JP6097785B2 - 半導体装置 - Google Patents
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、アモルファスシリコン、多結晶シリコンによって作製されている。アモルファスシリコ
ンを用いた薄膜トランジスタは、電界効果移動度が低いもののガラス基板の大面積化に対
応することができ、一方、多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタは電界効果移動度が
高いものの、レーザアニール等の結晶化工程が必要であり、ガラス基板の大面積化には必
ずしも適応しないといった特性を有している。
スに応用する技術が注目されている。例えば、酸化物半導体膜として酸化亜鉛、In−G
a−Zn−O系酸化物半導体を用いて薄膜トランジスタを作製し、画像表示装置のスイッ
チング素子などに用いる技術が特許文献1及び特許文献2で開示されている。
用いた薄膜トランジスタよりも高い電界効果移動度が得られている。酸化物半導体膜はス
パッタリング法などによって300℃以下の温度で膜形成が可能であり、多結晶シリコン
を用いた薄膜トランジスタよりも製造工程が簡単である。
用いることによって、高開口化が可能と言われている。
形成し、表示装置への応用が期待されている。
目的とする。
化物半導体層を覆う層間膜に、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜を用
いる。透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜は、酸化物半導体層よりも可
視光の光透過率が低い膜である。透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜と
しては、着色層を用いることができ、有彩色の透光性樹脂層を用いるとよい。また、有彩
色の透光性樹脂層及び遮光層を含む層間膜とし、透過する可視光の光強度を減衰させる機
能を有する膜として遮光層を用いてもよい。
画素の開口率を低下させることなく薄膜トランジスタの半導体層へ入射する光の強度を減
衰させることができ、酸化物半導体の光感度による薄膜トランジスタの電気特性の変動を
防止し安定化する効果を得られる。また、有彩色の透光性樹脂層は、カラーフィルタ層と
して機能させることができる。カラーフィルタ層を対向基板側に設ける場合、薄膜トラン
ジスタが形成される素子基板との、正確な画素領域の位置合わせが難しく画質を損なう恐
れがあるが、層間膜をカラーフィルタ層として直接素子基板側に形成するのでより精密な
形成領域の制御ができ、微細なパターンの画素にも対応することができる。また、層間膜
とカラーフィルタ層を同一の絶縁層で兼ねるので、工程が簡略化しより低コストで液晶表
示装置を作製可能となる。
を生じさせて、基板と平行な面内で液晶分子を動かして、階調を制御する方式を用いる。
このような方式として、FFS(Fringe Field Switching)モー
ドで用いる電極構成が適用できる。
えば各画素別に電圧が制御される画素電極層)、及びその電極の上方に重なるように開口
パターンを有する第2の電極層(例えば全画素に共通の電圧が供給される共通電極層)を
配置する。画素電極層と共通電極層との間に電界を加えることで、液晶を制御する。液晶
には水平方向の電界が加わるため、その電界を用いて液晶分子を制御できる。つまり、液
晶分子を基板と平行な方向で制御できるため、視野角が広くなる。従って、視野角特性を
改善し、より高画質な液晶表示装置を提供することができる。
ルタとして機能させるため、その着色された有彩色の光のみを透過する材料で形成される
。有彩色としては、赤色、緑色、青色などを用いることができる。また、シアン、マゼン
ダ、イエロー(黄)などを用いてもよい。着色された有彩色の光のみを透過するとは、有
彩色の透光性樹脂層において透過する光は、その有彩色の光の波長にピークを有するとい
うことである。
濃度と光の透過率の関係に考慮して、最適な膜厚を適宜制御するとよい。層間膜を複数の
薄膜で積層する場合、少なくとも一層が有彩色の透光性樹脂層であれば、カラーフィルタ
として機能させることができる。
、可視光領域の波長の光を透過する(いわゆる無色透明)絶縁層を積層し、層間膜表面を
平坦化してもよい。層間膜の平坦性を高めるとその上に形成される画素電極層や共通電極
層の被覆性もよく、かつ液晶層のギャップ(膜厚)を均一にすることができるため、より
液晶表示装置の視認性を向上させ、高画質化が可能になる。
光層は薄膜トランジスタの半導体層への光の入射を遮断することができるため、酸化物半
導体の光感度による薄膜トランジスタの電気特性の変動を防止し安定化する効果がある。
また、遮光層は隣り合う画素への光漏れを防止することもできるため、より高コントラス
ト及び高精細な表示を行うことが可能になる。よって、液晶表示装置の高精細、高信頼性
を達成することができる。
基板に形成され、液晶層を介して対向する基板によって封止される構造となる。画素電極
層と共通電極層とは絶縁膜(又は層間膜)を介して積層するように配置される。画素電極
層及び共通電極層のいずれか一方は、下方(液晶層により遠い側)に形成され、かつ平板
状であり、他方は上方(液晶層により近い側)に形成され、かつ様々な開口パターンを有
し、屈曲部や枝分かれした櫛歯状を含む形状である。本明細書では、液晶層より遠い(素
子基板により近い)下層に形成される電極層を第1の電極層といい、該第1の電極層を平
板状の電極層とする。一方、液晶層に近い(素子基板からより遠い)上層に形成される電
極層を第2の電極層といい、該第2の電極層は開口パターン(スリット)を有する電極層
とする。画素電極層及び共通電極層はその電極間に電界を発生させるため、平板状の第1
の電極層と、第2の電極層の開口パターン(スリット)とは重なる配置とする。
閉空間に開口されたパターンの他、一部開かれた櫛歯状のようなパターンも含まれるもの
とする。
る基板を素子基板(第1の基板)といい、該素子基板と液晶層を介して対向する基板を対
向基板(第2の基板)という。
ントラスト向上や薄膜トランジスタの安定化の効果を高めることができる。遮光層を薄膜
トランジスタと対応する領域(少なくとも薄膜トランジスタの半導体層と重畳する領域)
に形成すれば、対向基板から入射する光による薄膜トランジスタの電気特性の変動を防止
することができる。遮光層を対向基板側に形成する場合、液晶層を介して薄膜トランジス
タと対応する領域(少なくとも薄膜トランジスタの半導体層と重畳する領域)に形成すれ
ばよい。遮光層を素子基板側に形成する場合、薄膜トランジスタ上(少なくとも薄膜トラ
ンジスタの半導体層と覆う領域)に直接、又は絶縁層を介して遮光層を形成すればよい。
極層などによって素子基板からの光も対向基板からの光も遮断できる場合もあるので、必
ずしも遮光層を、薄膜トランジスタを覆うように形成しなくてもよい。
ャネル形成領域とする薄膜トランジスタと、平板状の第1の電極層と、開口パターンを有
する第2の電極層と、前記薄膜トランジスタ及び前記第2の電極層の間に設けられた層間
膜と、前記層間膜、前記第1の電極層及び前記第2の電極層上に液晶層とを有し、前記第
1の電極層及び前記第2の電極層のどちらか一方は前記薄膜トランジスタと電気的に接続
する画素電極層であり、他方は共通電極層であり、前記層間膜は前記酸化物半導体層より
も光透過率が低い有彩色の透光性樹脂層であり、前記有彩色の透光性樹脂層は、前記画素
電極層と重畳すると共に前記酸化物半導体層を被覆するように設けられている。
をチャネル形成領域とする薄膜トランジスタと、平板状の第1の電極層と、開口パターン
を有する第2の電極層と、前記薄膜トランジスタ及び前記第2の電極層の間に設けられた
層間膜と、前記層間膜、前記第1の電極層及び前記第2の電極層上に液晶層とを有し、前
記第1の電極層及び前記第2の電極層のどちらか一方は前記薄膜トランジスタと電気的に
接続する画素電極層であり、他方は共通電極層であり、前記層間膜は前記酸化物半導体層
よりも光透過率が低い有彩色の透光性樹脂層及び遮光層を含み、前記遮光層は前記酸化物
半導体層を被覆するように設けられ、前記有彩色の透光性樹脂層は前記画素電極層と重畳
するように設けられている。
液晶表示装置である(又は半透過型の液晶表示装置)の場合、少なくとも画素領域におい
て光を透過させる必要がある。よって光が透過する画素領域に存在する第1の基板、第2
の基板、素子層に含まれる画素電極層、共通電極層、他絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべ
て可視光の波長領域の光に対して透光性とする。
示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名称
を示すものではない。
全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
少なくとも該酸化物半導体層を覆う層間膜を、透過する可視光の光強度を減衰させる材質
で形成することで、開口率を損なうことなく、当該薄膜トランジスタの動作特性を安定化
させることができる。
旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者
であれば容易に理解される。従って、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。なお、以下に説明する構成において、同一部分又は同様な機能を有す
る部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
液晶表示装置を、図1を用いて説明する。
1(A)の線X1−X2における断面図である。
上下方向に延伸)かつ互いに離間した状態で配置されている。複数のゲート配線層(ゲー
ト電極層401を含む)は、ソース配線層に略直交する方向(図中左右方向)に延伸し、
かつ互いに離間するように配置されている。共通配線層(共通電極層)は、複数のゲート
配線層それぞれに隣接する位置に配置されており、ゲート配線層に概略平行な方向、つま
り、ソース配線層に概略直交する方向(図中左右方向)に延伸している。ソース配線層と
、共通配線層(共通電極層)及びゲート配線層とによって、略長方形の空間が囲まれてい
るが、この空間に液晶表示装置の画素電極層及び共通電極層が配置されている。画素電極
層を駆動する薄膜トランジスタ420は、図中左上の角に配置されている。画素電極層及
び薄膜トランジスタは、マトリクス状に複数配置されている。
446が画素電極層として機能し、共通配線層と電気的に接続する第1の電極層447が
共通電極層として機能する。なお、図1に示すように第1の電極層447は画素において
、共通配線層も兼ねており、隣り合う画素間は共通電極層409によって電気的に接続さ
れている。なお、画素電極層と共通電極層によって容量が形成されている。共通電極層と
はフローティング状態(電気的に孤立した状態)として動作させることも可能だが、固定
電位、好ましくはコモン電位(データとして送られる画像信号の中間電位)近傍でフリッ
カーの生じないレベルに設定してもよい。
子を動かして、階調を制御する方式を用いる。このような方式として、図1に示すような
FFSモードで用いる電極構成が適用できる。
えば各画素別に電圧が制御される画素電極層)、及びさらにその開口パターンの下方に開
口パターンを有する第2の電極層(例えば全画素に共通の電圧が供給される共通電極層)
を配置する。よって第1の基板200上には、一方が画素電極層であり、他方が共通電極
層である第1の電極層及び第2の電極層が形成され、画素電極層と共通電極層とは絶縁膜
(又は層間絶縁層)を介して積層するように配置される。画素電極層及び共通電極層のい
ずれか一方は、下方に形成され、かつ平板状であり、他方は上方に形成され、かつ様々な
開口パターンを有し、屈曲部や枝分かれした櫛歯状を含む形状である。第1の電極層44
7及び第2の電極層446はその電極間に電界を発生させるため、同形状で重ならない配
置とする。
電極層といい、該第1の電極層を平板状の電極層とする。一方、液晶層に近い(素子基板
からより遠い)上層に形成される電極層を第2の電極層といい、該第2の電極層は開口パ
ターン(スリット)を有する電極層とする。画素電極層及び共通電極層はその電極間に電
界を発生させるため、平板状の第1の電極層と、第2の電極層の開口パターン(スリット
)とは重なる配置とする。なお、図2では画素電極層及び共通電極層は省略しているだけ
である。
向の電界が加わるため、その電界を用いて液晶分子を制御できる。つまり、基板と平行に
配向している液晶分子を、基板と平行な方向で制御できるため、視野角が広くなる。
ように、第1の電極層447a乃至447dと第2の電極層446a乃至446dとは重
なるように配置され、第1の電極層447a乃至447dと第2の電極層446a乃至4
46dとの間には絶縁膜を形成し、異なる膜上に第1の電極層447a乃至447dと第
2の電極層446a乃至446dとをそれぞれ形成する。
々なパターンに形成された第2の電極層446a乃至446dが形成されており、図8(
A)では第1の電極層447a上の第2の電極層446aは屈曲したくの字形状であり、
図8(B)では第1の電極層447b上の第2の電極層446bは同心円状の形状であり
、図8(C)では第1の電極層447c上の第2の電極層446cは櫛歯状で電極同士が
かみ合うような形状であり、図8(D)では第1の電極層447d上の第2の電極層44
6dは櫛歯状の形状である。
である第1の基板441上に、ゲート電極層401、ゲート絶縁層402、半導体層40
3、ソース領域又はドレイン領域として機能するn+層404a、404b、ソース電極
層又はドレイン電極層として機能する配線層405a、405bを含む。第1の電極層4
47は第1の基板441上にゲート電極層401と同レイヤーに形成され、画素において
平板状の電極層である。
。絶縁膜407上に層間膜413が設けられ、層間膜413上に開口パターンを有する第
2の電極層446が形成されている。よって、第1の電極層447と第2の電極層446
とは間にゲート絶縁層402、絶縁膜407、層間膜413を挟んで重なるように配置さ
れている。
する膜として、有彩色の透光性樹脂層417を用いる。有彩色の透光性樹脂層417の可
視光の光透過率は、酸化物半導体層である半導体層403の可視光の光透過率より低い。
着色層を用いると、画素の開口率を低下させることなく薄膜トランジスタ420の半導体
層403へ入射する光の強度を減衰させることができ、酸化物半導体の光感度による薄膜
トランジスタ420の電気特性の変動を防止し安定化する効果を得られる。また、有彩色
の透光性樹脂層417は、カラーフィルタ層として機能させることができる。カラーフィ
ルタ層を対向基板側に設ける場合、薄膜トランジスタが形成される素子基板との、正確な
画素領域の位置合わせが難しく画質を損なう恐れがあるが、層間膜をカラーフィルタ層と
して直接素子基板側に形成するのでより精密な形成領域の制御ができ、微細なパターンの
画素にも対応することができる。また、層間膜とカラーフィルタ層を同一の絶縁層で兼ね
るので、工程が簡略化しより低コストで液晶表示装置を作製可能となる。
させるため、その着色された有彩色の光のみを透過する材料で形成される。有彩色として
は、赤色、緑色、青色などを用いることができる。また、シアン、マゼンダ、イエロー(
黄)などを用いてもよい。着色された有彩色の光のみを透過するとは、着色層において透
過する光は、その有彩色の光の波長にピークを有するということである。
色材料の濃度と光の透過率の関係に考慮して、最適な膜厚を適宜制御するとよい。層間膜
を複数の薄膜で積層する場合、少なくとも一層が有彩色の透光性樹脂層であれば、カラー
フィルタとして機能させることができる。
スタに起因する凹凸を有する場合は、可視光領域の波長の光を透過する(いわゆる無色透
