TWI402012B - 圖案化可撓式基板的方法 - Google Patents

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Description

圖案化可撓式基板的方法
本揭露係有關於一種圖案化可撓式基板的方法，特別係有關於一種利用局部改變離型層和可撓式基板薄膜的界面結合力來圖案化可撓式基板的方法，上述可撓式基板應用於可撓式電子顯示器、可撓式電子觸控面板、可撓式電子太陽能電池、可撓式電子感應器或其他的可撓式電子裝置。
可撓式顯示器由於其具有可撓曲使用、輕量化及薄型化等優點，因而廣泛應用於個人數位隨身產品。可撓式顯示器更可提供平面顯示器在外型與捲曲性的設計自由度，是以可撓式顯示器的研發已慢慢形成一股熱潮。
然而，習知的可撓式顯示器面板製程通常是在一大尺寸基板上定義出複數個面板(依產品大小定義)，其製程包括於玻璃載板上圖案化有機材料離型層。之後，於圖案化離型層上塗佈一大面積可撓式基板。接著，將大面積可撓式基板與玻璃載板切割裂片，分離出複數個小面積可撓式基板。切割後的可撓式基板與玻璃載具有良好的附著性。
習知圖案化離形層的製程通常包括蒸鍍(evaporation)法、雷射圖案化法、微影法或反應式離子蝕刻法(RIE)。於載板上搭配遮罩進行蒸鍍沉積的方式，可直接形成多個獨立的離形層圖案。但是，假設遮罩和載板於蒸鍍期間的定義離形層位置效果不佳，所形成的離形層圖案容易有擴散和互連等問題。
雷射圖案化法或微影法雖然可以免除離形層圖案擴散和互連等問題。但是，雷射圖案化法或微影法的產率低。尤其經由雷射轟擊所形成之圖案化離形層的蝕刻後區域易於產生微粒，所以會有較差的輪廓(profile)。微粒產生的污染問題對於良率是一大影響。相較於雷射圖案化法，反應式離子蝕刻法(RIE)的產率高而且蝕刻後的區域十分的乾淨。但是，反應式離子蝕刻法(RIE)需要使用黃光顯影製程以及製程溫度高，在良率上是一大缺點。改用一般的遮罩來圖案化離形層時雖然可以避免反應式離子蝕刻的問題。但是，形成的圖案化離形層會產生邊緣破損或是被遮罩拉起的情形。
在此技術領域中，有需要一種圖案化可撓式基板的方法，以解決上述問題。
有鑑於此，本揭露之一實施例係提供一種圖案化可撓式基板的方法，包括提供一承載基板；於上述承載基板上形成一離型層；於上述離型層上形成一可撓式基板薄膜；形成複數個阻擋紫外光光罩圖案，覆蓋上述可撓式基板薄膜和上述離型層的不同部分；進行一照紫外光步驟，將未被上述些阻擋紫外光光罩圖案覆蓋的上述可撓式基板薄膜和上述離型層暴露在一紫外光下；進行一取下步驟，使位於未暴露在上述紫外光下的上述離型層的上述些不同部分正上方的上述可撓式基板薄膜的上述些不同部分自上述承載基板脫離。
本揭露之另一實施例係提供一種圖案化可撓式基板的方法，包括提供一承載基板；於上述承載基板上形成一離型層；形成複數個阻擋紫外光光罩圖案，覆蓋上述離型層的不同部分；形成一可撓式基板薄膜，覆蓋上述些阻擋紫外光光罩圖案和上述離型層；進行一照紫外光步驟，將上述可撓式基板薄膜和未被上述些阻擋紫外光光罩圖案覆蓋的上述離型層暴露在一紫外光下；進行一取下步驟，使位於未暴露在上述紫外光下的上述離型層的正上方的上述可撓式基板薄膜的上述些不同部分自上述承載基板脫離。
本揭露之又一實施例係提供一種圖案化可撓式基板的方法，包括提供一承載基板；於上述承載基板上形成一離型層；形成複數個阻擋紫外光光罩圖案，覆蓋上述離型層的不同部分；進行一照紫外光步驟，將未被上述些阻擋紫外光光罩圖案覆蓋的上述離型層暴露在一紫外光下；移除上述些阻擋紫外光光罩圖案；形成一可撓式基板薄膜，覆蓋上述離型層；進行一取下步驟，使位於未暴露在上述紫外光下的上述離型層的正上方的上述可撓式基板薄膜的上述些不同部分自上述承載基板脫離。
以下以各實施例詳細說明並伴隨著圖式說明之範例，做為本揭露之參考依據。在圖式或說明書描述中，相似或相同之部分皆使用相同之圖號。且在圖式中，實施例之形狀或是厚度可擴大，並以簡化或是方便標示。再者，圖式中各元件之部分將以分別描述說明之，值得注意的是，圖中未繪示或描述之元件，為所屬技術領域中具有通常知識者所知的形式，另外，特定之實施例僅為揭示本揭露使用之特定方式，其並非用以限定本揭露。
第1至7圖為本揭露一實施例之圖案化可撓式基板的方法的製程剖面圖。本揭露實施例之可撓式基板可應用於可撓式電子顯示器、可撓式電子觸控面板、可撓式電子太陽能電池、可撓式電子感應器或其他的可撓式電子裝置。如第1圖所示，首先，提供一承載基板200。在本揭露一實施例中，承載基板200可包括玻璃基板、矽基板、石英基板或藍寶石基板等硬式基板，上述硬式基板可使其於移動或搬運的過程中能維持其原有的形狀不致變形。接著，可利用包括真空蒸鍍(vacuum evaporation)或網印(screen printing)等形成方式，於承載基板200上形成一離型層202。上述離型層202的功能係可使後續形成於承載基板200上之可撓式基板易於從承載基板200脫離，而上述脫離的方式會於後續的說明所描述。在本揭露一實施例中，離型層202可包括有機材料，包含具有C-H官能基的聚對二甲基苯(parylene)系列材料，例如聚對二甲基苯N(parylene N)、聚對二甲基苯C(parylene C)或聚對二甲基苯D(parylene D)。上述例如聚對二甲基苯N(parylene N)、聚對二甲基苯C(parylene C)或聚對二甲基苯D(parylene D)之聚對二甲基苯(parylene)材料形成的離型層202為下列式1~式3之重複單元所構成之聚合物或共聚合物，其中n大於20。
