JP2831730B2 - 密着型イメージセンサ - Google Patents

密着型イメージセンサ

Info

Publication number
JP2831730B2
JP2831730B2 JP1255889A JP25588989A JP2831730B2 JP 2831730 B2 JP2831730 B2 JP 2831730B2 JP 1255889 A JP1255889 A JP 1255889A JP 25588989 A JP25588989 A JP 25588989A JP 2831730 B2 JP2831730 B2 JP 2831730B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
image sensor
light
conductive organic
sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1255889A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH03116974A (ja
Inventor
勝 二階堂
弘喜 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP1255889A priority Critical patent/JP2831730B2/ja
Priority to DE69015303T priority patent/DE69015303T2/de
Priority to EP90310599A priority patent/EP0420644B1/en
Priority to KR1019900015775A priority patent/KR940005256B1/ko
Priority to US07/589,940 priority patent/US5105238A/en
Publication of JPH03116974A publication Critical patent/JPH03116974A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2831730B2 publication Critical patent/JP2831730B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
    • H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
    • H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
    • H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
    • H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
    • H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
    • H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
    • H04N1/0315—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors using photodetectors and illumination means mounted on separate supports or substrates or mounted in different planes
    • H04N1/0316—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors using photodetectors and illumination means mounted on separate supports or substrates or mounted in different planes illuminating the scanned image elements through the plane of the photodetector, e.g. back-light illumination
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
    • H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
    • H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
    • H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
    • H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
    • H04N1/0313—Direct contact pick-up heads, i.e. heads having no array of elements to project the scanned image elements onto the photodectors

