JPH1152362A - 反射型液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 偏光子を一枚用いた反射型の液晶表示装置に
おいて白表示の明るさを改善する。 【解決手段】 反射型液晶表示装置は入射側に配置され
る第１基板１と、同じく入射側に配置される偏光子４
と、所定の間隙を介して第１基板１に接合し反射側に配
置される第２基板２とで構成されている。両基板の間隙
内で液晶層３が第１基板１側に位置しており、偏光子４
を通過した直線偏光の偏光軸をほぼ４５°回転させる。
両基板の間隙内で第２基板側に光反射層８が位置してい
る。液晶層３と光反射層８との間に四分の一波長層９が
介在している。第１基板１及び第２基板２にはそれぞれ
電極が形成されており、液晶層３に電圧を印加する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は反射型液晶表示装置
に関する。より詳しくは、一枚の偏光子と四分の一波長
層とを組み合わせた新方式の反射型液晶表示装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】反射型液晶表示装置は偏光子を二枚用い
る方式と、偏光子を一枚用いる方式と、偏光子を用いな
い方式とがある。偏光子を二枚用いると表示のコントラ
ストが高くなる一方、偏光子の光吸収により表示の明度
が低下する。偏光板を用いない方式は特に吸収がない為
表示の明度が高くなる一方、白表示と黒表示のコントラ
ストが低い。偏光子を一枚用いた方式は上述した二方式
の中間になり、表示のコントラストと明度をバランスよ
く設定することが可能である。図４に、従来の偏光子を
一枚用いた方式の反射型表示装置を示す。図示する様
に、この反射型表示装置は上から順に偏光子４、補償用
の位相差フィルム１００、液晶３０、反射板８を重ねた
ものである。偏光子４の透過軸を４ａで示す。なお、吸
収軸はこの透過軸４ａと直交することになる。又、補償
用位相差フィルム１００は一軸性の複屈折材料からな
り、その光軸を１００ａで表わす。液晶３０はＴＮ（ツ
イストネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーツイス
トネマティック）モードあるいはＯＣＢ（オプティカリ
ーコンペンゼイテッドベンド）モードなどを採用でき
る。入射光は偏光子４により直線偏光に変換される。液
晶３０は四分の一波長板として機能し、直線偏光を円偏
光に変換する。円偏光は反射板８により反射した後、再
び液晶３０を通過する。この結果、円偏光は直線偏光に
なる。ただし、反射直線偏光は入射直線偏光に対して振
動方向が９０°回転している。この為、出射直線偏光は
偏光子４により吸収される。従って、黒表示が得られ
る。液晶３０に電圧を印加して四分の一波長板としての
機能を失わせると、入射直線偏光は振動方向を変えるこ
となくそのまま反射板８で反射され偏光子４を通過する
ことになる。これにより、白表示が得られる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶３
０は波長分散があり、可視波長の全域に渡って良好な四
分の一波長板として機能することはできない。液晶３０
の波長分散を補償する為、位相差フィルム１００が用い
られる。しかしながら、この位相差フィルム１００は電
圧によって制御することはできない。従って、位相差フ
ィルム１００の効果が白表示時にも黒表示時と同様に存
在する為、白表示が暗くなるという課題がある。

【０００４】なお、上述したＴＮ，ＳＴＮ又はＯＣＢを
用いた方式の他、ＥＣＢ（エレクトリカリー コントロ
ールド バイレフリッジェンス）方式も知られている。
これは液晶の複屈折性を利用して一枚の偏光板と組み合
わせることで表示を行なうものである。しかしながら、
液晶の配向のわずかな不均一性が色ムラとなって現れる
上、視角により表示色が著しく変化する。又、液晶の複
屈折率に比較的大きな温度依存性があり、温度変化によ
って色調が大きく変わるという課題がある。

