JPH11119238A - 反射型液晶表示素子 - Google Patents
反射型液晶表示素子Info
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- JPH11119238A JPH11119238A JP9286943A JP28694397A JPH11119238A JP H11119238 A JPH11119238 A JP H11119238A JP 9286943 A JP9286943 A JP 9286943A JP 28694397 A JP28694397 A JP 28694397A JP H11119238 A JPH11119238 A JP H11119238A
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- JP
- Japan
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- crystal display
- plate
- display device
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- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Polarising Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 素子の反射率特性を向上させ高輝度表示を可
能とした反射型液晶表示素子を提供する。 【解決手段】 偏光変換GHモード反射型液晶表示素子
は、TFT 基板１上に液晶高分子からなる1/4 λ位相差板
9 、光散乱板3 、反射板５を集積したものである。ガラ
ス基板1 上に凹凸散乱板を構成するフォトレジスト樹脂
3 を形成し、樹脂3に反射板5 を形成し、反射板5 上に
透明な平坦化膜7 を形成し、平坦化膜7 上に1/4 λ位相
差板9 を形成する。位相差板9 は有機物により構成され
る。位相差板9 上に透明電極11を形成し、透明電極11は
低温成膜の非晶質状態にて光透過率の良好なＩｎ2 Ｏ3
−ＺｎＯ系透明導電材料により形成される。対向ガラス
基板2カラーフィルター13を介して透明電極15を形成
し、透明電極15と透明電極11との間にGH液晶層を形成
し、GH液晶層は液晶分子19及び色素21を有している。
能とした反射型液晶表示素子を提供する。 【解決手段】 偏光変換GHモード反射型液晶表示素子
は、TFT 基板１上に液晶高分子からなる1/4 λ位相差板
9 、光散乱板3 、反射板５を集積したものである。ガラ
ス基板1 上に凹凸散乱板を構成するフォトレジスト樹脂
3 を形成し、樹脂3に反射板5 を形成し、反射板5 上に
透明な平坦化膜7 を形成し、平坦化膜7 上に1/4 λ位相
差板9 を形成する。位相差板9 は有機物により構成され
る。位相差板9 上に透明電極11を形成し、透明電極11は
低温成膜の非晶質状態にて光透過率の良好なＩｎ2 Ｏ3
−ＺｎＯ系透明導電材料により形成される。対向ガラス
基板2カラーフィルター13を介して透明電極15を形成
し、透明電極15と透明電極11との間にGH液晶層を形成
し、GH液晶層は液晶分子19及び色素21を有している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子に係
わり、特に、素子の反射率特性を向上させ高輝度表示を
可能とした反射型液晶表示素子に関する。
わり、特に、素子の反射率特性を向上させ高輝度表示を
可能とした反射型液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示素子（ＬＣＤ素子）の透
明導電膜にはＩＴＯ膜が用いられてきた。このＩＴＯ膜
は、結晶化することにより比抵抗及び透過率特性が向上
する材料である。ＩＴＯ膜を結晶化させるには、加熱成
膜を行うか、もしくは成膜した後に加熱処理を行う必要
がある。加熱温度は一般に２００〜４００℃である。
明導電膜にはＩＴＯ膜が用いられてきた。このＩＴＯ膜
は、結晶化することにより比抵抗及び透過率特性が向上
する材料である。ＩＴＯ膜を結晶化させるには、加熱成
膜を行うか、もしくは成膜した後に加熱処理を行う必要
がある。加熱温度は一般に２００〜４００℃である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ゲストホス
トモード（ＧＨモード）の反射型液晶表示素子は、ＴＦ
Ｔ(Thin Film Transistor)基板上に液晶高分子からなる
１／４λ位相差板、光散乱板、反射板を集積したもので
あり、１／４λ位相差板の上に透明導電膜が形成され
る。
トモード（ＧＨモード）の反射型液晶表示素子は、ＴＦ
Ｔ(Thin Film Transistor)基板上に液晶高分子からなる
１／４λ位相差板、光散乱板、反射板を集積したもので
あり、１／４λ位相差板の上に透明導電膜が形成され
る。
【０００４】この透明導電膜にＩＴＯ膜を用いた場合、
このＩＴＯ膜を結晶化することはできない。その理由
は、ＩＴＯ膜を結晶化するには上述したように加熱しな
ければならないが、１／４λ位相差板は有機物であるの
で高温で加熱することができないからである。従って、
透明導電膜にＩＴＯ膜を用いる場合は結晶化を行わない
ＩＴＯを用いることとなる。つまり、比抵抗及び透過率
特性が良くない状態のＩＴＯ膜を使用せざるを得なかっ
た。
このＩＴＯ膜を結晶化することはできない。その理由
は、ＩＴＯ膜を結晶化するには上述したように加熱しな
ければならないが、１／４λ位相差板は有機物であるの