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、ファシミリ装置等において画像読取りに用
いられる密着型イメージセンサに関する。
（従来の技術） 密着型イメージセンサは原稿と同じ長さのセンサを原
稿に近づけ1:1（等倍正立）で読み取る光電変換センサ
であり、小型、光学系の調整が不要、メンテナンスフリ
ー、機器設計が容易等の特長を有し、ファシミリ、OC
R、複写機等の画像入力装置を備えた各種OA機器の普及
に伴い、広く使用されつつある。
従来の密着型イメージセンサの一例として、電子写真
学会シンポジューム「アモルファスシリコンデバイスは
どこまできたか」の論文集（昭和60年５月24日）に記載
された密着型イメージセンサを第５図に示す。
この密着型イメージセンサは、センサ部Ａ及び照明部
Ｂより構成されており、センサ部Ａはガラス基板１上
に、共通電極２、感光材料としてアモルファスシリコン
層（以下ａ−Si層と記す）３、そして電極として透明電
極４、更には保護層５が積層された構成となっている。
これら各部から構成されるセンサ部Ａは、島状でピッチ
が0.1〜0.2mm、総数2000〜3000個の感光素子がアレイ状
に配列されたものであり、島状の各感光体素子には導光
窓６が形成されている。また照明部Ｂは、LEDチップ７
とLED基板８とからなる。
ここでLEDからの光はガラス基板１及び導光窓６を通
過して原稿Ｓを照明し、その反射光が透明電極４を通過
してａ−Si層３に信号光として入射する。LEDチップ７
は0.3mm角程度の大きさで2.5mmピッチでLED基板８上に
配置されている。本来は１つの導光窓に対し１つのLED
チップが対応するのが望ましく、0.1〜0.2mmピッチで20
00〜3000個のLEDチップで構成すると、高価なものとな
る。従って、一般的には2.5mm程度の間隔をおいてLEDを
配置している。しかしこの場合、原稿位置での照明ムラ
を解決するため、照明部は原稿及びセンサ部から離して
配置する必要がある。
したがって、上述の密着型イメージセンサでは、セン
サを薄型化すること及び低価格で製造することは困難で
あった。
そこで、上述の問題を解決したものとして、特開昭62
−279776号公報に開示された密着型イメージセンサがあ
る。これは、高周波駆動の薄膜ELの発光素子からなる照
明部が透明基板の一方の面に設けられ、且つ薄膜感光素
子からなるセンサ部が照明部と対向するごとく透明基板
の他方の面に設けられたものである。
この密着型イメージセンサを第６図を用いて説明す
る。
同図に示すように、センサ部Ａは、ガラス基板１上に
共通電極２、ａ−Si層３、透明電極４、透明保護層５が
積層された構成となっている。これら各部から構成され
るセンサ部は島状でピッチが0.1〜0.2mm、総数2000〜30
00個の感光素子がアレイ状に配列されたものであり、島
状の各感光体素子には導光窓６が形成されている。照明
部Ｂは、ガラス基板１上に透明電極４、発光層９、絶縁
層10、背面電極11が順次積層されたEL素子よりなる。更
にEL素子を外気から遮断するため封止材12で覆われてい
る。EL素子の形状は帯状であり、例えば大きさが幅2mm
で長さ250mmであり、これをａ−Si層３の全域を覆うよ
うに配置する。
この様に構成されたイメージセンサでは、EL素子から
の光はガラス基板１及び導光窓６、透明保護層５を通
り、原稿Ｓを照明し、その反射光が透明保護層５、透明
電極４を通過して、ａ−Si層３に信号光として入射す
る。
このタイプのEL素子は、薄膜又は厚膜技術により均質
に形成できることもあって、発光強度分布が全域にわた
って均一である。また同一のガラス基板１上にセンサ部
Ａと照明部Ｂとを形成できるので薄膜化が容易である。
しかし、このタイプのEL素子を発光させるには高周波
が必要である。一般にイメージセンサでは、照明光の強
度が常に一定あるいは読取り速度に比べ著しく速い点灯
周期であることが要求される。例えばG III形ファクシ
ミリにおいては、１ラインの読取り速度10msに対し20kH
z以上望ましくは40kHzの駆動周波数が要求される。これ
に対し、厚膜タイプの分散型EL素子では、5kHz以上の周
波数を越えると点灯周期が電源の周期に追随できないと
いう問題がある。又、薄膜タイプのEL素子は点灯周波数
は達成できるものの、光源としての所定輝度を達成する
のに200V程度の高い電圧を必要とするため、消費電力が
大きく、電源回路系が複雑かつ大型化するという問題が
ある。
また、上述の特開昭62−279776号公報の発明には、EL
素子に代えてプラズマ素子パネル、蛍光素子パネルを使
用することも例示しているが、これらはEL素子に比べ厚
くなり、装置の薄型化を有効に図ることが難しいという
問題がある。また、真空を必要とするため、イメージセ
ンサのようにパネルの縦横比が著しく異なる用途ではパ
ネルの強度上の問題を生じる。
（発明が解決しようとする課題） 上述したように、従来の密着型イメージセンサでは、
薄膜発光素子として薄膜EL素子を用いた場合、駆動方法
が交流で照明光の強度が変動しやすく、また、駆動電圧
が高く消費電力が大きいため、電源回路系が複雑かつ大
形化するという問題がある。
本発明は上述した従来の課題を解決するためになされ
たもので、薄膜発光素子を直流の低電圧で駆動可能とし
照明光の強度の変動および消費電力を減少させることが
でき、しかも装置の薄型化を有効に図ることのできる密
着型イメージセンサを提供することを目的とする。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明は、透明基板の一方の面に形成され薄膜発光素
子を有する照明部と、前記透明基板の他方の面に形成さ
れ薄膜感光素子を有するセンサ部とを備えた密着型イメ
ージセンサにおいて、前記薄膜発光素子が少なくともア
ノード、正孔伝導性有機薄膜、電子伝導性有機蛍光薄膜
およびカソードとを備え、直流により駆動されることを
特徴とするものである。
（作 用） 本発明では、アノード、正孔伝導性有機薄膜、電子伝
導性有機蛍光薄膜、カソードからなる薄膜発光素子を用
いており、直流の低電圧で駆動が可能なため、照明光の
強度が変動がなく、低消費電力で、また完全固体タイプ
の薄膜発光素子で装置の薄型化を有効に図ることが可能
である。
また、密着型イメージセンサの光源として必要な輝度
範囲で、従来の各種光源に比べ、輝度の劣化が少ないと
いう特長を有する。
（実施例） 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
第１図は本発明の一実施例の密着型イメージセンサを
説明するための側面断面図である。
同図に示すように、センサ部Ａは、ガラス基板21上に
共通電極22、ａ−Si層23、透明電極24、透明保護層25が
積層された構造となっている。これら各部から構成され
るセンサ部Ａは島状でピッチが0.1〜0.2mm、総数2000〜
3000個の感光素子がアレイ状に配列されたものであり、
島状の各感光体素子には導光窓26が形成されている。
また、照明部Ｂは、ガラス基板21上にアノード27、正
孔伝導性有機薄膜28、電子伝導性有機蛍光薄膜29、カソ
ード30が順次積層された発光素子よりなる、更に発光素
子を外気から遮断するため封止材31で覆われている。こ
の発光素子の形状は帯状であり、例えば大きさが幅2mm
で長さ250mmであり、これをａ−Si層23の全域を覆うよ
うに配置する。
この様に構成されたイメージセンサでは、発光素子か
らの光はガラス基板21及び導光窓26、透明保護層25を通
り、原稿Ｓを照明し、その反射光が透明保護層25、透明
電極24を通過してａ−Si層23に信号光として入射する。
この照明部Ｂは以下のようにして形成する。
まず、ガラス基板21上に真空蒸着、スパッタリング、
CVD等の既知の薄膜形成法にて酸化インジウム錫（以下I
TOと記す）、酸化錫の透明導電膜を形成し、アノード27
とする。この後、電子写真に用いられる正孔輸送物質で
あるフタロシアニン、オキサジアゾール、トリフェニル
ジアミン誘導体を蒸着源として真空蒸着により700〜100
0Åの正孔伝導性有機薄膜28を形成し、引き続いて、レ
ーザ色素として有用なクマリン色素やアルミニウムトリ
スオキシンに代表されるキレート化オキシノイド化合物
を蒸着源として真空蒸着により700〜1000Åの電子伝導
性有機蛍光薄膜29を形成する。続いて、低仕事関数でか
つ酸化安定性に優れた金属、合金を、例えばIn,Al,Mg−
Al等を蒸着源として電子ビーム蒸着により1000〜2000Å
程度蒸着しカソード30とした。
第２図にアノード27としてITO、正孔伝導性有機薄膜2
8としてフタロシアニン、電子伝導性有機蛍光薄膜29と
してアルミニウムトリスオキシン、カソード30としてMg
−Al合金を用いた場合の印加電圧−輝度特性を示す。
同図に示すように、5V前後の直流の低電圧で密着型イ
メージセンサの光源として必要な100〜200cd/m2の輝度
が得られていることが判る。なお、発光色は520〜540nm
に中心波長を有する緑色発光であった。この領域はａ−
Siにとって最も感度の良い領域である。また、100〜200
cd/m2の輝度にイニシャル（初期）輝度を設定した場
合、2000時間にわたって輝度の減衰はほとんど認められ
ず、非常に安定な光源であった。
第３図は本発明の他の実施例の密着型イメージセンサ
を示す側面断面図である。なお、同図においてセンサ部
Ａの構成は第１図のものと同様であるのでその説明を省
略する。
この実施例では、ガラス基板21とは別のガラス基板あ
るいは透明なプラスチックフィルム32上にアノード27、
正孔伝導性有機薄膜28、電子伝導性有機蛍光薄膜29、カ
ソード30が順次積層された発光素子を形成し、これをガ
ラス基板21に当接させ、封止材31で覆った構成とされて
いる。
従って、この実施例では、第１図の実施例と同様の効
果が得られるとともに、照明部Ｂをセンサ部Ｂと別体に
製造するので、製造効率を向上させることが可能であ
る。
第４図は本発明のさらに他の実施例の密着型イメージ
センサを示す側面断面図である。なお、同図において、
センサ部Ａの構成は第１図のものと同様であるのでその
説明を省略する。
同図に示すように、この実施例では電子伝導性有機蛍
光薄膜29とカソード30の間に電子伝導性有機薄膜33が挿
入されている。この薄膜33の挿入は電子伝導性有機蛍光
薄膜29として薄膜形成能が低い物質を用いる場合に薄膜
形成能を向上させるのに有効である。そしてこの実施例
でも第１図の実施例と同様の効果を得ることができる。
なお、上述した実施例では、導光窓がセンサ部中央付
近に設けられたものを示したが、導光窓がセンサ部サイ
ドに設けられた構造においても本発明は有効である。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明の密着型イメージセンサ
は、アノード、正孔伝導性有機薄膜、電子伝導性有機蛍
光薄膜、カソードからなる薄膜発光素子を用いており、
直流の低電圧で駆動が可能なため、照明光の強度が変動
がなく、低消費電力で、また完全固体タイプの薄膜発光
素子で、ガラス一方の面に当接して設けてあるのでイメ
ージセンサそのものが薄型化される。また本発明におけ
る発光素子は従来の発光素子に比べ長時間にわたって安
定であるので、長時間にわたってセンサの感度が安定で
ある。さらにこの発光素子は薄膜技術によって均質に形
成されるものであり、その発光強度が全体にわたり均一
となり、照明ムラが少ない。
また、製造はイメージセンサ全体が薄膜技術という一
貫した技術でなされるため、量産性が良くコストダウン
を有効に図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係わる密着型イメージセンサの一実施
例の構造を示す断面図、第２図は本発明に用いられる薄
膜発光素子の発光特性を示す図、第３図は本発明の他の
実施例の構造を示す断面図、第４図は本発明のさらに他
の実施例の構造を示す断面図、第５図、第６図は従来の
密着型イメージセンサの構造を示す断面図である。 Ａ……センサ部、Ｂ……照明部、21……ガラス基板、22
……共通電極、23……ａ−Si層、24……透明電極、25…
…透明保護層、26……導光窓、27……アノード、28……
正孔伝導性有機薄膜、29……電子伝導性有機蛍光薄膜、
30……カソード、31……封止材。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 27/14 - 27/148 H04N 1/028 - 1/031

