JP6328735B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 277
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 58
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 58
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 418
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 description 69
- 239000000463 material Substances 0.000 description 56
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 55
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 38
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 37
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 36
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 30
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 30
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 29
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 22
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 18
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 17
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 17
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 11
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 8
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 5
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 208000005156 Dehydration Diseases 0.000 description 3
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019092 Mg-O Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019395 Mg—O Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 3
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 3
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000006213 oxygenation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 description 3
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-M Butyrate Chemical compound CCCC([O-])=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Natural products CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010052128 Glare Diseases 0.000 description 1
- 239000005264 High molar mass liquid crystal Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004974 Thermotropic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000000838 magnetophoresis Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 239000002990 reinforced plastic Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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Description
全般を指し、液晶表示装置などの電気光学装置、半導体回路及び電子機器は全て半導体装
置である。
て薄膜トランジスタ(TFT)を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタは集
積回路(IC)や電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置
のスイッチング素子として開発が急がれている。金属酸化物は多様に存在しさまざまな用
途に用いられている。酸化インジウムはよく知られた材料であり、液晶ディスプレイなど
で必要とされる透明電極材料として用いられている。
、例えば、酸化タングステン、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛などがあり、このよう
な半導体特性を示す金属酸化物をチャネル形成領域とするトランジスタが既に知られてい
る(特許文献1及び特許文献2)。
も電界効果移動度(移動度、μFEとも言う。)が大きいため、動作速度が速く、多結晶
シリコンを用いたトランジスタよりも製造工程が容易であるものの、多結晶シリコンと比
較すると移動度は小さいといった課題があった。
単であることが、求められている。
動度は大きければ大きいほど好ましい。
は、画素部に用いるトランジスタは、オンオフ比が大きく、優れたスイッチング特性が要
求され、駆動回路部に用いるトランジスタには、移動度が大きく、動作速度が速いことが
要求される。特に、表示装置の精細度が高精細であればあるほど、表示画像の書き込み時
間が短くなるため、駆動回路部に用いるトランジスタは速い動作速度とすることが好まし
い。
することを課題の一つとする。
において、酸化物半導体層と酸化物半導体層に接する導電層との接触抵抗(コンタクト抵
抗ともいう。)が電界効果移動度に影響を与えることに着目した。特に、微細なTFTを
形成する場合には、酸化物半導体層と酸化物半導体層に接する導電層の接触面積が小さく
なるため、コンタクト抵抗の影響が非常に大きくなる。
若しくは酸化物半導体層表面に残留してしまう。不純物が残留する酸化物半導体層を半導
体層に用いると、酸化物半導体層に接する導電層とのコンタクト抵抗が上昇し、TFTの
電気特性の一つであるオン電流が低下し、電界効果移動度が低下してしまう。
接する導電層中に水素、水酸基が拡散し酸化物半導体層と導電層との界面に異層が形成さ
れてしまう。
底的に排除して、高い純度の酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層表面に不純物を再
結合させないようにすればよい。
われると、酸化物半導体層中の金属原子に未結合手(ダングリングボンド)が生じる場合
がある。金属原子に生じた未結合手(ダングリングボンド)はキャリア密度を高め、特に
酸化物半導体層表面おいて、水素、又は水酸基と再結合しやすくなる。これにより酸化物
半導体層に接する導電層とのコンタクト抵抗が上昇してしまう。また、酸化物半導体層と
導電層のコンタクト抵抗が上昇すると、TFT電気特性の一つであるオン電流が低下し、
電界効果移動度が低下してしまう。
ングリングボンド)を水素、水酸基以外の安定な結合により終端化させればよい。具体的
には、酸化物半導体層の形成後に、ハロゲン元素を含むガスを用いてプラズマを発生させ
て、酸化物半導体層中の金属原子に生じた未結合手(ダングリングボンド)をハロゲン元
素で終端化させる。
、水酸基で終端化されていても、ハロゲン元素を含むガスを用いてプラズマを発生させる
ことでハロゲン元素に置換され、水素、水酸基で終端化されていた酸化物半導体層は、ハ
ロゲン元素で終端化される。
層を安定化させ、酸化物半導体層に接する導電層とのコンタクト抵抗の増大を抑制するこ
とを技術的思想とする半導体装置の作製方法である。より詳細には以下の通りである。
含むガスによりプラズマ処理を行い、酸化物半導体層上に接してソース電極及びドレイン
電極を離間して形成し、ソース電極及び前記ドレイン電極上に酸化物半導体層と一部が接
するゲート絶縁層を形成し、酸化物半導体層上にゲート絶縁層を介してゲート電極を形成
し、酸化物半導体層表面の未結合手をハロゲン元素で終端化させることを特徴とする半導
体装置の作製方法である。
形成し、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層にハロゲン元素を含
むガスによりプラズマ処理を行い、酸化物半導体層上に接してソース電極及びドレイン電
極を離間して形成し、酸化物半導体層表面の未結合手をハロゲン元素で終端化させること
を特徴とする半導体装置の作製方法である。
ン電極と重ならない酸化物半導体層の一部がエッチングされてもよい。
絶縁層及びゲート電極を形成し、酸化物半導体層の一部が低抵抗化したソース領域及びド
レイン領域を形成し、酸化物半導体層及びゲート電極上に保護絶縁層を形成し、保護絶縁
層にソース領域及びドレイン領域と重畳する部分に開口部を形成し、酸化物半導体層のソ
ース領域及びドレイン領域に対し、ハロゲン元素を含むガスによりプラズマ処理を行い、
酸化物半導体層表面の未結合手をハロゲン元素で終端化させることを特徴とする半導体装
置の作製方法である。
ってもよい。
Iの中で何れか一つの元素を含むガスであってもよい。
よい。
、Cu、Ta、Ti、Mo、Wから選ばれた元素を含む金属で形成してもよい。
−Sn−Ga−Zn−O系の材料や、三元系金属酸化物であるIn−Ga−Zn−O系の
材料、In−Sn−Zn−O系の材料、In−Al−Zn−O系の材料、Sn−Ga−Z
n−O系の材料、Al−Ga−Zn−O系の材料、Sn−Al−Zn−O系の材料や、二
元系金属酸化物であるIn−Zn−O系の材料、Sn−Zn−O系の材料、Al−Zn−
O系の材料、Zn−Mg−O系の材料、Sn−Mg−O系の材料、In−Mg−O系の材
料、In−Ga−O系の材料や、In−O系の材料、Sn−O系の材料、Zn−O系の材
料などを用いることができる。また、上記の材料にSiO2を含ませてもよい。ここで、
例えば、In−Ga−Zn−O系の材料とは、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、
亜鉛(Zn)を有する酸化物層、という意味であり、その化学量論比は特に問わない。ま
た、InとGaとZn以外の元素を含んでいてもよい。
る材料を用いた薄膜により形成することができる。ここで、Mは、Ga、Al、Mn及び
Coから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えば、Mとして、Ga、Ga及びA
l、Ga及びMnまたはGa及びCoなどを用いることができる。
、工程順又は積層順を示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための
事項として固有の名称を示すものではない。
、酸化物半導体層と接する導電層のコンタクト抵抗の増大を抑制することができる。従っ
て、酸化物半導体層と導電層のコンタクト抵抗が良好になり、電界効果移動度が高いトラ