【０００５】

【課題を解決する為の手段】上述した従来の技術の課題
を解決する為に以下の手段を講じた。即ち、本発明に係
る反射型液晶表示装置は、入射側に配置される第１基板
と、同じく入射側に配置される偏光子と、所定の間隙を
介して該第１基板に接合し反射側に配置される第２基板
と、該間隙内で第１基板側に位置し該偏光子を通過した
直線偏光の偏光軸をほぼ４５°回転させる液晶層と、該
間隙内で第２基板側に位置する光反射層と、液晶層と該
光反射層の間に介在する四分の一波長層と、該第１基板
側及び第２基板側の少くとも一方に形成され該液晶層に
電圧を印加する電極とを備えている。

【０００６】好ましくは、前記四分の一波長層は一軸配
向した高分子液晶からなる。前記液晶層は、４５°±９
０°×ｎ（ｎは０又は正整数）のねじれ角でツイスト配
向したネマティック液晶からなる。前記偏光子の吸収軸
と前記四分の一波長板層の光軸は互いにほぼ４５°の角
度で交差している。あるいは、前記偏光子の吸収軸と前
記四分の一波長層の光軸は互いに平行又は直交の関係に
ある。好ましくは、前記第１基板側には対向電極が形成
されており、前記第２基板側には該四分の一波長層を間
にして画素電極とこれを駆動するスイッチング素子とが
集積形成されている。この場合、画素電極とスイッチン
グ素子は該四分の一波長層に開口したコンタクトホール
を介して互いに電気接続されている。

【０００７】従来の偏光板を一枚用いた方式では、液晶
層自体に四分の一波長板としての機能を付与していた。
これに対し、本発明では液晶層は四分の一波長板として
ではなく旋光素子として用いる。即ち、偏光子を通過し
た直線偏光の偏光軸をほぼ４５°回転させる機能を有す
る。そして、液晶層とは別に四分の一波長層をパネル内
に形成している。四分の一波長層は可視波長の全域に渡
って波長分散を生じることなく安定的に形成できる為、
白表示が従来の様に暗くならない。又、従来の様に波長
分散を補償する為の位相差フィルムを用いる必要がな
い。従って、位相差フィルムの影響による白表示状態の
劣化を防ぐことができる。液晶層は従来と同様にツイス
トネマティック液晶を用いることができる為、安定的な
動作が期待できる。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態を詳細に説明する。図１は本発明に係る反射型液
晶表示装置の第１実施形態を示す模式図である。（Ａ）
は電圧無印加状態を示し、（Ｂ）は電圧印加状態を示し
ている。なお、本実施形態はノーマリホワイトモードで
あり、電圧無印加状態では白表示を呈し、電圧印加状態
では黒表示となる。本反射型表示装置は入射側に配置さ
れる第１基板１と、同じく入射側に配置される偏光子４
と、所定の間隙を介して該第１基板１に接合し反射側に
配置される第２基板２とを備えている。なお、第２基板
２の内表面には光反射層８が形成されている。両基板の
間隙内で、第１基板１側に液晶層３が配置されている。
この液晶層３は偏光子４を通過した直線偏光の偏光軸を
ほぼ４５°回転させる。具体的には、液晶層３は正の誘
電異方性を有するネマティック液晶分子３ａを含んでお
り、４５°±９０°×ｎ（ｎは０又は正整数）のねじれ
角でツイスト配向している。両基板の間隙内で第２基板
２側に前述した光反射層８が位置している。又、液晶層
３と光反射層８の間に四分の一波長層９が介在してい
る。この四分の一波長層９は例えば一軸配向した高分子
液晶からなり、その光軸を９ａで表わしてある。図示し
ないが、第１基板１及び第２基板２には電極がそれぞれ
形成されており、液晶層３に電圧を印加する。ノーマリ
ホワイトモードの場合、偏光子４の透過軸４ａと四分の
一波長層９の光軸９ａとは互いにほぼ４５°の角度で交
差している。なお、偏光子４の吸収軸は透過軸４ａと直
交している。従って、偏光子４の吸収軸と四分の一波長
層９の光軸９ａも互いに４５°の角度で交差することに
なる。なお、四分の一波長層９は一軸配向した高分子液
晶に代えて他の材料で形成することもできる。例えば、
一軸延伸したポリプロピレンやポリカーボネートなどの
フィルムを用いて四分の一波長層９を形成してもよい。

