JPH03146927A - Ｔｆｔアクティブマトリックス型液晶表示パネルおよびその製造方法 - Google Patents
Ｔｆｔアクティブマトリックス型液晶表示パネルおよびその製造方法Info
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- JPH03146927A JPH03146927A JP1286149A JP28614989A JPH03146927A JP H03146927 A JPH03146927 A JP H03146927A JP 1286149 A JP1286149 A JP 1286149A JP 28614989 A JP28614989 A JP 28614989A JP H03146927 A JPH03146927 A JP H03146927A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、例えばテレビジョン画像を表示するためのＴ
ＦＴアクティブマトリックス型液晶表示パネルおよびそ
の製造方法に関する。
ＦＴアクティブマトリックス型液晶表示パネルおよびそ
の製造方法に関する。
［従来の技術〕
この種の液晶表示パネルの構成を第３図に示し、１およ
び２が透明基板（ガラス板）で一方の透明基板１に複数
の画素電極３およびこれら画素電極３を駆動する複数の
ＴＦＴ （薄膜トランジスタ）４が形成され、また他方
の透明基板２に対向電極５が形成されている。そして一
方の透明基板１の上に他方の透明基板２が対向して配置
し、これら透明基板１，２の対向間に複数のギャップ材
６が配設され、これらギャップ材６により透明基板１と
２との間に数μｍの隙間７が確保され、この隙間７内に
液晶８が充填されている。
び２が透明基板（ガラス板）で一方の透明基板１に複数
の画素電極３およびこれら画素電極３を駆動する複数の
ＴＦＴ （薄膜トランジスタ）４が形成され、また他方
の透明基板２に対向電極５が形成されている。そして一
方の透明基板１の上に他方の透明基板２が対向して配置
し、これら透明基板１，２の対向間に複数のギャップ材
６が配設され、これらギャップ材６により透明基板１と
２との間に数μｍの隙間７が確保され、この隙間７内に
液晶８が充填されている。
ＴＦＴ４はゲート電極１０と、このゲート電極１０を覆
った透明なゲート絶縁膜１１と、このゲート絶縁膜１１
の上に前記ゲート電極１０に対向して形成された半導体
層１２と、この半導体層１２の両側部の上に形成された
ソース電極１３およびドレイン電極１４と、前記ゲート
絶縁膜１１の上に重合したオーバコート膜１５とで構成
され、前記画素電極４が前記ソース電極１３に接続され
ている。
った透明なゲート絶縁膜１１と、このゲート絶縁膜１１
の上に前記ゲート電極１０に対向して形成された半導体
層１２と、この半導体層１２の両側部の上に形成された
ソース電極１３およびドレイン電極１４と、前記ゲート
絶縁膜１１の上に重合したオーバコート膜１５とで構成
され、前記画素電極４が前記ソース電極１３に接続され
ている。
そして透明基板１．２間の隙間７内に充填された液晶８
の分子の配向が、ＴＦＴ４により駆動される画素電極３
と、透明基板２に形成された対向電極５との間の電位に
応じて変化して透明基板１．２を通過する光のシャッタ
として働くものである。
の分子の配向が、ＴＦＴ４により駆動される画素電極３
と、透明基板２に形成された対向電極５との間の電位に
応じて変化して透明基板１．２を通過する光のシャッタ
として働くものである。
前記隙間７を確保するためのギャップ材６は、液晶表示
パネルの製造工程時に透明基板１と２との間に適当に散
布され、このような状態で透明基板１，２が上下から加
圧され、この圧力でギャップ材６がＴＦＴ４にめり込む
ように圧着して固定される。
パネルの製造工程時に透明基板１と２との間に適当に散
布され、このような状態で透明基板１，２が上下から加
圧され、この圧力でギャップ材６がＴＦＴ４にめり込む
ように圧着して固定される。
［発明が解決しようとする課題］
ところがこのような液晶表示パネルにおいては、ギャッ
プ材６がパネルの全体に不均一に散らばってしまい、こ
のため透明基板１と２との対向間隔幅が部分的にばらつ
いて光学特性が低下し、またギャップ材６によりＴＦＴ
４に局部的な圧力が加わり、この局部的な圧力でＴＦＴ
４が破壊されてしまう恐れがある。さらにギャップ材６
が画素電極３の上に配置してしまうことがあり、このよ
うな場合に液晶８の分子に配向不良が生じてしまう難点
がある。
プ材６がパネルの全体に不均一に散らばってしまい、こ
のため透明基板１と２との対向間隔幅が部分的にばらつ
いて光学特性が低下し、またギャップ材６によりＴＦＴ
４に局部的な圧力が加わり、この局部的な圧力でＴＦＴ
