JP2723242B2 - カソードを改善した電界発光デバイス - Google Patents

カソードを改善した電界発光デバイス

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Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は有機の電界発光デバイスに関する。更に詳細
には、本発明は、アノード電極とカソード電極の間に配
置される有機層から両電極間に電圧を加えた際に発光す
るテバイスに関する。
（従来の技術） 有機の電界発光デバイスは約20年前から知られている
が、その性能の限界が多数の望ましい用途に対して障害
となっていた。下記の特許・文献は先行技術の状態を示
すものである。米国特許第3,172,862号；同第3,173,050
号；同第3,382,394号；同第3,530,325号；同第3,359,44
5号；同第3,621,321号；同第3,772,556号；同第3,995,2
99号；同第3,710,167号；同第4,356,429号；および同第
4,539,507号：カワベ等の「ドーピング処理したアント
ラセンにおける緑色光域のエレクトロルミネッセン
ス」，日本応用物理学会誌，第10巻、第527−528頁,197
1年：およびドレスナー（Dresner）の「アントラセンに
おける二重注入エレクトロルミネッセンス」、RCA Revi
ew,第30巻，第322−334頁。
有機EL（以下、電界発光、エレクトロルミネツセンス
またはELなる用語を同義で使用する）における最近の性
能改善は広範な使用可能性を示唆しているが、大部分の
実用用途では入力電圧または出力光の変動が長期にわた
り或る限度以下になることが必要とされる。すなわち、
カソードの安定性が関心の的であった。カソードが崩壊
すると、一定電圧を加えた際に電流密度は次第に低下す
る。電流密度が低下すると、光出力の水準は低くなる。
印加電圧が一定の際には、発光水準が許容される水準以
下たとえば周囲の照明の中で容易に眼に見える放出水準
以下に低下すると、実用EL装置の使用は終了する。印加
電圧を次第に高めて発光水準を一定に保持しようとする
と、ELデバイスに加わる電圧はそれに応じて増大する。
場合によっては、ELデバイス駆動回路ではうまく供給で
きないような電圧水準、あるいは電極分離層の誘電破壊
強度を超える電界勾配（ボルト/cm）を発生して、ELデ
バイスを破局的に崩壊させるような電圧水準が必要とな
ることがある。
カソード材料を選択する際、最低仕事関数の金属は、
大部分、デバイスの有機発光域を提供する電子輸送層へ
注入するための電子を容易に放出することが認められ
る。最低仕事関数の金属はアルカリ金属であるが、空気
中で不安定なためEL装置の製造に使用するには難点があ
り、実用的な貯蔵寿命と動作寿命を要求する簡単なデバ
イスの製作には向かない。
アルカリ金属が付けられたので、マグネシウムのよう
な他の低仕事関数金属の使用あるいは銀のように幾分高
目の仕事関数の金属が高目のカソード安定性を与えるこ
とを利し、それに低仕事関数金属の電子注入の利点を加
える方法が選択された。
有機EL装置の構成で生じたその他の難点は、本発明以
前には、低仕事関数金属で形成されたカソードから効率
的な発光が達成できなかったことである。例えばマグネ
シウムのような低仕事関数金属を用いて、効率的な発光
を可能にするために十分薄い金属層を形成せんと試みる
と、許容できないほどシート抵抗の高いものがもたらさ
れたのである。他方、許容できる伝導性となるために十
分厚い被覆をアソード金属に施すと、受光量の半分未満
しか輸送されない。
（発明が解決しようとする課題） 本発明の一目的は、アノード、有機の正光輸送域、有
機の電子輸送域あるいはカソードをその順序で有し、カ
ソードが効率的に電子を注入し、かつ、安定であるよう
な電界発光デバイスを提供することである。
（課題を解決するための手段） 本発明の目的は、カソードが100オーム／平方未満の
シート抵抗を有する層からなり、該カソード層が、該カ
ソード層に存在する全金属原子を基として、少なくとも
50パーセントのマグネシウムと、少なくとも0.1パーセ
ントの4eV以上の仕事関数を有する金属とを含むことを
特徴とする電界発光デバイスにより達成される。
本発明に従う電界発光デバイス、すなわちELデバイス
100を概略的に第１図に示す。アノード102は有機発光媒
体106によりカソード104から分離される。アノードとカ
ソードは、110および112の各導体により外部電源108に
接続される。電源は、連続的な直流電圧電源、交流電圧
電源あるいは間欠的な直流電圧電源のいずれであっても
よい。電源は、カソードに関してアノードに正のバイア
スを付加できるものならば、所望のスイッチ回路を包含
する通常の好都合な電源がいずれも使用可能である。ア
ノードまたはカソードのどちらかをアース電位にするこ
とができる。
このEL装置は、アノードがカソードよりも高い電位に
ある際に順向きのバイアスを付加されたダイオードとみ
ることができる。こうした条件下では、アノードは114
として概念的に示した正孔（正電荷キャリア）を発光媒
体に注入し、一方カソードは116に概念的に示した電位
を発光媒体に注入する。従って、アノードに隣接する発
光媒体の部分は正孔輸送域を形成し、一方、カソードに
隣接する発光媒体の部分は電子輸送域を形成する。注入
された正孔と電子は、各々反対荷電電極に向って移動す
る。この結果、正孔と電子は有機発光媒体内で再結合す
る。移動電子が正孔を満す際に伝導電位から価電子帯に
落下するとエネルギーを光として放出する。すなわち、
有機発光媒体は、両電極の間で各電極から移動性の電荷
キャリヤを受け取る発光域を形成する。両電極を隔てる
発光材料からの放出光を、１以上の端部を経由し、アノ
ードを経由し、カソードを経由し、あるいは前記のもの
の組合せを経由して放出させるような別構成を選択する
ことができる。
両電極に逆向きのバイアスをかけると、電荷の注入は
中断し、移動性電荷キャリヤの発光媒体は枯渇して発光
は終了する。有機ELデバイスを作動させる最も一般的な
方式は、d.c.電源で順向きバイアスをかけ、発光の調節
には外部電流の中断または変調を用いることである。
本発明の有機ELデバイスでは有機発光媒体の全厚みを
１μｍ（10,000オングストローム）未満に制限して電極
間の電圧を比較的低くしながら、効率的な発光に適した
電流密度を維持することが可能である。厚みが１μｍ未
満であると、20ボルトの印加電圧で効率的発光に適した
２×105ボルト/cm以上の電界電位が得られる。後で更に
詳細に述べるように、更に印加電圧を減少させおよび／
または電界電位を増大させるよう（0.1μｍすなわち100
0オングストロームまで）有機発光媒体の厚みを減少さ
せることは、デバイス構成許容の範囲内に属する問題で
ある。
この有機発光媒体は全く薄いものであるから、通常は
両電極の一方から光を放出することが好ましい。これ
は、有機発光媒体上または別の半透明もしくは透明な支
持体上に半透明もしくは透明な被覆として電極を形成す
ることにより達成される。被覆の厚みは、光の透過度
（または消滅度）と電気伝導度（または抵抗）をバラン
スさせることにより決定される。光透過性の金属電極を
形成する際の実質的なバランスは、代表的には伝導性被
覆が約50乃至250オングストローム範囲の厚みを有する
ことである。電極に光を透過させる意図がない場合に
は、製作に便利な任意の厚みを使用することもできる。
第２図に示した有機ELデバイス200は、本発明の一好
適実施態様を示すものである。有機ELデバイスの歴史的
発展という理由で、透明電極の使用が普通である。これ
は透明な絶縁性支持体201を設けることで達成され、そ
の上に伝導性の比較的仕事関数が高い金属または金属酸
化物の透明層を沈積させてアノード203を形成するので
ある。アノード203に直接隣接する有機発光媒体の部分
は正孔輸送域として作用するので、有機発光媒体はその
正孔輸送効率から選択される有機材料の層205をアノー
ド上に沈積させて形成することが好ましい。図の装置20
0の配置では、その上方表面に隣接する有機発光媒体は
電子輸送域を構成し、その電子輸送効率から選択される
有機材料の層207から形成される。後述するように好適
な材料を選択して層205および207を形成すると、後者は
発光域をも形成する。カソード209は有機発光媒体の上
層上に沈積させて形成するのが便利である。
第３図の有機EL装置は本発明の別の好適実施態様を示
すものである。デバイス300からの発光は、有機ELデバ
イスの歴史的発展とは異なり、光透過性（例えば透明ま
たは実質的に透明）のカソード309を経由する。装置300
のアノードは、装置200と同様に形成することが可能で
あり、それによつてアノードとカソードの双方を経由し
て光を放出することもできるが、図に示した好適形態の
デバイス300は比較的高い仕事関数の金属基材のような
不透明の電荷伝導要素を用いてアノード301を形成して
いる。正孔輸送層305および電子輸送層307は、装置200
の対応層205および207と同一にすることができるので、
説明は省略する。装置200と300の重大な差異は、後者が
有機ELデバイスに通常含まれる不透明なカソードの代り
に薄い光透過性（例えば透明または実質的に透明）のカ
ソードを用いたことである。
有機ELデバイス200および300を一緒に眺めると、本発
明が正極性または不極性不透明基材のいずれかの上に装
置を積載する選択性を与えるものであることが明らかで
ある。
低仕事関数の金属と少くとも１種のその他金属を組み
合せたカソードを形成することにより、予期されない製
作性、性能および安定性が実現されたのである。本願に
おける低仕事関数金属は、4ev未満の仕事関数を有する
金属と定義される。一般に金属の仕事関数が低いほど、
有機発光媒体中に電子を注入するために要する電圧は低
下する。しかしながら、最低仕事関数の金属であるアル
カリ金属は反応性が過大であって簡単な構成および製作
方法で安定なEL装置性能を実現するのは困難であり、
（不純物濃度を除き）本発明のカソードから除外され
る。
カソード用の入手可能な低仕事関数金属を、元素の周
期律表の周期の順で以下に表記し、0.5eVの仕事関数ご
とに区分する。下記の仕事関数は全てスゼ（Sze）,Phys
ics of Semiconductor Devices,Wiley,N.Y.,1969,p366
による。
利用可能な低仕事関数金属の大部分はII a族すなわち
アルカリ土類の金属、III族金属（希土類金属たとえば
イットリウムやランタンを含むが、ホウ素とアルミニウ
ムは含まない）およびアクチニド族金属に属することが
前表より明らかである。アルカリ土類金属は、入手が容
易であること、低費用であること、取扱い易いことおよ
び環境に有害なインパクトを与える可能性が少いことの
ため、本発明ELデバイスのカソード用として好適な低仕
事関数金属群である。マグネシウムとカルシウムが特に
好適である。III族金属とくに希土類金属は、かなり高
価ではあるが、同様の利点を有しており、特に好適な低
仕事関数金属と考えられる。3.0乃至4.0ev範囲の仕事関
数を有する低仕事関数金属は一般にこれより仕事関数の
低い金属よりも安定であり、従って一般に好適である。
カソードの構成に包含される第二金属は、主たる一目
的として（貯蔵時および作動時の双方における）カソー
ドの安定性を増大させるものでなければならない。これ
はアルカリ金属以外の任意の金属から選択することがで
きる。第二金属は自身低仕事関数の金属であってもよ
く、従って4eV未満の仕事関数を有する前表記載の金属
からも選択することができ、前述と同じ選択基準が十分
に適用できる。第二金属は低仕事関数を有する限り、勿
論第一金属の電子注入の促進を補足することができる。
別法として、4eVを超える仕事関数の各種金属から第
二金属を選択することができ、これには酸化に対して更
に抵抗性があり、従ってより一般的に金属元素として加
工される元素が包含される。第二金属は製作時のまま有
機EL装置内に不変に留る限り、デバイスの安定性に寄与
する。
カソード用に利用可能な高仕事関数（4eV以上）の金
属を元素の周期律表の順で以下に表記し、仕事関数を0.