明)絶縁層を積層し、層間膜表面を平坦化してもよい。層間膜の平坦性を高めるとその上
に形成される画素電極層や共通電極層の被覆性もよく、かつ液晶層のギャップ(膜厚)を
均一にすることができるため、より液晶表示装置の視認性を向上させ、高画質化が可能に
なる。
ことができ、有機樹脂に顔料、又は染料などを混合させて用いればよい。透光性の有機樹
脂としては、感光性、又は非感光性の樹脂を用いることができる。感光性の有機樹脂層を
用いるとレジストマスク数を削減することができるため、工程が簡略化し好ましい。また
、層間膜に形成するコンタクトホールも曲率を有する開口形状となるために、コンタクト
ホールに形成される電極層などの膜の被覆性も向上させることができる。
応じて、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェット法、スク
リーン印刷、オフセット印刷等)などの湿式法を用い、必要に応じてエッチング法(ドラ
イエッチング又はウエットエッチング)により所望のパターンに加工すればよい。
ある第2の基板442で封止されている。
4と反対側)に偏光板443a、443bが設けられている。
物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物
、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。)
、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有す
る導電性材料を用いることができる。
ーともいう)を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて
形成した画素電極は、シート抵抗が10000Ω/□以下、波長550nmにおける透光
率が70%以上であることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵
抗率が0.1Ω・cm以下であることが好ましい。
ば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンま
たはその誘導体、若しくはこれらの2種以上の共重合体などがあげられる。
との間に設けてもよい。下地膜は、第1の基板441からの不純物元素の拡散を防止する
機能があり、窒化珪素膜、酸化珪素膜、窒化酸化珪素膜、又は酸化窒化珪素膜から選ばれ
た一又は複数の膜による積層構造により形成することができる。ゲート電極層401の材
料は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオ
ジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又
は積層して形成することができる。ゲート電極層401に遮光性を有する導電膜を用いる
ことで、バックライトからの光(第1の基板441から入射する光)が、半導体層403
へ入射することを防止することができる。
層が積層された2層の積層構造、または銅層上にモリブデン層を積層した二層構造、また
は銅層上に窒化チタン層若しくは窒化タンタルを積層した二層構造、窒化チタン層とモリ
ブデン層とを積層した二層構造とすることが好ましい。3層の積層構造としては、タング
ステン層または窒化タングステンと、アルミニウムとシリコンの合金またはアルミニウム
とチタンの合金と、窒化チタンまたはチタン層とを積層した積層とすることが好ましい。
ン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層又は窒化酸化シリコン層を単層で又は積層し
て形成することができる。また、また、ゲート絶縁層402として、有機シランガスを用
いたCVD法により酸化シリコン層を形成することも可能である。有機シランガスとして
は、珪酸エチル(TEOS:化学式Si(OC2H5)4)、テトラメチルシラン(TM
S:化学式Si(CH3)4)、テトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)、
オクタメチルシクロテトラシロキサン(OMCTS)、ヘキサメチルジシラザン(HMD
S)、トリエトキシシラン(SiH(OC2H5)3)、トリスジメチルアミノシラン(
SiH(N(CH3)2)3)等のシリコン含有化合物を用いることができる。
ラズマを発生させる逆スパッタを行い、ゲート絶縁層の表面に付着しているゴミを除去す
ることが好ましい。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウムなどを用いてもよい。
また、アルゴン雰囲気に酸素、水素、N2Oなどを加えた雰囲気で行ってもよい。また、
アルゴン雰囲気にCl2、CF4などを加えた雰囲気で行ってもよい。
好適に用いる。薄膜トランジスタ420は、InMO3(ZnO)m(m>0)で表記さ
れる薄膜を形成し、その薄膜を半導体層403として用いる。なお、Mは、ガリウム(G
a)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、マンガン(Mn)及びコバルト(Co)から選ば
れた一の金属元素又は複数の金属元素を示す。例えばMとして、Gaの場合があることの
他、GaとNi又はGaとFeなど、Ga以外の上記金属元素が含まれる場合がある。ま
た、上記酸化物半導体において、Mとして含まれる金属元素の他に、不純物元素としてF
e、Niその他の遷移金属元素、又は該遷移金属の酸化物が含まれているものがある。例
えば、酸化物半導体層としてIn−Ga−Zn−O系非単結晶膜を用いることができる。
、本明細書においてはこの薄膜をIn−Ga−Zn−O系非単結晶膜とも呼ぶ。In−G
a−Zn−O系非単結晶膜の結晶構造は、スパッタ法で成膜した後、加熱処理を200℃
〜500℃、代表的には300〜400℃で10分〜100分行っても、アモルファス構
造がXRD(X線回析)の分析では観察される。また、薄膜トランジスタの電気特性もゲ
ート電圧±20Vにおいて、オンオフ比が109以上、移動度が10以上のものを作製す
ることができる。また、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1としたターゲット
を用い、スパッタ法で成膜したIn−Ga−Zn−O系非単結晶膜は波長450nm以下
に光感度を有する。
bには、In−Ga−Zn−O系非単結晶膜を用いることができる。n+層404a、4
04bは、半導体層403より低抵抗な酸化物半導体層である。例えばn+層404a、
404bは、n型の導電型を有し、活性化エネルギー(ΔE)が0.01eV以上0.1
eV以下である。n+層404a、404bは、In−Ga−Zn−O系非単結晶膜であ
り、少なくともアモルファス成分を含んでいるものとする。n+層404a、404bは
非晶質構造の中に結晶粒(ナノクリスタル)を含む場合がある。このn+層404a、4
04b中の結晶粒(ナノクリスタル)は直径1nm〜10nm、代表的には2nm〜4n
m程度である。
と、酸化物半導体層である半導体層403との間を良好な接合としてショットキー接合に
比べて熱的にも安定動作を有せしめる。また、チャネルのキャリアを供給する(ソース側
)、またはチャネルのキャリアを安定して吸収する(ドレイン側)、または抵抗成分を配
線層との界面に作らないためにも積極的にn+層を設けると効果的である。また低抵抗化
により、高いドレイン電圧でも良好な移動度を保持することができる。
a、404bとして用いる第2のIn−Ga−Zn−O系非単結晶膜の成膜条件と異なら
せる。例えば、第2のIn−Ga−Zn−O系非単結晶膜の成膜条件における酸素ガス流
量とアルゴンガス流量の比よりも第1のIn−Ga−Zn−O系非単結晶膜の成膜条件に
おける酸素ガス流量の占める比率が多い条件とする。具体的には、第2のIn−Ga−Z
n−O系非単結晶膜の成膜条件は、希ガス(アルゴン、又はヘリウムなど)雰囲気下(ま
たは酸素ガス10%以下、アルゴンガス90%以上)とし、第1のIn−Ga−Zn−O
系非単結晶膜の成膜条件は、酸素雰囲気下(又は酸素ガスの流量がアルゴンガスの流量と
等しいかそれ以上)とする。
8インチのIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体ターゲット(In2O3:Ga2O
3:ZnO=1:1:1)を用いて、基板とターゲットの間との距離を170mm、圧力
0.4Pa、直流(DC)電源0.5kW、アルゴン又は酸素雰囲気下で成膜する。なお
、パルス直流(DC)電源を用いると、ごみが軽減でき、膜厚分布も均一となるために好
ましい。第1のIn−Ga−Zn−O系非単結晶膜の膜厚は、5nm〜200nmとする
。
は、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1としたターゲットを用い、成膜条件は
、圧力を0.4Paとし、電力を500Wとし、成膜温度を室温とし、アルゴンガス流量
40sccmを導入してスパッタ法により成膜する。成膜直後で大きさ1nm〜10nm
の結晶粒を含むIn−Ga−Zn−O系非単結晶膜が形成されることがある。なお、ター
ゲットの成分比、成膜圧力(0.1Pa〜2.0Pa)、電力(250W〜3000W:
8インチφ)、温度(室温〜100℃)、反応性スパッタの成膜条件などを適宜調節する
ことで結晶粒の有無や、結晶粒の密度や、直径サイズは、1nm〜10nmの範囲で調節
されうると言える。第2のIn−Ga−Zn−O系非単結晶膜の膜厚は、5nm〜20n
mとする。勿論、膜中に結晶粒が含まれる場合、含まれる結晶粒のサイズが膜厚を超える
大きさとならない。第2のIn−Ga−Zn−O系非単結晶膜の膜厚は、5nmとする。
があり、さらにパルス的にバイアスを与えるパルスDCスパッタ法もある。RFスパッタ
法は主に絶縁膜を成膜する場合に用いられ、DCスパッタ法は主に金属膜を成膜する場合
に用いられる。
装置は、同一チャンバーで異なる材料膜を積層成膜することも、同一チャンバーで複数種
類の材料を同時に放電させて成膜することもできる。
や、グロー放電を使わずマイクロ波を用いて発生させたプラズマを用いるECRスパッタ
法を用いるスパッタ装置がある。
とを化学反応させてそれらの化合物薄膜を形成するリアクティブスパッタ法や、成膜中に
基板にも電圧をかけるバイアススパッタ法もある。
チング工程を用いる。エッチング工程は、ドライエッチングやウエットエッチングを用い
ることができる。
ば塩素(Cl2)、塩化硼素(BCl3)、塩化珪素(SiCl4)、四塩化炭素(CC
l4)など)が好ましい。
6)、弗化窒素(NF3)、トリフルオロメタン(CHF3)など)、臭化水素(HBr
)、酸素(O2)、これらのガスにヘリウム(He)やアルゴン(Ar)などの希ガスを
添加したガス、などを用いることができる。
法)を用いたエッチング装置や、ECR(Electron Cyclotron Re
sonance)やICP(Inductively Coupled Plasma)
などの高密度プラズマ源を用いたドライエッチング装置を用いることができる。また、I
CPエッチング装置と比べて広い面積に渡って一様な放電が得られやすいドライエッチン
グ装置としては、上部電極を接地させ、下部電極に13.56MHzの高周波電源を接続
し、さらに下部電極に3.2MHzの低周波電源を接続したECCP(Enhanced
Capacitively Coupled Plasma)モードのエッチング装置
がある。このECCPモードのエッチング装置であれば、例えば基板として、第10世代
の3mを超えるサイズの基板を用いる場合にも対応することができる。
る電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等)を適宜調節する。
ンモニア過水(過酸化水素:アンモニア:水=5:2:2)などを用いることができる。
また、ITO07N(関東化学社製)を用いてもよい。
て除去される。その除去された材料を含むエッチング液の廃液を精製し、含まれる材料を
再利用してもよい。当該エッチング後の廃液から酸化物半導体層に含まれるインジウム等
の材料を回収して再利用することにより、資源を有効活用し低コスト化することができる
。
液、エッチング時間、温度等)を適宜調節する。
れた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金膜
等が挙げられる。また、200℃〜600℃の熱処理を行う場合には、この熱処理に耐え
る耐熱性を導電膜に持たせることが好ましい。Al単体では耐熱性が劣り、また腐蝕しや
すい等の問題点があるので耐熱性導電性材料と組み合わせて形成する。Alと組み合わせ
る耐熱性導電性材料としては、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、タングステン(W)
、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、Nd(ネオジム)、Sc(スカンジウム)から
選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合
金膜、または上述した元素を成分とする窒化物で形成する。
05bを大気に触れさせることなく連続的に形成してもよい。大気に触れさせることなく
連続成膜することで、大気成分や大気中に浮遊する汚染不純物元素に汚染されることなく
各積層界面を形成することができるので、薄膜トランジスタ特性のばらつきを低減するこ
とができる。
る。
〜500℃の熱処理を行うと良い。例えば、窒素雰囲気下で350℃、1時間の熱処理を
行う。この熱処理により半導体層403、n+層404a、404bを構成するIn−G
a−Zn−O系酸化物半導体の原子レベルの再配列が行われる。この熱処理(光アニール
等も含む)は、半導体層403、n+層404a、404b中におけるキャリアの移動を
阻害する歪みを解放できる点で重要である。なお、上記の熱処理を行うタイミングは、半
導体層403、n+層404a、404bの形成後であれば特に限定されない。
ジカル処理は、O2、N2O、酸素を含むN2、He、Arなどの雰囲気下で行うことが
好ましい。また、上記雰囲気にCl2、CF4を加えた雰囲気下で行ってもよい。なお、
ラジカル処理は、第1の基板441側にバイアス電圧を印加せずに行うことが好ましい。
ランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、二つ形成され
るダブルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、
周辺駆動回路領域のトランジスタも、シングルゲート構造、ダブルゲート構造もしくはト
リプルゲート構造であっても良い。
型(例えば、逆スタガ型、逆コプラナ型)、あるいはチャネル領域の上下にゲート絶縁膜
を介して配置された2つのゲート電極層を有する、デュアルゲート型やその他の構造にお
いても適用できる。
例えば、偏光板及び位相差板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライ
ト、サイドライトなどを用いてもよい。
、有機絶縁膜を用いることができる。例えば、CVD法やスパッタ法などを用いて得られ
る窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化タ
ンタル膜などを用いることができる。また、アクリル、ポリイミド、ベンゾシクロブテン
、ポリアミド、エポキシ等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、
低誘電率材料(low−k材料)、シロキサン系樹脂、PSG(リンガラス)、BPSG
(リンボロンガラス)等を用いることができる。
i結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は置換基としては有機基(例えばアルキ