接著，請參考第2圖，可利用網印(screen printing)、刮印(spatula printing)、滾輪塗佈(roller coating)、噴印(spray printing)、旋轉塗佈(spin coating)或狹縫式塗佈(slot die coating)等形成方式，於離型層202上全面性形成一可撓式基板薄膜204。或者，在其他實施例中，可使用一已製備完成的可撓式基板薄膜204藉由一黏著層(圖未顯示)黏附於離型層202上。在本揭露一實施例中，可撓式基板薄膜204可包括一聚合物，例如聚醯亞胺(polyimide)、聚醚(polyethersulfone,PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyarylene ether nitrile,PEN)或其他塑膠材質。在其他實施例中，可撓式基板薄膜204可包括有機/無機混成(hybrid)複合材料，其可包括將無機奈米顆粒分散於一有機聚合物中，其中有機聚合物包括前述之聚合物，例如聚醯亞胺(polyimide)、聚醚(polyethersulfone,PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyarylene ether nitrile,PEN)或其他塑膠材質。且無機奈米顆粒可包括例如二氧化矽(SiO2 )奈米顆粒。另外，在本揭露一實施例中，離型層202與承載基板200之間的黏著力係大於離型層202與可撓式基板薄膜204之間的黏著力。因此，離型層202方便於後續進行的可撓式電子裝置取下步驟中使可撓式基板薄膜204自承載基板200脫離。
接著，請參考第3圖，可利用網印(screen printing)、刮印(spatula printing)、滾輪塗佈(roller coating)、噴印(spray printing)或旋轉塗佈(spin coating)等形成方式，於可撓式基板薄膜204上全面性形成一阻擋紫外光(UV，其波長介於190nm至400nm之間)薄膜206。在本揭露一實施例中，阻擋紫外光薄膜206可避免紫外光穿透至被阻擋紫外光薄膜206覆蓋的離型層202。阻擋紫外光薄膜206可具有抗紫外光或吸收紫外光等不同的功能。阻擋紫外光薄膜206可更具有導電、阻氣(gas resistance)或阻水(hydraulic resistance)等功能。因此，阻擋紫外光薄膜206不僅可用於阻擋波長介於190nm至400nm之間的紫外光，而且可做為後續形成可撓式裝置的一元件，舉例來說，一阻氣層、一阻水層、一電極或類似的元件。在本揭露一實施例中，阻擋紫外光薄膜206可包括包含金屬、金屬氧化物(例如氧化鋁Al2 O3 )、氧化矽或氮化物(例如SiOx或SiNx)之無機材料，包含聚合物、有機/無機疊層有機/無機混合材料之有機材料。在本揭露一實施例中，阻擋紫外光薄膜206可為一透明層或一不透明層。在本揭露一實施例中，阻擋紫外光薄膜206可為單一層或複數層。
接著，請參考第4圖，進行一圖案化製程，以移除部分阻擋紫外光薄膜206，因而形成複數個彼此分離的阻擋紫外光光罩圖案206a，其中阻擋紫外光光罩圖案206a係覆蓋可撓式基板薄膜204和其下之離型層202的不同部分。被阻擋紫外光光罩圖案206a覆蓋的可撓式基板薄膜204的不同部分係定義為可撓式基板薄膜204的不同取下部分，其於後續取下步驟中，藉由位於其正下方的離型層202的不同部分，自承載基板200脫離。
接著，請參考第5圖，進行一照紫外光步驟208，將未被阻擋紫外光光罩圖案206a覆蓋的可撓式基板薄膜204和離型層202暴露在一紫外光下。因為由有機材料形成的離型層202易於吸收波長介於200nm至300nm之間的紫外光，但不會吸收波長大於400nm的光。在照紫外光步驟208期間，未被阻擋紫外光光罩圖案206a覆蓋的部分離型層202(意即暴露在紫外光下的部分離型層202)會產生黃化反應(yellowing)。
接著，請參考第6圖，照紫外光步驟208局部改變離型層202和可撓式基板薄膜204之間界面的結合力(bonding force)。進行照紫外光步驟208之後，未被阻擋紫外光光罩圖案206a覆蓋的部分離型層202會轉變為紫外光處理(UV treated)離型層圖案202b，而被阻擋紫外光光罩圖案206a覆蓋的部分離型層202會形成為離型層圖案202a，其中紫外光處理離型層圖案202b和離型層圖案202a係彼此相連。舉例來說，例如聚對二甲基苯C(parylene C)之離型層202的黃化反應(意即進行照紫外光步驟208後)的化學反應式如下所示：
而例如聚對二甲基苯C(parylene C)經黃化反應後形成之紫外光處理離型層圖案202b由包括如下所示之式4或式5的結構形成：
