JP2010156960A5 - 液晶表示装置、表示モジュール、電子機器 - Google Patents

液晶表示装置、表示モジュール、電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP2010156960A5
JP2010156960A5 JP2009268482A JP2009268482A JP2010156960A5 JP 2010156960 A5 JP2010156960 A5 JP 2010156960A5 JP 2009268482 A JP2009268482 A JP 2009268482A JP 2009268482 A JP2009268482 A JP 2009268482A JP 2010156960 A5 JP2010156960 A5 JP 2010156960A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive layer
liquid crystal
layer
crystal display
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2009268482A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010156960A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2009268482A priority Critical patent/JP2010156960A/ja
Priority claimed from JP2009268482A external-priority patent/JP2010156960A/ja
Publication of JP2010156960A publication Critical patent/JP2010156960A/ja
Publication of JP2010156960A5 publication Critical patent/JP2010156960A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Claims (11)

  1. チャネル形成領域において酸化物半導体を有するトランジスタと、
    前記トランジスタの上方の第1の導電層と、
    前記第1の導電層の上方の第2の導電層と、
    前記トランジスタと前記第1の導電層との間に設けられた第1の絶縁膜と、
    前記第1の導電層と前記第2の導電層との間に設けられた第2の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜の上方及び前記第2の導電層の上方の液晶層とを有し、
    前記第1の導電層と前記第2の導電層との間に電界を加えることで、前記液晶層を制御することできる機能を有し、
    前記第1の導電層、又は前記第2の導電層の一方は前記トランジスタと電気的に接続される画素電極を有し、前記第1の導電層、又は前記第2の導電層の他方は共通電極を有し、
    前記第1の絶縁膜は、有彩色の樹脂層を有し、
    前記第1の絶縁膜は、前記画素電極と重なる領域と、前記チャネル形成領域と重なる領域とを有することを特徴とする液晶表示装置。
  2. チャネル形成領域において酸化物半導体を有するトランジスタと、
    前記トランジスタの上方の第1の導電層と、
    前記第1の導電層の上方の第2の導電層と、
    前記トランジスタと前記第1の導電層との間に設けられた第1の絶縁膜と、
    前記第1の導電層と前記第2の導電層との間に設けられた第2の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜の上方及び前記第2の導電層の上方の液晶層とを有し、
    前記第1の導電層と前記第2の導電層との間に電界を加えることで、前記液晶層を制御することできる機能を有し、
    前記第1の導電層、又は前記第2の導電層の一方は前記トランジスタと電気的に接続される画素電極を有し、前記第1の導電層、又は前記第2の導電層の他方は共通電極を有し、
    前記第1の絶縁膜は、遮光層と、有彩色の樹脂層とを有し、
    前記遮光層は、前記チャネル形成領域と重なる領域を有し、
    前記樹脂層は、前記画素電極層と重なる領域を有することを特徴とする液晶表示装置。
  3. 請求項2において、
    前記遮光層は黒色の樹脂を有することを特徴とする液晶表示装置。
  4. 請求項1乃至3のいずれか一項において、
    前記液晶層の上方に遮光層が設けられることを特徴とする液晶表示装置。
  5. 請求項1乃至4のいずれか一項において、
    前記第2の導電層は櫛歯形状であることを特徴とする液晶表示装置。
  6. 請求項1乃至5のいずれか一項において、
    前記酸化物半導体は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有することを特徴とする液晶表示装置。
  7. 請求項1乃至6のいずれか一項において、
    前記液晶層は、ブルー相を示す液晶材料を有することを特徴とする液晶表示装置。
  8. 請求項1乃至7のいずれか一項において、
    前記液晶層は、カイラル剤を有することを特徴とする液晶表示装置。
  9. 請求項1乃至8のいずれか一項において、
    前記液晶層は、樹脂を有し、
    前記樹脂は、光により硬化することができる機能を有することを特徴とする液晶表示装置。
  10. 請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の液晶表示装置と、
    プリント配線基板、又はフレキシブルプリントサーキットとを有する表示モジュール。
  11. 請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の前記液晶表示装置、又は請求項10に記載の前記液晶表示モジュールと、
    操作キー、アンテナ、キーボード、バッテリー、マイク、外部接続用端子、記録媒体挿入部、又はスピーカーとを有する電子機器。
JP2009268482A 2008-12-03 2009-11-26 液晶表示装置 Withdrawn JP2010156960A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009268482A JP2010156960A (ja) 2008-12-03 2009-11-26 液晶表示装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008308787 2008-12-03
JP2009268482A JP2010156960A (ja) 2008-12-03 2009-11-26 液晶表示装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015094779A Division JP6097785B2 (ja) 2008-12-03 2015-05-07 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010156960A JP2010156960A (ja) 2010-07-15
JP2010156960A5 true JP2010156960A5 (ja) 2012-09-06