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】透明基板の一方の面に形成され薄膜発光素
    子を有する照明部と、前記透明基板の他方の面に形成さ
    れ薄膜感光素子を有するセンサ部とを備えた密着型イメ
    ージセンサにおいて、 前記薄膜発光素子が少なくともアノード、正孔伝導性有
    機薄膜、電子伝導性有機蛍光薄膜およびカソードとを備
    え、直流により駆動されることを特徴とする密着型イメ
    ージセンサ。
JP1255889A 1989-09-29 1989-09-29 密着型イメージセンサ Expired - Lifetime JP2831730B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1255889A JP2831730B2 (ja) 1989-09-29 1989-09-29 密着型イメージセンサ
DE69015303T DE69015303T2 (de) 1989-09-29 1990-09-27 Kontaktbildsensor.
EP90310599A EP0420644B1 (en) 1989-09-29 1990-09-27 Contact type image sensor
KR1019900015775A KR940005256B1 (ko) 1989-09-29 1990-09-28 밀착형 이미지 센서 및 그의 제조방법
US07/589,940 US5105238A (en) 1989-09-29 1990-09-28 Contact type image sensor having an organic type thin film light emitting element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1255889A JP2831730B2 (ja) 1989-09-29 1989-09-29 密着型イメージセンサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03116974A JPH03116974A (ja) 1991-05-17
JP2831730B2 true JP2831730B2 (ja) 1998-12-02