４が破壊されてしまう恐れがある。さらにギャップ材６
が画素電極３の上に配置してしまうことがあり、このよ
うな場合に液晶８の分子に配向不良が生じてしまう難点
がある。
本発明はこのような点に着目してなされたちので、一対
の透明基板の対向間隔幅を各部均一に保ち、またＴＦＴ
への局部的な加圧を避け、かつ液晶の分子の配向不良を
防止することができるＴＦＴアクティブマトリックス型
液晶表示パネルおよびその製造方法を提供することを目
的とするものである。
の透明基板の対向間隔幅を各部均一に保ち、またＴＦＴ
への局部的な加圧を避け、かつ液晶の分子の配向不良を
防止することができるＴＦＴアクティブマトリックス型
液晶表示パネルおよびその製造方法を提供することを目
的とするものである。
［課題を解決するための手段］
本発明はこのような目的を達成するために、複数の画素
電極およびこれら画素電極を駆動する複数のＴＦＴが形
成された一方の透明基板と、対向電極が形成された他方
の透ｒｙ１基板とを互いに対向させ、その対向間の隙間
内に液晶を充填して構成されるＴＦＴアクティブマトリ
ックス型液晶表示パネルにおいて、前記ＴＦＴの上にギ
ャップ柱を一体的に設け、このギャップ柱を介して前記
一方の透明基板と他方の透明基板との間に液晶充填用の
一定の隙間を確保するようにしたものである。
電極およびこれら画素電極を駆動する複数のＴＦＴが形
成された一方の透明基板と、対向電極が形成された他方
の透ｒｙ１基板とを互いに対向させ、その対向間の隙間
内に液晶を充填して構成されるＴＦＴアクティブマトリ
ックス型液晶表示パネルにおいて、前記ＴＦＴの上にギ
ャップ柱を一体的に設け、このギャップ柱を介して前記
一方の透明基板と他方の透明基板との間に液晶充填用の
一定の隙間を確保するようにしたものである。
そして液晶表示パネルの製造に当って、ＴＦＴが形成さ
れた一方の透明基板の上のほぼ全面に被膜を平坦に塗布
し、この被膜をエツチングして前記ＴＦＴに対応する部
分にその被膜によるギャップ柱を形成し、このギャップ
柱に他方の透明基板を当ててその両基板間に一定の隙間
を形成し、この隙間内に液晶を充填するようにしたもの
である。
れた一方の透明基板の上のほぼ全面に被膜を平坦に塗布
し、この被膜をエツチングして前記ＴＦＴに対応する部
分にその被膜によるギャップ柱を形成し、このギャップ
柱に他方の透明基板を当ててその両基板間に一定の隙間
を形成し、この隙間内に液晶を充填するようにしたもの
である。
［作 用コ
このようなＴＦＴアクティブマトリックス型液晶表示パ
ネルにおいては、各ＴＦＴの上に一体的にギャップ柱が
設けられているから、互いに対向して配置する透明基板
の対向間隔幅が各部均一に保たれ、かつＴＦＴに局部的
な圧力が加わるようなことがなく、またギャップ柱がす
べてＴＦＴの上に位置して画素電極の上に配置するよう
なことがないから、液晶の分子に配向不良が生じるよう
なことがない。
ネルにおいては、各ＴＦＴの上に一体的にギャップ柱が
設けられているから、互いに対向して配置する透明基板
の対向間隔幅が各部均一に保たれ、かつＴＦＴに局部的
な圧力が加わるようなことがなく、またギャップ柱がす
べてＴＦＴの上に位置して画素電極の上に配置するよう
なことがないから、液晶の分子に配向不良が生じるよう
なことがない。
［実施例］
以下、本発明の一実施例について第１図および第２図を
参照して説明する。なお、従来と同−の構成部分には同
一の符号を付してその説明を省略する。
参照して説明する。なお、従来と同−の構成部分には同
一の符号を付してその説明を省略する。
第１図に示すように、ＴＦＴ’４の上には一体的に絶縁
相からなるギャップ柱２０が一体的に設けられている。
相からなるギャップ柱２０が一体的に設けられている。
そして対向電極５が形成された透明電極２が前記ギャッ
プ柱２０の突出端面に当接して一方の透明基板１に対向
し、このギャップ柱２０を介して透明基板１と２との対
向間隔幅が各部均一に保たれている。
プ柱２０の突出端面に当接して一方の透明基板１に対向
し、このギャップ柱２０を介して透明基板１と２との対
向間隔幅が各部均一に保たれている。
次に、このような液晶表示パネルを製造する工程につい
て、第２図に示す模式的な工程図を参照して説明する。
て、第２図に示す模式的な工程図を参照して説明する。
まず第２図（ａ）に示すように透明基板１の上に周知の
方法で画素電極３およびＴＦＴ４を形成し、次に透明基
板１の上のほぼ全体にＳｉＮや５ｉ０２などの絶縁性の
被膜２０ａを平坦に塗布し、さらにこの被膜２０ａの上
の全面に均一にフォトレジスト２１を塗布する。
方法で画素電極３およびＴＦＴ４を形成し、次に透明基
板１の上のほぼ全体にＳｉＮや５ｉ０２などの絶縁性の
被膜２０ａを平坦に塗布し、さらにこの被膜２０ａの上
の全面に均一にフォトレジスト２１を塗布する。