5eV幅の群に区分する。
前記の4eV以上の仕事関数を有する入手可能な金属の
表から、有力な高仕事関数金属は普通、アルミニウム、
I b属金属（銅、銀および金）、IV,VおよびVI属の金属
ならびにVIII属遷移金属とくにこの族の貴金属であるこ
とがわかる。アルミニウム、銅、銀、金、錫、鉛、ビス
マス、テルルおよびアンチモンは、カソード添入用とし
て特に好適な高仕事関数の第二金属である。
第二金属の選択を仕事関数または酸化安定性のいずれ
かで制限しないことの理由は幾つかある。第二金属はカ
ソードの半量未満の成分に過ぎない。その主たる機能の
一つは第一の低仕事関数を安定化することであり、驚く
べきことに第二金属はこの目的をそれ自身の仕事関数や
酸化され易さとは別個に達成するのである。
第二金属が果す第二の重要な機能は、カソードのシー
ト抵抗をカソード厚みの関数として減少させることであ
る。許容できる程の低いシート抵抗水準（平方当り100
オーム未満）はカソード厚みが薄い際（250オングスト
ローム未満）に実現可能であり、高水準の光透過性を有
するカソードを形成することができる。このようなカソ
ードは、許容できる程の低い抵抗を有し、かつ、最初に
達成されるべき電子注入効率が高く、高度に安定で薄い
透明なカソードを可能とする。このカソードは、光透過
性カソードによる本発明の有機ELデバイスの実現を可能
にし（但し必須ではない）。電極域から光を放出するた
めに光透過性アノードを設ける必要がなくなるのであ
る。
第二金属が果すと認められた第三の重要な機能は、EL
デバイスの有機発光媒体上への第一金属の真空蒸着を促
進することである。第二金属が沈積すると、蒸着時に真
空室壁に沈積する金属は減少し、有機発光媒体上に沈積
する金属が増大する。有機ELデバイスの安定化、薄いカ
ソードのシート抵抗の減少および有機発光媒体による第
一金属受入性の改善における第二金属の効力については
下記の実施例で証明する。
これら諸利点の達成には第二金属は極く少量存在すれ
ば十分である。実質的な改善を達成するには、第二金属
がカソードの全金属原子の約0.1パーセントを占めるだ
けでよい。第二金属がそれ自身低仕事関数金属である場
合、第一金属と第二金属は共に低仕事関数金属であり、
どちらが第一金属でどちらが第二金属かは重要はことで
はない。例えばカソードの組成は、一方の低仕事関数金
属がカソードの金属原子の約0.1パーセントを占めるこ
とから、第二の低仕事関数金属が全金属原子から約0.1
パーセントを占めることまでの範囲をとることができ
る。二金属の一方が存在全金属の１パーセント以上を占
めることが好ましく、２パーセント以上を占めるときが
更に好適である。
第二金属が比較的高目の（4.0eV以上）仕事関数を有
する金属である場合、低仕事関数金属がカソード全金属
原子の50パーセントを超える量を占めることが好まし
い。これはカソードによる電子注入効率の減少を回避す
るためにであるが、第二金属を添加する利点はそれがカ
ソード全金属原子の20パーセント未満である際に本質的
に実現されるという観察によっても確言される。
前述の議論はカソード形成金属を二元の組合せに限る
ものであったが、三，四あるいはそれ以上の数の金属の
組合せが可能なることは勿論であり、所要ならばそれら
の組合せを使用することができる。低仕事関数の任意の
好都合な組合せ物が前述の第一金属の割合を占めること
は可能であり、高および／または低仕事関数金属の任意
の組合せが第二金属の割合を占めることも可能である。
第二金属（単数または複数）に電気伝導度を向上させ
ることも可能であるが、全カサード金属に占める割合が
少いので第二金属が電気伝導形態で存在する必要はな
い。第二金属（単数または複数）は化合物（例えば鉛、
錫またはアンチモンのテルル化物）として、或いは１種
以上の金属酸化物の形態など酸化された形態で、もしく
は塩として存在してもよい。第一の低仕事関数金属（単
数または複数）はカソード金属含量の過半量を占めて電
気伝導性を担うので、時間を経れば若干酸化されるとは
いうものの元素形態で使用することが好ましい。
第二金属の介在が、シート抵抗を低下させながらカソ
ードの安定性を高め、かつまた、光透過性を向上させる
仕組みは、第４図と第５図の比較により理解することが
できる。第４図は、マグネシウムからなる従来すなわち
先行技術の真空蒸着カソードを表示スケールまで拡大し
た顕微鏡写真である。マグネシウム被覆の厚みは2000オ
ングストロームである。被覆の不均一性は容易に明らか
であり、この不均一性は電気伝導性ならびに光透過能の
両者を低下させる。この被覆は不均一性のため容易に浸
透可能であり、従って酸化分解を一層受け易い。
これに対して、同様に2000オングストロームの厚みを
有する第５図の本発明カソードは、平滑であってむらが
ない。このカソードはマグネシウムと銀の真空蒸着によ
り形成されたものであり、マグネシウムと銀は10:1の原
子比で存在する。すなわち、銀は全存在金属原子の９パ
ーセントの濃度で存在する。本発明のカソードが感知で
きないほど微細な粒度を有することは、沈積基材の被覆
がより多く、かつ、均一なることを示している。第４図
と第５図の被覆の形成には同一の基材を使用した。
溶液または好ましくは蒸気相のいずれかから、基材上
または有機発光媒体上に第一金属を単独で沈積させる
際、最初は第一金属が空間的に分離された沈積物として
次の沈積のための核を形成する。次の沈積はこれらの核
を微結晶に成長させる。この結果は微結晶の不均一かつ
無秩序な分布をもたらし、不均一なカソードを形成す
る。核形成段階および成長段階の少くとも一方および好
ましくは両段階で第二金属を添加すると、単一元素が与
える高度の対称性が減少する。両物質は厳密に同じ結晶
型およびサイズの結晶セルを形成しないので、どのよう
な第二金属であっても対称度を低下させ、かつまた、少
くともある程度まで微結晶の成長を遅らせる。第一金属
と第二金属が明確に区別できる結晶型を有している場合
には、空間的対称性は更に低下して微結晶の形成は更に
遅れる。微結晶の成長が遅れると益々核サイトの形成が
多くなる。このようにして沈積サイト数が増大し、被覆
は更に均一となる。
特定金属の選択に応じて、第二金属は、基材と更に適
合する場合に不均合いなほど多数の核サイトを形成し、
第一金属がこれら核サイトに沈積するのである。このよ
うな機構は、実際、第一金属が基材に受け入れられる効
率が、第二金属の存在により著しく高まるという観察を
説明する。例えば、第二金属を共沈積させると、真空室
壁への第一金属の沈積は少くなることが観察されてい
る。
カソードの第一金属および第二金属は厳密に混合され
て共沈積される。すなわち、第一金属、第二金属のいず
れも、残りの金属の少くとも一部が沈積される前に沈積
を完了させることはない。一般に第一金属と第二金属の
同時沈積が好ましい。別法として第一金属と第二金属の
沈積を連続的に増大させることも可能であり、その極限
で共起沈積に接近する。
一担形成されたカソードに後処理を施すことも可能で
ある。しかし、これは必要というわけではない。例え
ば、基材の安定性限界内でカソードに還元雰囲気内加熱
を施すことができる。リード線の接合やデバイスの封止
など通常予想されるその他の処理をカソード上に施すこ
ともできる。
本発明ELデバイスの有機発光媒体は、好ましくは分離
した有機層を２層以上、カソードから注入された電子を
輸送するための域を形成する層を１層以上、およびアノ
ードから注入された正孔を輸送するための域を形成する
層を１層以上含有する。後者の域は２以上の層から形成
されることが好ましく、一層はアノードと接触した位置
を占めて正孔注入域を与え、残りの層は正孔注入域を形
成する層と電子輸送域を提供する層の挿入されて正孔輸
送域を与える。以下の説明は３層以上の分離した有機層
を使用する本発明EL装置の好適実施態様に関するもので
あるが、正孔注入域を形成する層または正孔輸送層を形
成する層のいずれかは省略可能であり、残りの層に両機
能をもたせることもできる。以下で説明するように、分
離した正孔注入層と正孔輸送層を組み合わせて使用する
と、本発明有機EL装置の初期性能および持続性能の水準
は向上する。
ポルフィリン化合物を含有する層で有機EL装置の正孔
注入域を形成する。ポルフィリン化合物は、ポルフィリ
ン構造から誘導され、或いはそれを包含する天然または
合成された化合物である。アルダー（Alder）の米国特
許第3,935,031号またはタン（Tang）の米国特許第4,35
6,429号にて開示されたポルフィリン化合物はいずれも
使用可能である。
好適なポルフィリン化合物は下記構造式（Ｉ）を有す
るものである。
（Ｉ）式中、 Ｑは−Ｎ＝または−Ｃ（Ｒ）＝であり； Ｍは金属、金属酸化物または金属ハロゲン化物であ
り； Ｒは水素、アルキル、アラールキル、アリールまたは
アルカリールであり、かつ、 T1およびT3は水素であるが、或いは一緒になつて不飽
和６員環を完成するものであり、アルキルまたはハロゲ
ンなどの置換基を含有することができる。好適なアルキ
ル部分は約１乃至６の炭素原子を含有し、一方フェニル
は好適アニール部分を構成する。
別好適形態のポルフィリン化合物は、金属原子の代り
に２個の水素が置換している点が構造式（Ｉ）のものと
は異なり、下記の構造式（II）にて示されるものであ
る。
有用ポルフィリン化合物の極めて好適な例は、金属を
含まないフタロシアニン類と金属を含有するフタロシア
ニン類である。一般のポルフィリン化合物および特定の
フタロシアニンは任意の金属を含有することができる
が、２以上の正電荷を有する金属が好適である。好適金
属の例にはコバルト、マグネシウム、亜鉛、パラジウ
ム、ニッケルがあり、更には銅、鉛および白金がある。
有用ポルフィリン化合物例は以下の通りである。
PC−１ ポルフィリン PC−２ 1,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポ
ルフィン銅（II） PC−３ 1,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポ
ルフィン亜鉛（II） PC−４ 5,10,15,20−テトラキス（ペンタフルオロフ
ェニル）−21H,23H−ポルフィン PC−５ シリコンフタロシアニンオキサイド PC−６ アルミニウムフタロシアニンクロリド PC−７ フタロシアニン（金属非含有） PC−８ ジリチウムフタロシアニン PC−９ 銅テトラメチルフタロシアニン PC−10 銅フタロシアニン PC−11 クロムフタロシアニンフロリド PC−12 亜鉛フタロシアニン PC−13 鉛フタロシアニン PC−14 チタンフタロシアニンオキシド PC−15 マグネシウムフタロシアニン PCP16 銅オクタメチルフタロシアニン 有機EL装置の正孔輸送層は正孔を輸送する芳香族三級
アミンを１種以上含有し、この芳香族三級アミンは炭素
原子のみに結合された三価の窒素原子を１以上含有する
化合物であり、その少くとも一つは芳香族環を有するも
のである。芳香族三級アミンの一形態はモノアリールア
ミン、ジアリールアミン、トリアリールアミンまたは重
合体アリールアミンなどのアリールアミンである。単量
体トリアールアミンの例はクルップフェル（Klupfec）
等の米国特許第3,180,730号に示されている。ビニルま
たはビニレン基を有するおよび／または少くとも１個の
水素含有基を含有するその他の好適な置換トリアリール
アミンは、ブラントレイ（Brantley）等の米国特許第3,
567,450号および同第3,658,520号に開示されている。
芳香族三級アミンの好適群は、２以上の芳香族三級ア
ミン部分を含有するものである。このような化合物は構
造式（III）で表わされるものを包含する。
（III） 式中 Q1とQ2は独立に芳香族三級アミン部分であり、 Ｇはアリーレン、シクロアルキレンまたはアルキレン
基あるいは炭素−炭素結合である。
構造式（III）を満して２個のトリアール部分を含有
する特に好適なトリアールアミン群は、構造式（IV）を
満すものである。
（IV）式中、 R1およびR2は各々独立に水素原子、アリール基または
アルキル基を表わすか、或いはR1とR2が一緒になってシ
クロアルキル基を完成させる原子を表わし、かつ R3およびR4は各々独立に、ジアリール置換アミノ基で
置換されるアリール基を表わし、構造式（Ｖ）で示され
る。
（Ｖ）式中、 R5およびR6は独立に選択されたアリール基である。
その他の好適な芳香族三級アミンはテトラアリールジ
アミンである。好適なテトラアリールジアミンは、構造
式（VI）で示されるようにアリーレン基を介して結合し
た２個のジアリールアアミノ基を含有する。好適テトラ
アリールジアミンは式（VI）にて表現されるものを包含
する。
（VI）式中、 Areはアリーレン基であり、 ｎは１乃至４の整数であり、かつ Ar,R7,R8およびR9は独立に選択されるアリール基であ
る。
前記構造式（III），（IV），（Ｖ）および（VI）の
各種アルキル、アルキレン、アリールおよびアリーレン
部分は、夫々置換されたものであってもよい。代表的な
置換基にはアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ア
リーロキシ基、およびフッ化物、塩化物および臭化物な
どのハロゲンが包含される。
各種アルキルおよびアルキレン部分は約１乃至５炭素
原子を含有するものが代表的である。シクロアルキル部
分は３乃至約10炭素原子を含有できるが、代表的には5,
6または７個の環炭素原子を含有し、例えばシクロペン
チル、シクロヘキシルおよびシクロヘプチル環構造を有
する。アリールおよびアリーレン部分はフェニルおよび
フェニレン部分であるとが好ましい。
有機エレクトロルミネッセンス媒体の全正孔輸送層を
単一を芳香族三級アミンで形成することは可能である
が、芳香族三級アミンの組合せを使用すると安定性が増
大することは、本発明の更なる認識である。特に下記の
実施例で示すように、（IV）式を満すトリアリールアミ
ンのようなトリアリールアミンを（VI）式に示したよう
なテトラアリールジアミンと組み合わせて使用すると有
利なることが観察されたのである。トリアリールアミン
をテトラアリールジアミンと組み合わせて使用する際、
後者はトリアールアミンと電子注入層および電子輸送層
の間に挿入される層として配置される。
代表的な有用芳香族三級アミンは、バーウイック（Be
ruick）等の米国特許第4,175,960号およびヴァンスライ
ク（Van Slyke）等の米国特許第4,539,507号に開示され
ている。更にバーウイック等の有用な正孔輸送化合物と
してＮ置換カルバゾールを開示しているが、これは前に
開示されたジアリールアミンとトリアリールアミンの環
橋異形物とみられるものである。
有用な芳香族三級アミンの例は以下の通りである。
ATA−１ 1,1−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェ
ニル）−シクロヘキサン ATA−２ 1,1−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェ
ニル）−４−フェニルシクロヘキサン ATA−３ 4,4′−ビス（ジフェニルアミノ）クアドリ
ルフェニル ATA−４ ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフ
ェニル）−フェニルメタン ATA−５ N,N,N−トリ（ｐ−トリル）アミン ATA−６ ４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−
［４（ジ−ｐ−トリル−アミノ）スチリル］スチルベン ATA−７ N,N,N′,N′−テトラ−ｐ−トリル−4,4′
−ジアミノビフェニル ATA−８ N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジ
アミノビフェニル ATA−９ Ｎ−フェニルカルバゾール ATA−10 ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール） カソードに隣接する有機発光媒体層を形成する際、通
常の電子注入および電子輸送化合物（単数および複数）
はいずれ使用することができる。この層は、これまで教
示されてきた発光物質たとえばアントラセン、ナフタレ
ン、フェナンスレン、ピレン、クリセンおよびペリレン
ならびにガーニー（Gurnee）等の米国特許第3,172,862
号、ガーニーの米国特許第3,173,050号、ドレスナー（D
resner）の「アントラセンにおける二重注入エレクトロ
ルミネッセンス」，RCA Revilw，第30巻，第322−334
頁,1969年；および，ドレスナーの米国特許第3,710,167
号に記載されているような約８縮合環まで含有するその
他の縮合環発光物質により形成することができる。この
ような縮合環発光物質は薄膜（＜１μｍ）の形成には寄
与せず、従って最高のEL装置性能水準には寄与しない
が、このような発光物質を添入する有機EL装置を本発明
に従って製作すると、性能および安定性が他の点では同
様な先行技術のEL装置よりも改善されたものにある。
薄膜の形成に有用な電子輸送化合物には、1,4−ジフ
ェニルブタジエンやテトラフェニルブタジエンなどのよ
うなブタジエン類；クマリン；およびトランス−スチル
ベンなどのスチルベン類があり、前記のタンの米国特許
第4,356,429号に開示されている。
カソードと隣接する層の形成に使用可能な電子輸送化
合物を形成する更に別の薄膜は、光学的増白剤とくに前
記のヴァンスライク等の米国特許第4,539,507に開示さ
れたものである。有用な光学的増白剤には構造式（VI
I）および（VIII）を満すものが包含される。
上式中、 R1,R2,R3およびR4は夫々、水素;1乃至10炭素原子の飽
和脂肪族基、たとえばプロピル,t−ブチル、ヘブチルお
よび類似物;6乃至10炭素原子のアリール、例えばフェニ
ルおよびナフチル；または塩素、フッ素および類似物な
どのハロゲンであり；或いはR1とR2またはR3とR4は一緒
になって縮合芳香族環を完成させるために必要な原子を
有し、該縮合芳香族環は１乃至10炭素原子の飽和脂肪族
基またはメチル、エチル、プロピルおよび類似物を１種
以上含有してもよい。
R5は１乃至20炭素原子の飽和脂肪族基、たとえばメチ
ル、エチル、ｎ−エイコシルおよび類似物;6乃至10炭素
原子のアリール、例えばフエニルおよびナフチル；カル
ボキシル；水素；シアノ；または塩素、フッ素および類
似物などのハロゲン；但し式（VII）式中でR3,R4および
R5のうち２以上は３乃至10炭素原子の飽和脂肪族基、た
とえば、プロピル、ブチル、ヘプチルおよび類似物であ
り； Ｚは−Ｏ−，−NH,または−Ｓ−であり；かつ Ｙは である。
但し上式中、 ｍおよびｎは０乃至４の整数であり； R6は６乃至10炭素原子のアレーリン、例えばフェニレ
ンおよびナフチレンであり；かつ Ｚ′およびＺ″は夫々ＮまたはCHである。本願で使用
する「脂肪族基」は、置換された脂肪族基ならびに未置
換の脂肪族基を含有する。置換脂肪族基の場合の置換基
は、１乃至５炭素原子のアルキル、例えば、メチル、エ
チル、プロピルおよび類似物;6乃至10炭素原子のアリー
ル、例えばフェニルおよびナフチル；塩素、フッ素およ
び類似物などのハロゲン；ニトロ；および１乃至５炭素
原子を有するアルコキシ、例えばメトキシ、エトキシ、
プロボキシおよび類似物を包含する。
有用と考えられる更に別の光学的増白剤は、Chemistr
y of Synthetic Dyes,1971年，第５巻，第618−637
および640頁に表記されている。薄膜を形成しないもの
は、未端環の一方または双方に脂肪族部分を結合させる
ことにより、薄膜形成能を付与することができる。
本発明有機ELデバイスの電子注入層および電子輸送層
の形成に使用して特に好適なものは、オキシン（一般に
８−キノリノールまたは８−ヒドロキシキノリンとも称
される）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化
合物である。このような化合物は高水準の性能を示し、
容易に薄膜形態に成形される。オキシノイド化合物の例
は構造式（IX）を満すものである。
（IX）式中、 Meは金属を表わし、 ｎは１乃至３の整数であり；かつ Ｚはその各々の位置が独立であって、２以上の縮合芳
香族環を有する核を完成させる原子を表わす。
前述のことから、金属を一価、二価、または三価の金
属とすることができるのは明らかである。例えばこの金
属はリチウム、ナトリウムまたはカリウムのなどのアル
カリ金属；マグネシウムまたはカルシウムなどのアルカ
リ土類金属；またはホウ素またはアルミニウムなどの土
類金属である。一般に有用なキレート化金属であると知
られている一価、二価または三価の金属はいずれも使用
することができる。
Ｚは、２以上の縮合芳香族環を含有し、その一方がア
ゾールまたはアジン環なる複素核を完成させる。所望な
らば、脂肪族環と芳香族環を共に含有する更なる環を必
要な二環と縮合させてもよい。機能上の改善が無いまま
嵩ばった分子を付加する愚を回避するため、環原子の数
は18以下に維持することが好ましい。
有用なキレート化オキシノイド化合物の例を以下に示
す。
CO−１ アルミニウムトリオキシン［a.k.a.,トリス
（８−キノリノール）アルミニウム］ CO−２ マグネシウムビスオキシン［a.k.a.,ビス
（８−キノリノール）マグネシウム］ CO−３ ビス［ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノール］亜
鉛 CO−４ ビス（２−メチル−８−キノリノラート）ア
ルミニウムオキシド CO−５ インジウムトリスオキシ［a.k.a.,トリス
（８−キノリノール）インジウム］ CO−６ アルミニウムトリス（５−メチルオキシン）
［a.k.a.,トリス（５−メチル−８−キノリノール）ア
ルミニウム］ CO−７ リチウムオキシン［a.k.a.,8−キノリノール
リチウム］ CO−８ ガリウムトリス（５−クロロオキシン）［a.
