CN104487241A - 层压板和包含用所述层压板制备的基板的器件 - Google Patents

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CN104487241A
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朴澯晓
申宝罗
李升烨
朴姮娥
李珍昊
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Abstract

本发明涉及一种层压板和一种使用所述层压板制备的器件。所述层压板包括在载体基板和柔性基板之间的聚酰亚胺基树脂，还包括剥离层，所述剥离层与柔性基板的粘合强度通过物理刺激而改变，从而使得所述柔性基板可容易地从载体基板上分离，而不需要进行其他处理例如激光辐射或光辐射等，因此使得具有柔性基板的器件(如柔性显示器件)制造简单。此外，所述层压板可阻止由激光或光辐射等引起的器件可靠性的劣化和缺陷的发生，从而使得能够制造具有改进特性及高可靠性的器件。

Description

层压板和包含用所述层压板制备的基板的器件
技术领域
本发明涉及一种包含柔性基板和载体基板的层压板，所述柔性基板能从载体基板上容易地分离，甚至无需进一步的处理如激光或光辐射，从而有助于制备具有柔性基板的器件(如柔性显示器件)。本发明还涉及包含使用所述层压板制备的基板的器件。
背景技术
显示器市场正在迅速发展，平板显示器(FPD)易制成较大屏幕且厚度和重量降低。所述平板显示器包括液晶显示器(LCD)、有机发光显示器(OLED)和电泳器件。
根据最近为进一步扩展平板显示器的应用和用途而作出的努力，特别的注意力已集中在所谓的柔性显示器件，其中柔性基板应用于平板显示器中。基于移动器件如智能手机，特别回顾了所述柔性显示器件的应用，并且其应用领域正逐步扩展。
用于形成和处理显示器件结构(如塑料基板(TOP)上的薄膜晶体管(TFT))的方法在制造柔性显示器件中是重要的。然而，由于包含在柔性显示器件中的柔性基板的柔性，当直接使用柔性塑料基板代替目前的玻璃器件基板以形成器件结构时，在加工方面仍存在很多问题。
具体而言，当施加冲击力时，包含在柔性基板中的薄膜玻璃易碎。由于这种倾向，用于制备显示基板的方法在薄膜玻璃置于载体玻璃上的状态下进行。图1示意性地示出了根据现有技术制造具有柔性基板的器件(例如柔性显示器件)的方法。
参考图1，在载体基板1如玻璃基板上形成由合适的材料如非晶硅(a-Si)所组成的牺牲层2，并在其上形成柔性基板3。此后，根据在玻璃基板上制备器件的常规方法，在由载体基板1所支撑的柔性基板3上形成诸如薄膜晶体管的器件结构。之后，激光或光线照射至载体基板1上以破坏所述牺牲层2，并且分离在其上形成器件结构的柔性基板3，从而完成具有柔性基板3的器件(例如柔性显示器件)的制造。
然而，根据现有技术方法，激光或光辐射影响器件结构，从而增加缺陷的风险。此外，还需要用于激光或光辐射的系统和分离方法，从而不利地致使总的器件制造方法复杂化，并且显著增加制造成本。
尽管没有在图1中示出，由于牺牲层和柔性基板之间的粘合力不足，在由a-Si所组成的牺牲层2和柔性基板3之间常常需要形成额外的粘合层。这使得总过程更加复杂化，并且使得激光或光辐射的条件更加苛刻，这会增加不利地影响器件可靠性的风险。
现有技术文献
专利文献
(专利文献1)PCT国际公开第WO2000-066507号(出版于2000年11月9日)
发明内容
技术问题
本发明的目的是提供一种包含柔性基板和载体基板的层压板以及制备所述层压板的方法，所述柔性基板能从载体基板上容易地分离，甚至无需进一步的处理如激光或光辐射，从而有助于制造具有柔性基板的器件(如柔性显示器件)。
本发明的另一目的是提供一种使用所述层压板制备的器件基板和制备所述器件基板的方法。
本发明的另一目的是提供一种包含使用所述层压板制备的基板的器件。
技术方案
本发明的一个方面提供一种层压板，其包含：载体基板；置于所述载体基板的至少一个表面上并且包含聚酰亚胺树脂的剥离层；和置于所述剥离层上的柔性基板，其中当向所述层压板施加不会在剥离层中引起化学变化的物理刺激时，将改变剥离层与柔性基板的粘合强度。
所述物理刺激可降低剥离层与柔性基板的粘合强度。当剥离层与柔性基板的粘合强度在物理刺激施加之前和之后分别定义为A1和A2时，A2/A1的比例可为0.001至0.5。
在施加物理刺激之后，所述剥离层与所述柔性基板可具有不大于0.3N/cm的剥离强度。
在施加物理刺激之前，所述剥离层与所述柔性基板可具有至少1N/cm的粘合强度。
物理刺激可施加至所述剥离层，从而暴露所述层压板的横截面。
聚酰亚胺树脂可具有不大于0.5的相似性分数(similarity score)，如通过方程式1计算：
[方程式1]
相似性分数＝αFIT(k1×Ls二酐，i+k2×Ls二胺，j)k 0
其中
Ls二酐，i＝Exp[-k3×Coeffi]×Vi y 0
Ls二胺，j＝Exp[-k4×Coeffj]×Vj y 0
k0＝2.00，
y0＝-1.00，
k1＝206.67，
k2＝124.78，
k3＝3.20，
k4＝5.90，
Coeffi和Coeffj是使用ADRIANA.Code(Molecular NetworksGmbH)，分别由作为聚酰亚胺的单体的二酐i和二胺j的结构计算出来的分子非球面性(molecular asphericities)，
Vi和Vj是使用ADRIANA.Code(Molecular Networks GmbH)，分别由作为单体的二酐i和二胺j的结构计算出来的McGowan体积(McGowan volume)，和
若exp(-4.0×|Coeffi-Coeffj|)+0.08＜0.90，则αFIT是1.0；如果exp(-4.0×|Coeffi-Coeffj|)+0.08≥0.90，则αFIT是0.1至0.95的一个常数。
用于所述层压板的剥离层的聚酰亚胺树脂可具有60％至99％的酰亚胺化程度，酰亚胺化程度定义为包含聚酰胺酸树脂的组合物于200℃或以上施用和酰亚胺化之后在IR谱中的1350至1400cm-1或1550至1650cm-1处观察到的CN谱带的积分强度(integratedintensity)相对于所述组合物在500℃或以上酰亚胺化之后在相同波长范围内观察到的CN谱带的积分强度(100％)的百分比。
所述聚酰亚胺树脂可具有200℃或以上的玻璃化转变温度。
所述聚酰亚胺树脂可通过如下方法制备：将式1的四羧酸二酐与具有直链结构的芳族二胺化合物反应以制备聚酰胺酸，并在200℃或以上固化所述聚酰胺酸，
[式1]
其中，A为式2a或2b的四价芳族有机基团：
[式2a]
其中，R11为C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基，a为0至3的整数，且b为0至2的整数，
[式2b]
其中，R12至R14各自独立地为C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基，c和e各自独立地为0至3的整数，d为0至4的整数，且f为0至3的整数。
所述芳族二胺化合物可由式4a或4b表示：
[式4a]
其中，R21为C1-C10烷基或C1-C10卤代烷基，且l是0至4的整数，
[式4b]
其中，R22和R23各自独立地为C1-C10烷基或C1-C10卤代烷基，X选自下列基团：-O-、-CR24R25-、-C(＝O)-、-C(＝O)O-、-C(＝O)NH-、-S-、-SO-、-SO2-、-O[CH2CH2O]q-、C6-C18单环和多环亚环烷基、C6-C18单环和多环亚芳基及其组合，R24和R25各自独立地选自氢原子、C1-C10烷基和C1-C10卤代烷基，q为1或2的整数，m和n各自独立地为0至4的整数，且p为0或1的整数。
所述剥离层可通过将包含聚酰亚胺树脂或其前体的组合物施用于载体基板上并在200℃或以上固化所述组合物而形成。
所述剥离层可于100至200℃的温度下具有不大于30ppm/℃的热胀系数并具有450℃或以上的1％热分解温度(Td1％，1％thermaldecomposition temperature)。
所述剥离层可具有0.05至5μm的厚度。
所述层压板的柔性基板可包括选自薄膜玻璃层、聚合物层及其多层层压板的结构。
所述柔性基板的聚合物层可包含至少一种选自聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚酯、聚醚酰胺酰亚胺、聚酯酰胺酰亚胺和聚芳酯的聚合物树脂。
所述聚合物层可包含具有50至99％的酰亚胺化程度和200℃或以上的玻璃化转变温度的聚酰亚胺树脂。
本发明的另一方面提供了制备层压板的方法，其包括：在载体基板的至少一个表面上形成包含聚酰亚胺树脂的剥离层；并在所述剥离层上形成柔性基板，其中所述剥离层可通过将包含聚酰亚胺树脂或其前体的组合物施用于载体基板上并在200℃或以上固化所述组合物而形成。
所述柔性基板可通过下列方法形成：包括在所述剥离层上配置玻璃薄膜层并在20至300℃的温度下热处理所述玻璃薄膜层的方法、包括施用包含聚合物或其前体的组合物并固化所述组合物的方法，及其结合。
用于制备层压板的方法还可包括在形成剥离层的步骤后在300℃或以上热处理所述剥离层1至30分钟。
本发明的另一个方面提供了用于制备器件基板的方法，其包括：在载体基板的至少一个表面上形成包含聚酰亚胺树脂的剥离层；在所述剥离层上形成柔性基板以制备层压板；向所述层压板施加物理刺激且不会在剥离层中引起化学变化；从形成有剥离层的载体基板上分离柔性基板，其中所述剥离层通过向载体基板施用包含聚酰亚胺树脂或其前体的组合物并在200℃或以上固化所述组合物而形成。
施加物理刺激以暴露出所述层压板的横截面。
本发明的另一个方面提供了由下列方法制备的器件，所述方法包括：制备包含载体基板、剥离层和柔性基板的层压板；在所述层压板的柔性基板上形成器件结构；向其上形成有器件结构的层压板施加物理刺激，而不在剥离层中引起化学变化，并从层压板的剥离层上分离其上形成有器件结构的柔性基板。
所述器件可选自太阳能电池、有机发光二极管照明器件、半导体器件和显示器件。
所述显示器件可以是柔性有机电致发光器件。
本发明各个方面的其他实施方案的细节包含在下列描述中。
有益效果
在本发明的层压板中，通过施加相对小的物理刺激如切割便可使所述柔性基板容易地从载体基板上分离，无需激光或光辐射。因此，层压板的使用有助于制备包含柔性基板的器件(例如柔性显示器件)。
根据本发明，由于无需额外的处理如激光或光辐射，所述器件的制备方法可简化并且制备成本可大大降低。另外，所述器件可避免由激光或光辐射而导致的可靠性的劣化和缺陷的发生。这确保了所述器件的优异特性。
附图说明
图1示出用于制备包含柔性基板的器件的常规方法的示意图，
图2a示意性示出本发明的一个实施方案的层压板的结构的横截面视图，图2b示意性示出本发明的另一个实施方案的层压板的结构的横截面视图，
图3a和3b分别示出用于制备器件基板的方法和使用本发明的另一个实施方案的层压板制备显示器件的方法的示意图，
图4示出测试实施例1中包含不同第一聚酰亚胺树脂的剥离层的尺寸随温度变化的图，
图5示出测试实施例3中剥离层的剥离强度随柔性基板的厚度变化的图，和
图6示出测试实施例5中在固化剥离层之后，剥离层的剥离强度随后续热处理的次数的增加而变化的图。
具体实施方式
由于本发明允许各种变化和多种实施方案，具体实施方案将在附图中阐明并且在书面说明书中将详细描述。然而，这并不旨在将本发明局限于具体的实施模式，应理解所有不偏离本发明的精神和技术范围内的变型、等同形式和替代都包含在本发明中。在本发明的说明书中，当认为未必会使本发明的本质难以理解时，省略相关技术的具体解释。
应理解的是，当一个元件(例如层、膜(membrane)、薄膜或基板)被称为在另一个元件“上面(above)”或“上(on)”时，其可直接在另一个元件上，或也可存在一个或多个中间元件。同样应理解的是，当一个元件(例如层、膜、薄膜或基板)被称为在另一个元件“下面(under)”时，其可直接位于另一个元件下，或也可存在一个或多个中间元件。
除非另有提及，在本文中所用的术语“物理刺激”旨在包括不会引起化学变化的机械刺激如剥离、切割、摩擦、拉伸和压缩，并且它指的是无论采用何种方法或模式能使层压板的横截面暴露的刺激。在某些情况下，所述物理刺激可具有每单位面积0至0.1N的力。即，物理刺激的施用意指着无论使用何种方法使层压板的横截面暴露。优选地，所述物理刺激以这样的方式施用从而使形成柔性基板的末端部分的层压板的两个或多个横截面在预定的间隔处暴露。
本发明提供一种层压板，其包括：载体基板；置于所述载体基板的至少一个表面上并且包含聚酰亚胺树脂的剥离层；和置于所述剥离层上的柔性基板，其中在施加不会在剥离层中引起化学变化的物理刺激之前或之后，所述剥离层与柔性基板的粘合强度不同。
本文中所用的术语“粘合强度”是指在施加物理刺激之前，剥离层与柔性基板的粘合强度，而术语“剥离强度”是指在施加物理刺激之后，剥离层与柔性基板的粘合强度。术语“粘合强度”和术语“剥离强度”可交换使用。
本发明还提供一种层压板，其包括：载体基板；置于所述载体基板的至少一个表面上并且包含聚酰亚胺树脂的剥离层；和置于所述剥离层上的柔性基板，其中当在施加物理刺激之前和之后，剥离层与柔性基板的粘合强度分别定义为A1和A2，比例A2/A1为0.001至0.5。