こののち第２図（ｂ）に示すように、フォトレジスト２
１をパターンニングマスク（図示せず）を用いて露光し
、かつ現像してＴＦＴ４に対応する部分のみにフォトレ
ジスト２１を残す。
１をパターンニングマスク（図示せず）を用いて露光し
、かつ現像してＴＦＴ４に対応する部分のみにフォトレ
ジスト２１を残す。
そしてこの状態で、被膜２０ａをエツチングし、さらに
前記フォトレジスト２１を剥離して、第２図（ｃ）に示
すように被膜２０ａによるギャップ柱２０を形成する。
前記フォトレジスト２１を剥離して、第２図（ｃ）に示
すように被膜２０ａによるギャップ柱２０を形成する。
このようにＴＦＴ４の上にギャップ柱２０を形成したの
ちには、透明基板１の上方に他方の透明基板２を配置し
、この透明基板２を前記ギャップ柱２０の突出端面に当
てて周基板１．２間に隙間７を形成し、この状態で側基
板１，２間の周縁部分に枠材（図示せず）を介在させて
シールする。そして前記枠材の一部に形成された注入孔
（図示せず）を通して前記隙間７内に液晶８を充填し、
前記注入孔を封着する。
ちには、透明基板１の上方に他方の透明基板２を配置し
、この透明基板２を前記ギャップ柱２０の突出端面に当
てて周基板１．２間に隙間７を形成し、この状態で側基
板１，２間の周縁部分に枠材（図示せず）を介在させて
シールする。そして前記枠材の一部に形成された注入孔
（図示せず）を通して前記隙間７内に液晶８を充填し、
前記注入孔を封着する。
このような液晶表示パネルにおいては、各ＴＦＴ４の上
に一体的にギャップ柱２０が設けられているから、透明
基板１と２との対向間隔幅が各部均一に保たれ、したが
ってその不均一に起因するような光学特性の低下が確実
に防止され、またＴＦＴ４に局部的な圧力が加わるよう
なこともなく、シたがってＴＦＴ４に対する破壊の恐れ
がなく、さらにギャップ柱２ｏがすべてＴＦＴ４の上に
位置し、画素電極３の上に配置するようなことがないか
ら、液晶８の分子に配向不良が生じるようなこともない
。
に一体的にギャップ柱２０が設けられているから、透明
基板１と２との対向間隔幅が各部均一に保たれ、したが
ってその不均一に起因するような光学特性の低下が確実
に防止され、またＴＦＴ４に局部的な圧力が加わるよう
なこともなく、シたがってＴＦＴ４に対する破壊の恐れ
がなく、さらにギャップ柱２ｏがすべてＴＦＴ４の上に
位置し、画素電極３の上に配置するようなことがないか
ら、液晶８の分子に配向不良が生じるようなこともない
。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、互いに対向して配
置する一対の透明基板の対向間隔幅を各部均一に保って
光学特性の低下を防止し、またＴＦＴに対する局部的な
加圧を避けてその破壊の恐れを排除し、さらに液晶分子
の配向不良の防止を図ることができるという効果を奏す
る。
置する一対の透明基板の対向間隔幅を各部均一に保って
光学特性の低下を防止し、またＴＦＴに対する局部的な
加圧を避けてその破壊の恐れを排除し、さらに液晶分子
の配向不良の防止を図ることができるという効果を奏す
る。
第１図は本発明の一実施例によるＴＦＴアクティブマト
リックス型液晶表示パネルの一部の断面図、第２図はそ
の液晶表示パネルを製造する工程を順に示す断面図、第
３図は従来のＴＦＴアクティブマトリックス型液晶表示
パネルの一部を示す断面図である。 １・・・透明基板、２・・・透明基板、３・・・画素電
極、４・・・ＴＦＴ、５・・・対向電極、７・・・隙間
、８・・・液晶、２０・・・ギャップ柱、２０ａ・・・
被膜。
リックス型液晶表示パネルの一部の断面図、第２図はそ
の液晶表示パネルを製造する工程を順に示す断面図、第
３図は従来のＴＦＴアクティブマトリックス型液晶表示
パネルの一部を示す断面図である。 １・・・透明基板、２・・・透明基板、３・・・画素電
極、４・・・ＴＦＴ、５・・・対向電極、７・・・隙間
、８・・・液晶、２０・・・ギャップ柱、２０ａ・・・
被膜。
Claims (2)
- （１）複数の画素電極およびこれら画素電極を駆動する
複数のＴＦＴが形成された一方の透明基板と、対向電極
が形成された他方の透明基板とを互いに対向させ、その
対向間の隙間内に液晶を充填して構成されるＴＦＴアク
ティブマトリックス型液晶表示パネルにおいて、前記Ｔ
ＦＴの上にギャップ柱を一体的に設け、このギャップ柱
を介して前記一方の透明基板と他方の透明基板との間に
液晶充填用の一定の隙間を確保したことを特徴とするＴ
ＦＴアクティブマトリックス型液晶表示パネル。 - （２）複数の画素電極およびこれら画素電極を駆動する
複数のＴＦＴが形成された一方の透明基板と、対向電極
が形成された他方の透明基板とを互いに対向させ、その
対向間の隙間内に液晶を充填してＴＦＴアクティブマト
リックス型液晶表示パネルを製造する方法であって、前