ンジスタを作製することができる。
以下の説明に限定されず、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば
容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈され
るものではない。なお、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符
号は異なる図面間でも共通して用いる。なお、同様のものを指す際にはハッチパターンを
同じくし、特に符号を付さない場合がある。
本実施の形態では、酸化物半導体を形成し、ハロゲン元素を含むガスでプラズマ処理を行
い、酸化物半導体の表面をハロゲン元素により終端化させる方法を用いたトランジスタの
作製方法について、図1乃至図5を用いて説明する。
であるトランジスタ151の平面図及び断面図を示す。ここで、図1(A)は上面図であ
り、図1(B)及び図1(C)はそれぞれ、図1(A)における破線A−B及び破線C−
Dにおける断面図である。なお、図1(A)では、煩雑になることを避けるため、トラン
ジスタ151の構成要素の一部(例えば、ゲート絶縁層112など)を省略している。
106、ソース電極108a、ドレイン電極108b、ゲート絶縁層112、ゲート電極
114を含む。
た、下地絶縁層102には、前述の材料と酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコ
ン、窒化酸化シリコン、酸化ガリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムまたはこれ
らの混合材料などを積層して用いてもよい。例えば、下地絶縁層102を窒化シリコン層
と酸化シリコン層の積層構造とすると、基板100などからトランジスタ151への水分
の混入を防ぐことができる。下地絶縁層102を積層構造で形成する場合、酸化物半導体
層106と接する側を酸化シリコン、酸化窒化シリコンなどの酸化物層とするとよい。な
お、下地絶縁層102はトランジスタ151の下地層として機能する。
eV未満であるものが望ましい。また、電子親和力が4eV以上、好ましくは、4eV以
上4.9eV未満であるものが望ましい。このような材料において、さらに、ドナーある
いはアクセプターに由来するキャリア濃度が1×10−14cm−3未満、好ましくは、
1×10−11cm−3未満であるものが望ましい。さらに、酸化物半導体層の水素濃度
は、1×1018cm−3未満、好ましくは1×1016cm−3未満であるものが望ま
しい。上記酸化物半導体層は、高純度化及び電気的にI型(真性)化されたものである。
上記酸化物半導体層を活性層に有するトランジスタは、オフ電流を1zA(ゼプトアンペ
ア、10−21A)というような極めて低い値(抵抗に換算すると、1020〜1021
Ωという極めて高い値)とすることができる。
ハロゲン元素を含むガスを用いたプラズマ処理により、酸化物半導体層の作製工程中に生
じた酸化物半導体中、もしくは酸化物半導体表面の未結合手(ダングリングボンド)は、
ハロゲン元素により終端化されている。したがって、酸化物半導体層106に接するソー
ス電極108a、ドレイン電極108bとのコンタクト抵抗の増大を抑制することができ
る。
トランジスタのゲート絶縁層として機能することを考慮して、酸化ハフニウムや酸化アル
ミニウムなどの比誘電率が高い材料を採用してもよい。また、ゲート耐圧や酸化物半導体
との界面状態などを考慮し、酸化ガリウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリ
コンに酸化ハフニウムや酸化アルミニウムなどの比誘電率の高い材料を積層してもよい。
下地絶縁層102と同様の構成とすることができる。また、ソース電極108aやドレイ
ン電極108bと配線とを電気的に接続させるために、下地絶縁層102、ゲート絶縁層
112などには開口が形成されていてもよい。また、酸化物半導体層106の下方に、さ
らに、第2のゲート電極を有していてもよい。なお、酸化物半導体層106は島状に加工
されていることが好ましいが、島状に加工されていなくてもよい。
タの断面構造を示す。
ース電極108a、ドレイン電極108b、ゲート絶縁層112、ゲート電極114を含
む点で、トランジスタ151と共通している。トランジスタ154とトランジスタ151
との相違は、酸化物半導体層106に対するゲート電極の位置である。即ち、トランジス
タ154では、酸化物半導体層106の下部にゲート絶縁層112を介してゲート電極が
設けられている。また、トランジスタ154では、ソース電極108a及びドレイン電極
108b及び酸化物半導体層106を覆うように保護絶縁層124が設けられる。その他
の構成要素については、図1のトランジスタ151と同様である。
51が有する酸化物半導体層106と同様に、ハロゲン元素を含むガスを用いたプラズマ
処理により、酸化物半導体層の作製工程中に生じた酸化物半導体中、もしくは酸化物半導
体表面の未結合手(ダングリングボンド)はハロゲン元素により終端化されている。
ト電極114、ソース電極108a、ドレイン電極108bを含む点で、トランジスタ1
51及びトランジスタ154と共通している。トランジスタ155は、同一平面上の酸化
物半導体層中にチャネル領域126、ソース領域122a、ドレイン領域122bを形成
する点でトランジスタ151及びトランジスタ154との相違がある。ソース領域122
a及びドレイン領域122bには、保護絶縁層124を介して、それぞれソース電極10
8a及びドレイン電極108bが接続される。
ゲート電極114とゲート絶縁層112は同一のマスクを使用して加工することができる
。あるいは、ゲート電極114を加工した後、ゲート電極114をマスクに用いてゲート
絶縁層112を加工してもよい。次に、ゲート電極114をマスクに用い、酸化物半導体
層を低抵抗化し、ソース領域122a及びドレイン領域122bを形成する。ゲート電極
114下の領域はチャネル領域126となる。
接続するための開口部を形成し、該開口部を形成した後、酸化物半導体層の一部であるソ
ース領域122a、ドレイン領域122bに保護絶縁層124を介してハロゲン元素を含
むガスを用いたプラズマ処理を行う。
ドレイン領域122bも、トランジスタ151が有する酸化物半導体層106と同様に、
ハロゲン元素を含むガスを用いたプラズマ処理により、酸化物半導体層の作製工程中に生
じた酸化物半導体中、もしくは酸化物半導体表面の未結合手(ダングリングボンド)はハ
ロゲン元素で終端化されている。
ジスタ154、及び図2(B)に示すトランジスタ155の作製工程の例について説明す
る。
一例について説明する。
耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サフ
ァイア基板などを、基板100として用いることができる。また、シリコンや炭化シリコ
ンなどの単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物半導
体基板、SOI基板などを適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設
けられたものを、基板100として用いてもよい。
ける場合、可撓性基板上に直接的にトランジスタを作り込んでもよいし、他の基板にトラ
ンジスタを形成した後、これを剥離し、可撓性基板に転置してもよい。なお、トランジス
タを剥離し、可撓性基板に転置するためには、上記他の基板とトランジスタとの間に剥離
層を形成するとよい。
いることができる。下地絶縁層102の材料には、酸化シリコン、酸化窒化シリコンなど
を用いればよい。また、下地絶縁層102には、前述の材料と酸化シリコン、窒化シリコ
ン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムまたは
これらの混合材料などを積層して用いてもよい。下地絶縁層102を積層構造で形成する
場合、酸化物半導体層106と接する側を酸化シリコン、酸化窒化シリコンなどのような
酸化物層とするとよい。下地絶縁層102の膜厚は、好ましくは20nm以上、より好ま
しくは100nm以上とする。
状の酸化物半導体層106を形成する(図3(B)参照)。
、プラズマCVD法などを用いて形成することができる。また、酸化物半導体層106の
厚さは、3nm以上50nm以下とすることが好ましい。酸化物半導体層106を厚くし
すぎると(例えば、厚さを100nm以上)、短チャネル効果の影響が大きくなり、サイ
ズの小さなトランジスタでノーマリーオンになるおそれがあるためである。
性を測定し、ドレイン電流が1×10−12Aのときのゲート電圧が正であるトランジス
タを、ノーマリーオフのトランジスタと定義する。またnチャネル型トランジスタにおい
て、ドレイン電流−ゲート電圧特性を測定し、ドレイン電流が1×10−12Aのときの
ゲート電圧が負であるトランジスタを、ノーマリーオンのトランジスタと定義する。
を用いたスパッタリング法により形成する。
2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol比]の金属酸化物ターゲットを用いる
ことができる。なお、ターゲットの材料及び組成を上述したものに限定する必要はない。
例えば、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol比]の組成比の金属酸化
物ターゲットを用いることもできる。
9.9%以下とする。相対密度の高い金属酸化物ターゲットを用いることにより、成膜し
た酸化物半導体層を緻密な層とすることができるためである。
合ガス雰囲気下などで行えばよい。また、酸化物半導体層への水素、水、水酸基、水素化
物などの混入を防ぐために、水素、水、水酸基、水素化物などの不純物が十分に除去され
た高純度ガスを用いた雰囲気とすることが好ましい。
半導体層に酸素を含むガスを用いたプラズマ処理を行うことにより、酸化物半導体層中、
酸化物半導体層表面近傍、または、酸化物半導体層中および該表面近傍に酸素を含有させ
ることができる。この場合、酸素の含有量は、酸化物半導体層の化学量論比を超える程度
、好ましくは、化学量論比の1倍を超えて2倍まで(1倍より大きく2倍未満)、とする
。あるいは、酸素の含有量は、単結晶の場合の酸素の量をYとして、Yを超える程度、好
ましくは、Yを超えて2Yまでとすることもできる。あるいは、酸素の含有量は、酸素を
含むガスを用いたプラズマ処理を行わない場合の絶縁膜中の酸素の量Zを基準として、Z
を超える程度、好ましくは、Zを超えて2Zまでとすることもできる。なお、上述の好ま
しい範囲に上限が存在するのは、酸素の含有量を多くしすぎると、水素吸蔵合金(水素貯
蔵合金)のように、かえって酸化物半導体層が水素を取り込んでしまう恐れがあるためで
ある。なお、酸化物半導体膜において酸素の含有量は水素の含有量より大きくなる。
行う。ハロゲン元素を含むガスを用いたプラズマ処理により、酸化物半導体中、もしくは
酸化物半導体層表面の未結合手(ダングリングボンド)はハロゲン元素により終端化され
る。
むガスを用いてプラズマを発生させることでハロゲン元素に置換され、水素、水酸基で終
端化されていた酸化物半導体層は、ハロゲン元素で終端化される。
のように行う。
直流(DC)電源を0.5kW、成膜雰囲気をアルゴンと酸素の混合雰囲気(酸素流量比
率33%)とすることができる。なお、パルスDCスパッタリング法を用いると、成膜時
に発生する粉状物質(パーティクル、ごみともいう)が軽減でき、厚さの分布も均一とな
るため好ましい。
00℃以下好ましくは200℃以上450℃以下とする。基板100が加熱された状態で
成膜を行うことで、酸化物半導体膜に含まれる過剰な水素(水や水酸基を含む)やその他
の不純物濃度を低減することができる。また、スパッタリングによる損傷を軽減すること
ができる。また、下地絶縁層102から酸素が放出され、酸化物半導体層中の酸素欠損及
び下地絶縁層102と酸化物半導体層との界面準位を低減することができる。
てプラズマを発生させる逆スパッタリングを行い、形成表面(例えば下地絶縁層102の
表面)の付着物を除去してもよい。ここで、逆スパッタリングとは、通常のスパッタリン
グにおいては、スパッタターゲットにイオンを衝突させるところを、逆に、処理表面にイ