k.a.,トリス（５−クロロ−８−キノリノール）ガリウ
ム］ CO−９ カルシウムビス（５−クロロオキシン）［a.
k.a.,ビス（５−クロロ−８−キノリノール）カルシウ
ム］ CO−10 ポリ［亜鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−
５−キノリニル）メタン］ CO−11 ジリチウムエピンドリジオン 本発明の有機EL装置では、有機発光媒体の全体厚みを
１μｍ（10,000オングストローム）未満に制限すること
により電極間の電圧を比較的低目に保ちながら、効率的
発光に適する電流密度を維持することが可能である。厚
みが１μｍ未満であると、20ボルトの印加電圧で電界電
位は２×105ボルト/cm以上なり、効率的な発光に適合す
る。印加電圧を更に減少させおよび／または電解電位、
従って電流密度を更に増大させるよう、有機発光媒体の
厚みを（0.1μすなわち1000オングストロームまで）減
少させることは、デバイス製作許容範囲に属する問題で
ある。
有機発光媒体が果す一機能は、ELデバイスに電気的バ
イアスをかけた際に電極間の短絡を防止するための誘電
バリヤーを提供することである。有機発光媒体を貫いて
伸長するピンホールが１個あっても、短絡が発生するで
あろう。単一の高度に結晶性の発光物質たとえばアント
ラセンを用いた従来のEL装置と異なり、本発明のEL装置
は、短絡を伴なわずに有機発光媒体を極めて薄い綜括厚
みまで成形することができる。その一の理由は、三層に
重なった層の存在が層内にピンホールが発生する機会を
大幅に減少させ、電極間に連続な伝導路を形成するよう
配列されるからであろう。このため、被覆時のフィルム
形成には必ずしも理想的でない材料を用いて有機発光媒
体の一層をあるいは二層すら形成することが可能であ
り、ELデバイスの性能および信頼性を許容できるものに
することが可能なのである。
有機発光媒体の形成に好適な材料は、夫々、薄膜形態
に成形可能なもの、すなわち0.5μｍ（5000オングスト
ローム）未満の厚みを有する連続層に成形できるもので
ある。
有機発光媒体の一以上の層を溶剤被覆する際には、活
性材料と共にフィルム形成能ある重合体結合剤を共沈さ
せて、ピンホールのような構造欠陥の無い連続層にする
ことができる。結合剤を使用する場合、勿論それ自身高
い誘電強度、好ましくは約２×106ボルト/cm以上の誘電
強度を示すものでなければならない。好適重合体は、広
範な既知の溶剤キャスト付加重合体および縮合重合体か
ら選択することができる。好適な付加重合体の例は、ス
チレン、ｔ−ブチルスチレン、Ｎ−ビニルカルバゾー
ル、ビニルトルエン、メタクリル酸メチル、アクリル酸
メチル、アクリロニトリルおよび酢酸ビニルの重合体お
よび（三元共重合体を含む）共重合体である。好適な縮
合重合体の例は、ポリエステル、ポリカーボネート、ポ
リイミドおよびポリスルホンである。活性材料を不必要
なまで稀釈するのを回避するため、結合剤の量は層形成
材料の全重量基準で50重量パーセント未満に制限するこ
とが好ましい。
有機発光媒体を形成する好適材料は、フィルム形成材
料であり、かつ、真空蒸着の可能なものである。極めて
薄い無欠陥の連続層は、真空蒸着により形成可能であ
る。特に、約50オングストロームほどの厚みの個々の層
も、満足なELデバイス性能を実現しながら存在すること
ができる。正孔注入層として真空蒸着ポリフィリン化合
物を、正孔輸送層としてフィルム形成能ある芳香族三級
アミンを、電子注入および電子輸送の層としてキレート
化オキシノイド化合物を使用すると、約50乃至5000タン
グストローム範囲の厚みが考えられ、100乃至2000オン
グストローム範囲の厚みが好適である。一般に有機発光
媒体の総括厚みは、約1000オングストローム以上である
ことが好ましい。
有機EL装置のアノードは、任意の便利な通常形態をと
ることができる。アノードを通して有機ELデバイスから
の孔を透過させようとする場合には、薄い伝導性層を光
透過性基材−たとえば透明または実質的に透明なガラス
板またはプラスチツクフィルム上に被覆させうて行なう
のが便利である。本発明の有機ELデバイスは、その一形
態として、ガーニー等の米国特許第3,172,862号、ガー
ニーの米国特許第3,173,050号、ドレスナーの「アント
ラセンでの二重注入エレクトロルミネッセンス」,RCA
Review,第30巻，第322−334頁,1969年およびドレスナー
の米国特許第3,710,167号に開示されているようなガラ
ス板上に酸化錫または酸化インジウム錫を被覆して形成
した光透過性アノードを包含するこれまでの実例に従っ
てもよい。光透過性重合体フイルムはいずれも基材とし
て使用可能であるが、ギルソン（Gillson）の米国特許
第2,733,367号およびスインデル（Suindells）の米国特
許第2,941,104号は、この目的に特に選択された重合体
フィルムを開示している。
本願で使用する「光透過性」なる用語は、議論対象の
層または要素が、受けた１以上の波長を好ましくは100n
m以上の間隔にわたる光の50パーセント以上を透過する
ことを単に意味する。反射（非散乱）放出光も分散（散
乱）された放出光も共に望ましい装置出力であるので、
半透明ならびに透明もしくは実質的に透明な材料は共に
有用である。大抵の場合、有機EL装置の光透過性層また
は要素は無色あるいは中性の光学密度を有する−すなわ
ち、−波長域の光が他の波長域と比較して著るしく高く
吸収されることはない。しかしながら、所望ならば光透
過性の電極支持体または別々の重ねられたフィルムもし
くは要素の光吸収性を放出光カットフィルターとして作
用するよう設計できるのは勿論である。このような電極
構成は、例えばフレミング（Fleming）の米国特許第4,0
35,686号に開示されている。電極の光透過性導電層は、
受ける波長に近い厚みまたはその倍数の厚みで作製され
た場合には、干渉フィルターとして機能する。
本発明の有機EL装置には、これまでの実例とは異っ
て、アノードよりもむしろカソードを通して光を放出す
る一好適形態がある。この場合にはアノードが光透過性
である必要は無くなり、実際、本発明の本形態では光に
対して不透明であることが好ましい。不透明なアノード
は、適当な高い仕事関数を有する任意の金属または金属
の組合せを用いて形成することができる。好適なアノー
ド金属は4eVより大なる仕事関数を有する。好適アノー
ド金属は前表に記載の高（＞4eV）仕事関数金属の中か
ら選択することができる。不透明アノードは支持体上の
不透明金属層として、或いは分離された金属もしくはシ
ートとして形成することができる。
実施例 本発明およびその利点を以下の特定実施例にて更に説
明する。「原子パーセント」なる用語は、存在する金属
原子の全数を基準にした特定金属の存在パーセントを指
す。換言すれば、モルパーセントに似ているが、分子基
準でなく原子基準なのである。実施例名かで用いる「セ
ル」なる用語は、有機ELデバイスを示すものである。
実施例１ MgおよびAgのカソード ａ） 酸化錫インジウム（ITO）を被覆したソーダガラ
ス基材を0.05μｍのアルミナ研磨剤で数分間研磨し、引
続きイソプロピルアルコールと蒸留水の1:1（容積）混
合物中で超音波洗浄を施した。次にイソプロピルアルコ
ールでゆすぎ、窒素を送気して乾燥した。
ｂ） このITO基材上に正孔輸送層、ATA−１（〜750
Å）を真空蒸着した。この材料は、タングステンフィラ
メントで加熱した石英ボードから蒸発させた。
ｃ） このATA−１層の上部にCO−１（〜750Å）を沈積
させた。この材料は、タングステンフィラメントで加熱
した石英ボートから蒸発させた。
ｄ） 次に0.1cm2孔のシャドーマスクを通して、CO−１
フィルムの上部に（Mg:Ag）電極（〜4000Å）を沈積さ
せた。これは電解発光セルの活性域を定める。Mg:Ag電
極の沈積は二源蒸発法（ａ two−source evaporation
technique）を用いて行なった。すなわち、二つの別
々の材料源からMgとAgを共蒸発（co−evaporation）さ
せた。Mgには有孔カバーを備えたタンタルのボートを用
いた。Agには上の開いたタンタルのボートが適切であっ
た。沈積速度は、二つの厚みモニターで独立に測定さ
れ、Mg/Ag混合物フィルムが所望の組成となるよう調整
した。有用な組成はMg:Agが約10:1（原子比）のときで
あった。
ｅ） 電界発光の操作では、ITO電極に正の電圧をか
け、電流計を介して（Mg:Ag）電極を地面に接続した。
セルが放出する光はラジオメータまたはホトメータで検
出した。セルは約３ボルトの印加電圧で緑色光を放出し
始め、約５ボルトで0.05mW/cm2の水準に達した。緑色光
では1mW/cm2は950cd/m2に等しいので、EL装置の発する
光は周囲の部屋の明りではっきりと見えるのは明らかで
ある。放出光のエネルギーは約15ボルトで13mW/cm2に達
した。この水準を超えると、セルは付可逆的に破壊され
る。0.05mW/cm2の光出力時のエネルギー転化効率は約4.
5×10-3W/Wであった。
ｆ） 安定性の試験のため、乾燥アルゴン雰囲気中でセ
ルを連続的に操作した。約７ボルトで5mA/cm2の電流を
供給する定電流電源を用いてセルを動かせた。初期の光
出力は0.13mW/cm2であつた。輝度が半減するまでの寿命
すなわち光の水準が0.13mW/cm2から0.06mW/cm2まで低下
するのに要する時間は約140時間であった。
実施例２ Inカソード（比較例） カソード金属が約5000Å厚みのインジウム蒸発フィル
ムであったことを除き、実施例１に記載のようにガラス
/ITO/ATA−1/CO−１−カソード−金属セルを調製した。
これは約５ボルトで緑色光を放出し始め、約7.5ボルト
で0.05mW/cm2の光水準に達し、6.5mA/cm2の電流密度を
要した。このセルを0.05mW/cm2の光出力で操作した際の
エネルギー転化効率は１×10-3W/Wであった。この効率
は、Mg:Ag電極を用いた実施例１ ELセルの効率と比較
して、その約1/5であった。
実施例１と同様に乾燥アルゴン雰囲気下で、インジウ
ム電極の操作安定性を試験した。実施例１のMg:Ag電極
と同じ輝度水準を達成するため、20mA/cm2の定電流でセ
ルを動かし、0.15mW/cm2の初期輝度を得た。この条件下
では、輝度は急速に低下した。輝度が半量になるまでの
寿命は１時間未満であった。輝度は10時間以前に80％減
少した。
実施例３ Ag:希土類カソード カソードがAgとEuの混合層であったことを除き、実施
例１と同様に、ガラス/ITO/ATQ−1/CO−1/カソードのセ
ルを調製した。この（Ag＋Eu）カソードは、別々のAg源
とEu源から共蒸発により調製された。Ag:Euの重量比は
約1:1であり、全厚みは約2000Åであった。
このセルはEL操作に低い電圧しか必要としなかった。
このセルは約３ボルトで緑色光を放出し始め、約6.5ボ
ルトで0.05mW/cm2水準に達した。破壊する前に達成可能
な最大光エネルギーは約10mW/cm2であった。エネルギー
転化効率は0.05mW/cm2の出力光水準で約４×10-3W/Wで
あった。
このセルの安定性は、実施例１のMg:Agセルの安定性
に匹敵した。このセルは0.05mW/cm2以上の光水準で50時
間以上にわたり作動できるものと見られる。
実施例 Euカソード（比較例） カソードが純Euであったことを除き、実施例３に記載
のようにガラス/ITO/ATA−1/CO−1/カソードのセルを調
製した。Eu層は約5000Åの厚みであって、真空蒸着によ
り調製された。
このEuカソードは、酸素および湿分に対して極めて感
じ易いものであった。このカソードは、先ず真空蒸着器
から取り出されると急速に変色した。このカソードで製
作したELセルは操作不可であつた。
本例は、実施例３に記載したように（Ag:Eu）混合カ
ソードの安定下効果が必要なことを示している。
実施例５ 接着性の向上 CO−１のようなキレート化オキシノイド薄膜上へのMg
蒸着は、Agまたはその他の核形成金属たとえばCr,In,Ti
などと共沈積させることにより大幅に向上した。有機薄
膜上にMgのみを沈積させることは極めて困難であると判
明した。Mg蒸気の原子は有機膜上に固着しようとせず、
有機膜上よりもむしも真空システム内の取付け備品上に
沈積した。共沈積法を用いると、Agなどの核形成金属は
極く少量であっても、有機膜上に平滑なMg:Ag膜が沈積
し、これはELセルに有用であり、システム取付け部品上
への沈積は減少した。
実施例６ スチルベン電子注入層 （Mg:Ag）または（Eu:Ag）の電子注入電極は、多数の
有機EL材料との組合せに有用であった。本例のセル構造
はガラス/ITO/ATA−1/S−1/（Mg:Ag）であり、Ｓ−１は
4,4′−ビス（5,7−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキ
サゾリル）スチルベンである。（Mg:Ag）の電極の使用
は、カソードとしてInを使用することのみが異なるセル
と比較した際に、所与水準のELセルの光出力に要する操
作電圧を低下させることが見出された。
0.05mW/cm2の光水準を発生させるため（Mg:Ag）セル
に必要な駆動電圧は７ボルトであり、これに対してInカ
ソードのセルでは15ボルトである。
実施例７ その他の有用なカソード組成物 ガラス/ITO/ATA−１（750Å）CO−１（750Å）／カソ
ードセルのカソードとしてMg:Cu,Mg:InおよびMg:Snのカ
ソード組成物を使用した。全ての場合に、このセルは低
い操作電圧しか必要としなかった。代表的には約３ボル
トでセルは発光を始め、約６−７ボルトで0.05mW/cm2の
光強度に達した。これらの諸特性は、実施例１に記載の
ようなMg:Ag電極を使用するセルで観察された特性に類
似している。
実施例８ 伝導度および光透過度の向上 ガラス基材上に、実施例１に記載のようにCO−１を真
空蒸着させた。このCO−１層上に、原子比10:1のマグネ
シウムと銀を下記第Ｉ表に報じたような種々の厚みで共
沈積させた。第Ｉ表はカソード厚みと抵抗および光透過
度百分率の測定値を相関させた表である。第II表は、カ
ソード沈積時に銀を省略したことだけが異なる場合の抵
抗と透過度を比較したものである。
第Ｉ表と第II表のデータ比較から、Agが存在するどの
所与カソード層厚みでも、透過光パーセントはあまり低
下せずに抵抗は著るしく減少することが明らかである。
実施例９ Mg:Agの各種比率 本例の場合、MgとAgの比率のみが異なる厚み140オン
グストロームの一連のカソード被覆を形成したことを除
き、実施例８で述べたものと本質的に類似した方法を実
施した。ガラス上に直接沈積させ、CO−１層は省略し
た。MgとAg比率を変えた効果を第III表に要約する。
第III表から、10:4乃至0.2なるMg:Ag原子比の範囲
で、シート抵抗は30乃至60オーム／平方の範囲に留ま
り、一方の透過光百分率は20乃至25パーセントの範囲に
留まった。しかしながら、銀が存在しないと、カソード
層は本質的に非伝導性になった。
実施例10 カソード均一性の眼で視た比較 ガラス/ITO（375Å）/ATA−７（375Å）/CO−１（635
Å）／カソードなる構造の２個のELセルを調製した。こ
のカソードは両者共に厚みが2000オングストロームであ
った。
一方のELセルのカソードは、Mgのみを真空蒸着させて
形成した対照カソードであった。他方のELセルのカソー
ドは、Mg:Agの原子比を10:1にして形成した。光学顕微
鏡写真（倍率1000×）は、Mgカソードの場合には粒状構
造を示しており（第４図）、これに対してMg:Agカソー
ドの場合には平滑で特徴のない構造を示している（第５
図）。Mgのみが沈積である粒状乃至島状構造は、Mg単独
物の伝導度が低厚み水準で低い理由を説明するものと思
われる。
実施例11 効率の向上 本例は、低仕事関数としてMgを、安定化成分としてそ
の他の各種元素を用いると、効率的な電子注入電極（カ
ソード）が調節可能なることを示すものである。この電
界発光セルは下記の形状を有する。
ガラス/ITO/PC−10（375Å）/ATA−７（375Å）/CO−
１（625Å）／カソード（2000Å） このカソードの組成を電界発光セル効率と共に第IV表
に示す。この合金カソードを有するセルの効率は約0.00
25ワット／ワットであり、これは純Mgカソードを有する
最良のセルに類似している。この効率は、貴金属のAgか
ら半金属のTeまでの範囲で、どのような安定化成分を選
択するかには比較的関係しない。これらのセルの駆動電
圧は一般に５乃至10ボルトの範囲内である。Mg成分を含
有しないカソードは電子注入接触が不十分であり、第IV
表に示したように効率が極めて低い電界発光セルとな
る。これらのセルは高目の駆動電圧、代表的には約20ボ
ルトの駆動電圧を必要とする。（但し、Inの所要電圧は
約10乃至15ボルトであり、これを除く） 実施例12、安定性の向上 本例は、純Mg電極が周囲条件下で極度に不安定である
こと、および合金カソードを有する電界発光セルが比較
的良好な安定性を有することを示すものである。この電
界発光セルは下記の形状を有する。
ガラス/ITO/PC−10（375Å）/ATA−７（375Å）/CO−
１（625Å）/Mg:Ag（2000Å） Agが０乃至100原子％の範囲にあるMg:Agカソードの組
成を、セル調製後の種々の時間間隔での電界発光効率と
共に第Ｖ表に示す。純Mgカソードを有するセルの初期効
率が０（機能しないセル）から0.002ワット／ワットと
いう高い効率まで変化したことに注目されたい。このよ
うな変化は、蒸着条件に依存するように思われる。一般
にMgの沈積速度が大であって（＞100Å／秒）沈積時の
室内圧力が低いほど（＜10-6トル）、電界発光セルの効
率は大となる。これとは対照的に、Mg:Ag合金電極（Ag
が50原子％まで）を使用すると、沈積速度５乃至100Å
／秒および室内圧力10-6乃至10-4トルの範囲の種々の沈
積条件下で、効率的な電界発光セルを再現性良く調製す
ることができる。このMg:Ag合金フィルムは、Agが0.1原
子％以上で存在する限り、常に第５図に示すように平滑
かつ特徴のないものである。
Mg:Agカソードの有用性は、明らかに純Mgカソードに
比べて周囲条件に対する安定性が良好なことに基くもの
である。純Mgカソードを有するセルは、その初期効率は
良好であっても、おそらくはMg電極が急速に腐食するた
め周囲環境に対して不安定である。相対湿度が20％以上
の周囲環境下では、暗色の非放出性スポットがセル内に
過度に発生するため、電界発光効率は数時間で低下す
る。これとは対照的に、Agが１原子％以上、50％以下
（好適範囲）存在するMg:Agカソードを有するセルは、
同様な周囲条件下で200時間以上にわたりその初期効率
を維持することができる。第Ｖ表に、種々のカソード組
成を有する一連のセルで周囲環境試験を行なった経過を
表記する。時間の関数としての効率の変化は、おそらく
暗色スポットが種々の度合で発生したことによるものと
思われる。
（発明の効果） 有機ELデバイスのカソードに低仕事関数の金属と１種
以上のその他の金属を前記のように組み合せて用いる
と、カソードの安定性が改善され、従って全体的に装置
の安定性が改善されることが知見された。カソード材料
としてのアルカリ金属以外の低仕事関数金属の初期性能
の有利性は、更に安定な高い仕事関数の金属と組み合せ
た際には僅かしか減少せず、一方では第二金属の存在量
が少量であっても、ELデバイスの寿命は著るしく延長さ
れることが観察された。更には、寿命が延長されること
の利点は、カソード金属がアルカリ金属以外の低仕事関
数金属である際にも実現可能である。更には、本発明の
有機ELデバイスのカソードの形成に金属の組合せを使用
すると、製作に際して予期せざる利点がもたらされた。
例えばカソードの真空蒸着時に電子輸送有機層による受
入れが改善されたのである。
本発明のカソード金属の組合せにより実現されるその
他の利点は、低仕事関数金属の使用により、光透過性で
あると同時にシート抵抗の低いカソードの調製が可能と
なったことである。すなわち、アノードが光透過機能を
果す必要がない有機EL装置の構成をとる選択性が与えら
れたわけであり、それにより有機ELデバイスに新用途の
機会が与えられたのである。
【図面の簡単な説明】
第１図，第２図および第３図は、ELデバイスの概略図で
ある。 各層の厚みは薄すぎ、各種デバイス要素の厚みの差は大
き過ぎて実際の各層に比例した尺度で図示することがで
きないため、図面は概略的なものである。 第４図は従来技術におけるマグネシウムから成る真空蒸
着カソードの表面組織を示す顕微鏡写真である。 第５図は本発明のマグネシウムと銀とから成る真空蒸着
カソードの表面組織を示す顕微鏡写真である。 番号の説明 100はELデバイス、102はアノード、104はカソード、106
は発光媒体、108は電源、110と112は導体、114は注入さ
れた正孔を概念的に表わす、116は注入された電子を概
念的に表わす、118は発光材料の端部を表わす、200はEL
デバイス、201は支持体、203はアノード、205は正孔輸
送層、207は電子輸送層、209はカソード、300はELデバ
イス、301はアノード、305は正孔輸送層、307は電子輸
送層、309はカソードである。

Claims (19)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】アノード、有機の正孔輸送域、有機の電子
    輸送域およびカソードをその順序で有する電界発光デバ
    イスにおいて、 該カソードが100オーム／平方未満のシート抵抗を有す
    る層からなり、該カソード層が、該カソード層に存在す
    る全金属原子を基として、少なくとも50パーセントのマ
    グネシウムと、少なくとも0.1パーセントの4eV以上の仕
    事関数を有する金属とを含むことを特徴とする電界発光
    デバイス。
  2. 【請求項２】上記有機の正孔輸送域と上記有機の電子輸
    送域とが、１μｍ未満の厚さの有機発光媒体を形成する
    ことを特徴とする請求項１記載の電界発光デバイス。
  3. 【請求項３】上記有機の電子輸送域がスチルベン又はキ
    レート化オキシノイド化合物により形成されることを特
    徴とする請求項１記載の電界発光デバイス。
  4. 【請求項４】上記有機の電子輸送域が真空蒸着スチルベ
    ン又はキレート化オキシノイド化合物からなり、上記カ
    ソード層が該有機の電子輸送域上に真空蒸着されたマグ
    ネシウムと該4eV以上の仕事関数を有する金属との混合
    物からなることを特徴とする請求項３記載の電界発光デ
    バイス。
  5. 【請求項５】上記4eV以上の仕事関数を有する金属が上
    記カソード層中に存在する全金属原子の１〜20パーセン
    トの濃度であることを特徴とする請求項１記載の電界発
    光デバイス。
  6. 【請求項６】上記4eV以上の仕事関数を有する金属が銀
    であることを特徴とする請求項１記載の電界発光テバイ
    ス。
  7. 【請求項７】上記4eV以上の仕事関数を有する金属がア
    ルミニウムであることを特徴とする請求項１記載の電界
    発光デバイス。
  8. 【請求項８】上記4eV以上の仕事関数を有する金属がマ
    ンガンであることを特徴とする請求項１記載の電界発光
    デバイス。
  9. 【請求項９】上記4eV以上の仕事関数を有する金属がイ
    ンジウムであることを特徴とする請求項１記載の電界発
    光デバイス。
  10. 【請求項１０】上記4eV以上の仕事関数を有する金属が
    錫であることを特徴とする請求項１記載の電界発光デバ
    イス。
  11. 【請求項１１】上記4eV以上の仕事関数を有する金属が
    銅であることを特徴とする請求項１記載の電界発光デバ
    イス。
  12. 【請求項１２】上記4eV以上の仕事関数を有する金属が
    金であることを特徴とする請求項１記載の電界発光デバ
    イス。
  13. 【請求項１３】上記4eV以上の仕事関数を有する金属がV
    III族の金属であることを特徴とする請求項１記載の電
    界発光デバイス。
  14. 【請求項１４】上記VIII族の金属がニッケルであること
    を特徴とする請求項13記載の電界発光デバイス。
  15. 【請求項１５】上記VIII族の金属がVIII族の貴金属であ
    ることを特徴とする請求項13記載の電界発光デバイス。
  16. 【請求項１６】上記VIII族の貴金属がパラジウムである
    ことを特徴とする請求項15記載の電界発光デバイス。
  17. 【請求項１７】上記4eV以上の仕事関数を有する金属が