紫外光處理離型層圖案202b之式2的C=0官能基和式3的-OH官能基會與可撓式基板薄膜204具有良好的結合力。換句話說，紫外光處理離型層圖案202b不具有允許其上的可撓式基板薄膜易於自承載基板200脫離的功能。相反地，被阻擋紫外光光罩圖案206a覆蓋的離型層圖案202a仍然允許其上的部分可撓式基板薄膜204易於自承載基板200脫離。同理可知，其他例如聚對二甲基苯N(parylene N)或聚對二甲基苯D(parylene D)之聚對二甲基苯(parylene)材料形成的離型層202經黃化反應後形成的紫外光處理離型層圖案202b也會具有C=0官能基或-OH官能基，在此不做重複敘述。
請再參考第6圖，進行一切割步驟210，於可撓式基板薄膜204暴露在紫外光下之處依序切割可撓式基板薄膜204、紫外光處理離型層圖案202b和承載基板200，以將可撓式基板薄膜204分離為具有較小面積的獨立可撓式基板薄膜204。進行切割步驟210之後，每一個被阻擋紫外光光罩圖案206a覆蓋的離型層圖案202a係彼此隔開。在本揭露一實施例中，可沿著承載基板200的法線方向進行切割步驟210。值得注意的是，紫外光處理離型層圖案202b和其上的可撓式基板薄膜204具有良好的結合力。因此，當進行切割步驟210時，紫外光處理離型層圖案202b和其上的可撓式基板薄膜204之間的界面212b並不會產生剝離(peeling)現象之問題。
接著，請參考第7圖，進行一分離步驟214，可利用例如為刀具之切割工具，沿著離型層圖案202a的邊緣切割可撓式基板薄膜204和離型層圖案202a，以使空氣進入被阻擋紫外光光罩圖案206a覆蓋的離型層圖案202a與可撓式基板薄膜204之間的一界面212a(如第6圖所示)中。接著，進行一取下步驟，使位於未暴露在紫外光下的離型層圖案202a正上方且連接至阻擋紫外光光罩圖案206a的可撓式基板薄膜的不同部分204a自承載基板200脫離。由於紫外光處理離型層圖案202b和其上的可撓式基板薄膜204具有良好的結合力，所以剩餘的可撓式基板薄膜204的會留在紫外光處理離型層圖案202b上。經過上述製程之後，係完成本揭露一實施例之圖案化可撓式基板的方法。
第8至10圖為本揭露另一實施例之圖案化可撓式基板的方法的製程剖面圖。在以下各實施例中，各元件如有與第1至7圖所示相同或相似的部分，則可參考前面的相關敍述，在此不做重複說明。如第8圖所示，可利用網印(screen printing)、刮印(spatula printing)、滾輪塗佈(roller coating)、噴印(spray printing)或旋轉塗佈(spin coating)等形成方式，於可撓式基板薄膜204和離型層202上形成複數個阻擋紫外光光罩圖案216a。在本實施例中，紫外光光罩圖案216a可具有抗紫外光或吸收紫外光等功能。在本揭露一實施例中，阻擋紫外光光罩圖案216a可包括包含金屬、金屬氧化物(例如氧化鋁Al2 O3 )、氧化矽或氮化物(例如SiOx或SiNx)之無機材料，包含聚合物、有機/無機疊層有機/無機混合材料之有機材料。在本揭露一實施例中，阻擋紫外光光罩圖案216a可為一透明層或一不透明層。在本揭露一實施例中，阻擋紫外光光罩圖案216a可為單一層或複數層。被阻擋紫外光光罩圖案216a覆蓋的可撓式基板薄膜204的不同部分係定義為可撓式基板薄膜204的不同取下部分，其於後續取下步驟中，藉由位於其正下方的離型層202的不同部分，自承載基板200脫離。
請再參考第8圖，進行一照紫外光步驟208，將未被阻擋紫外光光罩圖案216a覆蓋的可撓式基板薄膜204和離型層202暴露在一紫外光下。因為由有機材料形成的離型層202易於吸收波長介於200nm至300nm之間的紫外光，但不會吸收波長大於400nm的光。在照紫外光步驟208期間，未被阻擋紫外光光罩圖案216a覆蓋的部分離型層202會產生黃化反應(yellowing)。
接著，請參考第9圖，照紫外光步驟208局部改變離型層202和可撓式基板薄膜204之間界面的結合力(bonding force)。進行照紫外光步驟208之後，移除如第8圖所示的阻擋紫外光光罩圖案216a。並且，進行照紫外光步驟208之後，未被阻擋紫外光光罩圖案216a覆蓋的部分離型層202會轉變為紫外光處理(UV treated)離型層圖案202b，而被阻擋紫外光光罩圖案216a覆蓋的部分離型層202會形成為離型層圖案202a，其中紫外光處理離型層圖案202b和離型層圖案202a係彼此相連。
請再參考第9圖，進行一切割步驟210，於可撓式基板薄膜204暴露在紫外光下之處依序切割可撓式基板薄膜204、紫外光處理離型層圖案202b和承載基板200，以將承載基板204分離為具有較小面積的獨立可撓式基板薄膜204。進行切割步驟210之後，每一個未暴露在紫外光下的離型層圖案202a係彼此隔開。在本揭露一實施例中，可沿著承載基板200的法線方向進行切割步驟210。值得注意的是，紫外光處理離型層圖案202b和其上的可撓式基板薄膜204具有良好的結合力。因此，當進行切割步驟210時，紫外光處理離型層圖案202b和其上的可撓式基板薄膜204之間的界面212b並不會產生剝離(peeling)現象之問題。
