３はＬＤＤを設けないシングルドレイン構造のトランジスタであ
る。Ｐチャネル型トランジスタ１０４０３を形成する場合、不純物領域１０５１２にはＰ
型を付与する不純物として硼素などが添加される。一方、不純物領域１０５１２にリンを
添加すればシングルドレイン構造のＮチャネル型トランジスタとすることもできる。Ｐチ
ャネル型トランジスタ１０４０３の上面図を図１０５（Ｅ）に示す。
半導体層１０５０５及び絶縁層１０５０８の一方若しくは双方に対してマイクロ波で励起
され、電子温度が２ｅＶ以下、イオンエネルギーが５ｅＶ以下、電子密度が１０１１〜１
０１３／ｃｍ３程度である高密度プラズマ処理によって酸化又は窒化処理してもよい。こ
のとき、基板温度を３００〜４５０℃とし、酸化雰囲気（Ｏ２、Ｎ２Ｏなど）又は窒化雰
囲気（Ｎ２、ＮＨ３など）で処理することにより、半導体層１０５０５と絶縁層１０５０
８の界面の欠陥準位を低減することができる。絶縁層１０５０８に対してこの処理を行う
ことにより、この絶縁層の緻密化を図ることができる。すなわち、荷電欠陥の生成を抑え
トランジスタのしきい値電圧の変動を抑えることができる。また、トランジスタを３Ｖ以
下の電圧で駆動させる場合には、このプラズマ処理により酸化若しくは窒化された層を絶
縁層１０５０８として適用することができる。また、トランジスタの駆動電圧が３Ｖ以上
の場合には、このプラズマ処理で半導体層１０５０５の表面に形成した絶縁層とＣＶＤ法
（プラズマＣＶＤ法若しくは熱ＣＶＤ法）で堆積した絶縁層とを組み合わせて絶縁層１０
５０８を形成することができる。また、同様にこの絶縁層は、容量素子１０４０４の誘電
体層としても利用することができる。この場合、このプラズマ処理で形成された絶縁層は
、１〜１０ｎｍの厚さで形成され、緻密な膜であるので、大きな電荷容量を持つ容量素子
を形成することができる。
図１０４及び図１０５を参照して説明したように、膜厚の異なる導電層を組み合わせるこ
とにより、さまざまな構成の素子を形成することができる。第１導電層のみが形成される
領域と、第１導電層と第２導電層が積層されている領域は、回折格子パターン或いは半透
膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクル
を用いて形成することができる。すなわち、フォトリソグラフィー工程において、フォト
レジストを露光する際に、フォトマスクの透過光量を調節して、現像されるレジストマス
クの厚さを異ならせる。この場合、フォトマスクまたはレチクルに解像度限界以下のスリ
ットを設けて上記複雑な形状を有するレジストを形成してもよい。また、現像後に約２０
０℃のベークを行ってフォトレジスト材料で形成されるマスクパターンを変形させてもよ
い。
また、回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設
置したフォトマスクまたはレチクルを用いることにより、第１導電層のみが形成される領
域と、第１導電層と第２導電層が積層されている領域を連続して形成することができる。
図１０５（Ａ）に示すように、第１導電層のみが形成される領域を半導体層上に選択的に
形成することができる。このような領域は、半導体層上において有効であるが、それ以外
の領域（ゲート電極と連続する配線領域）では必要がない。このフォトマスク若しくはレ
チクルを用いることにより、配線部分は、第１導電層のみの領域を作らないで済むので、
配線密度を実質的に高めることができる。
図１０４及び図１０５の場合には、第１導電層はタングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、
タンタル（Ｔａ）、窒化タンタルまたはモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属、又は高融
点金属を主成分とする合金もしくは化合物を３０〜５０ｎｍの厚さで形成する。また、第
２導電層はタングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタルまた
はモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属、又は高融点金属を主成分とする合金もしくは化
合物で３００〜６００ｎｍの厚さに形成する。例えば、第１導電層と第２導電層をそれぞ
れ異なる導電材料を用い、後に行うエッチング工程でエッチングレートの差が生じるよう
にする。一例として、第１導電層として窒化タンタル膜を用い、第２導電層としてタング
ステン膜を用いることができる。
本実施の形態では、回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助
パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いて、電極構造の異なるトランジス
タ、容量素子、抵抗素子を、同じパターニング工程によって作り分けることができること
を示している。これにより、回路の特性に応じて、形態の異なる素子を、工程を増やすこ
となく作り込み、集積化することができる。
なお、本実施の形態で示した半導体装置の作製方法は、本明細書中の他の実施の形態に示
した表示装置の作製方法にも適用させることができる。また、本実施の形態で示した半導
体装置の作製方法も自由に組み合わせて実施することができる。
（実施の形態１７）
本実施の形態では、本発明の表示装置に発光素子を設けた場合に適用することのできる他
の構成を、図８６及び図１０２を用いて説明する。
エレクトロルミネセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物であるか、無機化
合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機ＥＬ素子、後者は無機ＥＬ素子と
呼ばれている。
無機ＥＬ素子は、その素子構成により、分散型無機ＥＬ素子と薄膜型無機ＥＬ素子とに分
類される。前者は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた電界発光層を有し、後者は
、発光材料の薄膜からなる電界発光層を有している点に違いはあるが、高電界で加速され
た電子を必要とする点では共通である。なお、得られる発光のメカニズムとしては、ドナ
ー準位とアクセプター準位を利用するドナー−アクセプター再結合型発光と、金属イオン
の内殻電子遷移を利用する局在型発光とがある。一般的に、分散型無機ＥＬではドナー−
アクセプター再結合型発光、薄膜型無機ＥＬ素子では局在型発光である場合が多い。
本発明で用いることのできる発光材料は、母体材料と発光中心となる不純物元素とで構成
される。含有させる不純物元素を変化させることで、様々な色の発光を得ることができる
。発光材料の作製方法としては、固相法や液相法（共沈法）などの様々な方法を用いるこ
とができる。また、噴霧熱分解法、複分解法、プレカーサーの熱分解反応による方法、逆
ミセル法やこれらの方法と高温焼成を組み合わせた方法、凍結乾燥法などの液相法なども
用いることができる。
固相法は、母体材料と、不純物元素又は不純物元素を含む化合物を秤量し、乳鉢で混合、
電気炉で加熱、焼成を行い反応させ、母体材料に不純物元素を含有させる方法である。焼
成温度は、７００〜１５００℃が好ましい。温度が低すぎる場合は固相反応が進まず、温
度が高すぎる場合は母体材料が分解してしまうからである。なお、粉末状態で焼成を行っ
てもよいが、ペレット状態で焼成を行うことが好ましい。固相法では、液相法などの他の
方法と比べて比較的高温での焼成を必要とするが、簡単な方法であるため、生産性がよく
大量生産に適している。
液相法（共沈法）は、母体材料又は母体材料を含む化合物と、不純物元素又は不純物元素
を含む化合物を溶液中で反応させ、乾燥させた後、焼成を行う方法である。発光材料の粒
子が均一に分布し、粒径が小さく、固相法の焼成温度よりも低い焼成温度でも反応が進む
ことができる。
発光材料に用いる母体材料としては、硫化物、酸化物、窒化物を用いることができる。
硫化物としては、例えば、硫化亜鉛、硫化カドミウム、硫化カルシウム、硫化イットリウ
ム、硫化ガリウム、硫化ストロンチウム、硫化バリウム等を用いることができる。また、
酸化物としては、例えば、酸化亜鉛、酸化イットリウム等を用いることができる。また、
窒化物としては、例えば、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、窒化インジウム等を用いる
ことができる。さらに、セレン化亜鉛、テルル化亜鉛等も用いることができ、硫化カルシ
ウム−ガリウム、硫化ストロンチウム−ガリウム、硫化バリウム−ガリウム、等の３元系
の混晶であってもよい。
局在型発光の発光中心として、マンガン（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、サマリウム（Ｓｍ）、テ
ルビウム（Ｔｂ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、セ
リウム（Ｃｅ）、プラセオジウム（Ｐｒ）などを用いることができる。なお、電荷補償と
して、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）などのハロゲン元素が添加されていてもよい。
一方、ドナー−アクセプター再結合型発光の発光中心として、ドナー準位を形成する第１
の不純物元素及びアクセプター準位を形成する第２の不純物元素を含む発光材料を用いる
ことができる。第１の不純物元素は、例えば、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、アルミニウ
ム（Ａｌ）等を用いることができる。第２の不純物元素としては、例えば、銅（Ｃｕ）、
銀（Ａｇ）等を用いることができる。
ドナー−アクセプター再結合型発光の発光材料を固相法を用いて合成する場合、母体材料
と、第１の不純物元素又は第１の不純物元素を含む化合物と、第２の不純物元素又は第２
の不純物元素を含む化合物をそれぞれ秤量し、乳鉢で混合した後、電気炉で加熱、焼成を
行う。母体材料としては、上述した母体材料を用いることができ、第１の不純物元素又は
第１の不純物元素を含む化合物としては、例えば、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、硫化ア
ルミニウム等を用いることができ、第２の不純物元素又は第２の不純物元素を含む化合物
としては、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、硫化銅、硫化銀等を用いることができる。
焼成温度は、７００〜１５００℃が好ましい。温度が低すぎる場合は固相反応が進まず、
温度が高すぎる場合は母体材料が分解してしまうからである。なお、粉末状態で焼成を行
ってもよいが、ペレット状態で焼成を行うことが好ましい。
また、固相反応を利用する場合の不純物元素として、第１の不純物元素と第２の不純物元
素で構成される化合物を組み合わせて用いてもよい。この場合、不純物元素が拡散されや
すく、固相反応が進みやすくなるため、均一な発光材料を得ることができる。さらに、余
分な不純物元素が入らないため、純度の高い発光材料が得ることができる。第１の不純物
元素と第２の不純物元素で構成される化合物としては、例えば、塩化銅、塩化銀等を用い
ることができる。
なお、これらの不純物元素の濃度は、母体材料に対して０．０１〜１０ａｔｏｍ％であれ
ばよく、好ましくは０．０５〜５ａｔｏｍ％の範囲である。
薄膜型無機ＥＬの場合、電界発光層は、上記発光材料を含む層であり、抵抗加熱蒸着法、
電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）法等の真空蒸着法、スパッタリング法等の物理気相成長法（
ＰＶＤ）、有機金属ＣＶＤ法、ハイドライド輸送減圧ＣＶＤ法等の化学気相成長法（ＣＶ
Ｄ）、原子層エピタキシ法（ＡＬＥ）等を用いて形成することができる。
図８６（Ａ）乃至（Ｃ）に発光素子として用いることのできる薄膜型無機ＥＬ素子の一例
を示す。図８６（Ａ）乃至（Ｃ）において、発光素子は、第１の電極層８６００、電界発
光層８６０２、第２の電極層８６０３を含む。
図８６（Ｂ）及び図８６（Ｃ）に示す発光素子は、図８６（Ａ）の発光素子において、電
極層と電界発光層間に絶縁層を設ける構造である。図８６（Ｂ）に示す発光素子は、第１
の電極層８６００と電界発光層８６０２との間に絶縁層８６０４を有し、図８６（Ｃ）に
示す発光素子は、第１の電極層８６００と電界発光層８６０２との間に絶縁層８６０４ａ
、第２の電極層８６０３と電界発光層８６０２との間に絶縁層８６０４ｂとを有している
。このように絶縁層は電界発光層を挟持する一対の電極層のうち一方の間にのみ設けても
よいし、両方の間に設けてもよい。また絶縁層は単層でもよいし複数層からなる積層でも
よい。
また、図８６（Ｂ）では第１の電極層８６００に接するように絶縁層８６０４が設けられ
ているが、絶縁層と電界発光層の順番を逆にして、第２の電極層８６０３に接するように
絶縁層８６０４を設けてもよい。
分散型無機ＥＬの場合、粒子状の発光材料をバインダ中に分散させ膜状の電界発光層を形
成する。発光材料の作製方法によって、十分に所望の大きさの粒子が得られない場合は、