本发明还提供一种制备层压板的方法，其包括：在载体基板的至少一个表面上形成包含聚酰亚胺树脂的剥离层；和所述剥离层上形成柔性基板，其中所述剥离层通过在载体基板上施用包含聚酰亚胺树脂或其前体的组合物并在200℃或以上固化所述组合物而形成。
本发明还提供一种制备器件基板的方法，其包括：在载体基板的至少一个表面上形成包含聚酰亚胺树脂的剥离层；在所述剥离层上形成柔性基板；和向柔性基板施加物理刺激以从载体基板上形成的剥离层中分离柔性基板，其中所述剥离层通过在载体基板上施用包含聚酰亚胺树脂或其前体的组合物并在200℃或以上固化所述组合物而形成。
本发明还提供一种通过所述方法制备的器件基板。
本发明还提供一种包含器件基板的器件。
根据本发明的实施方案，现将对层压板、制备所述层压板的方法、使用所述层压板制备的器件基板、制备所述器件基板的方法、包含所述器件基板的器件和制造所述器件的方法给出更详细的说明。
根据本发明的一个实施方案，提供一种层压板，其包含：载体基板；置于所述载体基板的至少一个表面上并且包含聚酰亚胺树脂的剥离层；和置于所述剥离层上的柔性基板，其中在施加物理刺激之前和之后，剥离层与柔性基板的粘合强度不同。
具体而言，所述物理刺激降低了剥离层与柔性基板的粘合强度。更具体而言，在施加物理刺激之前，所述剥离层与柔性基板具有至少1N/cm的粘合强度，而在施加物理刺激之后，所述剥离层与柔性基板具有不大于0.3N/cm的剥离强度。施加所述物理刺激使得所述层压板的横截面暴露且可具有不大于0.1N的力。施加物理刺激以暴露所述层压板的横截面的方法的具体实例包括但不限于切割、激光切割和金刚石刻划。
根据本发明者进行的实验的结果，发现当包含具有特殊性能的聚酰亚胺树脂的剥离层——其作为用于器件(例如柔性显示器件)的基板应用——置于载体基板和柔性基板之间时，施加简单的物理刺激会使得所述柔性基板能够容易地从所述剥离层中分离，不需要激光或光辐射，从而有助于制备具有柔性基板的器件。这种功能和作用被认为是归因于聚酰亚胺树脂的特性，下面将进行说明。
图2a示意性示出本发明的一个实施方案的层压板的结构的横截面视图。图2a的结构仅用作说明目的，且本发明并不局限于此。
参考图2a，本发明的层压板10包括载体基板11、置于所述载体基板的至少一个表面上且包含聚酰亚胺树脂的剥离层12、及置于所述剥离层上的柔性基板13。
所述载体基板11可以是用于支撑柔性基板13的任何一种，以致在所述层压板10上可容易地制备器件。合适的载体基板的具体实例包括玻璃基板、金属基板如不锈钢基板及其多层结构。特别优选的是最易应用于制备器件的玻璃基板。
载体基板11可通过蚀刻进行预处理，例如在臭氧气氛下的电晕处理、火焰处理、溅射、紫外线辐射或电子束辐射(e-beam irradiation)。所述预处理增加了载体基板与所述剥离层的粘合性。
所述载体基板11的厚度和尺寸可根据施用层压板的器件的种类进行适当的选择。考虑到基板的透明性，所述载体基板11的厚度优选为0.1至50mm。在此范围内，所述载体基板11的机械强度足够高以支撑所述柔性基板。
包含聚酰亚胺树脂的剥离层12置于载体基板11的至少一个表面上。
包含在剥离层12中的聚酰亚胺树脂的酰亚胺化程度控制在合适的范围内，其将在下面进行描述。所述剥离层显示出高于预定水平的粘合强度，以便在后续的用于制备器件的过程中(包括在柔性基板13上形成器件结构)适当地固定并支撑柔性基板13。然而，在完成器件制备过程后，所述剥离层与柔性基板13的粘合强度可通过简单的物理刺激(如在没有激光或光辐射的条件下的切割)而降低，因此，所述剥离层12可从柔性基板13上容易地分离。
具体而言，当剥离层12与柔性基板13的粘合强度在施加物理刺激之前或之后分别定义为A1和A2时，比例A2/A1为0.001至0.5，优选0.001至0.1。所述剥离层12可通过简单的物理刺激(如在没有激光或光辐射的条件下的切割)而容易地从柔性基板13上分离。
更具体而言，在施加物理刺激之前，所述剥离层12与柔性基板13的粘合强度为至少约1N/cm，至少约2N/cm，或约3至约5N/cm，而在施加物理刺激之后，其剥离强度可为约0.3N/cm以下，例如约0.2N/cm以下，约0.1N/cm以下，或约0.001至0.05N/cm。
所述剥离层12的剥离强度可在表1中所示的条件下测量。
[表1]
具体而言，可通过以下过程确定剥离强度。首先，在玻璃基板上依次形成剥离层和柔性基板以制备层压板样品。施加物理刺激以将所述层压板样品切割成宽度为10mm的矩形。使用测试器在表1中所示的条件下测量从剥离层剥离柔性基板的末端所需的力。所述力定义为剥离层的剥离强度。
通过以下过程可确定粘合强度。首先，在玻璃基板上依次形成剥离层和柔性基板以制备宽度为100mm的层压板样品。所述样品的柔性基板的末端用胶带进行连接，每个胶带具有10mm的宽度。测量从剥离层剥离胶带末端所需的力。所述力定义为剥离层的粘合强度。用于测量所述力的测试器和条件可与表1中所示的用于测量剥离强度的测试器和条件相同。
通过包含在剥离层中的聚酰亚胺树脂的酰亚胺化程度可实现剥离层12所需的粘合强度和剥离强度。所述酰亚胺化程度可通过各种因素控制，例如用于聚酰亚胺树脂的单体的种类和含量以及酰亚胺化条件(如热处理温度和时间)。
作为一个实例，包含在剥离层12中的聚酰亚胺树脂可具有约60％至约99％、约70％至98％或约75％至96％的酰亚胺化程度。在此范围内，所述剥离层12可满足关于粘合强度和剥离强度的需求，因此，即使当施加物理刺激而无需激光或光辐射时，所述柔性基板13也可从剥离层12中容易地分离。聚酰亚胺树脂的酰亚胺化程度可定义为在包含聚酰亚胺前体(例如聚酰胺酸树脂)的组合物于200℃或以上施用和酰亚胺化后，在IR谱中的1350至1400cm-1或1550至1650cm-1处观察到的CN谱带的积分强度相对于所述组合物在500℃或以上酰亚胺化之后在相同波长范围内观察到的CN谱带的积分强度(100％)的百分比。
所述聚酰亚胺树脂的酰亚胺化程度范围可通过控制固化聚酰胺酸树脂的温度条件而实现。
根据本发明人进行的实验的结果，证实用于制备聚酰亚胺树脂的固化温度条件、聚酰亚胺树脂的酰亚胺化程度和聚酰亚胺树脂层的剥离强度可满足表2中所示的关系。
[表2]
固化温度(℃) 150 200 250 300 350 500
酰亚胺化程度(％) 10.36 49.21 79.34 92.78 95.69 100
剥离强度(N/cm) 2.8 2.8 0.03 0.016 0.03 0.35
如表2中所示，当所述剥离层通过向载体基板施用包含作为聚酰亚胺树脂的前体的聚酰胺酸树脂的组合物并在约200℃或以上或250℃至500℃的温度下固化所述组合物而形成时，所述剥离层具有不大于约0.3N/cm的剥离强度，并且包含在剥离层中的聚酰亚胺树脂具有约60％至约99％、约70％至约98％或约75％至96％的酰亚胺化程度。该实施方案的层压板的使用显著简化了用于制备包含柔性基板的器件(例如柔性显示器件)的方法，其已在上文中描述过。
在固化温度的控制下所制备的聚酰亚胺树脂可具有至少约200℃、至少约300℃、或约350℃至约500℃的玻璃化转变温度和至少400℃或400℃至600℃的分解温度(Td)。由于聚酰亚胺树脂良好的耐热性，所述剥离层在制备器件的过程中高度耐高温，并且在所述层压板上制备器件的过程中可防止其扭曲。此外，所述剥离层可防止器件的可靠性劣化。因此，所述剥离层的使用使得制备的器件具有改进的特性和高可靠性。具体而言，所述实施方案的层压板的剥离层在100至200℃的温度下可具有不大于约30ppm/℃，不大于约25ppm/℃，或约1至约17ppm/℃的热胀系数(CTE)以及可具有450℃或以上的1％热分解温度(Td1％)。
满足结构和物理特性的需求的剥离层12完全地从柔性基板13上剥离，并因此对器件基板的透明性和光学特性无影响。
本发明人已发现所述剥离层的粘合强度根据组成剥离层的聚酰亚胺的二酐和二胺的种类而变化。基于该发现，本发明人提出一种用于定量评估剥离层的粘合强度的方法。具体而言，本发明者研制出基于相似性分数的单体结合。更高的相似性分数代表与球面具有更高的结构相似性的非线性/非平面结构。同时，较低的相似性分数代表与球面具有较低的结构相似性的线性/平面结构。在本发明中，相似性分数优选为不大于0.5。
相似性通过方程式1计算。
[方程式1]
相似性分数＝αFIT(k1×Ls二酐，i+k2×Ls二胺，j)k 0
其中
Ls二酐，i＝Exp[-k3×Coeffi]×Vi y 0
Ls二胺，j＝Exp[-k4×Coeffj]×Vj y 0
k0＝2.00，
y0＝-1.00，
k1＝206.67，
k2＝124.78，
k3＝3.20，
k4＝5.90，
Coeffi和Coeffj是使用ADRIANA.Code(Molecular NetworksGmbH)，分别由作为聚酰亚胺的单体的二酐i和二胺j的结构计算出来的分子非球面性，
Vi和Vj是使用ADRIANA.Code(Molecular Networks GmbH)，分别由作为单体的二酐i和二胺j的结构计算出来的McGowan体积，且
若exp(-4.0×|Coeffi-Coeffj|)+0.08＜0.90，则αFIT为1.0；若exp(-4.0×|Coeffi-Coeffj|)+0.08≥0.90，则αFIT为0.1至0.95的常数。
在方程式1中，若exp(-4.0×|Coeffi-Coeffj|)+0.08≥0.90，则αFIT为0.1至0.95、优选0.2至0.5、更优选0.33的常数。
ADRIANA.Code是由德国Molecular Networks GmbH开发的一个程序，并且主要用于计算分子固有的物理、化学和电子特性。当分子的结构信息输入至程序中时，便可计算出分子的非球面性和McGowan体积。
作为聚酰亚胺树脂的前体的聚酰胺酸树脂可通过聚合作为单体的四羧酸二酐化合物和二胺化合物而制备。所述聚酰亚胺树脂可通过聚酰胺酸树脂的酰亚胺化而制备。
适合作为单体的四羧酸二酐化合物的具体实例包括：均苯四甲酸二酐(PMDA)、3，3’，4，4’-联苯四羧酸二酐(BPDA)、内消旋-丁烷-1，2，3，4-四羧酸二酐、3，3’，4，4’-二苯甲酮四羧酸二酐(BTDA)、2，3，3’，4’-二苯醚四羧酸二酐(ODPA)、3，3’，4，4’-二苯基砜四羧酸二酸酐(DSDA)、4，4’-(六氟异亚丙基)二邻苯二甲酸酐、3，3’，4，4’-联苯四羧酸二酐(S-BPDA)、1，2，3，4-环丁烷四甲酸二酐、1，2-二甲基-1，2，3，4-环丁烷四甲酸二酐、1，2，3，4-四甲基-1，2，3，4-环丁烷四甲酸二酐、1，2，3，4-环戊烷四甲酸二酐、1，2，4，5-环己烷四甲酸二酐、3，4-二羧基-1，2，3，4-四氢-1-萘琥珀酸二酐、5-(2，5-二氧代四氢呋喃基)-3-甲基-3-环己烯-1，2-二羧酸二酐、2，3，5-三羧基-2-环戊烷乙酸二酐、双环[2.2.2]辛-7-烯-2，3，5，6-四羧酸二酸酐、2，3，4，5-四氢呋喃四羧酸二酐、3，5，6-三羧基-2-降冰片烷乙酸二酐及其衍生物。应当理解的是也可使用其他的各种四羧酸二酐。
适合作为单体的二胺化合物的具体实例包括：芳族二胺，例如对苯二胺(PDA)、间苯二胺(m-PDA)、2，4，6-三甲基-1，3-苯二胺、2，3，5，6-四甲基-1，4-苯二胺、4，4’-二氨基二苯醚、3，4’-二氨基二苯醚、3，3’-二氨基二苯醚、4，4’-二氨基二苯硫醚、4，4’-二氨基二苯甲烷、3，4’-二氨基二苯甲烷、3，3’-二氨基二苯甲烷、4，4’-亚甲基-双(2-甲基苯胺)、4，4’-亚甲基-双(2，6-二甲基苯胺)、4，4’-亚甲基-双(2，6-二乙基苯胺)、4，4’-亚甲基-双(2-异丙基-6-甲基苯胺)、4，4’-亚甲基-双(2，6-二异丙基苯胺)、4，4’-二氨基二苯砜、3，3’-二氨基二苯砜、联苯胺、邻联甲苯胺、间联甲苯胺、3，3’，5，5’-四甲基联苯胺、2，2’-双(三氟甲基)联苯胺、1，4-双(4-氨基苯氧基)苯、1，3-双(4-氨基苯氧基)苯、1，3-双(3-氨基苯氧基)苯、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]砜、2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2，2-双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷(6HMDA)、2，2’-双(三氟甲基)联苯胺(TFMB)、3，3’-双(三氟甲基)-4，4’-二氨基联苯(3，3'-TFDB)、4，4’-双(3-氨基苯氧基)二苯砜(DBSDA)、双(3-氨基苯基)砜(3DDS)、双(4-氨基苯基)砜(4DDS)、1，3-双(3-氨基苯氧基)苯(APB-133)、1，4-双(4-氨基苯氧基)苯(APB-134)、2，2’-双[3(3-氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷(3-BDAF)、2，2’-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷(4-BDAF)、2，2’-双(3-氨基苯基)六氟丙烷(3，3'-6F)、2，2’-双(4-氨基苯基)六氟丙烷(4，4’-6F)和4，4’-二氨基二苯醚(ODA)；和脂族二胺，例如1，6-己二胺、1，4-环己二胺、1，3-环己二胺、1，4-双(氨基甲基)环己烷、1，3-双(氨基甲基)环己烷、4，4’-二氨基二环己基甲烷、4，4’-二氨基-3，3’-二甲基二环己基甲烷、4，4’-二氨基-3，3’-二甲基二环己基甲烷、1，2-双-(2-氨基乙氧基)乙烷、双(3-氨基丙基)醚、1，4-双(3-氨基丙基)哌嗪、3，9-双(3-氨基丙基)-2，4，8，10-四氧杂螺[5.5]-十一烷和1，3-双(3-氨基丙基)四甲基二硅氧烷。