Family

ID=17284978

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1255889A Expired - Lifetime JP2831730B2 (ja) 1989-09-29 1989-09-29 密着型イメージセンサ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5105238A (ja)
EP (1) EP0420644B1 (ja)
JP (1) JP2831730B2 (ja)
KR (1) KR940005256B1 (ja)
DE (1) DE69015303T2 (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2696025B2 (ja) * 1991-11-18 1998-01-14 沖電気工業株式会社 読取りヘッド
US5627364A (en) * 1994-10-11 1997-05-06 Tdk Corporation Linear array image sensor with thin-film light emission element light source
JPH08125814A (ja) * 1994-10-28 1996-05-17 Canon Inc 光電変換装置及び情報処理装置
JP3638328B2 (ja) * 1994-12-30 2005-04-13 株式会社シチズン電子 表面実装型フォトカプラ及びその製造方法
US5641611A (en) * 1995-08-21 1997-06-24 Motorola Method of fabricating organic LED matrices
US5708280A (en) * 1996-06-21 1998-01-13 Motorola Integrated electro-optical package and method of fabrication
US5833903A (en) * 1996-12-10 1998-11-10 Great American Gumball Corporation Injection molding encapsulation for an electronic device directly onto a substrate
US5907160A (en) * 1996-12-20 1999-05-25 Xerox Corporation Thin film organic light emitting diode with edge emitter waveguide
US5872355A (en) * 1997-04-09 1999-02-16 Hewlett-Packard Company Electroluminescent device and fabrication method for a light detection system
EP0957445B1 (en) * 1998-05-15 2005-02-02 Testech Inc. A contact light emitting device, a method of manufacturing thereof and a contact input apparatus using thereof
US7751600B2 (en) 2000-04-18 2010-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. System and method for identifying an individual
JP4302901B2 (ja) * 2001-02-27 2009-07-29 三星モバイルディスプレイ株式會社 発光体および発光システム
US7898821B2 (en) * 2003-12-10 2011-03-01 Nokia Corporation Apparatus and arrangement for shielding a light emitting diode against electrostatic discharge
US7297926B2 (en) * 2005-08-18 2007-11-20 Em4, Inc. Compound eye image sensor design
DE102007039388A1 (de) * 2007-08-21 2009-02-26 Zumtobel Lighting Gmbh Beleuchtungsanordnung mit Lichtquelle und Sensor zum Erfassen des von der Lichtquelle angegebenen Lichts

