JP2846977B2 - 安定化カソードを有する有機エレクトロルミネセンス装置 - Google Patents
安定化カソードを有する有機エレクトロルミネセンス装置Info
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 70
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 42
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 51
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 29
- -1 porphyrin compound Chemical class 0.000 description 26
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 25
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 25
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 14
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 11
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 9
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 8
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 6
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 6
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 6
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 4
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical group C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 3
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 3
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical group C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N azulene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC2=C1 CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- CTQMJYWDVABFRZ-UHFFFAOYSA-N cloxiquine Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=C(Cl)C2=C1 CTQMJYWDVABFRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 125000005266 diarylamine group Chemical group 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- UHVLDCDWBKWDDN-UHFFFAOYSA-N n-phenyl-n-[4-[4-(n-pyren-2-ylanilino)phenyl]phenyl]pyren-2-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C(C2=C43)C=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=CC4=CC=CC5=CC=C(C3=C54)C=2)C=C1 UHVLDCDWBKWDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 2
- GBROPGWFBFCKAG-UHFFFAOYSA-N picene Chemical compound C1=CC2=C3C=CC=CC3=CC=C2C2=C1C1=CC=CC=C1C=C2 GBROPGWFBFCKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 2
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQRAULANJCQXAM-UHFFFAOYSA-N 1-n,5-n-dinaphthalen-1-yl-1-n,5-n-diphenylnaphthalene-1,5-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC(=C2C=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=CC2=CC=CC=C12 LQRAULANJCQXAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1[C](C=C[CH2])C1=CC=CC=C1 GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVLOINQUZSPUJS-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n,6-n,6-n-tetrakis(4-methylphenyl)naphthalene-2,6-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=C2C=CC(=CC2=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 MVLOINQUZSPUJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MATLFWDVOBGZFG-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n,6-n,6-n-tetranaphthalen-1-ylnaphthalene-2,6-diamine Chemical compound C1=CC=C2C(N(C=3C=C4C=CC(=CC4=CC=3)N(C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 MATLFWDVOBGZFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXJRNCUNIBHMKV-UHFFFAOYSA-N 2-n,6-n-dinaphthalen-1-yl-2-n,6-n-dinaphthalen-2-ylnaphthalene-2,6-diamine Chemical compound C1=CC=C2C(N(C=3C=C4C=CC(=CC4=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=CC2=C1 VXJRNCUNIBHMKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- DXIJHCSGLOHNES-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethylbut-1-enylbenzene Chemical compound CC(C)(C)C=CC1=CC=CC=C1 DXIJHCSGLOHNES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHDTYXOIJHCGKH-UHFFFAOYSA-N 4-[[4-(dimethylamino)-2-methylphenyl]-phenylmethyl]-n,n,3-trimethylaniline Chemical compound CC1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C(=CC(=CC=1)N(C)C)C)C1=CC=CC=C1 AHDTYXOIJHCGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEIBOBDKQKIBJH-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-phenylcyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCC(CC1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 MEIBOBDKQKIBJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical group C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VJEVAXUMNMFKDT-UHFFFAOYSA-N 5,10,15,20-tetrakis(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)-21,23-dihydroporphyrin Chemical compound Fc1c(F)c(F)c(c(F)c1F)-c1c2ccc(n2)c(-c2c(F)c(F)c(F)c(F)c2F)c2ccc([nH]2)c(-c2c(F)c(F)c(F)c(F)c2F)c2ccc(n2)c(-c2c(F)c(F)c(F)c(F)c2F)c2ccc1[nH]2 VJEVAXUMNMFKDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPYMZALMVVFPJZ-UHFFFAOYSA-N 6,7,15,16,24,25,33,34-octamethyl-2,11,20,29,37,38,39,40-octazanonacyclo[28.6.1.13,10.112,19.121,28.04,9.013,18.022,27.031,36]tetraconta-1,3,5,7,9,11,13(18),14,16,19,21(38),22(27),23,25,28,30(37),31(36),32,34-nonadecaene Chemical compound N1=C(N=C2[C]3C=C(C)C(C)=CC3=C(N=C3C4=CC(C)=C(C)C=C4C(=N4)N3)N2)[C](C=C(C(C)=C2)C)C2=C1N=C1C2=CC(C)=C(C)C=C2C4=N1 WPYMZALMVVFPJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000219495 Betulaceae Species 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010469 Glycine max Nutrition 0.000 description 1
- 244000068988 Glycine max Species 0.000 description 1
- 101100247598 Hordeum vulgare RCAA gene Proteins 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDPAVWAQGBGGHD-UHFFFAOYSA-N aceanthrylene Chemical group C1=CC=C2C(C=CC3=CC=C4)=C3C4=CC2=C1 JDPAVWAQGBGGHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004054 acenaphthylenyl group Chemical group C1(=CC2=CC=CC3=CC=CC1=C23)* 0.000 description 1
- HXGDTGSAIMULJN-UHFFFAOYSA-N acetnaphthylene Natural products C1=CC(C=C2)=C3C2=CC=CC3=C1 HXGDTGSAIMULJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUVXQFBFIFIDDU-UHFFFAOYSA-N aluminum phthalocyanine Chemical compound [Al+3].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 HUVXQFBFIFIDDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002102 aryl alkyloxo group Chemical group 0.000 description 1
- KNNXFYIMEYKHBZ-UHFFFAOYSA-N as-indacene Chemical compound C1=CC2=CC=CC2=C2C=CC=C21 KNNXFYIMEYKHBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Chemical group 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 125000000332 coumarinyl group Chemical class O1C(=O)C(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- SMBQBQBNOXIFSF-UHFFFAOYSA-N dilithium Chemical compound [Li][Li] SMBQBQBNOXIFSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQQKMOJOCZFMSV-UHFFFAOYSA-N dilithium phthalocyanine Chemical compound [Li+].[Li+].