ル基やアリール基)やフルオロ基を用いても良い。また、有機基はフルオロ基を有してい
ても良い。シロキサン系樹脂は塗布法により成膜し、焼成することによって絶縁膜407
として用いることができる。
てもよい。例えば、無機絶縁膜上に有機樹脂膜を積層する構造としてもよい。
、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、ディスコチック液晶、強誘電液晶、
反強誘電液晶等を適宜選択して用いればよい。
液晶表示装置である(又は半透過型の液晶表示装置)の場合、少なくとも画素領域におい
て光を透過させる必要がある。よって光が透過する画素領域に存在する第1の基板、第2
の基板、素子層に含まれる画素電極層、共通電極層、他絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべ
て可視光の波長領域の光に対して透光性とする。
酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、プラスチック基板などを用いることができる。
ストマスクを用いると、レジストマスクの数を減らすことができるため、工程簡略化、低
コスト化が図れる。
ができる。また、該液晶表示装置をより低コストで生産性よく作製することができる。
きる。
液晶表示装置の他の形態を図3に示す。詳細には、下層に形成される平板状の第1の電極
層を画素電極層として、上層に形成される開口パターンを有する第2の電極層を共通電極
層として用いる液晶表示装置の例を示す。なお、実施の形態1と同様なものに関しては同
様の材料及び作製方法を適用することができ、同一部分又は同様な機能を有する部分の詳
細な説明は省略する。
3(A)の線X1−X2における断面図である。
上下方向に延伸)かつ互いに離間した状態で配置されている。複数のゲート配線層(ゲー
ト電極層401を含む)は、ソース配線層に略直交する方向(図中左右方向)に延伸し、
かつ互いに離間するように配置されている。共通配線層408は、複数のゲート配線層そ
れぞれに隣接する位置に配置されており、ゲート配線層に概略平行な方向、つまり、ソー
ス配線層に概略直交する方向(図中左右方向)に延伸している。ソース配線層と、共通配
線層408及びゲート配線層とによって、略長方形の空間が囲まれているが、この空間に
液晶表示装置の画素電極層及び共通電極層が配置されている。画素電極層を駆動する薄膜
トランジスタ420は、図中左上の角に配置されている。画素電極層及び薄膜トランジス
タは、マトリクス状に複数配置されている。
447が画素電極層として機能し、共通配線層と電気的に接続する第2の電極層446が
共通電極層として機能する。第1の電極層447は、ゲート絶縁層402に形成されたコ
ンタクトホールにおいて、薄膜トランジスタ420と電気的に接続されている。また、第
2の電極層446は、ゲート絶縁層402、絶縁膜407、及び層間膜413に形成され
たコンタクトホールにおいて共通配線層408と電気的に接続されている。なお、画素電
極層と共通電極層によって容量が形成されている。
着色層を用いると、画素の開口率を低下させることなく薄膜トランジスタ420の半導体
層へ入射する光の強度を減衰させることができ、酸化物半導体の光感度による薄膜トラン
ジスタの電気特性の変動を防止し安定化する効果を得られる。また、有彩色の透光性樹脂
層417は、カラーフィルタ層として機能させることができる。カラーフィルタ層を対向
基板側に設ける場合、薄膜トランジスタが形成される素子基板との、正確な画素領域の位
置合わせが難しく画質を損なう恐れがあるが、層間膜をカラーフィルタ層として直接素子
基板側に形成するのでより精密な形成領域の制御ができ、微細なパターンの画素にも対応
することができる。また、層間膜とカラーフィルタ層を同一の絶縁層で兼ねるので、工程
が簡略化しより低コストで液晶表示装置を作製可能となる。
ができる。また、該液晶表示装置をより低コストで生産性よく作製することができる。
きる。
液晶表示装置の他の形態を図4、図7に示す。詳細には、第1の電極層を薄膜トランジス
タより上方に設ける構成例を示す。なお、実施の形態1及び実施の形態2と同様なものに
関しては同様の材料及び作製方法を適用することができ、同一部分又は同様な機能を有す
る部分の詳細な説明は省略する。
4(B)、図7(B)は、図4(A)、図7(A)それぞれの線X1−X2における断面
図である。
層(配線層405aを含む)が互いに平行(図中上下方向に延伸)かつ互いに離間した状
態で配置されている。複数のゲート配線層(ゲート電極層401を含む)は、ソース配線
層に略直交する方向(図中左右方向)に延伸し、かつ互いに離間するように配置されてい
る。共通配線層408は、複数のゲート配線層それぞれに隣接する位置に配置されており
、ゲート配線層に概略平行な方向、つまり、ソース配線層に概略直交する方向(図中左右
方向)に延伸している。ソース配線層と、共通配線層408及びゲート配線層とによって
、略長方形の空間が囲まれているが、この空間に液晶表示装置の画素電極層及び共通電極
層が配置されている。画素電極層を駆動する薄膜トランジスタ420は、図中左上の角に
配置されている。画素電極層及び薄膜トランジスタは、マトリクス状に複数配置されてい
る。
続する平板状の第1の電極層447が画素電極層として機能し、共通配線層408と電気
的に接続する開口パターンを有する第2の電極層446が共通電極層として機能する。
447上には層間膜413が積層され、層間膜413上に第2の電極層446が形成され
ている。なお、図4においては、第1の電極層と共通電極層とによって容量が形成されて
いる。
447上には絶縁膜416が積層され、絶縁膜416上に第2の電極層446が形成され
ている。なお、図7においては、第1の電極層と共通電極層とによって容量が形成されて
いる。
着色層を用いると、画素の開口率を低下させることなく薄膜トランジスタ420の半導体
層403へ入射する光の強度を減衰させることができ、酸化物半導体の光感度による薄膜
トランジスタ420の電気特性の変動を防止し安定化する効果を得られる。また、有彩色
の透光性樹脂層417は、カラーフィルタ層として機能させることができる。カラーフィ
ルタ層を対向基板側に設ける場合、薄膜トランジスタが形成される素子基板との、正確な
画素領域の位置合わせが難しく画質を損なう恐れがあるが、層間膜をカラーフィルタ層と
して直接素子基板側に形成するのでより精密な形成領域の制御ができ、微細なパターンの
画素にも対応することができる。また、層間膜とカラーフィルタ層を同一の絶縁層で兼ね
るので、工程が簡略化しより低コストで液晶表示装置を作製可能となる。
ができる。また、該液晶表示装置をより低コストで生産性よく作製することができる。
きる。
遮光層(ブラックマトリクス)を有する液晶表示装置を、図5を用いて説明する。
て、対向基板である第2の基板442側にさらに遮光層414を形成する例である。よっ
て、実施の形態1と同様なものに関しては同様の材料及び作製方法を適用することができ
、同一部分又は同様な機能を有する部分の詳細な説明は省略する。
面図である。なお、図5(A)の平面図では素子基板側のみ図示しており、対向基板側の
記載は省略している。
415が形成されている。遮光層414は、液晶層444を介して薄膜トランジスタ42
0と対応する領域(薄膜トランジスタの半導体層と重畳する領域)に形成することが好ま
しい。遮光層414が薄膜トランジスタ420の少なくとも半導体層403上方を覆うよ
うに配置されるように、第1の基板441及び第2の基板442は液晶層444を挟持し
て固着される。
透過率より低い。
有機樹脂を用いることができ、感光性又は非感光性のポリイミドなどの樹脂材料に、顔料
系の黒色樹脂やカーボンブラック、チタンブラック等を混合させて形成すればよい。また
、遮光性の金属膜を用いることもでき、例えばクロム、モリブデン、ニッケル、チタン、
コバルト、銅、タングステン、又はアルミニウムなどを用いればよい。
法などの乾式法、又はスピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェ
ット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等)などの湿式法を用い、必要に応じてエッチ
ング法(ドライエッチング又はウエットエッチング)により所望のパターンに加工すれば
よい。
印刷法などの塗布法で形成すればよい。
ランジスタの安定化の効果を高めることができる。遮光層414は薄膜トランジスタ42
0の半導体層403への光の入射を遮断することができるため、酸化物半導体の光感度に
よる薄膜トランジスタ420の電気特性の変動を防止しより安定化させる。また、遮光層
414は隣り合う画素への光漏れを防止することもできるため、より高コントラスト及び
高精細な表示を行うことが可能になる。よって、液晶表示装置の高精細、高信頼性を達成
することができる。
ができる。また、該液晶表示装置をより低コストで生産性よく作製することができる。
きる。
である。
遮光層(ブラックマトリクス)を有する液晶表示装置を、図6を用いて説明する。
いることができる。図6に示す液晶表示装置は、実施の形態1の図1(A)(B)で示す
液晶表示装置において、素子基板である第1の基板441側に層間膜413の一部として
遮光層414を形成する例である。よって、実施の形態1と同様なものに関しては同様の
材料及び作製方法を適用することができ、同一部分又は同様な機能を有する部分の詳細な
説明は省略する。
面図である。なお、図6(A)の平面図では素子基板側のみ図示しており、対向基板側の
記載は省略している。
素子基板である第1の基板441側に設けられており、薄膜トランジスタ420上(少な
くとも薄膜トランジスタの半導体層と覆う領域)に絶縁膜407を介して形成され、半導
体層403に対する遮光層として機能する。一方、有彩色の透光性樹脂層417は、第1
の電極層447及び第2の電極層446に重なる領域に形成され、カラーフィルタ層とし
て機能する。図6(B)の液晶表示装置において、第2の電極層446の一部は、遮光層
414上に形成され、その上に液晶層444が設けられている。
透過率より低い。
ば、感光性又は非感光性のポリイミドなどの樹脂材料に、顔料系の黒色樹脂やカーボンブ
ラック、チタンブラック等を混合させて形成すればよい。遮光層414の形成方法は材料
に応じて、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェット法、ス
クリーン印刷、オフセット印刷等)などの湿式法を用い、又は蒸着法、スパッタ法、CV
D法などの乾式法を用い、又は、必要に応じてエッチング法(ドライエッチング又はウエ
ットエッチング)により所望のパターンに加工すればよい。
薄膜トランジスタの安定化の効果を高めることができる。遮光層を対向基板側に形成する
場合、液晶層を介して薄膜トランジスタと対応する領域(少なくとも薄膜トランジスタの
半導体層と重畳する領域)に形成すれば、対向基板から入射する光による薄膜トランジス
タの電気特性の変動をより防止することができる。
電極層などによって素子基板からの光も対向基板からの光も遮断できる場合もあるので、
必ずしも遮光層を薄膜トランジスタを覆うように形成しなくてもよい。
色の透光性樹脂層の積層構造の例を図17に示す。図17(A)(B)は、素子基板であ
る第1の基板200上に素子層203が形成され、素子層203上に層間膜209が形成
されている。層間膜209は、有彩色の透光性樹脂層204a、204b、204c及び
遮光層205a、205b、205c、205dを含み、有彩色の透光性樹脂層204a
、204b、204cの間に遮光層205a、205b、205c、205dがそれぞれ
形成される構成である。なお、図17(A)(B)では含まれる画素電極層及び共通電極
層は省略している。
光性樹脂層204aは赤色、有彩色の透光性樹脂層204bは緑色、有彩色の透光性樹脂
層204cは青色の着色層とし、複数色の有彩色の透光性樹脂層を用いている。
有彩色の透光性樹脂層の上方、又は下方に遮光層を積層する例である。このような遮光層
としては、薄膜の遮光性の無機膜(例えば金属膜)が好適である。
dが形成され、遮光層205a、205b、205c、205dを上に有彩色の透光性樹
脂層204a、204b、204cが積層されている。また、図17(B)は、素子層2
03上に有彩色の透光性樹脂層204a、204b、204cが形成され、有彩色の透光
性樹脂層204a、204b、204c上に薄膜の遮光層205a、205b、205c
、205dが積層され、遮光層205a、205b、205c、205d上にオーバーコ
ート膜として絶縁膜211が形成されている。図17(B)のように素子層、遮光層、有
彩色の透光性樹脂層は直接積層されてもよいし、それぞれの上、下、間に絶縁膜が設けら
れた構造であってもよい。
硬化性の樹脂を用いるのが好ましい。代表的には、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、アミン
樹脂などを用いることができる。また、光(代表的には紫外線)重合開始剤、熱硬化剤、
フィラー、カップリング剤を含んでもよい。
ジスタの半導体層403への光の入射を遮断することができる、酸化物半導体の光感度に
よる薄膜トランジスタの電気特性の変動を防止し安定化する効果を得られる。また、遮光
層は隣り合う画素への光漏れを防止することもできるため、より高コントラスト及び高精
細な表示を行うことが可能になる。よって、液晶表示装置の高精細、高信頼性を達成する
ことができる。
。カラーフィルタ層を対向基板側に設ける場合、薄膜トランジスタが形成される素子基板
との、正確な画素領域の位置合わせが難しく画質を損なう恐れがあるが、層間膜に含まれ
る有彩色の透光性樹脂層417をカラーフィルタ層として直接素子基板側に形成するので
より精密な形成領域の制御ができ、微細なパターンの画素にも対応することができる。ま
た、層間膜とカラーフィルタ層を同一の絶縁層で兼ねるので、工程が簡略化しより低コス
トで液晶表示装置を作製可能となる。
ができる。また、該液晶表示装置をより低コストで生産性よく作製することができる。
きる。
である。
実施の形態1乃至5において、液晶表示装置に適用できる薄膜トランジスタの他の例を示
す。なお、実施の形態1乃至5と同様なものに関しては同様の材料及び作製方法を適用す
ることができ、同一部分又は同様な機能を有する部分の詳細な説明は省略する。
ンジスタを有する液晶表示装置の例を図10に示す。
は、図10(A)の線V1−V2における断面図である。
405aを含む)が互いに平行(図中上下方向に延伸)かつ互いに離間した状態で配置さ
れている。複数のゲート配線層(ゲート電極層401を含む)は、ソース配線層に略直交
する方向(図中左右方向)に延伸し、かつ互いに離間するように配置されている。共通配
線層(共通電極層)は、複数のゲート配線層それぞれに隣接する位置に配置されており、
ゲート配線層に概略平行な方向、つまり、ソース配線層に概略直交する方向(図中左右方
向)に延伸している。ソース配線層と、共通配線層(共通電極層)及びゲート配線層とに
よって、略長方形の空間が囲まれているが、この空間に液晶表示装置の画素電極層及び共
通電極層が配置されている。画素電極層を駆動する薄膜トランジスタ422は、図中左上
の角に配置されている。画素電極層及び薄膜トランジスタは、マトリクス状に複数配置さ
れている。
層446が画素電極層として機能し、共通配線層と電気的に接続する第1の電極層447
が共通電極層として機能する。なお、図10に示すように第1の電極層447は画素にお
いて、共通配線層も兼ねており、隣り合う画素間は共通電極層409によって電気的に接
続されている。なお、画素電極層と共通電極層によって容量が形成されている。