オンを衝突させることによってその表面を改質する方法のことをいう。処理表面にイオン
を衝突させる方法としては、アルゴン雰囲気下で処理表面側に高周波電圧を印加して、被
処理物付近にプラズマを生成する方法などがある。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、
ヘリウム、酸素などによる雰囲気を適用してもよい。
当該酸化物半導体層をエッチングすることによって行うことができる。上述のマスクは、
フォトリソグラフィなどの方法を用いて形成することができる。または、インクジェット
法などの方法を用いてマスクを形成してもよい。
でもよい。もちろん、これらを組み合わせて用いてもよい。
。この第1の熱処理によって酸化物半導体層中の、過剰な水素(水や水酸基を含む)を除
去し、かつ酸化物半導体層106の構造を整えることができる。第1の熱処理の温度は、
100℃以上650℃以下または基板の歪み点未満、好ましくは250℃以上600℃以
下とする。熱処理は、酸化性ガス雰囲気下、もしくは不活性ガス雰囲気下とする。
とする雰囲気であって、水、水素などが含まれないことが好ましい。例えば、熱処理装置
に導入する窒素や、ヘリウム、ネオン、アルゴンなどの希ガスの純度を、6N(99.9
999%)以上、好ましくは7N(99.99999%)以上(即ち、不純物濃度が1p
pm以下、好ましくは0.1ppm以下)とする。不活性ガス雰囲気とは、不活性ガスを
主成分とする雰囲気で、反応性ガスが10ppm未満である。
まれないことが好ましい。例えば、熱処理装置に導入する酸素、オゾン、二酸化窒素の純
度を、6N(99.9999%)以上、好ましくは7N(99.99999%)以上(即
ち、不純物濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下)とする。酸化性ガス雰囲
気には、酸化性ガスを不活性ガスと混合して用いてもよく、酸化性ガスが少なくとも10
ppm以上含まれるものとする。
、350℃、1時間の条件で行うことができる。この間、酸化物半導体層106は大気に
触れさせず、水や水素の混入が生じないようにする。
よって、被処理物を加熱する装置を用いてもよい。例えば、GRTA(Gas Rapi
d Thermal Anneal)装置、LRTA(Lamp Rapid Ther
mal Anneal)装置などのRTA(Rapid Thermal Anneal
)装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ
、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ラン
プなどのランプから発する光(電磁波)の輻射により、被処理物を加熱する装置である。
GRTA装置は、高温のガスを用いて熱処理を行う装置である。ガスとしては、アルゴン
などの希ガスまたは窒素のような、熱処理によって被処理物と反応しない不活性ガスが用
いられる。
間熱した後、当該不活性ガス雰囲気から被処理物を取り出すGRTA処理を行ってもよい
。GRTA処理を用いると短時間での高温熱処理が可能となる。また、被処理物の耐熱温
度を超える温度条件であっても適用が可能となる。なお、処理中に、不活性ガス雰囲気を
、酸化性ガスを含む雰囲気に切り替えてもよい。酸化性ガスを含む雰囲気において第1の
熱処理を行うことで、酸化物半導体層106中の酸素欠損を低減することができるととも
に、酸素欠損に起因するエネルギーギャップ中の欠陥準位を低減することができるためで
ある。
去する効果があるため、当該熱処理を、脱水化処理や、脱水素化処理などと呼ぶこともで
きる。また、絶縁層や熱処理雰囲気などから酸素を供給する効果があることから、加酸素
化処理と呼ぶこともできる。当該脱水化処理、脱水素化処理、加酸素化処理は、例えば、
酸化物半導体層を島状に加工した後などのタイミングにおいて行うことが可能である。ま
た、このような脱水化処理、脱水素化処理、加酸素化処理は、一回に限らず複数回行って
もよい。
m、N2=80sccm、処理圧力=0.67Pa、基板温度=40℃、処理時間10秒
、高周波(RF)電源を2kWとすることができる。なお、本実施の形態では、N2ガス
を添加しているが、これに限定されず、NF3のみやそれ以外のガスを添加してもよい。
について説明したが、これに限定されず、第1の熱処理を行った後に、酸化物半導体層1
06を加工してもよい。
の後ハロゲン元素を含むガスを用いたプラズマ処理を行う構成について説明したが、これ
に限定されず、酸化物半導体層を島状に加工する前や、第1の熱処理を行う前にハロゲン
元素を含むガスを用いたプラズマ処理を行ってもよいが、好ましくは本実施の形態に示し
たとおり、酸化物半導体層106を島状に加工した後に、第1の熱処理を行い、その後ハ
ロゲン元素を含むガスを用いたプラズマ処理を行う。ソース電極及びドレイン電極を形成
するための導電層(この後の工程で形成される)が形成される直前に、ハロゲン元素を含
むガスを用いたプラズマ処理を行うとより効果的である。
(これと同じ層で形成される配線を含む)を形成するための導電層を形成し、当該導電層
を加工して、ソース電極108a及びドレイン電極108bを形成する(図3(C)参照
。)。なお、ここで形成されるソース電極108aの端部とドレイン電極108bの端部
との間隔によって、トランジスタのチャネル長Lが決定されることになる。
Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wから選ばれた元素を含む金属層または上述した元素を
成分とする金属窒化物層(窒化チタン層、窒化モリブデン層、窒化タングステン層)など
を用いることができる。また、Al、Cuなどの金属層の下側または上側の一方または双
方にTi、Mo、Wなどの高融点金属層またはこれらの金属窒化物層(窒化チタン層、窒
化モリブデン層、窒化タングステン層)を積層させた構成を用いてもよい。
化物で形成してもよい。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム(In2O3)、酸
化スズ(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化インジウム酸化スズ合金(In2O3―
SnO2、ITOと略記する)、酸化インジウム酸化亜鉛合金(In2O3―ZnO)ま
たはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
ッチングに用いるレジストマスク形成時の露光には、紫外線やKrFレーザ光やArFレ
ーザ光などを用いるとよい。
と極めて波長が短い超紫外線(Extreme Ultraviolet)を用いて、レ
ジストマスク形成時の露光を行うとよい。超紫外線による露光は、解像度が高く焦点深度
も大きい。したがって、後に形成されるトランジスタのチャネル長Lを微細化することが
可能であり、回路の動作を速くすることができる。
ってもよい。多階調マスクを用いて形成されたレジストマスクは、複数の厚さを有する形
状となり、アッシングによってさらに形状を変形させることができるため、異なるパター
ンに加工する複数のエッチング工程に用いることが可能である。このため、一枚の多階調
マスクによって、少なくとも二種類以上の異なるパターンに対応するレジストマスクを形
成することができる。つまり、工程の簡略化が可能となる。
一部(ソース電極108a及びドレイン電極108bの間の領域)がエッチングされ、溝
部(凹部)を有する酸化物半導体層となる。
ランジスタのチャネル領域となり、この領域のみ最表面がエッチングされ、ハロゲン元素
により表面が終端化された酸化物半導体層が取り除かれる。チャネル領域は、水素、水酸
基、及びハロゲン元素は含まない方が好ましい。
る酸化物半導体層106の表面を酸化し、酸素欠損を低減させてもよい。プラズマ処理を
行った場合、当該プラズマ処理に続けて大気に触れさせることなく、酸化物半導体層10
6の一部に接するゲート絶縁層112を形成することが好ましい。
6の一部と接するように、ゲート絶縁層112を形成する(図3(D)参照。)。
ランジスタのゲート絶縁層として機能することを考慮して、酸化ハフニウムや酸化アルミ
ニウムなどの比誘電率が高い材料を採用してもよい。また、ゲート耐圧や酸化物半導体と
の界面状態などを考慮し、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコンに酸化ハフニ
ウムや酸化アルミニウムなどの比誘電率の高い材料を積層してもよい。ゲート絶縁層11
2の膜厚は、好ましくは1nm以上300nm以下、より好ましくは5nm以上100n
m以下とする。ゲート絶縁層112が厚いほど短チャネル効果が顕著となり、しきい値電
圧がマイナス側へシフトしやすい傾向となる。
度は、250℃以上700℃以下、好ましくは350℃以上600℃以下または基板の歪
み点未満とする。
中に水、水素などが含まれないことが好ましい。また、熱処理装置に導入するガスの純度
を、6N(99.9999%)以上好ましくは7N(99.99999%)以上(即ち不
純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下)とすることが好ましい。
加熱される。したがって、酸化物半導体を構成する主成分材料の一つである酸素を、ゲー
ト絶縁層112より酸化物半導体層106へ供給することができる。これによって、酸化
物半導体層106の酸素欠損及び酸化物半導体層106とゲート絶縁層112との界面準
位を低減することができる。また、同時にゲート絶縁層112中の欠陥も低減することが
できる。
ない。例えば、ゲート電極114の形成後に第2の熱処理を行ってもよい。
ブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム
などの金属材料、これらの窒化物、またはこれらを主成分とする合金材料を用いて形成す
ることができる。なお、ゲート電極114は、単層構造としてもよいし、積層構造として
もよい。
工程の一例について説明する。
て島状の酸化物半導体層106を形成する。その後、トランジスタ151と同様の第1の
熱処理を行い、酸化物半導体層に対してハロゲン元素を含むガスを用いたプラズマ処理を
行う。その後、酸化物半導体層106とソース電極108a及びドレイン電極108bを
接続する(図4(D)参照)。なお、ハロゲン元素を含むガスを用いたプラズマ処理はト
ランジスタ151と同様な手法により行うことができる。
極108a、及びドレイン電極108bとの接触抵抗の増大を抑制することができる。
一部(ソース電極108a及びドレイン電極108bの間の領域)がエッチングされ、溝
部(凹部)を有する酸化物半導体層となる。
ランジスタのチャネル領域となり、この領域のみ最表面がエッチングされ、ハロゲン元素
により表面が終端化された酸化物半導体層が取り除かれる。チャネル領域は、水素、水酸
基、及びハロゲン元素は含まない方が好ましい。
うに保護絶縁層124を形成する(図4(E)参照)。
一例について説明する。
島状の酸化物半導体層106を形成する(図5(B)参照)。その後、トランジスタ15
1と同様の第1の熱処理を行う。
様のパターンに加工する(図5(C)参照)。このとき、ゲート電極114を加工し、そ
の後、ゲート電極114をマスクにゲート絶縁層112を加工してもよい。
域122a及びドレイン領域122bを形成する。低抵抗化されないゲート電極下の領域
はチャネル領域126となる(図5(D)参照)。このとき、ゲート電極の幅によってト
ランジスタのチャネル長Lが決定されることになる。このように、ゲート電極をマスクに
用いてパターニングすることで、ゲート電極とソース領域、ドレイン領域の重なりが生じ
ず、この領域における寄生容量が生じないため、トランジスタ動作を速くすることができ
る。
縁層124に開口部を設ける。保護絶縁層124に開口部を設けた後に、酸化物半導体層
106の一部である、ソース領域122a及びドレイン領域122bと、及び保護絶縁層
124に対してハロゲン元素を含むガスを用いたプラズマ処理を行う。プラズマ処理は、
トランジスタ151と同様な手法により、行うことができる。
ための導電層を形成し、当該導電層を加工して、ソース電極108a及びドレイン電極1