Family

ID=42222509

Family Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009268482A Withdrawn JP2010156960A (ja) 2008-12-03 2009-11-26 液晶表示装置
JP2015094779A Active JP6097785B2 (ja) 2008-12-03 2015-05-07 半導体装置
JP2017028761A Withdrawn JP2017097383A (ja) 2008-12-03 2017-02-20 液晶表示装置
JP2019230702A Withdrawn JP2020042314A (ja) 2008-12-03 2019-12-20 液晶表示装置
JP2022096243A Withdrawn JP2022120136A (ja) 2008-12-03 2022-06-15 液晶表示装置
JP2023182989A Pending JP2023178423A (ja) 2008-12-03 2023-10-25 液晶表示装置

Family Applications After (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015094779A Active JP6097785B2 (ja) 2008-12-03 2015-05-07 半導体装置
JP2017028761A Withdrawn JP2017097383A (ja) 2008-12-03 2017-02-20 液晶表示装置
JP2019230702A Withdrawn JP2020042314A (ja) 2008-12-03 2019-12-20 液晶表示装置
JP2022096243A Withdrawn JP2022120136A (ja) 2008-12-03 2022-06-15 液晶表示装置
JP2023182989A Pending JP2023178423A (ja) 2008-12-03 2023-10-25 液晶表示装置

Country Status (5)

Country Link
US (7) US8395716B2 (ja)
JP (6) JP2010156960A (ja)
KR (2) KR101551305B1 (ja)
CN (2) CN101750821B (ja)
TW (2) TWI613489B (ja)