7、及び第2の電極層446が設けられた第1の基板441と、第2の基板442とは液
晶層444を間に挟持して固着されている。
5a、405bと半導体層403とがn+層を介さずに接する構成である。
着色層を用いると、画素の開口率を低下させることなく薄膜トランジスタ422の半導体
層403へ入射する光の強度を減衰させることができる、酸化物半導体の光感度による薄
膜トランジスタ422の電気特性の変動を防止し安定化する効果を得られる。また、有彩
色の透光性樹脂層417は、カラーフィルタ層として機能させることができる。カラーフ
ィルタ層を対向基板側に設ける場合、薄膜トランジスタが形成される素子基板との、正確
な画素領域の位置合わせが難しく画質を損なう恐れがあるが、層間膜をカラーフィルタ層
として直接素子基板側に形成するのでより精密な形成領域の制御ができ、微細なパターン
の画素にも対応することができる。また、層間膜とカラーフィルタ層を同一の絶縁層で兼
ねるので、工程が簡略化しより低コストで液晶表示装置を作製可能となる。
能な液晶表示装置を提供することができる。また、該液晶表示装置をより低コストで生産
性よく作製することができる。
きる。
である。
実施の形態1乃至5において、液晶表示装置に適用できる薄膜トランジスタの他の例を、
図9を用いて説明する。
図9(A)の線Z1−Z2における断面図である。
05aを含む)が互いに平行(図中上下方向に延伸)かつ互いに離間した状態で配置され
ている。複数のゲート配線層(ゲート電極層401を含む)は、ソース配線層に略直交す
る方向(図中左右方向)に延伸し、かつ互いに離間するように配置されている。共通配線
層(共通電極層)は、複数のゲート配線層それぞれに隣接する位置に配置されており、ゲ
ート配線層に概略平行な方向、つまり、ソース配線層に概略直交する方向(図中左右方向
)に延伸している。ソース配線層と、共通配線層(共通電極層)及びゲート配線層とによ
って、略長方形の空間が囲まれているが、この空間に液晶表示装置の画素電極層及び共通
電極層が配置されている。画素電極層を駆動する薄膜トランジスタ421は、図中左上の
角に配置されている。画素電極層及び薄膜トランジスタは、マトリクス状に複数配置され
ている。
446が画素電極層として機能し、共通配線層と電気的に接続する第1の電極層447が
共通電極層として機能する。なお、図9に示すように第1の電極層447は画素において
、共通配線層も兼ねており、隣り合う画素間は共通電極層409によって電気的に接続さ
れている。なお、画素電極層と共通電極層によって容量が形成されている。
7、及び第2の電極層446が設けられた第1の基板441と、第2の基板442とは液
晶層444を間に挟持して固着されている。
基板である第1の基板441上に、ゲート電極層401、ゲート絶縁層402、ソース電
極層又はドレイン電極層として機能する配線層405a、405b、ソース領域又はドレ
イン領域として機能するn+層404a、404b、及び半導体層403を含む。また、
薄膜トランジスタ421を覆い、半導体層403に接する絶縁膜407が設けられている
。半導体層403及びn+層404a、404bは、In−Ga−Zn−O系非単結晶膜
を用いる。このような構造の薄膜トランジスタ421は、移動度20cm2/Vs以上、
S値0.4V/dec以下の特性が得られる。よって高速動作が可能となり、シフトレジ
ストなどの駆動回路(ソースドライバー又はゲートドライバー)を画素部と同一基板上に
形成することができる。
05a、405bにアルゴンガスを導入してプラズマを発生させる逆スパッタを行い、表
面に付着しているゴミを除去することが好ましい。
0℃〜500℃の熱処理を行うと良い。例えば、窒素雰囲気下で350℃、1時間の熱処
理を行う。この熱処理を行うタイミングは、半導体層403及びn+層404a、404
bに用いる酸化物半導体膜の形成後であれば特に限定されない。
層402が存在し、ゲート絶縁層402と絶縁表面を有する基板である第1の基板441
の間にゲート電極層401が設けられている。ゲート絶縁層402上には配線層405a
、405b、及びn+層404a、404bが設けられている。そして、ゲート絶縁層4
02、配線層405a、405b、及びn+層404a、404b上に半導体層403が
設けられている。また、図示しないが、ゲート絶縁層402上には配線層405a、40
5bに加えて配線層を有し、該配線層は半導体層403の外周部より外側に延在している
。
着色層を用いると、画素の開口率を低下させることなく薄膜トランジスタ421の半導体
層403へ入射する光の強度を減衰させることができ、酸化物半導体の光感度による薄膜
トランジスタ421の電気特性の変動を防止し安定化する効果を得られる。また、有彩色
の透光性樹脂層417は、カラーフィルタ層として機能させることができる。カラーフィ
ルタ層を対向基板側に設ける場合、薄膜トランジスタが形成される素子基板との、正確な
画素領域の位置合わせが難しく画質を損なう恐れがあるが、層間膜をカラーフィルタ層と
して直接素子基板側に形成するのでより精密な形成領域の制御ができ、微細なパターンの
画素にも対応することができる。また、層間膜とカラーフィルタ層を同一の絶縁層で兼ね
るので、工程が簡略化しより低コストで液晶表示装置を作製可能となる。
ができる。また、該液晶表示装置をより低コストで生産性よく作製することができる。
きる。
である。
実施の形態1乃至5において、液晶表示装置に適用できる薄膜トランジスタの他の例を示
す。なお、実施の形態1乃至5と同様なものに関しては同様の材料及び作製方法を適用す
ることができ、同一部分又は同様な機能を有する部分の詳細な説明は省略する。
ランジスタを有する液晶表示装置の例を図11に示す。
は、図11(A)の線Y1−Y2における断面図である。
405aを含む)が互いに平行(図中上下方向に延伸)かつ互いに離間した状態で配置さ
れている。複数のゲート配線層(ゲート電極層401を含む)は、ソース配線層に略直交
する方向(図中左右方向)に延伸し、かつ互いに離間するように配置されている。共通配
線層(共通電極層)は、複数のゲート配線層それぞれに隣接する位置に配置されており、
ゲート配線層に概略平行な方向、つまり、ソース配線層に概略直交する方向(図中左右方
向)に延伸している。ソース配線層と、共通配線層(共通電極層)及びゲート配線層とに
よって、略長方形の空間が囲まれているが、この空間に液晶表示装置の画素電極層及び共
通電極層が配置されている。画素電極層を駆動する薄膜トランジスタ423は、図中左上
の角に配置されている。画素電極層及び薄膜トランジスタは、マトリクス状に複数配置さ
れている。
層446が画素電極層として機能し、共通配線層と電気的に接続する第1の電極層447
が共通電極層として機能する。なお、図11に示すように第1の電極層447は画素にお
いて、共通配線層も兼ねており、隣り合う画素間は共通電極層409によって電気的に接
続されている。なお、画素電極層と共通電極層によって容量が形成されている。
7、及び第2の電極層446が設けられた第1の基板441と、第2の基板442とは液
晶層444を間に挟持して固着されている。
層402が存在し、ゲート絶縁層402と絶縁表面を有する基板である第1の基板441
の間にゲート電極層401が設けられている。ゲート絶縁層402上には配線層405a
、405bが設けられている。そして、ゲート絶縁層402、配線層405a、405b
上に半導体層403が設けられている。また、図示しないが、ゲート絶縁層402上には
配線層455a、455bに加えて配線層を有し、該配線層は半導体層403の外周部よ
り外側に延在している。
着色層を用いると、画素の開口率を低下させることなく薄膜トランジスタ423の半導体
層403へ入射する光の強度を減衰させることができ、酸化物半導体の光感度による薄膜
トランジスタ423の電気特性の変動を防止し安定化する効果を得られる。また、有彩色
の透光性樹脂層417は、カラーフィルタ層として機能させることができる。カラーフィ
ルタ層を対向基板側に設ける場合、薄膜トランジスタが形成される素子基板との、正確な
画素領域の位置合わせが難しく画質を損なう恐れがあるが、層間膜をカラーフィルタ層と
して直接素子基板側に形成するのでより精密な形成領域の制御ができ、微細なパターンの
画素にも対応することができる。また、層間膜とカラーフィルタ層を同一の絶縁層で兼ね
るので、工程が簡略化しより低コストで液晶表示装置を作製可能となる。
ができる。また、該液晶表示装置をより低コストで生産性よく作製することができる。
きる。
である。
上記実施の形態において、液晶層としてブルー相を示す液晶材料を用いることができる。
ブルー相を示す液晶層を用いる液晶表示装置について図2を用いて説明する。
子層203上に層間膜209が形成されている。
a、205b、205c、205dを含み、有彩色の透光性樹脂層204a、204b、
204cの間に遮光層205a、205b、205c、205dがそれぞれ形成される構
成である。なお、図2(A)乃至(D)では含まれる画素電極層及び共通電極層は省略し
ている。例えば、画素電極層及び共通電極層は実施の形態1乃至8の構造を用いることが
でき、横電界モードを適用することができる。
晶層206を間に挟持させてシール材202a、202bで固着する。液晶層206を形
成する方法として、ディスペンサ法(滴下法)や、第1の基板200と第2の基板201
とを貼り合わせてから毛細管現象を用いて液晶を注入する注入法を用いることができる。
材料は、応答速度が1msec以下と短く高速応答が可能であるため、液晶表示装置の高
性能化が可能になる。
造に配向させ、ブルー相を発現させるために用いる。例えば、5重量%以上のカイラル剤
を混合させた液晶材料を液晶層に用いればよい。
を用いる。
、S体のどちらか片方の材料が良く、R体とS体の割合が50:50のラセミ体は使用し
ない。
ク相、スメクチックブルー相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す
。
0nm以下で比較的短いコレステリック相またはスメクチック相を有する液晶材料にみら
れる。液晶材料の配向は二重ねじれ構造を有する。可視光の波長以下の秩序を有している
ため、透明であり、電圧印加によって配向秩序が変化して光学的変調作用が生じる。ブル
ー相は光学的に等方であるため視野角依存性がなく、配向膜を形成しなくとも良いため、
表示画像の質の向上及びコスト削減が可能である。また配向膜へのラビング処理も不要と
なるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工
程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。よって液晶表示装置の生産性
を向上させることが可能となる。特に、酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタは、静
電気の影響により薄膜トランジスタの電気的な特性が著しく変動して設計範囲を逸脱する
恐れがある。よって酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタを有する液晶表示装置にブ
ルー相の液晶材料を用いることはより効果的である。
材料に、光硬化樹脂及び光重合開始剤を添加し、高分子安定化処理を行うことが好ましい
。高分子安定化処理は、液晶、カイラル剤、光硬化樹脂、及び光重合開始剤を含む液晶材
料に、光硬化樹脂、及び光重合開始剤が反応する波長の光を照射して行う。この高分子安
定化処理は、等方相を示す液晶材料に光照射して行っても良いし、温度制御してブルー相
を発現した液晶材料に光照射して行ってもよい。例えば、液晶層の温度を制御し、ブルー
相を発現した状態で液晶層に光を照射することにより高分子安定化処理を行う。但し、こ
れに限定されず、ブルー相と等方相間の相転移温度から+10℃以内、好ましくは+5℃
以内の等方相を発現した状態で液晶層に光を照射することにより高分子安定化処理を行っ
てもよい。ブルー相と等方相間の相転移温度とは、昇温時にブルー相から等方相に転移す
る温度又は降温時に等方相からブルー相に相転移する温度をいう。高分子安定化処理の一
例としては、液晶層を等方相まで加熱した後、徐々に降温させてブルー相にまで相転移さ
せ、ブルー相が発現する温度を保持した状態で光を照射することができる。他にも、液晶
層を徐々に加熱して等方相に相転移させた後、ブルー相と等方相間の相転移温度から+1
0℃以内、好ましくは+5℃以内状態(等方相を発現した状態)で光を照射することがで
きる。また、液晶材料に含まれる光硬化樹脂として、紫外線硬化樹脂(UV硬化樹脂)を
用いる場合、液晶層に紫外線を照射すればよい。なお、ブルー相を発現させなくとも、ブ
ルー相と等方相間の相転移温度から+10℃以内、好ましくは+5℃以内状態(等方相を
発現した状態)で光を照射して高分子安定化処理を行えば、応答速度が1msec以下と
短く高速応答が可能である。
レート、トリアクリレート、ジメタクリレート、トリメタクリレートなどの多官能モノマ
ーでもよく、これらを混合させたものでもよい。また、液晶性のものでも非液晶性のもの
でもよく、両者を混合させてもよい。光硬化樹脂は、用いる光重合開始剤の反応する波長
の光で硬化する樹脂を選択すれば良く、代表的には紫外線硬化樹脂を用いることができる
。
を発生させる酸発生剤でもよく、塩基を発生させる塩基発生剤でもよい。
4’−ペンチルビフェニルの混合物を用いることができ、カイラル剤としては、ZLI−
4572(メルク株式会社製)を用いることができ、光硬化樹脂は、2−エチルヘキシル
アクリレート、RM257(メルク株式会社製)、トリメチロールプロパントリアクリレ
ートを用いることができ、光重合開始剤としては2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセ
トフェノンを用いることができる。
いて形成する。
、液晶層208を形成する。光207は、液晶層206に含まれる光硬化樹脂、及び光重
合開始剤が反応する波長の光とする。この光照射による高分子安定化処理により、液晶層
208がブルー相を示す温度範囲を広く改善することができる。
安定化処理の光照射工程によってシール材の硬化も行ってもよい。
であると、カラーフィルタ層及び遮光層によって対向基板側から照射される光が吸収、遮
断されることがないために、液晶層全体に均一に照射することができる。よって、光重合
の不均一による液晶の配向乱れやそれに伴う表示ムラなどを防止することができる。また
、遮光層によって薄膜トランジスタは遮光されるので、その電気特性は安定なままである
。
10aを、第2の基板201の外側(液晶層208と反対側)に偏光板210bを設ける
。また、偏光板の他、位相差板、反射防止膜などの光学フィルムなどを設けてもよい。例
えば、偏光板及び位相差板による円偏光を用いてもよい。以上の工程で、液晶表示装置を
完成させることができる。
断工程は、高分子安定化処理の前か、偏光板を設ける前に行うことができる。分断工程に
よる液晶層への影響(分断工程時にかかる力などによる配向乱れなど)を考慮すると、第
1の基板と第2の基板とを貼り合わせた後、高分子安定化処理の前が好ましい。
基板である第1の基板200側から、視認側である第2の基板201へと透過するように
照射される。
能な液晶表示装置を提供することができる。また、該液晶表示装置をより低コストで生産
性よく作製することができる。
きる。
である。
薄膜トランジスタを作製し、該薄膜トランジスタを画素部、さらには駆動回路に用いて表
示機能を有する液晶表示装置を作製することができる。また、薄膜トランジスタを駆動回
路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成す
ることができる。
ーラを含むIC等を実装した状態にあるモジュールとを含む。さらに、該液晶表示装置を