乳鉢等で粉砕などによって粒子状に加工すればよい。バインダとは、粒状の発光材料を分
散した状態で固定し、電界発光層としての形状に保持するための物質である。発光材料は
、バインダによって電界発光層中に均一に分散し固定される。
分散型無機ＥＬの場合、電界発光層の形成方法は、選択的に電界発光層を形成できる液滴
吐出法や、印刷法（スクリーン印刷やオフセット印刷など）、スピンコート法などの塗布
法、ディッピング法、ディスペンサ法などを用いることもできる。膜厚は特に限定される
ことはないが、好ましくは、１０〜１０００ｎｍの範囲である。また、発光材料及びバイ
ンダを含む電界発光層において、発光材料の割合は５０ｗｔ％以上８０ｗｔ％以下とする
よい。
図１０２（Ａ）乃至（Ｃ）に発光素子として用いることのできる分散型無機ＥＬ素子の一
例を示す。図１０２（Ａ）における発光素子は、第１の電極層１０２００、電界発光層１
０２０２、第２の電極層１０２０３の積層構造を有し、電界発光層１０２０２中にバイン
ダによって保持された発光材料１０２０１を含む。
本実施の形態に用いることのできるバインダとしては、有機材料や無機材料を用いること
ができ、有機材料及び無機材料の混合材料を用いてもよい。有機材料としては、シアノエ
チルセルロース系樹脂のように、比較的誘電率の高いポリマーや、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリスチレン系樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フッ化ビニリデンなど
の樹脂を用いることができる。また、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾール（ｐｏ
ｌｙｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）などの耐熱性高分子、又はシロキサン樹脂を用いても
よい。なお、シロキサン樹脂とは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサ
ンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、
少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換
基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機
基と、フルオロ基とを用いてもよい。また、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラー
ルなどのビニル樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、
ウレタン樹脂、オキサゾール樹脂（ポリベンゾオキサゾール）等の樹脂材料を用いてもよ
い。これらの樹脂に、チタン酸バリウムやチタン酸ストロンチウムなどの高誘電率の微粒
子を適度に混合して誘電率を調整することもできる。
バインダに含まれる無機材料としては、酸化珪素、窒化珪素、酸素及び窒素を含む珪素、
窒化アルミニウム、酸素及び窒素を含むアルミニウムまたは酸化アルミニウム、酸化チタ
ン、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸鉛、ニオブ酸カリウム、ニオ
ブ酸鉛、酸化タンタル、タンタル酸バリウム、タンタル酸リチウム、酸化イットリウム、
酸化ジルコニウム、硫化亜鉛その他の無機絶縁性材料を含む物質から選ばれた材料で形成
することができる。有機材料に、誘電率の高い無機材料を含ませる（添加等によって）こ
とによって、発光材料及びバインダよりなる電界発光層の誘電率をより制御することがで
き、より誘電率を大きくすることができる。
作製工程において、発光材料はバインダを含む溶液中に分散されるが本実施の形態に用い
ることのできるバインダを含む溶液の溶媒としては、バインダ材料が溶解し、電界発光層
を形成する方法（各種ウエットプロセス）及び所望の膜厚に適した粘度の溶液を作製でき
るような溶媒を適宜選択すればよい。有機溶媒等を用いることができ、例えばバインダと
してシロキサン樹脂を用いる場合は、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡともいう）、３−メトシキ−
３メチル−１−ブタノール（ＭＭＢともいう）などを用いることができる。
図１０２（Ｂ）及び図１０２（Ｃ）に示す発光素子は、図１０２（Ａ）の発光素子におい
て、電極層と電界発光層間に絶縁層を設ける構造である。図１０２（Ｂ）に示す発光素子
は、第１の電極層１０２００と電界発光層１０２０２との間に絶縁層１０２０４を有し、
図１０２（Ｃ）に示す発光素子は、第１の電極層１０２００と電界発光層１０２０２との
間に絶縁層１０２０４ａ、第２の電極層１０２０３と電界発光層１０２０２との間に絶縁
層１０２０４ｂとを有している。このように絶縁層は電界発光層を挟持する一対の電極層
のうち一方の間にのみ設けてもよいし、両方の間に設けてもよい。また絶縁層は単層でも
よいし複数層からなる積層でもよい。
また、図１０２（Ｂ）では第１の電極層１０２００に接するように絶縁層１０２０４が設
けられているが、絶縁層と電界発光層の順番を逆にして、第２の電極層１０２０３に接す
るように絶縁層１０２０４を設けてもよい。
図８６における絶縁層８６０４、図１０２における絶縁層１０２０４のような絶縁層は、
特に限定されることはないが、絶縁耐圧が高く、緻密な膜質であることが好ましく、さら
には、誘電率が高いことが好ましい。例えば、酸化シリコン、酸化イットリウム、酸化チ
タン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、チタン酸バリウム、チタン酸
ストロンチウム、チタン酸鉛、窒化シリコン、酸化ジルコニウム等やこれらの混合膜又は
２種以上の積層膜を用いることができる。これらの絶縁膜は、スパッタリング、蒸着、Ｃ
ＶＤ等により成膜することができる。また、絶縁層はこれら絶縁材料の粒子をバインダ中
に分散して成膜してもよい。バインダ材料は、電界発光層に含まれるバインダと同様な材
料、方法を用いて形成すればよい。膜厚は特に限定されることはないが、好ましくは１０
〜１０００ｎｍの範囲である。
本実施の形態で示す発光素子は、電界発光層を挟持する一対の電極層間に電圧を印加する
ことで発光が得られるが、直流駆動又は交流駆動のいずれにおいても動作することができ
る。
なお、本実施の形態で示した表示装置は、本明細書中の他の実施の形態に示した表示装置
の構成と自由に組み合わせて実施することができる。また、本実施の形態で示した表示装
置の構成も自由に組み合わせて実施することができる。
（実施の形態１８）
図８７は表示パネル８７０１と、回路基板８７０２を組み合わせた表示モジュールを示し
ている。回路基板８７０２には、例えば、コントロール回路８７０３や信号分割回路８７
０４などが形成されている。また、表示パネル８７０１と回路基板８７０２とは、接続配
線８７０８を介して接続されている。
この表示パネル８７０１は、表示素子が各画素に設けられた画素部８７０５と、走査線駆
動回路８７０６、選択された画素にビデオ信号を供給する信号線駆動回路８７０７を有し
ている。画素は、実施の形態９及び実施の形態１０と同様である。走査線駆動回路８７０
６は、実施の形態１乃至実施の形態８と同様である。信号線駆動回路８７０７は、実施の
形態１１と同様である。
ただし、すでに述べたように、信号線駆動回路８７０７は必ずしも必要ではなく、回路基
板８７０２から接続配線８７０８を介して選択された画素にビデオ信号を供給してもよい
。また、走査線駆動回路８７０６は画素部８７０５の両側に配置されていてもよい。
この表示モジュールにより液晶テレビ受像機又はＥＬテレビ受信機を完成させることがで
きる。図８８は、テレビ受像機の主要な構成を示すブロック図である。チューナ８８０１
は映像信号と音声信号を受信する。映像信号は、映像信号増幅回路８８０２と、そこから
出力される信号を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する映像信号処理回路８８０
３と、その映像信号をドライバＩＣの入力仕様に変換するためのコントロール回路８８０
４により処理される。コントロール回路８８０４は、走査線側と信号線側にそれぞれ信号
が出力する。デジタル駆動する場合には、信号線側に信号分割回路８８０５を設け、入力
デジタル信号をｍ個に分割して供給する構成としても良い。
チューナ８８０１で受信した信号のうち、音声信号は音声信号増幅回路８８０６に送られ
、その出力は音声信号処理回路８８０７を経てスピーカー８８０８に供給される。制御回
路８８０９は受信局（受信周波数）や音量の制御情報を入力部８８１０から受け、チュー
ナ８８０１や音声信号処理回路８８０７に信号を送出する。
図８９に示すように、表示モジュールを筐体８９０１に組みこんで、テレビ受像機を完成
させることができる。表示モジュールにより、表示パネル８９０２が形成される。また、
スピーカー８９０３、操作スイッチ８９０４などが適宜備えられている。
このテレビ受像機は、表示パネル８９０２を含んで構成されることにより、部品数を削減
することができる。したがって、このテレビ受信機は安価に製造することができる。
勿論、本発明はテレビ受像機に限定されず、コンピュータのモニターをはじめ、鉄道の
駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤など特に大面積の表示媒体
として様々な用途に適用することができる。
なお、本実施の形態で示した表示パネルや表示モジュールの構成は、本明細書中の他の実
施の形態に示した表示装置の構成と自由に組み合わせて実施することができる。また、本
実施の形態で示した表示パネルや表示モジュールの構成も自由に組み合わせて実施するこ
とができる。
（実施の形態１９）
図９０（Ａ）は表示パネル９００１とプリント基板９００２を組み合わせたモジュールを
示している。表示パネル９００１は、複数の画素が設けられた画素部９００３、第１の走
査線駆動回路９００４、第２の走査線駆動回路９００５及び信号線駆動回路９００６を有
している。もちろん、表示パネル９００１の構成は、図９、図１１、図１２及び図４４と
同様な構成にしてもよい。
プリント基板９００２には、コントローラ９００７、中央処理装置（ＣＰＵ）９００８、
メモリ９００９、電源回路９００１０、音声処理回路９００１１及び送受信回路９００１
２などが備えられている。プリント基板９００２と表示パネル９００１は、ＦＰＣ（フレ
キシブルプリントサーキット）９００１３により接続されている。ＦＰＣ９００１３には
、容量素子、バッファ回路などを設け、電源電圧や信号にノイズがのったり、信号の立ち
上がりが鈍ったりすることを防ぐ構成としても良い。また、コントローラ９００７、音声
処理回路９００１１、メモリ９００９、ＣＰＵ９００８、電源回路９００１０などは、Ｃ
ＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式を用いて表示パネル９００１に実装することも
できる。ＣＯＧ方式により、プリント基板９００２の規模を縮小することができる。
プリント基板９００２に備えられたインターフェース（Ｉ／Ｆ）部９００１４を介して、
各種制御信号の入出力が行われる。また、アンテナとの間の信号の送受信を行なうための
アンテナ用ポート９００１５が、プリント基板９００２に設けられている。
図９０（Ｂ）は、図９０（Ａ）に示したモジュールのブロック図を示す。このモジュール
は、メモリ９００９としてＶＲＡＭ９００１６、ＤＲＡＭ９００１７、フラッシュメモリ
９００１８などが含まれている。ＶＲＡＭ９００１６にはパネルに表示する画像のデータ
が、ＤＲＡＭ９００１７には画像データまたは音声データが、フラッシュメモリ９００１
８には各種プログラムが記憶されている。
電源回路９００１０は、表示パネル９００１、コントローラ９００７、ＣＰＵ９００８、
音声処理回路９００１１、メモリ９００９、送受信回路９００１２を動作させる電力を供
給する。またパネルの仕様によっては、電源回路９００１０に電流源が備えられている場
合もある。
ＣＰＵ９００８は、制御信号生成回路９００２０、デコーダ９００２１、レジスタ９００
２２、演算回路９００２３、ＲＡＭ９００２４、ＣＰＵ９００８用のインターフェース９
００１９などを有している。インターフェース９００１９を介してＣＰＵ９００８に入力
された各種信号は、一旦レジスタ９００２２に保持された後、演算回路９００２３、デコ
ーダ９００２１などに入力される。演算回路９００２３では、入力された信号に基づき演
算を行い、各種命令を送る場所を指定する。一方デコーダ９００２１に入力された信号は
デコードされ、制御信号生成回路９００２０に入力される。制御信号生成回路９００２０
は入力された信号に基づき、各種命令を含む信号を生成し、演算回路９００２３において
指定された場所、具体的にはメモリ９００９、送受信回路９００１２、音声処理回路９０
０１１、コントローラ９００７などに送る。
メモリ９００９、送受信回路９００１２、音声処理回路９００１１、コントローラ９００