08bを形成する(図5(E)参照)。
ハロゲン元素により表面が終端されているため、ソース電極108a及びドレイン電極1
08bとの接触抵抗の増大を抑制することができる。
112に覆われているため、ハロゲン元素を含むガスを用いたプラズマ処理時に、プラズ
マに直接曝される事はない。
成時の基板加熱、または酸化物半導体層形成後の熱処理によって、水素(水や水酸基を含
む)などの不純物を酸化物半導体層より排除し、かつ当該不純物の排除工程によって同時
に減少してしまう酸化物半導体層を構成する主成分材料である酸素を、絶縁層から酸化物
半導体層に供給することによって、酸化物半導体層を高純度化及び電気的にI型(真性)
化されたものである。また、ソース電極及びドレイン電極が接する酸化物半導体層表面は
、ハロゲン元素を含むガスを用いたプラズマ処理により表面が終端化されているため、ソ
ース電極及びドレイン電極との接触抵抗の増大を抑制することができる。
的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。
トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極との接触抵抗の増大を抑制することができ
、オン電流が高く、電界効果移動度が高い。
を提供することができる。
宜組み合わせて用いることができる。
実施の形態1で例示したトランジスタを用いて表示機能を有する半導体装置(表示装置と
もいう)を作製することができる。また、トランジスタを含む駆動回路の一部または全体
を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。以
下本実施の形態では、実施の形態1で例示したトランジスタを用いた表示機能を有する半
導体装置について、図6乃至図9を用いて詳細に説明する。
シール材205が設けられ、第2の基板206によって封止されている。図6(A)にお
いては、第1の基板201上のシール材205によって囲まれている領域とは異なる領域
に、別途用意された基板上に単結晶半導体層または多結晶半導体層で形成された走査線駆
動回路204、信号線駆動回路203が実装されている。また別途形成された信号線駆動
回路203と、走査線駆動回路204または画素部202に与えられる各種信号及び電位
は、FPC(Flexible printed circuit)218a、FPC2
18bから供給されている。
走査線駆動回路204とを囲むようにして、シール材205が設けられている。また画素
部202と、走査線駆動回路204の上に第2の基板206が設けられている。よって画
素部202と、走査線駆動回路204とは、第1の基板201とシール材205と第2の
基板206とによって、表示素子と共に封止されている。図6(B)及び図6(C)にお
いては、第1の基板201上のシール材205によって囲まれている領域とは異なる領域
に、別途用意された基板上に単結晶半導体層または多結晶半導体層で形成された信号線駆
動回路203が実装されている。図6(B)及び図6(C)においては、別途形成された
信号線駆動回路203と、走査線駆動回路204または画素部202に与えられる各種信
号及び電位は、FPC218から供給されている。
基板201に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆動回路
を別途形成して実装してもよいし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部の
みを別途形成して実装してもよい。
ip On Glass)方法、ワイヤボンディング方法、或いはTAB(Tape A
utomated Bonding)方法などを用いることができる。図6(A)は、C
OG方法により信号線駆動回路203、走査線駆動回路204を実装する例であり、図6
(B)は、COG方法により信号線駆動回路203を実装する例であり、図6(C)は、
TAB方法により信号線駆動回路203を実装する例である。
を含むICなどを実装した状態にあるモジュールとを含む。
源(照明装置含む)を指す。また、コネクター、例えばFPCもしくはTABテープもし
くはTCPが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が
設けられたモジュールまたは表示素子にCOG方式によりIC(集積回路)が直接実装さ
れたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
有しており、実施の形態1で一例を示したトランジスタを適用することができる。
発光表示素子ともいう)、を用いることができる。発光素子は、電流または電圧によって
輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機EL(Electro
Luminescence)素子、有機EL素子などを含む。また、電子インクなど、電
気的作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。
B)の破線M−Nにおける断面図に相当する。
ており、接続端子電極215及び端子電極216はFPC218が有する端子と異方性導
電層219を介して、電気的に接続されている。
は、トランジスタ210、トランジスタ211のソース電極及びドレイン電極と同じ導電
層で形成されている。
ジスタを複数有しており、図7乃至図9では、画素部202に含まれるトランジスタ21
0と、走査線駆動回路204に含まれるトランジスタ211とを例示している。
したトランジスタを適用することができる。トランジスタ210、トランジスタ211は
、電界効果移動度が高い酸化物半導体層を用いたトランジスタである。よって、図7乃至
図9で示す本実施の形態は、電界効果移動度が高い半導体装置の作製方法を提供すること
ができる。
を構成する。表示素子は表示を行うことができれば特に限定されず、様々な表示素子を用
いることができる。
子である液晶素子213は、第1の電極層230、第2の電極層231、及び液晶層20
8を含む。なお、液晶層208を挟持するように配向層として機能する絶縁層232、絶
縁層233が設けられている。第2の電極層231は第2の基板206側に設けられ、第
1の電極層230と第2の電極層231とは液晶層208を介して積層する構成となって
いる。
であり、液晶層208の厚さ(セルギャップ)を制御するために設けられている。なお球
状のスペーサを用いていてもよい。
晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶などを用いることができる。これ
らの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カ
イラルネマチック相、等方相などを示す。
液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方
相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、
温度範囲を改善するために5重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液
晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が1m
sec以下と短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さ
い。また配向層を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理に
よって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良
や破損を軽減することができる。よって液晶表示装置の生産性を向上させることが可能と
なる。
1Ω・cm以上であり、さらに好ましくは1×1012Ω・cm以上である。なお、本明
細書における固有抵抗率の値は、20℃で測定した値とする。
ク電流などを考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定される。高純度の酸
化物半導体層を有するトランジスタを用いることにより、各画素における液晶容量に対し
て1/3以下、好ましくは1/5以下の容量の大きさを有する保持容量を設ければ充分で
ある。
における電流値(オフ電流値)を低くすることができる。よって、画像信号などの電気信
号の保持時間を長くすることができ、電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。
よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力を抑制する効
果を奏する。
半導体層の表面がハロゲン元素により終端化された酸化物半導体層を用いたトランジスタ
は、高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。よって、液晶表示装置
の画素部に上記トランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。ま
た、上記トランジスタは、同一基板上に駆動回路部または画素部に作り分けて作製するこ
とができるため、液晶表示装置の部品点数を削減することができる。
lane−Switching)モード、FFS(Fringe Field Swit
ching)モード、ASM(Axially Symmetric aligned
Micro−cell)モード、OCB(Optical Compensated B
irefringence)モード、FLC(Ferroelectric Liqui
d Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric Liq
uid Crystal)モードなどを用いることができる。
透過型の液晶表示装置としてもよい。ここで、垂直配向モードとは、液晶表示パネルの液
晶分子の配列を制御する方式の一種であり、電圧が印加されていないときにパネル面に対
して液晶分子が垂直方向を向く方式である。垂直配向モードとしては、いくつか挙げられ
るが、例えば、MVA(Multi−Domain Vertical Alignme
nt)モード、PVA(Patterned Vertical Alignment)
モード、ASVモードなどを用いることができる。また、画素(ピクセル)をいくつかの
領域(サブピクセル)に分け、それぞれ別の方向に分子を倒すよう工夫されているマルチ
ドメイン化あるいはマルチドメイン設計といわれる方法を用いることができる。
防止部材などの光学部材(光学基板)などは適宜設ける。例えば、偏光基板及び位相差基
板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用
いてもよい。
(フィールドシーケンシャル駆動方式)を行うことも可能である。フィールドシーケンシ
ャル駆動方式を適用することで、カラーフィルタを用いることなく、カラー表示を行うこ
とができる。
ることができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、RGB(R
は赤、Gは緑、Bは青を表す)の三色に限定されない。例えば、RGBW(Wは白を表す
)、またはRGBに、イエロー、シアン、マゼンタなどを一色以上追加したものがある。
なお、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。ただし、本発明
はカラー表示の表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の表示装置に適用する
こともできる。
子を適用することができる。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料
が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機E
L素子、後者は無機EL素子と呼ばれている。
それぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、これらキャリ