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 HQQKMOJOCZFMSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTGNKBZWQHIEH-UHFFFAOYSA-N heptalene Chemical compound C1=CC=CC=C2C=CC=CC=C21 DDTGNKBZWQHIEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N hexabenzobenzene Natural products C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKIFBGYEEVFWTJ-UHFFFAOYSA-N hexaphene Chemical compound C1=CC=C2C=C3C4=CC5=CC6=CC=CC=C6C=C5C=C4C=CC3=CC2=C1 PKIFBGYEEVFWTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- SKEDXQSRJSUMRP-UHFFFAOYSA-N lithium;quinolin-8-ol Chemical compound [Li].C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 SKEDXQSRJSUMRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- LBAIJNRSTQHDMR-UHFFFAOYSA-N magnesium phthalocyanine Chemical compound [Mg].C12=CC=CC=C2C(N=C2NC(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2N1 LBAIJNRSTQHDMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007431 microscopic evaluation Methods 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNDZMQXAYSNTMT-UHFFFAOYSA-N n-(4-naphthalen-1-ylphenyl)-4-[4-(n-(4-naphthalen-1-ylphenyl)anilino)phenyl]-n-phenylaniline Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 PNDZMQXAYSNTMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXDKXSVLBIJODL-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-anthracen-9-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylanthracen-9-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=C2C=CC=CC2=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=C3C=CC=CC3=2)C=C1 TXDKXSVLBIJODL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMQCLPPEEURTMR-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-fluoranthen-8-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylfluoranthen-8-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C(C=3C=CC=C4C=CC=C2C=34)=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C(C=4C=CC=C5C=CC=C3C=45)=CC=2)C=C1 OMQCLPPEEURTMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLFVVZKSHYCRDR-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-2-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-2-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)C=C1 BLFVVZKSHYCRDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUBWJINDFCNHLI-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-perylen-2-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylperylen-2-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C=3C=CC=C4C=CC=C(C=34)C=3C=CC=C(C2=3)C=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=4C=CC=C5C=CC=C(C=45)C=4C=CC=C(C3=4)C=2)C=C1 LUBWJINDFCNHLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUPXWIUQIGEYST-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-phenanthren-2-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylphenanthren-2-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C(C3=CC=CC=C3C=C2)=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C(C4=CC=CC=C4C=C3)=CC=2)C=C1 TUPXWIUQIGEYST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCILFNGBMCSVTF-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-[4-(n-anthracen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]phenyl]-n-phenylanthracen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=CC=2)C=C1 QCILFNGBMCSVTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBHXGUASDDSHGV-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 NBHXGUASDDSHGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJSTZCQRFUSBJV-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-[n-(1,2-dihydroacenaphthylen-3-yl)anilino]phenyl]phenyl]-n-phenyl-1,2-dihydroacenaphthylen-3-amine Chemical group C1=CC(C2=3)=CC=CC=3CCC2=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=2CCC3=CC=CC(C=23)=CC=1)C1=CC=CC=C1 RJSTZCQRFUSBJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBMXAWJSNIAHFR-UHFFFAOYSA-N n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(NC=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)=CC=C21 SBMXAWJSNIAHFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWRJQLUJZULBFM-UHFFFAOYSA-N n-phenyl-n-[4-[4-(n-tetracen-2-ylanilino)phenyl]phenyl]tetracen-2-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C=C3C=C4C=CC=CC4=CC3=CC2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=C4C=C5C=CC=CC5=CC4=CC3=CC=2)C=C1 FWRJQLUJZULBFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N n-vinylcarbazole Chemical compound C1=CC=C2N(C=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N nifuroxazide Chemical group C1=CC(O)=CC=C1C(=O)N\N=C\C1=CC=C([N+]([O-])=O)O1 YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- NRZWYNLTFLDQQX-UHFFFAOYSA-N p-tert-Amylphenol Chemical compound CCC(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 NRZWYNLTFLDQQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- JZRYQZJSTWVBBD-UHFFFAOYSA-N pentaporphyrin i Chemical compound N1C(C=C2NC(=CC3=NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 JZRYQZJSTWVBBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQFOGDIWKQWFMN-UHFFFAOYSA-N phenalene Chemical compound C1=CC([CH]C=C2)=C3C2=CC=CC3=C1 NQFOGDIWKQWFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 1
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N prop-2-enylbenzene Chemical compound C=CCC1=CC=CC=C1 HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 125000006413 ring segment Chemical group 0.000 description 1
- FMKFBRKHHLWKDB-UHFFFAOYSA-N rubicene Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC3=C2C1=C1C=CC=C2C4=CC=CC=C4C3=C21 FMKFBRKHHLWKDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEMQMWWWCBYPOV-UHFFFAOYSA-N s-indacene Chemical compound C=1C2=CC=CC2=CC2=CC=CC2=1 WEMQMWWWCBYPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- JACPFCQFVIAGDN-UHFFFAOYSA-M sipc iv Chemical compound [OH-].[Si+4].CN(C)CCC[Si](C)(C)[O-].C=1C=CC=C(C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=N3)C=1C3=CC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 JACPFCQFVIAGDN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 150000001629 stilbenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000979 synthetic dye Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001897 terpolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003698 tetramethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- RPVGLMKJGQMQSN-UHFFFAOYSA-N tiliquinol Chemical compound C1=CC=C2C(C)=CC=C(O)C2=N1 RPVGLMKJGQMQSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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Description
センス装置に関する。より詳細には、本発明は、導電性
有機層から発光する装置に関する。
「EL装置」とも称する)には、電極がエレクトロルミ
ネセンス媒体により分離され間隔をあけた状態で含まれ
ているが、このエレクトロルミネセンス媒体は、電極間
に印加した電位差に応答して電磁放射線、典型的には光
を発する。このエレクトロルミネセンス媒体は、ただ単
に発光することができなければならないばかりでなく連
続状に作製できなければならず(即ち、ピンホールがあ
ってはならない)、そして容易に作製されるとともに装
置の動作に耐えるに十分な程度に安定でなければならな
い。
ル等(Mehl et al)による米国特許第3,5
30,325号、ウイリアムズ(Williams)に
よる米国特許第3,621,321号、タング(Tan
g)による米国特許第4,356,429号、バンスリ
ーケ等(VanSlyke et al)による米国特
許第4,539,507号及び第4,720,432号
並びにタング等による米国特許第4,769,292号
及び第4,885,211号が挙げられる。
改良にもかかわらず、今なお存在する課題は、周囲雰囲
気下の一定レベルの湿分にその有機EL装置がさらされ
る環境下ではダークスポットが形成されることであっ
た。ダークスポットの挙動を示す有機EL装置の顕微鏡
分析は、有機エレクトロルミネセンス媒体とカソードの
界面で生じるカソードの酸化を明らかにした。有機エレ
クトロルミネセンス媒体とカソードの界面におけるその
金属の酸化が有機EL装置の有効領域の電流に対する抵
抗性の障壁となるものと信じられている。有機EL装置
の一定領域に電流が流れないと、有機EL装置の他の領
域が発光している場合でもエレクトロルミネセンスは起
こらず、その結果はダークスポットと見なされる。本発
明の目的は、有機EL装置のダークスポットの出現を減
少させることである。本発明のさらなる目的は、薄膜蒸
着法による形成と適合するカソード特性が向上した有機
EL装置を提供することである。
と、アノードと、有機エレクトロルミネセンス媒体とカ
ソードとを順次含んでなる有機エレクトロルミネセンス
装置に向けられる。この有機エレクトロルミネセンス装
置は、前記カソードが、アルカリ金属以外の複数種の金
属であって当該金属の少なくとも一種の仕事関数が4eV
未満であるものから実質的になる層を含んでなり、且
つ、前記カソード上に、前記有機エレクトロルミネセン
ス媒体の少なくとも一種の有機成分と、仕事関数が4.