接著，請參考第10圖，進行一分離步驟214，可利用例如為刀具之切割工具，沿著離型層圖案202a和紫外光處理離型層圖案202b之間的邊緣切割可撓式基板薄膜204，以使空氣進入離型層圖案202a與可撓式基板薄膜204之間的一界面212a(如第9圖所示)中。接著，進行一取下步驟，使位於未暴露在紫外光下的離型層圖案202a正上方的可撓式基板薄膜的不同部分204a自承載基板200脫離。由於紫外光處理離型層圖案202b和其上的可撓式基板薄膜204具有良好的結合力，所以剩餘的可撓式基板薄膜204的會留在紫外光處理離型層圖案202b上。經過上述製程之後，係完成本揭露另一實施例之圖案化可撓式基板的方法。
第11至16圖為本揭露又一實施例之圖案化可撓式基板的方法的製程剖面圖。在以下實施例中，各元件如有與第1至10圖所示相同或相似的部分，則可參考前面的相關敍述，在此不做重複說明。如第11圖所示，形成離型層202之後，可利用網印(screen printing)、刮印(spatula printing)、滾輪塗佈(roller coating)、噴印(spray printing)或旋轉塗佈(spin coating)等形成方式，於可撓式基板薄膜204上全面性形成一阻擋紫外光(UV，其波長介於190nm至400nm之間)薄膜226。阻擋紫外光薄膜226可具有抗紫外光或吸收紫外光等不同的功能。阻擋紫外光薄膜226可更具有導電、阻氣(gas resistance)或阻水(hydraulic resistance)等功能。因此，阻擋紫外光薄膜226不僅可用於阻擋波長介於190nm至400nm之間的紫外光，而且可做為後續形成可撓式裝置的一元件，舉例來說，一阻氣層、一阻水層、一電極或類似的元件。在本揭露一實施例中，阻擋紫外光薄膜226可包括包含金屬、金屬氧化物(例如氧化鋁Al2 O3 )、氧化矽或氮化物(例如SiOx或SiNx)之無機材料，包含聚合物、有機/無機疊層有機/無機混合材料之有機材料。在本揭露一實施例中，阻擋紫外光薄膜226可為一透明層或一不透明層。在本揭露一實施例中，阻擋紫外光薄膜226可為單一層或複數層。
接著，請參考第12圖，進行一圖案化製程，以移除部分阻擋紫外光薄膜226，因而形成複數個彼此分離的阻擋紫外光光罩圖案226a，其中阻擋紫外光光罩圖案226a係覆蓋其下之離型層202的不同部分。
接著，請參考第13圖，可利用網印(screen printing)、刮印(spatula printing)、滾輪塗佈(roller coating)、噴印(spray printing)、旋轉塗佈(spin coating)或狹縫式塗佈(slot die coating)等形成方式，全面性形成一可撓式基板薄膜224，並覆蓋離型層202和阻擋紫外光光罩圖案226a。在本揭露一實施例中，離型層202的面積可小於或等於可撓式基板薄膜224的面積。可撓式基板薄膜224的厚度係足夠厚以使其具有一平坦的表面。位於阻擋紫外光光罩圖案226a正上方的可撓式基板薄膜224的不同部分係定義為可撓式基板薄膜224的不同取下部分，其於後續取下步驟中，藉由位於其正下方的離型層202的不同部分，自承載基板200脫離。
接著，請參考第14圖，進行一照紫外光步驟208，將可撓式基板薄膜224和未被阻擋紫外光光罩圖案226a覆蓋的離型層202暴露在一紫外光下。因為由有機材料形成的離型層202易於吸收波長介於200nm至300nm之間的紫外光，但不會吸收波長大於400nm的光。在照紫外光步驟208期間，未被阻擋紫外光光罩圖案226a覆蓋的部分離型層202會產生黃化反應(yellowing)。
接著，請參考第15圖，照紫外光步驟208局部改變離型層202和可撓式基板薄膜224之間界面的結合力(bonding force)。進行照紫外光步驟208之後，未被阻擋紫外光光罩圖案226a覆蓋的部分離型層202會轉變為紫外光處理(UV treated)離型層圖案202b，而被阻擋紫外光光罩圖案226a覆蓋的部分離型層202會形成為離型層圖案202a，其中紫外光處理離型層圖案202b和離型層圖案202a係彼此相連。
請再參考第15圖，進行一切割步驟210，於紫外光處理離型層圖案202b處(離型層202暴露在紫外光下之處)依序切割可撓式基板薄膜224、紫外光處理離型層圖案202b和承載基板200，以將可撓式基板薄膜224分離為具有較小面積的獨立可撓式基板薄膜224。進行切割步驟210之後，每一個被阻擋紫外光光罩圖案226a覆蓋的離型層圖案202a係彼此隔開。在本揭露一實施例中，可沿著承載基板200的法線方向進行切割步驟210。值得注意的是，紫外光處理離型層圖案202b和其上的可撓式基板薄膜224具有良好的結合力。因此，當進行切割步驟210時，紫外光處理離型層圖案202b和其上的可撓式基板薄膜224之間的界面222b並不會產生剝離(peeling)現象之問題。
接著，請參考第16圖，進行一分離步驟214，可利用例如為刀具之切割工具，沿著離型層圖案202a和紫外光處理離型層圖案202b之間的邊緣切割可撓式基板薄膜224，以使空氣進入離型層圖案202a與阻擋紫外光光罩圖案226a之間的一界面222a(如第15圖所示)中。接著，進行一取下步驟，使位於未暴露在紫外光下的離型層圖案202a正上方，且連接至阻擋紫外光光罩圖案226a的可撓式基板薄膜224的不同部分224a自承載基板200脫離。由於紫外光處理離型層圖案202b和其上的可撓式基板薄膜224具有良好的結合力，所以剩餘的可撓式基板薄膜224的會留在紫外光處理離型層圖案202b上。經過上述製程之後，係完成本揭露又一實施例之圖案化可撓式基板的方法。