ア(電子及び正孔)が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成し、
その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このような発
光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いて説明す
る。
て、基板上にトランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り出す
上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対側の面
から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、どの射出構造の発光素子も適用する
ことができる。
43は、画素部202に設けられたトランジスタ210と電気的に接続している。なお発
光素子243の構成は、第1の電極層230、電界発光層241、第2の電極層231の
積層構造であるが、示した構成に限定されない。発光素子243から取り出す光の方向な
どに合わせて、発光素子243の構成は適宜変えることができる。
材料を用い、第1の電極層230上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率
を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
れていてもどちらでもよい。
231及び隔壁240上に保護層を形成してもよい。保護層としては、窒化シリコン層、
窒化酸化シリコン層、DLC層などを形成することができる。また、第1の基板201、
第2の基板206、及びシール材205によって封止された空間には充填材244が設け
られ密封されている。このように外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない
保護フィルム(貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルムなど)やカバー材でパッケ
ージング(封入)することが好ましい。
硬化樹脂を用いることができ、PVC(ポリビニルクロライド)、アクリル、ポリイミド
、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)またはEVA(エチレ
ンビニルアセテート)を用いることができる。例えば充填材として窒素を用いればよい。
、位相差板(λ/4板、λ/2板)、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けても
よい。また、偏光板または円偏光板に反射防止層を設けてもよい。例えば、表面の凹凸に
より反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
る。電子ペーパーは、電気泳動表示装置(電気泳動ディスプレイ)とも呼ばれており、紙
と同じ読みやすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能と
いう利点を有している。
、マイナスの電荷を有する第2の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒または溶質に複数
分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイクロカプ
セル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示するも
のである。なお、第1の粒子または第2の粒子は染料を含み、電界がない場合において移
動しないものである。また、第1の粒子の色と第2の粒子の色は異なるもの(無色を含む
)とする。
ゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。
の電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また
、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレクト
ロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料またはこれらの複合材料を用い
ればよい。
できる。ツイストボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用
いる電極層である第1の電極層及び第2の電極層の間に配置し、第1の電極層及び第2の
電極層に電位差を生じさせて球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法であ
る。
の電子ペーパーは、ツイストボール表示方式を用いた表示装置の例である。
2の電極層231との間には、黒色領域255a及び白色領域255bを有し、周りに液
体で満たされているキャビティ252を含む球形粒子253が設けられており、球形粒子
253の周囲は樹脂などの充填材254で充填されている。第2の電極層231が共通電
極(対向電極)に相当する。第2の電極層231は、共通電位線と電気的に接続される。
板の他、可撓性を有する基板も用いることができ、例えば透光性を有するプラスチック基
板などを用いることができる。プラスチックとしては、FRP(Fiberglass−
Reinforced Plastics)板、PVF(ポリビニルフルオライド)フィ
ルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、
アルミニウムホイルをPVFフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシートを用
いることもできる。
、アクリル樹脂、ポリイミド、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂など
の、耐熱性を有する有機絶縁材料を用いると、平坦化絶縁層として好適である。また上記
有機絶縁材料の他に、低誘電率材料(low−k材料)、シロキサン系樹脂、PSG(リ
ンガラス)、BPSG(リンボロンガラス)などを用いることができる。なお、これらの
材料で形成される絶縁層を複数積層させることで、絶縁層221を形成してもよい。
ンコート法、ディッピング法、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェット法、スクリー
ン印刷、オフセット印刷など)、ロールコーティング、カーテンコーティング、ナイフコ
ーティングなどを用いることができる。
素部に設けられる基板、絶縁層、導電層などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に対し
て透光性とする。
向電極層などともいう)においては、取り出す光の方向、電極層が設けられる場所、及び
電極層のパターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。
物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物
、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。)
、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有す
る導電性材料を用いることができる。
o)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)
、タンタル(Ta)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、チタン(
Ti)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)などの金属、ま
たはその合金、もしくはその窒化物から一つ、または複数種を用いて形成することができ
る。
ともいう)を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子としては、
いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。例えば、ポリアニリンまたは
その誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、もしく
はアニリン、ピロールおよびチオフェンの2種以上からなる共重合体またはその誘導体な
どがあげられる。
を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。
ある半導体装置を作製することができる。なお、実施の形態1で例示したトランジスタは
上述の表示機能を有する半導体装置のみでなく、電源回路に搭載されるパワーデバイス、
LSIなどの半導体集積回路、対象物の情報を読み取るイメージセンサ機能を有する半導
体装置など様々な機能を有する半導体装置の作製方法に適用することが可能である。
宜組み合わせて用いることができる。
本発明の一態様である半導体装置の作製方法を適用した半導体装置は、さまざまな電子機
器(遊技機も含む)に適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン
装置(テレビまたはテレビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジ
タルカメラ、デジタルビデオカメラなどのカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機
(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、
パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。上記実施の形態で説明した半導体装置
を具備する電子機器の例について説明する。
表示部303、キーボード304などによって構成されている。実施の形態1で示した半
導体装置の作製方法を適用することにより、高速駆動が可能なトランジスタを有したノー
ト型のパーソナルコンピュータとすることができる。
インターフェイス315と、操作ボタン314などが設けられている。また操作用の付属
品としてスタイラス312がある。実施の形態1で示した半導体装置の作製方法を適用す
ることにより、高速駆動が可能なトランジスタを有した携帯情報端末(PDA)とするこ
とができる。
及び筐体322の2つの筐体で構成されている。筐体321及び筐体322は、軸部32
5により一体とされており、該軸部325を軸として開閉動作を行うことができる。この
ような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。
いる。表示部323及び表示部324は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異な
る画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右
側の表示部(図10(C)では表示部323)に文章を表示し、左側の表示部(図10(
C)では表示部324)に画像を表示することができる。実施の形態1で示した半導体装
置の作製方法を適用することにより、高速駆動が可能なトランジスタを有した電子書籍と
することができる。
体321において、電源326、操作キー327、スピーカー328などを備えている。
操作キー327により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボー
ドやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に
、外部接続用端子(イヤホン端子、USB端子など)、記録媒体挿入部などを備える構成
としてもよい。さらに、電子書籍320は、電子辞書としての機能を持たせた構成として
もよい。
子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも
可能である。
いる。筐体331には、表示パネル332、スピーカー333、マイクロフォン334、