７は、それぞれ受けた命令に従って動作する。以下その動作について簡単に説明する。
入力手段９００２５から入力された信号は、インターフェース部９００１４を介してプリ
ント基板９００２に実装されたＣＰＵ９００８に送られる。制御信号生成回路９００２０
は、ポインティングデバイスやキーボードなどの入力手段９００２５から送られてきた信
号に従い、ＶＲＡＭ９００１６に格納してある画像データを所定のフォーマットに変換し
、コントローラ９００７に送付する。
コントローラ９００７は、パネルの仕様に合わせてＣＰＵ９００８から送られてきた画像
データを含む信号にデータ処理を施し、表示パネル９００１に供給する。またコントロー
ラ９００７は、電源回路９００１０から入力された電源電圧やＣＰＵ９００８から入力さ
れた各種信号をもとに、Ｈｓｙｎｃ信号、Ｖｓｙｎｃ信号、クロック信号ＣＬＫ、交流電
圧（ＡＣ Ｃｏｎｔ）、切り替え信号Ｌ／Ｒを生成し、表示パネル９００１に供給する。
送受信回路９００１２では、アンテナ９００２８において電波として送受信される信号が
処理されており、具体的にはアイソレータ、バンドパスフィルタ、ＶＣＯ（Ｖｏｌｔａｇ
ｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）、ＬＰＦ（Ｌｏｗ Ｐａｓｓ Ｆｉ
ｌｔｅｒ）、カプラ、バランなどの高周波回路を含んでいる。送受信回路９００１２にお
いて送受信される信号のうち音声情報を含む信号が、ＣＰＵ９００８からの命令に従って
、音声処理回路９００１１に送られる。
ＣＰＵ９００８の命令に従って送られてきた音声情報を含む信号は、音声処理回路９００
１１において音声信号に復調され、スピーカー９００２７に送られる。またマイク９００
２６から送られてきた音声信号は、音声処理回路９００１１において変調され、ＣＰＵ９
００８からの命令に従って、送受信回路９００１２に送られる。
コントローラ９００７、ＣＰＵ９００８、電源回路９００１０、音声処理回路９００１１
、メモリ９００９を、本実施の形態のパッケージとして実装することができる。本実施の
形態は、アイソレータ、バンドパスフィルタ、ＶＣＯ（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｃｏｎｔｒｏｌ
ｌｅｄ Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）、ＬＰＦ（Ｌｏｗ Ｐａｓｓ Ｆｉｌｔｅｒ）、カプラ
、バランなどの高周波回路以外であれば、どのような回路にも応用することができる。
なお、本実施の形態で示した表示パネルや表示モジュールの構成は、本明細書中の他の実
施の形態に示した表示装置の構成と自由に組み合わせて実施することができる。また、本
実施の形態で示した表示パネルや表示モジュールの構成も自由に組み合わせて実施するこ
とができる。
（実施の形態２０）
図９１は、実施の形態１９のモジュールを含む携帯電話機の一態様を示している。表示パ
ネル９１０１はハウジング９１０３０に脱着自在に組み込まれる。ハウジング９１０３０
は表示パネル９１０１のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。表
示パネル９１０１を固定したハウジング９１０３０はプリント基板９１０３１に嵌着され
モジュールとして組み立てられる。
表示パネル９１０１はＦＰＣ９１０１３を介してプリント基板９１０３１に接続される。
プリント基板９１０３１には、スピーカ９１０３２、マイクロフォン９１０３３、送受信
回路９１０３４、ＣＰＵ及びコントローラなどを含む信号処理回路９１０３５が形成され
ている。このようなモジュールと、入力手段９１０３６、バッテリ９１０３７を組み合わ
せ、筐体９１０３９に収納する。表示パネル９１０１の画素部は筐体９１０３９に形成さ
れた開口窓から視認できように配置する。
表示パネル９１０１は、複数の画素を有する画素部と、走査線駆動回路を有している。走
査線駆動回路を画素部と一体形成することによって、図９１の携帯電話機は、安価に製造
することができる。また、表示モジュールの部品数が少なくなるため、歩留まりの増加、
軽量化、小型化などのメリットを得ることができる。
本実施の形態に係る携帯電話機は、その機能や用途に応じてさまざまな態様に変容し得る
。例えば、表示パネルを複数備えたり、筐体を適宜複数に分割して蝶番により開閉式とし
た構成としても、上記した作用効果を奏することができる。
なお、本実施の形態で示した表示パネルや表示モジュールの構成は、本明細書中の他の実
施の形態に示した表示装置の構成と自由に組み合わせて実施することができる。また、本
実施の形態で示した表示パネルや表示モジュールの構成も自由に組み合わせて実施するこ
とができる。
（実施の形態２１）
本実施の形態は、実施の形態１９で説明した表示モジュールを含む携帯電話機１０３００
を完成させる一例について例示する。
図１０３で示す携帯電話機は、操作スイッチ類１０３０４、マイクロフォン１０３０５な
どが備えられた本体（Ａ）１０３０１と、表示パネル（Ａ）１０３０８、表示パネル（Ｂ
）１０３０９、スピーカ１０３０６などが備えられた本体（Ｂ）１０３０２とが、蝶番１
０３１０で開閉可能に連結されている。表示パネル（Ａ）１０３０８と表示パネル（Ｂ）
１０３０９は、回路基板１０３０７と共に本体（Ｂ）１０３０２の筐体１０３０３の中に
収納される。表示パネル（Ａ）１０３０８及び表示パネル（Ｂ）１０３０９の画素部は筐
体１０３０３に形成された開口窓から視認できように配置される。
表示パネル（Ａ）１０３０８と表示パネル（Ｂ）１０３０９は、その携帯電話機１０３０
０の機能に応じて画素数などの仕様を適宜設定することができる。例えば、表示パネルＡ
１０３０８を主画面とし、表示パネルＢ１０３０９を副画面として組み合わせることがで
きる。
表示パネル（Ａ）１０３０８及び表示パネル（Ｂ）１０３０９は、複数の画素を有する画
素部と、走査線駆動回路を有している。走査線駆動回路を画素部と一体形成することによ
って、図１０３の携帯電話機は、安価に製造することができる。また、表示モジュールの
部品数が少なくなるため、歩留まりの増加、軽量化、小型化などのメリットを得ることが
できる。
このような表示パネルを用いることにより、表示パネル（Ａ）１０３０８を文字や画像を
表示する高精細のカラー表示画面とし、表示パネル（Ｂ）１０３０９を文字情報を表示す
る単色の情報表示画面とすることができる。特に表示パネル（Ｂ）１０３０９をアクティ
ブマトリクス型として、高精細化をすることにより、さまざまな文字情報を表示して、一
画面当たりの情報表示密度を向上させることができる。例えば、表示パネル（Ａ）１０３
０８を、２〜２．５インチで６４階調、２６万色のＱＶＧＡ（３２０ドット×２４０ドッ
ト）とし、表示パネル（Ｂ）１０３０９を、単色で２〜８階調、１８０〜２２０ｐｐｉの
高精細パネルとして、ローマ字、ひらがな、カタカナをはじめ、漢字やアラビア文字など
を表示することができる。
本実施の形態に係る携帯電話機は、その機能や用途に応じてさまざまな態様に変容し得る
。例えば、蝶番１０３１０の部位に撮像素子を組み込んで、カメラ付きの携帯電話機とし
ても良い。また、操作スイッチ類１０３０４、表示パネル（Ａ）１０３０８、表示パネル
（Ｂ）１０３０９を一つの筐体内に納めた構成としても、上記した作用効果を奏すること
ができる。また、表示部を複数個そなえた情報表示端末に本実施の形態の構成を適用して
も、同様な効果を得ることができる。
なお、本実施の形態で示した表示パネルや表示モジュールの構成は、本明細書中の他の実
施の形態に示した表示装置の構成と自由に組み合わせて実施することができる。また、本
実施の形態で示した表示パネルや表示モジュールの構成も自由に組み合わせて実施するこ
とができる。
（実施の形態２２）
本発明は様々な電子機器に適用することができる。具体的には電子機器の表示部に適用す
ることができる。そのような電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ
、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、
オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュー
タ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体
的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し
、その画像を表示しうる発光装置を備えた装置）などが挙げられる。
図９３（Ａ）は発光装置であり、筐体９３００１、支持台９３００２、表示部９３００３
、スピーカー部９３００４、ビデオ入力端子９３００５等を含む。本発明の表示装置を表
示部９３００３に用いることができる。なお、発光装置は、パーソナルコンピュータ用、
テレビジョン放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用発光装置が含まれる。本発
明の表示装置を表示部９３００３に用いた発光装置は、オフ電流によって生じる微発光を
低減し、きれいな表示を行うことが可能となる。
図９３（Ｂ）はカメラであり、本体９３１０１、表示部９３１０２、受像部９３１０３、
操作キー９３１０４、外部接続ポート９３１０５、シャッターボタン９３１０６等を含む
。
本発明を表示部９３１０２に用いたデジタルカメラは、オフ電流によって生じる微発光を
低減し、きれいな表示を行うことが可能となる。
図９３（Ｃ）はコンピュータであり、本体９３２０１、筐体９３２０２、表示部９３２
０３、キーボード９３２０４、外部接続ポート９３２０５、ポインティングデバイス９３
２０６等を含む。本発明を表示部９３２０３に用いたコンピュータは、オフ電流によって
生じる微発光を低減し、きれいな表示を行うことが可能となる。
図９３（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体９３３０１、表示部９３３０２、ス
イッチ９３３０３、操作キー９３３０４、赤外線ポート９３３０５等を含む。本発明を表
示部９３３０２に用いたモバイルコンピュータは、オフ電流によって生じる微発光を低減
し、きれいな表示を行うことが可能となる。
図９３（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）で
あり、本体９３４０１、筐体９３４０２、表示部Ａ９３４０３、表示部Ｂ９３４０４、記
録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部９３４０５、操作キー９３４０６、スピーカー部９３４０
７等を含む。表示部Ａ９３４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ９３４０４は主
として文字情報を表示することができる。本発明を表示部Ａ９３４０３や表示部Ｂ９３４
０４に用いた画像再生装置は、オフ電流によって生じる微発光を低減し、きれいな表示を
行うことが可能となる。
図９３（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体９３５０１、表示部９３５０２、
アーム部９３５０３を含む。本発明を表示部９３５０２に用いたゴーグル型ディスプレイ
は、オフ電流によって生じる微発光を低減し、きれいな表示を行うことが可能となる。
図９３（Ｇ）はビデオカメラであり、本体９３６０１、表示部９３６０２、筐体９３６
０３、外部接続ポート９３６０４、リモコン受信部９３６０５、受像部９３６０６、バッ
テリー９３６０７、音声入力部９３６０８、操作キー９３６０９等を含む。本発明を表示
部９３６０２に用いたビデオカメラは、オフ電流によって生じる微発光を低減し、きれい
な表示を行うことが可能となる。
図９３（Ｈ）は携帯電話機であり、本体９３７０１、筐体９３７０２、表示部９３７０
３、音声入力部９３７０４、音声出力部９３７０５、操作キー９３７０６、外部接続ポー
ト９３７０７、アンテナ９３７０８等を含む。本発明を表示部９３７０３に用いた携帯電
話機は、オフ電流によって生じる微発光を低減し、きれいな表示を行うことが可能となる
。
このように本発明は、あらゆる電子機器に適用することが可能である。
なお、本実施の形態で示した電子機器の構成は、本明細書中の他の実施の形態に示した表
示装置の構成と自由に組み合わせて実施することができる。
（実施の形態２３）
本実施の形態については、本発明の表示装置の画素構成を表示部に用いた表示パネルを用
いた応用例について、応用形態を図示し説明する。本発明の表示装置の画素構成を表示部
に用いた表示パネルは、移動体や建造物等と一体に設けられた構成をとることもできる。
本発明の表示装置の画素構成を表示部に有する表示パネルの例について、表示装置一体型
の移動体をその一例として、図９４に示す。図９４（ａ）は、表示装置一体型の移動体の
例として電車車両本体９４０１におけるドアのガラス戸のガラスに表示パネル９４０２を
用いた例について示す。図９４（ａ）に示す本発明の表示装置の画素構成を表示部に有す
る表示パネル９４０２は、外部からの信号により表示部で表示される画像の切り替えが容
易である。そのため、電車の乗降客の客層が入れ替わる時間帯ごとに表示パネルの画像を