【０００９】次に動作を説明する。（Ａ）に示した電圧
無印加状態では、液晶層３は４５°ねじれたツイスト配
向状態となっている。まず、外光は偏光子４により透過
軸４ａと平行な直線偏光になる。ただし、反射型の場合
明るさを上げる為に意図的に偏光度の低い偏光子４を使
用する場合がある。この様な時には外光は楕円偏光に変
換される。直線偏光が液晶層３に進入すると、液晶層３
が上下の基板１，２間で約４５°ツイストしている場
合、その旋光機能により、直線偏光は４５°偏光方向を
代えて四分の一波長層９に進入する。ノーマリホワイト
モードの場合には、四分の一波長層９の光軸９ａに対し
て、ほぼ平行に直線偏光が入射することになる。この
為、入射した直線偏光には何ら位相差が生じることな
く、光反射層８で反射した後、そのまま出射される。即
ち、出射直線偏光は液晶層３を通過する際４５°旋光す
る為、結局出射直線偏光は偏光子４の透過軸４ａと平行
となり、そのまま通過していく。従って、ノーマリホワ
イトモードでは（Ａ）の電圧無印加状態で白色表示を呈
することになる。

【００１０】（Ｂ）は電圧印加状態を示している。な
お、図示を容易にする為基板１及び基板２は省略してあ
る。液晶層３に印加する電圧を挙げていくと正の誘電異
方性を有する液晶分子３ａは徐々に立ち上がっていく。
これに応じて次第に旋光性が失われる。閾値以上の充分
に高い印加電圧に達すると、ネマティック液晶分子３ａ
はほぼ垂直配向し旋光能はほとんど消失する。従って、
偏光子４を通過した入射直線偏光はそのまま液晶層３で
影響を受けることなく四分の一波長層９に到達する。ノ
ーマリホワイトモードの場合には入射直線偏光は四分の
一波長層９の光軸９ａと４５°の角度を成している。こ
の為、入射直線偏光は光反射層８で反射して四分の一波
長層９を往復する間にλ／２の位相差を生じることにな
る。λは入射光の波長を表わしている。この結果、出射
直線偏光は入射直線偏光に対して９０°回転することに
なる。この出射直線偏光の振動方向は偏光子４の透過軸
４ａと直交している。即ち、偏光子４の吸収軸と平行に
なる為ほとんど吸収されてしまう。従って、電圧印加状
態では黒表示が得られる。

【００１１】図２は本発明に係る反射型液晶表示装置の
第２実施形態を示す模式図であり、（Ａ）は電圧無印加
状態を表わし、（Ｂ）は電圧印加状態を表わしている。
図１に示した第１実施形態とは逆に、本実施形態はノー
マリブラックモードである。即ち（Ａ）に示した電圧無
印加状態で黒表示となり、（Ｂ）に示した電圧印加状態
で白表示となる。ノーマリブラックモードでは偏光子４
の透過軸４ａと四分の一波長層９の光軸９ａは互いに平
行である。あるいは、透過軸４ａと光軸９ａを直交する
様に配置してもよい。

【００１２】（Ａ）に示す電圧無印加状態では、偏光子
４を通過した入射直線偏光は液晶層３によって４５°旋
光される。この結果入射直線偏光は四分の一波長層９の
光軸９ａに対して４５°交差した角度で進入することに
なる。この四分の一波長層９を往復する間にλ／２の位
相差を生じ、入射直線偏光に対して９０°回転した直線
偏光が出射される。この出射直線偏光は液晶層３によっ
て４５°旋光される為、結局出射直線偏光は偏光子４の
透過軸４ａに対して直交することになる。従って偏光子
４によりほとんど吸収され、黒色表示となる。一方
（Ｂ）に示す電圧印加状態では液晶層３の旋光能はほと
んど消失する。従って偏光子４を透過した直線偏光はそ
のまま四分の一波長層９に進入する。入射直線偏光は四
分の一波長層９の光軸９ａと平行である為、何ら影響を
受けることなく光反射層８で反射された後、そのまま出
射直線偏光となって偏光子４に戻っていく。出射直線偏
光は偏光子４の透過軸４ａと平行である為、そのまま通
過することになり、白色表示が得られる。