ポインティングデバイス336、カメラ用レンズ337、外部接続端子338などを備え
ている。また、筐体330には、携帯電話の充電を行う太陽電池セル340、外部メモリ
スロット341などを備えている。また、アンテナは筐体331内部に内蔵されている。
実施の形態1で示した半導体装置の作製方法を適用することにより、高速駆動が可能なト
ランジスタを有した携帯電話とすることができる。
いる複数の操作キー335を点線で示している。なお、太陽電池セル340で出力される
電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。
32と同一面上にカメラ用レンズ337を備えているため、テレビ電話が可能である。ス
ピーカー333及びマイクロフォン334は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生
などが可能である。さらに、筐体330と筐体331は、スライドし、図10(D)のよ
うに展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可
能である。
あり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外部メ
モリスロット341に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応できる。
よい。
部353、操作スイッチ354、表示部(B)355、バッテリー356などによって構
成されている。実施の形態1で示した半導体装置の作製方法を適用することにより、高速
駆動が可能なトランジスタを有したデジタルビデオカメラとすることができる。
体361に表示部363が組み込まれている。表示部363により、映像を表示すること
が可能である。また、ここでは、スタンド365により筐体361を支持した構成を示し
ている。実施の形態1で示した半導体装置の作製方法を適用することにより、高速駆動が
可能なトランジスタを有したテレビジョン装置360とすることができる。
操作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から出力
する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
り一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線によ
る通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方向(
送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
宜組み合わせて用いることができる。
半導体装置の作製方法により得られたトランジスタの電気特性結果について説明する。
以下説明を行う。
い、基板500上に絶縁層502を形成する。絶縁層502は、スパッタリング装置を用
いて、酸化シリコン層を300nm形成した。
r=30sccm、O2=15sccm、電力=0.5kW(DC)、圧力=0.4Pa
、T−S間距離=60mm、基板温度=200℃、膜厚=30nmにてスパッタリング装
置を用いて形成した。なお、スパッタリングターゲットとしては、In2O3:Ga2O
3:ZnO=1:1:2[mol比]の組成比の金属酸化物ターゲットを用いた。
において1時間の熱処理を行った。
含むプラズマ処理の条件は、NF3=20sccm、N2=80sccm、電力=2kW
(RF)、圧力=0.67Pa、基板温度=40℃、処理時間=10秒にてドライエッチ
ング装置を用いて行った。
m形成する。
ト絶縁層512を形成する。ゲート絶縁層512は、酸化窒化シリコン層を15nmにて
プラズマCVD装置を用いて形成した。なお、酸化窒化シリコン層の比誘電率(ε)は、
4.1となる。
ッタリング装置を用いて、窒化タンタル層を20nm形成し、窒化タンタル層上に真空中
で連続してタングステン層を180nm形成することにより形成した。
護絶縁層516は、スパッタリング装置を用いて、酸化シリコン層を300nm形成した
。
ソース電極508a及びドレイン電極508bに達する開口部をドライエッチング装置に
より形成する。
極508a及びドレイン電極508bに接続するソース配線518a及びドレイン配線5
18bを形成する。ソース配線518a及びドレイン配線518bは、スパッタリング装
置を用いて、チタン層を50nm形成し、チタン層上にアルミニウム層を100nm形成
し、アルミニウム層上にチタン層を5nm形成することにより形成した。なお、ソース配
線518a及びドレイン配線518bはチタン層とアルミニウム層とチタン層の3層構造
になり、3層とも真空中で連続して形成している。
506形成後にハロゲン元素を含むプラズマ処理を行い、酸化物半導体層506とソース
電極508a及びドレイン電極508bのコンタクト抵抗の増大を抑制している。
Vg)測定を行った。測定結果について図12に示す。なお、測定したトランジスタのチ
ャネル長Lは10μmであり、チャネル幅Wは20μmである。また、トランジスタのソ
ース電極とドレイン電極間の電圧(Vd)は3Vとした。
ート電圧(Vg)を−6Vから6Vまで0.1V間隔で変化させた際のドレイン電流(I
d)である。また、破線601は、ソース電極とドレイン電極間の電圧(Vd)を3Vと
し、ゲート電圧(Vg)を−6Vから6Vまで0.1V間隔で変化させた際の電界効果移
動度(μFE)である。
3Vとし、ゲート電圧(Vg)を−6Vから6Vの飽和領域での最大の電界効果移動度(
μFE)は13.6cm2/Vsであった。
次に、本実施例のトランジスタと比較して、酸化物半導体層506形成後にハロゲン元素
を含むプラズマ処理を行わない比較用トランジスタを作製し、比較用トランジスタについ
ても、トランジスタ510同様にドレイン電流(Id)−ゲート電圧(Vg)測定を行っ
た。測定結果を図13に示す。なお、測定した比較用トランジスタのチャネル長Lは10
μmであり、チャネル幅Wは50μmであり、トランジスタ510とチャネル幅Wが異な
る。また、比較用トランジスタの構造は、図11に示したトランジスタ510と同じであ
るが、酸化物半導体層506形成後にハロゲン元素を含むプラズマ処理を行わない点のみ
が異なる。
ート電圧(Vg)を−6Vから6Vまで0.1V間隔で変化させた際のドレイン電流(I
d)である。また、破線611は、ソース電極とドレイン電極間の電圧(Vd)を3Vと
し、ゲート電圧(Vg)を−6Vから6Vまで0.1V間隔で変化させた際の電界効果移
動度(μFE)である。
とし、ゲート電圧(Vg)を−6Vから6Vの飽和領域での最大の電界効果移動度(μF
E)は10.3cm2/Vsであった。
較用トランジスタに比べて、電界効果移動度が高いことがわかった。
102 下地絶縁層
106 酸化物半導体層
108a ソース電極
108b ドレイン電極
112 ゲート絶縁層
114 ゲート電極
122a ソース領域
122b ドレイン領域
124 保護絶縁層
126 チャネル領域
151 トランジスタ
154 トランジスタ
155 トランジスタ
201 基板
202 画素部
203 信号線駆動回路
204 走査線駆動回路
205 シール材
206 基板
208 液晶層
210 トランジスタ
211 トランジスタ
213 液晶素子
215 接続端子電極
216 端子電極
218 FPC
218a FPC
218b FPC
219 異方性導電層
221 絶縁層
230 電極層
231 電極層
232 絶縁層
233 絶縁層
235 スペーサ
240 隔壁
241 電界発光層
243 発光素子
244 充填材
252 キャビティ
253 球形粒子
254 充填材
255a 黒色領域
255b 白色領域
301 本体
302 筐体
303 表示部
304 キーボード
311 本体
312 スタイラス
313 表示部
314 操作ボタン
315 外部インターフェイス
320 電子書籍
321 筐体
322 筐体
323 表示部
324 表示部
325 軸部
326 電源
327 操作キー
328 スピーカー
330 筐体
331 筐体
332 表示パネル
333 スピーカー
334 マイクロフォン
335 操作キー
336 ポインティングデバイス
337 カメラ用レンズ
338 外部接続端子
340 太陽電池セル
341 外部メモリスロット
351 本体
353 接眼部
354 操作スイッチ
355 表示部
356 バッテリー
357 表示部
360 テレビジョン装置
361 筐体
363 表示部
365 スタンド
500 基板
502 絶縁層
506 酸化物半導体層
508a ソース電極
508b ドレイン電極
510 トランジスタ
512 ゲート絶縁層
514 ゲート電極
516 保護絶縁層
518a ソース配線
518b ドレイン配線
600 実線
601 破線
610 実線
611 破線
Claims (3)
- Inと、Gaと、Znとを含む酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のゲート電極と、
前記酸化物半導体上及び前記ゲート電極上の保護絶縁層と、を有し、
前記ゲート絶縁層は、前記ゲート電極と端部が揃い、
前記保護絶縁層は、前記酸化物半導体層に接し、
前記保護絶縁層は、前記酸化物半導体層に達する開口部を有し、
前記酸化物半導体層は、前記開口部の底面においてのみ、ハロゲン元素により終端された金属元素を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記ハロゲン元素は、F、Cl、Br、Iのいずれかであることを特徴とする半導体装置。 - Inと、Gaと、Znとを含む酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のゲート電極と、
前記酸化物半導体上及び前記ゲート電極上の保護絶縁層と、を有し、
前記ゲート絶縁層は、前記ゲート電極と端部が揃い、
前記保護絶縁層は、前記酸化物半導体層に接し、
前記保護絶縁層は、前記酸化物半導体層に達する開口部を有し、
前記酸化物半導体層は、前記開口部の底面においてのみ、フッ素元素により終端された金属元素を有することを特徴とする半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010151641 | 2010-07-02 | ||
JP2010151641 | 2010-07-02 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015142014A Division JP2015233148A (ja) | 2010-07-02 | 2015-07-16 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017050569A JP2017050569A (ja) | 2017-03-09 |
JP6328735B2 true JP6328735B2 (ja) | 2018-05-23 |
Family
ID=45400017
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011144280A Expired - Fee Related JP5781844B2 (ja) | 2010-07-02 | 2011-06-29 | 半導体装置の作製方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011144280A Expired - Fee Related JP5781844B2 (ja) | 2010-07-02 | 2011-06-29 | 半導体装置の作製方法 |
JP2015142014A Withdrawn JP2015233148A (ja) | 2010-07-02 | 2015-07-16 | 半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8642380B2 (ja) |
JP (3) | JP5781844B2 (ja) |
KR (1) | KR101927338B1 (ja) |