切り替え、より効果的な広告効果が実現できる。
なお、本発明の表示装置の画素構成を表示部に有する表示パネルは、図９４（ａ）で示し
た電車車両本体におけるドアのガラスにのみ適用可能であることに限定されることなく、
その形状を異ならせることにより、ありとあらゆる場所に適用可能である。図９４（ｂ）
にその一例について説明する。
図９４（ｂ）は、電車車両本体における車内の様子について図示したものである。図９４
（ｂ）において、図９４（ａ）で示したドアのガラス戸の表示パネル９４０２の他に、ガ
ラス窓に設けられた表示パネル９４０３、及び天井より吊り下げられた表示パネル９４０
４を示す。本発明の表示装置の画素構成を具備する表示パネル９４０３は、自発光型の表
示素子を具備するため、混雑時には広告用の画像を表示し、混雑時以外には表示を行わな
いことで、電車からの外観をも見ることもできる。また、本発明の表示装置の画素構成を
具備する表示パネル９４０４はフィルム状の基板に有機トランジスタなどのスイッチング
素子を設け、自発光型の表示素子を駆動することで、表示パネル自体を湾曲させて表示を
行うことも可能である。
また、本発明の表示装置の画素構成を表示部に有する表示パネルを用いた表示装置一体型
の移動体の応用例について、別の応用形態を図９５にて説明する。
本発明の表示装置の画素構成を表示部に有する表示パネルの例について、表示装置一体型
の移動体をその一例として、図９５に示す。図９５は、表示装置一体型の移動体の例とし
て自動車の車体９５０１に一体に取り付けられた表示パネル９５０２の例について示す。
図９５に示す本発明の表示装置の画素構成を表示部に有する表示パネル９５０２は、自動
車の車体と一体に取り付けられており、車体の動作や車体内外から入力される情報をオン
デマンドに表示、また、自動車の目的地までのナビゲーション機能をも有する。
なお、本発明の表示装置の画素構成を表示部に有する表示パネルは、図９５で示した車体
のフロント部にのみ適用可能であることに限定されることなく、その形状を異ならせるこ
とにより、ガラス窓、ドアなどありとあらゆる場所に適用可能である。
また、本発明の表示装置の画素構成を表示部に有する表示パネルを用いた表示装置一体型
の移動体の応用例について、別の応用形態を図９６にて説明する。
本発明の表示装置の画素構成を表示部に有する表示パネルの例について、表示装置一体型
の移動体をその一例として、図９６に示す。図９６（ａ）は、表示装置一体型の移動体の
例として飛行機車体９６０１内の客席天井部に一体に取り付けられた表示パネル９６０２
の例について示す。図９６（ａ）に示す本発明の表示装置の画素構成を表示部に有する表
示パネル９６０２は、飛行機車体９６０１とヒンジ部９６０３を介して一体に取り付けら
れており、ヒンジ部９６０３の伸縮により乗客は表示パネル９６０２の視聴が可能になる
。表示パネル９６０２は乗客が操作することで情報を表示、また、広告や娯楽手段として
利用できる機能を有する。また、図９６（ｂ）に示すように、ヒンジ部を折り曲げて飛行
機車体９６０１に格納することにより、離着陸時の安全に配慮することができる。なお、
緊急時に表示パネルの表示素子を点灯させることで、飛行機車体９６０１の誘導灯として
も利用可能である。
なお、本発明の表示装置の画素構成を表示部に有する表示パネルは、図９６で示した飛行
機車体９６０１の天井部にのみ適用可能であることに限定されることなく、その形状を異
ならせることにより、座席やドアなどありとあらゆる場所に適用可能である。例えば座席
前の座席後方に表示パネルを設け、操作・視聴を行う構成であってもよい。
なお、本実施の形態において、移動体としては電車車両本体、自動車車体、飛行機機体に
ついて例示したがこれに限定されず、自動二輪車、自動四輪車（自動車、バス等を含む）
、電車（モノレール、鉄道等を含む）、船舶等、多岐に渡る。本発明の表示装置の画素構
成を適用することにより、表示パネルの小型化、低消費電力化を達成し、且つ動作が良好
である表示媒体を具備する移動体を提供することができる。また特に、外部からの信号に
より、移動体内における表示パネルの表示を一斉に切り替えることが容易であるため、不
特定多数の顧客を対象といた広告表示盤、また緊急災害時の情報表示板としても極めて有
用であるといえる。
また、本発明の表示装置の画素構成を表示部に有する表示パネルを用いた応用例について
、建造物に用いた応用形態を図９７を用いて説明する。
図９７は本発明の表示装置の画素構成を表示部に有する表示パネルとして、フィルム状の
基板に有機トランジスタなどのスイッチング素子を設け、自発光型の表示素子を駆動する
ことにより表示パネル自身を湾曲させて表示可能な表示パネルとし、その応用例について
説明する。図９７においては、建造物として電柱等の屋外に設けられた柱状体の有する曲
面に表示パネルを具備し、ここでは柱状体として電柱９７０１に表示パネル９７０２を具
備する構成について示す。
図９７に示す表示パネル９７０２は、電柱の高さの真ん中あたりに位置させ、人間の視点
より高い位置に設ける。そして移動体９７０３から表示パネルを視認することにより、表
示パネル９７０２における画像を認識することができる。電柱のように屋外で繰り返し林
立し、林立した電柱に設けた表示パネル９７０２において同じ映像を表示させることによ
り、視認者は情報表示、広告表示を視認することができる。図９７において電柱９７０１
に設けられた表示パネル９７０２は、外部より同じ画像を表示させることが容易であるた
め、極めて効率的な情報表示、及び広告効果が実現できる。また、本発明の表示装置の表
示パネルには、表示素子として自発光型の表示素子を設けることで、夜間であっても、視
認性の高い表示媒体として有用であるといえる。
また、本発明の表示装置の画素構成を用いた表示装置を表示部に有する表示パネルを用い
た応用例について、図９７とは別の建造物の応用形態を図９８にて説明する。
本発明の表示装置の画素構成を表示部に有する表示パネルの応用例として、図９８に示す
。図９８は、表示装置一体型の例としてユニットバス９８０１内の側壁に一体に取り付け
られた表示パネル９８０２の例について示す。図９８に示す本発明の表示装置の画素構成
を用いた表示部を有する表示パネル９８０２は、ユニットバス９８０１と一体に取り付け
られており、入浴者は表示パネル９８０２の視聴が可能になる。表示パネル９８０２は入
浴者が操作することで情報を表示、また広告や娯楽手段として利用できる機能を有する。
なお、本発明の表示装置の画素構成を表示部に有する表示パネルは、図９８で示したユニ
ットバス９８０１の側壁にのみ適用可能であることに限定されることなく、その形状を異
ならせることにより、鏡面の一部や浴槽自体と一体にするなどありとあらゆる場所に適用
可能である。
また図９９に建造物内に大型の表示部を有するテレビジョン装置を設けた例について示す
。図９９は、筐体９９１０、表示部９９１１、操作部であるリモコン装置９９１２、スピ
ーカー部９９１３等を含む。本発明の表示装置の画素構成を表示部に有する表示パネルは
、表示部９９１１の作製に適用される。図９９のテレビジョン装置は、壁かけ型として建
物と一体となっており、設置するスペースを広く必要とすることなく設置可能である。
なお、本実施の形態において、建造物として、柱状体として電柱、ユニットバス等を例と
したが、本実施の形態はこれに限定されず、表示パネルを備えることのできる建造物であ
れば適用することができる。本発明の表示装置の画素構成を適用することにより、表示装
置の小型化、低消費電力化を達成し、且つ動作が良好である表示媒体を具備する移動体を
提供することができる。
なお、本実施の形態で示した表示パネルの構成は、本明細書中の他の実施の形態に示した
表示装置の構成と自由に組み合わせて実施することができる。
１０１ トランジスタ
１０２ トランジスタ
１０３ トランジスタ
１０４ トランジスタ
１１１ 配線
１１２ 配線
１１３ 配線
１１４ 配線
１１５ 配線
１１６ 配線
１２１ ノード
１３１ 絶縁膜
２１３ 信号
２１４ 信号
２１５ 信号
２１６ 信号
２２１ 電位
２７２ 配線
２７６ 配線
４０１ 容量素子
４０２ 容量素子
６０１ フリップフロップ
６０２ フリップフロップ
６１１ 配線
６１２ 配線
６１３ 配線
６１４ 配線
６１５ 配線
６１６ 配線
６２１ 配線
６２２ 配線
７１６ 信号
７２２ 信号
８０１ バッファ
８１ａ 蒸発源
９０１ 信号線駆動回路
９０２ 走査線駆動回路
９０３ 画素部
９０４ 画素
１１０１ 走査線駆動回路
１１０２ 走査線駆動回路
１２０１ 走査線駆動回路
１２０２ 走査線駆動回路
１３０５ トランジスタ
１３１７ 配線
１４１７ 信号
１５０１ 容量素子
１７０１ フリップフロップ
１８０１ バッファ
１９０６ トランジスタ
１９０７ トランジスタ
１９０８ トランジスタ
１９０９ トランジスタ
１９２２ ノード
１９２３ ノード
２０２２ 電位
２０２３ 電位
２１０１ 容量素子
２３１０ トランジスタ
２３１１ トランジスタ
２３１２ トランジスタ
２３２４ ノード
２４２４ 電位
２５０１ 容量素子
２７０１ トランジスタ
２７０２ トランジスタ
２７０３ トランジスタ
２７０４ トランジスタ
２７１１ 配線
２７１２ 配線
２７１３ 配線
２７１４ 配線
２７１５ 配線
２７１６ 配線
２７２１ ノード
２８１３ 信号
２８１４ 信号
２８１５ 信号
２８１６ 信号
２８２１ 電位
３００１ 容量素子
３２０５ トランジスタ
３２０７ 配線
３２０８ トランジスタ
３２１７ 配線
３３１７ 信号
３４０１ 容量素子
３６０６ トランジスタ
３６０７ トランジスタ
３６０８ トランジスタ
３６０９ トランジスタ
３６２２ ノード
３６２３ ノード
３７２２ 電位
３７２３ 電位
３８０１ 容量素子
４０１０ トランジスタ
４０１１ トランジスタ
４０１２ トランジスタ
４０２４ ノード
４１２４ 電位
４２０１ 容量素子
４４０２ 走査線駆動回路
４４０３ 走査線駆動回路
４５０１ トランジスタ
４５０２ 容量素子
４５１１ 配線
４５１２ 配線
４５１３ 配線
４５２１ 表示素子
４５２２ 対向電極
４５２３ 画素電極
４５３１ 液晶素子
４７０１ 符号化回路
４７０２ フレームメモリ
４７０３ 補正回路
４７０４ ＤＡ変換回路
４７１２ フレームメモリ
４７１３ 補正回路
４８０１ トランジスタ
４８０２ 補助容量
４８０３ 表示素子
４８０４ 映像信号線
４８０５ 走査線
４８０６ コモン線
４８１１ トランジスタ
４８１２ 補助容量
４８１３ 表示素子
４８１４ 映像信号線
４８１５ 走査線
４８１６ コモン線
４８１７ コモン線
４９０１ 拡散板
４９０２ 冷陰極管
４９０３ 画素部
４９１１ 拡散板
４９１２ 光源
４９３１ 信号制御回路
５１０１ 基板
５１０２ 絶縁膜
５１０３ 導電層
５１０４ 絶縁膜
５１０５ 半導体層
５１０６ 半導体層
５１０７ 導電層
５１０８ 絶縁膜
５１０９ 導電層
５１１０ 配向膜
５１１２ 配向膜
５１１３ 導電層
５１１４ 遮光膜
５１１５ カラーフィルター
５１１６ 基板
５１１７ スペーサ
５１１８ 液晶分子
５１２１ 走査線
５１２２ 映像信号線
５１２３ 容量線
５１２４ ＴＦＴ
５１２５ 画素電極
５１２６ 画素容量
５２０１ 基板
５２０２ 絶縁膜
５２０３ 導電層
５２０４ 絶縁膜
５２０５ 半導体層
５２０６ 半導体層
５２０７ 導電層
５２０８ 絶縁膜
５２０９ 導電層
５２１０ 配向膜
５２１２ 配向膜
５２１３ 導電層
５２１４ 遮光膜
５２１５ カラーフィルター
５２１６ 基板
５２１７ スペーサ
５２１８ 液晶分子
５２１９ 配向制御用突起
５２２１ 走査線
５２２２ 映像信号線
５２２３ 容量線
５２２４ ＴＦＴ
５２２５ 画素電極
５２２６ 画素容量
５３０１ 基板
５３０２ 絶縁膜
５３０３ 導電層
５３０４ 絶縁膜
５３０５ 半導体層
５３０６ 半導体層
５３０７ 導電層
５３０８ 絶縁膜
５３０９ 導電層
５３１０ 配向膜
５３１２ 配向膜
５３１３ 導電層
５３１４ 遮光膜
５３１５ カラーフィルター
５３１６ 基板
５３１７ スペーサ
５３１８ 液晶分子
５３１９ 部
５３２１ 走査線
５３２２ 映像信号線
５３２３ 容量線
５３２４ ＴＦＴ
５３２５ 画素電極
５３２６ 画素容量
５４０１ 基板
５４０２ 絶縁膜
５４０３ 導電層
５４０４ 絶縁膜
５４０５ 半導体層
５４０６ 半導体層
５４０７ 導電層
５４０８ 絶縁膜
５４０９ 導電層
５４１０ 配向膜
５４１２ 配向膜
５４１４ 遮光膜
５４１５ カラーフィルター
５４１６ 基板
５４１７ スペーサ
５４１８ 液晶分子
５４２１ 走査線
５４２２ 映像信号線
５４２３ 共通電極
５４２４ ＴＦＴ
５４２５ 画素電極
５５０１ 基板
５５０２ 絶縁膜
５５０３ 導電層
５５０４ 絶縁膜
５５０５ 半導体層
５５０６ 半導体層
５５０７ 導電層
５５０８ 絶縁膜
５５０９ 導電層
５５１０ 配向膜
５５１２ 配向膜
５５１３ 導電層
５５１４ 遮光膜
５５１５ カラーフィルター
５５１６ 基板
５５１７ スペーサ
５５１８ 液晶分子
５５１９ 絶縁膜
５５２１ 走査線
５５２２ 映像信号線
５５２３ 共通電極
５５２４ ＴＦＴ
５５２５ 画素電極