作製する過程における、表示素子が完成する前の一形態に相当する素子基板に関し、該素
子基板は、電流を表示素子に供給するための手段を複数の各画素に備える。素子基板は、
具体的には、表示素子の画素電極のみが形成された状態であっても良いし、画素電極とな
る導電膜を成膜した後であって、エッチングして画素電極を形成する前の状態であっても
良いし、あらゆる形態があてはまる。
は光源(照明装置含む)を指す。また、コネクター、例えばFPC(Flexible
printed circuit)もしくはTAB(Tape Automated B
onding)テープもしくはTCP(Tape Carrier Package)が
取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモ
ジュール、または表示素子にCOG(Chip On Glass)方式によりIC(集
積回路)が直接実装されたモジュールも全て液晶表示装置に含むものとする。
て説明する。図12(A1)(A2)は、第1の基板4001上に形成された酸化物半導
体膜を半導体層として含む信頼性の高い薄膜トランジスタ4010、4011、及び液晶
素子4013を、第2の基板4006との間にシール材4005によって封止した、パネ
ルの上面図であり、図12(B)は、図12(A1)(A2)のM−Nにおける断面図に
相当する。
ようにして、シール材4005が設けられている。また画素部4002と、走査線駆動回
路4004の上に第2の基板4006が設けられている。よって画素部4002と、走査
線駆動回路4004とは、第1の基板4001とシール材4005と第2の基板4006
とによって、液晶層4008と共に封止されている。
領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形
成された信号線駆動回路4003が実装されている。なお、図12(A2)は信号線駆動
回路の一部を第1の基板4001上に酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで形成する
例であり、第1の基板4001上に信号線駆動回路4003bが形成され、かつ別途用意
された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路4003
aが実装されている。
ワイヤボンディング方法、或いはTAB方法などを用いることができる。図12(A1)
は、COG方法により信号線駆動回路4003を実装する例であり、図12(A2)は、
TAB方法により信号線駆動回路4003を実装する例である。
薄膜トランジスタを複数有しており、図12(B)では、画素部4002に含まれる薄膜
トランジスタ4010と、走査線駆動回路4004に含まれる薄膜トランジスタ4011
とを例示している。薄膜トランジスタ4010、4011上には絶縁層4020、層間膜
4021が設けられている。
導体層として含む信頼性の高い薄膜トランジスタを適用することができる。薄膜トランジ
スタ4010、4011はnチャネル型薄膜トランジスタである。
画素電極層4030は、薄膜トランジスタ4010と電気的に接続されている。液晶素子
4013は、画素電極層4030、共通電極層4031、及び液晶層4008を含む。な
お、第1の基板4001、第2の基板4006の外側にはそれぞれ偏光板4032、40
33が設けられている。
スチックなどを用いることができる。プラスチックとしては、FRP(Fibergla
ss−Reinforced Plastics)板、PVF(ポリビニルフルオライド
)フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。
また、アルミニウムホイルをPVFフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシー
トを用いることもできる。
液晶層4008の膜厚(セルギャップ)を制御するために設けられている。なお球状のス
ペーサを用いていても良い。なお、液晶層4008を用いる液晶表示装置は、液晶層40
08の膜厚(セルギャップ)を5μm以上20μm程度とすることが好ましい。
、偏光板は基板の内側に設けてもよい。偏光板の材料や作製工程条件によって適宜設定す
ればよい。また、ブラックマトリクスとして機能する遮光層を設けてもよい。
た、層間膜4021の一部を遮光層としてもよい。図12においては、薄膜トランジスタ
4010、4011上方を覆うように遮光層4034が第2の基板4006側に設けられ
ている。遮光層4034を設けることにより、さらにコントラスト向上や薄膜トランジス
タの安定化の効果を高めることができる。
いると、画素の開口率を低下させることなく薄膜トランジスタの半導体層へ入射する光の
強度を減衰させることができ、酸化物半導体の光感度による薄膜トランジスタの電気特性
の変動を防止し安定化する効果を得られる。また、有彩色の透光性樹脂層は、カラーフィ
ルタ層として機能させることができる。カラーフィルタ層を対向基板側に設ける場合、薄
膜トランジスタが形成される素子基板との、正確な画素領域の位置合わせが難しく画質を
損なう恐れがあるが、層間膜をカラーフィルタ層として直接素子基板側に形成するのでよ
り精密な形成領域の制御ができ、微細なパターンの画素にも対応することができる。また
、層間膜とカラーフィルタ層を同一の絶縁層で兼ねるので、工程が簡略化しより低コスト
で液晶表示装置を作製可能となる。
に限定されない。
ぐためのものであり、緻密な膜が好ましい。保護膜は、スパッタ法を用いて、酸化珪素膜
、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウ
ム膜、酸化窒化アルミニウム膜、又は窒化酸化アルミニウム膜の単層、又は積層で形成す
ればよい。
い。
、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いるこ
とができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料(low−k材料)、シロキサン系
樹脂、PSG(リンガラス)、BPSG(リンボロンガラス)等を用いることができる。
なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層を形成してもよ
い。
、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェット法、スクリーン
印刷、オフセット印刷等)、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイ
フコーター等を用いることができる。絶縁層を材料液を用いて形成する場合、ベークする
工程で同時に、半導体層のアニール(200℃〜400℃)を行ってもよい。絶縁層の焼
成工程と半導体層のアニールを兼ねることで効率よく液晶表示装置を作製することが可能
となる。
、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、
酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。)、
インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する
導電性材料を用いることができる。
ともいう)を含む導電性組成物を用いて形成することができる。
002に与えられる各種信号及び電位は、FPC4018から供給されている。
線に対して、駆動回路保護用の保護回路を同一基板上に設けることが好ましい。保護回路
は、酸化物半導体を用いた非線形素子を用いて構成することが好ましい。
端子電極4016は、薄膜トランジスタ4010、4011のソース電極層及びドレイン
電極層と同じ導電膜で形成されている。
て電気的に接続されている。
装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して
実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部のみを別途形成し
て実装しても良い。
示している。
ル材2602により固着され、その間にTFT等を含む素子層2603、液晶層を含む表
示素子2604、カラーフィルタとして機能する有彩色の透光性樹脂層を含む層間膜26
05が設けられ表示領域を形成している有彩色の透光性樹脂層を含む層間膜2605はカ
ラー表示を行う場合に必要であり、RGB方式の場合は、赤、緑、青の各色に対応した有
彩色の透光性樹脂層が各画素に対応して設けられている。素子基板2600と対向基板2
601の外側には偏光板2606、偏光板2607、拡散板2613が配設されている。
光源は冷陰極管2610と反射板2611により構成され、回路基板2612は、フレキ
シブル配線基板2609により素子基板2600の配線回路部2608と接続され、コン
トロール回路や電源回路などの外部回路が組みこまれている。また、光源として、白色の
ダイオードを用いてもよい。また偏光板と、液晶層との間に位相差板を有した状態で積層
してもよい。
きる。
である。
本明細書に開示する液晶表示装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用するこ
とができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョ
ン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカ
メラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯
型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げら
れる。
00は、筐体9601に表示部9603が組み込まれている。表示部9603により、映
像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド9605により筐体9601
を支持した構成を示している。
コン操作機9610により行うことができる。リモコン操作機9610が備える操作キー
9609により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部9603に表示され
る映像を操作することができる。また、リモコン操作機9610に、当該リモコン操作機
9610から出力する情報を表示する表示部9607を設ける構成としてもよい。
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方向
(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
ルフォトフレーム9700は、筐体9701に表示部9703が組み込まれている。表示
部9703は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮影
した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。
Bケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など)、記録媒体挿入部などを備える構
成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に
備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録媒
体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像デー
タを取り込み、取り込んだ画像データを表示部9703に表示させることができる。
。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。
れており、連結部9893により、開閉可能に連結されている。筐体9881には表示部
9882が組み込まれ、筐体9891には表示部9883が組み込まれている。また、図
14(A)に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部9884、記録媒体挿入部988
6、LEDランプ9890、入力手段(操作キー9885、接続端子9887、センサ9
888(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、
化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振
動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン9889)等を備え
ている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも本明細書
に開示する液晶表示装置を備えた構成であればよく、その他付属設備が適宜設けられた構
成とすることができる。図14(A)に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されている
プログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通
信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図14(A)に示す携帯型遊技機が有す
る機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
マシン9900は、筐体9901に表示部9903が組み込まれている。また、スロット
マシン9900は、その他、スタートレバーやストップスイッチなどの操作手段、コイン
投入口、スピーカなどを備えている。もちろん、スロットマシン9900の構成は上述の
ものに限定されず、少なくとも本明細書に開示する液晶表示装置を備えた構成であればよ
く、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。
1001に組み込まれた表示部1002の他、操作ボタン1003、外部接続ポート10
04、スピーカ1005、マイク1006などを備えている。
報を入力ことができる。また、電話を掛ける、或いはメールを打つなどの操作は、表示部
1002を指などで触れることにより行うことができる。
示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示
モードと入力モードの2つのモードが混合した表示+入力モードである。
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部1002の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好
ましい。
有する検出装置を設けることで、携帯電話機1000の向き(縦か横か)を判断して、表
示部1002の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
ボタン1003の操作により行われる。また、表示部1002に表示される画像の種類に
よって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画の
データであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
部1002のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。
02に掌や指を触れることで、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことがで
きる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシ
ング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
、表示部9412、及び操作ボタン9413を含む表示装置9410と、筐体9401に
操作ボタン9402、外部入力端子9403、マイク9404、スピーカ9405、及び
着信時に発光する発光部9406を含む通信装置9400とを有しており、表示機能を有
する表示装置9410は電話機能を有する通信装置9400と矢印の2方向に脱着可能で
ある。よって、表示装置9410と通信装置9400の短軸同士を取り付けることも、表
示装置9410と通信装置9400の長軸同士を取り付けることもできる。また、表示機
能のみを必要とする場合、通信装置9400より表示装置9410を取り外し、表示装置
9410を単独で用いることもできる。通信装置9400と表示装置9410とは無線通
信又は有線通信により画像又は入力情報を授受することができ、それぞれ充電可能なバッ
テリーを有する。
Claims (3)
- ゲート配線と、
ソース配線と、
第1の電極と、
前記ゲート配線を介して前記第1の電極と隣接するように設けられた第2の電極と、
前記ソース配線と電気的に接続され、且つ、ゲート絶縁膜を介して前記ゲート配線と重なる領域を有する酸化物半導体層と、
前記ゲート配線の上方、前記ゲート絶縁膜の上方、及び前記酸化物半導体層の上方に設けられた遮光性の無機膜と、
前記遮光性の無機膜の上方に積層して設けられ、前記酸化物半導体層と前記遮光性の無機膜とに重なる領域を有する有彩色の樹脂層と、
前記遮光性の無機膜の上方及び前記有彩色の樹脂層の上方に設けられた平坦化膜と、を有し、
前記第1の電極は、前記ゲート配線を横断するように設けられた導電層を介して、前記第2の電極と電気的に接続され、
前記遮光性の無機膜は、前記ゲート配線と重なる領域と、前記ソース配線と重なる領域と、前記酸化物半導体層と重なる領域と、前記導電層と重なる領域と、を有し、
前記酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有し、
前記酸化物半導体層は、結晶を有し、
前記遮光性の無機膜は、金属膜であり、
前記有彩色の樹脂層は、前記酸化物半導体層より光透過率が低く、且つ、前記遮光性の無機膜より膜厚が厚いことを特徴とする半導体装置。 - ゲート配線と、
ソース配線と、
第1の電極と、
前記ゲート配線を介して前記第1の電極と隣接するように設けられた第2の電極と、
前記ソース配線と電気的に接続され、且つ、ゲート絶縁膜を介して前記ゲート配線と重なる領域を有する酸化物半導体層と、
前記ゲート配線の上方、前記ゲート絶縁膜の上方、及び前記酸化物半導体層の上方に設けられた遮光性の無機膜と、
前記遮光性の無機膜の上方に積層して設けられ、前記酸化物半導体層と前記遮光性の無機膜とに重なる領域を有する有彩色の樹脂層と、
前記遮光性の無機膜の上方及び前記有彩色の樹脂層の上方に設けられた平坦化膜と、
前記平坦化膜上の第3の電極と、を有し、
前記第1の電極は、前記ゲート配線を横断するように設けられた導電層を介して、前記第2の電極と電気的に接続され、
前記遮光性の無機膜は、前記ゲート配線と重なる領域と、前記ソース配線と重なる領域と、前記酸化物半導体層と重なる領域と、前記導電層と重なる領域と、を有し、
前記第3の電極は、前記有彩色の樹脂層に設けられた開口を介して、前記酸化物半導体層と電気的に接続され、
前記第3の電極は、前記遮光性の無機膜と重なる領域を有し、
前記酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有し、
前記酸化物半導体層は、結晶を有し、
前記遮光性の無機膜は、金属膜であり、
前記有彩色の樹脂層は、前記酸化物半導体層より光透過率が低く、且つ、前記遮光性の無機膜より膜厚が厚いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は2において、
前記酸化物半導体層は、ナノクリスタルを含むことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
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JP5336005B2 (ja) * | 2010-12-10 | 2013-11-06 | シャープ株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法、ならびに液晶表示装置 |
JP2012129444A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | アクティブマトリックス基板、及び液晶装置 |
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KR20130040706A (ko) * | 2011-10-14 | 2013-04-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
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CN102629038B (zh) * | 2011-12-15 | 2014-12-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | Tft阵列基板及其制作方法和显示装置 |
JP5917127B2 (ja) | 2011-12-19 | 2016-05-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
US9214533B2 (en) | 2012-01-31 | 2015-12-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having transparent electrodes |
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CN102681276B (zh) * | 2012-02-28 | 2014-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法以及包括该阵列基板的显示装置 |
CN102654695A (zh) * | 2012-03-23 | 2012-09-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及应用其的显示装置 |
KR101295536B1 (ko) * | 2012-03-26 | 2013-08-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 일체형 표시장치 및 그 제조 방법 |
US20150123117A1 (en) * | 2012-05-14 | 2015-05-07 | Sharp Kabushshiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacturing same |
KR102099262B1 (ko) | 2012-07-11 | 2020-04-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법 |
DE112013007837B3 (de) * | 2012-07-20 | 2023-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung |
TWI478354B (zh) * | 2012-07-25 | 2015-03-21 | Innocom Tech Shenzhen Co Ltd | 薄膜電晶體基板及具備薄膜電晶體基板之顯示裝置 |
US9595544B2 (en) | 2012-08-30 | 2017-03-14 | Sharp Kabushiki Kiasha | Thin film transistor substrate and display device |
CN103681870B (zh) * | 2012-09-13 | 2016-12-21 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制造方法 |
CN102866553B (zh) * | 2012-09-26 | 2016-01-20 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种金属氧化物平面开关型液晶显示面板的制造方法 |
CN102866552B (zh) * | 2012-09-26 | 2015-04-08 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种金属氧化物平面开关型液晶显示面板及其制造方法 |
TWI681233B (zh) * | 2012-10-12 | 2020-01-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法 |
JP6351947B2 (ja) * | 2012-10-12 | 2018-07-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
CN103018974B (zh) * | 2012-11-30 | 2016-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 液晶显示装置、多晶硅阵列基板及制作方法 |
US9417475B2 (en) | 2013-02-22 | 2016-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
CN105027296B (zh) | 2013-03-07 | 2018-11-06 | 夏普株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
JP6124668B2 (ja) * | 2013-04-26 | 2017-05-10 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 |
DE102014208859B4 (de) * | 2013-05-20 | 2021-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
CN103309081B (zh) * | 2013-05-30 | 2016-12-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
TWI636309B (zh) * | 2013-07-25 | 2018-09-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置及電子裝置 |
KR102068170B1 (ko) * | 2013-08-19 | 2020-01-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법 |
CN103472636A (zh) * | 2013-09-06 | 2013-12-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 液晶显示面板及其驱动方法、显示装置 |
US9337030B2 (en) | 2014-03-26 | 2016-05-10 | Intermolecular, Inc. | Method to grow in-situ crystalline IGZO using co-sputtering targets |
KR20150146111A (ko) * | 2014-06-20 | 2015-12-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
CN104216183B (zh) | 2014-08-28 | 2017-08-29 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
KR20160114510A (ko) * | 2015-03-24 | 2016-10-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 터치 패널 |
WO2017002144A1 (ja) * | 2015-06-29 | 2017-01-05 | パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
CN105204254B (zh) * | 2015-10-09 | 2019-01-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种tft阵列基板、显示面板及其制作方法 |
KR102579620B1 (ko) | 2016-01-05 | 2023-09-15 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 디바이스 |
CN106295540B (zh) * | 2016-08-02 | 2019-08-13 | 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 | 采用单一器件实现显示驱动和指纹图像采集的方法 |
KR20180047551A (ko) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
KR102594791B1 (ko) * | 2016-12-28 | 2023-10-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
CN106842685A (zh) * | 2017-03-16 | 2017-06-13 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板及制造方法和显示装置 |
CN106959536A (zh) * | 2017-03-31 | 2017-07-18 | 上海中航光电子有限公司 | 显示面板、制作显示面板的方法及显示装置 |
JP2019095544A (ja) * | 2017-11-21 | 2019-06-20 | 三菱電機株式会社 | 画像表示装置 |
US11217190B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including pixels and source drive circuit |
JP7197414B2 (ja) | 2019-03-26 | 2022-12-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US10903542B1 (en) | 2020-02-25 | 2021-01-26 | The Boeing Company | Variable radio frequency attenuator |
JP7120291B2 (ja) * | 2020-11-17 | 2022-08-17 | 凸版印刷株式会社 | 調光シート及び調光シートの製造方法 |
KR20230103603A (ko) * | 2021-12-31 | 2023-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
Family Cites Families (196)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60170972A (ja) | 1984-02-15 | 1985-09-04 | Sony Corp | 薄膜半導体装置 |