TW (1) | TWI509706B (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8642380B2 (en) * | 2010-07-02 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
WO2012043971A2 (ko) * | 2010-09-29 | 2012-04-05 | 포항공과대학교 산학협력단 | 롤 형상의 모기판을 이용한 플렉서블 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 기판 |
US8802493B2 (en) | 2011-09-13 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of oxide semiconductor device |
JP5933895B2 (ja) | 2011-11-10 | 2016-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
US8901556B2 (en) * | 2012-04-06 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
KR101980196B1 (ko) | 2012-12-10 | 2019-05-21 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
KR102101863B1 (ko) | 2013-01-07 | 2020-04-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 구비하는 표시 장치 |
US10566455B2 (en) | 2013-03-28 | 2020-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP5920275B2 (ja) | 2013-04-08 | 2016-05-18 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
KR102044667B1 (ko) | 2013-05-28 | 2019-11-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 산화물 박막 트랜지스터를 구비한 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
KR102062353B1 (ko) * | 2013-10-16 | 2020-01-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
CN104167448B (zh) * | 2014-08-05 | 2017-06-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置 |
US20180166544A1 (en) * | 2015-06-30 | 2018-06-14 | Silicon Display Technology | Oxide semiconductor thin-film transistor and manufacturing method thereof |
WO2017018271A1 (ja) * | 2015-07-27 | 2017-02-02 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US10134878B2 (en) * | 2016-01-14 | 2018-11-20 | Applied Materials, Inc. | Oxygen vacancy of IGZO passivation by fluorine treatment |
US20210257427A1 (en) * | 2018-08-24 | 2021-08-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing display device, and display device |
KR20210117389A (ko) * | 2020-03-18 | 2021-09-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
Family Cites Families (147)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3071851B2 (ja) | 1991-03-25 | 2000-07-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置 |
KR0143873B1 (ko) | 1993-02-19 | 1998-08-17 | 순페이 야마자끼 | 절연막 및 반도체장치 및 반도체 장치 제조방법 |
EP0820644B1 (en) | 1995-08-03 | 2005-08-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP3241708B2 (ja) | 2000-08-07 | 2001-12-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型表示装置 |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
US6730583B2 (en) * | 2000-10-26 | 2004-05-04 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for fabricating semiconductor device |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
EP1443130B1 (en) | 2001-11-05 | 2011-09-28 | Japan Science and Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
KR100540490B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2006-01-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플러그이온주입을 포함하는 반도체소자의 콘택 형성 방법 |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
CN102856390B (zh) | 2004-03-12 | 2015-11-25 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 包含薄膜晶体管的lcd或有机el显示器的转换组件 |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
JP4319078B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2009-08-26 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
JP5126729B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置 |
US7868326B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
EP2453480A2 (en) | 2004-11-10 | 2012-05-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous oxide and field effect transistor |
JP5118810B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
JP5138163B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-02-06 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
EP1810335B1 (en) | 2004-11-10 | 2020-05-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
US7608531B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
TWI562380B (en) | 2005-01-28 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
US7544967B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-06-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP2007073558A (ja) | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center | 薄膜トランジスタの製法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
EP3614442A3 (en) | 2005-09-29 | 2020-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
CN101667544B (zh) | 2005-11-15 | 2012-09-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
JP5015470B2 (ja) | 2006-02-15 | 2012-08-29 | 財団法人高知県産業振興センター | 薄膜トランジスタ及びその製法 |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
JP2007250982A (ja) | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Canon Inc | 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ及び表示装置 |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
JP5135709B2 (ja) | 2006-04-28 | 2013-02-06 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP2009528670A (ja) * | 2006-06-02 | 2009-08-06 | 財団法人高知県産業振興センター | 半導体機器及びその製法 |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4404881B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2010-01-27 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び液晶表示装置 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
KR100833731B1 (ko) * | 2006-10-20 | 2008-05-29 | 엘지노텔 주식회사 | 이동국의 이동 가능성의 예측에 기초한 핸드 오버 수행방법 |
KR100854892B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2008-08-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고전압 소자의 제조 방법 |