0eV〜4.5eVの範囲にあって周囲湿分の存在下で酸化
されうる少なくとも一種の金属との混合物を含む保護層
が被覆されていることを特徴とする。
100を第1図に示す。このEL装置は、光透過性アノ
ード104を上に塗布した光透過性基板102から構成
されている。アノードの上には、有機エレクトロルミネ
センス媒体106が設けられている。図示されているよ
うに、有機エレクトロルミネセンス媒体は、(1)正孔
注入・輸送帯域108と、(2)正孔輸送層と接合11
6を形成している電子注入・輸送帯域114とに分けら
れる。正孔注入・輸送帯域108は、さらに、(a)ア
ノードと接触している正孔注入層110と(b)その上
に設けた正孔輸送層112とに分けられる。
センス媒体を有する電子注入インターフェース(界面)
120上で形成する。保護層122をそのカソード上に
堆積する。使用に際して、アノード104とカソード1
18とを、それぞれ導体124と126とにより外部電
源Vに接続する。電源は、連続直流若しくは交流電流電
圧源であっても、断続電流電圧源であってもよい。適当
なスイッチ回路を含んでいる、カソードに対してアノー
ドを正にバイアスできる適当な通常の電源を用いること
ができる。アノードかカソードは、大地電位であること
ができる。
も電位が高いときに順方向にバイアスされるダイオード
とみなすことができる。これらの条件下で、正孔が、ア
ノードから正孔注入・輸送帯域106の正孔注入層11
0に注入される。正孔は、正孔輸送層112と接合11
6を介して、電子注入・輸送帯域114に輸送される。
同時に、カソード118から電子注入・輸送帯域114
に電子が注入される。正孔を充填する際に、移動電子が
伝導帯電位から価電子帯に降下するとき、エネルギーが
光として放出される。別の構成を選択して、放出された
光を、電極を分離している有機エレクトロルミネセンス
媒体の一つ以上の端を介するか、アノードと基板を介す
るか、カソードを介するか、上記の組み合わせを介して
放射することができる。有機エレクトロルミネセンス媒
体がかなり薄いので、通常、2つの電極のうちの一つを
介して光を放射することが好ましい。図示されている好
ましい形態のEL装置では、アノードと基板を、とりわ
け、光透過性となるように構成することにより、これら
の要素を介して放射を容易にする。
動方向が逆になり、有機エレクトロルミネセンス媒体の
可動電荷キャリヤーが枯渇し、そして光の放射が終了す
る。AC電源を用いると、EL装置の内部接合が、各周
期の一部分で順方向にバイアスされ、そして周期の残り
の部分で逆にバイアスされる。
に、カソードは、有機エレクトロルミネセンス媒体と接
触している比較的低い(4.0eV未満)仕事関数を有す
る少なくとも1種の金属を含有しなければならない。し
たがって、カソードの界面に存在する最も低い仕事関数
の金属は、特に酸化されやすい。有機EL装置を取り巻
いている周囲雰囲気中に湿分があると、低仕事関数の金
属が限定された量でしか存在しないか、もっと高い仕事
関数の金属をオーバーコートした場合であっても、カソ
ードの低仕事関数金属と有機エレクトロルミネセンス媒
体との界面で酸化が生じることが観察された。
EL装置のカソードの材料と操作に固有のものであるの
で、さらなる寄与因子がある。薄膜形成法により有機E
L装置を構成する際には、カソードは稀れに約2mm厚を
超えるが、好ましくは約5000オングストローム未満
の厚さとなる。この薄膜堆積(蒸着)法、例えば真空蒸
着法およびスパッタリング法などを用いて不浸透な層を
製作することなく上記厚さの範囲内のカソードを製作す
る。ミクロチャンネル(顕微鏡的局部破壊)は、有機エ
レクトロルミネセンス媒体とカソードの界面にカソード
を介する湿分の移動を可能にするカソードに存在する。
は、仕事関数4.0〜4.5eVを有する金属と有機エレ
クトロルミネセンス媒体の少なくとも1種の有機成分の
混合物を含んでなる保護層でカソードをオーバーレイす
ることにより制御することができる。驚くべきことに、
前記金属単独でも有機成分単独でもダークスポット低減
用保護層として役に立たないことが判明した。さらに、
前記金属と有機成分をスーパーインポーズ化した層とし
てうまく塗布した場合も、それらはダークスポットの形
成に対して有機EL装置を安定化する効果はなかった。
る保護層用の金属の選択は、装置の作製中に関連する安
定性を損ねないような金属であって、しかも有機EL装
置に組み込まれる長時間にわたって周囲雰囲気下の湿分
によって酸化するような十分な反応性である金属を提供
する。好ましい仕事関数の範囲内にある代表的な金属と
しては、アルミニウム、バナジウム、クロム、鉄、コバ
ルト、ニッケル、銅、亜鉛、錫、アンチモン、タンタル
および鉛が挙げられる。これらの金属すべてが真空蒸
着、スパッタリングおよび類似の薄膜堆積法によって簡
単に堆積できる。これらの金属は、薄膜共堆積法により
作製するもののような金属のかたまり、混合物としてゆ
っくり酸化するが、これらの金属は、それらの酸化を容
易にするような高表面積対容積比を示す。
EL装置の有機エレクトロルミネセンス媒体を調製する
のに有用であることが既知の多種多様な有機材料のいず
れであってもよい。有機エレクトロルミネセンス媒体に
含まれる有機材料の一つを選ぶ理由は、装置構成で実用
上の利点を提供することにある。保護層は、さらなる有
機材料の堆積能についていかなる要件を付加することな
く形成できる。むしろ、保護層の前記金属と有機成分の
共堆積は、有機エレクトロルミネセンス媒体を調製する
のに用いられる同一の材料と堆積法のいずれかを用いて
行うことができる。例えば、有機エレクトロルミネセン
ス媒体が特定の有機成分で真空蒸着により調製される場
合には、この同一の蒸着法をカソード形成後に金属成分
の同時蒸着に変えるだけで再び使用することができる。
金属成分は共堆積中別々の供給源から独立して供給する
ことが好ましいので、もし存在するとしても、有機エレ
クトロルミネセンス媒体の形成で使用される有機堆積法
をほんのわずか改変することが保護層の共堆積では考慮
される。通常、堆積速度を変えるだけで、保護層の金属
成分に対する有機成分の好ましい割合を達成できる。
は、広範に変えることができる。カソードへの途中で捕
えることができる湿分の量は、保護層に存在する金属の
量によって左右されるので、一般的に約20%の金属を
少なくとも保護層が含むことが好ましい。(特記すると
きを除き、%はそれぞれの場合の総重量基準の重量%で
ある。)有機成分の最低量は、高表面積対容量比を維持
するように金属を十分に分散して保持するのに要する量
である。一般的に有機成分の少なくとも10重量%がこ
の機能を奏するのに十分である。従って、有機成分を保
護層の10〜80%(最適には約20〜70%)とし、
金属を保護層の約20〜90%(最適には約30〜80
%)とすることが一般的に好ましい。
る保護期間は、供給される周囲湿分レベルに対する保護
層に存在する金属量の関数である。保護層の厚さと保護
層における金属の割合が存在させる総金属量を決定す
る。短期間の安定化には、カソードの連続塗布を与える
のに十分ないずれかの保護層の厚さが有効である。一般
的に、カソードの連続被覆を確実にするには、保護層の
厚さとして少なくとも約200オングストローム(最適