虽然对四羧酸二酐和二胺化合物的种类没有特别限制，但是对酸二酐而言，重要的是在芳环之间没有连接结构(linker structure)，以便更适当地满足剥离层在物理特性方面的需求，例如上述的低CTE范围和剥离强度。所述四羧酸二酐优选为式1的芳族四羧酸二酐：
[式1]
其中，A是衍生自酸二酐的四价芳族有机基团，特别是式2a或2b的四价芳族有机基团：
[式2a]
其中，R11为C1-C4烷基(例如甲基、乙基或丙基)或C1-C4卤代烷基(例如氟甲基、溴甲基、氯甲基或三氟甲基)，a为0至3的整数，且b为0至2的整数，优选为0，
[式2b]
其中，R12至R14各自独立地为C1-C4烷基(例如甲基、乙基或丙基)或C1-C4卤代烷基(例如氟甲基、溴甲基、氯甲基或三氟甲基)，c和e各自独立地为0至3的整数，优选为0，d为0至4的整数，优选为0，且f为0至3的整数。
具体而言，四羧酸二酐更优选为式3a的均苯四甲酸二酐(PMDA)或式3b的3，3’，4，4’-联苯四羧酸二酐(BPDA)：
[式3a]
[式3b]
在式3b的化合物中，所述结构是直链的并且两个芳环无连接结构而直接相连。
随着剥离层12的堆积密度(packing density)增加，分子间的空间降低，因此分子难以相互渗透，从而导致低粘接强度(bondingstrength)。结果，剥离层12与其上覆盖的柔性基板13的粘合强度降低，所述柔性基板与层压板的剥离强度也降低。所述堆积密度可由CTE表示。堆积密度越高，CET值越低，反之亦然。因此，所述二胺化合物优选为具有直链结构的芳族二胺化合物，特别是式4a或4b的芳族二胺化合物：
[式4a]
其中，R21为C1-C10烷基(例如甲基、乙基或丙基)或C1-C4卤代烷基(例如氟甲基、溴甲基、氯甲基或三氟甲基)，且l为0至4的整数，优选为0，
[式4b]
其中，R22和R23各自独立地为C1-C10烷基(例如甲基、乙基或丙基)或C1-C4卤代烷基(例如氟甲基、溴甲基、氯甲基或三氟甲基)，X选自下列基团：-O-、-CR24R25-、-C(＝O)-、-C(＝O)O-、-C(＝O)NH-、-S-、-SO-、-SO2-、-O[CH2CH2O]q-、C6-C18单环和多环亚环烷基(例如亚环己基和降冰片烯基)、C6-C18单环和多环亚芳基(例如亚苯基和萘基)及其组合，R24和R25各自独立地选自氢原子、C1-C10烷基(例如甲基、乙基及丙基)和C1-C10卤代烷基(例如氟甲基、溴甲基、氯甲基及三氟甲基)，q是1或2的整数，m和n各自独立地为0至4的整数，优选为0，且p为0或1的整数，优选为0。
芳族二胺化合物的使用更适当地满足剥离层在物理特性方面的需求。
优选的芳族二胺化合物的实例包括对苯二胺(PDA)、联苯胺(BZD)、间联甲苯胺和2，2’-双(三氟甲基)联苯胺(TFMB)。
所述单体在极性有机溶剂中聚合以制备所需的聚酰胺酸树脂。在上述的固化温度下并在存在或不存在酰亚胺化催化剂(如胺催化剂)的情况下，所述聚酰胺酸树脂进行酰亚胺化反应以制备聚酰亚胺树脂。包含聚酰亚胺树脂的剥离层可满足关于物理特性方面的要求。除了用于制备聚酰胺酸树脂或聚酰亚胺树脂的固化温度外，其他条件可通过本领域技术人员熟知的合适方法控制，且因此省略其进一步的解释。
所述剥离层12可具有0.05至5μm、0.05至4μm、0.05至3μm、0.05至2μm或0.05至1μm的厚度。随着剥离层的厚度降低，其对载体基板的粘合强度增加。然而，过分小的剥离层厚度使得所述剥离层与柔性基板的粘合强度增加，从而导致剥离层与柔性基板的可拆离性差。在上述定义的厚度范围内，可确保剥离层与载体基板的高粘合强度和剥离层与柔性基板的良好可拆离性。
在层压板中，柔性基板13置于剥离层12上。
所述柔性基板13可包括选自薄膜玻璃层13a、聚合物层13b及其多层层压板的结构。
任何用于常规显示器件中的玻璃材料可用作柔性基板13的薄膜玻璃层13a的材料。适合于薄膜玻璃层13a的材料的具体实例包括钠钙玻璃(soda lime glass)、中性硼硅酸盐玻璃(neutral borosilicateglass)和无碱玻璃(non-alkali glass)。用于薄膜玻璃层的材料可根据将应用的器件而适当地选择。无碱玻璃优选应用于要求低热收缩系数的器件，具有高可见光透射率的钠钙玻璃优选应用于要求高透明度的器件。
更优选地，上述材料应以合适的量进行混合，使得所述薄膜玻璃层13a在25至200℃时的平均热膨胀系数(在下文中，简称为“平均热膨胀系数”)为0至200×10-7/℃，优选0至50×10-7/℃，且其可见光透射率为至少90％。当薄膜玻璃层13a的平均热膨胀系数在上述定义的范围内时，可防止于器件的加热基板上形成的器件元件在冷却时错位。
所述薄膜玻璃层13a可根据本领域内已知的任何合适方法而形成。具体而言，所述薄膜玻璃层13a可通过如下方法形成：混合玻璃原材料，熔融混合物，将所述熔融混合物成型为板，并切割所述板至合适的尺寸。所述成型可通过浮法(float process)、狭缝下引法(slotdown-draw process)、溢流法(overflow process)、下引法(down-drawprocess)、融合法(fusion process)、再引法(redraw process)或卷出法(roll-out process)而进行。
根据应用所述层压板的器件的种类可适当地选择薄膜玻璃层13a的尺寸(例如厚度和大小)。优选地，考虑到器件基板的透明度，所述薄膜玻璃层13a具有10至200μm的厚度。在此范围内，所述薄膜玻璃层13a可显示高柔性和合适的机械强度。
所述聚合物层13b可形成于薄膜玻璃层13a的上面或下面。或者，聚合物层13b可形成于薄膜玻璃层13a的两个表面上。薄膜玻璃层13a可通过蚀刻进行预处理，例如在臭氧气氛下的电晕处理、火焰处理、溅射、紫外光辐射或电子束辐射。所述预处理增加薄膜玻璃层13a与聚合物层13b的粘合性。
用于柔性基板13的聚合物层13b的材料没有特别限制，并且可以是已知的适用于柔性器件的常规基板的任何聚合物。具体而言，所述聚合物层13b可包括至少一种选自聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚酯、聚醚酰胺酰亚胺、聚酯酰胺酰亚胺和聚芳酯的聚合物树脂。
聚酰亚胺树脂特别优选作为聚合物层13b的材料。具体而言，所述聚酰亚胺树脂可具有约50至约99％或约70至约95％的酰亚胺化程度，至少约200℃、至少约300℃或约350至500℃的玻璃化转变温度(Tg)，和至少400℃或400至600℃的分解温度(Td)。所述聚酰亚胺树脂的良好耐热性消除了聚合物层13b可在后续的制备层压板或器件基板的加热期间变形的风险，并且导致基板和器件的耐热性改进。具体而言，所述聚合物层13b在100至200℃下的热胀系数(CTE)可为约60ppm/℃以下、约50ppm/℃以下、约40ppm/℃以下或约1至30ppm/℃，且其可具有450℃或以上或470℃或以上的1％热分解温度(Td1％)。
包含在聚合物层13b中的聚酰亚胺树脂还可通过聚合作为单体的酸二酐和二胺化合物以制备聚酰胺酸树脂并固化所述聚酰胺酸树脂而制备。所述聚合物层13b可通过干燥以包含聚酰亚胺树脂的溶液的形式的组合物而形成。所述酸二酐和二胺化合物与制备用于形成剥离层的聚酰亚胺树脂中所描述的那些相同。
为了制备满足物理特性方面的要求的聚酰亚胺树脂，优选适当地控制用于聚酰亚胺树脂的单体的种类和比例及酰亚胺化条件。作为实例，优选适当地控制酸二酐和二胺在聚合期间的比例以满足聚合物层13b在物理特性方面的要求。具体而言，所期望的是每摩尔四羧酸二酐使用0.8至1.2摩尔或0.9至1.1摩尔的二胺。
具有上述物理特性的聚合物层13b可具有0.5至50μm、1至50μm、2至50μm、3至50μm或3至30μm的厚度。具体而言，当聚合物层13b与剥离层相接触时，优选聚合物层13b具有最佳的厚度。例如，聚合物层13b的厚度可大于剥离层的厚度10至500倍、20至400倍、30至300倍或50至200倍。
根据一个实施方案，所述层压板的柔性基板13可包括薄膜玻璃层13a和聚合物层13b，其每种均是单层的形式。或者，薄膜玻璃层13a和聚合物层13b的每种可形成为多层。也就是说，柔性基板13可包括多层结构，其中将薄膜玻璃层13a的两层或多层和聚合物层13b的两层或多层进行层压。本发明的该实施方案的层压板10包括具有双层结构的柔性基板，其中，聚合物层13b层压在薄膜玻璃层13a之下，如图2a所示。本发明的另一个实施方案提供如图2b所示的层压板20。所述层压板20包括具有三层结构的柔性基板23，其中聚合物层23b和23c形成于薄膜玻璃层23a的两个表面上。然而，本发明的层压板不局限于这种多层结构。在具有多层结构的柔性基板中，在薄膜玻璃层23a之上形成的聚合物层23c可作为薄膜玻璃层的保护膜。
具有上述结构的层压板10可根据包含下列步骤的方法制备：在载体基板11的至少一个表面上形成包含聚酰亚胺树脂的剥离层12(步骤1)；和在所述剥离层12上形成柔性基板13(步骤2)。
在下文中，将对各个步骤进行详细解释。在步骤1中，在载体基板11上形成剥离层12。
所述载体基板11与上述的那种相同。在形成剥离层12之前，所述载体基板11可通过蚀刻预处理，例如在臭氧气氛下的电晕处理、火焰处理、溅射、紫外线辐射或电子束辐射。所述预处理增加了载体基板与剥离层的粘合性。
所述剥离层12可通过施用包含聚酰亚胺树脂或作为聚酰亚胺树脂前体的聚酰胺酸树脂的组合物至载体基板11上并在200℃或以上固化所述组合物而形成。在固化期间，进行聚酰胺酸树脂的酰亚胺化反应。
包含在用于形成剥离层的组合物中的聚酰亚胺树脂和聚酰胺酸树脂与上述解释的那些相同。
用于形成剥离层的组合物还可包括至少一种选自粘结剂、溶剂、交联剂、引发剂、分散剂、增塑剂、粘度改性剂、UV吸收剂、光敏性单体和敏化剂的添加剂，其常用于聚酰亚胺树脂层中。
所述组合物可通过本领域已知的任何合适的技术施用。适合于施用所述组合物的技术的具体实例包括旋涂、浸涂和棒涂。铸造、轧制(rolling)或喷涂可适用于连续法中。
在固化之前，还可进行干燥以移除存在于用于形成剥离层的组合物中的有机溶剂。所述组合物可通过本领域已知的任何合适的技术进行干燥。具体而言，所述组合物可在140℃或以下进行干燥。
所述固化可在至少200℃的温度下或250℃至500℃的温度下通过热处理而进行。所述热处理也可在上述定义的温度范围内的各种温度下于多个阶段中进行。
所述固化时间没有特别地限制，并可在例如3至30分钟的范围内。
在固化之后，还可任选地进行热处理。
后续热处理优选在至少300℃的温度下进行1至30分钟。所述热处理可仅仅进行一次。或者，所述热处理可在多个阶段中进行两次或多次。例如，所述热处理可在三个阶段中进行：在200至250℃下进行第一次热处理，在300至350℃下进行第二次热处理，并且在400至450℃下进行第三次热处理。
在步骤2中，在剥离层12上形成柔性基板13以制备层压板。
所述柔性基板13与上述的那种相同。所述柔性基板13可具有由薄膜玻璃层13a和聚合物层13b组成的多层结构。可提供多个所述聚合物层13b。在此情况下，可在薄膜玻璃层13a的两个表面上形成所述聚合物层13b。可通过本领域已知的任何合适的方法形成所述柔性基板13。
例如，所述柔性基板13可具有双层结构，其中，包含聚酰亚胺树脂的聚合物层13b在薄膜玻璃层13a的下面形成。在此情况下，所述柔性基板13可通过下列步骤而形成：将包含聚酰胺酸树脂的组合物施用至剥离层12上，在200℃或以上通过加热而固化所述组合物以形成聚合物层13b，将薄膜玻璃层13a置于聚合物层13b上，并在20至300℃的温度下热处理所得结构以层压所得结构。或者，可使用包含聚酰亚胺树脂的组合物代替包含聚酰胺酸树脂的组合物。在此情况下，通过干燥包含聚酰胺树脂的组合物可形成所述聚合物层13b。
或者，所述柔性基板13可具有三层结构，其中在薄膜玻璃层13a的上面和下面形成包含聚酰亚胺树脂的聚合物层13b。在此情况下，所述柔性基板13可通过下列步骤形成：在剥离层12上形成包含聚酰亚胺树脂的第一聚合物层13b，在第一聚合物层13b上形成薄膜玻璃层13a，和在薄膜玻璃层13a上形成包含聚酰亚胺树脂的第二聚合物层13b。
用于形成聚合物层的组合物还可包括至少一种本领域中常用的添加剂。所述添加剂的实例包括粘结剂、溶剂、交联剂、引发剂、分散剂、增塑剂、粘度改性剂、UV吸收剂、光敏性单体和敏化剂。
所述固化也可在上述定义的温度范围内的各种温度下在多个阶段中进行。