で高温で加熱することができないからである。従って、
透明導電膜にＩＴＯ膜を用いる場合は結晶化を行わない
ＩＴＯを用いることとなる。つまり、比抵抗及び透過率
特性が良くない状態のＩＴＯ膜を使用せざるを得なかっ
た。
【０００５】特に、反射型ＬＣＤについては、入射光と
反射光の計２回が透明導電膜を透過するため、この透明
導電膜の透過率特性が反射型ＬＣＤの反射率特性に大き
な影響を与える。従って、透明導電膜の透過率特性の向
上がより一層必要となる。
反射光の計２回が透明導電膜を透過するため、この透明
導電膜の透過率特性が反射型ＬＣＤの反射率特性に大き
な影響を与える。従って、透明導電膜の透過率特性の向
上がより一層必要となる。
【０００６】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、素子の反射率特性を向上
させ高輝度表示を可能とした反射型液晶表示素子を提供
することにある。
れたものであり、その目的は、素子の反射率特性を向上
させ高輝度表示を可能とした反射型液晶表示素子を提供
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る反射型液晶表示素子は、ＴＦＴ基板上
に光散乱板、反射板及び位相差板を集積した反射型液晶
表示素子であって、該位相差板上にＩｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ
系透明導電材料からなる透明電極を形成することを特徴
とする。
め、本発明に係る反射型液晶表示素子は、ＴＦＴ基板上
に光散乱板、反射板及び位相差板を集積した反射型液晶
表示素子であって、該位相差板上にＩｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ
系透明導電材料からなる透明電極を形成することを特徴
とする。
【０００８】上記反射型液晶表示素子では、位相差板上
の透明電極をＩｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系透明導電材料により
形成している。この材料は、低温成膜直後のアモルファ
ス状態においても光透過率が良いため熱処理が必要ない
ものである。このため、位相差板上に形成する透明電極
の光の透過率特性を向上させることができる。従って、
素子の反射率特性を向上させることができ、その結果、
反射型液晶表示素子の高輝度表示が可能になる。つま
り、位相差板が有機物であるため、この位相差板上に形
成する透明電極は加熱成膜もしくは成膜後の加熱処理を
行うことができない。しかし、透明電極の材料としてＩ
ｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系透明導電材料を用いると、低温成膜
にて透明電極を形成しても光透過率を十分に高くするこ
とができる。
の透明電極をＩｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系透明導電材料により
形成している。この材料は、低温成膜直後のアモルファ
ス状態においても光透過率が良いため熱処理が必要ない
ものである。このため、位相差板上に形成する透明電極
の光の透過率特性を向上させることができる。従って、
素子の反射率特性を向上させることができ、その結果、
反射型液晶表示素子の高輝度表示が可能になる。つま
り、位相差板が有機物であるため、この位相差板上に形
成する透明電極は加熱成膜もしくは成膜後の加熱処理を
行うことができない。しかし、透明電極の材料としてＩ
ｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系透明導電材料を用いると、低温成膜
にて透明電極を形成しても光透過率を十分に高くするこ
とができる。
【０００９】また、本発明に係る反射型液晶表示素子
は、光散乱板、反射板及び位相差板を集積したＴＦＴ基
板と、該ＴＦＴ基板に対向するプラスチックフィルムを
用いた対向基板とを有する反射型液晶表示素子であっ
て、該対向基板上にＩｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系透明導電材料
からなる透明電極を形成することを特徴とする。
は、光散乱板、反射板及び位相差板を集積したＴＦＴ基
板と、該ＴＦＴ基板に対向するプラスチックフィルムを
用いた対向基板とを有する反射型液晶表示素子であっ
て、該対向基板上にＩｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系透明導電材料
からなる透明電極を形成することを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の
形態による反射型液晶表示素子を示す断面図である。図
２は、従来の液晶表示素子の透明導電膜に使用してきた
熱処理なしのＩＴＯ膜の分光透過率と、低温で成膜した
Ｉｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系透明導電材料（ＩＸＯ）膜の分光
透過率との比較を示すグラフである。
実施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の
形態による反射型液晶表示素子を示す断面図である。図
２は、従来の液晶表示素子の透明導電膜に使用してきた
熱処理なしのＩＴＯ膜の分光透過率と、低温で成膜した
Ｉｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系透明導電材料（ＩＸＯ）膜の分光
透過率との比較を示すグラフである。