    クロムであることを特徴とする請求項１記載の電界発光
    デバイス。
  18. 【請求項１８】上記4eV以上の仕事関数を有する金属が
    アンチモンであることを特徴とする請求項１記載の電界
    発光デバイス。
  19. 【請求項１９】上記4eV以上の仕事関数を有する金属が
    テルルであることを特徴とする請求項１記載の電界発光
    デバイス。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9590204B2 (en) 2008-08-28 2017-03-07 Seiko Epson Corporation Light-emitting device, electronic equipment, and process of producing light-emitting device

Families Citing this family (553)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4769292A (en) * 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
EP0349265A3 (en) * 1988-06-27 1990-03-14 EASTMAN KODAK COMPANY (a New Jersey corporation) Electroluminescent devices
US5085946A (en) * 1989-01-13 1992-02-04 Ricoh Company, Ltd. Electroluminescence device
JPH03792A (ja) * 1989-02-17 1991-01-07 Pioneer Electron Corp 電界発光素子
JP2731216B2 (ja) * 1989-02-23 1998-03-25 パイオニア株式会社 電界発光素子
JP2879080B2 (ja) * 1989-03-23 1999-04-05 株式会社リコー 電界発光素子
US4950950A (en) * 1989-05-18 1990-08-21 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with silazane-containing luminescent zone
JPH02305886A (ja) * 1989-05-19 1990-12-19 Nec Corp 有機薄膜ｅｌ素子
JP2813428B2 (ja) * 1989-08-17 1998-10-22 三菱電機株式会社 電界効果トランジスタ及び該電界効果トランジスタを用いた液晶表示装置
JP2831730B2 (ja) * 1989-09-29 1998-12-02 株式会社東芝 密着型イメージセンサ
US5128587A (en) * 1989-12-26 1992-07-07 Moltech Corporation Electroluminescent device based on organometallic membrane
US5364654A (en) * 1990-06-14 1994-11-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Process for production of a thin film electrode and an electroluminescence device
US5047687A (en) * 1990-07-26 1991-09-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilized cathode
US5073446A (en) * 1990-07-26 1991-12-17 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilizing fused metal particle cathode
US5059861A (en) * 1990-07-26 1991-10-22 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilizing cathode capping layer
US5059862A (en) * 1990-07-26 1991-10-22 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
US5061569A (en) * 1990-07-26 1991-10-29 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic electroluminescent medium
JPH04132191A (ja) * 1990-09-21 1992-05-06 Toppan Printing Co Ltd 有機薄膜ｅｌ素子
US5093698A (en) * 1991-02-12 1992-03-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic electroluminescent device
US5408109A (en) * 1991-02-27 1995-04-18 The Regents Of The University Of California Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers
JP2601956B2 (ja) * 1991-07-31 1997-04-23 リンテック株式会社 再剥離型粘着性ポリマー
US5150006A (en) 1991-08-01 1992-09-22 Eastman Kodak Company Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (II)
US5151629A (en) * 1991-08-01 1992-09-29 Eastman Kodak Company Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (I)
US5141671A (en) * 1991-08-01 1992-08-25 Eastman Kodak Company Mixed ligand 8-quinolinolato aluminum chelate luminophors
DE69217881T2 (de) * 1991-12-24 1997-07-31 Mitsui Toatsu Chemicals Organisches elektrolumineszentes Dünnfilmelement
US5294869A (en) * 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
US5429884A (en) * 1992-01-17 1995-07-04 Pioneer Electronic Corporation Organic electroluminescent element
JP2761155B2 (ja) * 1992-07-08 1998-06-04 株式会社小糸製作所 自動車用灯具の光源用放電ランプ装置
DE69305262T2 (de) * 1992-07-13 1997-04-30 Eastman Kodak Co Einen inneren Übergang aufweisende organisch elektrolumineszierende Vorrichtung mit einer neuen Zusammensetzung
US5500568A (en) * 1992-07-23 1996-03-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic El device
US5652067A (en) * 1992-09-10 1997-07-29 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent device
US5405709A (en) * 1993-09-13 1995-04-11 Eastman Kodak Company White light emitting internal junction organic electroluminescent device
US5482896A (en) * 1993-11-18 1996-01-09 Eastman Kodak Company Light emitting device comprising an organic LED array on an ultra thin substrate and process for forming same
JP2701738B2 (ja) * 1994-05-17 1998-01-21 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
US5552678A (en) * 1994-09-23 1996-09-03 Eastman Kodak Company AC drive scheme for organic led
US5707745A (en) * 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US5703436A (en) * 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US6548956B2 (en) 1994-12-13 2003-04-15 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US6358631B1 (en) 1994-12-13 2002-03-19 The Trustees Of Princeton University Mixed vapor deposited films for electroluminescent devices
US5652930A (en) * 1994-12-16 1997-07-29 Eastman Kodak Company Camera information display
US5554450A (en) * 1995-03-08 1996-09-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices with high thermal stability
JP2727436B2 (ja) * 1995-05-31 1998-03-11 川崎重工業株式会社 鉄カーバイドの製造方法及び製造装置
US5719467A (en) * 1995-07-27 1998-02-17 Hewlett-Packard Company Organic electroluminescent device
DE19532064A1 (de) * 1995-08-31 1997-03-06 Bosch Gmbh Robert Elektrolumineszierendes Schichtsystem
KR100366073B1 (ko) * 1995-10-30 2003-03-06 삼성에스디아이 주식회사 전자관용음극
US5688551A (en) 1995-11-13 1997-11-18 Eastman Kodak Company Method of forming an organic electroluminescent display panel
US5683823A (en) 1996-01-26 1997-11-04 Eastman Kodak Company White light-emitting organic electroluminescent devices
US5929194A (en) * 1996-02-23 1999-07-27 The Dow Chemical Company Crosslinkable or chain extendable polyarylpolyamines and films thereof
KR980005265A (ko) * 1996-06-06 1998-03-30 빈센트 비. 인그라시아 정공수송층으로 부터 방출되는 유기 전자발광장치
DE19627070A1 (de) 1996-07-05 1998-01-08 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen unter Verwendung von Blendsystemen
US5731661A (en) * 1996-07-15 1998-03-24 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
US5902688A (en) * 1996-07-16 1999-05-11 Hewlett-Packard Company Electroluminescent display device
US5776623A (en) * 1996-07-29 1998-07-07 Eastman Kodak Company Transparent electron-injecting electrode for use in an electroluminescent device
US5776622A (en) * 1996-07-29 1998-07-07 Eastman Kodak Company Bilayer eletron-injeting electrode for use in an electroluminescent device
US5728801A (en) * 1996-08-13 1998-03-17 The Dow Chemical Company Poly (arylamines) and films thereof
US5766779A (en) * 1996-08-20 1998-06-16 Eastman Kodak Company Electron transporting materials for organic electroluminescent devices
US5948552A (en) * 1996-08-27 1999-09-07 Hewlett-Packard Company Heat-resistant organic electroluminescent device
GB2332094A (en) 1996-09-04 1999-06-09 Cambridge Display Tech Ltd Electrode deposition for organic light-emitting devices
GB2333181A (en) * 1996-09-04 1999-07-14 Cambridge Display Tech Ltd Organic light-emitting devices with improved cathode
JP3786969B2 (ja) * 1996-09-04 2006-06-21 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド 改良されたカソードを備える有機発光デバイス
JPH10104663A (ja) 1996-09-27 1998-04-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置およびその作製方法
WO1998024273A1 (fr) 1996-11-27 1998-06-04 Tdk Corporation Element electroluminescent organique et procede de fabrication dudit element
EP0845924B1 (en) * 1996-11-29 2003-07-16 Idemitsu Kosan Company Limited Organic electroluminescent device
US5904961A (en) * 1997-01-24 1999-05-18 Eastman Kodak Company Method of depositing organic layers in organic light emitting devices
US5965281A (en) 1997-02-04 1999-10-12 Uniax Corporation Electrically active polymer compositions and their use in efficient, low operating voltage, polymer light-emitting diodes with air-stable cathodes
US5958573A (en) * 1997-02-10 1999-09-28 Quantum Energy Technologies Electroluminescent device having a structured particle electron conductor
DE19707452C2 (de) * 1997-02-25 1999-09-02 Bosch Gmbh Robert Organische elektrolumineszierende Anordnung unter Verwendung von stabilen, metallischen Kathoden
US6172458B1 (en) 1997-04-30 2001-01-09 Tdk Corporation Organic electroluminescent device with electrode of aluminum-lithium alloy
JPH10321374A (ja) * 1997-05-20 1998-12-04 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
US6175345B1 (en) 1997-06-02 2001-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof
US5937272A (en) * 1997-06-06 1999-08-10 Eastman Kodak Company Patterned organic layers in a full-color organic electroluminescent display array on a thin film transistor array substrate
US6452218B1 (en) 1997-06-10 2002-09-17 Uniax Corporation Ultra-thin alkaline earth metals as stable electron-injecting electrodes for polymer light emitting diodes
JP3236243B2 (ja) * 1997-06-11 2001-12-10 キヤノン株式会社 エレクトロ・ルミネセンス装置及びその駆動法
GB9712483D0 (en) 1997-06-17 1997-08-20 Kathirgamanathan Poopathy Fabrication of light emitting devices from chelates of transition metals, lanthanides and actinides
EP0924966A1 (en) * 1997-06-30 1999-06-23 Aventis Research & Technologies GmbH & Co. KG Thin film electrode for planar organic light-emitting devices and method for its production
JPH1126169A (ja) 1997-07-04 1999-01-29 Tdk Corp 有機ｅｌ素子およびその製造方法
JPH1187068A (ja) * 1997-07-15 1999-03-30 Tdk Corp 有機ｅｌ素子およびその製造方法
US6069442A (en) 1997-09-18 2000-05-30 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with inorganic electron transporting layer
DE19741715A1 (de) 1997-09-22 1999-03-25 Hoechst Ag Pentopyranosyl-Nucleosid, seine Herstellung und Verwendung
JP2001506054A (ja) * 1997-09-24 2001-05-08 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機電界発光デバイス
JPH11102786A (ja) 1997-09-29 1999-04-13 Minolta Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子
US6395409B2 (en) 1997-09-29 2002-05-28 Minolta Co., Ltd. Organic electroluminescent element
JP3736071B2 (ja) 1997-09-30 2006-01-18 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネセンス素子
US5942340A (en) * 1997-10-02 1999-08-24 Xerox Corporation Indolocarbazole electroluminescent devices
US5952115A (en) * 1997-10-02 1999-09-14 Xerox Corporation Electroluminescent devices
US6368730B1 (en) * 1997-10-13 2002-04-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electroluminescent device
JPH11138899A (ja) 1997-11-11 1999-05-25 Canon Inc 画像形成装置
US6307528B1 (en) 1997-12-08 2001-10-23 Hughes Electronics Corporation Contrast organic light-emitting display
JP3039778B2 (ja) 1998-01-05 2000-05-08 キヤノン株式会社 画像形成装置
JP2942230B2 (ja) * 1998-01-12 1999-08-30 キヤノン株式会社 画像形成装置及び発光装置
JP4514841B2 (ja) * 1998-02-17 2010-07-28 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US6005344A (en) * 1998-02-18 1999-12-21 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent image display panel with multiple barriers
DE19807370C1 (de) * 1998-02-21 1999-07-22 Bosch Gmbh Robert Kathode für eine elektrolumineszierende Anordnung
US5972247A (en) * 1998-03-20 1999-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent elements for stable blue electroluminescent devices
DE19812259A1 (de) 1998-03-20 1999-10-21 Bayer Ag EL-Anordnung auf Basis von tert.-Aminen, in Alkohol löslichen Alq3-Derivaten bzw. Mischungen und polymeren Bindern
US5935721A (en) * 1998-03-20 1999-08-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent elements for stable electroluminescent