記ＴＦＴが形成された一方の透明基板の上のほぼ全面に
被膜を平坦に塗布し、この被膜をエッチングして前記Ｔ
ＦＴに対応する部分にその被膜によるギャップ柱を形成
し、このギャップ柱に他方の透明基板を当ててその両基
板間に一定の隙間を形成し、この隙間内に液晶を充填す
ることを特徴とするＴＦＴアクティブマトリックス型液
晶表示パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1286149A JPH03146927A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | Ｔｆｔアクティブマトリックス型液晶表示パネルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1286149A JPH03146927A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | Ｔｆｔアクティブマトリックス型液晶表示パネルおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03146927A true JPH03146927A (ja) | 1991-06-21 |
Family
ID=17700575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1286149A Pending JPH03146927A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | Ｔｆｔアクティブマトリックス型液晶表示パネルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03146927A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001311964A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-11-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2010266869A (ja) * | 2010-06-04 | 2010-11-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US7973905B2 (en) | 1996-11-26 | 2011-07-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays using organic insulating material and manufacturing methods thereof |
| JP2013236091A (ja) * | 2000-03-08 | 2013-11-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2022118095A (ja) * | 2011-05-05 | 2022-08-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP2022120136A (ja) * | 2008-12-03 | 2022-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
-
1989
- 1989-11-02 JP JP1286149A patent/JPH03146927A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7973905B2 (en) | 1996-11-26 | 2011-07-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays using organic insulating material and manufacturing methods thereof |
| JP2013236091A (ja) * | 2000-03-08 | 2013-11-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
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| US11942483B2 (en) | 2011-05-05 | 2024-03-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
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