には少なくとも約500オングストローム)が考慮され
る。最大の保護層の厚さは塗布設備に依存する。薄膜堆
積法を使用すると保護層の厚さは約2μm以下(最適に
は約1μm以下)が好ましい。
(不安定すぎるので除外される)以外のいずれかの通常
の金属またはそれらの組み合わせで構成できる。ここで
供給する少なくとも1種の金属は、低仕事関数、すなわ
ち約4.0eV未満を示す。低仕事関数の金属が存在しな
い場合には、有機EL装置は有機エレクトロルミネセン
ス媒体への電子注入能が低下するのでかなり低い有効性
を示すことになろう。好ましいカソードは、1種が低い
仕事関数(<4.0eV)を有する金属で、もう1種が
4.0eVより大きい仕事関数を有する金属の組み合わせ
で構成したものが望ましい。金属類は非常に広範な割合
で使用でき、他の金属に対し低仕事関数の金属約1%〜
99%の範囲であり、好ましくはより高い仕事関数の金
属(例えば、この金属は仕事関数>4.0eVを示す)は
カソードの残余を形成する。これらの金属の組み合わせ
は、タング(Tang)等の米国特許第4,885,2
11号(その内容は引用することによって本明細書の内
容となる)に教示されており、それらの組み合わせが本
発明のカソードの具体的な構成として好ましい。タング
等の米国特許第4,885,211号のMg:Agカソ
ードが好ましいカソードの一つを構成する。マグネシウ
ムを少なくとも0.05(好ましくは少なくとも0.
1)%で、アルミニウムを少なくとも80(好ましくは
少なくとも90)%を有するアルミニウム:マグネシウ
ムカソードが、別の好ましいカソードの構成である。ア
ルミニウム:マグネシウムカソードは、上述の同時に特
許出願されたバンスリケ(VanSlyke)らの主題
である。
常の形態をとることができる。典型的には、アノード
は、仕事関数が4.0eVを超える1種の金属又は2種以
上の金属の組み合わせから構成される。仕事関数が4.
0eVを超える金属は、タング等による米国特許第4,8
85,211号(引用によって本明細書の内容となる)
に列挙されている。ルミネセンスがアノードを介して生
じることが好ましいときには、アノードを、酸化インジ
ウム、酸化錫又は最適には酸化インジウム錫(ITO)
等の1種又は複数の光透過性金属酸化物の組み合わせか
ら構成することが好ましい。
ht transmissive)」とは、単純に、記載する層又は要素
が、それが好ましくは少なくとも100nmの間隔で受け
る少なくとも一つの波長の光の50%を超える量を透過
することを意味する。鏡面(非散乱)発光と拡散(散
乱)発光の両方が望ましい装置出力であるので、半透明
材料と透明材料(又は実質的に透明な材料)の両方が有
効である。また、ほとんどの場合、有機EL装置の光透
過層又は要素は、無色であるか中性の光学濃度を有し、
即ち、一つの層が別の層と比較して、一つの波長におい
て著しく高い光吸収を示すことはない。しかしながら、
光透過性電極基板又は別個に重畳するフィルム若しくは
要素は、必要に応じて、発光トリミングフィルムとして
作用するように光吸収性を調整できることは勿論であ
る。このような電極構成については、例えば、フレミン
グ(Fleming)による米国特許第4,035,6
86号に公表されている。電極の光透過性導電層は、受
ける光の波長又は波長の倍数に近似した厚さに作製され
ている場合には、干渉フィルターとして作用することが
できる。
護層の有機成分は、タングによる米国特許第4,35
6,429号、バンスリケ等による米国特許第4,53
9,507号、タング等による米国特許第4,769,
292号及び第4,885,211号に公表されている
有機EL装置の有機エレクトロルミネセンス媒体を形成
するものとして教示されている有機材料のいずれか1種
または組み合わせから選択することができる。これらの
特許に公表されている事柄は、引用により本明細書の内
容となる。有機エレクトロルミネセンス媒体は真空蒸着
または溶液塗布される1種以上の材料から形成できる
が、保護層の有機成分は溶液形成性以外、例えば真空蒸
着、スパッタリングまたは類似の薄膜堆積法によって堆
積できる材料から選ばれる。
めには、有機エレクトロルミネセンス媒体を、少なくと
も2種の異なる帯域、即ち、電子注入・輸送帯域(典型
的には単一層)と正孔注入・輸送帯域とから構成するの
が好ましい。正孔注入・輸送層は単一層として構成でき
るが、正孔注入層と正孔輸送層とから構成するのが最も
効率的である。
ィリン系化合物を含有する層が、内部接合有機EL装置
の正孔注入層を構成する。ポルフィリン系化合物は、ポ
ルフィリン構造に由来するかポルフィリン構造を含んだ
いずれの化合物でもよく、天然でも合成でもよい。アル
ダー等(Alder et al)による米国特許第
3,935,031号やタングによる米国特許第4,3
56,429号に公表されているいずれのポルフィリン
系化合物を用いてもよい。これらの特許に公表されてい
る事柄は、引用により本明細書の内容となる。ポルフィ
リン系化合物は、下記の構造式(I)で表されるものが
好ましい。
り、Mは金属、金属酸化物又は金属ハロゲン化物であ
り、Rは水素、アルキル、アラルキル、アリール又はア
ルクアリールであり、T1 及びT2 は、水素を表すか、
いっしょになって不飽和6員環を形成するが、この不飽
和6員環はアルキルかハロゲン等の置換基を含んでいて
もよい。アルキル成分は炭素数が約1〜6であることが
好ましく、アリール成分はフエニルが好ましい。別の好
ましい態様においては、ポルフィリン系化合物は、構造
式(I)のものとは、下式(II)に示すように金属原子
が2つの水素原子でおきかわっている点で異なる。
しい例は、金属を含まないフタロシアニン類及び金属含
有フタロシアニン類である。一般的にポルフィリン系化
合物、特にフタロシアニン類は、いずれの金属を含有し
てもよく、この金属は2価以上の正の原子価を有するこ
とが好ましい。好ましい金属としては、例えば、コバル
ト、マグネシウム、亜鉛、パラジウム、ニッケル、そし
て特に銅、鉛及び白金が挙げられる。
挙げる。 PC−1: ポルフィン PC−2: 1,10,15,20−テトラフェニル−
21H,23H−ポルフィン銅(II) PC−3: 1,10,15,20−テトラフェニル−
21H,23H−ポルフィン亜鉛(II) PC−4: 5,10,15,20−テトラキス(ペン
タフルオロフェニル)21H,23H−ポルフィン PC−5: シリコンフタロシアニンオキシド
1種の正孔輸送芳香族第三アミンを含有している。この
芳香族第三アミンは、炭素原子(そのうちの一つは芳香
環の環員である)にのみ結合している少なくとも一個の
3価の窒素原子を含有する化合物である。一態様におい
ては、芳香族第三アミンは、モノアリールアミン、ジア
リールアミン、トリアリールアミン又は高分子アリール
アミン等のアリールアミンでよい。低分子トリアリール
アミンは、クラプフル等(Klupfeletal)に
よる米国特許第3,180,730号に列示されてい
る。ビニルかビニレンラジカルで置換されそして/又は
少なくとも一個の水素含有基を含有している他の適当な
トリアリールアミンは、ブラントレイ等(Brantl
ey etal)による米国特許第3,567,450