【００１１】図１に示すように、偏光変換ＧＨモード反
射型液晶表示素子は、ＴＦＴ基板１上に液晶高分子から
なる１／４λ位相差板９、光散乱板３、反射板５を集積
したものであり、ＴＦＴ側ガラス基板１と対向ガラス基
板２とを互いに接合し、両者の間隙にＧＨ液晶層を保持
した構成となっている。
射型液晶表示素子は、ＴＦＴ基板１上に液晶高分子から
なる１／４λ位相差板９、光散乱板３、反射板５を集積
したものであり、ＴＦＴ側ガラス基板１と対向ガラス基
板２とを互いに接合し、両者の間隙にＧＨ液晶層を保持
した構成となっている。
【００１２】上記ＴＦＴ側ガラス基板１の上には凹凸散
乱板を構成するフォトレジスト樹脂３が形成されてい
る。フォトレジスト樹脂３の上には反射板５が形成され
ており、反射板５の上には透明な平坦化膜７が形成され
ている。平坦化膜７の上には１／４λ位相差板９が形成
されており、この１／４λ位相差板９は有機物により構
成されている。１／４λ位相差板９の上にはＴＦＴ基板
側透明電極１１が形成されている。この透明電極１１
は、低温成膜の非晶質状態にて光透過率及び比抵抗特性
の良好なＩｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系透明導電材料（ＩＸＯ）
により形成されている。
乱板を構成するフォトレジスト樹脂３が形成されてい
る。フォトレジスト樹脂３の上には反射板５が形成され
ており、反射板５の上には透明な平坦化膜７が形成され
ている。平坦化膜７の上には１／４λ位相差板９が形成
されており、この１／４λ位相差板９は有機物により構
成されている。１／４λ位相差板９の上にはＴＦＴ基板
側透明電極１１が形成されている。この透明電極１１
は、低温成膜の非晶質状態にて光透過率及び比抵抗特性
の良好なＩｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系透明導電材料（ＩＸＯ）
により形成されている。
【００１３】上記平坦化膜７及びＴＦＴ基板側透明電極
１１それぞれにはコンタクトホール７ａ，１１ａが形成
されており、ＴＦＴ基板側透明電極１１はコンタクトホ
ール７ａ，１１ａを介してトランジスタに接続されてい
る。つまり、トランジスタを介して印加された電荷はコ
ンタクトホール７ａ，１１ａを介して透明電極１１に印
加される。
１１それぞれにはコンタクトホール７ａ，１１ａが形成
されており、ＴＦＴ基板側透明電極１１はコンタクトホ
ール７ａ，１１ａを介してトランジスタに接続されてい
る。つまり、トランジスタを介して印加された電荷はコ
ンタクトホール７ａ，１１ａを介して透明電極１１に印
加される。
【００１４】上記対向ガラス基板２にはカラーフィルタ
ー１３を介して透明電極１５が形成されている。対向ガ
ラス基板２は入射光を受け入れる。
ー１３を介して透明電極１５が形成されている。対向ガ
ラス基板２は入射光を受け入れる。
【００１５】対向基板側透明電極１５とＴＦＴ基板側透
明電極１１との間にはＧＨ液晶層が形成されている。Ｇ
Ｈ液晶層は液晶分子１９及び色素２１を有している。こ
の液晶分子１９は負の誘電異方性を有し且つホメオトロ
ピック配向に制御されている。
明電極１１との間にはＧＨ液晶層が形成されている。Ｇ
Ｈ液晶層は液晶分子１９及び色素２１を有している。こ
の液晶分子１９は負の誘電異方性を有し且つホメオトロ
ピック配向に制御されている。
【００１６】次に、反射モードの動作原理について説明
する。トランジスタのゲート電極の電位がＬｏｗの場
合、ドレイン電極及び透明電極１１には電圧が印加され
ないため、ホメオトロピック配向された液晶分子１９及
び色素２１に変化はない。従って、対向ガラス基板２側
より入射されＧＨ液晶層を通った光はすべて反射板５に
より反射され、この反射光は対向ガラス基板２へ戻る。
よって、液晶表示素子は白表示となる。
する。トランジスタのゲート電極の電位がＬｏｗの場
合、ドレイン電極及び透明電極１１には電圧が印加され
ないため、ホメオトロピック配向された液晶分子１９及
び色素２１に変化はない。従って、対向ガラス基板２側
より入射されＧＨ液晶層を通った光はすべて反射板５に
より反射され、この反射光は対向ガラス基板２へ戻る。
よって、液晶表示素子は白表示となる。
【００１７】トランジスタのゲート電極の電位がＨｉｇ
ｈの場合、ドレイン電極及び透明電極１１に電圧が印加
されるため、透明電極１１と対向ガラス基板２との間に
電位差が生じ、液晶分子１９及び色素２１の分子の長軸
方向は電界方向に垂直に配列する。従って、対向ガラス
基板２側より入射した光はＧＨ液晶層により直線偏光に
変換され、更に１／４λ位相差板９を通過することによ
り円偏光に変換される。この円偏光は反射板５により反
射された後、再び１／４λ位相差板９に入射されると直
線偏光に変換されるが、これは位相が９０度旋回してい
るため、ＧＨ液晶層に吸収されてしまう。よって、液晶
表示素子は黒表示となる。
ｈの場合、ドレイン電極及び透明電極１１に電圧が印加
されるため、透明電極１１と対向ガラス基板２との間に
電位差が生じ、液晶分子１９及び色素２１の分子の長軸
方向は電界方向に垂直に配列する。従って、対向ガラス
基板２側より入射した光はＧＨ液晶層により直線偏光に
変換され、更に１／４λ位相差板９を通過することによ
り円偏光に変換される。この円偏光は反射板５により反
射された後、再び１／４λ位相差板９に入射されると直
線偏光に変換されるが、これは位相が９０度旋回してい
るため、ＧＨ液晶層に吸収されてしまう。よって、液晶
表示素子は黒表示となる。
【００１８】尚、上記実施の形態では、誘電異方性が負
の液晶を使用しているが、誘電異方性が正の液晶を使用
し、初期配向をホモジニアス配向にすることも可能であ