JPS60170972U (ja) | 1984-04-20 | 1985-11-13 | 住友電装株式会社 | クランプ |
JPH01134336A (ja) * | 1987-11-19 | 1989-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2844342B2 (ja) | 1989-02-28 | 1999-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜トランジスタの作製方法 |
FR2647785B1 (fr) | 1989-05-31 | 1991-09-06 | Adir | Nouveaux derives de la pyrrolidone, leur procede de preparation et les compositions pharmaceutiques les renfermant |
JPH03146927A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-06-21 | Casio Comput Co Ltd | Tftアクティブマトリックス型液晶表示パネルおよびその製造方法 |
EP0445535B1 (en) | 1990-02-06 | 1995-02-01 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of forming an oxide film |
JP2585118B2 (ja) | 1990-02-06 | 1997-02-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜トランジスタの作製方法 |
US5849601A (en) | 1990-12-25 | 1998-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3173854B2 (ja) | 1992-03-25 | 2001-06-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法及び作成された半導体装置 |
JP3338481B2 (ja) | 1992-09-08 | 2002-10-28 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
JP3173926B2 (ja) | 1993-08-12 | 2001-06-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法及びその半導体装置 |
KR100367869B1 (ko) * | 1993-09-20 | 2003-06-09 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 액정표시장치 |
JPH08234212A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示素子 |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
US5847410A (en) | 1995-11-24 | 1998-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co. | Semiconductor electro-optical device |
JPH10253976A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Toshiba Corp | 液晶表示素子 |
US6010923A (en) * | 1997-03-31 | 2000-01-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device utilizing annealed semiconductor layer as channel region |
KR100262402B1 (ko) | 1997-04-18 | 2000-08-01 | 김영환 | 박막 트랜지스터 액정표시소자 및 그의 제조방법 |
JP3892115B2 (ja) * | 1997-07-07 | 2007-03-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ディスプレイ及びディスプレイを備えた装置 |
EP0903613B1 (en) | 1997-09-17 | 2003-01-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Reflective liquid crystal display device |
JPH11119238A (ja) * | 1997-10-20 | 1999-04-30 | Sony Corp | 反射型液晶表示素子 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
JP3085530B2 (ja) | 1998-11-18 | 2000-09-11 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
US7821065B2 (en) | 1999-03-02 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising a thin film transistor comprising a semiconductor thin film and method of manufacturing the same |
US6674136B1 (en) | 1999-03-04 | 2004-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having driver circuit and pixel section provided over same substrate |
JP2000330134A (ja) | 1999-03-16 | 2000-11-30 | Furontekku:Kk | 薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置 |
JP2001066617A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Nec Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
KR100360381B1 (ko) | 1999-12-13 | 2002-11-13 | 인더스트리얼 테크놀로지 리써치 인스티튜트 | 광시야각의 액정 표시 장치용 전극 구조물 |
KR100661825B1 (ko) | 1999-12-28 | 2006-12-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정 표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조방법 |
TW494447B (en) | 2000-02-01 | 2002-07-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP3719939B2 (ja) | 2000-06-02 | 2005-11-24 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびその製造方法ならびに表示装置および撮像装置 |
JP4777500B2 (ja) | 2000-06-19 | 2011-09-21 | 三菱電機株式会社 | アレイ基板およびそれを用いた表示装置ならびにアレイ基板の製造方法 |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP4152623B2 (ja) * | 2001-01-29 | 2008-09-17 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
TW575775B (en) | 2001-01-29 | 2004-02-11 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device |
JP3949897B2 (ja) * | 2001-01-29 | 2007-07-25 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
US6757031B2 (en) | 2001-02-09 | 2004-06-29 | Prime View International Co., Ltd. | Metal contact structure and method for thin film transistor array in liquid crystal display |
JP2002323706A (ja) | 2001-02-23 | 2002-11-08 | Nec Corp | 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 |
JP3750055B2 (ja) | 2001-02-28 | 2006-03-01 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP4831450B2 (ja) * | 2001-04-17 | 2011-12-07 | 大日本印刷株式会社 | カラーフィルタ |
JP4722319B2 (ja) * | 2001-04-26 | 2011-07-13 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
JP2002373867A (ja) | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 半導体素子用導電性薄膜、半導体素子及びそれらの製造方法 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP2003131240A (ja) * | 2001-10-29 | 2003-05-08 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4015840B2 (ja) * | 2001-11-19 | 2007-11-28 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 液晶素子 |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7002176B2 (en) | 2002-05-31 | 2006-02-21 | Ricoh Company, Ltd. | Vertical organic transistor |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
JP4627961B2 (ja) | 2002-09-20 | 2011-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
KR100710166B1 (ko) | 2003-06-28 | 2007-04-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
TWI230462B (en) | 2003-09-15 | 2005-04-01 | Toppoly Optoelectronics Corp | Thin film transistor structure with self-aligned intra-gate |
KR101031669B1 (ko) | 2003-12-30 | 2011-04-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 강유전성 액정배향막을 구비한 반투과형 평면구동모드액정표시소자 |
JP2005234091A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
KR101019337B1 (ko) | 2004-03-12 | 2011-03-07 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 아몰퍼스 산화물 및 박막 트랜지스터 |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
WO2005090520A1 (ja) | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Japan Science And Technology Agency | 液晶表示素子 |
KR101016284B1 (ko) * | 2004-04-28 | 2011-02-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | Cog 방식 액정표시소자 및 그 제조방법 |
KR100603835B1 (ko) | 2004-05-24 | 2006-07-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006003520A (ja) | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 半透過型液晶表示装置及びその製造方法 |
JP4717392B2 (ja) | 2004-08-13 | 2011-07-06 | 富士通株式会社 | 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
CA2585063C (en) | 2004-11-10 | 2013-01-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
EP1812969B1 (en) | 2004-11-10 | 2015-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor comprising an amorphous oxide |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
CA2585071A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor employing an amorphous oxide |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
JP4882256B2 (ja) | 2004-12-06 | 2012-02-22 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ |
JP4569295B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2010-10-27 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI445178B (zh) | 2005-01-28 | 2014-07-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI505473B (zh) | 2005-01-28 | 2015-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