WO1999054943A1 (en) * 1998-04-21 1999-10-28 The Dow Chemical Company Organic electroluminescent devices with improved stability in air
WO1999059379A2 (en) * 1998-05-14 1999-11-18 Fed Corporation An organic light emitting diode device for use with opaque substrates
DE19825765A1 (de) 1998-06-09 1999-12-16 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen unter Verwendung von Blendsystemen
JP4053136B2 (ja) * 1998-06-17 2008-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 反射型半導体表示装置
DE19829947A1 (de) 1998-07-04 2000-01-05 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen mit Bor-Chelaten
CA2276808A1 (en) 1998-07-04 2000-01-04 Bayer Aktiengesellschaft Electroluminescent assemblies using boron chelates of 8-aminoquinoline derivatives
US6316130B1 (en) 1998-07-04 2001-11-13 Bayer Aktiengesellschaft Electroluminescent assemblies using azomethine-metal complexes
US6111357A (en) * 1998-07-09 2000-08-29 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent display panel having a cover with radiation-cured perimeter seal
US6172459B1 (en) 1998-07-28 2001-01-09 Eastman Kodak Company Electron-injecting layer providing a modified interface between an organic light-emitting structure and a cathode buffer layer
US6140763A (en) * 1998-07-28 2000-10-31 Eastman Kodak Company Interfacial electron-injecting layer formed from a doped cathode for organic light-emitting structure
US6137223A (en) * 1998-07-28 2000-10-24 Eastman Kodak Company Electron-injecting layer formed from a dopant layer for organic light-emitting structure
DE19839946A1 (de) 1998-09-02 2000-03-09 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen mit mehrkernigen Metallkomplexen
DE19839947A1 (de) 1998-09-02 2000-03-09 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen mit Thiophencarboxylat-Metallkomplexen
US6558817B1 (en) 1998-09-09 2003-05-06 Minolta Co., Ltd. Organic electroluminescent element
US6229012B1 (en) 1998-10-01 2001-05-08 Xerox Corporation Triazine compositions
US6057048A (en) * 1998-10-01 2000-05-02 Xerox Corporation Electroluminescent (EL) devices
JP2002527872A (ja) * 1998-10-14 2002-08-27 ユニアックス コーポレイション 金属酸化物薄層を安定な電子注入電極として具えた発光ダイオード
GB9823761D0 (en) 1998-11-02 1998-12-23 South Bank Univ Entpr Ltd Novel electroluminescent materials
US6208077B1 (en) 1998-11-05 2001-03-27 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with a non-conductive fluorocarbon polymer layer
US6208075B1 (en) 1998-11-05 2001-03-27 Eastman Kodak Company Conductive fluorocarbon polymer and method of making same
GB9826407D0 (en) 1998-12-02 1999-01-27 South Bank Univ Entpr Ltd Novel electroluminescent materials
GB9826405D0 (en) 1998-12-02 1999-01-27 South Bank Univ Entpr Ltd Method for forming films or layers
US6020078A (en) * 1998-12-18 2000-02-01 Eastman Kodak Company Green organic electroluminescent devices
US6781305B1 (en) 1998-12-25 2004-08-24 Sanyo Electric Co., Ltd. Organic electroluminescent device having negative electrode containing a selective combination of elements
US6468676B1 (en) * 1999-01-02 2002-10-22 Minolta Co., Ltd. Organic electroluminescent display element, finder screen display device, finder and optical device
US6351067B2 (en) 1999-01-21 2002-02-26 City University Of Hong Kong Organic electroluminescent device with improved hole injecting structure
US6127004A (en) * 1999-01-29 2000-10-03 Eastman Kodak Company Forming an amorphous fluorocarbon layer in electroluminescent devices
GB9901971D0 (en) 1999-02-01 1999-03-17 South Bank Univ Entpr Ltd Electroluminescent material
JP3594826B2 (ja) 1999-02-09 2004-12-02 パイオニア株式会社 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
BRPI0009215B1 (pt) * 1999-03-23 2017-05-09 Univ Southern California complexos metálicos ciclometalizados como dopantes fosforescentes em diodos emissores de luz orgânicos
US7001536B2 (en) 1999-03-23 2006-02-21 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
US6512504B1 (en) 1999-04-27 2003-01-28 Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. Electronic device and electronic apparatus
US6383664B2 (en) 1999-05-11 2002-05-07 The Dow Chemical Company Electroluminescent or photocell device having protective packaging
TW527735B (en) 1999-06-04 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
US7288420B1 (en) 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
US8853696B1 (en) 1999-06-04 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
GB9913449D0 (en) 1999-06-09 1999-08-11 Cambridge Display Tech Ltd Light-emitting devices
TW483287B (en) 1999-06-21 2002-04-11 Semiconductor Energy Lab EL display device, driving method thereof, and electronic equipment provided with the EL display device
JP4627822B2 (ja) * 1999-06-23 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
TW515109B (en) * 1999-06-28 2002-12-21 Semiconductor Energy Lab EL display device and electronic device
TW538114B (en) * 1999-07-12 2003-06-21 Ibm Material for use in a light emitting device and highly efficient electroluminescent device
TW504941B (en) * 1999-07-23 2002-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film
TW465119B (en) * 1999-07-23 2001-11-21 Semiconductor Energy Lab EL display device and a method of manufacturing the same
JP4472056B2 (ja) * 1999-07-23 2010-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 エレクトロルミネッセンス表示装置及びその作製方法
US6221563B1 (en) 1999-08-12 2001-04-24 Eastman Kodak Company Method of making an organic electroluminescent device
US6278236B1 (en) 1999-09-02 2001-08-21 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices with electron-injecting layer having aluminum and alkali halide
US6660409B1 (en) 1999-09-16 2003-12-09 Panasonic Communications Co., Ltd Electronic device and process for producing the same
TW480722B (en) 1999-10-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of electro-optical device
TW535454B (en) 1999-10-21 2003-06-01 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
US6587086B1 (en) 1999-10-26 2003-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
JP3571977B2 (ja) 1999-11-12 2004-09-29 キヤノン株式会社 有機発光素子
US6331438B1 (en) 1999-11-24 2001-12-18 Iowa State University Research Foundation, Inc. Optical sensors and multisensor arrays containing thin film electroluminescent devices
JP4727029B2 (ja) 1999-11-29 2011-07-20 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置、電気器具及びｅｌ表示装置用の半導体素子基板
TW587239B (en) * 1999-11-30 2004-05-11 Semiconductor Energy Lab Electric device
TW490714B (en) 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
KR100721656B1 (ko) 2005-11-01 2007-05-23 주식회사 엘지화학 유기 전기 소자
WO2001052606A1 (fr) * 2000-01-13 2001-07-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Corps d'electrode, dispositif electroluminescent a film mince comprenant ce corps d'electrode, procede de fabrication, et afficheur et illuminateur comprenant ce dispositif electroluminescent a film mince
TWM244584U (en) * 2000-01-17 2004-09-21 Semiconductor Energy Lab Display system and electrical appliance
US6821643B1 (en) 2000-01-21 2004-11-23 Xerox Corporation Electroluminescent (EL) devices
US6225467B1 (en) 2000-01-21 2001-05-01 Xerox Corporation Electroluminescent (EL) devices
JP3587361B2 (ja) 2000-01-27 2004-11-10 キヤノン株式会社 有機発光素子
JP3754856B2 (ja) 2000-01-27 2006-03-15 キヤノン株式会社 有機発光素子
US7233026B2 (en) * 2000-03-23 2007-06-19 Emagin Corporation Light extraction from color changing medium layers in organic light emitting diode devices
US6936485B2 (en) * 2000-03-27 2005-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light emitting device
US6461749B2 (en) 2000-03-31 2002-10-08 Canon Kabushiki Kaisha Organic boron compound, process for producing the compound and organic luminescence device using the compound
TW493282B (en) * 2000-04-17 2002-07-01 Semiconductor Energy Lab Self-luminous device and electric machine using the same
US6847341B2 (en) * 2000-04-19 2005-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and method of driving the same
US6611108B2 (en) 2000-04-26 2003-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and driving method thereof
US20020011205A1 (en) 2000-05-02 2002-01-31 Shunpei Yamazaki Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device
JP2001319781A (ja) 2000-05-02 2001-11-16 Fuji Photo Film Co Ltd 有機発光素子材料の選択方法及びその材料を用いた有機発光素子
US7517551B2 (en) * 2000-05-12 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light-emitting device
TW593622B (en) * 2000-05-19 2004-06-21 Eastman Kodak Co Method of using predoped materials for making an organic light-emitting device
US6483236B1 (en) 2000-05-24 2002-11-19 Eastman Kodak Company Low-voltage organic light-emitting device
US6429451B1 (en) 2000-05-24 2002-08-06 Eastman Kodak Company Reduction of ambient-light-reflection in organic light-emitting devices
TW463525B (en) 2000-06-01 2001-11-11 Ind Tech Res Inst Organic electroluminescent device and the manufacturing method of the same
US6995753B2 (en) 2000-06-06 2006-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US6475648B1 (en) 2000-06-08 2002-11-05 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices with improved stability and efficiency
JP2002072963A (ja) * 2000-06-12 2002-03-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光モジュールおよびその駆動方法並びに光センサ
JP4831889B2 (ja) * 2000-06-22 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US6528824B2 (en) 2000-06-29 2003-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6392250B1 (en) 2000-06-30 2002-05-21 Xerox Corporation Organic light emitting devices having improved performance
US6676990B1 (en) 2000-07-27 2004-01-13 Eastman Kodak Company Method of depositing aluminum-lithium alloy cathode in organic light emitting devices
US6879110B2 (en) * 2000-07-27 2005-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving display device
US6734623B1 (en) 2000-07-31 2004-05-11 Xerox Corporation Annealed organic light emitting devices and method of annealing organic light emitting devices
US6956324B2 (en) * 2000-08-04 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US6579629B1 (en) 2000-08-11 2003-06-17 Eastman Kodak Company Cathode layer in organic light-emitting diode devices
US6605826B2 (en) 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
US6696177B1 (en) 2000-08-30 2004-02-24 Eastman Kodak Company White organic electroluminescent devices with improved stability and efficiency
MY141175A (en) * 2000-09-08 2010-03-31 Semiconductor Energy Lab Light emitting device, method of manufacturing the same, and thin film forming apparatus
US6739931B2 (en) 2000-09-18 2004-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the display device
GB0028436D0 (en) * 2000-11-21 2001-01-10 South Bank Univ Entpr Ltd Electroluminescent device incorporating conjugated polymer
GB0028317D0 (en) * 2000-11-21 2001-01-03 South Bank Univ Entpr Ltd Electroluminescent device incorporating polyaniline
GB0028439D0 (en) * 2000-11-21 2001-01-10 South Bank Univ Entpr Ltd Elecroluminescent device
ES2178953B1 (es) * 2000-12-20 2003-09-16 Sl Para El Desarrollo Cientifi Producto dentifrico.