在由此制备的层压板中，所述剥离层对柔性基板显示出合适的粘合强度并因此可在后续的制备器件的过程中适当地固定并支撑所述柔性基板。因此，本发明的该实施方案的层压板的使用有助于包含柔性基板的器件(例如柔性显示器件)的基板的制备。此外，即使未使用激光或光辐射分离柔性基板，器件的制造方法也可在所述层压板上适当地进行，以制备具有优异特性的器件。因此，可简化具有柔性基板的器件的制备方法，并且也可降低制备成本。
本发明的另一个实施方案提供使用所述层压板制备的器件基板以及制备器件基板的方法。
所述器件基板可通过包含下列步骤的方法而制备：在载体基板的至少一个表面上形成包含聚酰亚胺树脂的剥离层；在所述剥离层上形成柔性基板；和向所述柔性基板施加物理刺激以从载体基板上形成的剥离层上分离所述柔性基板。形成剥离层和柔性基板的步骤与上述的那些相同。
图3a示出本发明的一个实施方案的器件基板的制备方法的示意图。图3a仅仅是说明性的且本发明不限于此。
参考图3a，本发明的器件基板可通过包含下列步骤的方法制备：(S1)在载体基板的至少一个表面上形成包含聚酰亚胺树脂的剥离层；(S2)在所述剥离层上形成柔性基板；及(S3和S4)向柔性基板施加物理刺激并从其上形成有所述剥离层的载体基板上分离所述柔性基板。所述柔性基板可通过本领域中使用的常规方法而分离。例如，可使用抽吸法(suction method)分离柔性基板，但本发明不限于此。为了在制备期间使对显示器件的损害最小化，可选择比常规方法需要小得多的力的任何方法。
在用于制备所述器件基板的方法中分离柔性基板的步骤之前的步骤可与在制备所述层压板的方法中的那些相同。
所述柔性基板可通过施加合适的物理刺激(如切割、激光切割或金刚石刻划)而分离。具体而言，可施加不大于0.1N的物理刺激以分离柔性基板。
通过所述方法制备的器件基板包括从载体基板上分离的柔性基板，所述分离通过施加相对小的物理刺激(例如切割)进行，甚至不需要其他处理如激光或光辐射。因此，器件基板的使用可防止器件可靠性的劣化或由激光或光辐射导致的缺陷的发生。这确保了器件的改进特性。
本发明的另一个实施方案提供一种包含所述器件基板的器件。
具体而言，所述器件可以是柔性显示器件如具有柔性基板的太阳能电池(例如柔性太阳能电池)、有机发光二极管(OLED)照明器件(例如柔性OLED照明器件)、具有柔性基板的半导体器件、有机电致发光器件，及电泳器件或LCD器件。特别优选有机电致发光器件。
如图3b所示，可通过包含下列步骤的方法制备所述器件：在载体基板11的至少一个表面上依次形成包含聚酰亚胺树脂的剥离层12和柔性基板13以得到层压板；在所述层压板的柔性基板13上形成器件结构30(即制备器件的步骤)；和施加物理刺激p(非激光或光辐射)以分离其上形成有器件结构30的柔性基板13。
所述器件结构可根据在柔性基板上制备的器件的种类而变化。所述器件结构可以是一种常规结构，例如包含栅电极的半导体器件结构、包含薄膜晶体管阵列的显示器件结构、具有P/N结的二极管器件结构、包含有机发光层的OLED结构或太阳能电池结构。作为一个实例，所述器件结构可以是有机电致发光器件结构，其包括：置于柔性基板后侧且包含例如氧化铟锡(ITO)的透明电极；置于透明电极后侧且包含例如有机化合物的发光部分；和置于发光部分的后侧且包含例如金属的金属电极。
如上所述，本发明的器件包括无需其他处理(如激光或光辐射)而通过施加物理刺激从载体基板上分离的作为基板的柔性基板。柔性基板的使用可确保改进的器件特性，并且可使得所述器件高度可靠。
在下文中，将具体解释本发明的实施方案，以致本领域中具有普通知识的人可容易地实施本发明。然而，本发明可以许多不同的形式体现且不应理解为限于本文中所提出的实施方案。
实施例1：层压板的制备
将1mol的BPDA与0.99mol的PDA聚合以制备聚酰胺酸树脂。将包含3重量％的聚酰胺酸树脂和作为溶剂的97重量％的DMAc的组合物施用于作为载体基板的无碱玻璃的一个表面上，以致其干燥后的厚度为0.1μm。将所得涂层在120℃的温度下连续干燥并在250℃的温度下固化30分钟以形成包含聚酰亚胺树脂的剥离层(在下文中，称为“第一聚酰亚胺树脂”)。
随后，将1mol的BPDA与0.99mol的TFMB聚合以制备聚酰胺酸树脂。将包含12重量％的聚酰胺酸树脂和作为溶剂的88重量％的DMAc的组合物施用(浇铸)于所述剥离层上，以致其干燥后的厚度为15μm。将所得涂层在100℃的温度下连续干燥并在350℃的温度下固化60分钟以形成包含聚酰亚胺树脂的聚合物层(在下文中，称为“第二聚酰亚胺树脂”)。所得层压板(测试层压板1-1)具有依次为载体基板、包含BPDA-PDA的聚酰亚胺树脂的剥离层和作为柔性基板的包含BPDA-TFMB的聚酰亚胺树脂的聚合物层的结构。
测试层压板的制备
以与实施例1中相同的方式制备测试层压板，不同之处在于如表3中所示改变用于剥离层的第一聚酰亚胺树脂和用于柔性基板的聚合物层的第二聚酰亚胺树脂的种类。
[表3]
测试层压板序号 第一聚酰亚胺树脂 第二聚酰亚胺树脂
1-1 BPDA-PDA BPDA-TFMB
1-2 BPDA-PDA BPDA-mPDA
1-3 BPDA-TFMB BPDA-TFMB
1-4 BPDA-TFMB BPDA-mPDA
1-5(对比) PMDA-ODA BPDA-TFMB
在表3中，BPDA代表联苯基-四羧酸二酐，PDA代表对苯二胺，TFMB代表2，2’-双(三氟甲基)联苯胺，mPDA代表间苯二胺，PMDA代表均苯四甲酸二酐且ODA代表4，4'-二氨基二苯醚。
测试实施例1：剥离层的物理特性的评估
测量测试层压板的剥离层的密度、热膨胀系数(CTE)、玻璃化转变温度(Tg)、粘合强度和剥离强度。
具体而言，通过用胶带而不施加物理刺激(不进行切割)测量从剥离层剥离每个层压板的柔性基板所需的力而确定粘合强度。通过将每个层压板切割成宽度为10mm和长度为100mm的矩形且使用质构仪(TA.XT plus，Stable micro systems)测量当柔性基板的末端在50mm/min的速率下剥离时所需的力而确定所述剥离强度。结果如表4中所示。
从表4中的结果可知，与包含使用四羧酸二酐——其中芳环通过连接基团相连——制备的聚酰亚胺的测试层压板1-5相比，测试层压板1-1至1-4——每个均包括含使用式1的四羧酸二酐和具有直链结构的二胺化合物制备的聚酰亚胺的剥离层——表现出低得多的剥离强度。
另一方面，尽管在芳环之间无连接结构，测试层压板1-3和1-4比测试层压板1-1和1-2表现出更高的剥离强度。每个测试层压板1-3和1-4的较高剥离强度的原因是因为三氟甲基降低了所述剥离层的堆积密度，从而导致剥离层和柔性基板之间更高的粘合强度。然而，与使用在芳环之间包含连接结构的二胺的测试层压板1-5相比，测试层压板1-3和1-4表现出低得多的剥离强度。
观察到测试层压板1-1和1-5的尺寸随着温度的变化而改变，并且结果如图4所示。从图4中可以看出，和测试层压板1-1不同，测试层压板1-5在约350℃时经历了剧烈的尺寸变化。
测试实施例2：由固化温度决定的粘合强度和剥离强度的评估
层压板以与实施例1相同的方式制备，不同之处在于剥离层通过在表5所示的各种温度下固化而形成。
通过与测试实施例1所述的相同方法测量由用于形成层压板的剥离层的固化温度决定的柔性基板的粘合强度和剥离强度。
在所述层压板于25℃/RH55％下储存1天之后，观察在施加物理刺激之前粘合强度的变化并观察在进行切割(作为一种物理刺激)之后剥离强度的变化。所述结果如表5中所示。
[表5]
如上表所示，施加物理刺激导致剥离强度显著降低。所述降低在高于预定的固化温度(250℃)时更加明显。
观察在250℃下经历固化的实施例1的层压板在制备之后立刻及在25℃/RH 55％的条件下储存7天之后的粘合强度和剥离强度。结果如表6中所示。
[表6]
天数 粘合强度(N/cm) 剥离强度(N/cm)
0天 3.64 0.022
7天 3.66 0.020
如上表所示，施加物理刺激导致剥离强度的降低。所述粘合强度随着时间而增加。所述剥离强度随着时间而降低，但是所述降低并不明显。
测试实施例3：由柔性基板的厚度决定的剥离强度的评估
测试层压板以与实施例1中相同的方式制备，不同之处在于第一和第二聚酰亚胺树脂的种类和柔性基板的厚度如表7中所示变化。
[表7]
通过如测试实施例1中所述的相同方法在测试层压板上测量剥离强度。结果如表8和图5中所示。
在表8中，作为用于柔性基板的第二聚酰亚胺树脂的BPDA-TFMB是透明的聚酰亚胺树脂，作为用于柔性基板的第二聚酰亚胺树脂的BPDA-PDA是着色聚酰亚胺树脂。
[表8]
从测试结果中可以看出，随着每个柔性基板的厚度的降低，剥离强度增加。与包含作为聚酰亚胺树脂的透明BPDA-TFMB的测试层压板相比，包含作为聚酰亚胺树脂的着色BPDA-PDA的测试层压板在由柔性基板的厚度决定的剥离强度方面经历了显著变化。
测试实施例4：由固化条件决定的剥离层的剥离强度的评估
以与实施例1相同的方式制备测试层压板，不同之处在于用于形成剥离层的固化温度和时间改变，如表9所示。
以与测试实施例1中所述的相同方法测量测试层压板4-1至4-10的剥离强度。结果如表9所示。
[表9]
从测试结果中可看出，在相对较低温度下经历短时间固化的层压板表现出与没有使用第一聚酰亚胺树脂的层压板相似的剥离强度，但是，与没有使用第一聚酰亚胺树脂的层压板相比，在相同温度下经历较长时间固化的层压板表现出较低的剥离强度。在较高温度下经历固化的层压板在由固化时间决定的剥离强度方面没有显示出本质的区别。在较高温度下经历短时间固化的层压板表现出低的剥离强度。
测试实施例5：由第一聚酰亚胺树脂的种类决定的剥离强度的评估
以与实施例1相同的方式制备测试层压板，不同之处在于用于形成剥离层的第一聚酰亚胺树脂的种类和用于形成柔性基板的第二聚酰亚胺树脂的种类改变，如表10中所示。
[表10]
在上表中，BZD和mTOL分别代表联苯胺和邻联甲苯胺。
以与测试实施例1所述的相同方法测量测试层压板的粘合强度和剥离强度。结果如表11所示。
[表11]
与其他测试层压板相比，测试层压板5-4具有非常高的剥离强度的原因认为是因为用于剥离层的第一聚酰亚胺树脂的二胺在芳环之间包含连接结构。所述连接结构的存在导致低堆积密度和分子间的空间增大。因此，促进分子的相互渗透，并导致高粘接强度。
当BPDA-TFMB用作柔性基板的第二聚酰亚胺树脂时，获得的测量剥离强度值与通过方程式1计算出的相似性分数进行比较。结果如表12所示。
[表12]
A：接受，NA：不接受
从表12的结果可以看出，当相似性分数不大于0.5时，获得优选的剥离强度。
以与实施例1相同的方式制备测试层压板，不同之处在于在剥离层固化之后，在热盘(hot plate)上于300℃下进行热处理30分钟。固化和热处理条件如表13所示。对于测试层压板5-5、5-6和5-7，所述热处理分别重复1次，3次和5次。
[表13]
在剥离层固化之后，在测试层压板上观察剥离强度随热处理次数的变化。所述剥离强度通过与测试实施例1所述的相同方法测量。结果如表14和图6所示。
[表14]
如上表所示，在剥离层形成之后，尽管热处理次数增加，剥离强度却无明显的变化。
测试实施例6：聚酰亚胺树脂的物理特性的评估
在本发明中，评估用于形成剥离层和柔性基板的聚合物层的聚酰亚胺树脂的物理特性。
制备表15中所示的四羧酸二酐和二胺化合物。将1mol的四羧酸二酐和0.99mol的二胺化合物之一聚合以制备聚酰胺酸树脂。将包含12重量％的聚酰胺酸树脂和作为溶剂的88重量％的DMAc的组合物施用于作为载体基板的无碱玻璃的一个表面上，使得其干燥之后的厚度为10至15μm。所得的涂层在120℃的温度下连续干燥并在350℃的温度下固化以形成聚酰亚胺树脂层。
测量聚酰亚胺树脂层的聚酰亚胺树脂的酰亚胺化程度和玻璃化转变温度(Tg)。测量包含聚酰亚胺树脂的聚酰亚胺树脂层的热膨胀系数(CTE)和1％热分解温度(Td1％)。
具体而言，通过下列步骤测量酰亚胺化程度。首先，施用包含通过聚合如表15中所示的单体而制备的聚酰胺酸树脂的组合物。然后，在200℃或以上及500℃或以上对所述组合物进行酰亚胺化。酰亚胺化程度定义为在所述组合物于200℃或以上酰亚胺化后，在IR谱中的1350至1400cm-1或1550至1650cm-1处观察到的CN谱带的积分强度相对于所述组合物在500℃或以上酰亚胺化之后在相同波长范围内观察到的CN谱带的积分强度(100％)的百分比。
使用差示扫描量热计(DSC 2010，TA仪器)在加热速率为10℃/min时测量玻璃化转变温度。
使用热重分析仪(TG-DTA2000)，在氮气氛围下当加热速率为10℃/min时，通过测量聚酰亚胺膜的初始重量降低1％时的温度而确定1％热分解温度(Td1％)。
当测试片以5g/15μm膜厚的负载和在100至200℃的温度范围内以5℃/min的速率增加时，根据聚酰亚胺膜的线性热膨胀系数的平均值确定的热膨胀系数(CTE)。使用热机分析仪(TMA4000)测量线性热膨胀系数。结果如表15所示。
[表15]
聚酰亚胺树脂 酰亚胺化程度 CTE(ppm/℃) Tg(℃) Td1％(℃)
BPDA-PDA 95.7 3.590 374 547
BPDA-TFMB 96.2 8.205 352 524
测试实施例7：由固化温度决定的剥离强度的变化