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI613489B (zh) 2008-12-03 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
WO2011052366A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage regulator circuit
WO2011145468A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
US8785241B2 (en) * 2010-07-16 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5384464B2 (ja) * 2010-11-01 2014-01-08 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
US9030619B2 (en) 2010-12-10 2015-05-12 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and liquid crystal display device
JP2012129444A (ja) * 2010-12-17 2012-07-05 Mitsubishi Electric Corp アクティブマトリックス基板、及び液晶装置
BR112013015761A2 (pt) 2010-12-27 2018-11-06 Sharp Kk dispositivo semicondutor e método para fabricar o mesmo
KR101742192B1 (ko) * 2011-01-31 2017-06-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
CN102654705A (zh) * 2011-03-23 2012-09-05 京东方科技集团股份有限公司 一种电泳显示器组件及其制造方法
CN102768378A (zh) * 2011-05-10 2012-11-07 京东方科技集团股份有限公司 一种彩色滤光片及其制造方法
KR20130040706A (ko) * 2011-10-14 2013-04-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
CN103988288B (zh) 2011-12-05 2016-10-12 夏普株式会社 半导体装置
CN102629038B (zh) * 2011-12-15 2014-12-24 京东方科技集团股份有限公司 Tft阵列基板及其制作方法和显示装置
JP5917127B2 (ja) 2011-12-19 2016-05-11 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
US9214533B2 (en) 2012-01-31 2015-12-15 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device having transparent electrodes
KR20130089036A (ko) 2012-02-01 2013-08-09 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN102681276B (zh) * 2012-02-28 2014-07-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法以及包括该阵列基板的显示装置
CN102654695A (zh) * 2012-03-23 2012-09-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及应用其的显示装置
KR101295536B1 (ko) * 2012-03-26 2013-08-12 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시장치 및 그 제조 방법
US20150123117A1 (en) * 2012-05-14 2015-05-07 Sharp Kabushshiki Kaisha Semiconductor device and method for manufacturing same
KR102099262B1 (ko) 2012-07-11 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법
DE112013007837B3 (de) 2012-07-20 2023-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung
TWI478354B (zh) * 2012-07-25 2015-03-21 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 薄膜電晶體基板及具備薄膜電晶體基板之顯示裝置
US9595544B2 (en) 2012-08-30 2017-03-14 Sharp Kabushiki Kiasha Thin film transistor substrate and display device
CN103681870B (zh) * 2012-09-13 2016-12-21 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法
CN102866553B (zh) * 2012-09-26 2016-01-20 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种金属氧化物平面开关型液晶显示面板的制造方法
CN102866552B (zh) * 2012-09-26 2015-04-08 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种金属氧化物平面开关型液晶显示面板及其制造方法
JP6351947B2 (ja) * 2012-10-12 2018-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
TWI681233B (zh) * 2012-10-12 2020-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法
CN103018974B (zh) * 2012-11-30 2016-05-25 京东方科技集团股份有限公司 液晶显示装置、多晶硅阵列基板及制作方法
JP2014186724A (ja) * 2013-02-22 2014-10-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
WO2014136612A1 (ja) 2013-03-07 2014-09-12 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP6124668B2 (ja) * 2013-04-26 2017-05-10 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法
DE102014208859B4 (de) 2013-05-20 2021-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
CN103309081B (zh) * 2013-05-30 2016-12-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
TWI636309B (zh) 2013-07-25 2018-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置及電子裝置
KR102068170B1 (ko) * 2013-08-19 2020-01-21 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법
CN103472636A (zh) 2013-09-06 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 液晶显示面板及其驱动方法、显示装置
US9337030B2 (en) 2014-03-26 2016-05-10 Intermolecular, Inc. Method to grow in-situ crystalline IGZO using co-sputtering targets
KR20150146111A (ko) * 2014-06-20 2015-12-31 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN104216183B (zh) 2014-08-28 2017-08-29 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
KR20160114510A (ko) * 2015-03-24 2016-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널
WO2017002144A1 (ja) * 2015-06-29 2017-01-05 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
CN105204254B (zh) * 2015-10-09 2019-01-04 深圳市华星光电技术有限公司 一种tft阵列基板、显示面板及其制作方法
KR102579620B1 (ko) 2016-01-05 2023-09-15 엘지전자 주식회사 디스플레이 디바이스
CN106295540B (zh) * 2016-08-02 2019-08-13 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 采用单一器件实现显示驱动和指纹图像采集的方法
KR20180047551A (ko) 2016-10-31 2018-05-10 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR102594791B1 (ko) * 2016-12-28 2023-10-30 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
CN106842685A (zh) * 2017-03-16 2017-06-13 惠科股份有限公司 一种显示面板及制造方法和显示装置
CN106959536A (zh) * 2017-03-31 2017-07-18 上海中航光电子有限公司 显示面板、制作显示面板的方法及显示装置
JP2019095544A (ja) * 2017-11-21 2019-06-20 三菱電機株式会社 画像表示装置
CN117008384A (zh) * 2017-12-22 2023-11-07 株式会社半导体能源研究所 显示装置
JP7197414B2 (ja) 2019-03-26 2022-12-27 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US10903542B1 (en) 2020-02-25 2021-01-26 The Boeing Company Variable radio frequency attenuator
JP7120291B2 (ja) * 2020-11-17 2022-08-17 凸版印刷株式会社 調光シート及び調光シートの製造方法