US6614171B2 (en) 2001-01-10 2003-09-02 Eastman Kodak Company Light-producing display having spaced apart tiles
TW589913B (en) 2001-01-18 2004-06-01 Ind Tech Res Inst Organic light-emitting device
US6765348B2 (en) 2001-01-26 2004-07-20 Xerox Corporation Electroluminescent devices containing thermal protective layers
US6479172B2 (en) 2001-01-26 2002-11-12 Xerox Corporation Electroluminescent (EL) devices
US6614175B2 (en) 2001-01-26 2003-09-02 Xerox Corporation Organic light emitting devices
JP3870102B2 (ja) * 2001-02-22 2007-01-17 キヤノン株式会社 有機発光素子
US6551725B2 (en) 2001-02-28 2003-04-22 Eastman Kodak Company Inorganic buffer structure for organic light-emitting diode devices
US6841932B2 (en) * 2001-03-08 2005-01-11 Xerox Corporation Display devices with organic-metal mixed layer
US7288887B2 (en) * 2001-03-08 2007-10-30 Lg.Philips Lcd Co. Ltd. Devices with multiple organic-metal mixed layers
GB0109755D0 (en) * 2001-04-20 2001-06-13 Elam T Ltd Devices incorporating mixed metal organic complexes
JP4240841B2 (ja) 2001-04-27 2009-03-18 キヤノン株式会社 有機発光素子
US6558820B2 (en) 2001-05-10 2003-05-06 Eastman Kodak Company High contrast light-emitting diode devices
US6545409B2 (en) 2001-05-10 2003-04-08 Eastman Kodak Company Organic light-emitting diode with high contrast ratio
JP2002358031A (ja) 2001-06-01 2002-12-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその駆動方法
US6565996B2 (en) 2001-06-06 2003-05-20 Eastman Kodak Company Organic light-emitting device having a color-neutral dopant in a hole-transport layer and/or in an electron-transport layer
TWI303533B (en) * 2001-06-15 2008-11-21 Oled T Ltd Electroluminescent devices
TWI264244B (en) 2001-06-18 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of fabricating the same
GB0116644D0 (en) * 2001-07-09 2001-08-29 Elam T Ltd Electroluminescent materials and devices
WO2003014256A1 (en) * 2001-08-04 2003-02-20 Elam-T Limited Electroluminescent device
US6727644B2 (en) 2001-08-06 2004-04-27 Eastman Kodak Company Organic light-emitting device having a color-neutral dopant in an emission layer and in a hole and/or electron transport sublayer
US6627333B2 (en) 2001-08-15 2003-09-30 Eastman Kodak Company White organic light-emitting devices with improved efficiency
US7250226B2 (en) 2001-08-31 2007-07-31 Nippon Hoso Kyokai Phosphorescent compound, a phosphorescent composition and an organic light-emitting device
WO2003020847A1 (en) * 2001-09-03 2003-03-13 Canon Kabushiki Kaisha Organic luminescence device
US20030129447A1 (en) * 2001-09-19 2003-07-10 Eastman Kodak Company Sputtered cathode having a heavy alkaline metal halide-in an organic light-emitting device structure
JP2003109775A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Sony Corp 有機電界発光素子
US6603150B2 (en) 2001-09-28 2003-08-05 Eastman Kodak Company Organic light-emitting diode having an interface layer between the hole-transporting layer and the light-emitting layer
JP4235550B2 (ja) * 2001-09-28 2009-03-11 キヤノン株式会社 有機発光素子
US20030153141A1 (en) * 2001-12-20 2003-08-14 Carter Susan A. Screen printable electrode for light emitting polymer device
AU2002364201A1 (en) * 2001-12-20 2003-07-09 Add-Vision, Inc. Screen printable electroluminescent polymer ink
US6794061B2 (en) 2002-01-31 2004-09-21 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device having an adhesion-promoting layer for use with a magnesium cathode
FR2836601A1 (fr) * 2002-02-22 2003-08-29 Thales Sa Antenne monopolaire ou dipolaire a large bande
SG113448A1 (en) * 2002-02-25 2005-08-29 Semiconductor Energy Lab Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device
EP1343206B1 (en) * 2002-03-07 2016-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus, electronic apparatus, illuminating device and method of fabricating the light emitting apparatus
US7190335B2 (en) * 2002-03-26 2007-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
KR100473283B1 (ko) 2002-04-04 2005-03-08 삼성오엘이디 주식회사 유기 전자발광소자
US6770502B2 (en) * 2002-04-04 2004-08-03 Eastman Kodak Company Method of manufacturing a top-emitting OLED display device with desiccant structures
JP3919583B2 (ja) * 2002-04-12 2007-05-30 キヤノン株式会社 有機発光素子
US7309269B2 (en) 2002-04-15 2007-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device
KR100435054B1 (ko) * 2002-05-03 2004-06-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
TWI336905B (en) * 2002-05-17 2011-02-01 Semiconductor Energy Lab Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device
US20040035360A1 (en) 2002-05-17 2004-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
AU2003235373A1 (en) * 2002-05-22 2003-12-02 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. Organic el luminescence device
US6797129B2 (en) 2002-06-03 2004-09-28 Eastman Kodak Company Organic light-emitting device structure using metal cathode sputtering
US20030221620A1 (en) * 2002-06-03 2003-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Vapor deposition device
US6692846B2 (en) 2002-06-20 2004-02-17 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device having a stabilizing dopant in a hole-transport layer or in an electron-transport layer distant from the emission layer
US6720092B2 (en) 2002-07-08 2004-04-13 Eastman Kodak Company White organic light-emitting devices using rubrene layer
TW200402012A (en) * 2002-07-23 2004-02-01 Eastman Kodak Co OLED displays with fiber-optic faceplates
US6747618B2 (en) 2002-08-20 2004-06-08 Eastman Kodak Company Color organic light emitting diode display with improved lifetime
US20040043138A1 (en) * 2002-08-21 2004-03-04 Ramesh Jagannathan Solid state lighting using compressed fluid coatings
US20040043140A1 (en) * 2002-08-21 2004-03-04 Ramesh Jagannathan Solid state lighting using compressed fluid coatings
JP4585750B2 (ja) * 2002-08-27 2010-11-24 キヤノン株式会社 縮合多環化合物及びそれを用いた有機発光素子
JP3902993B2 (ja) * 2002-08-27 2007-04-11 キヤノン株式会社 フルオレン化合物及びそれを用いた有機発光素子
JP3848224B2 (ja) * 2002-08-27 2006-11-22 キヤノン株式会社 スピロ化合物及びそれを用いた有機発光素子
JP4164317B2 (ja) * 2002-08-28 2008-10-15 キヤノン株式会社 有機発光素子
JP4311707B2 (ja) * 2002-08-28 2009-08-12 キヤノン株式会社 有機発光素子
JP4125076B2 (ja) 2002-08-30 2008-07-23 キヤノン株式会社 モノアミノフルオレン化合物およびそれを使用した有機発光素子
JP4208526B2 (ja) * 2002-09-12 2009-01-14 キヤノン株式会社 有機ｅｌディスプレイ装置及び該ディスプレイ装置を有する電子機器
US20040058193A1 (en) * 2002-09-16 2004-03-25 Eastman Kodak Company White organic light-emitting devices with improved performance
JP4261855B2 (ja) * 2002-09-19 2009-04-30 キヤノン株式会社 フェナントロリン化合物及びそれを用いた有機発光素子
KR101006938B1 (ko) 2002-09-20 2011-01-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 제조 시스템 및 발광장치 제작방법
US6765349B2 (en) * 2002-09-30 2004-07-20 Eastman Kodak Company High work function metal alloy cathode used in organic electroluminescent devices
US6831407B2 (en) * 2002-10-15 2004-12-14 Eastman Kodak Company Oled device having improved light output
KR100515827B1 (ko) * 2002-10-28 2005-09-21 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광소자
US7230594B2 (en) 2002-12-16 2007-06-12 Eastman Kodak Company Color OLED display with improved power efficiency
US20040140758A1 (en) * 2003-01-17 2004-07-22 Eastman Kodak Company Organic light emitting device (OLED) display with improved light emission using a metallic anode
US20040142098A1 (en) * 2003-01-21 2004-07-22 Eastman Kodak Company Using compacted organic materials in making white light emitting oleds
US7232617B2 (en) * 2003-02-04 2007-06-19 Cityu Research Limited Electroluminescent devices
FR2852896B1 (fr) * 2003-03-24 2006-05-05 Faurecia Sieges Automobile Glissiere pour siege de vehicule automobile
JP4574127B2 (ja) 2003-03-26 2010-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 素子基板及び発光装置
JP4642016B2 (ja) 2003-05-09 2011-03-02 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子及び白金化合物
US7037601B2 (en) * 2003-05-28 2006-05-02 Eastman Kodak Company White light-emitting device structures
US7045954B2 (en) * 2003-06-17 2006-05-16 City University Of Hong Kong Organic light-emitting device with reduction of ambient-light-reflection by disposing a multilayer structure over a semi-transparent cathode
JP3848306B2 (ja) * 2003-06-27 2006-11-22 キヤノン株式会社 アントリル誘導基置換化合物およびそれを使用した有機発光素子
JP4035482B2 (ja) * 2003-06-27 2008-01-23 キヤノン株式会社 置換アントリル誘導体およびそれを使用した有機発光素子
JP3848307B2 (ja) * 2003-06-27 2006-11-22 キヤノン株式会社 アミノアントリル誘導基置換化合物およびそれを使用した有機発光素子
JP3840235B2 (ja) 2003-06-27 2006-11-01 キヤノン株式会社 有機発光素子
DE10339629B4 (de) * 2003-08-05 2005-08-25 Technische Universität Braunschweig Carolo-Wilhelmina Verwendung einer Schicht aus hydrophoben, linear oder zweidimensional polyzyklischen Aromaten als Sperrschicht oder Kapselung und mit einer derartigen Schicht aufgebaute elektrische Bauelemente mit organischen Polymeren
US20070166547A1 (en) * 2003-08-05 2007-07-19 Thomas Dobbertin Use of a layer consisting of hydrophobic linear, or two-dimensional polycyclic aromatics as a barrier layer or an encapsulation and electric components constructed with a layer of this type and comprising organic polymers
US6875524B2 (en) * 2003-08-20 2005-04-05 Eastman Kodak Company White light-emitting device with improved doping
ATE410495T1 (de) * 2003-08-29 2008-10-15 Showa Denko Kk Phosphoreszierende polymerverbindung und darauf basierende organische lichtemittierende vorrichtung
JP4355796B2 (ja) * 2003-08-29 2009-11-04 国立大学法人京都大学 有機半導体装置およびその製造方法
US20050052118A1 (en) * 2003-09-05 2005-03-10 Shuit-Tong Lee Organic electroluminescent devices formed with rare-earth metal containing cathode
US8119254B2 (en) * 2003-09-05 2012-02-21 City University Of Hong Kong Organic electroluminescent devices formed with rare-earth metal containing cathode
US7833612B2 (en) * 2003-09-12 2010-11-16 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Substrate for inkjet printing and method of manufacturing the same
DE10343351B4 (de) * 2003-09-12 2017-01-05 Samsung Display Co., Ltd. Substrat zum Tintenstrahldrucken und Verfahren zu dessen Herstellung
US7268485B2 (en) * 2003-10-07 2007-09-11 Eastman Kodak Company White-emitting microcavity OLED device
JP4683829B2 (ja) * 2003-10-17 2011-05-18 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子及びその製造方法
JP4476594B2 (ja) * 2003-10-17 2010-06-09 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
TW200515836A (en) * 2003-10-22 2005-05-01 Hannstar Display Corp Organic electroluminescent element
US7238436B2 (en) * 2003-10-22 2007-07-03 Eastman Kodak Company Stabilized white-light-emitting OLED device
DE10351822B4 (de) * 2003-10-29 2008-10-02 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon OLED-Bauelement und Display auf Basis von OLED-Bauelementen mit verbesserter Effizienz
US7408185B2 (en) * 2003-10-29 2008-08-05 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic light emitting device and display using the same
JP4317113B2 (ja) * 2003-10-30 2009-08-19 三星モバイルディスプレイ株式會社 平板表示装置の製造方法
JP4243237B2 (ja) 2003-11-10 2009-03-25 淳二 城戸 有機素子、有機ｅｌ素子、有機太陽電池、及び、有機ｆｅｔ構造、並びに、有機素子の製造方法
JP4300176B2 (ja) * 2003-11-13 2009-07-22 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
US7538355B1 (en) 2003-11-20 2009-05-26 Raja Singh Tuli Laser addressed monolithic display
US20070120472A1 (en) * 2003-12-12 2007-05-31 Massimo Cocchi Method for reducing the surface roughness of a thin layer of conductive oxides
JP4887602B2 (ja) * 2003-12-16 2012-02-29 大日本印刷株式会社 有機機能素子の製造方法
ATE433200T1 (de) * 2003-12-16 2009-06-15 Panasonic Corp Organisches elektrolumineszenzbauelement und herstellungsverfahren dafür
JP5146517B2 (ja) * 2003-12-16 2013-02-20 大日本印刷株式会社 有機機能素子の製造方法
US20090160325A1 (en) * 2003-12-16 2009-06-25 Panasonic Corporation Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same
TW200528536A (en) * 2003-12-19 2005-09-01 Showa Denko Kk Boron-containing polymer compound and organic light emitting device using the same
US8796670B2 (en) * 2003-12-26 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element
US20050145326A1 (en) * 2004-01-05 2005-07-07 Eastman Kodak Company Method of making an OLED device
US20050147844A1 (en) * 2004-01-05 2005-07-07 Eastman Kodak Company White oled devices with color filter arrays
US7121912B2 (en) * 2004-01-26 2006-10-17 Eastman Kodak Company Method of improving stability in OLED devices
GB0401613D0 (en) 2004-01-26 2004-02-25 Cambridge Display Tech Ltd Organic light emitting diode
US7002293B2 (en) * 2004-01-27 2006-02-21 Eastman Kodak Company Organic light emitting diode with improved light emission through the cathode
US7049741B2 (en) * 2004-01-27 2006-05-23 Eastman Kodak Company Organic light emitting diode with improved light emission through substrate
US7041608B2 (en) * 2004-02-06 2006-05-09 Eastman Kodak Company Providing fluorocarbon layers on conductive electrodes in making electronic devices such as OLED devices
KR100773525B1 (ko) * 2004-02-06 2007-11-05 삼성에스디아이 주식회사 티에노[3,2-ｂ]인돌계 고분자 및 이를 이용한 유기 전계발광 소자
US9085729B2 (en) 2004-02-09 2015-07-21 Lg Display Co., Ltd. Blue emitters for use in organic electroluminescence devices
US20050175770A1 (en) * 2004-02-10 2005-08-11 Eastman Kodak Company Fabricating an electrode for use in organic electronic devices
US7252893B2 (en) * 2004-02-17 2007-08-07 Eastman Kodak Company Anthracene derivative host having ranges of dopants
US7232588B2 (en) * 2004-02-23 2007-06-19 Eastman Kodak Company Device and method for vaporizing temperature sensitive materials
JP4276109B2 (ja) * 2004-03-01 2009-06-10 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
US7157156B2 (en) 2004-03-19 2007-01-02 Eastman Kodak Company Organic light emitting device having improved stability
US7238389B2 (en) * 2004-03-22 2007-07-03 Eastman Kodak Company Vaporizing fluidized organic materials
US7364772B2 (en) * 2004-03-22 2008-04-29 Eastman Kodak Company Method for coating an organic layer onto a substrate in a vacuum chamber
US7129634B2 (en) * 2004-04-07 2006-10-31 Eastman Kodak Company Color OLED with added color gamut pixels
US7057339B2 (en) * 2004-04-08 2006-06-06 Eastman Kodak Company OLED with color change media
JP4065547B2 (ja) * 2004-04-12 2008-03-26 キヤノン株式会社 フルオレン化合物及びそれを用いた有機発光素子
US7192659B2 (en) * 2004-04-14 2007-03-20 Eastman Kodak Company OLED device using reduced drive voltage
US20050241585A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Eastman Kodak Company System for vaporizing materials onto a substrate surface
US20050244580A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Eastman Kodak Company Deposition apparatus for temperature sensitive materials
US7247394B2 (en) * 2004-05-04 2007-07-24 Eastman Kodak Company Tuned microcavity color OLED display