以与实施例1相同的方式制备测试层压板，不同之处在于PMDA-PDA用作剥离层的第一聚酰亚胺树脂，BPDA-PDA用作柔性基板的第二聚酰亚胺树脂，并且固化温度如表16所示变化。测量测试层压板的粘合强度和剥离强度。结果如表16所示。
[表16]
测试实施例8：由用于制备形成剥离层的聚酰亚胺的共聚摩尔比决定的剥离强度的评估
以与实施例1相同的方式制备测试层压板，不同之处在于BPDA和PMDA以用于形成剥离层的不同摩尔比用作酸二酐。使用摩尔比为9∶1的作为酸二酐的环己烷四羧酸二酐(BPDA_H)及作为二胺化合物的4-氨基-N-(4-氨基苯基)苯甲酰胺(DABA)和4，4’-二氨基联苯醚(ODA)制备用于形成柔性基板的第二聚酰亚胺。测量测试层压板的粘合强度和剥离强度。结果如表17所示。
[表17]
测试实施例9：由柔性基板的种类决定的剥离强度的评估
以与测试实施例8相同的方式形成两个剥离层。用于形成柔性基板的聚酰亚胺通过将作为酸二酐的环己烷四羧酸二酐(BPDA_H)与作为二胺化合物的4-氨基-N-(4-氨基苯基)苯甲酰胺(DABA)和间苯二胺(mPDA)以9∶1的摩尔比反应而制备。剥离层和柔性基板中的一种用于制备层压板9-1。用于形成柔性基板的聚酰亚胺通过将作为酸二酐的4，4’-(六氟亚异丙基)二邻苯二甲酸二酐(6FDA)和均苯四甲酸二酐(PMDA)以摩尔比为1∶1与对苯二胺(PDA)反应而制备。其他剥离层和柔性基板用于制备层压板9-2。测量层压板的粘合强度和剥离强度。结果如表18所示。
[表18]
测试实施例10：由剥离层的BPDA含量决定的剥离强度的评估
制备测试层压板使之具有表19所示的组合物。评估剥离层的粘合强度和剥离强度。证实剥离层随着PMDA含量的增加而表现出降低的剥离强度。
[表19]
尽管已详细描述了本发明的具体实施方案，对本领域技术人员而言应理解的是这种详细描述仅仅为优选实施方案，而本发明的范围不限于此。因此，本发明的真正范围应当通过所附的权利要求书及其等同物界定。
[参考数字的说明]
10，20        层压板
11，21        载体基板
12，22        剥离层
13，23        柔性基板
13a，23a      薄膜玻璃层
13b，23b，23c 聚合物层
30            器件结构
产业上的可利用性
根据本发明的层压板，即使不进行激光或光辐射等，也可以通过切割等比较小的物理刺激使柔性基板容易地与载体基板分离，因此，能够更加容易地制造包括柔性显示器件等柔性基板的器件。
由此，根据本发明，不需要另外的激光或光辐射等，因此，能够简化制造器件的工艺，并大幅度降低制造成本，抑制激光或光辐射等引起的器件的信赖性下降或不良品的产生，从而可以制造具有优异特性的器件。

Claims (26)

1.一种层压板，其包括：
载体基板；
置于所述载体基板的至少一个表面上且包含聚酰亚胺树脂的剥离层；及
置于所述剥离层上的柔性基板，
其中当向所述层压板施加在所述剥离层中不会引起化学变化的物理刺激时，所述剥离层与所述柔性基板的粘合强度改变。
2.权利要求1的层压板，其中当施加物理刺激之前和之后所述剥离层与所述柔性基板的粘合强度分别定义为A1和A2时，比例A2/A1为0.001至0.5。
3.权利要求1的层压板，其中在施加物理刺激之后，所述剥离层与所述柔性基板的剥离强度不大于0.3N/cm。
4.权利要求1的层压板，其中在施加物理刺激之前，所述剥离层与所述柔性基板的粘合强度至少为1N/cm。
5.权利要求1的层压板，其中施加物理刺激以致暴露所述层压板的横截面。
6.权利要求1的层压板，其中所述聚酰亚胺树脂具有不大于0.5的相似性分数，其按照方程式1计算：
[方程式1]
相似性分数＝αFIT(k1×Ls二酐,i+k2×Ls二胺,j)k 0
其中
Ls二酐,i＝Exp[-k3×Coeffi]×Vi y 0
Ls二胺,j＝Exp[-k4×Coeffj]×Vj y 0
k0＝2.00，
y0＝-1.00，
k1＝206.67，
k2＝124.78，
k3＝3.20，
k4＝5.90，
Coeffi和Coeffj是使用ADRIANA.Code(Molecular NetworksGmbH)分别由作为聚酰亚胺的单体的二酐i和二胺j的结构计算出来的分子非球面性，
Vi和Vj是使用ADRIANA.Code(Molecular Networks GmbH)分别由作为单体的二酐i和二胺j的结构计算出来的McGowan体积，且
若exp(-4.0×|Coeffi-Coeffj|)+0.08<0.90，则αFIT为1.0；若exp(-4.0×|Coeffi-Coeffj|)+0.08≥0.90，则αFIT为0.1至0.95的常数。
7.权利要求1的层压板，其中所述聚酰胺树脂具有60％至99％的酰亚胺化程度，所述酰亚胺化程度定义为将包含聚酰胺酸树脂的组合物在200℃或以上施用并酰亚胺化后在IR谱中的1350至1400cm-1或1550至1650cm-1处观察到的CN谱带的积分强度相对于所述组合物在500℃或以上酰亚胺化之后在相同波长范围内观察到的CN谱带的积分强度(100％)的百分比。
8.权利要求1的层压板，其中所述聚酰亚胺树脂具有200℃或以上的玻璃化转变温度。
9.权利要求1的层压板，其中所述聚酰亚胺树脂可通过将式1的四羧酸二酐与具有直链结构的芳族二胺化合物反应制备成聚酰胺酸并在200℃或以上固化所述聚酰胺酸而制备，
[式1]
其中，A为式2a或2b的四价芳族有机基团：
[式2a]
其中，R11为C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基，a是0至3的整数，且b是0至2的整数，
[式2b]
其中，R12至R14各自独立地为C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基，c和e各自独立地为0至3的整数，d为0至4的整数，且f为0至3的整数。
10.权利要求9的层压板，其中所述芳族二胺化合物如式4a或4b所示：
[式4a]
其中，R21为C1-C10烷基或C1-C10卤代烷基，且l为0至4的整数，
[式4b]
其中，R22和R23各自独立地为C1-C10烷基或C1-C10卤代烷基，X为选自下列的基团：-O-、-CR24R25-、-C(＝O)-、-C(＝O)O-、-C(＝O)NH-、-S-、-SO-、-SO2-、-O[CH2CH2O]q-、C6-C18单环和多环亚环烷基、C6-C18单环和多环亚芳基及其组合，R24和R25各自独立地选自氢原子、C1-C10烷基和C1-C10卤代烷基，q为1或2的整数，m和n各自独立地为0至4的整数，且p为0或1的整数。
11.权利要求1的层压板，其中所述剥离层通过施用包含聚酰亚胺树脂或其前体的组合物至载体基板上并在200℃或以上固化所述组合物而形成。
12.权利要求1的层压板，其中所述剥离层在100至200℃的温度下具有不大于30ppm/℃的热膨胀系数并具有450℃或以上的1％热分解温度(Td1％)。
13.权利要求1的层压板，其中所述剥离层可具有0.05至5μm的厚度。
14.权利要求1的层压板，其中所述柔性基板具有选自薄膜玻璃层、聚合物层及其多层层压板的结构。
15.权利要求14的层压板，其中所述聚合物层包含至少一种选自聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚酯、聚醚酰胺酰亚胺、聚酯酰胺酰亚胺和聚芳酯的聚合物树脂。
16.权利要求14的层压板，其中所述聚合物层包含具有50至99％的酰亚胺化程度和200℃或以上的玻璃化转变温度的聚酰亚胺树脂。
17.一种制备层压板的方法，其包括：
在载体基板的至少一个表面上形成包含聚酰亚胺树脂的剥离层；和
在所述剥离层上形成柔性基板，
其中所述剥离层可通过施用包含聚酰亚胺树脂或其前体的组合物至载体基板上并在200℃或以上固化所述组合物而形成。
18.权利要求17的方法，其中所述柔性基板可通过选自下列的方法形成：包括在所述剥离层上配置玻璃薄膜层并在20至300℃的温度下热处理所述玻璃薄膜层的方法、包括施用包含聚合物或其前体的组合物并固化所述组合物的方法，及其结合。
19.权利要求17的方法，其还包括在形成剥离层的步骤后，在300℃或以上热处理所述剥离层1至30分钟。
20.一种制备器件基板的方法，其包括：
通过权利要求17的方法制备包括载体基板、剥离层和柔性基板的层压板；
向所述层压板施加物理刺激而不会在所述剥离层中引起化学变化；
从形成有剥离层的所述载体基板上分离柔性基板。
21.权利要求20的方法，其中施加物理刺激以致暴露所述层压板的横截面。
22.一种通过权利要求20的方法制备的器件基板。
23.一种制备器件的方法，其包括：
通过权利要求17的方法制备包含载体基板、剥离层和柔性基板的层压板；
在所述层压板的柔性基板上形成器件结构；及
向其上形成有器件结构的层压板施加物理刺激，而不会在所述剥离层中引起化学变化，并从所述层压板的剥离层中分离其上形成有器件结构的柔性基板。
24.一种通过权利要求23的方法制备的器件。
25.权利要求23的器件，其中所述器件选自太阳能电池、有机发光二极管照明器件、半导体器件和显示器件。
26.权利要求25的器件，其中所述显示器件为柔性有机电致发光器件。
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KR1020140041568A KR101775198B1 (ko) 2013-04-09 2014-04-07 적층체 및 이를 이용하여 제조된 기판을 포함하는 소자
KR10-2014-0041572 2014-04-07
KR20140041573A KR20140122207A (ko) 2013-04-09 2014-04-07 적층체 및 이를 이용하여 제조된 기판을 포함하는 소자
KR10-2014-0041573 2014-04-07
KR10-2014-0041567 2014-04-07
KR1020140041571A KR101802558B1 (ko) 2013-04-09 2014-04-07 디스플레이 소자의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 디스플레이 소자
PCT/KR2014/003037 WO2014168400A1 (ko) 2013-04-09 2014-04-08 적층체 및 이를 이용하여 제조된 기판을 포함하는 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104487241A true CN104487241A (zh) 2015-04-01
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Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480001451.5A Active CN104487241B (zh) 2013-04-09 2014-04-08 层压板和包含用所述层压板制备的基板的器件
CN201480001489.2A Active CN104379339B (zh) 2013-04-09 2014-04-08 层压板和包括使用其制备的基板的器件
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US (4) US10035883B2 (zh)
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TW (3) TWI543864B (zh)
WO (3) WO2014168402A1 (zh)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105845844A (zh) * 2016-04-13 2016-08-10 信利半导体有限公司 一种柔性基板制造方法及oled器件制造方法和应用
CN106541652A (zh) * 2015-09-23 2017-03-29 新日铁住金化学株式会社 聚酰亚胺层叠结构体及其制造方法以及显示装置及触摸屏
CN109216546A (zh) * 2018-09-13 2019-01-15 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性衬底与载体基板的连接方法及柔性显示面板
CN109890614A (zh) * 2017-01-31 2019-06-14 株式会社Lg化学 用于制备柔性基底的层合体和通过使用其制造柔性基底的方法
CN110364642A (zh) * 2019-05-29 2019-10-22 福建华佳彩有限公司 显示器件封装工艺
CN110520478A (zh) * 2017-03-30 2019-11-29 日产化学株式会社 剥离层形成用组合物和剥离层
CN110739397A (zh) * 2018-07-02 2020-01-31 霍尼韦尔特性材料和技术（中国）有限公司 一种柔性显示器基板、其制备方法及其应用