号及び第3,658,520号に公表されている。
くとも二個の芳香族第三アミン成分を含むものである。
このような化合物としては、以下の構造式(III) で表さ
れるものが挙げられる。
芳香族第三アミン成分であり、Gは、アリーレン基、シ
クロアルキレン基、アルキレン基又は炭素−炭素結合で
ある。構造式(III) を満足し、そして2個のトリアリー
ル成分を含有する特に好ましい種類のトリアリールアミ
ンは、以下の構造式(IV)を満足するものである。
原子、アリール基又はアルキル基を表すか、R1 とR2
がいっしょになってシクロアルキル基を完成している原
子を表し、R3 及びR4 は、各々独立して、下式(V)
で示されるようなジアリール置換アミノ基で置換された
アリール基を表す。
選択されたアリール基である。別の好ましい種類の芳香
族第三アミンは、テトラアリールジアミンである。テト
ラアリールジアミンは、アリーレン基を介して結合した
式(V)で示されるようなジアリール基を2個含むこと
が好ましい。好ましいテトラアリールジアミンとして
は、下式(VI)により表されるものが挙げられる。
は、1〜4の整数であり、Ar,R7 ,R8 及びR
9 は、独立して選択されたアリール基である。上記の構
造式(III),(IV),(V)及び(VI)の種々のアルキ
ル、アルキレン、アリール及びアリーレン成分は、各々
置換されていてもよい。典型的な置換基としては、例え
ば、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリール
アルコキシ基並びにフッ素、塩素及び臭素等のハロゲン
が挙げられる。種々のアルキル及びアルキレン成分は、
典型的には、炭素数が約1〜5である。シクロアルキル
成分の炭素数は約3〜10であるが、典型的には、5
個、6個又は7個の環炭素原子を含み、例えば、シクロ
ペンチル、シクロヘキシル及びシクロヘプチル環構造を
有している。アリール及びアリーレン成分は、フェニル
及びフェニレン構造であることが好ましい。
ウイック等(Berwick etal)による米国特
許第4,175,960号やバン・スリケ等(Van
Slyke et al)による米国特許第4,53
9,507号に公表されている。バーウイックは、さら
に、有用な正孔輸送化合物として、上記で公表したジア
リール及びトリアリールアミンの環ブリッジ変体とみな
すことができるN置換カルバゾールを公表している。
がって、上記した芳香族第三アミンにおいて第三窒素原
子に直接結合した一個以上のアリール基を、少なくとも
2個の縮合芳香環を含有する芳香族成分に代えることに
より、短期間動作中と長期間動作中の両方のより高度の
有機EL装置安定性を達成することが可能である。短期
間(0〜50時間)動作と長期間(0〜300+ 時間)
動作の安定が得られる最もよい組み合わせは、芳香族第
三アミンが(1)少なくとも2個の第三アミン成分を含
んでなり、そして(2)第三アミン窒素原子に結合して
少なくとも2個の縮合芳香族環を含有している芳香族成
分を含んでいるものである。以下に、少なくとも2個の
縮合芳香族環と10〜24個の環炭素原子を含有する芳
香族化合物を例示する。
−インダセン、s−インダセン、アセナフチレン、フェ
ナレン、フェナントレン、アントラセン、フルオロアン
スレン、アセフェナトリレン、アセアントリレン、トリ
フェニレン、ピレン、クリセン、ナフタセン、プレイア
デン、ピセン、ペリレン、ペンタフェン、ヘキサフェ
ン、ルビセン、及びコロネン。
16個の環炭素原子を有することが好ましい。不飽和5
〜7員環を芳香6員環(即ち、ベンゼン環)と縮合して
有用な縮合芳香環成分を形成できるが、縮合芳香環成分
が少なくとも2個の縮合ベンゼン環を含むことが一般的
に好ましい。2個の縮合ベンゼン環を含有する縮合芳香
環成分の最も簡単な形態は、ナフタリンである。したが
って、好ましい芳香環成分はナフタリン成分であるが、
ナフタリン成分はナフタリン環構造を含有する全ての化
合物が含まれる。一価の形態では、ナフタリン成分は、
ナフチル成分であり、そして二価の形態では、ナフタリ
ン成分はナフチレン成分である。
る。 ATA−1: 1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミ
ノフェニル)シクロヘキサン ATA−2: 1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミ
ノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン ATA−3: 4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)カ
ドリフェニル ATA−4: ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチル
フェニル)フェニルメタン ATA−5: N,N,N−トリ(p−トリル)アミン ATA−6: 4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−
〔4(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン ATA−7: N,N,N′,N′−テトラ−p−トリ
ル−4,4′−ジアミノビフェニル ATA−8: N,N,N′,N′−テトラフェニル−
4,4′−ジアミノビフェニル ATA−9: N−フェニルカルバゾール ATA−10: ポリ(N−ビニルカルバゾール)
ル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−12: 4,4″−ビス〔N−(1−ナフチ
ル)−N−フェニルアミノ〕−p−ターフェニル ATA−13: 4,4′−ビス〔N−(2−ナフチ
ル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−14: 4,4′−ビス〔N−(3−アセナフ
テニル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−15: 1,5−ビス〔N−(1−ナフチル)
−N−フェニルアミノ〕ナフタリン ATA−16: 4,4′−ビス〔N−(9−アントリ
ル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−17: 4,4″−ビス〔N−(1−アントリ
ル)−N−フェニルアミノ〕−p−ターフェニル ATA−18: 4,4′−ビス〔N−(2−フェナン
トリル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−19: 4,4′−ビス〔N−(8−フルオラ
ンテニル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−20: 4,4′−ビス〔N−(2−ピレニ
ル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル
ニル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−22: 4,4′−ビス〔N−(2−ペリレニ