【００１３】図３は本発明に係る反射型液晶表示装置の
第３実施形態を示しており、電圧無印加状態を表わす。
基本的には、図１に示した第１実施形態と同様であり、
対応する部分には対応する参照番号を付して理解を容易
にしている。本実施形態では、二層の高分子液晶膜を重
ねて四分の一波長層９としている。上側の高分子液晶膜
９０は偏光子４の透過軸４ａと４５°の角度で交差した
光軸９０ａを有している。下側の高分子液晶膜９１は上
側の高分子液晶膜９０の光軸９０ａと直交する光軸９１
ａを有している。この様に、波長分散の異なる２種類の
高分子液晶膜９０，９１を互いにその光軸が直交する様
に作成し、全可視波長範囲でほぼ四分の一波長層９とし
て機能させている。これにより、ほぼ完全に波長分散を
除くことが可能であり、何ら補償用の位相差フィルムを
必要としない。

【００１４】図５を参照して四分の一波長層の形成方法
を詳細に説明する。なお、図５では理解を容易にする為
基板表面に直接四分の一波長層を成膜する場合を例に挙
げている。まず配向工程（Ａ）を行ない、ガラスや石英
又はプラスチックなどの絶縁性を有する基板２の表面を
所定の配向方向に沿って配向処理する。例えば、基板２
の表面にポリイミドフィルムなどからなる下地配向層２
２を成膜した後、配向方向に沿ってこのポリイミドフィ
ルムをラビングする。場合によっては、基板２の表面を
直にラビングしてもよい。次に成膜工程（Ｂ）を行な
い、側鎖型の高分子液晶９ｘを所定の膜厚で下地配向層
２２の上に塗工する。この高分子液晶９ｘは所定の転位
点を境にして高温側の液相と低温側の液晶相との間を相
転位する。高分子液晶を適当な溶媒に溶解させ、スピン
コート、ワイヤコートあるいは各種の印刷などにより、
すでに配向処理を施された基板２の表面に塗布する。溶
媒としては、例えばシクロヘキサノンとメチルエチルケ
トン（ＭＥＫ）を８：２の割合で混合した溶液を使用す
ることができる。スピンコートを行なう場合、溶液の濃
度やスピン回転数の条件を適宜設定して、形成される塗
膜の厚みが可視光領域でλ／４の位相差を生じさせる様
にする。高分子液晶９ｘの溶液を塗工した後溶媒が蒸発
するのに充分な温度で加熱乾燥する。最後に温度処理工
程（Ｃ）を行ない、基板２を一旦転位点以上に加熱した
後転位点以下の室温まで除冷し、成膜された高分子液晶
９ｘを配向方向に整列させて四分の一波長層９を形成す
る。この四分の一波長層９は一軸光学薄膜である。な
お、場合によっては液晶相で一定時間放置することによ
り所望の一軸配向を得ることも可能である。図示する様
に、成膜段階では高分子液晶９ｘに含まれる液晶分子の
ペンダントはランダムな状態にあるのに対し、温度処理
工程後では液晶分子は配向方向に沿って整列し、所望の
一軸光学異方性が得られる。なお、上述した実施例では
高分子液晶を元々ポリマーの状態で基板２の上に塗工し
ている。これに代えて、モノマー状態で塗工した後配向
させ、その後紫外線照射等で重合させることによりポリ
マーを得る様にしてもよい。