CN111554189A (zh) * 2020-05-15 2020-08-18 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示装置
WO2020232986A1 (zh) * 2019-05-23 2020-11-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种pi基板及其制备方法
CN112334308A (zh) * 2018-11-20 2021-02-05 株式会社Lg化学 用于制造柔性器件的层合体结构以及通过使用其制造柔性器件的方法

Families Citing this family (93)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102375543B (zh) * 2010-08-10 2016-02-03 技嘉科技股份有限公司 键盘模组
US9895868B2 (en) * 2012-06-20 2018-02-20 Toyobo Co., Ltd. Method for producing layered product, layered product, method for producing layered product with device using said layered product, and layered product with device
KR102087647B1 (ko) * 2012-09-27 2020-03-11 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 표시 장치의 제조 방법
KR101802558B1 (ko) * 2013-04-09 2017-11-29 주식회사 엘지화학 디스플레이 소자의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 디스플레이 소자
US20140342148A1 (en) * 2013-05-15 2014-11-20 Corning Incorporated Glass structures and methods of creating and processing glass structures
WO2014192560A1 (ja) * 2013-05-28 2014-12-04 旭硝子株式会社 樹脂層付き支持基材およびその製造方法、ガラス積層体およびその製造方法、電子デバイスの製造方法
CN104512075B (zh) * 2013-10-04 2017-06-23 财团法人工业技术研究院 离型层、基板结构、与柔性电子元件工艺
DE112014005485T5 (de) 2013-12-02 2016-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung und deren Herstellungsverfahren
JP6411047B6 (ja) * 2014-03-25 2018-12-05 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 ポリイミド積層構造体及びその製造方法
KR102352288B1 (ko) * 2014-06-13 2022-01-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
WO2016080738A1 (ko) * 2014-11-20 2016-05-26 동우 화인켐 주식회사 필름 터치 센서 및 그의 제조 방법
KR20160064747A (ko) * 2014-11-28 2016-06-08 동우 화인켐 주식회사 액정 표시 패널 상판 일체형 터치 센서
KR20160071735A (ko) 2014-12-12 2016-06-22 동우 화인켐 주식회사 필름 터치 센서 및 그의 제조 방법
CN105789243B (zh) * 2014-12-23 2019-05-24 深圳Tcl工业研究院有限公司 高温tft的复合基板及制备方法和柔性显示器件的制备方法
CN105789440A (zh) * 2014-12-23 2016-07-20 深圳Tcl工业研究院有限公司 用于制造柔性显示的复合基板及制备方法和amoled的制造方法
JP6503183B2 (ja) * 2014-12-24 2019-04-17 株式会社カネカ ポリイミド積層体、電子デバイス、および電子デバイスの製造方法
KR102303243B1 (ko) * 2015-01-14 2021-09-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
JP2016159585A (ja) * 2015-03-04 2016-09-05 三菱化学株式会社 フレキシブル基板、それを用いた有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ照明装置
CN107406674A (zh) * 2015-03-04 2017-11-28 日产化学工业株式会社 剥离层形成用组合物
WO2016200122A1 (ko) * 2015-06-08 2016-12-15 주식회사 엘지화학 금속배선층이 형성된 적층체 및 이를 제조하는 방법
KR102035378B1 (ko) * 2015-06-08 2019-11-18 주식회사 엘지화학 금속배선층이 형성된 적층체 및 이를 제조하는 방법
WO2017014136A1 (ja) * 2015-07-21 2017-01-26 シャープ株式会社 デバイス基板、液晶表示装置、及びデバイス基板の製造方法
KR20170012123A (ko) * 2015-07-24 2017-02-02 주식회사 엘지화학 가요성 기판의 제조방법
WO2017018753A1 (ko) * 2015-07-24 2017-02-02 주식회사 엘지화학 가요성 기판의 제조방법
TWI698347B (zh) * 2015-09-23 2020-07-11 日商日鐵化學材料股份有限公司 聚醯亞胺層疊結構體及其製造方法以及顯示裝置及觸控面板
CN105226186B (zh) * 2015-10-10 2018-06-01 深圳市华星光电技术有限公司 柔性显示装置的制作方法及制得的柔性显示装置
JP6963504B2 (ja) * 2015-10-15 2021-11-10 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 ポリイミド積層体及びその製造方法
CN105428393B (zh) * 2016-01-05 2019-10-18 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板、柔性显示面板的制作方法及相关装置
US10586817B2 (en) 2016-03-24 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and separation apparatus
CN107263984B (zh) * 2016-03-31 2021-01-12 日铁化学材料株式会社 聚酰亚胺树脂层叠体与其制造方法以及带有功能层的聚酰亚胺膜
KR20170115339A (ko) * 2016-04-07 2017-10-17 주식회사 엘지화학 내열성이 개선된 폴리이미드 필름 및 그 제조방법
GB2554040B (en) * 2016-05-11 2023-01-25 Flexenable Ltd Carrier release
JP2017207744A (ja) 2016-05-11 2017-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、モジュール、及び電子機器
WO2017204178A1 (ja) * 2016-05-23 2017-11-30 日産化学工業株式会社 剥離層形成用組成物及び剥離層
KR20230106750A (ko) 2016-07-29 2023-07-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법, 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기
JP7063266B2 (ja) * 2016-08-03 2022-05-09 日産化学株式会社 剥離層形成用組成物及び剥離層
TWI730017B (zh) 2016-08-09 2021-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的製造方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置
TW201808628A (zh) 2016-08-09 2018-03-16 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置的製造方法
KR102079423B1 (ko) * 2016-10-31 2020-02-19 주식회사 엘지화학 폴리이미드 필름 형성용 조성물 및 이를 이용하여 제조된 폴리이미드 필름
CN106601771A (zh) * 2016-12-09 2017-04-26 武汉华星光电技术有限公司 柔性基板及其制作方法
JP2018094790A (ja) * 2016-12-13 2018-06-21 東洋紡株式会社 積層体、積層体の製造方法およびフレキシブルデバイスの製造方法
KR102652732B1 (ko) 2016-12-15 2024-03-28 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 점착 필름
JP2018099801A (ja) * 2016-12-20 2018-06-28 東洋紡株式会社 積層体、積層体の製造方法およびフレキシブルデバイスの製造方法
JP2018099800A (ja) * 2016-12-20 2018-06-28 東洋紡株式会社 積層体、積層体の製造方法およびフレキシブルデバイスの製造方法
WO2018124006A1 (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 日産化学工業株式会社 基板保護層形成用組成物
WO2018143588A1 (ko) * 2017-01-31 2018-08-09 주식회사 엘지화학 가요성 기판 제조용 적층체 및 이를 이용한 가요성 기판의 제조방법
JP6848496B2 (ja) * 2017-02-08 2021-03-24 東洋紡株式会社 積層体
KR102587768B1 (ko) * 2017-02-24 2023-10-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6787179B2 (ja) * 2017-02-27 2020-11-18 三菱ケミカル株式会社 ガラス積層体、電子デバイス作製用基板、及び電子デバイスの製造方法。
WO2018179216A1 (ja) 2017-03-30 2018-10-04 シャープ株式会社 Ｅｌデバイスの製造方法
KR101980272B1 (ko) * 2017-05-22 2019-05-21 한국과학기술원 폴더블 전자소자 및 이의 제조방법
KR102018455B1 (ko) * 2017-05-24 2019-09-04 주식회사 엘지화학 폴리이미드 적층필름 롤체 및 그 제조 방법
CN108948354A (zh) * 2017-05-26 2018-12-07 昆山国显光电有限公司 改性聚酰亚胺树脂及其制备方法、以及应用
WO2018230602A1 (ja) * 2017-06-14 2018-12-20 住友化学株式会社 有機電子デバイスの製造方法
US10658592B2 (en) 2017-07-31 2020-05-19 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method for fabricating flexible display device, flexible display device, and display apparatus
CN107464893A (zh) * 2017-07-31 2017-12-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示器件的制备方法、柔性显示器件及显示器
WO2019026209A1 (ja) * 2017-08-02 2019-02-07 シャープ株式会社 可撓性表示装置及び可撓性表示装置の製造方法