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3974753A (en) * 1975-03-10 1976-08-17 Lois Loreen Sanchez Automobile roof vent
DE3112907A1 (de) * 1980-03-31 1982-01-07 Canon K.K., Tokyo "fotoelektrischer festkoerper-umsetzer"
US4626878A (en) * 1981-12-11 1986-12-02 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor optical logical device
US4477721A (en) * 1982-01-22 1984-10-16 International Business Machines Corporation Electro-optic signal conversion
JPS60216496A (ja) * 1984-04-10 1985-10-29 平手　孝士 発光色可変形薄膜電界発光素子
US4766471A (en) * 1986-01-23 1988-08-23 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film electro-optical devices
JPS62279776A (ja) * 1986-05-29 1987-12-04 Oki Electric Ind Co Ltd 密着型イメ−ジセンサ
DE3713067A1 (de) * 1986-09-30 1988-03-31 Siemens Ag Optoelektronisches koppelelement und verfahren zu dessen herstellung
EP0263497B1 (en) * 1986-10-07 1994-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Image reading device
US4695859A (en) * 1986-10-20 1987-09-22 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film light emitting diode, photonic circuit employing said diode imager employing said circuits
US4885211A (en) * 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
US4805032A (en) * 1987-04-20 1989-02-14 Ricoh Company, Ltd. Total contact type photoelectric conversion device and optical reader using the same
US4999688A (en) * 1989-02-17 1991-03-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Optical logic element with short switching time

Also Published As

Publication number Publication date
US5105238A (en) 1992-04-14
KR940005256B1 (ko) 1994-06-15
EP0420644A2 (en) 1991-04-03
KR910007332A (ko) 1991-04-30
DE69015303T2 (de) 1995-06-08
JPH03116974A (ja) 1991-05-17
EP0420644B1 (en) 1994-12-21
DE69015303D1 (de) 1995-02-02
EP0420644A3 (en) 1992-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2831730B2 (ja) 密着型イメージセンサ
US5872355A (en) Electroluminescent device and fabrication method for a light detection system
TW498676B (en) Linear illumination device
EP1098376A2 (en) Organic EL device and image-reading, data-processing and display apparatus including the device
EP1256989B1 (en) Organic light emitting diode with high contrast ratio
EP1367647A3 (en) Electro-optical device, method of manufacturing the same, and electric apparatus
US6603149B2 (en) Highly efficient OLED device
JP2007027698A (ja) 光源、露光装置、画像表示装置及び医療装置
US6078138A (en) Organic thin film electroluminescence display unit
US20030020397A1 (en) Enhancement of luminance and life in electroluminescent devices
JPH08293620A (ja) 画像読取り装置
JPH06151061A (ja) エレクトロルミネッセンス素子
KR100434622B1 (ko) 어두운 영역이 없는 균일한 밝기의 전계 발광 패널 및이를 이용한 조명 장치
JPS63102361A (ja) 密着型固体撮像装置
Feng et al. Structure and characterization of a white up-emitting OLED on silicon for microdisplays
JP2001292280A (ja) 照明装置および前記装置を用いる画像読み取り装置
JPH01162366A (ja) 光センサー
TWI317181B (ja)
JPS5941629B2 (ja) 文字図形読取装置
TW475325B (en) Scanner having OLED
JPH0778689A (ja) 薄膜エレクトロルミネセンス素子
JPH02244973A (ja) 画像読み取り装置
JPS59154740A (ja) 光源用真空「けい」光管
JPH02283068A (ja) 密着型イメージセンサ
JPH01304692A (ja) 薄膜ｅｌ素子