【００１５】図６は四分の一波長層に用いる側鎖型高分
子液晶の化学構造を示す模式図である。（Ｉ）は側鎖に
入るペンダントとしてビフェニルベンゾアートを有する
高分子液晶を示している。即ち、アルキル主鎖には所定
の間隔で側鎖が結合している（図では１個の側鎖のみ示
している）。この側鎖のスペース長は炭素数で６となっ
ているが、本発明はこれに限られるものではない。この
側鎖の先端にペンダントとしてビフェニルベンゾアート
が結合している。（II）はペンダントとしてビフェニル
ベンゾアートに加えメトキシフェニルを有する側鎖型高
分子液晶を表わしている。メトキシビフェニルが結合す
る側鎖のスペース長は炭素数で２個となっているが本発
明はこれに限られるものではない。(III）は、メトキシ
フェニルベンゾアートをペンダントとして持つ側鎖型高
分子液晶を示している。側鎖はスペース長が炭素数で２
個と６個のものを主鎖に結合している。（Ｉ）型及び
（II）型は（III)型に比べて耐溶剤性に優れている。更
には（IV）で示した側鎖型高分子液晶を用いることもで
きる。

【００１６】図７は、本発明に係る反射型液晶表示装置
の実施例を示す模式的な部分断面図である。図示する様
に、本表示装置は所定の間隙を介して互いに接合した上
下一対の基板１，２とこの間隙に保持されたツイストネ
マティック液晶層３とを備えている。この液晶層３は正
の誘電異方性を有するネマティック液晶分子３ａを主体
とし、上下の基板１，２間で約４５°±９０°×ｎ（ｎ
＝０，１，２，３，…）ツイストしている。ツイストの
螺旋ピッチがモーガンの上限を満たす様に設計されてい
る。換言すると、螺旋ピッチは入射光の波長λよりも充
分大きく設定されている。入射側となる上側の基板１に
は対向電極６及び配向層７がこの順で形成されている。
更に、カラーフィルタ５も形成されている。カラーフィ
ルタ５と対向電極６との間には段差を吸収する為の平坦
化膜５ａが介在している。基板１の外表面には偏光子４
が取り付けられている。

【００１７】反射側となる下側の基板２には下から順に
少なくとも光反射層８、四分の一波長層９、画素電極１
１及び配向層１２が積層されている。四分の一波長層９
は一軸配向した高分子液晶からなる。配向層１２は配向
剤を塗工してラビングした有機塗工膜からなる。液晶層
３を上下から挾持する配向層７及び１２はネマティック
液晶分子３ａをツイスト配向している。

【００１８】本実施例に係る反射型液晶表示装置はいわ
ゆるアクティブマトリクス型であって、下側の基板２に
は個々の画素電極１１を駆動するスイッチング素子とし
て例えば薄膜トランジスタ１３が形成されている。この
薄膜トランジスタ１３はボトムゲート構造を有し、下か
ら順にゲート電極１４、ゲート絶縁膜１５、半導体薄膜
１６、ストッパ１７を積層したものである。この薄膜ト
ランジスタ１３を被覆する様に層間絶縁膜１８が形成さ
れている。この上にはソース電極１９及びドレイン電極
２０がパタニング形成されており、層間絶縁膜１８に開
口したコンタクトホールを介して薄膜トランジスタ１３
に電気接続している。この層間絶縁膜１８の上に光反射
層８が形成されている。この光反射層８は画素電極１１
と対応して画素毎に細分化されており、ドレイン電極２
０と同電位である。反射層８は凹凸の光散乱面を有し、
いわゆるホワイトペーパーと呼ばれる表示画面を実現し
ている。薄膜トランジスタ１３及び光反射層８の凹凸を
埋める様に平坦化層２１が形成されている。平坦化層２
１の上には下地配向層２２が形成されており、その上に
成膜される高分子液晶を一軸配向する為に用いられる。
画素電極１１は四分の一波長層９及び平坦化層２１を貫
通して設けたコンタクトホール２３を介して対応する薄
膜トランジスタ１３のドレイン電極２０に電気接続して
いる。なお、光反射層８は鏡面構造としてもよい。この
場合には基板１側に散乱能を有するフィルムを貼り付け
たり、あるいは散乱層を基板１に直接作り込む様にする
ことが好ましい。又、カラーフィルタ５については基板
１側ではなく、基板２側に形成することも可能である。