CN107393859B (zh) * 2017-08-22 2019-07-05 京东方科技集团股份有限公司 柔性基板的制作方法、柔性基板及柔性显示面板
TWI655766B (zh) * 2017-09-01 2019-04-01 財團法人塑膠工業技術發展中心 包含可重複改變黏性光感膠的有機發光二極體顯示構造及其製造方法
JP6938837B2 (ja) * 2017-09-04 2021-09-22 エルジー・ケム・リミテッド フレキシブルディスプレイ素子基板用ポリイミドフィルム
CN107815109B (zh) * 2017-10-30 2021-03-30 苏州柔彩新材料科技有限公司 一种用于柔性基板的聚酰亚胺(pi)材料及其制备方法
CN107833978B (zh) * 2017-10-31 2021-12-10 昆山国显光电有限公司 一种显示器件
KR102264420B1 (ko) * 2017-11-03 2021-06-11 주식회사 엘지화학 디스플레이 기판용 폴리이미드 필름
KR102521460B1 (ko) * 2017-12-04 2023-04-19 주식회사 넥스플렉스 연성금속박적층체, 이를 포함하는 연성인쇄회로기판 및 폴리이미드 전구체 조성물
CN108010954B (zh) * 2017-12-15 2023-12-05 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示面板
US20200339754A1 (en) * 2018-01-18 2020-10-29 Toray Industries, Inc. Resin composition for display substrate, resin film for display substrate and laminate body containing this, image display device, organic el display, and manufacturing method of these
US20190229173A1 (en) * 2018-01-23 2019-07-25 Int Tech Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
KR102491338B1 (ko) * 2018-01-26 2023-01-27 주식회사 넥스플렉스 연성금속박적층체 및 연성금속박적층체용 열가소성 폴리이미드 전구체 조성물
KR102338871B1 (ko) 2018-02-13 2021-12-13 주식회사 엘지화학 열전도도가 향상된 폴리이미드 필름 및 그 제조 방법
WO2019160252A1 (ko) * 2018-02-13 2019-08-22 주식회사 엘지화학 열전도도가 향상된 폴리이미드 필름 및 그 제조 방법
JP7084755B2 (ja) * 2018-03-27 2022-06-15 株式会社カネカ ポリアミド酸、ポリアミド酸溶液、ポリイミド、ポリイミド膜、積層体およびフレキシブルデバイス、ならびにポリイミド膜の製造方法。
CN112042270A (zh) * 2018-05-09 2020-12-04 堺显示器制品株式会社 柔性发光器件的制造方法以及制造装置
WO2019215829A1 (ja) * 2018-05-09 2019-11-14 堺ディスプレイプロダクト株式会社 フレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置
WO2020055182A1 (ko) * 2018-09-11 2020-03-19 주식회사 엘지화학 플렉서블 디스플레이 제조용 적층체 및 이를 이용한 플렉서블 디스플레이 제조 방법
KR102012905B1 (ko) * 2018-10-19 2019-08-22 (주)엠티아이 웨이퍼 가공용 테이프
JP7311079B2 (ja) * 2018-11-20 2023-07-19 エルジー・ケム・リミテッド フレキシブル素子製造用積層体及びそれを用いたフレキシブル素子の製造方法
CN109638156B (zh) * 2018-12-10 2020-09-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制作方法
KR102589994B1 (ko) * 2018-12-12 2023-10-18 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN109796761A (zh) * 2018-12-25 2019-05-24 努比亚技术有限公司 显示屏组件、其制备方法和显示终端
US11349099B2 (en) * 2019-01-25 2022-05-31 The Regents Of The University Of Michigan Method of fabricating a light emitting device having a polymer film with a specified surface rouggness
CN110071231B (zh) * 2019-06-13 2022-08-12 京东方科技集团股份有限公司 稳固pi基板防止翘曲的方法及显示面板的制作方法
KR102170175B1 (ko) * 2019-06-26 2020-10-27 인하공업전문대학산학협력단 플렉시블 디스플레이 장치 제조를 위한 가접합 캐리어 글래스-금속 호일 접합체의 제조방법
KR20210018562A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 부품, 표시 장치 및 그것의 제조 방법
KR102248979B1 (ko) * 2019-09-11 2021-05-07 피아이첨단소재 주식회사 다층 폴리이미드 필름 및 이의 제조방법
JP7184858B2 (ja) * 2019-09-28 2022-12-06 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 ポリイミドフィルム、金属張積層板及び回路基板
KR20210121646A (ko) 2020-03-31 2021-10-08 동우 화인켐 주식회사 경화성 수지 조성물, 이를 이용하여 제조된 투명필름 및 필름 터치 센서
US11551986B2 (en) * 2020-04-02 2023-01-10 Texas Instruments Incorporated Shape memory polymer for use in semiconductor device fabrication
CN111430428B (zh) * 2020-04-10 2023-02-07 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板及其制作方法、显示装置
CN111509124A (zh) * 2020-04-26 2020-08-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种衬底基板及其制备方法、显示面板
JPWO2021241571A1 (zh) * 2020-05-29 2021-12-02
TWI836750B (zh) * 2021-11-29 2024-03-21 南韓商聚酰亞胺先端材料有限公司 多層聚醯亞胺膜、包含其的可撓性覆金屬箔層壓板及電子部件
KR102596071B1 (ko) * 2022-01-20 2023-10-30 동우 화인켐 주식회사 폴리이미드 전구체 조성물, 이로부터 형성된 폴리이미드 필름, 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
KR20240053229A (ko) * 2022-10-17 2024-04-24 피아이첨단소재 주식회사 폴리이미드 필름 및 그 제조방법

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0474054A2 (en) * 1990-08-27 1992-03-11 E.I. Du Pont De Nemours And Company Flexible multi-layer polyimide film laminates and preparation thereof
JP2000180618A (ja) * 1998-12-16 2000-06-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ポリイミドフィルム基板光学薄膜フィルタ素子の製造方法
CN101384960A (zh) * 2006-02-23 2009-03-11 富士胶片株式会社 多层材料、树脂图案的形成方法、基板、显示装置及液晶显示装置
CN101466544A (zh) * 2006-04-18 2009-06-24 宇部兴产株式会社 敷金属用聚酰亚胺膜以及金属-层压聚酰亚胺膜
CN101465544A (zh) * 2008-12-30 2009-06-24 上海市电力公司 一种用于发电侧控制性能标准考核的实时采集与监控系统
JP2010141126A (ja) * 2008-12-11 2010-06-24 Nitto Denko Corp 半導体装置の製造方法
JP2011020399A (ja) * 2009-07-17 2011-02-03 Toyobo Co Ltd 剥離性ポリイミドフィルム積層体
CN102256785A (zh) * 2008-12-19 2011-11-23 东洋纺织株式会社 层叠体及其制造方法、层叠体电路板

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5427848A (en) * 1991-05-06 1995-06-27 International Business Machines Corporation Stress balanced composite laminate material
CN1106788C (zh) 1996-02-13 2003-04-23 日东电工株式会社 电路基片
CN1090200C (zh) 1996-02-13 2002-09-04 日东电工株式会社 电路基片,形成电路的支承基片及其生产方法
JPH1012984A (ja) * 1996-02-13 1998-01-16 Nitto Denko Corp 回路基板、回路付きサスペンション基板及びそれらの製造方法
KR100481994B1 (ko) 1996-08-27 2005-12-01 세이코 엡슨 가부시키가이샤 박리방법,박막디바이스의전사방법,및그것을이용하여제조되는박막디바이스,박막집적회로장치및액정표시장치
JP3486325B2 (ja) * 1997-06-26 2004-01-13 日本電信電話株式会社 ポリアミド酸溶液、ポリイミドフィルムおよびポリイミドフィルムの特性制御方法
EP1048628A1 (de) 1999-04-30 2000-11-02 Schott Glas Polymerbeschichtete Dünnglasfoliensubstrate
US6391220B1 (en) * 1999-08-18 2002-05-21 Fujitsu Limited, Inc. Methods for fabricating flexible circuit structures
JP4884592B2 (ja) 2000-03-15 2012-02-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法及び表示装置の作製方法
JP4508441B2 (ja) * 2001-02-16 2010-07-21 新日鐵化学株式会社 積層体及びその製造方法
US6780733B2 (en) * 2002-09-06 2004-08-24 Motorola, Inc. Thinned semiconductor wafer and die and corresponding method
JP4260530B2 (ja) * 2003-04-24 2009-04-30 新日鐵化学株式会社 ポリイミドフィルムの製造方法
US20040260053A1 (en) * 2003-06-20 2004-12-23 Hsu Yen-Huey Polyimide resin and cast-on-copper laminate
KR101100880B1 (ko) * 2004-09-24 2012-01-02 삼성전자주식회사 가요성 표시 장치의 제조 방법
TWI327521B (en) 2005-07-27 2010-07-21 Lg Chemical Ltd Metallic laminate and method of manufacturing the same