５６０１ ドライバＩＣ
５６０２ スイッチ群
５６１１ 配線
５６１２ 配線
５６１３ 配線
５６２１ 配線
５７２１ 信号
５８２１ 信号
５９０３ａ トランジスタ
５９０３ｂ トランジスタ
５９０３ｃ トランジスタ
５９１１ 配線
５９１２ 配線
５９１３ 配線
６００１ トランジスタ
６００２ トランジスタ
６００３ トランジスタ
６００４ トランジスタ
６００５ トランジスタ
６００６ トランジスタ
６０１１ 配線
６０１２ 配線
６０１３ 配線
６０１４ 配線
６０１５ 配線
６０１６ 配線
６０２２ スイッチ群
６１０１ トランジスタ
６１０２ トランジスタ
６１１１ 配線
６１１２ 配線
６２０１ トランジスタ
６２１１ 配線
６４０１ トランジスタ
６４０２ トランジスタ
６４１１ 配線
６４１２ 配線
６５００ 容量素子
６５０１ トランジスタ
６５０２ トランジスタ
６５０３ トランジスタ
６５１１ 配線
６５１２ 配線
６５１３ 配線
６５１４ 配線
６５２１ 表示素子
６５２２ 対向電極
６５２３ 画素電極
６６００ 容量素子
６６０１ トランジスタ
６６０２ トランジスタ
６６０３ トランジスタ
６６１１ 配線
６６１２ 配線
６６１３ 配線
６６１４ 配線
６６２１ 表示素子
６６２２ 対向電極
６６２３ 画素電極
６７００ 容量素子
６７０１ トランジスタ
６７０２ トランジスタ
６７０３ トランジスタ
６７０４ トランジスタ
６７１１ 配線
６７１２ 配線
６７１３ 配線
６７１４ 配線
６７１５ 配線
６７２１ 表示素子
６７２２ 対向電極
６７２３ 画素電極
６９０５ ＴＦＴ
６９０６ 配線
６９０７ 配線
６９０８ ＴＦＴ
６９１１ 配線
６９１２ 対向電極
６９１３ コンデンサ
６９１５ 画素電極
６９１６ 隔壁
６９１７ 有機導電体膜
６９１８ 有機薄膜
６９１９ 基板
７０００ 基板
７００１ 配線
７００２ 配線
７００３ 配線
７００４ 配線
７００５ ＴＦＴ
７００６ ＴＦＴ
７００７ ＴＦＴ
７００８ 画素電極
７０１１ 隔壁
７０１２ 有機導電体膜
７０１３ 有機薄膜
７０１４ 対向電極
７１００ 基板
７１０１ 配線
７１０２ 配線
７１０３ 配線
７１０４ 配線
７１０５ ＴＦＴ
７１０６ ＴＦＴ
７１０７ ＴＦＴ
７１０８ ＴＦＴ
７１０９ 画素電極
７１１１ 配線
７１１２ 配線
７１２１ 隔壁
７１２２ 有機導電体膜
７１２３ 有機薄膜
７１２４ 対向電極
７２０１ 陽極
７２０２ 陰極
７２０３ 正孔輸送領域
７２０４ 電子輸送領域
７２０５ 混合領域
７２０６ 領域
７２０７ 領域
７２０８ 領域
７２０９ 領域
７３６０ 搬送室
７３６１ 搬送室
７３６２ ロード室
７３６３ アンロード室
７３６４ 中間処理室
７３６５ 封止処理室
７３６６ 搬送手段
７３６７ 搬送手段
７３６８ 加熱処理室
７３６９ 成膜処理室
７３７０ 成膜処理室
７３７１ 成膜処理室
７３７２ プラズマ処理室
７３７３ 成膜処理室
７３７４ 成膜処理室
７３７６ 成膜処理室
７４８０ 蒸発源ホルダ
７４８１ 蒸発源
７４８２ 距離センサー
７４８３ 多関節アーム
７４８４ 材料供給管
７４８６ 基板ステージ
７４８７ 基板チャック
７４８８ マスクチャック
７４８９ 基板
７４９０ シャドーマスク
７４９１ 天板
７４９２ 底板
７５００ 基板
７５０１ 周辺駆動回路
７５０２ 画素部
７５０４ 第ＦＰＣ
７５０５ ＩＣチップ
７５０６ ＩＣチップ
７５０７ 封止基板
７５０８ シール材
７５１０ 基板
７５１１ 周辺駆動回路
７５１２ 画素部
７５１３ ＦＰＣ
７５１４ ＦＰＣ
７６０１ 基板
７６０２ 陽極
７６０３ 正孔注入層
７６０４ 正孔輸送層
７６０５ 発光層
７６０６ 電子輸送層
７６０７ 電子注入層
７６０８ 陰極
７６１１ 基板
７６１２ 陽極
７６１３ 正孔注入層
７６１４ 正孔輸送層
７６１５ 発光層
７６１６ 電子輸送層
７６１７ 電子注入層
７６１８ 陰極
７７００ 基板
７７０１ 駆動用トランジスタ
７７０２ 電極
７７０３ 層
７７０４ 電極
７８００ 基板
７８０１ 駆動用トランジスタ
７８０２ 下地膜
７８０３ 電極
７８０４ 層
７８０５ 電極
７８０７ ブラックマトリクス
７９０１ 基板
７９０２ 下地膜
７９０３ チャネル形成領域
７９０５ 不純物領域
７９０６ チャネル形成領域
７９０７ ＬＤＤ領域
７９０８ 不純物領域
７９０９ ゲート絶縁膜
７９１０ ゲート電極
７９１１ 上部電極
７９１２ 層間絶縁物
７９１３ 配線
７９１４ 画素電極
７９１５ 層間絶縁物
７９１６ 層
７９１７ 対向電極
７９１８ 駆動トランジスタ
７９１９ 容量素子
７９２０ 発光素子
７９２１ 領域
８００１ 基板
８００２ 下地膜
８００３ チャネル形成領域
８００５ 不純物領域
８００６ ゲート絶縁膜
８００７ ゲート電極
８００８ 電極
８００９ 層間絶縁物
８０１０ 配線
８０１１ 電極
８０１２ 層間絶縁物
８０１３ 画素電極
８０１４ 電極
８０１５ 絶縁物
８０１５ 層間絶縁物
８０１６ 層
８０１７ 対向電極
８０１８ 駆動トランジスタ
８０１９ 容量素子
８０２０ 発光素子
８０９１ 上部電極
８０９２ 容量素子
８１０１ 基板
８１０２ 下地膜
８１０３ ゲート電極
８１０４ 電極
８１０５ ゲート絶縁膜
８１０６ チャネル形成領域
８１０７ ＬＤＤ領域
８１０８ 不純物領域
８１０９ チャネル形成領域
８１１０ ＬＤＤ領域
８１１１ 不純物領域
８１１２ 層間絶縁物
８１１３ 配線
８１１４ 電極
８１１５ 開口部
８１１６ 層間絶縁物
８１１７ 画素電極
８１１８ 絶縁物
８１１９ 層
８１２０ 対向電極
８１２１ 発光素子
８１２２ 駆動トランジスタ
８１２３ 容量素子
８１２４ 電極
８１２５ 容量素子
８２０１ 基板
８２０２ 下地膜
８２０３ 画素電極
８２０４ 電極
８２０５ 配線
８２０６ 配線
８２０７ Ｎ型半導体層
８２０８ Ｎ型半導体層
８２０９ 半導体層
８２１０ ゲート絶縁膜
８２１１ 絶縁膜
８２１２ ゲート電極
８２１３ 電極
８２１４ 層間絶縁膜
８２１５ 層
８２１６ 対向電極
８２１７ 発光素子
８２１８ 駆動トランジスタ
８２１９ 容量素子
８２２０ 電極
８３０１ 基板
８３０２ 下地膜
８３０３ ゲート電極
８３０４ 電極
８３０５ ゲート絶縁膜
８３０６ 半導体層
８３０７ 半導体層
８３０８ Ｎ型半導体層
８３１０ Ｎ型半導体層
８３１１ 配線
８３１３ 導電層
８３１４ 画素電極
８３１５ 絶縁物
８３１６ 層
８３１７ 対向電極
８３１８ 発光素子
８３１９ 駆動トランジスタ
８３２０ 容量素子
８３２１ 電極
８３２２ 容量素子
８４０１ 絶縁物
８５１１ 基板
８５１２ 絶縁膜
８５１３ 半導体膜
８５１４ 半導体膜
８５１５ 半導体膜
８５１６ 絶縁膜
８５１７ ゲート電極
８５１８ 絶縁膜
８５１９ 絶縁膜
８５２１ サイドウォール
８５２２ マスク
８５２３ 導電膜
８６００ 電極層
８６０１ 電界発光層
８６０２ 電界発光層
８６０３ 電極層
８６０４ 絶縁層
８７０１ 表示パネル
８７０２ 回路基板
８７０３ コントロール回路
８７０４ 信号分割回路
８７０５ 画素部
８７０６ 走査線駆動回路
８７０７ 信号線駆動回路
８７０８ 接続配線
８８０１ チューナ
８８０２ 映像信号増幅回路
８８０３ 映像信号処理回路
８８０４ コントロール回路
８８０５ 信号分割回路
８８０６ 音声信号増幅回路
８８０７ 音声信号処理回路
８８０８ スピーカー
８８０９ 制御回路
８８１０ 入力部
８９０１ 筐体
８９０２ 表示パネル
８９０３ スピーカー
８９０４ 操作スイッチ
９００１ 表示パネル
９００２ プリント基板
９００３ 画素部
９００４ 走査線駆動回路
９００５ 走査線駆動回路
９００６ 信号線駆動回路
９００７ コントローラ
９００８ ＣＰＵ
９００９ メモリ
９１００ 表示素子
９１０１ 表示パネル
９２０１ 導電膜
９２０２ 半導体層
９２０３ コンタクト
９２０４ 導電膜
９４０１ 電車車両本体
９４０２ 表示パネル
９４０３ 表示パネル
９４０４ 表示パネル
９５０１ 車体
９５０２ 表示パネル
９６０１ 飛行機車体
９６０２ 表示パネル
９６０３ ヒンジ部
９７０１ 電柱
９７０２ 表示パネル
９７０３ 移動体
９８０１ ユニットバス
９８０２ 表示パネル
９９１０ 筐体
９９１１ 表示部
９９１２ リモコン装置
９９１３ スピーカー部
１０００１ 信号制御回路
１０００２ 画素部
１０００３ ゲートドライバ
１０００４ 封止基板
１０００５ シール材
１０００６ ゲートドライバ
１０００７ 空間
１０００８ 配線
１０００９ ＦＰＣ
１００１０ 基板
１００１１ トランジスタ
１００１２ トランジスタ
１００１３ 電極
１００１４ 絶縁物
１００１６ 層
１００１７ 電極
１００１８ 発光素子
１００１９ ＩＣチップ
１００２０ トランジスタ
１００２１ トランジスタ
１００２２ ＩＣチップ
１００４０ 基板
１０１００ 基板
１０１０１ 信号制御回路
１０１０２ 画素部
１０１０３ ゲートドライバ
１０１０４ ゲートドライバ
１０１０５ ＦＰＣ
１０１０６ ＩＣチップ
１０１０７ ＩＣチップ
１０１０８ 封止基板
１０１０９ シール材
１０１１０ 基板
１０１１１ 信号制御回路
１０１１２ 画素部
１０１１３ ゲートドライバ
１０１１４ ゲートドライバ
１０１１５ ＦＰＣ
１０１１６ ＩＣチップ
１０１１７ ＩＣチップ
１０１１８ 封止基板
１０１１９ シール材
１０２００ 電極層
１０２０１ 発光材料
１０２０２ 電界発光層
１０２０３ 電極層
１０２０４ 絶縁層
１０３００ 携帯電話機
１０３０１ 本体（Ａ）
１０３０２ 本体（Ｂ）
１０３０３ 筐体
１０３０４ 操作スイッチ類
１０３０５ マイクロフォン
１０３０６ スピーカ
１０３０７ 回路基板
１０３０８ 表示パネル（Ａ）
１０３０９ 表示パネル（Ｂ）
１０３１０ 蝶番
１０４０１ Ｎチャネル型トランジスタ
１０４０２ Ｎチャネル型トランジスタ
１０４０３ Ｐチャネル型トランジスタ
１０４０４ 容量素子
１０４０５ 抵抗素子
１０５０２ 導電層
１０５０３ 導電層
１０５０４ 配線
１０５０５ 半導体層
１０５０６ 不純物領域
１０５０７ 不純物領域
１０５０８ 絶縁層
１０５０９ ゲート電極
１０５１０ 不純物領域
１０５１１ 不純物領域
１０５１２ 不純物領域
４９０２Ａ ゲートドライバ
４９０２Ｂ ゲートドライバ
５６０３ａ スイッチ
５６０３ｂ スイッチ
５６０３ｃ スイッチ
５７０３ａ タイミング
５７０３ｂ タイミング
５７０３ｃ タイミング
５８０３ａ タイミング
５８０３ｂ タイミング
５８０３ｃ タイミング
５９０３ａ トランジスタ
５９０３ｂ トランジスタ
５９０３ｃ トランジスタ
６３０１ａ トランジスタ
６３０１ｂ トランジスタ
６３０２ａ トランジスタ
６３０２ｂ トランジスタ
７３７７ａ ゲートバルブ
７４８１ａ 蒸発源
７４８１ｂ 蒸発源
７４８１ｃ 蒸発源
７４８５ａ 材料供給源
７４８５ｂ 材料供給源
７４８５ｃ 材料供給源
７８０６Ｂ カラーフィルター
７８０６Ｇ カラーフィルター
７８０６Ｒ カラーフィルター
８６０４ａ 絶縁層
８６０４ｂ 絶縁層
９００１０ 電源回路
９００１１ 音声処理回路
９００１２ 送受信回路
９００１３ ＦＰＣ
９００１４ インターフェース部
９００１５ アンテナ用ポート
９００１６ ＶＲＡＭ
９００１７ ＤＲＡＭ
９００１８ フラッシュメモリ
９００１９ インターフェース
９００２０ 制御信号生成回路
９００２１ デコーダ
９００２２ レジスタ
９００２３ 演算回路
９００２４ ＲＡＭ
９００２５ 入力手段
９００２６ マイク
９００２７ スピーカー
９００２８ アンテナ
９１０１３ ＦＰＣ
９１０３０ ハウジング
９１０３１ プリント基板
９１０３２ スピーカ
９１０３３ マイクロフォン
９１０３４ 送受信回路
９１０３５ 信号処理回路
９１０３６ 入力手段
９１０３７ バッテリ
９１０３９ 筐体
９３００１ 筐体
９３００２ 支持台
９３００３ 表示部
９３００４ スピーカー部
９３００５ ビデオ入力端子
９３１０１ 本体
９３１０２ 表示部
９３１０３ 受像部
９３１０４ 操作キー
９３１０５ 外部接続ポート
９３１０６ シャッターボタン
９３２０１ 本体
９３２０２ 筐体
９３２０３ 表示部
９３２０４ キーボード
９３２０５ 外部接続ポート
９３２０６ ポインティングデバイス
９３３０１ 本体
９３３０２ 表示部
９３３０３ スイッチ
９３３０４ 操作キー
９３３０５ 赤外線ポート
９３４０１ 本体
９３４０２ 筐体
９３４０３ 表示部Ａ
９３４０４ 表示部Ｂ
９３４０５ 部
９３４０６ 操作キー
９３４０７ スピーカー部
９３５０１ 本体
９３５０２ 表示部
９３５０３ アーム部
９３６０１ 本体
９３６０２ 表示部
９３６０３ 筐体
９３６０４ 外部接続ポート
９３６０５ リモコン受信部
９３６０６ 受像部
９３６０７ バッテリー
９３６０８ 音声入力部
９３６０９ 操作キー
９３７０１ 本体
９３７０２ 筐体
９３７０３ 表示部
９３７０４ 音声入力部
９３７０５ 音声出力部
９３７０６ 操作キー
９３７０７ 外部接続ポート
９３７０８ アンテナ
１０２０４ａ 絶縁層
１０２０４ｂ 絶縁層