【００１９】最後に、図８及び図９を参照して、図７に
示した反射型液晶表示装置の製造方法を詳細に説明す
る。まず図８の工程（Ａ）において、ガラス又は石英な
どからなる絶縁性の基板２の上に薄膜トランジスタ１３
を集積形成する。具体的には、高融点金属膜などからな
るゲート電極１４をパタニング形成した後、ＣＶＤなど
でシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を堆積してゲート絶
縁膜１５とする。その上に多結晶シリコンなどからなる
半導体薄膜１６を成膜し、薄膜トランジスタ１３の素子
領域に合わせて島状にパタニングする。その上に、ゲー
ト電極１４と整合する様に、ストッパ１７を設ける。こ
のストッパ１７をマスクとしてイオンドーピング又はイ
オンインプランテーションにより不純物を半導体薄膜１
６に注入して、ボトムゲート型の薄膜トランジスタ１３
を形成する。この薄膜トランジスタ１３をＰＳＧなどか
らなる層間絶縁膜１８で被覆する。

【００２０】工程（Ｂ）に進み、層間絶縁膜１８にコン
タクトホールを開口した後、アルミニウムなどをスパッ
タリングし所定の形状にパタニングしてソース電極１９
及びドレイン電極２０に加工する。この時同時に光反射
層８を形成する。なお、光反射層８を形成する領域には
あらかじめ下地として凹凸が形成されており、この結果
光反射層８は光散乱性を備えることになり、いわゆるホ
ワイトペーパーの表示外観が得られる。更に、薄膜トラ
ンジスタ１３及び光反射層８の凹凸を埋める様に、アク
リル樹脂などからなる平坦化層２１を形成する。その上
に、ポリイミド樹脂を塗工してラビング処理を施し、下
地配向層２２を設ける。その上に、一軸配向した高分子
液晶からなる四分の一波長層９を形成する。具体的に
は、高分子液晶を所定の厚みで下地配向層２２の上に成
膜する。高分子液晶は所定の転位点を境にして高温側の
ネマティック液晶相と低温側のガラス固体相との間を相
転位可能な材料である。例えば、この高分子液晶は室温
でガラス状態であり、好ましくは１００℃以上に相転位
点を持つ、主鎖型もしくは側鎖型である。この高分子液
晶は光学的には可視領域に吸収のない透明物質である。
この高分子液晶を有機溶媒に溶解させた後、スピンコー
ティングによって下地配向層２２の表面に塗布する。な
お、スピンコーティングに代えて、ディッピング又はス
クリーン印刷などを用いて塗布してもよい。スピンコー
ティングを行なう場合、溶液の濃度やスピン回転数など
の上限を適宜設定して、膜厚が可視光領域でλ／４の位
相差を生じさせる様にする。この後、基板２を一旦転位
点以上に加熱した後転位点以下の室温に除冷し、成膜さ
れた高分子液晶を配向方向に整列させて一軸光学薄膜か
らなる四分の一波長層９を形成する。

【００２１】工程（Ｃ）に進み、四分の一波長層９の表
面を全面的に被覆する様にフォトレジスト１０を塗工す
る。塗工方法としてはスピンコートやスクリーン印刷な
どが利用できる。工程（Ｄ）に進み、フォトレジスト１
０を露光現像し下側のドレイン電極２０と整合する領域
に窓１０ａを設ける。

【００２２】図９の工程（Ｅ）に進み、パタニングされ
たフォトレジスト１０をマスクとしてエッチングを行な
い、四分の一波長層９、下地配向層２２、平坦化層２１
を貫通するコンタクトホール２３を開口する。ここで
は、酸素プラズマなどを照射するドライエッチングを採
用している。工程（Ｆ）に進み、使用済みのフォトレジ
スト１０を除去した後、四分の一波長層９の上にＩＴＯ
などからなる透明導電膜を成膜し、所定の形状にパタニ
ングして画素電極１１に加工する。この画素電極１１は
コンタクトホール２３を介して薄膜トランジスタ１３の
ドレイン電極２０に電気接続する。