ル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−23: 4,4′−ビス〔N−(1−コロネニ
ル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−24: 2,6−ビス(ジ−p−トリルアミ
ノ)ナフタリン ATA−25: 2,6−ビス〔ジ−(1−ナフチル)
アミノ〕ナフタリン ATA−26: 2,6−ビス〔N−(1−ナフチル)
−N−(2−ナフチル)アミノ〕ナフタリン ATA−27: 4,4″−ビス〔N,N−ジ(2−ナ
フチル)アミノ〕ターフェニル ATA−28: 4,4′−ビス{N−フェニル−N−
〔4−(1−ナフチル)フェニル〕アミノ}ビフェニル ATA−29: 4,4′−ビス〔N−フェニル−N−
(2−ピレニル)アミノ〕ビフェニル ATA−30: 2,6−ビス〔N,N−ジ(2−ナフ
チル)アミン〕フルオレン ATA−31: 4,4″−ビス(N,N−ジ−p−ト
リルアミノ)ターフェニル ATA−32: ビス(N−1−ナフチル)(N−2−
ナフチル)アミン
センス媒体の層を形成する際には、通常の電子注入・輸
送化合物(1種以上)を用いることができる。この層
は、アントラセン、ナフタリン、フェナントレン、ピレ
ン、クリセン、ペリレン等の従来から教示されているエ
レクトロルミネセンス材料並びにガーニー等(Gurn
ee et al)による米国特許第3,172,86
2号、ガーニーによる米国特許第3,173,050
号、ドレスナー(Dresner)、「アントラセンに
おける二重注入エレクトロルミネセンス(Double Inject
ion Electroluminescence)」、アールシーエイ・レビュ
ー(RCA Review) 、第30巻、322〜334(196
9)及びドレスナーによる米国特許第3,710,16
7号に例示されているような約8個以下の縮合環を含有
する他の縮合環ルミネセンス材料により形成できる。
形成するのに有用なものは、上記したタングによる米国
特許第4,356,429号に開示されている1,4−
ジフェニルブタジエン及びテトラフェニルブタジエン等
のブタジエン類;クマリン類;並びにトランススチルベ
ン等のスチルベン類である。
することができるさらに他の薄膜形成電子注入・輸送帯
域化合物は、螢光増白剤、特に上記したバンスリケ等に
よる米国特許第4,539,507号に開示されている
ものである。有用な螢光増白剤としては、例えば、構造
式(VII) 及び(VIII)を満足するものが挙げられる。
ぞれ独立して水素;炭素数が1〜10の飽和脂肪族炭化
水素、例えば、プロピル、t−ブチル、ヘプチル等;炭
素数が6〜10のアリール、例えば、フェナントレン及
びナフチル;又はクロロ、フルオロ等のハロ;又はR1
とR2 又はR3 とR4は、いっしょに、必要に応じてメ
チル、エチル、プロピル等の炭素数1〜10の少なくと
も一個の飽和脂肪族炭化水素を有する縮合芳香環を完成
するのに必要な原子を構成し;
等の炭素数1〜20の飽和脂肪族炭化水素;炭素数6〜
10のアリール、例えば、フェニル及びナフチル;カル
ボキシル;水素;シアノ;又はハロ、例えば、クロロ、
フルオロ等であるが、但し、式(VII) においては、
R3 ,R4 及びR5 のうちの少なくとも2つは、炭素数
3〜10の飽和脂肪族炭化水素、例えば、プロピル、ブ
チル、ヘプチル等であり;Zは、−O−,−NH−又は
−S−であり;そしてYは、−R6 −(CH=CH−)
R6 −、
−(CH=CH−)n −、
は、炭素数6〜10のアリーレン、例えば、フェニレン
及びナフチレンであり;そしてZ′及びZ″は、各々独
立してN又はCHである)を表す。
化水素(aliphatic)」には、未置換脂肪族炭
化水素だけでなく置換脂肪族炭化水素も含まれる。置換
脂肪族炭化水素の場合における置換基としては、例え
ば、炭素数1〜5のアルキル、例えば、メチル、エチ
ル、プロピル等;炭素数6〜10のアリール、例えば、
フェニル及びナフチル;クロロ、フルオロ等のハロ;ニ
トロ;及び炭素数1〜5のアルコキシ、例えば、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ等が挙げられる。
71年発行の「ケミストリー・オブ・シンセティック・
ダイズ(Chemistry of Synthetic Dyes)の第5巻の第6
18〜637頁及び第640頁に列挙されている。まだ
薄膜形成性となっていないものは、脂肪族炭化水素成分
を一方又は両方の末端環に結合させることにより薄膜形
成性とすることができる。
の形成に使用するのに特に好ましいものは、オキシンの
キレート(一般的に「8−キノリノール」又は「8−ヒ
ドロキシキノリン」とも称する)をはじめとする金属キ
レートオキシノイド化合物である。このような化合物
は、両方とも性能が高レベルであり、そして容易に薄膜
に作製できる。使用できるオキシノイド化合物として、
以下の模造式(IX)を満足するものが挙げられる。
の整数であり;そしてZは、各々独立して少なくとも2
個の縮合芳香環を有する核を完成している原子を表す。
上記のことから明らかなように、金属は、一価、二価又
は三価の金属である。金属は、例えば、リチウム、ナト
リウム若しくはカリウム等のアルカリ金属;マグネシウ
ム若しくはカルシウム等のアルカリ土類金属;又は硼素
若しくはアルミニウム等の土類金属であることができ
る。一般的には、有用なキレート金属であることが知ら
れている一価、二価又は三価の金属を用いることができ
る。
くとも1個はアゾール又はアジン環である)を含有する
複素環核である。必要に応じて、脂肪族環と芳香環の両
方を含めたさらなる環を、2個の必要な環と縮合でき
る。機能を向上することなく分子の嵩が増加するのを避
けるために、環原子の数は、18個以下に維持すること
が好ましい。
に例示する。 CO−1: アルミニウムトリソキシン〔トリス(8−
キノリノール)アルミニウムとも称される〕 CO−2: マグネシウムビオキシン〔ビス(8−キノ
リノール)マグネシウムとも称される〕 CO−3: ビス〔ベンゾ{f}−8−キノリノール〕
亜鉛 CO−4: アルミニウムトリス(5−メチルオキシ
ン)〔トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミ
ニウムとも称される〕 CO−5: インジウムトリソキシン〔トリス(8−キ
ノリノール)インジウムとも称される〕 CO−6: リチウムオキシン〔8−キノリノールリチ
ウムとも称される〕 CO−7: ガリウムトリス(5−クロロオキシン)
〔トリス(5−クロロ−8−キノリノール)ガリウムと
も称される〕 CO−8: カルシウムビス(5−クロロオキシン)
〔ビス(5−クロロ−8−キノリノール)カルシウムと
も称される〕 CO−9: ポリ〔亜鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ
−5−キノリニル)メタン〕 CO−10: ジリチウムエピンドリジオン
ミネセンス媒体の総厚さを1μm(10,000オング
ストローム)未満に限定することにより、比較的低い電
極間電圧を用いながら、効率的な発光と両立する電流密
度を維持することが可能である。1μm未満の厚さで、
20ボルトの電圧を印加すると、2×105 ボルト/cm