Family Cites Families (195)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60170972A (ja) 1984-02-15 1985-09-04 Sony Corp 薄膜半導体装置
JPS60170972U (ja) 1984-04-20 1985-11-13 住友電装株式会社 クランプ
JPH01134336A (ja) * 1987-11-19 1989-05-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JP2844342B2 (ja) 1989-02-28 1999-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
FR2647785B1 (fr) 1989-05-31 1991-09-06 Adir Nouveaux derives de la pyrrolidone, leur procede de preparation et les compositions pharmaceutiques les renfermant
JPH03146927A (ja) * 1989-11-02 1991-06-21 Casio Comput Co Ltd Tftアクティブマトリックス型液晶表示パネルおよびその製造方法
EP0445535B1 (en) 1990-02-06 1995-02-01 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming an oxide film
JP2585118B2 (ja) 1990-02-06 1997-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
US5849601A (en) 1990-12-25 1998-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method for manufacturing the same
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3173854B2 (ja) 1992-03-25 2001-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法及び作成された半導体装置
JP3338481B2 (ja) 1992-09-08 2002-10-28 ソニー株式会社 液晶表示装置
JP3173926B2 (ja) 1993-08-12 2001-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法及びその半導体装置
KR100367869B1 (ko) * 1993-09-20 2003-06-09 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 액정표시장치
JPH08234212A (ja) * 1995-02-28 1996-09-13 Casio Comput Co Ltd 液晶表示素子
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
DE69635107D1 (de) 1995-08-03 2005-09-29 Koninkl Philips Electronics Nv Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement
US5847410A (en) 1995-11-24 1998-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co. Semiconductor electro-optical device
JPH10253976A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Toshiba Corp 液晶表示素子
US6010923A (en) * 1997-03-31 2000-01-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device utilizing annealed semiconductor layer as channel region
KR100262402B1 (ko) 1997-04-18 2000-08-01 김영환 박막 트랜지스터 액정표시소자 및 그의 제조방법
JP3892115B2 (ja) * 1997-07-07 2007-03-14 株式会社半導体エネルギー研究所 ディスプレイ及びディスプレイを備えた装置
DE69810408T2 (de) * 1997-09-17 2003-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Reflektive Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
JPH11119238A (ja) * 1997-10-20 1999-04-30 Sony Corp 反射型液晶表示素子
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Hoya株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
JP3085530B2 (ja) 1998-11-18 2000-09-11 日本電気株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
US7821065B2 (en) 1999-03-02 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a thin film transistor comprising a semiconductor thin film and method of manufacturing the same
KR100654927B1 (ko) 1999-03-04 2006-12-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그의 제작방법
JP2000330134A (ja) 1999-03-16 2000-11-30 Furontekku:Kk 薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置
JP2001066617A (ja) * 1999-08-27 2001-03-16 Nec Corp 液晶表示装置およびその製造方法
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
KR100360381B1 (ko) 1999-12-13 2002-11-13 인더스트리얼 테크놀로지 리써치 인스티튜트 광시야각의 액정 표시 장치용 전극 구조물
KR100661825B1 (ko) 1999-12-28 2006-12-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정 표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조방법
TW494447B (en) 2000-02-01 2002-07-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP3719939B2 (ja) 2000-06-02 2005-11-24 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびその製造方法ならびに表示装置および撮像装置
JP4777500B2 (ja) 2000-06-19 2011-09-21 三菱電機株式会社 アレイ基板およびそれを用いた表示装置ならびにアレイ基板の製造方法
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3949897B2 (ja) * 2001-01-29 2007-07-25 株式会社日立製作所 液晶表示装置
TW575775B (en) 2001-01-29 2004-02-11 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
JP4152623B2 (ja) * 2001-01-29 2008-09-17 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US6757031B2 (en) 2001-02-09 2004-06-29 Prime View International Co., Ltd. Metal contact structure and method for thin film transistor array in liquid crystal display
JP2002323706A (ja) 2001-02-23 2002-11-08 Nec Corp 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
JP3750055B2 (ja) * 2001-02-28 2006-03-01 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP4831450B2 (ja) * 2001-04-17 2011-12-07 大日本印刷株式会社 カラーフィルタ
JP4722319B2 (ja) * 2001-04-26 2011-07-13 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP2002373867A (ja) 2001-06-14 2002-12-26 Idemitsu Kosan Co Ltd 半導体素子用導電性薄膜、半導体素子及びそれらの製造方法
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP2003131240A (ja) * 2001-10-29 2003-05-08 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
US7061014B2 (en) 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4015840B2 (ja) * 2001-11-19 2007-11-28 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 液晶素子