JP4757645B2 (ja) 2006-01-31 2011-08-24 新日鐵化学株式会社 両面金属張積層板の製造方法
KR20080041855A (ko) 2006-11-08 2008-05-14 주식회사 코오롱 가요성 양면 도체 적층소재
JP2007251080A (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Fujifilm Corp プラスチック基板の固定方法、回路基板およびその製造方法
DE102006014190A1 (de) 2006-03-24 2007-09-27 Henkel Kgaa Hochfeste schlagschälfeste Klebstoffe
CN101138898A (zh) * 2006-09-07 2008-03-12 长春人造树脂厂股份有限公司 聚酰亚胺复合软板及其制法
JP2009006877A (ja) 2007-06-28 2009-01-15 Bridgestone Corp 重荷重タイヤ
JP4998725B2 (ja) 2007-07-06 2012-08-15 宇部興産株式会社 テープキャリアパッケージ用柔軟性配線板
CN103589356B (zh) * 2007-08-03 2016-01-20 株式会社钟化 多层聚酰亚胺膜、层叠板以及覆金属层叠板
JP5388500B2 (ja) * 2007-08-30 2014-01-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI354854B (en) 2008-09-15 2011-12-21 Ind Tech Res Inst Substrate structures applied in flexible electrica
JP5180814B2 (ja) 2008-12-26 2013-04-10 新日鉄住金化学株式会社 フレキシブル配線基板用積層体
TWI419091B (zh) * 2009-02-10 2013-12-11 Ind Tech Res Inst 可轉移的可撓式電子裝置結構及可撓式電子裝置的製造方法
JP2010201625A (ja) * 2009-02-27 2010-09-16 Nippon Steel Chem Co Ltd フレキシブル基板用積層体及び熱伝導性ポリイミドフィルム
JP2010202729A (ja) * 2009-03-02 2010-09-16 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd フレキシブルデバイス基板用ポリイミド前駆体樹脂組成物及びそれを用いたフレキシブルデバイスの製造方法、フレキシブルデバイス
TWI377646B (en) * 2009-08-03 2012-11-21 Substrate structures applied in flexible electrical devices and fabrication method thereof
CN102596565B (zh) 2009-08-27 2014-09-10 旭硝子株式会社 挠性基材-支撑体的层叠结构体、带有支撑体的电子装置用面板、以及电子装置用面板的制造方法
CN102481764B (zh) 2009-09-08 2014-11-05 旭硝子株式会社 玻璃/树脂层叠体、及使用其的电子设备
KR101783781B1 (ko) 2010-07-05 2017-10-11 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조방법
JP5667392B2 (ja) * 2010-08-23 2015-02-12 株式会社カネカ 積層体、及びその利用
TWI402012B (zh) * 2010-09-01 2013-07-11 Ind Tech Res Inst 圖案化可撓式基板的方法
TWI486259B (zh) * 2010-12-27 2015-06-01 Au Optronics Corp 可撓式基板結構及其製作方法
JP5355618B2 (ja) * 2011-03-10 2013-11-27 三星ディスプレイ株式會社 可撓性表示装置及びこの製造方法
KR101433555B1 (ko) * 2011-04-15 2014-08-22 도요보 가부시키가이샤 적층체와 그 제조 방법 및 그것을 이용한 디바이스 구조체의 제조 방법
CN102408564B (zh) 2011-08-30 2013-07-24 广东生益科技股份有限公司 热塑性聚酰亚胺及使用其的二层法无胶双面挠性覆铜板的制作方法
JP5891693B2 (ja) 2011-10-05 2016-03-23 Jsr株式会社 基板の製造方法および基板
TWI444114B (zh) 2011-12-26 2014-07-01 Chi Mei Corp 具有離型層的基板結構及其製造方法
CN102636898B (zh) * 2012-03-14 2014-03-12 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示装置的制备方法
JP5591859B2 (ja) * 2012-03-23 2014-09-17 株式会社東芝 基板の分離方法及び分離装置
WO2014041816A1 (ja) * 2012-09-14 2014-03-20 三井化学株式会社 透明ポリイミド積層体及びその製造方法
KR102087647B1 (ko) * 2012-09-27 2020-03-11 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 표시 장치의 제조 방법
JP2013076103A (ja) * 2013-02-01 2013-04-25 Ube Industries Ltd ポリイミドフィルムの製造方法
KR101802558B1 (ko) * 2013-04-09 2017-11-29 주식회사 엘지화학 디스플레이 소자의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 디스플레이 소자
KR20150029429A (ko) 2013-09-10 2015-03-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 그의 제조 방법
CN104512075B (zh) 2013-10-04 2017-06-23 财团法人工业技术研究院 离型层、基板结构、与柔性电子元件工艺

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0474054A2 (en) * 1990-08-27 1992-03-11 E.I. Du Pont De Nemours And Company Flexible multi-layer polyimide film laminates and preparation thereof
JP2000180618A (ja) * 1998-12-16 2000-06-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ポリイミドフィルム基板光学薄膜フィルタ素子の製造方法
CN101384960A (zh) * 2006-02-23 2009-03-11 富士胶片株式会社 多层材料、树脂图案的形成方法、基板、显示装置及液晶显示装置
CN101466544A (zh) * 2006-04-18 2009-06-24 宇部兴产株式会社 敷金属用聚酰亚胺膜以及金属-层压聚酰亚胺膜
JP2010141126A (ja) * 2008-12-11 2010-06-24 Nitto Denko Corp 半導体装置の製造方法
CN102256785A (zh) * 2008-12-19 2011-11-23 东洋纺织株式会社 层叠体及其制造方法、层叠体电路板
CN101465544A (zh) * 2008-12-30 2009-06-24 上海市电力公司 一种用于发电侧控制性能标准考核的实时采集与监控系统
JP2011020399A (ja) * 2009-07-17 2011-02-03 Toyobo Co Ltd 剥離性ポリイミドフィルム積層体

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106541652A (zh) * 2015-09-23 2017-03-29 新日铁住金化学株式会社 聚酰亚胺层叠结构体及其制造方法以及显示装置及触摸屏
CN105845844A (zh) * 2016-04-13 2016-08-10 信利半导体有限公司 一种柔性基板制造方法及oled器件制造方法和应用
CN109890614A (zh) * 2017-01-31 2019-06-14 株式会社Lg化学 用于制备柔性基底的层合体和通过使用其制造柔性基底的方法
US11118015B2 (en) 2017-01-31 2021-09-14 Lg Chem, Ltd. Laminate for manufacturing flexible substrate and method for manufacturing flexible substrate by using same
CN110520478B (zh) * 2017-03-30 2022-05-17 日产化学株式会社 剥离层形成用组合物和剥离层
CN110520478A (zh) * 2017-03-30 2019-11-29 日产化学株式会社 剥离层形成用组合物和剥离层
CN110739397A (zh) * 2018-07-02 2020-01-31 霍尼韦尔特性材料和技术（中国）有限公司 一种柔性显示器基板、其制备方法及其应用
CN110739397B (zh) * 2018-07-02 2024-05-14 霍尼韦尔特性材料和技术（中国）有限公司 一种柔性显示器基板、其制备方法及其应用
CN109216546A (zh) * 2018-09-13 2019-01-15 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性衬底与载体基板的连接方法及柔性显示面板
CN112334308A (zh) * 2018-11-20 2021-02-05 株式会社Lg化学 用于制造柔性器件的层合体结构以及通过使用其制造柔性器件的方法
WO2020232986A1 (zh) * 2019-05-23 2020-11-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种pi基板及其制备方法
US11453751B2 (en) 2019-05-23 2022-09-27 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Polyimide (PI) substrate and method for fabricating same
CN110364642A (zh) * 2019-05-29 2019-10-22 福建华佳彩有限公司 显示器件封装工艺
CN110364642B (zh) * 2019-05-29 2021-12-10 福建华佳彩有限公司 显示器件封装工艺
CN111554189A (zh) * 2020-05-15 2020-08-18 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示装置

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Publication number Publication date
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KR20140122205A (ko) 2014-10-17
EP2985144A4 (en) 2017-01-18
EP2985144B1 (en) 2020-03-11
JP2015530283A (ja) 2015-10-15
EP2985143B1 (en) 2020-06-03
TW201446520A (zh) 2014-12-16
KR101775198B1 (ko) 2017-09-06
US20180334541A1 (en) 2018-11-22
JP2015522451A (ja) 2015-08-06
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TWI551459B (zh) 2016-10-01
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