第17至19圖為本揭露再一實施例之圖案化可撓式基板的方法的製程剖面圖。在以下實施例中，各元件如有與第1至16圖所示相同或相似的部分，則可參考前面的相關敍述，在此不做重複說明。如第17圖所示，形成離型層202之後，可利用網印(screen printing)、刮印(spatula printing)、滾輪塗佈(roller coating)、噴印(spray printing)或旋轉塗佈(spin coating)等形成方式，於可撓式基板薄膜204上形成複數個阻擋紫外光光罩圖案236a。在本實施例中，紫外光光罩圖案236a可具有抗紫外光或吸收紫外光等功能。在本揭露一實施例中，阻擋紫外光光罩圖案236a可包括包含金屬、金屬氧化物(例如氧化鋁Al2 O3 )、氧化矽或氮化物(例如SiOx或SiNx)之無機材料，包含聚合物、有機/無機疊層有機/無機混合材料之有機材料。在本揭露一實施例中，阻擋紫外光光罩圖案236a可為一透明層或一不透明層。在本揭露一實施例中，阻擋紫外光光罩圖案236a可為單一層或複數層。被阻擋紫外光光罩圖案236a覆蓋的離型層202的不同部分係定義出後續形成之可撓式基板薄膜204的不同取下部分的位置，其中上述可撓式基板薄膜204的不同取下部分會於後續取下步驟中，藉由位於其正下方的離型層202的不同部分，自承載基板200脫離。
請再參考第17圖，進行一照紫外光步驟208，將未被阻擋紫外光光罩圖案226a覆蓋的離型層202暴露在一紫外光下。因為由有機材料形成的離型層202易於吸收波長介於200nm至300nm之間的紫外光，但不會吸收波長大於400nm的光。在照紫外光步驟208期間，未被阻擋紫外光光罩圖案226a覆蓋的部分離型層202會產生黃化反應(yellowing)。
接著，請參考第18圖，進行照紫外光步驟208之後，移除如第17圖所示的阻擋紫外光光罩圖案226a。並且，進行照紫外光步驟208之後，未被阻擋紫外光光罩圖案226a覆蓋的部分離型層202會轉變為紫外光處理(UV treated)離型層圖案202b，而被阻擋紫外光光罩圖案226a覆蓋的部分離型層202會形成為離型層圖案202a，其中紫外光處理離型層圖案202b和離型層圖案202a係彼此相連。之後，可利用網印(screen printing)、刮印(spatula printing)、滾輪塗佈(roller coating)、噴印(spray printing)、旋轉塗佈(spin coating)或狹縫式塗佈(slot die coating)等形成方式，於離型層202上全面性形成一可撓式基板薄膜204。值得注意的是，如第17圖所示的照紫外光步驟208局部改變離型層202和可撓式基板薄膜204之間界面的結合力(bonding force)。
請再參考第18圖，進行一切割步驟210，於承載基板204暴露在紫外光下之處依序切割可撓式基板薄膜204、紫外光處理離型層圖案202b和承載基板200，以將承載基板204分離為具有較小面積的獨立可撓式基板薄膜204。進行切割步驟210之後，每一個未暴露在紫外光下的離型層圖案202a係彼此隔開。在本揭露一實施例中，可沿著承載基板200的法線方向進行切割步驟210。值得注意的是，紫外光處理離型層圖案202b和其上的可撓式基板薄膜204具有良好的結合力。因此，當進行切割步驟210時，紫外光處理離型層圖案202b和其上的可撓式基板薄膜204之間的界面212b並不會產生剝離(peeling)現象之問題。
接著，請參考第19圖，進行一分離步驟214，可利用例如為刀具之切割工具，沿著離型層圖案202a和紫外光處理離型層圖案202b之間的邊緣切割可撓式基板薄膜204，以使空氣進入離型層圖案202a與可撓式基板薄膜204之間的一界面212a(如第9圖所示)中。接著，進行一取下步驟，使位於未暴露在紫外光下的離型層圖案202a正上方的可撓式基板薄膜的不同部分204a自承載基板200脫離。由於紫外光處理離型層圖案202b和其上的可撓式基板薄膜204具有良好的結合力，所以剩餘的可撓式基板薄膜204的會留在紫外光處理離型層圖案202b上。經過上述製程之後，係完成本揭露再一實施例之圖案化可撓式基板的方法。
本揭露實施例係提供一種圖案化可撓式基板的方法。上述圖案化可撓式基板的方法係利用位於離型層上的複數個阻擋紫外光光罩圖案和後續進行的照紫外光步驟，以局部改變彼此連接的離型層和可撓式基板薄膜的結合力(bonding force)。由於離型層進行照紫外光步驟之後會產生黃化反應(yellowing)，所以被阻擋紫外光光罩圖案覆蓋的部分離型層會形成為離型層圖案，而未被阻擋紫外光光罩圖案覆蓋的部分離型層會轉變為紫外光處理(UV treated)離型層圖案。因此，具大面積的離型層會轉變為複數個具小面積的離型層圖案，其中上述小面積的離型層圖案藉由與其連接的紫外光處理離型層圖案彼此隔開。可精確控制離型層圖案的位置。因此，全面性形成於離型層圖案和紫外光處理離型層圖案上的可撓式基板薄膜可分離為複數個具小面積的圖案化可撓式基板。本揭露實施例之圖案化可撓式基板的方法可有效避免習知利用蒸鍍(evaporation)法形成的離型層之彼此擴散和連接的問題。因此，圖案化的可撓式基板可以彼此保持獨立性。另外，阻擋紫外光光罩圖案可具有抗紫外光或吸收紫外光等不同的功能。阻擋紫外光光罩圖案可更具有導電、阻氣(gas resistance)或阻水(hydraulic resistance)等功能。因此，阻擋紫外光光罩圖案不僅可用於阻擋波長介於190nm至400nm之間的紫外光，而且可做為後續形成可撓式裝置的一元件，舉例來說，一阻氣層、一阻水層、一電極或類似的元件。因此，後續於圖案化可撓式基板上製造的可撓式裝置係具有較佳的良率。本揭露實施例之圖案化可撓式基板的方法係具高產率並易於製造。
雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定為準。
200．．．承載基板
202．．．離型層
202a．．．離型層圖案
202b．．．紫外光處理離型層圖案
204、224．．．可撓式基板薄膜
204a、224a．．．部分
206、226．．．阻擋紫外光薄膜
206a、216a、226a、236a．．．阻擋紫外光光罩圖案
208．．．照紫外光步驟
210．．．切割步驟
212a、212b、222a、222b．．．界面
214．．．分離步驟
第1至7圖為本揭露一實施例之圖案化可撓式基板的方法的製程剖面圖。
第8至10圖為本揭露另一實施例之圖案化可撓式基板的方法的製程剖面圖。
第11至16圖為本揭露又一實施例之圖案化可撓式基板的方法的製程剖面圖。
第17至19圖為本揭露再一實施例之圖案化可撓式基板的方法的製程剖面圖。
200．．．承載基板
202．．．離型層
202a．．．離型層圖案
202b．．．紫外光處理離型層圖案
204．．．可撓式基板薄膜
204a．．．部分
214．．．分離步驟

Claims (19)

  1. 一種圖案化可撓式基板的方法，包括下列步驟：提供一承載基板；於該承載基板上形成一離型層；於該離型層上形成一可撓式基板薄膜；形成複數個阻擋紫外光光罩圖案，覆蓋該可撓式基板薄膜和該離型層的不同部分；進行一照紫外光步驟，將未被該些阻擋紫外光光罩圖案覆蓋的該可撓式基板薄膜和該離型層暴露在一紫外光下；以及進行一取下步驟，使位於未暴露在該紫外光下的該離型層的該些不同部分正上方的該可撓式基板薄膜的該些不同部分自該承載基板脫離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之圖案化可撓式基板的方法，進行該取下步驟之前更包括：進行一切割步驟，於該承載基板暴露在該紫外光下之處依序切割該可撓式基板薄膜、該離型層和該承載基板；以及進行一分離步驟，以使空氣進入被該些阻擋紫外光光罩圖案覆蓋的該離型層與該可撓式基板薄膜之間的一界面中。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之圖案化可撓式基板的方法，其中該離型層包括C-H官能基。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之圖案化可撓式基板的方法，其中該離型層包括聚對二甲基苯(parylene)系列材料。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之圖案化可撓式基板的方法，其中該聚對二甲基苯(parylene)系列材料為下列式1、式2或式3之重複單元所構成之聚合物或共聚合物， 其中n大於20。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之圖案化可撓式基板的方法，其中暴露在該紫外光之後的該離型層包括C=0官能基或-OH官能基。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之圖案化可撓式基板的方法，進行一照紫外光步驟之後更包括：移除該些阻擋紫外光光罩圖案。
  8. 一種圖案化可撓式基板的方法，包括下列步驟：提供一承載基板；於該承載基板上形成一離型層；形成複數個阻擋紫外光光罩圖案，覆蓋該離型層的不同部分；形成一可撓式基板薄膜，覆蓋該些阻擋紫外光光罩圖案和該離型層；進行一照紫外光步驟，將該可撓式基板薄膜和未被該些阻擋紫外光光罩圖案覆蓋的該離型層暴露在一紫外光下；以及進行一取下步驟，使位於未暴露在該紫外光下的該離型層的正上方的該可撓式基板薄膜的該些不同部分自該承載基板脫離。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之圖案化可撓式基板的方法，進行該取下步驟之前更包括：進行一切割步驟，於該離型層暴露在該紫外光下之處依序切割該離型層、該可撓式基板薄膜和該承載基板；以及進行一分離步驟，以使空氣進入被該些阻擋紫外光光罩圖案覆蓋的該離型層與該承載基板之間的一界面中。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之圖案化可撓式基板的方法，其中該離型層包括C-H官能基。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之圖案化可撓式基板的方法，其中該離型層包括聚對二甲基苯(parylene)系列材料。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之圖案化可撓式基板的方法，其中該聚對二甲基苯(parylene)系列材料為下列式1、式2或式3之重複單元所構成之聚合物或共聚合物， 其中n大於20。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之圖案化可撓式基板的方法，其中暴露在該紫外光之後的該離型層包括C=0官能基或-OH官能基。