Claims (6)

  1. 第１乃至第７のトランジスタを有し、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
  2. 第１乃至第１４のトランジスタを有し、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第５の配線と電気的に接続され、
    前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第８のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第９のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第１３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第６の配線と電気的に接続され、
    前記第１２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６の配線と電気的に接続され、
    前記第９のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
    前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
    前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１０のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１３のトランジスタのゲートと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
  3. 第１乃至第２１のトランジスタを有し、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第５の配線と電気的に接続され、
    前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第８のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第９のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第１３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第６の配線と電気的に接続され、
    前記第１２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６の配線と電気的に接続され、
    前記第９のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
    前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
    前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１０のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１６のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第１５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第７の配線と電気的に接続され、
    前記第１７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１８のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第１７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１８のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第２０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第２０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１９のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第８の配線と電気的に接続され、
    前記第１９のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第８の配線と電気的に接続され、
    前記第１６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
    前記第１７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５の配線と電気的に接続され、
    前記第１７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１７のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第２０のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２０のトランジスタのゲートと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
  4. 第１乃至第７のトランジスタを有し、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と直接接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と直接接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と直接接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と直接接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と直接接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と直接接続され、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線と直接接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線と直接接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと直接接続されることを特徴とする半導体装置。
  5. 第１乃至第１４のトランジスタを有し、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と直接接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と直接接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と直接接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と直接接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と直接接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と直接接続され、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線と直接接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線と直接接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方と直接接続され、
    前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第５の配線と直接接続され、
    前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１１のトランジスタのソース又はドレインの一方と直接接続され、
    前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第８のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第１２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第９のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第１２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１１のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第１３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１４のトランジスタのソース又はドレインの一方と直接接続され、
    前記第１３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１２のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第６の配線と直接接続され、
    前記第１２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６の配線と直接接続され、
    前記第９のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３の配線と直接接続され、
    前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と直接接続され、
    前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１０のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第１３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１３のトランジスタのゲートと直接接続されることを特徴とする半導体装置。
  6. 第１乃至第２１のトランジスタを有し、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と直接接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と直接接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と直接接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と直接接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と直接接続され、
    前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と直接接続され、
    前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線と直接接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線と直接接続され、
    前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方と直接接続され、
    前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第５の配線と直接接続され、
    前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１１のトランジスタのソース又はドレインの一方と直接接続され、
    前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第８のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第１２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第９のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第１２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１１のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第１３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１４のトランジスタのソース又はドレインの一方と直接接続され、
    前記第１３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１２のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第６の配線と直接接続され、
    前記第１２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６の配線と直接接続され、
    前記第９のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３の配線と直接接続され、
    前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と直接接続され、
    前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１０のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第１３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１３のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第１５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１６のトランジスタのソース又はドレインの一方と直接接続され、
    前記第１５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第７の配線と直接接続され、
    前記第１７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１８のトランジスタのソース又はドレインの一方と直接接続され、
    前記第１７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１５のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第１９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１６のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第１９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１８のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第２０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２１のトランジスタのソース又はドレインの一方と直接接続され、
    前記第２０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１９のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第１３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第８の配線と直接接続され、
    前記第１９のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第８の配線と直接接続され、
    前記第１６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３の配線と直接接続され、
    前記第１７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５の配線と直接接続され、
    前記第１７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１７のトランジスタのゲートと直接接続され、
    前記第２０のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２０のトランジスタのゲートと直接接続されることを特徴とする半導体装置。
JP2017213423A 2006-08-31 2017-11-06 半導体装置 Active JP6334049B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006236392 2006-08-31
JP2006236392 2006-08-31