JP5116290B2 (ja) | 2006-11-21 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR20080052107A (ko) * | 2006-12-07 | 2008-06-11 | 엘지전자 주식회사 | 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR101312259B1 (ko) * | 2007-02-09 | 2013-09-25 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
TWI478347B (zh) | 2007-02-09 | 2015-03-21 | Idemitsu Kosan Co | A thin film transistor, a thin film transistor substrate, and an image display device, and an image display device, and a semiconductor device |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US8173487B2 (en) * | 2007-04-06 | 2012-05-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor element, method for manufacturing same, and electronic device including same |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101440930B1 (ko) * | 2007-04-20 | 2014-09-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Soi 기판의 제작방법 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
CN101663762B (zh) | 2007-04-25 | 2011-09-21 | 佳能株式会社 | 氧氮化物半导体 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
WO2009031423A1 (ja) | 2007-09-03 | 2009-03-12 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 金属酸化物半導体薄膜の製造方法、これを用いた薄膜トランジスタ |
JP5213422B2 (ja) | 2007-12-04 | 2013-06-19 | キヤノン株式会社 | 絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置 |
US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
KR101516034B1 (ko) | 2007-12-25 | 2015-05-04 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 산화물 반도체 전계효과형 트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
KR100963026B1 (ko) * | 2008-06-30 | 2010-06-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
JP2010021170A (ja) | 2008-07-08 | 2010-01-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
TWI469354B (zh) | 2008-07-31 | 2015-01-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI622175B (zh) | 2008-07-31 | 2018-04-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP5322530B2 (ja) | 2008-08-01 | 2013-10-23 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタの製造方法及び該製造方法によって製造された薄膜電界効果型トランジスタ |
TWI642113B (zh) | 2008-08-08 | 2018-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
JP5644071B2 (ja) * | 2008-08-20 | 2014-12-24 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置及びシステム |
JP5216716B2 (ja) * | 2008-08-20 | 2013-06-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
JP5627071B2 (ja) | 2008-09-01 | 2014-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5515266B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2014-06-11 | 大日本印刷株式会社 | ディスプレイ用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP5616012B2 (ja) * | 2008-10-24 | 2014-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4415062B1 (ja) | 2009-06-22 | 2010-02-17 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
WO2011010541A1 (en) | 2009-07-18 | 2011-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN102484140B (zh) | 2009-09-04 | 2015-04-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件的制造方法 |
KR102145488B1 (ko) | 2009-10-09 | 2020-08-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
KR101847656B1 (ko) * | 2009-10-21 | 2018-05-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
CN102598285B (zh) | 2009-11-20 | 2016-08-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 用于制造半导体器件的方法 |
JP2011176153A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ基板 |
WO2011108382A1 (en) | 2010-03-05 | 2011-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR101929190B1 (ko) | 2010-03-05 | 2018-12-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP5731244B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2015-06-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8207025B2 (en) | 2010-04-09 | 2012-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US9496405B2 (en) | 2010-05-20 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device including step of adding cation to oxide semiconductor layer |
KR101245424B1 (ko) * | 2010-06-02 | 2013-03-22 | 샤프 가부시키가이샤 | 콘택트 구조, 기판, 표시장치, 그리고 상기 콘택트 구조 및 상기 기판의 제조방법 |
US8642380B2 (en) * | 2010-07-02 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
TWI521612B (zh) | 2011-03-11 | 2016-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
KR20120133652A (ko) * | 2011-05-31 | 2012-12-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
US8907392B2 (en) * | 2011-12-22 | 2014-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device including stacked sub memory cells |
-
2011
- 2011-06-22 US US13/165,963 patent/US8642380B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-27 KR KR1020110062325A patent/KR101927338B1/ko active IP Right Grant
- 2011-06-28 TW TW100122622A patent/TWI509706B/zh active
- 2011-06-29 JP JP2011144280A patent/JP5781844B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-07-16 JP JP2015142014A patent/JP2015233148A/ja not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-12-01 JP JP2016234127A patent/JP6328735B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201216373A (en) | 2012-04-16 |
JP2015233148A (ja) | 2015-12-24 |
JP2012033911A (ja) | 2012-02-16 |
US20120003795A1 (en) | 2012-01-05 |
US8642380B2 (en) | 2014-02-04 |
JP5781844B2 (ja) | 2015-09-24 |
TWI509706B (zh) | 2015-11-21 |
KR20120003379A (ko) | 2012-01-10 |
KR101927338B1 (ko) | 2019-03-12 |
JP2017050569A (ja) | 2017-03-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171023 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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