  14. 一種圖案化可撓式基板的方法，包括下列步驟：提供一承載基板；於該承載基板上形成一離型層；形成複數個阻擋紫外光光罩圖案，覆蓋該離型層的不同部分；進行一照紫外光步驟，將未被該些阻擋紫外光光罩圖案覆蓋的該離型層暴露在一紫外光下；移除該些阻擋紫外光光罩圖案；形成一可撓式基板薄膜，覆蓋該離型層；以及進行一取下步驟，使位於未暴露在該紫外光下的該離型層的正上方的該可撓式基板薄膜的該些不同部分自該承載基板脫離。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之圖案化可撓式基板的方法，進行該取下步驟之前更包括：進行一切割步驟，於該離型層暴露在該紫外光下之處依序切割該離型層、該可撓式基板薄膜和該承載基板；以及進行一分離步驟，以使空氣進入未暴露在該紫外光下之該離型層與該承載基板之間的一界面中。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之圖案化可撓式基板的方法，其中該離型層包括C-H官能基。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之圖案化可撓式基板的方法，其中該離型層包括聚對二甲基苯(parylene)系列材料。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之圖案化可撓式基板的方法，其中該聚對二甲基苯(parylene)系列材料為下列式1、式2或式3之重複單元所構成之聚合物或共聚合物， 其中n大於20。
  19. 如申請專利範圍第14項所述之圖案化可撓式基板的方法，其中暴露在該紫外光之後的該離型層包括C=0官能基或-OH官能基。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9796874B2 (en) 2014-04-23 2017-10-24 Industrial Technology Research Institute Substrate structure, manufacturing method thereof, and method for manufacturing an electronic device

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI419091B (zh) * 2009-02-10 2013-12-11 Ind Tech Res Inst 可轉移的可撓式電子裝置結構及可撓式電子裝置的製造方法
JP5899220B2 (ja) * 2010-09-29 2016-04-06 ポスコ ロール状の母基板を利用したフレキシブル電子素子の製造方法、フレキシブル電子素子及びフレキシブル基板
KR101945948B1 (ko) 2011-12-30 2019-02-12 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
US9163307B2 (en) * 2012-03-27 2015-10-20 Massachusetts Institute Of Technology Three-dimensional photoresists via functionalization of polymer thin films fabricated by iCVD
TWI520215B (zh) 2012-09-19 2016-02-01 友達光電股份有限公司 元件基板及其製造方法
CN103035490A (zh) * 2012-12-11 2013-04-10 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示器件的制备方法
US9023448B2 (en) 2013-02-22 2015-05-05 Industrial Technology Research Institute Substrate structures applied in flexible devices
CN103151306B (zh) * 2013-03-08 2015-06-17 上海和辉光电有限公司 一种柔性电子器件的制备方法
KR101775198B1 (ko) * 2013-04-09 2017-09-06 주식회사 엘지화학 적층체 및 이를 이용하여 제조된 기판을 포함하는 소자
CN103337500B (zh) * 2013-05-24 2015-12-23 友达光电股份有限公司 主动元件阵列基板及其制造方法