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017153164A Division JP6240806B1 (ja) 2006-08-31 2017-08-08 半導体装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018083975A Division JP6676690B2 (ja) 2006-08-31 2018-04-25 半導体装置及び電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018060590A JP2018060590A (ja) 2018-04-12
JP6334049B2 true JP6334049B2 (ja) 2018-05-30

Family

ID=38736042

Family Applications (16)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011254567A Active JP5618970B2 (ja) 2006-08-31 2011-11-22 半導体装置
JP2012188474A Active JP5394551B2 (ja) 2006-08-31 2012-08-29 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2012188476A Active JP5651653B2 (ja) 2006-08-31 2012-08-29 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2013170191A Active JP5809669B2 (ja) 2006-08-31 2013-08-20 半導体装置、表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2014040271A Active JP5697776B2 (ja) 2006-08-31 2014-03-03 半導体装置及び表示装置
JP2014229427A Active JP5947357B2 (ja) 2006-08-31 2014-11-12 半導体装置、表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2015235377A Active JP6069466B2 (ja) 2006-08-31 2015-12-02 半導体装置
JP2016110567A Active JP6181240B2 (ja) 2006-08-31 2016-06-02 半導体装置
JP2017139569A Active JP6203446B1 (ja) 2006-08-31 2017-07-19 半導体装置
JP2017153164A Active JP6240806B1 (ja) 2006-08-31 2017-08-08 半導体装置
JP2017213423A Active JP6334049B2 (ja) 2006-08-31 2017-11-06 半導体装置
JP2018083975A Active JP6676690B2 (ja) 2006-08-31 2018-04-25 半導体装置及び電子機器
JP2020042739A Active JP7012767B2 (ja) 2006-08-31 2020-03-12 半導体装置
JP2021193042A Active JP7451480B2 (ja) 2006-08-31 2021-11-29 半導体装置
JP2023072277A Pending JP2023100756A (ja) 2006-08-31 2023-04-26 表示装置
JP2023209542A Pending JP2024037853A (ja) 2006-08-31 2023-12-12 表示装置

Family Applications Before (10)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011254567A Active JP5618970B2 (ja) 2006-08-31 2011-11-22 半導体装置
JP2012188474A Active JP5394551B2 (ja) 2006-08-31 2012-08-29 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2012188476A Active JP5651653B2 (ja) 2006-08-31 2012-08-29 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2013170191A Active JP5809669B2 (ja) 2006-08-31 2013-08-20 半導体装置、表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2014040271A Active JP5697776B2 (ja) 2006-08-31 2014-03-03 半導体装置及び表示装置
JP2014229427A Active JP5947357B2 (ja) 2006-08-31 2014-11-12 半導体装置、表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2015235377A Active JP6069466B2 (ja) 2006-08-31 2015-12-02 半導体装置
JP2016110567A Active JP6181240B2 (ja) 2006-08-31 2016-06-02 半導体装置
JP2017139569A Active JP6203446B1 (ja) 2006-08-31 2017-07-19 半導体装置
JP2017153164A Active JP6240806B1 (ja) 2006-08-31 2017-08-08 半導体装置

Family Applications After (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018083975A Active JP6676690B2 (ja) 2006-08-31 2018-04-25 半導体装置及び電子機器
JP2020042739A Active JP7012767B2 (ja) 2006-08-31 2020-03-12 半導体装置
JP2021193042A Active JP7451480B2 (ja) 2006-08-31 2021-11-29 半導体装置
JP2023072277A Pending JP2023100756A (ja) 2006-08-31 2023-04-26 表示装置
JP2023209542A Pending JP2024037853A (ja) 2006-08-31 2023-12-12 表示装置

Country Status (6)

Country Link
US (13) US7859510B2 (ja)
EP (1) EP1895545B1 (ja)
JP (16) JP5618970B2 (ja)
KR (4) KR101427081B1 (ja)
CN (3) CN102354066B (ja)
TW (12) TWI819371B (ja)

Families Citing this family (178)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101069222A (zh) 2004-12-06 2007-11-07 株式会社半导体能源研究所 显示装置
TWI417844B (zh) * 2005-07-27 2013-12-01 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置，和其驅動方法和電子裝置
US9153341B2 (en) * 2005-10-18 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
WO2007108177A1 (ja) * 2006-03-23 2007-09-27 Sharp Kabushiki Kaisha 表示装置およびその駆動方法
EP1895545B1 (en) 2006-08-31 2014-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP5116277B2 (ja) 2006-09-29 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP4932415B2 (ja) 2006-09-29 2012-05-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US7884891B2 (en) * 2008-01-21 2011-02-08 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Thin film transistor liquid crystal display
US7923733B2 (en) * 2008-02-07 2011-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2009104307A1 (ja) * 2008-02-19 2009-08-27 シャープ株式会社 シフトレジスタ回路および表示装置ならびにシフトレジスタ回路の駆動方法
WO2009104322A1 (ja) * 2008-02-19 2009-08-27 シャープ株式会社 表示装置および表示装置の駆動方法ならびに走査信号線駆動回路
US20100321372A1 (en) * 2008-02-19 2010-12-23 Akihisa Iwamoto Display device and method for driving display
CN101261414B (zh) * 2008-04-21 2011-07-06 昆山龙腾光电有限公司 一种液晶面板及包含该液晶面板的显示装置
US8314765B2 (en) 2008-06-17 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device, and electronic device
TWI413260B (zh) 2008-07-31 2013-10-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
TWI474305B (zh) * 2008-07-31 2015-02-21 Sitronix Technology Corp The polarity switching structure of point conversion system
CN102881696A (zh) * 2008-09-19 2013-01-16 株式会社半导体能源研究所 显示装置
EP2178133B1 (en) 2008-10-16 2019-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Flexible Light-Emitting Device, Electronic Device, and Method for Manufacturing Flexible-Light Emitting Device
KR102251817B1 (ko) 2008-10-24 2021-05-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
US8482551B2 (en) 2008-10-29 2013-07-09 Himax Technologies Limited Display system
US8525818B2 (en) 2008-10-29 2013-09-03 Himax Technologies Limited Display system
TWI574423B (zh) * 2008-11-07 2017-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
US8232947B2 (en) 2008-11-14 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR101671660B1 (ko) 2008-11-21 2016-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치 및 전자 기기
CN104103242B (zh) * 2008-11-28 2016-09-14 株式会社半导体能源研究所 显示器件以及包含显示器件的电子器件
CN101762922B (zh) 2008-12-24 2012-05-30 京东方科技集团股份有限公司 触摸式电子纸及其制造方法
TWI654689B (zh) 2008-12-26 2019-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI485687B (zh) 2009-01-16 2015-05-21 Semiconductor Energy Lab 液晶顯示裝置及其電子裝置
US9741309B2 (en) 2009-01-22 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving display device including first to fourth switches
JP5221408B2 (ja) * 2009-02-06 2013-06-26 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置及びその製造方法
TWI399908B (zh) * 2009-02-12 2013-06-21 Himax Tech Ltd 顯示系統
US8330702B2 (en) 2009-02-12 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit, display device, and electronic device
JP5392545B2 (ja) 2009-03-13 2014-01-22 ソニー株式会社 表示装置
US8872751B2 (en) 2009-03-26 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having interconnected transistors and electronic device including the same
EP2234100B1 (en) * 2009-03-26 2016-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP5540430B2 (ja) * 2009-04-14 2014-07-02 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 走査線駆動回路、表示装置及び走査線駆動方法
BRPI1014498A2 (pt) * 2009-06-17 2016-04-05 Sharp Kk "multivibrador biestável, registrador de deslocamento, circuito de acionamento de exibição, aparelho de exibição e painel de exibição"
KR102428303B1 (ko) * 2009-06-25 2022-08-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2011010546A1 (en) 2009-07-24 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI642043B (zh) 2009-09-10 2018-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和顯示裝置
CN102024410B (zh) 2009-09-16 2014-10-22 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及电子设备
KR102480780B1 (ko) * 2009-09-16 2022-12-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 이의 제조 방법
US9715845B2 (en) 2009-09-16 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
JP5467455B2 (ja) * 2009-10-07 2014-04-09 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 シフトレジスタ回路、走査線駆動回路及び表示装置
US9171640B2 (en) * 2009-10-09 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register and display device
KR101711236B1 (ko) * 2009-10-09 2017-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011043215A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register and display device and driving method thereof
KR102689629B1 (ko) 2009-10-16 2024-07-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102162746B1 (ko) * 2009-10-21 2020-10-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 아날로그 회로 및 반도체 장치
TWI424234B (zh) * 2009-10-26 2014-01-21 Au Optronics Corp 畫素陣列、聚合物穩定配向液晶顯示面板以及光電裝置
CN102484471B (zh) * 2009-10-30 2015-04-01 株式会社半导体能源研究所 驱动器电路、包括该驱动器电路的显示设备和包括该显示设备的电子设备
TWI413970B (zh) * 2009-11-03 2013-11-01 Hannstar Display Corp 閘極驅動電路
WO2011070929A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
CN102122527B (zh) * 2010-01-11 2013-02-06 智原科技股份有限公司 存储器电路以及控制存储器电路的方法
US20110172821A1 (en) * 2010-01-11 2011-07-14 George Carter Automated tire inflation system
JP5185304B2 (ja) * 2010-02-10 2013-04-17 株式会社東芝 半導体集積回路
KR20230145240A (ko) 2010-02-18 2023-10-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101706292B1 (ko) 2010-03-02 2017-02-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터
WO2011108345A1 (en) 2010-03-02 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
WO2011122271A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field-sequential display device
KR101884798B1 (ko) 2010-04-09 2018-08-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5581263B2 (ja) * 2010-05-13 2014-08-27 株式会社半導体エネルギー研究所 バッファ回路
KR20230173747A (ko) 2010-05-21 2023-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 펄스 출력 회로, 시프트 레지스터, 및 표시 장치
KR101760102B1 (ko) 2010-07-19 2017-07-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 표시 장치를 위한 주사 구동 장치 및 그 구동 방법
KR101793176B1 (ko) * 2010-08-05 2017-11-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP5763474B2 (ja) * 2010-08-27 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 光センサ
JP5678528B2 (ja) * 2010-09-07 2015-03-04 住友電気工業株式会社 半導体光デバイスの製造方法
JP5839896B2 (ja) 2010-09-09 2016-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR101773934B1 (ko) * 2010-10-21 2017-09-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
TWI621121B (zh) * 2011-01-05 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 儲存元件、儲存裝置、及信號處理電路
US8624818B2 (en) * 2011-03-03 2014-01-07 Integrated Device Technology, Inc. Apparatuses and methods for reducing power in driving display panels
JP5933897B2 (ja) 2011-03-18 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5890234B2 (ja) 2011-04-15 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法
CN102760397B (zh) * 2011-04-27 2014-12-10 苏州达方电子有限公司 驱动电路
KR101983976B1 (ko) 2011-05-13 2019-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN107195266B (zh) 2011-05-13 2021-02-02 株式会社半导体能源研究所 显示装置
JP2012243971A (ja) * 2011-05-20 2012-12-10 Sony Corp ブートストラップ回路、インバータ回路、走査回路、表示装置、及び、電子機器
CN102802346B (zh) * 2011-05-27 2015-08-05 中国科学院理化技术研究所 一种液态金属印刷电路板及其制备方法
US9083779B2 (en) * 2011-06-29 2015-07-14 Google Technology Holdings LLC Electronic device with color-changing layer over optical shuttering layer
CN103918024B (zh) * 2011-08-02 2016-08-17 夏普株式会社 液晶显示装置和辅助电容线的驱动方法
US8718224B2 (en) 2011-08-05 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
WO2013026053A1 (en) * 2011-08-18 2013-02-21 Lynk Labs, Inc. Devices and systems having ac led circuits and methods of driving the same
TW202412006A (zh) 2011-08-29 2024-03-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8736315B2 (en) * 2011-09-30 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10014068B2 (en) 2011-10-07 2018-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6241281B2 (ja) * 2012-02-15 2017-12-06 コニカミノルタ株式会社 透明電極および電子デバイス
KR101923190B1 (ko) * 2012-02-17 2018-11-30 삼성디스플레이 주식회사 정전기 보호 회로를 구비한 표시장치 및 그의 제조방법
CN103367459B (zh) * 2012-03-28 2019-08-27 株式会社日本有机雷特显示器 半导体装置和电子设备
TW201340181A (zh) * 2012-03-30 2013-10-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd 觸控面板及其觸碰感應層的製造方法
JP5866439B2 (ja) * 2012-05-16 2016-02-17 シャープ株式会社 液晶ディスプレイ
CN107564967B (zh) 2012-07-20 2020-10-23 株式会社半导体能源研究所 显示装置
KR102368865B1 (ko) 2012-07-20 2022-03-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치
KR102133158B1 (ko) 2012-08-10 2020-07-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치의 제작 방법
KR102026473B1 (ko) * 2012-11-20 2019-09-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
TWI538220B (zh) * 2012-11-21 2016-06-11 元太科技工業股份有限公司 薄膜電晶體與其製造方法
KR102043177B1 (ko) * 2012-11-21 2019-11-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN103268749B (zh) * 2012-11-21 2015-04-15 上海天马微电子有限公司 一种反相器、amoled补偿电路和显示面板
KR101594352B1 (ko) * 2013-03-07 2016-02-16 한국생산기술연구원 Shadow mask를 이용한 유기 발광 소자 제조 방법 및 상기 방법으로 제조된 유기 발광 소자.
TWI692280B (zh) 2013-03-07 2020-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US9040416B2 (en) 2013-05-10 2015-05-26 Samsung Display Co., Ltd. Manufacturing method of metal wire and thin transistor array panel
KR102173707B1 (ko) * 2013-05-31 2020-11-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
US9424950B2 (en) 2013-07-10 2016-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5622902B2 (ja) * 2013-07-31 2014-11-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、表示モジュール及び電子機器
CN103400559B (zh) * 2013-07-31 2015-05-13 京东方科技集团股份有限公司 显示装置
US9583063B2 (en) 2013-09-12 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2015056582A1 (ja) * 2013-10-16 2015-04-23 旭硝子株式会社 給電構造及びそれを備えた窓用樹脂製板状体、並びに給電構造を備えた窓用樹脂製板状体の製造方法
US9698176B1 (en) * 2013-11-05 2017-07-04 Ananda H. Kumar Silicon-based backplane structures and methods for display applications
KR102248641B1 (ko) * 2013-11-22 2021-05-04 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자
CN103943061B (zh) * 2013-12-11 2016-08-17 上海天马微电子有限公司 一种内置触控结构的oled显示装置
KR102101182B1 (ko) * 2013-12-23 2020-04-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102141557B1 (ko) * 2013-12-26 2020-08-05 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판
KR102166898B1 (ko) * 2014-01-10 2020-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR20150087617A (ko) * 2014-01-22 2015-07-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판용 박막 트랜지스터, 표시 기판 및 표시 기판의 제조 방법
KR102212423B1 (ko) 2014-02-14 2021-02-04 삼성디스플레이 주식회사 구동 회로 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102380737B1 (ko) * 2014-02-14 2022-03-30 삼성디스플레이 주식회사 구동 회로 및 이를 포함하는 표시 장치
US10199006B2 (en) * 2014-04-24 2019-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
CN103985350B (zh) 2014-04-29 2016-09-07 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种像素电路、显示面板、显示装置和驱动方法
TWI679624B (zh) * 2014-05-02 2019-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
CN104036745B (zh) * 2014-06-07 2017-01-18 深圳市华星光电技术有限公司 驱动电路及液晶显示装置
CN104064688B (zh) * 2014-07-11 2016-09-21 深圳市华星光电技术有限公司 具有存储电容的tft基板的制作方法及该tft基板
KR102397388B1 (ko) 2014-07-24 2022-05-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 모듈 및 전자 기기
CN105338268B (zh) * 2014-08-12 2018-09-11 比亚迪股份有限公司 图像传感器及其去除太阳黑斑方法和去除太阳黑斑装置
JP6521794B2 (ja) 2014-09-03 2019-05-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
KR20230044334A (ko) * 2014-09-12 2023-04-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
CN104882105B (zh) * 2015-05-28 2017-05-17 武汉华星光电技术有限公司 一种液晶驱动电路及液晶显示装置
CN104882108B (zh) * 2015-06-08 2017-03-29 深圳市华星光电技术有限公司 基于氧化物半导体薄膜晶体管的goa电路
KR102301325B1 (ko) * 2015-06-30 2021-09-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치에 구비된 구동 tft의 문턱전압 센싱장치 및 센싱방법
US9935127B2 (en) * 2015-07-29 2018-04-03 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Control circuit of thin film transistor
US9704893B2 (en) * 2015-08-07 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10163388B2 (en) * 2015-09-14 2018-12-25 Apple Inc. Light-emitting diode displays with predictive luminance compensation
US10453388B2 (en) * 2015-09-14 2019-10-22 Apple Inc. Light-emitting diode displays with predictive luminance compensation
CN105206246B (zh) * 2015-10-31 2018-05-11 武汉华星光电技术有限公司 扫描驱动电路及具有该电路的液晶显示装置
US10276572B2 (en) * 2015-11-05 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6807725B2 (ja) 2015-12-22 2021-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示パネル、及び電子機器
US10033361B2 (en) * 2015-12-28 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Level-shift circuit, driver IC, and electronic device
KR102566221B1 (ko) * 2015-12-29 2023-08-14 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동부 및 이를 포함하는 표시 장치
CN105607365A (zh) * 2015-12-31 2016-05-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种coa基板及其制作方法
JP6995481B2 (ja) 2016-01-29 2022-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 ソースドライバ
CN205621414U (zh) * 2016-04-26 2016-10-05 京东方科技集团股份有限公司 静电放电电路、阵列基板和显示装置
FR3051053B1 (fr) * 2016-05-03 2018-05-25 Essilor International Matrice active transparente a reseau desordonne et composant optique integrant une telle matrice
KR102601214B1 (ko) * 2016-05-16 2023-11-10 삼성전자주식회사 수직형 구조를 가지는 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템
US10490116B2 (en) 2016-07-06 2019-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and display system
TWI729030B (zh) * 2016-08-29 2021-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及控制程式
CN106356392B (zh) * 2016-09-09 2020-01-10 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制作方法和显示设备
US10395600B2 (en) * 2016-10-19 2019-08-27 Apple Inc. Integrated gate driver circuit
KR102687941B1 (ko) * 2016-10-24 2024-07-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20180059649A (ko) * 2016-11-25 2018-06-05 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조 방법
JP2018093483A (ja) * 2016-11-29 2018-06-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置及び電子機器
CN106782361A (zh) * 2016-12-08 2017-05-31 青岛海信电器股份有限公司 液晶显示装置中生成背光控制信号的方法及装置
CN107621709B (zh) * 2017-10-10 2020-06-05 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
TWI652711B (zh) 2018-01-09 2019-03-01 達方電子股份有限公司 發光鍵盤及其背光模組
DE102018107309B4 (de) 2018-03-27 2019-10-10 Symonics GmbH Transparente Anzeigevorrichtung
US11261730B2 (en) 2018-07-16 2022-03-01 Saudi Arabian Oil Company Wellbore failure analysis and assessment
CN108983462A (zh) * 2018-08-27 2018-12-11 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置的驱动方法
CN111223459B (zh) * 2018-11-27 2022-03-08 元太科技工业股份有限公司 移位寄存器以及栅极驱动电路
TWI688946B (zh) * 2018-12-11 2020-03-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置
JP7554673B2 (ja) 2018-12-20 2024-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI670850B (zh) * 2019-03-08 2019-09-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置
WO2020187851A1 (en) * 2019-03-18 2020-09-24 Smith & Nephew Plc Design rules for sensor integrated substrates
WO2020217396A1 (ja) * 2019-04-25 2020-10-29 株式会社ソシオネクスト 半導体装置
TWM587775U (zh) * 2019-07-07 2019-12-11 奕力科技股份有限公司 具有像素結構的顯示裝置與指紋辨識晶片
CN110322856A (zh) * 2019-07-18 2019-10-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种液晶显示面板及其驱动方法
KR20210014817A (ko) * 2019-07-30 2021-02-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
US11415844B2 (en) 2019-08-14 2022-08-16 Himax Technologies Limited Liquid crystal display
CN110518019B (zh) * 2019-08-16 2020-11-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板
TWI710819B (zh) * 2019-08-29 2020-11-21 奇景光電股份有限公司 液晶顯示器
CN112201685B (zh) * 2020-09-08 2022-02-11 浙江大学 一种超级结器件及电介质组合终端
CN114464120A (zh) 2020-11-10 2022-05-10 群创光电股份有限公司 电子装置及扫描驱动电路
CN112530937B (zh) * 2020-12-02 2022-09-27 Tcl华星光电技术有限公司 一种静电保护电路和显示面板
TWI759198B (zh) * 2021-05-06 2022-03-21 友達光電股份有限公司 處理微型發光二極體的系統
CN214851908U (zh) * 2021-06-16 2021-11-23 深圳市不插电光电科技有限公司 一种能够独立集成化控制的机顶盒彩灯条
RU2770855C1 (ru) * 2021-07-06 2022-04-22 Дмитрий Васильевич Ленков Комплект устройств для монтажа каркасной системы потолков и стен
CN115881788A (zh) * 2021-09-26 2023-03-31 群创光电股份有限公司 电子装置及其制造方法
US11954800B2 (en) 2021-12-14 2024-04-09 Saudi Arabian Oil Company Converting borehole images into three dimensional structures for numerical modeling and simulation applications
CN114185214B (zh) * 2022-02-16 2022-05-03 北京京东方技术开发有限公司 阵列基板和显示器
JP2023124990A (ja) 2022-02-28 2023-09-07 三菱重工エンジン＆ターボチャージャ株式会社 内燃機関
CN115240597B (zh) 2022-09-20 2023-01-10 惠科股份有限公司 像素电路、显示面板及显示装置
KR20240110679A (ko) * 2022-12-30 2024-07-16 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치가 구비된 차량