US7629695B2 (en) * 2004-05-20 2009-12-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Stacked electronic component and manufacturing method thereof
US7023013B2 (en) * 2004-06-16 2006-04-04 Eastman Kodak Company Array of light-emitting OLED microcavity pixels
US20050281948A1 (en) * 2004-06-17 2005-12-22 Eastman Kodak Company Vaporizing temperature sensitive materials
US20050282308A1 (en) * 2004-06-22 2005-12-22 Albrecht Uhlig Organic electroluminescent display device and method of producing the same
US7288330B2 (en) * 2004-07-01 2007-10-30 Eaastman Kodak Company High performance white light-emitting OLED device
US7208863B2 (en) 2004-07-09 2007-04-24 Eastman Kodak Company Light emitting devices with patterned angular color dependency
US7504163B2 (en) * 2004-07-12 2009-03-17 Eastman Kodak Company Hole-trapping materials for improved OLED efficiency
JP4545504B2 (ja) * 2004-07-15 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 膜形成方法、発光装置の作製方法
JP4086817B2 (ja) * 2004-07-20 2008-05-14 キヤノン株式会社 有機ｅｌ素子
US7316756B2 (en) * 2004-07-27 2008-01-08 Eastman Kodak Company Desiccant for top-emitting OLED
US7449831B2 (en) 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having inorganic material containing anode capping layer
US8241467B2 (en) * 2004-08-10 2012-08-14 Global Oled Technology Llc Making a cathode structure for OLEDs
US7273663B2 (en) * 2004-08-20 2007-09-25 Eastman Kodak Company White OLED having multiple white electroluminescence units
SG155233A1 (en) * 2004-08-27 2009-09-30 Showa Denko Kk Organic electroluminescent device and production method thereof
JP4541809B2 (ja) * 2004-09-08 2010-09-08 キヤノン株式会社 有機化合物及び有機発光素子
WO2006030338A1 (en) * 2004-09-14 2006-03-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Transparent electrode for leds or oleds comprising inorganic metals
US20060062899A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-23 Eastman Kodak Company Method of discontinuous stripe coating
US9040170B2 (en) * 2004-09-20 2015-05-26 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device with quinazoline complex emitter
US7501152B2 (en) * 2004-09-21 2009-03-10 Eastman Kodak Company Delivering particulate material to a vaporization zone
US7288285B2 (en) * 2004-09-21 2007-10-30 Eastman Kodak Company Delivering organic powder to a vaporization zone
US7288286B2 (en) * 2004-09-21 2007-10-30 Eastman Kodak Company Delivering organic powder to a vaporization zone
US7501151B2 (en) * 2004-09-21 2009-03-10 Eastman Kodak Company Delivering particulate material to a vaporization zone
JP4531509B2 (ja) 2004-09-27 2010-08-25 富士フイルム株式会社 発光素子
US7560862B2 (en) * 2004-10-22 2009-07-14 Eastman Kodak Company White OLEDs with a color-compensated electroluminescent unit
US20060099344A1 (en) * 2004-11-09 2006-05-11 Eastman Kodak Company Controlling the vaporization of organic material
US8174182B2 (en) * 2004-11-17 2012-05-08 Global Oled Technology Llc Selecting white point for OLED devices
US7252859B2 (en) * 2004-11-19 2007-08-07 Eastman Kodak Company Organic materials for an evaporation source
JP4429149B2 (ja) * 2004-11-26 2010-03-10 キヤノン株式会社 フルオレン化合物及び有機発光素子
JP4599142B2 (ja) * 2004-11-26 2010-12-15 キヤノン株式会社 有機発光素子
JP4955971B2 (ja) * 2004-11-26 2012-06-20 キヤノン株式会社 アミノアントリル誘導基置換ピレン化合物および有機発光素子
KR100721562B1 (ko) 2004-12-03 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 마그네슘-칼슘 막인 캐소드를 구비하는 유기전계발광소자및 그의 제조방법
US7402346B2 (en) * 2004-12-07 2008-07-22 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Organic electroluminescent devices
US7304428B2 (en) * 2004-12-14 2007-12-04 Eastman Kodak Company Multilayered cathode structures having silver for OLED devices
US7075231B1 (en) * 2005-01-03 2006-07-11 Eastman Kodak Company Tandem OLEDs having low drive voltage
US7166169B2 (en) * 2005-01-11 2007-01-23 Eastman Kodak Company Vaporization source with baffle
US7309956B2 (en) * 2005-01-14 2007-12-18 Eastman Kodak Company Top-emitting OLED device with improved-off axis viewing performance
KR100611673B1 (ko) * 2005-01-31 2006-08-10 삼성에스디아이 주식회사 박막 형성 방법 및 유기전계발광소자의 제조 방법
US7398605B2 (en) * 2005-02-04 2008-07-15 Eastman Kodak Company Method of feeding particulate material to a heated vaporization surface
US7165340B2 (en) * 2005-02-04 2007-01-23 Eastman Kodak Company Feeding organic material to a heated surface
US7625601B2 (en) * 2005-02-04 2009-12-01 Eastman Kodak Company Controllably feeding organic material in making OLEDs
KR100721571B1 (ko) 2005-03-07 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조방법
US7236845B2 (en) * 2005-03-10 2007-06-26 Eastman Kodak Company Selecting OLED devices using figure of merit
US7981524B2 (en) 2005-03-16 2011-07-19 Fujifilm Corporation Platinum complex compound and organic electroluminescent device
US7245065B2 (en) 2005-03-31 2007-07-17 Eastman Kodak Company Reducing angular dependency in microcavity color OLEDs
US8057916B2 (en) 2005-04-20 2011-11-15 Global Oled Technology, Llc. OLED device with improved performance
US20060240281A1 (en) * 2005-04-21 2006-10-26 Eastman Kodak Company Contaminant-scavenging layer on OLED anodes
US20060246811A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Eastman Kodak Company Encapsulating emissive portions of an OLED device
US7213347B2 (en) * 2005-05-03 2007-05-08 Eastman Kodak Company Metering material to promote rapid vaporization
US7625602B2 (en) * 2005-05-03 2009-12-01 Eastman Kodak Company Controllably feeding powdered or granular material
US8487527B2 (en) 2005-05-04 2013-07-16 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices
US7777407B2 (en) * 2005-05-04 2010-08-17 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices comprising a doped triazine electron transport layer
US7943244B2 (en) 2005-05-20 2011-05-17 Lg Display Co., Ltd. Display device with metal-organic mixed layer anodes
US7728517B2 (en) * 2005-05-20 2010-06-01 Lg Display Co., Ltd. Intermediate electrodes for stacked OLEDs
US7811679B2 (en) 2005-05-20 2010-10-12 Lg Display Co., Ltd. Display devices with light absorbing metal nanoparticle layers
US7795806B2 (en) * 2005-05-20 2010-09-14 Lg Display Co., Ltd. Reduced reflectance display devices containing a thin-layer metal-organic mixed layer (MOML)
US7750561B2 (en) 2005-05-20 2010-07-06 Lg Display Co., Ltd. Stacked OLED structure
US20060273713A1 (en) * 2005-06-02 2006-12-07 Eastman Kodak Company Process for making an organic light-emitting device
JP4699098B2 (ja) * 2005-06-09 2011-06-08 ローム株式会社 有機ｅｌ素子、およびこれを用いた有機ｅｌ表示装置
US7408173B2 (en) * 2005-06-15 2008-08-05 Wesam Khalil Cold electron emitter
JP4865258B2 (ja) * 2005-06-21 2012-02-01 キヤノン株式会社 １，８−ナフチリジン化合物及びそれを用いた有機発光素子
US7531959B2 (en) * 2005-06-29 2009-05-12 Eastman Kodak Company White light tandem OLED display with filters
US7564182B2 (en) * 2005-06-29 2009-07-21 Eastman Kodak Company Broadband light tandem OLED display
US7622619B2 (en) * 2005-07-20 2009-11-24 Lg Display Co., Ltd. Synthesis process
US8766023B2 (en) * 2005-07-20 2014-07-01 Lg Display Co., Ltd. Synthesis process
TWI268736B (en) * 2005-08-10 2006-12-11 Au Optronics Corp Organic electroluminescent device (OELD) and display including the same
US7993459B2 (en) * 2005-10-24 2011-08-09 Global Oled Technology Llc Delivering particulate material to a vaporization zone
US8956738B2 (en) 2005-10-26 2015-02-17 Global Oled Technology Llc Organic element for low voltage electroluminescent devices
US7638168B2 (en) * 2005-11-10 2009-12-29 Eastman Kodak Company Deposition system using sealed replenishment container
US9666826B2 (en) 2005-11-30 2017-05-30 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device including an anthracene derivative
US20070126347A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Eastman Kodak Company OLEDS with improved efficiency
US7858207B2 (en) * 2005-12-21 2010-12-28 Lg Display Co., Ltd. Host material for organic electroluminescence devices
US7438981B2 (en) * 2005-12-21 2008-10-21 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Indenofluorene compounds and organic electroluminescent devices using the same
US7352125B2 (en) * 2005-12-21 2008-04-01 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Organic light emitting devices with hole impeding materials
US7638206B2 (en) * 2005-12-21 2009-12-29 Lg Display Co., Ltd. Bifunctional compounds and OLED using the same
US7977862B2 (en) * 2005-12-21 2011-07-12 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices
US7645525B2 (en) * 2005-12-27 2010-01-12 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices
JP2009524189A (ja) 2006-01-18 2009-06-25 エルジー・ケム・リミテッド 積層型有機発光素子
US20070172971A1 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 Eastman Kodak Company Desiccant sealing arrangement for OLED devices
US20070222371A1 (en) * 2006-03-21 2007-09-27 Eastman Kodak Company Top-emitting OLED device with improved stability
US20070231490A1 (en) * 2006-03-29 2007-10-04 Eastman Kodak Company Uniformly vaporizing metals and organic materials
US7332860B2 (en) * 2006-03-30 2008-02-19 Eastman Kodak Company Efficient white-light OLED display with filters
JP4654207B2 (ja) 2006-03-30 2011-03-16 キヤノン株式会社 表示装置
US9118020B2 (en) 2006-04-27 2015-08-25 Global Oled Technology Llc Electroluminescent devices including organic eil layer
WO2007130047A1 (en) 2006-05-08 2007-11-15 Eastman Kodak Company Oled electron-injecting layer
JP5221061B2 (ja) 2006-06-15 2013-06-26 三星ディスプレイ株式會社 シクロペンタフェナントレン系化合物及びそれを利用した有機電界発光素子
US20080024059A1 (en) * 2006-07-27 2008-01-31 Tpo Displays Corp. System for displaying images incluidng electroluminescent device and method for fabricating the same
KR101337519B1 (ko) * 2006-08-24 2013-12-05 삼성디스플레이 주식회사 플루오렌계 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
KR101321500B1 (ko) * 2006-09-29 2013-10-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광소자
KR101513311B1 (ko) 2006-09-29 2015-04-22 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인크. 적외선 감지 및 표시를 위한 방법 및 장치
KR101359630B1 (ko) * 2006-10-23 2014-02-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광소자
KR101328974B1 (ko) * 2006-10-31 2013-11-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광소자
KR101359631B1 (ko) * 2006-11-10 2014-02-10 삼성디스플레이 주식회사 안트라센 유도체 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR101236428B1 (ko) * 2006-11-29 2013-02-22 삼성디스플레이 주식회사 안트라센 유도체 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
US20080176099A1 (en) * 2007-01-18 2008-07-24 Hatwar Tukaram K White oled device with improved functions
US8795855B2 (en) * 2007-01-30 2014-08-05 Global Oled Technology Llc OLEDs having high efficiency and excellent lifetime
KR20080082134A (ko) * 2007-03-07 2008-09-11 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
US20080254217A1 (en) * 2007-04-16 2008-10-16 Boroson Michael L Fine control of vaporized organic material
US8022624B2 (en) 2007-04-25 2011-09-20 Global Oled Technology Llc Moisture protection for OLED display
US7816859B2 (en) * 2007-04-30 2010-10-19 Global Oled Technology Llc White light tandem OLED
US7948165B2 (en) * 2007-05-09 2011-05-24 Global Oled Technology Llc High-performance tandem white OLED
JP5484690B2 (ja) 2007-05-18 2014-05-07 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
JP2009004753A (ja) 2007-05-18 2009-01-08 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP4995137B2 (ja) 2007-06-11 2012-08-08 富士フイルム株式会社 ガスバリアフィルムおよびこれを用いた有機デバイス
US8034465B2 (en) * 2007-06-20 2011-10-11 Global Oled Technology Llc Phosphorescent oled having double exciton-blocking layers
US20090004485A1 (en) * 2007-06-27 2009-01-01 Shiying Zheng 6-member ring structure used in electroluminescent devices
KR101407578B1 (ko) * 2007-07-24 2014-06-13 삼성디스플레이 주식회사 페닐페녹사진 또는 페닐페노시아진계 화합물 및 이를이용한 유기 전계 발광 소자
US7812531B2 (en) 2007-07-25 2010-10-12 Global Oled Technology Llc Preventing stress transfer in OLED display components
US8027574B2 (en) 2007-08-06 2011-09-27 Global Oled Technology Llc Vaporization of thermally sensitive materials
US20090053559A1 (en) * 2007-08-20 2009-02-26 Spindler Jeffrey P High-performance broadband oled device
US20090053557A1 (en) * 2007-08-23 2009-02-26 Spindler Jeffrey P Stabilized white-emitting oled device
JP2009076865A (ja) 2007-08-29 2009-04-09 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP2010006039A (ja) 2007-09-05 2010-01-14 Fujifilm Corp ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムを用いて表示素子を封止する方法。
KR101548382B1 (ko) 2007-09-14 2015-08-28 유디씨 아일랜드 리미티드 유기 전계 발광 소자
US8067085B2 (en) 2007-09-14 2011-11-29 Fujifilm Corporation Gas barrier film, and display device comprising the same
JP2009076232A (ja) 2007-09-19 2009-04-09 Fujifilm Corp 環境感受性デバイス、環境感受性素子の封止方法
US8033882B2 (en) 2007-09-19 2011-10-11 Fujifilm Corporation Light-emitting device or display device, and method for producing them
US20090075034A1 (en) 2007-09-19 2009-03-19 Nobuhiro Nishita Patterning method and display device
US8586189B2 (en) 2007-09-19 2013-11-19 Fujifilm Corporation Gas-barrier film and organic device comprising same
EP2193112B1 (en) * 2007-09-20 2012-04-04 Basf Se Electroluminescent device
US20090081365A1 (en) * 2007-09-20 2009-03-26 Cok Ronald S Deposition apparatus for temperature sensitive materials
JP5438941B2 (ja) 2007-09-25 2014-03-12 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
KR101453873B1 (ko) * 2007-10-08 2014-10-24 삼성디스플레이 주식회사 사이클로펜타페난트렌계 화합물 및 이를 이용한 유기 발광소자
KR101462535B1 (ko) * 2007-10-15 2014-11-19 삼성디스플레이 주식회사 인덴 유도체 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
US7719180B2 (en) * 2007-10-16 2010-05-18 Global Oled Technology Llc Inverted OLED device with improved efficiency
US8431242B2 (en) 2007-10-26 2013-04-30 Global Oled Technology, Llc. OLED device with certain fluoranthene host
US8420229B2 (en) 2007-10-26 2013-04-16 Global OLED Technologies LLC OLED device with certain fluoranthene light-emitting dopants
US8129039B2 (en) 2007-10-26 2012-03-06 Global Oled Technology, Llc Phosphorescent OLED device with certain fluoranthene host
US8076009B2 (en) 2007-10-26 2011-12-13 Global Oled Technology, Llc. OLED device with fluoranthene electron transport materials
US8367220B2 (en) * 2007-10-30 2013-02-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Anthracene-based compound and organic light emitting device employing the same
US8367219B2 (en) * 2007-10-30 2013-02-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Anthracene-based compound and organic light emitting device employing the same
KR101473306B1 (ko) * 2007-11-05 2014-12-16 삼성디스플레이 주식회사 사이클로펜타페난트렌계 화합물 및 이를 이용한 유기 전계발광 소자