【００２３】最後に工程（Ｇ）に進み、画素電極１１及
び四分の一波長層９の上に有機配向層１２を成膜する。
即ち、画素電極１１の上及び画素電極１１の間に露出し
た四分の一波長層９の上に連続して水平配向剤を塗工し
ラビングして配向層１２を形成する。この配向剤は例え
ばポリアミック酸を用いることができる。最後に、図示
しないが、あらかじめ対向電極及び配向層が形成された
上側の基板を所定の間隙を介して下側の基板２に接合
し、ネマティック液晶をこの間隙に注入すれば、反射型
液晶表示装置が完成する。この際、上側の基板の外表面
に偏光子を貼着する。

【００２４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
偏光子を一枚用いた反射型液晶表示装置において、液晶
層は直線偏光を４５°回転させる旋光素子として機能さ
せる一方、四分の一波長層をパネル内に内蔵させてい
る。四分の一波長層は可視波長の全域に渡ってほぼ波長
分散を生ずることなく形成することが可能であり、白表
示の明るさが従来の補償用位相差フィルムを用いる方式
に比べて高くなる。又、四分の一波長層はスピンコート
や印刷などの膜厚制御性に優れた手法で作成する為、従
来のＥＣＢ方式に比べ色ムラとなりにくく視野角依存性
も少ない。又、温度変化に対する耐性も高い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る反射型液晶表示装置の第１実施形
態を示す模式図である。

【図２】本発明に係る反射型液晶表示装置の第２実施形
態を示す模式図である。

【図３】本発明に係る反射型液晶表示装置の第３実施形
態を示す模式図である。

【図４】従来の反射型液晶表示装置の一例を示す模式図
である。

【図５】本発明に係る反射型液晶表示装置に形成される
四分の一波長層の製造方法を示す工程図である。

【図６】四分の一波長層を構成する高分子液晶の化学構
造を示す模式図である。

【図７】本発明に係る反射型液晶表示装置の実施例を示
す部分断面図である。

【図８】図７に示した反射型液晶表示装置の製造工程図
である。

【図９】図７に示した反射型液晶表示装置の製造工程図
である。

【符号の説明】

１・・・基板、２・・・基板、３・・・ツイストネマテ
ィック液晶層、４・・・偏光子、６・・・対向電極、７
・・・配向層、８・・・光反射層、９・・・四分の一波
長層、１１・・・画素電極、１２・・・配向層、１３・
・・薄膜トランジスタ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 入射側に配置される第１基板と、同じく
   入射側に配置される偏光子と、所定の間隙を介して該第
   １基板に接合し反射側に配置される第２基板と、該間隙
   内で第１基板側に位置し該偏光子を通過した直線偏光の
   偏光軸をほぼ４５°回転させる液晶層と、該間隙内で第
   ２基板側に位置する光反射層と、該液晶層と該光反射層
   の間に介在する四分の一波長層と、該第１基板側及び第
   ２基板側の少くとも一方に形成され該液晶層に電圧を印
   加する電極とを備えた反射型液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記四分の一波長層は一軸配向した高分
   子液晶からなることを特徴とする請求項１記載の反射型
   液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記液晶層は、４５°±９０°×ｎ（ｎ
   は０又は正整数）のねじれ角でツイスト配向したネマテ
   ィック液晶からなることを特徴とする請求項１記載の反
   射型液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記偏光子の吸収軸と前記四分の一波長
   層の光軸は互いにほぼ４５°の角度で交差している事を
   特徴とする請求項１記載の反射型液晶表示装置。
5. 【請求項５】 前記偏光子の吸収軸と前記四分の一波長
   層の光軸は互いに平行又は直交の関係にあることを特徴
   とする請求項１記載の反射型液晶表示装置。
6. 【請求項６】 前記第１基板側には対向電極が形成され
   ており、前記第２基板側には該四分の一波長層を間にし
   て画素電極とこれを駆動するスイッチング素子とが集積
   形成されており、両者は該四分の一波長層に開口したコ
   ンタクトホールを介して互いに電気接続されていること
   を特徴とする請求項１記載の反射型液晶表示装置。