Family Cites Families (139)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2160360B (en) 1983-12-19 1987-09-16 Mobil Solar Energy Corp Method of fabricating solar cells
JPH0740101B2 (ja) 1985-04-23 1995-05-01 旭硝子株式会社 薄膜トランジスタ
US5222082A (en) * 1991-02-28 1993-06-22 Thomson Consumer Electronics, S.A. Shift register useful as a select line scanner for liquid crystal display
JP3189990B2 (ja) 1991-09-27 2001-07-16 キヤノン株式会社 電子回路装置
JPH06162790A (ja) * 1992-11-24 1994-06-10 Fujitsu Ltd 半導体回路
JP3424320B2 (ja) * 1994-04-22 2003-07-07 ソニー株式会社 アクティブマトリクス表示装置
US6919874B1 (en) * 1994-05-17 2005-07-19 Thales Avionics Lcd S.A. Shift register using M.I.S. transistors and supplementary column
FR2720185B1 (fr) 1994-05-17 1996-07-05 Thomson Lcd Registre à décalage utilisant des transistors M.I.S. de même polarité.
US5434899A (en) * 1994-08-12 1995-07-18 Thomson Consumer Electronics, S.A. Phase clocked shift register with cross connecting between stages
US5949398A (en) 1996-04-12 1999-09-07 Thomson Multimedia S.A. Select line driver for a display matrix with toggling backplane
TW494266B (en) * 1996-05-13 2002-07-11 Nanya Technology Corp Manufacturing method of thin film transistor liquid crystal display
JP2921510B2 (ja) 1996-10-07 1999-07-19 日本電気株式会社 ブートストラップ回路
KR100242244B1 (ko) * 1997-08-09 2000-02-01 구본준 스캐닝 회로
US6549258B1 (en) 1997-09-04 2003-04-15 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Hybrid switching mode liquid crystal display device
KR100281336B1 (ko) * 1998-10-21 2001-03-02 구본준 쉬프트 레지스터 회로
GB2360650B (en) * 1998-10-21 2002-03-13 Lg Philips Lcd Co Ltd Shift register
JP4181710B2 (ja) * 1998-10-21 2008-11-19 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド シフトレジスタ
KR100438525B1 (ko) * 1999-02-09 2004-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 쉬프트 레지스터 회로
TW461180B (en) * 1998-12-21 2001-10-21 Sony Corp Digital/analog converter circuit, level shift circuit, shift register utilizing level shift circuit, sampling latch circuit, latch circuit and liquid crystal display device incorporating the same
KR100333983B1 (ko) 1999-05-13 2002-04-26 윤종용 광시야각 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 및그의 제조 방법
JP3588007B2 (ja) 1999-05-14 2004-11-10 シャープ株式会社 双方向シフトレジスタ、および、それを用いた画像表示装置
TW515109B (en) 1999-06-28 2002-12-21 Semiconductor Energy Lab EL display device and electronic device
JP4666722B2 (ja) * 1999-06-28 2011-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置及び電子装置
US6587086B1 (en) 1999-10-26 2003-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
TW538400B (en) * 1999-11-01 2003-06-21 Sharp Kk Shift register and image display device
US6750835B2 (en) 1999-12-27 2004-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Image display device and driving method thereof
TW567452B (en) * 2000-01-27 2003-12-21 Ind Tech Res Inst Liquid crystal scan line driver circuit having fault detection-and-correction function
TWI267049B (en) 2000-05-09 2006-11-21 Sharp Kk Image display device, and electronic apparatus using the same
US7633471B2 (en) * 2000-05-12 2009-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electric appliance
JP2001325798A (ja) 2000-05-16 2001-11-22 Sony Corp 論理回路およびこれを用いた表示装置
JP4506026B2 (ja) * 2000-05-31 2010-07-21 カシオ計算機株式会社 シフトレジスタ、表示装置及び撮像素子
JP3873165B2 (ja) 2000-06-06 2007-01-24 カシオ計算機株式会社 シフトレジスタ及び電子装置
US6611248B2 (en) 2000-05-31 2003-08-26 Casio Computer Co., Ltd. Shift register and electronic apparatus
KR100698239B1 (ko) * 2000-08-30 2007-03-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 쉬프트 레지스터 회로
JP2002133890A (ja) * 2000-10-24 2002-05-10 Alps Electric Co Ltd シフトレジスタ
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
KR100752602B1 (ko) 2001-02-13 2007-08-29 삼성전자주식회사 쉬프트 레지스터와, 이를 이용한 액정 표시 장치
TW525139B (en) 2001-02-13 2003-03-21 Samsung Electronics Co Ltd Shift register, liquid crystal display using the same and method for driving gate line and data line blocks thereof
TW582005B (en) * 2001-05-29 2004-04-01 Semiconductor Energy Lab Pulse output circuit, shift register, and display device
JP2002372722A (ja) 2001-06-15 2002-12-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
KR100403631B1 (ko) 2001-07-20 2003-10-30 삼성전자주식회사 비트라인 센스앰프 드라이버의 배치방법
US6788108B2 (en) 2001-07-30 2004-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2003012266A1 (en) * 2001-07-30 2003-02-13 Massachusetts Institute Of Technology Internal combustion engine
JP4831895B2 (ja) * 2001-08-03 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN101257743B (zh) 2001-08-29 2011-05-25 株式会社半导体能源研究所 发光器件及这种发光器件的驱动方法
JP3813555B2 (ja) 2001-08-29 2006-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
US20030052848A1 (en) * 2001-09-20 2003-03-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd Signal transmission circuit, solid-state imaging device, camera and liquid crystal display
JP3658349B2 (ja) 2001-09-20 2005-06-08 松下電器産業株式会社 信号伝送回路、固体撮像装置、カメラおよび液晶表示装置
JP2003122313A (ja) 2001-10-15 2003-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置及びその駆動方法
US7365713B2 (en) 2001-10-24 2008-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP2003202834A (ja) 2001-10-24 2003-07-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその駆動方法
TWI261217B (en) 2001-10-31 2006-09-01 Semiconductor Energy Lab Driving circuit of signal line and light emitting apparatus
US7061014B2 (en) 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
US7508479B2 (en) 2001-11-15 2009-03-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display
US6812548B2 (en) * 2001-11-30 2004-11-02 Intel Corporation Backside metallization on sides of microelectronic dice for effective thermal contact with heat dissipation devices
US7050036B2 (en) * 2001-12-12 2006-05-23 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Shift register with a built in level shifter
KR100864918B1 (ko) 2001-12-26 2008-10-22 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 데이터 구동 장치
JP2003198146A (ja) * 2001-12-26 2003-07-11 Kyocera Corp 多層配線基板およびこれを用いた電子装置
JP2003208132A (ja) 2002-01-17 2003-07-25 Seiko Epson Corp 液晶駆動回路
JP2003216064A (ja) * 2002-01-24 2003-07-30 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2003271108A (ja) * 2002-03-18 2003-09-25 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP4480944B2 (ja) * 2002-03-25 2010-06-16 シャープ株式会社 シフトレジスタおよびそれを用いる表示装置
JP4593071B2 (ja) * 2002-03-26 2010-12-08 シャープ株式会社 シフトレジスタおよびそれを備えた表示装置
KR100804038B1 (ko) 2002-04-04 2008-02-18 삼성전자주식회사 쉬프트 레지스터 및 이를 갖는 액정표시장치
CN100428319C (zh) 2002-04-08 2008-10-22 三星电子株式会社 驱动电路及液晶显示器
TWI293444B (en) * 2002-04-08 2008-02-11 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display device
KR100846464B1 (ko) 2002-05-28 2008-07-17 삼성전자주식회사 비정질실리콘 박막 트랜지스터-액정표시장치 및 그 제조방법
JP4391128B2 (ja) * 2002-05-30 2009-12-24 シャープ株式会社 表示装置のドライバ回路およびシフトレジスタならびに表示装置
TWI298478B (en) 2002-06-15 2008-07-01 Samsung Electronics Co Ltd Method of driving a shift register, a shift register, a liquid crystal display device having the shift register
KR100797522B1 (ko) 2002-09-05 2008-01-24 삼성전자주식회사 쉬프트 레지스터와 이를 구비하는 액정 표시 장치
JP4460822B2 (ja) * 2002-11-29 2010-05-12 東芝モバイルディスプレイ株式会社 双方向シフトレジスタ、これを用いた駆動回路、平面表示装置
US6900856B2 (en) 2002-12-04 2005-05-31 Lg. Philips Lcd Ltd. Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP2004205725A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置および電子機器
JP4339103B2 (ja) 2002-12-25 2009-10-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
US7298355B2 (en) 2002-12-27 2007-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2004220021A (ja) * 2002-12-27 2004-08-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
KR100506005B1 (ko) 2002-12-31 2005-08-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 평판표시장치
JP4425547B2 (ja) 2003-01-17 2010-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 パルス出力回路、シフトレジスタ、および電子機器
KR100917009B1 (ko) 2003-02-10 2009-09-10 삼성전자주식회사 트랜지스터의 구동 방법과 쉬프트 레지스터의 구동 방법및 이를 수행하기 위한 쉬프트 레지스터
TWI228696B (en) 2003-03-21 2005-03-01 Ind Tech Res Inst Pixel circuit for active matrix OLED and driving method
US7319452B2 (en) * 2003-03-25 2008-01-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Shift register and display device having the same
TW577176B (en) 2003-03-31 2004-02-21 Ind Tech Res Inst Structure of thin-film transistor, and the manufacturing method thereof
TW591583B (en) * 2003-05-09 2004-06-11 Toppoly Optoelectronics Corp Current register unit and circuit, and image display device applying the current register unit
GB0313041D0 (en) * 2003-06-06 2003-07-09 Koninkl Philips Electronics Nv Display device having current-driven pixels
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
JP3974124B2 (ja) 2003-07-09 2007-09-12 シャープ株式会社 シフトレジスタおよびそれを用いる表示装置
US7486269B2 (en) * 2003-07-09 2009-02-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Shift register, scan driving circuit and display apparatus having the same
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
JP2005049637A (ja) * 2003-07-29 2005-02-24 Seiko Epson Corp 駆動回路及びその保護方法、電気光学装置並びに電子機器
JP3958271B2 (ja) 2003-09-19 2007-08-15 シャープ株式会社 レベルシフタ及びそれを用いた表示装置
KR100583318B1 (ko) 2003-12-17 2006-05-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 게이트 구동장치 및 방법
JP3962953B2 (ja) 2003-12-26 2007-08-22 カシオ計算機株式会社 レベルシフト回路及び該レベルシフト回路を備えた信号出力回路
KR100995637B1 (ko) * 2003-12-29 2010-11-19 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터
JP4203656B2 (ja) 2004-01-16 2009-01-07 カシオ計算機株式会社 表示装置及び表示パネルの駆動方法
JP3958322B2 (ja) 2004-01-28 2007-08-15 シャープ株式会社 シフトレジスタ、およびアクティブマトリクス型表示装置
JP4692871B2 (ja) 2004-03-11 2011-06-01 カシオ計算機株式会社 表示駆動装置及び表示装置
CN102354658B (zh) 2004-03-12 2015-04-01 独立行政法人科学技术振兴机构 薄膜晶体管的制造方法
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
JP4494050B2 (ja) * 2004-03-17 2010-06-30 シャープ株式会社 表示装置の駆動装置、表示装置
US7289594B2 (en) * 2004-03-31 2007-10-30 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Shift registrer and driving method thereof
KR101023726B1 (ko) * 2004-03-31 2011-03-25 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터
US7089751B2 (en) 2004-04-23 2006-08-15 Carrier Corporation Automatic fresh air exchange system
JP2005354036A (ja) * 2004-05-14 2005-12-22 Toppan Printing Co Ltd 半導体装置の形成方法
JP2006039111A (ja) * 2004-07-26 2006-02-09 Alps Electric Co Ltd カラー液晶表示装置
TW200600916A (en) 2004-05-27 2006-01-01 Alps Electric Co Ltd Color liquid crystal display device
KR101057891B1 (ko) 2004-05-31 2011-08-19 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터
CN100373443C (zh) * 2004-06-04 2008-03-05 联咏科技股份有限公司 源极驱动器、源极驱动器阵列、具有此阵列的驱动电路及显示器
KR101026807B1 (ko) * 2004-06-09 2011-04-04 삼성전자주식회사 표시 장치용 구동 장치 및 표시판
KR101019416B1 (ko) * 2004-06-29 2011-03-07 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트레지스터 및 이를 포함하는 평판표시장치
JP4895538B2 (ja) * 2004-06-30 2012-03-14 三星電子株式会社 シフトレジスタ、それを有する表示装置、及び、そのシフトレジスタの駆動方法
KR20060003968A (ko) * 2004-07-05 2006-01-12 삼성전자주식회사 어레이 기판과 이를 갖는 표시 장치와, 이의 구동장치 및방법
TWI382264B (zh) * 2004-07-27 2013-01-11 Samsung Display Co Ltd 薄膜電晶體陣列面板及包括此面板之顯示器裝置
CN100353460C (zh) * 2004-08-16 2007-12-05 友达光电股份有限公司 移位寄存器及使用该移位寄存器的显示面板
KR100590042B1 (ko) * 2004-08-30 2006-06-14 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치, 그 구동방법 및 신호구동장치
KR101014172B1 (ko) * 2004-09-13 2011-02-14 삼성전자주식회사 구동유닛 및 이를 갖는 표시장치
US20060056267A1 (en) 2004-09-13 2006-03-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Driving unit and display apparatus having the same
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
JP4664657B2 (ja) 2004-11-30 2011-04-06 株式会社東芝 回路基板
JP2006178165A (ja) 2004-12-22 2006-07-06 Alps Electric Co Ltd ドライバ回路、シフトレジスタ及び液晶駆動回路
KR101110133B1 (ko) 2004-12-28 2012-02-20 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 게이트 구동용 쉬프트레지스터
KR101127813B1 (ko) * 2004-12-29 2012-03-26 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터와 이를 이용한 액정 표시장치
KR101191157B1 (ko) * 2004-12-31 2012-10-15 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 구동부
KR101137880B1 (ko) 2004-12-31 2012-04-20 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터 및 그 구동 방법
KR101066493B1 (ko) * 2004-12-31 2011-09-21 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
US7203264B2 (en) * 2005-06-28 2007-04-10 Wintek Corporation High-stability shift circuit using amorphous silicon thin film transistors
TWI320564B (en) * 2005-08-25 2010-02-11 Au Optronics Corp A shift register driving method
CN100495576C (zh) * 2005-09-07 2009-06-03 友达光电股份有限公司 移位寄存器电路
JP4822406B2 (ja) 2005-09-26 2011-11-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 表示制御駆動装置および表示システム
EP1998374A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
US9153341B2 (en) * 2005-10-18 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
JP4654923B2 (ja) 2006-01-26 2011-03-23 カシオ計算機株式会社 シフトレジスタ回路、及び表示駆動装置
TWI323869B (en) * 2006-03-14 2010-04-21 Au Optronics Corp Shift register circuit
JP4912023B2 (ja) * 2006-04-25 2012-04-04 三菱電機株式会社 シフトレジスタ回路
JP5079425B2 (ja) 2006-08-31 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
EP1895545B1 (en) 2006-08-31 2014-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
TWI427602B (zh) * 2006-10-17 2014-02-21 Semiconductor Energy Lab 脈衝輸出電路、移位暫存器及顯示裝置
US9036766B2 (en) * 2012-02-29 2015-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP6069466B2 (ja) 2017-02-01
US7859510B2 (en) 2010-12-28
JP2022028884A (ja) 2022-02-16
TW201810239A (zh) 2018-03-16
JP7451480B2 (ja) 2024-03-18
TW201220296A (en) 2012-05-16
CN102419962B (zh) 2014-12-24
TWI834571B (zh) 2024-03-01
US9684215B2 (en) 2017-06-20
US20160062204A1 (en) 2016-03-03
JP2014016620A (ja) 2014-01-30
JP5809669B2 (ja) 2015-11-11
TWI467554B (zh) 2015-01-01
TWI623929B (zh) 2018-05-11
JP2012083770A (ja) 2012-04-26
US20110187694A1 (en) 2011-08-04
CN102354066B (zh) 2015-05-20
TW201426723A (zh) 2014-07-01
TWI439997B (zh) 2014-06-01
US20130264566A1 (en) 2013-10-10
US11971638B2 (en) 2024-04-30
TW202340821A (zh) 2023-10-16
US20120068173A1 (en) 2012-03-22
US20190033675A1 (en) 2019-01-31
KR101542361B1 (ko) 2015-08-07
JP2018010710A (ja) 2018-01-18
JP5394551B2 (ja) 2014-01-22
US9335599B2 (en) 2016-05-10
US8643586B2 (en) 2014-02-04
CN102419962A (zh) 2012-04-18
JP5697776B2 (ja) 2015-04-08
US20190310529A1 (en) 2019-10-10
TW202201087A (zh) 2022-01-01
JP2014160250A (ja) 2014-09-04
CN101135791A (zh) 2008-03-05
TW202419938A (zh) 2024-05-16
TW201831963A (zh) 2018-09-01
JP2016105345A (ja) 2016-06-09
JP2018060590A (ja) 2018-04-12
JP6676690B2 (ja) 2020-04-08
JP5651653B2 (ja) 2015-01-14
US10401699B2 (en) 2019-09-03
US9184183B2 (en) 2015-11-10
TWI533284B (zh) 2016-05-11
JP2013041660A (ja) 2013-02-28
KR101427081B1 (ko) 2014-08-07
TWI740142B (zh) 2021-09-21
TW201804455A (zh) 2018-02-01
JP2013050717A (ja) 2013-03-14
US8462100B2 (en) 2013-06-11
US10606140B2 (en) 2020-03-31
US10088725B2 (en) 2018-10-02
JP2017220279A (ja) 2017-12-14
JP7012767B2 (ja) 2022-01-28
JP2016201166A (ja) 2016-12-01
EP1895545A2 (en) 2008-03-05
US20220091467A1 (en) 2022-03-24
KR101483421B1 (ko) 2015-01-21
JP2018146970A (ja) 2018-09-20
US20240280869A1 (en) 2024-08-22
KR20140018828A (ko) 2014-02-13
US20140145187A1 (en) 2014-05-29
KR20140092275A (ko) 2014-07-23
JP6240806B1 (ja) 2017-11-29
JP6203446B1 (ja) 2017-09-27
US20170285431A1 (en) 2017-10-05
TW200826052A (en) 2008-06-16
TWI626639B (zh) 2018-06-11
US20200241373A1 (en) 2020-07-30
US20160238916A1 (en) 2016-08-18
TW201732773A (zh) 2017-09-16
JP5618970B2 (ja) 2014-11-05
JP5947357B2 (ja) 2016-07-06
TW201619951A (zh) 2016-06-01
JP2020118978A (ja) 2020-08-06
TWI582748B (zh) 2017-05-11
TWI666486B (zh) 2019-07-21
KR20120062646A (ko) 2012-06-14
CN102354066A (zh) 2012-02-15
JP2023100756A (ja) 2023-07-19
KR20080021557A (ko) 2008-03-07
JP2024037853A (ja) 2024-03-19
KR101490142B1 (ko) 2015-02-05
US20080062112A1 (en) 2008-03-13
JP2015092572A (ja) 2015-05-14
EP1895545A3 (en) 2009-11-18
EP1895545B1 (en) 2014-04-23
TWI819371B (zh) 2023-10-21
US8456396B2 (en) 2013-06-04
CN101135791B (zh) 2011-11-23
JP6181240B2 (ja) 2017-08-16
TWI615830B (zh) 2018-02-21
TW201945799A (zh) 2019-12-01
US11194203B2 (en) 2021-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6334049B2 (ja) 半導体装置
JP5079425B2 (ja) 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180327

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180425

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6334049

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250