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7002176B2 (en) 2002-05-31 2006-02-21 Ricoh Company, Ltd. Vertical organic transistor
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
JP4627961B2 (ja) 2002-09-20 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
KR100710166B1 (ko) 2003-06-28 2007-04-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그의 제조방법
TWI230462B (en) 2003-09-15 2005-04-01 Toppoly Optoelectronics Corp Thin film transistor structure with self-aligned intra-gate
KR101031669B1 (ko) * 2003-12-30 2011-04-29 엘지디스플레이 주식회사 강유전성 액정배향막을 구비한 반투과형 평면구동모드액정표시소자
JP2005234091A (ja) * 2004-02-18 2005-09-02 Hitachi Displays Ltd 表示装置
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
EP1737044B1 (en) 2004-03-12 2014-12-10 Japan Science and Technology Agency Amorphous oxide and thin film transistor
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
CA2560342C (en) 2004-03-19 2009-08-25 Japan Science And Technology Agency Liquid crystal display device
KR101016284B1 (ko) * 2004-04-28 2011-02-22 엘지디스플레이 주식회사 Cog 방식 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100603835B1 (ko) 2004-05-24 2006-07-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006003520A (ja) 2004-06-16 2006-01-05 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 半透過型液晶表示装置及びその製造方法
JP4717392B2 (ja) 2004-08-13 2011-07-06 富士通株式会社 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
CA2585071A1 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
US7872259B2 (en) 2004-11-10 2011-01-18 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
AU2005302962B2 (en) 2004-11-10 2009-05-07 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide and field effect transistor
JP4882256B2 (ja) 2004-12-06 2012-02-22 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタ
JP4569295B2 (ja) * 2004-12-28 2010-10-27 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI445178B (zh) 2005-01-28 2014-07-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
TWI505473B (zh) 2005-01-28 2015-10-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
WO2006105077A2 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
KR101216688B1 (ko) 2005-05-02 2012-12-31 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR101201017B1 (ko) 2005-06-27 2012-11-13 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101147106B1 (ko) * 2005-06-29 2012-05-17 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시패널 및 그 제조 방법
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機el表示装置およびその製造方法
KR101189275B1 (ko) * 2005-08-26 2012-10-09 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP4850457B2 (ja) * 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP5078246B2 (ja) 2005-09-29 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
EP1998375A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method
JP5064747B2 (ja) 2005-09-29 2012-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101117948B1 (ko) 2005-11-15 2012-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치 제조 방법
JP5250929B2 (ja) * 2005-11-30 2013-07-31 凸版印刷株式会社 トランジスタおよびその製造方法
WO2007066677A1 (en) 2005-12-05 2007-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP4801569B2 (ja) * 2005-12-05 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
EP1793266B1 (en) 2005-12-05 2017-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transflective Liquid Crystal Display with a Horizontal Electric Field Configuration
JP4637815B2 (ja) * 2005-12-05 2011-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及び電子機器
KR20070063969A (ko) * 2005-12-16 2007-06-20 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101229280B1 (ko) 2005-12-28 2013-02-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판과, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 표시 패널
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
US7576394B2 (en) * 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
JP2007212699A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Idemitsu Kosan Co Ltd 反射型tft基板及び反射型tft基板の製造方法
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
JP5110803B2 (ja) 2006-03-17 2012-12-26 キヤノン株式会社 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4572854B2 (ja) * 2006-03-29 2010-11-04 ソニー株式会社 液晶装置及び電子機器
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ZnO TFT
KR101189218B1 (ko) * 2006-04-12 2012-10-09 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
TWI324270B (en) * 2006-05-04 2010-05-01 Au Optronics Corp High color gamut liquid crystal display
TWI617869B (zh) 2006-05-16 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置和半導體裝置
JP2007334317A (ja) 2006-05-16 2007-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置及び半導体装置
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