を超えるフィールドポテンシャルが得られ、これは、効
率的な発光と両立する。有機ルミネセンス媒体の厚さが
一桁減少(0.1μm、即ち、1000オングストロー
ムに減少)すると、印加電圧を更に減少でき及び/又は
フィールドポテンシャルをさらに増加できるので、電流
密度は、十分に装置構造の能力範囲内である。
は、有機EL装置の電気的バイアスで電極が短絡するの
を防止するために絶縁バリヤーを提供することである。
ただ一つのピンホールが有機エレクトロルミネセンス媒
体を通って延びても、短絡が生じる。例えば、アントラ
セン等の単一の高結晶性ルミネセンス材料を用いた従来
の有機EL装置とは異なり、本発明のEL装置は、短絡
なしに、有機ルミネセンス媒体の総厚さが極めて小さい
状態に作製できる。この理由の一つは、3層に重畳(ス
ーパーインポーズ)した層が存在するので、電極間に伝
導路を形成するように整列されている層にピンホールが
生じる可能性が減少するからである。このことにより、
有機ルミネセンス媒体の層のうちの一層又は2層でさえ
も、許容できるEL装置の性能と信頼性を保持しなが
ら、コーティングでフィルムを形成するには理想的でな
い材料から形成できる。
るのに好ましい材料は、薄膜の形態に作製できるもの、
即ち、厚さが0.5μm(5000オングストローム)
未満の連続層の形態に作製できるものである。有機ルミ
ネセンス媒体の一層以上の層を溶媒塗布するときには、
被膜形成性高分子バインダーを活物質とともに共堆積し
て、ピンホール等の構造欠陥のない連続層を確実に形成
することができる。もしバインダーを用いるならば、バ
インダーは、それ自体、高絶縁耐力、好ましくは少なく
とも約2×106 ボルト/cmを示さなければならないこ
とは言うまでもない。多種多様な既知の溶液流延付加及
び縮合重合体から適当なポリマーを選ぶことができる。
適当な付加重合体を例示すると、スチレン、t−ブチル
スチレン、N−ビニルカルバゾール、ビニルトルエン、
メチルメタクリレート、メチルアクリレート、アクリロ
ニトリル及びビニルアセテートの重合体及び共重合体
(ターポリマーも含む)が挙げられる。適当な縮合重合
体を例示すると、ポリエステル、ポリカーボネート、ポ
リイミド及びポリスルホンが挙げられる。活物質が不必
要に希釈されるのを避けるために、バインダーは、層を
形成する材料の総重量に対して50重量%未満に限定す
ることが好ましい。
る活物質は、薄膜形成性材料であるとともに真空蒸着で
きるものが好ましい。真空蒸着では、極めて薄く欠陥の
ない連続層が形成できる。具体的には、十分なEL装置
性能を維持しながら、個々の層を約50オングストロー
ムと非常に薄くすることができる。真空蒸着ポルホリン
化合物を正孔注入層として用い、薄膜形成芳香族第三ア
ミンを正孔輸送層として用い、そしてキレートオキシノ
イド化合物を電子注入・輸送層として用いるとき、約5
0〜5000オングストロームの範囲の厚さが可能であ
るが、層厚さは、100〜2000オングストロームが
好ましい。有機ルミネセンス媒体の総厚さは、少なくと
も約1000オングストロームが好ましい。
りさらに説明する。用語「原子%(atomic percent)」
は、金属原子の存在総数に対する特定の金属の存在百分
率を示す。換言すれば、モル%に類似しているが、モル
基準ではなく原子基準である。実施例で用いられる用語
「セル(cell)」とは、有機EL装置を意味する。
接尾辞Eを付けた数の実施例は、本発明の実施態様を表
し、一方、接尾辞Cを付けた数の実施例は、バリエーシ
ョンの比較のためにもうけたものである。
の方法で作製した。 a)酸化インジウム錫塗布ガラスからなる透明アノード
を、0.05mmアルミナ研磨剤を用いて数分間研磨後、
イソプロピルアルコールと蒸留水の1:1(容積)混合
物中で超音波洗浄を行った。イソプロピルアルコールで
すすいだ後、トルエンベーパー中に約5分間浸漬した。
トローム)層をアノード上に真空蒸着した。PC−10
は、タングステンフィラメントを用いた石英ボートから
蒸発させた。 c)次に、正孔輸送ATA−1(350オングストロー
ム)層を、PC−10層の上に蒸着した。ATA−1
も、タングステンフィラメントを用いた石英ボートから
蒸発させた。
0オングストローム)層を、ATA−1層上に蒸着し
た。CO−1も、タングステンフィラメントを用いた石
英ボートから蒸発させた。 e)CO−1層上に、10:1の容積比のMgとAlか
ら形成した250オングストロームの注入層と、200
0オングストロームのAlキャップ層とからなるカソー
ドを蒸着した。
てノーランド(商標)60(Norland 60)光
学接着剤をセルの周囲に塗布して、アノードを担持して
いるガラス支持体をガラスカバーに接着することによ
り、セルをカプセル化した。作製直後に動作させたとき
に、セルはダークスポットを示さなかった(即ち、発光
はアノード表面全体にわたって均一であった)。周囲研
究室状態下(標準温度及び圧力又はそれに近い温度又は
圧力で、湿度は気候状態で変化させた状態)で70日間
保存後にセルを動作させたところ、最初に発光のあった
総面積の約25%がダークスポットにより占められた。
オングストロームの保護層をカソード上に真空蒸着した
以外は、実施例1Cを反復した。実施例1Cと同一の条
件で70日間保存後には、初期発光面積に対して実施例
1Cとほぼ同じ割合がダークスポットにより占められ
た。このことは、有機材料CO−1自体は、ダークスポ
ットの形成を減少させるのには効果がないことを示して
いる。
00オングストロームの保護層をカソード上に真空蒸着
した以外は、実施例1Cを反復した。即ち、Mg:Al
電子注入層上に合計4000オングストロームのアルミ
ニウムを蒸着した。実施例1Cと同一の条件で70日間
保存後には、初期発光面積に対して実施例1Cとほぼ同
じ割合がダークスポットにより占められた。このこと
は、追加のアルミニウム自体は、ダークスポットの形成
を減少させるのには効果がないことを示している。
した金属保護層 セルをカプセル化する前に、アルミニウムからなる10
00オングストロームの保護層をカソード上に真空蒸着
(キャップ層を含めて合計3000オングストローム)
した後、CO−1からなる1000オングストロームの
保護層を真空蒸着した以外は、実施例1Cを反復した。
実施例1Cと同一の条件で70日間保存後には、初期発
光面積に対して実施例1Cとほぼ同じ割合がダークスポ
ットにより占められた。このことは、金属保護層と有機
材料保護層とを重畳して組み合わせたものは、ダークス
ポットの形成を減少させるのには効果がないことを示し
ている。
000オングストローム保護層を真空蒸着によりカソー
ド上に堆積させた後セルをカプセル化する以外は、実施
例1Cを反復した。実施例1Cと同一の条件で70日間
保存後、総初期発光面積に対して0.5%未満がダーク
スポットによって占められていた。このことは、有機エ
レクトロルミネセンス媒体有機成分とアルミニウムとの
共堆積がダークスポット形成を減少させるのに有効であ
ることを示す。
グストローム層からなるカソード以外は実施例5Eを反
復した。実施例1Cと同一の条件で70日間保存後、総
初期発光面積に対して0.5%未満がダークスポットに
よって占められていた。このことは、カソード組成が変