る。
の液晶を使用しているが、誘電異方性が正の液晶を使用
し、初期配向をホモジニアス配向にすることも可能であ
る。
【００１９】上記１／４λ位相差板９の光学的異方軸
は、液晶がホメオトロピック配向されている場合にはプ
レチルト角を持った余弦方向に対して４５°の角度を持
つように設定されている。また、液晶がホモジニアス配
向されている場合には、その配向方向と４５°の角度を
なすように１／４λ位相差板９の光学的異方軸が設定さ
れている。
は、液晶がホメオトロピック配向されている場合にはプ
レチルト角を持った余弦方向に対して４５°の角度を持
つように設定されている。また、液晶がホモジニアス配
向されている場合には、その配向方向と４５°の角度を
なすように１／４λ位相差板９の光学的異方軸が設定さ
れている。
【００２０】上記実施の形態によれば、１／４λ位相差
板９上の透明電極１１をＩｎ2 Ｏ3−ＺｎＯ系透明導電
材料（ＩＸＯ）により形成している。このＩＸＯは、無
加熱成膜直後のアモルファス状態においても光透過率及
び比抵抗特性が良いため熱処理が必要ないものである。
具体的には、図２に示すように、ＩＸＯは低温で成膜し
た非晶質状態においてもＩＴＯに比べて分光透過率が非
常に高い。したがって、反射型液晶表示素子における反
射率特性を従来の液晶表示素子のそれに比べて向上させ
ることができ、その結果、高輝度表示（明るい表示）が
可能になる。
板９上の透明電極１１をＩｎ2 Ｏ3−ＺｎＯ系透明導電
材料（ＩＸＯ）により形成している。このＩＸＯは、無
加熱成膜直後のアモルファス状態においても光透過率及
び比抵抗特性が良いため熱処理が必要ないものである。
具体的には、図２に示すように、ＩＸＯは低温で成膜し
た非晶質状態においてもＩＴＯに比べて分光透過率が非
常に高い。したがって、反射型液晶表示素子における反
射率特性を従来の液晶表示素子のそれに比べて向上させ
ることができ、その結果、高輝度表示（明るい表示）が
可能になる。
【００２１】つまり、１／４λ位相差板９が有機物であ
るため、この位相差板９上に形成する透明電極１１は加
熱成膜もしくは成膜後の加熱処理を行うことができな
い。このため、透明電極１１の材料としてＩＴＯを用い
ると、分光透過率の十分に高い透明電極１１を形成する
ことができない。しかし、透明電極１１の材料としてＩ
ＸＯを用いると、低温成膜にて透明電極１１を形成して
も図２に示すように分光透過率を十分に高くすることが
できる。したがって、反射型液晶表示素子において高輝
度表示が可能になる。
るため、この位相差板９上に形成する透明電極１１は加
熱成膜もしくは成膜後の加熱処理を行うことができな
い。このため、透明電極１１の材料としてＩＴＯを用い
ると、分光透過率の十分に高い透明電極１１を形成する
ことができない。しかし、透明電極１１の材料としてＩ
ＸＯを用いると、低温成膜にて透明電極１１を形成して
も図２に示すように分光透過率を十分に高くすることが
できる。したがって、反射型液晶表示素子において高輝
度表示が可能になる。
【００２２】また、上記実施の形態において対向基板に
プラスチックフィルムを使用する場合は、上記と同様の
理由により、この対向基板フィルム上に形成される透明
電極にＩｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系透明導電材料（ＩＸＯ）を
使用することが有効である。
プラスチックフィルムを使用する場合は、上記と同様の
理由により、この対向基板フィルム上に形成される透明
電極にＩｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系透明導電材料（ＩＸＯ）を
使用することが有効である。
【００２３】尚、上記実施の形態では、１／４λ位相差
板９上に形成される透明電極１１にはＩＸＯを使用して
いるが、これに限られず、熱処理できないようなデバイ
ス又はプラスチックフィルムの上に形成される透明電極
にＩＸＯを使用することも可能であり、このような場合
に本発明は大きなメリットがある。
板９上に形成される透明電極１１にはＩＸＯを使用して
いるが、これに限られず、熱処理できないようなデバイ
ス又はプラスチックフィルムの上に形成される透明電極
にＩＸＯを使用することも可能であり、このような場合
に本発明は大きなメリットがある。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、位
相差板上の透明電極をＩｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系透明導電材
料により形成している。したがって、素子の反射率特性
を向上させ高輝度表示を可能とした反射型液晶表示素子
を提供することができる。
相差板上の透明電極をＩｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系透明導電材
料により形成している。したがって、素子の反射率特性
を向上させ高輝度表示を可能とした反射型液晶表示素子
を提供することができる。
【図１】本発明の実施の形態による反射型液晶表示素子
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】従来の液晶表示素子の透明導電膜に使用してき
た熱処理なしのＩＴＯ膜の分光透過率と、低温で成膜し
たＩｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系透明導電材料（ＩＸＯ）膜の分
光透過率との比較を示すグラフである。
た熱処理なしのＩＴＯ膜の分光透過率と、低温で成膜し
たＩｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系透明導電材料（ＩＸＯ）膜の分
光透過率との比較を示すグラフである。
１…ＴＦＴ側ガラス基板、２…対向ガラス基板、３…凹
凸散乱板を形成するフォトレジスト樹脂、４…、５…反
射板、７…平坦化膜、７ａ…コンタクトホール、９…１
／４λ位相差板、１１…ＴＦＴ基板側透明電極、１１ａ
…コンタクトホール、１３…カラーフィルター、１５…
対向基板の透明電極、１９…液晶分子、２１…色素。
凸散乱板を形成するフォトレジスト樹脂、４…、５…反
射板、７…平坦化膜、７ａ…コンタクトホール、９…１
／４λ位相差板、１１…ＴＦＴ基板側透明電極、１１ａ
…コンタクトホール、１３…カラーフィルター、１５…
対向基板の透明電極、１９…液晶分子、２１…色素。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｂ 1/08 Ｈ０１Ｂ 1/08 // Ｈ０１Ｂ 5/14 5/14 Ａ
Claims (2)
- 【請求項１】 ＴＦＴ基板上に光散乱板、反射板及び位
相差板を集積した反射型液晶表示素子であって、 該位相差板上にＩｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系透明導電材料から
なる透明電極を形成することを特徴とする反射型液晶表
示素子。 - 【請求項２】 光散乱板、反射板及び位相差板を集積し
たＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板に対向するプラスチック
フィルムを用いた対向基板とを有する反射型液晶表示素
子であって、 該対向基板上にＩｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系透明導電材料から
なる透明電極を形成することを特徴とする反射型液晶表
示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9286943A JPH11119238A (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | 反射型液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9286943A JPH11119238A (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | 反射型液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11119238A true JPH11119238A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=17710971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9286943A Pending JPH11119238A (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | 反射型液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11119238A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040037944A (ko) * | 2002-10-31 | 2004-05-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 기판내부에 보상필름을 형성한 액정표시장치 및 그제조방법 |
| US6872649B2 (en) * | 1999-04-15 | 2005-03-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing transparent conductor film and compound semiconductor light-emitting device with the film |
| JP2015146466A (ja) * | 2008-12-03 | 2015-08-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
-
1997
- 1997-10-20 JP JP9286943A patent/JPH11119238A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6872649B2 (en) * | 1999-04-15 | 2005-03-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing transparent conductor film and compound semiconductor light-emitting device with the film |
| US6876003B1 (en) | 1999-04-15 | 2005-04-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, method of manufacturing transparent conductor film and method of manufacturing compound semiconductor light-emitting device |
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