TW200809353A (en) 2006-07-07 2008-02-16 Hitachi Displays Ltd Optically isotropic liquid crystal materials and display apparatus using the same
JP4940034B2 (ja) * 2006-07-07 2012-05-30 株式会社 日立ディスプレイズ 光学的に等方性を有する液晶材料、これを用いた液晶表示パネル、及び液晶表示装置
JP4449953B2 (ja) 2006-07-27 2010-04-14 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶表示装置
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) * 2006-08-09 2011-01-12 Nec液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP5227502B2 (ja) 2006-09-15 2013-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の駆動方法、液晶表示装置及び電子機器
JP4332545B2 (ja) * 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4952166B2 (ja) * 2006-09-22 2012-06-13 ソニー株式会社 液晶装置
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4885968B2 (ja) * 2006-09-27 2012-02-29 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびそれを備えた液晶表示装置
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5116277B2 (ja) 2006-09-29 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
TWI514347B (zh) 2006-09-29 2015-12-21 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置和電子裝置
JP4932415B2 (ja) 2006-09-29 2012-05-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN100580936C (zh) * 2006-10-04 2010-01-13 三菱电机株式会社 显示装置及其制造方法
JP2008112136A (ja) 2006-10-04 2008-05-15 Mitsubishi Electric Corp 表示装置及びその製造方法
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
JP5216204B2 (ja) 2006-10-31 2013-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及びその作製方法
JP2008130689A (ja) 2006-11-17 2008-06-05 Sharp Corp 薄膜積層デバイスの製造方法及び液晶表示装置の製造方法
KR101425635B1 (ko) 2006-11-29 2014-08-06 삼성디스플레이 주식회사 산화물 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 산화물 박막트랜지스터 기판
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーelディスプレイおよびその製造方法
KR101327795B1 (ko) 2006-12-12 2013-11-11 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR101363555B1 (ko) 2006-12-14 2014-02-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
JP5525692B2 (ja) * 2007-02-22 2014-06-18 三星ディスプレイ株式會社 表示基板とその製造方法、及びこれを具備した表示装置
KR100858088B1 (ko) 2007-02-28 2008-09-10 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
JP5109424B2 (ja) * 2007-03-20 2012-12-26 凸版印刷株式会社 反射型表示装置
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
KR101374102B1 (ko) 2007-04-30 2014-03-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널 및 그 제조 방법
US7746433B2 (en) * 2007-05-01 2010-06-29 Epson Imaging Devices Corporation Liquid crystal display and electronic apparatus
JP5261979B2 (ja) * 2007-05-16 2013-08-14 凸版印刷株式会社 画像表示装置
JP5542296B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR101415561B1 (ko) * 2007-06-14 2014-08-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
CN101349823B (zh) * 2007-07-19 2012-05-30 北京京东方光电科技有限公司 垂直取向模式液晶显示装置及其制造方法
KR20090055357A (ko) * 2007-11-28 2009-06-02 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101423113B1 (ko) * 2007-12-18 2014-07-25 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법
JP5154261B2 (ja) * 2008-02-26 2013-02-27 株式会社ジャパンディスプレイイースト 液晶表示装置
JP5408914B2 (ja) * 2008-07-03 2014-02-05 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示パネル
US7977868B2 (en) * 2008-07-23 2011-07-12 Cbrite Inc. Active matrix organic light emitting device with MO TFT backplane
TWI613489B (zh) 2008-12-03 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
US8928846B2 (en) * 2010-05-21 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having dielectric film over and in contact with wall-like structures
CN103210494B (zh) * 2010-11-10 2016-01-06 夏普株式会社 显示装置用基板及其制造方法、显示装置
KR101976212B1 (ko) * 2011-10-24 2019-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US8785258B2 (en) * 2011-12-20 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR102161077B1 (ko) * 2012-06-29 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN103926760B (zh) * 2013-01-14 2017-08-25 瀚宇彩晶股份有限公司 像素结构及像素阵列基板

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010156960A5 (ja) 液晶表示装置、表示モジュール、電子機器
JP6805285B2 (ja) トランジスタ
WO2019165785A1 (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置及其充电方法
JP2010135760A5 (ja)
JP6099791B2 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2013055062A5 (ja) 画像表示デバイス、モジュール、及び電子機器
JP6328735B2 (ja) 半導体装置
JP2021152671A (ja) 液晶表示装置
JP2008116502A5 (ja)
JP2010107976A5 (ja)
WO2020249009A1 (zh) 显示面板及显示装置
JP2014078027A5 (ja) 液晶表示装置、携帯情報端末、携帯電話
JP2020014010A (ja) トランジスタ
JP2010107977A5 (ja)
KR20130077839A (ko) 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP2016224437A5 (ja)
TW200500761A (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR20120093844A (ko) 반도체 장치
JP2011034090A5 (ja)
JP2008182214A5 (ja)
JP2005327708A5 (ja)
CN102254929A (zh) 显示装置
KR20220137850A (ko) 플렉서블 표시장치 및 그 제조방법
CN204331211U (zh) 一种显示模组及显示装置
CN103869572A (zh) 电子纸显示装置及其电子纸显示屏模组