US8127961B2 (en) * 2007-11-10 2012-03-06 Pwp Industries Double ribbed secure container
US8319214B2 (en) 2007-11-15 2012-11-27 Fujifilm Corporation Thin film field effect transistor with amorphous oxide active layer and display using the same
JP5489445B2 (ja) 2007-11-15 2014-05-14 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
US8016631B2 (en) * 2007-11-16 2011-09-13 Global Oled Technology Llc Desiccant sealing arrangement for OLED devices
US8900722B2 (en) 2007-11-29 2014-12-02 Global Oled Technology Llc OLED device employing alkali metal cluster compounds
US8877350B2 (en) 2007-12-11 2014-11-04 Global Oled Technology Llc White OLED with two blue light-emitting layers
JP5438955B2 (ja) 2007-12-14 2014-03-12 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 白金錯体化合物及びこれを用いた有機電界発光素子
US20090162612A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Hatwar Tukaram K Oled device having two electron-transport layers
US7883583B2 (en) * 2008-01-08 2011-02-08 Global Oled Technology Llc Vaporization apparatus with precise powder metering
US7955719B2 (en) 2008-01-30 2011-06-07 Global Oled Technology Llc Tandem OLED device with intermediate connector
US7821201B2 (en) * 2008-01-31 2010-10-26 Global Oled Technology Llc Tandem OLED device with intermediate connector
KR20090098588A (ko) * 2008-03-14 2009-09-17 삼성전자주식회사 신규한 유기 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
JP4555358B2 (ja) 2008-03-24 2010-09-29 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置
US7947974B2 (en) * 2008-03-25 2011-05-24 Global Oled Technology Llc OLED device with hole-transport and electron-transport materials
JP4531836B2 (ja) 2008-04-22 2010-08-25 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子並びに新規な白金錯体化合物及びその配位子となり得る新規化合物
CN103553935A (zh) 2008-05-16 2014-02-05 保土谷化学工业株式会社 有机电致发光器件
US8324800B2 (en) * 2008-06-12 2012-12-04 Global Oled Technology Llc Phosphorescent OLED device with mixed hosts
JP5117422B2 (ja) 2008-07-15 2013-01-16 富士フイルム株式会社 発光装置及びその製造方法
US8247088B2 (en) * 2008-08-28 2012-08-21 Global Oled Technology Llc Emitting complex for electroluminescent devices
JP5117326B2 (ja) 2008-08-29 2013-01-16 富士フイルム株式会社 カラー表示装置及びその製造方法
EP2161272A1 (en) 2008-09-05 2010-03-10 Basf Se Phenanthrolines
US7977872B2 (en) 2008-09-16 2011-07-12 Global Oled Technology Llc High-color-temperature tandem white OLED
US7931975B2 (en) 2008-11-07 2011-04-26 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device containing a flouranthene compound
US8088500B2 (en) 2008-11-12 2012-01-03 Global Oled Technology Llc OLED device with fluoranthene electron injection materials
US8048230B2 (en) * 2008-11-14 2011-11-01 Global Oled Technology Llc Metering and vaporizing particulate material
US7972443B2 (en) * 2008-11-14 2011-07-05 Global Oled Technology Llc Metering of particulate material and vaporization thereof
US8062427B2 (en) * 2008-11-14 2011-11-22 Global Oled Technology Llc Particulate material metering and vaporization
JP2010153820A (ja) 2008-11-21 2010-07-08 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
US7968215B2 (en) 2008-12-09 2011-06-28 Global Oled Technology Llc OLED device with cyclobutene electron injection materials
US8048541B2 (en) * 2008-12-17 2011-11-01 City University Of Hong Kong Organic electroluminescence device
US8461758B2 (en) * 2008-12-19 2013-06-11 E I Du Pont De Nemours And Company Buffer bilayers for electronic devices
JP2010182449A (ja) 2009-02-03 2010-08-19 Fujifilm Corp 有機ｅｌ表示装置
JP2010186723A (ja) 2009-02-13 2010-08-26 Fujifilm Corp 有機ｅｌ装置及びその製造方法
US8216697B2 (en) * 2009-02-13 2012-07-10 Global Oled Technology Llc OLED with fluoranthene-macrocyclic materials
US20100206234A1 (en) * 2009-02-17 2010-08-19 Michael Long Simplified powder feeding and vaporization apparatus
US8147989B2 (en) * 2009-02-27 2012-04-03 Global Oled Technology Llc OLED device with stabilized green light-emitting layer
US8102114B2 (en) * 2009-02-27 2012-01-24 Global Oled Technology, Llc. Method of manufacturing an inverted bottom-emitting OLED device
US7948178B2 (en) * 2009-03-04 2011-05-24 Global Oled Technology Llc Hermetic seal
US8466856B2 (en) 2011-02-22 2013-06-18 Global Oled Technology Llc OLED display with reduced power consumption
JP2010205650A (ja) 2009-03-05 2010-09-16 Fujifilm Corp 有機ｅｌ表示装置
JP5650889B2 (ja) 2009-03-26 2015-01-07 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 無機材料、デバイス及び有機電界発光素子
WO2010110280A1 (ja) 2009-03-27 2010-09-30 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子用塗布液
KR20110128889A (ko) 2009-03-27 2011-11-30 후지필름 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자의 제조 방법
JP5324287B2 (ja) 2009-03-30 2013-10-23 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 発光素子
WO2010116867A1 (ja) 2009-03-30 2010-10-14 富士フイルム株式会社 導電性ポリマー組成物、導電性硬化膜、及び、有機電界発光素子
US20100244677A1 (en) * 2009-03-31 2010-09-30 Begley William J Oled device containing a silyl-fluoranthene derivative
US8283054B2 (en) 2009-04-03 2012-10-09 Global Oled Technology Llc Tandem white OLED with efficient electron transfer
US8206842B2 (en) 2009-04-06 2012-06-26 Global Oled Technology Llc Organic element for electroluminescent devices
JP2010272515A (ja) 2009-04-20 2010-12-02 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置
EP2443213B1 (en) 2009-06-18 2014-04-23 Basf Se Phenanthroazole compounds as hole transporting materials for electro luminescent devices
JP5778148B2 (ja) 2009-08-04 2015-09-16 メルク パテント ゲーエムベーハー 多環式炭水化物を含む電子デバイス
US20110057151A1 (en) * 2009-09-10 2011-03-10 Add-Vision, Inc. Ionic salt combinations in polymer electroluminescent inks
JP5473506B2 (ja) 2009-09-14 2014-04-16 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド カラーフィルタ及び発光表示素子
JP5657243B2 (ja) 2009-09-14 2015-01-21 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド カラーフィルタ及び発光表示素子
EP2517278B1 (en) 2009-12-22 2019-07-17 Merck Patent GmbH Electroluminescent formulations
WO2011076326A1 (en) 2009-12-22 2011-06-30 Merck Patent Gmbh Electroluminescent functional surfactants
EP2517275B1 (en) 2009-12-22 2018-11-07 Merck Patent GmbH Formulations comprising phase-separated functional materials
DE102010006280A1 (de) 2010-01-30 2011-08-04 Merck Patent GmbH, 64293 Farbkonvertierung
JP6246468B2 (ja) 2010-03-11 2017-12-13 メルク パテント ゲーエムベーハー 治療および化粧品におけるファイバー
US9520574B2 (en) 2010-04-28 2016-12-13 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Electroluminescent devices based on phosphorescent iridium and related group VIII metal multicyclic compounds
CA2800549A1 (en) 2010-05-24 2011-12-01 University Of Florida Research Foundation, Inc. Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device
US10190043B2 (en) 2010-05-27 2019-01-29 Merck Patent Gmbh Compositions comprising quantum dots
WO2012009729A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Sumitomo Chemical Co., Ltd. Organic additives for improved lifetimes in organic and solution processible electronic devices
JP5969745B2 (ja) * 2010-09-10 2016-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
EP2630682A4 (en) 2010-10-22 2014-10-01 Commw Scient Ind Res Org ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE
KR101351512B1 (ko) * 2010-10-25 2014-01-16 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 그의 제조방법
WO2012085982A1 (ja) 2010-12-24 2012-06-28 パナソニック株式会社 有機ｅｌ素子およびその製造方法
US20120256275A1 (en) * 2011-04-06 2012-10-11 Hsin-Fu Huang Metal gate structure and manufacturing method thereof
DE102011076791A1 (de) * 2011-05-31 2012-12-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches elektrolumineszierendes bauelement
JP6309449B2 (ja) * 2011-06-06 2018-04-11 ユニバーシティー オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション, インコーポレイテッドUniversity Of Florida Research Foundation, Inc. Ｃｍｏｓ画像センサー内蔵ｉｒアップコンバージョン装置を組み込んだ赤外線撮像装置
SG194905A1 (en) 2011-06-06 2013-12-30 Univ Florida Transparent infrared-to-visible up-conversion device
WO2012175124A1 (en) 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Vapor deposition material source and method for making same
DE102011051260A1 (de) 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von OLEDs
CN103732786B (zh) 2011-06-22 2016-08-17 艾克斯特朗欧洲公司 气相沉积系统和供给头
CN103930588B (zh) 2011-06-22 2016-08-17 艾克斯特朗欧洲公司 用于气相沉积的方法和装置
EP2727154B1 (en) 2011-06-30 2019-09-18 University of Florida Research Foundation, Inc. A method and apparatus for detecting infrared radiation with gain
DE102011051931A1 (de) 2011-07-19 2013-01-24 Aixtron Se Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen des Dampfdrucks eines in einem Trägergasstrom verdampften Ausgangsstoffes
WO2013033035A1 (en) 2011-08-26 2013-03-07 Sumitomo Chemical Co., Ltd. Permeable electrodes for high performance organic electronic devices
KR101829890B1 (ko) 2011-12-23 2018-02-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102117134B1 (ko) 2012-03-23 2020-05-29 가부시키가이샤 퓨쳐 잉크 벤조비스(티아디아졸) 유도체, 및 그것을 사용한 유기 일렉트로닉스 디바이스
KR101990553B1 (ko) 2012-04-17 2019-06-19 삼성디스플레이 주식회사 신규한 유기 발광 소자용 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102079249B1 (ko) 2012-06-12 2020-02-20 삼성디스플레이 주식회사 신규한 유기 발광 소자용 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
JP5889730B2 (ja) 2012-06-27 2016-03-22 Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び照明装置
KR20140010306A (ko) 2012-07-16 2014-01-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US9595682B2 (en) 2012-10-30 2017-03-14 Massachusetts Institute Of Technology Organic conductive materials and devices
CN108611591B (zh) 2012-11-06 2021-05-04 Oti领英有限公司 用于在表面上沉积导电覆层的方法
CN104078622A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
US9978954B2 (en) 2013-09-20 2018-05-22 Ube Industries, Ltd. Benzobis (thiadiazole) derivative, ink comprising same, and organic electronic device comprising same
CN103594656B (zh) * 2013-10-22 2016-05-04 溧阳市东大技术转移中心有限公司 一种有机发光二极管
CN106463619B (zh) 2014-05-08 2020-07-07 环球展览公司 稳定的咪唑并菲啶材料
DE102014109196A1 (de) 2014-07-01 2016-01-07 Aixtron Se Vorrichtung zum Erzeugen eines Dampfes aus einem festen oder flüssigen Ausgangsstoff für eine CVD- oder PVD-Einrichtung
DE102014109194A1 (de) * 2014-07-01 2016-01-07 Aixtron Se Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen eines Dampfes für eine CVD- oder PVD-Einrichtung
DE102014109195A1 (de) 2014-07-01 2016-01-07 Aixtron Se Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen eines Dampfes aus mehreren flüssigen oder festen Ausgangsstoffen für eine CVD- oder PVD-Einrichtung
JP6022014B2 (ja) 2015-03-02 2016-11-09 Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び照明装置
WO2016154267A1 (en) 2015-03-24 2016-09-29 Massachusetts Institute Of Technology Organic conductive materials and devices
KR102584846B1 (ko) 2015-05-05 2023-10-04 유니버셜 디스플레이 코포레이션 유기 전계발광 재료 및 디바이스
EP3308113A4 (en) 2015-06-11 2019-03-20 University of Florida Research Foundation, Incorporated MONODISPERSED IR ABSORPTION NANOPARTICLES AND METHODS AND DEVICES THEREOF
EP3168894B8 (en) * 2015-11-10 2023-07-26 Novaled GmbH N-doped semiconducting material comprising two metal dopants
CN108431981B (zh) 2015-12-16 2022-05-24 Oti领英有限公司 用于光电子器件的屏障涂层
DE102016100625A1 (de) 2016-01-15 2017-07-20 Aixtron Se Vorrichtung zum Bereitstellen eines Prozessgases in einer Beschichtungseinrichtung
WO2018033860A1 (en) 2016-08-15 2018-02-22 Oti Lumionics Inc. Light transmissive electrode for light emitting devices
EP3492480B1 (en) 2017-11-29 2021-10-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR20200103235A (ko) * 2019-02-22 2020-09-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20230002860A (ko) 2020-04-21 2023-01-05 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료를 포함하는 에멀젼
CN117730638A (zh) 2021-08-02 2024-03-19 默克专利有限公司 通过组合油墨进行的印刷方法
TW202411366A (zh) 2022-06-07 2024-03-16 德商麥克專利有限公司 藉由組合油墨來印刷電子裝置功能層之方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3172862A (en) * 1960-09-29 1965-03-09 Dow Chemical Co Organic electroluminescent phosphors
US3173050A (en) * 1962-09-19 1965-03-09 Dow Chemical Co Electroluminescent cell
US3359445A (en) * 1964-10-07 1967-12-19 Dow Chemical Co Electroluminescent cells
US3382394A (en) * 1965-03-24 1968-05-07 American Cyanamid Co Electroluminescent process including injection of negative carriers into a crystal of an organic compound
US3530325A (en) * 1967-08-21 1970-09-22 American Cyanamid Co Conversion of electrical energy into light
US3621321A (en) * 1969-10-28 1971-11-16 Canadian Patents Dev Electroluminescent device with light emitting aromatic, hydrocarbon material
US3710167A (en) * 1970-07-02 1973-01-09 Rca Corp Organic electroluminescent cells having a tunnel injection cathode
US3772556A (en) * 1971-01-26 1973-11-13 Emi Ltd Improvements relating to electroluminescent light sources
JPS5249305B2 (ja) * 1973-09-05 1977-12-16
US3995299A (en) * 1974-10-15 1976-11-30 The Secretary Of State For Industry In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland Radiation sources
US4097762A (en) * 1975-08-14 1978-06-27 International Telephone & Telegraph Corporation Xenon arc discharge lamp having a particular electrode composition and wherein the arc discharge is obtained without heating the electrode
US4165473A (en) * 1976-06-21 1979-08-21 Varian Associates, Inc. Electron tube with dispenser cathode
GB2060991A (en) * 1979-09-20 1981-05-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Oxide-coated cathode and method of producing the same
US4356429A (en) * 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
US4675570A (en) * 1984-04-02 1987-06-23 Varian Associates, Inc. Tungsten-iridium impregnated cathode
DE3506296A1 (de) * 1985-02-22 1986-08-28 Heimann Gmbh, 6200 Wiesbaden Gasentladungslampe
NL8501257A (nl) * 1985-05-03 1986-12-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een naleveringskathode en toepassing van de werkwijze.
US4720432A (en) * 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9590204B2 (en) 2008-08-28 2017-03-07 Seiko Epson Corporation Light-emitting device, electronic equipment, and process of producing light-emitting device
US9853252B2 (en) 2008-08-28 2017-12-26 Seiko Epson Corporation Light-emitting device, electronic equipment, and process of producing light-emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
DE3856065D1 (de) 1997-12-18
CA1291551C (en) 1991-10-29
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US4885211A (en) 1989-12-05
EP0278757A3 (en) 1989-08-23
EP0278757B1 (en) 1997-11-12
JPH0215595A (ja) 1990-01-19
DE3856065T2 (de) 1998-06-10

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