化しても本発明の保護層によって同様に保護されること
を示す。
センス媒体の有機成分少なくとも1種と仕事関数が4.
0〜4.5eVの範囲内にあり、周囲湿分の存在下で酸化
されうる金属少なくとも1種との混合物からなる保護層
を、カソード上に供給することによってダークスポット
の形成を防ぐことができる。
れらの個々の層の厚さは、薄すぎそして各要素の厚さの
差違は大きすぎて適切な割合の寸法で描写することがで
きないので、概略的に示されている。
Claims (1)
- 【請求項1】 基板と、アノードと、有機エレクトロル
ミネセンス媒体とカソードとを順次設けてなる有機エレ
クトロルミネセンス装置において、 前記カソードが、アルカリ金属以外の複数種の金属であ
ってその少なくとも一種の仕事関数が4eV未満であるも
のから実質的になる層を含んでなり、且つ、 前記カソード上に、前記有機エレクトロルミネセンス媒
体の少なくとも一種の有機成分と、仕事関数が4.0eV
〜4.5eVの範囲にあって周囲湿分の存在下で酸化され
うる少なくとも一種の金属との混合物を含む保護層が被
覆されていることを特徴とする有機エレクトロルミネセ
ンス装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/557,848 US5047687A (en) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | Organic electroluminescent device with stabilized cathode |
US557848 | 1995-11-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05159881A JPH05159881A (ja) | 1993-06-25 |
JP2846977B2 true JP2846977B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=24227117
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18257191A Expired - Lifetime JP2846977B2 (ja) | 1990-07-26 | 1991-07-23 | 安定化カソードを有する有機エレクトロルミネセンス装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5047687A (ja) |
EP (1) | EP0468440B1 (ja) |
JP (1) | JP2846977B2 (ja) |
AT (1) | ATE112438T1 (ja) |
CA (1) | CA2046243C (ja) |
DE (1) | DE69104298T2 (ja) |
DK (1) | DK0468440T3 (ja) |
ES (1) | ES2061133T3 (ja) |
Families Citing this family (198)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69110922T2 (de) * | 1990-02-23 | 1995-12-07 | Sumitomo Chemical Co | Organisch elektrolumineszente Vorrichtung. |
JPH04175395A (ja) * | 1990-07-06 | 1992-06-23 | Ricoh Co Ltd | 電界発光素子 |
DE69129907T2 (de) * | 1990-11-30 | 1998-12-10 | Idemitsu Kosan Co | Organische elektroluminszente vorrichtung |
US5408109A (en) * | 1991-02-27 | 1995-04-18 | The Regents Of The University Of California | Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers |
US5150006A (en) * | 1991-08-01 | 1992-09-22 | Eastman Kodak Company | Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (II) |
US5151629A (en) * | 1991-08-01 | 1992-09-29 | Eastman Kodak Company | Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (I) |
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- 1991-07-23 DE DE69104298T patent/DE69104298T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-23 DK DK91112317T patent/DK0468440T3/da active
- 1991-07-23 AT AT91112317T patent/ATE112438T1/de not_active IP Right Cessation
- 1991-07-23 ES ES91112317T patent/ES2061133T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-23 JP JP18257191A patent/JP2846977B2/ja not_active Expired - Lifetime
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---|---|
ATE112438T1 (de) | 1994-10-15 |
DE69104298T2 (de) | 1995-02-16 |
CA2046243A1 (en) | 1992-01-27 |
DK0468440T3 (da) | 1994-10-24 |
CA2046243C (en) | 1996-06-25 |
EP0468440B1 (en) | 1994-09-28 |
ES2061133T3 (es) | 1994-12-01 |
US5047687A (en) | 1991-09-10 |
EP0468440A2 (en) | 1992-01-29 |
JPH05159881A (ja) | 1993-06-25 |
DE69104298D1 (de) | 1994-11-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980929 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081030 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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