CN108417485B (zh) * 2018-01-18 2020-12-15 云谷（固安）科技有限公司 柔性衬底处理方法及柔性显示屏
KR102593533B1 (ko) 2018-02-28 2023-10-26 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치용 기판의 제조방법 및 디스플레이 장치의 제조 방법
CN111653690B (zh) * 2020-06-18 2024-04-19 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制备方法、柔性显示面板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200514486A (en) * 2003-09-08 2005-04-16 Nitto Denko Corp Process for producing wiring circuit board
TWM387451U (en) * 2009-12-01 2010-08-21 ying-fu Guo Flexible circuit board covering film structure with a re-coating film feature

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3199006B2 (ja) 1997-11-18 2001-08-13 日本電気株式会社 層間絶縁膜の形成方法および絶縁膜形成装置
JP2002510878A (ja) 1998-04-02 2002-04-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 低ｋ誘電体をエッチングする方法
US6284050B1 (en) * 1998-05-18 2001-09-04 Novellus Systems, Inc. UV exposure for improving properties and adhesion of dielectric polymer films formed by chemical vapor deposition
JP3889700B2 (ja) 2002-03-13 2007-03-07 三井金属鉱業株式会社 Ｃｏｆフィルムキャリアテープの製造方法
JP4410456B2 (ja) * 2002-04-24 2010-02-03 株式会社リコー 薄膜デバイス装置の製造方法、およびアクティブマトリクス基板の製造方法
TWI265606B (en) * 2005-09-19 2006-11-01 Ind Tech Res Inst Method of fabricating flexible thin film transistor array substrate
US7621794B2 (en) 2005-11-09 2009-11-24 International Display Systems, Inc. Method of encapsulating an organic light-emitting device
US8273439B2 (en) * 2008-12-08 2012-09-25 Industrial Technology Research Institute Release layer materials, substrate structures comprising the same and fabrication method thereof

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200514486A (en) * 2003-09-08 2005-04-16 Nitto Denko Corp Process for producing wiring circuit board
TWM387451U (en) * 2009-12-01 2010-08-21 ying-fu Guo Flexible circuit board covering film structure with a re-coating film feature

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9796874B2 (en) 2014-04-23 2017-10-24 Industrial Technology Research Institute Substrate structure, manufacturing method thereof, and method for manufacturing an electronic device

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US8932804B1 (en) 2015-01-13

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