KR101119184B1 (ko) * | 2005-02-22 | 2012-03-22 | 삼성전자주식회사 | 어레이 기판, 이를 갖는 표시장치 및 이의 제조방법 |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
KR101216688B1 (ko) | 2005-05-02 | 2012-12-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
KR101201017B1 (ko) | 2005-06-27 | 2012-11-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR101147106B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2012-05-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시패널 및 그 제조 방법 |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
KR101189275B1 (ko) * | 2005-08-26 | 2012-10-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4850457B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
EP1770788A3 (en) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
CN101577231B (zh) | 2005-11-15 | 2013-01-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
JP5250929B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2013-07-31 | 凸版印刷株式会社 | トランジスタおよびその製造方法 |
JP4801569B2 (ja) * | 2005-12-05 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
EP1793266B1 (en) | 2005-12-05 | 2017-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transflective Liquid Crystal Display with a Horizontal Electric Field Configuration |
CN102331639A (zh) | 2005-12-05 | 2012-01-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示器 |
JP4637815B2 (ja) * | 2005-12-05 | 2011-02-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置及び電子機器 |
KR20070063969A (ko) * | 2005-12-16 | 2007-06-20 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
KR101229280B1 (ko) | 2005-12-28 | 2013-02-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판과, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 표시 패널 |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) * | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
JP2007212699A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 反射型tft基板及び反射型tft基板の製造方法 |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
JP5110803B2 (ja) | 2006-03-17 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4572854B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2010-11-04 | ソニー株式会社 | 液晶装置及び電子機器 |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
KR101189218B1 (ko) * | 2006-04-12 | 2012-10-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
TWI324270B (en) * | 2006-05-04 | 2010-05-01 | Au Optronics Corp | High color gamut liquid crystal display |
JP2007334317A (ja) | 2006-05-16 | 2007-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置及び半導体装置 |
TWI764143B (zh) | 2006-05-16 | 2022-05-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置 |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
TW200809353A (en) | 2006-07-07 | 2008-02-16 | Hitachi Displays Ltd | Optically isotropic liquid crystal materials and display apparatus using the same |
JP4940034B2 (ja) * | 2006-07-07 | 2012-05-30 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 光学的に等方性を有する液晶材料、これを用いた液晶表示パネル、及び液晶表示装置 |
JP4449953B2 (ja) | 2006-07-27 | 2010-04-14 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 液晶表示装置 |
JP4609797B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP5227502B2 (ja) | 2006-09-15 | 2013-07-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の駆動方法、液晶表示装置及び電子機器 |
JP4332545B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4952166B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2012-06-13 | ソニー株式会社 | 液晶装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4885968B2 (ja) | 2006-09-27 | 2012-02-29 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびそれを備えた液晶表示装置 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
TWI749346B (zh) | 2006-09-29 | 2021-12-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置和電子裝置 |
JP4932415B2 (ja) | 2006-09-29 | 2012-05-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5116277B2 (ja) | 2006-09-29 | 2013-01-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
JP2008112136A (ja) | 2006-10-04 | 2008-05-15 | Mitsubishi Electric Corp | 表示装置及びその製造方法 |
CN100580936C (zh) * | 2006-10-04 | 2010-01-13 | 三菱电机株式会社 | 显示装置及其制造方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
JP5216204B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2013-06-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置及びその作製方法 |
JP2008130689A (ja) | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Sharp Corp | 薄膜積層デバイスの製造方法及び液晶表示装置の製造方法 |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
KR101425635B1 (ko) | 2006-11-29 | 2014-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 산화물 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 산화물 박막트랜지스터 기판 |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101327795B1 (ko) | 2006-12-12 | 2013-11-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
KR101363555B1 (ko) | 2006-12-14 | 2014-02-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
JP5525692B2 (ja) * | 2007-02-22 | 2014-06-18 | 三星ディスプレイ株式會社 | 表示基板とその製造方法、及びこれを具備した表示装置 |
KR100858088B1 (ko) | 2007-02-28 | 2008-09-10 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
JP5109424B2 (ja) * | 2007-03-20 | 2012-12-26 | 凸版印刷株式会社 | 反射型表示装置 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
KR101374102B1 (ko) | 2007-04-30 | 2014-03-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시패널 및 그 제조 방법 |
US7746433B2 (en) * | 2007-05-01 | 2010-06-29 | Epson Imaging Devices Corporation | Liquid crystal display and electronic apparatus |
JP5261979B2 (ja) * | 2007-05-16 | 2013-08-14 | 凸版印刷株式会社 | 画像表示装置 |
JP5542296B2 (ja) | 2007-05-17 | 2014-07-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
KR101415561B1 (ko) * | 2007-06-14 | 2014-08-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법 |
CN101349823B (zh) * | 2007-07-19 | 2012-05-30 | 北京京东方光电科技有限公司 | 垂直取向模式液晶显示装置及其制造方法 |
KR20090055357A (ko) * | 2007-11-28 | 2009-06-02 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101423113B1 (ko) * | 2007-12-18 | 2014-07-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법 |
JP5154261B2 (ja) * | 2008-02-26 | 2013-02-27 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 液晶表示装置 |
JP5408914B2 (ja) * | 2008-07-03 | 2014-02-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示パネル |
US7977868B2 (en) * | 2008-07-23 | 2011-07-12 | Cbrite Inc. | Active matrix organic light emitting device with MO TFT backplane |
TWI613489B (zh) | 2008-12-03 | 2018-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置 |
US8928846B2 (en) * | 2010-05-21 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having dielectric film over and in contact with wall-like structures |
JPWO2012063436A1 (ja) * | 2010-11-10 | 2014-05-12 | シャープ株式会社 | 表示装置用基板及び表示装置 |
KR101976212B1 (ko) * | 2011-10-24 | 2019-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
US8785258B2 (en) * | 2011-12-20 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR102161077B1 (ko) * | 2012-06-29 | 2020-09-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
CN103926760B (zh) * | 2013-01-14 | 2017-08-25 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 像素结构及像素阵列基板 |
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